Гальваномагнитные свойства двумерных ферромагнитных структур GaAs(δ<Mn>)/InxGa(1-x)As/GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Панков, Михаил Александрович

• Панков, Михаил Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Панков, Михаил Александрович

Введение.

Глава 1. Обзор литературы.

1.1 Магнитотранспортные эффекты в полупроводниковых ферромагнитных материалах.

1.1.1. Эффекты гигантского и анизотропного 19 магнетосопротивления в магнитных материалах.

1.1.2. Эффект Холла в магнитных гетероэпитаксиальных 21 структурах.

1.2. Современные исследования свойств и применений разбавленных магнитных полупроводников.

Глава 2. Исследуемые образцы и экспериментальная методика измерений;

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Описание исследованных образцов. 34 2.3Свойства полученных структур.

2.3.1 Структурные исследования структур 37 ОаАз(5<Мп>)/1пОаАз/ОаАз, полученных по МОС-гибридной технологии.

2.3.2 Структурные исследования структур 44 ОаАз(5<Мп>)/1пОаА5/ОаА8, полученных по технологии МЛЭ.

Глава 3. Гальваномагнитные свойства двумерных 48 ферромагнитных структур СаА8(5<Мп>)/1пСаА8/СаА8.

3.1 Температурные зависимости' проводимости.

3.2 Магнитополевые зависимости проводимости и нормальной*, 51 компоненты эффекта-Холла.

3.3.Зависимости температур Кюри от параметров структур. 55 3.4 Анномальный эффект Холла и механизмы его формирования.

Глава 4. Магнитометрические измерения двумерных ферромагнитных структур СаА8(5<Мп>)ЯпСаА8/ОаА8.

4.1 Зависимости намагниченности двумерных ферромагнитных 69" I структур '

4.2 Влияние неоднородностей на магнитные свойства системы.

Глава 5. Качественные модели установления 81 ферромагнитного упорядочения в двумерном канале проводимости.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гальваномагнитные свойства двумерных ферромагнитных структур GaAs(δ<Mn>)/InxGa(1-x)As/GaAs»

Объектом ныне популярных исследований, получивших название спинтроника [1,2], в основном являются структуры на основе ферромагнитных металлов, использующие эффект гигантского магнетосопротивления [3], например, для создания считывающих головок в магнитных дисках или энергонезависимой магнитной памяти произвольного доступа [4]. Однако следует отметить, что данные структуры трудно интегрируются в современную полупроводниковую электронику. Рассматривая элементы существующей энергонезависимой памяти выяснилось, что в МЯАМ энергетические затраты на элемент больше чем в полупроводниковых приборах. Плотность записи также оказалась меньше чем достигнуто в полупроводниковых приборах. Хотя, следует признать, скорости записи и считывания, а также количество циклов перезаписи на много порядков больше.

Все это заставило исследователей обратиться к изучению магнитных материалов на основе полупроводников, а требование высоких температур Кюри заставило резко увеличить, до 10 %, концентрацию магнитной примеси, что привело к созданию разбавленных магнитных полупроводников (РМП).

Теоретические и экспериментальные исследования механизмов магнитного упорядочения в полупроводниковых материалах с магнитными примесями проводятся последние два десятилетия большим^ количеством лабораторий по всему миру. Центральное место в изучении свойств разбавленных магнитных полупроводников отводится в настоящее время III-Мп-У материалам (таким как ОаМпАэ), в которых ферромагнетизм индуцирован свободными или локализованными в примесной зоне Мп дырками [5,6]. Данные материалы обладают относительно высокими температурами Кюри Тс (до ~200К)' и позволяют создавать различного рода гетероэпитаксиальные структуры, которые могут служить основой практического применения в элементах энергонезависимой памяти. Для раскрытия потенциала таких структур необходимо глубокое понимание природы взаимодействий и физических механизмов, определяющих свойства таких материалов. Однако, эта цель ещё далеко не достигнута, в частности, природа обменного взаимодействия в этих материалах вызывает целый ряд вопросов. Для фундаментального понимания основ этих механизмов и природы взаимодействий необходимы исследования транспорта спина в таких материалах, спиновая динамика, а также исследования взаимосвязи магнитных свойств и электронного транспорта.

В настоящее время основное внимание уделяется исследованиям объемных разбавленных магнитных полупроводников [4,7], хотя для создания, например, спиновой электроники (спинтроники) определяющую роль играют и исследования низкоразмерных ферромагнитных систем на основе ТП-Мп-У материалов. Именно двумерная ситуация наиболее интересна для фундаментальных исследований низкоразмерных ферромагнитных систем на основе СяМпАб, поскольку в этом случае наиболее ярко проявляется целый ряд эффектов. Основная» проблема»для объемных разбавленных полупроводников связана с чрезвычайно низкими подвижностями дырок в ОэМпАб (¡1|,= 1-5 ем"/В'С [8]), объясняемыми сильным рассеянием носителей заряда ионами Мп и положением уровня Ферми в примесной* зоне при металлическом характере его проводимости (в отличие от ваАБ сильно легированного обычными примесями) [8,9]. Столь, низкие значения! подвижности (/¿/,<10 см~/В-с) не позволяют, однозначно судить о роли беспорядка и интенсивности рассеяния носителей заряда в магнитном упорядочении РМП [10], хотя при увеличении подвижности носителей предсказывается заметный рост температуры Кюри (см., например, [11]). Низкие значения подвижности являются, по-видимому, основным препятствием и для создания низкоразмерных ферромагнитных систем на основе ОаМпАБ.

Для получения структур с высокими подвижностями носителей заряда стандартным методом является способ селективного легирования, пространственно разделяющего область легирования и канал проводимости. В данном случае применение этого метода ограниченно необходимостью удовлетворить требованию достаточного сильного взаимодействия легирующей магнитной примеси и носителей заряда. В немногочисленных работах, посвященных исследованию низкоразмерных Ш-Мп-У объектов, авторы для достижения максимальных значений Тс стремились обеспечить максимально большую плотность, дырок непосредственно» в области нахождения * ионов: Мп. Такое пространственное распределение носителей наряду с усилением обмена приводит к сильному кулоновскому рассеянию на ионах Мп и, соответственно, к низкой подвижности: дырок (]ль 510 см"/В-с). Заметим, что при таких подвижностях размытие уровней5 размерного квантования (АЕ = Н1т, т. - время рассеяния по импульсу) в дырочной ОаАэ квантовой яме достаточно велико^ (> 230 шеУ), ширина; уровней' размерного квантования энергии дырок ~ 200 мэВ, что не позволяет говорить, о двумерном спектре носителей заряда т.к. превышается энергетический зазор между ними. Поэтому термин «двумерность канала проводимости» в данных работах следует, по-видимому, лишь относить к фазовой когерентности дырок.

Таким? образом, получается;, что в случае Ш-Мп-У систем оказываются практически: не исследованными влияние на ферромагнитное (ФМ) упорядочение данных РМГТ ни эффектов^ рассеяния дырок, ни размерное квантование. Из исследованных двумерных РМП структур отметим, что в случае И-Мп-УГ квантовых ям (КЯ) ферромагнитное упорядочение, стимулированное двумерными дырками, наблюдалось (с Тс — 1.8 К), несмотря; на существенное влияние в данных системах вклада антиферромагнитного обменного взаимодействия между атомами Мп [12,13].

Следует также: отметить, что в основном, перечисленные: работы были направлены на исследование магнитных свойств:.системы, тогда как изучению в них спин-зависящих эффектов в электронном транспорте (магнитосопротивлению и его анизотропии; аномальному и планарному эффектам Холла) практически не уделялось внимание. Между тем, эти эффекты определяются спиновой поляризацией носителей, а исследование особенностей электронного транспорта в этих условиях и составляет основной интерес для спинтроники. Большинство наблюдений основаны на изучении только намагниченности объектов, которая может однозначно указывать на наличии спиновой поляризации носителей лишь в однофазных разбавленных магнитных полупроводниках в условиях обменного взаимодействия между магнитными примесями посредством носителей заряда. Так в работе [14] на примере Ш-Мп-V полупроводников установлено, что при наличии второй фазы (ферромагнитных нанокластеров МпАб или Мп8Ь) гистерезис в намагниченности может наблюдаться при температурах выше комнатной. При этом, однако, эффект Холла может иметь обычный линейный характер (обусловленный силой Лоренца), как в немагнитном полупроводнике в отсутствие спиновой поляризации носителей. Данное наблюдение указывает на отсутствие в данном случае связи магнитной и электронной подсистем. Ферромагнитный сигнал вызван наличием невзаимодействующих между собой ферромагнитных кластеров, в системе не возникает единое ФМ> состояние на болыцих (сравнимых с размерами образца) расстояниях и отсутствует спиновая поляризация носителей заряда. Таким образом, данная система не может рассматриваться как объект спинтроники. С другой стороны, в однофазных РМП существенную роль играет аномальный' эффект Холла (АЭХ), который пропорционален намагниченности и определяется спиновой поляризацией носителей. В Ш-Мп-У полупроводниках вклад АЭХ оказывается доминирующим до температур, превышающих температуру Кюри в 2-3 раза, и потому его исследования играют ключевую роль в установлении ферромагнитного состояния данных систем [5].

Магнитные системы на основе структуры СаАзАпхва^хАзАЗаАБ с удаленым от квантовой ямы 8- слоя Мп, выращенные по МОС-гидридной эпитаксии и МЛЭ технологии являются сильно неупорядоченными объектами, беспорядок в которых обусловлен как флуктуациями кулоновского и обменного взаимодействий, так и структурными флуктуациями их состава. В этом случае Мп, например, уже при достаточно малых содержаниях (от 3%) может занимать как положения замещения (акцепторные) кристаллической решетки, так и ее междоузельные (донорные) положения. Понимание электрофизических свойств таких систем находится в настоящее время в начальном состоянии. Поэтому исследования спин-зависящих эффектов в их электронном транспорте являются актуальной научно и практически значимой задачей.

В данной работе представлены результаты исследований [15-26] структур СаАзЛпхСа^АзЛЗаАз с удаленным от квантовой' ямы 5- слоем Мп и подвижностью дырок в канале, достигающей ^ ~ 3000 спГ/У-б при Т = 5 К, демонстрирует возможность ферромагнитного упорядочения в двумерных III-Мп-У системах с температурой Кюри Тс=40 К. В последствии на этих же структурах были произведены исследования фотолюминесценции [63]. А в самое последнее время аналогичная, технология стала разрабатываться в группе \\^8сЬе1с1ег [27]. Также было продемонстрировано наличие аномального эффекта Холла в рассматриваемых структурах. Однако, исследования магнитотранспортных свойств структур в. этой, работе были- ограничены диапазоном слабых магнитных полей (В < 3 Тл), что было не достаточно для выделения вклада аномального эффекта Холла на фоне обычного эффекта-Холла и интерпретации' его механизма. Исходя^ из этого были проведены транспортные исследования »вплоть до квантующих магнитных полей (< 12 Тл), позволившие выделить аномальный эффект Холла.структур. Значения вклада аномального эффекта Холла в холловское сопротивление структур"согласуются с результатами недавних теоретических расчетов для' ферромагнитных двумерных Ш-Мп-У систем [28,29], в которых! предсказывается доминирующая роль внутреннего механизма формирования аномального эффекта Холла. При этом двумерный характер энергетического спектра дырок подтвержден наблюдением осцилляций Шубникова - де Газа. Важно также, что развитые недавно модели ферромагнитного упорядочения двумерных систем [30,31], учитывающие как большие длины свободного пробега^цвумерных носителей, так и их удаленность, от слоя Мп, дают значения Тс разумно согласующиеся с результатами эксперимента.

Сложный характер СаАБАпхСакхАз/ОаАз магнитных систем потребовал комплексного подхода в исследованиях, а также развитие экспериментально методического аппарата прецизионных измерений магнетосопротивления и АЭХ.

Целью работы являлось экспериментальное исследование спин-зависящих эффектов в электронном транспорте ОаАз/1пхОа1 хАэЛлаАз систем с удаленным 5-слоем Мп путём измерений их электрофизических и магнитных свойств.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

• Создана экспериментальная установка для прецизионных измерений транспортных характеристик объектов в диапазоне температур 5 — 300 К в полях до 3 Тл;

• На основе пакета ЬаЬУе1л\г разработано- программное обеспечение экспериментальной установки;

• Изучены зависимости магнитных и электронно-транспорных свойств структур ОаАзЛпхОа^хАзЛЗаАз с 8-слоем Мп от их структурных параметров; удаленности 5-слоя Мп от квантовой ямы, «глубины»-квантовой ямы (концентрации 1п) и содержания магнитной примеси;

• Особенное внимание было уделено изучению магнитополевых, температурных и концентрационных зависимостей эффекта Холла и магнетосопротивления. На основе полученных зависимостей выяснены основные механизмы аномального эффекта Холла в двумерных ферромагнитных полупроводниковых структурах.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем:

1. Исследованы структурные, магнитные и электрофизические свойства двумерных ферромагнитных полупроводниковых структур, представляющих собой квантовую яму с удаленной от канала проводимости магнитной примесью Мп. Эти структуры отличаются, от ранее исследованных структур РМП, относительно высокими значениями подвижности и двумерным спектром энергии носителей заряда в квантовой яме;

2. Продемонстрирована возможность установления магнитного упорядочения в структурах со слоем магнитной примеси удаленной от канала проводимости;

3. Исследованы связь магнитных свойств и дырочного транспорта двумерных структур типа квантовая яма Са].х1пхАз с 8-слоями Мп со структурными характеристиками объектов;

4. Впервые вблизи температуры ферромагнитного упорядочения обнаружена смена знака аномального эффекта Холла (АЭХ) в зависимости от температуры;

5. Наблюден сдвиг магнитного гистерезиса относительно нулевого поля в структурах ОаАзЯпхОаьхАз/СаАБ с 8- слоем Мп;

6. Предложена качественная модель для описания обнаруженных особенностей в квантовых ямах с удаленным от неё слоем Мп. Ферромагнитное (ФМ) упорядочение в них-объясняется, как косвенным обменным взаимодействием ионов марганца через носители заряда в канале проводимости, так и установлением ферромагнитного порядка в Мп - содержащем слое за счет зонного механизма ФМь упорядочения. Взаимодействие ФМ — состояния в слое приводит к спиновой поляризации носителей заряда - «дырок» в квантовой яме.

Практическая значимость диссертации обусловлена тем, что полученные в настоящей работе данные позволяют оценить степень перспективности использования ферромагнитных полупроводниковых структур для устройств спинтроники и степень влияния неупорядоченности в системе на характер проводимости и магнитные свойства подобных структур. Результаты работы актуальны для современной микроэлектроники еще и тем, что получены для структур на основе легко интегрируемого в технологический процесс материала - ваАБ.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Объем диссертации составляет 94 страницы, включая 25 рисунков и 5 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Панков, Михаил Александрович

Основные результаты, полученные в.работе, изложены ниже:

1. Исследованы структурные, магнитные и электрофизические свойства двумерных ферромагнитных полупроводниковых структур, представляющих собой квантовую яму с удаленной от канала проводимости магнитной примесью Мп. Эти структуры отличаются, от ранее исследованных структур разбавленных магнитных полупроводников, относительно высокими значениями подвижности и двумерным спектром энергии носителей заряда в квантовой яме при сохранении магнитных свойств;

2. Продемонстрирована возможность установления магнитного упорядочения в двумерных полупроводниковых структурах со слоем магнитной примеси удаленной от канала проводимости;

3:. Исследована связь магнитных свойств и дырочного транспорта двумерных структура типа квантовая' яма1 Оа^хЪ^Ав с 5-слоями Мп: со структурными характеристиками объектов;

4. Впервые' экспериментально продемонстрирована существенная роль, «собственного» механизма аномального эффекта Холла в системе квантовая яма с удаленным от неё слоем Мп и двумерным спектром носителей заряда^ что подтверждается согласием его* величины с теоретическими* расчетами, и- сменой, знака АЭХ при изменении, температуры;

5. Наблюден сдвиг магнитного гистерезиса относительно; нулевого; поля в структурах СаАзЯпхОаьхАз/ОаАэ с 8- слоем Мп;

6. Предложена качественная- модель для. описания особенностей электронного транспорта и магнитных свойств полупроводниковых структур типа квантовая яма с удаленным слоем Мп. Ферромагнитное упорядочение в них объясняется, как косвенным обменным взаимодействием ионов марганца через носители заряда в канале проводимости, так и в предположении, что центральная часть этого слоя

86 образует собственный (зонный) ферромагнетик, который, взаимодействуя с дырками в квантовой яме, приводит к их спиновой поляризации.

Заключение.

Таким образом, представленные данные свидетельствуют о наличии ферромагнитного упорядочения ОаАзЛпхОа^хАзЛлаАз структур с удаленным от 5- слоем Мп и о существенной- роли его взаимодействия с 20 дырочным газом в квантовой яме. Это подтверждается наблюдением максимума в температурных зависимостях сопротивления; обнаружением отрицательного спин-зависящего магнетосопротивления и аномального эффекта Холла, величина которого также хорошо коррелирует с результатами теоретических расчетов для ферромагнитных 2Т> Ш-Мп-У систем, и указывает на доминирующую роль собственного механизма формирования АЭХ в наших объектах.

Своеобразие ОаА8/5<Мп>/ОаА8/1пхОа1.хАз/ОаА8 структур заключается в их сильном беспорядке, способствующим формированию в. 5<Мп> слое диэлектрической антиферромагнитной- матрицы^ с ферромагнитными «островками», имеющими сравнительно низкие температуры Кюри (Тс ^ 50 К). Перенос дырок 2Б1 канала, вVэтих условиях носит перколяционный характер и демонстрирует переход к прыжковому типу проводимости при температурах ниже Тс. При этом измеренные в эксперименте1 высокие значения холловской

13 2 концентрации р — (1-2)-10 см" объясняются компенсацией обычной-компоненты эффекта- Холла (положительного знака) аномальной его компонентой* отрицательного знака, зависимость которой от магнитного поля-носит линейный характер в силу наличия в системе достаточно сильного обменного поля однонаправленной анизотропии. Другая причина высоких значений р связана с переходом от активационной проводимости дырок по уровню протекания к прыжковому их переносу по дырочным каплям, в условиях которого эффект Холла должен падать.

В более широком плане полученные данные стимулируют дальнейшее изучение механизмов поляризации носителей заряда и магнитного порядка в сильно неоднородных гетероструктурах с удаленным от 2Э канала слоем магнитных примесей.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Панков, Михаил Александрович, 2011 год

1. I. Zutic, О. Fabian, S. Das Sarma. // Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004).

2. C.C. Аплеснин. Основы спинтроники. // Изд-во. Лань, 288, Москва (2010).

3. М. N. Baibich, J. М. Broto, A. Fert, F. Nguyen van Dau, F. Petroff, P. E. Etienne, G. Greuzet, A. Friedrich, and J.Chazelas. // Phys. Rev. Lett. 61, 2472 (1988).

4. D.D. Awschalom, D. Loss, N. Samarth (Eds.). // Springer, (2002).

5. T. Jungwirth, Jairo Sinova, J. Masek et al. // Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006).

6. H. Ohno, H. Munekata, T. Penney et al. // Phys. Rev. Lett. 68, 2664 (1992).

7. S. Sugahara, M. Tanaka, J. Appl. Phys. 97, 10D503 (2005).

8. K.S. Burch, D.B. Shrekenhamer, E.J. Singley J. Stephens, B.L. Sheii, R.K. Kawakami, P. Schiffer, N. Samarth, D.D. Awschalom, D.N. Basov. // Phys. Rev. Lett. 97, 087208 (2006).

9. L.P. Rokhinson, Y. Lyanda-Geller, Z. Ge et al. // Phys. Rev. В 76, 161201(R) (2007).

10. K.W. Edmonds, K.Y. Wang, R.P. Campion et al. // Appl. Phys. Lett. 81, 3010 (2002).

11. D.J. Priou, Jr., E.H. Hwang, S. Das Sarma. // Phys. Rev. Lett. 92, 117201 (2004).

12. T. Dietl, A. Haury, Y. Merle d'Aubigne. // Phys. Rev. В 55, 3347(R) (1997).

13. A. Haury, A. Wasiela, A. Arnoult et al. // Phys. Rev. Lett. 79, 511 (1997).

14. B.B. Рыльков, Б.А. Аронзон, К.И. Маслаков и др. // ЖЭТФ 127, 838 (2005).

15. Б.А. Аронзон, А.Б. Давыдов, М.А. Панков, В.В. Рыльков. // Сборник докладов конференции по физике конденсированного состояния, сверхпроводимости и материаловедению, г. Москва (2007).

16. М. А Панков, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, М. Garain. // Сборник тезисов 8 Российской конференции по физике полупроводников, г. Екатеринбург (2007).

17. В.A. Aronzon, M.V. Kovalchuk, E.M. Pashaev, M.A. Chuev, V.V. Kvardakov, I.A. Subbotin, V.V. Rylkov, M.A. Pankov, I.A. Likhachev, B.N. Zvonkov, Yu.A. Danilov, O.V. Vihrova, A.V. Lashkul and R. Laiho. // J. Phys.: Condens. Matter 20 (2008).

18. B. Aronzon, A. Lagutin, V. Rylkov, M. Pankov, A. Lashkul and R. Laiho.//

19. Phys. stat. sol. (c) 5 , No. 3, 814-818 (2008).

20. Панков M.A., Аронзон Б.А., Рыльков B.B., Давыдов А.Б., Мейлихов Е.З., Фарзетдинова P.M., Пашаев Э.М., Чуев М.А., Субботин И.А., Лихачев И.А., Звонков Б.Н., Лашкул A.B., Лайхо Р. //ЖЭТФ, Том 136, Вып. 2 (8), 346-355 (2009).

21. Панков М.А., Лихачев И.А., Давыдов А.Б., Веденеев A.C., Субботин И.А., Дорофеев A.A., Рыльков В.В. // Радиотехника и электроника, Том 54, Вып. 9, 1099-1109(2009).

22. Б.А. Аронзон, В.В. Рыльков, М.А. Панков, А.Б. Давыдов // Сборник трудов

23. XXI Международной конференции, г. Москва,(2009).

24. Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Панков М.А., Давыдов А.Б., Лихачев.И.А., Веденеев A.C. // Тезисы докладов XXXV совещания по физике низких температур (НТ-35), г. Черноголовка (2009).

25. Б.А. Аронзон, В.В. Рыльков, М.А. Панков, А.Б. Давыдов, A.C. Лагутин. // Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, г. Новосибирск-Томск (2009):i

26. Б.А. Аронзон, В.В. Рыльков, М.А. Панков, A.C. Лагутин, И.А. Лихачев, Э.М. Пашаев. // Тезисы докладов XIV Национальная конференция по росту кристаллов, г. Москва (2010).

27. В.А. Aronzon, М.А. Pankov, V.V. Rylkov, E.Z. Meilikhov, A.S. Lagutin, E.M. Pashaev, M.A. Chuev, V.V. Kvardakov, I.A. Likhachev, O.V. Vihrova, A.V. Lashkul, E. Lähderanta, A.S. Vedeneev, and P. Kervalishvil. // JAP, 107, 023905(2010).

28. В.A. Aronzon, V.V. Rylkov, M:A. Pankov, V. Tripathi, K. Dhochak and K.I. Kugel. // 18 Международный симпозиум. "Наноструктуры: Физика и технология", г. Екатеринбург (2011).

29. D. Stich, J. Н. Jiang, Т. Korn, R. Schulz, D. Schuh, W. Wegscheidel M. W. Wu, and C. Schüller // Phys. Rev. B, 76, 073309 (2007).

30. S.Y. Liu, X.L.Lei. //Phys. Rev. В 72, 195329(2005).

31. V.K. Dugaev, P. Bruno, M. Taillefumier et al. // Phys. Rev. В 71, 224423 (2005).30: Е.З. Мейлихов, P.M. Фарзетдинова. //Письма ЖЭТФ, 87, 568 (2008).

32. V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, S. Caprara, Р. M. Echenique, and E. V. Chulkov.//Phys. Rev. B, 80, 035315 (2009):

33. T. Wojtowicz, W.L. Lim, X. Liu et al., // Appl. Phys. Lett. 83, 4220 (2003).

34. A.M: Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto et al., II. Phys. Rev. Lett: 95, 017201 (2005).

35. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka,// Phys. Rev. В 67, 241308 (2003);

36. Кульбачинский B.A., Щурова Л.Ю. // ЖЭТФ, 2009 г., Том 136, Вып. 1, стр. 135 (2009):

37. Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н;, Коплак О.В., Моргунов Р.Б. // ЖЭТФ, Том 140, Вып. 1, стр. 158(2011).37: Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Зайцев G.B. // ЖЭТФ, Том 139, Вып. 2, стр. 367(2011).

38. F. Matsukura, Н. Ohno, А. Shen, and Y, Sugawara. // Phys. Rev. В 57, 2037R (1998).

39. A. Oiwa, S. Katsumoto, A, Endo et al., // Solid State Gommun. 103, 209 (1997).

40. P. Fumagalli, G. Sommer, H. Lippitz, S. Haneda, and H. Munekata. // J. Appl. Phys., 89, 7015 (2001).

41. Волошин И.Ф., Калинов A.B., Савельев G.E., Фишер JI:M., Бабушкина H.A., Белова Л.М., Хомский Д.И., Кугель К.И. // Письма ЖЭТФ, 71, 157 (2000).

42. Б. А. Аронзон, В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин, А. Б. Давыдов, В. В. Рыльков, А. Б. Грановский, О.В.Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Y. Horikoshi, К. Onomitsu // Письма ЖЭТФ, 85, 32 (2007).

43. М. N. Baibich, J. М. Broto, A. Fert, F. Nguyen van Dau, F. Petroff, P. E. Etienne, G. Greuzet, A. Friedrich, and J.Chazelas. // Phys. Rev. Lett. 61, 2472 (1988).

44. A. E. Berkowitz, J. R. Mitchell, M. J. Carey, A. P. Young, S. Zhang, F. E. Spada, F. T. Parker, A. Hutten, and G. Thomas. Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co alloys. Phys. Rev. Lett. 68, 3745 (1992).

45. J. Q. Xiao, J. S. Jiang, and C. L. Chein. Giant magnetoresistance in nonmultilayer magnetic systems. Phys. Rev. Lett. 68, 3749 (1992).

46. Michel Ziese, Martin J. Thornton, Spin Electronics, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2001).

47. I.D. Lobova, F.A. Pudonin, M-.M. Kirillova, A.V. Korolev, V.M. Maevskii. // JMMM, 264, 164 (2003).

48. С. И. Касаткин, A.M. Муравьёв, H.B. Плотникова, Ф.А. Пудонин, JI.A. Ажаева, H.H. Сергеева, В.Д. Ходжаев. // Микроэлектроника, 34(1), 56 (2005).

49. R. Е. Camley, and J: Barnas. // Phys. Rev. Lett. 63, 664 (1989).

50. D.J. Stinson, A.C. Palumbo, B. Brandt, M. Berger. // J. Appl. Phys. 61, 3816 (1987).

51. R.M. White; Т.Н. Geballe. // Academic Press, New York, (1979).

52. A.B. Ведяев, А.Б. Грановский, O A. Котельникова. // Изд-во МГУ, (1992).

53. Т. Jungwirth, Q. Niu, A.H. McDonald. // Phys. Rev. Lett. 88, 207208 (2002).

54. Б.А. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, A.H. Лагарьков, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков, М.В. Седова, N. Negre, М. Goiran, J. Leotin. // Письма в ЖЭТФ, 70(2), 87 (1999).

55. Б. А. Аронзон, А.Б. Грановскийй, Д.Ю. Ковалев, Е.З. Мейлихов; В.В. Рыльков, М.А. Седова. // Письма в ЖЭТФ, 71(11), 687 (2000).

56. Н. Ohno. // Science 291, 840 (2001).

57. H. Ohno, F. Matsukura. // Sol. State Commun. 117, 179 (2001).

58. K.W. Edmonds, K. Y. Wang, R.P. Campion, et al. // Appl. Phys. Lett. 81, 3010 (2003).

59. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, et al. // Phys. Rev. Lett. 95, 017201 (2005).

60. H. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, et al. // Nature 408, 944 (2000).

61. B.B. Рылысов, Б.А. Аронзон, К.И. Маслаков и др. // ЖЭТФ> 127, 838 (2005).

62. J. М. Daughton. // J. Appl. Phys., 81, 3758 (1997).

63. С. В. Зайцев, М. В. Дорохин, А. С. Бричкин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, В. Д. Кулаковский. // Письма в ЖЭТФ, 90, 730 (2009).

64. Н. Ohno. // J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999).

65. S. V. Gudenko, B. A. Aronzon, and V. A. Ivanov. // JETP Lett., 82, 532 (2005).

66. J.E. Schiber, I.J. Fritz, L.R. Dawson. // Appl. Phys. Lett. 46, 187 (1985).

67. G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.Y. Germanenko et al. // Phys. Rev. В 71, 165312(2005).

68. M.A. Чуев, Б.А. Аронзон, Э.М. Пашаев, И.А. Субботин, В.В. Рыльков, М.В. Ковальчук, В.В.- Квардаков, П.Г. Медведев. // Микроэлектроника, 37, 83 (2008).

69. М. A. Chuev, I: A. Subbotin, Е. М. Pashaev, V. V. Kvardakov, and В. А. Aronzon. // JETP Lett. 85, 17 (2007).

70. X.X. Guo, C. Herrmann, X. Kong, D. Kolovos-Vellianitis, L. Daweritz, K.H. Ploog. // J. Cryst. Growth, 278, 655 (2005).

71. J. Jaroszynski, T. Andrearczyk, G. Karczewski et al. // Phys. Rev. В 76, 045322 (2007).

72. A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck et al. // Phys. Rev. В 56, 13103 (1997).

73. Б.И. Шкловский. // ЖЭТФ 72, 288 (1977) Sov. Phys. JETP 45, 152 (1977).

74. Ю.В. Васильева, Ю.Н. Данилов, A.A. Ершов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, С.В. Гуденко, В.В. Рыльков, А.Б. Грановский, Е.А. Ганьшина, Н.С. Перов, Е.Н. Виноградов. // ФТП, 39, 87 (2005).

75. Т. Holstein. // Phys. Rev. 124, 1329 (1961).

76. Ю.М. Гальперин, Е.П. Герман, В.Г. Карпов. // ЖЭТФ 99, 343 (1992) Sov. Phys. JETP72, 193 (1991).

77. С. Timm. // J. Phys.: Condens. Matter 15, R1865 (2003).