Исследование гетероструктур и разработка технологии изготовления лазерных излучателей для волоконно-оптических систем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.14, кандидат технических наук Ширяева, Наталья Алексеевна
- Специальность ВАК РФ05.11.14
- Количество страниц 197
Оглавление диссертации кандидат технических наук Ширяева, Наталья Алексеевна
ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. Анализ состояния вопроса и постановка задачи исследования
1.1. Анализ требований, предъявляемых к лазерным излучателям 13 на гетероструктурах с длиной волны 1550 нм
1.2. Анализ возможностей использования различных типов 14 гетероструктур для создания лазерных излучателей с длиной волны излучения 1550 нм
1.3. Анализ путей повышения мощности излучения
1.4. Постановка задач исследования
2. Разработка технологии выращивания гетероструктур AlInGaAs/InP 34 методом МОС-гидридной эпитаксии
2.1. Разработка методики расчета параметров 35 четырехкомпонентных гетероструктур
2.2. Разработка технологии выращивания четырехкомпонентных 40 гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии
2.2.1. Используемое оборудование
2.2.2. Стандартная технология выращивания гетероструктур 46 методом МОС-гидридной эпитаксии
2.2.3. Разработка математической модели эпитаксиального 48 выращивания гетероструктур в условиях сильного отклонения процесса от состояния равновесия
2.2.4. Разработка технологии выращивания 59 четырехкомпонентных гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии
2.3. Экспериментальные исследования гетероструктур
2.3.1. Оборудование и методики проведения 62 экспериментальных исследований
2.3.2. Исследования параметров гетероструктур, 67 выращенных по разработанной технологии
Выводы
3. Разработка конструкции лазерного излучателя
3.1. Разработка конструкции мезополосковой структуры
3.2. Экспериментальное исследование параметров одиночных 75 излучателей без зеркальных покрытий граней резонатора
3.2.1. Оборудование и методики исследований
3.2.2. Исследования ватт-амперных характеристик лазерных 77 излучателей с активными элементами различной длины
3.2.3. Исследования спектральных характеристик лазерных 78 излучателей с активными элементами различной длины
3.3. Расчет параметров резонатора излучателя
3.4. Разработка модели пространственного распространения 82 излучения с различным количеством активных элементов
3.5. Разработка конструкции лазерного излучателя с несколькими 95 активными элементами
3.6. Экспериментальные исследования лазерных излучателей 98 разработанной конструкции
3.6.1. Оборудование и методики проведения исследований
3.6.2. Исследование ватт-амперных характеристик лазерных 102 излучателей
3.6.3. Исследование спектральных характеристик лазерных 104 излучателей с различным количеством активных элементов
3.6.4. Исследования пространственной расходимости 105 излучения разработанных лазерных излучателей
3.6.5. Ресурсные испытания разработанных лазерных 107 излучателей
Выводы
4. Разработка технологии изготовления лазерного излучателя
4.1. Разработка технологии изготовления активных элементов
4.2. Разработка технологии сборки блока активных элементов
4.3. Разработка технологии корпусирования
4.4. Разработка модели развития напряжений в квантоворазмерной 121 гетероструктуре
4.5. Разработка методики выведения дислокаций за границы 133 активной области путем электротренировки
4.5.1. Оборудование и методика исследований
4.5.2. Исследование существующих методик тренировки
4.5.3. Методика электротренировки
4.6. Экспериментальные исследования лазерных излучателей 141 произведенных по разработанной технологии
4.6.1. Результаты ресурсных испытания лазерных 141 излучателей изготовленных по разработанной технологии
4.6.2. Сравнительные исследования лазерных излучателей 143 Выводы
5. Применение лазерных излучателей в волоконно-оптических 146 системах
5.1. Анализ причин потерь мощности при соединении лазерных 146 излучателей с оптическим волокном
5.2. Экспериментальные исследования влияния оптического 148 волокна на параметры лазерного излучателя
5.2.1. Оборудование и методики исследования
5.2.2. Результаты исследований влияния оптического 149 волокна на параметры излучения лазерного излучателя
5.3. Разработка модели распространения излучения в комплексе лазерный излучатель - оптическое волокно»
5.4. Анализ теоретических и экспериментальных результатов 167 исследований влияния оптического волокна на параметры лазерного излучателя
Выводы
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Технология приборостроения», 05.11.14 шифр ВАК
Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии2013 год, кандидат наук Багаев, Тимур Анатольевич
Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе2013 год, кандидат наук Яроцкая, Ирина Валентиновна
Исследование влияния легирования эмиттерных слоев на параметры диодных лазеров на основе твердых растворов AlGaAs и AlGaInP2005 год, кандидат технических наук Чельный, Александр Александрович
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур2009 год, кандидат технических наук Ермошин, Иван Геннадьевич
Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона2020 год, доктор наук Ладугин Максим Анатольевич
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование гетероструктур и разработка технологии изготовления лазерных излучателей для волоконно-оптических систем»
Актуальность темы.
В настоящее время одной из актуальных научно-технических задач стала разработка источников лазерного излучения с длиной волны 1550 нм. Наиболее перспективными для получения гетероструктур (ГС) таких лазерных излучателей являются соединения А В [13, 37,47,49, 72].
В ряде задач практического применения помимо длины волны излучения необходимо обеспечение стыковки лазерных излучателей с оптическим волокном (ОВ). Поэтому важными параметрами излучения являются мощность излучения, диаграмма направленности, температурная стабильность характеристик, размер тела свечения.
Соответствие лазера этим требованиям определяется как составом используемой излучающей ГС, ее конструкцией, технологией выращивания, так и конструкцией самого излучателя, технологией его изготовления, отсутствием паразитных мод, близких по длине волны.
Параметры излучающих ГС обуславливаются их составом, методикой изготовления и толщиной слоев. Проблемы, возникающие при разработке и производстве новых типов ГС, исследовались Ж.И. Алферовым, П.Г. Елисеевым, X. Кейси, М. Панишем, Г. Кремером [2, 30, 42, 72, 95] и многими другими российскими и зарубежными учеными.
Повышение качества работы излучателей требует исследования и разработки приборов на новых системах элементов, позволяющих получить высокую мощность излучения и длину волны излучения 1550. 1560 нм в широком диапазоне температур.
Это связано со значительными трудностями: отсутствием комплексных методик разработки ГС с требуемыми параметрами и технологическим процессом (ТП) их изготовления; необходимостью совершенствования ТП производства лазерных излучателей; недостаточным количеством информации о влиянии внутренних дефектов ростовых напряжений и дислокаций на параметры разрабатываемых лазерных излучателей.
Одним из наиболее перспективных направлений эпитаксиального выращивания гетероструктур является МОС-гидридная эпитаксия. Однако, использование в данном случае неравновесного процесса эпитаксиального роста [8] для многокомпонентных ГС вызывает необходимость точного расчета их параметров и разработки индивидуальных технологических процессов выращивания, что связано с созданием специальных методик расчета и математических моделей процесса [30, 42].
Одним из путей значительного повышения мощности и улучшения характеристик излучения (спектра, расходимости, модового состава) является изменение конструкции мезоструктуры, геометрических размеров резонатора, параметров зеркальных покрытий.
Влияние на параметры лазерных излучателей оказывает также технология изготовления активных элементов (АЭ), основными этапами которой являются получение мезоструктуры, скалывание, напыление зеркальных покрытий.
Важным фактором, оказывающим влияние на параметры излучения лазерных излучателей, является взаимодействие с ОВ. Известно [37, 47, 49], что соединение с ОВ существенно снижает мощность излучения, а также меняет его спектральный и модовый состав.
Целью настоящей работы является исследование и создание нового типа многокомпонентных ГС, разработка на его основе конструкции и технологии изготовления лазерного излучателя повышенной мощности с длиной волны излучения 1550 нм, и исследование его характеристик при соединении с оптическим волокном.
Задачи исследования.
В соответствии с поставленной целью решался следующий комплекс задач:
I. Разработка методики расчета четырехкомпонентной гетероструктуры.
2. Исследование и разработка технологии выращивания гетероструктур с длиной волны излучения 1550 нм методом МОС-гидридной эпитаксии
3. Разработка конструкции и технологии изготовления лазерных излучателей повышенной мощности с длиной волны излучения 1550 нм.
4. Исследование параметров полученных лазерных излучателей и изменения их характеристик при соединении с оптическим волокном.
Методы исследования. Экспериментальные данные получены на универсальном и специально разработанном лабораторном оборудовании и обработаны с применением методов математической статистики.
Научная новизна работы
1. Впервые разработана универсальная методика расчета параметров четырехкомпонентных гетероструктур, содержащих компоненты с высокой степенью сегрегации.
2. Разработана модель расчета параметров парогазовой смеси в реакторе установки МОС-гидридной эпитаксии, с учетом неравновесности процесса. На основе данной модели предложена методика корректировки параметров подачи исходных компонент в реактор установки МОС-гидридной эпитаксии в зависимости от изменения температуры и концентрации парогазовой смеси, что обеспечило получение гетероструктур с требуемыми параметрами и высокую воспроизводимость технологического процесса.
3. Разработана модель распространения излучения для лазерных излучателей с одним и несколькими активными элементами, на базе которой была разработана конструкция лазерного излучателя с несколькими активными элементами.
4. Разработана модель развития напряжений и дислокаций в квантоворазмерных гетероструктурах, на основании которой предложена методика повышения мощности и долговечности лазерных излучателей путем выведения напряжений и дислокаций за границы активной области.
5. Впервые проведены исследования эффекта возникновения побочных мод излучения в лазерных излучателях, состыкованных с оптическим волокном.
Практическая значимость работы определяется прикладным характером проведенных исследований, направленных на разработку конструкции и технологии изготовления лазерных излучателей. Разработанные методики, программное обеспечение и технология внедрены в ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха». Их использование позволило значительно повысить качество выпускаемых лазерных излучателей. Характеристики полученных лазерных излучателей превосходят существующие в настоящее время аналоги.
Положения, выносимые на защиту;
1. Научно обоснованная методика расчета параметров твердых составов четырехкомпонентной системы.
2. Математическая модель эпитаксиального роста и разработанная на ее основе технология выращивания гетероструктур.
3. Математическая модель распространения излучения при наличии нескольких активных элементов, положенная в основу разработки конструкции и технологии изготовления лазерных излучателей повышенной мощности.
4. Математическая модель развития ростовых напряжений двухмерной гетероструктуры с квантоворазмерной активной областью, на базе которой разработана методика повышения мощности излучения и срока службы лазерных излучателей путем выведения напряжений и дислокаций за границы активной области.
5. Конструкция и технология изготовления лазерного излучателя с длиной волны излучения 1550 нм и мощностью 15 Вт.
Достоверность полученных результатов подтверждается:
• применением фундаментальных положений, справедливость которых доказана ранее и проверена практикой, неоднократно апробированных методик и математических моделей, а также сходимостью результатов экспериментальных исследований и математического моделирования;
• проведением исследований на моделях, которые достаточно полно и адекватно отражают совокупность факторов, влияющих на моделируемый процесс.
Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях: 5 Международном аэрокосмическом конгрессе, Москва, 2006 г.; 30, 31, 32 Международных молодежных научных конференциях «Гагаринские чтения», Москва, 2004, 2005, 2006 г.г.; Всероссийских научно-технических конференциях, Москва, 2004, 2006 г.г.; 11 European Workshop on MOVPE, г. Лозанна, 2005 г.; Международном симпозиуме «Аэрокосмические приборные технологии», Санкт-Петербург, 2004 г.; Московской молодёжной научно-технической конференции «Методы и средства измерительно-информационных технологий», Москва, 2004 г.
Публикации: Основное содержание диссертации отражено в 13 публикациях.
Структура и объем диссертации: Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 119 наименований. Материал изложен на 190 страницах иллюстрированных 75 рисунками, графиками и 20 таблицами.
Похожие диссертационные работы по специальности «Технология приборостроения», 05.11.14 шифр ВАК
Полупроводниковые гетероструктуры A3B5, полученные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания, и лазеры спектрального диапазона 1300 – 1550 нм на их основе2021 год, доктор наук Карачинский Леонид Яковлевич
Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ2009 год, кандидат технических наук Ладугин, Максим Анатольевич
Лазерные гетероструктуры на основе GaAs и InP с улучшенной вольт-амперной характеристикой2022 год, кандидат наук Волков Никита Александрович
Разработка технологии выращивания слоев гетероструктуры на основе нитрида галлия для лазерных диодов в устройствах освещения2022 год, кандидат наук Савчук Александр Александрович
Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений2003 год, кандидат физико-математических наук Кижаев, Сергей Сергеевич
Заключение диссертации по теме «Технология приборостроения», Ширяева, Наталья Алексеевна
ВЫХОД
Меню ГРАНИЦА - Задание i раничных условий.
Задаются условия на левой и правой границах области. Возможны постановки краевых задач 1, II, III рода. Предусмотрена зависимость граничных условий от двух переменных: температуры и времени. Функциональная зависимость задается как в табличном, так и в аналитическом виде.
Условие 111 рода в настоящей версии не реализовано. Будет реализовано в следующей версии 1.1
ЛЕВАЯ - Задание условий на левой |ракицс(тип гран, условия и значение); ПРАВАЯ - на правой границе;
ЧТЕНИЕ - Чтение наборов данных с различными вариантами граничных условий. ЗАПИСЬ - Запись сформированных граничных условий на диск.
Файлы имеют расширение*.0
Рис. 6. Меню «Граница» 191
Формируются начальные условия в полной области.
Возможно задание в виде констант, таблиц. анаштичееко! о выражения.
В ЦЕНТРАХ Задание начальною распределения температуры в центрах В УЗЛАХ Задание начального распределения температуры в узлах;
ЧТЕНИЕ Чтение с диска наборов данных с вариантами начальных условий.
Файлы имеют расширение *.N; 3AI1ИСЬ Запись на диск текущею состояния начальных данных:
11НЧЛ ГЬ Печать начальных условий.
Рис. 6. Меню «Начальные условия»
Меню КО ЭФФИЦИЕНТЫ - Задание коэффициентов и правой части уравнения теплопроводности. теплоемкость ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ ИСТОЧНИК ЧТЕНИЕ
ЗАПИСЬ ПЕЧАТЬ
Задание удельной теплоемкости: коэффициента теплопроводности; правой части: Чтение с диска наборов данных вариантами коэффициентов от температуры и времени; Файлы имеют расширение *.К Запись данных на диск; Печать коэффициентов. зависимостей
Рис. 7. Меню «Коэффициенты»
Меню АЛГОРИТМ - Выбор разностной схемы. Производится выбор разностной схемы из классов:
ПОТОКОВЫЕ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ
- НЕЯВНЫЕ
- ЯВНЫЕ
- С ВЕСАМИ
• ПРЕДИКТОР-КОРРЕКТОР По умолчанию используется неявная потоковая схема.
Рис. 8. Меню «Алгоритм»
Меню СЧЕТ - Задание параметров расчета и запуск задачи на счет.
ВЫБОР ПЕРЕМЕННЫХ - решение задачи в терминах температуры/энтальпии АППРОКСИМАЦИЯ К - аппроксимация коэф.теплопроводности в центрах/узлах ячеек
ГРАФИКИ В СЧЕТЕ - задание типов графиков величин выдаваемых в ходе счеш : температуры, потока, энташ аналитическим решением и невязками в нормах С и L2; коэффициентов - теплое\ теплопроводности, тешювого источника. ПАРАМЕТРЫ - Задание параметров расчета:
- расчетный шаг по времени;
- количество шагов расчета;
- время начата расчега;
- время расчета;
- шаг вывода результатов в ходе счета на экран: ЗАПУСК - Запуск сформированной задачи на счет.
Перед запуском проверяются входные данные на корректность. Координата X(i)>=0,X(i+l)>X(i),
Коэффициенты Cv>0, К>0,
Параметры расчета (величина расчетного шага по времсни.количество шагов, времена начата и продолжительности расиста, времена и шаги выдачи графиков на экран в ходе счета) В случае ошибки выдаются диагностические сообщения.
Рис. 9. Меню «Счет»
Меню РЕЗУЛЬТАТЫ - Прслсшменпс результаюн счета
ТЕМПЕРАТУРА
ПОТОК
ЭНТАЛЬПИЯ
ТЕПЛОЕМКОСТЬ
ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ источник
ИНТЕГ РАЛЬНЫЕ ВЕЛИЧИНЫ (Суммарное тепловыделение, суммарные потоки через левую и правую ipaiimw )
Рис. 10. Меню «Результаты»
Рис. 11. Идеальный поток.
Рис. 12. Деформированный поток.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.