Голографические среды на основе фотохромных кристаллов фторидов кальция и кадмия с центрами окраски тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, доктор физико-математических наук Щеулин, Александр Сергеевич

• Щеулин, Александр Сергеевич
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Щеулин, Александр Сергеевич

Введение.

Глава 1. Аддитивное окрашивание кристаллов фторидов кальция и кадмия.

1.1. Введение.

1.2. Методы аддитивного окрашивания.

1.3. Процессы на поверхности окрашиваемых кристаллов.

1.4. Процессы в объеме окрашиваемых кристаллов.

1.5. Обесцвечивание аддитивно окрашенных кристллов.

Глава 2. Центры окраски и процессы их преобразования в кристаллах фторида кальция.

2.1. Простые центры окраски.

2.2. Высоко-агрегированные центры окраски.

2.3. Фототермохимические преобразования, приводящие к образованию и разрушению высоко-агрегированных центров окраски в кристаллах CaF2 и

CaF2:Na.

Глава 3. Голографнческие среды на основе аддитивно окрашенных кристаллов фторида кальция.

3.1. Механизмы записи и стирания голограмм.

3.2. Свойства голограмм.

3.3. Запись голограмм на коллоидных центрах излучением видимого диапазона спектра.

Глава 4. Новый оптический элемент - голографическая призма.

4.1. Голографическая призма — многозначная мера плоского угла.

4.2. Голографическая призма — экспериментальная реализация.

Глава 5. Электронная структура бистабильных центров в кристаллах фторида кадмия.

5.1. Введение.

5.2. Фоторазрушение глубоких центров.

5.3. Терморазрушение мелких центров.

5.4. DX-центры и донорные примеси во фториде кадмия.

Глава 6. Голографические среды на основе кристаллов фторида кадмия с бистабильными центрами.

6.1. Введение.

6.2. Механизм записи голограмм в кристаллах CdF2 с бистабильными центрами.

6.3. Температурная зависимость дифракционной эффективности и времени жизни голограмм.

6.4. Разрешающая способность голограмм.

Глава 7. Использование голографических фильтров пространственных частот на основе кристаллов фторида кадмия с бистабильными примесными центрами в оптических корреляторах.

7.1. Введение.

7.2. Оптическая пространственная фильтрация образов.

7.3. Сравнение схем корреляторов Вандер Люгта и совместного преобразования Фурье.

7.4. Коррелятор Вандер Люгта на основе кристалла CdF2:In.

7.5. Коррелятор совместного преобразования Фурье на основе кристалла

CdF2:Ga.

Глава 8. Использование кристаллов фторида кадмия с бистабильными примесными центрами в задачах коррекции искажений волновых фронтов и изображений.

8.1. Принципы оптической коррекции искажений волнового фронта.

8.2. Дннамнческий голографический корректор изображений на основе кристалла CdF2:Ga,Y.

8.2.1. Образец и схема эксперимента.

8.2.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

8.3. Динамический голографический корректор волнового фронта на основе кристалла CdF2".In.

8.3.1. Образец и схема эксперимента.

8.3.2. Компенсация модельных фазовых искажений.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Голографические среды на основе фотохромных кристаллов фторидов кальция и кадмия с центрами окраски»

Один из творцов современной голографии, Ю.Н.Денисюк, говорил, что проблема голографии - это проблема голографических материалов. Он имел в виду, что сдерживающим моментом в широком применении методов голографии для решения конкретных научно-технических задач и создания оптических приборов является дефицит голографических материалов, которые могли бы обеспечить эффективную реализацию этих могущественных методов. Разработка материалов, ориентированных на создание определенных голографических элементов и устройств, является актуальной задачей оптического материаловедения.

Целью настоящей работы является разработка и исследование новых классов голографических материалов на основе двух кристаллов со структурой флюорита -фторида кальция (СаРг) «чистого» (не легированного)1 и содержащем примеси щелочных металлов (Li, Na) и фторида кадмия (CdF2) с примесями Ga и In.

Запись стабильных (СаР2) и динамических (CdF2) голограмм в этих кристаллах становится возможной в результате формирования в них фотохромных центров окраски.

Для достижения этой цели в работе решались следующие задачи:

1. развитие лабораторной технологии получения фотохромных кристаллов CaF2 и CdF2;

2. изучение структуры и процессов преобразования центров окраски;

3. исследование механизмов фотохромии и записи голограмм;

4. определение голографических характеристик материалов на основе кристаллов CaF2 и CdF2;

5. установление областей их возможного использования;

6. создание конкретных голографических элементов.

К семейству кристаллов со структурой флюорита принадлежит обширная группа фторидных, хлоридных, оксидных и гидридных соединений с общей формулой RX2 iX~ F, R = Са, Sr, Ва, Cd, РЪ, Hg; CI, R = Sr, Ва; Х= О, R = Се, Th, U; Х=Н, R = Се), кристаллизующихся с решеткой, идентичной решетке широко распространенного в природе минерала флюорита - фторида кальция.

1 По данным масс-спектрометрического анализа содержание следовых примесей в наиболее чистых кристаллах CaF2, использованных в настоящей работе, было на уровне

1014 -г 1015) см"3.

Структура флюорита (пространственная группа Osh (Fm3m)') может быть представлена в виде последовательности фторных кубов, половина центральных позиций которых занята катионами. Характерной особенностью этой структуры является сравнительная жесткость катионной и высокая лабильность анионной подрешетки. Этой лабильности благоприятствует огромное количество пустот в катионной подрешетке (междоузлий).

Кристаллы со структурой флюорита - это широкозонные диэлектрики, прозрачные в широкой спектральной области, включающей видимую и значительную часть ультрафиолетовой (УФ) и инфракрасной (ИК) областей спектра. Фториды кальция и бария являются одними из основных оптических материалов, они широко используются в оптической технике. Повышенный интерес к ним в последнее время связан с их применением в качестве материалов фотолитографии, используемых, совместно с эксимерными лазерами, в производстве полупроводниковых чипов.

Поскольку структура флюорита характеризуется преимущественно ионным характером химической связи, внедрение гетеровалентных примесей сопровождается образованием в процессе роста кристаллов собственных дефектов, компенсирующих дополнительный заряд, вносимый остовом примеси. Эти дефекты образуются в анионной (фторной) подрешетке. Для одновалентных примесей (Li, Na) такими дефектами являются анионные вакансии, Vy , в то время как для трехвалентных примесей (Ga, In) это междоузельные ионы фтора, F".

Вследствие ионного механизма компенсации заряда легирующих примесей в рассматриваемых кристаллах, легирование последних, само по себе, не приводит к образованию центров окраски, имеющих переходы в оптической области спектра, если только примесь не принадлежит к числу переходных металлов, обладающих внутрицентровыми переходами; рассматриваемые в работе примеси таковыми не являются. Создание центров окраски требует дополнительной — после выращивания кристаллов - процедуры, их прокалки в восстановительной атмосфере паров металла-катиона или в водороде. В ходе этой процедуры, именуемой аддитивным окрашиванием, восстановитель реагирует с решёточным фтором у поверхности кристалла. В ходе этой реакции возникают анионные вакансии и электроны, которые диффундируют вглубь кристалла.

Два класса голографических сред, рассматриваемых в настоящей работе, различаются, прежде всего, по типу и механизму формирования в них центров окраски.

В кристаллах CaF2 диффундирующие в кристалл анионная вакансия и электрон могут рекомбинировать с образованием простейших F-центров окраски, которые в процессе окрашивания могут преобразовываться в более сложные центры, включающие несколько вакансий и электронов. Одновалентные примеси модифицируют это процесс, поскольку в легированных кристаллах возможно образование, так называемых, возмущенных центров окраски, в состав которых входит ион примеси. Окрашиваются как чистые, так и легированные кристаллы CaF2, однако, результат этой процедуры зависит от концентрации примеси.

В кристаллах CdF2 F-центры не образуются, поэтому нелегированные кристаллы CdF2 не окрашиваются. В процессе окрашивания кристаллов, содержащих трехвалентные (донорные) примеси, диффундирующие в объем анионные вакансии рекомбинируют с междоузельными ионами К, а свободные электроны, локализуясь на примесях, образуют центры окраски.

С учетом специфики каждого из кристаллов-матриц, в работе была усовершенствована аппаратура для проведения аддитивного окрашивания, изучены механизмы этой процедуры и проведена ее оптимизация, обеспечивающая однородное окрашивание образцов, размеры которых ограничены только габаритами контейнера (диаметр 18 мм, длина 35 мм).

Два рассматриваемых класса сред, различаются и по механизму фотохромии, характерному для каждого из них.

Фотохромия легированных кристаллов фторида кальция связана, прежде всего, с ионным движением. Под действием света и тепла происходит перемещение по кристаллу анионных вакансий, отщепившихся от ионизованных центров окраски (или - если это F-центры - образующихся при их ионизации). Этот процесс приводит, в конечном счете, к формированию центров окраски с другим составом и структурой, нежели до освещения кристалла, и сопутствующему изменению его оптических свойств. Следует заметить, что примеси лития и натрия сравнительно слабо влияют на электронную структуру и оптические свойства центров окраски во фториде кальция, но определяют их номенклатуру. В работе изучены фототермохимические процессы преобразования центров окраски в чистых и легированных кристаллах фторида кальция, при этом значительное внимание уделено процессам, приводящим к образованию высоко-агрегированных центров окраски с большим числом анионных вакансий (более четырех вплоть до огромного их числа). Эти центры играют определяющую роль в формировании голографических решеток во фториде кальция.

Как отмечено выше, превращение центров окраски, лежащее в основе фотохромии фторида кальция, связано с движением анионных вакансий. При достаточно высокой концентрации центров окраски их фотоионизация, в результате которой образуются вакансии, сопровождается обратным процессом — рекомбинацией электронов с ионизованным центром, что ограничивает диффузию вакансий. Эта рекомбинация затрудняется, если условия процесса фотопревращения (длина волны излучения и температура образца) обеспечивают образование высоко-агрегированных центров окраски. Формирование таких центров, в которых сконцентрировано значительное число присутствующих в кристалле анионных вакансий (с электронами), приводит к образованию обширных областей, практически свободных от центров окраски. Это обстоятельство облегчает диффузию вакансий. Как показано в настоящей работе, при записи голограмм эта диффузия может иметь следствием не только изменение типа центров окраски, но и различие концентрации в узлах и пучностях интерференционной решетки одних и тех же (высоко-агрегированных) центров, устойчивых при температуре записи. Это различие определяет изменение оптических постоянных в узлах и пучностях, т.е. дифракционную эффективность такой голограммы. В спектральной области, захватываемой поглощением высоко-агрегированных центров, голограммы имеют амплитудно-фазовый характер; соотношение обеих компонент зависит от интенсивности окраски.

Важнейшим свойством голограмм, записанных в кристаллах фторида кальция, является их стабильность, определяемая устойчивостью высоко-агрегированных центров к температуре. Свойства флюорита как матрицы, обеспечивают устойчивость голограмм по отношению не только к температуре, но и к сдвиговым деформациям, влажности, химическим воздействиям. Кристаллы флюорита отличаются высокой лучевой и радиационной стойкостью. Перечисленные свойства голограмм делают их особо перспективными для применений метрологического характера. Одно из таких применений, связанное с измерением углов предложено в данной работе.

Фотохромия кристаллов CdF2:Ga и CdF2:In связана преимущественно с электронным движением. Аддитивное окрашивание легированных трехвалентными примесями кристаллов фторида кадмия переводит их в полупроводниковое состояние. При проведении этой процедуры вводимые в кристалл электроны локализуются в зоне проводимости или на центрированных на примесях водородоподобных орбиталях. С фотоионизацией донорных центров - переходом электрона с водородоподобного уровня в зону проводимости - связана интенсивная ИК полоса поглощения, форма которой описывается водородоподобной моделью.

Две из примесей 3-го столбца, индий и галлий, проявляют в полупроводниковых кристаллах CdF2 свойство бистабильности — они образуют два состояния, основное и возбужденное, причем последнее (водородоподобное) состояние, будучи отделено от основного потенциальным барьером, является метастабильным. В спектре поглощения кристаллов CdF2:Ga, CdF2:In, наряду с ИК полосой, присутствует полоса в ультрафиолетовой и видимой (УФ-ВИД) области спектра; эта полоса соответствует процессу фотоионизации бистабильного центра, находящегося в основном состоянии.

Освещение в УФ-ВИД полосе приводит к фотоионизации основного состояния примеси. Фотоиндуцированный электрон перемещается по зоне проводимости или по зоне примесных состояний и захватывается ионизованной примесью, которая при этом переходит в метастабильное состояние2'3. Таким образом, во фториде кадмия изменение оптических свойств при освещении кристалла (его фотохромия) обусловлена изменением состояния одной и той же примеси.

Ввиду электрон-фононного взаимодействия изменение электронного состояния примеси сопровождается ионным движением, но оно носит локальный характер и ограничено ближайшими к примеси ионами.

Фотохромия легированных галлием и индием кристаллов CdF2 была использована нами для записи в них обратимых фазовых голограмм в области спектральной щели между двумя указанными полосами. Ввиду метастабильного характера возбужденного состояния бистабильного центра, голограммы имеют динамический характер. В работе исследованы характеристики кристаллов CdF2:Ga и CdF2:In как материалов голографии в реальном масштабе времени. Они могут быть использованы для отслеживания оптических процессов, протекающих в широком диапазоне частот от сколь угодно низких до 1О МГц или более с использованием температуры в качестве параметра, управляющего временем распада голограммы. Динамические топографические фильтры пространственных частот на основе этих кристаллов могут быть использованы в оптических корреляторах.

2 Распад голограммы в этих - динамических - средах также связан с перемещением носителя по зоне проводимости или по зоне примесных состояний

3 Для кристалла CdF2 константа взаимодействия электронов проводимости с продольными оптическими фононами сравнительно велика и равна а ~ 3.3, из чего следует, что подвижными (и связанными на донорных уровнях) носителями заряда в этом кристалле являются поляроны

Фотохромные кристаллы CdF2:Ga и CdF2:In могут найти применение в устройствах динамической коррекции качества оптического изображения и лазерного излучения

В ходе разработки голографических сред на основе этих кристаллов мы пришли к заключению о том, что сложившиеся к началу 90-тых годов представления об электронной структуре и строении бистабильных центров во фториде кадмия нуждаются в коренном пересмотре. Экспериментальные исследования, проведенные в настоящей работе, показали, что эти центры характеризуются отрицательной корреляционной энергией (negative- U центры) и идентичны, так называемым, DX-центрам в полупроводниковых соединениях III-V и II-VI. Образование таких центров в кристалле с преимущественно ионным характером химической связи представляет нетривиальный факт.

В работе проведено всестороннее исследование голографических сред, на основе кристаллов фторидов кальция и кадмия, определены их характеристики: области и величина чувствительности, характер образующихся дифракционных решеток, их профиль, дифракционная эффективность, пространственное разрешение и т.д.

Предложены новые статические и динамические голографические элементы, основанные на разработанных средах.

Диссертация состоит из Введения, восьми глав и Заключения.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Щеулин, Александр Сергеевич

Заключение

Результатом настоящего исследования является разработка двух новых классов кристаллических фотохромных материалов, которые могут использоваться как объемные статические и динамические голографические среды. Оба кристалла-матрицы этих сред -фторид кальция и фторид кадмия — принадлежат к одному структурному семейству кристаллов со структурой флюорита. Это обстоятельство имеет важное технологическое значение, поскольку исследованные кристаллы, нефотохромные после выращивания, переводятся в фотохромное состояние путем одной и той же процедуры - аддитивного окрашивания. Этой процедуре в работе уделено значительное внимание. Модифицирована аппаратура и техника ее проведения, что обеспечило эффективное окрашивание образцов большого размера. В работе детально изучены физические процессы, лежащие в основе фотохромии исследованных материалов, изучены механизмы записи и стирания/распада голограмм, определены параметры голографических сред на основе этих материалов, определены области их рационального использования.

Топографическую среду на основе аддитивно окрашенных кристаллов фторида кальция целесообразно использовать, прежде всего, в интересах метрологии. Система определенным образом записанных наложенных голограмм в этом кристалле может быть применена в качестве меры плоского угла. Уникальные массогабаритные характеристики этой меры позволяют создавать на ее основе высокоточные, мобильные устройства для поверки и калибровки угломерных и углозадающих приборов. Высокая механическая, лучевая и радиационная прочность самой матрицы - флюорита, его нсгигроскопичность и устойчивость по отношению к химическим воздействиям, развитая технология выращивания высококачественных кристаллов благоприятствуют указанному (метрологическому) использованию разработанной голографической среды.

Ближайшим аналогом этой среды являются аддитивно окрашенные кристаллы щелочно-галоидных соединений (КС1, КВг), однако, они гигроскопичны, и их эксплуатация, вообще говоря, требует лабораторных условий.

Рассматривая аналоги разработанной среды, нальзя не упомянуть о средах, которые, хотя и не являются кристаллическими, но по своим свойствам и способу записи в них голограмм достаточно близки к фториду кальция с коллоидными центрами. Таковыми являются фототерморефрактивные (ФТР) стекла [186-192]. В этих стеклах в облученных УФ излучением областях при последующем нагревании вследствии фото-термоиндуцированной кристаллизации стекла изменяется показатель преломления.

Фотохимия указанного процесса заключается в фотоионизации входящих в состав стекла

3+ + донорных центров (Се ) и захвате образующихся электроно на акцепторы (Ag ). Образующиеся нейтральные атомы серебра агрегируют (при последующем прогреве) в коллоидные частицы, служащие зародышами для образования микрокристаллов NaF. ФТР стекла являются весьма перспективным материалом для записи объемных голограмм, эти фазовые голограммы характеризуются высокой однородностью, хорошей светочувствительностью, устойчивостью по отношению к разнообразным внешним воздействиям и т.д. Однако определяемое размерами микрокристаллитов рассеяние несколько ограничивает их использование в видимой области спектра, во всяком случае, в значительной толщине.

Голографические среды на основе аддитивно окрашенных кристаллов фторида кадмия, легированных галлием или индием, могут применяться в качестве сред голографии в реальном времени. Примеры таких применений приведены в настоящей работе. В отличие от большинства фоторефрактивных кристаллов, в данных средах имеет место спонтанный распад голограмм, они не требуют принудительно оптического стирания ранее записанной голограммы и, по самому принципу действия, могут рассматриваться как «идеальные» динамические среды. Немаловажное значение имеет и то обстоятельство, что они обеспечивают равномерное воспроизведение спектра пространственных частот, в то время как для фоторефрактивных кристаллов характерен провал в низкочастотной области пространственного спектра, поскольку разделение зарядов, лежащее в основе их действия, малоэффективно на больших расстояниях. Как правило, рекордные характеристики фоторефрактивных кристаллов достигаются при одновременном со световым воздействием приложением большого электрического поля, что ведет к постепенному разрушению образца. В то же время кристаллы фторида кадмия с бистабильными центрами выдерживают неограниченное число актов записи/считывания.

Кубическая симметрия кристаллов со структурой флюорита представляет дополнительное преимущество, поскольку она создает условия для использования свойства поляризации при одновременной записи и считывании голограммы, что особо существенно при высокочастотном режиме работы динамической среды.

В принципе, кристаллы фторида кадмия с бистабильными центрами могут использоваться — с учетом их характеристик - для решения многих задач, нуждающихся в применении динамических голографических элементов. В работе рассматриваются две таких задачи - коррекция качества волновых фронтов и изображений и оптическая корреляция.

По работе могут быть сделаны следующие выводы:

1. при аддитивном окрашивании кристаллов в установке «тепловая труба» использование двухкомпонентной навески из летучего буферного (Li) и активного (Са) металлов позволяет производить как однородное, так и градиентное окрашивание кристаллов CaF2 с размерами, ограниченными только габаритами используемого контейнера (диаметр 18 мм, длина 35 мм); легированные кристаллы CdF2 окрашиваются однородно;

2. реакция преобразования простых в коллоидные центры окраски, протекающая при УФ освещении кристаллов CaF2 и CaF2:Na(Li) при Т= 200 °С, обеспечивает запись голограмм с практически неограниченным временем хранения, дифракционной эффективностью до 15 % и пространственной частотой до 5-10 лин/мм;

3. диффузионно-дрейфовый механизм записи голограмм обуславливает их специфические свойства, к числу которых относятся высокая нелинейность, степень которой зависит от интенсивности окраски кристаллов и от экспозиции, и практическая невозможность переэкспонировать голограмму;

4. на основе системы наложенных голограмм, записанной в кристаллах CaF2 или CaF2'.Na, разработана многозначная мера плоского угла - голографическая призма, на основе которой могут быть созданы мобильные высокоточные устройства для проведения угловых измерений;

5. градиентно окрашенные кристаллы CaF2 могут быть использованы в качестве аподизирующих диафрагм для лазерных систем с плотностью энергии нано- и пикосекундных импульсов до 700 МВт/см2;

6. характер фото- и термоиндуцированных преобразований состояния бистабильных центров в кристаллах CdF2:Ga и CdF2:In показывает идентичность этих центров DX-центрам в полупроводниковых соединениях III-V и II-VI; специфика галлия и индия, отличающая их от других донорных примесей во фториде кадмия, обусловлена структурой их валентных оболочек, допускающих трех- и одновалентное состояние этих ионов;

7. на основе кристаллов CdF2:Ga и CdF2:In созданы среды динамической голографии, обеспечивающие возможность записи динамических голограмм с временами распада от сколь угодно больших до 100 не при использовании температуры в качестве параметра, управляющего временем распада; в этом временном диапазоне среды обеспечивают дифракционную эффективность до 45 % при экспозиции ~ 0,5 Дж/см2 и равномерную передачу пространственных частот в полосе до 5-103 лин/мм;

8. динамические голографические фильтры пространственных частот на основе кристаллов CdF2 с бистабильными центрами являются эффективными фоточувствительными элементами для коррелятора Вандер Люгта и коррелятора совместного преобразования Фурье;

9. на основе кристаллов CdF2 с бистабильными центрами продемонстрирована возможность высокочастотной, вплоть до мегагерц, коррекции волновых фронтов и изображений.

Автор выражает глубокую благодарность заведующему лабораторией спектроскопии кристаллов Центра информационных оптических технологий ИТМО А.И. Рыскину за постоянное внимание и обсуждение результатов работы, сотрудникам лаборатории А.Е. Ангерваксу, А.К. Купчикову, С.А. Казанскому, М.А. Петровой, Т.С. Семеновой, Л.Ф. Корякиной за участие в проведении экспериментов и полезные советы, Ю.И. Терехину за оптическую обработку многочисленных образцов, Д.И. Клименченко и другим сотрудникам технологической группы лаборатории, сотрудникам Института кристаллографии РАН И.И. Бучинской и П.П. Федорову за выращивание кристаллов, сотрудникам Института лазерной физики С.А. Димакову и С.И. Климентьеву за проведение совместных экспериментов по коррекции волновых фронтов и изображений, сотрудникам ЦНИИ «Электроприбор» М.Д. Кудрявцеву и В.А. Грановскому, сотрудникам ИТМО А.В. Вениаминову и Ю.Л. Корзинину за участие в разработке голографической призмы, сотруднику БГТУ «Военмех» В.К. Соколову и аспиранту И.Ю. Федорову за совместную работу по созданию коррелятора СФП.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Щеулин, Александр Сергеевич, 2009 год

1. Crystals with the Fluorite Structure / Ed. By W. Hayes. - Oxford: Clarendon Press, 1974. - p. 448.

2. Van Doom C.Z. Colour centers in potassium chloride // Philips Research Reports. Suppl. -1962.-№4.-p. 1-89.

3. Or era V.M., Alkala R. Formation and size evolution of Ca colloids in additively colored CaF2 // Phys. Stat. Solidi (a). 1976. - v. 38. - № 2. - p. 621-627.

4. Щеулин А С., Семенова T.C., Корякина Л.Ф., Петрова M.А., Купчиков А.К, Рыскин А.И. Аддитивное окрашивание кристаллов фторидов кальция и кадмия. Опт. И спектр. — 2007. -т. 103. -№4.-с. 673-678.

5. Lukishova S.G., Pashinin P.P., Batygov S.Kh, Arkhangelskaya V.A., Poletimov A.E., Shcheulin A.S., Terentiev B.M. High-power laser beam shaping using apodized apertures // Laser and Particle Beams. 1990. - v. 8. - № 1-2. - p. 349-360.

6. Батыгов C.X., Архангельская B.A., Лукишова С.Г., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Способ получения амплитудных фильтров // Авт. Свид. СССР № 1647044. — 1988.

7. Weller P.F. Electrical and optical properties of rare earth doped cadmium fluoride single crystals//Inorg. Chem. 1965. — v. 4.-№ ll.-p. 1545-1551.

8. Weller P.F. Semiconductivity in Cdi.xCaxF2:In3+ single crystals // Inorg. Chem. 1966. - v. 5. - № 5. - p. 739-743.

9. Tan Y.T., Kramp D. Ionic conductivity and association in CdF2 // J. Chem. Phys. 1970. - v. 53.-№9.-p. 3691-3697.

10. Щеулин А. С., Закиров P.Я., Серов Т.В., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И., Аддитивное окрашивание кристаллов фторида кадмия // Оптический журнал. 2006. — т. 73. - № 11. — с. 3-7.

11. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1959. — 288 с.

12. Arends J. Color Centers in Additively Colored CaF2 and BaF2 // Physica Stat. Solidi. 1964. -v. 7. -№ 3. - p. 805-815.

13. Архангельская В.А., Ерофеичев В.Г., Киселева M.H. Автолокализованные дырочные центры в кристаллах типа флюорита, активированных редкими землями // ФТТ. 1969. -т. 11.-№ 7.-с. 2008-2010.

14. Архангельская В.А., Киселева М.Н. Оптический дихроизм полос поглощения и структура некоторых дырочных центров в кристаллах M?F2-RE // ФТТ. 1968. — т. 10. - № 11.-с. 3239-3242.

15. Лисицын В.М., Штанъко В.Ф. /^-центры в CaF2-NaF // Опт. И спектр. — 1977. т. 42. — №4.-с. 760-761.

16. Tijero J.M.G., Jaque F. Thermal and optical properties of Fa and (F^ )a centers in Na-doped CaF2 crystals // Phys. Rev. B. 1990. - v. 41. - № 6. - p. 3832-3836.

17. Karras H., Ullman P. Absorptions untersuchungen zur Natur von Faberzenter in Erdalkalifluoriden // Jenaer Jahrbuch. Jena: VEB Gustav Fisher Verlag, 1969/70. - p. 11-29.

18. Beaumont J.H., Harmer A.L., Hayes W. An investigation of <100> and <110> oriented F2 centers in CaF2 and SrF2 // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1972. - v. 5. - № 12. - p. 1475-1488.

19. Collins W.C. The Reenter in CaF2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. - v. 56. - № 2. - p. 291298.

20. Архангельская В.А., Щеулин А. С. Структура и спектроскопические свойства возмущенных М-центров в кристаллах типа флюорита со щелочными металлами // Опт. И спектр. 1984. - т. 57. - № 5. - с. 847-852.

21. Архангельская В.А., Щеулин А. С. Механизм термического разрушения Мд-центров окраски в кристаллах типа флюорита // Опт. И спектр. 1981. - т. 50. - № 6. - с. 11421146.

22. Архангельская В.А., Щеулин А.С. Исследование структуры центров окраски в кристаллах SrF2-Na методом оптически наведенного дихроизма // Опт. И спектр. 1991. — т. 70.-№6.-с. 1242-1247.

23. Alkala R., Orera V.M., Beamonte J. A new type of ^-center in additively colored CaF2 // Phys. Stat. Sol.(b). 1978. - v. 85. - № 1. - p. 283-290.

24. Раух P. Фотолюминесценция центров окраски в кристаллах щелочноземельных фторидов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1976. - т. 37. - с. 595-598.

25. Beaumont J.H., Harmer A.L., Hayes W., Spray A.R.L. Zero-phonon lines in CaF2 and SrF2 // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1972. - v. 5. - № 12. - p. 1489-1500.

26. Rauch R., Senffl. Spectroscopic investigations of a new type of colour centers in additively coloured pure alkali earth fluoride crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1974. - v. 26. - № 2. - p. 537-545.

27. Щеулин А.С. Фото и термопревращения центров окраски в кристаллах со структурой флюорита, активированных щелочными примесями: Дис. канд. Физ.-мат. Наук. — СПб., 1999.-117 с.

28. Mie G. Beitrage zur optik triiber medien, spezielle kolloidaler metallosungen // Ann. Phys. (Leipzig). 1908. - v. 25. - p. 377-445.

29. Scott A.B., Smith W.A., Thomson M.A. Alkali halides colored by colloidal metal // J. Phys. Chem. 1953. V. 57.-№8.-p. 757-761.

30. Seitz F. Color centers in alkali halide crystals. II // Rev. Mod. Phys. 1954. - v. 26. - № 1. -p. 7-94.

31. Doyle W. T. Coagulation, optical absorption, and photoconductivity of colloid centers in alkali halides // Proc. Phys. Soc. 1960. V. - 75. - № 5. - p. 649-663.

32. Sastry P. V. On the colloid evolution in alkali halide crystals: A Proposed tentative mechanism I I J. Phys. Soc. Japan. 1969. - v. 26. - № 1. - p. 73-81.

33. Theisen F„ Scott A.B. Rate of Coagulation of F-Centers in KC1 // J. Chem. Phys. 1952. - v. 20.-№2.-p. 529.

34. Den Iiartog II. W. Tinbergen W., Perdok W. G. Metallic particles in alkaline earth fluorides // Phys. Stat. Solidi (a). 1970. - v. 2. - № 2. - p. 347-358.

35. Orera V.M., Alkala R. Optical properties of cation colloidal particles in CaF2 and SrF2 // Phys. Stat. Solidi (a). 1977. - v. 44. - № 2. - p. 717-723.

36. Orera V.M., Alkala R. Photothermal bleaching of Ca colloids in additively colored CaF2 // Solid State Commun. 1978. - v. 27. - № 11. - p. 1109-1112.

37. Королев H.E., Мокиенко И.Ю., Полетгшов A.E., Щеулин А.С. Механизмы фото- и термохимических превращений /'/-центров в аддитивно окрашенных кристаллах со структурой флюорита // Опт. И спектр. 1991. - т. 70. - № 4. - с. 784-789.

38. Королев Н.Е., Мокиенко И.Ю., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Кристаллы со структурой флюорита: синтез, аддитивное окрашивание, фотохимия центров окраски // Опт. И спектр. 1991.-т. 70. -№5.-с. 1030-1034.

39. Кого lev N. Е., Mokienko I.Yu, Poletimov А.Е., Shcheulin A.S. Optical storage material based on doped fluoride crystals // Phys. Stat. sol. (a). 1991. - v. 127. - № 2. -p. 327-333.

40. Мокиенко И.Ю., Полетимов A.E., Щеулин А.С. Оптические запоминающие среды на основе активированных кристаллов типа флюорита // Опт. И спектр. 1991. - т. 71. - № 1. -с. 77-82. )

41. Korolev N.E., Mokienko I.Yu, Poletimov А.Е., Shcheulin A.S. Optical storage material based on doped fluoride crystals // Phys. Stat. sol. (a). 1991. - v. 127. - № 2. - p. 327-333.

42. Щеулин А. С., Рыскин А.И. Новая фотохромная среда для записи оптической информации на основе кристалла флюорита // Опт. И спектр. — 1995. — т. 79. № 1. — с. 101-104.

43. Белоус В.М. и др. Голографический корреляционный анализ и регистрирующие среды / Киев: Институт теоретической физики АН УССР, 1988. 151 с.

44. Мандель В.Е., Нечаева Т.А., Попов А.Ю., Тюрин А.В., Шугайло Ю.Б., Рыжков А.В. Применение объемной стационарной топографической дифракционной решетки для амплитудной модуляции света// Оптический журнал. 1994. - т. 10. - № 10 - с. 19-21.

45. Алексеев-Попов А.В., Дьяченко Н.Г., Мандель В.Е., Тюрин А.В. Особенности записи голограмм в кристаллах КС1 на основе F-Xпреобразования // Письма в ЖТФ. 1979. - т. 5.-№ 12.-с. 709-713.

46. Алексеев-Попов А.В., Дьяченко Н.Г., Мандель В.Е., Тюрин А.В. Дисперия оптических параметров в толстых амплитудно-фазовых голограммах // Опт. И спектр. — 1979. т. 47. -№ 3. - с. 583-587.

47. Владимиров Д.А., Мандель В.Е., Попов А.Ю., Тюрин А.В. Оптимизация записи голограмм на аддитивно окрашенных кристаллах КС1 // Опт. И спектр. 2005.- т. 99. - № 1.С. 147-150.

48. Щеулин А.С., Вениаминов А.В., Корзинин Ю.Л., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Высокостабильная топографическая среда на основе кристаллов CaF2:Na с коллоиднымицентрами окраски. III. Свойства голограмм // Опт. И спектр. 2007. — т. 103. - № 4. - с. 668-672.

49. Carretero L., Madrigal R.F., FimiaA., Blaya S., Belendez A. Study of angular responses of mixed amplitude-phase holographic gratings: shifted Borrmann effect // Opt. Lett. 2001. - v. 26. -№ 11. -p. 786-788.

50. Veniaminov A. V., Sillescu H. Forced Rayleigh scattering from non-harmonic gratings applied to complex diffusion processes in glass-forming liquids // Chem. Phys. Lett. 1999. - v. 303. -№ 5-6. - p. 499-504.

51. Архангельская B.A., Новиченков А.И., Тибилов С. С., Щеулин А.С. Способ записи и считывания оптической информации в активированном кристалле щелочно-земельного галогенида // Авт. Свид. СССР № 1140621. 1983.

52. Архангельская В.А., Щеулин А.С. Реверсивный фотохромный материал и способ его получения // Авт. Свид. СССР, № 1626953. 1986.

53. Архангельская В.А., Щеулин А.С. Реверсивный фотохромный материал и способ его получения // Авт. Свид. СССР, № 1626953. 1986.

54. Богуславский М.Г., Элиашберг В.М., Шарова Е.Е., Федотова Л.И. Государственный первичный эталон единицы угла радиана // Измерительная техника. - 1972. - № 7. - с. 910.

55. Kingsley J.D., Prener J.S. Free charge carrier effects in cadmium fluoride // Phys. Rev. Lett. 1962.-v. 8.-№8.-p. 315-316.

56. Prener J.S., Kingsley J.D. Mechanism of the conversion of CdF2 from an insulator to a semiconductor // J. Chem. Phys. 1963. - v. 38. - № 3. - p. 667-671.

57. Trautweiler F., Moser F., Khosla R.P. Optical and electrical properties of CdF2:In and CdF2:Eu // J. Phys. Chem. Solids 1968.-v. 29. -№ 10. - p. 1869-1875.

58. Lee Т.Н., Moser F. Optical properties and donor states in semiconducting CdF2 // Phys. Rev. В. 1971.-v. 3. -№ 2. - p. 347-354

59. Kunze /., Ulrici W. Electrical and optical studies of semiconducting CdF2:In crystals // Phys. Stat. Solidi (b). 1973. - v. 55. -№ 2. - p. 567-578.

60. Langer J.M. Cadmium fluoride from physics to applications // Postepy Fiziki. - 1980. - v. 31. -№ 5. - p. 435-450.

61. Nelson R.J. Long-lifetime photoconductivity effect in и-type GaAlAs // Appl. Phys. Lett. -1977.-v. 31. -№ 5. p. 351-353.

62. Lang D. V., Logan R. Large-lattice-relaxation model for persistent photoconductivity in compound semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1977. - v. 39. - № 10. - p. 635-639.

63. Lang D. V., Logan R., Jaros M. Trapping characteristics and a donor-complex (DX) model for the persistent-photoconductivity trapping center in Te-doped AUGai^As // Phys. Rev. B. — 1979. -v. 19. — № 2. — p. 1015-1030.

64. D. V. Lang. Deep centers in semiconductors / Ed. By S.T. Pantelides. NY: Gordon and Breach, 1986.-p. 489-539.

65. Mooney P.M., Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors, J. Appl. Phys. -1990. v. 67. - № 3. - p. R1-R26.

66. Chadi D.J., Chang K. J. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AUGai-jAs alloys // Phys. Rev. Lett. 1988. - v. 61. - № 7. - p. 873-876.

67. Chadi D.J., Chang K.J. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGai.xAs alloys // Phys. Rev. B. 1989. - v. 39. - № 14. - p. 10063-10074.

68. Scheffler M. Chemical binding, stability and metastability of defects in semiconductors // Festkorperprobleme 29. Braunschweig: Vieweg, 1989. - p. 231-250.

69. Dabrowski J., Scheffler M. Defect metastability in III-V compounds // Mater. Sci. Forum. — 1992. v. 83-87. - p. 735-750.

70. Онопко Д.Е., Рыскин A.M. Химическая связь и структура метастабильных примесных центров в кристаллах полупроводников // Журн. Структ. Химии. 2000. - т. 41. - № 4. - с. 813-838.

71. Баграев Н.Т., Юсупов А. Метастабильные глубокие центры в монокристаллах Sii.xGex // ФТП. 1994. - т. 28. - № 2. - с. 198-207.

72. Баграев Н.Т., Лебедев A.A., Mupcaamoe P.M., Половцев И.С., Юсупов А. Оптически индуцированная самокомпенсация халькогенов в кремнии // ФТП. 1994. - т. 28. - с. 213220.

73. Langer J.M. DX-like centers in solids (metastability, bistability and negative-?/) // Rev. of Solid State Sci. 1990,- v. 4. - № 2&3. - p. 297-317.

74. Dmochowski J., Jantsch W., Dobosz D., Langer J.M. Gallium — a second bistable impurity center in CdF2 // Acta Phys. Polonica A. 1988. - v. 73. - № 2. - p. 247-249

75. Toyozawa Y. Symmetry breaking excitonic instabilities in deformable lattice // Physica B+C. Europhysics Journal. 1983. - v. 117+118B. - part I. - p.23-29.

76. Toyozawa Y. Electron-induced lattice instability // Highlightes of Condenced Matter Theory. LXXXIX Corso. Bologna: Soc. Italiana di Fisica, 1985. - p. 798-830.

77. Langer J.M. Large defect-lattice relaxation phenomena in solids // Lecture Notes in Physics.- 1980. v. 122.-p. 123-149.

78. Orlowski B.A., Langer J.M. Band structure of CdF2 from photoemission measurements // Acta Phys. Polonica A. 1983. -v.63. -№ l.-p. 107-110.

79. Dmochowski J., Kosaki I., Langer J.M. Shallow donors in CdF2 crystals and the semiconductor-isolator transition in mixed CdixMexF2 fluorites // Rad. Effects. 1983. — v. 72. -№ l.-p. 139-144.

80. Ciepielewski P., Langer J.M. Resonance Raman scattering in CdF2:In Crystals 11 Acta Phys. Polonica A. 1985,-v. 67.-№ l.-p. 89-92.

81. Langer J.M., Dmochowski J.M., Langer J.M., KalinskiZ., Jantsch W. CdF2:In A critical positive test of the Toyozawa model of impurity self-trapping I I Phys. Rev. Lett. - 1986. - v. 56.- № 16.-p. 1735-1737

82. Dmochowski J., Langer J. M., Dobosz D. Shallow donors in CdF2 a test of the Toyozawa model of the impurity self-trapping // Acta Phys. Polonica A. - 1987. - v. 71. - № 3. - p. 349351.

83. Федоров П.И., Мохосоев М.В., Алексеев Ф.П. Химия галлия, индия и таллия. -Новосибирск: Наука, 1977. 222 с.

84. Козин Л. Ф., Егорова А.Г. Кинетика и механизм электродинамических реакций // Труды Института органического катализа и электрохимии. -1980. 120 с.

85. Ichikawa К., Warren W. W., Jr. Nuclear magnetic resonance in molten 1п-1п1з mixtures 11 Phys. Rev. B. 1979. - v. 20. - № 3. - p. 900-917

86. Warren W. W., Jr. Intervalence excitations of a mixed-valence salt: NMR and optical absorption in molten InCl2 // Chem. Phys. Lett. 1983. - v. 96. - № 4. - p. 505-508.

87. Physics of color centers / Ed. By W. Beal Fowler. — NY & London: Academic Press, 1968. — 655 p.

88. Langer J.M., Pearson G.L. Near infrared properties of CdF2:ScF3 // Solid State Commun. -1973.-v. 13.-№7.-p. 767-770.

89. Langer J.M., Langer Т., Pearson G.L., Krukowska-Fulde В., Piekara U. Shallow donor states in semiconducting CdF2 // Phys. Stat. Solidi (b). 1974. - v. 66. - № 2. - p. 537-545.

90. А.С.Щеулин, А.К.Купчиков, А.И.Рыскин. Термо- и фотостимулированная деполяризация в самокомпенсированных кристаллах CdF2:Ga и CdF2:In // ФТТ. 1999. - т. 41.-№9. с. 1575-1581.

91. Kazanskii S.A., RyskinA.I., Romanov V.V. Paramagnetic susceptibility of semiconducting CdF2:In crystals: Direct evidence of the negative-£/ nature of the DX-like center // Appl. Phys. Lett. 1997. - v. 70. - № 10. - p. 1272-1274.

92. Казанский С.А., Рыскин А.И., Романов В.В. Парамагнитная восприимчивость аддитивно окрашенных фотохромных кристаллов CdF2:In // ФТТ. 1997. - т. 39. - № 7. — с. 1205-1209.

93. Langer J.M., Suchocki A., Szymczak R., Koziarska-Glinka В., Bar an M., Semenov Y. Testing negative- U in bistable DX-type donors // The Physics of Semiconductors. Singapoure, New Jersey, London, Hong Kong: World Scientific, 1999. — p. 217-219.

94. Shroyer M., Furdyna J.K. RyskinA.I., Warren W W. Jr. NMR study of bistable defects under in situ illumination // Physica B. 1999. - v. 273-274. - p. 852-854.

95. Hilger D., Kazanskii S.A., Ryskin A.I., Warren W. W. Jr. NMR investigation of CdF2:Ga // Physica B. 2001. - v. 308-310. - p. 1020-1022.

96. Shroyer M., Warren W. W, Jr., Ryskin A.I. Nuclear spin-lattice relaxation by optically bistable defects in CdF2:In // Phys. Rev. B. 2002. - v. 65. - № 16. - 165202.

97. Ритус А.И., Волков A.A. Фотоиндуцированная амплитудная дифракционная решетка субмиллиметрового диапазона в полупроводниковом кристалле CdF2:Ga // ЖЭТФ. 2005. -т. 127.-№6.-с. 1310-1316.

98. Koziar ska-Glinka В., Barcz A., Arizmendi L., Suchocki A., Second metastable DX center in CdF2:Ga crystals // Phys. Rev. B. 2000. - v. 61. - № 14. - p. 9295-9299

99. Щеулин A.C., Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Электронная структура и строение метастабильных центров в полупроводниковых кристаллах CdF2: Ga, CdF2: In // ФТТ. -1997. -т. 39. № 12. - с. 2130-2136

100. Ryskin A.I, Shcheulin A.S., Onopko D.E. DX centers in ionic semiconductor CdF2:Ga // Phys. Rev. Lett. 1997. - v. 80. - № 13. - p. 2949-2952

101. Казанский СЛ., Рыскин А.И. Статистика электронов в полупроводниковых кристаллах CdF2 с DX центрами // ФТТ. 2006. - т. 48. - № 9. - с. 1573-1581.

102. Dmochowski J.E., Jantsch W, Langer J.M. (Mo-O-3) entropy of derealization for centers with large lattice relaxation Ga, In and Eu donors in CdF2 // Acta Phys. Polonica A. - 1988. -v. 73.-№2.-p. 179-181

103. Каспаров В.В., Волков А.А., Ритус А.И. Фотоиндуцированная динамика примесных центров в кристалле CdF2:Ga // Изв. РАН, сер. Физ. 2003 - т. 67. - № 12. - с. 1763-1765

104. Каспаров В.В., Волков А.А., Ритус А.И. Инфракрасная спектроскопия мелкого уровня в примесном полупроводнике CdF2:In, Ga // Изв. РАН, сер. Физ. — 2002. т. 66. - № 12.-е. 1817-1819

105. Shcheulin A.S., Ryskin A.I., SwiatekK, Langer J.M. Deep-shallow transformation of bistable centers in semiconducting CdF2 crystals // Phys. Lett. A. 1996. - v. 222. - № 1-2. - p. 107-112

106. Казанский С.А., Щеулин А.С., Рыскин А.И. Энергетический барьер между состояниями бистабильного центра в фотохромных кристаллах CdF2:Ga и CdF2:In // Опт. И спектр. 2007. - т. 102. - № 3. - с 469.

107. Park С.Н., Chadi D.J. First-principle study of Structural bistablity in Ga- and In-doped CdF2//Phys. Rev. Lett. 1999. - v. 82.-№ 1,-p. 113-116.

108. Suchocki A., Rauluszkiewicz J., Langer J.M. Photoinduced metastable lattice dilation of CdF2:In crystals//Appl. Phys. Lett. 1997. - v. 71.-№ ll.-p. 1552-1554.

109. Onopko D.E., Ryskin A.I. Donor impurities and DX centers in ionic semiconductor CdF2: Influence of covalency// Phys. Rev. B. -2000. v. 61. -№ 19. - p. 12952-12956.

110. Онопко Д.Е., Рыскин А.И., Новый класс голографических материалов на основе полупроводниковых кристаллов CdF2 с бистабильными центрами. I. Роль ковалентности в формировании бистабильного центра // Опт. И спектр. 2000. - т. 89. - № 4. - с. 570-576.

111. Bill Н. Observation of the Jahn-Teller effect with electron paramagnetic resonance // Dynamical Jahn-Teller Effect in Localized Systems; ed. By Yu. E. Perlin and M. Wagner. -Elsevier Sci. Publ., B.V., 1984. p. 709-817.

112. Баграев H.T., Клячкин JI.E., Маляренко A.M., Щеулин А.С., Рыскин А.И. Гетеропереходы (p+-Si)-(«-CdF2) // ФТП. 2005. - т. 39. - № 5. - с. 557-562.

113. Thio Т., Linke R.A., Devlin G.E., Bennett J.W., Chadi J.D., Mizuta M., Diffraction from optically written persistent plasma gratings in doped compound semiconductors // Appl. Phys. Lett. 1994,-v. 65.-№ l.-p. 16-18.

114. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Koziarska В., Langer J.M., Suchocki A., Buchinskaya I.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P. CdF2:In a novel material for optically written storage of information // Appl. Phys. Lett. 1995. - v. 67. -№ 1. - p. 31-33.

115. Koziarska В., Langer J.M., RyskinA.I., Shcheulin A.S., Suchocki A. Use of bistable centers in CdF2 in holographic recording // Mater. Sci. Forum. 1995. - v. 196-201. - p. 1103-1108.

116. Koziarska В., Langer J. M., RyskinA.I., Shcheulin A.S., Suchocki A. Holographic recording with the use of bistable centers in CdF2, Acta Phys. Polonica A. 1995. - v. 88. - № 5. - p. 1010-1012.

117. MacDonald R.I., Linke R.A., Devlin G.E., and Mizuta M. Confirmation of the local nature of the plasma grating photorefractive effect//Optics Letters. 1995. —v. 20. -№ 11. —p. 13221324.

118. Thio Т., Bennett J. W., Chadi D.J., Linke R.A., Becla P. DX centres in CdZnTe:Cl and their applications //J. Cryst. Growth. 1996. - v. 159. -№ 1-4. -p. 345-349.

119. McKenna J.M., Nolte D.D., Walukiewicz W., Becla P. Persistent holographic absorption gratings in AlSb:Se // Appl. Phys. Lett. 1996. - v. 68. - № 6. - p. 735-737.

120. Nolte D.D. Metastable optical gratings in compound semiconductors // J. Appl. Phys. -1996. v. 79. - № 10. - p. 7514-7522.

121. MacDonald R.L., Linke R.A. Optical phase conjugation using DX-centers // JOSA B. -1996.-v. 13.-№5.-p. 961-964.

122. Linke R.A., Redmond I., Thio Т., Chadi J.D. Holographic storage media based on optically active bistable defects // J. Appl. Phys. 1998. - v. 83. - № 2. - p. 661-673.

123. Moser F., Matz D., and Lyu S. Infrared optical absorption in semiconducting CdF2:Y crystals//Phys. Rev. 1969.-v. 182. -№3.- p. 808-814.

124. Казанский С.А., Рыскин А.И. Кластеры из ионов III группы в активированных кристаллах типа флюорита// ФТТ. -2002. т. 44. -№ 8. —с. 1356-1366.

125. Казанский С.А. Оптически детектируемый ЭПР кластеров из редкоземельных ионов и иттрия в кристаллах типа флюорита // ЖЭТФ. 1985. - т. 89. - № 4. - с. 1258-1268.

126. Иванов С.П., Бучинская И.И., Федоров П.П. Коэффициенты распределения примесей во фториде кадмия // Неорг. Материалы. 2000. - т. 36. - №. - с. 484-488.

127. ChassaingJ., Julien P. Fluorures ternaires da gallium et de cadmium, da gallium et de manganese // C.R. Acad. Sci. Paris, Ser. C. 1972. - v. 274. -№ 9. - p. 871-873.

128. Кузнецов Г.М. Оценка коэффициентов распределения в тройных системах полупроводник-металл // Неорг. Материалы. 1965. — т. 1. - № 11. — с. 1921-1927.

129. Соболев Б.П., Федоров П.П., Бучинская И.И., Рыскин А.И., Щеулин А.С., Линке Р., Рсдмонд Я. Материал для оптической записи информации, патент на изобретение № 2161337, 2000.

130. Linke R.A., Shcheulin A.S., RyskinA.I., Buchinskaya I.I., Fedorov P.P. Sobolev B.P. Properties of CdF2:Ga as a medium for real-time holography // Appl. Phys. В (Lasers and Optics). 2001. - v. 72. - p. 677-683.

131. Kazanskii S.A., Rumyantsev D.S., Ryskin A.I. Ionized donor pairs and microwave and far-infrared absorption in semiconducting CdF2 // Phys. Rev. B. 2002. - v. 65. - № 16. - 165214.

132. RyskinA.I., Shcheulin A.S., Mloglyadov E.V., Linke R. A., Redmond I., Buchinskaya II, Fedorov P.P., Sobolev B.P. Mechanisms of writing and decay of holographic gratings in semiconducting CdF2:Ga // J. Appl. Phys. 1998. - v. 83. - № 4. - p. 2215-2221.

133. Щеулин A.C., Милоглядов Э.В., Рыскин А.И., Стаселько Д.И., Бучинская И.И., Федоров П.П., Соболев Б.П. Запись динамических голограмм в кристалле CdF2:Ga с метастабильными центрами // Опт. И спектр. 1998. - т.84. - № 3. - с. 521-527.

134. Uesu Y, Yasukava К., Saito N. ItohS., Odulov S., Shcherbin K., RyskinA.I. Dynamic grating recording in semicomductor CdF2:Ga,Y // JOS A B. 2003. - v. 20. - № 9. - p. 19051911.

135. Щеулин А. С., Ангервакс A.E., Рыскин А.И. Запись динамических голограмм в полупроводниковом кристалле CdF2:In // Опт. И спектр. 2004. — т. 97. — № 5. - с. 799-803.

136. Kazanskii S.A., RyskinA.I., Shcheulin A.S., Linke R.A., and Angervaks A.E. DX center gratings in real-time holography//Physica В: Condensed Matter.-2001.-v. 308-310. -p. 1035-1037.

137. ГудменДж. Введение в Фурье оптику / Пер с англ. М.: Мир, 1973. - 364 с.

138. Соколов В.К., ЧерныхД.Ф., Яновский В.В. Методика изготовления амплитудных фильтров с заданным законом пропускания. — В.кн.: Проблемы голографии. Под ред. Д.И. Мировицкого, Вып 2. М., 1973, с. 88-91.

139. Vander Lugt A. Signal detection by complex spatial filtering // IEEE Trans. Inf. Theory. — 1964.-IT-10.-p. 139-145.

140. Weaver C.S., Goodman J. W. A technique for optically convolving two functions // Applied Optics. 1966.-v. 5,-№7.-pp. 1248-1249.

141. Оптическая голография, под ред. Г. Колфилда / Пер. с англ. — М.: Мир, 1982 735 с.

142. LuX.J., Yu F.T.S., Gregory Don A. Comparison of Vander Lugt and joint transform correlators // Applied Physics B. 1990. - v. 51. - № 2. - pp. 153-164.

143. Ежов П.В., Смирнова Т.Н., Тихонов Е.О. Характеристики фотополимерных голографических согласованных фильтров в корреляторе Ван-дер-Люгта // ЖТФ. — 2001. — т. 71. № 3. - с. 52-56.

144. Hossack W.J., Theofanidou Е., CrainJ., Heggarty К., Birch М. High-speed holographic optical tweezers using a ferroelectric liquid crystal microdisplay // Optics Express. 2003. - v. 11. -№ 17. - pp. 2053-2059.

145. Ewing Т., Serati S.A., Bauchert K. Optical correlator using four kilohertz analog spatial light modulators // Proc. SPIE. 2004. - v. 5437. - pp. 123-133.

146. Щеулин А. С., Верховский Е.Б., Ангервакс A.E., Рыскин A.M. Запись информационных динамических голограмм в кристалле CdF2:In // Опт. и спектр. — 2005. — т. 99. № 5. - с. 835-837.

147. Стюард И.Г. Введение в фурье-оптику. пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 182 с.

148. Кольер Р., Беркхарт К., Лин Л. Оптическая голография. М.: Мир, 1973. 686 с.

149. Gheen G., Cheng L.-J. Optical correlators with fast updating speed using photorefractive semiconductor materials // Applied Optics. 1988. - v. 27. -№ 13. — pp.2756-2761.

150. Yu F.T.S., WuS., RajanS., Gregory D. A. Compact joint transform correlator with a thick photorefractive media// Applied Optics. 1992. - v. 31. - № 14. - pp. 2416-2418.

151. Gower M.C. Phase conjugation // J. Mod. Optic 1988. - v. 35. - № 3. - p. 449-472.

152. Воронцов M.A., Шмалъгаузен В.И. Принципы адаптивной оптики. М.: Наука, 1985. -336 с.

153. White J. О., YarivA. Spatial information processing and distortion correction via four-wave mixing // Optical Engineering. 1982. - v. 21. - № 2. - p.224-230.

154. Зельдович Б.Я., Пилипецкий Н.Ф., Шкунов В.В. Обращение волнового фронта. М.: Наука, 1985.-248 с.

155. Pepper D.M. Nonlinear optical phase conjugation // Optical Engineering. 1982. - v. 21. -№ 2. -p.156-183.

156. Васильев M.B., Венедиктов В.Ю., Лещев А.А. Телескопические системы с нелинейно-оптической коррекцией искажений // Квантовая электроника. — 2001. т. 31. — № l.-c. 1 -15.

157. Sherstobitov V.E., Rodionov A.Y., Dimakov S.A. Application of phase conjugation in incoherent observational optical systems with correction for distortions by the real-time holography technique//Proc. SPIE. 1999. - v. 3610.-p. 114-125.

158. Winiarz J.G., Ghebremichael F., Thomas J., Meredith G., Peyghambarian N. Dynamic correction of a distorted image using a photorefractive polymeric composite // Optics Express. -2004.-v. 12.-№ 11.-p. 2517-2528.

159. Uesu Y., Yasitkava К, Sailo N., Odoulov S., Shcherbin K, RyskinA.I., Shcheulin A.S. Backward-wave four-wave mixing and coherent oscillation in CdF2iGa,Y // Appl. Phys. В (Lasers and Optics). 2004. - v. 78. - №. - p. 601-605.

160. Upatnieks J., Vander Lugt A., Leith E. Correction of lens abberations by means of holograms // Applied Optics. 1966. - v. 5. - № 4. - p.589-593.

161. Денисюк Ю.Н., Соскин С.И. Топографическая коррекция деформационных аберраций главного зеркала телескопа // Опт. и спектр. 1971. - т. 31. — № 6. - с. 992-999.

162. Andersen G., Munch J., Veitch P. Holographic correction of large telescope primaries by proximal, off-axis beacons // Applied Optics. 1996. - v. 35. — № 4. - pp. 603-608.

163. Ангервакс A.E., Димаков C.A., Климептьев С.И., Рыскин А.И., Щеулин А. С. Динамические отражательные голограммы в кристаллах CdF2 с бистабильными центрами // Опт. и спектр. 2002. - т. 93. - № 2. - с. 331-338.

164. Ангервакс А.Е., Димаков С.А., Климептьев С.К, Рыскин А.К, Щеулин А.С. Динамическое обращающее волновой фронт зеркало на основе кристаллов CdF2 с бистабильными центрами // Опт. и спектр. 2005. - т. 98. — № 6. — с. 1017-1020.

165. Ангервакс А.Е., Димаков С.А., Климентъев С.И., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Динамическое обращающее волновой фронт зеркало на основе кристаллов CdF2 с бистабильными центрами In // Опт. и спектр. 2006. - т. 101. - № 1. - с. 140-144.

166. AgeichikA.A., Dimakov S.A., Kotyaev O.G., Leschev А.А., Resounkov Yu.A., Safonov A.L., Sherstobitov V.E., Stepanov V. V. The use of dynamic holography for correction of aberrations in telescopes // Proc. SPIE. 1996. - v. 2771. - pp. 156-163.

167. Bagraev В.Т., Bovt M.I., Gubitskaya O.N., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., RyskinA.I., Shcheulin A.S. Spin-dependent transport in p-BxCdi.xF2-n-CdF2 planar structures // J. of Physics: Conference Series. -2006. v. 61.-p. 61-65.

168. Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Shcheulin A.S., RyskinA.I.p -CdB2-n- CdF2 and p-Si-p-CdB 2-n-CdF2 Diffusion Heterostructures // Defect and Diffusion Forum. 2005. - v. 237-240. - p.1060-1065.

169. Глебов Л.Б., Ииконоров H.B., Панышева E.H., Туниманова И.В., Саввин В.В., Цехомский В.А. Фототерморефрактивное стекло // Труды VII Всес. конф. по радиационнойфизике и химии неорганических материалов, ч. 2. Рига: Изд-во ИФ АН Латв. ССР, 1998. - с. 527.

170. Никоноров Н.В., Панышева Е.Н., Туниманова И.В., Саввин Я2?.Мультихромные стекла новая среда для оптической записи информации // Труды Всес. Конф. «Оптическое изображение и регистрирующие среды». - Л: Изд-во ГОИ, 1990. - с. 48.

171. Глебов Л.Б., Никоноров Н.В., Панышева Е.Н., Петровский Г.Т., Саввин В.В., Туниманова И.В., Цехомский В.А. Мультихромные стекла новые материалы для записи объемных фазовых голограмм //ДАН СССР. - 1990. - т. 314. - № 4.-е. 849-853.

172. Кучинский С.А.,Никоноров Н.В., Панышева Е.Н., Туниманова КВ., Саввин

173. В.В.Свойства объемных фазовых голограмм на мультихромных стеклах // Опт. и спектр. -1991.-т. 70.-№6.-с. 1296-1300.

174. Глебов Л.Б., Никоноров Н.В., Панышева Е.Н., Петровский Г. Т., Саввин В.В., Туниманова КВ., Цехомский В.А. Новые возможности фоточувствительных стекол для записи объемных фазовых голограмм // Опт. и спектр. — 1992. т. 73. - № 2. - с. 404-412.

175. Efimov О.М., Glebov L.B., Smirnov VI. High-frequency Bragg gratings in a photo-thermo-refractive glass // Opt. Lett. 2000. - v. 25. - № 23. - p. 1693-1695.

176. Efimov O.M., Glebov L.B., Glebova IN., Richardson K.C., Smirnov VI High efficiency Bragg gratibgs in photo-thermo-refractive glass // Appl. Optics. 1999. - v. 38. - № 4. - p. 619627.