Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Евстигнеев, Сергей Владимирович

• Евстигнеев, Сергей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Евстигнеев, Сергей Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СТРУКТУРЫ С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ

1.1. Принцип действия. Экспериментальные результаты

1.2. Обоснование выбора конструкции РТС

1.3. Исследования резонансного туннелирования в многобарьерных РТС

1.4. Выводы

ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОЦЕССА МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ СОЕДИНЕНИЙ А3В5 И МЕТОДЫ АНАЛИЗА

ВЫРАЩИВАЕМЫХ СТРУКТУР

2.1. Общая характеристика технологии и оборудование МЛЭ

2.2. Параметры и характеристика процессов роста GaAs и AlxGaixAs.

Выбор определяющих критериев технологии МЛЭ для создания РТС

2.3. Легирование эпитаксиальных слоев GaAs и AlxGai-xAs в условиях МЛЭ

2.4. Методики анализа и контроля

2.4.1. Дифракция быстрых электронов

2.4.2. Измерение холловской подвижности и концентрагщи носителей

2.4.3. Фотолюминесценция

2.4.4. Просвечивающая электронная микроскопия

2.5. Выводы

ГЛАВА 3. ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ МЛЭ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СТРУКТУР С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ

НОСИТЕЛЕЙ

3.1. Получение сверхвысокого вакуума

3.2. Подготовка оборудования к технологическим процессам

3.3. Полупроводниковые пластины GaAs и их подготовка к росту

3.4. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs

3.4.1. Оптимизация толщины буферного слоя

3.4.2. Оптимизация скорости роста

3.4.3. Определение оптимальной температуры роста и отношения РAsJРва

3.4.4. Определение режимов легирования

3.5. Оптимизация режимов МЛЭ при росте AlAs и AlxGaj.xAs

3.6. Оптимизация режимов формирования границ раздела

3.6.1. Единичный гетеропереход

3.6.2. НЕМТ-структура с квантовой ямой прямоугольной формы

3.6.3. Выращивание структур с квантовыми ямами

3.7. Структура резонансно-туннельных диодов

3.7.1. Приконтактные области

3.7.2. "Квантовая" область

3.7.3. ТБРТС

3.7. Технологический маршрут изготовления РТД

3.8. Результаты и выводы

ГЛАВА 4. РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ В

ДВУХБАРЬЕРНЫХ РТД

4.1. Методика измерения статических и динамических характеристик

4.2. Статические характеристики

4.3. Динамические характеристики

4.4. Результаты и выводы

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ТРАНСПОРТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ

С ТРЕМЯ БАРЬЕРАМИ

5.1. Характеристики ТБРТД с барьерами из А1Аэ

5.1.1. Низкочастотный режим

5.1.2. Высокочастотный режим

5.2. Статические характеристики ТБРТД с барьерами из А^Оа^хАэ

5.3. Результаты и выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии»

Последнее десятилетие в физике полупроводников и полупроводниковых приборов характеризуется резко возросшим интересом к квантово-размерным структурам, таким как двумерные плоскости, одномерные нити, нульмерные квантовые точки, и приборам на их основе. В то же время традиционная микроэлектроника приближается к физическому пределу своих возможностей, связанному с отказом от классических представлений на малых размерах, сравнимых с длиной волны электрона.

Прогресс в области создания структур пониженной размерности предопределило возникновение в 70-х годах метода молекулярно-лучевой эпитаксии

МЛЭ) [1]. На основе экспериментально реализуемых систем с квантовыми ямами (КЯ) и сверхрешетками стало возможно создание элементной базы электроники следующего поколения. Размеры подобных элементов могут составлять единицы нанометров, что

12 позволит достигнуть рабочих частот порядка 1 ТГц и степени интеграции 10 элементов на см2. В настоящее время созданы полевые транзисторы с модулированным легированием [2], биполярные транзисторы с квантовыми ямами [3]. Предложены и реализованы новые типы транзисторов [4]. Структуры пониженной размерности открыли новые возможности в радикальном улучшении характеристик оптоэлектронных устройств, таких как полупроводниковые лазеры [5, 6], модуляторы света [7], фотоприемники [8].

Развитие МЛЭ выявило приоритетный способ создания потенциальных барьеров и ям, заключающийся в чередовании полупроводниковых материалов с разными ширинами запрещенной зоны. Таким образом, подавляющее большинство квантово-размерных систем представляет собой полупроводниковые гетероструктуры. Основной системой для создания гетероструктур является гетеропара ОаАэ-А^Оа^хАз, которая имеет несоответствие периодов решеток < 0.15%, что позволяет существенно изменять электрические и оптические свойства в некоторых очень малых областях без серьезного нарушения общей кристаллической структуры.

В течение последних двух десятилетий арсенид галлия проявил себя как уникальный материал для применения в активных СВЧ и оптических приборах многих типов. ОаАэ и другие материалы на основе соединений полупроводников III-V групп имеют очевидные преимущества перед кремнием благодаря возможности гибкого управления их физическими свойствами (шириной запрещенной зоны, коэффициентами преломления, подвижностью и т. д.). В последние годы было доказано что ваАв стал конкурентно способным в для создания цифровых ИС памяти и вычислительных устройств [9].

На сегодняшний день одно из основных направлений построения приборных систем базируется на таком квантово-размерном эффекте, как эффект резонансного туннелирования носителей заряда через последовательно расположенные полупрозрачные потенциальные барьеры, ограничивающие квантовые ямы. Созданные приборные конструкции диодного типа - резонансно-туннельные диоды (РТД) -сначала были опробованы как детекторы излучений терагерцового диапазона [10], а затем как высокочастотные генераторы [11]. Последним результатом в области повышения рабочих частот является работа [12], где достигнуто значение частоты генерации 712 ГГц. В настоящее время за рубежом ведутся активные работы по созданию схем, содержащих РТД, для таких функциональных устройств дециметрового и сантиметрового диапазонов, как генераторы фиксированной частоты, частотные модуляторы и смесители [13, 14]. Необходимо отметить, что не только высокая предельная частота, но и другие характеристики РТД, такие как симметрия ВАХ относительно начала координат и пониженный уровень шумов, могут быть практически важными для его применения в широко освоенных диапазонах частот.

Кроме того, в последнее время появилось большое число теоретических и экспериментальных работ, в которых предлагается использовать резонанснотуннельные структуры (РТС) в качестве логических элементов [15]. Монолитный синтез РТС с транзисторными структурами открывает большие возможности в создании приборов со сложными логическими функциями. Подобная интеграция в различных вариантах была осуществлена с полевым транзистором [16, 17, 18] и биполярным транзистором [19, 20, 21]. Монолитная (планарная или вертикальная) интеграция нескольких РТС позволяет формировать компактные ячейки многозначной логики и многозначной памяти, способные уже сейчас конкурировать с обычными транзисторными ячейками [22, 23]. В работе [24] было интегрировано шесть РТД и транзистор с высокой подвижностью электронов на основе InGaAs (high electron mobility transistor - HEMT). В итоге создан аналого-цифровой преобразователь и 4-х значный инвертор.

Однако большие надежды на скорое массовое производство сверхбыстродействующих и функционально-интегрированных электронных приборов на основе эффекта резонансного туннелирования не оправдались. Серьезным препятствием стала низкая воспроизводимость характеристик даже базовой РТС -двухбарьерного резонансно-туннельного диода. Другая проблема заключается в недостаточно высоких статических характеристиках получаемых РТД, вследствие чего они не могут конкурировать с традиционной элементной базой ИС [25]. Важнейшими характеристиками статической (низкочастотной) ВАХ РТД, имеющей N-образный вид, являются плотность пикового тока Jp и отношение тока в пике 1Р к току в долине Iv (отношение пик/долина) - у. Для использования РТД в качестве компонентов СВЧ устройств определяющим параметром является Jp, который определяет частоту и мощность генерации. В данном случае необходимо увеличение плотности пикового 2 тока. Из имеющихся литературных данных интерес представляют РТД с Jp > 10 А/см . При использовании РТД в цифровых интегральных схемах плотность пикового тока определяется конкретным проектируемым устройством и зависит от размеров изготавливаемых элементов и требуемых мощностных режимов. Принципиальным в данном случае является уменьшение долинного тока, так как /у определяет потребляемую мощность элемента в состоянии логического нуля. Минимизация Д автоматически увеличивает отношение пик/долина. При этом решается проблема надежности регистрации логических уровней в элементах ИС. Рост у также способствует улучшению других статических и динамических характеристик проектируемых устройств. Поэтому основная задача в области приборов с резонансным туннелированием заключается в получении воспроизводимым образом относительно

3 5 2 больших пиковых плотностей тока (10л - 10' А/см ) и отношений пик/долина более 10 при 300 К.

Сложившаяся проблемная ситуация по созданию РТД с улучшенными характеристиками требует полномасштабных исследований технологии МЛЭ и ее оптимизации непосредственно для структур с эффектом резонансного туннелирования. Необходимо также изменение структуры РТД, с целью преодоления ограничений в наблюдаемых характеристиках, накладываемых стандартной конструкцией прибора. Для российской микроэлектроники, нуждающейся в создании конкурентоспособной элементной базы, проблема усугубляется отсутствием на сегодняшний день современного технологического оборудования для получения гетероструктур. Опыта выращивания РТС на отечественном оборудовании практически нет. Поэтому модернизированный вариант структуры с резонансным туннелированием носителей должен удовлетворять возможностям современной технологии, особенно с использованием отечественного оборудования.

Первой задачей диссертации является проведение исследований технологии молекулярного роста структур с резонансным туннелированием носителей на базе отечественной установки "Цна", а именно:

1.1. Установление зависимостей характеристик полупроводниковых слоев от технологических режимов МЛЭ РТС.

1.2. Выявление критических параметров РТС, имеющих основное влияние на характеристики приборов.

1.3. Разработка методики получения оптимальных режимов МЛЭ РТС и их определение.

1.4. Разработка методики получения гетерограниц высокого качества.

1.5. Выращивание гетероструктур с высоким совершенством границ раздела на вицинальных поверхностях с большим углом разориентации.

1.6. Выращивание двухбарьерных и трехбарьерных структур РТД, демонстрирующих эффект резонансного туннелирования.

Второй задачей настоящей работы является теоретическое исследование статических свойств выращенных трехбарьерных структур с точки зрения процессов поперечного транспорта носителей. В ходе ее решения предполагается:

2.1. Провести сравнительный анализ статических В АХ ДБРТД и ТБРТД и идентифицировать механизмы токопереноса, ответственные за возникновение возможных пиков тока и других наблюдаемых особенностей.

2.2. На основе полученных экспериментальных и теоретических результатов оптимизировать геометрию трехбарьерной резонансно-туннельной структуры, в которой бы реализовывалось резонансное прохождение электронов за счет эффекта межподзонного туннелирования, достигалась относительно большая величина плотности пикового тока и сохранялась область ОДС вплоть до комнатной температуры.

Третьей задачей диссертации является наблюдение и исследование динамических свойств ТБРТС. В частности, предполагается получить генерацию электромагнитных колебаний диодом с тремя барьерами и дать объяснение возможным особенностям поведения тока в таком режиме работы диода.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Разработана методика оптимизации параметров эпитаксиального роста и формирования границ раздела, позволившая получить в одном технологическом цикле на вицинальных поверхностях с большим углом отклонения одноямные и двухъямные структуры, демонстрирующие эффект резонансного туннелирования носителей.

2. На основе теоретического анализа полученных экспериментальных данных с учетом технологических особенностей метода МЛЭ оптимизирована конструкция РТД с двумя квантовыми ямами в системе GaAs-Alo.35Gao.65As и получено для отношения пик/долина, равного 1.7 при 300 К, высокое значение плотности

9 9 пикового тока - 2.5x10 А/см .

3. Впервые наблюдена и исследована генерация электромагнитных колебаний резонансно-туннельным диодом с тремя барьерами.

Практическая значимость работы определяется тем, что:

1. Разработана технология МЛЭ структур с резонансным туннелированием носителей заряда на базе отечественного оборудования.

2. Разработана методика получения границ раздела высокого качества на вицинальных поверхностях с большим углом разориентации, позволяющая контролируемым образом получать интерфейсные области с возможными ступенями высотой не более чем в два монослоя.

3. Получены экспериментальные результаты, позволяющие уточнить модели расчета архитектуры ТБРТД и оптимизировать подобные РТС целью достижения рекордных характеристик приборов.

12

Выражаю глубокую благодарность Садофьеву Юрию Григорьевичу (ФИ РАН), Шмелеву Сергею Сергеевичу (НОЦ "Квантовые приборы и нанотехнологии") и Шипицину Д.С. (МИЭТ) за неоценимую помощь при подготовке работы.

Весьма благодарен Карузскому А.Л. (ФИ РАН) за измерение вольт-амперных характеристик, а также Хабарову Ю.В. (ИРЭ РАН) и Алещенко Ю.А. (ФИ РАН) за измерение спектров фотолюминесценции.

Хочу поблагодарить Капаева В.В. (ФИ РАН), Колтыженкова В.М., Бирюлина П.В., Цибизова А.Г (МИЭТ) за предоставленные программы компьютерного моделирования и помощь при проведении численных расчетов.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Евстигнеев, Сергей Владимирович

Основные результаты, положения и выводы:

1. Показано, что наиболее оптимальным вариантом резонансно туннельной структуры, особенно для использования в промышленных целях, является система трех барьеров из А^ОаихАэ и двух квантовых ям- из ваЛв.

2. Определены технологические режимы отечественной установки МЛЭ "Цна-18" для выращивания РТС на основе соединений ОаА8-А1хОа|.хАз на СаА$(001) подложках разориентированных на 3° в направлении [110].

3. Предложена и реализована методика контроля качества границ раздела выращенных гетероструктур, включающая следующие этапы: а) определение оптимальных режимов МЛЭ с помощью измерения холловских характеристик 20-газа электронов в селективно легированных структурах с одним гетеропереходом; б) проверка выбранной температуры подложки и отношения эквивалентных давлений потоков элементов пятой и третьей групп по холловским характеристикам 20-газа электронов в селективно легированных структурах с квантовой ямой; в) выбор оптимального времени прерывания роста по интенсивности ФЛ и ширине пиков от квантовых ям. В результате получены значения холловской подвижности в слабом поле выше 105 см2/Вхс"' для

4 2 ) стандартной НЕМТ структуры и выше 5x10 см /Вхс" для НЕМТ структуры с прямоугольным каналом, что соответствует лучшим мировым достижениям.

4. Впервые в едином технологическом цикле выращены двухбарьерные и трехбарьерные резонансно-туннельные структуры, демонстрирующие эффект резонансного туннелирования, что позволило провести сравнительный анализ пиковых плотностей тока, отношений пик/долина и мощности генерации.

На основе теоретического анализа оптимизирован и изготовлен РТД, включающий две GaAs-квантовые ямы шириной 7.4 и 4 нм if три Alo.35Gao.65As-барьера шириной 2.8, 5.7 и 5.9 нм. В структуре реализуется смыкание нижних подзон в КЯ при энергии уровня Ферми в эмиттере, и одновременное совпадение прозрачности крайних барьеров.

Продемонстрировано существование области ОДС вплоть до комнатной температуры. Отношение пик/долина при 300 К составило 1.7. Достигнута большая для структур с тремя барьерами плотность пикового тока, равная 3x10 и 2.5х Ю2 А/см2 соответственно при 77 и 300 К.

На основе результатов расчета ВАХ, выполненного решением самосогласованной системы уравнений Шредингера и Пуассона, определен профиль распределения концентрации примеси в спейсер-слоях выращенных гетероструктур. На примере двухбарьерной структуры показано, что экспериментальные значения резонанса наблюдаются при эффективной концентрации электронов в спейсер-слоях. равной 101э см""1. Данный результат позволил идентифицировать механизмы возникновения пиков тока на ВАХ структуры с тремя барьерами из AlAs и оптимизировать геометрию квантово-размерных слоев для реализации эффекта межподзонного туннелирования в ТБРТС на основе AlojsGao^As-GaAs.

Впервые получен эффект генерации электромагнитных колебаний в диоде с тремя барьерами. Установлено превосходство мощности генерации трехбарьерного диода в 1.5 раза по сравнению с двухбарьерным, которое объясняется более медленным повышением прозрачности ТБРТД в пострезонансных условиях за счет наличия третьего барьера. Показано, что сдвиг ВАХ, полученной при подаче внешнего переменного сигнала, относительно статической характеристики объясняетея возникновением

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Евстигнеев, Сергей Владимирович, 1999 год

1. Chang L.L., Ludeke R. Molecular beam epitaxy. - 1.: Epitaxial growth. /Ed. J.W. Matthews, 1975. - New York: Academic, pt. A, chapt. 2.2.

2. Inosako K., Matsunaga K., Okamoto Y., Kuzuhara M. highly efficient double-doped heterojunction FET's for battery-operated portable power applications IEEE Electron Device Lett. 1994, v. 15, p. 248.

3. Wang Q., Wang Y., Longenbach K.F., Yang E.S., Wang W.I. AlGaAs/GaAs heteroj unction bipolar transistor with a two-dimensional electron gas emitter Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, p. 2582.

4. Kawamura Y., Wakita К., Mikami О. InGaAs/InAlAs bistable quantum well lasers with large on/off using the resonant tunneling effect Appl. Phys. Lett., 1988, v. 53, p. 1462.

5. Kirstaedter N., Schmidt O.G., Ledentsov N.N., Bimberg D., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Maximov M.V., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, p. 1226.

6. Shen H., Wraback M., Pamulapati J., Dutta M., Newman P.G., Ballato A. Normal incidence high contrast multiple quantum well light modulator based on polarization rotation Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, p. 2908.

7. Levine B.F. Quantum well infrared photodetectors J. Appl. Phys. 1993, v. 74, Rl.

8. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ. / Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола.

9. Москва: Радио и связь. 1988. 495 с. // GaAs FET principles and technology. Ed. by J.V. DiLorenzo, D.D. Khandelwal. Artech House, Inc. 1982.

10. Sollner T.C., Goodhue D.W., Tannenwald P.E., Parker C.D., Peck D.D. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz Appl. Phys. L$tt., 1983, v. 43, p. 588.

11. Brown E.R., Sollner T.C., Tannenwald P.E., Goodhue D.W., Chen C.L. High speed resonant tunneling diodes Proc. SPIE 1989, v. 943, p. 2.

12. Brown E.R., Soderstrom J.R., Sollner T.C.G., Mahoney L.J., "Molvar K.M., McGill T.C., Oscillations up to 712 GHz In InAs/AlSb resonant tunneling diodes. Appl. Phys. Lett. 1991,v. 58, p. 2291.

13. Bouregba R., Lippens D., Palmateer L., Bockenhoff E., Bogey M., Destombes J.L., Lecluse A. Frequency maltiplication using resonant tunneling diode with output at submillimetre wavelengths Electron. Lett. 1990, v. 26, p. 1804.

14. Brouwn E.R., Parker C.D, Resonant tunneling diodes, as submillimetre wave sources -Phil. Trans. Roy. Soc. London A. 1996, v. 354, p. 2365.

15. Yokoyama N., Imamura K., Muto S., Hiyamizu S., Nishi H., A new functional resonant tunneling hot electron transistor (RHET) Jpn. J. Appl. Phys., 1985, v. 24. p. L853.

16. Woodward Т.К., McGill T.C., Chung H.F., Burnham R.D. Integration of resonant tunneling structure with a metal-semiconductor field-effect transistor Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 1542.

17. Chen K.J., Akkeyoshi Т., Maezawa K. Monolitic integration resonant tunneling diodes and FET's for monostable-bistable transition logic elements (MOBILE'S/ IEEE Electron Dev. Lett., 1995, v. 16, p. 70.

18. Capasso F., Sen S., Cho A. Negative transconductance resonant tunneling field-effect transistor-Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 526.

19. Seabaugh A.C., Beam E.A., Taddiken A.H., Randall J.N., Kao Y.-C., Co-integration of resonant-tunneling and double heterojunction bipolar transistors on InP IEEE Electron Dev. Lett., 1993, v. 14, p. 472.

20. Moise Т., Kao Y.-C., Seabaugh A.C., Taddiken A.H. Integration of resonant-tunneling transistors and hot-electron transistors IEEE Electron Dev. Lett., 1994, v. 15, p. 254.

21. Raychaudhuri A., Deen M.J. New state storage scheme for analog signals using four-state resonant tunneling devices. Electron. Lett. - 1993. - Vol. 29. - P. 1435 - 1437.

22. Seabaugh A.C., Kao Y.C., Yuan H.T. Nine-state resonant tunneling diode memory -IEEE Electron Dev. Lett. 1992, v. 13, p. 479.

23. Takao W., Chen K.J., Masafumi Y. A novel functional logic circuit using resonant-tunneling devices for multiple-valued logic applications Jpn. J. Appl. Phys. Pt.l, 1997, v. 36, p.1818.

24. Shen J., Kramer G., Tehrani S., Goronkin H. Static random access memories based on resonant interband tunneling diodes in the InAs/GaSb/AlSb material system IEEE Electron Dev. Lett., 1995, v. 16, p. 178.

25. Cheng P., Harris J.S. Effect of doping in AlAs barrier layers of AlAs-GaAs-AlAs double-barrier resonant-tunneling diodes Appl. Phys. Lett. 1989, v. 55, p. 572.

26. Huang C.J., Paul us M.J., Bozada C.A., Dudle S.C., Evans K.R., Stutz C.E., Jpnes R.L., Cheney M.E. AlGaAs/GaAs double barrier diodes with hihg peak-to-valley current ratio Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 121.

27. Broekaert T.P.E., Lee W., Fonstad C.G. Pseudomorthic I1io.53Gao.47As/AlAs/InAs resonant tunneling diodes with peak-to-valley current ratio as 30 at room terrfperature -J. Appl. Phys. 1988, v. 53, p. 1545.

28. Smet J.H., Broekaert T.P.E., Fonstad C.G. Peak-to-valley current ratio as 50:1 at room temperature in pseudomorthic Ino.53Gao.47As/AlAs/InAs resonant tunneling diodes J. Appl. Phys. 1992, v. 71, p. 2475.

29. Weil Т., Vinter B. Equivalence between resonant tunneling and sequential tunneling in double-barrier diodes Appl. Phys. Lett. 1987, v. 50, p. 1281.

30. Fisher D.J., Zhang C. Electron tunneling lifetime of a quasibound state in a double-barrier resonant tunneling structure J. Appl. Phys. 1994, v. 76, p. 606.

31. Yong G., Bing-Lin G., Jing-Zhi Y., Zhong Z., Yoshiyki K. Resonant tunneling step-barrier structures under an applied electric field J. Appl. Phys. 1998, v. 84, p. 918.

32. Lurie S. Superlattice and Microstructure. 1989, v. 5, p. 375.

33. Горбацевич А.А., Капаев В.В., Колтыженков В.М., Цибизов А.Г. Многобарьерные резонансно-туннельные структуры Известия вузов. Электроника. 1998, №3, с.39.

34. Gorbatsevich А.А., Koltyzhenkov V.M. Novel physical aspects and device application of resonant tunneling in malti-barrier quantum structures IEEE Computer Society Press. 1995, November, p.68.

35. Summer C.J., Branner K.F. Variably spaced superlattice energy filter, a new device design concept for highenergy electron injection - Appl. Phys. Lett. 1986, v. 48, p. 806.

36. Vasko F.T., Raichev O.E. Rate of electron tunneling in double quantum Wells with nonideal interfaces Phys. Rev. B. 1994, v. 50, p. 12195.

37. Woolard D.L., Buot F.A., Rhodes D.L., Lu X.J., Lux R.A., Perlman B.S. On the different physical roles of hysteresis and intrinsic oscillations in resonant tunneling structures J. Appl. Phys. 1996, v. 79, p. 1515.

38. Nakagawa T., Imamoto H., fCojima T., Ohta K. Observation of resonant tunneling in AlGaAs/GaAs triple barrier diodes Appl. Phys. Lett. 1986, v. 49, p. 73.

39. Yan Z.C., Goovaerts E., Van Hoof C., Bouwen A., Borghs G. Photoluminescence of the electron-dressed confined X~ -exiton in n-type AlAs/GaAs resonant tunneling device -Phys. Rev. B., 1995, v. 52, 5907.

40. Rascol J.J.L., Martin K.P., Ben Amor S., Higgins R.J., Celeste A., Portal J.C., Torabi A., Harris H.M., Summers C.J. Magnetospectral analysis of tunneling processes in a double-quantum-well tunneling structure Phys. Rev. B., 1990, v. 41, p. 3733.

41. Macks L.D., Brown S.A., Clark R.G., Starret R.P. Resonant tunneling in double-quantum-well triple-barrier heterostructure Phys. Rev. B., 1996, v. 54, p. 4857.

42. Matsusue T., Tsuchiya M., Schulman J.N., Sakaki H. Dynamics of resonant and nonresonant electron tunneling in double-quantum-well structure under electric fields -Phys. Rev. B. 1990, v. 42, p. 5719.

43. Bertram D., Grahn H.T., Van Hoof C., Genoe J., Borghs G„ Ruhle W. W. Von Klitzing K. Time-resolved photoluminescence spectroscopy of resonant tunneling in a GaAs-AlAs triple-barrier structure Phys. Rev. B. 1994, v. 50, p. 17309.

44. Li Y.B., Cockburn J.W., Skolnic M.S., Duck J.P., Birkett M.J., Larkin I.A., Grey R., Hill G., Hopkinson M. Mid-infrared electroluminescence from a single-period GaAs/AlGaAs triple-barrier structure Appl. Phys. Lett. 1998, v. 72, p. 2141.

45. Muller W., Bertram D., Grahn H.T., Von Klitzing K., Ploog K. Competition between thermally induced resonant tunneling and phonon-assisted tunneling in semiconductor superlattices Phys. Rev. B. 1994, v. 50, p. 10998.

46. Eisenstain J.P., Pfeiffer L.N., West K.W. Field-indused resonant tunneling between parallel two-dimensional electron systems Appl. Phys. Lett. 1991, v. 58, p. 1497.

47. Simmons J.A., Blount M.A., Moon J.S., Lyo S.K., Baca W.E., Wendt J.R., Reno J.L., Hafich M.J. Planar quantum transistor based on 2D-2D tunneling in double quantum well heterostructures J. Appl. Phys. 1998, v. 84, p. 5626.

48. Евстигнеев С.В., Копаев Ю.В., Садофьев Ю.Г., Шипицин Д.С., Шмелев С.С. Несплавной селективный омический контакт к системе параллельных квантовых ям изотипной проводимости. Микроэлектроника. 1998, том 27, №4, с. 317.

49. Евстигнеев С.В., Шипицин Д.С. Новые подходы к созданию омических контактов к гетероструктурам с квантовыми ямами. Физическое образование в ВУЗах. 1999, том 5, №1, с. 85.

50. Brown E.R., Parker C.D., Calawa A.R., Manfra M.J. Resonant tunneling through mixed quasibound states in a triple-well structure Appt. Phys. Lett. 1993, v. 62, p.

51. Foxon C.T., Joyce B.A. Surf. Sci., 1975, v. 50, p.434.

52. Miller D.L., Zehr S.W., Harris J.S Jr. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, p. 744.

53. Hollis M., Palmateer S.C., Eastman L.F., Wood C.E.C., Maki P., Brown A. Fabrication and performance of GaAs planar-doped barrier diodes and transistors. Workshop on Compaund semiconductors and materials for microwave active devices. 1982. ■

54. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука. 1986. 144 с.

55. Daweritz L., Plog К. Contribution of reflectoin high-energy electron diffraction to nanometre tailoring of surfaces and interfaces by molecular beam epitaxy Semicond. Sci. Technol., 1994, v. 9, p. 123.

56. Tsang W.T., Reinhart I.K., Ditsenberger J.A. Appl. Phys. Lett. 1980, v. 36. p. 118.

57. Shitara T., Heave J.N., Joyce B.A. Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations and anisotropy on vicinal AlAs(OOl) during molecular-beam epitaxy Appl. Phys. Lett. 1993, v. 62, p. 1658.

58. Herman M.H., Bimberg D., Christen. J. Appl. Phys. 1991, v. 70, R1.

59. Brown W., Daweritz L., Plog K. In situ measurement of Si-dopant concentration in GaAs during epitaxy J. Appl. Phys. 1995, v. 78, p. 4472.

60. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. J1. Ченга и К. Плога. Пер. с англ. М.: Мир. 1989. 582 с.

61. Pashley M.D., Haberern K.W., Gaines J.M. Scanning tunneling microscopy comparison of GaAs(OOl) vicinal surfaces grown by molecular beam epitaxy Appl. Phys. Lett. 1991, v. 58, p. 406.

62. Shiraishi K. Appl. Phys. Lett. 1992, v. 60, p. 1363.

63. Noda Т., Tanaka M., Sakaki H. Characterization of lateral correlation length of interface rougness in MBE grown GaAs/AlAs quantum well by mobility measurement J. Cryst. Growth. 1991, v. Ill, p. 348.

64. Андо Т., Фаулер Л., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем: Пер. с англ. М.: Мир, 1985.

65. Sakaki Н., Noda Т., Hirakawa К., Tanaka М., Matsusue Т. Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 1934.

66. Thorne R.E., Eischer R., Su S.L., Kopp W., Drummond T.J., Morkoc H. Performance of inverted structure modulation doped Schottky barrier field effect transistors. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1982, v. 21, p. L223.

67. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер. с англ. М.: Мир. 1991. 632 с.

68. Sakaki Н., Noda Т., Hirakawa К., Tanaka М., Matsusue Т. Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 1934.

69. Herman M.A., Bimberg D., Christen J. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: Evaluation by luminescence techniques J. Appl. Phys. 1991, v. 70, p. Rl.

70. Franke Т., Kreutzer P., Zacher Th., Maumann W., Antorrn R. In situ RHE£D, AFM, and REM investigations of the recovery of MBE-grown GaAs(001)-layers during growth interruptions J. Cryst. Growth. 1998, v. 193, p. 451.

71. Bimberg D., Heinrichsdorff F., Bauer R.K., Gerthsen D., Stencamp D., Mars D.E., Miller J.N. Binary AlAs/GaAs versus ternary GaAlAs/GaAs interfaces: A dramatic difference of perfection J. Vac. Sci. Teclinol. B. 1992, v. 10, p. 1793.

72. Deparis C., Massies J., Nen G. Direct correlation between reflection electron diffraction intensity behavior during the growth of AlxGaixAs/GaAs quantum wells and their photoluminescence properties Appl. Phys. Lett. 1990, v. 56, p. 233.

73. Braslau N., Gunn J.В., Staples J.L. Metal-semiconductor contacts for GaAs bulk effect devices Solid State Electron. 1967, v. 10, p.381.

74. Lee C.P., Welch B.M., Fleming W.P. Reliability of AuGe/Pt and AuGe/Ni ohmic contacts on GaAs Electron. Lett. 1981, v. 12, p. 406.

75. Евстигнеев С.В., Садофьев Ю.Г., Шипицин Д.С., Шмелев С.С. Невплавные алюминиевые омические контакты к структуре рНЕМТ-транзистора. Известия вузов. Электроника. 1998, №4, с. 21.

76. Tsuchina М., Sakaki Н. Dependence of resonant tunneling current on well widths in AlAs/GaAs/AlAs double barrier diode structures Appl. Phys. Lett. 1986, v. 49, p. 88.

77. Tsuchiya M., Sakaki H. Dependence of resonant tunneling current On Al mole fractions in AlxGai-xAs-GaAs- AlxGai.xAs double barrier structures Appl. Phys. Lett. 1987, v. 50, p. 1503.

78. Jensen K.L., Buot F.A. Numerical simulation of transient response and resonant-tunneling characteristics of douuble-barrier semiconductor structures as function of experimental parameters J. Appl. Phys. 1989, v. 65, p. 5248.

79. Smith R.P., Allen S.T., Reddy M., Martin S.C., Liu J., Muller R.E., Rodwell M.J. W. 0.1 pjn schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes IEEE Electron Device Lett. 1994, v. 15, p. 295.

80. Евстигнеев С.В., Шипицин Д.С. Влияние параметров структуры на транспортные характеристики двухъямных туннельно-резонансных диодов. Тезисы докладов межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика". Москва. 1996 , с. 13.

81. Евстигнеев С.В., Шипицин Д.С. Механизмы резонансного туннелирования электронов в трехбарьерной структуре с тонкими барьерами. Известия вузов. Электроника. 1999, №5, с. 27.

82. Bezotosniy I.U., Elesin V.F., Podshuveyt N.V., Shmelev S.S., Yevetigneev S.V., Shipitsin D.S. Research of generation on the resonant-tunneling diode stabilised by the active resonator Low-Dim. Struct. 1999. №6.

83. Paulus M.J., Bozada C.A., Huang C.I., Dudley S.C. Evans K.R., Stutz C.E., J6nes R.L.,

84. Cheney M.E. Parametric stUdy of AlAs/GaAs superlattice double-barrier diodes

85. Appl. Phys. Lett. 1988, v. 53, p. 207.

86. Riechert H., Bemclau D., Reithmaier J.-P., Schnell R.D. MBE growth and post-growth annealing of GaAs-based resonant tunneling structures, viewed in relation to interface roughness J. Cryst. Grow. 1991, v. 111, p. 1100.