Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Ермачихин, Александр Валерьевич

• Ермачихин, Александр Валерьевич
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Ермачихин, Александр Валерьевич

Оглавление

Введение

Глава 1. Анализ физических основ электрических методов исследования электронных состояний в полупроводниковых микро- и наноструктур

1.1 Метод спектроскопии низкочастотного шума

1.1.1 История развития спектроскопии низкочастотного шума

1.1.2 Спектр шума

1.1.3 Виды шума

1.1.4 Особенности шума вида V/

1.1.5 Генерационно-рекомбинационный шум

1.1.6 Статистика Шокли-Рида-Холла и активационно-дрейфовая модель

1.2 Метод спектроскопии адмиттанса и вольт-фарадных характеристик

1.2.1 Физические основы метода вольт-фарадных характеристик

1.2.2 Применение метода вольт-фарадных характеристик для исследования полупроводниковых наноструктур

1.3 Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней

1.3.1 Физические основы релаксационной спектроскопии глубоких уровней

1.3.2 Особенности применения релаксационной спектроскопии глубоких уровней для исследования структур с квантовыми ямами

Выводы

Глава 2. Описание измерительного аппаратно-программного комплекса

2.1 Аппаратно-программный комплекс спектроскопии низкочастотного шума

2.1.1 Составные части аппаратно-программного комплекса

2.1.2 Алгоритм измерения спектральной плотности мощности шума

2.1.3 Определение оптимального количества измерений

2.1.4 Параметры аппаратно-программного комплекса

2.2 Аппаратно-программный комплекс спектроскопии адмиттанса и вольт-фарадных характеристик

2.2.1 Параметры аппаратно-программного комплекса спектроскопии адмиттанса и вольт-фарадных характеристик

2.2.2 Алгоритм измерения адмиттансных и вольт-фарадных характеристик

2.3 Аппаратно-программный комплекс вольт-амперных характеристик

2.3.1 Параметры аппаратно-программного комплекса вольт-амперных характеристик

2.3.2 Алгоритм измерения вольт-амперных характеристик

Выводы

Глава 3. Исследование энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых диодных структурах с квантовыми ямами на основе 1пОаАз/ОаА5 и с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе ЬхАзЛпОаАз/ОаАз

3.1 Обоснование выбора образцов

3.2 Описание образцов

3.2.1 Описание диодной структуры с квантовыми ямами на основе ЫваМ/ваМ

3.2.2 Описание диодной структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе ЬхАзЛпОаАз/СаАз

3.3 Вольт-амперные характеристики образцов

3.3.1 Вольт-амперные характеристики диодной структуры с квантовыми ямами на основе ТпваАз/СаАз

3.3.2 Вольт-амперные характеристики диодной структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе ЬгАзЛпОаАз/ОаАз

3.4 Вольт-фарадные характеристики образцов

3.4.1 Вольт-фарадные характеристики диодной структуры с квантовыми ямами на основе М^гаАя/СаАз

3.4.2 Исследование проводимости образца диодной структуры с квантовыми ямами на основе МЗгаАз/ОаАз

3.4.3 Вольт-фарадные характеристики диодной структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе ЪгАзЛпОаАзЛЗаАз

3.4.4 Исследование проводимости образца диодной структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе ЪхАзЛпОаАзЛЗаАз

3.5 Исследование образцов методом релаксационной спектроскопии глубоких

уровней

3.5.1 Исследование диодной структуры с квантовыми ямами на основе МаЛв/СаАз

3.5.2 Исследование диодной структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек на основе ТпАзЛпОаАзЛЗаАз

3.6 Исследование образцов методом спектроскопии низкочастотного шума

3.6.1 Модель генерации низкочастотного шума в полупроводниковых барьерных структурах

3.6.2 Разработка методики исследования и алгоритма измерений спектральной плотности мощности низкочастотного шума

3.6.3 Исследование спектральной плотности мощности низкочастотного шума диодной структуры с квантовыми ямами на основе InGaAs/GaAs

3.6.4 Исследование спектральной плотности мощности низкочастотного шума диодной структуры с квантовыми ямами и слоями квантовых точек

на основе InAs/InGaAs/GaAs

Выводы

Глава 4. Исследование влияния содержания Bi на шумовые характеристики пленок GST225 в фазах аморфного и кристаллического состояния

4.1 Обоснование выбора образцов

4.2 Описание образцов GST225

4.3 Вольт-амперные характеристики образцов GST225

4.4 Исследование спектральной плотности мощности низкочастотного шума в

образцах GST225

Выводы

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список литературы

Приложения

Приложение А. Копии свидетельств о регистрации программ для ЭВМ

Приложение Б. Копии актов об использовании результатов работы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума»

Введение

Наноразмерные структуры нашли широкое практическое применение в качестве активных областей для лазерных излучателей, оптических усилителей, модуляторов светового излучения, устройств памяти и др. С уменьшением минимальных размеров активных элементов полупроводниковой электроники увеличивается значение влияния дефектов на характеристики электронных приборов. Флуктуации напряжения и тока в электронных приборах определяют нижние пределы их чувствительности. При высоком уровне шума информация может стать и вовсе недоступной. Шумы, возникающие в электронных твердотельных приборах, ограничивают динамический диапазон рабочих характеристик. Ими определяются как минимальный размер элемента, так и минимальная величина питающего напряжения [1].

В механических системах амплитуда изучаемых шумов лежит в пределах от 10~8 см (физиологиуверяют, что такова амплитуда колебаний мембраны внутреннего уха, соответствующая порогу слышимости) до ~ 10й см (флуктуации диаметра солнца, размер протуберанцев). Частота колебаний лежит в пределах от

10~4 до ~ 107 Гц [2]. В «электрических» системах относительная амплитуда слу-

I

чайных колебаний тока (напряжения) колеблется в пределах от Ю-11 (атомные стандарты частоты) до 1 («динамический хаос»). Обычно шумы изучают в частотном диапазоне от Ю-4 до ~ 10й Гц [2].

С другой стороны, флуктуации тока или напряжения содержат ценную информацию о динамическом поведении электрической системы. Поэтому из анализа шумов можно сделать выводы о некоторых характеристиках системы, определить некоторые ее параметры. В этом случае флуктуации используются для получения полезной информации о состоянии системы, о протекающих в ней процессах, создающих шум, как таковой [3].

В настоящее время одним из перспективных методов исследования электрофизических свойств полупроводниковых структур является спектроскопия низкочастотного (НЧ) шума [4, 5]. Также диагностика НЧ шума является инстру-

ментом, который позволяет прогнозировать отказ электронного компонента на любом этапе его эксплуатации, как говорится, например в [6-10].

Имеется значительный теоретический и экспериментальный материал по физическими статистическим свойствам НЧ шума различных объектов, который был получен рядом исследователей: Ван дер Зил (A. Van der Ziel) [11-14], Дю При (F.K. Du Pre) [15], Белл (D.A. Bell) [16, 17], Хоуге (F.N. Hooge) [18-22], Датга (P. Dutta) [23-25], Кларк (J. Clarke) и Bocc (R.F. Voss) [26, 27], Вейссман (M.B. Weissman) [28, 29], Букингем (M.J. Buckingham) [30], И.Н. Мирошникова [31], A.H. Малахов [32-34], ULM. Коган [35-37], Н.Б. Лукьянчикова [38-40], Г.П. Жи-гальский [1, 41-43], М.Е Левинштейн с соавторами [2, 44-47], В.Б. Орлов и A.B. Якимов [48-50], П.Т. Орешкин [51, 52] и др.

Большинство работ по изучению полупроводниковых материалов и структур, как и [53], посвящены исследованию дефектов с глубокими уровнями. В настоящее время предметом интенсивных исследований электрофизических свойств являются полупроводниковые диодные структуры с квантовыми ямами (КЯ). При этом основными методами исследования энергетического спектра электронных состояний служат спектроскопия адмиттанса, методы вольт-амперных характеристик (ВАХ) и вольт-фарадных характеристик (ВФХ), релаксационная спектроскопия глубокихуровней(РСГУ) или в англоязычном варианте DLTS [54, 55]. Указанные методы применяются с использованием зачастую идеализированных физических моделей, обладающих рядом ограничений. Например, анализ результатов измерений спектров адмиттансных характеристик и ВФХ диодных структур с КЯ или слоями квантовых точек (KT) сопровождается применением сложного самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона [56]. Метод DLTS основан на анализе температурной зависимости нестационарной емкости или электрического тока, но при этом используется равновесная статистика Шокли-Рида-Холла (ШРХ) [57]. Применение этих методов позволяет измерять энергию активации процессов эмиссии и захвата носителей заряда (НЗ) на глубокие энергетические уровни, а также в КЯ, рассчитывать величины разрывов разрешенных энергетических зон [58-60]. С другой стороны необходимо разрабаты-

вать методики применения других независимых методов исследования электрофизических свойств полупроводниковых наноструктур.

Поэтому для изучения энергетического спектра электронных состояний НЗ в полупроводниковых наноструктурах предстваляет практический интерес применение спектроскопии НЧ шума, поскольку можно обеспечить стационарные условия измерений и обнаружить взаимосвязь измеренных спектров спектральной плотности мощности (СПМ) низкочастотного шума с наличием в диодной структуре квантово-размерной части. При изучении полупроводниковых структур с КЯ или КТ необходимо учитывать их особенности.

Цель диссертационной работы-развитие модели генерации низкочастотного шума в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами с учетом квантово-размерныхэффектов, а также методики спектроскопии низкочастотного шума для проведения исследований и расширения возможностей диагностики наноструктур с квантовыми точками и квантовыми ямами.

Основные задачи

1. Анализ существующих физических моделей формирования низкочастотного шума, электрических методов диагностики энергетических электронных состояний в полупроводниковых структурах.

2. Развитие модели генерации низкочастотного шума в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами с учетом квантово-размерных эффектов.

3. Разработка комплексной методики диагностики полупроводниковых диодных структур с квантовыми ямами или точками с использованием спектроскопии низкочастотного шума, методов вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик для исследования энергетического спектра электронных состояний.

4. Разработка и создание аппаратно-программного комплекса спектроскопии низкочастотных шума, спектроскопии адмиттанса, методов вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик в температурном диапазоне 7-500К полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами и микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников.

5. Экспериментальное изучение вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, спектров низкочастотного шума в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами ЫлаАзАлаАз, множественными квантовыми ямами и слоем квантовых точек ЬгАзЯпОаАз/ОаАз и микроструктурах на основе тонких пленок ОегБЬгТез, легированногоВ^ в аморфном и кристаллическом фазовом состоянии.

6. Расчет энергии активации электрически активных энергетических уровней в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами МЗаАз/СаАя, множественными квантовыми ямами и слоем квантовых точек ХпАзЯпОаАз/ОаАз по результатам экспериментальных исследований, а также параметров спектров низкочастотного шума в микроструктурах на основе тонких пленок ОегБЬгТез, легированного Вц в аморфном и кристаллическом фазовом состоянии.

Основными объектами исследований являлись полупроводниковые нано-гетероструктуры с квантовыми ямами на основе системы 1пОаАз/ОаАз, и наноге-тероструктуры с множественными КЯ и погруженными в них слоями квантовых точек на основе системы 1пАзДпОаАз/ОаАз, микроструктуры на основе тонких пленок ОегЗЬгТеб (08Т225), легированного В!, в аморфном и кристаллическом фазовом состоянии.

Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:

1. Предложена комплексная методика исследования энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых микроструктурах и наноструктурах с квантовыми ямами, основанная на совместном измерении температурной зависимости спектров низкочастотного шума, вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик.

2. Предложено использование математического соотношения, описывающего частотную и температурную зависимость спектральной плотности мощности низкочастотного шума, генерируемого при захвате и эмиссии носителей заряда с энергетических уровней размерного квантования в квантовой яме в полупроводниковой барьерной структуре, что позволило учитывать фактор заполнения квантовой ямы носителями заряда.

3. Впервые по температурным зависимостям спектров низкочастотных шумов определена энергия активации процесса эмиссии дырок из слоя квантовых точек 1пАб в наногетероструктуре с множественными квантовыми ямами и погруженными в них слоями квантовых точек на основе системы (Би^ЕЬЬ) InAsZIno.15Gao.85As/GaAs, предназначенной для изготовления лазера с рабочей длиной волны 1,3 мкм, с помощью разработанной методики.

4. Обнаружено увеличение спектральной плотности мощности низкочастотного шума в 10-100 раз в микроструктурах на основе тонких пленок ОегВЬгТеб с содержанием В1 0, 1 и 3 % при фазовом переходе материала пленки из аморфного состояния в кристаллическое.

Положения и результаты, выносимые на защиту

1. Физическая модель, описывающая спектральную плотность мощности низкочастотного шума в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами с учетом квантово-размерных эффектов, которая позволяет определить энергию активации процесса эмиссии носителей заряда с энергетических уровней размерного квантования в квантовой яме с учетом заполнения квантовой ямы носителями заряда.

2. Методика измерения энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых микроструктурах и наноструктурах с квантовыми ямами и/или слоями квантовых точек, основанная на совместном измерении температурной зависимости спектров низкочастотного шума, вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, которая позволяет исследовать генерацию низкочастотного шума в локальных областях и заданной квантово-размерной части исследуемого образцаи определять энергию активации процесса эмиссии носителей заряда с уровней размерного квантования.

3. Энергия активации процесса эмиссии электронов с основного уровня размерного квантования из квантовой ямы в диодной наноструктуре на основе системы Ino.22Gao.78As/GaAs, полученная по температурным зависимостям спектров низкочастотного шума, рассчитанная с помощью разработанной методики изме-

рения, повышается от 58±20 мэВ в условиях опустошения электронами квантовой ямы до 148±20 мэВ в условиях полного заполнения электронами квантовой ямы.

4. Введение В1 до 1 масс. % в аморфные пленки на основе (Ое28Ь2Те5)1.хВ1х приводит к уменьшению значений спектральной плотности мощности низкочастотного шума в 50-100 раз, а введение В1 более 1 масс. % приводитк увеличению значений спектральной плотности мощности низкочастотного шума в 10-15 раз по сравнению с величиной СПМ в аморфных пленках ОегБЬгТеб в диапазоне частот 10_2-102 Гц при напряженности электрического поля менее 5 105В/м.

Достоверность научных результатов работы подтверждается непротиворечивостью полученных результатов общепринятым положениям физики полупроводников, обеспечивается использованием известного математического аппарата физики полупроводников и квантовой физики и подтверждается совпадением с результатами исследований, полученных независимыми методами: фотолюминесценции, релаксационной спектроскопии глубоких уровней, спектроскопии адмиттанса.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

• Разработана комплексная методика измерения энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых микроструктурах и наноструктурах с квантовыми ямами и/или слоями квантовых точек, основанная на совместном измерении температурной зависимости спектров низкочастотного шума, вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, позволяющая исследовать генерацию низкочастотного шума в локальных областях и заданной квантово-размерной части исследуемого образца.

• Разработан автоматизированный аппаратно-программный комплекс, позволяющий проводить измерения спектров мощности низкочастотного шума в диапазоне частот 0,01-10000 Гц, адмиттанса, вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик в температурном диапазоне 7-500 К.

• Разработано программное обеспечение для созданного аппаратно-программного комплекса, подтвержденное свидетельствами о государственной

регистрации программ для ЭВМ (№ 2013616399, 2014610621, 2014617224, 2014617225).

• Экспериментально определена энергия активации процесса эмиссии дырок 483±20 мэВ из слоя квантовых точек InAs в наногетероструктуре с множественными квантовыми ямами и погруженными в нее слоями квантовых точек на основе системы (DUWELL) InAs/Ino.isGao.ssAs/GaAs, предназначенной для изготовления лазера с рабочей длиной волны 1,3 мкм, позволяющая уточнить зонную диаграмму наногетероструктуры.

• Экспериментально показано, что при переходе фазового состояния тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированныхBi, из аморфного в кристаллическое происходит увеличение спектральной плотности мощности низкочастотного шума в 10-100 раз.

Апробация. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на VIII, IX Международных конференциях «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (г. Санкт-Петербург, 2012, 2014), V, VI, VII Всероссийских школ-семинаров студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» (г. Рязань, 2012, 2013, 2014), XI международной научно-практической конференции «Инженерные и научные приложения на базе National Instruments-2012» (г. Москва, 2012), 43 Международном научно-методическом семинаре "Флуктуационные и деградаци-онные процессы в полупроводниковых приборах" (г. Москва, 2012), XI Российской конференции по физике полупроводников (г. Санкт-Петербург, 2013), Всероссийской молодежной школе-семинаре «Диагностика наноматериалов и наноструктур» (г. Рязань, 2013), XII международной конференции компании National Instruments «Инженерные и научные приложения на базе технологии National In-struments-2013» (г. Москва, 2013), 21-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика 2014» (г. Москва, 2014), 32-nd International conference on the physics of semiconductors (Austin, Texas, USA, 2014), а так же на ежегодных научно-технических конференциях Рязанского государственного радиотехнического университета.

Публикации. Основные результаты опубликованы в 32 научных работах, из них 9 статей в журналах из списка ВАК, 3 статьи в переводных изданиях, 15 тезисов докладов на российских и международных конференциях, 5 свидетельств о государственной регистрации программы для ЭВМ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 219 наименований и 2 приложений. Диссертация изложена на 182 страницах машинописно го текста, содержит 16 таблиц и 123 рисунка.

Внедрение результатов

Полученные экспериментальные результаты использованы при подготовке отчетов по НИР 19-12, 35-12Г; в учебном процессе: в лекционных материалах по дисциплине «Методы исследования материалов и структур электроники».

Глава 1. Анализ физических основ электрических методов исследования электронных состояний в полупроводниковых микро- и наноструктур

В полупроводниковых материалах практически всегда присутствуют дефекты, образующие глубокие уровни (ГУ) в запрещенной зоне, называемые также глубокими центрами (ГЦ). К глубоким центрам относят дефекты кристаллической решетки, атомы примесей, радиационные дефекты и дефекты термообработки.

Влияние ГЦ на электрофизические свойства полупроводников заключается в том, что они действуют как рекомбинационные ловушки либо как ловушки захвата для свободных НЗ. В первом случае это приводит к резкому уменьшению времени жизни и диффузионной длины неосновных НЗ, что влияет на различные характеристики полупроводниковых приборов. Одно из наиболее важных проявлений влияния глубоких уровней как безызлучательных рекомбинационных ловушек состоит в уменьшении эффективности излучения в светодиодах и лазерах. С ГУ связаны также эффекты накопления заряда [61].

Контролируемое введение ГЦ в ряде случаев придает полупроводниковым материалам и приборам нужные свойства. Примером этого может служить легирование арсенида галлия хромом с целью получения полуизолирующего материала [62] или введение примеси золота в кремний для уменьшения времени жизни носителей заряда [63] при производстве быстродействующих диодов и тиристоров.

Тот факт, что с ГЦ связаны как желательные, так и нежелательные эффекты, указывает на важность понимания их свойств, необходимость контроля их наличия или возникновения в процессе производства полупроводниковых приборов. Поэтому исследование свойств ГЦ и их идентификация как примесных атомов или дефектов являются одним из важных направлений современной физики полупроводников [61], несмотря на то, что ГЦ в полупроводниках изучают достаточно давно.

Подобно ловушкам с глубокими уровнями ведут себяКЯи КТ в составе полупроводниковых наногетероструктур, получивших широкое практическое применение. В наноструктурах движение носителей заряда ограничено в одном или

более направлениях, что ведет к кардинальному изменению энергетического спектра плотности состояний (рисунок 1.1) [64, 65] и возникновению целого ряда новых физических явлений.

30

20

10

0

00

д2й

дю

дсю

а б в г

Рисунок 1.1 — Энергетические плотности состояний g(E) для: а — объемного полупроводника, б - квантовой ямы, в - квантовой нити, г - квантовой точки [65]

Полупроводниковые наноструктуры используются для производства опто-элекгронных приборов, работающих в диапазоне от далекой инфракрасной до ультрафиолетовой областей спектра [66-71]. Наиболее распространенными с точки зрения практического использования являются гетер о структуры на основе соединений А3В5 и АгВб.

Для исследования таких параметров глубоких уровней, как энергия активации, концентрация, сечение захвата, применяются методы: ВФХ и В АХ, термо-стимулированной емкости, термостимулированного тока, спектроскопии адмит-танса, БЬТЭ, спектроскопии НЧ шума. Так как КЯ и КТ можно формально считать гигантскими ловушками, то данные электрические методы используются для определения основных параметров зонных диаграмм: значений энергий активации эмиссии НЗ, величин разрывов разрешенных энергетических зон, положений уровней размерного квантования, величины потенциального барьера для захвата

НЗ в КЯ или КТ, а также концентрацию электронов и дырок в КЯ или КТ.

Спектроскопия НЧ шума практически не применялась для определения энергетических параметров полупроводниковых наноструктур. Однако метод вызывает интерес, так как позволяет исследовать шумовые процессы в стационарных условиях, близких к термодинамически равновесным, а сам НЧ шум содержит в себе информацию о перезарядке электронами и (или) дырками энергетических уровней в изучаемом материале или структуре [30].

Остановимся на методах спектроскопии НЧ шума, спектроскопии адмит-танса и БЬТБ подробнее.

1.1 Метод спектроскопии низкочастотного шума

Методы контроля и анализа полупроводниковых приборов и структур, основанные на измерении параметров шумового сигнала, активно развиваются в последние десятилетия. Немалую роль в развитии «шумовых» измерений играет внедрение компьютерной техники [1, 72-78] и нового математического аппарата для обработки спектров шума [1-5, 79]. Особое внимание уделяется скорости получения информации, поскольку желательно стремиться производить все вычисления в режиме реального времени. Это связано с общим положением дел в области исследований НЧ шумов в материалах и структурах электронной техники. В настоящее время положение примерно такое же, как и на момент открытия «шумов», т.е. для конкретного типа полупроводниковых приборов удаётся построить адекватную физическую модель, описывающую генерацию НЧ шума. Общей модели, объясняющей генерацию НЧ шума во всех приборах, в настоящее время не существует [1, 3]. Указанное обстоятельство может быть связано с огромным количеством факторов, влияющих на формирование шумовой составляющей электрического сигнала. В случае получения информации в режиме реального времени существует большая вероятность, что будут выявлены новые закономерности в поведении НЧ шумового сигнала в зависимости от внешних воздействий на изучаемый образец.

1.1.1 История развития спектроскопии низкочастотного шума

К 1921 году усилители на электронных лампах были настолько распространены, что С.А. Хартманн сделал первый смелый эксперимент, чтобы проверить формулу Шоттки [80] для спектральной плотности дробового шума [81]. Попытка Хартманна не удалась, и в конечном итоге Дж.Б. Джонсон в 1925 году успешно измерил предсказанный спектр белого шума [82] в электронной лампе. Однако Джонсоном был также измерен «неожиданный» фликкер-шум на низких частотах, его результаты представлены на рисунке 1.2, и вскоре после этого Шоттки постарался дать им теоретическое объяснение [83].

Рисунок 1.2 - Спектральная плотность, наблюдаемая Дж.Б. Джонсоном, как показано в его оригинальной работе [82]. Вертикальная шкала представляет деление наблюдаемой плотности мощности шума на теоретическую плотность мощности шума; горизонтальная шкала - частота в Гц [84]

Объяснение наблюдаемых частотных зависимостей шумовых характеристик сделано Шоттки в 1926 году и было основано на физике переноса электронов внутри вакуумной электронной лампы, но в годы, последовавшие за открытием

фликкер-щума Джонсоном, было установлено, что этот «странный» шум появляется снова и снова в различных электрических устройствах [84].

В 30-х годах прошлого века аналогичное явление было обнаружено в шумовом спектре металлических пленок и гранулярных проводников, а в 40-50-х годах это явление еще раз было продемонстрировано в полупроводниковых приборах

[3].

Большая часть первоначальной работы по исследованию шумов описана Беллом в 1960 году [16], он, крометого, в 1980 году опубликовал обзор по данному вопросу, в котором включены и результаты более поздних исследований [17]. Ряд интересных аспектов о природе НЧ шума рассмотрел Ван дер Зил (1979 год) [12], а Вейссман [28] выполнил теоретический обзор по НЧ шуму (1981 год). Некоторые теоретические и эмпирические модели, предложенные для НЧ шума, рассмотрены Хоуге в 1976 году [20].

1.1.2 Спектр шума

Спектр шума, или зависимость спектральной плотности флуктуации от частоты, - одна из важнейших характеристик флуктуационного процесса [37].

Физическим смыслом спектральной плотности £(/) шума является мощность, которая приходится на единицу полосы частот и выделяется на сопротивлении 1 Ом. Единица измерения спектральной плотности — В2/Гц или А2/Гц [3].

Цвета шума - система терминов, приписывающая некоторым видам шумовых сигналов определённые цвета, исходя из аналогии между спектром сигнала произвольной природы (точнее, его спектральной плотностью или параметрами распределения случайного процесса) и спектрами различных цветов видимого света. Эта абстракция широко используется в отраслях техники, имеющих дело с шумом (акустика, электроника, физика и т.д.) [85].

Цветовые соответствия различных типов шумового сигнала определяются с помощью графиков (гистограмм) спектральной плотности, то есть распределения мощности сигнала по частотам.

Белый шум — это сигнал с равномерной спектральной плотностью на всех частотах и дисперсией, равной бесконечности. Является стационарным случайным процессом (рисунок 1.3, а). Другими словами, такой сигнал имеет одинаковую мощность в любой полосе частот. К примеру, полоса сигнала в 20 Гц между 40 и 60 Гц имеет такую же мощность, что и полоса между 4000 и 4020 Гц. Неограниченный по частоте белый шум возможен только в теории, так как в этом случае его мощность бесконечна. На практике сигнал может быть белым шумом только в ограниченной полосе частот.

Спектральная плотность розового шума определяется формулой ~ 1/Дплотность обратно пропорциональна частоте), то есть она является равномерно убывающей функцией в логарифмической шкале частот (рисунок 1.3, б). Спектральная плотность такого сигнала по сравнению с белым шумом затухает на 3 децибела на каждую октаву. Фликкер-шум (фликкерный шум, 1 lf шум, иногда розовый шум в узком прикладном понимании такого термина) - электронный шум, наблюдаемый практически в любых электронных устройствах, имеет спектр розового шума, поэтому его иногда так и называют. Однако следует различать розовый шум, как математическую модель сигнала определённого вида, и фликкерный шум, как вполне определённое явление в электрических цепях.

Спектральная плотность красного шума пропорциональна 11р (рисунок 1.3, в). Это означает, что на низких частотах шум имеет больше энергии, чем на выс о-ких. Энергия шума с ростом частоты падает на 6 дБ на октаву. Красный шум может быть получен путем интегрирования белого шума, а также с помощью алгоритма, симулирующего броуновское движение. Иногда этот шум называют также коричневым, по фамилии Роберта Броуна (Brown) [86]. Также данный вид шума известен как «шум случайных блужданий».

Синий шум - вид сигнала, спектральная плотность которого увеличивается на 3 дБ с ростом частоты на октаву (рисунок 1.3, г). Аналогично белому шуму, на практике он должен быть ограничен по частоте. Синий шум получается, если продифференцировать розовый шум; их спектры зеркальны.

10000

Фиолстопый шум

Серый шум

10000

10000

Частота. I ц

Д е

Рисунок 1.3 - Спектры шума [85]

Фиолетовый шум - вид сигнала, спектральная плотность которого увеличивается на 6 дБ с ростом частоты на октаву (рисунок 1.3, д). То есть его спектральная плотность пропорциональная квадрату частоты и, он также должен быть

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Ермачихин, Александр Валерьевич, 2014 год

Список литературы

1. Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных твердотельных приборах. - М.: Физматлит, 2012. - 512 с.

2. Левинштейн М.Е., Шум 1 lf в полупроводниках и полупроводниковых приборах// Тезисы международной зимней школы по физике полупроводников. - С.Петербург - Зеленогорск, 2004. С. - 78-84.

3. Разуменко Д. Низкочастотные шумы электронных компонентов как инструмент для диагностики внутренних дефектов // Компоненты и технологии. — 2008.-№9.-С. 168-174.

4. Холомина Т.А. Особенности процессов генерации НЧ шума в полупроводниковых барьерных структурах // Вестник РГРТУ. - 2012. - № 39-2. - С. 117-121.

5. Холомина Т.А., Кострюков С.А., Лактюшкин A.C. Исследование полупроводниковых барьерных структур методом спектроскопии низкочастотного шума // Вестник РГРТУ. - 2012. - № 39-1. - С. 74-78.

6. КонторовичМ.Л.,ЧерторийскийА.А., Широков A.A. Электр о флуктуацион-ный метод оценки качества биполярных транзисторных структур // Известия Самарского центра Российской академии наук. - 1999. — № 2. — С. 167-173.

7. Горлов М.И., Емельянов В.А., Жарких А.П. Определение ненадежных полупроводниковых приборов по шумовым характеристикам // Петербургский журнал электроники. - 2003. - № 2. - С. 40-44.

8. ГорловМ.И., Емельянов В.А., Жарких А.П., Строганов A.B. Прогнозирование потенциально ненадежных полупроводниковых приборов по критериям низкочастотного спектра // Инженерная микроэлектроника. — 2004. — №6. - С. 19-27.

9. Булгаков О.М, Таравков М.В. Статистический критерий оценки надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе характеристик низкочастотного шума // Вестник Воронежского института МВД Ро ссии. -2012.-№3.-С. 147-155.

10. Смирнов Д.Ю. Диагностика полупроводниковых изделий на основе параметров низкочастотного шума: дис. д-ра техн. наук: 05.27.01 / Смирнов Дмитрий Юрьевич - Воронеж, 2013. - 207 с.

11. Van der Ziel A. On the noise spectra of semi-conductor noise and of flicker effect // Physica. - 1950. - Vol 16. - № 4. _ p. 359-372.

12. A. van der Ziel Flicker noise in electronic devices // Advances in Elect, and Phys.

- 1979. - V. 49,-P. 225-297.

13. Ван дер Зил А. Единое представление шумов типа llfв электронных приборах: Фундаментальные источники/А. Ван дер Зил // Пер. с англ. -ТИИЭР. - 1988. -Т. 76. - № 3. - С. 5-34.

14. Ван дер Зил А. Шумы в полупроводниковых приборах и лазерах // Пер. с англ. ТИИЭР. - 1970. - Т. 58. - № 8. - С. 5-34.

15. Du Pre F.K. A suggestion regarding the spectral density of flicker noise // Physical Review. - 1950. - Vol 78. - № 5. - P. 615.

16. Bell D.A. Electrical Noise. Van Nostrand, London. Chapter 10. 1960. P. 262.

17. Bell D.A. A survey of 1 If noise in electrical conductors // Phys. C: Solid State Phys. - 1980. - V. 13. - P. 4425-4437.

18. Hooge F.N. llf noise is no surface effect // Phys. Lett. A. - 1969. - V. 29. - P. 139-140.

19. Hooge F.N., Gaal J.L.M. Fluctuations with a 1 If spectrum in the conductance of ionic solutions and in the voltage of concentration cells // Phillips Res. Rep. - 1971. — V. 26. - P. 77-90.

20. Hooge F.N., l//noise // Physica. - 1976. - No. 83B. - P. 14-23.

21. Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M., Vandamme L.K.J. Experimental studies on \lf noise // Reports on progress in Physics. - 1981. - Vol. 4. - № 5. - P. 479-532.

22. Hooge F.N. The relation between 1 If noise and number of electrons // Physica B.

- 1990. - VoL 162. - P. 344-352.

23. Dutta P., Eberhard J.W., Horn P.M. 1 If noise in copper whiskers // Solid State Communications. - 1977. - V. 21, - P. 679-681.

24. Dutta P., Dimon P., Horn P.M. Energy scales for noise processes in metals // Phys. Rev. Lett. - 1979. - VoL 43. - № 9. - P. 646-649.

25. Dutta P., Horn P.M. Low-frequency fluctuations in solids: 1 If noise // Reviews of Modern Physics. - 1981. - VoL 53. - № 3. - P. 497-516.

26. Voss, R.F., Clarke J. Fliker 1 If noise: Equilibrium temperature and resistance fluctuations // Phys. Rev. - 1976. - VoL B13. - № 2. - P. 556-573.

27. Voss R.F., Clarke J. '1 If noise' in music: music from 1 If noise // J. Acoust. Soc. Am. - 1978. - V. 63. - P. 258-263.

28. Weissman M.B. Survey of recent 1 If noise theories // Proc. 6th Int. Conf. on Noise in Physical Systems, held at the National Bureau of Standards, Gaithersbtirg, MD, USA, April 1981. - V. 10. - P. 133-142.

29. Weissman, M.B. 1 If noise and other slow, nonexponential kinetics in condensed matter //Rev. Mod. Phys. - 1988. - VoL 60. - № 2. - P. 537.

30. Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах, пер. с англ. М. Н. Девятков, - М., 1986. - 399 с.

31. Miroshnikova I.N., Astakhov V.P., Zenova E.V., Tagachenkov A.M., Rachnikov D.A. Noise spectroscopy as a method of monitoring the quality of developed semiconductor devices // Measurement Techniques. - Vol. 54. - Iss. 6. - P. 712-715.

32. Малахов A.H. К вопросу о спектре фликкер-шума // Радиотехника и электроника. - 1959. - Т. 4. - № 1. - С. 54.

33. Малахов А.Н. Флуктуации в автоколебательных системах. - М.: Наука, 1967. - 660 с.

34. Малахов А.Н., Якимов А.В. К вопросу о природе фликкерных флуктуации // Радиотехника и электроника. - 1974. - Т. 19. - № 11. - С. 2436-2438.

35. Коган Ш.М., Нагаев К.Э. Низкочастотный токовый шум в твердых телах и внутреннее трение // Физика твердого тела. - 1982. - Т. 24. - № 11. - С. 3381-3388.

36. Коган Ш.М., Нагаев К.Э. Шум в туннельных переходах, вызываемый двухуровневыми системами в диэлектрической прослойке // Письма в ЖТФ. — 1984. — Т. 10.-№5.-С. 313-316.

37. Коган ШМ. Низкочастотный токовый шум со спектром 1 If в твердых телах //УФН. - 1985. - Т. 145. - № 2. - С. 285-328.

38. ЛукьянчиковаН.Б. Физические основы электрофлуктуационной диагностики надежности и срока службы полупроводниковых приборов // Электронная промышленность. - 1983. — №6. - С. 28-35.

39. Лукьянчикова Н.Б. Низкочастотный шум в полупроводниковых диодах // Литовский физический сборник. - 1984. - Т.24. - № 1. - С. 51-67.

40. Лукьянчикова Н.Б., Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. — М.: Радио и связь, 1990. - 296 с.

41. Жигальский Г.П., Соков Ю.Е., ТомсонН.Г., Исследование зависимости шума 1 If в тонких металлических пленках от внутренних механических напряжений // Радиотехника и электроника. - 1979. - Т. 24. - №2. - С. 410-412.

42. Жигальский Г.П. Шум вида 1 If и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках // Успехи физических наук. - 1997. - Т. 167. - № 6. - С. 623-648.

43. Жигальский Г.П. Неравновесный 1/^-шум в проводящих пленках и контактах // Успехи физических наук. - 2003. - Т. 173. - № 5. - С. 465-490.

44. Левиншгейн М.Е., Румянцев С. Л. Шум 1 If в условиях сильного геометрического магнитосопротивления // ФТП. - 1983. - Т. 17. - Вып. 10. - С. 1830-1834.

45. Дьяконова Н.В., Левиншгейн М.Е. Модель объемного шума 1 If в полупроводниках // ФТП. - 1989. - Т. 23. - Вып. 2.- С. 283-291.

46. ДьяконоваН.В., Левиншгейн М.Е., Pascal F., Румянцев С.Л. Шум 1//в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки // ФТП. - 1997. - Т. 31.-Вып. 7-С. 858-863.

47. Дьяконова Н.В., Левиншгейн М.Е., Contreras S., Knap W., Beaumont В., Gibart P. Низкочастотный шум в n-GaN // ФТП. - 1998. - Т. 32. - Вып. 3 - С. 285289.

48. Орлов В.Б., Якимов A.B. Диффузия примесей и фликкерные флуктуации подвижности носителей тока в полупроводниках // Изв. ВУЗов. Радиофизика. — 1984. - Т. 27. - № 12. - С. 1584-1589.

49. Orlov V.B., Yakimov A.V. The Further Interpretation of Hooge's l//Noise Formula // Physica Condensed Matter. - 1990. - Vol. 162. - P. 13-20.

50. Orlov V.B., Yakimov A.V. 1 If noise in Corbino disk: anisotropic mobility fluctuations? // S olid-State Electronics. - 1990. - Vol. 33. - P. 21-25.

51. ОрешкинП.Т., Кордюков С.И. НЧ-шумы в приборахс несимметричными р-п-переходами // Матер, докл. Всес. науч.-техн. школы "Шумовые и деградацион-

ные процессы в полупроводниковых приборах". - М.: Моск. гор. правление Всес. НТО ЗЭС им. А.С. Попова. - 1990. - С. 36-37.

52. Орешкин П.Т., Денисов A. Л., Кордюков С.И. Низкочастотные шумы диодов Шоттки // Радиотехника и электроника. - 1985. - T. XXX. - Вып. 7. - С. 14491450.

53. Scholz F., Hwang J.M., Schroder D.K. Low frequency noise and DLTS as semiconductor device characterization tools // Solid-State Electron. - 1988. - V. 31. - № 2. -P. 205-218.

54. Зубков В.И., Яковлев И.Н., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. и др. Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса // ФТП. - 2014.- Т. 48. - Вып. 7. - С. 944-950.

55. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С. DLTS исследование диода Шоттки на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовой ямой // Вестник РГРТУ. - 2013. - № 2(44). - С. 91-96.

56. Зубков В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. - СПб.: ООО «Техномедиа» / изд-во «Элмор», 2007. - 220 с.

57. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors //J. AppL Phys. - 1974. - V. 45. - P. 3023-3032.

58. Литвинов В.Г., Гудзев B.B., Милованова O.A., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия полупроводниковых микро- и наноструктур // Вестник РГРТУ. — 2009.-№30.-С. 62-70.

59. Литвинов В.Г., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Определение концентрации носителей заряда в слаболегированных квантово-размерных структурах с зонной диаграммой второго типа // Вестник РГРТУ. - 2011. - № 36. - С. 75-81.

60. Litvinov V., Sadofyev Y., Rybin N., Kozlovsky V. Local study of the energy spectrum of electrons in CdSe/ZnSe QD structure by current DLTS cooperated with AFM // Phys. Stat. Sol. (c) - 2012. - V. 9. - № 8-9.- P. 1772-1775.

61. Павлов JI.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 239 с.

62. Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Тяжев А.В. Диффузия хрома в арсениде галлия // ФТП. - 2004. - Т. 38. - Вып. 3.- С. 274-277.

63. Болтакс Б.И., Куликов Г.С., Малкович Р.П1 Влияние золота на электрические свойства кремния // Физика твердого тела. - 1960. - Т. 2. - Вып. 1. — С. 181-191.

64. Delerue С., Lannoo М. Nanostructures: Theory and Modelling. Springer 2004. -305 p.

65. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие для вузов. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2004. - 204 с.

66. Ballingall J.M., Martin Р.А., Mazurowski J., Ho P., et aL Pseudomorphic InGaAs high electron mobility transistors // Thin Sol. Films. - 1993. - V. 231. - I. 95. - P. 95106.

67. Heun S., Paggel J.J., Sorba L., Rubini S., et al. Strain and surface morphology in lattice-matched ZnSe/InxGai-xAs heterostructures // J. AppL Phys. - 1998. - V. 83. - P. 2504-2511.

68. Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Sokolova Z.N., Stankevich A.L., et al. 16 W continuous-wave output power from 100-jim aperture laser with quantum well asymmetric heterostructure // Electron. Lett. - 2004. - V. 40. -1. 22. - P. 1413-1414.

69. Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Винокуров Д.А., Соколова З.Н., и др. Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетеро-структурах раздельного ограничения // ФТП. - 2004. - Т. 38. - Вып. 12. - С. 14771487.

70. Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., и др. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетер о структур раздельного ограничения // ФТП. - 2005. - Т. 39. - Вып. 3. - С. 388-393.

71. Chavarkar P., Mathis S., Zhao L., Keller S., Speck J., Mishra U. Strain relaxation in InGaAs lattice engineered substrates // J. Electron. Mater. - 2007. - 29. - № 7. - P. 944-949.

72. Кострюков С. А. Автоматизированная установка для измерения СПМ низкочастотных шумов // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы междунар. науч.-методич. семинара. М.: МНТРОЭС им. A.C. Попова, МЭИ. - 2003. - С. 23-25.

73. Клюев A.B., Якимов A.B. Анализ помех при измерениях низкочастотных шумов // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 2007. - № 6. - С. 52-55.

74. Беляков A.B., Моряшин A.B., Перов М.Ю., Якимов A.B. Исследование 1 !f-шума в наноразмерныхполупроводниковых структурах// Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 2003. - № 2. - С. 143-153.

75. Шмелев Е.И., Клюев A.B., Якимов A.B. Мобильная установка для исследования низкочастотных шумов // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 2009. -№ 5. - С. 81-85.

76. Холомина Т.А., Кострюков С.А., Литвинов В.Г., Ермачихин A.B. Спектроскопия низкочастотных шумов полупроводниковых приборов // Датчики и системы. - 2013. - №5. - С. 15-21.

77. Кострюков С.А., Ермачихин A.B., Литвинов В.Г., Холомина Т.А., Рыбин Н.Б. Измерительный комплекс спектроскопии низкочастотных шумов полупроводниковых диодных структур//Измерительная техника. -2013. -№9. - С. 61-64.

78. Kostiyukov S.A.,Ermachikhin А.V., Litvinov V.G., Kholomina Т.А., RybinN.B. А measuring System for the Spectroscopy of the Low-Frequency Noise of Semiconductor Diode Structures // Measurement Techniques. - 2013. - V. 56. -1. 9. - P. 1066-1071.

79. Кострюков С.А., Холомина Т.А. Особенности анализа сигналов низкочастотного шума методом дискретного преобразования Фурье. // Измерительная техника. - 2005. - № 12. - С. 47-50.

80. Schottky W. Uber spontane Stromschwankungen in verschiedenen elektrizitatslei-tern // Ann. der Phys. - 1918. - V.57. - P. 541-567.

81. Hartmann C.A. Über die Bestimmung des elektrischen Elementarquantums aus dem Schroteffekt // Ann. der Phys. - 1921. - V.65. - P. 51-78.

82. Johnson J. B. The Schottky Effect in Low Frequency Circuits // Phys. Rev. -1925.-V. 26.-P. 71-85.

83. Schottky W. SmaU-Shot Effect and Flicker Effect // Phys. Rev. - 1926. - V. 28. -P. 74-103.

84. Milotti E. 1 If noise: a pedagogical review. Sezione di Trieste Via delle Scienze, 208 -1-33100 Udine, Italy. - P. 26.

85. Ермачихин A.B., Литвинов В.Г. Виды спектров шума (цвет шума) и уменьшение «вредной» составляющей СПМ шума // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур». — Рязань. 2013. - С. 58-62.

86. Ford B.J. Brownian movement in Clarkia pollen: a reprise of the first observations // The Microscope. - 1992. - Vol. 40. - N 4. - P. 235-241.

87. Yellott, John I. Jr., «Spectral Consequences of Photoreceptor Sampling in the Rhesus Retina» Science. - 1983. - V. 221. - P. 382-385.

88. Kedzia J., VandammeL. K.J. 1 If noise in liquid and solid gallium // Phys. Lett. Ser. A. - 1978. - V. 66. -1. 4. - P. 313-314.

89. Machlup S. Earthquakes, thunderstorms and other 1 If noises // Proc. 6th Int. Conf on Noise in Physical Systems held at the National Bureau of Standards, Gaithersburg, MD, USA, April 6-10, 1981. - P. 157-160.

90. Musha Т. 1 If fluctuations in biological systems // Proc. 6th Int. Conf. on Noise in Physical Systems held at the National Bureau of Standards, Gaithersburg, MD, USA, April 6-10, 1981. P. 143-146.

91. Колачевская B.B., Колачевский H.H., Рождественский B.B., Стрыгин Л.В. Спектральное распределение магнитного шума вблизи гармоник частоты пере-магничивания // Радиотехн. и электрон. - 1971. - Т. 16. - С. 1211-1215.

92. Вухаров М.В., Колачевский Н. Н., Рождественский В.В. В кн. Физика магнитных материалов: Межвуз. тем. сб. - Калинин.: - КГУ, 1978. — С. 3.

93. Hiatt C.F., A. van der Ziel, К.М. van Vliet, Generation-recombination noise produced in the channel of JFETs // IEEE Trans. Elect. Dev. - 1975. - № 22. - P. 614-616.

94. A. van der Ziel (1978), Flicker noise in semi-conductors: not a true bulk effect, AppL Phys. Lett. - V. 33, - P. 883-884.

95. Hsu S.T. Low-frequency excess noise in metal-silicon Schottky barrier diodes // IEEE Trans. Electron. Devices. - 1970. - Vol. ED-17. - № 7. - P. 496-506.

96. Sah C.T., Hielscher F.H. Evidence of the origin of the 1// noise // Phys. Rev. Letters. - 1966. - VoL17. - № 10. - P. 956-957.

97. Yau L.D., Sah C.T. Theory and experiments of low-frequency generation-recombination noise in MOS-transistors // IEEE Trans. Electron. Devices. - 1969. -Vol ED-16. - № 2. - P. 170-177.

98. Кострюков C.A. Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки: дис. к-та физ.-мат. наук: 01.04.10 / Кострюков Сергей Анатольевич - Рязань, 2007. - 133 с.

99. Орешкин П.Т. Барьерные слои как резонаторы на глубоких центрах // Известия вузов СССР. Физика. - 1990. - № И. - С. 21-25.

100. Зубков В.И. Спектроскопия адмиттанса - эффективный метод диагностики полупроводниковых квантоворазмерных структур // Вестник РГРТУ. - 2009. — № S30. - С. 66-72.

101. Корнилович АА, ЛитвиновВ.Г.,ЕрмачихинА.В, КусакинД.С. Установкадля определения параметров полупроводниковых структур по магнитным квантовым эффектам и спектроскопии адмиттанса // ПТЭ. - 2014. - № 4.- С. 111-119.

102. РыбинН.Б. Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов: дис. к-та физ.-мат. наук: 01.04.10 10 / Рыбин Николай Борисович — Рязань, 2011. — 157 с.

103. Брунков П.Н. Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетер о-структурах с квантовыми ямами и квантовыми точками: дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 10 / Брунков Павел Николаевич - Санкт-Петербург, 2007. - 315 с.

104. Brounkov P.N., Konnikov S.G., Benyattou Т., Guillot G. Characterization of subband levels in quantum well using capacitance-voltage technique // Phys. Low-Dim. Struct. - 1995. - V.10/11. - P. 197-207.

105. Зубков В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетер о структур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шре-дингера и Пуассона // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 10. - С. 1236-1240.

106. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. Кн. 1: пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. - М.: Мир, 1984. - 456 с.

107. Kroemer Н., Chien Wu-Yi, Harris J.S. (Jr), Edwall D.D. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V-profiling // AppL Phys. Lett. - 1980. - Vol 36. - № 4. -P. 295-297.

108. Johnson W. C., Panousis P.T. The influence of Debye length on the C-V measurement of doping profiles // IEEE Trans. Electr. Dev. ED-18. - Vol. 18. - P. 965-973.

109. Зубков В.И. Диагностика гетер о структур с квантовыми ямами InxGai-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции // ФТП. - 2007. - Т. 41. - Вып. 3. - С. 331-337.

110. Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Муси-хин Ю.Г. Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками // ФТП. - 1999. — Т. 33. - Вып. 2. — С. 184-193.

111. Берман JI.C., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. - Л.: Наука, 1981. - 176 с.

112. Денисов А.А., Лактюшкин В.Н., Садофьев Ю.Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней // Обзоры по электронной технике. - 1985. - Сер. 7. -Вып. 15(1141).-52 с.

113. Кузнецов Н.И. Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS) // ФТП. - 1993. - Т. 27. - Вып. 10. - С. 1674-1679.

114. Козловский В.И., Садофьев Ю.Г., Литвинов В.Г. Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zni-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs (100) эпитак-сией из молекулярных пучков // ФТП. - 2000. - Т. 34. - Вып. 8. - С. 998-1003.

115. Schmalz К., Yassievich I.N., Rucker Н., Grimmeis H.G. Characterization of Si/Sii-xGex/Si quantum wells by space-charge spectroscopy // Phys. Rev. B. - 1994. -V. 50.-P. 14287-14301.

116. Chretien О., Apetz R., Vescan L., Souifi A., et aL Thermal hole emission from Si/Sii.xGex/Si quantum wells by deep level transient spectroscopy// J. AppL Phys. - 1995. - V 78. - P. 5439-5447.

117. Соболев M. M., Кочнев И.В., Лантратов В. M., Леденцов Н. Н. Исследование захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней // ФТП. - 2001. - Т. 35. - Вып. 10. - С. 1228-1234.

118. Broniatowski A., Blosse A., Srivastava Р.С., Bourgoin J.C. Transient capacitance measurements on resistive samples // J. AppL Phys. - 1983. - V. 54. - P. 2907-2910.

119. Yoshitaka N. and Tetsu K. Current deep-level transient spectroscopy investigation of acceptor levels in Mg-doped GaN // AppL Phys. Lett. - 2001. - V. 79. - P. 16311633.

120. Вывенко О.Ф., Истратов A.A. Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников // ФТП. - 1992. - Т. 26. - Вып. 10. - С. 1693-1700.

121. Астрова Е.В., Лебедев А.А., Лебедев А.А. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней // ФТП. - 1985. - Т. 19. - Вып. 8. - С. 1382-1385.

122. Антонова И.В., Шаймеев С.С. Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами // ФТП. - 1991. - Т. 25. - Вып. 5. - С. 847851.

123. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетер о структуры: пер. с англ./ под ред. Л. Ченга, К. Плога. - М.: Мир, 1989. - 584 с.

124. Vul В.М. // DokL Akad. Nauk SSSR 129. 61. - 1959. (Sov. Phys. Dokl. 4, 1246 (I960)).

125. Шик А.Я. Сверхрешетки - периодические полупроводниковые структуры // ФТП. - 1974. - Т. 8. - Вып. 10. - С. 1841-1864.

126. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G. Investigation of e-h pair compression in molecular beam epitaxy grown ZnCdSe/ZnSe multiquantum wells at volume excitation by electron // J. Vac. ScL TechnoL - 2000. - V. 18. - P. 1538-1541.

127. Ермачихин А.В. Оценка погрешности измерительной методики спектроскопии низкочастотного шума для диагностики наноструктур//Труды V всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». - Т. III. Рязань, 2012. - С. 42-49.

128. Darling A.S. Iridium Platinum Alloys // Plat. Metals Rev. - 1960. - V. 4 (1).-P. 18-26

129. Ермачихин A.B., Рыбин Н.Б., ЛитвиновВ.Г., Рыбина Н.Б. Программа для автоматизированного комплекса спектроскопииНЧ шумов / Свидетельство о государ-ственнойрегистрации программы для ЭВМ:№ 2014617224. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 15 июля 2014 г.

130. Ермачихин А.В., КострюковС.А.,ЛитвиновВ.Г. Усовершенствование входного усилителя измерительно-аналитического комплекса спектроскопии низкочастотного шума// Труды VI всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». — Т. III. Рязань, 2013. - С. 51-54.

131. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г., Кострюков С.А., Мальченко С.И. Программа для автоматизированного измерения НЧ шумов и спектральной плотности мощности шума в элементах электронной техники/ Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ: № 2012617503. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 20 августа 2012 г.

132. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г., Мальченко С.И. Программное обеспечение измерительной установки для низкочастотной спектроскопии // Инженерные и научные приложения на базе National Instruments-2012. Сборник трудов XI международной научно-практической конференции. Москва. ДМК Пресс.-2012. - С. 387389.

133. Хикс Ч. Основные принципы планирования эксперимента / Пер. с англ. Под ред. В.В. Налимова. - М.: Мир, 1967. - 406 с.

134. Бабуров Э.Ф., Куликов Э.Л., Маригодов В.К. Основы научных исследований. - Киев: Выща шк. Головное из-во, 1988. — 230 с.

135. Радкевич И.А. Организация и планирование научных исследований: Учебное пособие. - М.: изд-во МФТИ, 1986. - 214 с.

136. Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешности результатов измерений. 2-е изд. перераб. и доп. - JL: Энергоатомиздат, Ленингр. отд., 1991. - 304 с.

137. Кассандрова О.Н., Лебедев В.В. Обработка результатов наблюдений. -Москва. Наука, 1970. - 104 с.

138. Ермачихин А.В. Программа алгоритма нахождения оптимального числа усреднений/Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ: № 2013616399. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 8 июля 2013 г.

139. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б. Программа управления измерительно-аналитическим комплексом иммитансных характеристик полупроводнико-выхмикро- и наноструктур / Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ:№ 2014610621. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 15 января 2014 г.

140. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г. Lab VIEW в современной индустрии измерений (обзор) // Информационные технологии. - 2014. - №3. - С. 25-29.

141. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г. Программное обеспечение измерительно-аналитического комплекса для исследования иммитанса электронных элементов в температурном диапазоне 7-500 К // Сборник трудов XII международной конференции компании National Instruments «Инженерные и научные приложения на базе технологии National Instruments - 2013». - Москва, 2013. - С. 260-262.

142. Ермачихин А.В., ЛитвиноваВ.С., Кусакин Д.С. Программа для автоматизированного измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых микро- и наноструктур/ Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ: № 2014617225. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 15 июля 2014 г.

143. Bimberg D., Grundmann М., Ledentsov N. Quantum Dot Heterostructures. John Wiley & Sons Ltd., 1999. - 338 p.

144. Блохин C.A., Надточий A.M., Красивичев A.A., Карачинский Л.Я. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs // ФТП. — 2013. — Т. 47. - Вып. 1. - С. 87-91.

145. Liu G.T., Stintz A., Li H., Malloy K.J., Lester L.F. Extremely low room-temperature threshold current density diode lasers using InAs dots in Ino.15Gao.85As quantum well // Electron. Lett. - 1999. - 35. - P. 1163-1165.

146. Yu H.C., Wang J.S., Su Y.K., Chang S.J., et aL 1.3-цт InAs-InGaAs quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser with fully doped DBRs grown by MBE // IEEE Photonics TechnoL Lett. - 2006. - 18. - P. 418-420.

147. Guttierrez M., Hopkinson M., Liu H.Y., Herrera M., Gonzalez D., Garcia R. Effect of the growth parameters on the structure and morphology of InAs/inGaAs/GaAs DWELL quantum dot structures // J. Ciyst. Growth. - 2005. - V. 278. - P. 151-155.

148. Ngo C.N., Yoon S.F., Lim D.R., Wong V., Chua S.J. Temperature-dependent photoluminescence study of 1.3pm undoped InAs/inGaAs/GaAs quantum dots // Appl. Phys. Lett. - 2008. - V. 93, - P. 041912.

149. Amano Т., Sugaya Т., Yamauchi S., Komori K. Realization of 1.3 pm InAs quantum dots with high-density, uniformity, and quality // J. Cryst. Growth. - 2006. - V. 295.-P. 162-165.

150. Садофьев Ю.Г. Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм // ФТП. - 2012. - Т. 46. -Вып. И.-С. 1393-1397.

151. Yu К.М., Walukiewicz W., Jaklevic J.M., et al. Effects of interface reactions on electrical characteristics of metal-GaAs contacts // AppL Phys. Lett. - 1987. - V. 51. — No 3. - P. 189-191.

152. Walukiewicz W. Amphoteric native defects in semiconductors // Appl. Phys. Lett. - 1989. - V. 54. - No 21. - P. 2094-2096.

153. Вяткин А.П., Максимова H.K., Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs // Вестник Томского государственного университета. - 2005. - Выпуск № 285 - С. 121-128.

154. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия, перевод с английского. - М. Мир, 1991. - 632с.

155. Rode D.L. Electron mobility in direct gap polar semiconductors // Phys. Rev. B. -1970.-2(4).-P. 1012-1024.

156. Ермачихин AB., Кострюков С.А, Кусакин Д.С., Литвинов В.Г., Рыбин КБ. Шумовая спектроскопия диода Шоттки на основе reTepocTpyiciypbilnGaAs/GaAs с квантовой ямой // Вестник РГРТУ. - 2014. - №3 (49). - С. 83-89.

157. Zubkov V.l., Melnik М.А, Solomonov A.V., Tsvelev E.O., Bugge F., Weyers M, Tränkle G. Phys. Rev. В. - 2004. - 70 (7). - P. 075312.

158. Stern F., Sarma S. Das. Electron energy levels in GaAs-Gai-xAlxAs heterojunc-tions // Phys. Rev. B. - 1984. - 30 (2). - P. 840.

159. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. - СПб.: Наука, 2001. - 160 с.

160. Ермачихин A.B., Зубков В.И., Кучерова О.В., Литвинов В.Г., и др. Анализ аномального заполнения множественных квантовых ям в системе InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмитганса//Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XIРКФП).- СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2013. - С. 431-431.

161. Зубков В.И., Яковлев И.Н., Литвинов В.Г., Ермачихин A.B. и др. Анализ поведения уровней размерного квантования в квантовых ямах методами вольт-фарадного профилирования // Труды всероссийскоймолодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур». - Рязань, 2013. - С. 128-132.

162. Blood P., Orton J.W. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states. London, Academic Press. 1992. - 735 p.

163. В.И. Зубков. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шре-дингера и Пуассона // ФТП. - 2007. - Т. 41. - Вып. 10. - С. 1236-1240.

164. Кучерова О.В., Зубков В.И., Цвелев Е.О., Яковлев И.Н., Соломонов A.B. Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмитганса // Завод, лаб. - 2010. - Т. 76. - Вып. 3. - С. 24-28.

165. Литвинов В.Г., Ермачихин A.B., Кусакин Д.С. Особенности исследования диода Шоттки на основе гетеро структуры InGaAs/GaAs с квантовой ямой методом DLTS // Труды VI всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых

ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». - Т. III. Рязань, 2013. - С. 169-175.

166. Vurgaftman I., Meyer J., R. Ram-Mohan L. R. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. Appl. Phys. - 2001. - V. 89. - P. 5815.

167. Ермачихин A.B., Кострюков C.A., Литвинов В.Г. Разработка методики исследования характеристик полупроводниковых структур с квантовыми ямами с использованием спектроскопии НЧ шума // Сборник трудов IXМеждународной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». - СПб, 2014. - С 313314.

168. Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. Особенности применения спектроскопии низкочастотного шума для диагностики по лупроводниковых диодных структур с квантовой ямой//Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». — Т. I. Рязань, 2014. - С. 37-50.

169. Ермачихин А.В., Кострюков С.А., Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б. Исследование низкочастотного шума в диоде Шоттки с квантовой ямой на основе Au/GaAs/InGaAs/GaAs // Сборник трудов VIII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». - СПб. Изд-во Политехи, ун-та, 2012. - С 163-164.

170. ЕрмачихинА.В., Кострюков С.А., Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б. Исследование шумовых свойств и электронных состояний диода Шоттки на основе гетерострукту-ры InGaAs/GaAs с квантовой ямой // Вестник РГРТУ. - 2012. - №3 (41). - С. 98-103.

171. ЕрмачихинА.В., ЛитвиновВ.Г., Рыбин Н.Б., Кострюков С.А. Исследование шумовых свойств диодаШоттки с квантовойямой // Флуктуационные и деградаци-онные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докладов научно-методического семинара-М.:МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ», 2013. - С. 98-106.

172. Lu W., Kumar V., Schwindt R., Piner E., and Adesida I. A comparative study of surface passivation on AlGaN/GaN HEMTs // Solid-State Electron. - 2002. - V. 46. -№9.-P. 1441-1444.

173. Vitusevich S.A., Petrychuk M.V., Danylyuk S.V., Kuraki A.M., Klein N., and Belyaev A.E. Influence of surface passivation on low-frequency noise properties of Al-GaN/GaN high electron mobility transistor structures // Phys. Stat. Sol. (a). - 2005. - V. 202.-№5.-P. 816-819.

174. Hatzopoulos A.T., Arpatzanis N., Tassis D.H., Dimitriadis C.A., Templier F., Oudwan M., Kamarinos G. 1 If noise characterization of amorphous/nano crystal-line silicon bilayer thin-film transistors // Solid-State Electron. - 2007. - V. 51. - № 5 - P. 726-731.

175. Ovshinsky S. R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures // Phys. Rev. Lett. - 1968. - vol. 21, - no. 20. - P. 1450-1453.

176. Adler D., Shur M.S., Silver M., and Ovshinsky S.R. Threshold switching in chal-cogenide-glass thin films // J. Appl. Phys. - 1980. - vol. 51. - no. 6. - P. 3289-3309.

177. Lacaita A.L. Phase change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives // Solid-State Electronics. - 2006. - V. 50. - P. 24-31.

178. Wong H.-S. P. et al Phase change memory // Proceedings of the IEEE. - 2010. -V. 98. - № 12. - P. 2201-2227.

179. Burr G. W. et aL Phase change memory technol-ogy // Journal of Vacuum Science and Technology B. - 2010. - V. 28. - № 2. - P. 223-262.

180. Krishnamurthy R. First Volume Production Phase Change Memory by Micron [Электронный ресурс] // Chipworks. - 2013. - 23 May. - Режим доступа: www.chipworks.com.

181. Clarke P. Samsung moves phase-change memory to production [Электронный ресурс] // EETimes. - 2009. — 22 September. - Режим доступа: www.EETimes.com.

182. Mott N.F., Davis E.A. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. Oxford: Clarendon Press, 1979. - 590 p.

183. Lee C.M, Chin T.S., Huang Y.Y., Tung I.C. et aL Optical Properties of Ge4oSbi0Te5oBx (x = 0-2) Films // Jpn. J. of Appl. Phys. Part 1. - 1999. - Vol 38. - P. 6369-6371.

184. Wang K. et al. Influence of Bi doping upon the phase change characteristics of Ge2Sb2Te5 // Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol 96. - P. 5557-5562.

185. Нгуен Х.Ф., Козюхин С.А., Певцов А.Б. Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 // ФТП. - 2014. - Т. 48. - Вып. 5. - С. 597-603.

186. Лазаренко П.И., Козюхин С.А., Шерченков А.А., Литвинов В.Г., и др. Электрофизические свойства аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированных Bi // Вестник РГРТУ. - 2013. - №4 (46), часть 3. - С. 83-87.

187. Лазаренко П.И., Шерченков А.А., Козюхин С.А., Литвинов В.Г., и др. Особенности влияния модифицирующей примеси висмута на свойства Ge2Sb2Te5 // Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». - СПб, 2014. - С 265-266.

188. Lavizzari S., Sharma D., Ielmini D. Threshold-Switching Delay Controlled by 1 If Current Fluctuations in Phase-Change Memory Devices // IEEE Transactions on electron devices. - 2010. - VoL 57. - No. 5. - P. 1047-1054.

189. Kozyukhin S. et aL Structural changes in doped Ge2Sb2Te5 thin films studied by Raman spectroscopy // Physics Procedia. - 2013. - V. 44. - P. 82-90.

190. Nardone M, Simon M., Karpov I.V., Karpov V.G. Electrical conduction in chal-cogenide glasses of phase change memory // J. AppL Phys. - 2012. - V. 112. - P. 071101.

191. Ielmini D., Zhang Y. Evidence for trap-limited transport in the subthreshold conduction regime of chalcogenide glasses // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 90. - P. 192102.

192. Marsal L.F., Pallare's J., Correig X. Electrical characterization of n-amorphous/p-crystalline silicon heterojunctions // J. Appl. Phys. - 1996. - V. 79. - № 11. - P. 84938497.

193. Нагельс П. Электронные процессы переноса в аморфных полупроводниках В кн.: Аморфные полупроводники; под. ред. М. Бродски. - М.Мир, 1982. - С. 146-200.

194. Rogacheva E.I. Organization Processes in Impurity Subsystem of Solid Solutions // J. Phys. Chem.Solids. - 2003. - V. 64. - P. 1579-1583.

195. Лазаренко П.И., Ермачихин A.B. Механизмы переноса заряда в аморфных тонких пленках системы Ge-Sb-Te-Bi // Доклады 21-й Всероссийской межвузов-

ской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика 2014». - М.: МИЭТ, 2014. - С. 40.

196. Богословский Н.А., Цэндин К.Д. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидныхстеклообразныхполупроводниках// ФТП. — 2012. — Т. 46. — Вып. 5. - С. 577-608.

197. Забродский А.Г., Рыбкин С.М., Шпимак И.С. О механизме низкотемпературного примесного пробоя в компенсированных полупроводниках и переключения в аморфных полупроводниках// Письма в ЖЭТФ. - 1973. - Т. 18. - Вып. 8. — С. 493-497.

198. С.М. Рыбкин. О механизме переключения в аморфных полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. - 1972. - Т. 15. - Вып. 10. - С. 632-635.

199. Ielmini D. Threshold switching mechanism by high-field energy gain in the hopping transport of chalcogenide glasses // Phys. Rev. B. - 2008. - V. 78. - P. 035308.

200. Nardone M., Karpov V.G., Karpov I.V. Relaxation oscillations in chalcogenide phase change memory // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 107. - P. 054519.

201. Simon M., Nardone M., Karpov V.G., Karpov I.V. Threshold switching mechanism by high-field energy gain in the hopping transport of chalcogenide glasses // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 108. - P. 064514.

202. Nardone M., Simon M., Karpov V.G. Shunting path formation in thin film structures // Appl. Phys. Lett. - 2010. - V. 96. - P. 163501.

203. Eaton D.L. Electrical Conduction Anomaly of Semiconducting Glasses in the System As-Te-I // J. Americ. Ceramic Soc. - 1964. - V. 47. -1. 11. - P. 554-558.

204. Warren A.C. Switching mechanism in chalcogenide glasses // Electron. Lett. -1969. - V. 5. -1. 19. - P. 461-462.

205. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. - СПб.: Наука, 1996. - 485 с.

206. Франц В. Пробой диэлектриков. - М., Мир, 1961. - 208 с.

207. С.М. Брагин, А.Ф. Вальтер, Н.Н. Семенов. Теория и практика пробоя диэлектриков. - М.; Д., Гос. изд-во, 1929. - 384 с.

208. Boer K.W., Ovshinsky S.R. Electrothermal Initiation of an Electronic Switching Mechanism in Semiconducting Glasses // J. Appl. Phys. - 1970. - V. 41. - I. 6. - P. 2675-2681.

209. Male J.C., Warren A.C. Field-enhanced conductivity effects in thin chalcogenide-glass switches// Electron. Lett. - 1970. - V. 6. - P. 567-569.

210. Savransky S.D. Model of conductivity transition in amorphous chalcogenides induced by auger recombination // J. Ovonic Res. - 2005. - V. 1. - No 2. - P. 25-30.

211. Tsendin K.D. The changing of initial state in a strong electric field and memory effect in chalcogenides // J. Opt. Adv. Mater. - 2007. - V. 9. -1. 10. - P. 3035-3038.

212. Tsendin K. Electro-thermal theory of the switching and memory effects in chal-cogenide glassy semiconductors // Phys. Status. Solidi B. - 2009. - V. 246. -1. 8. - P. 1831-1836.

213. Богословский H.A., Цэндин К.Д. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная много-фононной туннельной ионизацией U-минус центров // ФТП2009. - Т. 43. — Вып. 10. - С. 1378-1382.

214. Bogoslovskij N.A., Tsendin K.D. Electronic-thermal switching and memory in chalcogenide glassy semiconductors // J. Non-Cryst. Sol. - 2011. - V. 357. -1. 3. - P. 992-995.

215. Bogoslovskiy N.A., Tsendin ELD. Multiphonon tunnel ionization of negative-U centers - the origin of switching and memory effects in chalcogenide glasses// J. Opt. Adv. Mat. - 2011. - V.ll-12. - P. 1423-1428.

216. Sherchenkov A.A., Kozyukhin S.A., Gorshkova E.V. Transformations in phase-change memory material during thermal cycling // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2009. - V. 11. - No 1. - P. 26-33.

217. Ермачихин A.B., Литвинов В.Г., Лазаренко П.И. Исследование спектральной плотности мощности шума Ge2Sb2Tes // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». - Т. П1. Рязань, 2014. - С. 166-179.

218. Шерченков А.А. Исследование особенностей механизма и кинетики кристаллизации в тонких пленках материалов фазовой памяти // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностикананоматериалов и наноструктур». - Т. I. Рязань, 2014. - С. 134-155.

219. Matsunaga Т., Akola J., Kohara S., Honma Т., et aL From local structure to nanosecond recrystallization dynamics in AglnSbTe phase-change materials // Nature materials. - 2011. - Vol. 10.-P. 129-134.

183