Исследование магнитных и транспортных свойств кристаллов манганитов в системе (La1-yEuy)0.7Pb0.3MnO3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.11, кандидат физико-математических наук Патрин, Константин Геннадьевич

• Патрин, Константин Геннадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Патрин, Константин Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ.- 4 -

ГЛАВА 1. Обзор физических свойств манганитов.- 8

1.1. Ьа1х5гхМп03 соединения.

Манганиты с широкой полосой проводимости.- 13

1.2. Ьа1хСахМп03 соединения.

Манганиты со средней полосой проводимости.- 17

1.3. Рг1хСахМп03 соединения.

Манганиты с узкой полосой проводимости.- 23

1.4. Другие перовскитоподобные соединения.- 28

1.5. Используемые модели. .- 37

1.5.1. Двойной обмен.- 38

1.5.2. ЭффектЯна-Теллера.- 39

1.5.3. Двухорбитальная модель. .- 40

Постановка задачи. .- 43

ГЛАВА 2. Приготовление образцов, экспериментальные методы.

Техника эксперимента. .- 45

2.1. Примесные монокристаллы манганитов (Ьа|.уЕиу)о.7РЬозМпОз.- 45

2.2. Экспериментальные установки . .- 46

2.2.1. Установка для исследования проводимости на постоянном токе .- 46

2.2.2. Установка для исследования магнитного резонанса.- 48

2.2.3. СВЧ генератор для спектрометра магнитного резонанса.- 50

2.2.4. Спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем . .- 53

2.2.5. Метод детектирования магнитного резонанса по изменению проводимости образца. Магнитный резонанс при воздействии транспортного тока.- 55

ГЛАВА 3. Магнитные и транспортные свойства кристаллов манганитов

Ьа1уЕиу)о.7РЬо.зМпОз. Магниторезонансные исследования.- 57

3.1. Магнитные свойства монокристаллов манганитов

Ьа1уЕиу)0ЛРЬ0.зМпОз с у=0 - 0.6.- 58

3.2. Транспортные свойства монокристаллов манганитов (Ьа,.уЕиу)о.7РЬо.зМпОз для 0<у<0.6.- 65

3.3. Особенности спектров магнитного резонанса монокристаллов манганитов (Ьао^Еио/ОолРЬо.зМпОз при магнитном фазовом расслоении . - 70

3.4. Изменение проводимости монокристалла (Ьа0)4Еио,б)о.7РЬо.зМпОз, индуцированное приложением постоянного тока.- 79

3.5. Магниторезонансные исследования кристаллов Еи0.7РЪо.зМпОз. Изменение проводимости монокристалла Еи0.7РЬо.зМпОз, индуцированное магнитным резонансным СВЧ поглощением.- 81

3.6. Фазовые диаграммы.- 89

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование магнитных и транспортных свойств кристаллов манганитов в системе (La1-yEuy)0.7Pb0.3MnO3»

Актуальность исследований. Магнитные системы с сильными электронными корреляциями привлекают внимание исследователей по многим причинам. Во-первых, при исследовании этих систем предстоит решать проблемы фундаментального характера, связанные с определением основного состояния. Во-вторых, в этих системах обнаруживаются необычные сочетания физических свойств, и, в-третьих, такого рода соединения оказываются перспективными в плане практических применений. Материалы на основе оксида марганца обладают сменой типа проводимости, которая сопровождается изменением магнитного состояния. Они являются наиболее яркими представителями систем с сильными электронными корреляциями. Наличие в этих материалах сильно взаимодействующих спиновой, зарядовой и орбитальной подсистем определяет богатое разнообразие их свойств. К настоящему времени установлено, что причина сложного поведения этих систем кроется в конкуренции взаимодействий, имеющих сравнимые величины. При определенных уровнях легирования примесями энергии взаимодействий, отвечающие за тенденции образования той или иной фазы, становятся сравнимыми, и вопрос об основном состоянии системы оказывается весьма нетривиальным. Предполагается, например, что в данном случае основным может быть неоднородное состояние, типа - состояние с фазовым расслоением. Тонкий энергетический баланс является также причиной высокой чувствительности свойств примесных манганитов к внешним воздействиям, таким как температура, внешнее магнитное поле, давление, транспортный ток и др.

Поскольку при введении редкоземельных ионов в кристалл образуется подсистема с явно выраженными локализованными магнитными моментами, то возникает возможность управляемого влияния на магнитные параметры системы (намагниченность, анизотропия, температура перехода и т.д.). В настоящей работе речь пойдет о взаимосвязи магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов, легированных ионами редких земель и их чувствительности к воздействию электромагнитного излучения СВЧ диапазона. При этом один из главных аспектов - изучение условий возникновения состояния с фазовым расслоением и влияния редкоземельных ионов на электронную структуру в кристаллах манганита. Интересным моментом является и то, что наличие конкуренции взаимодействий приводит к возникновению неоднородных состояний в реальных кристаллах манганитов. Сильная чувствительность такого состояния с фазовым расслоением к внешним возмущениям (транспортный ток, магнитное поле) является причиной необычных наблюдаемых магниторезистивных эффектов и нелинейных электрических транспортных свойств.

Именно изучению новых соединений состава (Ьа,уЕиу)о.7РЬ0.зМпОз (0<у<1), проявляющих эффект колоссального магнитосопротивления, посвящено настоящее исследование.

Цель работы. Целью данной работы явилось изучение магнитных, электрических свойств кристаллов манганита (Ьа^Еи^олРЬо.зМпОз и их взаимосвязи в зависимости от концентрации легирующей примеси и внешних условий. Значительное внимание уделено установлению границ существования магнитного фазового расслоения и исследованию динамического поведения системы в условиях пропускания транспортного тока и электромагнитного СВЧ облучения.

Научная новизна. При исследовании физических свойств кристаллов манганита получены следующие результаты:

1. Проведено комплексное исследование магнитных, резонансных и транспортных свойств, впервые синтезированных кристаллов манганитов состава (Ьа1.уЕиу)о.7РЬо.зМп03. При изучении фазовой неоднородности в манганитах впервые использован метод исследования частотно-полевых зависимостей спектров магнитного резонанса. Это позволило непосредственно установить, что в области температуры магнитного фазового перехода, где наблюдается эффект колоссального магнитосопротивления, реализуется состояние с магнитным фазовым расслоением.

2. Обнаружен и исследован эффект индуцирования магнитным резонансным СВЧ поглощением изменений в электрической проводимости монокристалла манганита. Показано, что ключевую роль в механизме изменения проводимости играет состояние фазового расслоения, реализующееся в образце.

3. Впервые обнаружено и экспериментально изучено влияние транспортного тока на спектр магнитного резонанса в монокристаллах манганита.

Практическая ценность. Результаты исследований позволяют расширить представления о природе магнитных свойств и взаимодействий в кооперативных системах. В частности, они позволяют глубже понять механизмы формирования и изменения магнитных свойств при легировании материалов, что, в свою очередь, позволит прогнозировать свойства различного класса магнитных систем и целенаправленно получать материалы с требуемыми свойствами.

Основные надежды на применение манганитов связаны с эффектом колоссального магнитосопротивления, который может служить основой при создании магнитоуправляемых устройств электроники для целей записи, хранения и обработки информации. Изучение магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов позволяет сделать вывод о возможности их использования в качестве электронных элементов, управляемых не только магнитным полем, но и другими внешними воздействиями, например, транспортным током.

Еще одно направление исследований манганитов связано с перспективой применения их в устройствах спинтроники. Высокая спиновая поляризация носителей заряда в этих материалах позволяет надеяться на успешное их применение в качестве источников поляризованных электронов, эмитируемых в магнитные гетероструктуры. Очевидно, что все работы, направленные на выяснение механизмов электронного транспорта в манганитах и магнитных структурах на их основе, остаются востребованными.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на

• V Всероссийской научной конференции «Решетневские Чтения», (г. Красноярск, 2001);

• XL Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». Физика, (г. Новосибирск, 2002);

• XVIII, XIX и XX международных школах-семинарах «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (г. Москва, 2002, 2004, 2006 гг.);

• Московском международном симпозиуме по магнетизму, «MISM» (г. Москва, 2002, 2005 гг.);

• Международной конференции «Функциональные материалы» «ICFM-2005» (Крым, Украина, 2003 г.);

• Международной конференции Европейского Материаловедческого Общества, «EMRS-Fall Meeting» (г. Варшава, Польша, 2003 г.)

• Международной конференции по магнетизму (г. Рим, Италия, 2003 г.)

• Евро-Азиатском симпозиуме «Прогресс в магнетизме» «EASTMAG-2004» (г.Красноярск 2004).

• 34-ом совещании по физике низких температур (г. Сочи 2006)

ПУБЛИКАЦИИ

По теме диссертации опубликовано 6 печатных работ в рецензируемых зарубежных и отечественных журналах.

СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 101 страницу, включая 49 рисунков. Список цитируемой литературы состоит из 96 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика магнитных явлений», Патрин, Константин Геннадьевич

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Сконструирован и изготовлен автоматизированный блок для измерения электрических и магниторезистивных параметров широкого круга магнитных материалов (от «плохих» полупроводников р ~ 4-105 Ohm-cm до металлов р ~ 1 Ohm-cm) в температурном диапазоне Т = 4.2 - 300 К и в области магнитных полей Н = 0 - 12 Юе

2. Проведены исследования магнитных свойств кристаллов (Laj. уЕиу)о.7РЬ0.зМпОз в зависимости от температуры, магнитных полей при разных концентрациях легирующей примеси Ей. Установлено, что введение ионов европия существенно влияет на температуру магнитного перехода (от Тс = 370 К для у = 0, до Тс = 119 К при у = 0.6). Из анализа высокотемпературных зависимостей намагниченности следует, что примесные ионы Ей дают небольшой вклад в намагниченность системы и гораздо сильнее влияют на обменное взаимодействие. Низкополевые зависимости в магнитоупорядоченной области указывают на существование спин-стекольного состояния, возникающего вследствие появления конкурирующих взаимодействий.

3. Установлено, что характер электрической проводимости кристаллов (Ьа1уЕиу)о.7РЬо.зМпОз меняется от металлического при у = 0 до полупроводникового при у = 0.6. В области магнитного перехода имеет место эффект колоссального магнитосопротивления (KMC). Его величина и температурная область существования увеличиваются при увеличении содержания европия в интервале у = 0 - 0.6 и далее уменьшаются при увеличении у. В интервале температур, где наблюдается эффект KMC, регистрируются нелинейные вольт-амперные характеристики, причем характер нелинейности зависит от величины магнитного поля и наблюдается при Н < 30 Юе. Все эти факты являются косвенным указанием на существование магнитного фазового расслоения.

4. Методом электронного магнитного резонанса получено прямое доказательство существования эффекта магнитного фазового расслоения. В области магнитного перехода, там же, где имеет место эффект магнитосопротивления и наблюдаются нелинейные электрические свойства, одновременно наблюдаются сигналы магнитного резонанса, присущие различным магнитным фазам. Изучение частотно-полевых зависимостей линий поглощения магнитного резонанса впервые использовано для анализа эволюции двухфазного состояния. По изменению отношения интенсивностей линий магнитного резонанса показано, что происходит изменение объема фаз, как в зависимости от температуры, так и от величины магнитного поля.

5. При пропускании постоянного тока через образец (Ьа0,4Еи0;6)0.7РЬ0.зМпОз обнаружено его влияние на спектр магнитного резонанса. Установлено, что увеличение тока приводит к увеличению объема более проводящей фазы в объеме образца. Таким образом, появляется возможность управлять электрическими свойствами кристаллов манганитов посредствам внешних воздействий.

6. Впервые в объемных кристаллах манганита ЕиолРЬо.зМпОз обнаружено влияние СВЧ облучения на соотношение фаз. Установлено, что в области существования KMC при развертке магнитного поля на фоне кривой р(Н) при включении СВЧ накачки происходит ее искажение, по форме подобное линии электронного магнитного резонанса. Величина индуцированного изменения зависит от величины тока измерения. Показано, что эффект не связан с тривиальным нагревом, а имеет место СВЧ индуцированное изменение соотношения пара- и ферромагнитной фаз.

Считаю своим долгом выразить благодарность своему научному руководителю доктору физ.-мат. наук, Волкову Никите Валентиновичу за поставленную интересную научную задачу, за внимание и всестороннюю помощь в ходе ее выполнения. Хочу поблагодарить заведующего лабораторией РСМУВ профессора Петраковского Германа Антоновича за поддержку данных исследований и содействие в ходе ее выполнения, и выразить особую признательность Саблиной Кларе Александровне, чей талант технолога позволяет проводить исследования на самых совершенных кристаллах. Выражаю благодарность всему коллективу лаборатории Резонансных свойств магнитоупорядоченных веществ за дружеское отношение и полезные советы в процессе работы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе представлено экспериментальное исследование физических свойств впервые синтезированных монокристаллов манганитов состава (Ьа1уЕиу)о.7РЬо.зМп03.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Патрин, Константин Геннадьевич, 2007 год

1. Jonker G.H., Van Santen J.H., Physica (Utrecht) 1950 v.16, p.337

2. Jin S et al. Science (1994) v.264, p.413

3. Wollan E.O., Koehler W.C., Phys. Rev., 1955, v.100, p.545

4. Küsters R.M., Singleton J., Keen D.A., McGreevy R., Hayes W., Physica 1989, B.155, p.3625. von Helmolt R., Wecker J., Holzapfel В., Schultz L., Samwer К., Prys. Rev. Lett. 1993, v.71, p.2331

5. Нагаев Э.Л., Письма в ЖЭТФ 1967, т.6, с.484; ЖЭТФ 1968, т.54, с.228

6. Нагаев Э.Л., Письма в ЖЭТФ 1972, т. 16, с.558; Кашин В.А., Нагаев Э.Л., ЖЭТФ 1974, т.66, с.2105

7. Kasuya T., Yanase A., Takeda Т., Solid State Commun. 1970, v.8, p.1543,1551

8. Кривоглаз M.A., УФН 1972, т.106, с.360; УФН 1973, т.111, с.617

9. Булаевский Л.Н., Нагаев Э.Л., Хомский Д.И., ЖЭТФ 1968, т.54, с. 1562

10. Uehara M., et.al., Nature 1999, v.399, p.560

11. Balagurov A.M., et. al., Eur. Phys. J 2001., B.19, p.215

12. Zener C., Phys. Rev. 1951., v.82, p.403

13. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., et. al., Phys. Rev. Lett. 1997, v.78, p.4253

14. Tokura Y., et. al., J. Phys. Soc. Japan 1994., v. 63, p.3931

15. Matsumoto G., J. Phys. Soc. Japan 1970., v.29, p.615

16. Schiffer P., Ramirez A.P., Bao W., Cheong S.W., Phys. Rev. Lett. 1995, v.75, p.3336

17. Neumeier J.J., Hundley M.F., Thompson J.D., Heffner R.H., Phys. Rev. В 1995., В 52, p.4189

18. Cheong S.W., Hwang H.Y., Contribution to Colossal Magnetoresistance Oxydes, Monographs in Condensed Matter Science. Gordon & Breach, London 1999.

19. Kugel K.I., Khomskii D.I., Sov. Phys. JETP 1974, v 37, p.725

20. Zimmermann M.V., Nelson C.S., Hill J.P., Gibbs D., et. al., Phys. Rev. Lett1999, v.83, p.4872

21. Zimmermann M.V., Nelson C.S., Hill J.P., Gibbs D., et. al., Preprint cond-mat/0007231 2000

22. Mori S., Chen C.H., Cheong S.W., Nature 1998a, v.392, p.473

23. Hotta T., Takada Y., Koizumi H., Dagotto E., Phys. Rev. Lett. 2000a, v.84, p.2477

24. Dai P., Fernandez-Baca J.A., Chakoumakos B.C., Cable J.W., et. al., Preprint 1996, unpublished

25. Moreo A., Mayr M., Feiguin A., Yunoki S., Dagotto E., Phys. Rev. Lett.2000, v.84, p.5568

26. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Maritomo Y., Tokura Y., Phys. Rev.1996, B 53 R1689

27. Hotta T., Dagotto E., Phys. Rev. 2000, B 61 R11,879

28. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Tokura Y., Phys. Soc. Japan 1997, v.66, p.302

29. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., Tomioka Y., et. al., Phys. Rev. Lett.1997, v.78, p.4253

30. Yoshizawa H., Kawano H., Fernandez-Baca J.A., Kuwahara H., Tojura Y., Phys. Rev. 1998, B58, R571

31. Zvyagin S., Saylor C., Martins G., Brunei L.C., et. al., Preprint 2000

32. Akimoto T., Maruyama Y., Moritomo Y., Nakamura A., et. al., Phys. Rev.1998, B57, R5594

33. Moritomo Y., Phys. Rev. 1999b, B60, RIO,374

34. Tomioka Y., Tokura Y., Metal-insulator phenomena relevant to charge/orbital ordering in perovskite-type manganese oxydes. Preprint 1999.

35. Uehara M., Mori S., Chen C.H., Cheong S.W., Nature 1999, v.399, p.560

36. Fäth M., Freisem S., Menovsky. A.A, Tomioka Y., Prys. Rev. Lett. 1998, v.80, p.4012

37. Ibarra M.R., De Tereza J.M., J. Magn. Magn. Mater 1998a, p.177-181, 846

38. De Teresa J.M., Ibarra M.R., Garcia J., Blasco J., et. al., Phys. Rev. Lett. 1996, v.76, p.3392

39. De Teresa J.M., Ritter C., Ibarra M.R., Algarabel P.A., Phys. Rev. 1997a, B56, R3317

40. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Huang Q., et. al., Phys. Rev. Lett.1996, v.76, p.4046

41. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Santoro A., et. al., J. Appl. Phys.1997, v.81, p.5488

42. Lanzara A., Saini N.L., Brunelli M., Natali F., et. al., Phys. Rev. Lett. 1998, v.81, p.878

43. Allodi G., De Renzi R., Guidi G., Licci F., et. al., Phys.Rev. 1997, B56, R6036

44. Heffner R.H., Sonier J.E., MacLaughlin D.E., Nieuwenhuys G.J., et. al., Cond-mat/9919964 1999

45. Yunoki S„ Ни J., Malvezzi А., Могео A., et. al, Phys. Rev. Lett. 1998a, v.80, p.845

46. Zhao G.M., Phys. Rev. В 2000, v.62, p. 11,883

47. Goodenough J., Phys. Rev. 1955, v. 100, p.564

48. Millis A., Shraiman B.I., Littlewood P.B., Phys. Rev. Lett. 1995, v.74, p.5144

49. Vlasenko L.S., Martynov Yu.V., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.AJ. Electron paramagnetic resonance versus spin-dependent recombination: Excited triplet states of structural defects in irradiated silicon, Phys. Rev. B. 1995, V.52, N.2, P.l 144-1151.

50. Kugel., Khomskii D.I., Sov. Phys.-JETP 1974, v.37, p.725

51. Murakami Y., Kawada H., Kawata H., Tanaka M., et. al., Phys. Rev. Lett. 1998a, v.80, p. 1932

52. HottaT., Yunoki S., Mayr M., Dagotto E., Phys. Rev. 1999, B12, R15,009

53. Koshibae W., Kawamura Y.,Ishihara S., Okamoto S., et. al., J. Phys. Soc. Japan 1997, V.66, p.957

54. Mizokawa T., Fujimori A., Phys. Rev. 1995, B51 R12,880

55. Mizokawa T., Fujimori A., Phys. Rev. 1996, B54 p.5368

56. Hotta T., Malvexxi A., Dagotto E., Phys. Rev. B 2000b, v.62, p.9432

57. Kagan M.Y., Khomskii D.I., Kugel K.I., Preprint cond-mat/0001245 2000

58. Stankieevich J., Sese J., Garcia J., Blasco J., Rillo C. Magnetic behavior of Pri.xCaxMn03 in the electric field driven insulator-metal transition, Phys. Rev. B 2000, v.61, n.l7,p.l 1236-11239

59. Yuzhelevski Y., Markovich V., Dikovsky V., Rozenberg E., Gorodetsky G., Jung G. Current induced metastable resistive states with memory in low-doped manganites, Phys. Rev. B 2001, v.64,n.22, p.224428-1-10

60. Mercone S., Wahl A., Simon Ch., Martin C. Nonlinear electrical response in a non-charge-ordered manganite: Pr0.8Ca0.2MnO3, Phys. Rev. B 2002, v.65, n.21,p.214428-1-5

61. Raquet B., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in La2/3Cai/3Mn03, Phys. Rev. Lett. 2000, v.84, n.19, p.4485-4488

62. Park S.H., Jeong Y.-H., Lee K.-B. Specific heat and resistivity of a doubleexchange ferromagnet LaojCaojMnOs, Phys. Rev. B 1997, v.56, n.l, p.67-70

63. Волков Н.В., Патрин Г.С., Великанов Д.А. Широкофункциональный СВЧ генератор на основе диода Ганна для магниторезонансной спектроскопии, ПТЭ. 2002, В.2, с.90-93

64. Волков Н.В., Патрин Г.С. Твердотельный сверхвысокочастотный генератор с системой автоматической подстройки частоты, ПТЭ. 1990,1. B.5, с 118— 119

65. Преображенский В.Л., Савченко М.А., Экономов Н.А. Нелинейное самовоздействие звуковых волн в антиферромагнетике с анизотропией типа «легкая плоскость», Письма в ЖЭТФ. 1978, Т.28, В.2, с.93-97

66. Петраковский Г.А., Патрин Г.С., Соснин В.М. Магнитоперестраиваемый твердотельный СВЧ-генератор. А.С. 1254981 СССР, Б.И. 1988. № 29.1. C.228, МКИ5 Н 03 В 7/14

67. В.И. Тугарин, А.И. Панкрац, И.Я. Макиевский. Автоматизированный спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем, Приборы и техника эксперимента. 2004, №4, с. 56-61

68. Гордиенко Ю.Е., Бородин Б.Г. Бесконтактное измерение подвижности носителей заряда в полупроводниках, ПТЭ. 1984, В.1, с. 189-191

69. Р Уайт. Квантовая теория магнетизма, Москва «Мир» 1985, с. 113-124

70. Звездин А.К., Матвеев В.М., Мухин А.А., Попов А.И. Редкоземельные ионы в магнитоупорядоченных кристаллах. М.: Наука 1985, с.296

71. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Статистическая физика. М.: Физматлит 2001, Т. 5, с. 616

72. Teale R., Temple D. Photomagnetic anneal, a new magneto-optic effect in Si-doped yttrium garnet, Phys. Rev. Lett. 1967, v. 19, n.16, p.904-905

73. Teale R., Weatherley D. Photoinduced change in the magnetic anisotropy of silicon doped yttrium iron garnet, J. Phys. C: Solid State Phys. 1973, v.6, n.4, p.750-754

74. Huber D.L., Alejandro G., Caneiro A., Causa M.T., Prado F., Tovar M., Oseroff S.B. EPR linewidths in Lai.xCaxMn03: 0 <x < 1 , Phys. Rev. B. 1999, v.60, n.17, p.12155-12161

75. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in Laix CaxMn03: Relaxation and bottleneck, Phys. Rev. B. 2000, v.61, n.9, p.5888-5890

76. Rivadulla F., Lopez-Quintela M.A., Hueso L.E., Rivas J., Causa M.T., Ramos C., Sanchez R.D., Tovar M. Electron-spin-resonance line broadening around the magnetic phase transition in manganites, Phys. Rev. B. 1999, v.60, n.17, p.l 1922-11925

77. Volkov N.V., Petrakovskii G.A., Vasiliev Y.N., Velikanov D.A., Sablina K.A., Patrin K.G. Observation of mixed two-phase state in Euo.7PbojMn03 single crystal by magnetic resonance method, Physica B. 2002, 324/1-4, p.254-260

78. Volkov N.V, Petrakovskii G.A., Sablina K.A., Vasiliev V.N., Patrin K.G. Magnetic resonance probe of the phase separation in Eu0.7Pbo.3Mn03 single crystal, JMMM. 2003, V.258-259C, p.302-305

79. Rivadulla F., Hueso L.E., Lopez-Quintela M.A., Rivas J., Causa M.T. Comment on "Paramagnetic anomalies above the Curie temperature and colossal magnetoresistance in optimally doped manganites", Phys. Rev. B. 2001, v.64, n.10, p. 106401-106404

80. Peter M., Shaltiel B., Wenick J.H., Williams H.J., Mock J.B., Sherwood R. Paramagnetic Resonance of State Ions in Metals, Phys. Rev. 1962, v. 126, n.4, p. 1395-1402

81. Jaime M., Lin P., Chun S.H., Salamon M.B., Dorsey P., Rubinstein M. Coexistence of localized and itinerant carriers near Tc in calcium-doped manganites, Phys. Rev. B. 1999, v.60, No.2, p. 1028-1032

82. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in LaNx. CaxMn03: Relaxation and bottleneck, Phys. Rev. B. 2000, v.61, n.9, p.5888-5890

83. Geschwind S., Clogston A. Narrowing Effect of Dipole Forces on Inhomogeneously Broadened Lines, Phys. Rev. 1957, v. 108, n.l, p.49-53

84. Петраковский Г.А., Волков H.B., Васильев B.H., Саблина К.А. Спектр магнитного резонанса двухфазного состояния в монокристаллах манганита лантана ЬаолРЬо.зМпОз, Письма в ЖЭТФ. 2000, т.71, В.4, с.210-214

85. Salamon М., Jaime М. The physics of manganites: Structure and transport Reviews of Modern Physics. 2001. v.73, No.3, p.583-628

86. Raquet В., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in Ьа2/зСа/зМпОз, Phys. Rev. Lett. 2000, v.84, n.l9, p.4485-4488

87. Volkov N.V, Petrakovski G.A., Sablina K.A. Probing the phase separation in the doped manganites by the magnetic resonance methods. Book of abstracts. E-MRS 2003 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2003, p. 148; Acta Physica Polonica A. 2004

88. A. Maigman, C. Martin, G. Van Tendeloo, M. Hervieu, B. Raveau, Phys. Rev. 1999, В 60, R15622

89. E. Dagotto, J. Burgy, A. Moreo, Solid State Com. 2003, v. 126, p.9

90. H. Y. Hwang, S. W. Cheong, P. G. Radaelli, B. Batlogg, Phys. Rev. 1995,v.75, p.914

91. G.-L. Liu, J.-S. Zhou, and J. B. Goodenough, Phys. Rev 2004. В 70,224421