Фотомодуляционная оптическая спектроскопия полупроводниковых материалов и квантово-размерных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор наук Комков Олег Сергеевич

• Комков Олег Сергеевич
• доктор наук
• 2022

Оглавление диссертации доктор наук Комков Олег Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ

Глава 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ

МЕТОДОВ МОДУЛЯЦИОННОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

1.1. Спектроскопия фотоотражения

1.1.1. Фотоотражение как наиболее удобный метод

модуляционной оптической спектроскопии

1.1.2. Особенности спектров фотоотражения на примере GaAs

1.2. Экситонные эффекты в полупроводниках в электрическом поле

1.2.1. Экситонное и одноэлектронное фотоотражение

слабо легированного полупроводника

1.2.2. Экситонное и одноэлектронное фотоотражение

сверхчистого полупроводника

Выводы и основные результаты по главе

Глава 2. ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЯ

ФОТОМОДУЛЯЦИОННЫХ И МОДУЛИРОВАННЫХ СПЕКТРОВ

2.1. Классическая техника измерения (видимый и ближний ИК диапазоны)

2.1.1. «Тёмная» схема измерения фотоотражения и электроотражения

2.1.2. «Светлая» схема измерения фотоотражения и фотолюминесценции

2.2. Новая измерительная техника на основе фурье-спектрометра

(средний ИК-диапазон)

2.2.1. Разработанная установка фотомодуляционной фурье-спектроскопии51

2.2.2. Коррекция фазы фотомодуляционных сигналов,

измеряемых на фурье-спектрометре

2.3. Оборудование для измерения модулированной

инфракрасной фотолюминесценции

Выводы и основные результаты по главе

Глава 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВСТРОЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ

И КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПРЯМОЗОННЫХ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ А3В5

3.1. Арсенид галлия

3.1.1. Контроль встроенного электрического поля традиционным методом67

3.1.2. Определение напряжённости электрического поля

с учётом вклада тяжёлых и лёгких дырок

3.1.3. Оценка концентрации свободных носителей заряда

по спектрам фотоотражения

3.2. Фосфид индия

3.3. Антимонид галлия

3.4. Арсенид индия

3.5. Антимонид индия

3.6. Структуры с неоднородным электрическим полем

3.6.1. Фотоотражение дельта-легированных марганцем слоёв

арсенида галлия

3.6.2. Бесконтактная характеризация дельта-легированных слоёв углерода в арсениде галлия.Пример использования фазочувствительного фотоотражения

Выводы и основные результаты по главе

Глава 4. ИЗМЕРЕНИЕ ЭНЕРГИИ КРИТИЧЕСКИХ ТОЧЕК И ВНУТРЕННИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ

35

4.1. Полупроводниковые твёрдые растворы А В

4.1.1. Твёрдые растворы с шириной запрещённой зоны, соответствующей видимому и ближнему ИК диапазонам

4.1.2. Узкозонные твёрдые растворы

4.2. Варизонные гетероструктуры СёН§Те

4.3. Ван-дер-ваальсовы полупроводники

4.3.1. Дисульфид молибдена

4.3.2. Моноселенид галлия и сульфид-селенид галлия

4.3.3. Моноселенид индия

Выводы и основные результаты по главе

Глава 5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

5.1. Полупроводниковые сверхрешётки

5.1.1. Оптические исследования сверхрешёток GaAs/AЮaAs

5.1.2. Инфракрасное фотоотражение и фотолюминесценция излучающих метаморфных гетероструктур со сверхрешётками 1пОаАв/1пА1Ав

5.2. Одиночные квантовые ямы

5.2.1. Выявление механизмов модуляции,

ответственных за формирование спектров фото- и электроотражения одиночных квантовых ям 1пОаАв/ОаАв

5.2.2. Узкозонные квантовые ямы 1п8Ь/А11п8Ь

5.2.3. Квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs сложной формы

5.3. Сверхтонкие вставки InSЬ/InAs второго типа

для излучателей средневолнового ИК-диапазона

5.3.1. Множественные вставки 1^Ь в объёмном 1пАб

5.3.2. Субмонослойные вставки 1^Ь

в квантовой яме 1пАв/1пОаАв/1пА1А8

Выводы и основные результаты по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список основных работ, опубликованный автором по теме диссертации

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотомодуляционная оптическая спектроскопия полупроводниковых материалов и квантово-размерных структур»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Полупроводниковые материалы и структуры составляют основу приборов современной электроники. Быстро развивающиеся информационные технологии, системы связи и передачи информации требуют совершенствования элементной базы. Уже создан целый ряд эффективных быстродействующих диодов, биполярных и полевых транзисторов, СВЧ-приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением, оптоэлектронных приборов (фотоприёмников, светодиодов, инжекционных лазеров, модуляторов волоконно-оптических линий связи) и др. Множество лабораторных образцов находится на стадии разработки и тестирования, но уже сейчас они демонстрируют уникальные характеристики.

Большинство актуальных полупроводниковых приборов имеют нанометровые размеры активной области. В их работе принципиально важную роль играют квантово-размерные эффекты, проявляющиеся в структурах, размер которых меньше длины волны де Бройля. В таких структурах для носителей заряда формируются энергетические уровни, управлять положением и заполнением которых на этапе изготовления можно изменяя физико-химические и геометрические параметры соответствующих эпитаксиальных слоёв. Особый интерес вызывает квантовая инженерия, позволяющая создавать полупроводниковые структуры с заранее прогнозируемой совокупностью энергетических уровней, которой не существует в известных объёмных материалах. Вместе с тем, плавную подстройку энергетического спектра носителей заряда можно осуществлять за счёт внутренних электрических полей. Выявление природы этих полей и их контроль очень важны, поскольку они сильно влияют на работу перечисленных выше приборов.

Прогресс в данном направлении неразрывно связан с фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников, достижениями современных эпитаксиальных технологий и развивающимися методами исследования материалов и структур. С целью получения информации о формируемых объектах на них воздействуют электронными или ионными пучками, акустическим или электромагнитным излучением от гамма- до радиодиапазона; измеряют вольт-фарадные

характеристики или помещают объект исследования в магнитное поле. В этой работе основной упор сделан на развитии оптических методов исследования. Они являются бесконтактными и неразрушающими, не требуют длительной подготовки образцов или размещения их в сверхвысоком вакууме, а главное, сравнительно просты в реализации.

В отличие от традиционных оптических методов, при которых исследуются поглощение, отражение, люминесценция или рассеяние света, разрабатываемые и развиваемые в работе методы относятся к разновидностям модуляционной (дифференциальной) спектроскопии. Вместо обычного коэффициента отражения в них сразу измеряется его дифференциал, тогда обычно присутствующий в спектре широкий фон уменьшается, а на месте очень слабых перегибов в области критических точек (например, ширины запрещённой зоны или переходов с участием уровней размерного квантования) наблюдаются яркие дифференциальные сигналы [1]. Модулировать можно длину волны зондирующего излучения, приложенное давление, температуру, электрическое поле и др. Однако наиболее удобной является фотомодуляция, осуществляемая при помощи прерываемого на определённой частоте второго источника излучения, чаще всего - лазера. Такой метод называется методом фотоотражения [2]. Для исследования узкозонных полупроводниковых материалов и структур потребовалось значительно расширить применимость этого метода дальше в ИК-область спектра, что привело к созданию нового метода - фотомодуляционной фурье-спектроскопии.

Сделанный в работе акцент на узкозонных полупроводниках обусловлен спектральными окнами прозрачности земной атмосферы, где эти материалы активно используются при создании приборов ИК-видения и реализации скрытых каналов оптической связи. Кроме того, из узкозонных полупроводников изготавливают энергоэффективные ИК-излучатели и приёмники, применяемые в системах экологического мониторинга загрязняющих и парниковых газов. Благодаря очень высокой подвижности носителей заряда, эти материалы перспективны и для изготовления транзисторов гипервысокой частоты для беспроводных технологий нового поколения.

Целью работы являлись разработка и развитие фотомодуляционных методов исследования полупроводников и квантово-размерных структур, получение новых знаний об их энергетическом спектре и о влиянии на него электрических полей.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

- на примере GaAs развить экситонную модель фотоотражения сверхчистых полупроводников;

- фотомодуляционным методом исследовать объёмные эпитаксиальные слои А3В5 и их твёрдые растворы;

- разработать технику измерения фотоотражения в среднем ИК-диапазоне;

- применить разработанный метод для исследования узкозонных и ван-дер-ваальсовых полупроводников;

изучить особенности фотоотражения структур с неоднородным встроенным электрическим полем;

выявить основные механизмы формирования модуляционных спектров в квантовых ямах и сверхрешётках;

- исследовать фотоотражение сверхрешёток и узкозонных квантовых ям.

Объектами исследования являлись:

- прямозонные полупроводники А3В5 (объёмные кристаллы и эпитаксиальные слои большой толщины (20.. .200 мкм));

- ван-дер-ваальсовы полупроводники (МоБ2, ОаБе, ОаББе, 1пБе);

- варизонные гетероструктуры Сёо,22НВо,78Те/СёхН£1_хТе (х = 0,22. 0,45);

- наноструктуры А3В5 с одиночными и множественными квантовыми ямами (в том числе _ ультратонкими), сверхрешётками и дельта-легированными слоями.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем:

1. В спектрах фотоотражения сверхчистых эпитаксиальных слоёв GaAs при энергии больше экситонной ширины запрещённой зоны обнаружена слабая ос-

циллирующая структура, являющаяся результатом влияния приповерхностного электрического поля на экситоны.

2. Разработана методика коррекции фазы при фурье-спектроскопии, необходимая для измерения модуляционных спектров полупроводников.

3. В спектрах фотоотражения ван-дер-ваальсовых полупроводников обнаружены осцилляции Франца-Келдыша, что позволяет экспериментально оценивать напряжённости приповерхностных электрических полей.

4. Установлены механизмы формирования модуляционных сигналов от одиночных квантовых ям в электрических полях различной напряжённости.

5. В полупроводниковых сверхрешётках бесконтактно измерены энергии краёв мини-зон, обусловленных возбуждёнными электронными и дырочными состояниями.

6. Определены энергетический спектр и вероятности оптических переходов в субмонослойных вставках 1^Ь/1пАв второго типа в квантовых ямах 1пАв/1пОаАв/1пА1Ав первого типа.

7. По осцилляциям Франца-Келдыша измерены встроенные электрические поля в узкозонных материалах (1^Ь, АП^Ь и СёН^Ге). Показано, что сульфидная пассивация поверхности приводит к изменению напряжённости поля за счёт сдвига поверхностного уровня Ферми.

Практическая ценность работы определяется следующими положениями:

1. Разработан бесконтактный метод измерения концентрации свободных носителей заряда в прямозонных полупроводниках А3В5.

2. Реализован первый в России измерительный комплекс фотомодуляционной фурье-спектроскопии, работающий в спектральном диапазоне 0,4... 16 мкм.

3. Предложена методика оценки концентрации электрически активной примеси в дельта-легированных слоях GaAs по спектрам фотоотражения.

4. Разработан неразрушающий метод контроля толщин гомоэпитаксиальных слоёв и°-1пАз, выращиваемых на и++-1пАв-подложках, и достижимого диапазона работы чувствительных мишеней и++-1пАв/«0-1пАв ИК фотоприёмных устройств.

5. Создана установка для измерения ИК-фотолюминесценции полупроводниковых наногетероструктур, позволяющая избегать их перегрева и влияния паразитного теплового фона на спектры при сохранении высокой чувствительности благодаря использованию стробируемого интегратора.

6. Показана возможность измерения энергетического спектра структур с квантовыми ямами 1^Ь/АП^Ь, предназначенных для создания транзисторов гипервысокой частоты.

7. Полученные методом фотомодуляционной фурье-спектроскопии данные использованы при разработке твердотельных излучателей средневолнового ИК-диапазона на основе ультратонких квантовых ям МБЬЛпАв.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. В спектрах фотоотражения сверхчистых эпитаксиальных слоёв GaAs наблюдается осциллирующая структура, обусловленная влиянием приповерхностного электрического поля на экситоны. Она позволяет оценить напряжённость этого поля и связанную с ним концентрацию носителей зарядов.

2. В модуляционной фурье-спектроскопии полупроводников необходимо корректировать фазу получаемого спектра, при которой используется фазовый спектр немодуляционного сигнала.

3. Фотоотражение ван-дер-ваальсовых полупроводников позволяет определять энергетические спектры этих материалов, энергии связи экситонов и напряжённости приповерхностных электрических полей.

4. Неоднородное встроенное электрическое поле полупроводниковых гетеро-структур и дельта-легированных слоёв формирует в спектрах фотоотражения осцилляции Франца-Келдыша, период которых определяется усреднённым по области образования сигнала значением модуля напряжённости поля.

5. Формирование электромодуляционных спектров полупроводниковых квантовых ям в слабых электрических полях (единицы кВ/см) в основном определяется малым изменением вероятности оптических переходов. Для переходов с участием возбуждённых энергетических состояний электронов и дырок зависимость

этой вероятности от напряжённости электрического поля проходит через максимум.

6. Фотомодуляционная спектроскопия отражения позволяет измерять энергии и вероятности оптических переходов в ультратонких (доли монослоя) узкозонных квантовых ямах InSb/InAs второго типа, а также энергии краёв мини-зон в сверхрешётках GaAs/AlGaAs и InGaAs/InAlAs.

Апробация результатов. Результаты диссертационной работы докладывались на следующих основных конференциях и симпозиумах:

- 12th, 14th, 18th, 22nd International Symposiums «Nanostructures: physics and technology» (2004, 2006, 2010, 2014, Санкт-Петербург (СПб));

- 1st and 3rd International Workshop on Modulation Spectroscopy of Semiconductor Structures (2004 and 2008, Wroclaw, Poland);

- XI-XIV Российские конференции по физике полупроводников (2013, 2015, 2017, 2019, СПб, Москва, Екатеринбург, Новосибирск);

- 22-25-я Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (2012, 2014, 2016 и 2018, Москва);

- XIV, XVI, XXI, XXII, XXIV и XXVI международные симпозиумы «Нанофи-зика и наноэлектроника» (2010, 2012, 2017, 2018, 2020 и 2022, Нижний Новгород);

- 9-я конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (2006, Томск);

- 3rd International Conference of Electronic Materials (2008, Калуга);

- Nanotechnology international forum (2010, Москва);

- 15th International Conference on Narrow Gap Systems (2011, Blacksburg, USA);

- International School on Spin-Optronics (2012, СПб);

- International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (2014, 2015, 2017, 2019-2021, СПб);

- 19th EuroMBE (2017, СПб);

- международная конференция «ФизикА.СПб» (2017, 2019, 2020, СПб);

- международная междисциплинарная конференция «Передовые рубежи физики 21 века и ФТИ им. А. Ф. Иоффе» (2018, СПб);

- 18th International Conference on Laser Optics (2018, СПб);

- International Conference on Energy, Materials and Nanotechnology «EMN Epitaxy 2019» (2019, Amsterdam, the Netherlands);

- 30th International Conference on Defects in Semiconductors (2019, Seattle, USA).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 90 научных работ, из них - 23 статьи в российских журналах, включённых в текущий перечень ВАК; 1 патент; 23 статьи в зарубежных журналах, входящих в Web of Science и/или Scopus; 2 учебных и 1 учебно-методическое пособие; 40 работ в материалах основных всероссийских и международных конференций.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы, включающего 370 наименований. Основная часть диссертации изложена на 267 страницах машинописного текста. Работа содержит 88 рисунков и 14 таблиц.

ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ

АЦП - аналогово-цифровой преобразователь;

БПФ - быстрое преобразование Фурье;

ВИМС - вторичная ионная масс-спектрометрия;

ВП - виртуальная подложка;

ГФЭ - газофазная эпитаксия;

ДВП - длинноволновый пик;

ЖФЭ - жидкофазная эпитаксия;

ИК - инфракрасный;

КРТ - кадмий-ртуть-теллур;

КЯ - квантовая яма;

МБС - метаморфный буферный слой;

МНК - метод наименьших квадратов;

МОС - металлоорганические соединения;

МПЭ - молекулярно-пучковая эпитаксия;

МС - монослой;

ОПЗ - область пространственного заряда; ОФК - осцилляции Франца-Келдыша; ПИ - полуизолирующий;

ПЭМ - просвечивающий электронный микроскоп;

РСМА - рентгеноспектральный микроанализ;

РФЭС - рентгеновская фотоэмиссионная спектроскопия;

СВЧ - сверхвысокочастотный;

СР - сверхрешётка;

ТТЛ - транзисторно-транзисторная логика;

ФЛ - фотолюминесценция;

ФО - фотоотражение;

ФПУ - фотоприёмное устройство;

ФТИ - Физико-технический институт;

ЭО - электроотражение;

HEMT - англ. High Electron Mobility Transistor.

Глава 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДОВ МОДУЛЯЦИОННОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Выше края фундаментального поглощения большинства монокристаллических полупроводников спектры их диэлектрической функции, а следовательно, и определяемые ею спектры отражения R(E) довольно широки. На рисунке 1.1, a приведён спектр отражения GaAs, измеренный при комнатной температуре [3]. Видно, что в области ширины запрещённой зоны E0 (или Eg) соответствующая ей критическая точка еле заметно изменяет R(E). Это связано с тем, что энергетические зависимости диэлектрической проницаемости можно описать как широкие полосы с наложенными на них межзонными критическими точками (сингулярно-

стями Ван Хова), которые, особенно для трёхмерного случая, довольно слабы.

1/2

Согласно [4] эти сингулярности имеют вид (E-Ei) , т. е. оптические функции остаются конечными при E = Ei, в то время как их производные по Е или E[ расходятся (см. рисунок 1.1, b, где приведён спектр, полученный в [5] путём дифференцирования по энергии спектра обычного отражения GaAs, измеренного при 2 К). Таким образом, целесообразно вместо диэлектрической функции сразу измерять одну из указанных выше производных, тогда фон значительно уменьшится, а около межзонных критических точек появятся резкие пики. Этот эффект лежит в основе методов модуляционной оптической спектроскопии, которым посвящена данная диссертация.

Для развития модуляционных методов большое значение имела коммерческая доступность синхронных усилителей (Lock-in amplifiers), позволяющих выделить слабый переменный сигнал, синхронный с модулирующим (играющим роль сигнала сравнения). При этом все другие сигналы, включая шум, практически отсекаются. Измеряемый сигнал часто нормируется на интенсивность пропущенного или отражённого луча. Таким способом получают производную пропускания или отражения по модулируемому параметру, а интенсивность падающего света I0, включая её флуктуации, обнуляется. Типичные амплитуды модуляции имеют по-

рядок 10-4... 10 5 от интенсивности падающего света, а уровень шума может под-

держиваться ниже 10-6 [6]

2 4

Photon energy [eV]

Рисунок 1.1 - Спектры обычного отражения и отражения с модуляцией частоты для GaAs [1]: a - спектр отражения при комнатной температуре; b - спектр, вычисленный для кривой отражения при 2 К путём нахождения производной по энергии фотона; с - сплошная кривая -

спектр, измеренный на спектрометре с модуляцией частоты при 4 К. Штриховая кривая -спектр, вычисленный на основе зонной структуры, рассчитанной по методу псевдопотенциала

Наиболее просты модуляционные измерения, в которых модулируется частота падающего света. Они сразу демонстрируют производную компонент диэлектрической проницаемости по Е, т. е. для критической точки (Е_Е1)1/2 получается

—1/2

спектр, имеющий вид (Е-Е^ . На рисунке 1.1, с (сплошная кривая) приведён пример такого спектра, измеренный авторами [7] при 4 К. Для сравнения штриховой линией на том же рисунке показан теоретический спектр, полученный из зонной структуры, вычисленной методом псевдопотенциала (адаптированный рисунок из [8]). Отметим, что наблюдаемая структура хорошо воспроизводится в теоретическом спектре, а более резкие экспериментальные пики в области Е1 и Е1+Д1 объясняются экситонными эффектами [1].

В литературе предлагаются различные схемы частотной модуляции, использующие в качестве модуляторов колеблющиеся зеркала и прозрачные пластины, помещаемые как перед входной, так и перед выходной щелями монохроматора, а также колеблющиеся щели. Однако в последнем случае всегда существует пространственное смещение светового пучка по поверхности образца, что крайне нежелательно. По этой причине в некоторых работах (например, [9]) для модуляции использовалось колеблющееся внутри монохроматора зеркало, ближайшее к выходной щели.

Нужно отметить, что в экспериментах с модуляцией частоты (что идентично модуляции Е) имеются некоторые практические трудности. В обычном эксперименте по измерению отражения регистрируемой величиной всегда является интенсивность отражённого света I = 10Я. В таком случае измеряемая производная имеет вид

± = ¡0 (1.1}

й ю й ю й ю

Из (1.1) следует, что измеряется не только структура спектра отражения <Ж/<^ю, но также и структура спектрального распределения падающего света. При большой чувствительности эксперимента, малые изменения в 10 могут проявиться в виде ложных максимумов в dI/dю, которые приходится специально исключать, например, путем использования двухлучевой системы компенсации [10].

Упомянутые выше трудности пропадают при измерениях дифференциала оптических параметров по спектральному положению Е^ (уширению и т. д.) критической точки. Подобные измерения осуществляются путём приложения к полупроводниковому образцу синусоидального внешнего воздействия, модулирующего взаимное энергетическое положение зон разрешённых состояний электронов. Среди возможных воздействий, которые меняют положение критических точек дисперсионной кривой, можно отметить температуру образца (термомодуляция), внешнее переменное электрическое или магнитное поле (электро- или магнито-модуляция), всестороннее сжатие или одноосную деформацию (пьезомодуляция), а также дополнительную подсветку (фотомодуляция).

Во многих случаях такие спектры получить проще, чем при модуляции частоты. Кроме того, они могут дать дополнительную информацию о взаимодействии внешнего возмущения с электронной системой. Эти внешние параметры изменяют не только Еь но и множитель при (Е-Е;)1/2 вследствие изменения силы осциллятора и приведённых масс. Кроме того, становится необходимым учитывать обусловленное временем жизни носителей уширение критических точек, связанное с рассеянием на фононах и других рассеивателях [6]. Таким образом, при выявлении всех механизмов модуляции можно получить значительно больше информации об изучаемом полупроводнике.

Так, у того же ОаЛБ для критических точек Е1 и Е1+Д1 спектр термоотражения (довольно инерционный метод), приведённый в [11] при 80 К, почти не отличается от спектра с модуляцией частоты (см. рисунок 1.1, с). Последнее подтверждает тот факт, что по крайней мере для этих критических точек в данном конкретном случае спектр термоотражения определяется, главным образом, изменением ширины запрещённой зоны, а не возрастанием уширения при увеличении температуры или изменением силы осциллятора [6].

Другим типом модуляционной спектроскопии с внешней модуляцией является спектроскопия пьезоотражения. Здесь под действием прикладываемого к образцу внешнего давления также модулируется ширина запрещённой зоны и измеряется дифференциал коэффициента отражения. Однако следует помнить, что давление

может механически разрушить объект исследования. Примером пьезомодуляции можно назвать [12], где образец InSb измерялся в среднем ИК-диапазоне.

Этот диапазон наиболее сложен для реализации модуляционных методов. Согласно данным Международной организации по стандартизации (ISO 20473:2007(E)) он начинается с X = 3 мкм и распространяется вплоть до X = 50 мкм. Иногда разбиение производится на ещё более мелкие диапазоны: 3...8 мкм тогда именуется средневолновым ИК-диапазоном, а 8.. .15 мкм - длинноволновым ИК-диапазоном.

Антимонид индия (InSb) имеет край фундаментального поглощения как раз в средневолновом ИК-диапазоне. Измерениям электроотражения (ЭО) этого материала авторами [13] и [14] предшествовала сложная предварительная подготовка образцов типа «металл-оксид-полупроводник». Сначала InSb подвергался травлению в слабом растворе брома в этаноле, потом проводилось анодное окисление в KOH для получения окисла толщиной 30 нм и, наконец, для формирования верхнего электрода осаждался полупрозрачный слой Ni. Один из полученных в [14] спектров ЭО представлен на рисунке 1.2, a.

При электролитическом ЭО, когда в качестве контакта используется не предварительно нанесённая металлическая плёнка, а слой электролита, необходимо учитывать часто неконтролируемые изменения поверхностных состояний исследуемых полупроводников.

Самым удобным способом модуляции встроенного электрического поля является фотомодуляция. При ней коэффициент поглощения или коэффициент отражения модулируется периодически прерываемым излучением (обычно - лазерным), падающим на то же самое место образца, что и зондирующий луч, но под другим углом.

Модуляционный спектр фотопропускания (AT) непосредственно даёт соответствующую производную коэффициента поглощения (за исключением незначительных поправок на отражение). Измеренный в [15] спектр фотопропускания InSb приведён на рисунке 1.2, b. Нужно заметить, что для измерений на пропускание необходимы дополнительные усилия по удалению непрозрачной подложки,

5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0

\Vavelength, цш

Рисунок 1.2 - Модуляционные спектры, измеренные в средневолновом ИК-диапазоне: а - спектр электроотражения 1и8Ь [14]; Ь - спектр фотопропускания 1и8Ь [15]

на которой выращен исследуемый слой, и полировке задней поверхности исследуемых образцов.

Значительно проще измерять фотоотражение (ФО), однако к моменту начала данной работы методов, позволяющих уверенно получать спектры ФО в среднем ИК-диапазоне не существовало. Предпринятые на ранних этапах освоения фотомодуляционной спектроскопии попытки измерения ФО на традиционном спектрометрическом оборудовании (с использованием монохроматора) успехом не увенчались [16]. Даже при более низкой, чем на рисунке 1.2, температуре (50 К) полученный в той работе спектр ФО имел неудовлетворительное соотношение «сигнал/шум» и не позволил авторам выявить информативную составляющую. Вплоть до 2005 г. в открытой литературе не было сообщений о других попытках подобных измерений.

1.1. Спектроскопия фотоотражения 1.1.1. Фотоотражение как наиболее удобный метод модуляционной оптической спектроскопии

В настоящее время очень популярны оптические методы изучения полупроводников, основанные на фото- и электролюминесценции. Однако они часто дают информацию лишь о самых низкоэнергетичных оптических переходах. Вместе с тем, знание энергий других критических точек также бывает очень важным. Метод возбуждения фотолюминесценции (ФЛ) может дать информацию о более высоких энергетических уровнях, но для его реализации необходимы дорогостоящие перестраиваемые лазеры. Они сложны в эксплуатации и имеют ограниченный рабочий диапазон энергий. Кроме того, для получения точной информации об энергетической структуре или качестве кристалла указанными методами необходимо охлаждение исследуемого образца до температуры жидкого гелия. В то же время методом ФО можно измерять спектры с таким же энергетическим разрешением, но при комнатной температуре. Кроме того, измерение ФО может в одном спектре дать энергии критических точек в более широком спектральном диапазоне. Всё это позволяет наблюдать в спектрах ФО не только самое низкоэнергетичное состояние, но и множество высокоэнергетичных переходов. Например, как будет показано ниже, в квантовых ямах (КЯ) отчётливо наблюдаются межзонные переходы между возбуждёнными уровнями для электронов и дырок. Это позволяет точно определять энергии переходов и, соответственно, зонную структуру полупроводников.

В отличие от более сложных оптических методов, спектр ФО в видимом и ближнем ИК-диапазоне можно получить, имея сравнительно недорогой набор оборудования: источник «белого света» (например, вольфрамовую лампу), простой решёточный (или призменный) спектрометр и небольшой, механически прерываемый лазер (например, Не-№-лазер мощностью 2 мВт). Пример такой установки приведён на рисунке 1.3.

Рисунок 1.3 - Упрощённая схема установки для измерения спектров фотоотражения в видимом и ближнем ИК диапазонах: 1 - источник света (галогеновая лампа накаливания); 2 - монохроматор (например, ИКМ-31); 3 - образец полупроводника на держателе; 4 - Не-Ые-лазер; 5 - электромеханический модулятор (вращающийся диск со щелями) и его контроллер (8Я-540); 6 - Бьфотоприёмник; 7 - синхронный усилитель (8Я-830);

8 - персональный компьютер

Результаты измерения ФО на такой установке можно определить выражением:

АЯ _ Яр)-ЛИ (12)

Я ~ Яр) ' ( )

где Я(Р) - коэффициент отражения образца с исходным поверхностным электрическим полем ^ когда модулирующий лазерный луч перекрыт модулятором, а Я(ЕГ) - когда лазерный луч открыт.

Таким образом, суть метода ФО заключается в регистрации изменения интенсивности отражённого зондирующего излучения (йюргоье) вследствие периодического возмущения приповерхностного (рисунок 1.4, а) или встроенного электрического поля образца вторым (модулирующим) световым лучом (чаще всего лазерным) с фиксированной энергией фотонов (^утоа) в области собственного поглощения исследуемого объекта [17].

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Комков Олег Сергеевич, 2022 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Yu, P. Y. Fundamentals of semiconductors. Physics and Materials Properties : textbook / P. Y. Yu, M. Cardona. - Heidelberg : Springer Berlin, 2010. - 778 р. - ISBN 978-3-642-00709-5. - Text : unmediated. - https://doi.org/10.1007/978-3-642-00710-1

2. Комков, О. С. Инфракрасное фотоотражение полупроводниковых материалов A3B5 (Обзор) / О. С. Комков. - Текст : непосредственный // Физика твёрдого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 8. - С. 991-1014. http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2021.08.51146.032

3. Philipp, H. R. Ultraviolet optical properties - optical properties of III-V compounds / H. R. Philipp, H. Ehrenreich. - Text : unmediated // Semiconductors and Sem-imetals. - 1967. - Vol. 3. - P. 93-124.

4. Van Hove, L. The occurrence of singularities in the elastic frequency distribution of a crystal / L. Van Hove. - Text : unmediated // Physical Review. - 1953. -Vol. 89. - P. 1189-1193. https://doi.org/10.1103/PhysRev.89.1189

5. Sell, D. D. Modulated piezoreflectance and reflectance studies of GaAs / D. D. Sell, E. E. Stokowski. - Text : unmediated // Proceedings of the Tenth International Conference on the Physics of Semiconductors, Cambridge Massachusetts August 1721, 1970 / Ed. by S. P. Keller, C. Hensel, F. Stern. - Springfield : Nat'l Bureau of Standards, 1970. - Р. 417-422.

6. Ю, П. Основы физики полупроводников : монография / П. Ю, М. Кардона ; пер. с англ. И. И. Решиной ; под ред. Б. П. Захарчени. - 3-е изд. - Москва : ФИЗ-МАТЛИТ, 2002. - 560 с. - ISBN 5-9221-0268-0. - Текст : непосредственный.

7. Zucca, R. R. L. Wavelength-modulation spectra of some semiconductors / R. R. L. Zucca, Y. R. Shen. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1970. - Vol. 1, Issue 6. - Р. 2668-2676. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.1.2668

8. Cohen, M. L. Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors : textbook / M. L. Cohen, J. R. Chelikowsky. - 2-е ed. ; Ser.: Springer Series in SolidState Sciences. - Heidelberg : Springer Berlin, 1989. - Vol. 75. - 264 р. - ISBN 978-3540-51391-9. - Text : unmediated.

9. Георгобиани, А. Н. Исследование фундаментальных переходов в широкозонных полупроводниках методами модуляционной спектроскопии / А. Н. Георгобиани, Ю. В. Озеров, И. М. Тигиняну. - Текст: непосредственный // Модуляционная спектроскопия широкозонных полупроводников : Труды ФИАН. - Москва : Наука, 1985. - Т. 163. - С. 3-38.

10. Георгобиани, А. Н. Модуляционная спектроскопия полупроводников / А. Н. Георгобиани. - Текст: непосредственный // Соросовский образовательный журнал. - 2001. - Т. 7, № 6. - С. 75-81.

11. Matatagui, E. Thermoreflectance in semiconductors / E. Matatagui, A. Thomson, M. Cardona. - Text : unmediated // Physical Review. - 1968. - Vol. 176, Issue 3. - P. 950-960. https://doi.org/10.1103/PhysRev.176.950

12. Piezoreflectance measurements on GaxIni-xSb alloys / D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathieu, A. Joullie. - Text : unmediated // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1974. - Vol. 35, Issue 2. - Р. 133-140. https://doi.org/10.1016/0022-3697(74)90026-2

13. Glosser, R. Band-population effects in the electroreflectance spectrum of InSb / R. Glosser, B. O. Seraphin. - Text : unmediated // Physical Review. - 1969. -Vol. 187, Issue 3. - Р. 1021-1024. https://doi.org/10.1103/PhysRev.187.1021

14. Infrared modulated reflectance spectra of n and p type gallium antimonide and n type indium antimonide / H. Piller, C. K. So, R. C. Whited, B. J. Parsons. - Text : unmediated // Surface Science. - 1973. - Vol. 37. - Р. 639-649. https://doi.org/10.1016/0039-6028(73)90355-5

15. Hosea, T. J. C. A new Fourier transform photo-modulation spectroscopic technique for narrow band-gap materials in the mid- to far-infra-red / T. J. C. Hosea, M. Merrick, B. N. Murdin. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. - 2005. - Vol. 202, Issue 7. - Р. 1233-1243. https://doi.org/10.1002/pssa.200460908

16. Shay, J. L. Photoreflectance from Landau levels in InSb / J. L. Shay, R. E. Nahory, C. K. N. Patel. - Text : unmediated // Physical Review. - 1969. - Vol. 184, Issue 3. - Р. 809. https://doi.org/10.1103/PhysRev.184.809

17. Пихтин, А. Н. Фотоотражение арсенида галлия / А. Н. Пихтин, М. Т. Тодоров. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. -1993. - Т. 27, вып. 7. - С. 1139-1145.

18. Тягай, В. А. Электроотражение света в полупроводниках : монография / В. А. Тягай, О. В. Снитко ; отв. ред. М. П. Лисица ; АН УССР, Институт полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1980. - 302 с. - Текст : непосредственный.

19. Aspnes, D. E. Third-derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance / D. E. Aspnes. - Text : unmediated // Surface Science. - 1973. -Vol. 37. - Р. 418-442. https://doi.org/10.1016/0039-6028(73)90337-3

20. Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения / О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Фёдоров. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 1. - С. 81-87.

21. Комков, О. С. Диагностика арсенида галлия методом фотоотражения / О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев. - Текст : непосредственный // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2011. - №. 1. - С. 45-48. (Komkov, O. S. Photoreflectance characterization of gallium arsenide / O. S. Komkov, A. N. Pikhtin, Yu. V. Zhilyaev. - Text : unmediated // Russian Microelectronics. - 2012. - Vol. 41, No. 8. - Р. 508-510.)

22. Optical characterization of ultra-pure GaAs / Yu. V. Zhilyaev, N. K. Poletaev, V. M. Botnaryuk, T. A. Orlova, L. M. Fedorov, Sh. A. Yusupova, A. Owens, M. Bavdaz, A. Peacock, B. Omeara, H. Heleva. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (c) Current Topics In Solid State Physics. - 2003. - Vol. 0, Issue 3. - Р. 10241027. https://doi.org/10.1002/pssc.200306239

23. Aspnes, D. E. Schottky-barrier electroreflectance: application to GaAs / D. E. Aspnes, A. A. Studna. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1973. - Vol. 7, Issue 10. - Р. 4605. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.7.4605

24. Hughes, P. J. Analysis of Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra of a AlGaAs/GaAs single-quantum well structure / P. J. Hughes, B. L. Weiss, T.

J. C. Hosea. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1995. - Vol. 77, Issue 12. - Р. 6472-6480. https://doi.org/10.1063/1.359122

25. Hosea, T. J. C. Estimating critical-point parameters of modulated reflectance spectra / T. J. C. Hosea. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (b) Basic Solid State Physics. - 1995. - Vol. 189, Issue 2. - Р. 531-542. https://doi.org/10.1002/pssb.2221890221

26. Авакянц, Л. П. Оптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия : специальность 01.04.05 «Оптика» : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Авакянц Лев Павлович ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. - Москва, 2010. - 311 с. - Текст : непосредственный.

27. Excitonic effects and Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance of ultrapure GaAs epilayers / O. S. Komkov, G. F. Glinskii, A. N. Pikhtin, Y. K. Ramgolam.

- Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. -2009. - Vol. 206, Issue 5. - Р. 842-846. https://doi.org/10.1002/pssa.200881408

28. Киселёв, В. А. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников : монография / В. А. Киселёв, Б. В. Новиков, А. Е. Чередниченко ; Санкт-Петербургский государственный университет, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН. - 2. изд., доп. и испр. - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГУ, 2003. - 244 с. - ISBN 5-288-02876-1. - Текст : непосредственный.

29. Скайтис, Э. Г. Влияние неоднородного поверхностного потенциала на экситонное отражение света / Э. Г. Скайтис, В. И. Сугаков. - Текст : непосредственный // Лит. физ. сб. - 1974. - Т. 14, № 2. - С. 297-304.

30. Blossey, D. F. Wannier excitons in an electric field. I. Optical absorption by bound and continuum states / D. F. Blossey. - Text : unmediated // Physical Review B.

- 1970. - Vol. 2, Issue 10. - Р. 3976. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.2.3976

31. Blossey, D. F. Wannier excitons in an electric field. II. Electroabsorption in direct-band-gap solids / D. F. Blossey. - Text : unmediated // Physical Review B. -1971. - Vol. 3, Issue 4. - Р. 1382. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.3.1382

32. Глинский, Г. Ф. Экситоны и поляритоны в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Глинский Геннадий Федорович; ФТИ им. А. Ф. Иоффе. -Санкт-Петербург, 1995. - 430 с. - Текст : непосредственный.

33. Глинский, Г. Ф. Функциональная формулировка микроскопической теории экситонных поляритонов / Г. Ф. Глинский, З. Койнов. - Текст : непосредственный // Теоретическая и математическая физика. - 1987. - Т. 70, № 3. - С. 358-371. (Glinskii, G. F. Functional formulation of microscopic theory of exciton polaritons / G. F. Glinskii, Zl. Koinov. - Text : unmediated // Theoretical and Mathematical Physics. - 1987. - Vol. 70, No. 3. - Р. 252-261. https://doi.org/10.1007/BF01041002).

34. Пихтин, А. Н. Квантовая и оптическая электроника : учебник для студентов высших учебных заведений / А. Н. Пихтин. - Москва : Высшая школа, 2012. - 655 с. - ISBN 978-5-4372-0004-9. - Текст : непосредственный.

35. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (100)GaAs surfaces/interfaces / X. Yin, H. M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, J. M. Woodall. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 58, Issue 3. - Р. 260. https://doi.org/10.1063/1.104682

36. Обобщённая многослоевая модель для количественного анализа электромодуляционных компонент спектров электроотражения и фотоотражения полупроводников в области фундаментального перехода E0 / Р. Кузьменко, А. Ганжа, Э. П. Домашевская, В. Кирхер, Ш. Хильдебрандт. - Текст : непосредственный / Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34, № 9. - С. 1086.

37. Dow, J. D. Differential electroabsorption / J. D. Dow, B. Y. Lao, S. A. Newman. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1971. - Vol. 3, Issue 8. - Р. 2571. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.3.2571

38. Gay, J. G. Screening of excitons in semiconductors / J. G. Gay. - Text : un-mediated // Physical Review В. - 1971. - Vol. 4, Issue 8. - P. 2567-2575. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.4.2567

39. Авакянц, Л. П. Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков. - Текст : непосредственный // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, вып. 10. - С. 66-68.

40. Bhimnathwala, H. Surface characterization of LEC SI-GaAs using photoreflectance with subbandgap excit / H. Bhimnathwala, J. M. Borrego. - Text : unmediated // Solid-State Electronics. - 1992. - Vol. 35, Issue 10. - Р. 1503-1511. https://doi.org/10.1016/0038-1101(92)90091-p

41. Comparison of Zn1-xMnxTe/ZnTe multiple-quantum wells and quantum dots by below-bandgap photomodulated reflectivity / P. J. Klar, D. Wolverson, D. E. Ashenford, B. Lunn, T. Henning. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 1996. - Vol. 11, No. 12. - Р. 1863-1872. https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/12/017

42. Novel modulation reflectance spectroscopy of semiconductor heterostructures / O. A. Ryabushkin, E. I. Lonskaya, A. E. Sotnikov, M. A. Chernikov. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. -2005. - Vol. 202, Issue 7. - Р. 1282-1291. https://doi.org/10.1002/pssa.200460906

43. Тодоров, М. Т. Установка для исследования фотоотражения полупроводников / М. Т. Тодоров, М. В. Коняев. - Текст : непосредственный // Известия СПбЭТИ. - 1992. - № 433. - С. 57-60.

44. Комков, О. С. Исследование эпитаксиальных слоёв GaAs и одиночных квантовых ям (In,Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Комков Олег Сергеевич; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург, 2006. - 126 с. - Текст : непосредственный.

45. Спектрометр инфракрасный ИКС-31. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. - Ленинград : ЛОМО, 1977.

46. Тодоров, М. Т. Фотоотражение GaAs и InP : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Тодоров Михаил Теодосиев; Санкт-Петербургский ордена Ленина и ордена Октябрьской революции электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург, 1992. - 141 с. - Текст : непосредственный.

47. Nahory, R. E. Reflectance modulation by the surface field in GaAs / R. E. Nahory, J. L. Shay. - Text : unmediated // Physical Review Letters. - 1968. - Vol. 21, Issue 23. - P. 1569. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.21.1569

48. Shay, J. L. Photoreflectance line shape at the fundamental edge in ultrapure GaAs / J. L. Shay. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1970. - Vol. 2, Issue 4.

- Р. 803. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.2.803

49. Photoreflectance characterization of built-in potential in MBE produced as-grown GaAs surface / T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, T. Nishi-no. - Text : unmediated // Proceedings of SPIE: Conference Proceedings. - 1990. -Vol. 1286. - Р. 56.

50. Photoreflectance study on residual strain in heteroepitaxial gallium arsenide on silicon / T. Kanata, H. Suzawa, M. Matsunaga. H. Takakura, Y. Hamakawa, H. Kato, T. Nishino. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1990. - Vol. 41, Issue 5. -Р. 2936. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.2936

51. Аксёненко, М. Д. Микроэлектронные фотоприёмные устройства / М. Д. Аксёненко, М. Л. Бараночников, О. В. Смолин. - Москва : Энергоатомиздат, 1984.

- 209 с. - Текст : непосредственный.

52. Таблицы спектральных линий / А. Н. Зайдель, В. К. Прокофьев, С. М. Райский, Е. Я. Шрейдер. - 2-е изд., испр. и доп. - Москва : Физматгиз, 1962. -607 с. - Текст : непосредственный.

53. Монохроматор светосильный МДР-2. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. - Ленинград : ЛОМО, 1976.

54. MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells / F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trancle. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 1998. - Vol. 183, Issue 4. - P. 511-518. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(97)00503-4

55. Effect of growth conditions and strain compensation on indium incorporation for diode lasers emitting above 1050 nm / F. Bugge, U. Zeimer, S. Gromlich, I. Rechenberg, J. Sebastian, G Erbert, M. Weyers. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 2000. - Vol. 221, Issue 1-4. - Р. 496-502. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00751-X

56. Infrared photoreflectance of InAs / C. H. Lin, K. E. Singer, J. H. Evans-Freeman, K. Heath, M. Missous. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 1997. - Vol. 12, No. 12. - Р. 1619. https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/12/013

57. Temperature dependence of the energy and broadening parameter of the fundamental band gap of GaSb and Gai-xIn xAsySbi-y/GaSb (0.07 < x < 0.22, 0.05 < y < 0.19) quaternary alloys using infrared photoreflectance / M. Munoz, F. H. Pol-lak, M. B. Zakia, N. B. Patel, J. L. Herrera-Perez. - Text : unmediated // Physical Review B. - 2000. - Vol. 62, Issue 24. - Р. 16600. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16600

58. Тонков, М. В. Фурье-спектроскопия - максимум информации за минимум времени / М. В. Тонков. - Текст : непосредственный // Соросовский образовательный журнал. - 2001. - Т. 7, № 1. - С. 83-88.

59. Johnson, T. J. Introduction to step-scan FTIR / T. J. Johnson, G. Zachmann. - Ettlingen: Bruker Optik, 2005. - 96 P. - Text : unmediated.

60. Electric field distributions in a molecular-beam epitaxy Ga0.83Al0.17As/GaAs/GaAs structure using photoreflectance / H. Shen, F. H. Pollak, J. M. Woodall, R. N. Sacks. - Text : unmediated // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. - 1989. - Vol. 7, Issue 4. -P. 804. https://doi.org/10.1116/1.584604

61. Photomodulated infrared spectroscopy by a step-scan Fourier transform infrared spectrometer / J. Shao, F. Yue, X. Lü, W. Lu, W. Huang, Zh. Li, Sh. Guo, J. Chu. -Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2006. - Vol. 89, Issue 18. - Р. 182121. https://doi.org/10.1063/1.2378675

62. Fourier transformed photoreflectance and photoluminescence of mid infrared GaSb-based type II quantum wells / M. Motyka, G. S<?k, J. Misiewicz, A. Bauer, M. Dallner, S. Höfling, A. Forchel. - Text : unmediated // Applied Physics Express. - 2009. - Vol. 2, No. 12. - Р. 126505. https://doi.org/10.1143/APEX.2.126505

63. Photoreflectance spectroscopy with a step-scan Fourier-transform infrared spectrometer: Technique and applications / J. Shao, W. Lu, F. Yue, X. Lü, W. Huang, Zh. Li, Sh. Guo, J. Chu. - Text : unmediated // Review of Scientific Instruments. -2007. - Vol. 78, Issue 1. - Р. 013111. https://doi.org/10.1063/1.2432269

64. Peculiarities of the energy spectrum of InSb/InAs/InGaAs/InAlAs/GaAs nanoheterostructures revealed by room temperature photomodulation FTIR spectroscopy / O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. D. Andreev, M. Yu. Chernov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 2019. -Vol. 58, No. 5. - Р. 050923. https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab180e

65. Spectral resolution effects on the lineshape of photoreflectance / L.-L. Ma, J. Shao, X. Lü, S.-L. Guo, W. Lu. - Text : unmediated // Chinese Physics Letters. - 2011. - Vol. 28, No. 4. - Р. 047801. https://doi.org/10.1088/0256-307X/28/4/047801

66. Фирсов, Д. Д. Фотомодуляционная ИК фурье-спектроскопия полупроводниковых структур: особенности фазовой коррекции и применение метода / Д. Д. Фирсов, О. С. Комков. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 2013. - Т. 39, № 23. - С. 87-94.

67. Фотоотражение антимонида индия / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семёнов, В. А. Соловьёв, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Физика твёрдого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 12. - С. 2307-2313. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2016.12.43847.180

68. Mihin, A. O. Investigation of energy transitions in M0S2 by photoreflectance

spectroscopy method / A. O. Mihin, D. D. Firsov, O. S. Komkov. - Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2020. - Vol. 1695. - Р. 012111. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012111

69. Белл, Р. Дж. Введение в фурье-спектроскопию: монография / Р. Дж. Белл. - Пер. с англ. - Москва : МиР. 1975. - 382 с. - Текст : непосредственный.

70. Griffiths, P. R. Fourier Transform Infrared Spectrometry / P. R. Griffiths, J. A. De Haseth. - 2-е ed. - Hoboken: Wiley and Sons, 2007. - 560 p. - ISBN 978-0-47119404-0. - Text : unmediated.

71. Realization of photoreflectance spectroscopy in very-long wave infrared of up to 20 ^m / J. Shao, L. Chen, X. Lu, W. Lu, L. He, Sh. Guo, J. Chu. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 95, Issue 4. - P. 041908. https://doi.org/10.1063/L3193546

72. Infrared photoreflectance investigation of resonant levels and band edge structure in InSb / X. Chen, J. Jung, Zh. Qi, Liangqing Zhu, S. Park, Liang Zhu, E. Yoon, J. Shao. - Text : unmediated // Optics Letters. - 2015. - Vol. 40, Issue 22. -P. 5295-5298. https://doi.org/10.1364/0L.40.005295

73. Пихтин, А. Н. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs / А. Н. Пихтин, О. С. Комков, К. В. Базаров. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, вып. 5. - С. 608-613.

74. Gronholz, J. Understanding FTIR data processing / J. Gronholz, W. Herres. - Text : unmediated // Instruments and Computers. - 1985. - Vol. 3. - P. 10-16.

75. Mertz, L. Transformations in optics / L. Mertz. - 1-e ed. - New York: Wiley and Sons, 1965. - ISBN-13 978-0471596400. - Text : unmediated.

76. Forman, M. L. Correction of asymmetric interferograms obtained in Fourier spectroscopy / M. L. Forman, W. H. Steel, G. A. Vanasse. - Text : unmediated // Journal of the Optical Society of America. - 1966. - Vol. 56, Issue 1. - P. 59-63. https://doi.org/10.1364/J0SA.56.000059

77. Hutson, M. S. Direct phase correction of differential FT-IR spectra / M. S. Hutson, M. S. Braiman. - Text : unmediated // Applied Spectroscopy. - 1998. -Vol. 52, Issue 7. - Р. 974-984. https://doi.org/10.1366/0003702981944616

78. Бесконтактное измерение концентрации электронов в нелегированных гомоэпитаксиальных слоях InSb / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, В. А. Соловьёв, А. Н. Семёнов, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Прикладная физика. - 2016. - № 5. - С. 47-49. (Contactless measurement of electron concentration in undoped homoepitaxial InSb layers / O. S. Komkov, D. D. Firsov, T. V. Lvova, I. V. Sedova, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Journal of Communications Technology and Electronics. - 2018. - Vol. 63, No. 3. - Р. 289-291. https://doi.org/10.1134/S1064226918030105).

79. Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях / Р. М. Балагула, М. Я. Винниченко, И. C. Махов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьёв. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, вып. 11. - С. 1445-1450. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43770.2

80. Determination of sign during phase correction of sign-variable modulation spectra of intersubband light absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells / R. V. Ustimenko, M. Ya. Vinnichenko, D. A. Pashnev, D. B. Hayrapetyan, D. A. Firsov. -Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. Vol. 1236. -P. 012021. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1236/1/012021

81. Патент на полезную модель RU 185052 U1 Российская Федерация, МПК G01N 21/00 (2006.01). Устройство для определения концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых материалах: № 2018101433 : заявлен 16.01.2018 : опубликован 19.11.2018 / Фирсов Д. Д., Комков О. С. - 10 с. : ил. -Текст: непосредственный.

82. Luferau, A. I. Infrared photoluminescence spectra measurements using boxcar integrator in the active baseline subtraction mode / A. I. Luferau, D. D. Firsov, O. S.

Komkov. - Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. -Vol. 1400, Issue 6. - P. 066035. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1400/6/066035

83. Stanford Research Systems. Model SR830 DSP Lock-in Amplifier: Operation and Service Manual. - 2011. - 178 p.

84. Жук, В. В. Тригонометрические ряды Фурье и элементы теории аппроксимации : учебное пособие / В. В. Жук, Г. И. Натансон ; ЛГУ им. А. А. Жданова. -Ленинград : Изд-во Ленингр. ун-та, 1983. - 188 с. - Текст : непосредственный.

85. Determination of InSb/AlInSb quantum well energy spectrum / M. S. Mironova, O. S. Komkov, D. D. Firsov, G. F. Glinskii. - Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2014. - Vol. 541.- P. 012085. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/541/1/012085

86. Radiative versus non-radiative recombination in high-efficiency mid-IR InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic nanoheterostructures / O. S. Komkov, D. D. Firsov, M. Yu. Chernov, V. A. Solov'ev, A. A. Sitnikova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov. -Text : unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2018. - Vol. 51, No. 5. -P. 055106. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaa25d

87. Луферов, А. И. Регистрация спектров инфракрасной фотолюминесценции методом стробируемого интегрирования в режиме активного вычитания фонового сигнала / А. И. Луферов, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков. - Текст : непосредственный // Оптика и спектроскопия. - 2020. - Т. 128, вып. 1. С. 134-139. https://doi.org/10.21883/OS.2020.01.48850.273-19

88. Novo, J. B. M. Time-resolved luminescence spectroscopy: computer interfacing and software development for a boxcar-based laser-luminescence spectrometer / J. B. M. Novo, F. B. T. Pessine. - Text : unmediated // Applied Spectroscopy. - 1993. -Vol. 47, Issue 12. - P. 2044-2051.

89. Vij, D. R. Luminescence of Solids : Book / D. R. Vij. - New York: Springer New York, 1998. - 427 P. - ISBN 978-0-306-45643-5. - Text : unmediated. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5361-8

90. Stanford Research Systems. Model SR250 Gated Integrator and Boxcar Averager Module: Operation and Service Manual. - 1993. - 157 P. - Text : unmediated.

91. Omenetto, N. Analytical and Diagnostic Applications of Laser Induced Fluorescence in Flames and Plasmas / N. Omenetto. - Text : unmediated // Analytical laser spectroscopy : NSSB. - New York : Springer New York, 1985. - Vol. 119. - P. 131146. http://dx. doi.org/10.1007/978-1 -4613-2441 -6

92. InSb/InAs/InGa(Al)As/GaAs(001) metamorphic nanoheterostructures grown by MBE and emitting beyond 3 цт / M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, B. Ya. Meltser, A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, P. N. Brunkov, A. A. Sitnikova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, V. A. Solov'ev. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 2017. - Vol. 477. - P. 97-99. http://dx.doi.org/10.1016/i.icrysgro.2017.02.017

93. Seraphin, B. O. Electroreflectance in GaAs / B. O. Seraphin. - Text : unmediated // Proceedings of the Physical Society. - 1966. - Vol. 87. - P. 234-243.

94. Seraphin, B. O. Electroreflectance studies in GaAs / B. O. Seraphin. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1966. - Vol. 37, Issue 2. - P. 721-728. https://doi.org/10.1063/1.1708244

95. Кардона, М. Модуляционная спектроскопия / М. Кардона. - Пер. с англ. М. Л. Белле ; под ред. А. А. Каплянского. - Москва : Мир, 1972. - 416 с. - Текст : непосредственный.

96. Shen, H. Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation / H. Shen, F. H. Pollak. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1990. - Vol. 42, Issue 11. -Р. 7097. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.42.7097

97. Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиаль-ных слоях GaAs методом фотоотражения / О. С. Комков, А. А. Моез, Ю. В. Жиля-ев, А. Н. Пихтин. - Текст : непосредственный // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Сер. «Физика твёрдого тела и электроника». - 2005. - № 15, вып. 2. - С. 48-51.

98. Photoreflectance study of surface Fermi level in GaAs and GaAlAs / H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P. G. Newman, R. P. Moerkirk, W. H. Chang, R. N. Sacks. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1990. - Vol. 57, Issue 20. - P. 2118. https://doi.org/10.1063/L103916

99. Franz-Keldysh oscillations originating from a well-controlled electric field in the GaAs depletion region / C. Van Hoof, K. Deneffe, J. De Boeck, D. J. Arent, G.

Borghs. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1989. - Vol. 54, Issue 7. -Р. 608. https://doi.org/10.1063/U00893

100. Chandreskhar, M. Effects of uniaxial stress on the electroreflectance spectrum of Ge and GaAs / M. Chandreskhar, F. H. Pollak. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1977. - Vol. 15, Issue 4. - P. 2127.

101. Landolt, H. Landolt-Börnstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / H. Landolt, R. Börnstein ; ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. - New York : Springer, 1982. - Text : unmediated.

102. Aspnes, D. E. Schottky barrier electroreflectance of Ge: Non-degenerate and optically degenerate critical points / D. E. Aspnes. - Text : unmediated // Physical Review. - 1975. - Vol. 12. - P. 2297-2310.

103. Келдыш, Л. В. Эффекты поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле / Л. В. Келдыш, О. В. Константинов, В. И. Перель. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т. 3, вып. 7. - С. 1042.

104. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance / V. L. Alperovich, A. S. Jaroshevich, H. E. Scheibler, A. S. Terekhov. - Text : unmediated // Solid-State Electronics. - 1994. - Vol. 37, Issues 4-6. - Р. 657-660. https://doi.org/10.1016/0038-1101 (94)90269-0

105. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures / H. E. Scheibler, V. L. Alperovich, A. S. Jaroshevich, A. S. Terekhov. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. - 1995. Vol. 152, Issue 1. - Р. 113-122. https://doi.org/10.1002/pssa.2211520112

106. Wang, D. P. Fast Fourier transform of photoreflectance spectroscopy of 5-doped GaAs / D. P. Wang, C. T. Chen. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1995. - Vol. 67, Issue 14. - P. 2069-2071. https://doi.org/10.1063/1.115081

107. Wang, D. P. Pumping-beam-induced photovoltaic effect on the photoreflectance of a 5-doped GaAs film / D. P. Wang, C. T. Chen, T. L. Shen. - Text :

unmediated // Journal of Applied Physics. - 1996. - Vol. 80, Issue 12. - P. 6980-6983. https://doi.org/10.106371.363771

108. A study of the Franz-Keldysh oscillations in electromodulation reflectance of Si-delta-doped GaAs by fast Fourier transformation / W.-H. Chang, T. M. Hsu, W. C. Lee, R. S. Chuang. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1998. -Vol. 83, Issue 12. - P. 7873-7878. https://doi.org/10.1063/L367964

109. Photoreflectance study of 5-doped semiconductor layers by fast Fourier transformation / M. Nowaczyk, G. Sçk, J. Misiewicz, B. Sciana, D. Radziewicz, M. Tlaczala. - Text : unmediated // Thin Solid Films. - 2000. - Vol. 380, Issue 1-2. -P. 243-245. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)01515-7

110. Noncontact doping level determination in GaAs using photoreflectance spectroscopy / L. Peters, L. Phaneuf, L. W. Kapitan, W. M. Theis. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1987. - Vol. 62, Issue 11. - P. 4558. https://doi.org/10.1063/L339050

111. Room-temperature photoreflectance and photoluminescence of heavily Si-doped GaAs / Ch. Lee, N.-Y. Lee, K.-J. Lee, J.-E. Kim, H.Y. Park, D.-H. Kwak, H.Ch. Lee, H. Lim. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1995. - Vol. 77, Issue 12. - P. 6727. https://doi.org/10.1063/L359090

112. Application of Kramers-Krönig analysis to the photoreflectance spectra of heavily doped GaAs/SI-GaAs structures / K. Jezierski, P. Markiewicz, J. Misiewicz, M. Panek, B. Sciana, R. Korbutowicz, M. Tlaczala. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1995. Vol. 77, Issue 8. - P. 4139. https://doi.org/10.1063/L359503

113. Semiconductor heterostructures and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy / J. Misiewichz, P. Sitarek, G. Sek, R. Kudrawiec. - Text : unmediated // Materials Science. - 2003. - Vol. 21, No. 3. - P. 263-318.

114. Badakhshan, A. Correlation between the photoreflectance response at E1 and carrier concentration in n- and p-GaAs / A. Badakhshan, R. Glosser, S. Lambert. -Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1991. - Vol. 69, Issue 4. - P. 2525. https://doi.org/10.1063/L348691

115. Modulation spectroscopy as a tool for electronic material characterization / N. Bottka, D.K. Gaskill, R.S. Sillmon, R. Henry, R. Glosser. - Text : unmediated // Journal of Electronic Materials. - 1988. - Vol. 17. - Р. 161-170. https://doi.org/10.1007/BF02652147

116. Photoreflectance measurements of unintentional impurity concentrations in undoped GaAs / M. Sydor, J. Angelo, W. Mitchel, T. W. Haas, M.-Y. Yen. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1989. Vol. 66, Issue 1. - Р. 156-160. https://doi.org/10.1063/1.343896

117. V. L. Dostov, Yu. V. Zhilyaev, I. P. Ipatova, A. Y. Kulikov, Y. N. Makarov, G. R. Markaryan. - Text : unmediated // High Purity Matererials. - 1989. - Vol. 4. -Р. 74-80.

118. Жиляев, Ю. В. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Жиляев Юрий Васильевич ; АН СССР. ФТИ им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1991.

119. Особенности эпитаксиальных слоёв GaAs как детекторов а-частиц / В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, Л. М. Фёдоров. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 1998. - Т. 24, № 7. -С. 8-15.

120. Room-temperature observation of impurity states in bulk GaAs by photoreflectance / A. N. Pikhtin, V.-M. Airaksinen, H. Lipsanen, T. Tuomi. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1989. - Vol. 65, Issue 6. - Р. 2556-2557. https://doi.org/10.1063/L342781

121. Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом фотоотражения / А. Н. Пихтин, В.-М. Айраксинен, X. Липсанен, Т. Туо-ми. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1989. -Т. 23, вып. 7. - С. 1280-1282.

122. Brierley, S. K. Correlation between the photoreflectance impurity peak in semi-insulating GaAs and the bulk acceptor concentration / K. Brierley, D. S. Lehr. -Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 67, Issue 8. - Р. 38783880. https://doi.org/10.1063/L344988

123. Fischer, J. E. New directions in modulation spectroscopy / J. E. Fischer. -Text : unmediated // Surface Science. - 1973. - Vol. 37. - Р. 473-493. https://doi.org/10.1016/0039-6028(73)90339-7

124. Черников, М. А. Микроволновое модуляционное отражение света полупроводников / М. А. Черников, О. А. Рябушкин. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 2001. - Т. 27, вып. 24. - С. 29-34.

125. Черников, М. А. Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Черников Максим Александрович ; Московский физико-технический институт. - Москва, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.

126. Пихтин, А. Н. Фотоотражение полуизолирующего GaAs при h® < Eg / А. Н. Пихтин, М. Т. Тодоров. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1994. - Т. 28, вып. 6. - С. 1068-1075.

127. Optical characterization of ultra-pure GaAs / Yu. V. Zhilyaev, N. K. Poletaev, V. M. Botnaryuk, T. A. Orlova, L. M. Fedorov, Sh. A. Yusupova, A. Owens, M. Bavdaz, A. Peacock, B. O'Meara, H. Helava. - Text : unmediated // Physica Status Sol-idi (c) Current Topics In Solid State Physics. - 2003. - Vol. 0, Issue 3. - Р. 1024-1027. https://doi.org/10.1002/pssc.200306239

128. Modulation of excitonic reflectance at GaAs/GaAs interfaces / A. B. Novikov, H. Roppischer, N. Stein, B. V. Novikov. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1995. - Vol. 78, Issue 6. - Р. 4011. http://dx.doi.org/10.1063/1.359923

129. Investigation of near interface properties in semi-insulating InP substrates with epitaxial grown InGaAs and InAlAs by photoreflectance / W. Zhou, M. Dutta, H. Shen, J. Pamulapati, B. R. Bennett, C. H. Perry, D. W. Weyburne. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1993. - Vol. 73, Issue 3. - Р. 1266. https://doi.org/10.1063/1.353268

130. Differential photoreflectance from modulation-doped heterojunctions / M. Sydor, A. Badakhshan, J. R. Enghom, D. A. Dale. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 58, Issue 9. - Р. 948. https://doi.org/10.1063/1.104487

131. Полетаев, Н. К. Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Полетаев Николай Константинович ; ФТИ им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 2006. - 147 с. - Текст : непосредственный.

132. Vurgaftman, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2001. - Vol. 89, Issue 11. - Р. 5815. https://doi.org/10.1063/1.1368156

133. Electroreflectance and photoreflectance study of the space-charge region in semiconductors: (In-Sn-O)/InP as a model system / R. N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F.H. Pollak, T. Coutts, H. Aharoni. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1988. - Vol. 37, Issue 8. - Р. 4044. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.4044

134. Hang, Z. Temperature dependence of the E and E0+A0 gaps of InP up to 600°C / Z. Hang, H. Shen, F. H. Pollak. - Text : unmediated // Solid State Communications. - 1990. - Vol. 73, Issue 1. - Р. 15-18. https://doi.org/10.1016/0038-1098(90)90005-V

135. Varshni, Y. P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors / Y. P. Varshni. - Text : unmediated // Physica. - 1967. - Vol. 34, Issue 1. - Р. 149154. https://doi.org/10.1016/0031-8914(67)90062-6

136. Lautenschlager, P. Temperature dependence of the interband critical-point parameters of InP / P. Lautenschlager, M. Garriga, M. Cardona. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1987. - Vol. 36, Issue 9. - Р. 4813. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.36.4813

137. Pikhtin, A. N. Optical characterization of A3B5 semiconductors heterostructures and quantum wells by photoreflectance / A. N. Pikhtin, M. T. Todorov. - Text : unmediated // Key Engineering Materials. - 1992. - Vol. 65. Р. 199-206. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.65.199

138. Built-in electric field and surface Fermi level in InP surface-intrinsic n+ structures by modulation spectroscopy / J. S. Hwang, W. Y. Chou, M. C. Hung, J. S. Wang, H. H. Lin. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82, Issue 8. - Р. 3888. https://doi.org/10.1063/1.365692

139. Electroreflectance and photoreflectance studies of surface Fermi level and surface state densities of InP SIN+ structures / W. C. Hwang, Y. J. Cheng, Y. C. Wang, J. S. Hwang. - Text : unmediated // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. -2000. - Vol. 18, Issue 4. - Р. 1967. https://doi.org/10.1116/1.1306539

140. Photoreflectance study of the surface Fermi level at (001) n- and p-type GaAs surfaces / X. Yin, H. M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, J. M. Woodall. - Text : unmediated // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 1992. - Vol. 10, Issue 1. - Р. 131. https://doi.org/10.1116/1.578125

141. Study of surface Fermi level and surface state distribution in InAlAs surface-intrinsic-^ structure by photoreflectance / J. S. Hwang, W. Y. Chou, S. L. Tyan, H. H. Lin, T. L. Lee. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1995. - Vol. 67, Issue 15. - Р. 2350. https://doi.org/10.1063/1.114341

142. Авакянц, Л. П. Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2005. Т. 39, вып. 2. - С. 189.

143. Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Ахмед Абдел Моез Аб-дел Рахман Езз ; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург, 2007. -100 с. - Текст : непосредственный.

144. Studies of interband transitions and thermal annealing effects on ion-implented (100) GaSb by photoreflectance and Raman spectra /J. S. Hwang, S. L. Tyan, M. J. Lin, Y. K. Su. - Text : unmediated // Solid State Communications. -1991. - Vol. 80, Issue 10. - P. 891. https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90527-3

145. Photoreflectance studies of Te-doped GaSb at the E0 + A0 transition / S. Iyer, S. Mulugeta, W. Collis, S. Venkatraman, K. K. Bajaj, G. Coli. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 87, Issue 5. - P. 2336. https://doi.org/10.1063/L372184

146. Optical properties of GaSb measured using photoluminescence and photoreflectance spectroscopy / H.-J. Jo, M. G. So, J. S. Kim, S. J. Lee. - Text : unmediated // Journal of the Korean Physical Society. - 2016. - Vol. 69. - P. 826. https://doi.org/10.3938/jkps.69.826

147. An optical method for contactless determination of background concentration in naturally oxidized MBE epilayers of (100) GaAs, GaSb and InSb / O. S. Komkov, D. D. Firsov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // The 19th European Workshop On Molecular Beam Epitaxy, Saint-Petersburg, March 19-22, 2017 / S. Ivanov. - Saint-Petersburg: Ioffe Institute, 2017. - P. 95.

148. Temperature-dependent photoluminescence of InSb/InAs nanostructures with InSb thickness in the above-monolayer range / D. D. Firsov, O. S. Komkov, V. A. Solov'ev, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2016. - Vol. 49, Issue 28. - P. 285108. https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/28/285108

149. Contactless electroreflectance study of the Fermi level pinning on GaSb surface in «-type and p-type GaSb Van Hoof structures / R. Kudrawiec, H. P. Nair, M. Latkowska, J. Misiewicz, S.R. Bank, W. Walukiewicz. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2012. - Vol. 112, Issue 12. - P. 123513. https://doi.org/10.1063/L4770413

150. Surface band-gap narrowing in quantized electron accumulation layers / P. D. C. King, T. D. Veal, C. F. McConville, J. ZUniga-Perez, V. Munoz-Sanjose, M. Hopkinson, E. D. L. Rienks, M. F. Jensen, Ph. Hofmann. - Text : unmediated // Physical

Review Letters. - 2010. - Vol. 104, Issue 25. - Р. 256803. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.256803

151. Infrared photoreflectance of InSb-based two-dimensional nanostructures / D. D. Firsov, O. S. Komkov, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, S. V. Ivanov. - Text : unme-diated // Journal of the Optical Society of America. B. - 2019. - Vol. 36, Issue 4. -Р. 910-916. https://doi.org/10.1364/JOSAB.36.000910

152. Определение толщины автоэпитаксиальных слоёв арсенида индия методом инфракрасной фурье-спектроскопии / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ко-валишина, А. С. Петров. - Текст : непосредственный // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2014. - Т. 17, № 3. - С. 194-198. (Determination of the indium arsenide autoepitaxial layers' thickness by Fouriertransform infrared spectroscopy / O. S. Komkov, D. D. Firsov, E. A. Kovalishina, A. S. Petrov. - Text : unmediated // Russian Microelectronics. - 2015. - Vol. 44, No. 8. -Р. 575-578).

153. Батавин, В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович. - Москва : Радио и связь, 1985. - 264 с. - Текст : непосредственный.

154. Пихтин, А. Н. Рефракция света в полупроводниках / А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. -1988. - Т. 22, вып. 6. - С. 969-991.

155. Спектральные характеристики поглощения в эпитаксиальных структурах на основе InAs при температурах 80 К и 300 К / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров. - Текст : непосредственный // Прикладная физика. - 2014. - №. 4. - С. 93-96.

156. Ковтонюк, Н. Ф. Видиконы, чувствительные в средней инфракрасной области спектра, с фотомишенями на структурах полупроводник-диэлектрик / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов. - Текст : непосредственный // Прикладная физика. - 2005. - № 6. - C. 134-140.

157. Несмелова, И. М. Оптические свойства узкощелевых полупроводников / И. М. Несмелова ; Отв. ред. К. К. Свиташев ; Российская академия наук, Си-

бирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука : Сиб. отд-ние, 1992. - 156 с. - ISBN 5-02-029934-0. - Текст : непосредственный.

158. High performance InAlSb MWIR detectors operating at 100K and beyond / A. Glozman, E. Harush, E. Jacobsohn, O. Klin, Ph. Klipstein, T. Markovitz, V. Nahum, E. Saguy, J. Oiknine-Schlesinger, I. Shtrichman, M. Yassen, B. Yofis, E. Weiss. - Text : unmediated // Proceedings of SPIE. - 2006. - Vol. 6206. - Р. 62060M. https://doi.org/10.1117/12.667783

159. Heterogeneous InSb quantum well transistors on silicon for ultra-high speed, low power logic applications / T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M. T. Emeny, D. G. Hayes, K. P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T. J. Phillips, D. J. Wallis, P. J. Wilding, R. Chau. - Text : unmediated // Electronics Letters. - 2007. - Vol. 43, Issue 14. - Р. 777779.

160. Electronic transport in modulation-doped InSb quantum well heterostructures / J. M. S. Orr, A. M. Gilbertson, M. Fearn, O. W. Croad, C. J. Storey, L. Buckle, M. T. Emeny, P. D. Buckle, T. Ashley. - Text : unmediated // Physical Review B. - 2008. - Vol. 77, Issue 16. - Р. 165334. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.165334

161. Firsov, D. D. Photomodulation Fourier transform infrared spectroscopy of narrow-gap semiconductor structures / D. D. Firsov, O. S. Komkov. - Text : unmediated

// Proceedings of 22nd International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Saint Petersburg, Russia, June 23-27, 2014. - Saint Petersburg : A. F. Ioffe Institute, 2014. - P. 148-149.

162. Effect of sulfur passivation of InSb (001) substrates on molecular-beam homoepitaxy / V. A. Solov'ev, I. V. Sedova, T. V. Lvova, M. V. Lebedev, P. A. Dement'ev, A. A. Sitnikova, A. N. Semenov, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Applied Surface Science. - 2015. - Vol. 356. - Р. 378. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.07.200

163. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоёв AlxIn1-xSb из спектров отражения / О. С. Комков,

Д. Д. Фирсов, А. Н. Семёнов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. -2013. - Т. 47, № 2. - С. 258-263.

164. Sulfur passivation of InSb(100) surfaces: Comparison of aqueous and alcoholic ammonium sulfide solutions using X-ray photoemission spectroscopy / T. V. Lvova, A. L. Shakhmin, I. V. Sedova, M. V. Lebedev. - Text : unmediated // Applied Surface Science. - 2014. - Vol. 311. - Р. 300. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.058

165. Photoreflectance of InN and InN:Mg layers: An evidence of Fermi level shift toward the valence band upon Mg doping in InN / R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, Y. Nanishi. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2008. - Vol. 93, Issue 13. - Р. 131917. https://doi.org/10.1063/L2995989

166. Investigation of valence-band splitting in InN by low-temperature photoreflectance spectroscopy / K.-I Lin, Y.-J. Chen, Y.-Ch. Cheng, Sh. Gwo. - Text : unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 2015. - Vol. 54, Issue 3. -Р. 031001. https://doi.org/10.7567/JJAP.54.031001

167. Photoreflectance study of InN films with In and N polarities / K.-I. Lin, J.-T. Tsai, I-Ch. Su, J.-Sh. Hwang, Sh. Gwo. - Text : unmediated // Applied Physics Express. - 2011. - Vol. 4, Issue 11. - Р. 112601. https://doi.org/10.1143/APEX.4.112601

168. Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия / Т. В. Львова, М. С. Дунаевский, М. В. Лебедев, А. Л. Шахмин, И. В. Седова, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 710-716.

169. Correlation of interference effects in photoreflectance spectra with GaAs homolayer thickness / N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 68, Issue 9. - Р. 4656. https://doi.org/10.1063/L346176

170. Schubert, E. F. Electron-mobility enhancement and electron-concentration enhancement in 5-doped n-GaAs at T = 300 K / E. F. Schubert, J. E. Cunningham, W.

T. Tsang. - Text : unmediated // Solid State Communications. - 1987. - Vol. 63, Issue 7. - Р. 591-594. https://doi.org/10.1016/0038-1098(87)90859-3

171. Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева,

A. В. Кудрин. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып. 14. - С. 8-17.

172. Кудрин, А. В. Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем / А. В. Кудрин, О.

B. Вихрова, Ю. А. Данилов. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 2010. - Т. 36, вып. 11. - С. 46-53.

173. Ферромагнитное воздействие 5-<Мп>-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме / С. В. Зайцев, М. В. Дорохин, А. С. Бричкин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков,

B. Д. Кулаковский. - Текст : непосредственный // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 10. - С. 730-735.

174. Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostructures / M. A. G. Balanta, M. J. S. P. Brasil, F. Iikawa, U. C. Mendes, J. A. Brum, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov. - Text : unmediated // Scientific Reports. - 2016. - Vol. 6. - Р. 24537. https://doi.org/10.1038/srep24537

175. Фотоотражение структур GaAs с дельта<Mn>-легированным слоем / О.

C. Комков, Р. В. Докичев, А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 2013. - Т. 39, вып. 22. - С. 56-63.

176. Photoreflectance measurements on Si 5-doped GaAs samples grown by molecular-beam epitaxy / A. A. Bernussi, F. Iikawa, P. Motisuke, P. Basmaji, Li M. Siu, O. Hipolito. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 67, Issue 90. - Р. 4149-4151. http://dx.doi.org/10.1063/L344976

177. Photoreflection study on the surface electric field of delta-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy / D. G. Liu, K. H. Chang, C. P. Lee, T. M. Hsu, Y. C. Tien. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 72, Issue 4. -Р. 1468-1472. https://doi.org/10.1063/L351710

178. Hsu, T. M. Franz-Keldysh oscillations of 5-doped GaAs / T. M. Hsu, Y. C. Tien, N. H. Lu. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 72, Issue 3. - Р. 1065. https://doi.org/10.1063/1.351780

179. Elucidation of photoreflectance mechanisms by phase resolution spectroscopy: application to delta-doped GaAs / V. L. Alperovich, A. S. Yaroshevich, H. E. Scheibler, A. S. Terekhov. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (b) Basic Solid State Physics. - 1993. - Vol. 175, Issue 1. - Р. K35. https://doi.org/10.1002/pssb.2221750135

180. Terahertz radiation from delta-doped GaAs / D. Birkedal, O. Hansen, C.B. Sorensen, K. Jarasiunas, S. D. Brorson, S. R. Keiding. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1994. - Vol. 65, Issue 1. - Р. 79-81. https://doi.org/10.1063/1.113080

181. Terahertz detection with 5-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells / D. Seliuta, B. Chechavius, J. Kavaliauskas, G. Krivaite, I. Grigelionis, S. Balakauskas, G. Valusis, B. Sherliker, M. P. Halsall, M. Lachab, S. P. Khanna, P. Harrison, E. H. Lin-field. - Text : unmediated // Acta Physica Polonica A. - 2008. - Vol. 113, No. 3. -Р. 909-912. https://doi.org/10.12693/APhysPolA.113.909

182. Фотоотражение от дельта-легированных слоев GaAs / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. В. Бугаков, Т. П. Колмакова, А. В. Червяков. - Текст : непосредственный // Неорганические материалы. - 2011. - Т. 47, № 5. - С. 517-520.

183. Nazmul, A. M. MBE growth, structural, and transport properties of Mn 5-doped GaAs layers / A. M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 2003. - Vol. 251, Issue 1-4. - Р. 303-310. http: //dx.doi. org/10.1016/S0022-0248(02)02274-1

184. High temperature ferromagnetism in GaAs-based heterostructures with Mn 5 doping / A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. - Text : unmediated // Physical Review Letters. - 2005. - Vol. 95. - Р. 017201. http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.95.017201

185. Применение лазерного распыления для получения полупроводниковых наногетероструктур / Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Е. С. Демидов, П. Б. Дёмина, М. В. Дорохин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Подольский, М. В. Сапожни-

ков. - Текст : непосредственный // Оптический журнал. - 2008. - Т. 75, № 6. - С. 56-61.

186. Manganese distribution and galvanomagnetic properties of delta-doped GaAs structures / Yu. A. Danilov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentieva, V. S. Dunaev. - Text : unmediated // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. - 2012. - Vol. 1, No. 1. - Р. 82-84. https://doi.org/10.1166/ism.2012.1015

187. Комков, О. С. Бесконтактная характеризация дельта-слоёв марганца и углерода в арсениде галлия / О. С. Комков, А. В. Кудрин. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2017. - Т. 51, вып. 11. - С. 14731479. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45093.07

188. Thermal activation energy of manganese acceptors in gallium arsenide as a function of impurity spacing / J. S. Blakemore, W. J. Brown, M. L. Stass, D. A. Woodbury. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1973. - Vol. 44, Issue 7. -Р. 3352. https://doi.org/10.1063/1.1662760

189. Ilegems, M. Optical and electrical properties of Mn-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy / M. Ilegems, R. Dingle, L. W. Rupp Jr. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1975. - Vol. 46, Issue 7. - Р. 3059. https://doi.org/10.1063/1.321998

190. Идентификация многокомпонентной природы ^-спектров фотоотражения на среднелегированных подложках GaAs / Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрай-бер, С. Хильдебрандт. - Текст : непосредственный // Физика твёрдого тела. -1997. - Т. 39, № 12. - С. 2123-2129.

191. Фазочувствительный анализ спектров фотоотражений «-GaAs / А. В. Ганжа, В. Кирхер, Р. В. Кузьменко, Й. Шрайбер, Ш. Хидьдебрандт. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, № 3. - С. 272-277.

192. Кузьменко, Р. В. Идентификация электронно-оптических переходов в области примесных состояний в ^-спектрах фотоотражения GaAs / Р. В. Кузь-

менко, Э. П. Домашевская. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 3. - С. 278-281.

193. Tyurin, I. D. Phase-sensitive photoreflectance investigation of InGaAs/GaAs quantum well structures / I. D. Tyurin, O. S. Komkov. - Text : unmediat-ed // Proc. EIConRusNW 2016, Saint Petersburg, Russia, 2-3 Feb. 2016. - Saint Petersburg : IEEE, 2016. - P. 97-99. https://doi.org/10.1109/EIConRusNW.2016.7448129

194. Unified defect model and beyond / W. E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C. Y. Su. - Text : unmediated // J. of Vacuum Science and Technology. - 1980. - Vol. 17, Issue 5. - Р. 1019. https://doi.org/10.1116/1.570583

195. Шайблер, Г. Э. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоёв GaAs методом спектроскопии фотоотражения : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Шайблер Генрих Эрнстович ; Институт физики полупроводников Сибирское отделение Российская академия наук. - Новосибирск, 2001. - 56 с. - Текст : непосредственный.

196. Пихтин, А. Н. Оптические явления в полупроводниковых твёрдых растворах : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Пихтин Александр Николаевич ; Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина). - Ленинград, 1978. - 421 с. - Текст : непосредственный.

197. Высоковольтные р-п-переходы в кристаллах GaxAl1-xAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Д. Н. Третьяков, В. М. Тучкевич. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т. 1, вып. 10. - С. 1579. (High-voltage p-n junctions in GaxAl1-xAs crystals / Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. I. Korol'kov, D. N. Tret'yakov, V. M. Tuchkevich. - Text : unmediated // Soviet Physics Semiconductors. - 1968. - Vol. 1, Issue 10. - Р. 1313).

198. Rupprecht, H. Efficient visible electroluminescence at 300°K from GaxAl1-xAs p-n junctions grown by liquid-phase epitaxy / H. Rupprecht, J. M. Woodall, G. D. Pettit. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1967. - Vol. 11, Issue 3. -Р. 81. https://doi.org/10.1063/U755045

199. Photoreflectance, absorption, and nuclear resonance reaction studies of AlxGa1-xAs grown by molecular-beam epitaxy / D. Huang, G. Ji, U. K. Reddy, H. Morko?, F. Xiong, T. A. Tombrello. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics.

- 1988. - Vol. 63, Issue 11. - Р. 5447. https://doi.org/10.1063/1.340366

200. Коняев, М. В. Исследование гетеропереходов и квантово-размерных структур методом фотоотражения : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Коняев Михаил Викторович; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург, 1995. - 160 с. - Текст : непосредственный.

201. Алфёров, Ж. И. AlGaAs-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 1986. - Т. 12, № 18. - С. 1089.

202. Photoreflectance from GaAs and GaAs/GaAs interfaces / M. Sydor, J. Angelo, J. J. Wilson, W. C. Mitchel, M. Y. Yen. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1989.

- Vol. 40, Issue 12. - Р. 8473. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.40.8473

203. Photoluminescence of AlxGa1-xAs near the Г-X crossover / G. Oelgart, R. Schwaber, M. Heider, B. Jacobs. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 1987. - Vol. 2, No. 7. - Р. 468. https://doi.org/10.1088/0268-1242/2/7/015

204. Sitarek, P. Photoreflectance investigations of AlxGa1-xAs/GaAs band-gap dependence on Al content / P. Sitarek, J. Misiewicz, E. Veje. - Text : unmediated // Proceedings of SPIE. - 1999. - Vol. 3725. - Р. 205. https://doi.org/10.1117/12.344735

205. Allali, M. El. Experimental determination of the GaAs and (AIGa)As bandgap energy dependence on temperature and aluminum mole fraction in the direct band-

gap region / M. El Allali, C. B. Sorensen, E. Veje, P. Tidemand-Petersson. - Text : un-mediated // Physical Review B. - 1993. - Vol. 48, Issue 7. - P. 4398. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.4398

206. Structural optimization and temperature-dependent electrical characterization of GaAs single-junction solar cells / I. S. Han, J. S. Kim, S. K. Noh, S. J. Lee. -Text : unmediated // Journal of the Korean Physical Society. - 2020. - Vol. 76. -P. 1096. https://doi.org/10.3938/jkps.76.1096

207. Photoreflectance of GaAs and Ga0.82Al0.18As at elevated temperatures up to 600 °C / H. Shen, S. H. Pan, Z. Hang, J. Leng, F. H. Pollak, J. M. Woodall, R. N. Sacks. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1988. - Vol. 53, Issue 12. - P. 1080. https://doi.org/10.1063/L100027

208. Temperature dependence of the direct band gap of InxGa1-xAs (x = 0.06 and 0.15) / Z. Hang, D. Yan, F. H. Pollak, G. D. Pettit, J. M. Woodall. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1991. - Vol. 44, Issue 19. - P. 10546. https://doi.org/10.1103/physrevb.44.10546

209. Band-gap determination by photoreflectance of InGaAs and InAlAs lattice matched to InP / D. K. Gaskill, N. Bottka, L. Aina, M. Mattingly. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1990. - Vol. 56, Issue 13. - P. 1269. https://doi.org/10.1063/L102533

210. Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters (Review) / S. V. Ivanov, M. Yu. Chernov, V. A. Solov'ev, P. N. Brunkov, D. D. Firsov, O. S. Komkov. - Text : unmediated // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 2019. - Vol. 65, Issue 1. -P. 20-35. https://doi.org/10.1016/ipcrvsgrow.2018.12.001

211. Characterization of In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic heterostructures for mid-IR emitters by FTIR photoreflectance spectroscopy / D. D. Firsov, M. Yu. Chernov, V. A. Solov'ev, O. S. Komkov. - Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2021. - Vol. 2086. - P. 012140. https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012140

212. Effectiveness of non-linear graded buffers for In(Ga,Al)As metamorphic layers grown on GaAs (001) / H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. Jeon. - Text : unmediat-ed // Journal of Crystal Growth. - 2009. - Vol. 311, Issue 4. - Р. 1091. https://doi.org/10.1016/i.icrysgro.2008.10.116

213. Room-temperature photoreflectance characterization of InAlAs/InGaAs heterojunction bipolar transistor structure including two-dimensional electron gas / Y.

H. Chen, K. T. Hsu, K. L. Chen, H. H. Lin, G. J. Jan. - Text : unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1994. - Vol. 33, No. 5R. - Р. 2448. https://doi.org/10.1143/JJAP.33.2448

214. The rc-rv transition energies of AlxIn1-xP alloys / Y. Ishitani, H. Hamada, Sh. Minagawa, H. Yaguchi, Y. Shiraki. - Text : unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 36, No. 11R. - Р. 6607. https://doi.org/10.1143/JJAP.36.6607

215. Interband optical properties of molecular-beam epitaxially grown GaAs1-xSbx on GaAs substrates / R. Ferrini, M. Geddo, G. Guizzetti, M. Patrini, S. Franchi, C. Bocchi, F. Germini, A. Baraldi, R. Magnanini. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1999. - Vol. 86, Issue 8. - Р. 4706. https://doi.org/10.1063/L371426

216. Radiative recombination mechanisms in GaAsP diodes with and without nitrogen doping / M. G. Craford, R. W. Shaw, A. H. Herzog, W. O. Groves. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1972. - Vol. 43, Issue 10. - Р. 4075. https://doi.org/10.1063/L1660876

217. Bugajski, M. Energy bands of ternary alloy semiconductors: Coherent-potential-approximation calculations / M. Bugajski, A. M. Kontkiewicz, H. Mariette. -Text : unmediated // Physical Review B. - 1983. - Vol. 28, Issue 12. - Р. 7105. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.28.7105

218. A systematic methodology for the analysis of multicomponent photoreflectance spectra applied to GaAsBi/GaAs structure / I. Guizani, H. Fitouri,

I. Zaied, A. Rebey. - Текст : непосредственный // Физика твёрдого тела. - 2020. -Т. 62, вып. 6. - С. 941. http://dx.doi.org/10.1134/S1063783420060086

219. Photoreflectance study of the energy gap and spin-orbit splitting in InNAs alloys / R. Kudrawiec, J. Misiewicz, Q. Zhuang, A. M. R. Godenir, A. Krier. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 94, Issue 15. - P. 151902. https://doi.org/10.1063/L3117239

220. Photoreflectance, photoluminescence, and microphotoluminescence study of optical transitions between delocalized and localized states in GaN0.02As0.98, Ga0.95In0.05N0.02As0.98, and GaN0.02As0.90Sb0.08 layers / R. Kudrawiec, M. Latkowska, M. Baranowski, J. Misiewicz, L. H. Li, J. C. Harmand. - Text : unmediated // Physical Review B. - 2013. - Vol. 88, Issue 12. - P. 125201. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.125201

221. Temperature-dependent study of GaAs1_x_yNxBiy alloys for band-gap engineering: Photoreflectance and k-p modeling / W. Zuraw, W. M. Linhart, J. Occena, T. Jen, J. W. Mitchell, R. S. Goldman, R. Kudrawiec. - Text : unmediated // Applied Physics Express. - 2020. - Vol. 13, No. 9. - P. 091005. https://doi.org/10.35848/1882-0786/abb286

222. Band anticrossing in GaInNAs alloys / W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz. - Text : unmediated // Physical Review Letters. - 1999. - Vol. 82, Issue 6. - P. 1221. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.82.1221

223. Kudrawiec, R. Electromodulation spectroscopy of highly mismatched alloys / R. Kudrawiec, W. Walukiewicz. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2019. - Vol. 126, Issue 14. - P. 141102. https://doi.org/10.1063/L5111965

224. Bandgap bowing in InSbi-xNx investigated with a new Fourier transform modulated spectroscopy technique for the mid-infrared / M. Merrick, T. J. C. Hosea, B. N. Murdin, T. Ashley, L. Buckle, T. Burke. - Text : unmediated // AIP Conference Proceedings. - 2005. - Vol. 772, Issue 1. - P. 295. https://doi.org/10.1063/L1994107

225. Lindsay, A. Theory of enhanced bandgap non-parabolicity in GaNxAsi-x and related alloys / A. Lindsay, E. P. O'Reilly. - Text : unmediated // Solid State Communications. - 1999. - Vol. 112, Issue 8. - P. 443-447. https://doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00361-0

226. Band gap reduction in InNxSbi_x alloys: Optical absorption, kp modeling, and density functional theory / W. M. Linhart, M. K. Rajpalke, J. Buckeridge, P. A. E. Murgatroyd, J. J. Bomphrey, J. Alaria, C. R. A. Catlow, D. O. Scanlon, M. J. Ashwin, T. D. Veal. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2016. - Vol. 109, Issue 13. - Р. 132104. https://doi.org/10.1063/1.4963836

227. Midinfrared photoreflectance study of InAs-rich InAsSb and GaInAsPSb indicating negligible bowing for the spin orbit splitting energy / S. A. Cripps, T. J. C. Ho-sea, A. Krier, V. Smirnov, P. J. Batty, Q. D. Zhuang, H. H. Lin, P.-W. Liu, G. Tsai. -Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2007. - Vol. 90, Issue 17. - Р. 172106. https://doi.org/10.1063/L2728752

228. Wei, S. Negative spin-orbit bowing in semiconductor alloys / S. Wei, A. Zunger. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1989. - Vol. 39, Issue 9. - Р. 6279. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.6279

229. Determination of the fundamental and spin-orbit-splitting band gap energies of InAsSb-based ternary and pentenary alloys using mid-infrared photoreflectance / S. A. Cripps, T. J. C. Hosea, A. Krier, V. Smirnov, P. J. Batty, Q. D. Zhuang, H. H. Lin, P.-W. Liu, G. Tsai. - Text : unmediated // Thin Solid Films. - 2008. - Vol. 516, Issue 22. - Р. 8049-8058. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.04.012

230. The spin-orbit splitting band in InGaAsSb alloys lattice-matched to InAs / M. Motyka, M. Dyksik, F. Janiak, K. D. Moiseev, J. Misiewicz. - Text : unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2014. - Vol. 47, No. 28. - Р. 285102. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/28/285102

231. Temperature dependence of the energy gap and spin-orbit splitting in a narrow-gap InGaAsSb solid solution / M. Motyka, F. Janiak, G. Sçk, J. Misiewicz, K. D. Moiseev. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2012. Vol. 100, Issue 21. -Р. 211906. https://doi.org/10.1063/L4720515

232. Филачёв, А. М. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды : учебное пособие / А. М. Филачёв, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. - Москва : Физмат-книга, 2011. - 448 с. - ISBN 978-5-89155-203-6. - Текст : непосредственный.

233. Photoreflectance study of N- and Sb-related modifications of the energy gap and spin-orbit splitting in InNAsSb alloys / R. Kudrawiec, M. Latkowska, J. Misiewicz, Q. Zhuang, A. M. R. Godenir, A. Krier. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. -2011. - Vol. 99, Issue 1. - Р. 011904. https://doi.org/10.1063/1.3607479

234. FTIR photoreflectance of narrow-gap heterostructures based on AlxIn1-xSb alloys / D. D. Firsov, O. S. Komkov, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, S. V. Ivanov. -Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2017. - Vol. 917, Issue 6. - Р. 062025. https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/6/062025

235. High-mobility electron systems in remotely-doped InSb quantum wells / K. J. Goldammer, S. J. Chung, W. K. Liu1, M. B. Santos, J. L. Hicks, S. Raymond, S. Q. Murphy. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 1999. - Vol. 201-202. -Р. 753-756. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01526-7

236. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb / А. Н. Семёнов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьёв, Т. А. Комиссарова, А. А. Ситникова, Д. А. Кириленко, А. М. Надточий, Т. В. Попова, П. С. Копьёв, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный / Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1379-1385.

237. Molecular beam epitaxy growth and optical characterization of AlxIn1-xSb/GaAs heterostructures / О. S. Komkov, D. D. Firsov, A. N. Pikhtin, A. N. Semenov, B. Ya. Meltser, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // AIP Conference Proceedings. - 2011. - Vol. 1416, Issue 1. - Р. 184-187. https://doi.org/10.1063/1.3671730

238. Оптические свойства эпитаксиальных слоёв твёрдых растворов AlxIn1-xSb / О. С. Комков, А. Н. Семёнов, Д. Д. Фирсов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьёв, Т. В. Попова, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1481-1485.

239. Adachi, S. Properties of semiconductor alloys. Group-IV, III-V and II-VI semiconductors : Monograph / S. Adachi. - New York : Wiley, 2009. - ISBN 978-0470-74369-0. - Text : unmediated.

240. Electroreflectance spectra of AlxIn1-xSb alloys / S. Isomura, F. G. D. Prat, J. C. Woolley. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (b) Basic Solid State Physics. - 1974. - Vol. 65, Issue 1. - Р. 213-219. https://doi.org/10.1002/pssb.2220650119

241. Determination of the concentration and temperature dependence of the fundamental energy gap in AlxIn1-xSb / N. Dai, F. Brown, R. E. Dozeema, S. J. Chung, K. J. Goldammer, M. B. Santos. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 1998. - Vol. 73, Issue 21. - Р. 3132. https://doi.org/10.1063/1.122696

242. Матричные фотоприёмные устройства инфракрасного диапазона : монография / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров, В. В. Базовкин ; СО РАН. Институт физики полупроводников; отв. ред. С. П. Синица. - Новосибирск : Наука, 2001. - 375 с. - Текст : непосредственный.

243. Ковалевская, Т. Е. О распределении потенциала в тонких слоях CdHgTe с варизонными областями / Т. Е. Ковалевская, В. Н. Овсюк. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2004. - Т. 40, № 4. - С. 57-69.

244. Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов кадмий-ртуть-теллур на «альтернативных» подложках / Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, И. В. Сабинина. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35, вып. 9. - С. 10921101.

245. Якушев, М. В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твёрдых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : специальность 01.04.10 «Физика полупроводников» : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Якушев Максим Витальевич ; Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2011. - 251 с. - Текст : непосредственный.

246. Метод эллипсометрии в технологии синтеза соединений кадмий-ртуть-теллур / К. К. Свиташев, В. А. Швец, А. С. Мардежов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Е. В. Спесивцев, С. В. Рыхлицкий, С. И. Чикичев, Д. Н. Придачин. -Текст : непосредственный // Автометрия. - 1996. - №. 4. - С. 100.

247. Овсюк, В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда: монография / В. Н. Овсюк. - Новосибирск : Наука, 1984. - 253 с. - Текст : непосредственный.

248. Комков, О. С. Расчёт полупроводниковых гетеропереходов: учебно-методическое пособие / О. С. Комков ; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2018. - 52 с. - ISBN 978-5-7629-2292-0. -Текст : непосредственный.

249. Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин, А. И. Ижнин, В. Д. Гольдин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин. - Текст : непосредственный // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55.

250. Hansen, G. L. Energy gap versus alloy composition and temperature in Hg1-xCdxTe / G. L. Hansen, J. L. Schmidt, T. N. Casselman. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 1982. - Vol. 53, Issue 10. - Р. 7099. https://doi.org/10.1063/L330018

251. Rogalski, A. HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook / A. Rogalski. - Text : unmediated // Reports on Progress in Physics. - 2005. - Vol. 68, No. 10. - Р. 2267-2336. https://doi.org/10.1088/0034-4885/68/10/R01

252. Impurity levels and bandedge electronic structure in as-grown arsenic-doped HgCdTe by infrared photoreflectance spectroscopy / J. Shao, X. Lu, Sh. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. - Text : unmediated // Physical Review B. - 2009. -Vol. 80, Issue 15. - Р. 155125. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.155125

253. Optical spectroscopy of excited exciton states in MoS2 monolayers in van der Waals heterostructures / C. Robert, M. A. Semina, F. Cadiz, M. Manca, E. Courtade, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Cai, S. Tongay, B. Lassagne, P. Renucci, T. Amand, X. Marie,

M. M. Glazov, B. Urbaszek. - Text : unmediated // Physical Review Materials. - 2018. -Vol. 2, Issue 1. - Р. 011001(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.011001

254. Hosea, T. J. C. Estimating critical-point parameters from Kramers-Kronig transformation of modulated reflectance spectra / T. J. C. Hosea. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (b) Basic Solid State Physics. - 1994. - Vol. 182. Issue 1. -P. K43-K47. https://doi.org/10.1002/pssb.2221820135

255. Evans, B. L. Optical absorption and dispersion in molybdenum disulphide /

B. L. Evans, P. A. Young. - Text : unmediated // Proceedings of the Royal Society of London. - 1965. - Vol. 284, Issue 1398. - Р. 402-422. https://doi.org/10.1098/rspa.1965.0071

256. Saigal, N. H-point exciton transitions in bulk MoS2 / N. Saigal, S. Ghosh. -Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2015. - Vol. 106, Issue 18. - Р. 182103. https://doi.org/10.1063/L4920986

257. Kasowski, R. V. Band structure of MoS2 and NbS2 / R. V. Kasowski. -Text : unmediated // Physical Review Letters. - 1973. - Vol. 30, Issue 23. - Р. 1175. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.30.1175

258. Saigal, N. Exciton binding energy in bulk MoS2: A reassessment / N. Saigal, V. Sugunakar, S. Ghosh. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2016. - Vol. 108 Issue 13. - Р. 132105. https://doi.org/10.1063/L4945047

259. Хахулин, С. А. Исследование ван-дер-ваальсовых кристаллов GaSe и GaSxSei-x методом фотоотражения / С. А. Хахулин, К. А. Кох, О. С. Комков. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, вып. 4. -

C. 426-431. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.04.52198.9778

260. Tang, Q. Graphene-analogous low-dimensional materials / Q. Tang, A. A. Zhou. - Text : unmediated // Progress in Materials Science. - 2013. - Vol. 58, Issue 8. -Р. 1244-1315. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2013.04.003

261. Quest for p-type two-dimensional semiconductors / Q. He, Y. Liu, C. Tan, W. Zhai, G. H. Nam, H. Zhang. - Text : unmediated // ACS Nano. - 2019. - Vol. 13, Issue 11. - Р. 12294-12300. https://doi.org/10.1021/acsnano.9b07618

262. Wang, Y. Modulation of photocarrier relaxation dynamics in two-dimensional semiconductors / Y. Wang, Z. Nie, F. Wang. - Text : unmediated // Light Science & Applications. - 2020. - Vol. 9. - P. 192. https://doi.org/10.1038/s41377-020-00430-4

263. Transfer of large-scale two-dimensional semiconductors: challenges and developments / A. J. Watson, W. Lu, M. Guimaraes, M. Stöhr. - Text : unmediated // 2D Materials. - 2021. - Vol. 8, No 3. - P. 032001. https://doi.org/10.1088/2053-1583/abf234

264. Nayeri, M. The transport and optical sensing properties of MoS2, MoSe2, WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides / M. Nayeri, M. Moradinasab, M. Fathipour. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 2018. - Vol. 33, No. 2. - P. 025002. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaa168

265. Structural characterization of pure and doped GaSe by nonlinear optical method / Yu. M. Andreev, K. A. Kokh, G. V. Lanskii, A. N. Morozov. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 2011. - Vol. 318, Issue 1. - P. 1164-1166. https://doi.org/10.1016/i.icrysgro.2010.10.194

266. Synthesis of few-layer GaSe nanosheets for high performance photodetectors / P. A. Hu, Zh. Wen, L. Wang, P. Tan, K. Xiao. - Text : unmediated // ACS Nano. - 2012. - Vol. 6, Issue 7. - P. 5988-5994. https://doi.org/10.1021/nn300889c

267. Strong enhancement of photoresponsivity with shrinking the electrodes spacing in few layer GaSe photodetectors / Y. Cao, K. Cai, P. Hu, L. Zhao, T. Yan, W. Luo, X. Zhang, X. Wu, K. Wang, H. Zheng. - Text : unmediated // Scientific reports. -2015. - Vol. 5. - P. 8130. https://doi.org/10.1038/srep08130

268. GaS and GaSe ultrathin layer transistors / D. J. Late, B. Liu, J. Luo, A. Yan, H. R. Matte, M. Grayson, C. N. R. Rao, V. P. Dravid. - Text : unmediated // Advanced Materials. - 2012. - Vol. 24, Issue 26. - P. 3549-3576. https://doi.org/10.1002/adma.201201361

269. Meyer, F. Ellipsometric determination of the optical anisotropy of gallium selenide / F. Meyer, E. E. De Kluizenaar, D. den Engelsen. - Text : unmediated // Journal of the Optical Society of America. - 1973. - Vol. 63, Issue 5. - P. 529-532. https://doi.org/10.1364/JOSA.63.000529

270. Investigation of second-and third-harmonic generation in few-layer gallium selenide by multiphoton microscopy / L. Karvonen, A. Säynätjoki, S. Mehravar, R. D. Rodriguez, S. Hartmann, D. R. T. Zahn, S. Honkanen, R. A. Norwood, N. Peyghambarian, K. Kieu, H. Lipsanen, J. Riikonen. - Text : unmediated // Scientific reports. - 2015. - Vol. 5. - P. 10334. https://doi.org/10.1038/srep10334

271. Large-Area Growth and Stability of Monolayer Gallium Monochalcogenides for Optoelectronic Devices / T. Afaneh, A. Fryer, Y. Xin, R. H. Hyde, N. Kapuruge, H. R. Gutierrez. - Text : unmediated // ACS Applied Nano Materials. - 2020. - Vol. 3, Issue 8. - P. 7879-7887. https ://doi.org/10.1021 /acsanm.0c01369

272. Synthesis and emerging properties of 2D layered III-VI metal chalcogenides / H. Cai, Y. Gu, Y.-Ch. Lin, Y. Yu, D. B. Geohegan, K. Xiao. - Text : unmediated // Applied Physics Reviews. - 2019. - Vol. 6, Issue 4. - P. 041312. https://doi.org/10.1063/L5123487

273. Phase diagram of the gallium selenium system and photoluminescence spectra of GaSe crystals / V. I. Shtanov, A. A. Komov, M. E. Tamm, D. V. Atrashenko, V. P. Zlomanov. - Text : unmediated // Doklady Chemistry. - 1998. Vol. 361, Issue 1-3. -P. 140.

274. Dislocations in AIIIBVI crystals / A. Rizzo, C. de Blasi, M. Catalano, P. Cavaliere. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. - 1988. - Vol. 105, Issue 1. - P. 101-112. https://doi.org/10.1002/pssa.2211050109

275. Dmitriev, V. G. Handbook for Nonlinear Optical Crystals : Textbook / V. G. Dmitriev, G. G. Gurzadyan, D. N. Nikogosyan. - 3-e ed. SSOS, Vol. 64. Heidelberg : Springer Berlin, 1999. - 414 p. - ISBN 978-3-540-65394-3. - Text : unmediated. https://doi.org/10.1007/978-3-540-46793-9

276. Absorption anisotropy in sulfur doped gallium selenide crystals studied by THz-TDS / J. F. Molloy, M. Naftaly, Y. Andreev, K. Kokh, G. Lanskii, V. Svetlichnyi. - Text : unmediated // Optical Materials Express. - 2014. - Vol. 4, Issue 11. - P. 24512459. https://doi.org/10.1364/OMEA002451

277. Growth and optical properties of solid solution crystals GaSei-xSx / K. A. Kokh, J. F. Molloy, M. Naftaly, Yu. M. Andreev, V. A. Svetlichnyi, G. V. Lanskii, I. N. Lapin, T. I. Izaak, A. E. Kokh. - Text : unmediated // Materials Chemistry and Physics. -2015. - Vol. 154. - P. 152-157. https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2015.01.058

278. Tellurium and sulphur doped GaSe for mid-IR applications / Z. Feng, J. Guo, Z. Kang, Y. Jiang, J. Gao, J. Xie, L. Zhang, V. Atuchin, Y. Andreev, G. Lanskii, A. Shaiduko. - Text : unmediated // Applied Physics B. - 2012. - Vol. 108, Issue 3. -P. 545-552. https://doi.org/10.1007/s00340-012-5067-9

279. Limiting pump intensity for sulfur-doped gallium selenide crystals / J. Guo, D.-J. Li, J.-J. Xie, L.-M. Zhang, Z.-S. Feng, YuM. Andreev, K. A. Kokh, G. V. Lanskii, A. I. Potekaev, A. V. Shaiduko, V. A. Svetlichnyi. - Text : unmediated // Laser Physics Letters. - 2014. - Vol. 11, Issue 5. - P. 055401. https://doi.org/10.1088/1612-2011/11/5/055401

280. Doped GaSe crystals for laser frequency conversion / J. Guo, J.-J. Xie, D.-J. Li, G.-L. Yang, F. Chen, Ch.-R. Wang, L.-M. Zhang, Y. M. Andreev, K. A. Kokh, G. V. Lanskii, V. A. Svetlichnyi. - Text : unmediated // Light: Science & Applications. - 2015. - Vol. 4. - P. e362. https://doi.org/10.1038/lsa.2015.135

281. Zelewski, S. J. Photoacoustic and modulated reflectance studies of indirect and direct band gap in van der Waals crystals / S. J. Zelewski, R. Kudrawiec. - Text : unmediated // Scientific Report. - 2017. - Vol. 7. - P. 15365. https://doi.org/10.1038/s41598-017-15763-1

282. Temperature dependence of optical energy gap of GaSe / M. Kepinska, Z. Kovalyuk, R. Murri, M. Nowak. - Text : unmediated // 3rd International Conference «Novel Applications of Wide Bandgap Layers» Abstract Book, Zakopane, Poland, 2630 June 2001. - Zakopane : IEEE, 2001. - P. 146. https://doi.org/10.1109/WBL.2001.946581

283. GaSe: A layer compound with anomalous valence band anisotropy / G. Ottaviani, C. Canali, F. Nava, Ph. Schmid, E. Mooser, R. Minder, I. Zschokke. - Text : unmediated // Solid State Communications. - 1974. - Vol. 14, Issue 10. - Р. 933-936. https://doi.org/10.1016/0038-1098(74)90396-2

284. Properties of gallium selenide doped with sulfur from melt and from gas phase / О. V. Voevodina, A. N. Morozov, S. Yu. Sarkisov, S. A. Bereznaya, Z. V. Korotchenko, D. E. Dikov. - Text : unmediated // Proc. The 9th Russian-Korean International Symposium on Science and Technology, KORUS 2005, Novosibirsk, Russia, 26 June-2 July 2005. - Novosibirsk : IEEE, 2005. - С. 551. https://doi.org/10.1109/K0RUS.2005.1507780

285. Properties of gallium selenide doped with sulfur / V. G. Voevodin, Sv. A. Bereznaya, Z. V. Korotchenko, A. N. Morozov, S. Yu. Sarkisov, N. C. Fernelius, J. T. Goldstein. - Text : unmediated // MRS Online Proceedings Library. - 2004. - Vol. 829. -Р. 443-450. https://doi.org/10.1557/PRQC-829-B9.3

286. Molecular beam epitaxy of layered group III metal chalcogenides on GaAs(001) substrates / S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Materials. - 2020. - Vol. 13, Issue 16. - Р. 3447. https://doi.org/10.3390/ma13163447

287. Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения / О. С. Комков, С. А. Хахулин, Д. Д. Фирсов, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, С. В. Сорокин. -Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2020. - Т. 54, вып. 10. - С. 1011-1017. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49936.9421

288. Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation / G. Liang, Y. Wang, L. Han, Z.-X. Yang, Q. Xin, Z. R. Kudrynskyi, Z. D. Kovalyuk, A. Patane, A. Song. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 2018. - Vol. 33. - Р. 06LT01. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aab62b.

289. Stable InSe transistors with high-field effect mobility for reliable nerve signal sensing / J. Jiang, J. Li, Yu. Li, J. Duan, L. Li, Y. Tian, Zh. Zong, H. Zheng, X. Feng, Q. Li, H. Liu, Y. Zhang, T.-L. Ren, L. Han. - Text : unmediated // npj 2D Materi-

als and Applications. - 2019. - Vol. 3. - Р. 29. https://doi.org/10.1038/s41699-019-0110-x.

290. High-performance two-dimensional InSe field-effect transistors with novel sandwiched ohmic contact for sub-10 nm nodes: a theoretical study / J. Zhu, J. Ning, D. Wang, J. Zhang, L. Guo and Y. Hao. - Text : unmediated // Nanoscale Research Letters. - 2019. - Vol. 14. - Р. 277. https://doi.org/10.1186/s11671-019-3106-8

291. Ferroelectric-gated InSe photodetectors with high on/off ratios and photoresponsivity / L. Liu, L. Wu, A. Wang, H. Liu, R. Ma, K. Wu, J. Chen, Zh. Zhou, Y. Tian, H. Yang, C. Shen, L. Bao, Zh. Qin, S.T. Pantelides, H.-J. Gao. - Text : unmediated // Nano Letters. - 2020. - Vol. 20, Issue 9. - Р. 6666-6673. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c02448

292. Indium selenides: structural characteristics, synthesis and their thermoelectric performances / G. Han, Z.-G. Chen, J. Drennan, J. Zou. - Text : unmediated // Small. -2014. - Vol. 10, Issue 14. - Р. 2747-2765. https://doi.org/10.1002/smll.201400104.

293. Structural investigation of InSe layered semiconductors / I. Grimaldi, T. Gerace, M. M. Pipita, I. D. Perrotta, F. Ciuchi, H. Berger, M. Papagno, M. Castriota, D. Pacilé. - Text : unmediated // Solid State Communications. - 2020. - Vol. 311. -Р. 113855. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113855.

294. s-InSe single crystals grown by a horizontal gradient freeze method / M. Sun, W. Wang, Q. Zhao, X. Gan, Y. Sun, W. Jie, T. Wang. - Text : unmediated // CrystEngComm. - 2020. - Vol. 22, Issue 45. - Р. 7864-7869. https://doi.org/10.1039/D0CE01271H.

295. Phase identification and strong second harmonic generation in pure s-InSe and its alloys / Q. Hao, H. Yi, H. Su, B. Wei, Z. Wang, Z. Lao, Y. Chai, Z. Wang, C. Jin, J. Dai, W. Zhang. - Text : unmediated // Nano Letters. - 2019. - Vol. 19, Issue 4. -Р. 2634-2640. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b00487.

296. Ultrafast electron dynamics reveal the high potential of InSe for hot-carrier optoelectronics / Z. Chen, C. Giorgetti, J. Sjakste, R. Cabouat, V. Véniard, Z. Zhang, A. Taleb-Ibrahimi, E. Papalazarou, M. Marsi, A. Shukla, J. Peretti, L. Perfetti. - Text : un-

mediated // Physical Review B. - 2018. - Vol. 97, Issue 24. - P. 241201(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.241201.

297. Evolution of the electronic band structure and efficient photo-detection in atomic layers of InSe / S. Lei, L. Ge, S. Najmaei, A. George, R Kappera, J. Lou, M. Chhowalla, H. Yamaguchi, G. Gupta, R. Vajtai, A. D. Mohite, P. M. Ajayan. - Text : unmediated // ACS Nano. - 2014. - Vol. 8, Issue 2. - P. 1263-1272. https://doi.org/10.1021/nn405036u

298. Effect of surface morphology on macroscale and microscale optical properties of layered InSe grown by molecular beam epitaxy / P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. D. Firsov, O. S. Komkov, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, V. Yu. Davydov S. V. Sorokin. - Text : unmediated // Journal of the Optical Society of America B. - 2021. - Vol. 38, Issue 9. - P. 2579-2586. https://doi.org/10.1364/J0SAB.433061

299. Optical and photovoltaic properties of indium selenide thin films prepared by van der Waals epitaxy / J. F. Sánchez-Royo, A. Segura, O. Lang, E. Schaar, C. Pettenkofer, W. Jaegermann, L. Roa, A. Chevy. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. -2011. - Vol. 90, Issue 6. - P. 2818-2823. https://doi.org/10.1063/1.1389479

300. Ho, C.-H. Thickness-dependent carrier transport and optically enhanced transconductance gain in III-VI multilayer InSe / C.-H. Ho. - Text : unmediated // 2D Materials. - 2016. - Vol. 3, No. 2. - P. 025019. https://doi.org/10.1088/2053-1583/3/2/025019

301. Excitonic absorption edge of indium selenide / J. Camassel, P. Merle, H. Mathieu, A. Chevy. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1978. - Vol. 17, Issue 12. - P. 4718-4725. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.17.4718

302. Growth and temperature dependence of optical properties of Er doped and undoped «-Type InSe / B. Gürbulak, M. Yildirim, A. Ates, S. Dogan, Y. K. Yogurt?u. -Text : unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1999. - Vol. 38, No. 9R. -P. 5133-5136. https://doi.org/10.1143/JJAP.38.5133

303. InSe as a case between 3D and 2D layered crystals for excitons / T. V. Shubina, W. Desrat, M. Moret, A. Tiberj, O. Briot, V. Yu. Davydov, A. V. Platonov,

M. A. Semina, B. Gil. - Text : unmediated // Nature Communications. - 2019. - Vol. 10. - P. 3479. https://doi.org/10.1038/s41467-019-11487-0.

304. Isik, M. Temperature-tuned band gap characteristics of InSe layered semiconductor single crystals / M. Isik, N. M. Gasanly. - Text : unmediated // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2020. - Vol. 107. - P. 104862. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104862

305. Ma, W. Electrical properties and reduced Debye temperature of polycrystal-line thin gold films / W. Ma, X. Zhang, K. Takahashi. - Text : unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2010. - Vol. 43, No. 46. - P. 465301. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/46/465301

306. Wu, Zh. Spectroscopic investigation of defects in two-dimensional materials / Zh. Wu, Zh. Ni. - Text : unmediated // Nanophotonics. - 2017. - Vol. 6, Issue 6. -P. 1219-1237. https://doi.org/10.1515/nanoph-2016-0151

307. The influence of chemical reactivity of surface defects on ambient-stable InSe-based nanodevices / A. Politano, G. Chiarello, R. Samnakay, G. Liu, B. Gurbulak, S. Duman, A. A. Balandin, D. W. Boukhvalov. - Text : unmediated // Nanoscale. - 2016. -Vol. 8, Issue 16. - P. 8474-8879. https://doi.org/10.1039/C6NR01262K

308. Engineering p-n junctions and bandgap tuning of InSe nanolayers by controlled oxidation / N. Balakrishnan, Z. R. Kudrynskyi, E. F. Smith, M. W. Fay, O. Makarovsky, Z. D. Kovalyuk, L. Eaves, P. H. Beton, A. Patane. - Text : unmediated // 2D Materials. - 2017. - Vol. 4, No. 2. - P. 025043. https://doi.org/10.1088/2053-1583/aa61e0

309. Syntheses and bandgap alterations of MoS2 induced by stresses in graphene-platinum substrates / W. Wan, L. Chen, L. Zhan, Z. Zhu, Y. Zhou, T. Shih, S. Guo, J. Kanga, H. Huang, W. Cai. - Text : unmediated // Carbon. - 2018. - Vol. 131. - P. 2630. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2018.01.085

310. Substrate-induced strain in 2D layered GaSe materials grown by molecular beam epitaxy / C.-W. Liu, J.-J. Dai, S.-K. Wu, N.-Q. Diep, S.-H. Huynh, T. T. Mai, H.-C. Wen, C.-T. Yuan, W.-C. Chou, J.-L. Shen, H.-H. Luc. - Text : unmediated // Scientific Reports. - 2020. - Vol. 10. - P. 12972. https://doi.org/10.1038/s41598-020-69946-4

311. Largely tunable band structures of few-layer InSe by uniaxial strain / C. Song, F.-R. Fan, N. Xuan, S. Huang, G. Zhang, C. Wang, Z. Sun, H. Wu, H. Yan. -Text : unmediated // ACS Applied Materials & Interfaces. - 2018. - Vol. 10, Issue 4. -Р. 3994-4000. https://doi.org/10.1021/acsami.7b17247

312. Ultrasensitive tunability of the direct bandgap of 2D InSe flakes via strain engineering / Y. Li, T. Wang, M. Wu, T. Cao, Y. Chen, R. Sankar, R. K. Ulaganathan, F. Chou, C. Wetzel, C.-Y. Xu. - Text : unmediated // 2D Materials. - 2018. - Vol. 5, No. 2. - Р. 021002. https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaa6eb

313. Келдыш, Л. В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла / Л. В. Келдыш. - Текст : непосредственный // Физика твёрдого тела. -1962. - Т. 4, № 8. - С. 2265-2267.

314. Quantum cascade laser / J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, A. Y. Cho. - Text : unmediated // Science. - 1994. - Vol. 264, Issue 5158. -Р. 553-556. https://doi.org/10.1126/science.264.5158.553

315. Казаринов, Р. Ф. О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводнике со сверхрешётками / Р. Ф. Казаринов, Р. А. Сурис. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т. 5. - С. 797.

316. Leo, K. High-field transport in semiconductor superlattices : Textbook / K. Leo. - STMP, Vol. 187. - Heidelberg : Springer Berlin, 2003. - 242 р. - ISBN 9783-540-00569-8. - Text : unmediated.

317. Транспорт в сверхрешётках GaAs/AlxGa1-xAs с узкими запрещёнными минизонами: эффекты межминизонного туннелирования / А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 240-247.

318. Спектроскопия нелегированных сверхрешёток GaAs/AlGaAs / Д. С. Смотрин, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, О. С. Комков, О. Е. Гордюшенков. -Текст : непосредственный // Труды XVI Международного симпозиума «Нанофи-зика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г. - Нижний Новгород : Изд-во ИФМ РАН, 2012. - Т. 2. - С. 388-389.

319. Photoreflectance study of Al0.45Ga0.55As/GaAs superlattice: optical transitions at the miniband r and n points / M. Motyka, G. Sek, F. Janiak, K. Ryczko, J. Misiewicz, K. Koziel, M. Bugajski. - Text : unmediated // Optica Applicata. - 2009. -Vol. 39, Issue 4. - P. 897-902.

320. Determination of energy difference and width of minibands in GaAs/AlGaAs superlattices by using Fourier transform photoreflectance and photoluminescence / M. Motyka, F. Janiak, J. Misiewicz, M. Wasiak, K. Kosiel, M. Bugajski. -Text : unmediated // Opto-Electronics Review. - 2011. - Vol. 19, No. 2. - P 151-154. https://doi.org/10.2478/s11772-011-0021-7

321. Photoreflectance of GaAs doping superlattices / X. C. Shen, H. Dhen, P. Parayanthal, F. H. Pollak, J. N. Schulman, A. L. Smirl, R. A. McFarlane, I. D'Haenens. - Text : unmediated // Superlattices and Microstructures. - 1986. - Vol. 2, Issue 6. - P. 513-517. https://doi.org/10.1016/0749-6036(86)90107-2

322. Photoreflectance spectroscopy study of a strained-layer CdTe/ZnTe superlattice / D. Ferizovic, L. Peng, H. Sultana, P. Mukherjee, S. Witanachchi, M.C. Tamargo, M. Munoz. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2011. -Vol. 110, Issue 9. - P. 093703. https://doi.org/10.1063/L3657785

323. Tang, Y. S. Photoreflectance of InxGa1-xAs/GaAs strained-layer superlattices / Y. S. Tang. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 1989. - Vol. 4, No. 10. - P. 871. https://doi.org/10.1088/0268-1242/4/10/007

324. Optical properties of miniband formed in the InGaAs/GaAs quantum well solar cells by means of photoreflectance, photoluminescence, and photothermal spectroscopies / A. Fukuyama, K. Matsuochi, T. Nakamura, H. Takeda, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari. - Text : unmediated // 2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Toulouse, France, 9-12 Oct. 2016. - Toulouse : IEEE, 2016. - ISBN 978-1-5090-4353-8. https://doi.org/10.1109/NMDC.2016.7777105

325. Goryacheva, V. D. Investigation of GaAs/AlGaAs superlattice by photoreflectance method / V. D. Goryacheva, M. S. Mironova, O. S. Komkov. - Text :

unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Vol. 1038. - Р. 012124. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1038/1/012124

326. Комков, О. С. Полупроводниковые квантово-размерные структуры: учебное пособие / О. С. Комков ; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. - 74 с. - ISBN 978-5-7629-1981-4. -Текст : непосредственный.

327. Снижение пороговой плотности тока в GaAs-AlGaAs ДГС РО кванто-воразмерных лазерах (Jn = 52 А ■ см-2, T = 300 К) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешёткой с переменным шагом / Ж. И. Алфёров, А. И. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьёв, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мель-цер, В. М. Устинов. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. - 1988. - Т. 14, вып. 19. - С. 1803-1807.

328. Алфёров, Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетерострук-тур / Ж. И. Алфёров. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, № 1. - С. 3-18.

329. Effect of design and stress relaxation on structural, electronic, and luminescence properties of metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs mid-IR emitters with a superlattice waveguide / M. Yu. Chernov, V. A. Solov'ev, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. D. Andreev, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2020. - Vol. 127, Issue 12. - Р. 125706. https://doi.org/10.1063/L5144210

330. Enhanced room-temperature 3.5 цт photoluminescence in stress-balanced metamorphic In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs quantum wells / M. Y. Chernov, V. A. Solov'ev, O. S. Komkov, D. D. Firsov, B. Y. Meltser, M. A. Yagovkina, M. V. Baidakova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Applied Physics Express. - 2017. - Vol. 10, No. 12. - Р. 121201. https://doi.org/10.7567/APEX.10.121201

331. Андреев, А. Д. Метод слабой связи для расчёта спектра носителей в гете-роструктурах / А. Д. Андреев, Р. А. Сурис. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 1996. - Т. 30, вып. 3. - С. 520-535.

332. Andreev, A. D. Theory of the electronic structure of GaN/AlN hexagonal quantum dots / A. D. Andreev, E. P. O'Reilly. - Text : unmediated // Physical Review B. - 2000. - Vol. 62, Issue 23. - Р. 15851. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.15851

333. Бир, Г. Л. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках : монография / Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. - Москва : Наука, 1972. - 584 с. - Текст : непосредственный.

334. Bahder, T. B. Eight-band k-p model of strained zinc-blende crystals / T. B. Bahder. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1990. - Vol. 41, Issue 17. -Р. 11992. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.11992 [Erratum: Physical Review B. -1992. - Vol. 46, Issue 15. - Р. 9913].

335. Van de Walle, C. G. Band lineups and deformation potentials in the modelsolid theory / C. G. Van de Walle. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1989. -Vol. 39, Issue 3. - Р. 1871. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.1871

336. Room-temperature 3.9-4.3 ^m photoluminescence from InSb submonolayers grown by molecular beam epitaxy in an InAs matrix / V. A. Solov'ev, O. G. Lyublinskaya, A. N. Semenov, B. Y. Meltser, D. D. Solnyshkov, Y. V. Terent'ev, L. A. Prokopova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 86, Issue 1. - Р. 011109. https://doi.org/10.1063/L1844042

337. Bastard, G. Superlattice band structure in the envelope-function approximation / G. Bastard. - Text : unmediated // Physical Review B. - 1981. - Vol. 24, Issue 10. - Р. 5693. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.24.5693

338. Стимулированное излучение на длине волны 2,86 мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки / В. А. Соловьёв, М. Ю. Чернов, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, А. А. Ситникова, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2019. - Т. 110, № 5. - С. 297-302. https://doi.org/10.1134/S0370274X19170028

339. Pikhtin, A. N. Effect of electric field on the probability of optical transitions in InGaAs/GaAs quantum wells observed by photo- and electroreflectance methods / A. N.

Pikhtin, O. S. Komkov, F. Bugge. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. - 2005. - Vol. 202, Issue 7. - P. 1270-1274. https://doi.org/10.1002/pssa.200460912

340. Determination of band offsets in strained InxGa1-xAs/GaAs quantum wells by capacitance-voltage profiling and Schrodinger-Poisson self-consistent simulation / V. I. Zubkov, M. A. Melnik, A. V. Solomonov, E. O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. - Text : unmediated // Physical Review B. - 2004. - Vol. 70, Issue 7. -P. 075312. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.075312

341. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы : монография / А. В. Афанасьев, В. П. Афанасьев, Г. Ф. Глинский, С. И. Голоудина, А. С. Гудовских, Ю. А. Дёмин, А. С. Дронь, Т. М. Зимина, В. И. Зубков, С. В. Иванов, В. А. Ильин, А. З. Казак-Казакевич, В. А. Карасев, А. В. Корляков, Н. М. Коров-кина, А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, В. А. Мошников, М. Ф. Панов, В. М. Па-сюта, А. Н. Пихтин, А. Ю. Савенко, А. П. Сазанов, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, А. В. Соломонов, В. С. Сорокин, С. В. Сорокин, Ю. М. Таиров, О. А. Шилова ; под ред. В. В. Лучинина, Ю. М. Таирова. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 552 с. - ISBN 5-9221-0719-4. - Текст : непосредственный.

342. Lazarenkova, O. L. Simulation of photoreflectance and phototransmittance excitonic spectra applied to quantum well characterization / O. L. Lazarenkova, A. N. Pikhtin. - Text : unmediated // Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science. - 1999. - Vol. 175, Issue 1. - P. 51-56. https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X( 199909) 175:1<51: :AID-PSSA51 >3.0.C0;2-I

343. Electroreflectance studies of InGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells / J. Kavaliauskas, G. Krivaite, T. Lideikis, I. Simkiene, G. Treideris, U. Olin, M. Ottosson. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 1993. -Vol. 8, No. 10. - P. 1875-1880. https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/10/015

344. Influence of built-in electric field on forbidden transitions in InxGa1-xAs-GaAs double quantum well by three-beam photoreflectance / G. S<?k, K. Ryczko, J. Misiewicz, M. Bayer, T. Wang, A. Forchel. - Text : unmediated // Acta Physica Polonica A. - 2001. -Vol. 100, No. 3. - P. 417-424. https://doi.org/10.12693/APhysPolA.100.417

345. Breakdown of optical selection rules in a highly biased quantum well / T. Imai, M. Morifuji, C. Hamaguchi, P. Vogl, G. Böhm, G. Tränkle, G. Weimann. - Text : unmediated // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. - 2002. -Vol. 13, Issue 2-4. - P. 481-484. https://doi.org/10.1016/S1386-9477(02)00175-3

346. Gate-tunable high mobility remote-doped InSb/In1-xAlxSb quantum well heterostructures / W. Yi, A. A. Kiselev, J. Thorp, R. Noah, B. M. Nguyen, S. Bui, R. D. Rajavel, T., Hussain M. F. Gyure, P. Kratz, Q. Qian, M. J. Manfra, V. S. Pribiag, L. P. Kouwenhoven, Ch. M. Marcus, M. Sokolich. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2015. - Vol. 106, Issue 14. - P. 142103. https://doi.org/10.1063/L4917027

347. Nash, G. R. Efficiency droop in InSb/AlInSb quantum well light-emitting diodes / G. R. Nash, B. I. Mirza. - Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2013. - Vol. 102, Issue 1. - P. 011127. https://doi.org/10.1063/L4773182

348. Enhanced emission from mid-infrared AlInSb light-emitting diodes with p-type contact grid geometry / L. Meriggi, M. J. Steer, Y. Ding, I. G. Thayne, C. MacGregor, Ch. N. Ironside, M. Sorel. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2015. - Vol. 117, Issue 6. - P. 063101. https://doi.org/10.1063/L4905081

349. Terahertz photoresponse of AlInSb/InSb/AlInSb quantum well structures / F. Gouider, Yu. B. Vasilyev, M. Bugar, J. Könemann, P. D. Buckle, G. Nachtwei. -Text : unmediated // Physical Review B. - 2010. - Vol. 81, Issue 15. - P. 155304. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.155304

350. Electron transport lifetimes in InSb/Al1-xInxSb quantum well 2DEGs / D. G. Hayes, C. P. Allford, G. V. Smith, C. McIndo, L. A. Hanks, A. M. Gilbertson, P. D. Buckle. - Text : unmediated // Semiconductor Science and Technology. - 2017. -Vol. 32, No. 8. - P. 085002. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa75c8

351. Determination of the transport lifetime limiting scattering rate in InSb/AlxIn1-xSb quantum wells using optical surface microscopy / C. J. McIndo, D. G. Hayes, A. Papageorgiou, L. A. Hanks, G. V. Smith, C. P. Allford, P. D. Buckle. - Text : unmediated // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. - 2017. -Vol. 91. - P. 169-172. https://doi.org/10.1016/j.physe.2017.04.019

352. Limiting scattering processes in high-mobility InSb quantum wells grown on GaSb buffer systems / C. A. Lehner, T. Tschirky, T. Ihn, W. Dietsche, J. Keller, S. Fält, W. Wegscheider. - Text : unmediated // Physical Review Materials. - 2018. - Vol. 2, Issue 5. - P. 054601. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.054601

353. Growth and characterization of InSb on (100) Si for mid-infrared application / B. W. Jia, K. H. Tan, W. K. Loke, S. Wicaksono, S. F. Yoon. - Text : unmediated // Applied Surface Science. - 2018. - Vol. 440. - P. 939-945. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.01.219

354. Spin relaxation in «-InSb/AllnSb quantum wells / K. L. Litvinenko, B. N. Murdin, J. Allam, C. R. Pidgeon, M. Bird, K. Morris, W. Branford, S. K. Clowes, L. F. Cohen, T. Ashley, L. Buckle. - Text : unmediated // New Journal of Physics. - 2006. -Vol. 8. - P. 49. https://doi.org/10.1088/1367-2630/8/4/049

355. Chen, G. Empirical expression for the composition and temperature dependence of the energy gap in InAlSb / G. Chen, W. Sun, Y. Lv. - Text : unmediated // Infrared Physics & Technology. - 2017. - Vol. 81. - P. 262-265. https://doi.org/10.1016/Unfrared.2017.01.014

356. Kane, E. O. Band structure of indium antimonide / E. O. Kane. - Text : unmediated // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1957. - Vol. 1, Issue 4. -P. 249-261. https://doi.org/10.1016/0022-3697(57)90013-6

357. Very high electron mobilities at low temperatures in InxGai-xAs/InyAli-yAs HEMTs grown lattice-mismatched on GaAs substrates / S. Gozu, K. Tsuboki, M. Hayashi, C. Hong, S. Yamada. - Text : unmediated // Journal of Crystal Growth. - 1999. - Vol. 201-202. - P. 749-752. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01527-9

358. fT = 688 GHz and fmax = 800 GHz in Lg = 40 nm In07Ga0.3As MHEMTs with gm max > 2.7 mS/^m / D.-H. Kim, B. Brar, J. A. del Alamo. - Text : unmediated // 2011 International Electron Devices Meeting, Washington, DC, 5-7 Dec. 2011. -Washington : IEEE, 2011. - ISBN 978-1-4577-0506-9. https://doi.org/10.1109/IEDM.2011.6131548

359. Sub-30-nm In0.8Ga0.2As composite-channel high-electron-mobility transistors with record high-frequency characteristics / H.-B. Jo, S.-W. Yun, J.-G. Kim, J.-M. Baek, I.-G. Lee, D.-H. Kim, T.-W. Kim, S.-K. Kim, J. Yun, T. Kim, T. Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki. - Text : unmediated // IEEE Transactions on Electron Devices. - 2021. - Vol. 68, No. 4. -P. 2010-2016. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3045958

360. Electrical and optical properties of convex-type metamorphic In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As quantum well structures grown by MBE on GaAs / T. A. Komissarova, M. Yu. Chernov, V. A. Solov'ev, B. Ya. Meltser, P. N. Brunkov, A. A. Sitnikova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Materials Research Express. - 2017. - Vol. 4, No. 10. - Р. 105902. https://doi.org/10.1088/2053-1591/aa8f0c

361. Denisova, G. A. Interpretation of photoluminescence spectra of metamor-phic InAlAs/GaAs heterostructures / G. A. Denisova, D. D. Firsov, O. S. Komkov. -Text : unmediated // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - Vol. 1410. -Р. 012167. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012167

362. Lu, Q. Gain and threshold current in type II In(As)Sb mid-infrared quantum dot lasers / Q. Lu, Q. Zhuang, A. Krier. - Text : unmediated // Photonics. - 2015. -Vol. 2, Issue 2. - Р. 414-425. https://doi.org/10.3390/photonics2020414

363. Инжекционный ИК лазер на основе гибридной III-V/II-VI гетерострук-туры с InSb субмонослойными вставками / В. А. Соловьёв, И. В. Седова, О. Г. Люблинская, А. Н. Семёнов, Б. Я. Мельцер, С. В. Сорокин, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Письма в журнал технической физики. -2005. - Т. 31, вып. 6. - С. 37-42.

364. Temperature-dependent photoluminescence from type-II InSb/InAs quantum dots / O. G. Lyublinskaya, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, B. Y. Meltser, Y. V. Terent'ev, L. A. Prokopova, A. A. Toropov, A. A. Sitnikova, O. V. Rykhova, S. V. Ivanov. - Text : unmediated // Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 99, Issue 9. -Р. 093517. https://doi.org/10.1063/L2191576

365. InSb/InAs type II quantum dot structures for mid-IR laser applications / S. V. Ivanov, A. N. Semenov, O. G. Lyublinskaya, B. Y. Meltser, V. A. Solov'ev, Ya. V. Terent'ev, A. A. Sitnikova and P. S. Kop'ev. - Text : unmediated // Narrow gap semi-

conductors : Proceedings of the 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Toulouse, France, 3-7 July 2005. - 1-e ed. ; ed. by J. Kono, J. Leotin. -Toulouse : CRC Press, 2006. - Р. 83. eBook ISBN 9780429174988. https://doi.org/10.1201/9781482269215