Исследование локальных полей микроскопических примесей и электронного строения оксидов семейства перовскита тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Осипенко, Игорь Александрович

• Осипенко, Игорь Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Осипенко, Игорь Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОКСИДЫ СЕМЕЙСТВА ПЕРОВСКИТА. ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ОСП

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ НАРУШЕНИЯ СИММЕТРИИ ОДНО-ЭЛЕКТРОННОЙ ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ СВЯЗАННОГО СОСТОЯНИЯ ОДНОКРАТНОИОНИЗОВАННОЙ КИСЛОРОДНОЙ ВАКАНСИИ

2.1 Отличие локального поля от среднего

2.2 Уравнения электростатики для кристалла, содержащего точечный дефект

2.3 Модель точечно-поляризуемых ионов. (Модель Слзтера. Определение нецентросимметричной позиции иона лития вКТаОз)

2.4 Нарушение симметрии одноэлектронной волновой функции связанного состояния однократноионизованной кислородной вакансии

Выводы

>

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНОГО ПОЛЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

3.1 Локальное электростатическое поле создаваемое заряженной микроскопической примесью в ионном кристалле

Выводы

ГЛАВА 4. ТРОЙНЫЕ ОСП. ХАРАКТЕР ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ АВхВ'ихОг КРИСТАЛЛАХ

4Л Метод сильной связи. Теория альтернантных структур

4.2 Модель Вольфрама

4.3 Характер запрещенной зоны в диэлектрических АВхВ[_хОъ кристаллах

4.3.1. Электронная• структура одолядоченной фазы

» » * ^ Г'о' J Г «/ Г' ^ X

ЛВ{/2Ву20з кристаллов со структурой типа перовскита

4.3.2. Электронная структура упорядоченной фазы

кристаллов АВ-у^В-2/з^з со структурой типа перовскита

4.3.3. Электронная структура неупорядоченных кристаллов АВхВ{_х03

4.3.4. Электронная структура кристаллов АВ ХВ{_Х Оъ с низколежащим электронным уровнем атома А

от

" /

4.3.5 Экспериментальное исследование характера запрещенной зоны в кристаллах АВХВ{_х03 со структурой типа перовскита

Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ПЕРЕЧЕНЬ ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИИ

ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА

ЛИТЕРАТУРА.

97

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование локальных полей микроскопических примесей и электронного строения оксидов семейства перовскита»

ВВЕДЕНИЕ.

Актуальность темы. Оксиды семейства перовскита (ОСП) известны своими разнообразными применениями в электронике. Характеристики оксидов зависят от степени окисления и восстановления образцов, что обычно связывается с наличием в кристалле некоторой концентрации кислородных вакансий. Изучение этих дефектов проведено в настоящей диссертации на основе подхода, позволяющего учесть взаимодействие электрона, захваченного вакансией, с поляризацией. Актуальность этих исследований вызвана, с одной стороны, заметной ролью, которую играет восстановление образцов в формировании электрических и оптических характеристик оксидов,, с другой стороны, обязана необходимости дальнейшего развития теории точечных дефектов в оксидах. В этой связи на основе последовательного микроскопического подхода будут также исследованы локальные поля, создаваемые микроскопическими примесями в оксидах.

В диссертации изучается электронное строение ряда тройных оксидов семейства перовскита. Актуальность этого исследования связана с тем, что электронное строение тройных оксидов в литературе еще почти не обсуждалось, тогда как именно в многокомпонентных оксидах ожидается появление улучшенных рабочих характеристик прикладных материалов и даже новых

* аг Л. Ж А А А

свойств, как это было найдено в слоистых оксидах меди (свойство высокотемпературной сверхпроводимости).

Целью данной работы является дальнейшее теоретическое исследование точечных дефектов в кубических ОСП, в частности кислородной вакансии, У0, особенностей поведения локального поля, создаваемого точечными заряженными примесями в ионных кристаллах; прогнозирование электронного строения тройных ОСП с изменением их элементного состава.

Научные положения, выносимыс на защиту:

I, В оксидах семейства перовскита симметрия одноэлектронной волновой функции связанного состояния однозарядной кислородной вакансии может быть пониженной из-за взаимодействия электрона с поляризацией решетки.

П. В простой кубической решетке, состоящей из точечно-поляризуемых узлов,, точечный заряд, в одном из узлов приводит к следующим особенностям локальных полей: отношение локального паля на узлах решетки к среднему полю на малых расстояниях от заряда сначала увеличивается, достигая некоторого максимального значения, а затем уменьшается до асимптотического значения, известного из литературы. Абсолютная вели-

шгеч ^т.гъг'.о гу г и .-"-л ? т гчд " о о /!р> ычтцд гл тттттгчттцса "зтпн з о.« т.? о! т тд уврттыпа.

1,111^ , . V/ I V V' I иу/м^м Ь л 15 ^ II 1 1 НАрцХги • ' : » 1 /411111^11 1 ч у ' I III ич

ются с ростом статической д и э л с ктр ич с с к о и проницаемости.

III. Ширина запрещенной зоны в упорядоченных тройных, оксидах семейства перовскита с общей формулой АВхВ[_хОг больше, чем в двойных

ОСП АВО$ с тем же самым ионом Д, если первое свободное электронное со-

АЛПЛСГТТТ^а Т1/\Ц<\ Л* тотррт 1П\Ш\ Т у ; з ;\ ! т ,'.>.* .5 ТТ^ЗППЛД ЛВЛ^ПИРАЙ ЛЛ^ТАЯТХЦга

V лОЛй/йС хх^ххс! и 1ГХ1¥1СС± иОлш I \ ji\j .^хх^рх ххЮ, х \^лххххч/ па

ионе В.

Научная новизна. Все положения, выносимые на защиту, новы. Впервые решены следующие задачи:

1) показано, что в КТаОз энергетически выгодно нарушение- симметрии одноэлектронной волновой функции связанного состояния однозарядной кислородной вакансии Уо;

2) промоделировано поведение локального поля, создаваемого заряженными примесями в ионных кристаллах;

3) в рамках метода сильной связи показана зависимость изменения ширины запрещенной зоны в тройных ОСП АВХВ[ хОъ от положения энергетического уровня атома В

Научная и практическая ценность

В главе 2 показано, что однозарядная кислородная вакансия в ОСП может быть диподьным центром вследствие взаимодействия электрона однозарядной вакансии с поляризацией решетки. Это может представлять большой интерес при исследовании влияния точечных дефектов на различные физические свойства кристаллов ОСП. Модель, развитая при изучении данной проблемы, может быть использована для исследования других точечных дефектов. Полученные результаты могут быть использованы при интерпретации спектров ЭПР и генерации второй оптической гармоники в восстановленных оксидах.

В главе 3 численно изучено поведение локального поля, создаваемого заряженными примесями в ионных кристаллах. Это может представлять интерес при исследовании рассеяния медленных электронов примесями.

В главе 4 показана зависимость ширины запрещенной зоны в тройных ОСП АВхВ!_хОэ от положения энергетического уровня атома В\ что может представлять непосредственный интерес для прогнозирования диэлектрических свойств тройных ОСП. Методы исследования, использованные при рассмотрении данной проблемы, могут послужить отправной точкой для дальнейшего изучения электронного строения тройных ОСП.

Использование ЭВМ. При выполнении диссертационной работы широко использовались численные расчеты на ЭВМ. Для проведения этих расчетов автором составлены и отлажены:

- программа для нахождения равновесного положения иона Ы в решетке КТиОт,;

- программа для определения энергии поляризации решетки а кубических кристаллах ОСП вблизи кислородной вакансии;

-программа для расчета локальных полей, создаваемых заряженными примесями в ионных кристаллах;

-комплекс программ для нахождения ширины запрещенной зоны в тройных ОСП.

Апробация работы. Материал, изложенный в диссертации докладывался на 7-ом Международном семинаре по физике сегнетоэлектриков полупроводников 1МР8-7, (г. Ростов-на-Дону, 24-27 сентября 1996), Международной научно-практической конференции "Строительство-97*5, (г. Ростов-на-Дону, РГСУ, 10-13 апреля 1997), Международной научно-практической конференции "Строи гельство-98", (г. Ростов-на-Дону, РГСУ, 10-13 апреля 1998),

Публикации и вклад автора. Основные результаты диссертации опубликованы в 9 печатных работах, написанных в соавторстве. Все результаты расчетов, приводимые в диссертации, положения и выводы, выносимые на защиту, принадлежат лично автору. Автор внес определяющий вклад в разработку моделей, позволяющих учесть взаимодействие электрона, захваченного вакансией, с поляризацией; численного расчета локального поля, создаваемого заряженными примесями в ионных кристаллах; численного анализа ширины запрещенной зоны в тройных ОСП.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4-х глав и заключения, содержит 118 страниц, 16 рисунков, 3 таблицы, библиографический список из 206 наименований.

Первая глава носит обзорный характер. Она содержит данные о влиянии точечных дефектов на различные физические свойства оксидов семейства перовскита (ОСП). Приводятся работы, в которых обосновывается существование в ОСП термодинамически значимой концентрации кислородных ва-

« _____ ^ _ _ _____ ____

кансии и экспериментальная раиота, обнаружившая прямую связь концентрации точечных диполей и степени восстановления ОСП. Рассказывается о работах, посвященных исследованию электронного строения и симметрии волновой функции связанного состояния кислородной вакансии в ОСП. Анализируются экспериментальные и теоретические работы, посвященные исследованию электронного строения ОСП. В заключении первой главы сформулированы основные задачи работы.

Вторая глава посвящена исследованию вопроса о стабильности симметричного состояния кислородной вакансии в ОСП. Приводятся сведения о формулах, описывающих отличие локального поля от среднего., записаны уравнения электростатики для кристалла, имеющего точечный дефект. В качестве тестового примера для проверки созданного комплекса программ в главе показано как было определено равновесное положение иона Ы в КТаОз. Исследуется локальное нарушение структуры вблизи однократноионизован-ной вакансии в КТаОз• Показывается, что взаимодействие электрона, захваченного кислородной вакансией с поляризацией окружающей среды, возникающей за счет поля диполя, делает выгодным (преимущественную) локализацию электрона на одном из двух ионов Та вблизи кислородной вакансии в КТаОз. В заключении приводятся экспериментальные данные по ЭПР-

тд<->г>тт<=ктгг№яни*г4 и т^риеч^оттитх от^гтлй гапмгщигк , ггптттрр1^^п^тгиттт,г£» гт[_т\ЯГГ1-1

11 I П ^ ^ '4 1 I. ¡¡ к * > III V' г ■ 1 I м ни, 11 ± 13 V ^А^мгч/лцкл V •11 '"1

полученные в главе

В третьей главе проводится исследование локального поля в ионных кристаллах. В рамках данного исследования проводится корректный учет асимптотики локального поля отличный от используемого в модели Мотта-Литлтона. Проводятся кластерные расчеты в приближении точечно-поляризумых ионов. Результаты показывают, что во внутренней области кластера локальная диэлектрическая проницаемость меньше своего асимптотического значения и размер поляризуемой области увеличивается с увеличением значения макроскопической диэлектрической проницаемости.

В четвертой главе исследуется характер запрещенной зоны в диэлектрических АВХВ{_Х О3 кристаллах. Рассматривается применение метода

сильной связи в модели Вольфрама к исследованию электронного строения ОСП типа АВО3. Эта модель применяется в исследовании электронного строения тройных ОСП типа АВхВ[_хОъ. В результате получено, что ширина запрещенной зоны в упорядоченных тройных оксидах семейства перов-скита с общей формулой АВХ В[_х 03 больше, чем в двойных ОСП АВОз с тем же самым ионом В, если первое свободное электронное состояние иона В' имеет большую энергию, чем первое свободное состояние на ионе В.

В заключении сделаны общие выводы, приведены основные научные результаты работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Осипенко, Игорь Александрович

Выводы

I. С применением модели Вольфрама и теории альтернантных структур показано, что ширина запрещенной зоны в диэлектрических кристаллах АВ{/2В]1203 и АВ{/3В2/303 со структурой типа перовскита и высоколежащи-ми уровнями атомных состояний атома А больше, чем ширина запрещенной зоны в перовските типа АВОз с тем же самым атомом В. Экспериментальные исследования проведены на примере керамик ВаУЬ1/2Та1203 и

Ва1Щу3МЬ2/303. Было установлено, что в этих керамиках запрещенная зона больше, чем в оксидах КТаОз и КМЬОл- Природа этого увеличения наиболее понятна в предельном случае когда 8—> со. В этом случае получается, что нарушаются связи между ВОб октаэдрами. Таким образом, тг-зоны сужаются до невзаимодействующих уровней, которые находятся выше по энергии, чем иё-уровни В ионов. Однако, такое утверждение справедливо только для упорядоченной фазы АВ{/2В1/203.

2. В работе показано, что в неупорядоченной фазе у кристаллов АВ{хВх03 дно 71-зоны проводимости связано с наинизшим пё-уровнем атома В или В'. АВу-хВ^^С/3 оксиды имеют как раз неупорядоченную кристаллическую структуру. Тем не менее, экспериментальные данные показывают, что для диэлектрических АВу3В2/3Оъ оксидов величина запрещенной зоны, наблюдаемая из измерения электропроводности, практически не зависит от степени упорядочения В2+ и В5+ ионов [206]. Это может быть объяснено тем, что граница электронной подвижности находится выше дна проводящей зоны. Другой способ объяснения состоит в предположении, что существует ближний порядок в распределении В ж В' ионов в решетке, существующий из-за электростатического взаимодействия между ионами В и В'.

3. Показано, что для кристаллов АВ[хВхОъ с низколежащими уровнями атомных орбиталей у элемента А нижняя граница я-зоны проводимости связана с энеогией атомных ообиталей элемента А, котооые тепеоь поинимаа x у x а а ют участие в формировании энергетических зон. Это приводит к тому, что ширина запрещенной зоны в таких кристаллах практически не зависит от сорта атомов В и В' и соответствующего кристаллического строения, что подтверждается экспериментальными измерениями.

Заключение

Изложенный в настоящей работе материал позволяет сформулировать следующие основные научные результаты и выводы

1. В настоящей диссертации на основе нового подхода, позволяющего учесть взаимодействие электрона, захваченного вакансией, с поляризацией решетки показано, что в ОСП симметрия одноэлекгронной волновой функции связанного состояния кислородной вакансии может быть пониженном 33. счет взаимодействия электрона с поляризацией решетки, что подтверждается напрямую результатами экспериментальных данных по ЭПР, а также косвенно целым рядом работ.

2. Промоделировано поведение локального поля, создаваемого заряженными примесями, в ионных кристаллах с учетом эффекта отличия локального поля от среднего и установлено, что во внутренней области рассматриваемого кластера с зарядом в центре локальная диэлектрическая проницаемость меньше своего асимптотического значения и размер поляризуемой области увеличивается с увеличением значения е.

3. В рамках модели сильной связи Вольфрама показано, что ширина запрещенной зоны в упорядоченных диэлектрических кристаллах АВ{/2 Вт 03 и АВ[/3В2/303 со структурой типа иеровскита и высоколежащими уровнями атомных состояний атома А больше, чем шиоина запоешенной зоны в пеоов

У Л. ± ' Л. ските типа АВОз с тем же самым атомом В, если первое свободное электронное состояние иона В имеет большую энергию, чем первое свободное состояние на ионе В.

4. В рамках модели сильной связи показано, что в неупорядоченной фазе у кристаллов АВ[ .хВх03 дно тс-зоны проводимости связано с наинизшим пё-уровнем атома В или В' и показано, что для кристаллов АВ[ХВх03 с низколежащими уровнями атомных орбиталей у злбмснтй А нижняя граница тг-зоны проводимости связана с энергией атомных орбиталей элемента А.

В заключение стоит заметить, что нами впервые разработан новый подход, основанный на учете отличия локального поля в кристаллах от среднего. На основе этого подхода, позволяющего учесть взаимодействие электрона, захваченного вакансией, с поляризацией решетки удалось показать, что в ОСП симметрия одноэлектронной волновой функции связанного состояния кислородной вакансии может быть пониженной за счет взаимодействия электрона с поляризацией решетки. На основе этого подхода возможно исследование также других дефектных центров в ОСП, когда, например, ион переходного металла В замещается ионом, имеющим добавленную единицу заряда по отношению к иону металла из данной кристаллической решетки или же когда щелочной или щелочноземельный ион А также замещается ионом, имеющим добавленную единицу заряда по отношению к иону металла из данной кристаллической решетки. Этот метод также может быть применен при исследовании других точечных дефектов и применен к исследованиям взаимодействия дипольных дефектов в ОСП.

Впервые было промоделировано поведение локального поля, создаваемого заояженными пои меся ми. в ионных коисталлах в поомеж\точной обласа x ■> x а ти между источником поля и областью, где поле достигает своего асимптотического значения в кристаллах с учетом эффекта отличия локального поля от среднего, что может представлять интерес для некоторых задач. Например, понимания рассеяния медленных (тепловых) электронов дипольными примесями в диэлектриках;

Впервые в рамках модели сильной связи Вольфрама была обсуждена причина увеличения ширины запрещенной зоны в тройных ОСП по сравнению с двойными, что может послужить отправной точкой для дальнейшего исследования электронного строения тройных ОСП.

Перечень принятых сокращений.

ОСП оксид семейства перосвскита

ЭПР электронный парамагнитный резонанс

ЯМР ядерный магнитный резонанс

МВ модель Вольфрама ily^rSMirdilMM рот/чла

I IfWJiVinUl^rin UEIlwpUl

1. S.A.Prosandeyev and I.A.Osipenko Could the Oxygen Vacancy in Oxides of the

Pprnl/cl/i+p TiorvpK? Kp о riinnla ^atiWV /'/ r^i-vwc1 c+of £>n] / \rt\ 1 GQ^ \/ 1 OO n

JL VI vi V J141V 1 шшу UC- U Wipv/iv WllbVl . it plijj, "llUl, iJUl. V / 1 S S » * . I ' — } * *

2. S.A. Prosandevev and I.A. Osrpenko Symmetry breaking at oxygen vacancies m

V 1 V V С? в/ perovskite-type oxides. //' Program and registration materials of the 1995 Fall meeting of materials reserch society. 27 November -1 December 1995. Boston, p. 46.

3. S.A.Prosandeyev, A.V.Fisenko, A.LRiabchinski, I.A.Osipenko, LP.Raevski and

N1 Cotnritcai/Q Q+цНлг rvf intrmLM f nnint rl^+^^fc tn Avi/ipc nf +'ha nam^icb-ifa fomi lv I

1 4 , ki UI v; I IIOV V Li avuuj Vi uin 1: U)1V ^ч^аааь uvivvs. о ала V'/llUW-- \J I t-uv pVIViDiVllV laiuuV . A.

Theory. //J.Phys.: Condens.Matter 1996. V.8, p.6705-6717

4. LP.Raevski, S.A.Prosandeev, I.A.Osipenko Nature of the Forbidden Gap in Insulating ABXB' i-x03 crystals. // phys. stat. sol. (b) 1996. V.198, p.695.

5. Просандеев C.A., Осипенко И.А., Масленников А. Электронное строение объема, поверхности, точечных и протяженных дефектов в оксидах семейства перовскита. // -7-ой Международный семинар по физике сегнетоэлек-триков полупроводников IMFS-7. Тезисы докладов, г. Ростов-на-Дону. 2427 сентября 1996. с.48.

6. Просандеев С.А., Рябчинский А.И., Осипенко И.А., Масленников А. Отличие локального поля от среднего в расе четах электростатических полей, создаваемых микроскопическими точечными и протяженными дефектами в полярных кристаллах. // -7-ой Международный семинар по физике сегне-тоэлектриков полупроводников IMFS-7. Тезисы докладов, г. Ростов-на-Дону 24-27 сентября 1996. с.47.

7. И.А.Осипенко, С.А.Просандеев, Н.Н.Харабаев Учет эффектов поляризации в анализе локальных электростатических полей точечных дефектов в ионных кристаллах. // -Международная научно-практическая конференция

Строительство-^?". Институт строительных технологий и материалов. Тезисы докладов, г. Ростов-на-Дону. РГСУ. 10-13 апреля 1997. с.74-75. 8. S.A.Prosandeev, I.A.Osipenko, N.N.Kharabaev Local Electrostatic Field

РГОНПРРН hv Я ( 1РГГ»СРЛ*Л1Р Imnimhi in IАКИЛ t 'riictolc // rv'h^rc с+я+ er»1 riuuLtl/wll uy a ^/lidigvu iiiiviujvupiw iiiij^uiivj Hi iuniw 4^1 j utuitj. it piij a. auA.

1 C\C\n ЛТ ОП1 1T! |U) L77/. V .Z.UJ, y.UJ

9. И.А.Осипенко, И.П. Раевский, С.А.Просандеев, Н.Н.Харабаев Запрещенная зона в диэлектрических кристаллах типа ЛВХВ\Х О // -Международная научно-практическая конференция "Строительство-98". Институт строительных технологий и материалов. Тезисы докладов, г. Ростов-на-Дону. РГСУ. 10-13 апреля 1998. с.74-75.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Осипенко, Игорь Александрович, 1998 год

Литература

1. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. -М.: Атомиз-

Л Г\>~*Г\ А ЛЛ

дат, i.v/z, Z45C.

2. Смоленский Г.А.., Боков В.А., Исупов В.А., Край ник H.H., Пасынков P.E., Шур М.С. Сегнетоэлектрики pi антисегнетоэлектрики. -Л.:Наука, 1971, 473с.

3. Шефтель И.Т. Терморезисторы. -М:Наука, 1973, 415с.

4. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. -М.: Энергия, 1976, 366с.

5. Полупроводники на основе титаната бария. Перевод с японского. -М.: Энергоиздат, 1982, 328с.

6. Губкин А.Н. Электреты. -МлНаука, 1978, 137с.

7. Электреты / Под ред. Г.Сеслера. -М.:Мир, 1983, 486с.

8. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. М.:Высш.шк., 1986, 367с.

9. Лай не М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.гМир, 1981. 736с.

10. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения, -М.:Мир, 1981. 526с.

11. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. -М:Наука, 1979, 264с.

12. Шварц К.К. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках. -Рига: Зинатне, 1986, 230с.

13. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко A.B. Фоторефрактивные кристаллы

А J А- Л. А. А.

в когерентной оптике. -СПб: Наука, 1992, -320с.

14. Askin A., Boyd G.D., Dziedzic J.M., Smith R.G., Ballman A.A., Levinstein H.J., Nassau J. Optically-induced refractive index inhomogenities in LiNbÖ3 and LiTaQ3. // AppL Phys. Lett. 1966. V.9, No. 1, p.72-74.

I ^ f^kwi l^1 Q f ViM-ii^ollv i-пНиг^Л nVicmrwa тгЬлре in \ iNlWf япй I iTpf L

X ^ . V/iiVii J. .u« vypviVCliiJ iliUUVVU WiiUiigV Vi iVJLlUVUlV XJ.JLV*-i.WWk? U1 XjIJ. "1 t/V/j UiiU i-/i JL UW j

// J. ApüI. Phvs. 1969. V.40, No.8. ü.3389-3396.

Л- Л. + ' ' i

16. Hülm Т.К., Matthias B.T., Long E.A. A ferromagnetic Curie point in КТаСЬ at very low temperatures. /7 Phys. Rev. 1949. V.79, p.885-886.

17. Samar a vj. A. and Morosin B. Anhaimomc effects in KTaO^ Feiioelectric mode, thermal expansion and compressibility // Phys. Rev. B. 1973. V.8, p. 1256-1264.

18. Perry C.H. and McNelly T.F. Ferroelectric 'soft' mode in KTa03 /7 Phys. Rev. 1967. V.154, p.456-458.

19. Fleurv P.A. and Worlock J.M. Electric-field-induced Raman effect in

r\ctrci(±)f±r-iric crtre+cilG // Phv« Rev I 1 Qfyl V n fify^^fiftl

1.1L. 1 Ctviwv U IV VI J U IrUlkJ. / / A 1 L J J . 1 VV V . J^VbL. 1 / vy J . V . 1 V/. ' . V " . ' V/ I ■

20. Vogt H. and Uwe H. Hyper-Raman scattering from the incipient ferroelectric

ТГ rn / / ТЧ1. T* ^ Л r\f~i A r r%r\ 1 A"»A 1 AO /)

iviaua н rriys. jKev. i V.zv, p. i03u-iuj4.

21. Lowdes R.P., Rostogi A. Stabilization of the paraelectric phase of КТаОз and SrTiCh by strong quartic anharmonicity. // J. Phys. С Solid State 1973. V.6, p.932-944.

22. King S.R., Hartwick T.S., Chase A.B., Optical damage in KIN /'/' Appl. Phys.

r 1 mo \/oi хт~ n « in /I jueil. v iNO./, p.ji/-jit.

—» T * 1 T V 1 ^ ■> t A 1 * Г1 1 TT- P TT» 1 • . * * j , * 1 1*

¿5. ыпае u, von aer, uiass a.m., noagers is..r. Mign-sensmvny optical recommg in KIN by two-photon absorbtion /7 Appl. Phys. Lett. 1975. V.26, No. 1, p.22-24. 24. Boatier L.A., Krätzig E., Orlowski R. KTN as a holographic storage material //

ТП 1 J ■ 1 АЛЛ T T '"t Л Л f—f Л Г Л

rerroeiecmcs. i9öu. V.2/, p,z47-zdu.

2S Oflnwcl^i W Тчnotier T Л kfrS+^irr l-i Phntorefrar-ti^/fi ^ffi^r-fc in thp pnhin гчЬяса

... . V/1 ivy I I LJIVi IV.. A/VUVlVi . j r i 1-., 1 i 1 U.i,! I J • * 11V/H'I L i 1 LIVll V 'W VAAVVlU 111 bllV VUL/1V pllUUV

ui pOiaasiuiii laiiaia.iaic-ijj.uud.ic // \_/pi. v^uiiuiiuii. 170U. v .jj, p.4j"to.

26. Vugmeister B.E. and Glinchuk M.D. Dipole glass and ferroelectricity in random-site electric dipole systems. //' Rev. Mod. Phys. 1990. V.62, No.4, p.993-1026.

27. Triebwasser S. Study of ferroelectric transitions of solid-solution single crystals of KNb03-KTa03 // Phys. Rev. 1959. V.114, No.l, p.63-70.

28. Rytz D., Hochli U.T. and Bilz H. Dielectric susceptibility in quantum ferroelectrics // Phys. Rev. B. 1980. V.22, No.l, p.359-364.

29. Hochli U.T. and Boatner L.A. // Quantum ferroelectric ity in K,.xNaxTa03 // Phys. Rev. B. 1979. V.20, p.266-275.

30. Kleemann W., Kutz S., Schafer F.J. and Rytz D. Strain-induced quadrupolar ordering of dipole-glass-like Ki_xLixTa03 // Phys. Rev. B. 1988. V.37, p.5856-5859.

31. Manlief S.K. and Fan H.Y. Raman spectrum of KTao.%8Nbo.o3203 // Phys. Rev. B. 1972. V.5, No. 10, p.4046-4060.

32. Prater R.L., Chase L.L. and Boatner L.A. Raman scattering studies of the impurity-induced ferroelectric phase transition in KTa03:Nb. // Phys. Rev. B. 1981. V.23, p.221.

33. Uwe H = Lyons K.B., Carter H.L, and Fleury P.A. Ferroelectric microregions and Raman scattering in KTa03. // Phys. Rev. B. 1986. V.33, No.9, p.6436-6440.

34. DiAntonio P., Vugmeister B.E., Toulouse J. and Boatner Polar fluctuations and first-order Raman scattering in highly polarizable KTaOi crystals with off-center Li and Nb ions. // Phys. Rev. B. 1993. V.47, p.5629-5637.

35. Lee E., Chase L.L. and Boatner L.A. Critical quasielastic light scattering in KTa0.968Nb0.032O3 /'/Phys. Rev. B. 1985. V.3I, No.3, p. 1438-1447.

^^ T ,vnpc JC T\ P1p»iirv P A cmH T? vtz Ti r^lnqfpr H\/namir*e in a Himliir glcicc /'/'

^J \J. 1JJ Uliu A V.J-i. } A ivwl J J. . J. U11U AVJ • VlUkJ Lvi v*jy iitiiiilvD ill wv V|.1|7V1U1 glCllSu II

Phys. Rev. Lett. 1986. V.57, No. 17, p.2207-2210. 37. Kugel G.E., Vogt H., Kress W. and Rytz D, Son of the ferroelectric soft mode in solid solutions of KTai_xNbx03 by hyper Raman scattering // Phys. Rev. B. 1984. V.30, p.985.

38. van der Klink J.J., Rod S. and Chatelain A. Local properties, long-range order and quantum ferroclectricity in KTa,.x №>хОз // Phys. Rev. B. 1986. V.33, No.3, p,2084-2087.

Qampra П A rrlocoliVi» Kf»|ici vir»r япЛ nr»vpl nrpcci irf» (»fTpr-te trs кГTo. "NJK П- 4

/ . kJCij.l.l&'U lb W.i A. VilWkiLililW UviiW * UiiM 11W f wi 111 At A ч I ^ / /

T>U, ,c Dot, I 1Q9/1 « n OQO ТЛ1

X iiy S. Rev. JL/ttt. 17Öt. V .J J, p./70-JU i .

40. Lyons K.B., Fleury P.A., Negran T.J. and Carter H.L. Nonanalytic polarization response of a dipolar glass // Phys. Rev. B. 1987. V.36, No.4, p.2465-2468.

41. Глинчук М.Д., Кармазин A. A., Смолянинов Динамика примесей Nb в виртуальном ссгнетоэлектрике КТаОэ // Изв. АН СССР сер. физ. 1987. Т.51, №10, с. 1699= 1700.

42. Rod S., Borsa F. and van der Klink J.J. Order and disorder in pure and doped KTa03: а шТа NMR study // Phys. Rev. B. 1988. V.38, No.4, p,2267-2272.

43. Антимирова T.B., Глинчук М.Д., Печеный М.Д., Смолянинов И.М. Низкочастотная динамика ионов Nb в кристаллах KTN // ФТТ 1990. Т.32, вып. 1, с.208-211.

44. Yacoby Y. and Just S. Differential Raman scattering from impurity soft modes in mixed crystals of I<4_xNaxTa03 and Ki.xLixTa03 // Solid State Commun. 1974. V.15, p.715-718.

45. Гейфман И.Н., Сытиков АЛ., Коломитцев В.И., Круликовский Фазовый переход в состояние 'полярного стекла' в (K,.x:Lix)Ta03 // ЖЭТФ 1981. Т.80, вып.6, С.2317-2323.

46. Höchli U.Т. Dynamics of freezing electric dipoles // Phys. Rev. Lett. 1982. V.48., p. 1494-1497.

47. van der Klink J.J., Rytz D,, Borsa F. and Höchli U.T. Collective effects in a random-site electric dipole system: KTa03:Li. /У Phys. Rev. B. 1983. V.27, No.l, p.89-101.

48. Borsa P., Hochii U.T., van der Klink J.J. and Kytz D. Condensation of random-site electric dipoles: Li in KTa03 // Phys. Rev. Lett. 1980. V.45, p. 1884-1887.

49, Prater R.L., Chase L.L, and Boatner L.A, Raman scattering studies of the impurity-induced ferroelectric phase transition in KTaU3:Li. /7 Phys. Rev. B.

1 no 1 \T Мл 11 — £ПЛ/1 с

170i. V .Zj, INO.l 1, p.J7Ut-J7i J.

5u. Yacoby Y., Agranat A. and Ghana I. The response of the dielectric susceptibility to an external electric field around the phase transition temperature in Li:KTa03. // Solid State Commun. 1983. V.45, No.8, p.757-761.

51. Вугмейстер Б.Е. Природа диэлектрических аномалий в KTa03:Li во внешнем электрическом поле вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода 7/ ФТТ 1984. Т.26, вып. 11, с.1881-1883.

52. Chase L.L,, Lee Е., and Prater R.L. Brillouin spectra of K,_xLixTa03 under poled and zero-field-cooled conditions // Phys. Rev. B. 1982. V.26, No.6, p.2759-2764.

53. Смоленский Г.А., Сотников A.B., Сырников П.П., Ющин Н.К. Существование сегнетоэлектрической фазы в кристалле KTa03:Li /7 Письма в ЖЭТФ. 1983. Т.37, вып. 1, с.30-33.

С. Л Г Т7 rvr„m„„.. IV Д ТТ П'^т: —Л ТТ \Г,---------„..„„.Ч 0»Г7Г> с

jjji iviciioicp В.и,., i Jinniji 1У1.Д., ххсЧспши. rv.iJL. j шпрспис лпппм В

сегнетоэлектрической фазе, индуцированной дипольными примесями (KTa,_xNbxU3:Fe3+) // ФТТ 1989. Т.31, вып.2, с. 158-161.

55.Kamitakahara W.A., Loong С.К. and Ostrowski E.S. Time-dependent phase transformation in KTa03:Li /7 Phys. Rev, B, 1987, V.35, p,223-227,

56. Hochii U.T., Weibel H.E. and Boatner L.A. Extrinsic peak in the susceptibility of incipient ferroelectric KTa03:Li // Phys. Rev. Lett. 1978. V.45, No.20, p.1410-

л л л о

57. van der Klink J.J. and Khanna S.N. Off-center lithium ions in KTa03 // Phys. Rev. B. 1984. V.29, No.5, p.2415-2422.

58. Вугмейстер Б.Е., 1 линчук М.Д., Печеный А.I I. Локализованные диполь-ные моменты в сильно поляризуемых кристаллах ЬкКТаОз // ФТТ 1984. Т.26, вып. 11, с.3389-3396.

59. Вугмейстер Б.Е., Лагута В.В., Быков И.П., Кондакова И.В. Штарковское уширение линий ЭПР дипольными дефектами в сегнетоэлектриках (К, xLixTa03:Fe3+) // ФТТ 1987. Т.29, вып.8, с.2449-2454.

60.Вугмейстер Б.Е. и Глинчук М.Д. Сегнетоэлектричсский фазовый переход в кристаллах с нецентральными ионами // ФТТ 1979. Т.21, вып.4, с. 12631265.

61. Вихнин B.C. и Орлов О.Л. Эффекты взаимодействия примесных электрических диполеи с мягкими поперечными оптическими фононами // ФТТ

1 ЛП^ ^ г „ I * 1 л S

i96J. 1 .ZZ>, ВЫП. 1, C.^i-чо.

62. Вихнин B.C. Фазовые переходы, индуцированные нецентральными примесными ионами в сегнетоэлектриках// ФТТ 1984. Т.26, вып.З, с.906-909.

63. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д., Печеный А.П., Круляковский В.К. Взаи-

г/ 1 ? •> Г1 У X V

модействие дипольных дефектов в сегнетоэлектриках /У ЖЭТФ 1982. Т.82, вып.4, с.1347-1353.

64. Prosandeyev S.A. and Riabchinski A.I. A deviation from the Coulomb law for interacting microscopic impurities in a perovskite-iike lattice /'/' JVPhys.: Condens. Matter. 1996. Y.8, p.505-516.

65. Глинчук М.Д. и Смолянинов И.М. Особенности взаимодействия упругих диполей и индуцированные переходы в виртуальных сегнетоэлектриках // ФТТ 1988. Т.ЗО, вып.4, с.1197-1199.

66. David T.G, Dielectric properties and soft modes in the ferroelectric mixed crystals K,.xNa4Ta03 /'/' Phys. Rev. B. 1972. V.5, No.7, p.2530-2537.

67. van der К link J.J. and Rytz D. Nature of the phase transition in K,_xNaxTa03 // Phys. Rev. B. 1983. V.27, p.4471-4474

68. Rigamonti A. and Torre S. Crossover from relaxational to resonant tunneling dynamics for random-site interacting dipoles in (K,_xNax)TaQ3 // Phys. Rev. B. 1986. V.33, No.3, p.2024-2026.

69. Lanzi G., Milani P., Samoggia G., Maglione M. and Hochli U.T. Soft-mode spectroscopy and pyroelectricity in KTa03:Na // Phys. Rev. B. 1987. V.36, No.2, p. 1233-1237.

70. Azzini G.A., Banfi G.P., Giulotto E. and Hochli U.T. Second-harmonic generation and origin of polar configuration in KTa03:Li // Phys. Rev. B. 1991. V.43, No.10, p.7473-7480.

Jl.Voigt P. and Kapphan S. Experimental study of second harmonic generation by dipolar configurations in pure and Li-doped KTa03 and its variation under electric field. // J. Phys. Chem. Solids 1994. V.55, No.9, p.853-869.

72. Voigt P., Kapphan S., Oliveira L. and Maximo Siu Li Second harmonic generation and thermally stimulated depolarization current investigation of LixK|. xTa03. // Radiation effects and defects in solids 1995. V.134, p.229-232.

73. Stachiotti M.G., Migoni R.L. and Hochli U.T. The validity of the non-linear shell model for localized dipole moments in LixKi_xTa03. // J.Phys.: Condens. Matter 1991. V.3, p.3689-3695.

'la 4+or»hijf\ttÍ IV/1 ( t ÍVÍÍ (jrvn* ^ I К лЬапл^ I япй ¡-То^Ы* I T Т Т íwxt-t^tyíy\/^r*ckfiítv*

/ » • kJtUVinV/Ui lVi.4J»j J.VxigUili iV.XJ.j ÍWilUiiVi.JL J .5 ШШ JL IVViiii i ♦ JUV ¥ V -|-Vii¿pViCllUj.V

phase in LixK,.xTa03. // Fcrroelectrics 1994. V.157, p.335-340.

75.Toulouse J.» Vugmeister B.E, and Pattnaik R. Collective Dynamics of Oíi-Center Ions in К\.хЫхТаОз: A Model of Relaxor Behavior. // Phys. Rev. Lett.

1QO/I V HI "NT/-. ТС - ОЛ^П 1ЛП(\ 177t. V . / J, nu.z,j, p.JHU / -J4 / u.

76. Смоленский Г.А., Аграновская A.M. Диэлектрическая поляризация и потери некоторых соединений сложного состава /У ЖТФ 1958. Т.28, с. 1491-1493.

77. Смоленский Г.А., Исупов В.А., Аграновская А.И. Новые сегнетоэлектри-ки сложного состава тина А~+ (В^ B¡¡+ )06 // ФТТ 1959. Т.1, с.170-171.

78. Смоленский Г.А., Исупов В.А., Аграновская А.И., Попов С.Н. Сегнето-электрики с размытым фазовым переходом // ФТТ I960. Т.2, с.2906-2918.

79. Боков В.А. и Мыльникова И.Е. Электрические и оптические свойства монокристаллов сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом // ФТТ

1QÍ.1 ХЗ qyn т, с 84i_Rss

i. ^ V/ А . А • ^ JJiJAiA * —У 2 V.\J I i V/^ к/ •

80. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics // Ferroelectrics 1987. V.76, p.241-267.

81. Stenger C.G.F., Schölten FX. and Burggraat A.J. Ordering and diffuse phase transitions in Pb(Sco.5Tao.5)03 ceramics /'/' Solid State Comm. 1979. V.32, p.989-992.

82. Боков В.А. и Мыльникова И.Е. Сегнетоэлектрические свойства монокристаллов новых соединений со структурой перовскита // ФТТ 1960. Т.2,

п 979Й от'зо C.Z / /

83. Филипьев B.C., Куприянов М.Ф., Фесенко Е.Г. Получение и исследование сложных соединений типа АгВЪ^Об /У Кристаллография 1963. Т.8, вып.5, с.790-791.

84. Филипьев B.C., Фесенко Е.Г Структурные изменения и аномалии электрических свойств при фазовом переходе в РЬ2Со\УОб // Кристаллография 1964. Т.9, вып.2, с.293-295.

85. Смоленский Г,А., Аграновская А.И., Попов С.Н., Исупов В.А. Новые сег-нетоэлектрики сложного состава//ЖТФ 1958. Т.28, вып. 12, с.2152-12153.

86. Исупов В.А., Крайник H.H. Новые антисегнетоэлектрики со структурой типа перовскита, содержащие в октаэдрических узлах решетки редкоземельные ионы // ФТТ 1964. Т.6, с.3713-3715.

87. Куприянов М.Ф., Фесенко Е.Г. Получение и исследование соединений типа РЬ2В1В1ТОб // Кристаллография 1965. Т.10, с.246-247.

88. Боков В.А., Мыльникова И.Е., Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрики-антиферромагнетики // ЖЭТФ 1962. Т.42, вып.2, с.643-646.

89. Смоленский Г.А., Крайник H.H., Аграновская А.И. Антисегентоэлектри-ческие свойства некоторых твердых растворов на основе PbMgi^W ¡/2Ö3 // ФТТ1961.Т.З, с.981-990.

90. Заславский А.И., Брыжина М.Ф. Рентгеноструктурное исследование анти-сегнетоэлектрика Pb2Mg\V06-PbTi03. /7 Кристаллография 1962. Т.7, выи.5, с.709-717.

91. Раевский И.П., Малицкая М.А., Филиппенко В.П., Прокопало О.И., Башки ров Л. П., Кол ом и н Л.Г. Позисторный эффект в ферротанталате свинца и его твердых растворах с феррониобатом свинца // ЖТФ 1988. Т.58, в.6,

_ 1 1 А/ 1 1 АП

с. i i9o-i 1У0.

92. Блохин М.А., Шуваев А.Т. Исследование соединений со структурой пе-ровскита по рентгеновским спектрам. // Изв. АН СССР 1958. Т.22, №12, с.1453-1455.

93. Шуваев А.Т. Исследование соединений со структурой перовскита по рентгеновским спектрам // Изв. АН СССР 1959. Т.23, №5, с.569-572.

94. Блохин М.А., Шуваев А.Т., Исследование соединений со структурой перовскита по рентгеновским спектрам. /У Изв. АН СССР 1962. Т.24, №3, с.429-432.

95. Шуваев А.Т., Демехин В.Ф. Исследование K-спектров поглощения кальция в некоторых соединениях //Изв. АН СССР 1961. Т.25, №8, с.992-993.

96. Журавский Е.А., Кривицкий В.В., Шевченко Л.В., Бондаренко Т.Н. Рентгеновские эмиссионные полосы титаната и кислорода в титанатах и рассчет зонной структуры SrTiO}. -В кн.: 50 лет отечественного рентгеновского приборостроения. Тез. докл. XII Всесоюзн. совещ. по рентгеновской спектроскопии. Л., 1978, с.79.

97. Швейцер И.Г., Мазурицкий М.И., Прокопало О.И., Спектры выхода фотоэффекта и электронное строение титанатов со структурой перовскита // ФТТ 1983. Т.25, №8, с.2273-2278.

98. Мазурицкий М.И. Энергетическое строение свободных электронных состояний титанатов сложных структур. -Дисс. ...канд. ф-м. Наук, Ростов-н/Д, РГУ, 1981, 154с.

99. Kahn А.Н., Leyendecker A.J., Electronic energy bands in strontium titanate. // Phys. Rev. 1964. V.135, No.5 A, p. A 1321- A 1325.

100. Немошкаленко В.В., Тимошевский А.Н., Теоретическое исследование зонной структуры и рентгеновских эмиссионных свойств кубического SrTiQ3. -В кн.: 50 лет отечественного рентгеновского приборостроения.

гр "ТТ'ТТ Т\ _ о тт Л Г\ГЧ с^

les. докл. ли ьсесоюзн. совещ. по рентгеновской спектроскопии, л., iv/o, с.79.

101. Тимошевский А.Н. Исследование энергетического спектра валентных электронов некоторых соединений титана с пространственной группой О^. -Дисс. ...канд. ф-м. Наук. -Киев, 1982, -107с.

102. Nemoshkalenko V.V., Timosbevskii A.N. The peculiarities of the electronic structure ofBaTiOs in the ATi03 (A=Ca,Sr,Ba) series. // phys. s tat. sol. (b) 1985. V.127, p. 163-173.

103. Немошкаленко B.B., Тимошевский A.K., Антонов B.H. Электронное строение окислов титана со структурой перовскита в кубической фазе, // ДАН СССР 1982. Т.268, №1, с.72-78.

104. Mattheiss L.F. Energy bands for KNiF3, SrTi03, KMo03 and KTa03. // Phys. Rev. В 1972. V.6, No.12, p.4718-4740,

105. Mattheiss L.F. Crystal field effects in the tight-binding approximation: Re03 and perovskite structure // Phys. Rev. В 1970. V.2, No.10, p.3918-3935.

106. Michel-Calendini F.M. and Mesnard M.G. Structure de bande du titanate de barium dans sa phase cubique. // Phys. stat. solidi (b) 1971. V.44, No.2, p. К 117-122.

107. Richardson J.W., Kelly E.J., Soûles T.F., Vaught D.M., Energy structure of SrTi03 by a self-consistent-field tight-binding calculation. // Bull. Am. Phys. Soc. 1971. V.16, No.3, p.371-376.

108. Soûles T.F., Kelly E.J., Vaught D.M. and Richardson J.W Energy structure of SrTi03 by a self-consistent-field tight-binding calculation. // Phys. Rev. B. 1972. V.6, N'o.4, p.1519-1532.

109. Michel-Calendini F.M., Pertosa P., Metrat G., Electronic structure of AB03 perovskites: ESCA experiments and band structure for BaTi03, KNb03 and KTa03..// Ferroelectrics 1978. V.21, No. 1-4, p.637-639.

110. Chermette H., Michel-Calendini F.M., Pertosa P., Weber J. SCF-MS Xa study of the ionization energies and atomic population of an octahedral Ta067 cluster. H Chem. Phys. Lett. 1979. V.65, No.2, p.385-389.

111. Michel-Calendini F.M., Chermette H., Weber J. Molecular orbital studies of ABQ3 perovskites by the SCF-MS-X method local densities of states, chemical bonding and optical transitions /7 J. Phys. С 1980. V.13, No.8, p. 1427-1441.

112. Розова M.H., Онопко Д.Е., Титов C.A., Костиков Ю.П., Электронная структура титаносодержащих леровскитов (Расчет методом PB Ха). /7 ФТТ 1981, Т.23, вып.6, с. 1704-1710.

113. Розова M.IL, Онопко Д.Е., Титов С.А., Костиков Ю.П., Электронное строение цирконагов и ниобатов со структурой перовскита // Ж. структ. химии 1982, Т.23, вып.5, с.61-65.

114. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. -М.:Мир, 1978, 662с.

115. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. -М.:Мир, 1983, в двух томах, T.I. -381с.; Т.2. -332с.

116. Wolfram Т. Two-dimensional character of the conduction bands of d-band perovskites. // Phys. Rev. Lett. 1972. V.29, No.20, p.1383-1386.

iL I. vvuiiiam x., ij/iiiaiuOgiU o. lviuuti uic /v-iay piiuiucict/uOii uisuiuuuun u± O-

perovskites //Phys. Rev. В» 1979. V.19, No.l, p.43-46.

118. Ellialtioglu S., Wolfram T. Electron density of state for the perovskites // Phys. Rev. B. 1977. V.15, No. 12, p.5909-5911.

119. Wolfram Т., Ellialtioglu S. Density of states and partial-density-of-states functions for the cubic d-band perovskites. //

i^liys. Rev. B. 1982. V.25, No.4,

p.2697-2714.

120. Wolfram Т., Sutsu L. X-dependence of the electronic properties of cubic

Ма WA. /'/' Р'Илге W I ÜVS \/ '41 ]\ir> 10 t-> 7А8А.7АЙ7

i f* 3 ' ' ' '' • AW ¥ . » >. I У VJ ^J . * .^i, ! IVi. I —.. ( WUU i UU i .

121. Вольфрам Т., Эллиалтиоглу С., Поверхностные состояния и на перовски-тах с d-зоной, -В кн.: Теория хемосорбции / под редакцией Дж. Смита. -М.:Мир, 1983, с.211-255.

122. Akahane Т., Hoffman K.R., Chiba Т., Berko S. Fermi surface and conduction electrons of Nao.64WT03 by two-dimensional angular correlation of position annihilation radiation. // Solid State Commun. 1985. V.54, No.9, p.823-826.

123. Kopp L., Harmon B.N., Liu S.H. Band structure of cubic NaxW03. // Solid State Commun. 1977. V.22, p.677-679.

124. Hannon D.M. Electron paramagnetic resonance of Fe3+ and Ni3+ in КТаОз /7 Phys. Rev. 1967. V.164, No.2, p.366-371.

125. Wessel G. and Goldick H. Electron spin resonance of iron-doped КТаОз H J. Appl. Phys. 1968. V.39, c.4855-4856.

126. Трепаков В.А., Бабинский А.В., Давыдов А.В., Сырников П.П., Ястрабик Л. Вибронная структура спектров флуоресценции Сг3+ // ФТТ 1984. Т.26, с.3131-3138.

127. Быков И.П., Лагута В.В., Глин чу к М.Д., Кармазин А. А., Сырников Г1.П Спектры ЭПР Си2+ в КТаОэ // ФТТ 1985. Т.27. с.3586-3589.

128. Быков И. П., Глин чу к М.Д., Кармазин А.А., Лагута В.В. ЭПР исследование аксиальных центров Fe3+ в КТаОз /У ФТТ 1983. Т.25, вып. 12, с.3586-3589.

129.Trepakov V., Smuthny Г., Vikhnin V., Bursian V., Sochava L., Jastrabik L. and Syrnikov P. The effect of local ordering in з. sysiviTi of dciccis in weakly doped KTa03: dielectric anomalies and their origin. // Radiation effects and defects in solids. 1995. V.134. p.325-328.

130.Trepakov V., Smuthny F., Vikhnin V., Bursian V., Sochava L., Jastrabik L. and Syrnikov P. The effect of defect system ordering in a weakly doped incipient ferroelectric (KTa03): dielectric manifestation. // J.Phys.: Condens. Matter 1995. V.7, p.3765-3777. 1995. V.134. p.325-328.

131.Laguta V.V., Glinchuk M.D., Bykov LP., Rosa J., Jastrabic L., Klein R.S., and Kugel G.E. Photochromic centers and impurities in nominally pure КТаОз and K,.xLixTa03 // Phys. Rev. B. 1995. V.52, No. 10, p.7102-7107.

132. Pechenyi A.P., Glinchuk M.D., Azzoni C.B., Scardina F. and Paleari A. EPR evidence of extrinsic symmetry-breaking defects in nominally pure КТаОз H Phys. Rev. B. 1995. V.51, No. 18, p. 12 165-12 169

133.Laguta V.V., Glinchuk M.D., Bykov LP., Rosa J., Jastrabic L., Klein R.S., and Kugel G.E. Photochromic centers and impurities in nominally pure КТаОз and K,.xLixTa03 //Phys. Rev. B. 1995. V.52, No.10, p.7102-7107.

134. Reyher H.-J., Faust В., Kading M., Hesse H., Ruza b. And Wohlecke Optical aligment of axial Fe centers in KTa03. // Phys. Rev. B. 1995. V.51, No. 10, p.6707-6710,

135. Кулагин H.A., Ландарь C.B., Подус Л.П., Литвинов Л.А., Апанасенко А.Л., Зайцева Ю.В., Машкевич О.Л., Толок И.В. Изучение дефектов роста в

/ / Т ГЛ.1Т/» 1 ПП 1 гг А .У 1 (» Г> _ Л АЛ

монокристаллахтитаната стронция. // уфж 1981. i.zo, j№z, с.ЗОУ-jiz.

136. Кулагин Н.А. Дефекты и центры окраски в монокристалах титаната стронция. // ФТТ 1983. Т.25, №11, с.3392-3397.

137. Aguiliar М., Valence states of cobalt in BaTiu3i aaEPR study. /7 Solid State Commun. 1984. V.50, No.9, p.837-840.

138. Blazey K.W., Cabrera J.M., Muller K.A. Oxygen vacancy - transition metal-ion impurity association in SrTi03. // Solid State Commun. 1983. V.45, No.10, p.903-906.

ijy. Diaz,ey iv. vv ., iviUJier iv.A. raiania^iicnu lcsuiicuivc auu upuuai aubuipuuii ui

Co4' in SrTi03. // J.Phys. C.: Solid State Phys. 1983. V.16, p.5491-5502.

140. Blazey K. W., Weibel H. Optical absorption spectra of reduced transition-metal ion-doped SrTi03 // J.Phys.Chem.Solids 1984. V.45, No.8/9, p.917-922.

141. Faughnan B.W. Photochromism in transition-metal-doped SrTi03. // Phys. Rev. В 1971. V.4, No. 10, p.3623-3636.

142. Siegel E. and Muller K.A. Structure of transition-metal-oxygen-vacancy pair centers //'Phys. Rev. В 1979. V.19, p. 109-120.

143. Blazey K.W., Schirmer O.F., Berlinger W. and Muller K.A. Identification of Fe4+ and Реэ+ charge-transfer photochromic absorption bands in SrTi03 // Solid State Commun. 1975. V.16, p.589-592.

144. Chan N.-H., Sharma R.K. and Smyth D.M. Nonstoichiometry in undoped BaTi03. // J.American Cer. Soc. 1981. V.64, No.9, p.556-562.

145. Chan N.-H., Sharma R.K. and Smyth D.M. Nonstoichiometry in SrTi03 /7 J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and technology 1981. V.I 28, No.8, p.1335-1350.

146. Фи сен ко A.B. Электронная структура точечных дефектов в оксидах семейства перовскита и их оптические и электрофизические свойства. -Дисс. ...канд. ф-м. Наук, Ростов-н/Д, РГУ, 1986, 210с,

147.Макеимов С.М., Прокопало О.И., Раевский И.П., Просандеев С.А., Фи-сенко А.В., Саченко В.П. Экспериментальное и теоретическое исследование энергетических уровней собственных дефектов в оксидах АВОз семсйс тваперовскита//ФТТ 1985. Т.27, вып.З, с.917-919.

148. Michel-Calendini F.M, Moretti P., Electronic structure of Co(II) and Co(III) impurities in cubic perovskites hosts. // Phys. Rev. В 1983. V.27, No.2, p.763-770.

149. Michel-Calendini F.M Electronic structure and term energy calculations for cubic and axialiron defects in SrTiQ3 // Solid State Commun. 1984. V.52, No.2, p. 167-182.

150. Michel-Calendini F.M, Halid L., Godefroy G., Chermette H. Cubic to tetragonal phase transition effects on the electronic structures of pure and iron barium titanate. // Solid State Commun. 1985. V.54, No.ll, p.951-956.

151. Selrne M.O., Pecheur P. and Toussaint G. A tight-binding study of energy levels of iron in SrTiCb /7 J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. V.17, 5185-5196.

152. Гегузин И.И., Ковтун А.П., Колесников В.В., Положенцев Е.В., Саченко В.П., Гагарин С.Г. Кластерный подход к проблеме рентгеновских спектров идеальных и дефектных кластеров. -В кн.: 50 лет отечественного рентгеновского приборостроения. Тез. докл. XII Всесоюз. совещ. по рентгеновской спектроскопии.

153. Максимов С.M., Фисенко A.B., Просаидеев С.А. Экспериментальное исследование электронной структуры кислородных вакансий в оксидах АВО3 семейства перовскита. -кн. Четвертое Всесоюзное совещание по химии твердого тела ( дефекты структуры и свойства керамики ). 11-13 июня 1985 г. Тезисы докладов, часть 2. Свердловск, 1985, с. 18.

154.Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. -М. : Наука 1968, 464с.

155. Бурейан Э.В. Нелинейный кристалл: титанат бария. -М.Наука 1974, -

296с,

156. Ту реви ч В.М. Электропроводн ость сегнетоэлектриков. -М:Изд. Комитета Стандартов 1969, 384с.

157. Прокопало О.И. Точечная дефектность, электропроводность и энергетические спектры электронных уровней окислов семейства перовскита. // ФТТ 1979. Т.21, вып.9, с.3075-3078.

158. Seuter A.M.J.H. Defect chemistry and electrical transport properties of barium titanate // Philips Res. Repts., Sappl. 1974, No.3, p. 1-84.

159. Прокопало О.И. О механизме электропроводности титаната бария // Изв. АН СССР сер. физ. 1971, Т.35, вып.9, с. 1956-1960.

160. Валеев Х.С., Квасков В.Б. Нелинейные металлоксидные полупроводники -М.:Энергоиздат 1983, 160с.

161. Прокопало О.И., Раевский И.П. Электрофизические свойства оксидов семейства перовскита -Изд. РТУ 1985, 104с.

162. Daniels T., Hardtl К.Н. Electrical conductivity at high temperatures of donor doped barium-titanate ceramics // Philips Res. Repors. 1976. V.31, p.489-504.

163. Приседский В.В., Третьяков Ю.Д. Химия точечных дефектов в оксидном сегнетоэлектрике // Изв. АН СССР сер. Неорганические материалы 1982, Т. 18, вып.12, с.1926-1938.

164. Приседский В.В., Шишковский В.Н., Климов В.В. Электропроводность цирконата-титаната свинца в газовых средах с различным парциальным давлением СЬ. // Изв. АН СССР сер. Неорганические материалы 1976. Т.12, вып.7, с. 1268-1271.

165. Eror H.G., Balachandran V. High-temperature defect structure of acceptor-doped strontium titanate // J.Amer.Soc. 1982. V.65, No.9, p.426-431.

166.Крылов Е.И., Дмитриев И.А., Стрелина M.M. О термическом разложении метаниобатов калия и натрия // Неорганическая химия 1962, Т.7, вып.2, с.803-807.

167. Заянчковский З.Б. Особенности восстановления кристаллов со структурой типа перовскита. -В кн.: Структура и свойства сегнегоэлектриков. Рига: Изд. Латвийского госун-та им. П. Случки 1983, с.71-78.

168. Jonker G.H., Hawinga Е.Е. The influence of foreign ions on the crystal lattice of barium titanate, // Mat. Res. Bull. 1982. V.17, p.345-350.

169.Grenier P., Bernier G., Jandl S., Salce B. and Boatner L.A. Fluorescence and ferroelectric microregions in КТаОз // J.Phys.: Condens. Matter 1989. V.l, p.2515-2520.

170.Jandl J., Banvile M., Dufour P. and Coulombe S. Infrared study of oxygen vacancies in KTa03 /7 Phys. Rev. B. 1991. V.43, No. 10, p.7555-7560.

171.Fischer C., auf der Horst C., Voigt P., Kapphan S. and Zhao J. I.uminicence and optical second harmonic generation by dipolar microregions in KTa03. // Radiation effects and defects in solids. 1995. V.l36, p.85-89.

172. Просандеев C.A., Фисенко A.B., Саченко В.П. Электронное строение основных дефектов в кристаллах со структурой перовскита // УФЖ 1984. Т.29, №9, с. 1338-1341.

173. Fisenko A.V., Prosandeev S.A., Sachenko V.P., Electronic structure of intrinsic point defects in perovskite type crystalls // Phys. Status Solidi (b) 1986. V.137, No.l, p. 187-197.

174. Selme M.O. and Pécheur P. A tight-binding model of the oxygen-vacancy in SrTi03 // J.Phys. C: Solid State Phys. 1983. V.16, p.2559-2568.

175. Просандеев С.А., Тесленко H.M., Фисенко A.B. Нарушение симметрии одноэлектронных орбиталей электронов вблизи кислородной вакансии в оксидах семейства перовскита // Изв. АН СССР сер. физич. Т.57, №6, с.69-72.

176.Prosandeyev S.A., Teslenko N.M. and Fisenko A.V. Breaking of symmetry of one-electron orbitals at oxygen vacancies in perovskite-type oxides // J.Phys.: Condens. Matter. 1993. V.5, p.9327-9344.

177. Борн M., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. -М.:Изд. Иност. Литературы, 1958, 488с.

178. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела -МгНаука, 1978, 790с.

179. Slater J.C. The Lorentz correction in barium titanate /V Phys. Rev. 1950. V.78, No.6, p.748-761.

180. Машкевич B.C., Толпыго К.Б. Электрические, оптические и упругие свойства кристаллов типа алмаза // ЖЭТФ 1957. Т.32, с.520-525.

181. Dick B.G., Owcrhauser Theory of the dielectric constants of alkali halide

- 1 / / ТЛ1 T\ 1 ЛГО T r 1 1 л лл

crystals // rnys. Kev. 1уэ8. v.ii2, c.vu.

182. Stachiotti M.G. and Migoni R.L. Lattice polarisation around off-centre Li in LixK,.xTa03. //J.Phys.: Condens. Matter 1990. V.2, p.4341-4350.

183. Mahan G.D. Local-field correction to Coulomb interections // Phys. Rev. 1967. V.153, No.3, p.983-988.

184. Smith E.R. The dielectric constant of a lattice of polarisable spheres // J.Phys. A: Math Gen. 1980. V.13, L107-L110.

185. Wielopolski P. Effective field of a dipole in a lattice of polarisable spheres // J.Phys. A: Math Gen. 1981. V.14, L263-L266.

186.Просандеев С.А. Стабилизация дипольного состояния полярона вблизи кислородной вакансии в оксидах семейства перовскита. // ЖЭТФ 1996. ТЛЮ, вып.4(10), с. 1355-1377.

187. Prosandeyev S.A. and Tennenboum I.M. Localization of electrons in LaCuO.^ and BaPbo.75Bio.2503.8 // J.Phys.: Condens. Matter 1994. V.6, p.7013-7025.

188. Shirmer O.F., Berlinger W. and Muller K.A. Holes trapped near Mg2' and Al3+ impurities in SrTi03 // Solid State Commun. 1976. V.18, p. 1505-1508.

189. Donnerberg H. Geometrical microstructure of Fe^b - Va defects in KNb03. // Phys. Rev. B. 1994. V.50, No.13, p.9053-9062,

190. V.V.Laguta, M.I.Zaritskii, M.D.Glinchuk and I.P.Bykov Symmetry-breaking Ta4+ centers in KTa03 // Phys. Rev. B. 1998. V.58, No.l, p. 156-169.

191. Schafschwerdt R., Schirmer O.F., Krose H. and Kool Th. W. Oxygen vacancy related defects in BaTi03 // FeiToelectrics 1996. V.185, p.9-12.

192. Schafschwerdt R., Mazur A., Schirmer O.F., Hesse 11. and Mendricks S. Oxygen vacancies in BaTi03 // Phys. Rev. В 1996. V.54, No.21, p. 15 284-15 290.

193. Prosandeyev S.A., Chervonobrodov S.P., Tennenboum l.M. Scattering of electrons at the F-center in oxides of the perovskite family .// Ferroelctrics 1994. V. 153, p.279-284.

194. Просандеев С.А., Фисенко А.В., Саченко В.П., Куприянова II.М. Электронная структура точечных дефектов в оксидах переходных элементов // УФЖ 1987. Т.32, вып. 11, с. 1690-1698.

195. Просандеев С.А., Фисенко А.В., Небогатиков Н.М. Парциальные плотности состояний, функции Грина и электронная структура точечных дефектов в альтернантных соединениях // ФТТ 1987. Т.29, вып.9, с.2600-2604.

196. Coulson С.A., Longuet-Higgins H.C. The electronic structure of conjugated systems. I. General theory // Proc. Roy. Soc. 1947. V.191, Sec.A, No. 1024, p.39-60.

197. Бочвар Д.А., Станкевич И.В., Чистяков А.Л., Схемы уровней реально-альтернантных систем. //Ж.физич. химии. 1961. Т.35, №6, с.1337-1342.

198. Ребане Т.К. Обобщение понятия альтернантных сопряженных молекул // Вестник ЛГУ. Сер. физики и химии. 1963. №22, вып.4, с.30-34.

199. Ребане Т.К. Спектр энергий электронов в неупорядоченных альтернантных структурах /У ФТТ 1986. Т.28, вып.5, с.1368-1369.

200. Браун П.А. О спектре энергий электронов в неупорядоченных альтернантных структурах//ФТТ 1986. Т.28, вып.6, с. 1914-1916.

201. Просандеев С.А. Электронное строение и физические свойства ионно-ковалентных кристалл ов. -Ростов-н/Д: Изд. РГУ, 1990, 188с

202. Дьяконов В.П. Справочник по алгоритмам и программам на языке Бейсик для персональных ЭВМ. -МгНаука, 1989, 239с.

203. Уилкинсон, Райнш Справочник алгоритмов на языке АЛГОЛ. Линейная алгебра. -М¡Машиностроение, 1976, 389с.

204. Prosandeev S.A., Tarasevich Yu.Yu. and Teslenko N.M, LCAO calculation of the electronic structure of PbTiOi and РЬ2гОз /У Ferroelectrics 1992. V. 131, p. 137-140.

205. Ткаченко E.B., Лыкова Л.Н., Кругл я шов А.Л., Паромова М.В. Природа проводимости скандатов бария и ее зависимость от состава соединений и термодинамических параметров среды. // Изв. АН СССР сер. неорг. матер. 1979. V. 15, с.903-904.

206. Lecomte J, Loup J.P., Bosser G., Hervieu M. and Raveua B. Defect structure and electrical conductivity of niobate with related perovskite-type structure // Solid State Ionics 1984. V.12, p.l 13-118.

207. Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Baryshnikov A.V. and Bacharev V.N. The connection between electron spectrum parameters and ferroelectric parameters in displacive ferroelectrics /'/' Ferroclectrics 1978. V.2I, No. 1-4, p.393-394.