Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Савинов, Иван Сергеевич

• Савинов, Иван Сергеевич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Савинов, Иван Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.1. Свойства стеклообразных полупроводников как среды памяти.

1.1.1. Фазовые состояния халькогепидпых полупроводников.

1.1.2. Структурные особенности стекла.

1.1.3. Электрофизические свойства.

1.2. Применение стеклообразных полупроводников в ячейках энергонезависимой памяти.

1.2.1. Эффект переключения в стеклообразных полупроводниках.

1.2.2. Применение ячеек памяти на основе ХСП в современных устройствах энергонезависимой памяти (PRAM).

1.3. ПРИМЕНЕНИЕ МОДЕЛЕЙ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ ДЛЯ

ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ТРАНСФОРМАЦИЙ.

1.3.1. Рост кристаллов из аморфной фазы.

1.4. Постановка и обоснование задач исследования.

2. МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ ЦИКЛА ЗАПИСИ -ОБРАЗОВАНИЯ ТОКОВОГО КАНАЛА В СРЕДЕ, НАХОДЯЩЕЙСЯ В СТЕКЛООБРАЗНОМ СОСТОЯНИИ.

2.1. Механизм перколяциопного пробоя.

2.2. Построение модели модели перколяциопного пробоя.

2.3. Результаты численного расчета.

2.4. Оценка возможности влияния заряда, в приконтактпой области па высоту барьера и локализацию тока.

2.5. Сравнение численных расчетов с экспериментальными данными.

2.6. Выводы.

3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ С

УЧАСТИЕМ СТЕКЛООБРАЗНОГО СОСТОЯНИЯ.

3.1. Моделирование переходов стекло-расплав, расплав-стекло.

3.1.1. Построение модели.

3.1.2. Результаты моделирования.

3.2. Моделирование процесса кристаллизации.

3.2.1. Построение модели.

3.2.2.Результаты моделирования.

3.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников»

Актуальность темы. Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) были открыты в середине 50-х годов Н.А. Горюновой и Б.Т. Коломийцем [1]. Исследования, выполненные в физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, а также в ведущих исследовательских центрах мира, стимулировали интерес к электронным свойствам не только стеклообразных полупроводников, но и вообще к аморфным материалам и их применению. Совместными усилиями теоретиков и экспериментаторов были разработаны основы физики полупроводниковых материалов с неупорядоченной структурой, что позволило понять особенности электронных процессов в них и приступить к созданию принципиально новых материалов с аморфной или близкой к ним структурой [2-19]. В качестве успешных примеров реализации этого направления в технических устройствах можно отметить широкое применение аморфных полупроводников в солнечных панелях, устройствах отображения информации, а также в качестве оптических запоминающих сред.

В начале 60-х годов Б.Т. Коломийцем с сотрудниками был открыт и исследован эффект переключения, проявлявшийся в резком уменьшении сопротивления изготовленных из ХСП образцов при приложении к ним напряжения, большего некоторой величины [20]. С. Овшинским был предложен ряд применений этого эффекта в микроэлектронике [21]. Им был изготовлен ряд составов, на основе которых были разработаны ячейки памяти, остававшиеся после переключения в состоянии с высокой проводимостью и после отключения источников энергии [22]. Энергонезависимое запоминание проводящего состояния осуществлялось поликристаллической нитью, которая образовывалась в канале, соединяющем два электрода, находившиеся па разных сторонах образца. Расплавление и быстрая закалка рабочей области короткими электрическими импульсами вновь переводили материал рабочей области в стеклообразное состояние, обладающее низкой проводимостью. Таким образом, на основе фазовых переходов стекло - кристалл - расплав - стекло, были созданы первые энергонезависимые элементы памяти. В этих элементах ХСП использовалось в качестве активной среды [23,24]. Применение кремниевой технологии и тонких пленок ХСП позволило создать первые энергонезависимые микросхемы памяти, которые выдерживали до 106 циклов перезаписи, при длительности цикла перезаписи не превышающим несколько мс [25]. Однако, низкая надежность этих схем не позволила им найти широкого применения. Основной причиной их ненадежности был сравнительно низкий технологический уровень того времени.

За десятилетия, прошедшие с момента открытия ХСП и изготовления первых энергонезависимых устройств памяти, произошло существенное повышение степени интеграции схем, а так же общего технологического уровня производства микросхем. Это позволило создать схемы энергонезависимой памяти ("флэш-память"), которые в значительной степени стимулировали развитие не только промышленной, но и бытовой электроники. По существу было создано новое, высокорентабельное и быстро развивающееся направление. Стремление улучшить параметры существующих схем энергонезависимой памяти заставило разработчиков вновь обратить внимание на функциональные двухэлектродные элементы памяти. В ряде ведущих фирм начались разработки микросхем памяти на основе ХСП. Проектировщиков привлекает, прежде всего, возможность разработки на их основе схем большой емкости, превосходящих, современную флэш-память кок по объему, так и по скорости записи. Для создания элементов энергонезависимой памяти нового поколения необходимо выполнить исследования комплексных быстрых процессов, протекающих в чрезвычайно малых объемах ХСП в условиях высокой энергетической накачки. Отсутствие надежных физических инструментов для таких исследований делает особо актуальными численные расчеты, основанные на адекватных моделях, чему и посвящена настоящая работа. Создание моделей запоминающей ячейки и соответствующих расчетных программ позволит оптимизировать проектирование таких элементов и схем на их основе. Кроме того, как показывает практика, наличие расчетных инструментов позволяет значительно сократить сроки и стоимость разработки.

В связи с этим, основная цель работы заключалась:

1. в создании физико-математической модели, адекватно описывающей процессы в запоминающей ячейке па основе ХСП;

2. в численном моделировании динамики процессов, происходящих в активной среде на различных стадиях функционирования запоминающей ячейки;

3. выполнения численных расчетов основных характеристик ячейки;

4. подтверждение адекватности использованных моделей путем сравнения расчетных и экспериментальных результатов.

Для достижения поставленных целей необходимо было решить следующие задачи:

1. На основе детального анализа литературных, а так же собственных экспериментальных данных, выделить основные этапы функционирования запоминающей ячейки и для каждого из них определить критические процессы и возможные классы моделей, пригодных для их описания.

2. Для каждого из критических процессов разработать модели, позволяющие связать функциональные характеристики ячейки с физическими процессами в ней, параметрами материала, режимами перезаписи информации, условиями эксплуатации.

3. Разработать расчетные методы и соответствующие алгоритмы, пригодные для выполнения компьютерного эксперимента на базе использованных физических моделей.

4. Выполнить численный расчет основных процессов, определяющих функционирование ячейки.

5. На основе сравнения экспериментальных результатов и результатов численного моделирования оценить адекватность использованных моделей и возможности их использования при оптимизации параметров энергонезависимых запоминающих ячеек с фазовыми переходами.

Объекты и методы исследований.

Основными объектами исследований являются тонкие пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников, предназначенные для изготовления элементов энергонезависимой памяти на основе ХСП, а также сами элементы памяти, разрабатываемые для их применения в PRAM.

Основным методом исследования процессов и характеристик элементов памяти является численное моделирование.

Основными методами оценки достоверности полученных результатов является их сравнение с опубликованными экспериментальными результатами, а так же отдельные целевые эксперименты.

Научная новизна:

Разработана физико-математическая модель, многостадийного процесса перезаписи информации в запоминающей ячейке на основе ХСП, пригодная для выполнения численных экспериментов при инженерном проектировании ячеек, используемых в PRAM,

Показано, что параметры переключения запоминающего элемента в состояние с высокой проводимостью наиболее достоверно описываются моделью перколяционного пробоя;

3. Показано, что такие параметры включения ячейки как пороговое напряжение и время задержки определяются параметрами электрического пробоя пленки ХСП и па их величину тепловые процессы оказывают малое влияние:

4. Показано, что хаотические флуктуации генерируемого и захваченного заряда, вызывающие перераспределение напряженности электрического поля, приводят к развитию случайных перколяционных путей, которые стабилизируются тепловыми эффектами. При этом на заключительной стадии перколяционного пробоя в разрядном промежутке возникает один канал, соединяющий электроды по кратчайшему пути.

5. Выполнено численное моделирование фазового перехода из расплавленного в стеклообразное состояние, результаты которого правильно описывают наблюдающуюся в экспериментах зависимость теплоемкости материала от температуры и скорости закалки.

6. Выполнено численное моделирование динамики процессов кристаллизации при различных режимах перезаписи для запоминающей среды с различными характеристическими параметрами.

Практическая ценность. Полученные результаты закладывают базу для расчета и проектирования нового поколения микросхем энергонезависимой памяти.

Результаты, полученные в данной работе, могут быть использованы в разработках микросхем энергонезависимой памяти, основанных па фазовых переходах и электромиграции примесей.

Результаты работы могут способствовать поиску новых материалов, перспективных для применения в элементах памяти с фазовыми переходами.

Измерительно-программный комплекс, разработанный при выполнении данной работы, может быть использован для создания автоматизированного лабораторного практикума, предназначенного для изучения студентами параметров полупроводниковых приборов и материалов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Физико-математическая модель, многостадийного процесса перезаписи информации в ячейке энергонезависимой памяти на основе ХСП.

2. Перколяционная модель пробоя и выполненные на ее основе численные расчеты.

3. Результаты численного моделирования фазовых превращений, происходящих в запоминающей ячейке на основе ХСП;

4. Результаты анализа влияния ионизации дефектов в приконтактной области на высоту барьера и вероятность инжекции заряда в объеме ХСП.

Реализация результатов. Основные результаты исследования вошли составной частью в работу, выполненную совместно МЭИ (ТУ) и НПО Всероссийский электротехнический институт по федеральной целевой программе "Интеграция" (тема № 1155970 2001 - 2004 г.г.), результаты по численному моделированию перколяциопного пробоя вошли составной частью в работу, поддержанную грантом 05-02-164 91 РФФИ.

Разработанные в процессе выполнения работы отдельные программные модули моделирования полупроводниковых приборов были использованы при создании работ дистанционного учебного практикума по курсу "Электроника и микроэлектроника". Лабораторный практикум для моделирования и экспериментального определения параметров полупроводниковых приборов, разработанный с использованием результатов диссертационной работы, демонстрировался на выставке "Современная образовательная среда" (ВВЦ, 29 октября - 1 ноября 2003, 2004 г.г.). На разработанный программно-аппаратный комплекс "Твердотельная электроника" Федеральной службой по интеллектуальной собственности выдано свидетельство о регистрации № 2004611555 от 13.09.2004 г.

Апробация работы. Результаты работы изложены в 8 работах, которые приведены в списке опубликованных работ, а также докладывались на следующих конференциях и семинарах:

1. IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 5-8 июля 2004 г.

2. Международный научно-технический семинар "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах", Москва, МЭИ. 2003, 2004 г.г.

3. Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика", Москва, МЭИ 2003, 2004 г.г.

Личный вклад автора.

Автору принадлежат основные физические идеи, положенные в основу моделей функционирования ячейки энергонезависимой памяти с фазовым переходом стекло-кристалл, их реализация путем создания программных средств и выполнения численного моделирования, модернизация измерительных установок для контроля оптических и электрических свойств тонких пленок ХСП. В разработке модели перколяционного пробоя автору принадлежат идеи, положенные в основу расчетного алгоритма, создание программы, выполнение численного эксперимента и сравнение результатов расчета с экспериментом.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Савинов, Иван Сергеевич

Выводы

Предложенная модель кристаллизации и стеклования удовлетворительно объясняет основные процессы, происходящие при фазовых переходах типа расплав-стекло, расплав-кристалл и может быть принята за основу при численных расчетах.

Показано, что при увеличении размера окна увеличивается минимальный ток стирания и уменьшается сопротивление ячейки. Установлено, что изменение толщины пленки халькогена влияет в основном на сопротивление ячейки в состоянии SET и слабо влияет на значения тока и напряжения при записи и стирании.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании результатов численного моделирования, выполненных экспериментов, а так же анализа литературных данных можно сделать следующие выводы.

1. Разработана физико-математическая модель функционирования запоминающей ячейки на основе ХСП, удовлетворительно описывающая основные стадии ей работы: включение, запись и стирание информации.

2. Показано, что перколяционная модель пробоя удовлетворительно объясняет процессы, происходящие при включении запоминающей ячейки (setting) и может быть принята за основу при численных расчетах.

3. Результаты численного моделирования стадии включения, и их сравнение с экспериментом, свидетельствуют о том, что такие параметры как пороговое напряжение и время задержки определяются параметрами электрического пробоя пленки ХСП, при этом тепловые процессы оказывают слабое влияние на их значения.

4. Численные расчеты, выполненные на основе перколяциоиной модели, дают правильную зависимость от температуры порогового напряжения и времени задержки, а так же зависимость времени задержки от величины приложенного напряжения.

5. Показано, что применение перколяциоиной модели пробоя позволяет оценить влияние характеристик материала и геометрии рабочей области на разброс параметров включения ячейки.

6. Показано, что хаотические флуктуации электрического поля, генерируемого и захваченного заряда приводят к развитию случайных перколяционных путей, которые стабилизируются тепловыми эффектами таким образом, что на заключительной стадии включения в разрядном промежутке возникает один канал, соединяющий электроды по кратчайшему пути.

7. Показано, что возникновение в результате полевой эмиссии заряда с ловушек, локализованного в приконтактной области, может приводить к снижению барьера и, соответственно, будет способствовать снижению порогового напряжения и локализации тока уже на начальной стадии пробоя. Данный эффект, в принципе может быть ответственным за то, что в длинных зазорах развитие стримерного пробоя в ХСП, как правило, происходи со стороны анода.

8. Показано, что при увеличении размера окна увеличивается минимальный ток стирания и уменьшается сопротивление ячейки.

9. Установлено, что изменение толщины пленки халькогена влияет в основном на сопротивление ячейки в состоянии SET и слабо влияет на значения тока и напряжения при записи и стирании.

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

Савинов И.С. Возникновение электроусталости в МОП структурах в результате снижения высоты потенциального барьера при полевой ионизации атомов диэлектрика. // ФТП. - 2005. - № 5. - С. 623 - 626. Файрушин А.Р., Савинов И.С. Влияние полевой ионизации атомов диэлектрика на ток утечки в МОП структуре // Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 10 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. Изд-во МЭИ. - 2004. - С.246. Савинов И.С., Файрушин А.Р. Моделирование динамики пробоя с использованием стохастических закономерностей// Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 10 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. Изд-во МЭИ. - 2004. - С.242. Файрушин А.Р., Савинов И.С. Формирование стримерного пробоя в тонких пленках стеклообразных полупроводников // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. науч. - техн. семинара (Москва, 3-6 декабря 2002 г.). - М.:МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ. - 2003. - С.224-228.

Воронков Э.Н., Савинов И.С., Файрушин А.Р. Моделирование динамики электрического пробоя стеклообразных полупроводников// Вестник МЭИ. - 2004. - № 5. - С. 86 - 90.

Савинов И.С., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Моделирование динамики пробоя аморфных полупроводников. // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. науч. - техн. семинара (Москва, 1-5 декабря 2003 г.). - М.:МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ. - 2004. - С. 168-172.

Савинов И.С., Дудников А.С., Воронков Э.Н. Анализ причин нестабильности тонкого подзатворного диэлектрика МОП транзисторов. // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. науч. - техн. семинара (Москва, 3-6 декабря 2002 г.).

- М.:МНТОРЭС А.С. Попова, МЭИ. - 2004. - С.215-220. Файрушин А.Р., Савинов И.С., Дудников А.С., Воронков Э.Н. Формирование стримерного пробоя в тонких пленках стеклообразных полупроводников// Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. науч. - техн. семинара (Москва, 3-6 декабря 2002 г.).

- М.:МНТОРЭС А.С. Попова, МЭИ. - 2004. - С.215-220.

Воронков Э.Н., Савинов И.С., Файрушин А.Р. Моделирование динамики пробоя стеклообразных полупроводников. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов IV Международной конфернеции (5-7 июля 2004 г. Санкт-Петербург). РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. С.Пб. СпбГУ. - 2004. - С. 9-10.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Савинов, Иван Сергеевич, 2006 год

1. Горюнова И. А., Коломиец Б. Т. Новые стеклообразные полупроводники. // Изв. АН СССР: Сер. физ. 1956 - Т.20. - №12. С. 1496-1501.

2. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. - 368 с.

3. Губанов А. И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1963. - 467 с.

4. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Л. П. Казакова, Э. А. Лебедев, Э. А. Сморгонская; Под. ред. К. Д. Цэндина. СПб.: Наука, 1996. - 319 с.

5. Устройства памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников / А.И. Попов, Э.В. Воронков, Н.Н. Усов и др. // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. МИЭТ. Москва. 1979.-С. 113-122.

6. Ioffe A. F., Regel A. R. Non-Crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors // Progress in semiconductors. London. 1960. - V. 4. - P. 231-238.

7. Kastner M. Bonding bands, lone-pair bands, and impurity states in chalcogenide semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1972. - V. 28, - № 6. - P. 355-357.

8. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 34. - № 15. - P. 953-955.

9. Adler D., Yoffa E.J. Electronic structure of Amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. - V. 36. - №20. - P. 1197-1200.

10. Habbard J. Electron correlation in narrow energy bands // Proc. Roy. Soc. A. 1963.- V. 276.- P.238.

11. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975.-V. 35.-№ 19.-P. 1293-1296.

12. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. - V. 37. -№22.-P. 1504-1507.

13. Неупорядоченные полупроводники / Под. ред. Айвазова А.А. М.: Высшая, школа, 1995.

14. Kastner М., Hudgens S.J. Evidence for the neutrality of luminescence centres in chalcogenide glasses//Phil. Mag. B. 1978. - V.37.-№2. - P. 199-215.

15. Kastner M. Defects in lone-pair semiconductors: the valence-alternation model and new directions // Journ. of Non-Cryst. Solids. 1980. - V. 35. - P. 807-817.

16. Попов H.A. Новая модель в халькогепидных стеклообразных полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1980. - Т.31. - № 8. - С. 139-142.

17. Попов Н.А. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках// ФТП. 1981. - Т. 15. -№ 2. - С.369-374.

18. Фельц. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. -М.: Мир, 1986.

19. Дембовский С.А., Зюбин А.С., Григорьев Ф.В. Моделирование гипервалентиых конфигураций, пар с переменной валентностью, деформированной структуры и свойств a-S и a-As2S3 // ФТП. 1998. -Т.32. -№8. С. 944-951.

20. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Вольтамперная характеристика точечного контакта со стеклообразным полупроводником. Радиотехника и электроника. 1964. - Т.8. - С. 2097 - 2098.

21. Ovshisky S.R. Symmetrical current controlling device.// Pat. USA. № 3281591, publ. 20.11.1963.-P.307-885.

22. Ovshisky S.R., Fritzsche H. Amorphous semiconductjrs for switching,memory, and imaging applications.// IEEE Trans, on ED 1073. V. ED-20. -№2.-P. 91 - 105.

23. Усов II.H. и др. Способ изготовления тонкоплепочных переключателей. Авт. Свидетельство Кл. 2910423.

24. Боровов Г.И. Устойчивость фазовых состояний в стеклообразных полупроводниках и устройствах памяти па их основе. Кандидатская диссертация. М. МЭИ. - 1981.

25. Усов Н.Н. и др. Свойства некристаллических ПИЗУ на основе аморфных переключателей. // Микроэлектроника. 1980. - Т.6. - вып.4 - С. 134.

26. Рылов Б.Н. Размытые фазовые переходы. Рига. Зинатне. 1972. 312 с.

27. Mayer J.E., Streeter S.F. On the classification of phase transitions J. Chem. Phys. - 1939. - V. 7. — № 3. - P. 1019-1027.

28. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Статистическая физика. M. Наука, 1976. -584 с.

29. Золотухин И.В., Калинин Ю.Е., Стогней О.В. Новые направления физического материаловедения. Воронеж. Изд. ВГУ. 2000. с. 157.

30. Ulhman D.// J. Non.-Cryst. Sol. 1972. - V. 7.-№4-P.337.

31. Ковнеристый Ю.К., Осипов Ю.А, Трифонов Е.А. Физико-химические основы создания аморфных металлических сплавов. — М.: Наука. 1990. 195 с.

32. Виноградова Г.З. Стеклообразовапие и фазовые равновесия в халькогнидных системах М.: Наука 1984. - 174 с.

33. Feltz A., Lipmann F.J., Maul W. About the vitreous systems GeTeJ and GeTeSi and the influence of microphase separation on semiconducting behavior of Ge-Te glasses. J. Non-Cryst. Solids. 1972. - V. 8. - P. 64 - 71.

34. Ovonic Unified Memory. ECD. 2002. - paper 12/99 (Non-Confidential).

35. Даринский Б.М., Калинин Ю.е. Дефекты струтктуры в аморфных материалах.// Структура, структурные превращения и магнитные свойства аморфных металлических сплавов. М.: Металлургия. - 1986.-С. 48-51.

36. Судзуки К., Фудзимири X., Хасимото К. Аморфные металлы. М.: Металлургия, 1987. - 328 с.

37. Иванова B.C., Баланкин А.С., Бунин И.Ж., Оксогенов А.А. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994. - с.269.

38. Тамман Г. Стеклообразное состояние. M.-JT. ОНТИ, 1935.

39. Zahariasen W.H. The atomic arrangement in glass // J. Amer. Chem. Soc. -1932. V. 54. - № 10. - P. 3842 - 3851.

40. Немилов C.B. Стеклообразное состояние. Наука: Санкт-Петербург, 1988.

41. Тарасов В.В. Проблемы физики стекла. М.: Стройиздат, 1979. - 255 с.

42. Бартенев Г.М. Сверхпрочные и высокопрочные неорганические стекла.- М.: Стройиздат, 1974.

43. Бартенев Г.М. Строение и механические свойства неорганических стекол. М.: Стройиздат, 1966.

44. Дембовский С.А. Чечеткина Е.А. Стеклообразовапие. М.: Наука, 1990. -278 с.

45. Закис Ю.Р. Дефекты в стеклообразном состоянии вещества Рига: Зинатне, 1984.-202 с.

46. Landa L., Landa К., Thomsen S. Uncommon description of common glasses.- V. 1 Fundamentals of the united theory of glass formation and glass transition. St. Pt. Yanus. 2004. - P. 136.

47. Бакай А.С. Поликластерные аморфные тела. М.: Энергоатомиздат, 1987- 192 с.

48. Graham I.S., Piche L., Grant Martin Model for dynamics of structural glasses / Phys. Rev. E. Vol. 55. -№3 - 1997. - P.2132 - 2144.

49. Popov A. Atomic structure and structural modification of glass/ Semiconductors and semimetals. 2004. - V. 78. - P. 51-95.

50. Мюллер P.Jl. Электропроводность стеклообразных веществ. JI. ДГУ,1968.-252с.

51. Джуа М. История химии. М.: Мир, 1975.-480 с.

52. Hot electrons in amorphous silicon / G. Juska, K.Arlauskas, К. Kocka et al.// Phys. Rev. Lett. 1995.-V. 75.-№16.-P. 2984-2987.

53. Колобаев B.B. Возникновение генерационно-рекомбипационной неустойчивости в тонкопленочных структурах // ФТП. 1999. - Т.ЗЗ. -Вып.4. - С.423 - 424.

54. Arkhipov V.I., Kasap S.O. Is there avalanche multiplication in amorphous semiconductors? // J. of Non-Cryst. Solids. 2000. - V. 266-269. - P. 959 -963.

55. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Вольт-амперная характеристика точечного контакта со стеклообразным полупроводником // Радиотехника и электроника. 1963. - Т. 8. - Вып. 12. - С. 2097-2098.

56. Ovshinsky S.R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures//Phys. Rev. Lett. 1968. - V. 21.-№20.-P. 1450-1453.

57. Ovshinsky S.R., Fritzsche H. Amorphous semiconductors for switching, memory and imaging applications // IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. — V. ED-20. - №2. - P. 91 -105.

58. Adler D., Shur M.S., Silver M., Ovshinsky S.R. Threshold switching in chalcogenide-glass films //J. Appl. Phys. 1980. - V. 51. -№ 6. - P. 32893309.

59. Petersen E.A., Adler D. A model for the on-state of amorphous chalcogenide threshold switches // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50. - № 7. - P. 5065-5072.

60. Adler D., Henisch H.K., Mott N. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys // Reviews of modern physics. 1978. - V. 50. - № 2. - P. 209-221.

61. Petersen E.A., Adler D. On state of amorphous threshold switches // J. Appl. Phys. 1976. - Vol. 47 - № 1. - P. 256-263.

62. Petersen E.A., Adler D. Electronic nature of amorphous threshold switching //

63. Appl. Phys. Lett. 1975. - V. 27. - № 11. - P. 625-627.

64. Adler D. Switching phenomena in thin films // J. Vac. Sci. Technol. 1973. -V. 10.-№5.-P. 728-738.

65. Adler D., Moss S.C. Amorphous memories and bistable switches // J. Vac. Sci. Technol. 1972. - V. 9. - № 4. - P. 1182-1190.

66. Walsh P.J., Vogel R., Evans E. Conduction and electrical switching in amorphous chalcogenide semiconductor films // Phys. Rev. 1969. - V. 178. -№3. - P. 1274-1279.

67. Vezzolli G.C., Walsh P.J., Doremus L.W. Threshold switching and the on-state in non-crystalline semiconductors. An interpretation of threshold switching research // J. Non-Ciyst. Solids. 1975. - V. 18. - № 3. - P. 333373.

68. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. Электронно-тепловая природа низкоомного состояния, возникающего при переключении ХСП //ФТП.- 1981.-Т. 15.-№ 2.-С. 304-310.

69. Henisch Н.К., Pryor R.W., Ventura G.J. Characteristics and mechanism of threshold switching // J. Non-Cryst. Solids. 1972. - V. 8-10. - P. 415-421.

70. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.:Наука, 1972.

71. Костылев С.А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. К.: Наукова думка, 1978.

72. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. — М.: Мир, 1991.

73. Глебов А.С., Петров И.М. Физика и применение токовой неустойчивости в стеклообразных полупроводниках. Рязань: Узорочье, 2000.

74. Gill М., Lowrey Т., Park J. Ovonic Unified Memory A High-performance Nonvolatile Memory Technology for Stand Alone Memory and Embedded Applications // Proceedings of 2002 IEEE International Solid State Circuits1. Conference, 2002.

75. Lai S. "OUM A 180 nm Non-Volatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications" // Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2001.

76. Ovshinsky S.R. Amorphous materials the key to new devices // IEEE Proc. of CAS. - 1998. - V. l.-P. 33.

77. Chalcogenide-based non-volatile memory technology / J. Maimon, E. Spall, R. Quinn, S. Schnurr // IEEE Aerospace, 2001.

78. Total dose radiation response and high temperature imprint characteristics of chalcogenide based RAM resistor elements / S.Bernacki, K. Hunt, S. Tyson et al. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 2000. Vol. 47. - № 6. - P. 2528-2533.

79. Neale R. Amorphous nonvolatile memory: the past and the future // Electronic Engineering. 2001. - P. 67-78.

80. Full integration and reliability evaluation of phase-change RAM based on O.24um-CMOS technologies / Y.N. Hwang, S.H. Lee, S.Y. Lee et al. // Proceedings of VLSI technology, 2003.

81. Gopalan C., Balakrishnan M., Kozicki M.N. Programmable Metallization Cell memory// Observed laboratory results, Arizona State University, 2003.

82. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачев 11.А. Шпунт B.X. Световое излучение при переключении в халькогенидных стеклах // ФТП. 1972. -Т. б.-Вып 1.-С. 197-199.

83. Walsh P.J., Sachio I., Adler D. Electroluminescence from the on state of a thin-film chalcogenide glass // Appl. Phys. Lett. 1978. - V. 37. - № 7. - P. 593-595.

84. Vezzolli G.C. Radative emission during the threshold on-state of a chalcogenide amorphous semiconductor // J. Appl. Phys. — 1978. V. 49. -№6.-P. 3614-3615.

85. Thompson M.J., Pooladej D., Walsh P.J. Norrow band infrared emission studies from chalcogenide threshold switches // J. Non. Cryst. Solids. 1980.1. V.35.-P. 1111-1116.

86. Van Roosbroeck W. Electronic basis of switching in amorphous semiconductor alloys // Phys. Rev. Lett. 1972. - V. 28. - № 17. - P. 11201126.

87. Исследование процессов восстановления и природа низкоомного состояния, возникающего при переключении в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Таксами И.А., Цэндин К.Д.//ФТП. 1983. - Т. 17.-№ 1. - С. 119-124.

88. Chen H.S., Wang Т.Т. On the theory of switching phenomena in semiconducting glasses // Phys. Status. Solid. 1970. - V.2. - № 1. - P. 7984.

89. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. VII. Nonohmic behaviour and switching//Phil. Mag. 1971. - V. 24. -№ 190. - P. 911-934.

90. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. II. The on-state of the threshold switches // Phil. Mag. 1975. - V. 32. - № 11. - P. 159-171.

91. Ламперт M., Марк П. Ипжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.

92. Shaw М.Р., Holmberg D.H., Kostylev S.A. Reversible switching in thin amorphous chalcogenide films-electronic effects // Phys. Rev. Lett. 1973. V. 31.-№8.-P. 542-545.

93. Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Electronic conduction in amorphous semiconductors and the physics of the switching phenomena // J. Non-Cryst. Solids. 1970. - V. 2. - P. 393-405.

94. Lai Stefan. Current Status of phase change memory and its future. Presentation of Intel Corporation. 2003

95. Cho W.Y., et el. "A 0.18 цт 3.0 V 64 Mb nonvolatile phase-transition random access memory (PRAM) // IEEE Journal of solid-state circuits. -2005 V. 40. - № 1. - P. 293 - 300.

96. Bording J.K., Tato J. Molecular-dynamics simulation of growth ofnanocrystalls in amorphous matrix // Phys. Rev. В. V. 62. - № 12. - P. 8098 -8103.

97. Karpov V.G., Oxtoby D.W. Nucleation in disordered systems // Phys. Rew. В. 1996. -V. 54. -№ 14.-P. 9734-9745.

98. Самарский A.A., Михайлов А.П. Математическое моделирование. Идеи, методы, примеры. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 320с.

99. Воронков Э.Н., Савинов И.С., Файрушин А.Р. Моделирование динамики электрического пробоя стеклообразных полупроводников // Вестник МЭИ. 2004. - №5. - С. 86 - 90.

100. Воронков Э.Н., Савинов И.С., Файрушин А.Р. Моделирование динамики пробоя аморфных полупроводников. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. // Сб. трудов IV международной конференции. РАИ РФ, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. -Изд. СПбГУ. 2004. - С. 9-10.

101. Файрушин А.Р.Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках. Кандидатская диссертация. М.: МЭИ. 2005.

102. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

103. Briere О., Halimaoui A., Chibaudo G. Breakdown characteristics of ultra thin gate oxides foloolwing field and temperature stress // Solid-State Electronics.- 1997. V.41. - №. 7. - P. 347 - 349.

104. Brozek Т., Szyper E.C., Viswanathan C.R. Polarity dependence of cumulative properties of charge to breakdown in very thin gate oxides // Solid-State

105. Electronics. 1997. - V.41. - №. 7. - P. 995 - 999.

106. Дудников A.C., Зайцев H.A. Эффект «горячих» носителей в короткоканальных КМОП-приборах // Электронная техника, сер. 3. Микроэлектроника. 2001.-вып. 1.-С. 33-37.

107. Shmidlin F.W. Enhanced tunneling through Dielectric Films due to ionic defects // J. of Appl. Phys. 1966. - V. 37. - № 7. - P. 2823 - 2832.

108. Frenkel J. On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semiconductors // Phys. Rev. 1938. - V. 54. - P. 647-648.

109. Suehle J.S. Ultrathin Gate Oxide Reliability: Physical Models, Statistics, and Characterization // IEEE Transactions on electron devices. 2002. - V. 49. -№6.-P. 958-971.

110. Quasi-breakdown of ultrathin gate oxide under high Field stress / S.H. Lee et al. // IEDM Tech. Dig. 1994. - P. 605-608.

111. Voronkov E.N. Pulsed breakdown of chalcogenide glassy semiconductor Films. // J. of Optoelectronics and Advanced Materials. 2002 - V. 4. - № 3. - P. 793-798.

112. L. Langa Fundamentals of the unityed theory of glass formation and glass transition. Yanus publishing house, 2004. - 18 p.

113. Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М., Теория упругости. М. Наука, 1987. - 248 с.

114. А. Г. Угодчиков, Н.М. Хуторянский., Метод граничных элементов в механике деформируемого твердого тела. Изд. Казанского университета, 1986. - 283 с.

115. A. A. Wheeler. Phase-field model for isothermal phase transition // Phys. Rev.

116. A. 1992. - V. 28. - № 17. - P. 7424-7429.

117. G. Caginalp. Phase-field methods for interfacial boundaries // Phys. Rev. B. -1986. V. 33. - № 11. - P. 7792-7794.

118. G. Caginalp. Higher order phase model and detailed anisotropics // Phys. Rev.

119. B. 1986. - V. 34. - № 7. - P. 4940-4943.

120. Паташинский А.З., Покровский В.Л., Флуктуационная теория фазовых переходов. -М.: Наука, 1982. -382 с.

121. G. Caginalp. Phase-field models for anisotropic interfaces boundaries // Phys. Rev. E. 1993. - V. 48. - № 3. - P. 2016-2024