Исследование коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол методами вольтамперометрии и эквивалентометрии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.03, кандидат химических наук Румянцев, Виктор Александрович
- Специальность ВАК РФ05.17.03
- Количество страниц 126
Оглавление диссертации кандидат химических наук Румянцев, Виктор Александрович
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Природа стеклообразного состояния диэлектриков и полупроводников.
1.2. Особенности строения оксидных и халькогенидных стекол.
1.3. Области стеклообразования и диаграммы состояния металлсодержащих теллуридных и селенидных систем.
1.3.1. Система таллий - германий - теллур.
1.3.2. Система таллий - мышьяк - теллур.
1.3.3. Система медь - мышьяк - теллур.
1.3.4. Система медь - мышьяк - селен.
1.3.5. Система таллий - мышьяк - селен.
1.3.6. Система таллий - мышьяк - селен - теллур.
1.4. Особенности химического растворения халькогенидных стекол.
1.4.1. Химическая и коррозионная стойкость металлов и полупроводников.
1.4.2. Кинетика химического растворения стеклообразных халькогенидов.
1.4.3. Дифференцирующее растворение - химический метод фазового анализа твердых веществ.
1.4.4. Селективное растворение стекол и поликристаллов в органических и неорганических растворителях.
1.5. Вольтамперометрическое исследование халькогенидных стекол.
1.5.1. Теоретические основы и разновидности вольтамперометрии.
1.5.2. Локальный электрохимический анализ.
1.5.3. Пастовая технология вольтамперометрии.
1.5.3.1. Особенности электродов из углеродистых материалов.
1.5.3.2. Типы электродных реакций на УПЭЭ.
1.5.3.3. Применение УПЭЭ в фазовом анализе и при определении степени окисления элементов.
1.6. Краткие выводы по обзору литературы и постановка цели работы.
Глава 2. ЭКВИВАЛЕНТОМЕТРИЯ ТАЛЛИЙСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ
СТЕКОЛ.
2.1. Химический эквивалент и его использование в качестве параметра для оценки особенностей строения стекол.
2.1.1. Методика эквивалентометрии халькогенидных стекол при их растворении в растворе щелочи.
2.1.2. Качественный анализ продуктов растворения стекол систем
Т1 - As - Se и TlAsSe2 - TlAsTe2 в растворе КОН.
2.2. Результаты эквивалентометрического исследования халькогенидных стекол.
2.2.1. Химический эквивалент стекол системы Т1 - As - Se.
2.2.2. Химический эквивалент стекол системы TlAsSe2 - TlAsTe2.
Глава 3. ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЯ ТАЛЛИЙ- И МЕДЬСОДЕРЖАЩИХ
ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ.
3.1. Методические основы вольтамперометрии стеклообразных полупроводников.
3.1.1. Методика вольтамперометрии массивных образцов стекол.
3.1.2. Методика вольтамперометрии стекол с использованием пастового электрода.
3.2. Результаты вольтамперометрического исследования халькогенидных стекол.
3.2.1. Вольтамперометрия стекол системы Т1 - Ge - Те.
3.2.2. Вольтамперометрия стекол системы Т1 - As - Те.
3.2.3. Вольтамперометрия стекол системы Т1 - As - Se (сечение As2Se3 - Tl2Se).
3.2.4. Вольтамперометрия стекол системы Т1 - As - Se - Те сечение TlAsSe2 - TlAsTe2).
3.2.5. Вольтамперометрия стекол системы Си - As - Те.'.
3.2.6. Вольтамперометрия стекол системы Си - As - Se.
ВЫВОДЫ.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Технология электрохимических процессов и защита от коррозии», 05.17.03 шифр ВАК
Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te,Tl-Ge-Te,Cu-As-Te,Cu-As-Se в условиях их коррозии2007 год, кандидат химических наук Антонова, Наталья Евгеньевна
Влияние химических и фазовых равновесий на средний порядок и физико-химические свойства халькогенидных стекол1998 год, доктор химических наук Фунтиков, Валерий Алексеевич
Электропроводность и природа проводимости металлсодержащих халькогенидных стекол1984 год, кандидат химических наук Соколов, Иван Аристидович
Процессы переноса и структура стеклообразных твердых электролитов2005 год, доктор химических наук Соколов, Иван Аристидович
Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников2007 год, доктор химических наук Козюхин, Сергей Александрович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол методами вольтамперометрии и эквивалентометрии»
Актуальность работы. На протяжении многих десятков лет проблема коррозии металлов была и остается одной из основных и важнейших в современной химии. Поскольку так до сих пор и не найдено универсального действенного средства, которое раз и навсегда покончит с коррозией, эта тема нисколько не утрачивает своей актуальности.
Количество научных работ, посвященных самым разным аспектам коррозии и методам борьбы с ней, с каждым годом только увеличивается. Вместе с тем очень мало уделяется внимания проблемам коррозии в химически агрессивных средах и проблемам электрохимической коррозии кристаллических и стеклообразных полупроводниковых сплавов, без которых немыслим прогресс в современной электронике и оптике. В особенности это касается стеклообразных полупроводниковых сплавов, у которых впереди большое технологическое будущее. Очень мало работ посвящено химической коррозии стеклообразных полупроводников и практически отсутствуют работы, связанные с электрохимической коррозией указанных материалов. Здесь, помимо проблем самой коррозии, свой отпечаток накладывает специфика объекта исследования. Достаточно лишь сказать, что до сих пор нет четкого определения понятия стекла и нет единой теории его строения.
Интерес к халькогенидным полупроводниковым стеклам возник уже достаточно давно. Широкий поиск в этом направлении сильно стимулировался интересом к средам, прозрачным в инфракрасной области спектра, средам для записи информации, а также их отличительными свойствами, например, существованием двух состояний проводимости. В настоящее время, в связи с бурным развитием высоких технологий, интерес к халькогенидным стеклам усилился. Они уже нашли применение как резисторы в некоторых специальных случаях, например в качестве термисторов в управляющих схемах ядерных реакторов. Халькогенидные полупроводниковые стекла широко используются в инфракрасной оптике, лазерной технике, в системах копирования бумажных носителей информации, в стекловолоконной связи. Благодаря имеющимся у этих стекол трем замечательным свойствам - фотостимулированному изменению поглощения и показателя преломления, фотокристаллизации и различию между темновой и фотопроводимостью -это весьма перспективные материалы для создания оптических запоминающих устройств нового поколения.
До настоящего времени, в связи с практическим применением халькогенидных стекол, их исследование часто ограничивалось изучением физических свойств. Из химических свойств систематически исследована только кинетика химического растворения в растворах щелочей и отчасти в растворах окислителей, сульфидов щелочных металлов и органических веществ. Нами предложено переместить акцент в направлении применения химических и электрохимических методов для исследования стекол. Электрохимические методы анализа уже достаточно давно и заслуженно относятся к группе незаменимых и продолжают интенсивно развиваться. Интерес к этим методам, и в частности к вольтамперометрии, обусловлен тем, что электрохимические методы дают возможность сравнительно просто получить широкую информацию о кинетике электродных процессов, фазовом, элементном составе и дефектности твердых тел, о составе исследуемых растворов. Одно из наиболее ценных качеств этих методов - высокая чувствительность. В настоящее время вольтамперометрия оказалась вполне конкурентоспособной по отношению к известным физическим методам анализа, что обусловлено сравнительно низкой стоимостью одного определения, достаточной простотой и доступностью аппаратной части и качеством получаемой информации.
Вольтамперометрия относится к классическим методам исследования и включает в себя различные электрохимические методы анализа, основанные на изучении поляризационных или вольтамперных кривых, то есть кривых зависимости силы проходящего через раствор тока от напряжения между индикаторным электродом и неполяризуемым электродом сравнения. Ни один из вольтамперометрических методов ранее не применялся для исследования стеклообразных объектов.
Химические и электрохимические методы могут дать информацию о строении стекол, не вполне доступную физическим методам. Это должно быть ясно исходя из структурной ультрамикронеоднородности стекол на уровне среднего порядка, блочной структуры стекол. Блоки нанометрических размеров, или наноструктуры, в стеклах не обладают геометрическим порядком и вследствие этого для их исследования лучше должны подойти не физические, а химические методы. То обстоятельство, что химические связи между наноструктурами и внутри наноструктур не эквивалентны по энергии, приводит к возможности селективного вытравливания отдельных составных частей стекол.
Целью работы являлось исследование характеристик процессов химической и электрохимической коррозии халькогенидных стекол и экспериментальное подтверждение микронеоднородного строения стекол ранее не применявшимися химическими и электрохимическими методами.
В соответствии с поставленной целью были определены следующие главные задачи:
1. Показать возможность использования вольтамперометрии и эквивалентометрии для исследования процессов химической и электрохимической коррозии стеклообразных полупроводников и проведения физико-химического анализа тройных стеклообразных систем на примере селенидных и теллуридных металлсодержащих стекол и стеклокристаллов.
2. Разработать методики и подобрать условия химического и электрохимического селективного вытравливания из стеклообразной сетки отдельных наноструктур в процессе химической и электрохимической коррозии халькогенидных стекол.
3. Выявить возможные связи и закономерности между полученными экспериментальными вольтамперометрическими и эквивалентометрическими коррозионными характеристиками и качественным и количественным составом металлсодержащих халькогенидных стекол.
Научная новизна. Главные элементы новизны в диссертации:
1. Впервые методами эквивалентометрии, твердофазной и пастовой вольтамперометрии исследован характер химического и электрохимического растворения стеклообразных полупроводников в процессе их коррозионного разрушения.
2. Впервые показана возможность проведения физико-химического анализа полупроводниковых стекол в широком диапазоне составов с помощью вольтамперометрии. Установлена зависимость между составом стекол и вольтамперометрическими и эквивалентометрическими характеристиками их коррозионного разрушения в агрессивных средах.
3. Впервые установлена корреляция между концентрационными зависимостями вольтамперометрических и эквивалентометрических характеристик процесса коррозии стекол халькогенидных систем и особенностями их диаграмм состояния.
Основные защищаемые положения:
1. Методы вольтамперометрии и эквивалентометрии могут использоваться для оценки коррозионных характеристик халькогенидных стекол и проведения их физико-химического анализа.
2. Разработанные твердофазная и пастовая технологии вольтамперометрического исследования процесса электрохимической коррозии позволяют проводить вольтамперометрический анализ как низкоомных, так и высокоомных полупроводниковых стекол.
3. При химической и электрохимической коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол происходит вытравливание наноструктур на основе однотипных структурных элементов, связанных с элементными веществами и их устойчивыми соединениями. В областях эвтектических составов у халькогенидных стекол наблюдается смена структурно-химических особенностей наноструктур, из которых состоят их стеклообразные сетки.
Практическая значимость работы:
1. Установленные эквивалентометрические характеристики коррозии тройных таллийсодержащих халькогенидных стекол позволяют определить наиболее вероятные механизмы их химического коррозионного растворения в агрессивных средах. Полученные данные могут быть использованы при разработке химических методов обработки поверхности халькогенидных стекол, которые применяются для изготовления фоторезисторов, носителей информации, элементов копировальных устройств, стекловолоконной оптики, оптических фильтров и т. д.
2. Полученные коррозионные вольтамперометрические характеристики тройных таллий- и медьсодержащих стекол могут быть использованы при конструировании ионоселективных и других электрохимических датчиков на основе халькогенидных стекол.
3. Разработанные вольтамперометрические и эквивалентометрические методы исследования могут быть использованы как для получения структурно-химической информации о строении стекол, так и при соответствующей автоматизации для применения в процессах обработки и контроля качества поверхности стеклообразных полупроводников.
Апробация результатов работы. Основные положения и результаты работы были доложены и обсуждены: на постоянных научных семинарах Калининградского государственного университета (2001-2002 гг., Калининград, Россия), на VIII межвузовской научной конференции профессорско-преподавательского состава (2001 г., Калининград, Россия), на XIX Международной конференции по аморфным и микрокристаллическим полупроводникам (2001 г., Ницца, Франция), на XIX Международном конгрессе по стеклу (2001 г., Эдинбург, Шотландия), на I Амурской межрегиональной научно-практической конференции (2001 г., Благовещенск, Россия), на ХШ Международном симпозиуме по неорганическим стеклам ISNOG (2002 г., Пардубице, Чехия), на III-V Международной конференции молодых ученых и студентов (2002-2004 гг., Самара, Россия), на конференции по некристаллическим неорганическим материалам CONCIM-2003 (2003 г., Бонн, Германия), на V Всероссийской конференции по анализу объектов окружающей среды «ЭКОАНАЛИТИКА-2003» с международным участием (2003 г., Санкт-Петербург, Россия), на Международной научной конференции, посвященной 90-летию высшего рыбохозяйственного образования в России «Инновации в науке и образовании - 2003» (2003 г., Калининград, Россия), на конференции, посвященной памяти Норберта Крайдла NKMC-2004 (2004 г., Тренчин, Словакия), в межвузовском тематическом сборнике научных трудов «Актуальные проблемы неорганической и аналитической химии» (2005 г., Калининград, Россия).
Публикации. По материалам диссертации опубликовано 19 печатных работ.
Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 126 страницах, включает 14 таблиц и 38 рисунков. Список литературы насчитывает 130 наименований отечественных и зарубежных авторов.
Похожие диссертационные работы по специальности «Технология электрохимических процессов и защита от коррозии», 05.17.03 шифр ВАК
Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах2000 год, кандидат физико-математических наук Александрович, Елена Викторовна
Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений1984 год, кандидат физико-математических наук Кенгерлинский, Лятиф Юлдуз оглы
Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках2006 год, доктор физико-математических наук Кастро Арата Рене Алехандро
Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках2013 год, кандидат физико-математических наук Кожокарь, Михаил Юрьевич
Валентные состояния олова и физико-химические свойства оловосодержащих халькогенидных стекол на основе селенида мышьяка2012 год, кандидат физико-математических наук Дземидко, Игорь Альфредович
Заключение диссертации по теме «Технология электрохимических процессов и защита от коррозии», Румянцев, Виктор Александрович
выводы
1. Впервые методами вольтамперометрии и эквивалентометрии оценены коррозионные характеристики халькогенидных стекол и проведен физико-химический анализ металлсодержащих стеклообразных халькогенидных систем.
2. Разработана твердофазная технология вольтамперометрического исследования процесса электрохимической коррозии теллуридных низкоомных стекол. Показано, что характеристики вольтамперограмм стекол металлсодержащих систем Tl-Ge-Te, Tl-As-Te и Cu-As-Te связаны с селективным вытравливанием наноструктур стекол при их коррозионном электрохимическом растворении.
3. Разработана пастовая технология вольтамперометрического исследования процесса электрохимической коррозии селенидных высокоомных стекол. Установлено, что характеристики вольтамперограмм стекол металлсодержащих систем Tl-As-Se по сечению As2Se3-Tl2Se и Tl-As-Se-Te по сечению TlAsSe2-TlAsTe2 связаны с селективным электрохимическим вытравливанием наноструктур стекол на основе индивидуальных соединений.
4. Проведено эквивалентометрическое исследование стекол системы Tl-As-Se по сечениям As2Se3-Tl и As2Se3-Tl2Se и осуществлен качественный анализ продуктов коррозии стекол в щелочных растворах. Установлено, что стекла системы Tl-As-Se сечения As2Se3-Tl2Se с доэвтектическими составами в результате коррозионных процессов растворяются в щелочных растворах с выпадением осадка. Стекла с более высоким содержанием Tl2Se растворяются в растворах щелочи практически без остатка.
5. Показано, что на концентрационной зависимости молярных масс химических эквивалентов стекол системы Tl-As-Se сечения As2Se3-Tl2Se при их коррозионном растворении в растворах щелочи экстремумы соответствуют стеклам в областях эвтектики и соединения TlAsSe2. Сравнение экспериментальных и теоретических химических эквивалентов позволило установить области составов стекол, из которых в результате коррозионных процессов в щелочных растворах преимущественно селективно вытравливаются наноструктуры на основе соединений As2Se3 и TlAsSe2.
6. Сопоставление вольтамперометрических и эквивалентометрических результатов исследования коррозионных процессов при химическом и электрохимическом растворении металлсодержащих халькогенидных стекол продемонстрировало вытравливание наноструктур на основе однотипных структурных элементов, связанных с индивидуальными соединениями. Полученные данные указывают на то, что в областях эвтектических составов у стекол происходит смена структурно-химических особенностей наноструктур, из которых состоят их стеклообразные сетки.
Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Румянцев, Виктор Александрович, 2006 год
1. Аппен А. А. Химия стекла. Л.: Химия, 1970. - 352 с.
2. Химическая энциклопедия. Т. 4. М.: Изд-во «Большая Российская энциклопедия», 1995. - 639 с.
3. Химия твердого тела / Под ред. 3. У. Борисовой. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1965.-С. 12-16.•у
4. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. -302 с.
5. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986.-С. 137-295.
6. Funtikov V. A., Minaev V. S., Timoshenkov S. Р, Popov A., Popescu М., Shpotyuk О. I. Semiconducting Chalcogenide Glass I. London: Publishing House "Academic Press", 2004.-P. 97- 137.
7. Школьников E. В. О стеклообразующей способности расплавов вблизи эвтектических составов // Физ. и химия стекла, 1987. Т. 13. - № 1. - С. 145 - 149.
8. Фунтиков В. А. Влияние химических и фазовых равновесий на средний порядок и физико-химические свойства халькогенидных стекол: Автореф. дисс. докт. хим. наук. -СПб: СПбГУ, 1999.-34 с.
9. Лакшминараянайах Н. Мембранные электроды. Л.: Химия, 1979. - С. 267 - 268.
10. Мазурин О. В., Порай-Кошиц Е. А. О принципах разработки общей теории стеклообразного состояния // Физ. и химия стекла, 1977. Т. 3. - № 4. - С. 408 - 412.
11. Шульц М. М. Стекло: Структура, свойства, применение // Соросовский образовательный журнал, 1996. Т. 4. - №3. - Режим доступа: http://www.pereplet.ru/obrazovanie/stsoros/60.html.
12. Коломиец Б. Т. Халькогенидные стекла. Энергетический спектр и структура. В кн.: Стеклообразное состояние. - Л.: Наука, 1983. - С.82 - 86.
13. Борисова 3. У. Некоторые вопросы строения халькогенидных стекол по данным измерения электропроводности. В кн.: Стеклообразное состояние. - Ереван: Изд-во Армянской ССР, 1970. - Т. V, вып. I. - С. 89 - 94.
14. Дембовский С. А. Изменение электрических свойств халькогенидных стекол при переходе в кристаллическое состояние. В кн.: Стеклообразное состояние. - Ереван: Изд-во АН Армянской ССР, 1970.-Т. V, вып. 1.-С. 100 -103.
15. Фунтиков В. А. Структурные особенности халькогенидных стекол // Физ. и химия стекла, 1993. Т. 19. - № 2. - С. 226 - 233.
16. Насиров Я. Н., Заргарова М. И., Акперов М. М. Диаграмма состояния системы GeTe TI Те // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1969. - Т. 5. - № 9. - С. 1657 - 1658.
17. Кулиева Н. А., Бабанлы М. Б., Саттар-Заде И. С. Тройная взаимная система Т12Те + Ge = 2Т1 + GeTe // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1982. Т. 18. - № 5. - С. 764 - 768.
18. Борисова 3. У., Панус В. Р., Апыхтин Н. Н., Фокина Т. С. Стекла в системе Ge -Те Т1//Физ. и химия стекла, 1979.-Т. 5.-МЗ.-С. 308 - 313.
19. Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М., Соколова Н. Ф. Исследование системы GeTe Cu2Te // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1970. - Т. 6. - № 5.-С. 864- 867.
20. Борисова 3. У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1983. - 344 с.
21. Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. - 220 с.
22. Виноградова Г. 3. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. - 176 с.
23. Орлова Г. М., Панус В. Р., Кожина И. И., Ячневская И. А. Взаимодействие компонентов в системах As2Te3 TITe и As2Te3 - Т12Те // Журн. неорг. химии, 1975. - Т. 20.'-№ 11.-С. 3052 - 3055.
24. Дмитриев В. М., Кириленко В. В., Щелоков Р. Н., Воробьев Ю. И. Исследование системы TI As - Те по разрезу Т1 - As2Te3 // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1980. - Т. 16.-№4.-С. 652 - 654.
25. Кириленко В. В., Никитина В. К., Дембовский С. А. Стеклообразование и особенности химического взаимодействия в халькогенидных системах As2X3 Т12Х // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1975. - Т. 11. - № 11. - С. 1929 - 1935.
26. Кириленко В. В., Никитина В. К., Дембовский С. А. Система As2Te3 Т12Те // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1975.-Т. 11.-№ 11.-С. 1970 - 1973.
27. Борисова 3. У., Панус В. Р., Викторовский И. В., Орлова Г. М. Стеклообразование в системе As Те - Т1 // Физ. и химия стекла, 1976. - Т. 2. - № 1. - С.47 52.
28. Дмитриев В. М., Кириленко В. В., Щелоков Р. Н., Самохов В. А., Беликова Н. Г. Система Т1 As - Те /У Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. - Т. 18. - № 5. - С. 781 -787.
29. Панус В. Р., Алимбарашвили Н. А., Борисова 3. У. Стеклообразование в системе As Те - Си // Физ. и химия стекла, 1975. - Т. 1. - № 3. - С. 221 - 225.
30. Хансен М., Андерко К. Структура двойных сплавов. М.: Мир, 1962. - Т. 1 и И. -1.488 с.
31. Дембовский С. А., Нужная Н. П. Диаграмма состояния системы As Se // Журн. неорг. химии, 1964. - Т. 9. - № 9. - С. 660 - 664.
32. Ефимов А. М., Харьюзов В. А. Диэлектрические свойства и структура халькогенидных стекол систем As Se и Ge - Se. - В кн.: Стеклообразное состояние. Труды V Всесоюзного совещания. - JL: Наука, 1971. - С. 370-373.
33. Серегин П. П., Тураев Э. Ю., Андреев А. А., Мелех Б. Т. Структура ближнего порядка стеклообразных и кристаллических сплавов Si Те и Ge - Те, изученная методами ЯГР и электронной спектроскопии // Физ. и химия стекла, 1979. - Т. 5. - № 6. - С. 659 -662.
34. Хворостенко А. С., Кириленко В. В., Попов Б. И., Дембовский С. А., Никитина В. К., Лужная Н. П. Диаграмма состояния системы As2Se3 Cu2Se // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1972. - Т. 8. - № 1. - С. 73 - 79.
35. Дембовский С. А., Кириленко И. А., Хвостенко А. С. Система As2Se3 Tl2Se // Журн. неорг. химии, 1969. - Т. 14. - № 9. - С. 2561.
36. Кириленко И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система AsSe TISe // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. - Т. 18. - № 6. - С. 917 -921.
37. Кириленко И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система TlAsSe2 Se // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. - Т. 18. - № 6. - С. 923 -928.
38. Кириленко И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система Tl2Se As // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. - Т. 18. - № 9. - С. 14871488.
39. Кириленко И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система TlAsSe2 Tl // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. - Т. 18. - № 9. - С. 1489 -1493.
40. Гутенев М. С., Байдаков JI. А. Химическая связь и локальная структура в таллийсодержащих халькогенидных стеклах по данным диэлькометрии // Физ. и химия стекла, 1983.-Т. 9.-№ 4. С. 449 - 460.
41. Викторовский И. В., Байдаков JI. А. Концентрационная зависимость магнитной восприимчивости полупроводниковых стекол псевдобинарного разреза AsSe15 Tl // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1971. - Т. 7. -№ 2. - С. 214 - 218.
42. Фунтиков В. А., Байдаков Л. А. Магнитная восприимчивость полупроводниковых стекол системы As Se - Tl // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1974. -Т. 10.-№6.-С. 983 -987.
43. Орлова Г. М., Кожина И. И., Фунтиков В. А. Взаимодействие в системах T1AsS2 -TlAsSe2, TlAsSe2 TlAsTe2 и T1AsS2 - TlAsTe2 // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1984. -Т. 20.-№2.-С. 226 -231.
44. Байдаков JI. А., Фунтиков В. А. Исследование магнитных свойств стеклообразных полупроводниковых систем TlAsS2 TlAsSe2, TlAsSe2 - TlAsTe2, TlAsS2 -TlAsTe2 // Журн. прикл. химии, 1977. - Т. 50. - № 11. - С. 2449 - 2452.
45. Жук Н. П. Курс теории коррозии и защиты металлов. М.: Металлургия, 1976. -472 с.
46. Антропов JI. И. Теоретическая электрохимия. М.: Высшая школа, 1975. - С. 516 - 524.
47. Томашов Н. Д. Теория коррозии и защиты металлов. М.: Изд-во АН СССР, 1959.-591 с.
48. Улиг Г. Г., Реви Р. У. Коррозия и борьба с ней. Введение в коррозионную науку и технику. Л.: Химия, 1989. - С. 70 - 88.
49. Борисова 3. У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1972.-С. 206 -235.
50. Мямлин В. А., Плесков Ю. В. Электрохимия полупроводников. М.: Наука, 1965.-338 с.
51. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990.-492 с.
52. Михайлов М. Д., Мамедов С. Б., Цвентарный С. В. Кинетика растворения стеклообразного сульфида мышьяка в растворах щелочи и аминов // Журн. прикл. химии, 1987. Т. 60. - № 4. - С. 727 - 731.
53. Школьников Е. В., Шемякина Т. С., Вандышева И. В., Школьникова А. М. Кинетика растворения стекла T1AsS2 в кислых окислительных средах // Физ. и химия стекла, 1990.-Т. 16.-№2.-С. 303 305.
54. Школьников Е. В., Бакулина В. В., Школьникова А. М. Кинетика растворения стекла AgAsS2 в кислых окислительных средах // Физ. и химия стекла, 1991. Т. 17. - № 4. - С. 677 - 679.
55. Малахов В. В. Дифференцирующее растворение химический метод фазового анализа//Журн. анал. химии, 1989.-Т. 44.-№7.-С. 1177 - 1189.
56. Зенкин С. А., Мамедов С. Б., Михайлов М. Д. Кинетика растворения пленок сульфида мышьяка в растворах аммиака, метиламина и диметиламина // Журн. прикл. химии, 1988. -Т. 61. -№ 7. С. 1459 - 1463.
57. Красюк Б. А., Грибов А. И Полупроводники германий и кремний. М.: Металлургиздат, 1961. - 150 с.
58. Полупроводники / Под ред. Н. Б. Хеннея. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962 - С. 454-457,639.
59. Хейман Р. Б. Растворение кристаллов: Теория и практика. Л.: Недра. Ленингр. отд-ние, 1979.-272 с.
60. Скуг Д., Уэст Д. Основы аналитической химии. М.: Мир, 1979. - Т. 1. - С. 5470.
61. Лопатин Б. А. Теоретические основы электрохимических методов анализа. М.: Высшая школа, 1975. - С. 192 - 204.
62. Васильев В. П. Аналитическая химия. Ч. 2. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1989. - С. 220 - 226.
63. Ляликов Ю. С. Физико-химические методы анализа. М.: Химия, 1973. - С. 434
64. Бабко А. К., Пилипенко А. Т., Пятницкий И. В., Рябушко О. П. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1968. - С. 209 - 227.
65. Брайнина X. 3., Нейман Е. Я., Слепушкин В. В. Инверсионные электроаналитические методы. М.: Химия, 1988. - 240 с.
66. Галюс 3. Теоретические основы электрохимического анализа. М.: Мир, 1974. -С. 502- 526.
67. Слепушкин В. В., Стифатов Б. М., Нейман Е. Я. Локальный электрохимический анализ // Журн. анал. химии, 1994. Т. 49. - №5. - С. 911 - 919.
68. Майстренко В. Н., Сагельникова С. В., Амирханова Ф. А., Гусаков В. Н., Кудашева Ф. X. Вольтамперометрия органических нитросоединений на модифицированных угольных пастовых электродах // Башк. хим. журн, 1997. Т. 4. - №3 -С. 54 - 56.
69. Тарасевич М. Р. Электрохимия углеродных материалов. М.: Наука, 1984. - С. 102-110.
70. Brainina Kh., Neiman Е. Electroanalytical stripping methods in chemical analysis. -N.-Y.: John Wiley, 1993.-V. 126.- 198 p.
71. Будников Г. К., Майстренко В. Н. Муринов Ю. И. Вольтамперометрия с модифицированными и ультрамикроэлектродами. М.: Наука, 1994. - 239 с.
72. Концентрирование следов органических соединений / Под ред. Н. М. Кузьмина. -М.: Наука, 1990.-64 с.
73. Будников Г. К. Обновляемый электрод в вольтамперометрии // Зав. лаборатория, 1997.-Т. 63.-№4.-С. 1-8.
74. Брайнина X. 3., Нейман Е. Я. Твердофазные реакции в электроаналитической химии. М.: Химия, 1982. - 264 с.
75. Yao С. L., Park К. Н., Bear J. L. Chemically modified carbon paste electrode for chronoamperometric studies. Reduction of oxygen by tetrakis (|i-2-anilinopyridinato)dirhodium (II, III) chloride // Anal. Chem, 1989. Vol. 61, №3. - P. 279 - 282.
76. Miki K., Ikeda Т., Todoriki S., Senda M. Bioelectrocatalysis at NAD-depended dehydrogenase and diaphorase-modified carbon paste electrodes containing mediators // Anal. Sci., 1989. Vol. 5, №3. - P. 269 - 274.
77. Liu К. E., Abruna H. D. Electroanalysis of aromatic aldehydes with modified carbon paste electrodes // Anal. Chem, 1989. Vol. 61, №23. - P. 2599 - 2602.
78. Lu'bert Karl-Heinz, Beyer Lothar, Casabo Janme, Perez-Jimenez Consuelo. Voltammetric behaviour of silver ions at a carbon paste electrode in the presense of 2,5,8— trithia9.-m-cyclophane //Electroanalysis, 1998. Vol. 10, №12. - P. 860 - 862.
79. Kulys J., Schuhmann W., Schmidt H. L. Carbon-paste electrodes with incorporated lactate oxidase and mediators // Anal. Lett., 1992. - Vol. 25, №6. - P. 1011 - 1024.
80. Khodari M. Voltammetric determination of the antidepressant trimipramine at a lipid-modified carbon-paste electrode // Electroanalysis, 1993. Vol. 5, №5-6. - P. 521 - 523.
81. Видевич M. Б., Урицкая А. А., Китаев Г. А., Мелликов Э. Я., Крункс М. И. Анализ сульфидов меди разных степеней окисления методом вольтамперометрии с пастовым электродом // Зав. лаборатория, 1984. Т. 50. - №1. - С. 17 -19.
82. Видевич М. Б., Дроздова Т. А., Китаев Г. А. Электрохимический фазовый анализ пленок и порошков CdS // Зав. лаборатория, 1983. Т. 49. - №10. - С. 7 - 9.
83. Видевич М. Б., Петров А. Н., Жуковский В. М. Изучение оксидных фаз методом ИВ с УПЭЭ//Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1980.-Т. 16.-№10.-С. 1789 1792.
84. Брайнина X. 3., Лесунова Р. П., Евсеева М. А. Исследования пастового электрода для определения серебра различных степеней окисления // Зав. лаборатория, 1971. Т. 37. -№12.-С. 1414-1418.
85. Москвин Л. Н., Коц Е. А., Григорьева М. Ф. Определение металлического железа, магнетина и вюстита с помошыо УПЭЭ // Журн. анал. химии, 1990. Т. 45. - №2. -С. 338.
86. Брайнина X. 3., Видевич М. Б. Электрохимический фазовый анализ // Зав. лаборатория, 1985. Т. 51. - № 1. - С. 3 - 8.
87. Лунев М. И., Каменев А. И., Агасян П. К. Электропревращения теллура на сложном настовом электроде // Вестн. МГУ: Сер. Химия, 1975. Т. 16. - №5. - С. 586 -589.
88. Выдра Ф., Штулик К., Юлакова Э. Инверсионная вольтамперометрия. М.: Мир, 1980.-С. 148 - 156.
89. Лунев М. И., Каменев А. И., Агасян П. К. К определению Se (IV) на графитовых электродах волътамперометрическими методами // Журн. анал. химии, 1976. Т. 31. -№8. -С. 1476-1481.
90. Салихджанова Р. М.-Ф., Гинзбург Г. И. Полярографы и их эксплуатация в практическом анализе и исследованиях. М.: Химия, 1988. - С. 17 - 19.
91. Крапивкина Т. А., Ройзенблат Е. М., Каламбет Г. А., Носачева В. В. Особенности инверсионно-вольтамперометрического определения селена на твердых электродах // Журн. анал. химии, 1977. Т. 32. - №2. - С. 293 - 297.
92. Adams R. N. Carbon paste electrode // Anal. Chem., 1958. V. 30, №12. - P. 1576.
93. Улахович H. А., Медянцева Э. П., Будников Г. К. Угольный пастовый электрод как датчик в вольтамперометрическом анализе // Журн. анал. химии, 1993. Т. 48. - №6. -С. 980- 983.
94. Каменев А. И., Лунев М. И., Агасян П. К. Изучение электрохимических превращений селена на пастовых электродах вольтамперометрическим методом // Журн. анал. химии, 1977. Т. 32. - №3. - С. 550 - 555.
95. Фунтиков В. А., Анисимова Н. С. Эквивалентометрия стекол // Материалы пост, научн. семинаров КГУ «Проблемы биологических и химических наук». Калининград: Изд-во КГУ, 2001. -С. 69-72.
96. Фунтиков В. А. Основные понятия общей, неорганической и аналитической химии для биоэкологов: Учебное пособие. Калининград: Изд-во КГУ, 2002. - С. 144 - 146.
97. Фунтиков В. А. Химический эквивалент и его использование в качестве параметра для оценки особенностей строения халькогенидных стекол II Физ. и химия стекла, 1996. Т. 22. - № 3. - С. 286 - 290.
98. Кудрявцев А. А. Химия и технология селена и теллура. М.: Высшая школа, 1961.-С. 207 -214.
99. Назаренко И. И. Ермаков А. Н. Аналитическая химия селена и теллура. М.: Наука, 1971.-251 с.
100. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. The Voltamperometry of the Glassy Semiconductors // Abstracts of 19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors. Nice, France, 2001. - Tu-P 7/6.
101. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. The Voltamperometry of Glasses //Proceedings of XIX International Congress on Glass, Edinburgh, Scotland. Edinburgh, 2001. - V. 2. - P. 722 -723.
102. Фунтиков В. А., Румянцев В. А. Вольтамперометрия стеклообразных материалов// Проблемы географических, биологических и химических наук: Материалы постоянных научных семинаров КГУ, Калининград: Изд-во КРУ, 2001. - Ч. 1. - С. 66 - 69.
103. Румянцев В. А., Фунтиков В. А. Вольтамперометрия стекол систем Tl-Ge-Te и Т1-As-Te // Химия и химическое образование на рубеже веков: Материалы I Амурской межрегиональной научно-практической конференции. Благовещенск: Изд-во БГПУ, 2001. -С. 109-110.
104. Фунтиков В. А., Румянцев В. А. Вольтамперометрия стекол систем Tl-Ge-Te, Т1-As-Te и Cu-As-Te // Сборник научных трудов, посвященный 25-летию образования химического факультета КГУ. Калининград: Изд-во КГУ, 2002. - С. 55 - 56.
105. Фунтиков В. А., Румянцев В. А. Анодная и катодная вольтамперометрия теллуридных металлсодержащих стекол // Проблемы биологических и химических наук: Материалы постоянных научных семинаров КГУ. Калининград: Изд-во КГУ, 2002. - Ч. 1. -С. 41 -44.
106. Фунтиков В. А., Румянцев В. А. Новые аспекты применения вольтамперометрии // Актуальные проблемы современной науки: Труды III Международной конференции молодых ученых и студентов. Самара, 2002. - С. 97 - 98.
107. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. The Voltamperometry of Glasses of Systems Cu-As-Te, Tl-Ge-Te and Tl-As-Te // Proceedings of XIIIth International Symposium on Non-Oxide Glasses and New Optical Classes. Pardubice, Czech Republic, 2002. - P. 216-219.
108. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. Voltamperometrical investigation of telluride glasses // Bulletin of the V. Tarasov's Center of Chemotronics of Glass. 2003. - №3. - P. 159 - 162.
109. Фунтиков В. А., Бузулева О. В., Диксене А. М., Румянцев В. А. Исследование халькогенидных стекол химическими методами // Известия КГТУ, 2005. №7. - С. 173 -177.
110. Баешов А., Журинов М. Ж., Жданов С. И. Электрохимия селена, теллура и полония. Алма-Ата: Наука, 1989. - 172 с.
111. Фишман В. А., Лайнер В. И., Ерусалимчик И. Г. Исследование электрохимического поведения теллура // Электрохимия, 1969. Т. 5. - №3. - С. 304 - 308.
112. Немодрук А. А. Аналитическая химия мышьяка. М.: Наука, 1976. - С. 77 - 85.
113. Ефимов Е. А., Ерусалимчик И. Г. Электрохимия германия и кремния. М.: Госхимиздат, 1963. - С. 29 - 87.
114. Turner D. R. Electroplating metal contacts on Ge and Si // J. Electrochem. Soc., 1959. -V. 106,№9.-P. 786.
115. Gerischer H., Mindt W. The mechanism of the decomposition of semiconductors by electrochemical oxidation and reduction // Electrochem. Acta, 1968. V. 13. - P. 1329.
116. Батенков В. А. Электрохимия полупроводников. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002.-С. 54- 68.
117. Коренман Н. М. Аналитическая химия таллия. М.: Изд-во АН СССР, 1960. - С. 112-113.
118. Медь / Под ред. В. Н. Подчайнова, Л. Н. Симонова. М.: Наука, 1990. - С. 121
119. Доерфель К. Статистика в аналитической химии. Пер. с нем. М.: Мир, 1969. -247 с.
120. Румшинский Л. 3. Математическая обработка результатов эксперимента. Справочное руководство. -М.: Наука, 1971. 192 с.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.