Исследование и разработка технологии создания высокопрочных мембран для преобразователей физических величин тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Гусев Евгений Эдуардович

• Гусев Евгений Эдуардович
• кандидат наук
• 2019

Оглавление диссертации кандидат наук Гусев Евгений Эдуардович

ВВЕДЕНИЕ

1. Обзор технологических проблем в процессе формирования мембраны

1.1 Основные механические свойства ключевых материалов 81 технологии

1.2 Внутренние механические напряжения в плёнках

1.2.1 Классификация и причины их возникновения

1.2.2 Анализ влияния операционных параметров процесса на величину напряжений

1.2.3 Метод измерения механических напряжений по кривизне пластины

1.2.4 Метода измерения механических напряжений с помощью микроскопа

1.2.5 Метод измерения механических напряжений посредством комбинационного рассеяния света

1.2.6 Метод измерения механических напряжений посредством рентгеновской дифрактометрии

1.2.7 Прочие методы измерения механических напряжений

1.3 Прочность материала

1.4 Усталость материала

1.5 Методы контроля механических свойств

1.5.1 Методы испытаний на растяжение

1.5.2 Испытания на изгиб

1.5.3 Испытания резонансной структуры

1.5.4 Испытание выпуклости

1.5.5 Методика вдавливания

1.5.6 Другие способы контроля

1.6 Требования к мембранам в преобразователях на рентгеновском эффекте

1.7 Требования к мембранам в преобразователях на терморезистивном эффекте

Заключение по главе I

2. Усовершенствованные способы измерения механических напряжений в тонких плёнках

2.1 Усовершенствованный способ повышения экспрессности и точности измерения величины механических напряжений в системе подложка-плёнка по изгибу пластины

2.2 Усовершенствованный способ измерения механических напряжений посредством

освобождения напряжений в фрагменте плёнки

2.3 Моделирование в TCAD Synopsys

2.3.1 Нитрид кремния

2.3.2 Оксид кремния

2.2.3 Многослойная плёнка

2.2.4 Транзистор металл-диэлектрик-полупроводник

2.4. Моделирование в COMSOL Multiphysics

2.5. Методика оценки механической прочности по величине предельного давления на мембрану

Заключение по главе II

3. Экспериментальное определение механических напряжений и механической прочности

3.1 Механические напряжения в однослойных плёнках

3.1.1 Нитрид кремния, полученный плазменным методом

3.1.2 Оксид кремния, полученный плазменным методом

3.1.3 Термический оксид кремния

3.2 Механические напряжения в четырехслойных плёнках

3.3. Механические напряжения в многослойных плёнках

3.4. Определение механических напряжений посредством посредством освобождения напряжений в фрагменте плёнки

3.5. Определение механических напряжений посредством комбинационного рассеяния света

3.6. Определение влияния технологических операций на изгиб пластины

3.7. Определение влияния ионной имплантации и термообработки на изгиб пластины

3.8. Разработка и изготовление стенда для исследования прочностных характеристик

мембран

3.9. Технологический маршрут формирования мембран

3.10. Определение механических свойств

3.10.1 Механическая прочность однослойной структуры

3.10.2 Механическая прочность двухслойной структуры

3.10.3 Механическая прочность четырехслойной структуры

3.11. Оценка механической прочности по величине предельного давления на мембрану

Заключение по главе III

4. Использование разработанных мембранных структур в преобразователях физических величин

4.1. Экспериментальный рентгеновский источник с прострельным анодом

4.2. Экспериментальный преобразователь на терморезистивном эффекте

Заключение по главе IV

Список используемых источников

Приложение

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка технологии создания высокопрочных мембран для преобразователей физических величин»

Актуальность темы.

Работа посвящена технологии создания высокопрочных мембран для преобразователей физических величин (сенсоров). Интерес к данной тематике связан с тем, что расширяется область применения преобразователей физических величин. Способствует этому ключевые преимущества сенсоров: миниатюрность, функциональность, надёжность, малое энергопотребление, простота интегрирования. Области применений представлены от самых массовых рынков - автомобильного (датчики давления [1,2,3] в шинах, акселерометры в подушках безопасности [4], электронные спидометры [5]) и потребительского (датчики для контроля скорости потока газа[6], датчики определения температуры и влажности окружающей среды [7,8,9], микрофоны[10,11]) до рынков сложных приборов специального назначения, производимых небольшими партиями: медицинских приборов (микроиглы [12] и датчики давления [13,14] для анализа крови, импланты [15,16], микронаносы для подачи микродоз лекарства человеку [17,18]), военной (рентгеновские источники [19,20,21] для анализа взрывчатых веществ [22], обнаружение подземных и подводных угроз посредством миниатюрных магнитных датчиков [23]) и аэрокосмической техники (беспилотные системы [24], акселерометры для исследования динамики перемещения в воздухе с целью повышения аэродинамических характеристик[25]). Как результат, объём рынка компонентной базы вырос на 35% c 259 млрд.$ в 2006 году [26] до 352 млрд.$ в 2016 году [27,28]. Бюджет Российской Федерации в 2016 году составлял 247 млрд.$. Анализ рынка, проведенный компанией Yole delovepment в 13ый раз, показывает, что рынок будет иметь положительную тенденцию к росту как фирм-флагманов, таких как Robert Bosch, так и компаний, которые недавно вышли на рынок, например MEMSIK. В ближайшие несколько лет для потребителей наибольшее увеличение интереса ожидается к газовым сенсорам. Будет наблюдаться снижение интереса к технологии производства пластин диаметром 300 мм [28].

В большинстве конструкторско-технологических решений в качестве ключевого элемента используется мембрана, выполненная по микро- и нанотехнологии. Для мембран, использующихся в сенсорах на терморезистивном эффекте, требуется уменьшать толщину плёнки для повышения величины теплового сопротивления, от которой зависит чувствительность сенсора. В тоже время требуется использовать

прочные мембраны для работы с высокими скоростями потока. Для мембран, применяющихся в сенсорах на эффекте тормозного рентгеновского излучения, требуется уменьшать толщину плёнки для повышения рентгенопрозрачности, при этом также необходима стойкость к нагрузке для работы при внешнем атмосферном давлении. Созданию методов для измерения механических свойств посвящена большая доля проводимых в мире исследований, но были получены различные значения для одних и тех же материалов [29,30,31]. Надежность, точность и воспроизводимость методов оценки являются проблемой. Вследствие размерного эффекта для объёмных трехмерных материалов значения постоянных величин, таких как, модуль Юнга и коэффициент Пуассона, отличаются от тонких плёночных структур. Поэтому для точного прогнозирования сроков эксплуатации прибора необходимо разрабатывать и совершенствовать метрологическую базу, на основе которой можно сформировать международные стандарты по каждому материалу[32].

С увеличением времени осаждения слоя возрастает механическая прочность (стойкость к внешней нагрузке). Однако одновременно снижается рентгенопрозрачность и тепловое сопротивление, что отрицательно влияет на выходные характеристики преобразователей физических величин. Кроме того, возникают разные негативные механические эффекты в плёнке, такие как коробление, растрескивание или отслаивание. В некоторых случаях механические напряжения в системе подложка-плёнка так сильно изгибают пластину, что образец не помещается в пазы групповой

__и Т-Ч и

тары для транспортировки на следующий участок. В процессе контактной фотолитографии снижается площадь контакта между шаблоном и пластиной. Снижается вероятность успешного сращивания пластин. При осаждении возрастает неравномерность формируемого слоя.

Таким образом, необходима разработка технологии, позволяющей изготавливать высокопрочные мембраны и обеспечивающей воспроизводимость основных характеристик преобразователей физических величин на их основе и экономичность данного производства.

Целью диссертационной работы является исследование и разработка технологии создания мембран с повышенной прочностью для преобразователей физических величин

Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

1 Проведение анализа проблем, возникающих в процессе формирования мембран для преобразователей физических величин.

2 Исследование методов повышения экспрессности и точности измерения величины механических напряжений в системе подложка-плёнка.

3 Исследование влияния технологических параметров процесса осаждения тонких плёнок на величину механических напряжений и механической прочности.

4 Разработка конструкции и изготовление стенда для исследования прочностных характеристик мембранных структур.

5 Разработка конструкции и технологического маршрута изготовления высокопрочных мембран для преобразователей физических величин.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1 При экспериментальном исследовании многослойной мембраны состоящей из плёночных слоёв ЗЮ2 и SiзN4, полученных плазменным методом (PECVD) толщиной в диапазоне 25-320 нм, выявлен эффект снижения модуля величины механических напряжений мембраны при увеличении количества составляющих слоёв.

2 В результате проведения экспериментальных исследований и численного моделирования разработана методика оценки предельного давления на мембрану, установлена аналитическая зависимость величины максимального напряжения мембраны от приложенного давления.

3 Экспериментально установлено, что механическая прочность многослойной мембраны, состоящей из набора чередующихся слоёв оксида и нитрида кремния, полученных плазменным методом, возрастает при увеличении температуры осаждения слоев в диапазоне от 250 до 1000°С.

На защиту выносится:

1 Эффект снижения модуля величины механических напряжений мембраны при увеличении количества составляющих слоёв, полученных плазменным методом (PECVD).

2 Методика оценки предельного давления на мембрану, позволяющая установить аналитическую зависимость между приложенным давлением на мембрану и максимальным механическим напряжением.

3 Конструкция мембранного элемента преобразователя энергии электронов в энергию фотонов, который включает в себя мишень прострельного типа из молибдена и многослойную мембрану из чередующихся слоёв SiO2/SiзN4. Максимальная интенсивность энергии фотонов обеспечивается при толщине слоя Мо 530±20 нм, избыточном давлении более 1 атм, диаметре мембраны от 0.5 мм до 1.4 мм.

4 Конструкция мембранного элемента преобразователя физических величин на терморезистивном эффекте, обеспечивающая возможность работы со скоростью потока воздушной среды от 0 до 10 м/с с погрешностью менее 1.5%.

Практическая значимость работы

1. Разработан способ изготовления (патент на изобретение № 2650793), топология (топология ИМС №2017630051) и конструкция (патент на полезную модель№177514) мембранного элемента преобразователя физических величин на терморезистивном эффекте с повышенной механической прочностью для обеспечения возможности работы со скоростью потока воздушной среды до 10 м/а

2. Разработаны варианты топологии (топология ИМС № 2016630035, 2017630039, 2017630044) и конструкция рентгеновского источника (патент на полезную модель №182856), включающая в себя анодный узел, обеспечивающий работу при избыточном давлении более 1 атм и диаметре мембраны от 0.25 до 2.4 мм.

3. Разработаны способы измерения механических напряжений повышенной точности с помощью освобождения напряжений в фрагменте плёнки (патент на изобретение РФ №2624611, патент на изобретение РФ №2670240) и посредством измерения параметров в локальной области (заявка на изобретение №2017135682, решение о выдаче патента).

4. Разработан способ изменения (патент на изобретение №2666173) и программа определения (программа для ЭВМ №2016611518) кривизны поверхности с повышенной точностью. В 5 раз сокращено время анализа результатов с профилометра.

5. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении ряда научно -

исследовательских и опытно-конструкторских работ ЦКП «МСТ и ЭКБ» НИУ МИЭТ:

«Создание нового поколения перестраиваемых рентгеновских источников на основе мультичастотной рентгеновской трубки с полевым нанокатодом», соглашение с Минобрнауки № 14.578.21.0001, 2014-2016 гг.;

«Исследование физических процессов в рентгеновском источнике с автоэлектронной эмиссией, изготовленном по технологии МЭМС», Минобрнауки, Г3№3.2501.2014/К, 2014-2016 гг.;

«Разработка 3D нанотехнологии формирования топологических элементов функциональных слоев на базе локальных рентгеностимулированных процессов химического осаждения из газовой фазы», соглашение с Минобрнауки № 14.578.21.0188, 2016-2018гг.;

«Разработка источника мягкого рентгеновского излучения на основе матрицы микрофокусных рентгеновских трубок для безмасочного литографа с разрешением лучше 10 нм», соглашение с Минобрнауки №14.578.21.0250, 2017-2019 гг.;

«Поддержка и развитие центра коллективного пользования научным оборудованием Микросистемная техника и электронная компонентная база для обеспечения реализации приоритетов научно-технологического развития», соглашение с Минобрнауки №14.594.21.0012, 2017-2018 гг.;

«Разработка и исследование тепловых преобразователей на основе мембранной МЭМС-технологии для семейства датчиков физических величин», Минобрнауки, ГЗ № 16.2475.2017/ПЧ, 2017 - 2019 гг.

Методы исследования

Для оценки величины механических напряжений в данной работе был разработан комплекс методик, основанных на интерферометрическом измерении прогиба мембраны в зависимости от подаваемого на неё давления и профилометрии поверхности мембран и плёнок, образующих рельеф под действием сжимающих и растягивающих механических напряжений. Для оценки рельефа поверхности использовался оптический бесконтактный профилометр WYKO9300. Для измерения величины зазора между краем балки и периферией плёнки-покрытия использовался растровый электронный микроскоп «Quanta 3D FEG» (FEI, США).

Технологический процесс изготовления тонких плёнок и мембран был реализован в чистых помещениях ЦКП «МСТ и ЭКБ» МИЭТ с использованием

технологических операций: химической обработки, фотолитографии, осаждения плёнок из газовой фазы, быстрого термического отжига, плазмо-химического травления и резки кристаллов.

Толщины исследуемых плёнок определялись эллипсометрическими методами, а также с использованием ФИП-комплекса. Апробация результатов

Основные положения и результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

1. 18-ая молодежная научная школа по твердотельной электронике «Микро- и нанотехника нового поколения», Санкт-Петербург (2015)

2. 21-я, 22-я, 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика », МИЭТ (2014, 2015, 2016)

3. International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. National Research University Higher School of Economics. Russia, Moscow, May 12-14, (2016). IEEE Catalog Number: CFP13794-CDR. ISBN: 978-1-4673-8383-7/16

4. 2ой и 3ий, 4ый Международный форум «Микроэлектроника» (2016, 2017, 2018)

5. 4-я Международная научная конференция для молодых учёных, студентов и школьников «Наноматериалы и нанотехнологии: проблемы и перспективы» (2017)

6. 3-й форум «Новые материалы», Москва, РАН. (2017)

7. Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2016), Зеленоград.

8. The International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", Звенигород

9. IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), МИЭТ (2017, 2018).

Публикации

Результаты диссертации были опубликованы в 57 научных работ, из них 20 статей, входящих в перечень рецензируемых научных изданий ВАК Минобрнауки РФ,из них 8 статей, индексируемых в базе данных Scopus, 21 тезис доклада, вошедших в сборники трудов конференций, 4 топологии ИМС, 3 программы для ЭВМ, 7 патентов на изобретение, 2 патента на полезную модель.

Степень достоверности результатов подтверждается соответствием

полученных экспериментальных и расчётных результатов, соответствием данных, полученных данной в работе, литературным данным, в тех случаях, когда такое сравнение возможно; корреляцией результатов, полученных при использовании различных методик определения механических напряжений. Все результаты прошли апробацию на научно-технических конференциях, в том числе международного, уровня. В реферируемых научных журналах опубликованы 17 статей, содержащих основные

результаты работы.

Личный вклад автора состоит в непосредственном участии:

- в проведении анализа проблем, возникающих в процессе формирования мембран для преобразователей физических величин;

- в исследовании методов повышения экспрессности и точности измерения величины механических напряжений в системе подложка-плёнка;

- в исследовании влияния технологических параметров процесса осаждения тонких плёнок на величину на механических напряжений и механической прочности;

- в разработке конструкции и изготовлении стенда для исследования прочностных характеристик мембранных структур;

- в разработке конструкции и технологического маршрута изготовления высокопрочных мембран для преобразователей физических величин;

- в анализе результатов исследования и поиске научных эффектов;

- в составлении заявок на свидетельства (программы для ЭВМ и топологии интегральных схем) и патенты (изобретения, полезные модели), включая проведение патентного поиска;

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка используемых источников из 96 наименований и 1 приложения, включающего 3 акта о внедрении результатов диссертационной работы. Объём диссертации составляет 182 страницы, в том числе 104 рисунка и 6 таблиц.

1. Обзор технологических проблем в процессе формирования мембраны

Оценка механических свойств электроматериалов, образующих МЭМС-устройства, необходима для обеспечения инженерной базы для полной эксплуатации технологии МЭМС. Это важно как с точки зрения характеристик устройства, так и с точки зрения надежности. Интересующие нас механические свойства делятся на три основные категории: упругие, неупругие и прочные. Чтобы предсказать величину отклонения от приложенной силы или наоборот, должны быть известны упругие свойства материалов МЭМС. Свойства неупругого материала важны для пластичных материалов, когда деформированная структура не возвращается в исходное состояние. При определении эксплуатационных пределов устройства должна быть известна прочность материала. Ключевым фактором в производстве надежных МЭМС-устройств является хорошее понимание связи между свойствами материала и его обработкой. При изучении свойств материала измеренные значения не должны зависеть от метода испытания и размера образца. Однако, когда речь идет о МЭМС-устройствах, размер образца может влиять на результаты измерения. По этой причине необходим обширный процесс определения методов испытаний с адекватной чувствительностью и повторяемостью, которые обеспечивали бы точные значения механических свойств.

1.1 Основные механические свойства ключевых материалов 81 технологии

Упругие свойства напрямую связаны с производительностью устройства. Для характеристики свойств материала используют две основные постоянные: модуль Юнга Е и коэффициент Пуассона ц. Модуль Юнга (модуль продольной упругости) - физическая величина, характеризующая свойства материала сопротивляться растяжению, сжатию при упругой деформации. Назван в честь английского физика XIX века Томаса Юнга [33]. Коэффициент Пуассона - величина отношения относительного поперечного сжатия к относительному продольному растяжению [34].

Модуль Юнга (Е) является мерой жесткости материала. Это наклон линейной части кривой напряжение-деформация (о-е) материала [32]. Коэффициент Пуассона является мерой поперечного расширения или сжатия материала при воздействии осевого напряжения в упругой области. Метод зависимости прогиба w (отклонения, деформации) от нагрузки позволяет проводит измерения Е вместе с о. Концепция этого метода показана на рисунке 1.1 с использованием круглой мембраны. Метод зависимости прогиба от нагрузки прост в применении, потому что мембрана плоская без нагрузки, что позволяет легко измерить зависимость от нагрузки. Прогиб центра мембраны изменяется приложенным давлением (Р) поперек мембраны. Поведение зависимости давление-прогиб круглой мембраны можно выразить по формуле (1.1) [32,35]:

4 •а,, •г Р =-+

8 • Е •Ь

а

2

3 • (1 — д) • а4

• ^

(1.1)

где Р - приложенное давление, w- прогиб (отклонение) центра мембраны; оо, а, Е и ¡л - напряжение без приложенного давления, радиус, толщина, модуль Юнга и коэффициент Пуассона круглой мембраны.

Р=0

Р > 0

Рисунок 1.1 - Метод определения модуля Юнга

посредством приложенной внешней силы 13

Как показывает выражение (1.1), значение коэффициента Пуассона материала не является доминирующим, и грубая оценка приемлема с использованием объемных свойств. Таким образом, поперечная деформация исследуемых структур не играет ключевой роли в данном методе.

В таблице 1 охарактеризованы базовые материалы, используемые в производстве МЭМС изделий: кремний Si, оксид кремния SiO2, нитрид кремния Si3N4. Кремний - это уникальный материал микроэлектроники, который обладает рядом преимуществ[36]. Si может многократно подвергаться воздействию механических напряжений, не проявляя эффекта усталости [37]. Кремний -твердый хрупкий материал, и при комнатной температуре под напряжением монокристалл кремния упруго растягивается до тех пор, пока напряжение разрушения не проявится без заметной пластической деформации [38]. Исследователи, образуя соединения атомов кремния с кислородом либо азотом, формируют плёнки SiO2 либо Si3N4. Однако ранее кремний, как и другие материалы, рассматривался как объёмный материал, несмотря на то, что изучался уже много лет. При переходе от трехмерных к двухмерным материалам меняются их свойства.

Таблица! - Основные механические свойства ключевых материалов Si технологии

Название материала Модуль Юнга Е, ГПа Коэффициент Пуассона ц Двухосный модуль СБ/(1-ц))5 ГПа Механическая прочность, ГПа (предел текучести) ТКЛР а, 10-6/°С

Si(100) 130[38,40, 41, 42] 150 [39] 106 [47] 0.28 [41] 190 [36,38,40] 180 [41] 181 [42,44] 14.25 [47] 20 [48] 7.0 [36,38,40] 0.6-3.6 [43] 2.33 [36,38,40] 2.52 [42] 2.56 [39]

70 [41] 73 [36] 0.2 [41] 73[38,40] 164 [42] 8.4 [36,38,40] 0.5[38,40] 0.55 [36] 0.6 [42]

SiзN4 270 [41] 225 [46] 190 [45] 0.27 [41] 385 [36,38,40] 370 [41] 360 [42] 14.0 [36,38,40] 0.8 [36,38,40] 2.44 [42]

Из анализа литературных источников приведенных в таблице 1 заметно, что величина постоянных меняется достаточно существенно. Необходимо ввести дополнительные критерии в процессе оценки постоянных: толщина анализируемого слоя либо набора слоёв; направление внешней силы, приводящей к деформации; технологические параметры процесса получения анализируемого материала. Исследование результатов боковой деформации Si показало, что механическая прочность в направлении {110} больше чем в направлении {111} [43]. С целью экономии денежных средств и времени используется моделирование эксплуатационных пределов работы устройства, в котором ключевую роль выполняет МЭМС мембрана. В процессе построения модели указываются постоянные упругости, предел текучести, ТКЛР и т.д.. Проведение фабрикой (компанией) измерений механических свойств используемого материала позволит определить постоянные величины. Это способствует построению более точной модели работы устройства, а значит, повышает точность прогноза эксплуатационных пределов. Например, при использовании дрона или других беспилотных летательных аппаратов, важную функцию выполняет источник энергии, от которого зависит время работы (эксплуатационный предел). В случае досрочной выработки энергии посадка будет жесткой, что может привести к поломки аппарата. Таким образом, для проведения точных измерений необходимо классифицировать механические свойства и сертифицировать методики измерений для компаний занимающихся разработкой устройств на основе МЭМС мембран[32,48].

1.2 Внутренние механические напряжения в плёнках 1.2.1 Классификация и причины их возникновения

Внутреннее механическое напряжение, возникающее в тонких плёнках на толстых подложках, вызывает растрескивание или отслаивание плёнки [49, 50]. Проявлением напряжения является деформация структуры [51]. Деформация разделяется на обратимую (упругую) и необратимую (пластическую). Разрушение структуры наступает при превышении значения предела текучести материала (значения механической прочности).

Схематическое изображение сжимающих и растягивающих механических напряжений в системе «тонкая плёнка-подложка» представлено на рисунке 1.2. В системе «тонкая плёнка-подложка» с выпуклой поверхностью на плёнку действуют сжимающие механические напряжения со стороны подложки. Такие напряжения принято называть отрицательными. В структурах с вогнутой поверхностью на плёнку действуют растягивающие напряжения со стороны подложки. Такие напряжения называют положительными[51].

Рисунок 1.2. Изменение формы образца под действием механических напряжений в

плёнке: а -сжимающие; б -растягивающие Далее приведена классификация механических напряжений в зависимости от причин их возникновения: ]

• результат действия внешних сил

• термическое напряжение [52]

• эффект магнитострикции [53]

• обратный пьезоэлектрический эффект [54]

• фазовая неоднородность плёнки

• внедрение атомов

• дефекты кристаллической структуры

• рассогласование параметров кристаллической решётки [26]

В предыдущем разделе описан метод определения постоянной упругости Е от

приложенного давления, т.е. от действия внешней силы. Решая обратную задачу,

несложно рассчитать величину механических напряжений в исследуемой

структуре. Величины постоянных материалов (модуль упругости Е, коэффициент

Пуассона /) необходимо в данной случае использовать из литературных

источников. После этого, определить значения переменных в формуле (1.1) с

16

использованием аналитического оборудования: приложенное давление -манометром, толщину плёнки - эллипсометром, радиус мембраны - микроскопом, прогиб центра мембраны - профилометром. Затем подставить в формулу (1.1) и рассчитать величину напряжений.

Термическое напряжение возникает в процессе охлаждения образца после операции из-за разницы температурных коэффициентов линейного расширения (ТКЛР) материала плёнки и подложки. Причём необязательно это операция формирования самой плёнки на подложке. Это может быть быстрая термообработка в течение нескольких секунд, например, с целью активации примеси для формирования ретроградного (холодного) кармана в КМОП структуре. Значение температурной деформации из-за разницы ТКЛР материала плёнки и подложки вычисляется по формуле (1.4)

€ = fafilm — W-sub) ' (Tpr — Тщ) (1.4)

где Wfiim- температурный коэффициент расширения плёнки, WSub- температурный коэффициент расширения подложки, Тру- температура процесса, Т-^- температура измерения деформации

Далее, чтобы рассчитать значение напряжений по закону Гука, необходимо умножить величину деформации либо на модуль Юнга плёнки Eflm в случае одноосной деформации либо учесть вклад поперечной составляющей через коэффициент Пуассона flm и умножить на (Efilm / (1-ffilm)) в случае двухосной деформации [56].

На примере процесса PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-

химическое осаждение из газовой фазы усиленное плазмой) осаждения оксида

кремния на кремниевую подложку проанализируем характер напряжений.

Значение ТКЛР кремния больше чем у оксида кремния. Температура процесса

осаждения около 300°С. Измерения механических напряжений обычно

проводится при комнатной температуре 23°С. Следовательно, из формулы (1.4)

величина деформации будет отрицательной. Поверхность образца изогнётся и

станет выпуклой как на рисунке 1.1 а. В результате процесса в плёнке оксида

кремния возникнут напряжения сжатия, а в приповерхностном слое кремния -

напряжения растяжения. Очевидно, что с увеличением температуры процесса

возрастает влияние температурной деформации на общее значение деформации в

17

образце.

Из-за неоднородности плёнки возникает другой тип механической напряжений - фазовые напряжения. В зависимости от фазы состояния материала изменяется значение его плотности. В процессе перехода из одной фазы в другую (например из метастабильной в стабильную фазу) возникают фазовые напряжения вследствие различия плотности двух фаз. При кристаллизации либо рекристаллизации плёнки изменяется удельный объём материала плёнки, что также влияет на возникновение напряжений.

Другой природой возникновения напряжений является внедрение чужеродных атомов в образец. Для некоторых способов получения плёнок перед процессом осаждения необходимо провести вакуумирование (откачать камеру), т.е. понизить

2 3 4

давление до 10- , 10- , 10- и менее атмосфер. Одной из целей вакуумирования (уменьшения давления) является удаление газов из камеры. Внедрение чужеродных атомов может произойти при недостаточном значении вакуума в камере осаждения. В результате на процесс формирования плёнки окажет заметное влияние окружающая среда, что приведет к возникновению напряжений.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Гусев Евгений Эдуардович, 2019 год

Список используемых источников

1. Fukazawa, T., Mizukoshi, M., Asai, A., Hara, K.. High temperature semiconductor pressure sensor for automobiles // SAE Technical Papers. - 1986, DOI: 10.4271/860473

2. Ishida, Toru, Kanno, Masashi, Makino, Osamu. Сapacitive pressure sensor for automobiles // National technical report. -1983. - 29(1), pp. 128-136

3. Inui, T., Minorikawa, H., Nishihara, M , High reliability semiconductor pressure sensor for automobiles // SAE Technical Papers. - 1982, DOI: 10.4271/820515

4. Sepahpour, B.. Introducing "MEMS" to undergraduate "ME" students // ASEE Annual Conference and Exposition, Conference Proceedings. - 2009

5. Мазуркин Н.С., кан. диссертация // библиотека МИЭТ. - 2017

6. Дюжев Н.А., Королёв М.А., Катеев М.В., Гусев Е.Э.. Моделирование зависимости выходных характеристик первичного преобразователя датчика потока мембранного типа от его конструктивных параметров // Известия Вузов. Электроника. -2015. - №6, стр. 644-647

7. Chen, M., Frueh, J., Wang, D., Lin, X., Xie, H., He, Q. Polybenzoxazole Nanofiber-Reinforced Moisture-Responsive Soft Actuators // Scientific Reports. -December 2017. - Volume 7, Issue 1, 1, Article number 870, DOI: 10.1038/s41598-017-00870-w

8. Zhao, H., Zhang, T., Qi, R., Fei, T., Lu, G., Organic-inorganic hybrid materials based on mesoporous silica derivatives for humidity sensing // Sensors and Actuators, B: Chemical. - September 2017, volume 248, 1 Pages 803-811, DOI: 10.1016/j.snb.2016.11.104

9. Bhattacharjee, M., Nemade, H.B., Bandyopadhyay, D. Nano-enabled paper humidity sensor for mobile based point-of-care lung function monitoring //Biosensors and Bioelectronics. - August 2017, volume 94, 15 Pages 544-551, DOI: 10.1016/j.bios.2017.03.049

10. Guo, F., Huang, J., Zhang, X., Liu, H., Li, B. A classification method for moving targets in the wild based on microphone array and linear sparse auto-encoder // Neurocomputing. - June 2017, volume 241, 7 Pages 28-37, DOI: 10.1016/j.neucom.2017.01.073

11. Croce, M., De Berti, C., Crespi, L., Malcovati, P., Baschirotto, A. Cap-less audio preamplifiers for silicon microphones // Proceedings of IEEE Sensors. - 5 January 2017, Article number 7808720, DOI: 10.1109/ICSENS.2016.7808720

12. Huang, Y., Li, Y., Yan, P., Sugiyama, S., Development of an ion concentration measurement device integrated with blood extraction microneedle, Nami Jishu yu Jingmi Gongcheng // Nanotechnology and Precision Engineering. - 15 November 2015, volume 13, Issue 6, Pages 458-462, DOI: 10.13494/j.npe.20150032

13. Miguel, J.A., Lechuga, Y., Martinez, M., Analysis of fault injection in implantable capacitive blood-pressure sensors // BIODEVICES - Proceedings of the International Conference on Biomedical Electronics and Devices. -2013, pp. 153-158

14. Kalvesten, J.E., Smith, L., Tenerz, L., Stemme, G. First surface micromachined pressure sensor for cardiovascular pressure measurements // Proceedings of the IEEE Micro Electro Mechanical Systems (MEMS). - 1998, Pages 574-579

15. Baum, M., Haubold, M., Wiemer, M., Gessner, T., Implantable MEMS sensors and medical MEMS packaging issues for future implants // Biomedizinische Technik. -October 2014, Volume 59, 1 Pages S1055-S1056, DOI: 10.1515/bmt-2014-5014

16. Lim, L.S., Park, W.-T., Lou, L., Feng, H.H., Singh, P., Design, fabrication and characterization of ultra miniature piezoresistive pressure sensors for medical implants // Advanced Materials Research. -2011, volume 254, Pages 94-98, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.254.94

17. Luo, W.F., Chen, R.H., Ma, H.K. Concept of the partial throw-away design of piezoelectric micropump for medical uses with low cost and waste // Applied Mechanics and Materials. -2014, volume 477-478, Pages 363-367, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.477-478.363

18. Woitschach, O., Sosna, C., Lang, W., Uckelmann, J. A new generation of a regulated micropump for medical applications // Proceedings of IEEE Sensors.- 2010, Article number 5690074, Pages 2472-2477 DOI: 10.1109/ICSENS.2010.5690074

19. Дюжев Н.А., Махиборода М.А., Преображенский Р.Ю., Демин Г.Д., Гусев Е.Э., Дедкова А.А., Разработка и исследование концептуальной модели рентгеновского источника с автоэмиссионным катодом // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.- 2017, №4, стр.64-70, DOI: 10.7868/S0207352817040060

20. Дюжев Н.А., Гусев Е.Э., Махиборода М.А., Грязнева Т.А., Демин Г.Д., Моделирование технологического процесса формирования катодно-сеточного узла и его эмиссионных свойств // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2016. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2016. Часть IV. С. 37-42.

21. Gusev E.E., Gryazneva T.A., Negencev A.V., Makhiboroda M.A., The influence of heat treatment on the magnitude of mechanical stresses in the process of forming a field emission cathode-grid node // IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus).-2017, p. 1397 - 1400, DOI: 10.1109/EIConRus.2017.7910831.

22. Volkov, P.G., Korobeinikov, S.I., Nikolaev, V.I., Sovkov, V.B., Experimental observation and numerical simulation of spectra of solid-anode X-ray tubes // Journal of Analytical Chemistry. - May 2016, volume 71, Issue 5, 1 Pages 471-475 DOI: 10.1134/S1061934816030151

23. Schultz, G., Mhaskar, R., Prouty, M., Miller, J., Integration of micro-fabricated atomic magnetometers on military systems // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.- 2016, volume 9823, DOI: 10.1117/12.2224192

24. Khorgade, M.P. , Gaidhane, A., Applications of MEMS in robotics and BioMEMS // Proceedings, UKSim 13th International Conference on Modelling and Simulation. - 2011 Article number 5754275, Pages 522-527, DOI: 10.1109/UKSIM.2011.106

25. Ibrahim, D., Using MEMS accelerometers in aerospace and defence electronics // Electronics World. - August 2012, volume 118, Issue 1916, Pages 16-21

26. Киреев В.Ю. Введение в технологию микро- и наноэлектроники // Учебное пособие.- 2006

27.Solid State Technology Pulse, ^ылка на электронный ресурс: http://electroiq.com/blog/2017/04/2016-marks-year-of-recovery-for-global-semiconductor-market/

28. Ссылка на электронный ресурс http://www.yole.fr/2016_press_releases.aspx

29. Allameh, S.M.. An introduction to mechanical-properties-related issues in MEMS structures // Journal of materials science. - 2003, 38, 4115-4123, ISSN: 1573-4803

30. Dual, J.; Simons, G.; Villain, J.; Vollmann, J. & Weippert, C. (2004). Mechanical properties of MEMS structures // Proceedings of ICEM12.- August-September 2004, ISBN: 88-386-6273-8, Bari, Italy, McGraw-Hill

31. Yi, T. & Kim, C-J.. Measurement of mechanical properties for MEMS materials. // Measurement Science and Technology.-1999, v.10, 706-716, ISSN: 1361-6501

32. Kenichi Takahata // Micro Electronic and Mechanical Systems Book. -2009, ISBN 978-953-307-027-8, 386 pages, Publisher: InTech, Chapters published December 01, Chapter 11 Mechanical Properties of MEMS Materials

33. Электронный ресурс: https://ru. wikipedia.org/wiki/Модуль_Юнга

34. Электронный ресурс: https://ru.wikipedia.org/wiki/ Коэффициент_Пуассона

35. Tsuchiya, T.. Evaluation of Mechanical Properties of MEMS Materials and Their Standardization // Advanced Micro and Nanosystems, Tabata, O. & Tsuchiya. - 2008, T., p.1-25, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KgaA, ISBN: 978-3-527-31494-2, Weinheim

36. K.Petersen. Proc. Silicon as Mechanical Materials // IEEE70. -1982, p. 420 - 457

37. Моделирование и конструирование чувствительных элементов емкостных датчиков давления

38. Materials for MEMS and Microsystems, chapter 7, Book MEMS and Microsystems: Design and Manufacture

39. Veikko Lindroos, Markku Tilli, Ari Lehto , Teruaki Motooka // Handbook of Silicon Based MEMS Materials and Technologies. - 2010

40. Marc Madou, Principal source for semiconductor material properties // Fundamentals of Microfabrication. - 1997, CRC Press.

41. Laconte J., Flandre D., Raskin J.-P., Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration // Springer. - 2006. 294 p.

42. A. K. Sinha, H. J. Levinstein, T. E. Smith. Thermal stresses and cracking resistance of dielectric films (SiN, Si3N4, and SiO2) on Si substrates // Journal of Applied Physics.- 1978, vol. 49. P. 2423.

43. C. J. Wilson and P. A. Beck, Fracture testing of bulk silicon microcantilever beams subjected to a side load // j. MEMS.- 1996, 5(3), pp. 142-150.

44. P. Burkhardt and R. F. Marvel // J. Electrochem. Soc. - 1969.

45. Kim et al., Accurate and Precise Determination of Mechanical Properties of Silicon Nitride Beam // Nanoelectromechanical Devices, ACS Appl. Mater. Interfaces -2017, 9, 7282-7287, DOI: 10.1021/acsami.6b16278

46. Munguia-Cervantes et al, Si3N4 Young's modulus measurement from microcantilever beams using a calibrated stylus profiler // Superficies y Vacio.- March 2017, 30(1) 10-13.

47. Chen et al., Effects of Defects on the Mechanical Properties of Kinked Silicon Nanowires //Nanoscale Research Letters. - 2017, 12:185 DOI 10.1186/s11671-017-1970-7

48. W.N. Sharpe // Handbook of Experimental Solid Mechanics, 3rd Ed., Springer, 2010, pp.203-225.

49. Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Релаксация деформаций несоответствия за счет пор и отслоений и условия образования дислокаций, трещин и гофров в эпитаксиальной гетероструктуре AlN(0001)/SiC/Si(111) // Физика твердого тела. -2015, том 57, вып. 1

50. А.Р. Шугуров, А.В. Панин, М.С. Казаченок. Исследование упругой деформации пленок Ti при знакопеременном изгибе // Журнал технической физики.- 2010, том 80, вып. 11

51. Асташенкова О.Н., Физико-технологические основы управления механическими напряжениями в тонкоплёночных композициях микромеханики // кан. диссертация. - 2015

52. Механические напряжения в тонких плёнках// Обзоры по электронной технике. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. - 1981. - вып. 8 (798). - 63 с.

53. A.F. Popkov, Local magnetostrictive response of small magnetic entities in artificial Fe-Cr composites // Journal of applied physics Journal of Applied Physics.-2002

54. В.В. Шепелевич, В.Н. Навныко, С.М. Шандаров. Влияние пьезоэлектрического эффекта на выбор оптимального среза при считывании отражательной голограммы в кристалле Bii2TiO20 // Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь.-2012.

55. G. Gerald Stoney, The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proceedings of the Royal Society of London. -1909, DOI: 10.1098/rspa.1909.0021

56. W. A. Brantley, Calculated elastic constants for stress problems associated with semiconductor devices // J. Appl. Phys. - Jan. 1973,vol. 44, no. 1, pp. 534-535.

57. S.C .H. Lin* and I. Pugacz-Muraszkiewicz, Локальное измерение напряжений в тонком термическом оксиде на кремниевой подложке// J. Appl. Phys.- 1972,v. 43, 119

58. H. W. Conru , Measuring small-area Si/Si02 interface stress with SEM // Journal of Applied Physics.-1976, v.47, p.2079; doi: 10.1063/1.322850

59. R. J. Nemanich. Raman spectroscopy for semiconductor thin film analysis // Materials Research Society Symposium Proceedings.- 1986, vol. 69

60. Benjamin Uhlig. High precision stress measurements in semiconductor structures by Raman microscopy // A dissertation of the TU Dresden, Germany for the degree of Doctor of Natural Sciences.- 2009

61. Ingrid De Wolf. Raman spectroscopy: about chips and stress // Spectroscopy Europe 15/2.- 2003

62. Ingrid De Wolf. Micro-Raman spectroscopy to study local mechanical stress in silicon // Semicond. Sci. Technol.- 1996, v.11, p. 139-154

63. M.E. Fitzpatrick, A.T. Fry , P. Holdway, F.A. Kandil, J. Shackleton and L. Suominen, Determination of Residual Stresses by X-ray Diffraction // Measurement Good Practice Guide.-2005, v. 52, Issue 2.

64. Ландсберг Г. С. Оптика. — М.: Физматлит, 2003. — С. 115. — 848 с. — ISBN 5-9221-0314-8

65. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. В 10-ти т. Т. VIII. // Электродинамика сплошных сред: Учеб. пособие. — 4-е изд., испр. и доп. — М.; Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987

66. Авторское свидетельство СССР №1768963.

67. Бобренко В.М. Исследование и разработка ультразвуковых методов и аппаратуры для определения напряжений в элементах металлических конструкций // автореф. дисс-канд. техн. наук. Одесса. -1974.

68. Smith R.T. Stress-induced anisotropy in solids - the acousto-elastic effect // Ultrasonics.-1963. № 1. P. 135-147.

69. Akinwande et al, A review on mechanics and mechanical properties of 2D materials—Graphene and beyond // Extreme Mechanics Letters.- 2017,v. 13,p. 42-72

167

70. C. J. Wilson and P. A. Beck, Fracture testing of bulk silicon microcantilever beams subjected to a side load // J. MEMS.- 1996, v. 5(3), pp. 142-150.

71. L. Li, T. Yi, and C.-J. Kim, Effect of mask-to-crystal direction misalignment on fracture strength of silicon microbeam.// Proceedings, Microscale Systems: Mechanics and Measurements Symposium.-2000, pp. 36-40

72. A. M. Fitzgerald, R. H. Dauskardt, and T. W. Kenny, Fracture toughness and crack growth phenomena of plasmaetched single crystal silicon // Sens. and Act. - 2000, A83, pp. 194-199.

73. A. M. Fitzgerald, R. S. Iyer, R. H. Dauskardt, and T. W. Kenny, Subcritical crack growth in single-crystal siliconusing micromachined specimens // J. Mater. Res. -2002, v.17, pp. 683-692.

74. K.-S. Chen, A. A. Ayon, X. Zhang and S. M. Sperling, "Effect of process parameters on the surface morphology and mechanical performance of silicon structures after deep reactive ion etching (DRIE)." J-MEMS 11(3), pp. 264-275 (2002).

75. C. L. Muhlstein, S. B. Brown, and R. O. Ritchie, High-cycle fatigue in single-crystal silicon thin films // J. MEMS.-2001, v.10(4), pp. 593-600.

76. Alissa M. Fitzgerald, Crack growth phenomena in micro machined single crystal silicon and design implications for micro electro mechanical systems (MEMS).// Ph.D. dissertation, Stanford University.-2000.

77. Albert K. Henning, Sapna Patel, Michael Selser, and Bradford A. Cozad, Factors Affecting Silicon Membrane Burst Strength // Microsystems, 959 Hamilton Avenue, Menlo Park, CA USA 94025.

78. Дюжев Н. А., Дедкова А. А., Гусев Е. Э., Новак А. В. Методика измерения механических напряжений в тонких плёнках на пластине с помощью оптического профилометра // Известия Вузов. Электроника. -2016, №4, c.367 - 372.

79. Дюжев Н. А., Гусев Е. Э., Дедкова А. А, Чиненков М. Ю.. Программа анализа рельефа с целью расчета величины кривизны поверхности в выбранном направлении на кремниевой пластине // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2016611518, действует с 04.02.2016.

80. Н.И. Петуров, Способ обработки пластин кремния //патент РФ №2105381.

81. Королёв М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А.. // Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Москва, БИНОМ.-2007, часть 1.

82. Рубцевич И.И., Соловьев Я. А., Высоцкий В.Б., Дудкин А.И., Ковальчук Н.С., Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-2011, № 4. С. 29 - 32.

83. Lanford W. A. and Rand M. J.. The hydrogen content of plasmadeposited silicon nitride // Journal of Applied Physics . - 1978. - Vol. 49. - №. 4. - P. 2473 -2477.

84. Yin Z. and Smith F. W. Optical dielectric function and infrared absorption of hydrogenated amorphous silicon nitride films: Experimental results and effective-medium-approximation analysis // Physical Review B. - 1990. - Vol. 42. - № 6. - P. 3666 - 3675.

85. Liang LIU, Wei-guo LIU, Na CAO, Chang-long CAI. Study on the performance of PECVD silicon nitride thin films // Defence Technology. - 2013. - Vol. 9. - № 2. - P. 121 - 126.

86. K. D. Mackenzie, D. J. Johnson, M. W. DeVre, R. J. Westerman, and B. H. Reelfs. Stress control of Si-based PECVD dielectrics // 207th Electrochemical Society Meeting, Quebec City Canada.- May 2005.

87. Сарычев О.Э., Способ формирования пленки нитрида кремния // патент РФ №1718302

88. Ogino Masaaki, Sugahara Yoshiyuki, Kuribayashi Hitoshi and Yamabe Kikuo. Degradation of Gate Oxide Reliability due to Plasma-Deposited Silicon Nitride // Japanese Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 43. - №. 3. - P. 931 - 935.

89. N. A. Djuzhev; E. E. Gusev; A.A. Dedkova; V.Yu. Kireev; A.P. Onufrienko, Separation of a silicon substrate into chips by liquid etching // 2018 IEEE, EIConRus, DOI:10.1109/EIConRus.2018.8317497

90. N. Djuzhev, Е. Gusev, A. Dedkova, N. Patiukov. Determination of mechanical stress in the silicon nitride films with a scanning electron microscope // Proceedings SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nano-Electronics.- 2016, DOI:10.1117/12.2250118

91. И.Н. Баринов, В.С. Волков, Чувствительные элементы микромеханических датчиков давлений. Основы проектирования и разработки // Учебное пособие -2013, 79 с., Пенза.

92. Тимошенко С.П., Войновский-Кригер С. Пластинки и оболочки // Учебное пособие. - М.: Наука, 1966. - 635 с.

93. Hussein M. G., Worhoff K., Sengo G., Driessen A.. Optimization of plasma-enhanced chemical vapor deposition silicon oxynitride layers for integrated optics applications // Thin Solid Films, 2007, v. 515, p. 3779-3786

94. Mackenzie K. D., Johnson D. J., DeVre M. W et. al. Stress control of Si-based PECVD dielectrics // Proc. Symp. Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films & Other Emerging Dielectrics VIII, 2005, p. 148-159, Electrochemical Society, Pennington, NJ (2005)

95. Ануфриев Л., Ковальчук Н., Ланин В.. Совершенствование технологии мембранных МЭМС // Компоненты и технологии, 2013, 6 (143)

96. Benoit Merle. Mechanical properties of thin films studied by bulge testing // PhD thesis.- 2013.-p.162.

Приложение

ООО «НПП ВИДЕОЭЛЕКТРОНИКА»

141960, Московская область, Талдомский

район, п. ianpyOrm, Ири.штарский iiifp.it.2ll,

ка. Ю тел. [phone]

ИНН 5078011884 КПП 507801001

Р/с 40702810140080101488

ПАО «Сбербанк России», г. Москва

ВПК 044525225

К/с 3010181040(МН)0<НИ12 25

ОГРН 1025007824406

Е mail' [e-mail]

AICT

использования результатов диссертационной работы Гусева Н.Э. на тему

«Исследование и разработка технологии создания высокопрочных многослойных мембран для преобразователей физических величин»

Результаты, полученные Гусевым Е.Э. в диссертационной работе на тему «Исследование и разработка технологии создания высокопрочных многослойных мембран для преобразователей физических величин», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук были использованы ООО «НПП Видеоэлектроника», имеют высокую практическую значимость.

Разработана технология изготовления анода для преобразователя физических величин на зффекге тормозного рентгеновского излучения. Анод представляет собой мишень просгрельного гипа. Нельзя не заметить, что предложенная технология обеспечивает необходимую рентгенопрозрачность. прочность для работы в вакууме, а также экономичность производства за счет операций по групповой кремниевой технология.

Разработанная Гусевым Е.Э. в диссертационной работе технология рентгеновской просгрельной мишени используется в изготовлении рентгеновского источника.

*«^'ьный директор OOÖffflfin Видео электроника»

УТВНРЖДАЮ

работе МИЭТ

Игнатопа И.Г _ 20 /8 г.

АКТ

о внедрении результатов диссертационной работы Гусева Е.Э.

Настоящим актом подтверждается, 'гго технологические маршруты формирования высокопрочных многослойных мембран доя преобразователей физических величии, полученные в ходе работы над кандидатской днссер1ацисн Гусева Н.Э. «Исследование и разработка технологии создания высокопрочных многослойных мембран для преобразователен физических величин», использованы на кафедре ПКИМС при модернизации дисциплины «Актуальные проблемы современной элекгроннки и наноэлектроники» по ирофаммс подготовки магистров «Автоматизированное проект ирование субмикронных СБИС и систем на кристалле» но направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»:

Зам. зав. кафедрой 11КИМС

Миндеева А.А.

Начальник КМЦ

Никулина И.М.