Исследование и разработка методов модификации поверхности оптических материалов ионной и ионно-химической обработкой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.14, кандидат технических наук Вощенко, Татьяна Карповна

  • Вощенко, Татьяна Карповна
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 2004, Санкт-Петербург
  • Специальность ВАК РФ05.11.14
  • Количество страниц 85
Вощенко, Татьяна Карповна. Исследование и разработка методов модификации поверхности оптических материалов ионной и ионно-химической обработкой: дис. кандидат технических наук: 05.11.14 - Технология приборостроения. Санкт-Петербург. 2004. 85 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Вощенко, Татьяна Карповна

Введение.

Глава 1. Модификация поверхности твёрдых тел ионными пучками.

1.1. Ионная бомбардировка поверхности твёрдых тел.

1.2 Особенности ионной обработки оптических поверхностей.

1.3 Методы контроля оптических поверхностей.

1.4 Основные методы ионной обработки оптических материалов.

1.4.1. Ионно-плазменные методы обработки оптических материалов.

1.4.2. Ионная обработка оптических материалов с помощью ВЧ сеточного электр ода.

1.4.3. Использование автономных ионных пучков для обработки поверхности оптических деталей.

Глава 2. Экспериментальная техника для реализации процесса ионной обработки.

2.1 Метод ВЧ диодного распыления.

2.2 Метод ионной обработки с помощью ВЧ сеточного электрода.

2.3 Автономный ионный источник ИОН-4.

Глава 3. Исследование модифицированной ионными пучками поверхности оптических материалов.

3.1. Влияние ионной обработки на оптические свойства стекла К8 и кварца.

3.2. Ионная обработка свинцовосодержащих стекол.

3.3. Исследование влияния ионной обработки на свойства МКП.

3.4. Исследование влияния ионной обработки на свойства катодо-люминесцентной керамики.

Глава 4. Исследование процесса ионно-химической обработки поверхности оптических материалов.

4.1 Ионно-химическая обработка стекла.

4.2 Модификация поверхности оптических материалов двухкомпо-нентными ионными пучками.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Технология приборостроения», 05.11.14 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка методов модификации поверхности оптических материалов ионной и ионно-химической обработкой»

Современное развитие науки и техники ставит перед оптической промышленностью ряд принципиально новых задач, для решения которых необходимо существенное улучшение параметров и характеристик оптических систем и создание принципиально новой оптической элементной базы. С точки зрения дальнейшего повышения качества оптических приборов и: их. эксплуатационных характеристик возможности, использования традиционных оптических элементов и технологий, практически исчерпаны. Требуется создание новых технологических процессов, среди которых все большее внимание уделяется методам ионно-плазменной технологии, предполагающим использование, для формирования заданных свойств поверхности и заданного рельефа, управляемых ионных пучков, в частности, метода ионной обработай.

Ионная обработка оптических материалов, как одно из самостоятельных направлений в технологии изготовления оптических элементов, была наиболее полно исследована и развита в «ГОИ им. С. И. Вавилова». В настоящее время ионная обработка с успехом используется при изготовлении высокоточных оптических «элементов различного назначения, определены основные области ее применения, среди которых важное место занимает модификация поверхности оптических материалов.

Исследованию процессов модификации поверхности ионными пучками и их использованию, для изготовления оптических элементов, посвящена данная работа.

Актуальность работы обусловлена, прежде всего, тем, что состояние поверхности определяет свойства оптической детали от ее внешнего вида до физических и эксплуатационных характеристик самой поверхности, а также оптических покрытий, наносимых на неё.

Исследования процессов ионной и ионно-химической обработки оптических материалов показали возможность получения оптических поверхностей с улучшенными или заданными свойствами. В основе метода ионной и ионно-химической модификации лежит физико-химическое взаимодействие потока ионов, имеющих определенную массу и энергию, с поверхностью обрабатываемого материала, что приводит к её видоизменению. Возможность управлять процессом и получать оптические поверхности с заданными свойствами является важным аспектом в технологии оптических элементов.

Цель работы.

Исследование и разработка методов модификации поверхностей оптических материалов ионной и ионно-химической обработкой с целью улучшения их оптических и электронно-эмиссионных характеристик.

Научная новизна.

1. На базе проведённых исследований процессов взаимодействия понньгх пучков с поверхностью оптических материалов рассмотрен процесс формирования на поверхности обрабатываемого материала изменённого слоя, наведённого ионной бомбардировкой, свойства которого отличны от свойств поверхности после механической обработки и в объёме. Определена протяжённость изменённого слоя и профиль показателя преломления с использованием для исследования метода эллипсометрии.

2. Исследован метод ионно-химической обработки и показано, что ионно-химическая обработка позволяет повысить скорость распыления оптических материалов в 3 и более раз, чем при обработке инертными ионами за счёт совместного действия двух взаимосвязанных и взаимостимулирующих процессов - физического распыления компонентов материала и химического взаимодействия с ними ионов и радикалов плазмы с образованием летучих соединений.

3. Исследована возможность использования ионно-химической обработки для модификации поверхности оптических элементов лазеров с целью повышения их поверхностной лучевой прочности (ПЛП). Показано, что напуск шестифтористой серы (БРл) в камеру, после обработки торцов активных элементов лазеров ионами аргона, стабилизирует значение лучевой прочности и, эффект увеличения ПЛП, сохраняется на 4 и более суток, что происходит, по-видимому, в результате действия БРе как газового диэлектрика, адсорбированного активной ионно-полированной поверхностью.

4. Разработаны двухкомпонентные составы ионных пучков инертных и химически активных газов; для получения ионной обработкой поверхностей, с микрорельефом по высоте не превышающим 10А.

5. Разработан метод ионной обработки свинцовосодержащих стёкол, обеспечивающий сохранение оптических характеристик стекла.

Показано, что ионная обработка свинцовосодержащих стёкол в аргоне приводит к возникновению в поверхностном слое поглощения. Необходима дополнительная ионная обработка в кислороде, в результате которой оптические свойства стекла восстанавливаются до исходных с сохранением модифицированного ионной обработкой поверхностного слоя.

По результатам исследований получено авторское свидетельство). Показано, что ионная обработка свинцовосодержащих стёкол приводит к повышению эмиссии электронов с поверхности, что было использовано для повышения эмиссионных характеристик микроканальных пластин (МКП).

6. Показано, что ионная обработка оптических керамик позволяет повысить яркость свечения регистрирующих экранов, изготовленных из катодолюминесцентной керамики и увеличить чувствительность катодохромной керамики к реверсивному окрашиванию электронным лучом.

Практическая значимость работы.

Ионная и ионно-химическая модификация в настоящее время используется для снятия дефектного слоя с поверхности оптических материалов, с целью улучшения их микрорельефа, повышения оптических, физических и эксплуатационных характеристик, в том числе, для повышения ПЛП оптических элементов лазеров.

Использование метода ионно-химической обработки даёт возможность повысить скорость распыления оптических материалов в 3 и более раз, по сравнению с обработкой инертными ионами, что позволяет повысить производительность процесса их обработки.

Разработанный метод, ионно-химической модификации двух-компонентными пучками поверхности, применяется, для получения оптических поверхностей с микрорельефом, не превышающим по высоте 10 А, и используется для подготовки поверхности перед нанесением покрытий и повышения эксплуатационных характеристик оптических элементов.

Показано, что ионная обработка свинцовосодержащих стекол, из которых изготавливаются электронные умножители МКП, способствует формированию на поверхности детали эмитирующего слоя с коэффициентом вторичной электронной эмиссии (к.в.э.э.) на 20-30% выше, чем у деталей, не подвернутых ионной обработке. В результате коэффициент усиления потока электронов микроканальной пластаной повышается в,2^раза;а фактор шума уменьшается в 1,5-2 раза.

Разработан метод повышения яркости свечения катодолюминес-центной керамики ионной обработкой. Так, после ионной обработки монолитных катодолюминесцентных экранов, яркость свечения экрана на основе сульфида цинка увеличилась в 1,5 раза при напря — жении первичного потока электронов порядка 15 кВ и в 9 раз при напряжении 5 кВ.

Результаты исследований, проводимых в. работе, использовались в лабораториях <<ГОИ им. С. И. Вавилова» и на предприятиях отрасли, при изготовлении оптических элементов различного назначения, в том числе, при создании микроструктур и получения дифракционных оптических элементов, формообразования и т.д.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Результаты: исследований процессов взаимодействия пучков инертных и химически активных ионов с поверхностью различных оптических материалов и влияние ионной и ионно-химической бомбардировки на свойства обрабатываемой поверхности.

2. Результаты исследовани и разработка способов модификации поверхности свинцовосодержащих стекол и микроканальных пластин с целью улучшения их оптических и электронно-эмиссионных характеристик.

3. Разработка режимов ионной обработки оптических керамик (галогенсодалитовой, катодолюминесцентной) для улучшения их оптико-электронных свойств.

4. Разработка методов ионно-химической модификации поверхностей оптических элементов с целью улучшения их микрорельефа и повышения эксплутационных параметров.

Личный вклад автора в представляемую работу состоит в следующем: проведение экспериментальных исследований, связанных с разработкой режимов ионной и ионно-химической обработки оптических материалов пучками инертных и химически активных ионов.

-8- проведение исследований оптических и физико-химических свойств поверхности оптических материалов (стекла, кварца, оптических керамик) после ионной и ионно-химической модификации.

- анализ и интерпретация полученных результатов.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на отраслевых семинарах:

- «Ионная обработка оптических материалов, применяемых в квантовой электронике» (Москва,1983г.)

- «Технология изготовления прецизионных оптических элементов» (Москва, 1986,1989гг., Санкт-Петербург,1996г.),

- «Современные пути развития технологии обработки деталей оптики и электроники» (Киев, 1998г., Санкт-Петербург, 2001г.)

- « Прикладная оптика 2000» (Санкт- Петербург, 2000г.)

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ, получено авторское свидетельство на изобретение.

Содержание работы.

Диссертационная работа состоит из введения и четырех глав, списка литературы.

Похожие диссертационные работы по специальности «Технология приборостроения», 05.11.14 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Технология приборостроения», Вощенко, Татьяна Карповна

-77-Заключение.

На базе проведённых в работе исследований разработан ряд технологических процессов и методик, позволяющих существенно повысить точностные и эксплутационные характеристики оптических поверхностей ионной бомбардировкой.

Впервые проведено систематическое исследование процессов модификации поверхности оптических материалов с целью получения поверхностей с заданными свойствами с использованием ионной и ионно-химической обработки, что позволяет решить целый ряд практических задач: удаление с поверхности оптической детали нарушенного слоя, неизбежно остающегося после механической обработки (шлифовки и полировки) приводит к тому, что свойства поверхности приближаются к свойствам материала в объёме с сохранением или улучшением оптического качества поверхности. Это даёт возможность получать поверхности с высокой стойкостью к лазерному излучению, создавать бездефектные сверхгладкие оптические поверхности, подготавливать поверхность перед нанесением оптических покрытий, а так же использовать при изготовлении элементов интегральной оптики и при проведении исследований поверхности оптическими методами.

Ионная обработка приводит к улучшению эмиссионных характеристик свинцовосодержащих стёкол, используемых при изготовлении электронных умножителей и других элементов с вторично-эмиссионным усилением регистрируй <?го сигнала,

- повышению яркости свечения люминесцентных экранов, изготавливаемых из оптической керамики и повышению чувствительности оптической керамики к электронному потоку,

- увеличению скорости распыления оптических материалов в 3 и более раз с использованием фторсодержащих газов.

Возможности управлять процессом ионной и ионно-химической обработки позволяет получать оптические поверхности с улучшенными характеристиками.

Полученные в работе результаты будут способствовать широкому использованию ионной обработки в оптической технологии при создании элементов с улучшенными оптико-электронными характеристиками. По мере создания пригодных для обработки оптических материалов ионных источников,, последние будут активно использоваться в ионной технологии. Как показано в данной работе, имеющийся в оптической технологии, в настоящее время, автономный ионный источник ИОН-4, имеет преимущества перед системой сеточного электрода и его использование в оптической технологии более предпочтительно Дальнейшее изучение и развитие способов ионной и ионно-химической модификации поверхности, безусловно, откроет новые возможности их использования при изготовлении высокоточных оптических элементов различного назначения.

По результатам работы можно сделать следующие выводы:

1. На базе проведённых исследований процессов взаимодействия ионных пучков с поверхностью оптических материалов рассмотрен процесс формирования на поверхности обрабатываемого материала изменённого слоя, наведённого ионной бомбардировкой, свойства которого отличны от свойств поверхности после механической обработки и в объёме. Определена протяжённость изменённого слоя и профиль показателя преломления с использованием для исследования метода эллипсометрии.

2. Исследована возможность ионно-химической модификации оптических материалов. Показано, что ионно- химическая обработка позволяет повысить скорость их распыления в 3 и более раз, чем при обработке инертными ионами и повысить производительность процесса обработки оптических материалов.

3. Исследована возможность использования ионно-химической обработки для повышения ПАП элементов квантовых генераторов. Показано, что ионная обработка в аргоне, с последующим напуском в рабочую камеру шестифтористой серы, позволяет стабилизировать значение ПАП и эффект увеличения ПАП сохраняется до 4 и более суток, что больше, чем при обработке в аргоне.

4. Показана возможность применения ионной и ионно-химической модификации поверхности для получения оптических поверхностей с микрорельефом, не превышающим по высоте юА, разработана и используется методика для подготовки поверхности перед нанесением покрытий и повышения эксплуатационных характеристик оптических элементов.

5. Разработан метод ионной обработки свинцовосодержащих стёкол, обеспечивающий сохранение оптических свойств стекла и повышение эмиссионных свойств поверхности. Показано, что характеристики МКП, изготовленных из свинцовосодержащих стёкол, после ионной обработки улучшаются: к.в.э.э. возрастает в 2-3 раза, фактор шума снижается в 1,5 раза.

6. Разработана методика ионной обработки оптических керамик. Показано, что в результате ионной обработки повышается яркость свечения катодолюминесцентной керамики и чувствительность к электронному потоку катодохромной керамики.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Вощенко, Татьяна Карповна, 2004 год

1. Материалы 11 международной конференции по вакуумной микроэлектронике //J.Vak: Sol. Techn. В. - 1999.-Vol.-№ 2.

2. Модифицирование и легирование поверхности лазерными и электронными пучками. / Под ред. Поута Дж. М.,Фоти F., Джекобсона Д.К. —М;: Машиностроение,1987.-424с.

3. Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой/ Под ред. Бериша Р.-М.: Мир,1986.-Вып.2.-488с.

4. Meinel A.B:,Bashkin S., Looms D.A. //Appl. Opt. -1965. -Vol.4. -P. 1674-1676.

5. Narodny L. H., Tarasevich M. // Appl.Opt. -1967. Vol.6. - P.2010-2012.

6. Jasuda H. //Jpn.J. Appl. Phys.-1973. Vol.12. - P. 780-782.

7. Karger A.M. //Appl. Opt. 1973. - Vol.12- P. 451-454.

8. Weshsung R., Aberrle L. // Vakuum Techn. 1975. -Vol.24. -P.217.

9. Габович М.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. -М: Атомиздат, 1972.-С.304.

10. Павлов П.В. Структурные превращения при ионной бомбардировке твёрдых тел. Взаимодействие атомных частиц с твёрдым телом. Харьков.-1976.-ч.2.-С. 3-5

11. Плешивцев Н.В., Катодное распыление.- М.: Атомиздат. 1978.-С. 343.

12. Ван-Бюрен, Дефекты в кристаллах. М.: Мир, 19621-С. 584.

13. Дамаск А., Дино Дж. Точечные дефекты в металлах, М.: Мир, 1966.

14. Фридель Ж., Дислокации.- М.: Мир, 1967.-С. 643.

15. Матарс Г. Электроника дефектов в полупроводниках, М.: Мир, 1974.-С.463.

16. Коттрелл А.Х. Дислокации и пластическое течение в кристаллах.-М.: Металлургиздат, 1968.

17. Denis S.D:, Hall Е.В.//Jpn.J. Appl. Phys.- 1978. Vol.49. - P 1116.

18. Katenkamp U., Karge H., Prader R. Proceeding 1-st conférence of Ion Beam Modification Materials, Budapest- 1978. Vol. 11. - P.1333.

19. Wehner G.K, Zaedreid N.//Jpn.J. Appl Phys.- 1961. Vol.32.-P.365.

20. Wehner G.K., Kenknight G.E., Rosenberg D. // Planet Space Sci, 1963. Vol. 11. -P1257.

21. Mathien H.J.//J. Bac Sci Technology.- Vol.14. P.1023.-8122. Chang C.C.// Thin Solid Films- 1978. Vol.53. - P .19.

22. Аброян И.А., Андронов A.H., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.:-Высшая школа, 1984. G.206.

23. Физические процессы в облученных полупроводниках./ Под редакцией Смирнова A.C.- Новосибирск.: Наука, 1977.

24. Пранявичюс А., Дудонис Ю; Модификация свойств твердых тел ионными пучками.- Вильнюс: Аеокелас.-1980.

25. Качкин С.С., Орлова АЛ.// ОМП.- 1968.- N 7. -С.69.

26. Клейменов A.C.,Ильин В.В*, Первеев А. Ф;// ОМП,- 1972.-№12.-С.531

27. Первеев А.Ф., Ильин В.В;, Михайлов А.В.//ОМП.- 1972.- N 10. -С.40.

28. Garter G.G., ColligonJ.S. Ion bombardment of solids. London; 1968.

29. Tarasevich M. //Appl. Opt. 1970. - Vol.9. - P.173.

30. Первеев А.Ф. Ионная обработка оптических материалов и покрытий новое направление оптической технологии// Сб. тез. докл. Ионная обработка оптических материалов, применяемых в квантовой электронике.- Москва, 1979.-G.3

31. Ильин В.В., Туровская Т.С. Повышение поверхностной лучевой прочности и ресурса работы элементов ОКГ ионной полировкой. // Сб. тез. докл. Ионная обработка оптических материалов, применяемых в квантовой электронике. Москва, 1979.-С.8

32. Топорец A.C., Мазуренко М.А.// ОМП.- 1968.- N 2. С.11.

33. Аеонов Б.Н., Черезова АЛ. и др.// Физика и химия стекла.- 1984.-N 1.С.-104.

34. Крылова Т.Н., Бохонская И.Ф., Карапетян ГА.// Оптика и спектроскопия.- 1980.- Т.49, N4.- С.802.

35. Jasuda H. //Journ. Appl. Phys. 1974. Vol. 45 - P.484.

36. Jasuda H. //Jap.J. Appl. Phys.-1973. Vol.12. P.1139.

37. Norstron H. //Vacuum. 1980. - Vol.30. - P.225.

38. Грановский BLA, Электрический ток в газах. Установившийся ток. /Под редакцией Сена АА. и Таланта В.Е.- М.: Наука, 1971.

39. Penning S.M., Moubis НА.// Proceeding Koninkl. Ned. Akad. Wetenschap. 1940. Vol.43. - P.41.-8243. Davidse P.D., Maiseil L.J.// Journ. Appl. Phys. 1966. - Vol.37. -P.574.

40. Anderson G.S., Mayer M., Wehner G.K// Journ. AppLPhys. 1962. -Vol.33. P.2991.

41. Технология тонких пленок / под ред. Мейселла А. и Глэнга Р., М.: Советское радио, 1977.- Т1.

42. Данилин B.C., Логунов В.И.// Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника.- 1971.- N8. С.121.

43. Данилин B.C. Качурин Ю.Е. Логунов В.И. //Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника.- 1973.- N1. С.-76.

44. Данилин B.C., Киреев В.Ю. Ионное травление микросгруктур.-М.: Сов. Радио.- 1979.

45. Габович М.Д. Плазменные источники ионов.- Киев.: Наука думка.-1964.

46. Волчков В.И. и др. Ионная обработка оптических материалов и создание высокоточных оптических элементов.- М.: ЦНИИ информ, 1983.

47. Волчков В.И., Ренская И.В., Смольянинов В.Д., Стоянов ПА. Многоканальные ионные источники с холодным катодом — новый универсальный инструмент в технологии изготовления презицион-ных оптических элементов.-М.: ЦНИИ информ, 1981.

48. Первеев А.Ф., Вишневская Л. В., . Черезова A.A. Ионная обработка оптических материалов и покрытий! М.: НТЦ Информтехника. —1990. — С. 32*

49. Зигмунд П. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой/ Под ред. Р.Бериша.- М.: Мир, 1984.

50. Дудин-Барновский И.В., Карташова А.И. Измерение и анализ шероховатости, волнистости и некруглости поверхности.- М.: Машиностроение ,1976

51. Пшеницын В.И., Вещенко Т.К.//С6. тр^. Всес. конф. по эллипсомеггрии. Новосибирск, 1985.

52. Шелюбский В.И. Исследование процесса восстановления стекла при обработке свинцового стекла в восстановительном пламени. //ДАН СССР, 1954.-Т. 96.-№ 4.-С.745.

53. Файнберг Е.А. Об изменении электропроводности поверхностного слоя свинцовосиликатного стекла в процессе термической обработки в водороде. Изв. Ан. CGGP. Неоган. матер. - 1966. Т. 2. -№6, С.1154.

54. Тютиков A.M., Королёв Н.В^, Тоисева М.Н., Петухова Л.В.,Харин A.C. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стёкол.

55. Hill G. Е. Secondary electron emission and compositional studies on channel plate glass surfaces. -Adv. Electr. Phys., 1976. V 40A. — PI53.

56. Артамонов O.M. и др.//Физика и химия стекла—1981 .-№4.- С. 470.

57. Тютиков AM. // ОМП.-1979.-№9.-С.41.

58. Тютиков А.М. //ОМП.-1980. -№ 4.- С. 11.

59. Черезова A.A. , Леонов Н.Б. Взаимодействие атомных частиц с твёрдым телохм.- Минск: ВИЗ ,1984.- С.188.

60. Аеонов Н.Б., Тютиков A.M. О формировании памяти у микроканальных пластин.// ОМП.- 1980.-№ 8.- С. 43-45.

61. Пронин В.П. Упругое рассеяние электронов средних энергий поликристаллическими мишенями.// Автореф. канд. дис. А.- 1976.-С 15.

62. Александрова И.И., Золотарёв В.М., Черезова А. А. Исследование влияния низкоэнергетических пучков на структуру поверхности стёкол. // Диагностика поверхности ионными пучками. — Ужгород.1985.-С.83.

63. Черезова A.A., Вощенко Т.К., Семёнова И.В1 Технология изготовления прецизионных оптических элементов М: ЦНИИ инф.1986.-С.46.

64. Пшеницын В.И., Абаев М.И. Эллипсометрия в- физико-химических исследованиях — А.: Химия, 1986.-8473. Плетнёва Н.И. и др; // ОМП. 1976 .- № 1.

65. Леонов Н.Б. Черезова A.A., Тютиков A.M. Ионная обработка оптических материалов и создание высокоточных оптических элементов М.: ЦНИИинф.- 1983. -С.83.

66. Степуро A.B. //ОМП.- 1983.- № 11.- G.30. -1970.

67. Ardenne М . Electronenuber mikroskopie. — Berlin. G. Springer. -1940.

68. Купревич B.B., Аунтер С.Г. //ОМП. -1969.-№ 9.-С. 31.78; Эспе В. Технология электровакуумных материалов. — Т 3.- М.: Энергия, 1969-С.368.

69. Волынец Ф.К. // Изв. АН СССР. Сер физич.-1981.-Т.45.-№2.-С.315-320.

70. Методы контроля нарушенных слоёв при механической обработке монокристаллов. М.: Энергия. - 1969- С. 64. / Татаренков А.И., Енишерлова К.А., Русак Т.Ф., Гриднев В.Н. - М.: Энергия.- 1969- С.64.

71. Волынец Ф.К. // ОМП. 1974. - № 3. С. -29.

72. Аевшин ВЛ., Рыжиков Б. Д.// Изв^АН. СССР. Сер.физич.- 1961.-Т.25.- №3. -С. 362-365.

73. Горохова Е.И., Черезова A.A., Бигильдинская М.Г., Власова Н.В., Купревич В.В. Влияние различных видов обработки на свойства монолитных катодолюминесцентных экранов.//ОМП.-1988.-№4.-С.56.

74. Борович А.Н., Дуденков А.В.Попов Ю.М.//Квантовая электроника.-! 977-Т.4.-С.58-62.

75. Богданов Е.В., Демиденко В Л., Денкс В.П., Корсаков B.C. Реверсивное окрашивание галогенсодалитовых керамик электронным лучом. // Труды института физ. АН Эстонской ССР.- 1985.- Т. 57. — С.147.

76. Faughnan B.W., GorogJ., Heyman P.M., ShidlovskyJ. Proceed. IEEE. 1973. V. 61. - P. 927.

77. Волынец Ф.К., Демиденко В .А., Денисов P.A., Денкс В.П. оптические и катодохромные характеристики поликристаллических содалитов. //Труды И.Ф. АН ЭССР.- Т53.- 1982.- С.96.,88. .Денкс В.П., Руус Т.В., Тале И.А. //Труды ИФ АН ЭССР -1979.-С.50, 55.

78. Денкс В.П;, Дудельзак А.Э., Аущик Ч.Б., Руус Т.В., Сощин Н.П., Трофимова Т.И.// Ж. прикл. спектр. 1976.- С. 24,37.

79. Вишневская A.B., Черезова A Al., Ильин В.В., Первеев А.Ф. Взаимодействие атомных частиц с твёрдым телом.- Минск: БИЭ, 1981.- С.58.

80. Первеев А.Ф., Черезова A.A. Ионное и ионно- химическое формообразование // Обзор 4465.- М.: ЦНИИинф.1987.- С4.

81. Abbe H., SonobeJ., Enomoto T.// Jap.J.Appl.Phys.,-1973.-Vol.22-P.154

82. Первеев А.Ф.,- A.C. 552003.

83. Данилин B.C., Киреев В.Ю. — Физика и химия обработки материалов, 1977.-№ 4.- С. 8.

84. Вишневская A.B., Черезова A.A., Фролова Н.П., Иванова В.М. Применение методов ионной технологии в промышленности.-Л.: АДНТП, 1981.-С.54.

85. Черезова A.A., Бигильдинская М.Г., Егоров П.П. Технологая изготовления прецизионных оптических элементов.-М.: ЦНИИинфД986.-С.48.

86. Черезова A.A., Бигильдинская М.Г., Вощенко Т.К. Современные пути развития технологий: обработки деталей оптики и электроники.-Киев.:НАНУ, 1998.-C.34.

87. Вишневская A.B., Первеев А.Ф., Черезова A.A., Шакалова Т.К. Исследование взаимодействия ионов фторсодержащих газов с поверхностью оптических материалов.//ОМП -1981.-№7.- С.ЗО.

88. Cobum W., Winters H.F., Chuang T.J.//Journ.Appl.Phys.- 1977.-Vol.48.-P.3532.

89. Bruce А.// Joum.Vas.Sci.Teshn.-1978.-Vol.15.-P.205.103; Harshbarger W.R., Porter PA.//Solid Stait Technology.-1978.-Vol.21.- P. 99.

90. Вишневская A.B. // ОМП. -1985. № 6. -С. 38

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.