Исследование быстродействия диффузионных Р-П структур большой площади и разработка силовых кремниевых высокочастотных вентилей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Якивчик, Н. И.

• Якивчик, Н. И.
• 1967

Оглавление диссертации Якивчик, Н. И.

§ I» Переходный процесс накопления неосновных неравновесных носителей в базе р-п структуры.

§ 2. Переходный процесс рассасывания неравновесных носителей.«. IB а) Фаза сохранения обратного тока б) Фаза спада обратного тока.

Глава П. Исследование частотных свойств силовых кремниевых диффузионных вентилей*

§ I. Анализ переходных процессов в р-п структуре. а) Определение длительности и амплитуды "всплеска" обратного тока из решения уравнения непрерывности. б) Определение времени восстановления запорных свойётв р-п структуры методом заряда.

§ 2. Экспериментальные исследования процесса рассасывания дырок из п-базы р-п структуры. а) Исследуемые образцы и методика эксперимента б) Влияние прямого тока, частоты и времени жизни дырок в и-базе на "всплеск" обратного тока в) Влияние толщины п-базы в структурах тина р-п-п4" на их частотные свойства. г) Коэффициент выпрямления р-н переходом синусоидального сигнала.

Глава 1. Критерий быстродействия и расчет силовых кремниевых вентилей на повышенные частоты.

§ I» Влияние параметров базового сдоя на вольтамперную характеристику р-п структуры.

§ 2. Потери мощности в р-п структуре при выпрямлении переменного (синусоидального) тока. а) Потери мощности в прямой полупериод б) Комфсвационные потери мощности (потери в обратный полупериод) в) Предельная частота работы силового вентиля.

Выводы.

ЩСТЬ И. МЕТОДЫ РЕШИРШАНШ ВРЕМЕНИ ШШНЙ ШШШЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА. В БАЗЕ Р-П СТРУКТУРЫ.

Глава! X* Влияние золот на электрофизические параметры кремния и р-п структур на его основе,

§ I. Свойства кремния»легированного золотом.

§4. Зависимое®!» Тр от уровня инжекции и температуры.

§2. Влияние п+ и р+ слоев на диффузию золота в кремний.

§ 3. Рекомбинационные свойства золота в кремнии S /

Глава П« Исследование влияния золота на электрофизические параметры кремниевых диффузионных структур большой площади.

§ I* Влияние золота на время жизни дырок в п-базе р-н структуры а) Зависимость ТР от температуры диффузии Ли и режимов охлаждения по окончании диффузии. б) Влияние продолжительности диффузии Л-и на величину Тр * в) Влияние технологии создания н+ и р+ слоев удельного сопротивления базового слоя на время жизни дырок в нем.

§ 2* Зависимость концентрации золота в кремнии от температуры его диффузии.

§ 3. Другие методы регулирования времени жизни дырок в п-базе р-п структуры. а) Диффузия титана из ЪОг б) Резкое охлаждение структуры после создания н+ контакта ог /<м

Глава 1. Вольтамперные характеристики диффузионных р-п структур, легированных золотом.

§ I. Экспериментальная зависимость обратного тока от температуры р-п перехода,темпера*^/ диффузии (концентрации) золота и удельного сопротивления исходного кремния.

§ 2. Анализ обратной ветви вольтампернрй характеристики р-п структур легированных золотом. а) Диффузионная составляющая обратного тока б) Рекомбинационная составляющая обратного тока в) Номограмма джя расчета электрофизических параметров р-п структур, легированных золотом

Выводы.

ЧАСТЬ Ш. РЕЗУЛЬТАТЫ РАЗРАБОТКИ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИФФУЗИОННЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ВЕНТИЛЕЙ.

Глава I. Технология изготовления выпрямительных элементов и конструкция вентилей

§ I. Метод изготовления диффузионных быстродействующих р-н структур большой площади. /

§ 2. Конструкция силовых кремниевых высокочастотных вентилей серии ВКДЧ.

Глава П. Параметры разработанных высокочастотных вентилей серии ВЩ и особенности их работы.

§ I. Вольтамперная характеристика вентилей верил ВКДЧ.

§ 2. Нагрузочная способность вентилей серии ВЩ на промышленных (504500 гд) и высоких частотах.

Основные результаты работы. . /

Дитератда.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование быстродействия диффузионных Р-П структур большой площади и разработка силовых кремниевых высокочастотных вентилей»

Бурное развитие силовой преобразовательной техники выдвигает принципиально новые требования к свойствам силовых полупроводниковых приборов. Так, например» разработка преобразователей частоты, создание генераторов униполярных импульсов для электроэррозионной обработки материалов и т.п. привели к необходимости выпрямления переменного тока большой мощности и высокой частоты. Естественно, что применение силовых полупроводниковых вентилей для этих целей возможно при условии получения достаточно высокого КОД и минимальных коммутационных потерь мощности в вентилях. Это может быть выполнено при малых длительностях переходных процессов, протекающих в р-п структурах, т.к. расчеты и эксперимент показывают, что именно в этот период имеют место большие потери мощности.

Малая инерционность переходных процессов в р-п структурах значительно упрощает также эксплуатацию силовых полупроводниковых вентилей на любых частотах и» особенно, при последовательном соединении.

В настоящее время в качестве силовых полупроводниковых вентилей применяются, практически, только такие вентили, выпрямительные элементы которых изготовлены на основе высоко-омного кремния п-тша. Ввиду того, что концентрация акцепторов в р-области р-п структуры значительно больше концентрации; доноров в п-области, время жизни дырок в н-области значительно больше времени жизни электронов в р-области; высокий уровень инжекции достигается в р-области при значительно больших токах» чем в п-области и,наконец, толщина п-области значительно больше толщины р-области, инерционные свойства структуры определяются переходными процессами накопления и рассасывания неравновесных дырок в п-базе. Исследованиям именно этих вопросов и посвящена работа по создани© силовых кремниевых вентилей, способных работать на частотах в несколько десятков килогерц*

Диссертационная работа состоит из трех частей.

В первой части работы приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований быстродействия кремние-* р вых диффузионных р-п структур большой площади ( ^ 3 см ).

Вторая часть работы посвящена исследованию методов регулирования величины времени жизни неосновных носителей заряда в базовом слое р-п структуры - параметра, определяющего частотные свойства вентилей.

В третьей части работы изложены результаты разработки силовых кремниевых диффузионных высокочастотных вентилей. Описаны технология изготовления, конструкция и основные характеристики разработанных высокочастотных вентилей серии ВЩ.

Работа выполнена в лаборатории полупроводниковых приборов ордена Ленина, Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе АН СССР, возглавляемой лауреатом Ленинский и Государственной премий, заслуженным деятелем науки и техники РСФСР,доктором физико-математических наук, профессором В*М.Тучкевичем.

ЧАСТЬ I

БЫСТРОДЕЙСТВИЕ КРЕМНИЕВЫХ ДИФФУЗИОННЫХ Р-П СТРУКТУР БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ.

Глав а I

ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В Р-П СТРУКТУРАХ

§ I. Переходный процесс накопления неосновных носителей в базе р-п структуры

Из и др. извести®, что при протекании прямого тока через р-п переход при достаточно большом коэффициенте инжекции преобладает диффузионная составляющая тока, представляющая собой поток носителей заряда, преодолевших потенциальный барьер и проникающих вглубь базы, где они являются неосновными носителями. В результате этого концентрация неосновных носителей в базе может существенно возрасти по сравнению с равновесной.

Ввиду конечности времени жизни неосновных носителей, инжектированных в базу, в последней создается вполне определенное распределение неосновных неравновесных носителей в пространстве (в объеме базы) и во времени. Это явление получило название "эффекта накопления" неосновных носителей в базе. Учитывая тот факт, что наиболее широкое распространение на практике получили р-п структуры, созданные на основе высоко-©много п-кремния, ограничимся рассмотрением поведения дырок в п-базе (закономерности поведения электронов в р-базе совершенно аналогичны). Схематическое распределение неосновных неравновесных носителей в р-п структуре показано на рие.1.

Рис Л. Распределение неосновных неравновесных носителей в р-п структуре. Концентрации дырок р р+йр и электронов л, П4-й*L соответствуют токам через р-й структуру Г/у Тп/> аТпр.

Появление избыточной концентрации дырок в и-базе в соответствии с принципом электрической нейтральности, вызывает равноценное увеличение концентрации основных носителей электронов. Следует отметить, что этот процесс компенсации объемного заряда дырок объемным зарядом электронов происходит практически мгновенно по сравнению с другими переходными процессами.

В связи с тем, что концентрация дырок вблизи р-п перехода значительно выше, чем в остальном объеме базы ) созданный градиент ведет к диффузии дырок вглубь базы. Так как этот процесс сопровождается рекомбинацией, то концентрация дырок по мере удаления от р-п перехода стремится к равновесному значению Рп (см. рис Л). Это снижение концентрации неравновесных дырок в случае низкого уровня инжекции (когда концентрация инжектированных дырок мала по сравнению с равт новесной концентрацией электронов) происходит по закону

В случае, если в базовой области р-п структуры имеет место градиент примесей, создающий электрическое поле Е , то стационарное распределение дырок при обычно примдоемых допущениях описывается следующим диффузионно-дрейфовым уравнением^ :

Рх =Рп

ШЛ / ^ «й где t -время,

2> -коэффициент диффузии дырок.

Решение^уравнения (2) с учетом граничного условия, соответствующего протеканию прямого тока плотностью :

3)

4) о имеет вид где X - -нормированная координата,

Up р - X. ЕЬр - нормированное поле, а г

Р <hk hp

Уравнение (4) свидетельствует о том, что распределение инжектированных дырок в базе с учетом электрического поля имеет тот же характер, что и без его учета (описывается экспоненциальной санкцией).

Интегрируя уравнение (4) по координате от 0 до легко убедиться в том, что величина заряда накопленных дырок не зависит от величины электрического поля в п-базе и равна:

Qp =1пР. % (5)

Увеличение прямого тока ( Тп/а. ) приводит к увеличению концентрации неравновесных дырок в н-базе, а значит и к увеличению заряда (5). Это видно также из уравнения (I), т.к. величина Рн' экспоненциально зависит от прямого напряжеМ ния1 j $ р»'- р« е- " (6)

Изменение величины заряда ( Qp ) с изменением напряжения ( V ) можно рассматривать как действие некоторой емкости. Такую фиктивную емкость называют диффузионной, т.к. она связана с диффузионной составляющей тока через р-п переход. Следовательно, диффузионную емкость можно представить как отношение изменения заряда к вызывавшему его изменению напряжения : лГ (7)

Полный заряд заряд инжектированных в базу дырок можно также получить интегрированием уравнения (I) во

-« 3 Ч- ^ (8) о где £ -площадь р-п перехода.

Или, учитывая выражение для тока через р-п переход

J- - l) (9) и принимая во внимание, что дырочная составляющая плотности тока через единицу площади р-н перехода равна: получаем: L

Sutr>- dv иг

Из (II), (5) и (7) видно, что величина диффузионной емкости тем больше, чем больше прямой ток и чем больше время жизни дырок в базе .

При небольших значениях прямого тока, т.е. когда вниолjfcT няетея условие £ кТ £ в (9), выражение (II) принимает

12)

Таким образом, влияние резко проявляется только в случае, если JT/»p. » » а если то ~ ° •

Величиной диффузионной емкости ( Суи<р. ) или, точнее, величиной заряда накапливаемых в п-базе дырок, определяются, в основном, переходные процессы в р-п структурах, используемых в качестве выпрямителей большой мощности ( T»r>- ^ ).

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Якивчик, Н. И.

Основные результаты проведенных исследований изложены в работах:

1. И .В.Грехов, И.А.Линийчук, В.М.Тучкевич, В.ЕЛелноков, В.Б.Шуман, Н.И.Якивчик. Влияние толщины базы в; диффузионных диодных и триодных кремниевых структурах на вольтампер-ную характеристику. "Физика р-п переходов" изд."3«а1[йе" Рига,196& г.

2. И.В.Грехо», И.А.Линийчук, Д.В .Лебедева, В.М.Тучкевич, В.ЕЛелноков, Б.Б.Шуман, Н.И.Якивчик.

Способ создания источника диффузии алюминия в кремний. Авт.евид. Л 176989 с приоритетом от 6 июля 1964 г.

3. Г.А.Ашкинази, А,И .Уваров, В.ЕЛелноков, В.Б.Шуман, Н.И.Якивчик. О частотных свойствах силовых кремниевых диффузионных вентилей. "Электричество** (в печати)

4.»ГД.Ашкинази, Х.Г.Вейс, В.С.Морозов, О.ГЛаусов, В.ЕЛелноков, Н.И.Якивчик. Силовые кремниевые вентили, в режиме коммутации. "Электричество" (в печати)

5. Г.А.Ашкинази, В.Е.Челноков, В.Б,Шуман,Н.И.Якивчик. Исследование переходных процессов в кремниевых р-п и р-п-р-п структурах. Ш Всесоюзное совещание и©) физическим явлениям в р-п переходах в полупроводниках. г.Тбилиси,1966.

6. Г.А.Ашкинази, Ю.П.Григорьев, В.В.Зумберов, В.Ж.Кузьмин, В .Е .Челноков, Н.ИЛкивчик. К расчету силовых кремниевых вентилей на повышенные частоты. "Электричество"(в печати)

7. Исследование быстродействия диффузионных р-п структур большой площади и разработка силовых кремниевых вентилей серии ВОТ на их основе. Отчет ФТИ им Д.Ф.Иоффе АН СССР и предприятия ц/я А-7368.

Кроме указанных работ в настоящее время опубликованы следующие материалы по исследованию р-п и р-п-р-п структур с участием диссертанта:

1. И .В .Грехов, А Д.Лебедев» И.А .Линийчук, В.М.Тучкевич, В.Е .Челноков, В.Б.Щуман, Н.И.Якивчик, Н.С.Яковчук.

О некоторых переходных процессах в кремниевых р-п-р-п-структурах. "Физика р-п переходов" изд."3инатне" г.Рига. 1966.

2. В Л .Челноков, В.Б .Шуман, Н.И.Якивчик. Исследование процессов включения кремниевых р-п-р-п структур. "Радиотехника и электроника",! II, 1966.

3. А.АДебедев, В.М.Тучкевич, А.И.Уваров, В.Е .Челноков,

В.Б,Шуман, Н.ИЛкивчик. Возможности повышения частотных свойств тиристоров. СЕТИ ВНИИЭМ, Москва,1966.

4# разработка и исследование высоковольтных силовых кремниевых диффузионных вентилей типа ВЕДУ. Отчет ФЖ им.А,Ф.Иоффе АН СССР и з-да. "Электровшрямитель" 1962.

5. Разработка и исследование силовых кремниевых симметричных управляемых вентилей типа В1ЩУС. Отчет ФТИ им.А.Ф.Йоффе АН СССР и з-да "Электровыпрямитель",1964.

6. Разработка и исследование; силовых обращенных управляемых диффузионных кремниевых вентилей серии, ВЩО, ВКДУШ и силовых симметричных управляемых диффузионных кремниевых вентилей типа ВДДУО-2 (ВКДУСВ-2). Отчет ФТИ им.А .Ф.Иоффе АН СШР, и МНИЭИ, 1965.

7. И .В .Грехов, Л .Н .Крылов, И.А.1иниЙчук, В.М.Тучкевич, В.Е .Челноков, В.Б,Шуман и Н.И.Якивчик.

Тиристоры серии В1ЩУ на токи 50*200а "Электроприводы с полупроводниковым управлением" изд."Энергия",1964.

8. И.В .Грехов, ИД.Линийчук, В.Е.Челноков, В.БЛуман, Н.И.Якивчик. О некоторых способах применения кремниевых диффузионных управляемых вентилей."Электричество", Л 2,1965.

9. И.В.Грехов, АДДебедев, И.АДинийчук, В.М.Тучкевич, А.И.Уваров, В.Е.Челноков, В. Б.Шуман, Н.И.Якивчик. Вольтамперная характеристика открытой диффузионной кремниевой четырехслойной структуры типа р-п-р-п.

Физика р-н переходов" изд."Зинатне",Рига, 1966.

10.И.В.Грехов, А.Н.Думаневш „ Ю.А.Евсеев, Л.Н.Крылов,

A.АЛебедев, И.&Динжйчук, А.ИДваров, В.М.Тучкевич,

B.ЕДелноков, В.Б.Шуман, Н.И.Якивчик.

О вольтамперной характеристике кремниевых диффузионных пятислойных структур тина р-п-р-п^"Физика р-п переходов^ изд. "Зинатне",Рига, 1966.

11. А.Н.Думаневич, ЮЛ .Евсеев, В.М.Тучкевич, В.Е .Челноков, Н.И.Якивчик. Силовые кремниевые диффузионные симметричные вентили (тиристоры) типа ВКДУС. "Электричество" В 5, 1966.

12. ИЗ.Грехов, А.А.Лебедев, И.А.Линийчук, В.М„Тучкевич,

A.И.Уваров, В„Е„Челноков, В .Б.Шуман,Н.И.Якивчик. Исследование коэффициентов усиления по току в диффузионных кремниевых р-п-р-п структурах с шунтировкой в эмиттере. "Физика р-п переходов" изд."Зинатне",г.Рига,1966

Е3. В.М.Волле, ИЗ .Грехов, Н.Н.Крюкова, В.М.Тучкевич,

B.Е.Челноков, В.Б,Шуман и Н.И.Якивчик. Силовые диффузионные кремниевые вентили с контролируемым лавинообра-зованием типа В1ЭДЛ."Электричество",В 7,1966.

14. И.В.Грехов, А.Н.Думаневич, ЮД.Евсеев, Л.Н.Крылов, АД.Лебедев, И.А.Линийчук, А.И .Уваров,В.М.Тучкевич, В.Е.Челноков, В.Б.Шуман, Н.И.Якивчик. Исследование некоторых свойств пятислойных кремниевых диффузионных структур типа п-р-п-р-н. "Физика р-п переходов" изд."Зинатне" г.Рига,1966.

Частично результаты работы докладывались на Всесоюзных совещаниях по физическим явлениям в р-п переходах в полупроводниках (г.Рига,1964 г.) и (г„Тбилиси,1966 г.), а также на научно-технической конференции "Состояние и перспективы развития производства и внедрения силовых полупроводниковых вентилей и преобразовательных устройств на их основе" (г.Москва,1966).

В заключение выражаю глубокую благодарность доктору физ.мат.наук, профессору В.М.Тучкевичу за научное руководство работой, кандидату физ.мат.наук В.Е .Челнокову за постоянное внимание, помощь и денные советы в процессе выполнения работы. Выражаю особую признательность ГДДшкинази, А.И.Уварову и В.Б,Шуман за оказанную мне неоценимую помощь в проведении работы и т; обсуждении ее результатов. Искреннюю признательность выражаю также всем сотрудникам лаборатории полупроводниковых приборов ФТИ им Д .§.Иоффе АН СССР где была выполнена работа и сотрудникам лаборатории высокочастотных вентилей ТЗРВ им.М.И.Калинина, в той или иной степени содейств^щиа. выполнению настоящей работы.

Список литературы диссертационного исследования Якивчик, Н. И., 1967 год

1.Шокли В» Теория электронных полупроводников

2. Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды1. Изд."Сов.радио",1965

3. С.А.Еремин. Полупроводниковые диоды с накоплением О.К.Москалев, заряда * их применение. Изд.Сов. Ю.Р.Носов. ради©, 1966

4. Федотов Я.И. Основы физики полупроводниковых приборов1. Сов.радио", 1963 г.5. Enselet. Т.

5. Ueber die Tragheit des Flmssleitwertes von Germaniumdioden. ** Z. angew. Phys.и , 1952 , В 4 , N 8. 6* Pirle Т.Е., Mc Mahon U.S., Roacb J.F.

6. Recovery time measurements of point contact germanium diodes.

7. Proc. IRE" , 1955, v. 43 , N 57. Kingston R.H.

8. Switching time in function diodes and junction transistors " Proc. ШE", 1954, v.42 , IT 5

9. Lax B., Neustadten S.F. Transient response of a p-n function и J. Appl Pbys> 1954 , v. 25 , H 99. Steele B.L.

10. Chaise storage in junction diodes J. Appl. Hays" , 1954 , v. 25, N ?10. Waltz M.O.

11. On some trap&ients in tbe pulse response of point-contact germanium diodes. и Proc. IBE" , 1952 , v.40, К 11- /

12. Moll J.L. , Krakauer S., Shen R.

13. ProcI IRE , 1962 , v#50 p.61/ 12 fossick B#R#, Post-injection "barrier electromotive 4 force of p-n junctions. "Phys. Rev*" 1953, v.91, К *

14. Грибников 3.G., Тхорик Ю.ОвУкр® иньский физичный журнал. 1964, т.9, В 6.

15. Грибников 3.G., Тхорик Ю.О, УкраХньский фсзичний журнал,1964, т.9, Л 9.

16. Ильенков А .И. "Радиотехника и электроника" 1963, т#8, Л 6,

17. Ильенков А.И. сб."Поверхностные и контактные явленияв полупроводниках" изд.Томского университета,г.Томск,1964.

18. Тхорик; Ю.О. Переходные процессы в импульсных полупроводниковых диодах, изд."Техника", Киев,1966

19. Журавель Р.А., Ильенков А.И. Переходные процессы в полупроводниковых диодах при воздействии синусоидального напряжения. "Физика р-п переходов" Рига,"ЗинатнеУ 1966 г.

20. Стафеев В.И. Прямая ветвь вольтамперной характеристики несимметричного диода, #ТТ, т.I,вып.1,1961

21. Капитонов А.И., Тучкевич В.М., Челноков В.Е. Исследование вольтамперной характеристики диффузионных электронно-дырочных переходов в кремнии. Сб.-Р-п переходы в полупроводниках" Ташкент,1961.

22. Грехов И.В.,Линийчук, ИД, Тучкевич В.М., Челноков В.Е., Шуман В.Е.,Якивчик Н.И. Влияние толщины базы в диффузионных диодных и триодных кремниевых структурах на вольтамперную характеристику."Физика р-п переходов" Изд."Зинатне",Рига,1966

23. Collins, Carlson, Cralletgher

24. Свойства кремния, легированного золотом.1. Pbys. Rev*, ^ ш 6

25. Bemsky G*, Рекомбинационные свойства золота в кремни®

26. Efays. EfV.'1958 t (se.pt).

27. Wilcox , Lacbapelle , УогЪег,

28. Золото в кремнии; влияние на у? и диффузия в сильнолегированных слоях.

29. J. El. Soc. 1964 , N 12 , 1377

30. Болтакс, Куликов, Малкович. Влияние золота на электрофизические свойства кремния, ФТТ,1960, $2.

31. Bmllis, Свойства золота в кремнии. Solid. St. El. 1966 , v.9 » N 2, p. 143

32. Strathers , Растворимость и диффузия золота,железа и меди в кремнии

33. J. of Appl. Fhys. 1956 , v. 27, Ж 12, p. 1560

34. Sprokei, Fairfield , "Диффузия золота, в кристаллический кремний. J. El. Sos« 1965 » N 2

35. Wilcox , Lacbapelle , Механизм диффузии золота в кремний.1. J. Appl. Pbys. 1964 , Ж 1- П7 30. sprokel .Диффузия замещения и внедрения золота в кремнии в ограниченной среде.

36. J. El. Soc. 1965» vH12 , 5 8 , р* 80?

37. Калашников С.Г.,Пенин Н.А. "Влияние частоты на выпрямительные свойства полупроводниковых диодов при маломпеременном напряжения. ЖТФ,1955,25,вып.6, стр.11Ш1123

38. Грехов ИЗ.,Крылов Л .Н, Линийчук И .А., Тучкевич В.М., Челноков В.Е.» Шуман В .Б., Якивчик Н.й. Тиристоры серии BW на токи 50*200 а. Сб."Электропривод с полупроводниковым управлением" изд."Энергия" М-1,1964, 51464.

39. Грехов ИЗ.» Лебедев А .А., Линийчук И. А., Тучкевич В.М., Челноков В.Е.,Шуман В.Б.,Якивчик Н.И.,Яковчук Н.С.

40. О некоторых переходных процессах в кремниевых н-р-п-р структурах" "Физика р-п переходов" изд."Зинатне? Рига, 1966.

41. Якивчик Н.И.,Грехов ИЗ., Линийчук й.А.,Лебедева Л3., Тучкевич В.М., Челноков В .Е.,Шуман В,Б. Способ создания источника диффузии алюминия в кремний. Авт.свид.Л 176989 с приоритетом от 6 июля 1964 г.

42. Абдуллаев Г.Б.,Челноков В3.,Искандер-Заде З.А.Джафарова ЭД.

43. Радиотехника и электроника" 1966, Л 6.

44. Грехов ИЗ. и др. Современные диффузионные методы получения кремниевых элементов силовых неуправляемых и управляемых вентилей. йзд.ОСН ВНЙИЭМ,Москва,196636a •Bemsky Or., Stru.th.ers J.D.

45. J« Electrochem. Soc. 105 % Ю , 239 » 195837 Nijuland L., Pauw L.,

46. J. of Electro and Control и , 3 H 4, 391 , 1957

47. Грехов И«В»и др. Мощные диффузионные кремниевые вентили "Электросвязь",196310.39. Носов Ю.Р., Рамус Л.Т.1. ТТ т. 4 fan./2 мьг. i /40. Мпдевский1. ФТТ т,2, в.7,I960

48. Иглицын, М.И., Мордкович В .И. ФТТ т .3 ,в .3,1961

49. Ross В., Madigan J.В. , Ehys. Нет. 108 , 6 , 1957

50. Dash , J. of Appl* Phys., 26, 190, 1955

51. Шуман В.Б. Кандидатская диссертация,™ АН СССР, 1965

52. Смит Р. "Полупроводники" Москва,ИЛ,1962

53. Сб."Полупроводники" под ред.Н.БДеннея, Москва,ИЛ, 1962

54. Зеликман Г.А. и др. Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды "Энергия",1964

55. Мс Naaara . Патент США & 3,007,в.16

56. A. Brenner , "Metal Finishing", 1954, 11, р« 68

57. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольтамперной характеристики диода, ЖТ1,тДХУШ, вып.8, 1958

58. BJ3.Челноков. Метод измерения температуры электронно-дырочного перехода мощных кремниевых вентилей."Электричество" Л 3, 1963.