Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ефремов, Артем Александрович

• Ефремов, Артем Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ефремов, Артем Александрович

ф Введение.

Глава 1. Исследование механизма уменьшения квантовой эффективности электролюминесценции и механизма потерь на безызлуча-тельную рекомбинацию в InxGai.xN/GaN светодиодных структурах ^ при высоких уровнях инжекции.

1.1. Обзор литературы.

1.1.1. Общие сведения о InxGai.xN/GaN светодиодной структуре.

1.1.2. Механизм протекания тока в InxGaixN/GaN структуре.

1.1.3. Механизм уменьшения эффективности электролюминесценции InxGai.x/GaN структуре с ростом уровня инжекции.

1.1.4. Постановка задачи. fg 1.2. Методика эксперимента.

1.2.1. Описание измерительной установки.1 б

1.2.2. Исследуемые структуры.

1.3. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InojGao.s/GaN свето диодов.

1.3.1. Экспериментальные данные.

1.3.2. Туннелирование и инжекция в светодиодной структуре с InGaN/GaN квантовой ямой. Туннельно-рекомбинационная модель избыточного тока в светодиодных структурах.

1.3.3. Туннельно-рекомбинационный ток при U > Uel- Пиннинг уровня Ш Ферми на гетерогранице InGaN/GaN и подавление инжекции в InGaN квантовую яму.

1.3.4. Возможные причины инжекционных потерь в светодиоде.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов»

Нитрид галлия (GaN) был синтезирован более чем 50 лет назад Джузой и Ханом [1] пропусканием аммиака через разогретый галлий. С помощью данного метода GaN производился в виде маленьких игольчатых и пластинчатых кристаллов. Целью авторов было изучение кристаллической структуры и постоянной решетки GaN в контексте систематического изучения различных химических соединений.

Два десятилетия спустя Гриммис и др. [2] использовали схожую технологию для получения маленьких кристаллов GaN с целью измерения их фотолюминесцентного спектра.

Еще десять лет спустя Маруска [3] используя технологию химического парового осаждения, вырастил пленку GaN большой площади, используя в качестве подложки сапфир.

Во всех трех работах были получены сильно проводящие образцы n-типа, и считалось, что донорами являются вакансии азота. Однако позднее, это предположение было подвергнуто сомнению, и в качестве донора влияющего на n-проводимость был предположен кислород [4].

Работа [3], а так же производство первого светодиода [5] вызвала сильный интерес, и многие лаборатории занялись исследованием GaN. Первый GaN светодиод был M-i-n типа (М - металл) и мог эмитировать голубой, зеленый, желтый или оранжевый свет в зависимости от концентрации цинка в активном регионе [б].

В ходе исследований на основе отдельных кристаллов GaN были получены: антистоксовые свето диоды [7], поверхностный волновой акустический генератор [8] и солнечно-слепой ультрафиолетовый фотодетектор. Несмотря на эти достижения, проводящий р-GaN был все еще недоступен, и это в значительной степени ограничивало приборное применение нитрида галлия.

В 1988 году доктор Амано исследовал катодолюминесценцию GaN:Mg на сканирующем электронном микроскопе и обратил внимание на увеличение яркости свечения во время сканирования образца. Фотолюминесцентное исследование образца до и после облучения низкоэнергетическим электронным пучком (LEEBI) показало увеличение эффективности люминесценции на два порядка [9]. Последующие Холловские измерения показали, что исследуемый слой GaN стал проводящим р-типом. Этот удивительный феномен конверсии типа проводимости под воздействием пучка электронов был объяснен ван Вех-теном в работе [10]. Он предположил, что мелкий акцепторный уровень Mg был скомпенсирован атомами водорода образующими комплексы с атомами магния (подобно водородным комплексам с акцепторами в кремнии [11]). Энергия электронного пучка разрушала комплекс, и Mg становился мелким акцептором, лежащим примерно 0.16 эВ над валентной зоной [12]. Вскоре после этого Накамура установил, что отжиг GaN:Mg при температуре 750° С в атмосфере азота или в вакууме также приводит к конверсии типа проводимости [13].

После успешного решения проблемы р-типа GaN и использования InxGai.xN в качестве активного слоя светодиодных структур С. Накамуре удалось в 1994 году разработать яркие голубые и зеленые светодиоды [14]. Комбинация голубого светодиода с желтым люминофором позволила вскоре создать белые светодиоды - прототипы твердотельных ламп.

Важнейшей задачей для создания конкурентно-способного твердотельного освещения является увеличение эффективности светодиодных ламп. Эффективность лучших промышленных светодиодов на основе GaN достигает 15^-35%. Однако максимальная внешняя квантовая эффективность наблюдается при небольших токах 0.1 -f-1 мА, и уже при рабочем токе 20 мА она заметно падает [15]. Механизм падения эффективности в InxGai.xN/GaN структурах исследован недостаточно. Обычно падение эффективности с уровнем инжекции связывают с уменьшением вероятности захвата носителей заряда в In-GaN квантовую яму [15]. Однако наблюдающиеся зависимости эффективности от температуры не могут быть объяснены в рамках этих представлений [16]. Понимание физического механизма уменьшения эффективности InxGai.xN/GaN структур важно для технологического решения данной проблемы.

Поскольку эффективность светодиодов пока менее 50%, большая часть электрической энергии, потребляемой светодиодом, рассеивается в виде тепла. Перегрев структур протекающим током ограничивает эффективность и срок службы InxGai.xN/GaN светодиодов. Поэтому анализ теплового режима светодиодных структур также требует детального изучения.

Проблеме уменьшения оптических потерь в InxGai.xN/GaN светодиодных структурах в настоящее время посвящены многие исследования [17]. Это вызвано тем, что свет, генерируемый в активной области, испытывая полное внутреннее отражение, проходит большой путь в пленке GaN. Поэтому процессы поглощения и рассеяния, определяемые плотностью дефектов в GaN, могут оказывать существенное влияние на выход света. В связи с этим необходимы прямые измерения оптических потерь на длине волны генерируемого света в светодиодной структуре.

Цель работы состояла в исследовании основных механизмов, ограничивающих эффективность InxGa|.xN/GaN светодиодов. Ее достижение было связано с решением трех задач:

1. Исследование механизма уменьшения эффективности InxGai.xN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока (более 2 мА).

2. Исследование влияния перегрева активного слоя на эффективность InxGai.xN/GaN светодиодов.

3. Исследование влияния поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InxGaixN/GaN светодиодов.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. Падение эффективности электролюминесценции «-GaN/InGaN/p-GaN структур в диапазоне рабочих токов 5 20 мА обусловлено безызлучательной рекомбинацией на состояниях, локализованных на гетерограницах InGaN/GaN, и уменьшением коэффициента инжекции носителей заряда в InGaN/GaN квантовую яму с ростом напряжения в результате пиннинга уровня Ферми на гетерограницах.

2. Механические напряжения, создаваемые металлизацией р-споя GaN, приводят к неоднородности инжекции по площади InGaN/GaN светодиодной структуры. Увеличение емкости участка структуры под р-контактом после деградации светодиода приводит к временной задержке (-20-40 не) в распространении электролюминесценции по площади структуры.

3. Рабочие токи обычных GaN светодиодов могут быть увеличены в 5-7 раз (с соответственным увеличением выхода света) при оптимизации теплоотвода.

4. Коэффициент ослабления света, генерируемого в активной области тонкопленочных светодиодных структур, может быть определен из отношения интенсивностей излучения, выходящего по нормали и параллельно плоскости структуры

Диссертация состоит из Введения, трех глав и Заключения, содержит 103 страницы, из которых 31 с рисунками, и библиографию из 101 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ефремов, Артем Александрович

3.6. Выводы главы

Предложена методика и определен коэффициент ослабления света в светодиодных структурах. Коэффициент ослабления составил 90±15 см"1 на длине волны 465 нм.

Установлено три основных диапазона углов, в которых свет может выйти из исследуемой светодиодной структуры.

Проведена оценка выхода света из светодиодной структуры на основе геометрической оптики с учетом поляризации генерируемого света в квантовой яме, его отражения и ослабления в GaN слое.

Установлено, что только 26% света могут выйти из исследуемой в работе структуры. 14% света имеющего возможность выйти из светодиодной структуры поглотится или рассеется внутри материала.

Заключение

Главные результаты работы могут быть сформулированы следующим образом.

1. Впервые исследованы переходные токи в InxGai.xN/GaN светодиодных структурах. Обнаружено, что переходные токи по величине превосходят стационарные на несколько порядков, и их изменение с прямым напряжением имеет тот же характер, что и изменение стационарных токов.

2. Переходные и стационарные ВАХ, температурные зависимости эффективности электролюминесценции и тока объясняются в рамках туннельно-рекомбинационной модели протекания тока в InxGai.xN/GaN светодиодных структурах, в предположении существования двух групп состояний на гетерограницах.

3. Обнаружено, что захват носителей заряда состояниями гетерограниц InxGai.xN/GaN приводит к пиннингу уровня Ферми и контролирует токовый транспорт в структуре.

4. Обнаружен ступенчатый характер температурной зависимости эффективности электролюминесценции InxGaixN/GaN светодиодных структур. Впервые показано, что температурное поведение эффективности электролюминесценции в области температур 77-300 К имеет при малых и больших уровнях инжекции противоположный характер. Эти данные также объяснены на основе предложенной туннельно-рекомбинационной модели.

5. Уменьшение эффективности электролюминесценции с ростом тока через InxGai.xN/GaN структуру связано с уменьшением инжекции носителей заряда в InGaN квантовую яму и увеличением доли тока, обусловленного безызлучательной рекомбинацией на гетерограницах. Оценена плотность состояний на гетерограницах InxGai.xN/GaN, составившая 3-Ю12 см Л

6. Обнаружена временная задержка (~20-40 не) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации, связанная с увеличением емкости структуры при деградации.

7. Выход света из обычных GaN структур может быть увеличен в 3 раза при увеличении рабочего тока в 5 раз и обеспечении отвода тепла предложенной конструкцией корпуса светодиода.

8. Предложена классификация светодиодов по мощности в зависимости от способа охлаждения.

9. Отмечена необходимость разработки твердотельных структур, способных работать при высокой температуре 150-К300 °С.

10. Предложена методика и определен коэффициент ослабления света в светодиодных структурах. Коэффициент ослабления составил 90±15 см"1 на длине волны 465 нм.

11. Проведена оценка выхода света из светодиодной структуры на основе геометрической оптики с учетом поляризации генерируемого света в квантовой яме, его отражения и ослабления в GaN слое.

Автор считает своей приятной обязанностью поблагодарить своего научного руководителя Юрия Георгиевича Шретера за постоянное внимание и интерес к работе. Дмитрия Викторовича Тархина за постоянные консультации и помощь в проведении экспериментов. Юрия Тоомасовича Ребане и Руслана Ивановича Горбунова за теоретическую поддержку работы и участие в обсуждении результатов исследования.

Хотелось бы выразить благодарность также всем сотрудникам кафедры «Физика полупроводников и наноэлектроники», а особенно Владимиру Ивановичу Ильину и Валерию Андреевичу Зыкову, за помощь в решении множества вопросов связанных с обучением в аспирантуре.

Отдельная искренняя благодарность научному сотруднику лаборатории «Неравновесных процессов в полупроводниках» Наталье Ивановне Бочкаревой, без участия которой эта работа была бы невозможна.

1 октября 2005г.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ефремов, Артем Александрович, 2005 год

1. , НаЬп Н., АПОГЙ 2. // АНцет. СЬет., 1938, Уо1. 234, р.282.

2. Спттегзз Н., Кое1тапз Ъ Н. Еппззюп пеаг (Ье аЬзогриоп ес!§е апс! о1Ьег еппззюп еЯес1з оГСаЫ // 2еИзсЬпЙ Гиег ЫаШгГогзсЬипе, 1959, Уо1. 14а, р.264.

3. Рапкоуе ^.I., МШег Е.А., ВегкеуЬе1зег 5.Е. ОаЫ Ыие Н§Ььет1ит§ с11ос1е5 // 1Хит1пе5сепсе, 1972, Уо1. 5, р.84.

4. Рапкоуе 1.1. Ьиттезсепсе 1П ОаЫ //^. Ьиттезсепсе, 1973, Уо1. 7, р. 114.

5. Рапкоуе 5.1. В1ие апП-51окез е1ес1го1ит1пезсепсе т ОаЫ // РЬуз. Кеу. Ьей-, 1975, Уо1. 34, р.809.

6. ЭиЯу М. Т., \Уап§ С, О'С1оск О.В. а а1. // .. Е1ес1. Ма1., 1973, Уо1. 2, р.359.

7. Атапо Н., АказаЫ I., Кого\уа Т. ег а1. // 5. Ьиттезсепсе, 1988, Уо1. 40-41, р. 121.

8. Уап УесЬ1еп З.А., 2оок 1.В., Н о т т § Н.Э. ОеГеа1т§ Сотрепза11оп 1П Мс1е Оар 8ет1соп- ёисЮгз Ьу ОГО\У1П§ 1П Н 1Ьа113 Кетоуес! Ьу ЬО\У Тетрега1иге Ое-1оп121П§ КдсНа1юп // 5рп. ..Арр1. РЬуз., 1992, Уо1.31, р.3662.

9. Рапкоуе ^.I., 2апгиссЫ Р.1, Ма§ее \У. Нус1го§еп 1осаП2а11Оп пеаг Ьогоп 1п зШсоп // Арр1. РЬуз. Ьап., 1985, Уо1.46, р. 421.

10. Аказак11., Атапо Н., Кко М. е1 а1. Р1ю1о1ит1пе5сепсе оГМ§-с!оре(1 р-1уре СаЫ апс! е!ес- 1го1иттезсепсе оГОаЫ р-п.ипс1юп ЬЕВ// ^ . Ьиттезсепсе, 1991, Уо1.48/49, р.666.13. №катига 5., 1\уазаЫ., ЗепоЬ М. е1 а1. //1рп. 1 Арр1. РЬуз., 1992, Уо1. 31, р.1258.

11. Ыакатига 3., Маки1 Т., Зепоп М. Сап<3е1а-с1аз5 Ы^Ь-Ьп^Ьтезз ГпОаЫ/АЮаМ йоиЫе- Ье1егоз1гисшге Ыие-Н§Ь1-ет1Шп§ сИодез// Арр1. РЬуз. Ьеи., 1994, Уо1. 64, р.1687.

12. Мика1 Т., Уатас1а М., Ыакатига 5. СЬагас1епзПсз оПпСаМ-Вазес! иУ/В1ие/Сгееп/АтЬег/Кес1 Ы8Ь1-Ет11Ппё ЭЫез //;рп. I Арр1. РЬуз., 1999, Уо1. 38, р.3976

13. Ноп А., Уазипаца й., За1аке А. е1 а1. ТетрегаШге йерепёепсе оГе1ес1го1иттезсепсе 1п- 1епз11у оГ^гееп апс! Ыие 1пСаЫ з1п81е-яиапШт \уе11 ПёЬ1-ет11Пп8 сНойез // Арр1. РЬуз.2001,Уо1.79,р.3723.

14. Ри)11 Т., Оао V., ЗЬагта К.. е1 а1. Гпсгеазе 1П 1Ье ех1гасПоп еШс"1епсу оГСаМ-Ьазес! П ет^Шпц сИойез У1а зигГасе гои§Ьетп§ // Арр1. РЬуз. Ьеи., 2004, Уо1. 84, р.855.

15. Ыакатига, М. Зепоп, N. Ы-аза, 5. е1 а1. ЗирегЬгщЬ! Сгееп 1пОаЫ 31п§1е-Риатит-\Уе11- 51гисШге Ь^Ы-Етиппе Окхкз// 1гр. I Арр1. РЬуз., 1995, Уо1.34, р.Ы332.97

16. На\укпс1§е М. Е., СЬегпз О. Оху^еп 5евге§а1юп Ю сПз1оса1юпз т СаN // Арр1. РЬуз. ЬеИ. 2005, Уо1. 87, р. 221903.

17. НазкеН В. А. е1 а1. ОеГес1 гес1исПоп т (1100) т-р1апе §аШит т1пс!е \\а 1а1ега1 ерИах1а! оуегого\у1Ь Ьу Ьус1г1с1е уарог рЬазе ер11аху // Арр1. РЬуз. ЬеК., 2005, Уо1. 86, р. 111917.

18. За'Гю Н. е1 а1. Марр1п§ оГтиШр1е-циап1ит-\уе111ауегз апс! з1гис1иге оГУ (1еГес15 1п 1п- СаЫ/ОаЫ сНоёез // Арр1. РЬуз. ЬеП., 2004, Уо1. 84, р.2271.

19. У1зсопи Р. е1 а1. О1з1оса11оп с1епз11у т ОаМ Йе1егт1пей Ьу рЬо1ое1ес1госЬет1са1 апс! Ьо1- \уе1 е1сЫп§ //Арр1. РЬуз. Ье«., 2000, Уо1. 77, р.3532.

20. Мика1 Т., Моп1а М., Ыакатига 5. Н1бЬ-ро\уег 11У 1пСаМ/А1СаЫ с1оиЫе-Ье1егоз1гис1иге ЬЕОз 1П. Сгуз1. СГОЛУШ., 1998, Уо1. 189/190, р.778.

21. СЫсЫЬи 8., АгиЬаШ Т., 8о1а Т. е1 а1. ЗропШпеоиз ет1зз1оп оПосаНгес! ехскопз 1п 1пОаИ 51п§1е апс! тиШяиап1ит \уе11 з1гис1игез // Арр1. РЬуз. Ьеи., 1996, Уо1. 71, р.4188.

22. СЫсЫЬи 8., АгиЬа(а Т., Зо1а Т. е1 а1. Ьиттезсепсе Ггот 1осаИ2ес1 з1а1ез т 1пОаЫ ерНау- егз // Арр1. РЬуз. Ье«., 1997, Уо1. 70, р.2822.

23. Ыашкахуа V., Качуакат! У., Рцр1а Зг., е1 а1. / К.есотЫпа1юп ёупат^сз оПосаПгеё ехс1- Юп5 1П 1по.2оОао.8оН-1по озС^о 95^ ти1пр1е ^иап^ит \уе11з // РЬуз. Кеу., 1997, Уо1. В55,Р.1938Я.

24. Ыагикаша У., Кашакагш У., РипаЮ М. е1 а1. Яо1е оГзе1Г-Гогтес! 1пОаЫ циапШт с!о1з Гог ех1Юп 1оса1|2а11оп т 1Ье ригр1е 1азег (Иос1е е т т т § а1 420 п т // Арр1. РЬуз. Ьеи., 1997, Уо1.70, р.981.

25. СЫсЫЬи 8., \Уас1а К., №катига 8. 5ра11а11у гезо1уес! са1Ьос!о1игшпе5сепсе зрес1га оПп- СаЫ циатит \уе11з//Арр1. РЬуз. ЬеП., 1997, Уо1. 71, р. 2346.

26. Кяо М., Клт Э., МаЬа.ап 5. Сотроз111опа1 с1ерепс1епсе оГрЬазе зерагаПоп 1П 1пОаЫ 1ауегз // Арр1. РЬуз. Ьеи., 2004, УО1. 85, р. 1961.98

27. СЫсЫЬи 8., МагсЬапс! Н., Мтзку М. 5. е1 а1. Егшззюп тесЬатзтз оГЬи1к СаЫ апо1 1п- СаЫ циаМит \уе11з ргерагес! Ьу 1а1ега1 ернах1а1 оуег^го^Ь // Арр1. РЬуз. Ьеи., 1999, Уо1. 74,р. 1460.

28. Сазеу Н.С., Зт., МшЬ .., КпзЬпапкиНу 8. е1 а1. Ооттапсе оГШппеПп§ сиггеп! аш! Ъапс! ПИтд т 1пСаМ/А1СаМ йоиЫе Ье1егоз1шс1иге Ыие Н§Ы-епиИт§ сНоа'ез // Арр1. РЬуз. Ьеи.,1996, УО1. 68,р.28б7.

29. Н. Могкос. Ми-Ые ЗегшсопёисЮгз апс! Эеукез // Зрпп§ег-Уег1а§ ВегПп Не1с1е1Ьег§, 1999.

30. Ва1а§1игоу Ь., СЬоп§ РХ // Арр1. РЬуз. Ьеи., 1996, УО1. 68, р.43.

31. Мамакин С., Юнович А.Э., Ватгана А.Б. и др. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов 1пОаЫ / СаЫ с модулированно-легированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, т.37, с.1131.

32. Сао Х.А, ЬеВоеиГЗ.Р., Ь1и Н. е1 а1. ТетрегаШге - йерепйеп! етгззюп нйепзиу апс! епег^у зЫЙ 1п 1пСаМ/СаМ тии^р1е-^иапШт-\Vе11 Н§Ь1-ет1ит§ сИойез //Арр1. РЬуз. Ьеи., 2003, Уо1.82, р.3614.

33. СЬо У.Н., Сатег О.Н. е1 а1. ТетрегаШге йерепдет ет1зз1оп зЫЙ апс! сатег (1упап11С5 т 1пОаШЗаМ тиШр1е яиаШит ууеИз //Арр1. РЬуз. ЬеП., 1998, Уо1. 73, р.1370.

34. Тео К.Ь., СоИоп 13., Уи Р.У. е1 а1. Ап апа1уз13 оГ1етрегаШге ёерепйеШ рЬо1о1ит1пез- сепсе Нпе зЬарез 1П 1пОаЫ // Арр1. РЬуз. Ьеи., 1998, Уо1. 73, р.1697.

35. К.еЬапе У.Т., ВосЬкагеуа N.1, Вои§гоу У.Е. е1 а1. Ое§гас1аПоп апс! 1гапз1еп1 сиггеп1з 1П III- пИпс1е ЬЕБз // РгосеесНпёз оГ8Р1Е, 2003, Уо1. 4996, р.113.

36. ОеШато 5. А., 8\уапзоп К. М. // ШЕЕ Е1ес1гоп Беуюе Ьеи., 1986, Уо1. ЕЭЬ-7, р.629. 46.1т Л.З., Моп1г А., 31еиЬег Р. е1 а1. КасИаПуе сагпег ПГе11те, т о т е п Ш т та1пх е1етеп1,апа Ьо1е еГГесиуе тазз 1п СаЫ // Арр1. РЬуз. Ьеи., 1997, Уо1. 70, р.631.

37. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов / М., Наука, 1965.

38. ВШсЬег К.З.А., Т1ттегз Н., АЯГийсИп е1 а1. ЬО\У ТетрегаШге Ы11пс1е 5ет1сопс1ис1ог СГО\У1Ь // Л. Арр1. РЬуз., 2002, Уо1.92, р.3397.

39. Агз!ап I., Вго\уптд N.0. Ко1е оГОху§еп а1 Зсге^ О1з1оса11опз 1П ОаЫ // РЬуз. Кеу. Ьеи., 2003, Уо1.91,р.165501.

40. Е1зпег}., Оеер ассерЮгз 1гаррес1 а1 (ЬгеасИпд-ео'йе сИзЬсайопз 1п СаЫ // РЬуз. Кеу. В, 1998, Уо1. 58,с.12571.99

41. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / М., Наука, 1971.

42. Кирилова СИ. // ФТП, 1992, т. 26, с. 1399.

43. Дубровский Ю.В., Морозов СВ. Поверхность. Физика, химия, математика // 1987, т. 9, с.143.

44. Спзсот В.Ъ. 8е1Г-1гаррес1 Ьо1е5 т атогрЬоиз зШсоп сПохЫе // РЬуз. Кеу. В, 1989, Уо1. 40, р.4224.

45. ЗрИгег А., Ко1т. А., ЬшЬ Н. ТЬе айзогрпоп оГН2О оп Си(ЮО) зигГасез // ЗигГ. Зек, 1989 УО1. 152/153, р.543.

46. Ниап§ .1.У/., КиесЬ Т.Р., Ьи Н. е1 а1. Е1ес1пса1 сЬагас1еп2а1юп оГ М^-йореа1 ОаЫ §ГО\УП Ьу те1а1ог§ашс уарог рЬазе ерНаху // Арр1. РЬуз. ЬеП., 1996, Уо1. 68, р.2392.

47. ОоппеИу .1.Р., МПпез А.О. // ШЕЕ Тгапз. Е1ес1гоп. Оеу., 1967, Уо1. ЕО-14, р.63.

48. Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А. и др. Широкозонные полупроводники // Санкт- Петербург, Наука, 2001, 125с

49. XI У., ЗсЬиЬеП Е.Р. 1ипсиоп-1етрегаШге теазигетеп! т ОаЫ икгаУ1о1е1 Н§пх-еттт§ д1оо!ез из1п§ (Иос1е Гогшаго! уоиа§е те1Ьос1 // Арр1. РЬуз. ЬеП., 2004, УО1. 85, р.2163.

50. XI У., XI ^.-^., Сеззтапп ТЬ. е! а1.1ипс11оп апс! сагпег 1етрега1иге теазигетеШз 1П йеёр- икгаУ1о1е1 П2Ь1-ет1«1п§ (1ю(1е5 из1п§ 1Ьгее сИГГегет те1Ьос1з // Арр1. РЬуз. Ьеи., 2005, Уо1. 86,р.031907.

51. Ьее 8., Зопу 3., Аи V. е1 а1. // РгосеесПпёз оГАЗМЕЛЗМЕ ТЬегта1 Еп81пеепп8 СопГег- епсе, 1995, Уо1. 4, р.199.

52. Р.РЛпсгорега, Ое Ш1и, Э.Р., РипдатепЫз оГНеа! апо1 Мазз ТгапзГег//ДоЬп \УИеу & Зопз, Ые\у Уогк, ЫУ, 1990, р.543.100

53. У и С , \Уап§ С , 1зЫкаша Н. е1 а1. ОрПса1 ргорегйез оГчуиПгНе з1гис1иге СаЫ оп заррЫге агоипс1 Гипс1атеп1а1 аЬзогрНоп ес1^ е (0.78-4.77 еУ) Ьу зрес1гозсор1с еШрзоте1гу апс! 1Ье ор11-са1{гапзгшззюп теШсх! // Арр1. РЬуз1с. ЬеП., 1997, УО1. 70, р. 3209.

54. Атапо Н., ^а1апаЬе Ы., Кснёе N. е1 а1. Коот-ТетрегаШге Ьо\у-ТЬгезЬо1с1 Зиг&се- Зити1а1е<3 Егтззюп Ьу Ор11са1 Ритр'тд Ггот АЮаЫ/СаЫ ОоиЫе Не1егоз1гис1иге // 1рп. 5.Арр1. РЬуз., 1993, УО1. 32, р.ЫООО.

55. Ми1Ь .1.Р., ВГО\УП Ю., 1оЬп5оп М.А.Ь. е1 а1. АЬ5Оф11оп СоеШаеп! апс! К.еГгас1*1Уе 1пс1ех оГ СаЫ, А1Ы, апё АЮаЫ АНоуз // МЯ5 1тете1 .^ // Ыкпс! Зетюопс!. Кез., 1999, УО1. 451,р.05.2.

56. Вои§гоу V., Ьеу1пзЬ1ет М.Е., Нитуатзеу 8.Ь. е! а1. т Ргорег11ез оГ Аёуапсес! Зегшсоп- йисюг Ма1епа1з ОаИ, А1Ы, 1пЫ, ВЫ, 51С, 2Юе // 1оЬп ^/Неу & Зопз, 1пс, Ые\у Уогк, 2001.

57. Уап§ 2., Хи 2. А ТЬеоге11са1 зШс1у оГекс^гопгс апс! орНса1 ргореП1ез т чуигггке СаЫ //1. РЬуз. Сопс1еп5. МаИег., 1996, УО1. 8, р.83ОЗ.

58. Вшппег В., Ап§егег Н., Виз1агге1 Е. е1 а1. Орйса! сопз1ап1з оГер11ах1а1 АЮаЫ й ! т з апс! {Ье1г 1етрегаШге ёерепдепсе //1. Арр1. РЬуз, 1997, УО1. 82, р.5090.

59. ЗсЬас! 3., ЫеиЬег1 В., Е1сЫег е1 а1. АЬзогрйоп апс! ЪщЫ Зса«епп@ 1п 1пОаЫ-оп- ЗаррЫге- апд А1Са1пР-Вазес1 Ь1§Ы-Ет1«т§ Оюйез // 5. оШ§Ь1\уауе ТесЬпо1о§у, 2004, УО1.22, р.2323.

60. АтЬасЬег О., Ше§ег V/., Апзтапп Р. е1 а1. ЗиЬ-Ьапёдар аЬзоф1юп о{"§а1Пит П11пс1е ёе- 1егттес1 Ьу рЬоЮШегта! с!еЯес1юп зрес1гозсору // Зо1. 81а1е Соттип., 1996, УО1. 97 (5),р.365.

61. Ыакатига 3., ЗепоЬ М., Ыа§аЬта 5. е1 а1. // Арр1. РЬуз. ЬеП., 1996, УО1. 69, р. 1568.

62. МиШ 5. Р., Ьее I. Н., ЗЬта§1п I. К. е1 а1. // Арр1. РЬуз. ЬеП., 71,2572, 1997.

63. Те1ззеуге Н., РегП Р., ЗизЫ Т. е1 а1. //}. 5ип, I Арр1. РЬуз., 1994, УО1. 76, р.2429.

64. РчеЬапе У.Т., СогЬипоу К.Л., 5Ьге1ег У.С. Ы§Ь1 ех1гасПоп Ггот Ьщ ЬЕО сЫрз \У11Ь Ы§Ь с1епзиу оПЬгеасПп§ сИз1осаиопз // РЬуз. 51а1. зо1. (а)., Ю Ье риЬПзЬес!.

65. Ьее Т.Х., Ып У., Ма 3. Н., е1 а1. Апа1уз15 оГро51Поп-аерепс1ет Н§Ь1 ех1гасиоп оГОаЫ- Ьазес! ЬЕБз // ОрПсз Ехргезз, 2005, Уо1. 13, р. 4175.

66. Наг1е V., НаЬп В // РЬуз. 51а1. 5о1. (а), УО1. 180, р.2000.

67. Мегег П., Кгатез М.К., ^.Е. Ер1ег е1 а1.1пОаЫ/СаЫ яиап1ит-\уе11 Ье1егоз1гис1иге ПёЬ1- ет1и1пё сИос!е5 етр1оу1пе рЬоЮшс сгуз1а1 51гис(игез // Арр1. РЬуз. ЬеП., 2004, УО1. 84, р.3885.

68. У/тсПзсЬ К.., Коотап С , МеЫзсЬгшсК 5., е1 а1.1трас1 оГ1ехШге-епЬапсес! 1гап5т1551оп оп зигГасе-1ехШгес! П2Ь1-ет1тп8 сИос!е5 // Арр1. РЬуз. Ьеи., 2001, УО1. 79, р.2315.101

69. Кгатез М.К.., ОсЫа1-Но1сотЬ М., НоПег О.Е. е1 а1. Н18Ь-ро\уег 1гипса1е(1-туег{ес1- ругатЫ (А1хСа|_,)о.51по.5Р/ОаР Н§п1-егтПш§ сИо^ез ехЫЬШп§ >50 ех1егпа! циапШт еШаепсу// Арр1. РЬуз. Ье«., 1999, УО1. 75, р.2365.

70. ЗсЬтЫ XV., ЗЬегег М., 1а§ег К. е1 а1. ЕГПаеп1 П§Ь1-егт1Нп2 сИоскз \УИЬ гас11а1 ои1соирПп§ 1арег а1 980 апё 630 п т егшззюп ууауе1еп§1Ь // Ргос. ЗРШ, 2001, УО1. 4278, р. 109.

71. ВогосШзку М , Кгаизз Т.Р., СоссюН К.. е1 а1. Ъ'щЫ ех1гасНоп Ггот орйсаНу ритрес! Н§Ь1- е т Ш т § Йюс1е Ьу 1Ып-з1аЬ рЬоЮшс сгуз1а1з // АррКРЬуз.ЬеК., 1999, Уо1. 75, р. 1036.

72. ЛУ1псЛ5сЬ К.., БиПа В., Киук М. е1 а1. Р. 40% еШс^еШ 1Ып-Г11т зигГасе-1ех1игес1 Н§Ы- ет1«1п§ сИос1ез Ьу орйт12аПоп оГпаШга! Н1Ьо§гарЬу // ШЕЕ Тгапз. Е1ес1гоп. Оеу^сез, 2000,уо1.47,р.1492.

73. ВЬа1 ..С, К л т А., СоШпз Б . е1 а1. Н1еЬ ЕШсгепсу МопосЬтота^с апс1 МхНе 1пОаЫ РНр- СЫр О1се // Ьир://\улууу'.1итИес1з.сот/р(1йЛесЬрарегзрге5/13С32001.РВР

74. Тиап1гапоп1 А., ВщЫ V. М., 2Ьап§ XV. е1 а1. РПр-СЫр 1п1е§га1юп оГЬепз1е1 Аггауз оп Зе§теп1ес1 БеГогтаЫе М1сгот1ггогз // РгосеесИп§5 оГШе 1999 1п1ета1юпа1 ЗосГе^у Гог Ори-са1 Епеюееппе (ЗР1Е Ч99) 1999, УО1. 3680 р. 668-678.

75. Мегег 1.1., 31е1§ег\^аИ О. А., Кгатез М. К.. е1 а1. Н^Ь-роу/ег АЮа1пМ Й1р-сЫр Н§Ь1- е т 1 т п § сНоскз // АррЬРЬузХеП., 2001, УО1. 78, р.3379.

76. Сеп(ег Гог С^иапШт Оеу^сез, Напо(есЬпо1о§у У51П§ Е1ес1гоп В е а т 1л1Ьо§гарЬу Ьир://сяс1.есе.пог1Ьи'е51егп.е(1и/ге5еагсЬ/ЕЬеатЫ1Ьо.р(1Г

77. Мазика Н., Уо15иуа М., Азапо М. е1 а1. 8е1Г-гера1г оГогёегес! раНет оГпапоте1ег Л т е п - 31ОП5 Ьазес1 оп 5е1Г-сотрепзапоп ргоретез оГапод1с рогоиз а1ит1па// Арр1. РЬуз. Ьеи., 2001,УО1. 78, р.826.

78. Одег Т.Ы., Клт К.Н., Ып ..У. е1 а1. Ш-п11пс1е Ыие апй икгаУ1о1е1 рЬо1ошс сгуз1а1 УщЫ ет11Пп8 Лос1е5 // Арр1. РЬуз. Ьеи., 2004, УО1. 84, р.466.

79. ЗЬакуа .., К1т К. Н., ^^п ]. У. е1 а1. ЕпЬапсес! П§Ь1 ех1гас1юп 1П Ш-П11п(1е икгаую1е1 рЬоЮшс сгуз1а1 Н2,Ь1-ет1тп8 Ло^ез // Арр1. РЬуз. Ье11., 2004, УО1. 85, р. 142.

80. Ьш V., БаКа А., \Уап§ V. Ь. Огскгес! апосПс а1шпша папосЬаппе1з оп ГосизесМоп- Ьеат-ргераНегпей а1ит'тит зшГасез // Арр1. РНуз. Ьеи., 2001, Уо1. 78, р. 120.

81. Сидоров В.Г., Дрижук А.Г., Шагалов М.Д. и др. Повышение эффективности 1-п-ОаЫ- ш светодиодов с помощью электрохимического травления // Письма в ЖТФ, 1999, т. 25, с.25.

82. Сао У., Сгауеп М. Э., Зреск I. 3. е1 а1. О1з1осаиоп- апс! сгу5*а11о§гарЫс-с1ерепа|еп1 рЬоЮ- е1ес1госЬет1са1 \уе1 е1сЫп§ оГ§а11шт ш1пс!е // Арр1. РЬуз. Ьеи., 2004, Уо1.84, р.3322.

83. СЬо Н., Оопоуап 5.М., АЬегпаШу К. е1 а1. Р1ю1ое1ес1госЬет1са1 е1сЫп§ оПпхОа1.чЫ // МК.З 1тете1 ; . Шнёе Зет1сопс1. Кез., 1999, Уо1. 451, р.О6.40.103