Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт литографии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Зайцев, Алексей Александрович

• Зайцев, Алексей Александрович
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Зайцев, Алексей Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

Глава 1. Обзор основных методов литографии, методов создания Т-образных затворов и принципов работы СВЧ транзисторов

1.1 Основные методы литографии в микро и наноэлектронике

1.1.1 Фотолитография на основе БЦУ и ЕЦУ источников излучения

1.1.2 Литография, основанная на заряженных пучках частиц

1.1.3 Наноимпринт литография

1.2 Принципы работы СВЧ транзисторов с высокой подвижностью носителей

заряда. Методы формирования Т-образных затворов с использованием технологий нанолитографии

1.2.1. Принципы работы и конструкция СВЧ транзисторов

1.2.2 Методы формирования Т-образных затворов транзисторов

1.4 Выводы по главе 1

Глава 2. Исследование технологии наноимпринт литографии

2.1 Особенности вязкоупругого течения полимеров

2.1.1. Теоретические основы вязкоупругого поведения полимеров при сжатии

2.1.2. Исследование процесса формирования микрометровых элементов и наноразмерных периодических структур в технологии наноимпринт литографии

2.2 Исследование и оптимизация параметров нанесения антиадгезионных слоев в наноимпринт литографии

2.3 Выводы по главе 2

Глава 3. Формирование СВЧ транзисторов с Т-образным затвором методом наноимпринт литографии и исследование их электрофизических характеристик

3.1. Формирование штампа для наноимпринт литографии

3.2 Технология формирования СВЧ транзисторов с Т-образным затвором

методом наноимпринт литографии

3.2.1. Гетероструктуры для СВЧ транзисторов

3.2.2. Формирование наноразмерных областей Т-образных затворов методом наноимпринт литографии

3.2.3. Плазмохимическое травление элементов Т-образных затворов в слое нитрида кремния

3.2.4. Формирование омических контактов

3.2.5. Изоляция активных областей транзисторов

3.2.6. Формирование Т-образного затвора транзистора

3.2.7. Формирование металлизации 1-го уровня разводки

3.3 Исследование БС- и Ш^-параметров сформированных СВЧ транзисторов

Выводы по главе 3

Глава 4. Формирование и исследование встречно-штыревых и островковых наноструктур, созданных с применением наноимпринт литографии

4.1. Встречно-штыревые структуры, формируемые методом наноимпринт литографии на пьезоэлектрических подложках

4.2. Формирование каталитических островковых структур для роста вертикально ориентированных углеродных нанотрубок

Выводы по главе 4

Заключение

Список использованных источников

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт литографии»

Введение

Актуальность темы

Прогресс в микроэлектронике, начало которого датируется серединой ХХ-го века, основан на достижениях в различных областях фундаментальных и прикладных наук. Одной из характеристик данного прогресса является постоянное уменьшение характерных размеров элементов интегральных схем (ИС) и связанное с этим улучшение их рабочих характеристик. Предпосылками к этому послужило много факторов, однако одним из основных является совершенствование технологии изготовления полупроводниковых приборов. Несомненно, что ключевой технологией во всем процессе формирования ИС является литография. На сегодняшний день промышленно создаются устройства с топологическими нормами 22 нанометра. Существует несколько разновидностей литографии, позволяющих создавать элементы с такими размерами.

Одной из наиболее развитых методик является фотолитография. Её суть заключается в воздействии излучения на слой фоточувствительного материала (резиста), нанесенного на полупроводниковую пластину. Для формирования заданного рисунка используются специальные маски, за счет которых воздействию подвергаются лишь определенные области резиста. Для 22-нм техпроцесса применяется излучение с длиной волны 193 нм (БЦУ фотолитография). При этом используются несколько методик, таких как водная иммерсия, фазосдвигающие маски, внеосеовое излучение и других, позволяющих добиться улучшения разрешения фотолитографии. На следующих этапах техпроцесса предполагается переход к ЕЦУ фотолитографии с длиной волны излучения 13,5 нанометра. Стоимость современного фотолитографического оборудования позволяет использовать его только крупным компаниям для массового производства ИС.

Электронно-лучевая литография наряду с ЕЦУ фотолитографией также является одной из технологий, позволяющих достичь сверхвысокого разрешения. В отличие от фотолитографии, воздействие на резист осуществляется фокусированным пучком электронов. Экспонирование резиста производится посредством отклонения пучка и не требует применения масок, что является основным преимуществом данной методики. Так как длина волны де Бройля для электронов мала, то эффекты дифракции не влияют на создаваемые структуры

4

вплоть до размеров порядка 5 нанометров. Основным недостатком электронной литографии является низкая производительность. По этой причине данная методика применяется преимущественно в лабораторных условиях, а также для создания шаблонов для фотолитографии.

Одной из альтернативных методик формирования наноразмерных элементов является наноимпринт литография (НИЛ). Данная методика была изобретена в 1995 году S. Chou. Им же была продемонстрирована печать с разрешением менее 10 нанометров. НИЛ основана на механической деформации полимерного слоя при высоком давлении и температуре, превышающей температуру стеклования полимера. Такая модификация полимера обыкновенно осуществляется с помощью кремниевого шаблона (штампа) с поверхностным рельефом. Основными достоинствами наноимпринт литографии являются производительность и простота процесса, а также низкая стоимость оборудования. Среди недостатков можно отметить проблему высокой дефектности, а также необходимость создания штампа, для чего используется электронно-лучевая литография. Большой интерес представляет внедрение наноимпринт литографии в технологический процесс формирования устройств микро- и наноэлектроники.

Дальнейшее уменьшение размеров элементов интегральных схем требует совершенствования методов литографии. Такие крупные компании, как Intel и AMD планируют использовать для технологических норм 14 нм и менее EUV литографию. Однако актуальность исследования процесса наноимпринт литографии подтверждается тем, что уже сегодня НИЛ используется несколькими компаниями для производства различных электронных устройств.

Основной целью работы являлись разработка и исследование методик формирования наноразмерных элементов с применением наноимпринт литографии, исследование возможности и методов использования наноимпринт литографии в стандартной технологии формирования СВЧ транзисторов, а также исследование характеристик созданных устройств.

Достижение поставленной цели требовало решения ряда основных задач:

1. Исследование явлений, возникающих в процессе наноимпринт литографии при использовании штампов с различным поверхностным рельефом.

2. Исследование процесса формирования анти-адгезионных слоев на поверхности штампа при их осаждении из газовой фазы.

3. Исследование и разработка методов получения наноразмерных элементов с низким уровнем дефектов.

4. Разработка методов формирования штампов с субмикронным размером элементов.

5. Исследование и разработка методов использования наноимпринт литографии для формирования субмикронных затворов СВЧ транзисторов.

6. Исследование характеристик СВЧ транзисторов с Т-образным затвором, сформированным наноимпринт литографией

Научная новизна работы

1. Экспериментально установлены закономерности влияния времени нанесения покрытия и температуры полимера на силу адгезии между штампом и полимером.

2. Разработаны методы формирования наноразмерных и микрометровых структур, основанные на использовании многослойных систем в технологии НИЛ.

3. Разработан технологический процесс изготовления СВЧ транзисторов с Т-образным затвором менее 300 нм, формируемым с применением наноимпринт литографии.

4. Разработана технология формирования наноразмерных устройств методом НИЛ, включая формирования штампа фокусированным ионным пучком.

Практическая ценность работы

- Разработана методика создания транзистора с Т-образным затвором длиной порядка 250 нанометров, формирующегося методом наноимпринт литографии

- Разработана методика формирования встречно-штыревых структур на пьезоэлектрических подложках с шириной полос 200 нанометров и менее методом наноимпринт литографии

- Разработана методика формирования наноимпринт литографией островковых структур с диаметром элементов 60 нанометров для роста структурированных массивов углеродных нанотрубок

Научные положения, выносимые на защиту

1. Наносимое на штамп антиадгезионное покрытие обеспечивает наименьшую силу адгезии при времени нанесения от 20 до 40 секунд. Повышение температуры полимера приводит к снижению сил адгезии.

2. Разработана методика формирования структур с размерами 100 нанометров и менее, основанная на применении трехслойной системы резистов, в которой промежуточный слой представляет собой нитрид кремния толщиной порядка 40 - 50 нанометров, осажденный при температуре подложки 200 °С методом PECVD.

3. Разработана методика формирования СВЧ транзисторов с Т-образным затвором, основание которого создаётся наноимпринт литографией. Использование НИЛ позволяет формировать затворы длиной менее 300 нм в стандартном технологическом процессе с нормами на уровне 0,8 мкм.

4. Разработан технологический процесс изготовления наноразмерных штампов для НИЛ, включающий модификацию поверхности штампа фокусированным ионным пучком и разработан техпроцесс НИЛ для таких штампов.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы были представлены на следующих конференциях и конкурсах научных работ:

V Конференции «Нано 2011», ИМЕТ РАН, 2011. S Конференции «Микроэлектроника и информатика», МИЭТ, 2011. ^ Конференции «ACN 2011», Санкт-Петербург, 2011. S Конференции «Electronics and Nanotechnology», Киев, 2011. S IV международном форуме по нанотехнологиям, Москва, 2011. S Конференции «Микроэлектроника и информатика», МИЭТ, 2013.

S Конференции «V Всероссийская молодежная конференция по фундаментальным и инновационным вопросам современной физики», ФИАН, 2013

S Конференции «1st Russian-German Conference on Biomedical Engineering», Германия, Ганновер, 2013.

S Конференции «Микроэлектроника и информатика», МИЭТ, 2014. Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 14 научных работ, из которых 4 - научные статьи, а 8 - тезисы докладов на конференциях. Из 4-х научных статей 3 опубликованы в рецензируемых журналах, рекомендованных ВАК, а также получен патент на изобретение № 2421848 от 06.04.2010

Личный вклад автора. Все результаты, изложенные в диссертации и сформулированные в положениях, выносимых на защиту, получены автором лично или при его непосредственном участии.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав и заключения. Объём диссертации составляет 125 страниц печатного текста, в том числе 66 иллюстраций, 6 таблиц и список литературы из 116 наименований.

Глава 1. Обзор основных методов литографии, методов создания Т-образных затворов и принципов работы СВЧ транзисторов

Стремительное развитие устройств электроники обусловлено совершенствованием технологий микроэлектроники и быстро развивающейся областью нанотехнологий. Одной из основных операций при формировании элементов наноэлектроники является литография. Ниже представлен обзор литературы, посвященный методам нанолитографии, позволяющим создавать элементы с размерами менее 100 нанометров.

1.1 Основные методы литографии в микро и наноэлектронике

Литография является ключевой технологией, обеспечивающей

масштабирование элементов ИС и выполнение закона Мура [1]. За несколько последних десятилетий минимальный размер элементов, получаемых в промышленном производстве, уменьшился с единиц микрометров до 22 нанометров на сегодняшний день [2]. При этом литография является основной технологией, определяющей достигнутый технологический уровень полупроводниковой промышленности. Существует множество разновидностей данной технологий: фотолитография, электронно-лучевая литография, рентгеновская и наноимпринт литографии, литография с применением фокусированных ионных пучков, атомно-силовой микроскопии и другие виды [3]. В данном разделе главы 1 будет представлен обзор основных методов литографии, использующихся для формирования структур и схем с наноразмерными элементами в их составе.

1.1.1 Фотолитография на основе БиУ и ЕПУ источников излучения

Основной методикой, использующейся в промышленном производстве интегральных схем (ИС), является фотолитография. Данный метод основан на взаимодействии излучения ультрафиолетового и других диапазонов с резистом -фоточувствительным материалом, который под воздействием излучения изменяет свои физико-химические свойства. Существует два основных подхода в фотолитографии - контактная и проекционная [4]. При контактной фотолитографии фотошаблон находится в механическом контакте с резистом, в то время как в проекционной фотолитографии изображение рисунка на фотошаблоне проецируется на поверхность резиста с помощью оптических систем с

уменьшением размеров элементов. В промышленном производстве ИС с субмикронными топологическими нормами наибольшее распространение получила проекционная фотолитография, так как она позволяет формировать элементы с меньшими размерами чем контактная фотолитография. Другим её преимуществом является то, что она позволяет снизить повреждения и загрязнения фотошаблона, так как отсутствует его механический контакт с резистом.

Одним из главных эффектов, ограничивающих минимально достижимые размеры элементов в фотолитографии, является дифракция излучения при его прохождении сквозь фотошаблон [5]. При дифракции света на двух элементах, расположенных достаточно близко друг к другу, возможна ситуация, при которой они становятся неразличимыми. Уменьшение длины волны излучения приводит к снижению дифракционных эффектов.

Дифракция света не является единственным эффектом, ограничивающим разрешение фотолитографии. Излучение, проходящее через фотошаблон, фокусируется на поверхности подложки с помощью линзы. Диаметр апертуры линзы определяет угол расхождения рассеянного на элементах фотошаблона света, который может быть сфокусирован линзой. Числовой апертурой оптической системы называется величина, характеризующая способность такой системы фокусировать излучение в пределах угла 0 [4]:

Ш = пхб И10, (1.1)

где п - показатель преломления среды между линзой и проекционной плоскостью.

Разрешение в проекционной фотолитографии определяется величиной

к=кт ™

здесь К\ - коэффициент, определяющийся технологией, Я - длина волны излучения [4]. Как видно из уравнения (1.2), снижение длины волны и коэффициента К\, а также увеличение числовой апертуры приводит к повышению разрешения фотолитографии.

В фотолитографии, излучение, с помощью которого формируются элементы в слое фоторезиста, создается с помощью различных источников. Входящая в формулу (1.2) длина волны определяется типом используемого источника. В ходе развития технологии фотолитографии происходил переход от использовавшихся

сначала ртутных ламп с длиной волны 436 нм и 365 нм к эксимерным лазерам, имеющим длину волны излучения до 126 нм. Использование эксимерных лазеров в качестве источников излучения принято считать точкой перехода к фотолитографии в глубоком ультрафиолете (БЦУ).

Существует несколько основных типов эксимерных лазеров, различающихся по длинам волн и мощности излучения. На сегодняшний день, основной технологией следующего поколения принято считать фотолитографию на основе экстремального ультрафиолета (Е1Л/) [6]. Основные этапы развития технологии фотолитографии продемонстрированы в таблице 1.1.

Минимальный размер элемента (нм) 7000-1000 1000-350 350-180 180-24 24 и менее

Длина волны излучения (нм) 436 (в-линия) 365 (I-линия) 248 (БЦУ) 193 (БЦУ) 13 (ЕИУ)

Таблица 1.1. Соотношение длины волны излучения и размеров элементов, которые можно получить с её применением.

Излучение с длиной волны 13 нм, которое получило название ЕЦУ, строго говоря, уже не относится к оптическому излучению [7]. В данной области длин волн традиционные оптические системы, основанные на преломлении излучения, уже не работают. Причиной этому является сильное поглощение ЕЦУ излучения практически во всех материалах. Решением данной проблемы стало использование оптики для ЕЦУ фотолитографии, представляющей собой систему зеркал [8]. Излучение от источника с помощью зеркал проецируется на фотошаблон, содержащий отражающие и поглощающие области. Отраженное изображение маски фотошаблона затем фокусируется и проецируется с помощью другой системы зеркал на подложку, на поверхность которой нанесён фоторезист. Фотолитография, основанная на ЕЦУ излучении, должна осуществляться в условиях вакуума, с целью снижения поглощения излучения атмосферой.

ЕЦУ излучение может быть генерировано двумя основными способами: с помощью плазменного разряда и с помощью синхротронного источника. В промышленном производстве наиболее распространенными являются источники

11

излучения на основе плазмы. Основной сложностью при создании источников ЕИУ излучения является получение выходной мощности, достаточной для использования таких источников в промышленном производстве. Созданные на сегодняшний день источники не обладают необходимой выходной мощностью [9].

Ключевым компонентом оптических ЕИУ систем является многослойное зеркало. Отражение излучения с длиной волны 13,5 нм от любого материала является недостаточным для формирования отражающих элементов. Для получения высокого коэффициента отражения поверхность зеркала покрывается многослойным покрытием, состоящим из тонких пленок материалов с разной диэлектрической постоянной. Такие покрытия являются одномерными фотонными кристаллами и относятся к классу распределенных Брэгговских отражателей.

Фотошаблон для ЕЦУ фотолитографии работает по тому же принципу, что и оптическая система. Он состоит из отражающих областей, представляющих собой Брэгговские отражатели, и из областей, способных поглощать ЕЦУ излучение. В качестве поглощающих слоев могут быть использованы различные металлы: А1, Сг, Та, \У. Для формирования элементов фотошаблона обыкновенно применяется электронно-лучевая литография и реактивно-ионное травление.

Несмотря на то, что ЕЦУ фотолитография разрабатывалась с целью полного замещения БЦУ фотолитографии в промышленном производстве, технические трудности не позволяют использовать её в массовом производстве ИС. Другим ограничивающим фактором является стоимость таких систем, которая значительно превосходит стоимость промышленных установок БЦУ фотолитографии. Еще одной из причин задержки перехода к таким системам является то, что с применением различных методов улучшения разрешения, БЦУ фотолитография позволила достичь тех технологических норм, которые изначально рассчитывалось достигнуть с применением ЕЦУ фотолитографии.

Длина волны излучения является не единственным параметром, влияющим на предельное разрешение в фотолитографии. Вторым параметром, как следует из формулы (1.2), является числовая апертура оптической системы установки фотолитографии. Она по своей сути эквивалентна диаметру собирающей линзы объектива. При прохождении излучением элементов фотошаблона, происходит его рассеяние. Использование линз с большим диаметром позволяет фокусировать

большее количество рассеянного излучения. Фокусирование излучения, рассеянного на большие углы, является важным по той причине, что оно содержит информацию о деталях элементов в маске фотошаблона. Дифракция излучения на малых элементах происходит таким образом, что при уменьшении их размеров происходит увеличение угла рассеяния [10]. Следовательно, увеличение ЫА позволяет получить большую детализацию изображения.

Увеличение числовой апертуры в фотолитографии с одной стороны приводит к улучшению разрешения, однако её максимально допустимое значение ограничено глубиной фокуса оптической системы. Его значение связано с длиной волны излучения X, числовой апертурой ЫА, а также фактором кг, отражающим характеристики оптической системы установки фотолитографии и фоторезиста [4]:

£>6^ = *,—(1.3)

2 (Ш)2

В промышленном производстве глубина фокуса является важным параметром. При его малом значении, фокусирование изображения на поверхности пластины происходит в малом диапазоне расстояний, что может приводить к значительной разнице размеров элементов, недопустимой при промышленном производстве ИС.

Одним из наиболее важных технических решений в фотолитографии стало использование иммерсионных технологий [11]. Технология водной иммерсии применялась в области оптической микроскопии задолго до её внедрения в фотолитографию. Основным принципом данной технологии является заполнение жидкостью пространства между объективом и подложкой. Для этой цели может применяться как обычная деионизованная вода, так и другие типы жидкостей.

Очевидно, что введение жидкости в область между объективом и подложкой позволяет повысить числовую апертуру оптической системы за счет того, что индекс преломления данной области повышается с п=1 для воздуха до п> 1 для жидкостей. Это приводит к тому, что ЫА иммерсионных систем может превышать единицу.

На сегодняшний день, иммерсионная фотолитография с использованием ряда методов улучшения разрешения, которые будут обсуждены в дальнейшем, позволяет создавать интегральные схемы с технологическими нормами до 22 нм [12].

Как следует из формулы (1.2), третьим параметром, влияющим на разрешение фотолитографии, является коэффициент К\. Его возникновение связано с критерием Релея для разрешающей способности оптической системы [4]. В нем утверждается, что минимально различимые детали двух изображений ограничиваются дифракционными эффектами, причем два элемента различимы в том случае, если минимум интенсивности первого совпадает с максимумом интенсивности второго (Рис. 1.1).

В фотолитографии самыми сложными для формирования являются изображения, содержащие периодические массивы полос или круговых отверстий с размерами, равными расстоянию между соседними структуры принято характеризовать понятием половины шага (half-pitch), которое эквивалентно ширине линии или диаметру круглого отверстия. Теоретический предел фактора К\ для вышеописанных изображений составляется 0,25 [13]. В настоящее время величина половины шага (half-pitch) является стандартом, по которому определяется достигнутый уровень технологического процесса. Именно данная величина лучше всего характеризует степень интеграции ИС, в отличие от минимально достижимого размера элемента, так как формирование единичного элемента малого размера является более простой задачей, чем формирование периодического массива таких элементов.

Уменьшение значения фактора К\ осуществляется за счет использования различных методик, относящихся не только к усовершенствованию оптической системе фотолитографии, но и к совершенствованию топологии и структуры фотошаблона, а также характеристик фоторезиста. Список основных методов, позволяющих снизить фактор К\, представлен в таблице 1.2 [4].

Рисунок 1.1. Иллюстрация критерия Релея для двух точек света

элементами. Такие периодические

Технические аспекты фотолитографии Методы, позволяющие снизить фактор К\

Оптическая система Внеосевое излучение: кольцевое, квадрупольное, программируемое

Фотошаблон Фазосдвигающие маски, коррекция оптического эффекта близости

Фоторезист Антиотражающие покрытия, двойное экспонирование.

Таблица 1.2. Методы увеличения разрешения фотолитографии.

Внеосевое излучение подразумевает получение неоднородного распределения интенсивности света по сечению пучка, которое создается с использованием специальных диафрагм. Наиболее часто использующимися являются кольцеобразные и квадрупольные диафрагмы. При их использовании, излучение проходит через фотошаблон не под прямым, а под наклонным углом. Это позволяет дифракционным линиям более высоких порядков принимать участие в формировании конечного изображения, что, как было отмечено ранее, приводит к улучшению разрешения фотолитографии, а также увеличивает глубину фокуса.

Другим способом повышения разрешения в фотолитографии является использование фазосдвигающих масок. Концепция их работы заключается в подавлении дифракции излучения при его прохождении через фотошаблон за счет изменения фазы излучения на 180° в определенных областях маскирующего слоя [14]. Это позволяет увеличить контраст и разрешение фотолитографии. Существует несколько способов реализации фазосдвигающих шаблонов, различающихся по конфигурации элементов в маскирующем слое [15].

В результате дифракции излучения возможно размытие малых элементов изображения, формируемого в слое фоторезиста. Такое размытие приводит к закруглению углов изображения и уменьшению длины линий. Возникновение данных дефектов принято называть оптическим эффектом близости [16]. Коррекция данного эффекта заключается в намеренном искажении рисунка маски фотошаблона с помощью дополнительных служебных элементов для компенсации вышеописанных дефектов.

Разрешение фотолитографии также может быть повышено за счет увеличения контраста изображения в слое фоторезиста. Для этого используются пленки антиотражающих покрытий, нанесенные на поверхность подложки до нанесения слоя фоторезиста. В качестве нижнего антиотражающего слоя может использоваться органический полимер толщиной 400 - 1000 нм, выполняющий одновременно функции планаризующего слоя [17].

В процессе совершенствования технологии фотолитографии происходило постоянное уменьшение фактора К\. Как было сказано ранее, теоретический минимум значения К\ равен 0,25 для периодического рисунка с расстоянием между элементами, равным размеру самих элементов. Одним из способов понизить значение К\ до величин менее 0,25 является применение технологий двойного экспонирования (Double Exposure) или двойной фотолитографии (Double Patterning) [18]. Так как высокое разрешение намного проще достичь для одиночных элементов, чем для плотного массива таких же элементов, то была высказана идея разделения плотного массива элементов на два массива с вдвое меньшей плотностью.

В настоящее время, в промышленном производстве используются установки проекционной фотолитографии с длиной волны излучения 193 нм на основе ArF эксимерного лазера. Для достижения уровня технологии в 22 нм, используется большинство вышеописанных методов повышения разрешения. Все это приводит к тому, что стоимость установок фотолитографии высшего класса делает их доступными и рентабельными только для крупных компаний. По этой причине в лабораториях и мелкосерийном производстве используются альтернативные технологии. Среди них можно выделить несколько, сравнимых по разрешению с технологией иммерсионной фотолитографии. Это, в первую очередь, электроннолучевая литография, наноимпринт литография и литография на основе фокусированных ионных пучков. В дальнейшем, более подробно будет рассмотрено применение данных методов для формирования наноразмерных элементов.

1.1.2 Литография, основанная на заряженных пучках частиц

Электронно-лучевая литография появилась в начале 1960-х годов практически в одно время с фотолитографией [19]. Она была создана на основе ■ растрового

электронного микроскопа и отличалась от него наличием системы позиционирования пучка. Электронно-лучевая литография по принципу действия во многом схожа с фотолитографией. В её основе лежит взаимодействие заряженных частиц - электронов, со специальным резистом, чувствительным к такому воздействию. В начале развития технологии электронно-лучевой литографии, материалом, использовавшемся в качестве резиста, был полиметилметакрилат (РММА) [20]. Позднее были созданы более совершенные полимеры, такие как ИБС? или ZEP, которые позволяют достичь разрешения в единицы нанометров. В настоящее время развивается литография на основе ионов Не+, по своему принципу аналогичная электронно-лучевой [21]. Заряженные частицы при взаимодействии с резистом структурируют его за счет передачи энергии молекулам вещества. Пучки заряженных частиц могут быть сфокусированы до диаметра в единицы нанометров при помощи сложных оптических систем [22]. Реализация принципа «безмасочной» литографии определяет использование данной технологии для создания шаблонов для фотолитографии и штампов для наноимпринт литографии, а также делает её незаменимой в лабораторных условиях.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Зайцев, Алексей Александрович, 2014 год

Список использованных источников

1. Ma X., Arce G. R., Computational Lithography // John Wiley and Sons, Ltd. - 2010. -P. 226.

2. Farys V., Depre L., Finders J., Arnoux V., Trouiller Y., Liu H.Y., Yesilada E., Zeggaoui N., Alleaume C., Enabling 22-nm Logic Node with Advanced RET Solutions // Proc. of SPIE. - V. 7973.-2011.-P. 1-12.

3. Pimpin A., Srituravanich W., Reviews on Micro- and Nanolithography Techniques and their Applications // Engineering J. - 2012. - V. 16(1). - P. 37-55.

4. LevinsonH. J., Principles of Lithography // SPIE Press. - 2005. - P. 423

5. Alkaisi M. M., Blaikie R. J., McNab S. J., Cheung R., Cumming D. R. S., Sub-diffraction-limited patterning using evanescent near-field optical lithography // Appl. Phys. Lett. - V. 75(22). - 1999. - P. 3560-3562

6. Wagner C., Harned N., EUV lithography: Lithography gets extreme // Nature Photonics. - V. 4. - 2010. - P. 24 - 26

7. Stulen R. H., Progress in the development of extreme ultraviolet lithography exposure systems // Microelectronic Engineering, - V. 46. - 1999. - P. 19-22.

8. Madey Т. E., Faradzhev N. S., Yakshinskiy В. V., Edwards N. V., Surface phenomena related to mirror degradation in extreme ultraviolet (EUV) lithography // Appl. Surf. Sci. - V. 253. - 2006. - P. 1691-1708

9. Banine V. Y., Koshelev K. N., Swinkels G. H. P. M., Physical processes in EUV sources for microlithography // J. Phys. D: Appl. Phys. - V. 44 (25). - 2011. - P. 1-18.

10. Wong A. K., Optical Imaging in Projection Microlithography // SPIE Publications. -2005.-P. 276.

11. Wei Y., Brainard R. L., Advanced Processes for 193-nm Immersion Lithography // SPIE Publications. - 2009. - P. 360.

12. Bloomstein Т. M., Marchant M. F., Deneault S., Hardy D. E., Rothschild M., 22-nm immersion interference lithography // Optics Express. - V. 14(14). - 2006. - P. 64346443

13. Lee S., Byers J., Jen K., Zimmerman P., Rice В., Turro N. J., Willson C. G., An analysis of double exposure lithography options // Proc. SPIE. - V. 6924. - 2008. - P. 112.

14. Levenson M. D., Viswanathan N. S., Simpson R. A., Improving resolution in photolithography with a phase-shifting mask // IEEE Trans. Electron. Devices. - 1982. -V. 29(12).-P. 1828 - 1836.

15. Liu Y., Pfau A., Zakhor A., Systematic Design of Phase-Shifting Masks with Extended Depth of Focus and/or Shifted Focus Plane // IEEE Trans. On Semiconductor Manufacturing. - V. 6(1). - 1993. - P. 1-21

16. Tritchkov A., Finders J., Randall J., Ronse K., Vandenhove L., Proximity Effects Correction for Advanced Optical Lithography Processes // Jpn. J. Appl. Phys. - V. 37(1). - 1998.-P. 3585-3593

17. Slezak M., Multilayer resist strategies // Solid State Technology. - V. 46(7). - 2003. -P. 36.

18. Seo B.-S., Kang D.-K., Noh M.-S., Lee S.-H., Cork C., LukPat G., Miloslavsky A., Li X., Lucas K., Lee S., Double Patterning addressing Imaging challenges for near and sub kl=0.25 node layouts // Proc. SPIE. - V. 7379. - 2009. - P. 1-10.

19. Brewer G., Electron-Beam Technology in Microelectronic Fabrication // Elsevier. -2012.-P. 376

20. Haller I., Hazakis M., Srinivasan R., High resolution positive resists for electron beam//IBM J. Res. Develop, - V. 12. - 1968. - P.251-256.

21. Drift E., Maas D. J., Helium Ion Lithography // Nanofabrication. - 2012. - P. 93-116.

22. Levinson H. J., McCord M. A., Cerrina F., Allen R. D., Skinner J. G., Neureuther A. R., Peckerar M. C., Perkins F. K., Rooks M. J., Rai-Choudhury P., Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication. Volume 1: Microlithography // Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers. - 1997. - P. 768.

23. Sakai T., Ohsawa S., Sakabe N., Sugimuraa T., Ikeda M., Research and development of an electron beam focusing system for a high-brightness X-ray generator // J. Synchrotron Rad. - V. 18. - 2011. - P. 53-57

24. Bakish R., Introduction to Electron Beam Technology // John Wiley and Sons. -1962.-P. 452.

25. Hawkes P. W., A note on electron beam focusing in magnetic lenses // Physics Letters A. - V. 56(1). - 1976. - P. 19-20

26. Menz W., Mohr J., Paul O., Microsystem Technology // John Wiley & Sons. - 2008. -P. 512

27. Loeb H. W., Plasma-based ion beam sources // Plasma Phys. Control. Fusion. -V. 47(12B). - 2005. - P. 565-576

28. Cui Z., Tong L., A new approach to simulating liquid metal ion sources // J. Vac. Sci. Technol. - 1988. -V. 6(6). - P. 2104-2107.

29. Joshi-Imrel A., Bauerdick S., Direct-Write Ion Beam Lithography // Journal of Nanotechnology. - V. 2014. - P. 26. - 2014.

30. Morgan J., Notte J., Hill R., Ward B., An Introduction to the Helium Ion Microscope // Microscopy Today — 2006. — V. 14(4). — P. 24-31.

31. Orloff J., Hanbook of charged particle optics // CRC Press. - 1997. - P. 666

32. Dapor M., Electron-Beam Interactions with Solids: Application of the Monte Carlo Method to Electron Scattering Problems // Springer. - 2003. - P. 103

33. Ziegler J. F., Manoyan J., The stopping of ions in compounds //Nucl. Instr. Meth. -V. B35. - 1988. -P. 215-228

34. Karapiperis L., Adesida I., Lee C. A., Wolf E. D., Development Characteristics of Ga+ Exposed PMMA and Associated Lithographic Resolution Limits // Ion Implantation: Equipment and Techniques Springer Series in Electrophysics. -V. 11. - 1983. - P. 255262

35. Kim B.-S., Lee H.-S., Wi J.-S., Jin K.-B., Kim K.-B., Sensitivity Characteristics of Positive and Negative Resists at 200 kV Electron-Beam Lithography //Jpn. J. Appl. Phys. - V. 44. - 2005. - P. 95-97

36. Koshelev K., Mohammad M. A., Fito T., Westra K. L., Dew S. K., Stepanova M., Comparison between ZEP and PMMA resists for nanoscale EBL // J. Vac. Sci. Technol. B.-V. 29(6).-2011.-P. 1-9.

37. Ma S., Con C., Yavuz M., Cui B., Polystyrene negative resist for high-resolution electron beam lithography // Nanoscale Research Letters. - 2011. - V. 6. - P. 1-6.

38. Bilenberga B., Jacobsena S., Schmidta M. S., Skjoldinga L. H. D., Shib P., Boggilda P., Tegenfeldtc J. O., Kristensena A., High Resolution 100 kV Electron Beam Lithography in SU-8 // Microelectronic Engineering. - V. 83. - 2006. - P. 1609-1612

39. Yang J. K. W., Anant V., Berggren K. K., Enhancing etch resistance of hydrogen silsesquioxane via postdevelop electron curing // J. Vac. Sci. Technol. B. - V. 24(6). -2006.-P. 3157-3161.

40. Lyman S. P., Jackel J. L., Liu P. L., Lift-off of thick metal layers using multilayer resist // J. Vac. Sci. Technol. - V. 19. - 1981. - P. 1325 - 1328

41. Manfrinato V. R., Zhang L., Su D., Duan H., Hobbs R. G., Stach E. A., Berggren K. K., Resolution limits of electron-beam lithography toward the atomic scale //Nano Letters.-V. 13(4).-2013.-P. 1555-1558.

42. Vieu C., Carcenac F., Pepin A., Chen Y., Mejias M., Lebib A., Manin-Ferlazzo L., Couraud L., Launois H., Electron beam lithography: resolution limits and applications // Applied Surface Science. - V. 164. - 2000. - P. 111-117.

43. Chou S. Y., Krauss P. R., Renstrom P. J., Imprint Lithography with 25-Nanometer Resolution // Science. - V. 272. - 1996. - P. 85-87.

44. Cheng X., Li D. W., Guo L. J., A hybrid mask-mould lithography scheme and its application in nanoscale organic thin film transistors // Nanotechnology. - V. 17(4). -2006. - P.927 - 932.

45. Resnick D. J., Sreenivasan S. V., Willson C. G., Step & flash imprint lithography // Materials Today. - V. 8(2). - 2005. - P. 34-42.

46. Zhou W., Nanoimprint Lithography: An Enabling Process for Nanofabrication // Springer.-2013.-P. 262

47. Tavakkoli A., Ranjbar M., Piramanayagam S. N., Wong S. K., Poh W. C., Sbiaa R., Chong T. C., Reverse Nanoimprint Lithography for Fabrication of Nanostructures // Nanoscience and Nanotechnology Letters. - V. 8. - 2012. - P. 835-838.

48. Li Z., Gu Y., Wang L., Ge H., Wu W., Xia Q., Yuan C., Chen Y., Cui B., Williams R. S., Hybrid Nanoimprint-Soft Lithography with Sub-15 nm Resolution // Nano Lett. - V. 9 (6). - 2009. - P. 2306-2310

49. Kim K.-S., Kim J.-H., Lee H.-J., Lee S.-R., Tribology issues in nanoimprint lithography // Journal of Mechanical Science and Technology. - V. 24(1). - 2010. - P. 512

50. Meng F., Luo G., Maximov I., Montelius L., Zhou Y., Nilsson L., Carlberg P., Heidari B., Chu J., Xu H. Q., Efficient methods of nanoimprint stamp cleaning based on imprint self-cleaning effect // Nanotechnology. - V. 22. - 2011. - P. 1-6.

51. Boutry D., Galand R., Beaurain A., Francone A., Pelissier B., Zelsmann M., Boussey J., Mold cleaning and fluorinated anti-sticking treatments in nanoimprint Lithography // Microelectron Eng. - V. 86(4-6). - 2009. - P. 669-672

52. Francone A., Iojoiu C., Poulain C., Lombard C., Pepin-Donat В., Boussey J., Zelsmann M., Impact of the resist properties on the antisticking layer degradation in UV nanoimprint lithography // J. Vac. Sci. Technol. В. - V. 28(6). - 2010. - P. 72-76

53. Ashurst W. R., Carraro C., Maboudian R., Vapour Phase Anti-Stiction Coatings for MEMS // IEEE Transactions on device and materials reliability. - V. 3(4). - 2003. - P. 173-178

54. Tao L., Ramachandran S., Nelson С. Т., Lin M., Overzet L. J., Goeckner M., Lee G., Willson C. G., Wu W., Hu W., Durable diamond-like carbon templates for UV nanoimprint lithography // Nanotechnology. - V. 19. - 2008. - P. 1-7

55. Гуль В. E., Кулезнев В. Н., Структура и механические свойства полимеров // М.: Высшая школа. - 1979.- 351 С.

56. Chou S. Y., Krauss P. R., Renstrom P. J., Imprint of sub-25 nm vias and trenches in polymers // Appl. Phys. Lett. - V. 67(21). - 1995. - P. 3114-3116.

57. Higashiki Т., Nakasugi Т., Yoneda I., Nanoimprint lithography and future patterning for semiconductor devices // J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS. - V. 10(4). - 2011. -P. 1-8.

58. Бобрешов A. M., Хребтов И. В. Аналитическая модель для субмикронных НЕМТ-транзисторов с учетом короткоканальных эффектов // Известия вузов. Электроника. - 2005. -№ 3. - С. 14-21.

59. Tsividis Y. P., McAndrew С., Operation and Modeling of the Mos Transistor // Oxford University Press, Incorporated. - 2011. - P. 723

60. Васильев А. Г., Колковский Ю. В., Концевой Ю. А., СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках // Москва: Техносфера, 2011. - 416 с.

61. Pengelly R. S., Wood S. М„ Milligan J. W., Sheppard S. Т., Pribble W. L„ A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - V. 60(6). - 2012. - P. 1764 -1783

62. Mkhitarian A., Ngo V., Baltac F., Huoping X., 200W discrete GaN HEMT power device in a 7x7mm CMC package // Microwave Integrated Circuits Conference. - 2009. -P. 97-100.

116

\ in

63. Deal W., Mei X. B., Leong K. M. K. H., Radisic V., Sarkozy S., Lai R., THz Monolithic Integrated Circuits Using InP High Electron Mobility Transistors // Terahertz Science and Technology, IEEE Transactions on. - V. 1(1). - 2011. - P. 25 - 32.

64. Wang L.-D., Ding P., Su Y.-B., Chen J., Zhang B.-C.,Jin Z., 100-nm T-gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with/T=249 GHz andymax=415 GHz // Chin. Phys. B.-V. 23(3).-2014.-P. 1-6.

65. Tasker P. J., Hughes B., Importance of Source and Drain Resistance to the Maximum fT of Millimeter-Wave MODFETs // IEEE Electron Device Letters. - V. 10. - 1989. -P. 291-293.

66. Kalna K., Roy S., Asenov A., Elgaid K., Thayne I., Scaling of pseudomorphic high electron mobility transistors to decanano dimensions // Solid-State Electronics. - V. 46. -2002.-P. 631-638.

67. Vandersmissen R., Schreurs D., Borghs G., Influence of Silicon Nitride Passivation on DC and RF Behaviour of InP HEMTs // The 10th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications. - 2002. - P. 172-176.

68. Yifang C., Kaiwu P., Zheng C., Fabrication of ultra-short T gates by a two-step electron beam lithography process // Microelectronic Engineering. - V. 73-74. - 2004. -P. 662-665

69. Chung J. W., Hoke W. E., Chumbes E.M., Palacios T., AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax // Electron Device Lett. - V. 31. - 2010. - P. 195-197.

70. Wakita A. S., Su C. Y., Rohdin H., Liu H. Y., Lee A., Seeger J., Robbins V. M., Novel high-yield trilayer resist process for 0.1 pm T-gate fabrication // J. Vac. Sci. Technol. B. - V. 13(6). - 1995. - P. 2725 - 2728

71. Karmalkar S., Mishra U. K., Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a field plate // IEEE Trans Electron Devices. - V. 48(8).-2001.-P. 1515-1521.

72. Peng C., Liang X., Chou S. Y., A novel method for fabricating sub-16 nm footprint T-gate nanoimprint molds // Nanotechnology. - V. 20(18). - 2009. - P. 185302-185305

73. Chen Y., Macintyre D., Boyd E., Moran D., Thayne I., Thoms S., Fabrication of high electron mobility transistors with T-gates by nanoimprint lithography // J. Vac. Sci. Technol. B. - V. 20(6). - 2002. - P. 2887-2890.

74. Schift H., Nanoimprint lithography: An old story in modern times? A review // J. Vac. Sci. Technol. B. - V. 26(2). - 2008. - P. 458 - 480.

75. Teyssedre H., Gilormini P., Regnier G., Limitations of Simple Flow Models for the simulation of Nanoimprint // International Polymer Processing. - V. 28. - 2013. - P. 7278.

76. Hirai Y., Fujiwara M., Okuno T., Tanaka Y., Endo M., Irie S., Nakagawa K., Sasago M., Study of the resist deformation in nanoimprint lithography // J. Vac. Sci. Technol. B. -V. 19(6).-2001.-P. 2811 -2815.

77. Sotomayor Torres C. M., Alternative Lithography // Springer US. - 2003. - P. 333.

78. Nalwa H., Handbook of thin film materials: Nanomaterials and magnetic thin flims // Academic Press, UK. - 2002. - P. 633.

79. Heyderman L. J., Schift H., David C., Gobrecht J., Schweizer T., Flow behaviour of thin polymer films used for hot embossing lithography // Microelectronic Engineering. -V. 54(3-4). - 2000. - P. 229-245.

80. Cheng X., Guo L. J., One-step lithography for various size patterns with a hybrid mask-mold // Microelectronic Engineering. - V. 71. - 2004. - P. 288-293.

81. Martin C., Ressier L., Peyrade J. P., Study of PMMA recoveries on micrometric patterns replicated by nano-imprint lithography // Physica E. - V. 17. - 2003. - P. 523525.

82. Jaszewski R. W., Schift H., Groning P., Margaritondo G., Properties of thin anti-adhesive films used for replication of microstructures in polymers // Microelectronic Eng. -V. 35.- 1997.-P. 381-384.

83. Beck M., Graczyk M., Maximov I., Sarwe E-L., Ling T.G.I., Keil M., Montelius L., Improving stamps for 10 nm level wafer scale nanoimprint Lithography // Microelectronic Engineering. - 2002. - V. 61-62. - P. 441-448.

84. Ulman A., Formation and structure of self-assembled monolayers // Chem. Rev. -1996.-V. 96.-P. 1533-1554.

85. Wang Y., Lieberman M., Growth of Ultrasmooth Octadecyltrichlorosilane Self-Assembled Monolayers on Si02 // Langmuir. - 2003. - V. 19(4). - P. 1159-1167.

86. Heinz W. F., Hoh J. H., Spatially resolved force spectroscopy of biological surfaces using the atomic force microscope // Trends Biotechnol. - 1999. - V. 17(4). - P. 143150.

87. Tallal J., Gordon M., Berton K, Charley A. L., Peyrade D., AFM characterization of anti-sticking layers used in nanoimprint // Microelectron. Eng. - 2006. - V. 83. - P. 851854.

88. Ye T., Ye X., Li X., Plasma etching damage to InGaAs/InP 2DEG material // 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. - 1995. - P. 518-520.

89. Shim J. C., Miyao A., Sakurai H., Matsushita K., Onodera K., Takaki K., Kawasaki H., Low-Damage SF6 Plasma-Etching Condition for Planar GaN HEMTs // J. Electrochem. Soc. - V. 156(1). - 2009. - P. 68-70.

90. Wuest R., Strasser P., Robin F., Erni D., Jackel H., Fabrication of a hard mask for InP based photonic crystals: Increasing the plasma-etch selectivity of poly(methyl methacrylate) versus Si02 and SiNx // J. Vac. Sci. Technol. B. - V. 23(6). - 2005. - P. 3197-3201.

91. Iliadis A., Singer K. E., Metallurgical Behaviour of Ni/Au-Ge Ohmic Contacts to GaAs // Solid State Communications. - V. 49. - 1984. - P. 99-101.

92. O'Connor P., Dori A., Feuer M., Vounckx R., Gold-Germanium-Based Ohmic Contacts to the Two-Dimensional Electron Gas at Selectively Doped Semiconductor Heterointerfaces // IEEE Transactions on Electron Devices. - V. 34. - 1987. - P. 765771.

93. Wang L. C., Lau S. S., Hsieh E. K., Velebir J. R., Low-Resistance Nonspiking Ohmic Contact for AlGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistors Using the Ge/Pd Scheme // Applied Physics Letters. - V. 54. - 1989. - P. 2677-2679.

94. Stareev G., Umbach A., Fidorra F., Roehle H., A Reliable Fabrication Technique for Very Low Resistance Ohmic Contacts to p-InGaAs Using Low Energy Ar+ Ion Beam Sputtering // Indium Phosphide and Related Materials, Third International Conference. -1991.-P. 264-267.

95. Lamarre P., McTaggart R., Pulley M., Huang J., Jackson G., Ohmic Contacts with Different Metal Structures for Lattice Matched InP Based Heterostructures // 5th

International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. - 1993. - P. 333336.

96. Jones K. A., Linfield E. H., Frost J. E. F., Contact Resistances of NiGeAu, PdGeTiPt, and TiPd Ohmic Contacts to GaAs and their Temperature Dependence from 4.2 to 350 K // Applied Physics Letters. - V. 69. - 1996. - P. 4197-4199.

97. Singisetti U., Crook A. M., Lind E., Zimmerman J. D., Wistey M. A., Gossard A. C., Rodwell M. J. W., Ultra-Low Resistance Ohmic Contacts to InGaAs/InP // Device Research Conference. - 2007. - P. 149-150.

98. Faria F. A., Guo J., Zhao P., Li G., Kandaswamy P. K., Wistey M., Xing H., Jena D;, Ultra-low resistance ohmic contacts to GaN with high Si doping concentrations grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. - V. 101. - 2012. - P. 032109 -032109-4.

99. Wong Y.-Y., Chen Y.-K., Maa J.-S., Yu H.-W., Tu Y.-Y., Dee C.-F., Yap C.-C., Chang E. Y., Low resistance copper-based ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistors // Applied Physics Letters. - V. 103(15). - 2013. - P. 152104 -152104-4.

100. Arai T., Sawada K., Hara N., NiAuGeAu Ohmic Contacts for a Planar InP-Based High Electron Mobility Transistor Structure with Suppressed Drain Conductance Frequency Dispersion // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. - V. 21. - 2003. - P. 795-799.

101. Cohen S. S., Contact Resistance and Methods for its Determination // Thin Solid Films. - V. 104. - 1983. - P. 361-379.

102. Teng S. J. J., Wu C. S., Hou L. D., Wang D. C., Implant isolation of InGaAs/GaAs pseudomorphic high-electron mobility transistor structure using boron // Electronics Letters IEEE. -V. 30(18). - 1994. - P. 1539-1540.

103. Pearton S. J., Ion Implantation for Isolation of III-V Semiconductors // Materials Science Reports. - V. 4(6). - 1990. - P. 313-363.

104. Lanford W. B., Tanaka T., Otoki Y., Adesida I., Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage // Electronics Letters. - V. 41(7). - 2005. - P. 449 - 450.

105. Quan S., Hao Y., Ma X., Xie Y., Ma J., Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs fabricated by fluorine plasma treatment // Journal of Semiconductors. - V. 30(12). -2009.-P. 124002-1-124002-4.

106. Chang E. Y., Cibuzar G. Т., Vanhove J. M., Nagarajan R. M., Pande K. P., GaAs Device Passivation Using Sputtered Silicon Nitride // Applied Physics Letters. - V. 53. -1988.-P. 1638-1640.

107. Newson D. J., Murrell A. J., Grimwood R. C., Henning I. D., Damage-Free Passivation of InAlAs/InGaAs HFETs by Use of ECR-Deposited SiN // Electronics Letters. - V. 29. - 1993. - P. 472-474.

108. URL: http://www.triquint.eom/products/p/TGF2018

109. Mamishev A.V., Sundara-Rajan K., Yang F., Du Y., Zahn M., Interdigital Sensors and Transducers // Proceedings of the IEEE. - V. 92(5). - 2004. - P. 808 - 845.

110. Tretyakov I., Ryabchun S., Finkel M., Maslennikov S., Maslennikova A., Kaurova N., Lobastova A., Voronov В., Gol'tsman G., Ultrawide Noise Bandwidth of NbN Hot-Electron Bolometer Mixers With In Situ Gold Contacts // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. - V. 21(3). - 2011. - P. 620 - 623.

111. Chen Y., Peng K., Cui Z., A lift-off process for high resolution patterns using PMMA/LOR resist stack // Microelectronic Engineering. - V. 73-74. - 2004. - P. 278281.

112. Kim S. H., Lee K.-D., Kim J.-Y., Kwon M.-K., Park S.-J., Fabrication of photonic crystal structures on light emitting diodes by nanoimprint lithography // Nanotechnology. -2007. - V. 18(5).-P.

113. Громов Д. Г., Шулятьев А. С., Егоркин В. И., Зайцев А. А., Скорик С. Н., Галперин В. А., Павлов А. А., Шаманаев А. А., Формирование массива упорядоченных нанокатодов на основе углеродных нанотрубок методом наноимпринт литографии и процессов ПСХПО // Известия вузов. Электроника -2013.-№3.-С. 43-47.

114. Schramm A., Tommila J., Strelow С., Hakkarainen Т. V., Tukiainen A., Dumitrescu М., Mews A., Kipp Т., Guina М., Large array of single, site-controlled InAs quantum dots fabricated by UV-nanoimprint lithography and molecular beam epitaxy // Nanotechnology. - 2012. - V. 23(17). - P. 1-4.

115. Cui Z., Nanofabrication: Principles, Capabilities and Limits // Springer US. - 2008. -P. 343

116. Carlberg P., Graczyk M., Sarwe E-L., Maximov I., Beck M., Montelius L., Liftoff process for nanoimprint lithography // Microelectronic Engineering. — 2003. - Vol. 67-68.-P. 203-207.

■ it