Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Красюков, Антон Юрьевич

• Красюков, Антон Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Красюков, Антон Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СИЛОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.

1.1 Назначение и состав интеллектуальных силовых ИС.

1.2 Требования к мощному элементу интеллектуальной силовой ИС.

1.3 Возможные конструкции и технологии создания мощного элемента для интеллектуальной силовой ИС.

1.4 Создание мощного элемента интеллектуальной силовой ИС на основе модификации технологического маршрута формирования низковольтных схем.

1.4.112Т-технология.

1.4.2 БУХ - технология.

1.4.3 Формирование мощного элемента интеллектуальной силовой

ИС в виде планарного силового МОП - транзистора с пинч-резистором.

1.5 Методы оптимизации конструкции и технологического маршрута создания мощного планарного МОП-транзистора с пинч-резистором имеющего повышенное значение пробивного напряжения.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем»

Актуальность темы: Одним из перспективных направлений современной силовой полупроводниковой силовой электроники являются интеллектуальные силовые интегральные схемы - монолитные ИС, содержащие на одном кристалле, как мощные элементы, так и интеллектуальные компоненты: схемы управления и самозащиты силовых приборов. Интеллектуальные ИС находят широкое применение в системах автоматики и управления индустриальной и бытовой электроники.

При создании таких ИС возникает ряд проблем, в частности проблема совместимости технологий изготовления мощных и низковольтных элементов схемы, а также необходимость обеспечения изоляции между ними. Мощные элементы реализуются, как правило, в виде объемных ДМОП транзисторов, а интеллектуальная часть схемы выполняется на основе планарных КМОП транзисторов. Совмещенная технология изготовления этих элементов удорожает производство и приводит к существенному влиянию силовых элементов на функционирование маломощных приборов.

Одним из возможных технических решений этой проблемы является полная диэлектрическая изоляция элементов схемы, например, с помощью использования структуры кремний на изоляторе (КНИ). Однако КНИ структуры не вышли пока на уровень массового производства силовых ИС. Большое распространение в серийном производстве микроэлектронных устройств получила КМОП технология. Широкий диапазон преимуществ КМОП транзисторов приводит к разнообразию сфер использования данной технологии, что наряду с цифровой микроэлектроникой позволяет рассматривать как актуальную задачу применение КМОП технологии для силовой полупроводниковой электроники.

Однако существующие планарные мощные МОП - транзисторы имеют недостаточное для ряда применений пробивное напряжение.

Для решения этой проблемы необходимо провести исследование и разработку планарных МОП транзисторов, обладающих повышенным пробивным напряжением и формируемых на основе КМОП - совместимой технологии.

Эффективным методом исследования конструкции мощного МОП - ключа является приборно-технологическое математическое моделирование, позволяющее без проведения многочисленных экспериментов исследовать влияние всех параметров конструкции и технологического маршрута создания планарного мощного МОП - транзистора на его напряжение пробоя (и другие электрические параметры) и получить представление о происходящих внутри прибора процессах, для чего необходимо разработать методику моделирования, применительно к расчету параметров планарных мощных МОП-транзисторов

Цель работы: исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП - транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем.

Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих научно-технических задач:

1. Анализ структуры мощного МОП - транзистора с целью выявления параметров областей прибора, обуславливающих низкое пробивное напряжение транзистора и создание, на основе анализа, расчетной модели оптимизируемой конструкции.

2. Разработка методики приборно-технологического моделирования применительно к структурам мощных планарных МОП транзисторов.

3. Анализ и разработка различных вариантов конструкций мощных МОП транзисторов, обладающих повышенным пробивным напряжением.

4. Разработка технологического маршрута и топологии на основе базового процесса технологии КМОП БИС для формирования планарных мощных МОП - транзисторов с пинч - резистором, имеющих повышенные значения пробивного напряжения в закрытом состоянии

5. Апробация разработанных конструктивно-технологических решений в условиях опытного производства и анализ параметров экспериментальных образцов мощных планарных МОП транзисторов.

Научная новизна работы:

С помощью приборно-технологического моделирования установлены основные закономерности, характерные для мощного планарного МОП - транзистора с пинч-резистором, определяющие зависимость напряжения лавинного пробоя перехода сток-подложка от ряда конструктивно-технологических параметров прибора, а именно:

1. для структуры перехода сток-подложка планарного мощного МОП - транзистора, состоящей из областей пинч-резистора и мелкозалегающего стока, установлена и объяснена зависимость напряжения лавинного пробоя перехода от параметров пинч-резистора, имеющая максимум в узком диапазоне значений концентраций примеси пинч-резистора. При этом увеличение перекрытия электродом затвора пинч-резистора, приводит к расширению диапазона концентраций примеси данной области, при которых наблюдается максимум

2. установлено, что зависимость напряжения лавинного пробоя перехода сток-подложка от параметров области глубокого стока имеет максимум в узком диапазоне значений концентраций примеси глубокого стока, что объясняется тем, что, при низкой концентрации примеси в области стока, максимум электрического поля смещается из глубокой слаболегированной части перехода - к его мелкозалегающей сильнолегированной части 3. для структуры перехода сток-подложка планарного мощного МОП - транзистора, состоящей из областей пинч-резистора и глубокого стока, установлена и объяснена зависимость напряжения лавинного пробоя перехода от параметров пинч-резистора. При этом увеличение перекрытия электродом затвора области пинч-резистора приводит к увеличению концентрации примеси пинч-резистора, при которых переход имеет максимальное напряжение лавинного пробоя. Однако, в отличие от структуры перехода сток-подложка без области глубокого стока, в данном случае происходит уменьшение величины пробивного напряжения перехода.

Практическая значимость работы:

1. Разработана методика математического приборно-технологического моделирования, позволила провести исследование возможности увеличения пробивного напряжения р-п переходов и планарных мощных МОП - транзисторов.

2. Результаты приборно-технологического моделирования позволили внести изменения в топологию и технологический маршрут создания планарного мощного МОП -транзистора для увеличения его пробивного напряжения.

3. С целью апробации разработанных конструктивно-технологических решений, были изготовлены в условиях опытного производства образцы ИС планарных мощных МОП -транзисторов. Измерения параметров изготовленных приборов показали, что транзисторы имеют увеличенное до 190 В пробивное напряжение при величине произведения сопротивления во включенном состоянии на занимаемую прибором площадь = 22-29 мОм*см2, что соответствует параметрам иностранных аналогов

Реализация результатов работы:

Результаты работы (методика, конструкция, технология изготовления приборов) внедрены в опытное производство Государственного учреждения научно-производственного центра «Технологический центр» МИЭТ, где были изготовлены экспериментальные образцы планарных мощных МОП - транзисторов, имеющих увеличенное до 190 пробивное напряжение при относительно низком соотношении Яоп*5, что соответствует параметрам иностранных аналогов.

Представляется к защите:

1. Разработанная методика математического приборно-технологического моделирования, позволяющая провести исследование возможности увеличения пробивного напряжения р-п переходов и планарных мощных МОП - транзисторов.

2. Полученные с использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD закономерности, связывающие напряжение лавинного пробоя перехода сток-подложка планарного мощного МОП - транзистора с конструктивно-технологическими параметрами прибора.

3. Модифицированная, на основе результатов моделирования, топология и технологический маршрут изготовления планарного мощного МОП - транзистора имеющего повышенное пробивное напряжение.

4. Результаты исследования электрических параметров экспериментальных образцов планарных мощных МОП - транзисторов, изготовленных на основе оптимизированного технологического маршрута и топологии и имеющих увеличенное до 190 В пробивное напряжение стока при приемлемой величине произведения сопротивления транзистора во включенном состоянии и занимаемой прибором площади.

Апробация результатов работы: результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

- VIII Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-2001", Москва Зеленоград, апрель 2001 г.

- Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника 200ЦМНЭ -2001)", Звенигород, октябрь 2001 г.

- VIII Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика", Москва, февраль 2002 г.

- IX Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-2002", Москва, Зеленоград, апрель 2002 г.

- Восьмая международная научно-техническая конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Таганрог, сентябрь 2002 г.

- IV Международная научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника-2002", Москва Зеленоград, ноябрь 2002 г.

- IX Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, Электротехника и Энергетика", Москва, март 2003 г.

- IX Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика 2003", Москва Зеленоград, апрель 2003 г.

- Международная научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника 2003(МНЭ -2003)", Звенигород, октябрь 2003 г.

- XI Всероссийская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика 2004", Москва Зеленоград, апрель 2004г.

- 11th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2004, 2-4 September 2004, Riga, Latvia (ЕРЕ - PEMC 2004)

Публикации

Результаты диссертации опубликованы в 16 печатных работах, из которых 6 статей в научных журналах и 10 тезисов докладов на научно-технических конференциях. По теме работы получен патент РФ N 2229758 С1: Планарный силовой МОП - транзистор с блокирующим емкость стока барьером Шоттки

Объем и структура работы.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, приложений, содержащих акты внедрения результатов работы, списка использованных источников из 57 наименований

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Красюков, Антон Юрьевич

Основные результаты опубликованы в следующих работах: ф Статьи:

1. АЛО. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Применение диодов Шоттки при формировании силовых планарных МОП - транзисторов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002 г. №3

2. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Исследование влияния конфигурации области стока на пробивное напряжение планарного силового МОП- транзистора // Известия высших учебных заведений.Электроника. 2003 №1

3. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Классификация и конструктивно-технологические разновидности мощных приборов для интеллектуальных силовых интегральных схем // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004 №6, стр 10-17

4. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Исследование возможности получения планарных силовых транзисторов на основе КМОП технологии с высоким пробивным напряжением и малыми глубинами залегания р-n переходов //Восьмая международная научно-техническая конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Таганрог, сентябрь 2002 г., труды, часть 2.

5. M.Korolev, A.Krasukov, R. Tihonov,/ Influence of cells-MOSFETs (with Schottky barrier drain contact) location in power 1С on electrical device characteristics. // Proceedings of SPIE Vol. 5401, pp.337-343.

6. M.Korolev, A.Krasukov, R. Tihonov,/ Analysis of I-V characterictics of the lateral power NMOSFET with schottky barrier drain contact //Proceedings of EPE-PEMC 2004, p. 26.

Тезисы докладов на конференциях:

1. А.Ю. Красюков / Оптимизация структуры биполярного транзистора в диодном включении // VIII Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-2001", Москва Зеленоград, МИЭТ, апрель 2001 г, тезисы докладов.

2. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Способы повышения пробивного напряжения планарных силовых МОП транзисторов //Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника 2001(МНЭ -2001)", Звенигород, октябрь 2001 г., тезисы докладов, Р1-10

3. А.Ю. Красюков / Способы повышения пробивного напряжения планарных силовых МОП ключей // VIII международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика", Москва, МЭИ, февраль 2002 г, тезисы докладов, том I.

4. А.Ю. Красюков / Анализ влияния диодов в цепи стока силового МОП-транзистора на его параметры // IX всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-2002", Москва Зеленоград, МИЭТ, апрель 2002 г, тезисы докладов.

5. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Конструктивно-технологические варианты увеличения быстродействия планарного силового МОП-транзистора.// IV Международная научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника-2002", Москва Зеленоград, МИЭТ, ноябрь 2002 г, тезисы докладов

6. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Анализ конструктивно-технологических методов увеличения пробивного напряжения планарного силового МОП-транзистора.// IV Международная научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника-2002", Москва Зеленоград, МИЭТ, ноябрь 2002 г, тезисы докладов

7. А.Ю. Красюков / Анализ характеристик силового МОП-транзистора с диодом Шоттки в стоке .// IX Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, Электротехника и Энергетика", Москва, МЭИ, март 2003 г, тезисы докладов, том 1.

8. А.Ю. Красюков, / Анализ ВАХ планарного силового МОП-транзистора с диодом Шоттки в стоке.// IX Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика 2003", Москва Зеленоград, МИЭТ, апрель 2003 г, тезисы докладов

9. А.Ю. Красюков, М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов / Анализ влияния расположения ячеек-транзисторов с диодом Шоттки в стоке интегральной схемы силового ключа на электрические характеристики прибора // Международная научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника2003(МНЭ-2003)", Звенигород, октябрь 2003 г., тезисы докладов, Р1-18

10. А.Ю. Красюков, / Анализ методов увеличения напряжения лавинного пробоя перехода сток-подложка силового МОП-транзисторов//, XI Всероссийская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика 2004", Москва Зеленоград, МИЭТ, апрель 2004г, тезисы докладов

Заключение

1. Проведен литературный обзор развития интеллектуальных силовых интегральных схем. Проанализированы требования, предъявляемые к мощному элементу интеллектуальной силовой ИС. Показано, что именно пробивное напряжение прибора в значительной степени обуславливает выбор конструкции мощного элемента разработчиком. Рассмотрены основные приборы применимые в качестве мощного элемента в составе интеллектуальной силовой ИС. Обоснованы преимущества применения в качестве мощного элемента планарного МОП - транзистора. Указанны недостатки мощного планарного МОП транзистора. Определены основные направления исследований для решения основной задачи - улучшения параметров мощного планарного МОП транзистора.

2. Проведенный, на основе конструкции и технологического маршрута создания базовых ячеек, анализ конструкции планарного мощного МОП - транзистора с пинч-резистором позволил определить конкретные параметры областей прибора, влияющие на пробивное напряжение транзистора в закрытом состоянии. В результате проведенного анализа была разработана упрощенная параметризированная модель мощного прибора для проведения исследования.

3. Проведен анализ программного пакета приборно-технологического моделирования 15Е ТС АР и разработана методика его использования для исследования мощных планарных МОП-транзисторов. Указаны основные программы необходимые для проведения моделирования. Рассмотрены методы расчета напряжения пробоя р-п перехода и МОП -транзистора

4. С помощью приборно-технологического моделирования установлены зависимости напряжения лавинного пробоя стокового р-п перехода мощного транзистора от конструктивно-технологических параметров областей, составляющих мощный прибор, а именно: пинч-резистора, глубокого стока, полевого электрода и толстого оксида. Определены оптимальные значения данных параметров, позволяющие существенно увеличить напряжение лавинного пробоя р-п перехода сток-подложка вцелом.

5. На основе КМОП - совместимого технологического маршрута создания базовых ячеек-транзисторов разработан технологический маршрут изготовления мощных планарных МОП транзисторов с увеличенным пробивным напряжением. Проведенный расчет ВАХ мощных приборов, построенных на основе разработанного технологического маршрута, позволил провести сравнение исследуемого прибора с аналогами. На основе результатов расчетов было установлено, что разработанный планарный мощный транзистор имеет сходные с аналогами параметры

Изготовлены в условиях производства НПК "Технологический центр" и исследованы экспериментальные образцы оптимизированных планарных мощных МОП -транзисторов с пинч-резистором. Было установлено, что приборы имеют увеличенное до 192 В пробивное напряжение при величине произведения сопротивления во включенном состоянии и занимаемой прибором площади Я0п*8 = 22-29 мОм*см2, что соответствует параметрам иностранных аналогов

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Красюков, Антон Юрьевич, 2005 год

1. B.J.Baliga., / An overview of smart power technology /, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 38, №7, pp. 1568-1575, 1991.

2. M.N. Darwish., / Lateral MOS-Gated Power Devices-A Unified View /, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 38, №7, pp. 1600-1604, 1991.

3. Воронин П.А.,/ Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, характеристики, применение./, Москва, Додэка-ХХ1, 2001

4. M.S. Adler et al., /The Evolution of Power Device Technology/, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-31, pp. 1570-1591, 1984.

5. H.J. Sigg et al.,/D-MOS Transistor for Microwave applications/, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-29, pp. 45-53, 1972

6. K. Sakamoto, N. Fuchigami et al., / A Three-Terminal Intelligent Power MOSFET with Built -In Reverse Battery Protection for Automotive Applications/, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-46, pp. 2228-2233, 1999

7. K. Sakamoto, N. Fuchigami et al., / An Intelligent Power 1С with Reverse Battery Protection for Fast-Swithcung High-Side Solenoid Drive/, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-46, pp. 1775-1780, 1999

8. Infineon technoligies, / Semiconductors. Technical information, technologies and characteristic data/, Publicis Corporate Publishing, second edition, pp. 74- 83,2004

9. B.J. Baliga, /Morden Power Devices/, Krieger, Malabar Florida

10. Y.Tauri et al.,/ Diffusion Self-Aligned MOST: -A New Approach For High Speed Device/, Prossedings of the first Conference On Solid State Devices, pp. 105-110,Tokyo, 1969

11. U.V. Rumennik., /Power Devices Are in the Chips/, IEEE Spectrum, vol.22, pp.42-48, 1985.

12. J. A. Appels, H. M. Vaes, /High-Voltage Thin Layer Devices (RESURF Devices)/, IEEE Int. Trans. Electron Devices Meeting, pp.238-241, 1979.

13. N. Darwish et al.,/ Lateral Resurfed COMFET/, Electronic Letters, vol. 20, №12, pp. 519-520, 1984.

14. M. K. Simpson et al., /Analysis of the lateral insulated gate transistor/, IEDM Tech. Dig., pp. 740-743, 1985.

15. К. А. Валиев, Ю. H. Пашинцев, Г. В. Петров, / Применение контакта металл-полупроводник в микроэлектронике /, М.: Радио и связь, 1981

16. Sin et al., /The SINFET: A New High Conductance, High Switching Speed MOS-Gated Transistor/, Electronic Letters, Nov. 1985, p. 1124.

17. Sakurai et al., / Power MOSFETs Having Schottky Barrier Drain Contact/, Int'l Symposium on Power Semiconductor Devices & les, Tokyo 1990, pp. 126-130.

18. Gough et al., /Fast switching Lateral Insulated Gate Transistor/, IEDM Tech. Dig., pp.219-222, 1986.

19. Sin et al., /Analysis and Characterization of the Hybrid Schottky injection Field Effect Transistor/, IEDM 86 -9.4, pp. 222-225.

20. M. K. Simpson., /Analysis of Negative Differential Resistance in the I-V Characteristics of Shorted-Anode LIGBT's /, IEEE Trans, on Electron Dev., Vol. 38, pp. 740-743, 1985.

21. M. Triverdi, / Switching Characteristics of MCT's and IGBT's in Power Convertors/, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43, №11, pp. 1994-2000, 1996.

22. Alcatel Mietec. I2T Design and Layout Manual, 1997.

23. H.Ballan,M.Declercq, /High voltage devices and circuits in standart CMOS technologies/, Kluver academic publishers, Boston-London, 1999.

24. R.W. Bower et al., /MOS Field Effect Transistors formed by gate masked ion implantation/, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 15, pp. 757-761, 1968.

25. T.Okabe, et al., /А Complementary Pair of High-Power MOSFET's /, in Proc. Int. Electron Devices Meet., pp. 416-419, 1977.

26. T.Okabe et al., /А Complementary Pair of Planar-Power MOSFET's /, IEEE Trans. Electron Devices, 1980, vol.ED-27, N2, pp.334-339.

27. Zahir Parpia et al., /Modeling and Characterization of CMOS Compatible High-Voltage Device Structures/, IEEE Trans. Electron Devices, 1987, No. 11, pp.334-339.

28. С. M. Зи, / Физика полупроводниковых приборов/, часть 2, M., Мир, 1984.

29. А. Блихер,/ Физика силовых биполярных и полевых транзисторов/, М., Мир, 1986.

30. Ю. А. Евсеев, П. Г. Дерменжи, / Силовые полупроводниковые приборы/, М., Энергоиздат., 1981.

31. D. Jaume et al., /High voltage Planar Devices Using Field Plate and Semi - Resistive Layers/, IEEE Trans. Electron Devices, 1991, No. 7, pp. 1681-1684.

32. V. Boisson et al., /Computer Study of a High-Voltage а р-тг-п--n+-Diode and Comparison with a Field-Limiting Ring Structure/, IEEE Trans. Electron Devices, 1986, No. 1, pp.80-84.

33. A. Nezar, et al., /Breakdown Voltage in LDMOS Transistors Using Internal Fiels Rings/, IEEE Trans. Electron Devices, 1991, No. 7, pp. 1676-1681.

34. Hamza Yilmaz, /Optimization and Surface Charge Sensitivity of High-Voltage Blocking Structures with Shallow Junctions/, IEEE Trans. Electron Devices, 1991, No. 7, pp.1666-1675.

35. V.A.K. Temple et al., /Junction Termination Extension for Near-Ideal Breakdown Voltage in p-n Junctions/, IEEE Trans. Electron Devices, 1986, No. 10, pp. 1601-1608.

36. V.A.K. Temple et al., /Multipe zone Single Mask Junction Termination Extension a High Field Near Ideal Breakdown Voltage Technology/, IEEE Trans. Electron Devices, 1987, No. 10, pp.1601-1608.

37. R. Stengl et al., /Variation of lateral doping as Field Terminator for High-Voltage Devices/, IEEE Trans. Electron Devices, 1986, No. 3, pp.426-428.

38. Bassous. E et al., / Self-Aligned Polysilicon Gate MOSFET's with Tailored Source and Drain Profiles/, IBM Technical Disclosure Bulletin, vol. 22, No. 11, 1980, pp. 5146-5147

39. Королёв М.А., Тихонов Р.Д., Швец А.В. Исследование влияния структуры пинч-резисторного пассивного канала на параметры МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем // Изв. вузов. Электроника. 2001. №3. -. 91, 92.

40. М.А.Королёв, Р.Д.Тихонов, А.В.Швец/ Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами на параметры МОП транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем/, Известия высших учебных заведений. Электроника. 2001, №5, стр. 54-58.

41. Отчет по НИР НПК ТЦ "Лира-22", Москва, 2000 г

42. К. Board, D. R. J. Owen ., / Simulation of Semiconductor Devices and Processes/, Swanesa, UK, Pineridge Press, 1986, 652 p.

43. Д. Миллер., / Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения/, М.: Радио и связь, 1989, 280 с.

44. М. Fukuma et al., /Digest of 1982 Sump. VLSI Tech/, p. 56, 1982.

45. M. Fukuma et al., /Digest IEDM 84/, p. 621, 1984.

46. S. Selberherr et al., /MINIMOS a twodimentional MOS transistor analyzer/, IEEE Trans., ED-27, p. 1540, 1980.

47. R. W. Dutton, / PISCES II: Poisson and continuity equation solver/, Users Manual, Stenfotd University, 1984.

48. E. M. Buturla et al., /Finite-Element Analyses of Semiconductor Devices: The FIELD AY Program/, IBM J. Res. Develop., vol. 25., pp. 218-231, 1981.

49. A. Yoshii et ah, /A Three-Dimensional Analysis of Semiconductor Devices/, IEEE Tran. Electron Devices, vol. ED-29, pp. 184-189, 1982.

50. ISE TCAD Manuals, Release 6.1.

51. K. Hwang, D. H. Navon, "Breakdown Voltage Optimization of Silicon p-7t-v Planar Junction Diodes IEEE Trans. Electron Devices, No. 9, pp. 1126-1134, 1984.

52. R. V. Overstraeten and H. D. Man, "Measurement of the ionization rates in diffused Silicon p-n junctions," Solid-State Electronics, vol. 13, pp. 583-608, 1970.

53. C. Hu, "Optimum doping profile for minimum ohmic resistance and high breakdown voltage", IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-26, pp. 243-245, 1979.

54. S. Xu, K. P. Gan et ah, "120 V interdigitated drain LDMOS (IDLDMOS) on SOI substrate breaking power LDMOS limit", IEEE Trans. Electron Devices, No. 10, pp. 1980-1984, 2000.

55. Начальник отдела ОИМ НПК "Технологический центр" МИЭТ1. В.В. Коняхин1. УТЕШРЖДАЮ

56. Проректор но HP В. Л. Ikipxoi кип2005 г.1. АКТ

57. Проректор по НР В. А. Вархоткинг- . # «--Г ---р--*2005г.об использовании в учебном процессе Московского института электронной техники научных результатов Красюкова Антона Юрьевича.