Исследование и создание гибридно-монолитных СВЧ - генераторов и преобразователей частоты на универсальных активных GaAs МИС в диапазоне частот 1...18 ГГЦ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Богданов, Юрий Михайлович

• Богданов, Юрий Михайлович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Богданов, Юрий Михайлович

Введение.

Глава 1. Разработка моделей активных и пассивных элементов для гибридно -монолитных интегральных схем (ГМИС) СВЧ.

1.1. Введение.

1.2. Модели полевых транзисторов с барьером Шотки.

1.3. Моделирование пассивных элементов.

1.4. Выводы.

Глава 2. Разработка и проектирование генераторов СВЧ.

2.1. Введение.

2.2. Типы твердотельных генераторов.

2.3. Особенности создания генераторов СВЧ.

2.4. Методика расчета генераторов на ПТШ во временной области.71*

2.5. Проектирование автогенератора на ПТШ стабилизированного диэлектрическим резонатором.

2.6. Генератор на ПТШ с низкими фазовыми шумами.

2.7. Генераторы управляемые напряжением и 4-х полюсники с отрицательным дифференциальным входным сопротивлением.

2.8. Выводы.

Глава 3. Умножители и делители частоты на ПТШ.

3.1. Введение.

3.2. Выбор схемы аналогового делителя частоты.

3.3. Конструктивно - технологические особенности ГМИС АДЧ.

3.4. Экспериментальные результаты.

3.5. Проектирование и разработка умножителей частоты.

3.6. Экспериментальные результаты.

3.7. Выводы.

Глава 4. Балансные преобразователи частоты и смесители на ПТШ на основе МИС АБПЧ.

4.1. Введение.

4.2. Выбор и обоснование схемы преобразователя и смесителя.

4.3. Конструктивно-технологические особенности ГМИС преобразователей частоты и смесителей.

4.4. Экспериментальные результаты.

4.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и создание гибридно-монолитных СВЧ - генераторов и преобразователей частоты на универсальных активных GaAs МИС в диапазоне частот 1...18 ГГЦ»

Последние годы характеризуются доминирующим положением полупроводниковых приборов в технике СВЧ малой мощности. Стремление к миниатюризации аппаратуры, повышению ее надежности привело к созданию сначала гибридных интегральных схем (ГИС), а в дальнейшем гибридно - монолитных (ГМИС) и монолитных (МИС) схем СВЧ.

Технология изготовления ГМИС относительно МИС существенно проще, однако так же имеет групповой характер, что позволяет сократить затраты времени и средств на проектирование и изготовление изделий.

Наиболее общий подход к проектированию и разработке твердотельных устройств СВЧ описан в работах [1-5], где рассматриваются модели твердотельных устройств различных уровней сложности и точности.

Высшему уровню точности соответствует совместное решение наиболее общих уравнений, описывающих движение носителей заряда в полупроводнике, и уравнений Максвелла для электрического поля в полупроводнике и контурной системе. Такие общие модели, исключающие раздельный расчет активного элемента и пассивной электродинамической системы (ПЭДС), ввиду чрезвычайной сложности, пока практически не используются. К более низким уровням строгости относятся модели, в которых активный элемент (АЭ) описывается квазистатиче-ски, как четырехполюсник, включенный во внешнюю электрическую цепь. Именно такие модели лежат сейчас в основе практических расчетов большинства твердотельных устройств СВЧ. Они позволяют независимо описывать АЭ и ПЭДС и различным образом объединять их модели при расчете устройств СВЧ. При этом можно выделить два основных метода такого объединения: совместный расчет моделей АЭ и ПЭДС во временной области [1, 6, 7] и расчет выходных характеристик устройств по известным частотным характеристикам АЭ и ПЭДС [8-10].

Таким образом, проектирование ГМИС твердотельных устройств СВЧ представляет собой совместное решение различных по характеру задач, а именно: разработку физических и математических моделей СВЧ активных элементов и элементов ПЭДС и способов их сочленения и схемотехническое проектирование ГМИС СВЧ - генераторов и преобразователей частоты в широком интервале рабочих частот.

При серийном выпуске рассматриваемых в работе устройств круг перечисленных задач расширяется за счет вопросов, связанных с минимизацией разброса характеристик устройств при использовании различных экземпляров АЭ и при воздействии дестабилизирующих факторов [5,11-14].

На этапе создания твердотельных устройств необходимо решать широкий круг конструкторско - технологических задач: оптимизация размещения АЭ и элементов ПЭДС на подложке, оптимизация топологии устройства с целью увеличения «плотности упаковки», упрощение технологического процесса и др.

Постановка задачи и цель работы. В диссертационной работе из всего многообразия твердотельных устройств рассматриваются СВЧ - генераторы и преобразователи частоты (смесители, преобразователи, делители, умножители). Такое их объединение связано с тем, что СВЧ - генераторы также можно рассматривать как преобразователи сигнала нулевой частоты (постоянного тока питания АЭ) в СВЧ - сигнал. Поэтому, несмотря на различие этих устройств, между ними есть много общего, что позволяет использовать единый подход к их созданию и исследованию.

1. Миниатюризация твердотельных устройств в направлении создания монолитных интегральных схем привела к необходимости использования в них по -возможности однотипных активных элементов. В настоящий момент такими элементами являются GaAs триоды - полевые транзисторы с барьером Шотки (ПТШ), работающие в более широком диапазоне частот, по сравнению с биполярными транзисторами, и более стабильно, по сравнению с СВЧ-диодами [15-16].

2. СВЧ - генераторы и преобразователи частоты можно отнести к классу устройств малой мощности (0,01.0,1 Вт), что упрощает их анализ и исследование. В то же время ПТШ во всех этих устройствах работают в существенно нели4 нейных режимах, поэтому для описания ПТШ требуются нелинейные модели транзисторов [1, 7,17].

3. Для широкого применения рассматриваемых твердотельных устройств они должны быть выполнены в виде ГМИС, которые помимо активных элементов содержат планарные и миниатюрные навесные пассивные элементы. В верхней части диапазона частот (1.18 ГГц) проявляется распределенный характер пассивных элементов, который необходимо учитывать при проектировании и создании ГМИС СВЧ [2, 5].

4. Использование ограниченного числа унифицированных активных и пассивных элементов позволяет на основе идентичных схем создавать устройства в различных поддиапазонах СВЧ [18-20].

Несмотря на значительное число исследований, посвященных вопросам проектирования и создания твердотельных устройств СВЧ [2 - 5], к началу работы над диссертацией оставался нерешенным широкий круг задач, относящихся, прежде всего, к проектированию, созданию и исследованию ГМИС СВЧ - генераторов и преобразователей частоты.

Основными активными элементами ГМИС СВЧ являются ПТШ, освоение которых в технике СВЧ началось в конце 70-х годов [16]. К моменту начала работы над диссертацией в СВЧ генераторах на ПТШ использовались транзисторы с однородным профилем легирования примеси, что не позволяло в полной мере раскрыть преимущества этих приборов перед биполярными транзисторами и СВЧ - диодами. Расчет параметров таких ПТШ и устройств на их основе требовал более точных моделей. Описанные в литературе модели носили частный характер и не позволяли исследовать многие структуры ПТШ и режимы их работы, позволяющие получить высокие выходные параметры СВЧ - устройств на их основе.

Пассивные электродинамические системы ГМИС СВЧ строятся на основе планарных распределенных элементов (отрезков линий, шлейфов и т.п.) и планар-ных сосредоточенных элементов (емкостей, индуктивностей и т.п.). К моменту начала работы над диссертацией имелись многочисленные публикации о методах 5 расчета этих элементов, размещенных на диэлектрической подложке [9,12-14,18]. Как правило, они основывались на строгих моделях, требующих значительного времени счета, либо относились к низкочастотному диапазону, когда размеры элементов малы по сравнению с длиной волны и, что особенно важно, практически не были исследованы пассивные элементы, размещенные на GaAs - подложке, применяемые в ГМИС.

К моменту начала работы над диссертацией конструктивно ГМИС выполнялись на диэлектрической подложке с включенными в них навесными корпусными или бескорпусными ПТШ. Такое их построение существенно усложняло получение высоких выходных параметров устройств СВЧ. В частности, в большинстве преобразователей частоты использовались балансные схемы включения транзисторов, имеющие лучшие выходные параметры по сравнению с однотактными схемами, но требующими высокой идентичности используемых ПТШ. Применение навесных ПТШ не позволяло реализовать все преимуществ балансных преобразователей частоты.

Создание СВЧ - генераторов и преобразователей частоты требовало больших усилий как конструкторского, так и технологического характера. К моменту начала работы над диссертацией такие устройства были выполнены лишь в единичных экземплярах. Отсутствовал единый подход к разработке унифицированных рядов СВЧ - генераторов и преобразователей частоты в широком диапазоне частот.

Все это сдерживало дальнейшее продвижение по пути «монолитизации» СВЧ - генераторов и преобразователей частоты. Необходим был кардинальный сдвиг в подходах к созданию СВЧ компонентов генераторного и преобразовательного типа.

Цель работы состояла в научно обоснованном объединении минимального набора активных и пассивных элементов на одной подложке, и изготовлении на их основе многофункциональных универсальных активных GaAs МИС с целью создания рядов СВЧ- генераторов и балансных устройств преобразования частоты 6 смесителей, преобразователей, делителей, умножителей и т.п.), работающих в широком диапазоне частот (1. 18 ГГц).

Научная новизна. В работе получены следующие основные результаты, которые в большинстве своем являются новыми:

1. Предложены оригинальные структуры и выполнены исследования полевых транзисторов с барьером Шотки с неоднородным профилем легирования и полевых транзисторов на гетероструктурах и показано, что в таких приборах реализуется низкая чувствительность параметров нелинейных элементов эквивалентной схемы ПТШ к НЧ флуктуациям заряда в канале и на поверхности канала ПТШ, что способствует снижению модуляционных шумов генераторов [23-25].

2. Разработана методика восстановления параметров нелинейной модели ПТШ, позволяющая выполнять анализ и оптимизацию различных гибридно - монолитных устройств на ПТШ [26-27].

3. Предложена конструкция и выполнено теоретическое и экспериментальное исследование энергетических и диапазонных характеристик генераторов на ПТШ с неравномерным профилем легирования. Показано, что оптимизация профиля легирования примеси активного слоя позволяет на 6. 12 дБ снизить спектральную плотность мощности фазовых шумов генераторов [28-30].

7. Выполнено исследование генератора на ПТШ с перестройкой частоты с помощью другого ПТШ [35].

8. Разработан функционально-полный ряд гибридно-монолитных интегральных схем СВЧ (4-х полюсных генераторных модулей, преобразователей, смесителей, умножителей и делителей частоты) в диапазоне 1. .18 ГГц для синтезаторов частот и трактов преобразования частоты и приемно - передающих модулей аппаратуры РЭБ, РЛС [34-38].

Ценность работы состоит в том, что в ней в рамках единой научной задачи рассмотрена методология проектирования ГМИС СВЧ - генераторов и преобразователей частоты, когда полупроводниковые приборы описываются моделями с существенно нелинейными параметрами, и созданы параметрические ряды ГМИС 7

СВЧ - генераторов, смесителей, преобразователей, умножителей и делителей частоты в различных частях СВЧ диапазона с применением ограниченного числа универсальных GaAs МИС.

Результаты диссертационной работы использовались в ФГУП «НПП «Исток» при выполнении НИР «Отель», ОКР: «Овод», «Орден», «Репей», «Синтетика», «Созвездие - 4» и других. В 10 НИОКР автор являлся главным конструктором разработки. Все устройства разработанных в ОКР, освоены в серийном производстве в ФГУП «НПП «Исток».

Апробация работы Основные результаты работы обсуждались на семинарах Московского отделения НТО им. А.С. Попова (Москва, 1978 -81, 1989, 1991, на 16-й Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» 11-15 сентября 2006 г., Севастополь, Украина.

Публикации. В основу диссертации положены работы, опубликованные в 11 статьях, 3 патентах РФ, одном авторском свидетельстве.

В результате выполнения работы получен ряд новых результатов, основные из которых сформулированы в виде следующих научных положений, выносимых на защиту:

1. Неоднородный профиль легирования активного слоя структуры GaAs ПТШ, включающий тонкий слой с повышенной концентрацией на границе с буферным слоем, существенно уменьшает зависимость емкостей затвор-исток, затвор-сток и крутизны ПТШ от первичных НЧ флуктуаций зарядовых состояний на поверхности и в объеме канала и тем самым позволяет на 6.12 дБ снизить спектральную плотность мощности фазовых шумов генераторов, созданных на основе таких ПТШ (патент РФ № 2093925).

2. 4-х полюсные ГМИС на основе ПТШ с неоднородным профилем легирования с нормированным отрицательным дифференциальным входным сопротивлением в 50-омном тракте в заданном диапазоне частот и 50-омным выходом, могут служить универсальными активными элементами малошумящих генераторов СВЧ, при этом генерация происходит на резонансной частоте внешней колебательной системы, подключаемой к входу ГМИС. Применение таких ГМИС существенно упрощает и удешевляет разработку и производство малошумящих ГУН и генераторов, стабилизированных ДР (патент РФ №2012102).

3. МИС на структуре GaAs, состоящая из двух идентичных ПТШ, соединенных стоками и имеющих перекрестное соединение затворов и истоков через разделительные емкости, и третьего ПТШ, затвор которого через разделительную емкость соединен со стоками пары ПТШ, а сток через разделительную емкость и воздушный мост соединен с затвором одного из парных ПТШ, в зависимости от конфигурации внешней подключенной к МИС схемы, выполняет одну из функций: делителя частоты на 2, балансного умножителя частоты на 2, двойного балансного смесителя, преобразователя частоты, в диапазоне частот 1.18 ГГц. При этом длина затвора всех ПТШ должна быть не более 0,5 мкм.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Список цитируемой литературы содержит 80 наименований, в том числе в 15 - ти автор диссертации выступает в роли автора.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Богданов, Юрий Михайлович

4.5. Выводы

1. Обоснован выбор схемы построения балансного преобразователя частоты и двойного балансного смесителя на основе МИС АБПЧ.

2. Проведено на основе компьютерного моделирования схемотехническое и топологическое проектирование литерных балансных преобразователей частоты и двойных балансных смесителей в диапазоне частот 2.15 ГГц.

3. Разработаны промышленные конструкции 4 литер балансных преобразователей частоты и 3-х литер двойных балансных смесителей с большой степенью унификации изделий с ГМИС делителями частоты.

Заключение

1. Создана расчетно-экспериментальная база эквивалентных схем и моделей пассивных и активных элементов для проектирования ГМИС генераторного и преобразовательного типа.

2. Предложены и физически обоснованы структуры ПТШ с низкой модуляционной чувствительностью элементов эквивалентной СВЧ схемы к первичным НЧ флуктуациям в объеме и на границе канала ПТШ.

3. Предложена конструкция генератора на ПТШ со специальным профилем легирования. Показано, что использование такого ПТШ приводит к снижению СПМШ на 6. 12 дБ по сравнению с ПТШ с однородным профилем.

4. Предложен, разработан и освоен в производстве новый тип твердотельных изделий СВЧ - 4-х полюсные генераторные модули на основе ПТШ для работы в качестве активных элементов в составе малошумящих генераторов СВЧ разных классов.

5. Предложена и разработана универсальная МИС на GaAs по схеме аналогового балансного перемножителя частоты (МИС АБПЧ) для применения в составе ГМИС преобразовательного типа.

6. На базе МИС АБПЧ впервые в РФ разработаны промышленные конструкции: делителей частоты на 2 с верхней границей диапазона рабочих частот 12 ГГц, умножителей частоты на 2 в диапазоне частот по выходу 2. 18 ГГц, балансных преобразователей частоты в диапазоне частот 2. 14,3 ГГц, смесителей балансных в диапазоне частот 2. 15 ГГц.

Для определения уровня созданных по результатам работы изделий в таблице 5 приведены параметры лучших зарубежных аналогов.

Сравнительный анализ показывает, что зарубежные изделия, как правило, имеют более широкую мгновенную полосу рабочих частот, но уступают по коэффициенту передачи. Анализ требований потребителей показывает, что полоса частот изделий, разработанных в ФГУП «НЛП Исток», в подавляющем числе случаев удовлетворят требованиям аппаратуры. В тоже время, малые потери преобразования позволяют сократить число усилительных каскадов и тем самым упростить и удешевить аппаратуру. По комплексу электрических параметров и потребительских свойств, разработанные изделия находятся на уровне лучших зарубежных аналогов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Богданов, Юрий Михайлович, 2007 год

1. Тагер А.С. Математическое моделирование полупроводниковых приборов и устройств СВЧ. Лекции по электронике СВЧ.- Саратов: Изд-во Сарат. ун-та.-1978.- С.211-226.

2. Темнов A.M. Исследование и создание гибридно монолитных усилительных и преобразовательных приборов СВЧ на малошумящих бескорпусных полевых транзисторах в диапазоне от 0,3 до 18 ГГц /Кандидатская диссертация. - Фрязи-но. - 1986.

3. Кальфа А.А., Тагер А.С., Темнов A.M. Полупроводниковые приборы СВЧ// Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника. - 1993. - Вып. 1. - С.34-45.

4. Основы проектирования микроэлектронной аппаратуры/Под ред. Б.Ф. Высоцкого. — М.: Сов. Радио. 1977.

5. Автоматизированная система комплексного машинного проектирования изделий СВЧ электронной техники./ И.М.Блейвас, И.И.Голеницкий, С.А.Зайцев, А.Н. Королев и др.// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ.- 1978.- Вып.1.-С.93-117.

6. Степаненко И. П. «Основы микроэлектроники» М.: Сов. радио. 1980.

7. Андреев B.C. Теория нелинейных электрических цепей.- М: Радио и связь, 1982.

8. Данилин В.Н., Кушниренко А.И., Петров Г.В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ.- М.: Радио и связь, 1985.

9. Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств.- М.: Радио и связь, 1987.

10. Ю.Зырин С.С. Применение базовой модели биполярного транзистора для расчета СВЧ автогенераторов и усилителей.// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ.- 1989.- Вып.З.- С.33-39.

11. Стабильные и высокостабильные полупроводниковые СВЧ генераторы на диэлектрических резонаторах. Обзоры по электронной технике. Сер.1, Электроника СВЧ./ И.И. Бродуленко, А.И. Абраменков, Д.А. Ковтунов и др.- М.: ЦНИИ "Электроника".- 1989.- Вып.Ю.- 61 с.

12. Микроэлектронные устройства СВЧ./ Под ред. Г.И. Веселова. М.: Высшая школа.- 1988.

13. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи; Л.Г. Гассанов, А.А. Липатов и др. М.: Радио и связь, 1988 г. - 288с.

14. Малышев В.А. Бортовые активные устройства СВЧ. Л.: Судостроение, 1990.

15. Brazil E.J., Scanlan S.A. A nonlinear design and optimisation procedure for GaAs MESFET oscillator.// IEEE Trans.- 1988.- Vol.MTT-36, No.2.- P. 388-393.

16. Ди Лоренцо Д., Канделуола Д.Д. Полевые транзисторы на арсениде галлия М.: Мир, 1988.

17. Materka A., Kacpeak Т. Computer calculation of large signal GaAs FET amplifier characteristics. // IEEE Trans. - 1985. - MTT - 33. - №. 2 - P. 129.

18. Амирян P.А., Громыко B.H., Куликов A.B. Функциональные элементы интегральных схем: антенны, смесители, устройства на полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов. // Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.13. 52 с.

19. Дубровский В.Н., Карасев А.С. Расчет монолитного СВЧ генератора с электрической перестройкой частоты // Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. - 1991. - Вып.7. - С. 22-26.

20. Шопина Н.И., Викулов И.К. Состояние, проблемы и перспективы развития арсе-нид галлиевых монолитных интегральных схем СВЧ - диапазона за рубежом // Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.14. 74 с.

21. Генератор СВЧ // Алексейчик Л.В., Антоненко А.И., Белов В.И., Богданов Ю.М., Гаврилюк Н.Г. А.с. СССР № 1764133/93. Приоритет от 26.10.1989.

22. Полевой транзистор / Богданов Ю.М., Пашковский А.Б., Тагер А.С. и др.// Патент РФ № 2.093.925. Приоритет от 10.03.1993.

23. Богданов Ю.М., Пашковский А.Б., Тагер А.С. Полевой транзистор на гетерост-руктурах. // Патент РФ № 2.093.924. Приоритет от 10.03.1993.

24. Полевой транзистор с низкой модуляционной чувствительностью для малошу-мящих СВЧ-генераторов / Богданов Ю.М., Балыко А.К., Пашковский А.Б. и др.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника.-1993,- Вып.3.-С.14.

25. Балыко А.К., Богданов Ю.М., Васильев В.И. и др. Проектирование монолитного двухканального переключателя СВЧ / Радиотехника. 2004. № 2. - С. 40-47.

26. Абакумова Н.В., Богданов Ю.М., Балыко А.К. и др. Проектирование многоразрядных монолитных аттенюаторов / Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника. 2005. -Вып.2. - С. 6-20.

27. Абакумова Н.В., Богданов Ю.М., Балыко А.К. и др. Схемы СВЧ аттенюаторов на полевых транзисторах с барьером Шотки / Радиотехника. 2007. - № 3. - С. 79-87.

28. Богданов Ю.М., Лапин В.Г., Темнов A.M. и др. Монолитный двухпозиционный переключатель для диапазона частот 0,5. 18 ГГц, согласованный по всем каналам / Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника. 2007. - Вып.1. - С. 33 - 38.

29. Генератор СВЧ на полевом транзисторе. / Богданов Ю.М., Балыко А.К., Пашковский А.Б. и др.// Патент РФ № 2.012.102. Приоритет от 30.05.91 г.

30. Расчет энергетических и диапазонных характеристик автогенераторов на полевых транзисторах с барьером Шотки / Балыко А.К., Богданов Ю.М., Козлов Г.П. и др.// Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника.- 1992.- Вып. 6.- С. 14-20.

31. Bogdanov Y.M., Gusev А.Р., Tager A.S. and all. A microwave HTSC resonator -stabilized oscillator / Superconductivity: Physics, Chemistry, Technology (SPCT) -1994.-7(1).-PP.169-171.

32. Миниатюрный электрически перестраиваемый стабильный транзисторный генератор малой мощности 4-см диапазона // Абраменков А.И., Бродуленко И.И., Богданов Ю.М. и др./ Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ.-1991.-Вып.З.- С.44.

33. Генератор управляемый напряжением на ПТШ / Королев А.Н., Абакумова Н.В., Богданов Ю.М. и др. // Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника.-2006.- Вып.2. С.54 - 57.

34. Богданов Ю.М., Темнов A.M., Щербаков Ф.Е. Монолитные приборы СВЧ// Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника. - 2006. - Вып.2. - С.54 - 57.

35. Ю.М. Богданов, В.Г. Красник, В.Г. Лапин и др. Ряды устройств для преобразования частоты на основе многофункциональной GaAs МИС// Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника. - 2007.- Вып. 1. - С. 42 - 47.

36. Хотунцев Ю.Л. Полупроводниковые СВЧ устройства. М.: Связь. 1978.

37. Тагер А.С., Вальд перлов В.М. Давинно - пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов. Радио. 1968.

38. Сетевые спутниковые радионавигационные системы / Под ред. П.П. Дмитриева. М.: Радио и связь. 1983.

39. Антенны и устройства СВЧ / Под ред. Д.И. Воскресенского. М.: Радио и связь. 1981.

40. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / Под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь. 1982.

41. Low noise design of dielectric resonator FET oscillators / M. Camiade, A. Bert, J. Graffeuil, G. Pataut // 13. Ben. Microwave Conf. Dig. 1983. - P. 297-302.

42. Rohdin H., Su C. Y., Sfol le C. A study of therelation between device low-frequency noise and oscillator pfas noise for GaAs MESFETs // IEEE Trails. 1985. - Vol. MTT - 33, No 3. - P. 233-242.

43. Siweris H.J., Schek B. Analisis of noise up conversion in microwave FET oscillators

44. IEEE Traris. 1985. - Vol. MTT - 33, No 3. - P. 233-242.43.3и С. Физика полупроводниковых приборов. Т.1. М.: Мир, - 1984. - 333 с.

45. Пашковский А.Б. Сравнение характеристик полевых СВЧ транзисторов со ступенчатым и однородным профилем легирования активного слоя // Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. - 1986. - Вып.4. - С.14 -19.

46. Мартынов Я.Б. Программа расчета характеристик полевого транзистора с затвором Шотки, основанная на двумерной численной модели // Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. 1985. - Вып.9. - С.70.

47. Балыко А.К., Юсупова Н.И. Математическое обеспечение проектирования транзисторных генераторов СВЧ.// Обзоры по электронной технике. Сер.1, СВЧ-техника.- 1994.- Вып.2.- 54 с.

48. SPICE 2 MOS modelling hand book //BDM Corp. report. BDM// A77-071-TR. May. -1977.

49. Карпов B.M., Малышев B.A., Перевощиков И.В. Широкополосные устройства СВЧ но элементах с сосредоточенными параметрами.- М.: Радио и связь. 1984.

50. Красноперкин В.М., Прокопьева Н.Г., Самохин Г.С. Комплекс программ анализа устройств на связанных полосковых линиях.// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ.- 1984.- Вып. 10.- С.66-69.

51. Adams К. Oxley С. Broadband FET VCO design.// Electronic Engineering Supplement. 1989. № 786. P. 25-30.

52. Rauscher C. Large signal technique for designing single - frequency and voltage -controlled GaAs FET oscillators // IEEE Trans. 1981. V. MTT - 29. № 4. P. 293-304.

53. Madjar A. Analisis of a microwave FET oscillator using an efficient computer model for the device. 1982.

54. Балыко A.K., Мартынов Я.Б., Тагер A.C. Проектирование автогенераторов на полевых транзисторах. Ч. 1. Модель автогенератора и методика его проектирования // Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ. 1988. - Вып.1 (405). - С. 35-40.

55. Балыко А.К., Овечкин С.М. Программа анализа автогенераторов СВЧ на полевых транзисторах (OSFET) // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. -1988.-Вып. 2 (406). С. 70-71.

56. Губарев В.Ф. Характеристики СВЧ генераторно умножительной цепочки с электрической перестройкой частоты на биполярных и полевых транзисторах // Электронная техника, Сер.1, Электроника СВЧ. - 1988. - Вып. 5. - С.21-24.

57. Генератор СВЧ на транзисторе / Балыко А.К., Королев А.Н., Мальцев В.А. и др. //Патент РФ № 2277293. Приоритет 05.10.2005 г.

58. Мякиньков В.Ю. Метод повышения линейности перестроечной характеристики генератора // Электронная техника. Сер.1, СВЧ техника. - 1993. - Вып.2 (462). -С.20-22.

59. Takahashy M., Iton H. A 9,5 GHz commercially available lA GaAs dynamic prescaler // IEEE Trans. On MTT. 1988. - Vol. MTT-36. -N.12. P. 1912-1918.

60. Van Tuyl R., Leichti C.A. High speed integrated logic with GaAS MES FET's // IEEE J. Solid - State Circuits. 1984. - Vol.SC - 9. - October. - P. 269-216.

61. Noordanus J, Meiling G., Van Heijiningen P. Derect division phase - lock loop at 12 GHz // Proc. IEEE. - 1983. Vol.130. - Pt.2. - N.7.

62. Kanarava K., Hagio M., Kano G. A 15 GHz single stage GaAs dual - gate FET monolithic analog frequency divider With reduced input power // IEEE Trans, on MTT.- 1988.- Vol.36. -N. 12.- P.1908-1911.

63. Rauscher C. Regenerative frequency division with a GsAs FET // IEEE Trans. On MTT. 1984.-Vol. 32.-November.-P.1461-1468.

64. СТП TCO.010.014-86. Гибридно монолитные интегральные приборы СВЧ. Микроплаты. Конструирование и технология изготовления.

65. Honjo К., Madihian M. Novel desigh approach for X-band GaAs monolithic analog 1/4 frequency divider I I IEEE Trans. On MTT. 1986. - Vol.34. - N.4.

66. Полупроводниковые параметрические усилители и преобразователи частоты. / Под ред. B.C. Эткина. М.: Радио и связь, 1983.

67. Минаев Е.И. Основы радиоэлектроники. М.: Радио и связь, 1985.

68. Пасынков В.В. Радиоприемные устройства. М.: Радио и связь, 1984.

69. Силаев М.А., Комов А.Н. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. М.: Радио и связь, 1984.

70. Розанов Б.А., Розанов С.Б. Приемники миллиметровых волн. М.: Радио и связь, 1993.

71. Арчер Дж.У. Малошумящие гетеродинные приемники ближнего миллиметрового диапазона для радиоастрономических наблюдений. ТИИЭР. 1985. Т. 73, С.119-142.

72. Don Neuf. Conventional and New Applications for the Quardrature IF Microwave Mixer. // Microwave J. 1983. - V. 26. - N. 1. - P. 99 - 109.

73. Tsironis C. Dual Gate MESFET Mixers. // IEEE Trans. - 1984. - MTT - 32. N. 3. -P. 248-255.

74. Руденко B.M., Халяпин Д.Б., Мангушевский B.P. Малошумящие входные цепи СВЧ приемных устройств. М.: Связь, 1991.

75. Базарницкий Ю.Б., Малышев В.А. Оптимизация нагрузки транзисторных параметрических повышающих преобразователей СВЧ // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1995. Т.28. № 3. С.67-70.

76. Модули СВЧ / JI.M. Артюнов, И.П. Блудов и др. М.: Радио и связь. 1984.