Исследование особенностей твердофазных реакций в двухслойных Al/Ni,Al/Fe,Al/Co,Al/Mn,Al/Fe2O3,Pt/Co,Dy/Co,Ni3N/SiO тонких пленках, проходящих в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Мягков, Виктор Григорьевич

• Мягков, Виктор Григорьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мягков, Виктор Григорьевич

Введение

Глава I. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез на порошках и его особенности. Основные свойства взрывной кристаллизации аморфных веществ. Общие сведения о твердофазных реакциях в тонких плёнках (литературный обзор).

Постановка задач.

1.1. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез.

1.1.1 Введение.

1.1.2. Адиабатическая температура.

1.1.3. Автоколебательный и спиновый режимы СВС.

1.2. Взрывная кристаллизация аморфных веществ.

1.2.1 Введение.

1.2.2. Обзор тепловой теории бистабильности кристаллизации аморфных веществ и автоколебательного распространения фронта ВК.

1.3. Твердофазные реакции в тонких плёнках.

1.3.1 Кинетика твердофазных реакций в тонких плёнках.

1.3.2. Система Co/Si.

1.3.3. Система Al/Ni.

1.4. Постановка задач исследований.

Глава II Методика эксперимента. Образцы для исследования.

2.1. Методы получения плёнок.

2.2. Определение степени превращения.

2.3. Методики нахождения магнитных характеристик плёночных 28 образцов.

2.4. Способ инициирования твердофазного синтеза в тонких плёнках.

2.5. Рентгенофазный анализ и электронно-микроскопические исследования.

Глава III Автоволновое окисление металлических тонких плёнкок.

3.1 Автоволновое окисление плёнок железа.

3.2. Тепловое излучение при автоволновом окислении плёнок железа.

3.3 Автоволновое окисление Dy - Со плёнок.

3.4. Морфологические нестабильности и фрактальный рост при окислении Dy — Со плёнок.

3.5. Фрактальное окисление плёнок железа.

3.6. Выводы III главы.

ГлаваГУ. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез в поликристаллических тонких плёнках.

4.1 Основные характеристики самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в поликристаллических тонких плёнках.

4.2 Особенности СВС в NijN/SiO плёночной системе.

4.3. СВС и формирование квазикристаллов в двухслойных Al/Мп тонких плёнках.

4.4. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и магнитные особенности гранулированных Fe -AI2O3 плёнок.

4.5. Выводы IV главы.

Глава V. Самораспространяющийся высокотемпературные синтез в монокристаллических тонких плёнках.

5.1. СВС в монокристаллических Al/Ni/, Al/Fe тонких плёнках.

5.2. СВС в эпитаксиальных Pt/Co/Mg0(001) тонких плёнках.

5.3. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез в А1/р

5.4. Co/Mg0(001) и Al/a-Co/MgO(001) тонких плёнках. 85 Выводы V главы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование особенностей твердофазных реакций в двухслойных Al/Ni,Al/Fe,Al/Co,Al/Mn,Al/Fe2O3,Pt/Co,Dy/Co,Ni3N/SiO тонких пленках, проходящих в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза»

Самораспространяющийся высокотемпературный синтез (СВС) на порошках достаточно хорошо изучен. СВС представляет собой волну горения, которая распространяется самоподдерживающим способом. Лвтоволновой характер распространения волны СВС обусловлен высокоэзотермичностью реакции при химическом взаимодействии реагентов. Волна горения может иметь температуру фронта до 5000 К и обладать скоростью до 0,25 м/с. К числу интересных физических явлений наблюдаемых при движении фронта СВС является автоколебательное и спиновое горение. Характеристики волны СВС зависят от дисперсности порошков. Методом СВС получены многие простые и сложные соединения, твёрдые растворы и метастабильные фазы. СВС имеет преимущества перед обычными способами получения соединений (высокая чистота продуктов реакции, простота аппаратуры синтеза, малые энергозатраты и т.д.) В меньшей степени СВС исследовался в слоевых системах и совсем не исследовался в двухслойных и мультислойных тонких плёнках. Двухслойные и мультислойные тонкие плёнки представляют собой слои различных реагентов, толщиной от одного атомного слоя до 500 нм, осаждённых последовательно друг на друга. Исследование СВС в тонких плёнках сейчас особенно актуально, так как тонкие слои и мультислои составляют основу современной микроэлектроники. Большая удельная (к объёму) поверхность плёночных реагентов создаёт условия значительного теплоотвода в подложку из зоны реакции и понижает температуру фронта по сравнению с порошковыми реагентами. Это предполагает, что СВС на плёнках проходит в твёрдой фазе, и может сильно отличатся от СВС на порошках. Поэтому СВС в тонких плёнках является разновидностью твёрдофазных реакций. Твёрдофазные реакции в тонких плёнках исследуются последние 30 лет. Изучаются они интенсивно и в последние годы. Достаточно сказать, что практически в каждом номере Journal of Applied Physics имеются работы, связанные с твердофазными реакциями в тонких плёнках. Как правило считается, что кинетика этих реакций связана с процессами образования зародышей новой фазы и их ростом и описывается уравнением Колмогорова-Аврами- Джонсона. Однако кинетика СВС в тонких плёнках сильно отличается от кинетики твёрдофазных реакций массивных образцов. СВС в тонких плёнках представляет собой волну поверхностного горения и аналогичен взрывной кристаллизации (ВК). Таким образом, для исследования СВС в тонких плёнках необходимы знания об СВС на порошках, взрывной кристаллизации и твёрдофазных реакциях в тонких плёнках. Исследование СВС в тонких плёнках связанных с подложкой в основном ограничено работами автора диссертации. Однако имеются несколько работ по взрывным реакциям, которые реально являются СВС в тонких плёнках. Поэтому исследование СВС в тонких плёнках может иметь фундаментальное значение при изучении химического механизма структурных фазовых переходов и твердофазных реакций на порошках.

Работа посвящена исследованию СВС в тонких плёнках, их механизмов, особенностей связанных с теплофизическими характеристиками подложек.

Диссертация состоит из пяти глав.

В первой главе даются краткие литературные сведения о СВС на порошках, взрывной кристаллизации и твердофазных реакциях в тонких плёнках. Взрывная кристаллизация (ВК), происходящая под действием однородного или локального нагрева в аморфных плёнках аналогична СВС в тонких плёнках. Тепловой профиль фронта ВК схож с профилем теплового фронта СВС в тонких плёнках. Однако скрытая теплота превращения аморфной фазы в кристаллическую, как правило, меньше теплоты образования продуктов реакции, поэтому температуры фронта СВС в тонких плёнках должна быть выше температур фронта, чем при ВК. Это предполагает возможность формирования жидкой зоны на фронте СВС. Тепловые теории СВС на порошках и ВК хорошо развиты. Они обьясняют появление автоколебательных режимов фронтов СВС и ВК, спинового горения при СВС на порошках и морфологических нестабильностей при ВК. Поэтому эти теории используются при анализе явлений, возникающих во время СВС в тонких плёнках. Твёрдофазные реакции в тонких плёнках протекают при температурах значительно ниже, чем на порошках. Па основании обзора в конце первой главы формулируются задачи исследований.

Во второй главе описываются методы получения тонких двухслойных пленок и мультислоёв. Также приводится описание методик определение степени превращения, нахождения магнитных характеристик плёночных образцов. Далее дан способ инициирования твёрдофазного синтеза в тонких плёнках. Кратко описаны стандартные методики рентгенофазного анализа и электронно-микроскопических исследований плёночных образцов.

Третья глава посвящена автоволновому процессу окисления (АВО). ЛВО реализуется при адиабатических скоростях нагрева и представляет волну горения, которая распространяется по поверхности плёночного образца. Проведена регистрация инфракрасного излучения во время ЛВО. Определена плотность теплового потока и сделана грубая оценка температуры фронта (3800С) при АВО плёнок железа. Проведено полное исследование АВО пленок системы Dy-Co (Dy < 15 ат.%). Экспериментальные измерения показали, что процесс АВО металлических пленок является разновидностью теплового гетерогенного горения. Так зависимость периода индукции от температуры поверхности при АВО Dy - Со плёнок аналогична той же зависимости при горении твердого топлива. А также влияние давления воздуха на критическую температуру, являющуюся температурой воспламенения сплава, удовлетворяет закону Семенова. Значительная часть третьей главы посвящена механизмам, которые объясняют образование фрактальных кластеров при окислении металлических плёнок. Предполагается, что фрактальные картины возникают в результате образования жидкой зоны на фронте окисления. Жидкая зона фронта может приводить к образованию морфологических неустойчивостей, подобно неустойчивостям вязких пальцев в ячейках Хеле-Шоу и Секерки - Маллинза.

Четвертая глава является основной в диссертации. Обобщением третьей главы является универсальность автоволновых режимов твердофазных реакций, возникающих на контактной поверхности плёночных конденсатов. Автоволновые режимы в тонких двухслойных плёнках возникают в бинарных системах, на которых существует СВС на порошках. Поэтому такие реакции названы СВС в тонких плёнках. Механизм СВС в тонких плёнках аналогичен процессу ВК. СВС в тонких плёнках характеризуется температурой инициирования Той критической скоростью нагрева <3Ts/dt и реализуется двумя способами: либо адиабатическим нагревом двухслойной плёночной системы выше То, либо осаждением верхнего слоя при температурах выше температуры инициирования То. СВС в тонких плёнках не реализуется локальным нагревом, как это имеет место в СВС на порошках или при взрывной кристаллизации. Известно, что взрывная кристаллизация в аморфных плёнках не происходит, если толщина плёнки меньше критической. Аналогичное явление наблюдается и при СВС в тонких двухслойных плёнках. Синтез между плёночными слоями инициируется, если общая толщина плёнки больше критической. Существование критической толщины приводит к интересному явлению - осцилляциям СВС при осаждении одного слоя на другой. Измеренные температуры на фронте СВС в тонких двухслойных плёнках оказались меньше, чем на порошках.

СВС в тонких плёнках приводит к образованию как стабильных, так и аморфных и метастабильных фаз. В частности обнаружено, что квазикристаллическая фаза образуется после прохождения по образцу СВС в двухслойных А1/Мп тонких плёнках. Предполагается, что и в других плёночных системах СВС может играть основную роль в формировании квазикристаллов.

Твёрдофазные реакции, проходящие в режиме СВС, могут использоваться для получения гранулированных сред. В частности, гранулированные Fe - AI2O3 плёночные образцы были получены после твёрдофазной реакции между слоями AI и РегОз.

Пятая глава посвящена исследованию реакций проходящих в режиме СВС в монокристаллических реагентах. СВС в Al/Fe/Mg0(001) и Al/p-Co/MgC)(001) тонких плёнках, приводит к образованию соответственно FeAl и СоА1 сверхструктур, которые эпитаксиально растут на остаточном монокристаллическом слое Fe и Р-Со. Подробно рассмотрен твердофазный синтез в двухслойных и мультислойных Pt/Co(001) тонких плёнках. После синтеза в двухслойных плёночных образцах неупорядоченная PtCo(OOl) фаза эпитаксиально растёт на межфазной границе слоёв кобальта и платины. В мультислойных Pt/Co(001) тонких плёнках после СВС неупорядоченная PtCo(OOl) фаза также образуется на поверхности (OOl)MgO. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к формированию CoPt3 фазы. На примере исследования СВС между пленками гексагонального и кубического кобальта с алюминием показано, что политипные модификации и структурные низкоэнергетические особенности реагентов не изменяют температуру инициирования СВС и первую фазу, образующуюся в продуктах реакции. СВС в монокристаллических плёнках может найти применение для получения монокристаллических продуктов реакции.

Диссертация заканчивается разделом « Основные выводы исследований ».

Основные научные результаты диссертации:

1. Впервые показана возможность инициирования автоволновых твёрдофазных реакций (СВС режим) в тонких (до 200нм) плёнках.

2. Предложен методом С ВС способ получения квазикристаллов в топких плёнках.

3. Проведены исследования тепловыделения и даны оценки температуры фронта СВС.

4. Экспериментально показано, что только СоА1 фаза образуется после СВС алюминия с различными полиморфными (кубической или гексагональной) модификациями кобальта.

5. Впервые обнаружено формирование сверхструктур в эпитаксиальных продуктах реакции после СВС в тонких монокристаллических плёнках.

6. Показано существование критической толщины di(ch) ниже (выше) которой СВС в тонких плёнках не реализуется.

7. Определена фазовая последовательность в Co/Pt мультислоях с увеличением температуры отжига Pt/Co => CoPt => CoPt3.

Практическая значимость и применение:

1. Получение способом СВС тонкоплёночных сред для высокоплотной магнитной, магнито-оптической записи информации (получение наногранулированных плёнок, состоящие из ферромагнитных нанокластеров, находящихся в непроводящей матрице).

2. Получение способом СВС тонкоплёночных сред для перпендикулярной магнитной записи информации (CoPt, FePt и т.д).

3. Изготовление методом СВС плёнок ферритов.

4. Изготовление способом СВС плёнки нитридов галлия, алюминия, индия, которые являются важными материалами оптоэлектроники.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальное доказательство возможности инициирования СВС в тонких плёнках, включающая способы инициирования и режимы проведения синтеза.

2. Методы определения тепловыделения при автоволновом окислении пленок железа, основанные на регистрации инфракрасного излучения, позволяющие дать грубую оценку фронта окисления пленок железа. Методы определения тепловыделения и температуры фронта СВС, основанные на осаждении плёночных термопар на поверхность реагирующих плёнок.

3. Исследования формирования квазикристаллической фазы после СВС в А1/Мп двухслойных тонких плёнках. Методика получения методом СВС квазикристаллов в тонких пленках.

4. Явление образования эпитаксиальных продуктов реакции после прохождения волны СВС в тонких монокристаллических плёнках.

5. СВС - методика получения нанокластеров железа, помещенных в непроводящую матрицу AI2O3 или TiOx.

Основные результаты работы представлялись и докладывались на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах:

1. на II Байкальской Международной конференции « Магнитные материалы », Иркутск, 2003.

2. на VI Международном симпозиуме по самораспространяющемуся высокотемпературному синтезу (SHS-2001), Технион, Хайфа, Израиль, 2002.

3. на Московском Международном симпозиуме по Магнетизму, МГУ, Москва, 2002.

4. на Всероссийской конференции " Процессы горения и взрыва в физикохимии и технологии неорганических материалов", Москва,2002.

5. на II Международном симпозиуме " Фазовые превращения в твёрдых растворах и сплавах " (ОМА - И), Сочи, 2001.

6. на XII Всероссийском симпозиуме по горению и взрыву, Черноголовка, 2000.

7. на XIII школе- семинаре " Новые магнитные материалы микроэлектроники", Астрахань, 1992.

8. на семинарах в институте структурной макрокинетики и проблем материаловедения, Черноголовка, 1999, 2000,

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Мягков, Виктор Григорьевич

5.4. Выводы V главы.

1. Установлено, что при распространении фронта СВС продукты реакции могут расти эпитаксиально на монокристаллических реагентах. СВС в Al/Fe/MgO(OOI) и Al/P-Co/Mg0(001) тонких плёнках, приводит к образованию соответственно FeAl и CoAl сверхструктур, которые эпитаксиально растут на остаточном монокристаллическом слое Fe и Р-Со. Этот результат является неожиданным, так как образование сверхструктур FeAl и CoAl не требует большого времени отжига, а проходит в условиях неравновесного синтеза. В Al/Ni/Mg0(001) плёночных образцах после СВС не происходит образование монокристаллических продуктов реакции. Рассмотрены возможные условия СВС-эпитаксии в монокристаллических тонких плёнках. СВС в монокристаллических плёнках может найти применение для получения монокристаллических продуктов реакции.

2. Показано, что СВС инициируется при температурах 770-820К в двухслойных и мультислойных Pt/Co(001) тонких плёнках. После синтеза в двухслойных плёночных образцах неупорядоченная PtCo(OOl) фаза эпитаксиально растёт на межфазной границе слоёв кобальта и платины. В мультислойных Pt/Co(001) тонких плёнках после СВС неупорядоченная PtCo(OOl) фаза также образуется на поверхности (OOl)MgO. Полученные результаты позволяет заключить независимость формирование первой фазы и температуры инициирования от степени перемешивания реагентов. Дальнейший отжиг в течение 4 часов при температуре 870К вызывает переход неупорядоченной PtCo(001 )фазы в упорядоченную. Быстрый температурный отжиг при температуре 1000К Pt/Co(001) мультислоёв приводит к появлению CoPtj фазы. Этот результат отражает существование фазовой последовательности Pt/Co => CoPt => CoPtj с увеличением температуры отжига. Магнитные характеристики меняются соответственно структурным превращениям в Pt/Co плёночных образцах. В частности оценена величина I<2=-(3,0-3,6) 107эрг/см3 упорядоченной тетрагональной CoPt фазы.

3. На примере исследования СВС между плёнками гексагонального и кубического кобальта с алюминием показано, что политипные модификации и низкоэнергетические структурные особенности реагентов не изменяют температуру инициирования СВС и первую фазу, образующейся в продуктах реакции.

4. Температура инициирования СВС пленочных реагентов определяется температурой Курнакова фазы, образующейся в продуктах реакции, если переходу порядок- беспорядок не предшествуют другие твердофазные превращения.

Заключение

1. Показана возможность инициирования СВС в тонких (до 200нм) плёнках. СВС в тонких плёнках инициируется двумя способами. Первый способ состоит в адиабатическом нагреве двухслойного или мультислойного образца и характеризуется критической скоростью нагрева г|Кр и температурой инициирования То. Волна СВС пробегает по образцу только, если скорость нагрева г| выше критической rj > г|кР, и температура подложки Ts, больше температуры инициирования То ( Ts > То). СВС в тонких плёнках связанных с подложкой не инициируется локальным нагревом. Проведены оценки величины тепловыделения и температуры плёночного образца после прохождения волны СВС. Плоская геометрия образцов обуславливает различие параметров СВС в тонких пленках и на порошках. Для тонких пленок существует интервал толщин (di-ch), где СВС реализуется. Если пленка имеет толщину меньше dj (порядка 20-40 нм) СВС в ней не возникает. Происхождение di аналогично существованию критической толщины при взрывной кристаллизации. Толщина йг (порядка 400-500 нм) является максимальной толщиной прореагировавшего слоя и определяется шириной зоны реакции и скоростью фронта.

2. Обнаружен фрактальный рост и морфологические нестабильности при автоволновом окислении (аналог СВС) ряда тонких слоёв металлов и сплавов. Для объяснения предложена модель СВС с жидкой зоной на фронте. При распространении фронта в зависимости от скорости и градиента температуры жидкая зона может давать как неустойчивости Секерки-Маллинса, так и нестабильности вязких пальцев (проблема Саффмана-Тейлора). Пространственный масштаб, наблюдаемых нестабильностей, удовлетворительно описывается теорией.

3. Показано, что квазикристаллическая фаза в А1/Мп пленках образуется во время СВС. Дана методика получения квазикристаллов в пленочных системах и фольгах.

4. Обнаружено, что СВС в тонких монокристаллических плёнках приводит к формированию монокристаллических продуктов реакции. Показано существование фазовой последовательности Pt/Co => CoPt => CoPt3 с увеличением температуры отжига. Оценена величина К2=-(3,0-3,6)107эрг/см3 упорядоченной тетрагональной CoPt фазы. Показано, что температуры инициирования СВС алюминия с различными (ГЦК, ГПУ) модификациями кобальта совпадают и равны температуре упорядочения сверхструктуры СоА1, образующейся в продуктах реакции в обоих случаях. Этот результат предполагает, что продукт реакции в тонких плёнках не зависит от полиморфных модификаций реагентов.

Благодарность.

Автор выражает глубокую благодарность коллегам J1.E Быковой, Г.Н.Бондаренко JI.A. Ли, А.И. Познякову непосредственно участвовавшим в экспериментах и обсуждениях полученных результатов. Выражаю свою признательность доктору физико-математических наук В.С.Жигалову, кандидатам физико-математических наук Г.И.Фролову, А.И. Польскому, К.П.Поляковой, И.С. Турпанову, Г.В.Бондаренко за многочисленные дискуссии по различным разделам диссертации.

Особенно благодарю фонд РФФИ (гранты 96-03-32327, 99-03-32184), Фонд ОАО «ММК», ИТЦ «Аусферр» и ФНиО «Интеле» (грант № 10-03-02) и Красноярский фонд науки (гранты 9F12, 11F001C) за финансовую поддержку, без которой диссертация вряд ли бы могла быть написана.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мягков, Виктор Григорьевич, 2004 год

1. Мержанов Л.Г. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез. // Физическая химия. Сб. статей под ред. Колотыркина. 1983. С. 157.

2. Мержанов А.Г. Твёрдо пламенное горение. // Черноголовка, ИСМАН. 2000. 238 с.

3. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез: теория и практика. Под. ред. Сычева А.Е. // Черноголовка, ИСМАН, Территория. 2001. 440 с.

4. Химия синтеза сжиганием. Сб. статей под ред. М.Коидзуми. М.: Мир. 1998. 247 с.

5. Munir Z., Alselmi-Tamburini. U. Self- propagating exothermic reactions: The synthesis of high- temperature materials by combustion. // Mater. Sci. Rep. 1989. V. 3. P. 277 365.

6. Мержанов А.Г. Процессы горения и взрыва в физикохимии и технологии неорганических материалов. // Успехи химии. 2003. Т. 72. № 4. С. 323.

7. Шкадинский К.Г., Хайкин Б.И.,.Мержанов А.Г. Распространение пульсирующего фронта экзотермической реакции в конденсированной фазе. // ФГВ. 1971. Т.7. С 19 -29.

8. Алдушин А.П., Мартемьянова Т.М.,.Мержанов А.Г, Хайкин Б.И., Шкадинский К.Г. Автоколебательное распространение фронта горения в гетерогенных конденсированных средах. // ФГВ. 1973. Т. 9. № 5. С. 613 626.

9. Шкловский В.А., Кузьменко В.М. Взрывная кристаллизация аморфных веществ. // УФН. 1989. Т. 157, Вып. 2. С. 311-338.

10. Шкловский В.А. //ЖЭТФ. 1982. Т. 82. С. 802.

11. Gilmer G.H., Leamy H.J. An analysis of explosive crystallization of amorphous layers, Laser and Electron Beam Processing of Materials. // New York, Academic Press. 1980. P. 227.

12. Wickersham C.E., Bajor G., Green J.E. // Solid State Commun. 1978. V. 27. P. 17.

13. Wickersham C.E., Bajor G., Green J.E. Temperature dependent formation of surface undulations in explosively crystallized films. // J. Vac. Technol. A. 1985. V. 3(2). P. 336.

14. Тонкие плёнки. Взаимная диффузия и реакции. // Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. 1982. 576р.

15. Mayer J. W., Lau S.S. Electronic Material Science: For Integrated Circuits in Si and GaAs. // New York. 1990. P. 276-340.

16. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K. N. Chemical reaction and Schottky-barrier formation atthe Ir/Si interface. // Phys. Rev. В .1987. V. 35. P. 9073.

17. Bene R.W. First nucleation rule for solid-state nucleation in metal-metal thin-film systems.

18. Appl. Phys. Lett. 1982. V.41. P.529.

19. Gosele U., Tu K.N. Grow kinetics of planar binary diffusion couples: " Thin films case"versus " bulk cases". // J. Appl.Phys. 1982. V. 53, P. 3252.

20. Gosele U., Tu K.N. "Critical thickness" of amorphous phase formation in binary diffusioncouples. // J. Appl.Phys. 1989. V. 66. P. 2612.

21. Wang W.H., Wang, W.K. Silicide formation in Co/amorphous Si multilayers. // J.Appl.Phys.1994. V. 76, P. 1578.

22. Zhang M., Yu W., Wang W. H., Wang W. K. Initial phase formation in Nb/Si multilayersdeposited at different temperatures. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80, № 3. P 1422.

23. Clevenger L.A., Arcort В., Ziegler W. et al., Interdiffusion and phase formation in Cu(Sn)alloy films. // J. Appl.Phys. 1998. V. 83. P. 90.

24. Hoyt J.J., Brush L.N. On the nucleation of an intermediate phase at an interface in thepresence of a concentration gradient. // J.Appl. Rhys. 1995. V. 78. P. 1589.

25. Byun J.S., Kim D.H., Kim W.S., Kim H.J. Epitaxial growth of CoSi2 layer jn (100)Si and at CoSi2/Si interface. //J.Appl. Rhys. 1995. V. 78. P. 1725.

26. Qu X.P., Ru G.P.,.Han Y.Z,.Xu B.L, B.Z.Li, Wang N. Chu P.K. Epitaxial growth of CoSi2 Films by Co/a -Si/Ti/Si(001) multilayers solid-state reactions. // J.Appl. Rhys. 2001. V. 89. P. 2641.

27. Colgan E.G., Cabral C, Jr., Kotecki D.E. Activation energy for CoSi and CoSi2 formation measured during rapid thermal annealing, // J.Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 614.

28. Nastasi M., Hung L.S., Mayer J.W. //Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. P. 831.

29. Colgan E. G., Nastasi M., Mayer J.W. Initial phase formation and dissociation in thin-film Ni/Al systems. //J.Appl. Phys. 1985. V. 58. P. 4125.

30. Liu, Mayer J.C., Phase formation of NiAb on lateral diffusion couples. // J.Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 651.

31. Liu, Mayer J.C., Barbour J.W., Kinetic of NiAb and Ni2Ab phase grow on lateral diffusion couples. //J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 656.

32. Edelstein A.S., Everett R.K., Richardson G.Y., Qadri S.B., Altman E.I., Foley J.C., Perepezko J.H. Intermetallic phase formation during annealing of Al/Ni multilayers. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 7850.

33. Michaelsen С., Lucadamo G., Barmak K. The early stages of solid-state reactions in Ni/Al multilayer films. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. P. 6689.

34. Rothhaar U., Oechsner H., Scheib M., Muller R. Compositional and structural characterization of temperature-induced solid-state reactions in Al/Ni multilayers. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 974.

35. Zhao X.-A., So F.C.T., Nicolet M.-A. TiAb formation by furnace annealing of Ti/Al bilayers and the effect of impurities. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. P. 2800.

36. Masse E., Knauth P., Gas P., Charai A. Point defect creation by solid state reaction between nickel and silicon. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 934.

37. Nakanishi Т., Takeyama M., Noya A., Sasaki K. Formation of metal-rich silicides in the initial stage of interfacial reactions in Nb/Si systems. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 948.

38. Konuma K., Utsumi H. Epitaxial orientation of PtSi grow by Pt depositio on heated Si(001) substrate. //J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 2128.

39. Dickenscheid W., Birringer R. Solid-state reactions in binary mixtures of nanometer-sized particles. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 533.

40. Huang J.S., Huang S.S., Tu K.N., Deng F., Lau S.S., Cheng S.L., Chen L.J., Kinetic Cu3Ge formation and reaction with Al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 644.

41. Kim J., Barmak K., Lewis L.H. Llo-CoPt/Co bilayers ferromagnetic films: inetrdiffusion, structure and microstructure. // Acta. Mater. 2003. V. 51. P. 313.

42. Jeon H., Jung B, Kim Y.D., Yang W., Nemanich R.J. Effects of Та interlayer on the phase transition of TiSi2 jn Si(l 11). // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 2467.

43. Вадченко С.Г., БулаевА.М., Гальченко Ю.А., Мержанов А.Г.//ФГВ. 1987. №6. С. 46-56.

44. Anselmi-Tamburini U., Munir Z.A. The propagation of solid-state combustions wave in Ni-A1 foils. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66, № 10. P.5039.

45. Clevenger L.A., Thomson C.V., Cammarata R.C., Tu K.N. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 10. P. 795.

46. Ma E., Thomson C.V., Clevenger L.A., Tu K.N. Reaction kinetics of nickel/silicon multilayer films. //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 12. P. 1262.

47. Окисление металлов. T.l / Под редакцией Бенара Ж. // Металлургия. 1968.499 с.

48. Мягков В.Г., Автоволновое окисление металлов. // Наука и техника. 1991. №6. С. 45.

49. Мягков В.Г., Фролов Г.И., Автоволновой процесс окисления плёнок железа. //

50. Письма в ЖТФ. 1990. Т. 14. Вып. 23. С. 1-4.

51. Мягков В.Г., Бакшеев Н.В. Тепловое излучение при автоволновом окислении плёнок железа. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып.6. С. 14-17.

52. Miagkov V.G., Kveglis L.I., Frolov G.I., Zhigalov V.S., Autowave oxidation of Dy-Co films.// J. Mater. Sci. Letters. 1994. V. 13. P. 1284-1286.

53. Мягков В.Г., Квеглис JI.И., Фролов Г.И., Жигалов B.C., Автоволновое окисление плёнок Dy-Co.//Поверхность. 1995. №1.С.77.

54. Франк-Каменецкий Д.А, Диффузия и теплопередача в химической кинетике. // М.:Наука. 1987. 491с.

55. Gladkov S.O. Microscopic theory of combusion of solid fuel. // Phys. Lett. A. 1990. V. 148. №5. P. 253.

56. Хитрин Д.Я, Физика горения и взрыва. // М.: Изд-во МГУ. 1958. С.70.

57. Zhang I., Liu P., Colloro К. Growth of fractal clusters on thin solid films and scaling of the active zone. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. № 12. P. 9130.

58. Chabala I. Oxide-growth kinetics and fractal-like patterning across liquid gallium surfaces. // Phys. Rev. B. 1992. V.46. № 18. P. 11346.

59. Федер E., Фракталы. // M.: Мир, 1991. 254 с.

60. Stanly Е., in Fractals and Disordered Systems, edided by Bunde A. and Halvin S., Springer-Verlag, Berlin, Heidelderg 1991.

61. Смирнов Б.М. Фрактальные кластеры. //УФН. 1986. Т. 19. Вып.2. С. 178.

62. Cheveigne S.De, Guthmann C., Kuroroski P.L., Directional solidification of metallic alloys: The nature of the bifurcation from planar to cellular interface. // J. Cryst. Growth. 1988. V.92. Nos 3/4. P. 616.

63. Мягков В.Г., Квеглис Л.И., Безрукова Г.Я., Морфологические нестабильности и фрактальный рост при окислении плёнок Dy-Co. // Поверхность. 1995. № 6. С.46-52.

64. Мягков В.Г., Жигалов B.C., Жарков С.М., Фрактальное окисление аморфных плёнок железа. //ДАН. 1996. Т. 346. № 5. С. 612-615.

65. Мягков В.Г., Квеглис Л.И., Жигалов B.C., Фролов Г.И., Дендридная кристаллизация аморфных плёнок железа. // Изв. Академии наук. 1995. Т. 59. № 2. С.152-156.

66. Huppert Н.Е. //Nature. 1982. V. 300. № 5891. Р. 427-429.

67. Jerrett J.M., Bruyn J.R. // Phys. Fluids. 1992. V. 4. № 2. P. 234.

68. Мягков В.Г., Быкова JI.E. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез в тонких пленках. //ДАН. 1997. Т. 354. № 6. С. 777.

69. Мягков В.Г., Жигалов B.C., Быкова JT.E, Мальцев В.К. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и твердофазные превращения в тонких пленках. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып.10. С. 58.

70. Лариков В.Н., Исайчев В.И., Структура и свойства металлов и сплавов. Диффузия в металлах и сплавах. // Киев. Наукова думка. 1987. 511 с.

71. Philpot К.А., Munir Z.A., Holt J.B., An investigation of the synthesis of nickel aluminides through gasless combustion. //J. Mater. Sci. 1987. V. 22. P. 159.

72. Самсонов Г.В. Нитриды. // Киев, Наукова думка, 1969. 380 с.

73. Григорьева Э.В., Кориков П.П., Панеш A.M., Взаимодействие атомов меди с поверхностью оксидов и оксинитридов кремния. //ЖФХ. 1992. V. 66. № 5. Р. 1365.

74. Schetman D., Blech I., Gratias D., Cahn J.W. Metallic phase with longe-range orientational order and no translational symmetry. // Phys.Rev.Lett. 1984. V. 53. P. 1951.

75. Lilienfeld D.A., Nastasi M., Johnson H.H. et al. Amorphous-to-Quasicrystalline Transformation in the Solid State. // Phys.Rev.Lett. 1985. V. 55. P. 1587.

76. Knapp J.A., Follstaedt D.M. Amorphous-to-Quasicrystalline Transformation in the Solid State. //Phys.Rev.Lett. 1985. V. 55. P. 1591.

77. Budai J.D.,.Aziz M.J. Amorphous-to-Quasicrystalline Transformation in the Solid State. // Phys.Rev. B. 1986. V. 33. P. 2876.

78. Мягков В.Г., Быкова JI.E., Бондаренко Г.Н. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и формирование квазикристаллов в двухслойных AI/Мп тонких плёнках. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 68. Вып. 2. С. 121.

79. Bancel Р.А., Heiney P., Stephens P.W. et al. Structure of Rapidly Quenched Al-Mn, // Phys.Rev.Lett. 1985. V. 54. P. 2422.

80. Mitani S., Takahashi S., Takahashi K., Yakushiji K., Maekawa S., Fujimori H. Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. №. 13. P. 2799.

81. Pakhomov А.В., Yan X., Xu Y. . Observation of giant Hall tffect in granular magnetic films. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 8. part2B. P. 6140.

82. Драченко A.H., Юрасов A.H., Быков И.В., Ганьшина Е.А., Грановский А.Б., Рыльков В.В., Смирнов Д.В., Leotin J., Dieny. Оптические свойства магнитных квази-20 нанокомпазитов в ИК области спектра. // ФТТ. 2001. Т. 43. № 5. С. 897.

83. Raquet В., Goiran М., Negre N., Leotin J., Aranson В., Rylkov V., Meilikov E. Quantum size effect transition in percolating nanocomposite film. // Phys. Rev.B. 2000. V. 62. № 24. P. 17144.

84. Liou S.H., Chen C.L. //Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 6. P. 512.

85. Jiang Z.S., Jin G.J., Ji J.T., Sang H., Du Y.W., Zhou S.M., Wang Y.D, Chen L.Y. Magnitooptical Kerr effect in Fe-Si02 granular films. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. № 1. P. 439.

86. Babonneau D., Petrov F., Maurice J.-L., Fettar F., Vaures A. Evidence for a self- organized grow in granular Co/Al203 multilayers. // Appl. Phys. Lett. 2000. V.76. № 20. P. 2892.

87. Chen C.L. Granular magnetic solids. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. № 8. P. 5267.

88. Chen C., Kitakami O., Shimada Y. Particle size effects and surface anisotropy in Fe-based granular films. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. № 4. P. 2184.

89. Праттон M. Тонкие ферромагнитые плёнки. // Судостроение. Jl. 1967.

90. Honda S., Nawate M., Tanaka M., Okada Т. Giant magnetoresistance fnd superparamagnetism grain in Co-Ag granular films. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. № 2. P. 764.

91. Xu Y„ Zhao В., Yan X. Studies of remanence in granular Ni-Si02 films // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 8. Part 2B. P. 6137.

92. Мягков В.Г., Быкова Л.Е., Бондаренко Г.Н. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез в монокристаллических тонких пленках. // ДАН. 1999. Т. 368. №5. С. 615-617.

93. Koike J. Elastic instability of crystals cause by static atom displacement: Л mechanism for solid-state amorphization. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. № 13. P. 7700.

94. Палатник JI.C., Папиров И.И. Эгштаксиальные плёнки. // М.: Наука. 1971. 480 с.

95. Carcia, Coulman D., McLean R.S., Reilly M. Magnetic and structural properties of nanophase Pt/Co multilayers. // J. Magn. Magn. Mater. 1996. V. 164. P. 411.

96. Lairson B.M., Visokay M.R., Sinclair R., Clemens B.M. // J. Magn. Magn. Mater. 1993. V. 126. P. 577.

97. Canedy C.L., Li X.W., Xiao G. Extraordinary Hall effect in (111) and (lOO)-orientated Co/Pt superlattices. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. № 8. part 2B. P. 5367.

98. Stamps R.L., Louail L, M. Hehn, M. Gester, K. Ounadjela. Anisotropics, cone states and stripe domains in Co/Pt multilayers. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. № 8. part 2A. P. 4751.

99. Chappert C., Bernas H., Ferre J.,.Kotler V, Jamet J.-P., Chen Y., Cambril E., Devolder Т., Rousseaux F., Mathet V., Launois I I. Planar patterned magnetic media obtained by ion irradiation. // Science. 1998. V. 280. P. 1919.

100. Пынько В.Г., Комалов A.C., Овсянников M.A., Русова С.Г.,.Людвик Э.Ж-Р. // Изв. АН СССР, сер.физ. 1967. Т. 31. Р. 485.

101. Barmak К., Ristau R.A., Coffey K.R., Parker М.,.Howard J.K Grain grow and ordering kinetic in CoPt thin films. //J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 5330.

102. Мягков В.Г., Ли Л.А., Быкова Л.Е., Турпанов И.А., Ким П.Д., Бондаренко Г.В., Бондарснко Г. Н. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез в эпитаксиальных Pt/Co/MgO (001) тонких пленках. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 5. С. 937-941.

103. Miagkov V.G., Polyakova К.Р., Bondarenko G.N., Polyakov V.V. Granular Fe-AI2Oj films prepared by self-propagating high temperature synthesis. //J. Mag. Mag. Mater. 2003. V. 258-259. P. 358.

104. Мягков В.Г., Полякова К.П., Бондаренко Г.Н., Поляков В.В., Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и магнитные особенности гранулированных Fe-АЬОз плёнок. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 1. С. 131.

105. Taoka Т„ Yasukochi К., Honda R., Oyama I. An experimental investigations on the mode of slip in face-centered cubic metals. // J. Phys. Soc. Jap. 1959. V. 14. P. 888.

106. Liu J.P., Lio C.P., Liu Y., Sellmyer D. // J. Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 483.

107. Kotula P.G., Carter C.B. Interfacial Control of Reaction Kinetics in Oxides. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. № 16. P. 3367.

108. Kotula P.G.,.Johnson M.T, Carter C.B. Thin-film reactions. // Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 1998. Bd. 207. P.73.

109. Sato H., Kitakami О., Sakurai Т., Otani Y., Fukamichi K. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. № 4. P. 1858.

110. Термодинамические константы веществ. №6. // M.: Наука. 1972.

111. Zhao X.-A.,So F.C.T., Nicolet M.-A. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. № 8. Part 1. P. 2800.

112. Мягков В.Г., Быкова Л.Е., Жигалов B.C., Польский А.И., Мягков Ф.В. Твердофазные реакции, самораспространяющийся высокотемпературный синтез и фазовый переход порядок-беспорядок в тонких пленках. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71. Вып. 5. С. 268-273.