Интегральный термодатчик с улучшенными точностными характеристиками в расширенном диапазоне температур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Шестимеров, Сергей Михайлович

• Шестимеров, Сергей Михайлович
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шестимеров, Сергей Михайлович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Анализ технического состояния отечественных и зарубежных разработок в области интегральных датчиков температуры

1.1 Основные понятия и определения

1.2 Анализ технического состояния разработок датчиков температуры с использованием термопар

1.3 Анализ технического состояния разработок датчиков температуры с использованием терморезисторов

1.4 Анализ технического состояния разработок датчиков температуры с использованием в качестве чувствительных элементов диодных и транзисторных структур

Выводы и рекомендации

ГЛАВА 2. Разработка транзисторного интегрального датчика температуры

2.1 Выбор и обоснование структуры чувствительного элемента на основе р-п переходов

2.2 Разработка метода структурного повышения чувствительности первичного преобразователя датчика и изучение физической модели

2.3 Разработка структурной и принципиальной схемы интегрального датчика температуры, построение математической модели

2.4 Расчет элементов и параметров схемы датчика и его уравнения преобразования

температуры

2.5 Разработка метода теплоэлектрического повышения чувствительности датчика и изучение его электрофизической модели. Построение математической

модели

Выводы по второй главе и рекомендации

ГЛАВА 3. Исследование теплоэлектрических и метрологических характеристик макетного образца транзисторного интегрального датчика температуры83

3.1 Изготовление макетного образца датчика и изучение вольтамперных характеристик отдельных его элементов

3.2 Исследование зависимости выходного напряжения макетного образца датчика от температуры при напряжении питания 10 В

3.3 Исследование зависимости температурных характеристик макетных образцов датчика от напряжения питания

Выводы по третьей главе и рекомендации

ГЛАВА 4. Разработка и изготовление кремниевой монолитной интегральной схемы датчика температуры

4.1 Преобразование схемы макетного образца датчика в схему интегрального датчика

4.2 Разработка топологии интегральной схемы датчика и изготовление фотошаблонов

4.3 Конструктивно-технологические вопросы изготовления транзисторов интегрального датчика температуры

4.4 Экспериментальная проверка параметров и характеристик транзисторного интегрального датчика температуры и сравнение его с зарубежными аналогами

Выводы и рекомендации

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Интегральный термодатчик с улучшенными точностными характеристиками в расширенном диапазоне температур»

ВВЕДЕНИЕ

Современный этап развития электроники и вычислительной техники обусловил предпосылку для широкой автоматизации самых разнообразных процессов в промышленности, в научных исследованиях, в быту. Однако практическая реализация данной предпосылки в значительной степени определяется возможностями устройств, предназначенных для получения информации о регулируемом параметре или процессе. Такие устройства получили в технике названия датчиков [1, 5, 6, 7, 102]. Разумеется, применение датчиков не ограничивается только автоматизированными системами, поскольку они могут выполнять также функции элементов просто измерительных систем.

Понятием «датчик» в общем случае обозначают дешевый, но надежный приемник и преобразователь измеряемой величины, обладающий умеренной точностью и пригодный для серийного изготовления. Наиболее важным параметром, определяющим состояние самых различных процессов в технике и народном хозяйстве, является температура. В элементарных учебниках температура определяется, как «степень нагретости тела». При контакте двух тел (будь то газ, жидкость, твердое тело) теплота одного из них, более нагретого, переходит к другому до тех пор, пока значения средней кинетической энергии хаотического движения молекул не будут в объеме этих тел равны. Для количественного определения температуры необходимо использовать одну из принятых в технике измерений температурных шкал (Фаренгейта, Реомюра, Цельсия, Кельвина), т.е. выбрать начало отсчета и единицу температурного интервала (градус, Кельвин).

Широко выпускаемые промышленностью датчики температуры в зависимости от используемого чувствительного элемента подразделяются на термопарные датчики, приборы на основе применения терморезисторов и датчики с использованием диодных и транзисторных чувствительных элементов. По видам

связи чувствительного элемента с блоком обработки, хранения и передачи измерительного сигнала, датчики подразделяются на устройства:

-с выносным чувствительным элементом (в основном, это термопарные датчики, реже - терморезисторные),

-с чувствительным элементом, совмещенным с блоком обработки сигнала (в основном, это датчик с металлическим терморезистором),

- с чувствительными элементами, встроенными в блок обработки, хранения и передачи измерительного сигнала (как правило, это диодные и транзисторные датчики).

Блок обработки, хранения и передачи измерительной информации может быть выполнен из дискретных элементов или в виде гибридной, пленочной, полупроводниковой микросхемы. Анализ российского рынка интегральных датчиков температуры на первом этапе выполнения данной работы показал, что на нем присутствуют, в основном, датчики иностранного производства. Для измерения высоких температур (до 1800 °С и выше) используются интегральные датчики с выносными чувствительными элементами на основе термопар или металлических терморезисторов. Слабый выходной сигнал от этих элементов (например, для термопары медь-константан он равен 24 мкВ/°С) требует при его измерении специальных мер защиты от внешних электрических помех. На практике, обычно, уменьшают длину проводников, соединяющих чувствительный элемент с блоком обработки выходного сигнала, или помещают их в специальный экран. Анализ российского рынка интегральных датчиков температуры также показал, что значительную номенклатуру среди них занимают измерительно-преобразовательные устройства на диапазон температур от -100 °С до +200 °С. Для выпускаемых промышленностью датчиков с совмещенными или встроенными чувствительными элементами диапазон измеряемых температур определяется не только возможностями чувствительного элемента, но и диапазоном температур, в котором обеспечивается работоспособность совмещенного с чувствительным элементом блока обработки измерительной информации. Лучшие зарубежные образцы

полупроводниковых интегральных датчиков температуры [53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 65, 66, 67, 69] на сегодняшний день имеют характеристики (табл.1).

Табл. 1

№ п/п Фирма изготовитель Тип датчика (или блока) Диапазон измеряемых температур, °С Погрешнос ть измерения, °С

— ' -У

■ ■ - I; н жШШШШ тшш Analog Оеукеэ АБ594 - измер. блок, аналоговый, термопара -55- +125 0 - +300 ±2,0 ±3,0

Апа1о§ Беу1сез А022100 - аналоговый -50- +150 0-+100 ±4,0 ±2,0

НЯиБ 3 0201071 - Р( - термопара -55-+150 ±2,0 (для блока)

Analog ЭеуюеБ А0594 - аналоговый измерительный блок

РЫНрБ 8егтсопс1ис1:ог КТУ81 - терморезистор, кремний, выносной. -55-+150 ±2,0 (для блока)

Апа1о§ Беукез А0595 - аналоговый измерительный блок

№1лопа1 8етюопс1ис1:ог ЬМ84 диодный, выносной, цифровой 0 -и-125 ±1,0

6 Г' 1 7 1 ТехаБ ЫБ^итег^Б 8ТР35 - кремниевая аналоговая схема, диод встроенный -40-+125 ±2,0

Апа1о§ ОеуюеБ АЭ592 - кремниевая аналоговая схема, диод встроенный -40 - +125 -55-+155 ±2,0 ±4,0

- • - - *' ■( 18820 - кремниевая

щ 1Я ':'■".;> 1 Dallas цифровая схема, -55 + +125 ±2,0

Semiconductor многоэмиттерный диод, встроенный -10 + +85 ±0,5

Из таблицы 1 видно, что современные полупроводниковые интегральные датчики могут обеспечить измерения температуры в диапазоне от -40 °С до +125 °С с погрешностью ±2,0 °С. Однако в науке и промышленности существует необходимость в контроле и измерении более высоких и более низких температур [91, 100]. Так, например, в системе парового отопления городских и сельских объектов требуются высокоточные (не хуже ±1 °С) измерения температуры водяного пара порядка (100^-150) °С. В летательных космических и авиационных аппаратах, наоборот, необходим контроль низких температур, порядка (-10+- -75) °С. В зависимости от типа объекта на летательных авиационных аппаратах число датчиков температуры может доходить до 1000. Поэтому создание дешевого и надежного интегрального датчика на диапазон измеряемых температур от -65 °С до +175 °С, отличающегося от аналогичных зарубежных образцов улучшенными эксплуатационными и метрологическими характеристиками и пригодного для серийного изготовления отечественной электронной промышленностью является актуальной научной и технической проблемой.

В работе [8] проведён анализ распределения доли измерений различных физических величин (рис.1), что говорит о безусловном лидерстве в количестве измерений именно температуры. В настоящее время на мировом рынке продаётся датчиков температуры на миллиарды долларов США в год. И это понятно: на атомной электростанции имеется около 1500 точек измерения температуры для управления процессами автоматизации и безопасности, а на крупном предприятии химической промышленности подобных точек присутствует свыше 20 тысяч. Диапазон температуры от -65 °С до +175 °С практически не освоен для измерения кремниевыми интегральными датчиками, поэтому в данной работе в качестве

объекта исследования выбран интегральный датчик температуры, выполненный в виде кремниевой микросхемы с встроенным чувствительным элементом на основе р-п структур.

Объемная доля, %

60% -г---—--—--

датчики датчики температуры расхода (массовый, объемный)

датчики давления

5% 5% 4% 4%

датчики уровня датчики количества (масса, объем) датчики времени датчики магнитных и электрических величин

Рис. 1. Распределение долей измерений различных физических величин в большинстве областей деятельности человека.

Тогда, исходя из решаемой в работе научно-технической проблемы, можно сформулировать:

Объект исследования: процесс термоэлектрического преобразования в р-п переходах биполярных транзисторов современных датчиков температуры.

Предмет исследования: метод, модели, схемотехнические решения, алгоритм теплоэлектрического повышения чувствительности.

Цель работы: Создание конкурентноспособного интегрального термодатчика с улучшенными точностными характеристиками в расширенном диапазоне температур.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе решались следующие задачи:

1). Анализ современного состояния проблемы измерения температуры в интегральном датчике.

2). Разработка метода структурного повышения чувствительности термоэлектрического преобразователя на транзисторах.

3). Построение математической модели термоэлектрического преобразователя на примере единичного биполярного транзистора.

4). Разработка алгоритма теплоэлектрического повышения чувствительности на основе построенной теплоэлектрической модели датчика.

5. Разработка принципиальной схемы интегрального датчика температуры.

6). Исследование основных параметров трех макетных образцов.

7). Создания интегрального датчика и изготовление опытной партии.

8). Проведение экспериментальных исследований образцов кремниевого интегрального датчика температуры, обоснование факта достижения в работе поставленной цели.

9). Внедрение результатов диссертационной работы в промышленность.

Методы исследования

При решении научно технических задач были использованы принципы системного подхода, а также численные методы решения уравнений и экспериментальные методы исследования, статистические методы обработки результатов измерений, основы теории электрических зарядов, теории управления и теории оптимизации физического моделирования.

Наиболее существенные научные результаты

При решении задач, поставленных в диссертационной работе, получены следующие новые научные результаты:

1. Разработана модель структурного повышения чувствительности интегрального датчика температуры на основе группы транзисторов (Патент РФ на полезную модель №100827 от 27 декабря 2010 г.) в транзисторном включении, отличающихся от транзисторов в диодном включении известных аналогов. Это позволило повысить температурную чувствительность до >4,2 мВ/°С, без уменьшения диапазона измерений температуры.

2. Разработана и обоснована математическая модель термоэлектрического преобразователя на примере единичного биполярного транзистора, учитывающая в отличии от ранее известных, влияние опорного р-п перехода на свойства измерительного р-п перехода, что позволило оценивать основные параметры датчика до этапа экспериментальных исследований.

3. Предложена теплоэлектрическая модель повышения чувствительности интегрального датчика, в которой можно интегрировать термочувствительность с нескольких точек термопреобразования на кристалле микросхемы, что дало возможность впервые (в интегральных датчиках) отказаться от использования транзисторных усилителей тока и напряжения и, тем самым, увеличить диапазон измерений температуры с -55°С ... +150°С до -65°С ... +175°С.

4. Разработана структурная модель двух прямосмещённых р-п переходов биполярного транзистора в схеме с общей базой, отличающаеся от известных моделей тем, что не имеет токовых связей между переходами. Анализ модели позволил установить, каким образом управление диффузионным зарядом из опорного р-п перехода снижает объёмное сопротивление базы транзистора. Практическое решение этой проблемы в транзисторном интегральном датчике повысило линейность измерений во всём рабочем диапазоне температур с 8°С до 1°С.

Практическая полезность диссертационной работы:

1. .Разработан интегральный термодатчик с улучшенными точностными характеристиками в расширенном диапазоне температур для контроля и управления температурой твердых, жидких и газообразных тел с использованием в качестве термочувствительного параметра выходной ток, величина которого определяется совокупностью теплоэлектрических процессов в различных элементах транзисторного устройства.

2. Создан транзисторный интегральный датчик температур, который имеет измеряемый диапазон от минус 65°С до плюс 175°С с погрешностью измерения не хуже ±1,5°С, что превышает в 1,2-1,5 раза параметры измерений зарубежных аналогичных образцов.

3. Результаты полученные в ходе настоящей диссертационной работы, в том числе модели, методы, алгоритмы, схемотехнические решения, могут использоваться при разработке новых транзисторных интегральных датчиков на измерение в диапазоне температур, приближающемся к теоретически возможному для кремния: -100°С ... +300°С.

4. Использование в схеме датчика опорного р-п перехода ещё и как нагревателя, позволит использовать датчик в качестве:

- термоанемометра;

- датчика электромагнитных излучений;

- датчика ионизирующих излучений.

Реализация и внедрение результатов работы. Разработанное устройство было внедрено в системах контроля на предприятиях: ООО «НПА Вира Реалтайм», ЗАО ИТЦ «Циклон», ЗАО «ЭМИКОН», ООО фирма «Мэй».

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались:

на международном ежегодном симпозиуме «Надёжность и качество 2010» -Пенза, ПГУ, 2010;

на международной научно-практической конференции «Инфо-2010», Россия, -Сочи, МГИЭМ, М, 2010;

на международном ежегодном симпозиуме «Надёжность и качество 2011» -Пенза, ПГУ, 2011;

- на международной научно-практической конференции «Инфо-2011», Россия, -Сочи, МГИЭМ, М., 2011;

Публикации по теме работы. По теме диссертации опубликовано 11 работ, из них 3 статьи в журналах из перечня, рекомендованного В АХ: журнал «Датчики и системы», журнал «Качество. Инновации. Образование.», журнал «Измерения. Контроль. Автоматизация»; получен 1 патент РФ на полезную модель на устройство для измерения температуры.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка используемой литературы, приложения, включающих акты внедрения и патент на полезную модель.

Основные научные результаты, выносимые на защиту:

1. Результаты аналитического, экспериментального исследований и систематизация факторов, препятствующих созданию интегрального термодатчика с улучшенными точностными характеристиками в расширенном

диапазоне температур.

2. Метод структурного повышения чувствительности интегрального датчика температуры на основе группы транзисторов без снижения диапазона

измеряемых температур.

3. Структурная и математическая модели термочувствительного элемента на

примере единичного биполярного транзистора.

4. Способ управление свойствами базы транзистора с помощью диффузионного заряда, инжектируемых электронов из эмиттера опорного р-п перехода.

5. Теплоэлектрическая модель датчика на сосредоточенных параметрах и алгоритм теплоэлектрического моделирования.

6. Результаты экспериментальных исследований точностных характеристик трёх макетных образцов на дискретных элементах и датчиков в интегральном исполнении из опытной партии в расширенном диапазоне измерений температуры.

В первой главе диссертации проведен анализ технического состояния отечественных и зарубежных датчиков температуры. Причем, ввиду отсутствия в отечественной нормативной документации понятия «интегральный датчик» [2, 3, 4, 5, 6] , в главе проведено изучение терминов, ближайших к данному понятию, таких как «датчик», «интегральная микросхема», «чувствительный элемент», «первичный преобразователь» и т.п. и на основе такого изучения сформулировано определение понятия следующего содержания: «Датчик, выполненный в виде полупроводниковой интегральной схемы с встроенным чувствительным элементом на основе термопары, терморезистора, диода или транзистора и предназначенный для преобразования температуры в измерительный электрический сигнал следует считать интегральным датчиком температуры». Выполненный в первой главе диссертации анализ точностных характеристик интегральных датчиков температуры на основе термопар, терморезисторов, диодов и транзисторов, а также оценка потребности таких датчиков в науке и промышленности в зависимости от диапазона измеряемых температур, позволил определить температурный диапазон применения объекта исследования: от -65 °С до +175 °С.

Вторая глава диссертации посвящена разработке транзисторного интегрального датчика температуры с чувствительностью, обеспечивающей необходимую помехозащищенность выходного сигнала [71, 101] без применения в

схеме обычных усилителей. Для чего, в данной части диссертации разработан элемент из группы транзисторов с повышенной чувствительностью к температуре, на схему которого получен патент РФ на полезную модель №100827 от 16 сентября 2010 г. Разработана принципиальная схема интегрального датчика температуры с реализацией метода теплоэлектрического повышения чувствительности в дополнение к возможностям транзисторного чувствительного элемента. Это позволило разработать вариант принципиальной схемы датчика без дополнительного транзисторного усилителя тока и напряжения. В рамках разработки методов повышения чувствительности датчика, предложена теплоэлектрическая модель формирования его выходного сигнала. На основе предложенных решений построена математическая модель термочувствительного элемента, изучены возможности получения значений точностных параметров в расширенном диапазоне температур конкурентноспособного термодатчика.

В третьей главе диссертации рассмотрены результаты исследования теплоэлектрических и точностных характеристик для трех макетных образцов датчика, выполненных в соответствии с его принципиальной схемой на дискретных компонентах. Показано, что в результате корректировки результатов исследования и изменения номиналов дискретных компонентов схемы датчика, получены его макетные образцы, имеющие погрешность не хуже ±2 °С в диапазоне измеряемых температур от -65 °С до +175 °С.

В четвертой главе диссертации рассмотрены вопросы преобразования схемы датчика на дискретных компонентах в интегральную схему [79, 81, 83], изготовлена опытная партия датчиков температуры в виде кремниевых монолитных интегральных схем. Отмечено, что результаты экспериментальных исследований для опытной партии образцов кремниевого интегрального датчика температуры соответствуют поставленной в диссертационной работе цели.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Шестимеров, Сергей Михайлович

Выводы и рекомендации

По результатам работ, рассмотренным в четвёртой главе диссертации, можно сделать следующие выводы и рекомендации.

1. Выполнено преобразование схемы макетного образца датчика температуры на дискретных элементах в схему, пригодную для создания полупроводникового интегрального датчика.

2. Разработана технология интегральной схемы датчика температуры.

3. Изготовлена опытная партия образцов интегрального датчика температуры, исследованы их технические характеристики.

4. Проведено сравнение технических характеристик изготовленных образцов с зарубежными аналогами.

Определено, что созданный в рамках диссертационной работы интегральный термодатчик с улучшенными точностными характеристиками в расширенном диапазоне температур, является конкурентноспособным устройством для применения в управляющих и контролирующих системах.

В заключении перечислены основные результаты, полученные в диссертационной работе. В приложении к диссертации приведены акты внедрения и патент РФ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

• Проведен анализ состояния проблемы измерения температуры в интегральном датчике.

• Разработана методика структурного повышения чувствительности термоэлектрического преобразователя на транзисторах.

• Построена математическая модель термоэлектрического преобразователя на примере единичного биполярного транзистора.

• Разработан алгоритм теплоэлектрического повышения чувствительности на основе построенной теплоэлектрической модели датчика.

• Выполнена разработка принципиальной схемы интегрального датчика температуры.

• Проведено исследование основных параметров трех макетных образцов.

• Создан интегральный датчик и изготовлена опытная партия.

• Проведены экспериментальные исследования образцов кремниевого интегрального датчика температуры, проверен и обоснован факт достижения в работе поставленной цели.

• Выполнено внедрение результатов диссертационной работы в промышленность.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шестимеров, Сергей Михайлович, 2012 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. ГОСТ Р 51086-97 Датчики и преобразователи физических величин электронные. Термины и определения.

2. РМГ29-99.ГСИ. Метрология. Основные термины и определения.

3. ГОСТ 16263-72.ГСИ. Метрология. Термины и определения.

4. ГОСТ 17021-88. Микросхемы. Термины и определения.

5. ГОСТ 6616-94. Преобразователи термоэлектрические.

6. ГОСТ6651-94. Термопреобразователи сопротивления. Общие технические условия.

7. ГОСТ 22520-85. Датчики давления, разрежения и разности давлений с электрическими аналоговыми выходными сигналами ГСП. Общие технические условия.

8. Блинов А., Гомкрелидзе С., Критенко М., Лебедев Д., Мокров Е. Датчики нового поколения для вооружений и военной техники. М.: Электроника: НТБ, №2, 2003. с. 50-53.

9. Виглеб Г. Датчики. Устройство и применение. М.: «Мир», 1989. 198 с.

10. Голуб В. С. Микросхемные датчики температуры . / В. С. Голуб // Датчики и системы. 2007. - №12. - С. 29-34.

П.Громов B.C., Николаевский И.Ф. Использование входного сопротивления транзистора для измерения температуры коллекторного перехода. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Я.А Федотова. - М.: Сов. Радио, 1969. с. 251 - 259.

12. Громов B.C., Кривоносов А.И., Утямышев Р.И. Устройство для измерения температуры. Комитет по делам открытий и изобретений при СМ СССР. Авторское свидетельство №361398. Опубликовано в бюллетене № 1, 1973, 3 с.

13. Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.У. Современные полупроводниковые интегральные датчики темперетуры. «Датчики и системы», №12, 2010. С.59-68. (в журнале).

14. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. Учебное пособие. Петрозаводск, 2004. 150 с.

15. Датчики. Перспективные направления развития. Алейников А.Ф., Гридчин В.А., Цапенко М.П. Изд-во НГТУ ,2001.

16. Датчики в современных измерениях. Котюк А. Ф. М.: «Радио и связь» , 2006.

17. Евдокимов И.Н. Методы и средства исследований Часть 1. Температура (учебное пособие), Российский государственный университет нефти и газа им. И.М. Губкина, Кафедра физики, М.: 2004. 106 с.

18. Единицы физических величин и их размерности: Учебно - справочное руководство. М.: «Наука», 1988. 432 с.

19. Зайцев Ю.В., Громов B.C., Григораш Т.С. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи. М.: «Радио и связь», 1985. 120 с.

20. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1, М.: «Мир», 1984.

21. Зимин Г.Ф. Поверка и калибровка термоэлектрических преобразователей. Учебное пособие. М.: АСМС, 2002. 48 с.

22. Кикоин А. К., Кикоин И. К., Молекулярная физика, М.: «Наука», 1976. 480 с.

23. Козлов М.Г., Метрология и стандартизация: Учебник М.: СПб.: Изд-во «Петербургский ин-т печати», 2001. 372 с.

24. Кривоносов А.И.; Кауфман, В.Я. Статические характеристики поликристаллических терморезисторов. М.: Энергия, 1976. 120 с.

25. М.В.Кулаков. Технологические измерения и приборы для химических производств. М.: «Машиностроение», 1983. 424 с.

26. Лауэ М., История физики, перевод И. В. Кузнецова, М.: «Государственное издательство технико-теоретической литературы», 1956. 224 с.

27. Мэдленд Г.Р. и др. «Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии». Пер. с анг. Под ред. Мартюшова К.И., М.: «Сов. Радио» 1970. 592 с.

28. ОАО ЗАВОД «МАРС», Конструкторская документация, РД 110274 (www.z-mars.ru), ТО-5, Россия, г.Торжок, 2011.

29. ОАО НПП «Эталон», Россия, Каталог продукции (www.omsketalon.ru), ТСМУ, ПИ4, март 2011.

30. ООО «ФОРМ», Руководство по эксплуатации, Тестер «FORMULA TT», (www.form.ru), М.: 2011. 5 с.

31. Паперный Е.А., Эйделыптейн И.Л. Погрешности контактных методов измерения температур. М.: «Энергия» 1966. 96 с.

32. Пауль P. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства. Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. М.: «Советское Радио», 1973.505 с.

33. Петров И.К., Солошенко М.М., Царьков В.А. Приборы и средства автоматизации для пищевой промышленности. М.: «Легкая и пищевая промышленность», 1981. 416 с.

34. Савельев И.В. «Курс общей физики». Книга 2 «Электричество и магнетизм». М.: Наука, Физматлит, 1998. 443 с.

35. Современные датчики. Справочник. Дж. Фрайден. Перевод с английского

Ю. А. Заболотной под редакцией Е. Л. Свинцова. М.: «Техносфера», 2005. 586 с.

36. Справочник проектировщика автоматизированных систем управления технологическими процессами. Под ред. к.т.н. Г.Л. Смилянского, М.: «Машиностроение», 1983. 297 с.

37. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: «Энергия», 1967. 614 с.

38. Устройство для измерения температуры. Патент РФ на полезную модель №100827 от 27 декабря 2010 г. Шестимеров С. М., Громов B.C., Увайсов С. У.

39. Хабаровский государственный технический университет. ГРАДУИРОВКА ТЕРМОПАРЫ. Методические указания. "Литейное производство черных и цветных металлов". Хабаровск:. Издательство ХГТУ, 2002. 21 с.

40. Шестимеров С.М. Высокоточный транзисторный датчик температуры,/ Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.Г. // Датчики и системы - М.: 2010. № 11. С. 19 - 22 (в журнале).

41. Шестимеров С.М. Особенности полупроводниковых резистивных термодатчиков. / Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.У. // Материалы международной научно-практической конференции «Инфо-2010», 1-10 октября 2010 года, Россия, г. Сочи, - Московский государственный институт электроники и математики, М.: 2010. С. 366 - 368.

42. Шестимеров С.М. Первичные преобразователи температуры на основе диодных структур . / Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.У. // Материалы международной научно-практической конференции «Инфо-2010», 1-10 октября 2010 года, Россия, г. Сочи, - Московский государственный институт электроники и математики, М.: 2010. С. 366 - 368.

43. Шестимеров С.М. Полупроводниковые интегральные датчики температуры,/ Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.Г. // Материалы международного ежегодного симпозиума «Надёжность и качество 2010» - Пенза, ПГУ, 2010. С. 161-164.

44. Шестимеров С.М. Современные полупроводниковые интегральные датчики температуры,/ Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.Г. // ИЗМЕРЕНИЯ. КОНТРОЛЬ. АВТОМАТИЗАЦИЯ - М.: 2010. № 12. С. 59 - 68 (в журнале).

45. Шестимеров С.М. Термодатчики на основе многоэмиттерных транзисторных структур. / Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.У. // Материалы международной научно-практической конференции «Инфо-2010», 1-10 октября 2010 года, Россия, г. Сочи, - Московский государственный институт электроники и математики, М.: 2010. С. 364 - 366.

46. Шестимеров С.М. Транзисторный термопреобразователь для повышения качества контроля температуры / Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.Г. // Качество. Инновации. Образование. - М.: 2010. № 11. С. 63-69 (в журнале).

47. Шестимеров С.М. Транзисторный термопреобразователь с улучшенными характеристиками,/ Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.Г. // Материалы международного ежегодного симпозиума «Надёжность и качество 2010» -Пенза, ПГУ, 2010. С. 477 - 479.

48. Электрические измерения. Под ред. Шрамкова Е.Г. М.: «Высшая школа», 1972. 520с.

49. Энциклопедический словарь. Под ред. Б.А. Введенского. М.: «БСЭ» 1953

50. Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978

51. Шестимеров С.М. Методы построения полупроводниковых датчиков температуры.,/ Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.Г. // Материалы международного ежегодного симпозиума «Надёжность и качество 2011» — Пенза, ПГУ, 2011. С. 471 -475.

52. Шестимеров С.М. Транзисторные термопреобразователь в качестве датчика контроля полупроводниковых интегральных термоанемометров. / Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.У. // Материалы международной научно-практической конференции «Инфо-2011», 1 - 10 октября 2011 года, Россия, г. Сочи, - Московский государственный институт электроники и математики, М.: 201L С. 255-257

53. Analog Devices, Data Sheet (www.analog.com) AD22100, 1994.

54. Analog Devices, Data Sheet (www.analog.com) AD592, 1999.

55. Analog Devices, Data Sheet (www.analog.com) AD594/AD595, 1999.

56. Dallas Semiconductor, Data Sheet (www.dallas.com) DS18S20, DS18S20-par., October 2005, p.21-27.

57. DC1821, DC 1822, DC1825, November 2008, p.18-20.

58. General de Haan Gerard C.M.Meijer. An accurate small-range 1С temperature trancducer. IEEE Journal of solid-state circuits. Vol. sc-15, no.6, desember 1980, p.p. 1089-1091.

59. Analog Devices, Data Sheet iwww.analog.com) AD849

60. Maxim Integrate Products, Data Sheet (www.maxim-ic.com) DC18B20.

61. Maxim Integrated Products, Data Sheet (www.maxim-ic.com), DS18B20, DS1821, DS1822, DS1825, November 2008 г., p. 18-20.

62. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com) LM3911, June 1994.

63. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com) LM50, February 2006.

64. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com) LM60, August 2005.

65. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com), LM3911, June 1994 r.

66. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com), LM50, February 2006 r.

67. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com), LM60, August 2005.

68. National Semiconductor, Data Sheet (www.national.com), LM84, February 2006 r.

69. NXP Semiconductors, Data Sheet (www.nxp.com) KTY81 series, Rev. 05 — 25 April 2008.

70. Pat CTNeil, Carl Derrington/ Transistors- a hot tip for accurate temperature sensing. «Electronics», 1979, №21, pp. 137-141.

71. Гринфилд Дж., Транзисторы и линейные ИС. Руководство по анализу и расчету. М.: «Мир», 1992. 560 с.

72. Игумнов Д. В., Костюнина Г. П., Основы полупроводниковой электроники. М.: «Горячая линия-Телеком», 2005. 392 с.

73. Г. Г. Казённов. Основы проектирования интегральных схем и систем. М.: «БИНОМ. Лаборатория знаний», 2005.

74. В. Шокли. УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК. Т. LXIV, вып. 1958 г. Январь.

75. Данлэп У. Введение в физику полупроводников . Пер. с англ. Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. М., Изд-во иностр. лит., 1959, 430 с.

76. Analog Devices. Operational Amplifiers Selection Guide 2011 - 2012

77. Гехер К. Теория чувствительности и допусков электронных цепей. М.: Сов.радио, 1973.- 200 с.

78. Ногин В.Н. Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие для вузов. -М.: Радио и связь, 2002. - 304 с.

79. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. Киев: Вища школа, 1989. 422 с.

80. Бойков В. И., Гуржий А. Н., Жуйков В. Я., Зори А. А., Спивак В. М. Схемотехника электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства. СПб.: БХВ-Петербург, 2004. 496 с.

81. Бочаров Е. И., Гогоберидзе Г. Б., Першин Ю. М., Петров К. С., Штагер А. Н. Конспект курса "Электронные твердотельные приборы". Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича. 21.08.2010.

82. Гуревич А. Г. Физика твёрдого тела: Учеб. пособие для вузов / ФТИ им. А. Ф. Иоффе. СПб.: Невский Диалект; БХВ-Петербург, 2004. 320 с.

83. Романова М. П. Проектирование и технология микросхем: учебное пособие. Ульяновск: УлГТУ, 2005. 83 с.

84. Трофимов Н.А., Лаппо В.В. Измерение параметров теплофизических процессов в ядерной энергетике.- М.: Атомиздат, 1979.

85. Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник, т.1, кн.1/ Под общ.ред. Коптева Ю.Н., под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Малкова Я.В.- М.: ИПЖР, 1998.

86. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1969.

87. Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Сов.радио, 1972.

88. Гордов А.Н., Жагулло О.М., Иванова А.Г. Основы температурных измерений. М.: Энергоатомиздат, 1992.

89. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973.

90. Зарубин Л.И., Немиш Ю.И. Полупроводниковая криогенная термометрия. Обзор в кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1974, вып. 16.

91. ВайнбергВ.В., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И. Полупроводниковый материал для термометров сопротивления на диапазон (14...300) К. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, 1979, вып.30.

92. Велшек Я. Измерение низких температур электрическими методами. М.: Энергия, 1980.

93. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.

94. Соколова А.А., Смирнов Н.И., Ларионов И.Б. Высокочувствительные датчики температуры из кремния, легированного золотом. -В кн. Совершенствование средств и методики измерения температуры при стендовых испытаниях изделий. Тезисы отраслевого семинара. Загорск, 1978.

95. Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник, т.1, кн.1/ Под общ.ред. Коптева Ю.Н., под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Малкова Я.В.- М.: ИПЖР, 1998.

96. Silicon temperature sensors.- Electron.Appl.News, 1982, v. 19, №2.

97. Raabe G. Silizium temperatur sensoren von -50 °C his 350 °C - NTG - Faahber, 1982, №79.

98. Entre -55 °C et 300 °C penser au copteur de temperature silizium composauts.-Techniques d'applications mesures - 15, №4, 1985.

99. Папков B.C., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.

100. Суханова H.H., Суханов В.И., Юровский А.Я. Полупроводниковые термопреобразователи с расширенным диапазоном рабочих температур. Датчики и системы, №7, 8, 1999.

101. K.JI. Куликовский, В.Я. Купер. Методы и средства измерений: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1986. - 448 с.

102. Р. Г. Джексон. Новейшие датчики. М.: Техносфера. Серия: «Мир электроники», 2007.- 384 с.