Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Бланк, Татьяна Владимировна

• Бланк, Татьяна Владимировна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Бланк, Татьяна Владимировна

Введение. Общая характеристика работы.

Список обозначений.

Глава 1. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур (литературный обзор).

1.1. Историческая справка.

1.2. Энергетическая диаграмма поверхностно-барьерных структур.

1.3. Технология изготовления поверхностно-барьерных структур.

1.4. Протекание тока в поверхностно-барьерных структурах.

1.5. Фотоэффект при энергиях фотонов, меньших ширины запрещенной зоны полупроводника.

1.6. Фотоэффект при энергиях фотонов, близких и больших ширины запрещенной зоны полупроводника.

1.7. Фотоэффект при энергиях фотонов, существенно больших ширины запрещенной зоны полупроводника.

Глава 2. Объекты исследований и экспериментальные методики.

2.1. Технология изготовления поверхностно-барьерных структур на основе СэАб и ваР и р-п-структур на основе 5/ и ваАБ.

2.2. Исследования спектральной зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования.

2.3. Исследования квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в широком температурном диапазоне.

2.4. Исследования квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в зависимости от электрического поля в слое объемного заряда.

Глава 3. Температурная зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур.

3.1. Поверхностно-барьерные структуры на основе ваР и ваА5.

3.2. Р-п-структуры на основе 5/ и ваАБ.

Глава 4. Зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур от электрического поля.

4.1. Поверхностно-барьерные структуры на основе ваР и ваАБ.

Глава 5. Механизм протекание фототока в поверхностно-барьерных структурах.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия»

Актуальность работы.

Поверхностно-барьерные структуры на основе полупроводников А3В5 в настоящее время занимают прочное место в полупроводниковой электронике наряду с р-п-структурами. По сравнению с р-п-структурами они имеют ряд достоинств: более высокое быстродействие, так как ток обусловлен переносом основных носителей заряда, а не рекомбинацией; менее резкий спад фоточувствительности в коротковолновой части спектра, так как слой объемного заряда лежит у поверхности полупроводника и поверхностная рекомбинация менее существенна; лучший теплообмен, так как область, где выделяется наибольшее тепло при работе прибора (слой объемного заряда), находится непосредственно у металла. Этими особенностями поверхностно-барьерных структур определяется использование приборов на их основе в полупроводниковой электронике, причем одним из главных применений являются приемники коротковолнового (ультрафиолетового) и видимого излучения.

Принцип работы таких приемников ультрафиолетового и видимого излучения основан на горячем фотоэффекте, то есть фотоэффекте соответствующем коротковолновой области собственного поглощения полупроводника, при которой кинетическая энергия фотоэлектронов значительно (в несколько раз) превосходит ширину запрещенной зоны полупроводника. Горячий фотоэффект представляет собой фундаментальную физическую проблему, которой в настоящее время занимаются крупнейшие физические центры мира (Corning Glass Works, USA; Chance-Pilkington Optical, UK; Schott and Gen, Germany; Hamamatsu Corp., Japan). В России эти исследования проводятся, прежде всего, в Физико-Техническом Институте имени А.Ф. Иоффе РАН. Однако механизм горячего фотоэффекта пока не установлен. Существующие модели, объясняющие потери фотоэлектронов при горячем фотоэффекте поверхностной рекомбинацией, диффузией термализованных электронов или транспортом горячих фотоэлектронов не соответствуют экспериментальным данным. Поэтому выяснение механизма 5 фотоэлектропреобразования при горячем фотоэффекте является актуальным, и позволит обогатить знания об энергетическом строении полупроводников группы А3Б5, и конструировать более эффективные приемники коротковолнового (ультрафиолетового) излучения.

Цель и задачи работы.

Целью работы является экспериментальное исследование механизма горячего фотоэффекта в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида галлия СаДэ и фосфида галлия СаР. В работе решались следующие задачи:

1. Установление температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования для поверхностно-барьерных структур на основе прямозонных (СаАэ) и непрямозонных (СаР) полупроводников в широком интервале энергий падающих фотонов;

2. Установление зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от электрического поля в слое объёмного заряда для СаР и СэАб поверхностно-барьерных структур в широком интервале температур;

3. Установление температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования р-п-структур на основе и СэАб и сравнение результатов с этими зависимостями для поверхностно-барьерных структур;

4. Анализ полученных закономерностей с целью определения механизма горячего фотоэффекта в поверхностно-барьерных структурах на основе СаР и СэАб.

Объекты исследований.

Объектами исследований являлись: поверхностно-барьерные структуры на основе арсенида галлия, поверхностно-барьерные структуры на основе фосфида галлия, р-п-структуры на основе кремния и р-п-структуры на основе арсенида галлия.

Поверхностно-барьерные структуры на основе арсенида галлия М-п-СаАБ

17 -3 создавались на подложке п-СаАэ с концентрацией электронов /т=10 см (300К); на одной стороне подложки был выращен методом жидкофазной эпитаксии слабо 6 легированный слой п-СэАб (/7=1015см 3) толщиной =10мкм. На этот слой был нанесён химическим осаждением никелевый полупроницаемый для света барьерный контакт, а на обратную сторону подложки - омический контакт. Толщина структуры о£=200мкм, площадь освещаемой поверхности 5=0.06см2.

Поверхностно-барьерная структура на основе фосфида галлия Аи-пЧ5аР

17 -3 создавалась на пластине п-СаР с концентрацией электронов 10 см (300К), выращенной методом Чохральского. На одной стороне пластины вплавлением индия был создан омический контакт, на другой стороне химическим осаждением золота полупроницаемый для света барьерный контакт. Толщина структуры о^200мкм, площадь освещаемой поверхности 5=0.2см2.

Кремниевые р-п-структуры создавались на подложке п-БИР с ориентацией (100) и удельным сопротивлением 20 Ом-см, диффузией бора на глубину около 30 нм из газовой фазы. Металлические контакты были изготовлены на основе алюминия. Площадь освещаемой поверхности 5=0.5см2.

Исследуемые СаАэ р-п-структуры создавались на пластине СаАэ, которая была получена методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженном давлении в горизонтальном реакторе. Слои СаАэ п- и р- типов были изготовлены путем легирования донорами и акцепторами из силана и СргМд и имели толщины 1.6мкм и 0.4мкм и концентрации носителей заряда /7=1015см"3 и /т=1019см"3 (300К), соответственно. Площадь освещаемой поверхности 5=12.5мм2.

Результаты работы.

1. Разработана экспериментальная методика, позволяющая исследовать температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных и р-п-структур в широком температурном диапазоне (77-400К) и в широком интервале энергий падающих фотонов (1-бэВ).

2. Разработана экспериментальная методика позволяющая исследовать зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования различных структур от электрического поля в слое объемного заряда (при приложении внешнего напряжения) при различных энергиях падающих фотонов и температурах.

3. Определены температурные зависимости квантовой эффективности 7 фотоэлектропреобразования СаАэ и 6аР поверхностно-барьерных структур.

4. Определены зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от электрического поля в слое объёмного заряда (при изменении приложенного напряжения) для СаР и СэАб поверхностно-барьерных структур.

5. Определены температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования р-п-структур на основе кремния и арсенида галлия.

6. На основе сравнительного анализа полученных закономерностей предложена модель, объясняющая зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования для СаР и СэАб поверхностно-барьерных структур от температуры и электрического поля в слое объемного заряда (модель флуктуационных ловушек).

7. Предложен механизм, объясняющий коротковолновый спад квантовой эффективности фотоэлектропреобразования (экситонная модель).

Основные положения, выносимые на защиту.

Положение 1 (о температурной зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур).

С ростом температуры квантовая эффективность фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе СаР и СаАэ возрастает; температурный рост квантовой эффективности тем слабее, чем выше энергия фотонов; зависимость квантовой эффективности от температуры стремится к насыщению при высоких температурах (7>300К) и при высоких энергиях фотонов (/7у>3.4эВ); зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от температуры для СэАб-структур существенно более сильная, чем для СаР-структур.

Положение 2 (о зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур от электрического поля).

С ростом электрического поля в слое объемного заряда квантовая эффективность фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе СаР и СэАб возрастает; при высоких значениях электрического поля 8 приложенное обратное напряжение более 5В) эта зависимость квантовой эффективности стремится к насыщению.

Положение 3 (о температурной зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования р-п-структур).

Квантовая эффективность фотоэлектропреобразования для р-п-структур на основе Б1 и р-п-структур на основе СаАэ не зависит от температуры в области собственного поглощения полупроводника (интервал энергий фотонов 1,4-5.2эВ для структур и 1.8-5.2эВ для СэАб структур): температурное изменение квантовой эффективности не превышает 0.01%/°С.

Положение 4 (о модели флуктуационных ловушек).

Процесс фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах помимо генерации светом электронно-дырочных пар и разделения их полем объемного заряда, обусловлен захватом носителей заряда на флуктуационные ловушки, связанные с приповерхностными несовершенствами; при увеличении температуры происходит высвобождение носителей заряда из ловушек, что и вызывает рост квантовой эффективности фотоэлектропреобразования; при увеличении электрического поля в слое объемного заряда (при приложении внешнего напряжения), происходит уменьшение энергии локализации электронно-дырочной пары на флуктуационной ловушке, что также вызывает рост квантовой эффективности фотоэлектропреобразования; в р-п-структурах поверхностные несовершенства не оказывают влияния на процесс фотоэлектропреобразования так как слой объемного заряда находится в толще полупроводника.

Положение 5 (о коротковолновой фоточувствительности поверхностно -барьерных структур).

Факт уменьшения коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования СаАБ и СаР поверхностно - барьерных структур с ростом энергии падающих фотонов хорошо согласуется с выводами экситонной модели; зоны Брюллюэна СаАэ и СаР имеют области (величины ширины запрещенной зоны в этих областях соответствуют энергиям коротковолновых фотонов), в которых зона проводимости и валентная зона практически параллельны друг другу, поэтому возникающие в этих областях горячие электроны и дырки движутся в одном направлении с близкими скоростями и могут связываться в горячие экситоны, 9 которые из-за большой массы слабо диссоциируют в контактном поле и способны пролететь слой объемного заряда и рекомбинировать в металле или квазинейтральной области полупроводника, таким образом, они не участвуют в фототоке и не дают вклада в квантовую эффективность фотоэлектропреобразования

Научная новизна.

1. Разработана экспериментальная методика, позволяющая исследовать в ультрафиолетовой области спектра температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования различных структур в широком температурном диапазоне (77-400К) и зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от электрического поля в слое объемного заряда.

2. Впервые установлены зависимости коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования СэАб и СаР поверхностно-барьерных структур от температуры.

3. Впервые установлены зависимости коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования СаР и СэАб поверхностно-барьерных структур от электрического поля в слое объёмного заряда.

4. Предложена модель, объясняющая температурную и полевую зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования (модель флуктуационных ловушек) и модель, объясняющая коротковолновый спад квантовой эффективности фотоэлектропреобразования (экситонная модель) для СаР и СэАб поверхностно-барьерных структур.

Практическая и научная ценность работы.

Разработанная экспериментальная методика, позволяющая исследовать зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от температуры в интервале 77-400К и от электрического, поля в слое объемного заряда при различных температурах, в широком интервале энергий падающих фотонов (1-6эВ), может использоваться для определения температурной и полевой стабильности

10 фотоприемников ультрафиолетового излучения на основе поверхностно-барьерных и р-п-структур.

Зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от температуры позволяет определить температурные границы применимости ультрафиолетовых фотоприемников; а зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от электрического поля (при приложении внешнего напряжения) позволяет определить оптимальный режим работы таких устройств; что позволяет повысить эффективность ультрафиолетовых фотоприемников.

Научную ценность имеют предложенные в данной работе модели: модель флуктуационных ловушек, объясняющую зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования GaP и GaAs поверхностно-барьерных структур от температуры и экситонная модель, объясняющая коротковолновый спад квантовой эффективности фотоэлектропреобразования; эти модели хорошо согласуются друг с другом и вносят существенный вклад в понимание механизма фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах.

Апробация работы.

Результаты работы опубликованы в ведущих полупроводниковых журналах «Физика и техника полупроводников» и «Journal of Physics: Condensed Matter» и докладывались на международных конференциях: 8th European Symposium on semiconductor detectors, Schloss Elman, Germany (июнь 1998 года) и 2nd International Workshop on Radiation Imaging Detectors, Freiburg, Germany (июль 2000 года), 3rd International Conférence on Materials for Microelectronics, Republic of Ireland, Dublin Castle (октябрь 2000 года), на конференции, посвященной 20-летию кафедры Оптоэлектроники СПбГЭТУ, Санкт-Петербург (май 1997) и семинарах Физико-Технического Института имени А.Ф. Иоффе РАН и кафедры Оптоэлектроники факультета Электроники СПбГЭТУ.

11

Список обозначений.

А - постоянная Ричардсона С- емкость

О - коэффициент пропускания

Ед - ширина запрещенной зоны полупроводника

ЛЕ- энергия активации

Ет - максимальное значение электрического поля в слое объемного заряда Е- электрическое поле

Еп - среднее электрическое поле в инверсионной области

Л - постоянная Планка

I- электрический ток

1Г - обратный ток

1г - прямой ток

1ф - фототок к- постоянная Больцмана Ц - диффузионная длина электронов

- диффузионная длина дырок ¿рл - длина фотоэлектроактивной области Ц - длина поглащения

77* - эффективная масса электрона в полупроводнике /V- плотность потока падающих фотонов N(1- концентрация доноров Ыа - концентрация акцепторов

-эффективная плотность состояний в валентной зоне п - показатель преломления п - концентрация электронов р - концентрация дырок /? - коэффициент отражения <? - величина объемного заряда д - заряд электрона

12

S - площадь контакта 5 - степень стабилизации уровня Ферми Т- температура

UD - диффузионная разность потенциалов U - приложенное напряжение W - ширина слоя объемного заряда х, - ширина инверсионной области X/ - электроотрицательность металла хт - расстояние от границы раздела до точки максимума электрического поля /-энергия электрона, отсчитанная от максимума потенциального барьера. Фт - работа выхода электрона из металла

Ф0 - энергия уровня нейтральности на поверхности полупроводника а - коэффициент поглощения света р - коэффициент неидеальности у - квантовая эффективность фотоэлектропреобразования

Shot - коэффициент потерь горячих фотоносителей

Stherm - коэффициент потерь термализованных.фотоносителей

Xs - энергия сродства к электрону полупроводника г5 -относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

0 - диэлектрическая проницаемость вакуума ц - внутренний квантовый выход фотоэффекта

Фв - высота потенциального барьера hv -энергия фотонов

13

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Бланк, Татьяна Владимировна

Заключение.

Основной настоящей работы является проведенное автором экспериментальное исследование механизма горячего фотоэффекта в поверхностно-барьерных структурах на основе СаАэ и СаР. Была разработана экспериментальная методика, позволяющая исследовать температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных и р-п-структур в широком температурном диапазоне (77-400К) и в широком интервале энергий падающих фотонов (1-бэВ) и экспериментальная методика позволяющая исследовать зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования различных структур от электрического поля в слое объемного заряда (при приложении внешнего напряжения) при различных энергиях падающих фотонов и температурах. Были установлены температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования для поверхностно-барьерных структур на основе СаАБ и СаР и установлены зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от электрического поля в слое объёмного заряда для СаР и СэАб поверхностно-барьерных структур в широком интервале температур. С ростом температуры, как и с ростом электрического поля в слое объемного заряда квантовая эффективность фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе СаР и СаАэ возрастает.

Был проведен сравнительный анализ полученных результатов и предложена модель флуктуационных ловушек в слое объемного заряда, выводы которой хорошо согласуются с экспериментальными результатами. Согласно этой модели процесс фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах помимо генерации светом электронно-дырочных пар и разделения их полем объемного заряда, обусловлен захватом носителей заряда на флуктуационные ловушки, связанные с приповерхностными несовершенствами; при увеличении температуры происходит высвобождение носителей заряда из ловушек, что и вызывает рост квантовой эффективности фотоэлектропреобразования; при увеличении электрического поля в слое объемного заряда (при приложении внешнего напряжения), происходит уменьшение энергии локализации электронно-дырочной

97 ' пары на флуктуационной ловушке, что также вызывает рост квантовой эффективности фотоэлектропреобразования.

Для подтверждения модели флуктуационных ловушек были определены температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования р-п-структур на основе и СэАб. Квантовая эффективность фотоэлектропреобразования для р-п-структур на основе и СэАб не зависит от температуры в области собственного поглощения полупроводник, причем температурное изменение квантовой эффективности не превышает 0.01 %/°С. В р-п: структурах приповерхностные флуктуационные ловушки не оказывают влияния на процесс фотоэлектропреобразования, поскольку фотоэлектроактивная область (слой объемного заряда) находится в толще полупроводника.

В данной работе предложен экситонный механизм уменьшения коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования СэАб и СаР поверхностно - барьерных структур с ростом энергии падающих фотонов. В некоторых областях зоны Брюллюэна СэАб и СаР горячие электроны и дырки могут связываться в горячие экситоны, которые из-за большой массы слабо диссоциируют в контактном поле и способны пролететь слой объемного заряда и рекомбинировать в металле или квазинейтральной области полупроводника, таким образом, они не участвуют в фототоке и не дают вклада в квантовую эффективность фотоэлектропреобразования.

98

Автор благодарит всех коллег, принимавших участие в выполнении настоящей работы, неформальность отношений с которыми позволила сделать эту работу не только содержательной, но и приятной:

• научных руководителей: Юрия Ароновича Гольдберга и Олега Владиславовича Константинова за постановку задачи, эффективную организацию работы, конструктивный анализ и обсуждение результатов;

• соавторов: Елену Андреевну Поссе за участие в проводимых экспериментальных исследованиях и Олега Игоревича Оболенского за компьютеризацию теоретических моделей;

• Андрея Николаевича Карпенко за помощь в оформлении.

99

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Бланк, Татьяна Владимировна, 2000 год

1. SchottKy W. Vereiafachte und erweiterte theorie der rand Schichtgleichrichter // Z.Phys., 1942, VOI.B118, No.9/10, p.539-592

2. Bethe H.A. Theory of the boundary layer of crystal rectifiers // Rap. 43/12 Massachusetts Inst, of Tech. Rad. Lab., 1942.

3. Bardeen J. Surface states and rectirication at a metal-semiconductor contact // Phys. Rev., 1947, vol71, No.10, p.717-727

4. Welker H. über neue halbleitende Verbindungen // Zc. Naturf., 1952, vol.7a, No.11, p. 744-749

5. Наследов Д.Н., Смирнова H.H., Царенков Б.В. // ФТТ, 1959, т.11, с.96-98

6. Наследов Д.Н., Царенков Б.В. // ФТП, 1959, т.1, с.78-88.

7. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе // В кн.: Наука и человечество. Международный ежегодник.- М., 1976, с.276-289

8. Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. // ФТП, 1981, т.15, вып.7, с.1385-1393

9. Archer R.J., Atalle М.М. // Ann.N.-Y. Acad.Sci., 1963, vol.101, No3, p.697-708

10. Dorbeck H. // Solid-State Electron, 1966, vol.9, No.12, p.1135-1136

11. Максимова H.A., Вяткин А.П., Пронина И.Т., Жаров A.A. // Известия ВУЗов, серия Физика, 1968, т.7, с.89-91

12. A.c. № 392845 СССР, пр. 12.10.70 / Способ изготовления полупроводниковых приборов / Гольдберг Ю.А., Царенков Б.В. // Бюлл., 1975, вып.,39, с.179

13. Freeouf J.L., Woodall J.M. // Appl.Phys.Lett., 1981, vol.39, No.9, p.727

14. Woodall J.M, Freeouf J.L. // J.Vac.Sci. and Techn., 1982, vol.21, No2, p.574-576

15. Brilson LJ., Bruker C.F. // J. Vac. Sei. and Techn., 1982, vol.21, No2, p.964-969

16. Chye P.W., Lindan I., Pianettm P., Garner C.M., Su C.T., Spicer W.E. // Phys.Rev. B, 1978, vol.18, No.10, p.5545-5549

17. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P., Su C.T., Chye P.W. // Phys.Rev.Lett., 1980, vol.44, No.6, p.577-584

18. Lee B.W., Wang D.C., Ni B.K., Rowe M. // J. Vac.Sci.and Techn., 1982, vol.21, No.2, p. 577-584

19. Heine V. Theory of surface states // Phys.Rev., 1965, vol.138, No.4, p. A1689-A1696105

20. Phillips J.C. // Solid-State Communic., 1973, vol.12, No9, p.861-864

21. Padovani F.A. // Semiconductors and semimetals., 1971, vol.7, pt.A, p.75-146

22. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл полупроводник, Киев, Наукова Думка, 1974.

23. Gartner W.W. // Phys.Rev., 1959, vol.116, No.l, p.84-87

24. Li S.S., Lindholm F.A., Wang C.T. // J. Appl. Phys., 1972, vol.43, No. 10, p.4123-4129

25. Гуткин A.A., Дмитриев M.B., Наследов Д.Н., Пашковский А.В. // ФТП, 1971, т.5, вып.10, с.1927-1932

26. Гуткин А.А., Дмитриев М.В., Наследов Д.Н. // ФТП, 1972, т.З, вып.З, с.502-508

27. Волков А.С., Царенков Б.В., Царенков Г.В. // ФТП, 1976, т.Ю, вып.З, с.1574-1578

28. Буль А.Я., Буль С.П., Лежейко А.В., Любопытова Е.Н., Кузнецов О.Н., Сайдашев И.И., Шаронова Л.В., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. // ФТП, 1977, т.11. вып.8, с.1634-1637

29. Пека Г.Н., Коваленко В.Ф., Сколяр А.Н. Варизонные полупроводники. Киев, Выща школа, 1989

30. А.С. 401267 СССР, пр. 20.11.70 / Полупроводниковый поверхностно-барьерний прибор / Гольдберг Ю.А., Царенков Б.В., Яковлев Ю.П. // Бюлл., 1977, №39, с.229

31. Оксли Т., Саммерс Дж. // Зарубежная радиоэлектроника, 1968, №11, с.97-105

32. Альтман А. // Электроника, 1974, т.47, №21, с.97-113•"Улучшение характеристик полупроводниковых СВЧ приборов // Электроника, 1974, т.47, № 4, с.59

33. Williams R., Wronski C.R. // Appl. Ptys. Lett., 1968, vol.13, No.7, p.231-233

34. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Гусев Г.В.,Огурцов В.И. // ФТП, 1974, т.З, с.410-413

35. Матвеев О.А., Рыбкин С.М., Таркин Д.В. // Радиотехника и электроника, 1964, т.9, вып.6, с.895-896

36. Pankove J.I. // J.Luminescence., 1973, vol.7, p. 114-126

37. Allen J.W. // J.Luminescence., 1973, vol.7, p.228-240

38. Царенков Б.В., Акперов Я.Г., Именков А.Н./Яковлев Ю.П. // ФТП, 1972, т.6, вып.5, с.677-681

39. Rhoderick Е.Н. // J. Appl. Phys., 1970, vol.3, No.8, p.1153-1167

40. Lang D.V. // J. Appl. Phys., 1974, vol.45, No.7, p.3023-3032

41. Гуткин A.A., Лебедев A.A., Раду P.К., Талалакин Г.Н., Шапошникова Т.А. // ФТП,1061972, т.6, вып.10, с.1954-1960

42. Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю. // Микроэлектроника, 1979, т.8, №1, с.64-70

43. Бывалый В.А., Волков A.C., Гольдберг Ю.А., Дмитриев А.Г., Царенков Б.В. // ФТП, 1979, т.13, вып.7, с.1386-1393

44. Cowley A.M., Sze S.M. // J.Appl.Phys., 1965, vol.36, No.10, p.3212-3220

45. Andrews J.M., Philips J.C. // Phys. Rev. Lett., 1975, vol.35, No.l, p.56-59

46. Brillson LJ. // Phys.Rev.Lett., 1978, vol.40, p.260-263

47. Brillson L.J., Brucker C.F., Katnani A.D., Stoffel N.G., Margaritondo G. // J. Vac. Sci.and Techn., 1981, vol.19, No.3, p.661-666

48. Brillson LJ., Brucker C.F., Katnani A.D., Stoffel N.G., Daniels R., Margaritondo G. // Surface Sei., 1983, vol.132, p.212-232

49. Louie S.G., Cohen M.L. // Phys.Rev., 1976, vol,13, No.4, p.2461-2469

50. Lindau I., Chye P.W., Garner C.M., Pianetta P., Su C.Y., Spicer W.E. // J.Vac.Sci. and Techn., 1978, vol.15, No.4, p.1332-1339

51. Daw M.S., Smith D.L., Swarts C.A., McGill T.C. // J.Vac.Sci. and Techn., 1981, vol.19, No 3, p.508-512

52. Holland L. Vacuum deposition of thin films. London: Chapman and Hall, 1966.

53. Smith B.L. // J. Appl. Phys., 1969, vol.40, No. 11, p.4675-4676

54. Cowley M., Hefner H. // J. Appl. Phys., 1964, vol.35, No.l, p.255-256

55. Melchior H., Lepselter M.P., Sze S.M. // IEEE Trans, on Electron.Devices, 1968, voI.ED-15, No.9, p.687

56. Вяткин А.П., Максимова H.K., Поплавной A.C., Степанов B.E., Чалдышев В.А. // ФТП, 1970, т.4, вып.5, с.915-922

57. Гольдберг Ю.А., Наследов Д.Н., Царенков Б.В. // ПТЭ, 1971, №3, с.207-209

58. Бахвалов Г.Т. Защита металлов от коррозии. М.: Металлургия, 1964

59. Yu A.Y.C., Mead С.А. // Solid-State Electron, 1970, vol.13, No.2, p.97-104

60. Lepselter M.P., Sze S.M. // Bell Syst. Techn. J., 1968, vol.47, No.2, p.195-208

61. Коулмен Д., Ирвин Дж., Зи С. // ТИИЭР, 1971, т.59, №7, с.87-89.

62. Rhee С., Saltich J., Zwernrmann R. // Solid-State Electron, 1972, vol.15, No.ll, p.1181-1186

63. Foyt A.G., Lindley W.T., Wolfe C.M. // Solid-State Electron, 1969, vol.12, No.4, p.209:107214

64. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965.

65. Yu A Goldberg // Semiconductor near-ultraviolet photoelectronics, Semicond. Sci. Technol., 1999, vol.14, p.R41-R60

66. Fouler R.H. // Phys. Rev., 1931, vol.38, p.45 .

67. Mead C.A. // Solid-State Electron, 1966, vol.9, No.11/12, p.1023-1031

68. Parker G.H., McGill Т.О., Mead C.A., Hoffman D. // Solid-State Electron., 1968, vol.11, No.2, p.201-204

69. Anderson C.L., Crowell C.R., Kao T.W. // Solid-State Electron., 1975, vol.18, No.8, p. 705-717

70. Гольдберг Ю.А., Константинов O.B., Львова T.B., Окунев К.К. // ФТП, 1982, т.16, вып.9, с.1529-1533

71. Гольдберг Ю.А., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ПТЭ, 1976, т.4, с.212-214

72. Caywood J.M., Mead C.A. // Apply Phys. Lett., 1969, vol.15, No.l, p.14-16

73. Гуткин A.A., Седов B.E. // ФТП, 1975, т.9, вып.9, с.1761-1764

74. Lavange М., Pique J.P., Marfing Y. // Solid State Electron., 1977, vol.20, No.3, p.235-240

75. Резников Б.И., Царенков Г.В. // ФТП, 1991, т.25, с.1922

76. Мезрин О.А., Трошков С.И. // ФТП, 1983, т.22, вып.1, с.176-179

77. Гольдберг А.Ю., Львова Т.В., Мезрин О.А., Трошков С.И. // ФТП, 1990, т.24, вып.10, с.1835-1840

78. Константинов О.В., Мезрин О.А., Царенков Г.В. // ФТП, 1988, т.22, вып.1, с.129-132.

79. Гольдберг А.Ю., Лаперашвили Т.А., Накаидзе Г.А., Царенков Б.В., // Письма в ЖТФ, 1982, т.8, вып. 14, с.866-870

80. Гольдберг Ю.А., Львова Т.В., Мильвидский М.Г., Поссе Е.А., Сабанова Л.Д. // Электронная техника, 1980, т.2, №137, с.89-93

81. Yu.A.Goldberg, E.A.Posse, B.V.Tsarenkov // Electronics Letters, 1971, vol.7, No.20, p.601-602108

82. Гольдберг А.Ю., Царенков Б.В., Поссе Е.А. // ФТП, 1975, т.9, вып.З, с.513-518

83. Гольдберг А.Ю., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП, 1981, т.15, вып.12, с.2339-2346

84. Е.И. Иванов, Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, H.H. Шмидт// ФТП, 1981, вып.15, с.1343

85. H.R. Philipp, Е.А. Taft // Physical Review, 1955, vol.99, p.1151

86. D. Redfield // Applied Physics Letters, 1979, vol.35, p.182

87. M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov // Proceedings of 5st European Space Power Conference (ESASP-416), Tarragona, Spain, 1998, p. 513-518

88. Дмитриев А.Г., Царенков Б.В. // ПТЭ, 1972, №1, с.208

89. Ю.А. Гольдберг, Г.В. Гусев, В.И. Огурцов // ФТП, 1974, т.8, с.410

90. E.H. Вигдорович, Ю.А. Гольдберг, М.Г. Дурдымурадова, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков // ФТП, 1991, т.25, с.1419

91. Photodiodes. Hamamatsu Photonics К.К., Catalog, 1996

92. Semiconductors Parameters, editors: M.Levinshtein, S.Rumyantsev, M.Shur, World Scientific, vol.1, 1998

93. Landolt Burnstein, Numerical data and functional relationship in science and technology, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-NY, vol.17 "Semiconductors", subvolume a "Physics of group IV elements and III-V compounds", 1982

94. Гуткин A.A., Дмитриев M.B., Хант B.M. // Журнал прикладной спектроскопии, 1979, вып.4, с.717

95. D.E. Aspnes, A.A. Studna. // Phys. Rev. В., 1983, т.27, с.985

96. Т.А. Орлова, С.А. Тарасов. Влияние границы раздела на свойства поверхностнобарьерных структур металл фосфид галия // Поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники, Тезисы доклада научной молодежной школы, Санкт-Петербург, 1999, с. 13

97. V.M. Andreev, V.V. Komin, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, M.Z. Shvarts // Proceedings of Ist World Conference on Photovoltaic Energy Conversation, 1994, Hawaii, p. 1824

98. Л.Н. Дмитрук, О.Ю. Борковская // Микроэлектроника, 1979, т.8, с.68

99. B.L. Smith, М. Abbott // Sol. St. Electron., 1972, vol.15, p.361