Исследование композитов с электрическим и магнитным упорядочением методом нелинейной диэлектрической спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Антонов, Антон Анатольевич

• Антонов, Антон Анатольевич
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Антонов, Антон Анатольевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 НЕЛИНЕЙНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ (литературный обзор)

1. 1 Структурная неустойчивость и нелинейные свойства сегнетоэлектрических кристаллов

1.2 Влияние неоднородности и проводимости на свойства сегнетоэлектрических материалов

1.3 Особенности сегнетоэлектрических свойств наноматериалов

1.4 Нелинейная диэлектрическая проницаемость и методы её исследования

1.5 Экспериментальные результаты по исследованию нелинейных эффектов

сегнетоэлектрических материалов

ГЛАВА 2 МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ И ПРИГОТОВЛЕНИЯ

ОБРАЗЦОВ

2.1. Приготовление и основные характеристики образцов

2.2 Методика диэлектрических измерений

2.3 Методика исследования сегнетоэлектрических материалов методом

нелинейной диэлектрической спектроскопии

ГЛАВА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ НЕОДНОРОДНЫХ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ НДС

3.1 Нелиейные диэлектрические свойства композитных

сегнетоэлектрических материалов

3.2 Влияние проводимости на нелинейные свойства сегнетоэлектрических композитов

3.3 Нелинейные эффекты в наноразмерных сегнетоэлектрических материалах

3.4 Применение метода НДС для исследования мультиферроиков и

композитов на их основе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование композитов с электрическим и магнитным упорядочением методом нелинейной диэлектрической спектроскопии»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В настоящее время сегнетоэлектрические и родственные им материалы находят широкое применение в различных областях электронной техники (нелинейные конденсаторы, энергонезависимые элементы памяти, приемники электромагнитного излучения в инфракрасной части спектра, пьезоэлектрические преобразователи, сенсоры и др.). Большие значения диэлектрической проницаемости е', наличие спонтанной пол я-ризации Рл а также зависимость е' и Р5 от напряженности электрического поля Е являются основными свойствами сегнетоэлектриков, благодаря которым они представляют интерес для технического применения. Одним из наиболее чувствительных методов исследования е'( Е, Т) и Р/Е, Т) является метод нелинейной диэлектрической спектроскопии (НДС), который позволяет достаточно полно исследовать сегнетоэлектрические фазовые переходы. Суть метода заключается в генерации гармоник второго и более высоких порядков при приложении к образцу переменного электрического поля. Проводя анализ поведения гармоник, можно в одном температурном цикле определять такие параметры, как спонтанную поляризацию, диэлектрическую проницаемость, тип фазового перехода, рассчитывать коэффициенты разложения Ландау-Гинзбурга-Девоншира.

Теоретические основы метода нелинейной диэлектрической спектроскопии разработаны для сегнетоэлектрических кристаллов, описываемых в рамках феноменологической теории Ландау-Гинзбурга-Девоншира. В остальных случаях полученные результаты, имеют качественный характер. С другой стороны, в последнее время увеличивается интерес к неоднородным сегнетоэлектрическим нано- и микроструктурам, которые более перспективны по сравнению с однородными материалами. Поэтому вопрос изучения границ применения метода НДС для неоднородных систем актуален в теоретическом и практическом плане.

Цель диссертационной работы - выявление особенностей генерации гармоник высшего порядка в сегнетоэлектриках, мультиферроиках и композитах на их основе вблизи фазовых переходов.

В качестве объекта исследования выбраны: бинарные смеси (ККОз^СЫЩЫОз)*; проводящие сегнетоэлектрические композиты (КН2РО4)1-х/(РЬ0.95Ое005Те),; сегнетоэлектрические нанокомпозиты на основе силикатных матриц SBA-15/NH4HSO4 и пористых пленок оксида алюминия А12Оз^С(МН2)2; композиты на основе мультиферроиков и сегнетоэлектри-ков: (СиО)1-ДВаТЮз), и (ВШеОзЫСВаТЮз)*

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Автоматизировать процесс измерения и обработки результатов для исследования нелинейных диэлектрических свойств методом НДС.

2. Методом генерации третей гармоники исследовать фазовые переходы в (КШз)1-,№Шз),.

3. Исследовать взаимовлияние компонентов в композитах

(КН2РО4)1-,/(РЬо.950ео.о5Те)х.

4. Провести исследования линейных и нелинейных диэлектрических свойств сегнетоэлектрических нанокомпозитов: SBA-15/NH4HSO4, АЬОз^С№)2.

5. Методом НДС исследовать мультиферроики СиО и BiFeO3 и композиты на их основе (СиО)1-лУ(ВаТЮз),, (В1ЕеОз)1-л/(ВаТЮз),

6. По полученным экспериментальным данным оценить применимость метода НДС для неоднородных систем с электрическим и магнитным упорядочением.

Научная новизна

1. Впервые обнаружено расширение области существования сегнетоэлек-трической фазы нитрата калия в составе (ККО^^^ЫИ^О^, для , в диапазоне 0.025 < , < 0.100.

2. Методом генерации третьей гармоники установлено, что коэффициент нелинейности у для мультиферроика второго рода СиО вблизи фазового

перехода (Т^2 = 230 К) имеет тот же порядок, что для классических сегне-тоэлектрических кристаллов типа ВаТЮ3.

3. Для композита (СиО)1-х/(ВаТЮ3)х вблизи фазового перехода впервые обнаружено изменение проводимости с емкостной на индуктивную.

4. Показано, что для композитной керамики (BiFeO3)1-x/(BaTiO3)x увеличение доли ВаТЮ3 приводит к понижению температуры Нееля BiFeO3.

Методология и методы исследования. Для выполнения исследования производился целенаправленный поиск и отбор материалов: бинарные сегне-тоэлектрические смеси, проводящие сегнетоэлектрические композиты, нано-композиты, композиты на основе мультиферроиков и сегнетоэлектриков. В работе были использованы методы линейной и нелинейной диэлектрической спектроскопии. Для контроля параметров и качества образцов использовались оптическая микроскопия, электронная растровая микроскопия и рентге-ноструктурный анализ.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Увеличение значения х в составе (KNO3)1_x(NH4NO3)x приводит к расширению области существования сегнетоэлектрической фазы III нитрата калия. Для значений х = 0.050, 0.100 сегнетоэлектрическое состояние сохраняется при охлаждении вплоть до комнатной температуры.

2. В сегнетоэлектрических композитах (КН2РО4)1-х/(РЬ0 95Ое0 05Те)х межслоевая поляризация, возникающая за счет накопления зарядов на границе раздела, дает вклад не только в линейную диэлектрическую проницаемость, но и в диэлектрические проницаемости высших порядков.

3. Для нанокомпозита Л12О3/БС(^ЫН2)2 уменьшение диаметра пор приводит к повышению температур всех фазовых переходов. Температура сегнето-электрического фазового перехода повышается на 21 К и 31 К при порах 100 нм и 60 нм соответственно.

4. В мультиферроике СиО и композитах на его основе (СиО)1-х/(ВаТЮ3)х магнитоэлектрическое взаимодействие приводит к сложению электрической и магнитной нелинейностей, что проявляется в увеличении ампли-

5

туды высших гармоник по сравнению с сегнетоэлектриками с теми же значениями спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости. 5. Для мультиферроика BiFeO3 и композитов (BiFeO3)1-х/(BaTiO3)х минимум коэффициента нелинейности у 3ю соответствует температуре антиферромагнитного фазового перехода.

Достоверность полученных результатов и обоснованность выводов определяется комплексным использованием современных экспериментальных методов, включая линейную и нелинейную диэлектрическую спектроскопию, рентгеноструктурный анализ, электронную растровую микроскопию, воспроизводимостью полученных результатов и соответствием их существующим теоретическим представлениям.

Практическая значимость. Результаты работы представляют несомненный интерес и могут найти практическое применение при конструировании электронных устройств с использованием композитов на основе сегне-тоэлектриков и мультиферроиков. Использование сегнетоэлектриков в многослойных структурах, например, в контакте с полупроводниками, значительно расширяет их функциональные возможности, так как параметры таких структур могут изменяться при воздействии на них электрического поля. К таким устройствам можно отнести управляемые конденсаторы, сегнето-электрические полевые транзисторы, сегнетоэлектрические туннельные диоды, различные микродатчики и сенсоры.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они уточняют и расширяют представления о применимости метода НДС для исследования композитов и нанокомпозитов на основе сегнетоэлектриков и мультиферроиков, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Полученные результаты могут быть использованы в учебном процессе при чтении лекций и проведении практических занятий, по темам, связанным с изучением влияния размерных эффектов на физические свойства наност-руктурированных материалов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: XII, XIII Международной конференции «Физика диэлектриков» (г. С.-Петербург, 2014, 2017); Российско-китайском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (г. Казань, 2015); III Азиатской конференции по физике и технологии наноструктурированных материалов (г. Владивосток, 2015); XXI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Казань, 2017); Всероссийской молодежной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (г. Благовещенск, 2014); XIV и XV региональных научных конференциях «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (г. Хабаровск, 2016; Благовещенск, 2017).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 19 печатных работ, в том числе: 7 статей в ведущих рецензируемых научных изданиях, входящих в перечень ВАК РФ, 3 свидетельства о государственной регистрации программы для ЭВМ, 9 статей в сборниках материалов международных, всероссийских и региональных конференций.

Личный вклад автора. Основные результаты получены автором самостоятельно, либо при его непосредственном участии. Автор принимал активное участие в планировании и проведении экспериментов, подготовке к публикации статей и тезисов докладов на конференциях, обсуждении результатов исследований, проведенных в соавторстве.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трёх глав и заключения, включает 1 таблицу, 50 рисунков и библиографию из 233 наименования. Общий объём 131 страниц текста.

В первой главе «Нелинейная поляризация» приведен краткий обзор существующих в настоящее время теоретических подходов к описанию структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках и методов их исследования. Обсуждаются причины, приводящие к нелинейности диэлектрического отклика в сегнетоэлектриках. Рассматриваются диэлектрическая нелинейность неоднородных сегнетоэлектрических материалов и теоретические под-

7

ходы к описанию сегнетоэлектрических композитов. Приводится обзор экспериментальных данных разных авторов по исследованию классических сег-нетоэлектриков, композитов и нанокомпозитов методом генерации высших гармоник.

Во второй главе «Методики исследования и приготовления образцов» рассмотрены основные характеристики образцов и применяемые в работе методы исследования.

В третьей главе «Исследование неоднородных сегнетоэлектрических материалов методом НДС» приводятся результаты автора по исследованию нелинейных диэлектрических свойств неклассических сегнетоэлектрических материалов: бинарных смесей (KNOз)l-х(NH4NOз)х; проводящих сегнетоэлектрических композитов (КН2РО4)1-х/(РЬ0 95Ое005Те)х; сегнетоэлектрических нанокомпозитов на основе силикатных матриц SBA-15/NH4HSO4 и пористых пленок оксида алюминия А12О3^С(КН2)2; композитов на основе мультиферроиков и сегнетоэлектриков: (СиО)1-х/(ВаТЮ3)х и (Б1РеО3)1-х/(БаТ1О3)х.

ГЛАВА 1 НЕЛИНЕЙНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ (литературный обзор)

1.1 Структурная неустойчивость и нелинейные свойства сегнетоэлектрических кристаллов

Природа сегнетоэлектричества порождает значительную нелинейность диэлектрических свойств сегнетоэлектриков вблизи фазового перехода. В з0-х годах XX века Курчатовым [1] были проведены работы по теоретическому обоснованию возрастания диэлектрической проницаемости на несколько порядков в некоторой области температур и причинах возникновения спонтанно-поляризованного состояния. Дж. Слэтер [2, з] заложил основы микроскопической теории сегнетоэлектричества. В его работах рассматривалось межъядерное диполь-дипольное взаимодействие, в результате которого понижается полная энергия кристалла. Для данной модели можно выявить следующие недостатки: ограниченную применимость для описания электронного поляризационного отклика сильно полярных кристаллов, статичность, невозможность применения для систем с непрерывным распределением электронной плотности заряда, к которым и относятся реальные кристаллы.

В 50-х годах XX века сформировалась феноменологическая теория, основанная на работах Л.Д. Ландау, В.Л. Гинзбурга и А.Ф. Девоншира [4-8]. В этой теории В.Л. Гинзбург применил теорию фазовых переходов Л.Д. Ландау к сегнетоэлектрикам второго рода, а А.Ф. Девоншир модернизировал её для фазовых переходов первого рода и обобщил одномерный случай на многоосные сегнетоэлектрики [8].

В рамках данной теории В.Л. Гинзбург впервые отметил, что коэффициент при квадратичном члене разложения свободной энергии по степеням параметра порядка непосредственно связан с коэффициентом упругости кристалла относительно некоторого нормального колебания решетки. Момент обращения в нуль данного коэффициента в точке фазового перехода второго

9

рода должен соответствовать существованию в системе критического колебания, частота которого стремится к нулю при температуре Кюри То [4].

Дальнейшее развитие эта идея получила в работах П.В. Андерсона и В. Кокрена [9-11], которые окончательно связали вопрос о возникновении спонтанной поляризации с проблемой динамики решетки. Причиной, в результате которой происходит «размягчение» активного оптического поперечного колебания, отмечается сокращение вклада сил близко- и дальнодействия в его частоту. В дальнейшем эти понятия были развиты в работах В. Вакса, Р. Ко-ули, Б. Силвермена, В. Дворака и других авторов [12-15].

В 70-е годы на основе работ И.Б. Берсукера, Б.Г. Вехтера [16, 17], П.И. Консина и Н.Н. Кристофеля [18, 19] была разработана межзонная теория сег-нетоэлектричества. Авторами была показана принципиальная возможность возникновения сегнетоэлектрического фазового перехода, обусловленного межзонным электрон-фононным взаимодействием. В основном эта теория была применена для сегнетоэлектриков-полупроводников типа А1УВУ1, температура фазового перехода которых зависит от концентрации носителей.

В 90-е годы ученые вновь вернулись к идее Дж. Слэтера о поляризационном механизме сегнетоэлектрической неустойчивости, но уже на квантовом уровне (микроскопическая теория аЫпШв) [20-25]. Из первых принципов был проведён ряд расчетов свойств ионных кристаллов, в частности и оксидов со структурой перовскита. К настоящему времени направление аЫпШв получило активное развитие [26, 27-29, 30, 31, 32-33, 34-35, 36, 23-39].

Нелинейность диэлектрических свойств сегнетоэлектриков удобно описывать с помощью теорий Ландау-Гинзбурга-Девоншира, поэтому остановимся на её рассмотрении несколько подробней.

Феноменологическая теория Ландау-Гинзбурга. С микроскопической точки зрения эта теория эквивалентна нулевому приближению самосогласованного поля. Плотность термодинамического потенциала объемного одноосного сегнетоэлектрического кристалла представляется в виде разложения в

ряд по некоторому малому параметру, в качестве которого выбрана поляризация Р [40]

Ф = ^ + 2 аР2 +1 вР4 + 6уР6 + - ЕР, (1Л1)

а = а о(Г - ТД

где Р - поляризация решетки, имеющая смысл параметра упорядочения, Е -напряженность электрического поля, а0, в и у коэффициенты разложения, в общем случае зависящие от температуры Т. Слагаемое (gradP)2 описывает флуктуации поляризации, играющее наиболее существенную роль в области температуры Кюри. Разложение (1.1.1) будет справедливо только вблизи точки перехода Т0, причём описывает фазовый переход первого рода при в < 0 и у > 0, а при в > 0 и у > 0 - переход второго рода.

При Т > Т0 имеет место параэлектрическая фаза, т.е. Р0(Т) = 0, а при Т < Т0 возникает спонтанная поляризация

Р02 =-а = а °(Т° - Т), т < Т0. (1.1.2)

0 в в 0

При учете равновесных условий, соответствующих минимуму термодинамического потенциала

5Ф Л д2 Ф Л /1 1 оч

— = 0, —г > 0, (1.1.з)

дР дР2

получим

Е = а0(Т0 -Т)Р + вР3 + уР5. (1.1.за)

В слабом поле Р = Р0 + ((е - 1) / 4п)Е, где Р0 - спонтанная поляризация, и, следовательно,

а(Т) = 2п /(е -1), Т > ^ 4)

а(Т) = -п /(е -1), Т < Т0 ( . . )

Здесь фактически в е(Т) пренебрегается некоторым членом е0, не связанным с переходом; учитывая, что для сегнетоэлектрика е >> 1, в силу (1.1.1) получаем

2П

е(Т) =-—-, Т > Т0

ао(Т-Т°) (1.1.5)

е(Т) =---, Т < Т0

а 0(Т - Т0) 0

Таким образом, приходим к закону Кюри-Вейсса и так называемому «закону двойки», в силу которого е(Т > Т0) / е(Т < Т0) = 2 при том же значении |Т - Т0|.

Теория Ландау-Гинзбурга в процессе своего развития претерпела много усовершенствований и модернизаций. Было проведено обобщение одномерного случая на многоосные сегнетоэлектрики (путем разложения упругой энергии Гиббса по степеням трех ортогональных компонент вектора индукции); впервые такую форму записи для описания титаната бария применил Девоншир еще в 50-х годах прошлого века [41, 42]. В дальнейшем были получены модификации теории для описания фазовых переходов в несобственных сегнетоэлектриках [43], с несоразмерной фазой [44, 45], в антисегнето-электриках [46], и в сегнетоэлектриках с двумя параметрами порядка [47]. Созданы модели, учитывающие дефекты кристаллической решетки [48-51], влияние свободных носителей [52, 53], электрон-фононное взаимодействие [54] и размерные эффекты в малых частицах и тонких пленках [55, 56]. Феноменологический подход был обобщен, чтобы описывать более широкую область температур при различных внешних условиях [57, 58].

Основное достоинство термодинамической теории заключается в ее математической простоте, широкой области применений и в возможности установления связей между различными макроскопическими параметрами сегне-тоэлектриков. Ее ограниченность связана с чисто макроскопической картиной (которая исключает любое обсуждение микроскопического характера перехода и атомных процессов, ответственных за сегнетоэлектричество), а также способностью описывать только равновесные явления.

Нелинейные диэлектрические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрим сегнетоэлектрический кристалл, находящийся в постоянном электрическом

поле. Поляризация, индуцируемая внешними полями, может быть очень велика, при температурах близких к точке Кюри. В данных условиях диэлектрическая нелинейность также приобретает большое значение. Нелинейным диэлектрическим членом низшего порядка в разложении свободной энергии является член при Р4, таким образом, выражение (1.1.1) примет вид:

Ф1 = 2а0(Т - Т>)Р2 + 4вР4 - РЕ. (1.1.6)

дифференцируя (1.1.6) по Р получаем:

Е = а 0(Т - Т,) Р + вР3. (1.1.7)

графически эта зависимость представлена на рис. 1.1.1.

По мере приближения к температуре Т0 все меньшие значения поля могут вызывать появление нелинейности, и в самой точке Кюри Т0 линейный член в уравнении (1.1.7) обращается в ноль. И хотя выше температуры Кюри обращается в ноль, наблюдается нелинейная зависимость индуцированной поляризации от внешнего электрического поля.

В сегнетоэлектрической фазе (Т < Тс) при наличии поля поляризация будет суммироваться из спонтанной и индуцированной Р{ (Р = Р$+Рг). В связи с тем, что линейный член в уравнении (1.1.7) принимает отрицательное значение, появляется область значений Е и Р, не соответствующих устойчивому состоянию, в котором возможно нахождение кристалла (см. рис. 1.1.1). В самом деле, на участке АВ (д2Ф/дР2) < 0, что противоречит условию термодинамической устойчивости. При Е = 0 поляризация не уменьшается до нуля, как это имеет место в параэлектрической фазе, а остается равной спонтанной поляризации при заданной температуре. При непрерывном изменении величины и знака поля зависимость Р(Е) выражается кривой СВВ в одну сторону и кривой ВАС - в другую, очерчивая характерную для сегнетоэлектриков петлю гистерезиса (рис. 1.1.2а). На рисунке 1.1.26 показано изменение диэлектрической проницаемости (е &дР / дЕ) сегнетоэлектрика при его переполяризации.

Рис. 1.1.1 Зависимость поляризации от напряженности поля при фазовых

переходах второго рода

Значение электрической поляризации Р, при которой кристалл, минуя область неустойчивых состояний, переходит из А в В или из О в С, можно определить из условия:

дЕ дР

= 2а 0(Т - Т0) + 12РР2 = 0,

Р' = ±

а0(Т - Т0) 6Р

(1.1.8) (1.1.9)

Подставляя (1.1.9) в уравнение (1.1.8), получаем значение поля, необходимое для изменения направления спонтанной поляризации кристалла -коэрцитивное поле:

Ее =±8Р

а0(Т - Т0) 6Р

(1.1.10)

Следует отметить, что соотношение (1.1.10) справедливо только в случае, если изменение направления спонтанной поляризации происходит одновременно во всем объеме кристалла. В действительности реальный кристалл поляризован, как правило, неоднородно и переполяризация осуществляется путем перестроения его доменной структуры. Поэтому все выводы термодинамической теории, касающиеся поведения кристалла в электрических полях, в сегнетоэлектрической фазе имеют качественный характер и не претендуют на количественные оценки.

2

3

2

- Е +Е Е

Рис. 1.1.2 Зависимость поляризации (а) и диэлектрической проницаемости

(б) от напряженности поля

В многодоменном кристалле процесс переориентации спонтанной поляризации осуществляется за счет движения доменных стенок, а также за счет образования новых доменов с направлением спонтанной поляризации, близким к направлению электрического поля. В слабых полях поляризован-ность линейно зависит от поля. На этом участке преобладают процессы обратимого смещения доменных стенок, и диэлектрическая проницаемость от поля почти не зависит. При увеличении поля начинается рост одних доменов и уменьшение других так, чтобы результирующий дипольный момент был направлен по направлению поля. Поляризованность при этом возрастает быстрее, чем по линейному закону, и соответственно диэлектрическая проницаемость резко возрастает. При некоторой напряженности поля кристалл становится однодоменным, т.е. все домены ориентированы только в сторону поля и достигается насыщение. В области насыщения дальнейшая ориентация доменов прекращается, и диэлектрическая проницаемость соответственно падает.

Для получения зависимости Р(Е) для фазовых переходов первого рода в уравнении (1.1.6) надо положить в < 0, и получим

Графически зависимость поляризации от электрического поля для перехода первого рода представлена на рисунке 1.1.3. В отличие от ранее рассмотренного случая, гистерезисная зависимость поляризации от напряженно-

Е = а 0(Т - Т0) Р + вР3 + 6уР5.

(1.1.11)

сти поля сохраняется и выше точки Кюри. Теперь уравнение (1.1.11) при Т > Тк описывает характерные для фазовых переходов первого рода двойные петли гистерезиса. В параэлектрической фазе вблизи от точки перехода за полный цикл изменения поля кристалл четыре раза оказывается в неустойчивом состоянии, характеризуемым отрицательным значением (д2 Ф / дР2). Всякий раз, когда величина (д2Ф / дР2) становится отрицательной, кривая на рисунке 1.1.3 переходит в вертикальную прямую до тех пор, пока последняя не пересечет эту же кривую в точке, где (д2 Ф / дР2) снова положительна.

Рис. 1.1.3 Зависимость поляризации от напряженности поля при фазовых

переходах первого рода

Это явление имеет место лишь в узком температурном интервале выше точки Кюри и обусловлено смещением ее под действием электрического поля. «Критическую точку» Тк на кривой равновесия можно определить из условия [59]:

дЕ = 0;

дР

д2 Е

дР2

= 0

(1.1.12)

как температуру, при которой на кривой зависимости Р(Е) , возникает точка перегиба. Тогда имеем

12ао (Тк - Т.) + 12РРк2 + 30уРк4 = 0, |24РРК + 120уРк3 = 0

определив из второго уравнения Рк и подставив в первое, получим

(1.1.13)

Р2 = -в; тк = Т0 + 3. (1.1.14)

5У 5 а0У

Отсюда видно, что выше критической температуры Тк двойные петли гистерезиса уже не возникают и зависимость поляризации от поля становится однозначной. Экспериментально двойные петли возникают во многих кристаллах. Например в ВаТЮ3 такие петли могут возникать вплоть до температур на 9 К выше точки Кюри.

Зная зависимость поляризации кристалла от электрического поля (1.1.11), можно проанализировать поведение диэлектрической проницаемости свободного от механических напряжений кристалла в окрестности фазового превращения:

в-1 =дЕ = а(Т - Т.) + 3вР2 + 30уР4. (1.1.15)

дР

В этих выражениях Р включает и спонтанную, и индуцированную полем поляризацию. При Т > Т0 в параэлектрической фазе в слабом поле (Р ~ 0) относительная диэлектрическая проницаемость удовлетворять закону Кюри-Вейсса независимо от знака коэффициента в, т.е. от характера фазового превращения.

Видно, что обратная диэлектрическая проницаемость (1.1.15), измеренная в слабом поле, зависит от квадрата поляризации. Следовательно, по измерениям диэлектрической проницаемости в зависимости от приложенного поля можно судить о вкладе членов высших порядков в разложение (1.1.6) и о температурной зависимости коэффициента в-

При малых полях (когда закон Кюри - Вейсса еще выполняется) из уравнения (1.1.15) можно записать

в-1 ^ а0(Т-Т0) + 2(ТЗРТ Е2 + Е4, (и.16)

ао(Т - Т0) а4(Т - Т0)

а для более сильных полей, когда преобладает первый нелинейный член [48]

1

в-1 «^(Т - Т0) + 3(вЕ2)3. (1.1.17)

При фазовых переходах первого рода сегнетоэлектрическую фазу можно индуцировать внешним полем при температурах выше температуры Кюри, но близких к ней. Сдвиг температуры Кюри Т0 можно рассчитать из уравнения типа Клапейрона-Клаузиуса

ДТ0 _ ДР

ДЕ М'

(1.1.18)

где ДS и ДР - скачки энтропии и электрической поляризации при Т0. Записав энтропию в рамках девоншировского приближения Д£ ~ 1/2аоР2 и ДР ~ Р в низшем порядке, получим

ДТ =■

а о Р

-ДЕ.

(1.1.19)

Влияние поля на поляризацию, ожидаемое из простой термодинамической теории, схематически показано на рис. 1.1.4.

Если к сегнетоэлектрику при температуре, слегка превышающей температуру фазового перехода первого рода, приложить большое переменное поле, то будут наблюдаться двойные петли гистерезиса точно так же, как в антисегнетоэлектрических материалах, в которых поле индуцирует переход в сегнетоэлектрическую фазу.

Рис. 1.1.4. Схематическое изображение поведения, для сегнетоэлектрика при наложении электрического поля: а - при переходе второго рода; б - при переходе первого рода

1.2 Влияние неоднородности и проводимости на свойства сегнетоэлектрических материалов

Под неоднородными сегнетоэлектрическими материалами понимаются материалы с неоднородным распределением поляризации. К ним относятся кристаллы, в которых присутствуют включения различных фаз, поликри-

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Антонов, Антон Анатольевич, 2018 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Курчатов, И.В. Сегнетоэлектрики / И.В. Курчатов // под ред. А.П. Александрова. - М.: Наука, - 1982.- Т. 1. - C. 281.

2. Slater, J. The theory of transition in KH2PO4 / J. Slater // Journ. Chem. Phys. -1941. - V. 9. - P. 16.

3. Slater, J. The Lorentz correction in barium titanate / J. Slater // Phys. Rev. -1950. - V. 78. - № 6. - P. 748 - 761.

4. Гинзбург, В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений / В.Л. Гинзбург // УФН. - 1949. - Т. 38. - № 4. - С. 490 - 525.

5. Гинзбург, В.Л. Несколько замечаний о фазовых переходах второго рода в микроскопической теории сегнетоэлектриков / В.Л. Гинзбург // ФТТ.

- 1960. - Т. 2. - С. 2031.

6. Ландау, Л.Д. К теории фазовых переходов I / Л.Д. Ландау // Собрание трудов. - М.: Наука, - 1969. - Т. 1. - С. 234 - 252.

7. Ландау, Л.Д. К теории фазовых переходов II / Л.Д. Ландау // Собрание трудов. - М.: Наука, - 1969. - Т. 1. - С. 253 - 261.

8. Devonshire, A.F. Theory of ferroelectrics / A.F. Devonshire // Adv. Phys.

- 1954. - V. 3. - № 1. - Р. 85 - 130.

9. Андерсон, П.В. Качественные соображения относительно статистики фазового перехода в сегнетоэлектриках типа BaTiO3 / П.В. Андерсон // Физика диэлектриков: Труды II Всесоюзной конференции. - М.: Изд-во АН СССР. - 1960. - С. 290 - 296.

10. Cochran, W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity / W. Cochran // Phys. Rev. Lett. - 1959. - V. 3. - № 9. - P. 412 - 414.

11. Cochran, W. Crystal stability and ferroelectric theory. II Piezoelectric crystals / W. Cochran // Adv. Phys. - 1961. - V. 10. - P. 401.

12. Вакс, В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков / В.Г. Вакс. // - М.: Наука, - 1973. - 327 с.

13. Cowley, R.A. The temperature dependence of normal modes of vibration is related to anharmonic interactions in a microscopic theory of ferroelectriciti. Thermodynamic parameters and crystal properties are derived from the theory, particularly for SrTiO3 and BaTiO3; the fairly quantitative results obtained serve as a confirmation of the theory / R.A. Cowley // Phil. Mag. - 1965. - V. 11. - Р. 673 - 706.

14. Silverman, B.D. Temperature dependence of the frequency spectrum of a paraelectric material / B.D. Silverman // Phys. Rev. - 1964. - V. 135. - № 6A. - P. A1596 - A1603.

15. Dvorak, V. Group analysis of lattice vibrations of cubic perovskites ABO3 / V. Dvorak // Phys. Stas. Sol. - 1963. - V. 3. - № 12. - P. 2235 - 2240.

16. Bersuker, I.B. On the origin of ferroelectricity in perovskite-type crystals / I.B. Bersuker // Phys. Lett. - 1966. - V. 20. - P. 589 - 590.

17. Берсукер, И.В. Межзонное взаимодействие и спонтанная поляризация кристаллических решеток / И.В. Берсукер, Б.Г. Вехтер // ФТТ. - 1967. - Т. 9. - № 9. - С. 2652 - 2655.

18. Kristofel, N.N. Pseudo-Jahn-Teller effect and other phase transitions in crystals / N.N. Kristofel, P.I. Konsin // Phys. State. Sol. - 1967. - V. 21. - № 2. -P. K39 - K43.

19. Кристофель, Н.Н. О возможности сегнетоэлектрического фазового перехода в связи с электрон-фононным взаимодействием / Н.Н. Кристофель, П.И. Консин // Изв. АН СССР. Сер. физ.-мат. - 1967. - Т. 16. - № 4. - С. 431

20. Cohen, R.E. Origin of ferroelectricity in perovskite oxides / R.E. Cohen // Nature (Gr. Brit.). - 1992. - V. 358. - № 6382. - P. 136 - 138.

21. Vanderbilt, D. First-Principles theory of structural phase transitions in cubic perovskites / D. Vanderbilt // J. Korean Phys. Soc. - 1997. - V. 32, Suppl. - P. S103 - S106.

22. Rabe, K.M. Ab initto relativistic pseudopotential study of the zero-temperature structural properties of SnTe and PbTe / K.M. Rabe, J.D. Joannopoulos // Phys. Rev. B. - 1985. - V. 32. - № 4. - P. 2302 - 2314.

23. Максимов, Е.Г. Теоретические исследования сегнетоэлектрического перехода / Е.Г. Максимов // УФН. - 2009. - Т. 179. - № 6. - С. 639 - 651.

24. Квятковский, О.Е. Происхождение сегнетоэлектричества в окислах со структурой перовскита / О.Е. Квятковский // Известия РАН. Сер. физ. -1996. - Т. 60. - № 10. - С. 4 - 10.

25. Квятковский, О.Е. Теория спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках типа смещения / О.Е. Квятковский // ФТТ. - 1996. - Т. 38. - № 3. - С. 728

- 740.

26. Квятковский, О.Е. Расчеты ab initio зарядов Борна для сегнетоэлектриков со структурой перовскита / О.Е. Квятковский // ФТТ. - 2009. - Т.51. - №4.

- С. 753 - 756.

27. Лебедев, А.И. Квазидвумерное сегнетоэлектричество в сверхрешетках KNbO3/KTaO3 / А.И. Лебедев // ФТТ. - 2011. - Т.53. - №12. - С. 2340 -2344.

28. Лебедев, А.И. Основное состояние и свойства сегнетоэлектрических сверхрешеток на основе кристаллов семейства перовскита / А.И. Лебедев // ФТТ. - 2010. - Т.52. - №7. - С. 1351 - 1364.

29. Лебедев, А.И. It Ab initio расчеты фононных спектров в кристаллах пе-ровскитов ATiO3 (A=Ca, Sr, Ba, Ra, Cd, Zn, Mg, Ge, Sn, Pb) / А.И. Лебедев // ФТТ. - 2009. - Т.51. - №2. - С. 341 - 350.

30. Lasota, С. Ab initio linear response study of SrTiO3 / C. Lasota, C.-Z. Wang, R. Yu, H. Krakauer // Ferroelectrics. - 1997. V.194. - №1. - Р. 109 - 118.

31. Baranek, Ph. AB Initio Approach to the Ferroelectric Properties of ABO3 Perovskites: The Case of KNbO3 / Ph. Baranek, R. Dovesi // Ferroelectrics.

- 2002. - V.268. - №1. - Р. 155 - 162.

32. Noel, Y. Ab Initio Calculation of Piezoelectric and Ferroelectric Properties of NaNÜ2 / Y. Noel, M. Catti, R. Dovesi // Ferroelectrics. - 2004. - V.300. - №1.

- Р. 139 - 145.

33. Andriyevsky, В. Ab-initio study of phase transitions in NaNO2 crystals based on band structure calculations / В. Andriyevsky // Computational Materials Science. - 2011. - V.50. - №3. - P. 1169 - 1174.

34. Aydinol, M.K. A comparative ab initio study of the ferroelectric behaviour in KNÜ3 and CaCÜ3 / M.K. Aydinol, J.V. Mantese, S.P. Alpay // J. Phys.: Condens. Matter. - 2007. - V.19. - №49. - Р. 6210 - 6215.

35. Erdinc, B. Ab-initio study of the electronic structure and optical properties of KNO3 in the ferroelectric phase / B. Erdinc, H. Akkus // Phys. Scr. - 2009.

- V.79. - P. 025601 - 025607.

36. Sheng, J. Ab initio study of ferroelectric and nonlinear optical performance in BiFeO3 ultrathin films / J. Sheng, C. Tian-Yi // Applied Physics Letters.

- 2011. - V.95. - №11. - P. 112506 - 112506-3.

37. Pilania, G. Ab initio study of antiferroelectric PbZrO3 (001) surfaces / G. Pilania, D.Q. Tan, Y. Cao, V.S. Venkataramani, Q. Chen, R. Ramprasad // J. Mat. science. - 2009. - V.44. - №19. - Р. 5249 - 5255.

38. Kagimura, R. Ab initio study of Pb antisite defects in PbZrO3 and Pb(Zr,Ti)O3 / R. Kagimura, D.J. Singh // Phys. Rev. B. - 2008. - V.78. - Р. 174105 -174110.

39. Miwa, R.H. Ab initio study of antiferroelectric PbZrO3 (001) surfaces / R.H. Miwa, A.C. Ferraz, G.P. Srivastava // Phys. Rev. B. - 2009. - V.3. - №4. -P. 5249 - 5255.

40. Гинзбург, В.Л. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (несколько исторических замечаний) / В.Л. Гинзбург // УФН. - 2001. - Т. 171. - №10.

- С. 1091 - 1097.

41. Devonshire, A.F. Theory of barium titanate: Part I / A.F. Devonshire // Philos. Mag. - 1949. - V.40. - №6. - P. 1040 - 1063.

42. Devonshire, A.F. Theory of barium titanate: Part II / A.F. Devonshire // Philos. Mag. - 1951. - V.42. - №6. - P. 1065 - 1080.

43. Леванюк, Л.И. Несобственные сегнетоэлектрики / Л.И. Леванюк, Д.Г. Санников // УФН. - 1974. - Т. 112. - №4. - С. 561 - 589.

44. Леванюк, А.П. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры, не кратной исходному параметру / А.П. Леванюк, Д.Г. Санников // ФТТ. - 1976. - Т.18. - С. 423 - 428.

45. Высочанский, Ю.М. Точка Лифшица на диаграммах состояний сегнето-электриков / Ю.М. Высочанский, В.Ю. Сливка // УФН. - 1992. - Т.162. -№2. - С. 139 - 162.

46. Блинц, P. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / P. Блинц, Б. Жекш // Перевод с английского под редакцией Л.А. Шувалова. - М.: Мир, - 1975. - C. 398.

47. Poprawski, R. Ferroelectric phase transitions in KNO3 embedded into porous glasses / R. Poprawski, E. Rysiakiewicz-Pasek, A. Sieradzki, A. Cizman, J. Polanska // J. Non-cryst. Solids. - 2007. - V.353. - P. 4457 - 4461.

48. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс // Перевод с английского под редакцией В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. - М.: Мир. - 1981. - C. 736.

49. Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк. - М.: Наука. - 1995. - C. 302.

50. Струков, Б.А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами / Б.А. Струков // Соросовский Образовательный Журнал. -1996. - Т.12. - С. 95 - 101.

51. Levanyuk, A.P. Defects and Structural Phase Transitions / A.P. Levanyuk, A.S. Sigov. - N.Y.: Gordon and Breach. - 1988. - P. 208.

52. Фридкин, В.М. Сегнетоэлектрики -полупроводники / В.М. Фридкин. - М.: Наука. - 1976. - C. 408.

53. Фридкин, В.М. Некоторые эффекты, обусловленные электрон-фононным

взаимодействием при фазовом переходе в сегнетоэлектрике-

112

полупроводнике / В.М. Фридкин // Письма ЖЭТФ. - 1966. - Т.3. - №6.

- С. 252 - 255.

54. Мясникова, А.Э. Особенности термодинамического потенциала при фазовых переходах второго рода, обусловленных межзонным электрон-фононным взаимодействием / А.Э. Мясникова, Э.Н. Мясников, З. П. Мас-тропас // Теоретическая и математическая физика. - 2008. - Т.157. - №2. -С. 273 - 285.

55. Tilley, D.R. In ferroelectric thin films: synthesis and basic properties / D.R. Tilley, Eds C Paz de Araujo, J.F. Scott, G.F. Taylor // Amsterdam: Gordon and Breach. - 1996. - Р. 11 - 45.

56. Qu, B.D. Dielectric susceptibility of ferroelectric thin films / B.D. Qu, P.L. Zhang, Y.G. Wang, C.L. Wang, W.L. Zhong // Ferroelectrics. - 1994. - V.152.

- P. 219 - 224.

57. Fatuzzo, Е. Ferroelectricity / E. Fatuzzo, W.J. Merz. - Amsterdam: North-Holland Pub. Co. - 1967. - P. 289.

58. Huang, C.C. Effect of the change of electrostatic constraints on the phase transitions of some phenomenological models of ferroelectrics / C.C. Huang, J. Grindlay // Canadian Journal of Physics. - 1970. - V.48. - №7. - Р. 847 - 851.

59. Cho, S.D. Comparison of theoretical predictions and experimental values of the dielectric constant of epoxy/BaTiO3 composite embedded capacitor films / S.D. Cho, S.Y. Lee, J.G. Hyun, K.W. Paik // J. Mater. Sci.: Mater. Electron.

- 2005. - Т. 16. - Р. 77 - 84.

60. Ferroelectrics - Material Aspects. / Edited by Mickael Lallart. - Publisher: InTech. - 2011. - 518p. - Access via http://www. intechopen. com/books/ ferro-electrics-material-aspects.

61. Ferroelectrics - Applications. / Edited by Mickael Lallart. - Publisher: InTech.

- 2011. - 250p. - Access via http://www.intechopen.Com/books /ferroelectrics-applications.

62. Емец, Ю.П. Эффективная диэлектрическая проницаемость трехкомпо-нентных композиционных материалов с анизотропной структурой / Ю.П. Емец // ЖТФ. - 2005. - Т.75. - С. 67 - 72.

63. Дручинин, С.В. Исследование применимости формул смеси для описания диэлектрической проницаемости сред с большим содержанием включений / С.В. Дружинин // Радиотехника и электроника. - 2000. - Т.45. - №2.

- С. 230 - 239.

64. Lichtenecker, K. Die Dielektrizitätskonstante natürlicher und künstlicher Mischkörper / K. Lichtenecker // Physikal. Z (German). - 1926. - B.27.

- P. 115 - 158.

65. Wagner, K.W. Erklarung der dielektrishcen Nachwirkungsvorgange auf Grund Maxwellscher Vorstellungen / K.W. Wagner // Arch. Elektrotechn. - 1914.

- B.2. - P. 371 - 387.

66. Оделевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем. Матричные двухфазные системы с невытянутыми включениями / В.И. Оделевский // ЖТФ. - 1951. - Т.21. - №6. - С. 667 - 677.

67. Bruggeman, D.A. Verschidener physikalischen Konstanten von heterogenen Substanzen / D.A. Bruggeman G. Berechnung // Ann. Phys. - 1935. - B.24.

- №5. - P. 636 - 679.

68. Емец, Ю.П. Моделирование электрофизических характеристик диэлектрической среды с периодической структурой / Ю.П. Емец // ЖТФ.

- 2004. - Т.74. - C. 1 - 9.

69. Shen, Jian Long-range coupling interactions in ferroelectric sandwich structures / Jian Shen, Yu-qiang Ma // Journal of applied physics. - 2001. - V.89.

- P. 5031 - 5035.

70. Шацкая, Ю.В. Роль диполь-дипольное взаимодействия в сегнетоэлектрических композитах / Ю.В. Шацкая, Е.В. Стукова, С.В. Барышников // НТВ. - 2010. - №1. - С.36 - 41.

71. Стукова, Е.В. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрического композита на основе KNO3-BaTiO3 и KNO3-LiNbO3 / Е.В. Стукова, В.В. Мас-

114

лов, С.В. Барышников // Известия РГПУ имени А.И. Герцина. - 2011.

- №138. - С. 58 - 65.

72. Фрицберг, В.Я. Физическая природа поляизации в твердых растворах ти-танатов стронция и висмута / В.Я. Фрицберг // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук. - 1961. - №5. - С. 39 - 51.

73. Ландау, Л.Д. Статистическая физика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. - М.: Наука. - 1964. - C. 567.

74. Kahn, A.H. Electronic Energy Bands in Strontium Titanate / A.H. Kahn, A.J. Leyendecker // Phys. Rev. - 1964. - V.135. - Iss. 5A. - P. A1321 - A1325.

75. Гиршберг, Я.Г. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзонным взаимодействием / Я.Г. Гиршберг, В.И. Тамарченко // ФТТ. - 1976. -Т.18. - №4. - С. 1066 - 1072.

76. Michel-Calendini, F. Structure de bande titanate de baryum dans sa phase cubique / F. Michel-Calendini, M.G. Mesnard // Phys. St. Sol. (b). - 1971. -V.44. - P.K117 - K121.

77. Стурман, Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии и родственные явления / Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. - М.: Наука. -1992. - C. 208.

78. Белиничер, В.И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках/ В.И. Белиничер, В.К. Малиновский, Б.И. Стурман //Автометрия. - 1976. - Т.4.

- С. 23 - 28.

79. Kretschmer, R. Surface effects on phase transitions in ferroelectrics and dipolar magnets / R. Kretschmer, K. Binder // Phys. Rev. B. - 1979. - V.20.

- P. 1065 - 1071.

80. Струков, Б.А. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / под ред. Карин М. Рабе, Чарльз Г. Ана, Жан-Марк Трискона; пер. с англ. Б.А. Струков, А.И.Лебедев. - М.: Бином. Лаборатория знаний, 2011. - 440 с.

81. Avrami, M. Granulation, Phase Change, and Microstructure Kinetics of Phase Change / M. Avrami // Journal of Chemical Physics. - 1941. - V.9. - Р. 177 -184.

82. Duiker, H.M. Grain-size effects in ferroelectric switching / H.M. Duiker, P.D. Beale // Physical Review B. - 1990. - V.41. - P. 490 - 495.

83. Orihara, H. A Theory of D-E Hysteresis Loop Based on the Avrami Model / H. Orihara, S. Hashimoto, Y.Ishibashi // Journal of Physical Society Japan. -1994. - V.63. - P. 1031 - 1035.

84. Hashimoto, S. D-E Hysteresis Loop of TGS Based on the Avrami-Type Model / S. Hashimoto, H. Orihara, Y.Ishibashi // Journal of Physical Society Japan.

- 1994. - V.63. - P. 1601 - 1610.

85. Shur, V. Kinetics of phase transformations in real finite systems: Application to switching in ferroelectrics / V. Shur, E. Rumyantsev, S. Makarov // Journal of Applied Physics. - 1998. - V.84. - P. 445 - 451.

86. Tagantsev, A.K. Non-Kolmogorov-Avrami switching kinetics in ferroelectric thin films / A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, N. Setter, J.S. Cross, M. Tsukada // Physical Review B. - 2002. - V.66. - P. 214 - 219.

87. Lohse, O. Relaxation mechanism of ferroelectric switching in Pb(Zr,Ti)O3 thin films / O. Lohse, U. Boettger, D. Bolten, R. Waser // Journal of Applied Physics. - 2001. - V.89. - P. 2332 - 2336.

88. Colla, E.L. Direct observation of region by region suppression of the switcha-ble polarization (fatigue) in Pb(Zr,Ti)O3 thin film capacitors with Pt electrodes / E.L. Colla, S. Hong, D.V. Taylor, A.K. Tagantsev, N. Setter, K. No // Applied Physics Letter. - 1998. - V.72. - P. 2763 - 2765.

89. Ganpule, C.S. Role of 900 domains in lead zirconate titanate thin films / C.S. Ganpule, V. Nagarajan, H. Li, A.S. Ogale, D.E. Steinhauer, S. Aggarwal, E. Williams, R. Ramesh, P. De Wolf // Applied Physics Letters. - 2000. - V.77.

- P. 292 - 294.

90. Ishibashi, Y. Exact Expressions for Some Dielectric Properties of Ferroelectric Thin Films Based on the Tilley-Zeks Model / Y. Ishibashi, M. Iwata, A. Musleh // Journal of Physical Society Japan. - 2007. - V.76. - P. 1047 - 1052.

91. Tilley, D.R. Landau theory of phase transitions in thick films / D.R. Tilley, B.

Zeks // Solid State Commun. - 1984. - V.49. - P. 823 - 828.

116

92. Глинчук, М.Д. Размерные эффекты в сегнетоэлектрических наноматериа-лах / М.Д. Глинчук, Е.А. Елисеев, А.М. Морозовская // Украинский физический журнал. - 2009. - Т.5. - №1. - С. 34 - 60.

93. Wang, M.C. Crystal Structure and Ferroelectricity of Nanocrystalline Barium Titanate Thin Films / M.C. Wang, F.Y. Hsiao, C.S. His, N.C. Wu // Journal of Crystal Growth. - 2002. - V.246. - Р. 78 - 84.

94. Zhong, W.L. Thickness dependence of the dielectric susceptibility of ferroelectric thin films / W.L. Zhong, B.D. Qu, P.L. Zhang, Y.G. Wang // Physical Review B. - 1994. - V.50. - Р. 12375 - 12380.

95. Wang, Y.G. Size Effects on the Curie-Temperature of Ferroelectric Particles / Y.G. Wang, W.L. Zhong, P.L. Zhang // Solid State Communication. - 1994. -V.92. - Р. 519 - 523.

96. Ong, L.H. Landau theory of second-order phase transitions in ferroelectric films / L.H. Ong, J. Osman, D.R. Tilley // Physical Review B. - 2001. - V.63.

- p. 144 - 149.

97. Ahmad, M. Effects of Extrapolation Length delta on Switching Time and Coercive Field / M. Ahmad, L.H. Ong, D.R. Tilley // Journal of Applied Physics.

- 2009. - V.105. - Р. 1 - 6.

98. Ong, L.H. Tilley-Zeks Model in Switching Phenomena of Ferroelectric Films / L.H. Ong, М. Ahmad // Ferroelectrics. - 2009. - V.380. - Р. 150 - 159.

99. Fong, H. Elastomeric nanofibers of styrene-butadiene-styrene triblock copolymer / H. Fong, D.H. Reneker // J. Polym. Sci: Part B Polym Phys. - 1999.

- V.37. - №24. - P. 3488 - 3493.

100. Tybell, T. Ferroelectricity in thin perovskite films / T. Tybell, C.H. Ahn, J.-M. Triscone // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V.75. - P. 856 - 862.

101. Фридкин, В.М. Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах / В.М. Фридкин // УФН. - 2006. - Т.176. - №2. - С. 203 - 212.

102. Yadlovker, D. Uniform orientation and size of ferroelectric domains / D. Yadlovker, S. Berger // Phys. Rev. B. - 2005. - V.71. - №18. - P. 184112 -184117.

103. Рогазинская, О.В. Свойства нанопористого оксида алюминия с включениями триглицинсульфата и сегнетовой соли / О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева // ФТТ. -2009. - Т.51. - №7. - С. 1430 - 1432.

104. Tien, C. NMR studies of structure and ferroelectricity for Rochelle salt nano-particles embedded in mesoporous sieves / C. Tien, E.V. Charnaya, M.K. Lee, S.V. Baryshnikov, D. Michel, W. Böhlmann // J. Phys.: Cond. Matter. - 2008.

- V.20. - №21. - P. 215205 - 215210.

105. Ikeda, S. Nonlinear dielectric constant and ferroelectric-to-paraelectric phase transition in copolymers of vinylidene fluoride and trifluoroethylene / S. Ikeda, H. Kominami, K. Koyama, Y. Wada // J. Appl. Phys. - 1987. - V.62. - №8.

- Р. 3339 - 3342.

106. Miga, S. Non-Linear Dielectric Response of Ferroelectrics, Relaxors and Dipolar Glasses / S. Miga, J. Dec, W. Kleemann // Ferroelectrics. - Characterization and Modeling. - 2011. - V.53. - Р. 181 - 202.

107. Leont'ev, I.N. Nonlinear properties of barium titanate in the electric field range 0 < E < 5.5x107 V/m / I.N. Leont'ev, A. Leiderman, V.Yu. Topolov, O.E. Fesenko // Phys. Solid State - 2003. - V. 45. - P. 1128 - 1130.

108. Mierzwa, W. The equation-of-state of triglycine sulphate (TGS) ferroelectric for both phases near the critical point / W. Mierzwa, B. Fugiel, K.Cwikiel // J. Phys.: Condens. Matter - 1998. - V. 10. - P. 8881 - 8892.

109. Wang, Y.L. Anharmonicity of BaTiO3 single crystals / Y.L. Wang, A.K. Tagantsev, D. Damjanovic, N. Setter // Phys. Rev. B - 2006. - V. 73. - P. 132103-1 - 132103-4.

110. Miga, S. Computer-controlled susceptometer for investigating the linear and non-linear dielectric response / S. Miga, J. Dec, W. Kleemann // Rev. Sci. Instrum. - 2007. - V. 78. - P. 033902-1 - 033902-7.

111. Bobnar, V. Crossover from glassy to inhomogeneous-ferroelectric nonlinear

dielectric response in relaxor ferroelectrics / V. Bobnar, Z. Kutnjak, R. Pirc, R.

Blinc, A. Levstik // Phys. Rev. Lett. - 2000. - V. 84. - P. 5892 - 5895.

118

112. Иона, Ф. Сегнетоэлекрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане // перевод на русский под редакцией Л.А. Шувалова. - М.: Мир, 1965. - 555 с.

113. Шацкая, Ю.А. Исследование сегнетоэлектрических композитов методом нелинейной диэлектрической спектроскопии / Ю.А. Шацкая // Известия Самарского научного центра РАН. - 2011. - Т.13. - №4. - С. 141 - 144.

114. Барышников, С.В. Исследование ТГС в наноразмерных силикатных матрицах методом нелинейной диэлектрической спектроскопии / С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Ю.А. Шацкая, А.Ю. Милинский, М.И. Самойло-вич, D. Michel, C. Tien // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т.75. - №8. - С. 1174 - 1176.

115. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. - М.: Наука, - 1971. - C. 476.

116. Шацкая, Ю.А. Зависимость нелинейных свойств монокристалла BaTiO3 от наличия дефектов / Ю.А. Шацкая // Молодежь XXI века: шаг в будущее: материалы XII региональной научно-практической конференции. -Благовещенск: Изд-во НОУ ВПО МосАП. - 2011. - С. 5 - 7.

117. Барышников, С.В. Влияние отрицательного химического давления на некоторые сегнетоэлектрики типа смещения / С.В. Барышников, Э.В. Бурсиан, В.В. Казаков // ФТТ. - 1999. - Т. 41. - № 7. - С. 1293 - 1296.

118. Stukova, E.V. Expansion of The Ferroelectric Phase Temperature Interval In The Composites (KNO3VX - (BaTiO3)x And (KNO3VX - (PbTiO3)x / E.V. Stukova, S.V. Baryshnikov // World Journal of Engineering. - 2010. - N 3. -P. 1055 - 1057.

119. Стукова, Е.В. Диэлектрические исследования сегнетоэлектрических композитов на основе (KNO3)1-x - (KNbO3)* / Е.В. Стукова, С.В. Барышников // Перспективные материалы. - 2011. - №13. - С. 801 - 805.

120. Shimada, S. Stabilization of the Ferroelectric y-Phase of KNO3 by Doping with Na+, Determined by the Acoustic Emission Method / S. Shimada, T. Aoki // Chem. Lett. - 1996. - V. 25. - P. 393 - 394.

1 19

121. Pankova, S.V. The giant dielectric constant of opal containing sodium nitrate nanoparticles. / S.V. Pankova, V.V. Poborchii, V.G. Solovev // J. Phys.: Cond. Matter. - 1996. - V. 8. - № 11. - P. 203 - 206.

122. Fokin, A.V. Temperature evolution of sodium nitrite structurein a restricted geometry / A.V. Fokin, Yu.A. Kumzerov, N.M. Okuneva, A.A. Naberezhnov, S.B. Vakhrushev, I.V. Golosovsky, A.I. Kurbakov // Phys. Rev. Lett. - 2002. -V. 89. - P. 175503 (1 - 4).

123. Vakhrushev, S.B. Na spin-lattice relaxation of sodium nitrite in confined geometry / S.B. Vakhrushev, Yu.A. Kumzerov, A.V. Fokin, A.A. Naberezhnov,

B. Zalar, A. Lebar, R. Blinc // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70.

- P. 132102 - 132105.

124. Барышников, С.В. Диэлектрические и ЯМР-исследования нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия / С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Е.В. Стукова, Cheng Tien, M.K. Lee, W. Böhlmann, D. Michel // Физика твердого тела, - 2006. - Т. 48. - Вып. 3. - С. 551 - 557.

125. Tien, C. Coexistence of melted and ferroelectric states in sodium nitrite within mesoporous sieves / C. Tien, E.V. Charnaya, M.K. Lee, S.V. Baryshnikov, S.Y. Sun, D. Michel, W. Böhlmann // Phys. Rev. B. - 2005. - V. 72. - № 10.

- P. 104105 - 104110.

126. Kutnjak, Z Calorimetric and dielectric studies of ferroelectric sodium nitrite confined in a nanoscale porous glass matrix / Z. Kutnjak, В. Vodopivec, R. Blinc, A.V. Fokin, Y.A. Kuzmerov, S. B. Vakhrushev // J. Chem. Phys. -2005. - V. 123. - P. 084708-1 - 084708-5

127. Tien, C. Эволюция NaNO2 в пористых матрицах / C. Tien, Е.В. Чарная,

C.В. Барышников M.K. Lee, S.Y. Sun, D. Michel, W. Bohlmann // ФТТ. -2004. - Т. 46. -Вып. 12. - С. 2224 - 2228.

128. Yadlovker, D. Uniform orientation and size of ferroelectric domains / D. Yadlovker, S. Berger // Phys. Rev. B. - 2005. - V. 71. - P. 184112 -184118.

129. Рогазинская, О.В. Свойства нанопористого оксида алюминия с включениями триглицинсульфата и сегнетовой соли / О.В. Рогазинская, С.Д. Ми-

120

ловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева // ФТТ. - 2009. -Т. 51. - № 7. - С. 1430 - 432.

130. Tien, C. Ferroelectricity and gradual melting in NaNO2 particles confined within porous alumina / C. Tien, E.V. Charnaya, M.K. Lee, S.V. Baryshnikov // Phys. Stat. Solidi B. - 2009. - V. 246. - N. 10. - P. 2346 - 2351.

131. Yadlovker, D. Nano-Ferroelectric Domains Grown Inside Alumina Nano-Pores / D. Yadlovker and S. Berger // Ferroelectrics. - 2006. - V. 336.

- P. 219 - 229.

132. Барышников, С.В. Диэлектрические исследования нанопористых пленок оксида алюминия, заполненных сегнетовой солью / С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Е.В. Стукова, А.Ю. Милинский, C. Tien // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. - Вып. 7. - С. 1347 - 1350.

133. Стукова, Е.В. Изменение области существования несоразмерной фазы в сегнетоэлектрическом композите (NaNO2)1-x(BaTiO3)x / Е.В. Стукова, Е.Ю. Королева, Т.А. Трюхан, С.В. Барышников // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - 2012. - №2. - С. 22 - 27.

134. Shatskaya, Yu.A. Dipole-dipole interaction in the ferroelectric composite (TGS)1-x(BaTiO3)x / Yu.A. Shatskaya, S.V. Baryshnikov, E.V. Stukova //Symposium Proceedings «2010 Joint China-Russia Symposium on Advanced Materials and Processing Technologies» (May 24 - 28, 2010, Harbin, China).

- P.221 - 226.

135. Stukova, E.V. Stabilization of the ferroelectric phase in (KNO3)1-x(BaTiO3)x Composites / E.V. Stukova, S.V. Baryshnikov// Inorganic materials: applied research. - 2011. - V.2. - N5. - Р. 434 - 438.

136. Стукова, Е.В. Диэлектрические исследования сегнетоэлектриче- ских композитов на основе (KNO3)1-x(KNbO3)x / Е.В. Стукова, С.В. Барышников // Перспективные материалы. - 2011. - №13. - С. 801 - 805.

137. Стукова, Е.В. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрических композитов на основе KNO3-BaTiO3 и KNO3-LiNbO3 / Е.В. Стукова, В.В. Маслов,

С.В. Барышников // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2011. - №138. - С. 58 - 65.

138. Stukova, E.V. Expansion of The Ferroelectric Phase Temperature Interval In The Composites (KNOsV^BaTiOs)* and (KNOsV^PbTiOs)* / E.V. Stukova, S.V. Baryshnikov // World Journal of Engineering. - 2010. - N3. - P.1055 -1057.

139. Deshpande V.V., Karkhanavala M.D., Rao U.R.K. Phase transitions in potassium nitrate // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 1967. - V. 6. -N6. - P. 613 - 621.

140. Nimmo J.K., Lucas B.W. The crystal structures of - and -KNO3 and the a ^ Y ^ ß phase transformations // Acta Cryst. - 1976. -V. 32. - N7. - P. 1968 - 1971.

141. Shinnaka, Y.J. X-ray study on the molecular rotation in cubic ammonium nitrate / Y.J. Shinnaka // Phys. Soc. Jpn. - 1959. - V. 14. - N7. - P. 1073 - 1083.

142. Jona, F. Ferroelectric crystals. / F. Jona, G. Shirane // Oxford, Pergamon Press, - 1962. - P . 402.

143. Lines, M. Principles and applications of ferroelectrics and related materials / M. Lines, A. Glass // Oxford, Clarendon Press, - 1977, - P. 680.

144. Busch, G. A New Seignette-electric Substance / G. Busch, P. Scherrer // Naturwiss, - 1935, - V.23, - P. 737 - 738.

145. Khokhlov, D. Lead Chalcogenides: Physics & Applications / D. Khokhlov // Taylor & Francis. - New York, - 2003, - P. 720.

146. Maslov, V.V. Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor / V.V. Maslov, S.V. Baryshnikov, Ya.V Copelevich // Ferroelectrics, - 1982, - V.45, - P. 51 - 56.

147. Maslov, H. Coupled phase transitions in Pb1-xGexTe / H. Maslov, A.D.C. Grassie, J.W. Loram // Lect. Notes in Phys, - 1982, - V. 152, - P. 270 - 274.

148. Epifanov, Yu.N. Interaction of carriers with to-phonons and electrical conductivity of ferroelectrics / Yu.N Epifanov, A.P. Levanyuk, G.M. Levanyuk // Ferroelectrics, - 1981, - V. 35, - P. 199 - 202.

122

149. Ryabova, L.I. Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductors / L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov // UFN, - 2014, - V. 184, - N10, -P. 1033 - 1044.

150. Baryshnikov, S.V. Specific features of dielectric anomalies in Pb1-xGexTe(Ga) near a ferroelectric phase transition / A.S. Baryshnikov, A.F. Baranov, V.V. Maslov // Physics of the Solid State, - 2008, - V. 50. - N7, - P. 1322 - 1325.

151. Pepinsky, R. Ammonium Hydrogen Sulfate: A New Ferroelectric with Low Coercive Field / R. Pepinsky, K. Vedam, Y.S. Okaya, S. Hosino // Phys Rev -V. 111. - 1958. -P. 1508 - 1510.

152. Swain, D. Raman and X-ray investigations of ferroelectric phase transition in NH4HSO4, / D. Swain, V.S. Bhadram, P. Chowdhury, C. Narayana //J Phys Chem - N116. - 2012. - P. 223 - 230.

153. Goldsmith, G.J. Ferroelectric behavior in thiourea / G. J. Goldsmith, J. G. White // J. Chem. Phys. 31, - 1959. - P. 1175 - 1187.

154. Рогазинская, О.В. Свойства нанопористого оксида алюминия с включениями триглицинсульфата и сегнетовой соли / О.В. Рогазинская, С.Д. Ми-ловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева // ФТТ - 2009. -Т.51. - №7. - С. 1430-1432.

155. Baryshnikov, S.V. Ferroelectricity in Rochelle Salt Nanoparticles Confined to Porous Alumina / S. V. Baryshnikov, E. V. Charnaya, E.V. Stukova, A. Yu. Milinskiy C. Tien // Ferroelectrics, - 2010. - V. 396 - P. 3 - 9.

156. Esbrink, S.A refinement of crystal structure of copper(II) oxide with a discussion of some exceptional e.s.d.'s / S.A Esbrink, L.-J. Norrby // Acta Crystallographica. B. - 1970. - V. 26. - Р. 8 - 15.

157. Giovannetti, G. High-TC ferroelectricity emerging from magnetic degeneracy in cupric oxide / G. Giovannetti, S. Kumar A. Stroppa, J. Brink, S. Picozzi, J. Lorenzana // Phys. Rev. Let. - 2011. - V. 106. - P. 26401 - 26405.

158. Kimura, T. Cupric oxide as an induced-multiferroic with high TC / T. Kimura, Y. Sekio, H. Nakamura, T. Siegrist, A.P Ramirez // Nature Mater. - 2008. - V.7. - P. 291 - 294.

159. Cho, JH. Structural, dielectric and leakage current behaviors of Ti-substituted BiFeO3 ceramics. / JH Cho, SC Lee, HG Yeo, YS Sung, M-H Kim, TK Song // Ferroelectrics, - 2011. -V. 410 - P. 16 - 21.

160. Chandarak, S. Dielectric properties of BaTiO3-modified BiFeO3 ceramics / S. Chandarak, A. Ngamjarurojana, S. Srilomsak, P. Laoratanakul, S. Rujirawat, R. Yimnirun // Ferroelectrics, - 2010. - V. 410. - P. 75 - 81.

161. Prihor, F. Functional properties of the (1-X)BiFeO3-xBaTiO3 solid solutions / F. Prihor, A. Ianculescu, L. Mitoseriu, P. Postolache, L. Curecheriu, N. Dragan, et al // Ferroelectrics, - 2009. - V. 391. - P. 76 - 82.

162. Park, T-J. Compositiondpendent magnetic properties of BiFeO3-BaTiO3 solid solutions nanostructures / T-J Park, G.C. Papaefthymiou, A.J. Viescas, Y. Lee, H. Zhou, S.S. Wong // Phys Rev B - 2010 - V. 82. - N2. - P. 024431.

163. Yang, S-Ch. Room-temperature magnetoelectric coupling in single-phase BaTiO3-BiFeO3 system / S-Ch Yang, A. Kumar, V. Petkov, S. Priya. //J Appl Phys, - 2013. - V. 113. - N14. -P. 144101.

164. Измеритель иммитанса Е7-25. Руководство по эксплуатации УШЯИ. 411218.015 РЭ. - Минск. - 2012. - 35с.

165. Измеритель иммитанса Е7-25. Руководство по эксплуатации УШЯИ. 411218.015 РЭ. - Минск. - 2012. - 35с.

166. Mesureurs et Calibrateurs de temperature. Руководство по эксплуатации. -Printed France Ris-Orangis. - 2011. - 78c.

167. Бессонов, Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи / Л.А. Бессонов. - М.: Гардарики, 2002. - 638 с.

168. Модуль АЦП-ЦАП ZET 230. Паспорт. Инструкция по эксплуатации. -М., 2008. - 19 с.

169. Chien, W.M. Experimental determination of NH4NO3-KNO3 binary phase diagram / W.M. Chien, D. Chandra, A.K. Helmy, et al. // Journal of Phase Equilibria and Diffusion. - 2005. -V. 26. - N2. -P. 115 - 123.

170. Coates, R.V. Solid solutions in the system ammonium nitrate-potassium nitrate / R.V. Coates, J.M. Crewe // Nature. - 1961. - V. 190. -P. 1190 - 1191.

124

171. Chen A., Chernow F. Nature of feroelectricity in KNO3 // Phys. Rev. 1967. Vol. 154. No. 2. Pp. 493-505.

172. Caupin F. Melting and freezing of embedded nanoclusters // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 184108.

173. Andreeva, A.V. Osnovi fizikokhimii i tekhnologii compozitov [Bases physical chemistry and technologies of composites]. / A.V. Andreeva // - M: Radio engineering Publ. - 2001, - 191 p.

174. Vinogradov, A.P. Electrodinamika compozitnikh materialov [Electrodynamics of composit materials] / A.P. Vinogradov // Moscow, Editorial USSR Publ., - 2001. - 208 p.

175. Pintilie, L. Ferroelectric polarization-leakage current relation in high quality epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films / L. Pintilie, I. Vrejoiu, D. Hesse, G. LeRhun, M. Alexe // Physical Review B, - 2007. -V. 75. -P. 104103 - 104108.

176. Wang, C.L. Size effects of ferroelectric particles described by the transverse Ising model / C.L. Wang, Y. Xin, X.S. Wang, W.L. Zhong // Phys Rev B -2000. - V. 62. - P. 11423 - 11427.

177. Zhao, Zh. Grain-size effects on the ferroelectric behavior of dense nanocrystalline BaTiO3 ceramics / Zh. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M.T. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Johnsson, P. Nanni. // Phys. Rev. B - 2004. - V. 70. - P. 024107.

178. Rysiakewicz-Pasek, E. Properties of porous glasses with embedded ferroelectric materials / E. Rysiakewicz-Pasek, R. Poprawski, J. Polanska, A. Urbanowicz, A. Sieradzki. // J. Non-Cryst. - 2006. - S. 352, - P. 4309.

179. Kinka, M. Dielectric properties of sodium nitrite confined in porous glass / M. Kinka, J. Banys, A. Naberezhnov // Ferroelectrics. 2007. - V. 348. - P. 67 - 74.

180. Baryshnikov, S.V. Dielectric Properties of Mesoporous Sieves Filled with

NaNO2 / Ch. Tien, E.V. Charnaya, M.K. Lee, S.V. Baryshnikov, D. Michel, W.

Böhlmann // Ferroelectrics - 2008. - V. 366, - P. 74.

125

181. Yadlovker, D. Nano-Ferroelectric Domains Grown Inside Alumina Nano-Pores / D. Yadlovker, S. Berger // Ferroelectrics -2006. - V. 336.

- P. 219 - 229.

182. Morozovska, A.N. Ferroelectricity enhancement in confined nanorods: Direct variational method / A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, M.D. Glinchuk // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 73, - P. 214106.

183. Chen X.K. The Intrinsic 1/8 Lock-in Improper Ferroelectric Phase in Thiourea: Dielectric Susceptibility and Hysteresis Loop Analysis / X. K. Chen, G. Li, W. M. Du, H. Z. Cummins // Ferroelectrics. - 1992. - V. 137. - P. 251.

184. Thiourea[SC(NH2)2] in RLC circuit: Nonlinear dynamic response / Y.-H. Kim and J.-J. Kim // Ferroelectrics. - 1990. - V. 105. - P. 249 - 254.

185. Baryshnikov S.V. Dielectric Studies of Thiourea, SC(NH2)2, Embedded into Molecular Sieves / S. V. Baryshnikov, E. V. Charnaya, A. Yu. Milinskiy // Ferroelectrics. - 2014. - V. 471. - P. 109 - 116.

186. Марченко, В.И. К теории равновесной формы кристаллов / В.И. Марченко // Письма в ЖЭТФ. - 1981. - V. 33. - P. 397.

187. Shchukin V.A. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces / V.A. Shchukin, D. Bimberg // Rev. Mod. Phys. - 1999. - V. 71. - P. 1125.

188. Morozovska, A.N. Size effect and depolarization field influence on the phase diagrams of cylindrical ferroelectric nanoparticles / A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, M.D. Glinchuk // Physica B. - 2007. - V. 387. - P . 358.

189. Morozovska, A.N. Phase transitions induced by confinement of ferroic nanoparticles / A.N Morozovska, M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev // Phys. Rev. B.

- 2007. - V. 76. - P. 014102.

190. Choi K.J. Enhancement of ferroelectricity in strained BaTiO3 thin films. / K.J. Choi, M. Biegalski, Y.L. Li // Science. - 2004. - V. 306, - P. 1005.

191. Baryshnikov, S.V. Dielectric properties of manoporous matrix МСМ-41, filled with (NH4)2SO4 ferroelectric / S.V. Baryshnikov, E.V. Charnaya, A.Y.

Milinskii, A.Y. Goikhman, C. Tien, M.K. Lee // Phys Solid State. - 2013. -V. 55. - P. 1070.

192. Mirkin A. A. Size effects on the incommensurate phase transition in thin films. Ferroelectrics / A.A. Mirkin, A.L. Pirozerskii, E.V. Charnaya, C. Tien // Ferroelectrics. - 2011. - V. 413. - V. 399.

193. Ролов, Б.Н. Термодинамика фазовых переходов в сегнетоактивных твердых растворах / Б.Н. Ролов, В.Э. Юркевич // Рига: «Зинатне», - 1976.

- С 216 с.

194. Френкель, Я.И. Статистическая физика. / Я.И. Френкель // -М.-Л.: Изд-во АН СССР. -1948. - C. 760.

195. Logginov, A.S. Room temperature magnetoelectric control of micromagnetic structure in iron garnet fi lms / A.S. Logginov, G.A. Eshkov, A.V. Nikolaev, E.P. Nikolaeva, A.P. Pyatakov, A.K. Zvezdin // Appl. Phys. Lett. - 2008. -V.93. - P. 182510 - 182513.

196. Shimizu, T. Spin susceptibility and superexchange interaction in the antiferromagnet CuO / T. Shimizu, T. Matsumoto, A. Goto, T.V. Chandrasek-har Rao, K. Yoshimura, K. Kosuge // Phys. Rev. B. - 2003. - V.68. - P. 224433 - 224441.

197. Ain, M. Magnetic excitations in CuO / M. Ain, W. Reichardt, B. Hennion, G. Pepy, B.M. Wanklyn // Physica C. - 1989. - V. 162. - P. 1279 - 1280.

198. Babkevich, P. Electric field control of chiral magnetic domains in the high-temperature multiferroic CuO / P. Babkevich, A. Poole, R.D. Johnson, B. Roessli, D. Prabhakaran, A.T. Boothroyd // Phys. Rev. B. - 2012. - V. 85.

- P. 134428 - 134435.

199. Wu, W.B. Multiferroic nanoregions and a memory effect in cupric oxide / W.B. Wu, D.J. Huang, J. Okamoto, S.W. Huang, Y. Sekio, T. Kimura, C.T. Chen // Phys. Rev. B. - 2010. - V. 81. - P. 172409 - 172413.

200. Zheng, X.G. Giant negative thermal expansion in magnetic nanocrystals / X.G. Zheng, H. Kubozono, H. Yamada, K. Kato, Y. Ishiwata, C.N. Xu // Nature Nanotecnology. - 2008. - V. 3. - Р. 724 - 726.

127

201. Смоленский, Г.А. Сегнетомагнетики / Г.А. Смоленский, И.Е. Чупис // УФН. - 1982. -Т.137. - №3. - С. 415 - 448.

202. Гуфан, Ю.М. О вынужденном сегнетомагнетизме в магнитоупорядочен-ных пьезоэлектриках / Ю.М. Гуфан // Письма в ЖЭТФ. - 1968. - Т.8.

- №5. - С. 271 - 279.

203. Пятаков, А.П. Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики / А.П. Пятаков, Звездин А.К. // УФН. - 2012. - Т. 182. - №6. - С. 593 - 620.

204. Попов, Ю.Ф. Особенности магнитных, магнитоэлектрических и магни-тоупругих свойств мультиферроика ферробората самария SmFe3(BO3)4 / Ю.Ф. Попов, А.П. Пятаков, А.М. Кадомцева, Г.П. Воробьев, А.К. Звездин, А.А. Мухин, В.Ю. Иванов // ЖЭТФ. - 2010. - Т. 138. - №2. - C. 226 - 230.

205. Кадомцева, А.М. Магнитоэлектрические и магнитоупругие свойства редкоземельных ферроборатов / А.М. Кадомцева и др. // Физика Низких Температур. - 2010. - Т. 36. - С. 640 - 653.

206. Choi, Y.J. Cross-control of magnetization and polarization by electric and magnetic fields with competing multiferroic and weak-ferromagnetic phases / Y.J. Choi et al. // Physical Review Letters. - 2010. - V. 105. - №9.

- P. 097201 - 097209.

207. Fiebig, M. Observation of coupled magnetic and electric domains / M. Fiebig, Th. Lottermoser, D. Frohlich, A.V. Goltsev, R.V. Pisarev // Nature. - 2002.

- V. 419. - P. 818 - 820.

208. Gareeva, Z.V. Interacting antiferromagnetic and ferroelectric domain structures of multi-ferroics / Z.V. Gareeva, A.K. Zvezdin // Phys. Status Solidi RRL.

- 2009. - V. 3. - №2. - Р. 79 - 81.

209. Gareeva, Z.V. Pinning of magnetic domain walls in multiferroics / Z.V. Gareeva, A.K. Zvezdin // EPL. - 2010. - V. 91. - P. 47006 - 47011.

210. Гареева, З.В. Влияние магнитоэлектрических взаимодействий на доменные границы мультиферроиков / З.В. Гареева, А.К. Звездин // ФТТ. -2010. - Т. 52. - №8. - С. 1595 - 1601.

211. Singh, A. Direct evidence for multiferroic magnetoelectric coupling in o.çBiFeOs-o.iBaTiOs. / Singh A, Pandey V, Kotnala RK, Pandey D. // Phys Rev Lett - 2008. - V. 101. - P. 247602.

212. Zhang, S.T. Preparation and multiferroic properties of Bi0.8La02FeO3-CoFe2O4 ceramics / S.T. Zhang, L.Y. Ding, M.H. Lu, Z.L. Luo, Chen. // Solid State Commun. - 2008. - V. 148. - P. 420.

213. Chang, F. Effect of Cr substitution on the structure and electrical properties of BiFeO3 ceramics / Chang F, Zhang N, Yang F, Wang S, Song G. // J Phys D Appl Phys - 2007. - V. 40 - P. 7799.

214. Smirnova, E. Evolution of phase transitions in SrTiO3-BiFeO3 solid solutions / E. Smirnova, A. Sotnikov, S. Ktitorov, N. Zaitseva, H. Schmidt, M. Weihnacht // Phys Solid State - 2014. - V. 56. - P. 996 - 1001.

215. Sahni, M. Influence of Mn doping on structural, electrical and magnetic properties of (0 90)BiFeO3-(010)BaTiO3 composite / M. Sahni, N. Kumar, S. Singh, A. Jha, S. Chaubey, M. Kumar // J Mater Sci Mater Electron. - 2014.

- V. 25. - P. 2199.

216. Kim, J.S. Weak ferromagnetism in the ferroelectric BiFeO3eReFeO3eBaTiO3 solid solutions (Re ^ Dy, La). / J.S. Kim, C.I. Cheon, C.H. Lee, P.W. Jang. //J Appl Phys. - 2004. - V. 96. - P. 468.

217. Sahni, M. Effect of Sr substitution on structural, dielectric, magnetic and magnetoelectric properties of rapid liquid sintered BiFe08Ti02O3 ceramics / M. Sahni, N. Kumar, M. Kumar, S. Singh. // J Mater Sci Mater Electron.

- 2014. - V. 25. - P. 4743.

218. Lin Y.H. Enhancement of ferromagnetic properties in BiFeO3 polycrystalline ceramic by La doping / Y.H. Lin, Q. Jiang, Y. Wang, C.W. Nan, L. Chen, J. Yu. // Appl Phys Lett. - 2007. - V. 90. - P. 172507.

219. Eerenstein, W. Multiferroic and magnetoelectric materials / W. Eerenstein, N.D. Mathur, J.F. Scott. // Nature - 2006. - V. 442 -P. 759.

220. Ramesh, R. Multiferroics: progress and prospects in thin films / R. Ramesh,

N.A. Spaldin // Nat Mater. -2007. - V. 6. - P. 21.

129

221. Cheong, S.W. Multiferroics: a magnetic twist for ferroelectricity / S.W. Cheong, M. Mostovoy // Nat Mater. - 2007. - V. 6. - P. 13.

222. Hunt, C.P. Rock physics and phase relations, a hand book of physical constants / C.P. Hunt, B.M. Moskowitz, S.K. Banerjee // Washington: American Geophysical Union. - 1995.

223. Kumar, V. Enhanced magnetization and magnetoelectric coupling in (1-x)(BiFeO3)/x(La2/3Sr1/3MnO3) composites / V. Kumar, A. Gaur, R.K. Kotnala. // Superlat Microstruct - 2014. - V. 69. - P. 1 - 9.

224. Милинский, А. Ю. Метод нелинейной диэлектрической спектроскопии для исследования сегнетоэлектриков в случае сильных полей / А.Ю. Ми-линский, Ю.А. Шацкая, А.А. Антонов, С. В. Барышников // Известия Самарского научного центра РАН. - 2014. - Т. 16. - № 4. - C. 83 - 89.

225. Baryshnikov, S.V. Phase transitions in the (BiFeO3)1-x/( BaTiO3)x composite ceramics: dielectric studies / S.V. Baryshnikov, E.V. Charnaya, A.Yu. Milinskii, A.A. Antonov, A.S. Bugaev // Composites Part B. - 2015. - Vol. 80.

- P. 15 - 19

226. Барышников, С. В. Линейные и нелинейные диэлектрические свойства сегнетоэлектрических композитов (KHPO^^Pbo.gsGeo.osTeKGa)^ / С. В. Барышников, Т. А. Меределина, Ю.А. Шацкая, А.А. Антонов //Перспективные материалы. - 2015. - № 5. - С. 26 - 33.

227. Антонов, А. А. Исследование нелинейных диэлектрических свойств мультиферроика CuO / А.А. Антонов, Ю. А. Шацкая, С. В. Барышников // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. - 2015.

- Т. 17. - № 2. - С. 37 - 42.

228. Милинский, А.Ю. Диэлектрические свойства системы нитрат калия-нитрат аммония / А.Ю. Милинский, А.А. Антонов // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - 2015. - Т. 225, - № 3. - С. 39 - 47.

229. Milinskiy, A.Yu. Dielectric studies of ammonium bisulfate (NH4HSO4), embedded into molecular sieves SBA-15 / A.Yu. Milinskiy, A.A. Antonov, S.V.

Baryshnikov // Solid State Phenomena. - 2016. - Vol. 247. - P. 85 - 90.

130

230. Милинский, А.Ю. Исследование фазовых переходов сегнетоэлектрика SC(NH2)2, в нанопористых матрицах на основе Al2O3 / А.Ю. Милинский, С.В. Барышников, А.А Антонов // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59. -C. 1759 - 1764.

231. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2014661029 «Модуль распознавания показаний цифровых индикаторов измерительных приборов» // А.А. Антонов, А.Ю. Милинский.

232. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015612456 «Регистратор диэлектрических свойств для прибора "Измеритель иммитанса E7-25"» // А.А. Антонов, А.Ю. Милинский.

233. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2017616306 «Модуль автоматизации сетевой передачи показаний высокоточных измерительных приборов» // А.А. Антонов, А.Ю. Милинский.