Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Шиляев, Павел Анатольевич

• Шиляев, Павел Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шиляев, Павел Анатольевич

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТНОЙ ГЕОМЕТРИИ.

1.1. Амплитудные параметры.

1.2. Фрактальные параметры.

1.2.1. Понятие фрактала.

1.2.2. Расчет фрактальной размерности.

1.2.3. Связь фрактальной размерности и физических свойств.

1.3. Ростовые показатели.

1.4. Выводы.

ГЛАВА 2. ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ РАСЧЕТА ФРАКТАЛЬНОЙ РАЗМЕРНОСТИ ТРЕХМЕРНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ.

2.1. Получение поверхностей с заданной фрактальной размерностью.

2.2. Озерный алгоритм.

2.3. Метод подсчета клеток.

2.4. Дисперсионный метод.

2.5. Метод структурной функции.

2.6. Выводы.

ГЛАВА 3. ЭВОЛЮЦИЯ ИНТЕРФЕЙСА ВО ВРЕМЯ РОСТА.

3.1. Расчетная модель.

3.2. Изменение фрактальной размерности во время роста.

3.3. Изменение шероховатости поверхности во время роста.

3.4. Ростовые показатели.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. СТРУКТУРА И ГЕОМЕТРИЯ ПОВЕРХНОСТИ СЛОЕВ t КРЕМНИЯ IIA САПФИРЕ.

4.1. Особенности гетероэпитаксии кремния на сапфире.

4.2. Методика эксперимента.

4.3.Связь температуры осаждения и свойств поверхности.

4.4.Начальные стадии роста кремния на сапфире.

4.5. Сравнение КНС структур, полученных различными методами.

4.6. Выводы.!.

ГЛАВА 5. СВЯЗЬ ГЕОМЕТРИИ ПОВЕРХНОСТИ С ФИЗИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ СЛОЕВ КРЕМНИЯ.

5.1. Связь фрактальной размерности и свойств поверхности поликристаллического, кремния.

5.1.1. Методика эксперимента.

5.1.2. Трибологические свойства поверхности.

5.1.3. Упругие свойства поверхности.

5.2. Влияние обработки поверхности на параметры водородочувствительных диодов Шоттки на основе кремния.

5.2.1. Конструкция и принцип действия.

5.2.2. Влияние обработки на параметры диодов Шоттки.

5.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения»

Актуальность темы исследовании

Бурное развитие методов сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) в течение двух последних десятилетий определяет прогресс в области нанотехнологии. Стремительно уменьшающиеся размеры электронных компонентов, переходящие в нанометровый масштаб, требуют новых методов исследования и контроля как геометрии, так и свойств приборов.

СЗМ дает обширную информацию о геометрии поверхности исследуемого объекта — полную трехмерную карту распределения высот поверхности. В связи с этим остро ощущается необходимость в количественной оценке поверхностной геометрии с целью классификации исследуемых образцов. Огромный массив данных, получаемых при помощи СЗМ, для практического применения должен быть сведен к небольшому числу количественных параметров, наиболее полно отражающих как особенности рельефа поверхности, так и особенности самого объекта исследований:

Наиболее часто применяемые и широко изученные для характеристики рельефа поверхности амплитудные параметры (такие как шероховатость и размах высот) не полностью соответствуют поставленным требованиям к информативности количественных характеристик поверхности и требуют более полной систематизации.

Кроме того, существует ряд других перспективных подходов для характеристики поверхностной геометрии твердых тел. Фрактальная размерность-давно известный из математики параметр рельефа - обладает рядом уникальных свойств, весьма полезных для практического применения в физических исследованиях. В особенности данный параметр незаменим при использовании СЗМ для исследования геометрии поверхности. Фрактальная размерность не является случайной величиной, а прекрасно отражает как особенности рельефа поверхности, так и фундаментальные свойства самого объекта исследований.

Накопленные в данный момент сведения о применения фрактальной размерности в практических целях носят разрозненный характер. Требуются дополнительные исследования, как самих методов определения фрактальной размерности, так и выявления связи данного параметра со свойствами объектов исследований.

Наши исследования фрактальной размерности [1, 2] показали, что фрактальная поверхность пленок кремния, полученного методом молекулярно-лучевого осаждения (MJIO), тесно связана с условиями осаждения пленки, а значит и структурой. Структура же пленок, как это хорошо известно, непосредственно определяет все их свойства.

Существуют и другие параметры поверхности, непосредственно связанные с параметрами ростового процесса. Так называемые ростовые показатели [3], родственные фрактальной размерности, определяются параметрами ростового процесса. Часть этих параметров можно непосредственно определить из поверхностной геометрии, что с применением СЗМ для изучения поверхности, представляет особый интерес.

Развивающееся в последнее время направление нанотехнологии по разработке микро- и нано-электромеханических систем (МЭМС, НЕНС) [4, 5] требует новых параметров для характеристики геометрии и свойств поверхности. В нанометровом масштабе отношение площади поверхности к объему детали много больше, чем у обычных объектов. Поэтому роль поверхностных явлений становится значительной, повышая роль силы трения над силой инерции. Микроэлектромеханические устройства очень чувствительны к изменению тончайшего слоя материала на поверхности. СЗМ позволяет изучать не только геометрию поверхности, но и многие физические свойства поверхности, в том числе трение и микротвердость на масштабах, вплоть до атомарных. Исследование таких свойств поверхности очень важно для разевающейся технологии МЭМС и НЕНС.

Цели и задачи исследований

Основная цель работы заключалась в разработке методики фрактального анализа для изучения закономерностей формирования рельефа поверхности слоев кремния, выращенных при различных условиях молекулярно-лучевого осаждения. При этом ставились следующие конкретные задачи:

1) Математическим моделированием гомоэпитаксии методом Монте-Карло установить основные закономерности изменения таких геометрических характеристик поверхности, как шероховатость и фрактальная размерность в процессе роста кристалла.

2) Проанализировать имеющиеся в данный момент методы фрактального анализа СЗМ изображений и выяснить точность расчета фрактальной размерности поверхности по данным СЗМ наиболее распространенными методами.

3) Исследовать связь геометрии поверхности гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения, с условиями роста и структурой слоев.

4) Изучить связь фрактальной размерности с механическими свойствами поверхности поликристаллического кремния.

5) Исследовать влияние модификации рельефа поверхности на чувствительность газовых сенсоров на основе диодов Шоттки на кремнии.

Научная новизна

1) Моделированием показано, что фрактальная размерность поверхности характеризует вклады двумерного и трехмерного механизмов роста в процессе формирования пленки.

2) Установлена связь фрактальной размерности с трибологическими и упругими свойствами пленок поли кристаллического кремния.

3) Выявлены наиболее точные методики определения фрактальной размерности по СЗМ данным. Предложен новый способ геометрического расчета фрактальной размерности поверхности, не применявшийся ранее при анализе СЗМ данных.

4) Показано, что путем модификации геометрии поверхности слоев кремния можно управлять свойствами приборов на их основе. Предложен простой и эффективный способ увеличения газочувствительности газовых датчиков на основе диодов Шоттки на кремнии.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: XIX Научные чтения им. академика Н.В. Белова (Нижний Новгород, 2000); «Зондовая микроскопия — 2000» (Нижний Новгород, 2000); Gordon Research Conference 2001 on Thin films and crystal growth mechanisms (Williamstown, Massachusetts, USA, 2001); «Scanning Probe Microscopy - 2001» (N. Novgorod, 2001); «Кремний. Школа-2001» (Москва, 2001); Третья всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2001); «Scanning Probe Microscopy - 2002» (N. Novgorod, 2002); Всесоюзная научная конференция студентов физиков -8 (Екатеринбург, 2002); «Датчик - 2002» (Судак, 2002); «Scanning Probe Microscopy - 2003» (N. Novgorod, 2003); «Кремний -2003» (Москва, 2003); «РСНЭ-2003» (Москва, 2003); Всероссийская научная конференция студентов физиков -10 (Москва, 2003); «Scanning Probe Microscopy -2004» (N. Novgorod, 2003); Пятая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2003); Шестая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2004).

Всего но теме работы опубликовано 28 публикации нз них 8 статен.

Работа выполнялась по следующим НИР:

1. НИР «Разработка физических и технических основ технологии создания структур «кремний на сапфире» с улучшенными параметрами приборных слоев методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии». Договор №180/П23-1207 от 1.01.2003 г. Заказчик: ФГУП «НИИ Измерительных систем им. Ю.Е. Седакова». Финансирование за счёт средств Заказчика.

2. НИР «Исследование и разработка технологии выращивания структурно совершенных слоев кремния субмикронной толщины на сапфире методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии», шифр «Структура - 1». Договор №244/23-1603 от 1.01.2004. Заказчик: ФГУП «НИИ Измерительных систем им. Ю.Е. Седакова». Финансирование за счёт средств Заказчика.

3. НИР "Развитие методов количественной оценки поверхностной геометрии материалов". Шифр гранта: АОЗ-2.9-374. Заказчик: Министерство образования России. Финансирование за счёт средств Заказчика.

Положения, выносимые на защиту

1. Результаты исследования эволюции ростового интерфейса при помощи моделирования роста методом Монте-Карло:

- Фрактальная размерность ростовой поверхности независимо от вида первоначальной поверхности принимает стационарное значение после осаждения конечного числа атомов. В случае неровной начальной поверхности требуется большее количество атомов.

- Установившееся стационарное значение фрактальной размерности определяется условиями осаждения пленки и характеризует вклад дву- и трехмерного механизмов роста в процесс формирования пленки.

- Среднее время вхождения шероховатости в участок насыщения на несколько порядков больше, чем для фрактальной размерности

- Значения критических показателей а (показатель шероховатости), /? (ростовой показатель) определяются условиями роста.

2. Фрактальная размерность может быть использована в качестве диагностического параметра, характеризующего структуру и механические свойства приповерхностного слоя. Трибологические и упругие свойства поверхности коррелируют со значением фрактальной размерности: на участках с высокой фрактальной размерностью трение максимально, а упругость материала минимальна.

3. Путем модификации поверхности кремния посредством травления, сопровождающегося увеличением фрактальной размерности поверхности, возможно на порядок увеличить чувствительность водородных сенсоров на основе ДШ на кремнии.

4. Комбинирование различных методов фрактального анализа позволяет существенно увеличить точность расчетов: наиболее точными методами определения фрактальной размерности являются озерный алгоритм с использованием нескольких сечений, модифицированный метод подсчета клеток и дисперсионный метод.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шиляев, Павел Анатольевич

Общие выводы

В результате проделанной работы по разработке методики фрактального анализа поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения, удалось установить следующее:

1. Наиболее часто применяемые на практике параметры для характеристики поверхностной геометрии (шероховатость, размах высот) не полностью отражают физику процессов, приводящих к формированию такого типа рельефа и не полностью характеризуют физические свойства объекта.

2. Фрактальная размерность поверхности отражает не только особенности рельефа поверхности, но и физические свойства самого объекта, а также процессы роста. Фрактальная размерность характеризует степень усложненности поверхности одним числом, заключенным в диапазоне от 2 до 3 для трехмерной поверхности и от 1 до 2 для профиля. Разные типы рельефа поверхности имеют разное значение фрактальной размерности. Критические показатели полностью описывают масштабные свойства системы как во времени, так и в пространстве. По значениям критических показателей классифицируются процессы роста систем.

3. Различные геометрические методы расчета фрактальной размерности, применяемые к СЗМ данным могут давать разные значения фрактальной размерности для одной и той же поверхности. В работе были выявлены наиболее точные методы расчета фрактальной размерности СЗМ изображений: озерный алгоритм при использовании нескольких сечений, предложенная нами модификация метода подсчета клеток, метод структурной функции.

4. Фрактальная размерность интерфейса принимает стационарное значение после осаждения конечного числа атомов (менее 20 монослоев в модели). Значение шероховатости интерфейса в насыщении зависит от условий осаждения и характеризует вклад 2- и 3-х мерного механизмов в процессе роста пленки.

Применение шероховатости в качестве параметра для характеристики геометрии поверхности растущего интерфейса имеет ряд особенностей. При одних и тех же условиях роста значение шероховатости может сильно меняться от опыта к опыту. При многократном усреднении четко прослеживается зависимость шероховатости от времени осаждения, состоящая из двух участков. На первом участке шероховатость растет экспоненциально с показателем степени а, называемом показателем шероховатости, который определяется особенностями роста (параметрами осаждения). На втором участке происходит насыщение, но время насыщения на несколько порядков больше времени насыщения шероховатости. Значение шероховатости на данном участке зависит как от размера системы, так и от условий осаждения. При преобладании послоевого механизма роста шероховатость испытывает осцилляции с периодом в один монослой.

Изменение шероховатости во время роста описывается двумя критическими показателями: а, /?. Они характеризуют масштабные свойства системы и определяются условиями роста.

Фрактальная размерность численно характеризует структуру приповерхностного слоя материала и степень его самоусложнения. В местах упорядоченного вследствие поверхностной миграции расположения атомов (вершины зерен) фрактальная размерность минимальна. При анализе участков поверхности с неупорядоченным расположением атомов (межзеренные границы) фрактальная размерность увеличивается. Сила трения и упругость материала коррелируют с фрактальной размерностью участка поверхности. Сила трения максимальна, а упругость минимальна на участках в высокой фрактальной размерностью (то есть на участках, близких к межзеренным границам), минимальная же сила трения и максимальная твердость наблюдаются на участках, близких к вершинам зерен, имеющим меньшее значении фрактальной размерности.

9. Путем модификации рельефа поверхности можно изменять и контролировать свойства приборов. Простое травление поверхности кремния, приводящее к формированию развитого рельефа поверхности, позволяет на порядок повысить газочувствительность диодов Шоттки на основе кремния.

10. Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии возможно выращивание на подложках сапфира (l 102) совершенных по структуре слоёв кремния с ориентацией (100) при достаточно низких температурах (600-700°С). Поверхность слоев Si, полученных молекулярно-лучевым осаждением, характеризуется меньшей шероховатостью, чем при получении пленок методом газофазной эпитаксии.

Заключение

В данной работе была предпринята попытка обобщить имеющиеся в настоящее время параметры и применить новые подходы для характеристики геометрии поверхности твердых тел. Данные, полученные в ходе выполнения данного диссертационного исследования, будут особенно полезными для исследователей, использующих в работе атомно-силовой микроскоп. Несмотря на ориентированность работы на пленки кремния, выводы остаются применимыми для широкого спектра объектов, открывая новые подходы и возможности в исследовании геометрии и свойств поверхности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шиляев, Павел Анатольевич, 2005 год

1. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шиляев П.А., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Фрактальность поверхности пленок аморфного, нано-, микро- и поликристаллического кремния // «Зондовая микроскопия - 2000»: Тез. докл. конф. - Н.Новгород: 2000. - С. 35-39.

2. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шиляев П.А., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Фрактальность поверхности плёнок аморфного, нано-, микро- и поликристаллического кремния //Поверхность.-2001.-№ 7.-С. 107-112.

3. Barabasi A.-L., Stanley Н.Е. Fractal concepts in surface growth.-Cambridge University Press, 1995.- 366 p.

4. Пул Ч., Оуэне Ф. Нанотехнологии.-Москва: Техносфера, 2004. 328 с.

5. Springer Handbook of Nanotechnology by ed. Bharat Bhushan. Springer, 2004. - 1222 p.

6. Chesters S., Wong H.G., Kasper G. A fractal-based method for describing surface roughness and texture // Proc. of Institute of Environmental Sciences., 1990-p. 316.

7. Provder Т., Kunz B. Application of profilometry and fractal analysis to the characterization of coating surface roughness //Progress in Organic Coatings.-1996.-V.27.-N. 1-4.-P.219-226.

8. Mandelbrot B.B. The fractal geometry of nature. N.Y.: Freeman, 1983.- 480 p.

9. Федер E. Фракталы. M.: Мир, 1991. - 256 с.

10. Биннинг Г., Рорер. Г. Сканирующая туннельная микроскопия — от рождения к юности. Нобелевские лекции по физике // УФН.- 1986. т. 154 (1988).-вып.2.-с. 261.

11. Бахтизин Р.З. Сканирующая туннельная микроскопия новый метод изучения поверхности твердых тел // Соросовский образовательный журнал, 2000.-т.6.-№11.-С. 1-7.

12. Эдельман B.C. Сканирующая туннельная микроскопия (обзор) // ПТЭ.-1989.-№5.- с.25.

13. DiNardo N.J. Nanoscale Characterization of Surfaces and Interfaces. Wiley, 1994. - 173 p.

14. Gomez- Rodriguez J.M, Baro A.M., Salvarezza R.C. Fractal characterization of gold deposits by scanning tunneling microscopy// Vac.Sci. Technol. В.- 1991.- V. 9.- N.2.- P. 495.

15. Tong W. M., Williams R. S. Kinetics of Surface Growth: Phenomenology, Scaling, and Mechanisms of Smoothening and Roughening / Annu. Rev. Phys. Chem.- 1994.- V. 45.- P. 401-438.

16. Collins G. W., Letts S.A., Fearon E.M., McEachern R. L., Bernat T. P. Surface Roughness Scaling of Plasma Polymer Films / Phys. Rev Lett.- 1994.- V. 73.- № 5.-P 708-711.

17. Krim J., Palasantzas G. Experimental observations of self-affine scaling and kinetic roughening at sub-micron lengthscales / Int. J. Modern Physics В.- 1995.-V. 9.- №6.- P. 599-632.

18. Iwasaki H., Iwamoto A., Yoshinohu Т./ Mem. Inst. Sci. Res., Osaka Univ., 1994.-V. 51.-P. 35-43.

19. Арутюнов П.А., Толстихина A.JI., Демидов B.H. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии //Заводская лаборатория Диагностика материалов.-1999-.Т.65 .-№9.-с.27-37.

20. Mandelbrot В.В., Passoja D.E., Paullay A.J. Fractal character of fracture surfaces of metals // Nature. 1984.- V. 308. - P. 721 - 722.

21. Pfeifer P., Avnir D., Farin D. Scaling behavior of surface irregularity in the molecular domain: From adsorption studies to fractal catalyst // J.Stat. Phys.-1984.-V. 36.-P. 399-716.

22. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шиляев П.А. Динамика изменения фрактальной размерности ростовой поверхности //XIX Научн. чтения им. ак. Н.В. Белова: Тез. докл.-Н.Новгород: Изд-во ИНГУ, 2000.-С. 115-116.

23. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шиляев П.А. Динамика изменения фрактальной размерности ростовой поверхности //Вестник ННГУ.- 2001.-N.4(1).-C.114-123.

24. Palasantzas G. et al. Electrical conductivity and thin-film growth dynamics // Phys. Rev. B. -2000.-V.61 .-N. 16.-P. 1109-1117.

25. Zhao Y.-P., Wang G.-C., Lu T.-M., Palasantzas G., Hosson J. Th. M. De Surface-roughness effect on capacitance and leakage current of an insulating film// Phys. Rev. B. -1999.-V.60.-N.12.-P.9157-9164.

26. Hilders O.A., Pilo D. On the development of a relation between fractal dimension and impact toughness //Materials characterization.- 1997.-V.38.-N.3.-P.121-127.

27. SPMLab -Release 4.0. Software Reference Manual. & User's Manual Supplement SPMLab V.5.0. TopoMetrix Corporation (ThermoMicroscopes -1171 Borregas Ave, Sunnyvale, CA 94089 USA), 1996-1999.

28. Avnir D., Pfeifer P. Fractal dimension in chemistry. An intensive characteristic of surface irregularity // Nouv. J. Chim. -1983. -V. 7. P. 71-122.

29. Sutherland D.N. Comment on Void's simulation of floe formation // J.Colloid Interface Sci. 1966. -V.22. P. 300-302.

30. Void M.J. A numerical approach to the problem of sediment volume // J.Coll.Sci. -1959.-V. 14.-P. 168-174.

31. Wilby M.R., Vvedensky D.D., Zngwill A. Scaling in solid-on-solid model of epitaxial growth // Phys. Rev. В. 1992. - V.46. - P. 12896-12898.

32. Family F. Scaling of rough surfaces: effects of surface diffusion //J.Phys. 1986. - V.19. - P. 441-446.

33. Weeks J.D., Gilmer G.H., Jackson K. Analytical theory of crystal growth // J. Chem. Phys. 1976. - 65. - 712-720.

34. Almqvist N. Fractal Analysis of scanning probe microscopy images // Surface Science.- 1996. V. 355. - N. 1-3. - P. 221-228.

35. Voss R.F. Random fractal forgeries //Fundamental Algorithms in Computer Graphics (ed. R.A. Earnshaw). 1985. -Springer-Verlag, Berlin. - P. 805-835.

36. Палатник JI.C., Папиров Н.И. Эпитаксиальные пленки. М.: «Наука», 1971. -480 с.

37. Wolf D.E., Villain J. Growth with surface diffusion // Europhys. Lett.- 1990.-N.13-.P. 389-394.

38. Das Sarma S., Tamborenea P. A new universality class for kinetic growth: One-dimensional molecular-beam epitaxy// Phys. Rev. Lett.- 1991.-V. 66.- P.325-238.

39. Herman M., Sitter H. Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and current status, Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1989. 382 p.

40. Мандельброт Б.Б. Самоафинные фрактальные множества //Фракталы в физике /Под ред. Л.Пьетронеро, Э.Тозатти.-М.:Мир, 1988.-С.9.

41. Зи. С. Технология СБИС//Мир.-1986.-Т. 1.-110 с.

42. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников // М.: Металлургия.-1985.-С. 159.

43. Cullen G.W. The preparation and properties of chemically vaposited silicon on sapphire and spinel // J. Cryst. Growth. 1971. - v. 9. - p. 107.

44. Cullen G.W., Corboy J.F., Smith R.T. The effect of rapid early growth on the physical and electrical properties of heteroepitaxial silicon // J. Cryst. Growth. -1975.-v.31.-p.274.

45. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Толомасов В.А., Чалков В.Ю. Нагреватель подложек в сверхвысоком вакууме //Приборы и техника эксперимента, 2004.- №5.- с. 158-160.

46. Maximov G.A., Pavlov D.A., Svetlov S.P., Khokhlov A.F, Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Shilyaev P.A. SPM study of epitaxial layer of silicon on sapphire

47. In Proc. of Internat. Workshop "Scanning Probe Microscopy 2003" Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N. Novgorod, March 2-5,2003.- P. 107.

48. Папков B.C., Суровиков М.В., Маркова Т.И. Начальная стадия роста и морфология поверхности кремния при гетероэпитаксии кремния на сапфире // Изв. АН СССР. Сер. Нерганические материалы. 1971. т. VII. - №9. -с.1481.

49. Павлов Д.А. Структурная модификация плёнок кремния в процессе роста и легирования: Дис. д.ф.-м.н.: 01.04.07 / Д.А.Павлов.-Н.Новгород, 2001. 344.

50. Шиляев П.А. Связь фрактальной размерности и свойств поверхности поликристаллического кремния//Сборник трудов конференции ВНКСФ-8, 27 марта 5 апреля, 2002, Екатеринбург. - С.232-234.

51. A Practical Guide to Scanning Probe Microscopy. ThermoMicroscopes, 1999.

52. Colchero J., Bielefeldt H., Ruf A., Hipp M., Marti O., Mlynek J., Scanning Force and Friction Microscopy//Phys. Stat. Sol. (a).-1992.- N.131.-P.73-75.

53. TopoMetrix Technical Briefs Lateral Force (LFM) Data Acquisition -Accurex/Explorer. © 1996, TopoMetrix.

54. Hartmann U. An Introduction to Atomic Force Microscopy and Related Methods. TopoMetrix, 1997.

55. Neumeister J. M., Ducker W. A. Lateral, normal, and longitudinal spring constants of atomic-force microscopy cantilevers // Rev. Sci. Instrum. -1994.-V.65.-P. 2527-2531.

56. Zworner O., Holscher H., Schwarz U. D., Wiesendanger R. The velocity dependence of frictional forces in point-contact friction // Appl. Phys. A.-1998.-V. 66.-P. 263-267.

57. Bouhacina Т., Ainre J. P., Gauthier S., Michel D., Heroguez V. Tribological behavior of a polymer grafted on silanized silica probed with a nanotip // Phys. Rev. B.-1997.-V.56.-P. 7694-7703.

58. Greenwood J. A., Williamson J. B. P. Contact of nominally flat surfaces // Proc. R. Soc. Lond. A.-1966.- V.295-p.300.

59. Persson B. N. J. Elastoplastic contact between randomly rough surfaces // Phys. Rev. Lett.-2001.-V.87.-p.l 16101.

60. Polaczyk С., Schneider Т., Schofer J., Santner E. Microtribological behavior of Au(OOl) studied by AFM/FFM // Surf. Sci.-1998.-V. 402.-P.454-458.

61. Carpick R. W., Ogletree D. F., Salmeron M. Lateral stiffness: A new nanomechanical measurement for the determination of shear strengths with friction force microscopy//Appl. Phys. Lett. -1997. -V.70.-P. 1548-1550.

62. AFM Imaging Modes. TopoMetrixCorporation, 1993.

63. Тихов С.В., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Шоболов Е.Л., Оськин А.А. Увеличение чувствительности к водороду кремниевого диода Шоттки путем модификации микрорельефа полупроводника //Письма в ЖТФ.-2002. —т.28,-вып.9.-С.1-5.

64. Евдокимов Е.А. и др. Микроэлектронные датчики химического состава газов //Зарубежная электронная техника. 1988.- N.2(231).- с.3-39.

65. Родерик Э.Х. Контакты металл полупроводник. М.: Радио и связью.- 1982.

66. Гаман В.И. и др.// Известия ВУЗов. Физика. 1988.- N.l.-c. 69-83

67. Saens J. J., Garcia N., Grutter P., Meyer E., Heinzelmann H., Wiezendanger R., Rosenthaler L., Hidber H. R., Guntherodt H. J. Observation of magnetic forces by the atomic force microscope // J. Appl. Phys., -1987. v. 63. - P. 4293-4295.

68. Durug U., Pohl D. W., Rohrer F. Near field optical scanning microscopy // J. Appl. Phys. -1986. v. 59. - P. 3318-3327

69. Hu J., Xiao X.-D., Ogletree D. F., Salmeron M. Imaging the condensation and evaporation of molecularly thin film of water with nanometer resolution// Science. -1995. v. 268. - P.267-269.

70. Binning G., Quate C. F., Gerber C. Atomic force microscopy // Phys. Rev. Lett. -1986. v. 56. - N.9. - P. 930-933.