Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Половина, Алексей Иванович

  • Половина, Алексей Иванович
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 1984, Киев
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 179
Половина, Алексей Иванович. Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Киев. 1984. 179 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Половина, Алексей Иванович

Введение

Глава I. Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия и инжекция в твердых телах /обзор литературы/ . 13 I.I. Распространение упругих волн в ограниченных пьезоэлектрических кристаллах.

1.1.1, Типы поверхностных волн

1.1.2, Волны в пластинах.

1.1.3, Распространение поверхностных упругих волн в структурах типа пьезоэлектрик-ме-талл

1.2. Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия в пьезоэлектриках и слоистых структурах

1.2.1, Генерация гармоник и акустоэлектрический потенциал поверхности пьезоэлектрика

1.2.2, Акустоэлектрическая свертка и корреляция в ограниченных пьезоэлектриках.

1.2.3, Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник.

1.2.4, Эффект акустоэлектрической памяти в слоистых структурах.

1.3, Инжекция носителей заряда в изоляторах и полупроводниках

1.3.1, Токи монополярной инжекции.

1.3.2, Токи двойной инжекции.

1.3.3, Контакты металл-изолятор, металл-полу-цроводник

1.3.4, Влияние инжекции на акустоэлектрические взаимодействия.

Глава 2. Методика экспериментальных исследований .*.

2.1. Разработка методики измерения акустоинжекционного заряда в пьезоэлектрических резонаторах

2.2. Разработка методики измерения акустоинжекционного заряда в слоистых структурах.

2.2.1. Структура пьезоэлектрик-полуцроводник-ме-талл.

2.2.2. Структура пьез оэлектрик-металл.

2.3. Методика исследования акустоэлектрической корреляции

2.3.1. Топология контактов для пьезоэлектрической пластины- коррелятора.

2.3.2. Блок-схема установки дои исследования нелинейных акустоэлектрических взаимодействий в пластине-корреляторе.

2.4. Приготовление образцов для экспериментов.

2.5. Возбуждение упругих волн и колебаний в пластинах

LNBOj hCCIS. а?

Глава 3. Акустоэлектрическая инжекция.

3.1. Введение.

3.2. Акустоэлектрическая инжекция в пьезоэлектрических пластинах-резонаторах.

3.2.1. Обнаружение акустоинкекционного заряда в плас тннах-рез она торах GLS.

3.2.2. Расчеты напряженности пьезоэлектрического поля на поверхности пьезоэлектрической пластины-резонатора

3.2.3. Частотные зависимости акустоинжекционного заряда.

3.2.4. Акустоэлектрическая инжекция в пластинах-резонаторах LN60,.

3.3. Аку стоэ лектричеекая инжекция в слоистой структуре пьезоэлектрше-полуцроводник-металл

3.3.1. Условие обнаружения акустоэлектрической инжекщш

3.3.2. Обнаружение акустоэлектрической инжекции в слоистой структуре ШОз-ColS-Jn

3.3.3. Различные металлические контакты

3.4. Временные и амплитудные характеристики акустоин-жекционного заряда.

3.4.1. Временные характеристики

3.4.2. Амплитудные характеристики

3.5. Акустоэлектрическая инжекция в структуре пьезоэлектрик-металя

3.5.1. Акустоэлектрическая инжекция под действием поверхностных волн.

3.5.-2. Акустоинжекционный прием ультразвука

Глава 4. Акустоэлектрическая корреляция

4.1. Введение .ЮЗ

4.2. Теоретическое исследование нелинейных акустоэле-ктрических взаимодействий типа корреляции в пьезоэлектрических пластинах

4.2.1. Расчеты амплитуд свертки и корреляции

4.2.2, Учет влияния акустоэлектрической инжекции III

4.3. Свободный акустоинжекционный заряд в пластинах пьезоэлектриков

4.3.1. Влияние акустоэлектрической инжекции на вольт-амперные характеристики системы мета лл-пьезоэлектрик .•

4.3.2. Вклад свободного акустоинжекционного заряда в акустическую свертку ••••••••••.•

4.4. Экспериментальное исследование нелинейных акусто-электрических взаимодействий в пьезоэлектрических пластинах LiNBO,.

4.4Д. Акустическая свертка на разностной частоте

4.4.2. Акустическая корреляция.

4.5. Акустическая свертка нормальных волн при наличии акустоэлектрической инжекции

4.5.1. Свертка в металлизированной пьезоэлектрической пластине.

4.5.2. Свертка в слоистой среде пьезоэлектрик-по-лупроводник-металл.

4.6. Эффекты акустоэлектрической памяти.

4.7. Трехчастотное параметрическое взаимодействие в пьезоэлектрической пластине-резонаторе

4.7.1. Параметрическое взаимодействие упругих волн в акустическом резонаторе при наличии дисперсии

4.7.2. Экспериментальное исследование трехчастот-ных параметрических взаимодействий в прямоугольных резонаторах LiNBO,,.

4.7.3. Определение дисперсии скорости упругих колебаний посредством трехчастотного параметрического взаимодействия

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах»

В настоящее время одним из ведущих направлений в физике твердого тела является акустоэлектроника, которая сформировалась на стыке акустики, физики диэлектриков и полупроводников и радиоэлектроники. Предметом физических исследований в акусто-электронике являются возбуждение, распространение и прием акустических волн в твердых телах, взаимодействие этих волн с кристаллической решеткой, носителями заряда, электромагнитными полями. Эти исследования позволяют объединять одновременно различные методики /акустические, электрические и ряд других/ при изучении структуры и свойств твердых тел /l-З/. С другой стороны, акустоэлектроника решает прикладные задачи, связанные с созданием новых твершэтелшых приборов для нужд радиоэлектроники. К числу этих приборов /акус то электронных устройств/ относятся линии задержки, резонаторы, устройства запоминания акустических сигналов и другие, Акустоэлектронные устройства позволяют производить различные преобразования акустических и электрических сигналов: во времени, по амплитуде, частоте и фазе, а также более сложные функциональные цреобразования интегрирование, кодирование и декодирование, выполнение операций свертки, корреляции и т.д. Благодаря широким функциональным возможностям, технологичности изготовления и другим достоинствам акустоэлектронные устройства находят все большее применение в радиолокации, телевидении, радиосвязи /включая космическую/, а также в системах автоматического контроля и управления, вычислительной технике и в других радиоэлектронных системах /4-6/.

За последние годы в акустоэлектронике особый интерес уделяется исследованию различных слоистых структур на основе пьезоэлектрических кристаллов. В таких структурах изучаются разнообразные явления, обусловленные взаимодействием пьезоактивных упругах волн, распространяющихся в пьезокристалле, с окружающей его средой. К числу новых типов экустоэлектронных эффектов в слоистых структурах относятся: взаимодействие поверхностных акустических волн /ПАВ/ с электронными пучками fij, с плазмой газового разряда /8, 9/, с црилегающим к пьезоэлектрику люминофором /10/, взаимодействие ПАВ с инжектированными носителями заряда в структуре пьезоэлектрик-металл /il/, а также явления запоминания акустических сигналов в струк;цурах пьезоэлект-рик-полупроводник-металл/" 12, 13/. Недавно обнаружено новое акустоэлектронное явление - акустоэлектрическая инжекция /АЭЦ/, вызываемая упругой волной в металлизированном пьезоэлектрике /14/, а также связанная с этим явлением акустоинжекционная люминесценция в структуре пьезоэлектрик-металл /15/. Принципиальной особенностью АЭИ является то, что она происходит под действием пьезоэлектрического поля упругой волны, распространяющейся в кристалле с металлическим контактом. В этом и состоит отличие АЭИ от инжекции носителей заряда в обычном смысле, которая требует приложения внешнего электрического поля к контакту металл-кристалл. Поскольку металлические контакты являются неотъемлемым элементом практически всех акустоэлектроннвх устройств, то АЭИ должна сказываться и в экустоэлектронных взаимодействиях, на что указано в /Ёб/.

Новизна и малоизученность явления АЭИ дают основания считать исследования по АЭИ представляющими не только научный, но и практический интерес. С физической точки зрения такие исследования мозтут лежать в основе разработки новых методов изучения

О /ч СЭ свойств кристаллов. С практическом точки зрения представляет интерес исследовать влияние АЭИ на нелинейные акустоэлектрон-ные взаимодействия в металлизированных пьезоэлектриках и в слоистых * структурах типа пьезоэлектрик-полупроводник-металл. Поскольку такие системы используются в качестве акустоэлектронных радиокомпонентов /б/, то исследования явления АЭИ являются актуальными

С учетом вышесказанного, в настоящей диссертационной работе основными задачами исследования ставились:

1. Прямое экспериментальное наблюдение акустоинжекционного заряда при АЭИ в системе пьезоэлектрик-металл,

2. Обнаружение и исследование явления АЭИ в слоистой структуре пьезоэлектрик-подупроводник-металл. Исследование возможности осуществления инжекции дырок при АЭИ.

3. Изучение возможности использования явления АЭИ для определения параметров центров захвата носителей заряда в кристаллах и для регистрации пьезоактивного ультразвука.

4. Исследование нелинейных акустоэлектрических взаимодействий типа корреляции в металлизированных пьезоэлектрических пластинах и в слоистых средах пьезоэлектрик-подупроводник-металя.

5.- Изучение влияния АЭИ на эти взаимодействия.

Поставленными задачами обусловлено и название диссертационной работы: "Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах". Термин "корреляция" употреблен для обозначения совокупности нелинейных акустоэлектрических взаимодействий: собственно корреляции, автокорреляции /свертки/, связанных с ниш эффектов акустоэлектрической памяти, трехчастотных параметрических взаимодействий.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Половина, Алексей Иванович

Основные результаты диссертационной работы доложены на конференциях и совещаниях:

1. 4-ой Всесоюзной конференции "Методика и техника ультразвуковой спектроскопии", Вильнюс, 1980 г.

2. XI-ой Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике, Душанбе, 1981 г.

3. Х-ой Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве, Шнек, 1982 г.

4. ХП-ой Всесоюзной конференции по экустоэлектронике и квантовой акустике, Саратов, 1983 г.

5. УЕГ-ой Всесоюзной конференции "Состояние и перспективы развития методов получения и анализа ферритовых, сегнето-, пьезоэлектрических, конденсаторных и резистивных материалов и сырья для них", Донецк, 1983 г.

6. У-ом Всесоюзном совещании "Физика и техническое применение полупроводников AgBg", Вильнюс, 1983 г. и опубликованы в работах:

1. Островский И.-В., Половина А. И. Корреляционная память в пластинах L.NB0,. - ФТТ, 1978, т.20, № 2, с.607-608.

2. Островский И.В., Половина А.И. Акустоэлектрическая инжекция в ниобате лития. - ФТТ, 1981, т.23, J6 II, с.3488-3490.

3. Островский И.В., Половина А.И. Трехчастотное параметрическое взаимодействие в прямоугольном пьезоэлектрическом резонаторе. - Акуст.ж., 1982, т.28, №2, с.264-267.

4. Островский И.В., Половина А.И. Определение дисперсии волны Лэмба в ШО, посредством параметрического трехчастотного взаимодействия в прямоугольном резонаторе. - Науч.тр.вузов Лит.ССР. Ультразвук, 1982^ 14, с. 15-17.

5. Островский И.В., Половина А. И, Акустоэлектрические свертка и корреляция в пьезоэлектрических пластинах. - УФЖ, 1982, т.27, № 6, с.892-898.

6. Островский И.В., Семенко А.И., Паламарчук А.А., Половина А.И., Фелинский Г.С. Акустоэлектрическая инжекция под действием поверхностных волн. - УФК, 1983, т.28, № I, с.143-144.

7. Островский И.В., Половина А.И, Акустоэлектрическая инжекция в пьезоэлектрических резонаторах CdS. - УФК, 1983, т.28, № 7, C.II09-III0.

8. Булах Г.И., Кучеров И.Я., Островский И.В., Половина А.И. Акустоэлектрическая инжекция в слоистой системе LMCL

GAS. - ФТТ, 1984, т.26, № 3, с.854-855.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сформулируем кратко основные результаты, полученные в диссертационной работе:

1. Впервые экспериментально обнаружено явление акустоэлектрической инжекции /АЭTS/ носителей заряда в металлизированных пьезоэлектрических пластинах-резонаторах CdS и

L'.N803.

2. Предсказана, экспериментально обнаружена и исследована АЭИ в слоистых структурах типа пьезоэлектрик-полупроводник-металл. Показано, что в слоистой структуре LiN803 CdS -металл возможна АЭИ электронов и дырок в CdS .

3. Показана возможность практического использования явления АЭИ для определения параметров центров захвата носителей заряда в металлах и для регистрации ультразвука в пьезоэле-ктриках.

4. Проведен теоретический анализ колебаний пьезоэлектрических пластин-резонаторов с учетом проводимости и конечной механической добротности. Расчеты выполнены для одномерного резонатора с одним типом колебаний, в приближении однородного распределения носителей заряда по толщине резонатора. Получены формулы для расчета напряженности пьезоэлектрического поля, полной проводимости и упругих смещений, которые описывают зависимость этих величин от толщины резонатора, его механической добротности и проводимости, а также от частоты ультразвуковых колебаний и величины константы электромеханической связи.

5. Теоретически рассчитаны амплитуды напряжений свертки и корреляции в пьезоэлектрических пластинах. Показано, что свертке на суммарной и разностной частотах присущ "размерный эффект", а наличие проводящих свойств у пластины должно цри-водить к уменьшению эффективности корреляции. Полученные формулы согласуются с экспериментальными результатами по измерению амплитудно-частотных характеристик свертки на разностной частоте и корреляции в пластинах LiNBCL.

6. Теоретически и экспериментально исследовано влияние АЭИ на свертку и корреляцию в металлизированных пьезоэлектрических пластинах и в слоистой структуре пьезоэлектрик-полу-проводник-мета лл. Получено, что в LN80, АЭИ практически не сказывается на корреляции, а влияние АЭИ на свертку наиболее значительно, если частота свертки близка к частоте резонанса пьезоэлектрической пластины.

7. Обнаружены эффекты "запоминания" акустоэлектрических сигналов свертки и корреляции в пластинах LiNBO^. Время памяти составляет от единиц до сотен микросекунд.

8. Исследованы трехчастотные параметрические взаимодействия упругих волн в прямоугольных акустических резонаторах цри наличии дисперсии. На примере LiNBO^ экспериментально показана возможность использования этих взаимодействий для определения дисперсии скорости упругих волн в резонаторе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Половина, Алексей Иванович, 1984 год

1. Такер Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела. /Пер. с англ. под ред.И.Г.Михайлова и В.А.Щутилова/. -М.: Мир, 1975, 455 с.

2. Зарембо Л.К., Красильников.В.А. Введение в нелинейную акустику. М.: Наука, 1976. - 520 с.

3. Поверхностные акустические волны. Под редакцией А.Олинера. /Пер. с англ. под ред.И.С.Реза/. М.: Мир, 1981, 392 с.

4. Поверхностные акустические волныустройства и применение /Пер. с англ. под.ред.Ю.В.1Уляева/. « ШИЭР, 1976, т.64,№ 5, с.1-324.

5. Фильтры на поверхностных акустических волнах расчет, технология и. применение. Под редакцией Г.Мэттьюза /Пер. с англ. под.ред. В.Б.Акпамбетова/. - М.: Радио и связь,1981, 472 с.

6. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты.-М.:Совет-. ское радио, 1980, 262 е.,

7. Балашова Е.В., Добровольский А.А., Леманов В.В., Шерман А.Б., Гальперин Ю.М., Козиб В.И. Нелинейное взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными пучками. ^ ФТТ, 1979, т.21, J& 10, с.3086-3089.

8. Добровольский А.А., Леманов В.В., Шерман А.Б. Нелинейное— взаимодействие ПАВ в пьезоэлектриках с плазмой газового разряда.- Письма в Ш, 1981, т.7, № 9, с.543-545.

9. Боровков О.В., Островский И.В., Хотянцева Г.Ю. Свечение системы пьезоэлектри№-газ, возбуждаемое акустической волной. Письма в ЖГФ, 1983, т.9, гё 9, с.558-560.

10. Sherman А.В., Dobrovolsky A.A., Lemanov V.V. Nonlinear асо-ustoelectroluminescence. El. Lett., 1980, v.16, N1, p.37.

11. Адольф Е.М., Тиман Б. Л., Файнер М.Ш. Взаимодействие поверхностных упругих волн с инжектированными носителями в пьезо-кристаллах. ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1823-1826.

12. Вьюн В.А., Каптшнский А.Е., Левин М.Д. Влияние изгиба зон полуцроводника на акустоэлектронное запоминание в структуре пьезоэлектрик полупроводник.- ФТТ, 1979, т.21, № 10, с.3159-3161.

13. ГУляев Ю.В., Котелянский И.М., Крикунов А.И., Федорец В.Н. Запоминание сигнала свертки в монолитной структуре LiNb03 пленка CdSe . . Шсъма в ЖГФ, 1981, т.7, № 8, с.443-452.

14. Островский И.В. Уль!фазвуковая инжекция носителей заряда из контакта металл пьезоэлектрик.- ФТТ, 1980, т.22,1. В II, с.3459-3460.

15. Островский И.В., Лысенко В.Н. Частотные характеристики ультразвуковой люминесценции резонаторов CdS . ФТП, 1981, т.15, № 9, C.I8I4-I8I7.

16. Булах Г.И., Островский И.В. Нелинейные акустические токи в пластинах cas в режиме ультразвуковой инжекции носителей заряда. Письма в ЖГФ, 1981, т.7, № 3, с.136-138.

17. Викторов И.А. Звуковые поверхностные волны в твердых телах. М.: Наука, 1981.

18. Ingebrigtsen.K.A., Tonning A. Elastic surface waves in crystals. Phys. Rev., 1969» v.184, Ж 3» p.94-2-951.

19. Lothe J., Barnett D.M. On the existence of surfaceHsavesolutions for anisotropic elastic.halfspaces with free surface J.Appl. Phys., 1976, v.4-7, N 2, p.428-4-33.

20. Kraut E.A. New mathematical formulatioii for piezoelectric wave propagation. Phys.Rev., 1969, v.188, N 3, p. 14501455.21. 1Уляев Ю.В., Пустовойт В.И. Усиление поверхностных волн в полуцроводниках. « ЖЭ1Ш, 1964, т.47, № 6, с.2255-2253.

21. Bond W.L., Collins J.H., Gerard H.M., Reeder T.M.,

22. Shaw H.J. Acoustic surface wave coupling across an air gap. -Appl. Phys. Lett, 1969, v.14, N 4, p.122-124.

23. Lothe J., Barnett D.M. Integral formalism for surface waves in piezoelectric crystals. Existence consideration. J. Appl. Pbys., 1976, v.47, N 5, p. 1799-1807.

24. Lothe J., Barnett D.M. On the existence of surface wave solutions in pezoelectric crystals. An example of nonexistence. -Wave Motion, 1979, v.1, N 2, p.107-112.

25. Brower N.G., Himberger D.E., Mayer W.G. Restrictions on the existence of leaky Rayleigh waves. IEEE Trans., 1979» v.SU-26, N 4, p.306-308.

26. Chimenti D.E., Nayfeh A.H., Butler D.L. Leaky Rayleigh waves on a layered halfspace. J.Appl. Phys., 1982, v.33» N 1, p.170-176.27. 1Уляев Ю.В. Поверхностные электрозвуковые волны в твердых телах. ^ Письма в КЭ!Ш, 1969, т.9, № I, с.63-65.

27. Брагинский JI.C., Гилинский И. А. Обобщенные сдвиговые поверхностные волны в пьезокристаллах. ~ ФТТ, 1979, т.21, Ш 12, с.3524-3528.

28. Любимов В.Н. Поверхностные уцругие волны, типа Блюстейна -ГУляева в пьезоэлектрических пластинах. Кристаллография, 1980, т. 25, № 3, с.460-464.

29. Коузов Д.П., Лукьянов В.Д.

30. О волнах, распространяющихся вдоль 1фомок пластин. Акуст. Ж., 1972, т.18, №4, с.549-555.

31. Datta S., Hunsinger B.J. Analysis of line acoustical waves in general piezoelectric crystals. Phys.Rev.B: Solid State, 1977, v.B 16, N 10, p.4224-4229.

32. Любимов В.Н., Санников Д. Г. Поверхностные квазиобъемные упругие волны в окресности избранных направлений и поверхностей в 1фисталлах. ФТТ, 1975, т. 17, № 2, с.478-483.

33. Любимов В.Н., Апыпиц В.И., Лоте Е. Об объемных и поверхно -стных квазиобъемных волнах в полубеоконечной пьезоэлектрической среде. Кристаллографа, 1980, т.25, № I, с.33-42.

34. Кучеров И.Я., Островский И.В. Нормальные волны в пластинах щшеталлов симметрии СБу . « УФЖ, 1970, т. 15, № 7, с.1152-1159.

35. Боровков О.В., Кучеров И.Я. Электрическое поле, соцровожда-ющее уцругие волны в пьезоэлектрической пластине. УФЖ, 1975, т.20, Ш 4, с.591-595.

36. Любимов В.Н. Поверхностные упругие волны Лэмба в анизотропной пьезоэлектрической пластине. Кристаллография, 1980,т.25, № 4, с.675-681.

37. Бурдакова А.В., Кучеров И.Я., Перга В.М. Влияние пьезоэф-фекта на расцространение волн Лэмба в кристаллах, cas, CdSe и ZnO . УФЖ, 1973, т.18, № 6, с.965-972.

38. Бурлий П.В., Кучеров И.Я., Островский И.В., Омельяненко. М.Ю. Исследование влияния цроводимости на скорость распространения волн Лзмба в cas . УФ1, т.20, № 2, с.327-329.

39. Tiersten H.F. Elastic surface waves guided, by thin films. -J.Appl. Phys, 1969, v.40, IT 2, p.770-789.

40. Sinha B.K., Tiersten H.F. Elastic and piezoelectric surface waves guided by thin films.-J.Appl. Phys., 1973> v.44,1. N 11, p.4851-4854.

41. Reeder Ш.М., Kino G.S., Adams P.L. Enhancement of piezoelectric surface-wave coupling by thin film perturbation. -Appl. Phys. Lett., 1971, v.19, N 8, p.279-280.

42. Ingebrigtsen K.A. Surface waves in piezoelectries. J. Appl.Phys., 1969, v.40, N 7, p.2681-2686.

43. Ingebrigtsen K.A. Linear and nonlinear attenuation of acoustic surface waves in a piezoelectric coated with a semiconducting film. J.Appl. Phys., 1970, v.41, N 2, p.454-459.

44. Campbell J.J., Jones W.R. A method for estimating optimal crystal cuts and propagation directions for excitation of piezoelectric surface waves.- JEEE Trans, 1968, v.SU-15, N 4, p.209-217.

45. Snider D.R., Fredricksen H.P., Schneider S.C. Surface acoustic wave attenuation by a thin film. J.Appl. Phys., 1981, v.52, N 5, P.3215-3222.

46. Shimizu Y., Terazaki A. Attenuation and velocity of surface waves on a piezoelectric substrate coated with admittance films. J.Acoust. Soc. Amer, 1979» v.66, N 3, p.806-810.

47. Adler ,R. Simple . theory of acoustic. amplification. JEEE IDrans., 1971, v.SU-18, N 2, p.115-118.51• Bierbaum P. Interaction of ultrasonic surface waves with conduction electrons in thin metal films. Appl. Phys. Lett., 1972, v.21, N 15, p.595-598.

48. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Милысявчене З.А., Юцис А.И. Электронное поглощение поверхностной акустической волны в структуре пьезоэлектрик металлическая пленка. - ФТТ, 1974, т.16, В 8, с.2415-2417.

49. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Милькявчене З.А., Юцис А.И. Акустический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик ~ металлическая пленка. ФТТ, 1974, т.16, В 8, с.2455-2456.

50. Harnik Б., Kovnovich S., Chernobelskaya S. Secondary aco-ustoelectric current in ultrathin metal films deposited on a piezoelectric substrate. Phys. Stat. Sol. (A), 1982, V.A69, H 2, P.K179-K181.

51. Cambiaggio E., Cuozzo P., River E. Piezoelectric surface wave scattering on a semi-infinite short£circuated surface. -Appl.Phys.Lett, 1976, v.28, N 2, p.71-75.

52. GorukW.S., Stegeman G.I. Surface-wave reflection phenomena at interfaces on Y-Z LiNbO^. J.Appl.Phys., 1979, v.50, U 11, p.6719-6728,

53. Temmyo Т., Inamura Т., Yoshikawa S. Time domain observation of SAW reflection from a free alluminium metallized interface on LiNbO^. JEEE Trans., 1981, v.SU-28, N 1, p.47-50.

54. L^pen P.O. Second harmonic generation in an elastic surface wave in (X -quartz. J.Appl.Phys., 1968, v.39»1. N 12, p.5400-5404.

55. Lean E.G.H., Tseng C.C., Powell C.G. Optical probing of acoustic surface-wave harmonic generation. Appl.Phys. Lett,, 1970, v.16, N 1, p.32-35.

56. Lean E.G., Tseng C.-C. Nonlinear effects in surface acoustic waves. J.Appl.Phys., 1970, v.41, N 10, p.3912-3917.

57. Lean E.G., Powell C.G., Nondestructive testing of thinfilms by harmonic generation of dispersive rayleigh waves. Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, N 9, p.356-359.

58. Alippi A., Palma A., Palmieri L., Socino G. Determination of coupling coefficient in second harmonic generation of acoustic surface waves. J.Appl,Phys., 1974, v.45» N 10, p.4347-4349.

59. Vella P.J., Stegeman G.I., Ristic V.M. Surface wave har1/monic generation on Y-Z, X-Z and 41 '2-Х lithium niobate. -J.Appl.Phys., 1977, v.48, N 1, p.82-85.

60. Adler E.L., Bridoux E., Coussot G., Dieulesaint E. Harmonic generation of acoustic surface waves in Bi-|2Ge020 aid LiNBO^. IEEE Trans., 1973, v.SU-20, N 1, p.13-16.

61. Vella P.J., Stegeman G.I.A, Surface wave harmonic generation on sapphire and ОС quartz. - Appl.Phys.Eett., 1973, v.23, N 9, p.505-507.

62. Vella P.J., Padmore Т.О., Stegeman G.I., Ristic V.M. Nonlinear surface-wave interactions: parametric mixing and harmonic generation. -J.Appl.Phys., 1974, v.45, N 5, (Part 1), p.1993-2006.

63. Tiersten H.F., Baumhauer J.С. Second haimonic generation and parametric excitation of surface waves in elastic and piezoelectric solids. J.Appl.Phys., 1974, v.45,1. N 10, p.4272-4287.i

64. Normandin R., Fukui M., St e gem an G.I. Analysis of parametric mixing and harmonic generation of surface acoustic waves. J.Appl.Phys., 1979, v.50, N 1, p.81-86.

65. Vlannes •Ш'.Р» Esqperimental study of nonlinear interactions for noncollinear surface acoustic waves. J.Appl. phys., 1982, v.53, N 1, p.385-396.

66. Mayers R.W., Gunshor R.L., Chen C.L. Second harmonic generation in devices involving semiconductor coupling, Wave

67. Electron., 1979, v.3, N 4, p.285-309.75. 5улах Г.И., Островский И.В. Генерация гармоники акусто-электрического. тока в пьезопслуцроводниках. 1979, т. 13, №4, с.718-720.

68. Еулах Г.И., Кучеров И.Я., Островский И.В. Генерация второй гармоники поперечной волной в пьезополуцроводниковой пластине.- ФТТ, 1976, т.18, $9, с.2840-2813.

69. Ostrovski I.V., Bulakh G,I. Second harmonic of the acous-toelectric current in piezosemiconductors. Phys.Stat,

70. Sol., (a),. 1980, V.A.39, N 1, p.83-89.

71. Nakagawa Y., Yamanouchi K., Shibayama K. dc effects in elastic surface waves. Appl,Phys.Lett., 1974, v.24, N 4, p.160-162.

72. Nakagawa I . Nonlinear effects in.surface acoustic waves, -Jap.J.Appl.Phys, 1981, v;20, N 3, Suppl., p.21-24.

73. Островский И.В. Акустический потенциал поверхности ограниченного пьезополуцроводника. УФЖ, 1980, т.25, № II, с.1906-1909.

74. Svaasand L.O. Interaction between elastic surface waves in pie so electric crystals. Appl. Phys. Lett., 1969,v. 15, N 9, p.300-302.

75. Лямов B.E. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в кристаллах. М.: Изд-во Московского ун-та, 1983, с.224.

76. Chombers J., Mason I.M., Turner C.W, Acoustic surface-wave convolution on crystals of CdS, LiNBO^ and Bi^2Ge02Q.-El.Lett., 1972, v.8, N 12, p.314-316.

77. Luukkala M., Surakka J. Acoustic convolution and correlation and the associated nonlinearity parameters in LiNBO^.-J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 6, p.2510-2518.

78. Gangully A.K., Davis K.L. Nonlinear interactions in degenerate surface acoustic wave elastic convolvers. J.Appl. Phys., 1980, v.51, N 2, p.920-926.

79. Turner C.W., Mason I.M., Chambers J. Acoustic convolution using non-linear surface-wave interactions in a piezoelectric semiconductor. El.Lett., 1971, v.7, N 23, p.696-697.

80. Sagnes G., Roustan C., Rouzeyre M. Nonlinear interaction of Bleustein-Gulyaev waves in photoconducting Nonlinear interaction of Bleustein-Gulyaev waves in piiotoonducting CdS. Appl.Phys.Lett., 1972, v.21, N 11, p.527-530.

81. Singh S.P., Agarual A.K. The convolution of surface waves in material with strain-dependent dielectric constants, -J.Phys .D: Appl.Phys., 1975, v.D8, N 17, p.2043-2046.

82. Bridoux E., Rouvaen J.-M., Bruneel C., Torguet R. Correlation and convolution of bulk acoustic waves in nonpie-zoelectric solids. J.Appl.Phys., 1975, v.46, N 6, p. 2384-2389.

83. Nelson D.P. <Ehree-field electroacoustic parametric interactions in piezoelectric crystals. J.Aooust.Soc.Amer., 1978, v.64, N 3, p.891-895.

84. Зарембо Л.К., Красильников В.А. Нелинейные явления цри распространении уцрушх волн в твердых телах. УФН, 1970, т. 102, в.4, с.549-586.

85. Carr Р.Н. Mixing of noncollinear elastic surface waves on LiNBO^. J.Appl.Phys., 1971, v.13, p.5530-5332.

86. Lean E.G., Powell C.G., Kuhn L. Acoustic surface wave mixing on (X -quarts. Appl.Phys.Lett., 1969, v.15, N 1, p.10-12,

87. Furgason E.S., Newhouse V.L, Noncollinear three-phonon interaction in a multimode structure. J.Appl.Phys.,1974, v.45, N 5, p. 1934-1936.

88. Боровков O.B., Кучеров И.Я., Островский И.В. Свертка ульт-розвуковых нормальных волн в пластинах ЫЖВО3 . УФЖ,1975, т.20, № 7, с.1205-1207.

89. Лууккала М., Островский И. В. Свертка ультразвуковых волн Лэмба в CdS . ФТТ, 1974, т.16, № 9, с.2799-2801.

90. Бурлий П.В., Кучеров И.Я., Островский И.В. Нелинейное взаимодействие уцругих волн при резонансе в акустическом волноводе. УФЖ, 1977, т.22, № 10, с.1738-1741.

91. Островский И.В., Половина А.И. Акустическая корреляция в пьезоэлектрической пластине-резонаторе.- ФТТ, 1978, т.20, В II, с.3430-3432. *

92. Wang W.C. Convolution of surface waves in a structure of semiconductor on LiNBO^. Appl.Phys.Lett., 1972, v.20, N 10, p.389-392.

93. Otto O.W., Moll N.I. Lithium-niobate-silicon surface-wave convoluter. M.Lett., 1972, v.8., N 24, p.600-602.107» Smith. J.M., Stern E., Bers A. Accumulation layer surface-wave convolver. El.Lett., 1973, v.9, N 6, p.

94. Gunshor R.L., Lee C.W. Generation of a surface-acoustic-wave correlation echo from coupling to charge carriers. -Appl.Phys.Lett., 1972, v.21, N 1, p.11-12.

95. Druckier I., Wang W.C., Das P. Surface wave correlator via space charge nonlinearity. Appl.Phys.Lett., 1973, v.23, N 1, p.4-6.

96. Otto O.W. Theory for nonlinear coupling between a piezoelectric surface and an adjacent semiconductor. J.Appl. Phys., 1974, v.45, N10, p.4373-4383.

97. Gautier H., Kino G.S. A detailed theory of the aooustic wave semiconductor convolver. IEEE Trans., 1977» v.SU-24, N 1, p.23-33.

98. Вьйн В.А., Левин М.Д. Нелинейные акустоэлектрические эффекты цри больших амплитудах в структуре пьезоэлектрик-по-луцроводник'. ~ ФТТ, 1980, т.22, $ I, с.70-74.

99. Khuri-Yakub В.Т., Kino G.S. A monolithic zinc-oxide-on-silicon convolver. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25, H" 4, p.188-190.

100. Khuri-Yakub B.T., Kino G.S. A detailed theory of the monolithic zinc-oxide-on-silicon convolver, IEEE Trans., 1977, v.SU-24, N 1, p.34-43.

101. Coldren L.A. Effect of bias field in a zinc-oxide-on-sili-con acoustic convoltrer.-Appl.Phys.Lett,, 1974, v.25, N 9,p.473-473.

102. Das P., Milstein L.B., Arsenault D.R. Variable format radar receiver using a SAW convolver. IEEE Trans., 1978, v.AES-14, H 6, p.843-852.

103. Reible S.A, Acoustoelectric convolver technology for spread-spectrum communications. IEEE Trans., 1981, v.MTT-29, N 5, p.463-473.

104. Goll J.H., Malocha D.C. An application of SAW convolvers to high bandwidth spreadspectrum communications. IEEE Trans., 1981, v.MTT*29j N 5, p.473-483.

105. Grant P.M., Morgan D.P., Collins J.H. Programmable transversal filtering using the sufface-acoustic-wave diode convolver. Wave Electron., 1976, v.1, H 5-6, p.381-386.'

106. Joly R. A mesa p-n diode array acoustic surface wave convolver. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29, N 9, p.525-527.

107. Borden P.G., Kino G.S. Correlation with the storage convolver. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29, N 9, p.527-529.

108. Raiston R.W., Stern E., Four-wave interactions in acous-toelectric integrating correlators. Appl.Phys.Lett.,1979, v.351 N 2, p.150-152.

109. Ueda Z., Shizafuji J., Inuishi Y., Measurement of surface states of CdS by means of surface acoustic wave convolver. Surface Sci., 1979, v.81, N 1, p.285-294.

110. Hayakawa H., Kino G.S. Storage of acoustic signals in surface states in silicon. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25» N 4, p.178-180.

111. Коршак Б.А., Лямов B.E., Солодов И.Ю. Акустоэлектрическое последействие при взаимодействии поверхностных акустических волн в слоистой структуре пьезоэлектрикнполуцровод-ник. Письма в ЗНЭ®, .1976,т.23, № 8, с.438-441.

112. Вьюн В.А., Левин М.Д. Акустоэлектронное запоминание в структуре GaAs LiNbO^ . - ФТТ, 1980, т.22, В 8, с.2474-2476.

113. Gautier Н., Maerfeld С., Tournois P. Acoustic memory correlator using GaAs Schottky diodes. Appl.Lett., 1978, v.32, N 9, p.517-518.

114. Ingebrigtsen K.A. Similtaneous storage of spatially orthogonal acoustic waves in a schottky-diode memory correlator. El.Lett., 1975, v.11, N 24, p.585-586.

115. Coldren L.A. Zinc-oxide-on-silicon memory cells scanned by acoustic surface waves. Appl.Phys.Lett., 1975, v.26, И 4, p.137-139.

116. Tuan H.C., Bowers J.E., Kino G.S. Theoretical and experimental results for monolithic SAW memory correlators. -IEEE Trans., 1980, v.SU-27, N 6, p.360-369.

117. El Ifokali M., Adler E.L. A modified theory for SAW memory correlators. IEEE Trans., 1980, v.SU-27, N 1, p.38-42.

118. Tuan H.C,, Kino G.S. Large-time-Bandwidth-product correlation and holographic storage with an SAW storage correlator. El.Lett., 1977, v.13, N 24, p.709-710.

119. Grant P.M., Kino G.S. Adaptive filter based on SAW monolithic storage correlator. El.Lett., 1978, v.14, N 17,p.562-564. .- . * *

120. El.Nokali M., Adler E.L. Charge storage in s.a.w. memory correlators. El.Lett., 1979, v.15, N 11, p.323-324.

121. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи- в твердых телах. /Пер.с англ.лод.ред.С.М.Рывкина/. М.: Мир, 1973. -416 с.

122. Стриха В. И. Контактные явления в полуцроводниках. К.: Вища школа, 1982, 224 с.

123. Райкерус П. А. Токи в диэлектриках, ограниченные цростран-ственным зарядом, цри равномерном расцределении ловушек по энергиям. Радиотехника и электроника, 1971» т. 16, $ 3, с.400-406.

124. Nespurek S., Smejjtek P. Space-charge-limited currents in insulators with the gaussian distribution of traps. -Czechosl. J.Phys., 1972, V.B22, N 2, p.160-175.

125. Sworakowski J. Space-charge-limited currents in solids with non uniform spatial trap distribution. J.Appl. Phys., 1970, v.41, N 1, p.292-295.

126. Nespurek S., Sworakowski J. A differential method of analysis of steady-state space-charge-limited currents: an extension. Phys.Stat.Sol.(A), 1978, V.A49, N 2, p.K149-K152.

127. Nespurek S., Sworakowsky J. Evaluation of the validity of analytical equations describing steady-state space-charge -limited current-voltage characteristics. Czech. J.Phys., 1980, V.B30, N 10, p.1148-1156.

128. Rosental A., Sapar A. Diffusion effects in one-carrier-space -charge-limited currents with trapping. J.Appl.phys., 1974, v.45, N 6, p.2787-2788.

129. Bonham J.S. On the theory of space-charge-limited current with diffusion for an exponential trap distribution. -Phys.Stat.Sol., (A), 1979, V.A55, N 1, p.61-65.

130. Sharma J.K. Space-charge-limited current in an insulator at high fields .-El.Lett., 1980, v.16, N 23, p.896-897.

131. Sharma Y.K. Electrical conduction of hot carriers in single-injection solid-state diodes with exponential trap distribution. J.Appl.Phys., 1979» v.50, N 8, P.5381-5386.

132. Murgatroyd P.N. Theory of space-charge-limited current enhanced by Frenkel effect. J.Phys.Ds Appl.Phys., 1970, v.D3, N 2, p. 151-156.

133. Barbe D.F. Space-charge-limited currents enhanced by / Frenkel effect. J.Phys.Ds Appl.Phys., 1971, v.D4;, N 11, p.1812-1815.

134. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, с учетом эффекта Френкеля. Радиотехника и электроника. 1972, т.17, № 4, с.835-840.

135. Jonscher А.К. Free-carrier Poole-Frenkel effect in crystalline solids. Phys.C: Solid State Phys., 1970, v.C3, N 8, p.L159-L162.

136. Тиман Б.Л., Фесенко B.M. Влияние полевой ионизации ловушек с учетом их перезарядки на закономерности цротекания инжекционного тока. ФТП, 1973, т.7, В 3, с.441-446.

137. Тиман Б.Л., Фесенко В.М., 1улевич Г.М. Токи в диэлектриках, ограниченные цространственным зарядом, в црисутствии ловушек различной электрической црироды. Изв.ВУЗов, Физика, 1977, В 5, с.11-14.

138. Тиман Б.Л., Фесенко В.М., 1Улевич Г.М. Инжекционные токи в широкозонньк цримесных полуцроводниках. ФТП, 1977,т.II, № 6, C.II95-II99. . .

139. Manifacier J.-C., Henisch Я.К. Minority-carrier injection into semiconductors. Phys.Rev.B; 1978, V.B17, N 6,p. 2640-2647.

140. Manifacier J.-С., Henisch H.K, Minority-carrier injection into semiconductors containing traps. Phys.Rev.В } 1978, V.B17, N 6, p.2648-2654.

141. Pridkin V.M., Kreher K. Theory of space-charge-limited currents in ferroelectrics. Phys.Stat.Sol., (A), 1970, V.A2, N 2, p.281-285.

142. Крапивин В.Ф., Ченский E.B. Токи, ограниченные пространственным зарядом в системе металл-сегнетоэлектрик-металл ФТТ, 1970, т. 12, №2, с.597-604.

143. Гифейсман Ш.Н. Распределение поля в контактной системе металл-диэлектрик-металл. ФТТ, 1969, т.II, Л 8, с.2097-2102.

144. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids.I.Shallow traps. J.Phys and Chem.Solids, 1971, v.32, N 8, 1987-1999.

145. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids.II. Deep traps. J.Phys.and Chem,Solids, 1971, v.32, N 11, p.2581-2591.

146. Kumar R.C. The penetration of charge into the metal electrode of a metal-semiconductor contact in equilibrium. -Int. J.Electron., 1970, v.29, N 4, p.365-368.

147. Brillson L.J. The structure and properties of metal-semiconductor interfaces. Surf.Sci.Repts., 1982, v.2, N 2, p.123-326.

148. Williams R.H, The Schottky barrier problem. Contemp. Phys., 1982, v.23, N 4, p.329-351.

149. Schluter M. Chemical trends in metal-semiconductor barrier heights.—Phys.Rev.В., 1978, V.B17, N 12, p.5044-5047.

150. Brillson L.J. Chemical mechanisms of Schottky barrier formation. J.Vac.Sci.Technol., 1979, v. 16, N 5, p.1137— 1142.

151. Brillson L.J. Chemical reactions and local charge redistribution at metal-CdS and CdSe interfaces.-Phys. Rev,' B.t 1979, V.B18, N 6, p.2431-2446.

152. Brillson L.J. Chemical and electronic structure of compound semiconductor metal interfaces. - J.Vac.Sci.Technol., 1982, v.20, N 3, p.652-638.

153. Louis E., Plores P. Schotthy barriers for clean etched and reactive metal-semiconductor junctions. J.Phys. (France), 1981, v.42, N 9, p.1313-1325.

154. Mastri P., Langlade P. Theoretical study of metal over-layer thickness effects on the electronic properties of metal-semiconductor-interfaces. J.Phys.C}, 1981, V.C14,1. N 34, p.5379-5389.

155. Stirn R.J., Boer K.W., Dussel G.A. CdS-metal contact at Higher Current Densities. Phys.Rev.В., 1973, v.B7, N 4, p. 1433-1442.

156. Dussel G.A., Boer K.W., Strin K.J. Rhotoconductor-metal contact at Higher Densitiesr Phys.Rev.В., 1973, v.B7,1. П 4, p.1443-1453.

157. Тиман Б.Л. Усиление звука в пьезоэлектриках цри цротека-нии тока, ограниченного пространственным аарядом. ФТТ,1971» т.13, № 5, с.1275-1277.

158. Тиман Б.Л., Дабагян Э.А. Усиление звука в пьезоэлектрикахцри двойной инжекции. ~ ФТП, 1972, т.6, № 10, с.1966-1969.

159. Гаевский B.C., Кучеров И.Я., Перга В.М. Усиление.ультраг* звука в CdS при инжекции электронов с контакта. ФТТ, 1973, т. 15, Ш 10, с.3071-3073.

160. Тиман Б.Л., Селегенев Е.М., Файнер М.Ш. Влияние инжекции носителей на цреобразование электрической энергии в звуковую в пьезопреобразователях. ~ ФТП, 1981, т.15, № 8, с.1644~ 1647.

161. Лацитис И. Нелинейное взаимодействие поверхностных акустических волн в структуре металл-диэлекгрик-слой cds на LiNbOj. Науч. тр. вузов Лит. ССР. Ультразвук, 1982,14, с. 20-21.

162. Кузьминов Ю.С. Ниобат и танталат лития материалы для нелинейной оптики. /Под ред. В.В.0сико/. - М. : Наука, 1975, - 224. с.

163. Физика и химия соединений А2 Ве . /Пер. с англ. под ред. С.А.Медведева/. М. : Мир, 1970, - 624 с.

164. Бурлий П.В., Кучеров И.Я., Островский Й.В., Перга В.М.I

165. Исследование возбуждения акустических волн в пластинах. -Изв. вузов СССР Радиоэлектроника, 1978, т. 21, & 3, с. 25-28.

166. Зааль Р. Справочник по расчету фильтров: Пер. с нем. -М.: Радио и связь, 1983, 752 с.

167. Физическая акустика. Под ред. У.Мэзона. т. I, ч. А. -М.: Мир, 1966, 592 с.

168. RtflPpel W. Electron injection and extraction in CdS crystals. J.Pbys. Chem. Solids, 1961, v. 22, N 1, p.199-206.

169. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. -М.: Наука, 1974, 832 с.

170. Бойкова Е.И., Розенман Г.И. Фотоэмиссионное исследование "собственного" эффекта поля в ниобате лития. ФТТ, 1978, т. 20, II, с. 3425-3427.

171. Cerowski Z. The depth of penetration of the electric fieldinduced by a surface acoustic wave in a piezoelectric-semiconductor system. Arch. Acoust., 1981, v. 6, N 1, p. 63-67.

172. Lepley В., Nguyen P.H., Boutrit C.f Ravelet C. Copper diffusion and photovoltaic mechanisms at Cu-CdS contact.

173. J. Phys. D s Appl. Phys., 1979, v. D12, N 11, p.1917-1928.

174. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. /Пер. с англ. под ред. С.М.Рнвкина/. М.: Мир, 1966. - 192 с.

175. Smith R.W. Low-field electroluminescence in insulating crystals of cadmium sulfide. Phys. Rev., 1954, v.105, N 3, p. 900-904.

176. Гершун А.С.t Тиман Б. Л. Перенос вакансий и электрические процессы в кристаллах сульфида кадмия. ФТТ, 1968, т. 10, № 5, с. 1583-1585.

177. Попов В.В., Чашшк А.В. Ионизация мелких примесей ультразвуком. ФТП, 1976, т.10, № 9, CiI780-1781.

178. Grill С., Bastide G., Sagnes G., Rouzeyre M. A study of the deep electron traps in semiconducting CdS. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 3, p. 1375-1580.

179. Carter M.A., Woods J. Photoconductive properties of cadmium sulphide. J. Phys. D: Appl. Phys., 1975» v. D6, N5, p. 357-549.

180. Wagner H.P., Besocke K.H. Alternating-current-method for separating the contact influence from bulk properties of semiconductor. J.Appl. Phys., 1969, v. 40, N 7» p. 29162922.

181. Калашников С.Г. Электричество. Изд. 3-е, стереотип. М.: М,: Наука, 1970. - 667 о.

182. Penunuri D., Lakin К.М. Surface acoustic wave velocities of isotropic metal films on selected cuts of Bi^GeOgQ, quartz, A120^, and LiNbO^. IEEE Trans., 1974, v.SU-21, N 4, p. 295-295.

183. Tseng C.-G. Frequency response of an interdigital transducer for excitation of surface elastic waves. IEEE Trans., 1968, v. ED-15, N 8, p. 586-594.

184. Smith W.R., Gerard H.M., Collins J.H., Reeder J.M., Shaw H.J. Analysis of interdigital surface wave transducers by use of an equivalent circuit model. IEEE Trans., 1969, v. MTI-17, N 11, p. 856-864.

185. Duracz A. Detection of surface acoustic waves using acous-toelectric streaming of charge carriers. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 2, p. 420-425.

186. McMahon D.H. Acoustic second-harmonic generation in piezoelectric crystals. J. Acoust. Soc. Amer., 1968, v. 44,1. N 4, p. 1007-1013.

187. Rohde H.J. Injection and field-induced excitation of charge carriers in CdS single crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 34, N 1, p. 229-235.

188. Ohmori Y., Yamaguchi M., Yoshino K., Inuishi Y. Electron Hall mobility in reduced LiNbO^. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, N 11, p. 2263-2264.

189. Smith R.T., Welsh F.S. Temperature dependence of the elastic, piezoelectric and dielectric constants of lithium tan-talate and lithium niobate. J. Appl. Phys., 1971, v.42,1. N 6, p. 2219-2230.

190. Пашков В.А., Соловьева H.M., Угокин E.M. Фото- и темновая проводимости в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1979, т.21, №.6, с.,.1879-1882.

191. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. /Пер. с англ. под ред. Э.М.Нагорного и Я.М.Соифера/. -М.: Атомиздат, 1975, 472 с.

192. Пуговкин А.В., Шандаров G.M. Нелинейное взаимодействие упругих волн в акустических резонаторах. ФТТ, 1974, т.16, » 6, с. 1761-1765. '

193. Островский Л.А., Папшгова И.А., Сутин A.M. Параметрическая генерация и усиление акустических волн в кольцевом резонаторе на твердом теле. ЖТФ, 1973, т. 43, $ 10, с. 2213-2215.

194. Гурбатов С.Н., Малахов А.Н. О возможности использования параметрического взаимодействия волн для выделения слабых акустических сигналов. Акуст. ж., 1979, т. 25, № I,с. 53-59.

195. Lee P.C.I. Extensional, flexural and width shear vibration of thin rectangular crystal plates. - J. Appl. Phys., 1971, v. 42, N 11, p. 4139-4144.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.