Исследование катодолюминесцентных характеристик квантовых точек тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат наук Маджма Худа Халид Хамид

• Маджма Худа Халид Хамид
• кандидат наук
• 2020

Оглавление диссертации кандидат наук Маджма Худа Халид Хамид

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ

Глава

Квантовые точки (обзор литературы)

1.1. Квантовые точки как наноструктурные материалы

1.2. Квантово - Размерные Свойства

1.3. Коллоидные квантовые точки и методы их получения

1.3.1. Мицеллярный синтез ККТ

1.3.2. Высокотемпературный коллоидный синтез

1.3.3. Метод высокотемпературного коллоидного синтеза квантовых точек полупроводников типа А111 Бу

1.3.4. Гидрофильные полупроводниковые квантовые точки

1.3.5. Рефлюксинг

1.3.6. Гидротермальный метод

1.3.7. Микроволновой метод

1.3.8. Замена гидрофобных лигандов на гидрофильные

1.3.9. Создание вторичной водорастворимой оболочки

1.3.10. Микрореакторный синтез

1.4. Люминесценция квантовых точек

1.4.1. Применение квантовых точек в катодолюминесценции

1.5. Применение квантовых точек

1.5.1. Материалы для лазеров

1.5.2. Материалы для светодиодов

1.5.3. Материалы для солнечных батарей

1.5.4. Материалы для полевых транзисторов

1.5.5. Использование в качестве биометок

Глава

Методика и техника эксперимента

2.1. Экспериментальная вакуумная установка

2.2. Способ нанесения люминофоров

2.3. Суть метода состоит в следующем

2.3.1. Исследование характеристик люминофоров при помощи РЭМ

2.3.2. Исследование характеристик люминофоров в вакуумной камере.

Глава

Результаты экспериментов

3.1. Структура коллоидных квантовых точек

3.2. Элементный анализ квантовых точек

3.3. Катодолюминисценция квантовых точек

3.3.1. Влияние кремнийорганического модификатора квантовой точки CdZnS/ZnS ^^ c длиной волны 390нм на катодолюм-инесцентный режим

3.3.2. Катодолюминесцентные (СЬ) свойства квантовых точек CdS

Глава

Разработка катодолюминесцентных ламп с люминофорами на основе квантовых точек

4.1. Конструкция катодолюминесцентный пальчиковой лампы

4.2. Технология сборки катодно-модуляторного узла

4.3. Эмиссионные характеристики катодолюминесцентных ламп

4.4. Схема управления катодолюминесцентными лампами

Заключение

Список литературы

Основное содержание диссертации отражено в следующих работах

список рисунков

Рис. 1.1. Сдвиг края полосы поглощения и максимума спектра люминесценц-ии квантовых точек CdSe при изменении их среднего размера коллоидных квантовых точек, нанометров: 1-5,5; 2-4,8; 3-4,0; 4-3,5; 4-3,0. [14]

Рис.1.2. Электронная структура массивного полупроводника (слева) и схема электронных переходов в квантовой точке (справа) между соответствующими электронно-дырочными состояниями [14]

Рис.1.3. Схематичное строение и зонная диаграмма для квантовых точек ядро-оболочка с гетеропереходом типа1 и типа

Рис.1.4. Влияние квантового ограничения на спектр, соответствующий электронной плотности различных типов квантовых структур. Электронная плотность состояний для (а) трехмерного полупроводника, (Ь) двумерного квантовая яма, (с) одномерная нанопроволока или нанотрубка и (ф) 00 квант точка [17]

Рис.1.5. Схематический процесс синтеза квантовых точек показан ниже

[18]

30

Рис.1.6. Структура частицы Сй$>ерадиусом 7 А до (а) и после оптимизации

атомной геометрии (б)[19]

31

Рис.1.7. Схема излучения КТ в простой (а) и сложной (Ь) структуре

Рис. 1.8. Пленка из многооболочечных КТ.

Рис. 1.9. Спектр поглощения и переизлучения пленки КТ.

Рис. 1.10. Схематическое изображение стабилизации пленки

Рис. 1.11. Можно увидеть, что стабилизация пленки приводит к заполнению пространства между КТ и создания небольшого защитного слоя толщиной около 10нм на ее поверхности

Рис.1.12 Спектры поглощения и переизлучения пленки

Рис. 1.13. (а) Схема катодолюминесценции KT (b) 1 мкА/смА2 (c) 2 мкА/смА12 [125]

Рис. 1.14. Использование квантовых точек в лазерах [128]

Рис.1.15. Использование квантовых точек в светодиодах [137]

Рис.1.16. Использование квантовых точек в солнечных батареях

Рис.1.17. Использование квантовых точек в полевых транзисторах

Рис.1.18. Пример использования K T в полях в качестве динамических тегов

Рис.2.1. Схема экспериментальной установки

Рис. 2.2. Agilent TV 301 NAV и его управляющий блок

Рис. 2.3. Agilent Valcon Plus 500 StarCell и его управляющий блок

Рис. 2.4. Ионизационный вакуумметр Varian IMG 100 и его управляющий блок

Рис. 2.5. Источники высокого напряжения, применявшиеся в данной работе Сами использованные источники высокого напряжения оборудованы системой стабилизации тока и напряжения и при необходимости могут управляться с лабораторного ПК

Рис. 2.6. Электронный многофункциональный осциллограф Tektronix TDS 2014С

Рис. 2.7. Общий вид вакуумной установки

Рис.2.8. Осаждение образцов люминофора

7

Рис.2.9. Общее расположение оптических коллекторов с использованием параболоидалъного зеркала в камере РЭМ

Рис. 2.10. Схема экспериментальной установки на диодной конструкции для энергетических и спектральных характеристик УФ катодолюминофора

Рис. 2.11. Внешний вид спектрометра Ocean Optics USB4000

Рис.2.12. Принципиальная схема спектрофотометра

Рис.3.1. Внешний вид осажденной пленки с квантовыми точками (30кВ, 10^m)

Рис.3.2. Фрагмент пленки с квантовыми точками (30кВ, 100^m)

Рис 3.3. Отдельные фрагменты пленки содержащие квантовые точки (30кВ, 10pm)

Рис 3.4. Рентгеновская диффакция от ансамблей коллоидных КТ CdS при размерах (Ъ0.5 нм).[139]

Рис.3.5. Атомно-силовая микроскопия квантовых точек на кремниевой подложке. а)-рельеф б)-распределение жесткости

Рис.3.6. Атомно-силовая микроскопия квантовых точек на кремниевой подложке. (а) 3Д рельеф поверхности нанесенных квантовых точек (б). Рельеф

Рис.3.7. Сечение рельефа вдоль голубой линии (поперек граней террас)

Рис.3.8. Элементный состав квантовой точки CdS . а) таблица элементов. б) Диаграмма состава в зависимости от энергии падающего пучка электронов

Рис.3.9. Элементный состав квантовой точки InSb. А) таблица элементов. Б) Диаграмма состава в зависимости от энергии пучка электронов

Рис.З.10. РЭМ-изображение образцов нанесённых квантовых точек CdZnS/ZnS (ГТ) [123,141]

Рис.З.11. Левая картинка: готовый образец с квантовыми точками. Правая картинка: образец перед установкой в вакуум (контакты еще не обрезаны для наглядности .[123]

Рис. З.12. Микроснимки SEM квантовых точек CdS [123]

Рис. 3.13. Типичный CL-спектр, полученный от квантовых точек CdS. А-рас-тровый электронный микроскоп. Б- автоэлектронный микроскоп

Рис.4.1. Схема катодолюминесцентной лампы с автоэмиссионным катодом из полиакрилонитрильного углеродного волокна

Рис.4.2. Увеличенное изображение углеродного волокна в отверстии модулятора (диаметр отверстия 1мм)

Рис. 4.3. Травление пучка углеродных волокон коронным разрядом на воздухе, а - до травления. б - после травления

Рис.4.4. Внешний вид прототипа катодолюминесцентных ламп с люминофором на основе квантовых точек с автокатодом из пучка полиакрилонитрильных углеродных волокон

Рис.4.5. Структура катодно-модуляторногоузла

Рис.4.6. Техника изготовления катода

Рис.4.7. Нанесение аквадага на торец

Рис.4.8. Зависимости анодного тока от напряжения на катоде после 10 мин работы. I-UA=10кВ; 2-Ш=7кВ; 3-Ш=5кВ

Рис.4.9. Зависимости анодного тока от напряжения на катоде после. А) - 3 часов работы. Б) - 10 часов работы. I-UА=10кВ; 2-ПА=7кВ; 3-UА=5кВ

Рис.4.10. Зависимость тока анода.(а) и модулятора.(б) от времени

Рис.4.11. Схема управлсния автоэмиссионным током катода катодолюмипес-центной пальчиковой лампы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование катодолюминесцентных характеристик квантовых точек»

ВВЕДЕНИЕ

1. Актуальность темы исследования

В настоящее время в разных областях науки и техники в центре внимания взаимодействуют полупроводниковые объекты, называемые квантовыми точками (квантовые точки, КТ).

Квантовые точки — это искусственные наноструктуры полупроводников, в которых носители заряда, то есть электроны, дырки или пары электрон - дырка — так называемые экситоны - ограничены во всех трех пространственных измерениях. В результате такие системы ведут себя электронно, а следовательно, и оптически и электрически, как точечные точки с нулевой плотностью состояний [1].

Зависимость оптических свойств полупроводниковых нанокристаллов от размера была экспериментально обнаружена в начале 80-х годов в двух разных материалах: в стеклах с легированными полупроводниками Экимовым и др [3]. И в коллоидных растворах Хенгляйном[4]. В обоих случаях было показано, что излучение цвет нанокристаллов сильно зависит от размера частиц [2]. После этого открытия теоретические расчеты были впервые представлены Брусом и Эфросом и др., демонстрирующими, что ширина запрещенной зоны полупроводника может быть смещена к большим значениям, когда размер полупроводника был сводиться к наноразмерному режиму, поэтому оптические свойства могут контролироваться размером частиц [5].

Расстояние между фиксированными уровнями энергии носителя заряда зависит от того же размера квантовой точки согласно следующему уравнению— (2шй2), где: 1тё.2

• ^ — приведённая постоянная Планка.

13

• ё — характерный размер точки.

• т — эффективная масса электрона на точке.

Кроме того, энергетический спектр для квантовой точки является отдельным.

Электрон в квантовых точках выглядит как в возможной трехмерной яме и имеет много постоянных энергетических уровней при перемещении с одного уровня на другой, фотон может испускать квантовые точки, когда электрон переходит на высокий энергетический уровень и получает излучение от перехода между нижними уровнями, в результате которого мы получаем люминесценцию. Фактически, наблюдение этого явления было первым наблюдением квантовых точек..

Снижение размера частиц ведет к возникновения необычных свойств материала, который используется при его изготовлении, по причине квантово-механических эффектов, обусловленных пространственным ограничением движения грузовых перевозчиков. Так как энергия носителя становится в данном случае раздельной и, в соответствии квантовой механике, число уровней энергии находится в зависимости от размера «потенциальной ямы», высоты возможного барьера и массы носителя заряда. Увеличение размера «дыры» ведет к росту количества энергетических уровней, которые в данном случае становятся ближе друг к другу, пока они не объединятся, и мы получим энергетический спектр «непрерывно». Когда ограничение носителя находится в одной координате (образование квантовых пленок) или двумя событиями (квантовые провода или струны) или во всевозможных трех направлениях - это станут квантовые точки (КТ)

Наноразмерные полупроводники являются промежуточными структурами между молекулярными сборками и «сплошными» материалами. Хотя границы между молекулярными и кристаллическими наноматериалами и твердыми веществами недостаточно определенно определены. Но интервал

вблизи 100-1000 атомов на частицу можно считать «верхним пределом» нанокристаллов. Что отвечает размерам, в которых разделение уровней энергии превосходит энергию тепловых колебаний кТ (температура Больцмана к непрерывная, температура Т), когда носители заряда становятся подвижными.

В настоящее время свойства квантовых точек активно изучаются для различных приложений. Однако наибольший интерес вызывает катодолюминесцентные свойства квантовых точек. Это связано в первую очередь с широким спектром. Это связано в первую очередь с широким спектром флуоресценции квантовых точек, изготовленных из разных материалов -от инфракрасного до ультрафиолетового.

Кроме того развитие катодолюминесцентных источников света на основе углеродных материалов [6-9] позволяет создать принципиально новые поколения источников света с выдающимися эксплуатационными и потребительскими свойствами.

Поэтому исследование новых катодолюминесцентных материалов на основе квантовых точек являются очень актуальной и перспективной задачей, позволяющей существенно расширить диапазон применения новых типов источников света с автокатодами из углеродных материалов.

2. Цели и задачи диссертационной работы.

Экспериментальное исследование структуры ,элементного состава и катодолюминесцентных характеристик квантовых точек на основе сульфида кадмия и разработка катодолюминесцентной лампы на их основе, а такжеизготовление таких ламп и исследование их характеристик.

3. Для достижения этой цели были решены следующие задачи

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Проведение анализа и классификацию методов синтеза квантовых точек.

2. Разработка стенда для исследования эмиссионных и фотолюмини -сцентных свойств квантовых точек.

3. Исследование спектров катодолюминесцении квантовых точек.

4. Исследование структуры и элементного состава квантовых точек в растровом и атомно-силовом микроскопах.

5. Разработка конструкции , изготовление и исследование катодолюми-несцентных ламп на основе квантовых точек из сульфида кадмия.

4. Научная новизна работы:

1. Разработка и создание стенда для исследования эмиссии.

2. Исследование Катодолюминесценция изучалась в квантовых точках на основе квантовых точек CdZnS / и CdZnS / (ГТ).

3. Исследование эффекта мерцания люминесценции.

4. Разработка конструкции катодолюминесцентной лампы на основе квантовых точек из сульфида кадмия.

5. Теоретическая и практическая важность диссертации.

Представлена возможность использования результатов, полученных при разработке полевой эмиссионной электроники, особенно катодных источников света. В данной работе католоминесцентные лампы с люминофорами были разработаны на основе квантовых точек, В которых источнике света является слой катодолюминофора, нанесенный на стеклянную подложу и облученный пучком электронов, испускаемым автокатодом. По сравнению с другими распространенными источниками света (лампами накаливания, фотолюминесцентными лампами, газоразрядными лампами и.т.д.). Эффективность использования этих катодных ламп может быть выше и не содержать одновременно вредных для окружающей среды веществ (ртуть и т. Д.).

6. Методология и методы исследования

Один из самых важных методические и технические вопросы обеспечения экспериментальных работ. В первую очередь это цельнометаллическая вакуумная установка в проектировании и сборке которой автор принимал непосредственное участие. Описаны экспериментальные методы осаждения коллоидных квантовых точек, а также методы измерения спектральных характеристик, а также методы исследования автоэмиссионных характеристик.

Структура коллоидных квантовых точек CdS была исследована разными методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии, а также методом рентгеновской дифракции.

Морфологию полученных образцов изучали с помощью атомно-силового микроскопа NTE-MDT NTEGRA.

7. Достоверность положений и выводов диссертации:

1. Использованием современных методик сбора и обработки исходной информации.

2. Совпадением результатов исследования с экспериментальными данными.

3. Непосредственным участием соискателя в получении исходных данных и научных экспериментах.

4. Точностью измерения параметров исследуемых объектов.

5. Правильным подбором объектов (единиц) наблюдения и измерения.

6. Положения и выводы, сформулированные в диссертации, получили квалифицированную апробацию на международных и российских научных конференциях и семинарах. Достоверность также подтверждается публикациями результатов исследования в рецензируемых научных изданиях, в том числе, рекомендованных ВАК.

8. Степень достоверности и апробация результатов

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. II международная конференция "Графен и родственные структуры: синтез, производство и применение", 15-17 ноября 2017 г., Тамбов.

2. Всероссийская конференция с международным участием «Сильно коррелированные двумерные системы: от теории к практике», г. Якутск, - 2018 г.

http://www. spsl.nsc.ru/FullText/konfe/2D%20systems2018prg.pdf

3. Международная научно-практическая конференция "Наука и образование в XXI веке", Россия, Тамбов, 31 мая 2019 г.

http : //ucom. ru/do c/cn.2019.05.01.pdf

4. II Международная конференция молодых ученых, работающих в области углеродных материалов,. Москва, г. Троицк .- 2019 г.

http : //www. ruscarbon. org/2019 index.html

Основное содержание диссертации отражено в публикациях по материалам диссертации, опубликованных в 9 работах, указанных в конце диссертации.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Маджма Худа Халид Хамид

Заключение.

Основные результаты работы:

1. Проведен анализ и классификация квантовых точек и методов их синтеза.

2. Был разработан стенд для исследования эмиссионных и фотолюмин -есцентных свойств квантовых точек на основе сульфида кадмия.

3. Исследованы спектры флуоресценции квантовых точек на основе сульфида кадмия в различных режимах .

4. Исследована структура элементного состава квантовых точек в растровом и атомно-силовом микроскопах.

5. Разработана конструкция катодолюминесцентной лампы с автокатодом на основе квантовых точек на основе сульфида кадмия.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Маджма Худа Халид Хамид, 2020 год

Список литературы

1. Yoffe, A.D. // Low-dimensional systems: quantum-size effects and electronic properties of semiconductor microcrystallites (zero-dimensional systems) and some quasi-two-dimensional systems // Advances in Physics. - 1993. - №2. -Pp. 173-266.

2. Екимов А И, Онущенко А А Письма в ЖЭТФ 34 363 (1981).

3. Brus L Е J. Chem. Phys. 79 5566 (1983)

4. BrusL Е J. Chem. Phys. 80 4403(1984)

5. ReedM A'etal. Phys. Rev/ZezZ 60 535 (1988)

6. Бугаев А.С., Киреев В.Б., Колодяжный А.Ю., Шешин Е.П. Катодолюминесцентные источники света (современное состояние и перспективы), УФН, т.185, №8, с853-883,2015.

7. З.Я.Лвин, Е.П.Шешин, Н.Н.Чжо, Л.Н. Лвин, М.М. Маунг. Углеродные материалы для автоэмиссионных приборов на их основе // Трупы МФТИ, 2018, —Т. 10, №2. —С. 30-46.

8. Evgenii Р. Sheshin, Artem Yu. Kolodyazhnyj, Nikolai N. Chadaev, Alexandr O. Getman, Nyein Chan Kyaw, Lwin Naing Win, Dmitry I. Ozol. Cathodoluminescent lamp for general lighting using carbon fiber field emission cathode// IEEE Xplore Digital Library. — DOI: 10.1109/IVNC.2018.8520060,— 2019.

9. Мье M. M., Шешин E. IL, Лвин 3. Я., Вин Л. Н., Аунг Ч. М., Хтуе Й. М., // Катодолюминесцентные источники в диапазоне ультрафиолетового излучения с автоэмиссионным катодом на основе углеродых материалов ТРУДЫ МФТИ, 2019. Том. 11, №. 4. С. 37-47.

10. Харрис П. «Углеродные нанотрубы и родственные структуры» М.»Техносфера», 2003,336с.

11. Колокольцев С.Н. Углеродные материалы (свойства, технологии, применения), Долгопрудный, Изд.дом «Интелект», 2012,295с.

12. Гусев А.И. Нано материалы, структуры, технологии М., Физматлит, 2005,416с.

13. R.Dingle, W.Wiegmann, C.H.Henry. Phys.Rev.Lett.,33,827.

14. Бричкин С.Б., Разумов В.Ф., «Коллоидные квантовые точки: синтез, свойства и применение, Успехи химии, т.85, №12,2016,с.1297-1312.

15. D.Yu.Nikolenko, S.B.Brichkin. V.F.Razumov. Nanotechnol., Russ., 4. 790 (2009) [Росс. нанотехнол., 4 (11 -12), 92 (2009).

16. L.Brus../. Phys. Chem., 90, 2555 (1986).

17. Васильев P. Б., Дирин Д. H. Квантовые точки: синтез, свойства, применение. — Методические материалы. — Москва: ФНМ МГУ, 2007. — 34 с.

18. https://www.rusnano.com/projects/portfolio/nanotech-dubna.

19. Панкин И.А., Кравцова А.Н., Положенцев О.Е., Тригуб А.Л., Солдатов М.А., Солдатов А.В. «Анализ атомной структуры коллоидных квантовых точек семейства CdSe: рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование»Журнал структурный химии, т57, №7,2016, С.1508-1514.

20. Хи Y.-N., Ching W.Y. //Phys. Rev. B. - 1993. -48. -P. 4335.

21. M.G.Spirin, S.D.Brichkin, V.F.Razumov. Co/Zoirf J., 67, 485 (2005) [Коллоид. жури., 67, 534 (2005)].

22. M.G.Spirin. S.B.Brichkin, V.F.Razumov. J. Phoiochem. Photobiol., A, 196, 174 (2008).

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

M.G.Spirin, S.D.Brichkin, V.F.Razumov. High Energy Chem., 44, 54 (2010) [Химия высоких энергий, 44. 54 (2010)].

M.G.Spirin, S.D.Brichkin, V.F.Razumov. Colloid J., 73, 384 (2011) [ЯЬляоид. журн., 73, 381(2011)].

S.Vaidya, J.Ahmed, A.K.Ganguli. Defen. Sci. J., 58, 531 (2008).

C.Vidal-Abarca, P.Lavela, J.L.Tirado. Electrochem. Solid-State Lett., 11, 198 (2008).

S.N.Khadzhiev, K.M.Kadiev, G.P.Yampolskaya, M.Kh.Kadieva. Adv. Colloid Interface Sci., 197-198. 132 (2013).

V.A.Nadtochenko, V.F.Razumov, M.V.Alfimov. Bull. Acad.Sci. USSR. Div. Chem. Sci., 38. 422 (1989).

M.G.Spirin, S.D.Brichkin, V.F.Razumov. Colloid J., 66. 477 (2004) [Коллоид. жури., 66, 533 (2004)].

D.Yu.Nikolenko, S.B.Brichkin, V.F.Razumov. High Energ. Chem., 42, 305 (2008) [Химия высоких энергий, 42, 347 (2008)].

M.G.Spirin. S.B.Brichkin, V.F.Razumov.Colloid Interface Sci., 326, 117 (2008).

V.Yu.Gak, S.B.Brichkin, V.F.Razumov. High Energy Chem., 44, 524 (2010) [Химия высоких энергий, 44, 560 (2010)]. S.B.Brichkin, M.G.Spirin, L.M.Nikolenko, D.Yu.Nikolenko, V.Yu.Gak, A.V.Ivanchkhina, V.F.Razumov. High Energy ChemA42. 516 (2008) [Химия высоких энергий, 42, 14 (2008)].

C.B.Murray, D.J.Norris, M.G.Bawendi. Z Am. С1тет. Soc., 115,8706 (1993).

A.P.Alivisator./. Phys. Chem., 100, 13226(1996). M.Protiere, P.Reiss. Nanoscale Res. Lett., 1, 62 (2006). O.Chen, J.Zhao, V.P.Chauhan, J.Cui, C.Wong, D.K.Harris, H.Wei, H.S.Han, D.Fukumura, R.K.Jain, M.G.Bawendi. Nat. Mater., 12, 445 (2013).

38. V.Brunetti, H.Chibli, R.Fiammengo, A.Galeone, M.A.Malvindi, G.Vecchio, R.Cingolani, J.L.Nadeau, P.P.Pompa. Nanoscale, 5, 307 (2013).

39. L.Peng, M.He, B.Chen, Q.Wu, Z.Zhang, D.Pang, Y.Zhu, B.Hu. Biomaterials, 34, 9545 (2013).

40. A.Galeone, G.Vecchio, M.A.Malvindi, V.Brunetti,R.Cin-Golani, P.P.Pompa. Nanoscale, 4, 6401 (2012).

41. K. V. Zolotarev, V. N. Kashirtseva, A. V. Mishin, N. F. Belyaeva, N. V. Medvedeva, O.M.Ipatova. ISRN Nanotechnol.,2012,ID 914636 (2012).

42. M.M.Haque, H.Y.Im, J.E.Seo, M.Hasan, K.Woo, O.S.Kwon. fa' J. Appl. Toxicol., 33, 940 (2013).

43. X.Hu, X.Gao. ACS Nano, 4, 6080 (2010).

44. R.Xie, D.Battaglia, X.Peng. J. Am. Chem. Soc., 129. 15432 (2007).

45. Y.Wang. C.H.Quek, K.W.Leong, J.Fang. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1241, 7 (2010).

46. C.-Y.Kuo,M.-S.Su,C.-S.Ku,S.-M.Wang, H.-Y.Lee, K.-H.Wei. J.Mater.Chem.,21,11605(2011).

47. Y.Liu, M.Gibbs, J.S.Puthussery, S.Gaik, R.Ihly, H.W.Hillhouse, M.Law.Nano Lett.,10,1960(2010).

48. S.B.Brichkin, E.V.Chernykh. High Energy Chem.,45,1(2011) Химия высоких энергий,45,3(2011).

49. V. Melnig, M.^.Apostu, N.Foca. J. Nanopart. Res., 10, 171 29 142.(2008).

50. Y.Shi, L.Liu, H.Pang, H.Zhou, G.Zhang, Y.Ou, X.Zhang, J.Du,W.Xiao. Nanoscale Res. Lett., 9, 115 (2014).

51. Y.Shi, Z.Ma, N.Cui, Y.Liu, X.Hou, W.Du, L.Liu, T.Gangsheng. Nanoscale Res. Lett., 9, 121 (2014).

52. O.D.Bekasova, A.A.Revina, E.S.Kornienko, B.I.Kurganov. Appl. Biochem. Biotechnol.,116, 1141 (2015).

53. F.Aplop, M.R.Johan. Adv. MMer. Set. £«g., 807, 115 (2014).

100

54. P.S.Shri, J.Madhavan. Pharma Chem., 5, 1 (2013).

55. S.Emin, N.Sogoshi, S.Nakabayashi, M.Villeneuve, C.Dushkin.J. Photochem. Photobiol., A, 207, 173 (2009).

56. F.P.Ramanery, A.A.P.Mansur, H.S.Mansur. Nanoscale Res.Let/., 8, 512(2013).

57. J.J.Andrade, A.G.Brasil Jr., P.M.A.Farias, A.Fontes,B.S.Santos. Microelectron. J., 40, 641 (2009).

58. M.Koneswaran, R.Narayanaswamy. Sens. Actuators. B, 139, 91 (2009).

59. H.Qian, X.Qiu, L.Li, J.Ren. .1. Phys. Chem. B, 110, 9034 (2006).

60. Z.Fang, L.Liu, L.Xu. X.Yin, X.Zhong. Nanotechnology, 19, 235603 (2008).

61. J.Cao, B.Xue, H.Li, D.Deng, Y.Gu.Colloid Interface Sci., 348, 369(2010).

62. Y.Zhang, A.Clapp. Sensors, 11, 11036(2011).

63. D.Zhou, M.Lin, Z.Chen, H.Sun, H.Zhang, H.Sun, B.Yang. C/tezn. Mazer., 23,4857 (2011).

64. W.W.Yu, E.Chang, R.Drezek, V.L.Colvin. Biochem. Biophys. Res. Commun., 348, 781 (2006).

65. N.Gaponic, D.V.Talapin, A.L.Rogach, K.Hoppe, E.V.Shevchenko, A.Kornowski, A.Eychmuller, H.Weller. J. Phys. Chem. B, 106, 7177 (2002).

66. C.-P.Huang, C.-F.Chao, M.-Y.Shen, T.-M.Chen, Y.-K.Li. Chem. Asian J., 7, 2848 (2012).

67. Y.-F.Liu, J.-S.Yu. J. Colloid Interface Sci., 333, 690 (2009).

68. R.Moradian, M.Elahi, A.Hadizadeh, M.Roshani, A.Taghizadeh, R.Sahraei. Im. Nano Lett., 3, 56 (2013).

69. Y.Wang, S.Liu. J.Chil. Chem. Soc., 57,1109 (2012).

70. L.Li, H.Qian, N.Fang, J.Ren. J. Lumin., 116, 59 (2006).

71. Y.Zhu, Z.Li, M.Chen, H.M.Cooper, G.Qing, Z.P.Xu. J. Colloid Interface Sci., 390, 3 (2013).

72. Z.Li, C.Dong, L.Tang, X.Zhu, H.Chen, J.Ren. Luminescence, 26, 439 (2011).

73. C.Liu, Y.Ji, T.Tan. J. Alloys Compd., 570, 23 (2013).

74. A.Aboulaich, D.Billaud, M.Abyan, L.Balan, J.-J.Gaumet, G.Medjadhi, J.Ghanbaja, R.Schneider. ACS Appl. Mater. Interfaces, 4,2561 (2012).

75. X.Liu, C.Ma, Y.Yan, G.Yao, Y.Tang, P.Huo, W.Shi, Y.Yan. Eng. Chem. Res., 52, 15015 (2013).

76. W.Yang, W.Li, ll.Dou, K.Sun. Mater. Lett.. 62, 2564 (2008).

77. Y.Yu, L.Xu. J.Chen, H.Gao, S.Wang. J.Fang, S.Xu. Colloids Surf.B. 95.247 (2012).

78. J.Wang, H.Han. J. Colloid Interface. Sci., 351, 83 (2010).

79. M.Baghbanzadeh, L.Carbone, P.D.Cozzoli, C.O.Карре.Angew. Chem., Int. Ed., 50, 11312 (2011).

80. M.Molaei, E.S.Iranizad, M.Marandi, N.Taghavinia,R.Amrollahi. Appl. Surf. Sci., 257, 9796 (2011).

81. T.Xuan, X.Wang, G.Zhu, H.Li, L.Pan, Z.Sun. J. Alloys Compd., 558, 105 (2013).

82. H.Qian, C.Dong, J.Weng, J.Ren. Small, 2, 747 (2006).

83. L.Huang, H.Han. Mater. Lett., 64, 1099 (2010) .

84. J. Du, X. Li, S.Wang, Y.Wu, X.Hao, C.Xu, X.Zhao. J. Mater. ,Chem., 22, 11390(2012).

85. X.Chen, L.Li, Y.Lai, J.Yan, Y.Tang, X.Wang. Int. J. Mol. Sci.,16,11500(2015).

86. H.-J.Zhan, P.-J.Zhou, Z.-Y.He, Y.Tian. Eur. J. Inorg. Chem., 2012,2487(2012).

87. L.-M.Sai, X.Y.Kong. Nanoscale Res. Lett., 6, 399 (2011).

88. L.-W.Jiang, J.Zhou, X.-Z.Yang, X.-N.Peng, H.Jiang, D.-Q.Zhuo, L.D.Chen, X.-F.Yu. Chem. Phys. Lett., 510,135 (2011).

89. F.A.La Porta, M.M.Ferrer. Y.V.B.de Santana, C.W.Raubach, V.M.Longo, J.R.Sambrano/E.Longo, J.Andres, M.S.Li, J.A.Varela. J. Alloys Compd., 556, 153 (2013).

90. R.Shahid, M.S.Toprak, M.Muhammed. J. Solid State Chem., 187, 130 (2012).

91. M. M.Moghaddam, M.Baghbanzadeh, A.Keilbach, C.O.Kappe. Nanoscale, 4, 7435 (2012).

92. A.L.Washington, G.F.Strouse. J. Am. Chem. Soc., 130, 8916 (2008).

93. M.-Q.Zhu, Z.Gu, J.-B.Fan, X.-B.Xu, J.Cui, J.-H.Liu, F.Long. Langmuir, 25, 10189 (2009).

94. T.Xuan, X.Wang, J.Liu, H.Li, L.Pan, Z.Sun. J. Mater. Chem. C, 1,4550

(2013).

95. M.Shakir, S.K.Kushwaha, K.K.Maurya, G.Bhagavannarayana, M.A.Wahab. Solid State Commun., 149, 2047 (2009).

96. D.Dorokhin, N.Tomczak, M.Han, D.N.Reinhoudt, A.H.Velders, G.J.Vancso. ACS Nano, 3, 661 (2009).

97. J.Wang, S.Han, D.Ke, R.Wang. J. Nanomater., 2012, N129041 (2012).

98. X.Michalet, F.F.Pinaud, L.A.Bentolila, J.M.Tsay. S.Doose. J.J.Li, G.Sundaresan, A.M.Wu, S.S.Gambhir, S.Weiss. Science, 307, 538 (2005).

99. N.Pradhan, D.M.Battaglia, Y.Liu, X.Peng. Nano Lett.., 1, 312 (2007).

100. E.S.Speranskaya, V.V.Goftman, I.Yu.Goryacheva. Nanotechnol. Russ., 8, 129 (2013) [Pocc, HaHOTexHOH., 8 (1 - 2), 110(2013)].

101. G.M.Duran, M.R.Plata, M.Zougagh, A.M.Contento, A.Rios. J. Colloid Interface Sci., 428, 235 (2014).

102. S.A.Rahman, N.Ariffin, N.A.Yusof, J.Abdullah, Z.A.Zubir, N.M.Azmi, N.A.Aziz, N.E.Azmi, H.Sidek, N.I.Ramli. Adv. Mater. Res., 879, 184

(2014).

103. A.S.Blum, M.H.Moore, B.R.Ratna. Langmuir, 24, 9194 (2008).

104. J.Wang, J.Xu, M.D.Goodman, Y.Chen, M.Cai, J.Shinar, Z.Lin. J. Mater. Chem., 18, 3270 (2008).

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

M.Bloemen, D.Debruyne, P.-J.Demeyer, K.Clays, A.Gils,N.Geukens, C.Bartic, T.Verbiest. RSC Adv., 4, 10208 (2014).

I.L.Medintz, H.T.Uyeda, E.R.Goldman, H.Mattoussi. Nat. Mater., 4, 435 (2005).

E.E.Lees, T.-L.Nguyen, A.H.A.Clayton, P.Mulvaney. ACS Nano, 3. 1121 (2009).

T.Pellegrino, L.Manna, S.Kudcra, T.Liedl, D.Koktysh, A.L.Rogach, S.Keller, J.Radler, G.Natile, W.J.Parak. Nano Lett., 4, 703 (2004). JM K.-T.Yong, R.Hu, I.Roy, H.Ding, L.A.Vathy, E.J.Bergey, M.Mizuma, A.Maitra, P.N.Prasad. ACS Appl. Mater. Interfaces, 1, 710 (2009). C.Wang, Q.Ma, W.Dou, S.Kanwal, G.Wang. P.Yuan, X.Su. ,, Taianta, 77, 1358 (2009).

N.Depalo, R.Comparelli, M.Striccoli, M.L.Curri, P.Fini L.Giotta, A.Agostiano. J. Phys. Chem. B, 110, 17388 (2006). H.Li, C.Han. Chem. Mater., 20, 6053 (2008).

A.J.de Mello, M.Habgood, N.L.Lancaster, T.Welton,R.C.R.Wootton. Lab Chip, 4, 417 (2004).

H.Yang, W.Luan, S.-T.Tu, Z.M.Wang. Lab. Chip., 8,451 (2008). Z.Wan, H.Yang, W.Luan, S.-T.Tu, X.Zhou. Nanoscale Res.Lett., 5, 130(2010).

A.L.Abdelhady, M.Afzaal, M.A.Malik, P.O Brien. J. Mater. Chem., 21, 18768 (2011).

H.Yang, W.Luan, Z.Wan, S.-T.Tu, W.-K.Yuan, Z.M.Wang, Cryst. Growth Des.. 9, 4807 (2009).

A.Singh, M.Limaye, S.Singh, N.P.Lalla, C.K.Malek,S.Kulkarni. Nanotec/i/io/ogy, 19, 245613 (2008).

Левшин В. Л. и др. Исследование катодолюминесценции цинксульфидных и некоторых других люминофоров // Труды Физического института им. П.Н. Лебедева. 1963. Вып. 23. С. 64-135. Klimov V.I., ed. Nanocrystal Quantum Dots (2nd Ed.). // CRC Press, 2010.

104

121. Ozol D.I. // Preliminary study of cathode ray tube phosphors on the basis of nanocrystal quantum dots // 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), 2016, Vancouver, BC, 2016, pp. 1-2.

122. Дежуров С. В. и др. Синтез высокостабильных коллоидных квантовых точек CdTeSe/CdS/CdZnS, флуоресцирующих в блик-диапазоне 650-750 нм. //Российские нанотехнологии. 2016. № 5-6. стр. 69-74.

123. Маджма X. X. Морфология, катодолюминесценция, анализ и оптические свойства квантовых точек CdS. // Мониторинг: наука и технологии 2018. № 3(36).

124. Xue Bai, Finn Purcell-Milton and Yuri K. Gun'ko. Optical Properties, Synthesis, and Potential Applications of Cu-Based Ternary or Quaternary Anisotropic Quantum Dots, Polytypic Nanocrystals, and Core/Shell Hetero structures // Nanomaterials 2019, No. 9, P. 85.

125. Ju Yeon Woo, Jongsoo Lee, Hansung Lee, Naesung Lee, Ji Hye Oh, Young Rag Do, and Chang-Soo Han, "Visible cathodoluminescence of quantum dot films by direct irradiation of electron beam and its materialization as a field emission device," // Opt. Express 21, 1251912526 (2013).

126. Semiconductor and metal nanocrystals. Edited by V.Klimov. New York, Marcel Dekker Inc. 2004.

127. Klimov V.I. Optical Nonlinearities and Ultrafast Carrier Dynamics in Semiconductor Nanocrystals. J. Phys. Chem. В 2000, 104, 6112-6123.

128. Klimov VI, Mikhailovsky AA, Xu S, Malko A, Hollingsworth JA, Leatherdale CA, Eisler H, Bawendi . Optical gain and stimulated emission in nanocrystal quantum dots. Science 2000,290:314-317.

129. Coe S, Woo W-K, Bawendi M, Bulovic. Electroluminescence from single monolayers of nanocrystals in molecular organic devices. Nature 2002, 420: 800-803.

130. B.O'Regan, M. Gratzel, A low-cost, high-efficiency solar cell based on dye-sensitized / colloidal TiO2 films, Nature 353, 737 (1991).

131. W. U. Huynh, J. J. Dittmer, A. P. Alivisatos. Hybrid nanorod-polymer solar cells. Science - 295 (March 29 2002): 2425-2427.

132. Leatherdale CA, Kagan CR, Morgan NY, Empedocles SA, Kastner MA, Bawendi. Photoconductivity in CdSe quantum dot solids. Physical Review B, 2000, 62: 2669-2680.

133. D.Talapin C.Murray, PbSe Nanocrystal Solids for n- and p-Channel Thin Film Field-Effect Transistors, SCIENCE, 2005, 310, 86-89.

134. Medintz I.L., Uyeda H.T., Goldman E.R., Mattuosi H. Quantum dot bioconjugates for imaging, labelling and sensing. Nature Materials, 2005, Vol. 4, 435-446.

135. Малкиель Б. С. Исследование, разработка и промышленное освоение осциллографических запоминающих и цветных ЭЛТ. Дисс. на соиск. уч.ст.д.т.н., Львов, 1981.

136. Саминский Л.А., Твердохлеб И.Г. Нанесение органической пленки из акрилатного лака центробежным методом на тонкострунные экраны // Электронная техника. - 1972. - Т.4, вып. 2. - С. 45-49.

137. Барановский В.И. Технология производства приемных электронно-лучевых трубок // Энергия. - 1970. - С.137-178.

138. Lyuji Ozawa, Cathodoluminescence and Photoluminescence: theories and practical applications // CRC Press, 2007.

139. Патент на изобретение 2540385 Российская Федерация, МПК С 01G 11/02, С 09 К 11/02, Способ получения полупроводниковых кантовых точек сульфида кадмия / О.В. Овчинников, М.С. Смирнов, Б.И. Шапиро, Т.С. Шатских, Л.С. Перепелица, А.О. Дедикова; заявитель Воронеж, гос. ун-т (ФГБОУ ВПО ВГУ) (RU). -2013127477/05(040934); заявл. 17.06.13; опубл. 10.02.15, Бюл. №4. - 12 с.

140. Овчинников, О.В. Природа спектров фотостимуляции вспышки люминесценции в квантовых точках CdS / О.В. Овчинников, М.С. Смирнов, А.Н. Латышев, А. С. Перепелица, Н.В, Королев, Т.С. Шатских, С.Е. Стародубцев // Оптический журнал. - 2013. - Т.80, №7. - С. 13-20.

141. Majma Huda Khalid Hameed, E.P.Sheshin., // Researching CdZn/ZnS (ГТ) Quantum dots in cathodoluminescent mode, // Jnt.Journal of innovative Techn.and Exploring Engineering (IJITEE); 2278-3075, v8, №952,2019 р.841-843.

142. Majma Huda Khalid Hameed, E.P.Sheshin, // The effect of silicon-organic modifier of CdZnS/ZnS(ГТ) Quantum dot with wavelength 390nm on cathodoluminescent mod, // Jnt Journal of Jnnovative Techn.and Exploring Engineering (IJITEE), 2278-3075, v9, №1,2019, р.1411-1413.

143. Екимов А.И. // Квантовый размерный эффект в оптических спектрах полупроводниковых микрокристаллов // Физика и техника полупроводников. - 1982 - №7 - С. 1215 - 1219.

144. M.J. Anc, N.L. Pickett, N.C. Gresty et al. // Progress in Non-Cd Quantum Dot Development For Lighting Applications // ECS Journal of Solid State Science and Technology - 2013 - №2 - Pp. 3071-3082.

145. Y. Kim, C. Ippen, T. Greco et al. // Efficiency Enhancement of Indium Phosphide (InP) Based Quantum Dot Light-Emitting Diodes by Shell Thickness Tuning // SID Symposium Digest of Technical Papers. - 2013 -№ 44 - Pp. 207-209.

146. S. Gao, C. Zhang, Y. Liu et al // Lasing from colloidal InP/ZnS quantum dots // Optics Express. -2011. - № 6 - Pp. 5528-5535.

147. Kamat, P.V. // Quantum dot solar cells. Semiconductor nanocrystals as light harvesters // Journal of Physical Chemistry C. - 2008 - № 48 - Pp. 737-745.

148. Leshukov M.Yu., Baturin A.S., Chadaev N.N., Sheshin E.P. Characterizations of light sources with carbon fiber cathodes. // Appl. Surf. Science. V. 215. 2003. P. 260-264.

149. Л Лешуков М.Ю., Чадаев H.H., Батурин А. С., Шешин Е.П. // Вакуумные катодолюминесцентные лампы для систем отображения информации. // Труды конф. «Современное телевидение» Москва, 2004. С. 36—38.

150. Leshukov M.YU., Sheshin E.P. // Plasmachemical processing of field emission cathodes made of carbon fibers bundles. // Techn. digest of IVNC. Guilin, China. 2006. P. 333—334.

151. Лейченко A.C., Лешуков М.Ю., Лупарев H.B., Шешин Е.П. // Формование эмитирующей поверхности автокатодов из пучков углеродных волокон коронным разрядом. // Сб. тезисов докл. международной конференции «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология». Москва, 2006. С. 115.

152. Шешин Е.П., Столяров А.Б., Анащенко А.В., Кудрявцев А.Н., Дьяконова Н.Б. // Изучение эмиссионных свойств и структуры углеродных волокон различных типов. Мат-лы VII совещания «Радиационная физика твердого тела». //Москва—Севастополь, 1997. С. 78—82.

153. Sheshin Е.Р., Anaschenko A.V., Kuzmenko S.G. // Field emission characteristic research of some type of carbon fibers. // Ultramicroscopy. V. 79. 1999. P. 109-114.

154. Baturin A.S., Kelly T. Mousa M.S., Sheshin E.P. // And others Lifetime and emission stability of carbon fiber cathodes. // Materials Sci. and Engineering. 2003. V. A. 353. P. 22—26.

155. Макуха В.И., Шешин Е.П. О возможности получения больших автоэмиссионных токов из графита. В кн.: Физические явления в приборах электронной и лазерной техники. М.: МФТИ, 1983. С. 22— 25.

156. Шешин Е.П., Батурин А.С. Стабильность автоэлектронной эмиссии углеродноволоконных автокатодов. Мат-лы Всероссийского симпозиума по эмис. электронике. Рязань. 1996. С. 141—142.