Исследование физических процессов, определяющих возможность масштабирования реакторов газофазного осаждения с активацией СВЧ разрядом при средних давлениях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, кандидат физико-математических наук Дворкин, Владимир Владимирович

• Дворкин, Владимир Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дворкин, Владимир Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. Обзор литературы. СВЧ установки, применяемые для осанедения тонких плёнок на больших площадях.

1.1 Введение.

1.2 Классическая установка с рабочей камерой резонаторного типа.

1.3 Установки со щелевыми антеннами.

1.4 Использование электронного циклотронного резонанса (ЭЦР) для ввода СВЧ энергии в плазму в установках для роста тонких плёнок.

1.5 Дисковые реакторы.

1.6 Создание плазмы в реакторе при помощи замедляющих систем.

1.7 Использование поверхностных волн для создания плоского слоя плазмы

1.8 Другие принципы ввода СВЧ энергии в камеру для увеличения площади обрабатываемой поверхности.

Глава II. Осаяедение тонких углеродных плёнок.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Система регистрации спектров плазмы.

2.3 Связь эмиссионных характеристик плазмы со структурой плёнки.

2.3.1 Условия эксперимента.

2.3.2 Эксперименты по росту легированных алмазных плёнок.

2.3.3 Эксперименты по росту углеродных нанотруб.

2.4 О низкотемпературном осаждении нанографитовых структур.

2.4.1 Низкотемпературный рост углеродных плёнок.

2.4.2 Исследование влияния состава газовой смеси на структуру осаждаемых плёнок.

2.5 Выводы.

Глава III. Исследование импульсного режима возбузвдения плазмы.

3.1 Введение.

3.2 Плазмохимия углерод - водородного газового СВЧ разряда.

3.3 Исследование влияния параметров импульсов на состав плазмы.

3.4 Влияние параметров импульсов на морфологию плёнок.

3.5 Влияние импульсного режима на стабильность разряда.

3.6 Оценка газовой температуры.

Глава IV. Экспериментальная многомагнетронная установка.

4.1 Экспериментальная многомагнетронная установка для получения СВЧ плазмы.

4.2 Метод оценки равномерности распределения плазмы с помощью ОЭС.

Глава V. Исследование однородности разряда в многомагнетронном реакторе.

5.1 Модельные эксперименты в нерезонансном реакторе.

5.2 Исследование работы многомагнетронной системы.

5.2.1 Первоначальное исследование поведения разряда.

5.2.2 Диапазон рабочих давлений.

5.2.3 Исследование спектрального состава плазмы.

5.2.4 Эффект суперпозиции рабочих циклов магнетронов.

5.2.5 Влияние подложкодержателя на положение разряда.

5.2. б Зависимость однородности разряда от основных макропараметров процесса.

5.2.7 Исследование однородности разряда.

5.2.8 Однородность плёнок, осаждённых на многомагнетронной установке.

5.3 Выводы.

Глава VI. Применение алмазных плёнок в качестве алмазных мембран для усиления электронного потока.

6.1 Введение.

6.2 Подготовка образцов.

6.3 Эксперименты по вторичной эмиссии и обсуждение результатов.

6.4 Выводы.

ВЫВОДЫ.

Благодарности.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование физических процессов, определяющих возможность масштабирования реакторов газофазного осаждения с активацией СВЧ разрядом при средних давлениях»

л

Получение однородной плазмы на больших площадях (порядка 0.1-1 м ) вблизи поверхности раздела вакуум - диэлектрик или вакуум - металл при давлениях 1 Тор и выше является важной задачей для множества приложений. Эта проблема в настоящее время удовлетворительным образом не решена, несмотря на ее актуальность для целого ряда задач, в частности, для современной микроэлектроники. Такая плазма используется в процессах, связанных с плазменной обработкой поверхностей, таких как плазмохимическое травление различных типов материалов, модификация поверхности, и в ряде других задач. В числе важнейших приложений такого разряда можно назвать осаждение тонких, в частности углеродных, плёнок из газовой фазы в плазмохимическом синтезе (thin films chemical vapor deposition, CVD). Из существующих в настоящее время методов получения плазмы наиболее обещающими с точки зрения обработки больших площадей являются методы горячей нити, мультикатодного тлеющего разряда и СВЧ разряда. Однако первые два из них не отвечают требованиям микроэлектроники из-за загрязнения плазмы материалами испарения электродов и оказываются чрезвычайно негибкими при попытке использовать их для обработки сложных (неплоских) поверхностей.

На сегодняшний день поведение плазмы в СВЧ CVD реакторах хорошо изучено. Известной особенностью этого типа разряда является появление интерференционных неоднородностей на расстояниях порядка половины длины волны СВЧ генератора. В случае наиболее широко используемой частоты v=2.45 ГГц это является препятствием для получения плёнок на поверхностях, линейные размеры которых сравнимы с длиной волны или больше её. Обычно останавливают выбор на частоте 2.45 ГГц потому, что из числа разрешённых частотных диапазонов этот диапазон наиболее оптимален для целей СВЧ CVD. Излучение этой длины волны (А,=12.2 см в вакууме) позволяет создавать плазму при давлении до сотен Тор на площади, достаточной для большинства лабораторных и промышленных применений, оставляя на невысоком уровне затраты на создание установки.

Важным обстоятельством, которое усложняет осмысленное масштабирование такого типа реакторов, является практически полное отсутствие опубликованных исследований, посвящённых характеристике разряда с точки зрения масштабирования установок для получения однородных тонких плёнок.

Целью работы являлось: классификация существующих подходов к масштабированию СВЧ CVD реакторов, исследование свойств разряда в них при увеличении его площади и, основываясь на результатах этих исследований, разработка метода создания масштабируемого плазменного реактора для обработки поверхностей и получения тонких пленок большого размера из газовой фазы в плазме СВЧ разряда. В рамках работы предложено возбуждать разряд с помощью системы синхронизованных магнетронов (излучающих согласованно во времени), работающих в импульсном режиме. Такой подход привлекателен дешевизной технической реализации и гибкостью конструктивных решений, позволяющих создавать плазменные реакторы различной конфигурации в соответствии с дополнительными технологическими требованиями.

В Главе I проведён обзор существующих методов создания СВЧ плазмы для целей газофазного осаждения тонких плёнок. Особое внимание уделено рассмотрению каждой методики с точки зрения её гибкости при масштабировании. В Главе II в установке с реактором резонаторного типа проведены эксперименты по росту тонких углеродных плёнок с целью выяснения режимов роста различных углеродных наноструктур для их последующего переноса на разрабатываемую многомагнетронную установку. С помощью метода оптической эмиссионной спектроскопии проведена работа по выяснению зависимости состава радикалов импульсного СВЧ разряда («радикальный» состав плазмы), обычно применяемого при росте тонких плёнок и травлении различных типов материалов, от таких задаваемых макропараметров, как давление газа, длительность СВЧ - импульсов, СВЧ мощность и состав исходной газовой смеси и концентрации отдельных её компонентов. Реактор резонаторного типа был выбран вследствие того, что установки этого класса хорошо изучены и позволяют проводить эксперименты в широком диапазоне макропараметров процесса роста. Был также исследован импульсный режим активации разряда как интересный метод понижения температуры для роста плёнок на легкоплавких подложках. Влияние параметров импульсов на эмиссионные характеристики плазмы, состав осаждаемых плёнок и стабильность разряда изучено в Главе III. Особое внимание уделено плазмохимии разряда как в импульсном, так и в постоянном режиме активации, а также определению одного из важнейших параметров % разряда - газовой температуры. Глава IV посвящена описанию экспериментальной многомагнетронной установки, использующей в качестве системы "точечных" СВЧ излучателей, расположенных вблизи рабочей поверхности реактора (вне вакуумированного объема), стандартные 1 кВт магнетроны, обычно использующиеся в бытовых СВЧ печах. Предложенная система имеет ряд важных отличий от обычных установок для плазменной обработки поверхностей с использованием СВЧ плазмы, таких как импульсный режим возбуждения разряда, отсутствие резонанса электромагнитного поля, перекрытие пространственных зон генерации независимых магнетронов, поэтому в Главе V проведён их анализ для определения границ применимости методики. Особенное внимание было уделено однородности разряда по поверхности подложки, которая была охарактеризована при помощи оптической эмиссионной спектроскопии, в том числе с пространственным разрешением, и роста углеродных плёнок с последующим исследованием равномерности их морфологического и фазового состава. Продемонстрирована возможность создания достаточно однородной плазмы на площади диаметром 250 мм. В Главе VI исследуется одно из возможных применений многомагнетронного реактора для роста алмазных плёнок на большой площади - предложено и реализовано использование алмазной мембраны для умножения электронного потока с сохранением его распределения в плоскости, перпендикулярной направлению движения электронов, в качестве усилителя электронного потока для электрооптических преобразователей.

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Дворкин, Владимир Владимирович

выводы

1. Предложена новая концепция создания СВЧ плазмы на большой площади, на основе распределённого ввода СВЧ энергии в нерезонаторный реактор при помощи системы синхронизованных магнетронов, работающих в импульсном режиме.

2. Создана и исследована работа многомагнетронной установки, использующей в качестве системы "точечных" СВЧ излучателей, расположенных вблизи рабочей поверхности реактора, стандартные магнетроны от бытовых СВЧ печей.

3. В экспериментах на многомагнетронной установке продемонстрирована возможность создания однородной плазмы на площади диаметром 250 мм.

4. Эксперименты с неполной модуляцией импульсов или частичным наложением периодов работы магнетронов выявили преимущество режима полного разделения во времени в этой системе, хотя установка специальных экранирующих перегородок и разнесение магнетронов в пространстве значительно уменьшает связь между ними. Установлено, что повышение мощности генерации магнетронов приводит к расширению диапазона давлений, при которых не происходит сегментации слоя плазмы на раздельные области горения разряда, причём характер этой зависимости близок к линейной. Показано, что присутствие подложкодержателя на границе плазмы практически не оказывает влияния на распределение разряда в реакторе, что говорит о высокой степени поглощения СВЧ энергии в плазме.

5. Были проведены успешные эксперименты по росту углеродных нанотруб на большой площади в многомагнетронном реакторе. Несмотря на некоторое различие в скорости роста на отдельных участках подложки, достигнута высокая однородность фазового состава на всей площади плёнки диаметром 140 мм. Площадь плёнки была лимитирована лишь размером подложкодержателя. Таким образом, продемонстрирована возможность роста тонких плёнок высокой степени однородности и масштабирования результатов на большие поверхности путём установки дополнительных магнетронов, работающих в режиме разделения по времени.

6. На основе исследований оптических эмиссионных спектров плазмы предложен и апробирован метод оценки однородности разряда, базирующийся на параллельной регистрации ОЭС плазмы. С помощью предложенной схемы параллельной регистрации излучения плазмы в определённых спектральных диапазонах, проведены исследования однородности разряда и показано, что, несмотря на значительное изменение интенсивности линий излучения плазмы по поверхности, однородность распределения отношения концентраций радикалов высока и растёт при увеличении СВЧ мощности, что коррелирует с однородностью осаждаемых плёнок.

7. Проведены эксперименты по осаждению углеродных плёнок в импульсном режиме возбуждения плазмы. Показана возможность изменения фазового состава плёнок при изменении частоты и скважности импульсов, при постоянной средней мощности, а также продемонстрированы преимущества импульсного режима при росте нанографитовых плёнок при пониженных температурах. В экспериментах в газовой смеси Н2:СН4:Аг выявлена стабилизирующая разряд роль импульсного режима при частотах модуляции выше 500 Гц.

8. Использованием импульсного режима активации плазмы, при осаждении углеродных наноусов, температура образца была понижена на 100 °С без заметной потери в скорости роста.

9. Предложено и реализовано одно из применений легированной алмазной плёнки в качестве алмазной мембраны для умножения электронного потока. Было исследовано влияние обработки эмитирующей поверхности (цезирование, гидрогенизация, отжиг в вакууме) на выход вторичных электронов. Показана большая важность размера, структуры и ориентации кристаллитов плёнки для достижения высокого выхода. Получен коэффициент усиления "на просвет" больше 10 при малых (1 кВ) энергиях первичных электронов, что позволяет использовать мембрану в качестве усилителя электронного потока в электрооптических преобразователях. Ш

Благодарности

В заключение хочу выразить глубокую признательность Николаю Николаевичу Дзбановскому за всемерную поддержку проводимых исследований, Филиппову А.В. (ТРИНИТИ) за помощь в части работы, касающейся измерения газовой температуры, Юрьеву А.Ю. за поддержку в организации спектроскопических исследований, Сеню В.В. за помощь в создании многомагнетронной установки, а также П.В. Пащенко, осуществлявшего подготовку образцов. Хочу поблагодарить группу Э.А. Полторацкого (НИИФП, Зеленоград) за исследование вторичной электронной эмиссии из алмазных мембран. Также выражаю благодарность коллективу Отдела микроэлектроники НИИЯФ МГУ за внимательное отношение к работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дворкин, Владимир Владимирович, 2004 год

1. A.M. Gorbachev, V.A. Koldanov, A.L. Vikharev // Diamond Relat. Mater. 10 (2001)342-346

2. Q. Zhang, S.F. Yoon, J. Ahn, B. Gan, Rusli, M.-B. Yu // Journal of Physics and Chemistry of Solids 61 (2000) 1179-1183

3. D.M. Bhusari, J.R. Yang, T.Y. Wang, S.T. Lin, K.H. Chen, L.C. Chen // Solid State Communications, 107 (6) (1998) 301-305

4. A. Hozumi, O. Takai // Thin Solid Films 303 (1997) 222-225

5. ASTeX, Technology overview. Published by Applied Science and Technology, Inc., Woburn, 1993

6. D. Korzec, F. Werner, R. Winter, J. Engemann // Plasma Sources Sci. Technol. 5 (1996)216-234

7. H. Tahara, J. Kitayama, T. Yasui, K. Onoe, Y. Tsubakishita, T. Yoshikawa // Rev. Sci. Instrum., 65 (3) (1994) 669-672

8. B.E. Cherrington // "Gaseous Electronic and Gas Lasers", Pergamon, New York, 1979

9. J. Asmussen // J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (3) (1989) 883-893

10. A. Bogaerts, E. Neyts, R. Gijbels, J. van der Mullen // Spectrochim. Acta Part В 57 (2002) 609-658

11. A. Ishii, Yoshiyuki et al. // Jpn. J. Appl. Phys., Vol 32 (1993)

12. J. Zhang et al. // J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (3), may/jun 1990

13. H.A. Naseem, M.S. Haque, M.A. Khan, A.P. Malshe, W.D. Brown // Thin Solid Films, 308-309 (1997) 141-146

14. C.-A. Lu, L. Chang, B.-R. Huang // Diamond Relat. Mater. 11 (2002) 523-526

15. И.В. Лебедев // 'Техника и приборы СВЧ", Москва, "Высшая школа", 1970

16. Л.А. Вайнштейн // "Электромагнитные волны", Москва, "Советское радио", 1957 г.

17. В.Н. Удалов и др. // "Камерные СВЧ печи периодического действия", Обзоры по эл. тех., серия 1 Электроника СВЧ, выпуск 10 (960), Москва, ЦНИИ "Электроника", 1983

18. И.И. Девяткин и др. // "СВЧ печь", Патент СССР № 786072

19. В. Lamontagne et al. // Appl. Phys., 20 (1987)

20. P. Ganachev, H. Sugai // Plasma Sources Sci. Technol. 11 (2002) A178-A190

21. S. Schelz, C. Campillo, M. Moisan // Diamond Relat. Mater. 7 (1998) 1675-1683

22. M. Nagatsu, T. Sano, N. Takada, N. Toyoda, M. Tanga, H. Sugai // Diamond Relat. Mater. 11 (2002) 976-979

23. M. Nagatsu, K. Shingo, M. Jun // Book of Abstracts of Vth International Workshop on Microwave Discharges: Fundamentals and Applications, Greifswald, Germany, July 08-12, 2003. p. 31

24. M. Nagatsu // Book of Abstracts of Vth International Workshop on Microwave Discharges: Fundamentals and Applications, Greifswald, Germany, July 08-12, 2003. p. 107

25. M. Liehr et al. // conference "Applied Diamond", Japan, 1999

26. Ю.П. Райзер // Физика газового разряда. Москва, Наука, 1987

27. Ю.А. Лебедев // Материалы школы-семинара «Методы и техника экспериментального исследования процессов самоорганизации упорядоченных структур в плазменно-пылевых образованиях» Республика Карелия, г. Петрозаводск, 2-7 сентября 2002 г.

28. G. Balestrino, М. Marinelli, Е. Milani, A. Paoletti, I. Pinter, A. Tebano, P. Paroli //Appl. Phys. Lett. 62 (8) (1993) 879-881

29. A. Gicquel, K. Hassouni, F. Farhat et al. // Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 581

30. S. Narishige, S. Suzuki, M. D. Bowden et al. // Jap. J. Appl. Phys., 39 (2000) 6732

31. M.J. Wouters, J. Khachan, I.S. Falconer, B.W. James // J. Phys. D: Appl. Phys. 31 (1998) 2004-2012

32. C.-F. Chen, S.-H. Chen, H.-W. Ко, S.E. Hsu // Diamond Relat. Mater. 3 (1994) 443-447

33. M. Chen, С.-М. Chen, C.-F. Chen // Thin Solid Films 420-421 (2002) 230-234

34. Y. Liou, A. Inspector, R. Weimer, R. Messier // Appl. Phys. Lett. 55 (7) (1989) 631-633

35. R.W.B. Pearse and A.G. Gaydon // "The identification of molecular spectra", London, Chapman and Hall, 1976

36. G. Herzberg // Molecular spectra and molecular structure. N.-Y.: D. van Nostrand, 1951. V. 1. Spectra of diatomic molecules.

37. Y. Liao, C. Chang, C.H. Li, Z.Y. Ye, G. Z. Wang, R.C. Fang // Thin Solid Films 368 (2000) 303-306

38. B.B. Дворкин, H.H. Дзбановский, П.В. Минаков и др. // Труды Зго междунар. симп. по теор. и прикл. плазмохимии, Иваново-Плёс. 2002. Т. 2. С. 287

39. Э.А. Полторацкий, Г.С. Рынков, Е.А. Ильичёв и др. // Матер, междунар. научно-технич. конф. "Тонкие плёнки и слоистые структуры", Москва, МИРЭА (ТУ). 2002. Ч. 2. С. 228.

40. Э. Г. Раков // Успехи химии 69 (1) (2000), 41-59

41. А.Т. Rakhimov //Physics-Uspekhi, 43 (9) 2000, pp. 926-929

42. C.J. Lee, J. Park, Y. Huh, J.Y. Lee // Chem. Phys. Lett. 343 (2001) 33

43. Mi Chen et al. // Jpn. J. Appl. Phys., 42 (2003) pp. 614-619

44. J. Stiegler, T. Lang, M. Nygard-Ferguson, Y. von Kaenel, E. Blank. // Diamond Relat. Mater. 5 (1996) 226-230

45. M. Chen, C.-M. Chen, S.-C. Shi, C.-F. Chen // Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 614619

46. V.V. Dvorkin, N.N. Dzbanovsky, N.V. Suetin // 13th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Granada, Spain. 8-13 September 2002. 05.07.17

47. L. de Poucques, J. Bougdira, R. Hugon, G. Henrion, P. Alnot // J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) 896-904

48. X. Duten, A. Rousseau, A. Gicquel, K. Hassouni, P. Leprince // J. Phys. D.: Appl. Phys. 35 (2002) 1939-1945

49. G. Lombardi, X. Duten, K. Hassouni, A. Rousseau, A. Gicquel И J. Electrochem. Soc. 150 (5) (2003) C311-C319

50. H. Chatei, J. Bougdira, M. Remy, P. Alnot, C. Bruch, J. K. Kriiger // Diamond Relat. Mater. 6 (1997) 505-510

51. M. Masi, C. Cavallotti, S. Carra // Chemical Engineering Science, 53 (22) (1998) 3875-3886

52. J. Khachan, B.W. James, A. Marfoure // Appl. Phys. Lett., Vol. 77, No. 19 (2000) 2973-2975

53. M. Heintze et al. // J. Appl. Phys., 92 (12) (2002) 7022

54. R.A. Akhmedzhanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Koldanov, D.B. Radishchev // Diamond Relat. Mater. 11 (2002) 579-583

55. D. Zhou et al. // J. Appl. Phys. 83 (1) 1998 540-543

56. D. Zhou et al. // J. Appl. Phys. 84 (4) 1998 1981-1989

57. Y.A. Mankelevich, A.T. Rakhimov, N.V. Suetin, S.V. Kostyuk // Diamond Relat. Mater. 5 (1996) 964-967

58. W.-S. Lee, K.-W. Chae, K.Y. Eun, Y.-J. Baik // Diamond Relat. Mater. 10 (2001) 2220-2224.

59. R. Hidaka et al. // Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993)

60. А. Мак-Доналд // "Сверхвысокочастотный пробой в газах", Москва, "Мир", 1969 г.

61. Е.М. Марушкевич // дипломная работа, Москва, физ. фак. МГУ, 1995 г.

62. О. Elmazria, J. Bougdira, Н. Chatei, L. de Pouques, M. Remy, P. Alnot // Thin Solid Films 374 (2000) 27-33

63. J. Bougdira, M. Remy, P. Alnot, C. Bruch, J.K. Kruger, H. Chatei, J. Derkaoui // Thin Solid Films 325 (1998) 7-13

64. F.J. Himpsel, J.A. Knapp, J.A. Van Vechten, D.E. Eastman // Phys. Rev. B, 20 (1979) 624

65. G.T. Mearini, I.L. Krainsky, J.A. Dayton // Surface and Interface Analysis, 21 (1994)138

66. G.T. Mearini, I.L. Krainsky, J.A. Dayton et al. // Appl. Phys. Lett., 66 (2) (1995) 242

67. J.E. Yater and A. Shih // J. Appl. Phys., 87 (2000) 8103

68. J.E. Yater and A. Shih // J. Appl. Phys, 90 (2001) 3057

69. E. Cheifetz, V. Richter, A. Zalman, R. Kalish // Diamond Relat. Mater, 10 (2001) 824-828

70. Sh. Michaelson, V. Richter, R. Kalich, Hoffinan, E. Cheifetz, R. Akhvlediani // Thin Solid Films, 420-421 (2002) 185-189

71. E. Cheifetz, V. Richter, N. Koenigsfeid, and R. Kalish // J. Appl. Phys, 92 (2002) 7611

72. J.E. Yater, A. Shih, J.E. Butler, P.E. Pehrsson // Appl. Surf. Sci, 191 (2002) 5260

73. N.N. Dzbanovsky, P.A. Minakov, A.F. Pal, N.V. Suetin, E.A. Poltoratsky, G.S. Rychkov, E.A. Il'ichev, S.A. Gavrilov // Book of Abstracts of 3-rd IEEE Int. Vacuum Sources Conf, Orlando, Florida, 10-12 July, 2000, p. 33

74. M.W. Shin, R.J. Trew, G.L. Bilbro et. al. // J. Mater. Science: Materials in Electronics 6 111-114(1995)

75. Yu.V. Pleskov, A.R. Tameev, V.P. Varnin, I.G. Teremetskaya // J. Solid State Electrochem, 3 (1998) 25-30

76. D.M. Malta, von J.A. Windheim, H.A. Wynands, B.A. Fox // Appl. Phys, 77 (1995) 1536-1575

77. N.N. Dzbanovsky, P.A. Minakov, A.F. Pal, N.V. Suetin, E.A. Poltoratsky, G.S. Rychkov, E.A. Il'ichev, S.A. Gavrilov // Book of Abstracts of Int. Topical Meeting on Field Electron Emission from Carbon Materials, Moscow, 2-4 July, 2001, p. 38

78. J.E. Yater, A. Shih and R.H. Abrams // Electron transport and emission properties of diamond, J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (3), May/Jun 1998

79. J. Hopwood et al. // J. Vac. Sci. Technol. В 6 (6), nov/dec 1988

80. N. Dzbanovsky, V. Dvorkin, A. Filippov, A. Pal, N. Suetin, A.Yuriev // "OES Study of CH4:H2 Microwave Plasma During Deposition of Different Carbon

81. Materials", Proceedings of 16th International Symposium on Plasma Chemistry, Taormina, Italy, 22-27 June 2003.

82. Васильев Г.К., Макаров Е.Ф., Тальрозе В.Л. Распределение энергии в продуктах экзотермических химических реакций. // Химия плазмы. Под ред. Б.М. Смирнова, М.: Энергоиздат, 1982, вып.9, с. 3-79

83. W.L. Hsu // J. Appl. Phys. 72(7) (1992) 3102-3109

84. D.G. Goodwin // Appl. Phys. Lett. 59(3) (1991) 277-279

85. S.J. Harris, D.G. Goodwin // J. Phys. Chem. 97 (1993) 23-28

86. L.E. Kline, W.D. Partlow, W.E. Bies // J. Appl. Phys. 65(1) (1989) 70-78

87. P. Bou, J.C. Boettner, L. Vandenbulcke // Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 15051513

88. M.C. McMaster, W.L. Hsu, M.E. Coltrin, D.S. Dandy, C. Fox // Diamond Relat. Mater. 4 (1995) 1000-1008

89. A. Inspector, U. Carmi, R. Avni, H. Nickel // Plas. Chem & Plas. Proc. (1981) 377

90. A. Rousseau, L. Tomasini, G. Gousset, C. Boisse-Laporte, P. Leprince // J. Phys. D: Appl. Phys. 27 (1994) 2439

91. Kovacs I. // Rotational structure in the spectra of diatomic molecules. Budapest, Akademiai Kiada, 1969, 320 p.

92. B.B. Дворкин, H.H. Дзбановский, П.В. Минаков, H.B. Суетин, А.Ю. Юрьев // Физика плазмы, т. 29, №9 (2003) 851-857

93. V.V. Dvorkin, N.N. Dzbanovsky, N.V. Suetin, E.A. Poltoratsky, G.S. Rychkov, E.A. Il'ichev, S.A. Gavrilov // Diamond Relat. Mater, 12/12 (2003) 2208-2218

94. B.B. Дворкин, H.H. Дзбановский, B.B. Сень, Н.В.Суетин // Высокие технологии в промышленности России. Материалы 8й Международной научно-технической конференции, Москва, ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2002,11-13 сентября, стр. 28-32

95. В.В. Дворкин, Н.Н. Дзбановский, НВ.Суетин // Труды 3го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии, Иваново- Плёс, 1621 сентября 2002 г., т.2, стр. 271-274

96. V.V. Dvorkin, N.N. Dzbanovsky, V. Sen, N.V. Suetin I I Book of Abstracts of 5th International Workshop on Microwave Discharges : Fundamentals and Applications. Greifswald, Germany, July 08-12, 2003, p. 123