Фотолюминесцентный преобразователь в эффективных светодиодах белого цвета излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Феопёнтов, Анатолий Валерьевич

• Феопёнтов, Анатолий Валерьевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Феопёнтов, Анатолий Валерьевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР

1.1 Принцип действия белого светодиода

1.2 Конструкция белого светодиода с люминофорным слоем

1.3 Технология изготовления белого светодиода с люминофорным слоем

1.4 Параметры белого светодиода с люминофорным слоем

1.5 Эффективность белого светодиода с люминофорным слоем

1.6 Выводы и постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1 Спектральные характеристики люминофоров

2.2 Оптические характеристики свето диодов

2.3 Электрические характеристики светодиодов

2.4 Гранулометрический состав люминофоров

ГЛАВА 3. ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ

3.1 Зависимость оптимума светового потока от энергетической и световой эффективности

3.2 Влияние концентрации люминофора на эффективность преобразования излучения

3.3 Дополнительные исследования отдельных закономерностей

3.3.1 Влияние отражательных свойств подкристальной платы и степени шероховатости поверхности чипа на эффективность преобразования излучения

3.3.2 Особенности нанесения люминофорной смеси каплей на зеркальную подкристальную плату и нанесения тонким плотным слоем на поверхность чипа

3.3.3 Деградация экспериментальных светодиодов в процессе электропрогона

3.3.4 Влияние внешней квантовой эффективности чипа на эффективность преобразования излучения

3.4 Выводы к главе

ГЛАВА 4. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ В БЕЛОМ СВЕТОДИОДЕ

4.1 Связь параметров люминофора и энергетической эффективности белого светодиода

4.2 Основы расчета эффективности преобразования энергии излучения в белом светодиоде

4.3 Эффективность преобразования в случае распределения частиц люминофора по объему люминофорного слоя

4.4 Влияние характеристик оптических компаундов на эффективность преобразования

4.5 Влияние спектра излучения чипа на эффективность преобразования

4.6 Выводы к главе

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ

5.1 Зависимость теоретической и экспериментальной эффективностей преобразования от цвета излучения и влияние концентрации люминофора

5.2 Зависимость теоретической и экспериментальной эффективностей преобразования, выраженных в световых единицах, от цвета излучения

5.3 Зависимость общего индекса цветопередачи от цвета излучения

5.4 Оптимизация световых и цветовых характеристик светодиода

5.5 Опробование полученных результатов в массовом производстве светодиодов

5.6 Выводы к главе 5 102 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 103 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 104 ПРИЛОЖЕНИЕ А

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотолюминесцентный преобразователь в эффективных светодиодах белого цвета излучения»

Актуальность темы. Актуальность рассматриваемой тематики в настоящее время обусловлена все возрастающим интересом к светодиодам белого цвета излучения (далее - белые светодиоды), который, в свою очередь, основывается на известных перспективах применения подобных светодиодов в ходе дальнейшего усовершенствования источников света, используемых для целей общего освещения. В настоящее время в прикладной светотехнике происходит вытеснение старых, малоэффективных источников света, таких как лампы накаливания, новыми устройствами, например, компактными люминесцентными лампами. Однако, и у таких ламп имеется ограничение по максимально возможной световой отдаче. И уже в качестве наиболее энергетически эффективных устройств для применения в освещении рассматриваются белые светодиоды.

Состояние вопроса. Собственно высокоэффективные белые светодиоды появились сравнительно недавно, уже после 2000 года. В процессе развития светодиодов белого цвета излучения стало ясно, что наиболее перспективными для массового производства и применения в общем освещении являются те варианты их конструктивного исполнения, в которых основу светодиода составляет полупроводниковый чип, излучающий в синей области спектра. Излучение такого чипа обеспечивается процессами рекомбинации носителей заряда в квантовых ямах, существование которых обусловлено строением гетероструктуры, сформированной на основе твердых растворов системы Оа-1п-А1-М. Физика явлений, обуславливающих и сопровождающих излучение гетероструктуры. сейчас изучается достаточно подробно различными коллективами на базе ведущих научных центров мира. Достигнуто понимание основных процессов, хотя многие принципиальные вопросы еще предстоит решить. В частности, одна из наиболее острых проблем состоит в устранении эффекта понижения внешней квантовой эффективности излучения чипа с ростом тока.

На фоне активности в изучении проблем излучательной рекомбинации гетероструктуры вопросы, связанные с преобразованием уже излученной энергии в светодиоде остаются несколько в стороне. Между тем, именно взаимодействие энергии, излученной полупроводниковым чипом с другими компонентами белого светодиода и, в первую очередь, с люминофором, определяет конечные характеристики изделия. В этом ключе основное внимание привлекают процессы, связанные с преобразованием энергии синего излучения чипа в излучение люминофора. Данное превращение осуществляется с помощью неорганических порошковых или спеченных люминофорных преобразователей. Эти преобразователи представляют собой кристаллические фотолюминофоры, матрицы которых выбираются из классов соединений, обладающих достаточной устойчивостью к внешним воздействиям и стабильностью в условиях работы светодиода. Наиболее распространено применение в качестве таких люминофоров твердых растворов на основе гранатов, силикатов, оксинитридов.

Хотя свойства самих люминофоров изучаются достаточно подробно, следует отметить, что эффективность преобразования в белом светодиоде определяется не характеристиками люминофора как отдельно взятого поликристаллического материала, а характеристиками люминофора в сочетании с тем, в каком виде он находится в светодиоде. Иначе говоря, эффективность белого светодиода напрямую зависит от характеристик люминофорного слоя, представляющего собой отвержденную люминофорную смесь из собственно люминофора и некоторой связки, б качестве которой чаще всего используется стабильный аморфный компаунд. Процессы превращения энергии в люминофорном слое и вывода преобразованной энергии из светодиода на сегодняшний день мало исследованы. Но, самое главное, отсутствует система, объединяющая и устанавливающая закономерности взаимосвязи параметров чипа, люминофора и люминофорного слоя с характеристиками светодиода, в том числе с эффективностью.

Цель работы - улучшение параметров фотолюминесцентного преобразователя (люминофорного слоя) в белом светодиоде на основе разработанной модели расчета эффективности преобразования энергии излучения. Для достижения цели решены следующие задачи:

- разработана методика определения общей эффективности люминофора;

- разработана модель расчета эффективности преобразования энергии излучения в светодиоде;

- исследованы теоретические и экспериментальные закономерности изменения эффективности преобразования;

- проведена оптимизация параметров белого светодиода.

Объект исследования настоящей работы - фотолюминесцентные преобразователи в светодиоде белого цвета излучения, основой которого является чип, излучающий в синей области спектра. Излучение чипа частично поглощается и преобразуется люминофором, излучающим в другой области видимого спектра. Белый цвет излучения достигается сложением спектров люминесценции чипа и люминофора.

Методы исследования включали в себя: анализ спектров люминесценции, возбуждения и отражения люминофоров; анализ спектров излучения, исследование энергетических и фотометрических характеристик белых и синих светодиодов; исследование чипов и люминофорных слоев методом оптической микроскопии.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые проведены комплексные исследования закономерностей изменения эффективности преобразования энергии излучения в белом светодиоде:

- установлена взаимосвязь характеристик чипа и люминофора с с эффективностью белого светодиода;

- свойства чипа, люминофора и светодиода, а также параметры эффективности люминофора и светодиода сведены в единую систему; исследованы зависимости теоретической и экспериментальной эффективностей преобразования, выраженных в энергетических и световых единицах, от цветности излучения светодиода;

- изучена связь потерь энергии излучения с концентрацией люминофора;

- показано, что если теоретическая эффективность преобразования определяется физическими характеристиками, то экспериментальная эффективность также заметно зависит от конструктивного фактора.

Практическую ценность работы определяет разработка методики оценки эффективности конструктивного исполнения белого светодиода и методики оптимизации параметров белого светодиода. Практический интерес представляют изученные зависимости эффективности от технических характеристик компонентов светодиода. Проведенная в рамках работы оптимизация параметров мощного белого светодиода позволяет достичь максимального значения светового потока для приемлемых показателей цветности излучения. Применение светодиода с оптимальными параметрами в системах общего освещения повышает их энергоэкономичность и улучшает эксплуатационные качества.

На защиту выносятся следующие научные положения:

- параметр, определенный как произведение квантовой эффективности люминофора, коэффициента отражения и стоксовского сдвига, достаточен для определения эффективности люминофора в светодиоде;

- предельная эффективность преобразования энергии излучения в белом светодиоде определяется только цветностью излучения и найденным параметром эффективности люминофора;

- отклонение экспериментальной эффективности преобразования энергии излучения от предельной определяется в основном процессом перехода энергии желтого излучения в тепловую в результате взаимодействия этого излучения с частицами люминофора.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Феопёнтов, Анатолий Валерьевич

5.6 Выводы к главе 5

1) Отклонение экспериментальной эффективности преобразования от предельных значений обусловлено процессом поглощения люминофором собственного излучения с рассеянием поглощенной энергии в виде тепла.

2) Переход к найденному оптимальному диапазону цветности позволил повысить световой поток белых светодиодов.

3) Оптимизация, проведенная на основе полученных зависимостей, заложила необходимый фундамент для дальнейшего освоения серийного производства.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

I) В результате проведенной работы разработана методика определения параметра общей эффективности люминофора в светодиоде.

II) На ее основе разработана модель расчета предельной эффективности преобразования энергии излучения в белом светодиоде с фотолюминесцентным преобразователем.

III) Установлена связь эффективности преобразования с конструктивными факторами.

IV) Выявлен основной физический процесс, определяющий отличие экспериментальной эффективности преобразования от теоретической, -рассеяние энергии желтого излучения в виде тепла в результате взаимодействия с частицами люминофора.

V) Разработан метод оптимизации целевого параметра белого светодиода -светового потока относительно цвета излучения с учетом граничных условий по цветовосприятию и цветопередаче.

VI) На основе полученных результатов освоено массовое производство белых светодиодов с конкурентноспособными параметрами.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Феопёнтов, Анатолий Валерьевич, 2011 год

1. Пихтин А. Н. Оптическая и квантовая электроника. М.: Высш.шк., 2001.-573 с.

2. Широв Ю. Источники света: вчера, сегодня, завтра // Современная электроника. 2005. - №4. - С. 6-11.

3. Electrical Drive Information for Luxeon Products. Electronic resource. Technical Datasheet. Electronic data. - 2006. - Mode access: http://www.lumileds.com/pdfs/ABl 1 .PDF

4. Light Emitting Diodes. Electronic resource. Electronic textbook. Chapter 11: Packaging. Electronic data. - 2004. - Mode access: http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dotorg/chapl 1/chapl 1 .htm

5. Гонда С., Сэко Д. Оптоэлектроника в вопросах и ответах. Л.: Энергоатомиздат, 1989. - 184 с.

6. Коган Л. М. Светодиодные осветительные приборы // Светотехника. 2002. - №5. - С. 16-20.

7. Chhajed S., Xi Y., Li Y.-L., Gessmann Th., Schubert E.F. Influence of junction temperature on chromaticity and color rendering properties of trichromatic white light sources based on light-emitting diodes // J. Appl. Phys. -2005.-V.97.-P. 054506.

8. Schubert E. F. Light Emitting Diodes and Solid-State Lighting. Electronic resource. Department of Electrical, Computer, and Engineering Rensselaer Polytechnic Institute. Electronic data. - 2006. - Mode access: http://www.LightEmittingDiodes.org/

9. Light Emitting Diodes. Electronic resource. Electronic textbook. Chapter 20: White-light sources based on LEDs. Electronic data. - 2004. - Mode access: http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/chap20/chap20.htm

10. Colour mixing with LEDs: The key to achieving both beautiful and functional results. Electronic resource. Electronic textbook. Electronic data. -2004. - Mode access: http://www.etcconnect.com/img/whitepapers/SeladorwhitepaperUK.pdf

11. Давиденко Ю. Высокоэффективные современные светодиоды. // Современная электроника. 2004. - Октябрь. - С. 36-43.

12. Light Emitting Diodes. Electronic resource. Electronic textbook. Chapter 21: White-light sources based on wavelength converters. Electronic data. - 2004. - Mode access: http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/chap2 l/chap21 .htm

13. NICHIA. Electronic resource. Nichia Corporation. The catalogue of production. Electronic data. - 2006. - Mode access: http://www.nichia.com/product/

14. CREE. Electronic resource. Cree, Inc. The catalogue of production. Electronic data. — 2006. - Mode access: http://www.cree.ru/products/

15. OSRAM. Electronic resource. OSRAM Opto Semiconductors. The catalogue of production. Electronic data. - 2006. - Mode access: http://catalog.osram-os.com/catalogue/catalogue/

16. PHILIPS Lumileds. Electronic resource. Philips Lumileds Lighting Company. The catalogue of production. Electronic data. - 2006. - Mode access: http://www.lumileds.com/products/

17. Zachau M., Fiedler Т., Jeimann F. Phosphors, Patents, and Products for LEDs. Electronic resource. Global Phosphor Summit. San Diego. Electronic data. - 2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

18. Mueller G. О., Mueller-Mach R. Color Conversion of LED Light. Electronic resource. Global Phosphor Summit. San Diego. Electronic data. -2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

19. Kaufmann U., Kunzer M., Köhler К., Obloh H., Pletschen W., Schlotter P., Schmidt R., Wagner J., Ellens A., Rossner W., Kobusch M. Ultraviolet pumped tricolor phosphor blend white emitting LEDs // Phys. Stat. Sol. (a).2001.-V.188.-P.143.

20. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979. - 688 с.

21. Shockley W. Electrons and holes in semiconductors. New York: D. VanNostrand Company, 1950.

22. Schubert E.F. Doping in III-V semiconductors. Cambridge: Cambridge University Press, 1993.

23. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1977. Гл. 18.

24. Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит,2002. Гл. 6-7.

25. Baraff G.A., Schlüter М. Electronic structure, total energies, and abundances of the elementary point defects in GaAs // Phys. Rev. Lett. 1985. -V.55. - P.1327.

26. Grieshaber W., Schubert E.F., Goepfert I.D., Karlicek R.F.Jr., Schurman M.J., Tran С. Competition between band gap and yellow luminescence in GaN and its relevance for optoelectronic devices // J. Appl. Phys. 1996. - V.80. -P.4615.

27. Olshansky R., Su C.B., Manning J., Powazinik W. Measurement of radiative and non-radiative recombination rates in InGaAsP and AlGaAs light sources // IEEE J. of Quantum Electronics. 1984. - V.QE-20. - P.838.

28. CREE. Electronic resource., Cree, Inc. XBright & XThin Au/Sn Die Attachment Recommendations. Electronic data. - 2006. - Mode access: http://www.cree.com/products/pdf/CPR3AN01 .pdf

29. Chen T. P. How to Tailor LED Chip Structure to Meet Packaging Requirements. Electronic resource. Epistar corporation. Conference LED Packaging. Electronic data. - 2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

30. Давиденко Ю. Современные светодиоды // Компоненты и технологии. 2004. - №6. - С. 38-43.

31. Goetz W. White lighting (illumination) with LEDs. Electronic resource., Fifth international conference on nitride semiconductors. Nara. Japan. Electronic data. - 2003. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

32. Kim J.K., Luo H., Schubert E.F., Cho J., Sone C., Park Y. Analysis of high-power packages for phosphor-based white light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 2005. - V.86. - P. 243505.

33. Kern R. S., Maile M. Innovative automotive lighting with LEDs: Luxeon® LEDs for automotive front and interior lighting. Electronic resource.1.mileds Lighting LLC. Conference LED Packaging. Electronic data. 2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

34. Barton D.L., Osinski M., Perlin P., Helms C.J., Berg N.H. Life tests and failure mechanisms of GaN/AlGaN/InGaN light-emitting diodes // Proc. SPIE. -1998.-V.3279.-P. 17.

35. Шуберт Ф. Светодиоды. M.: Физматлит, 2008. - 496 с.

36. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высш. школа, 1971. 336 с.

37. Закгейм A. JI. Твердотельные источники света (высокоэффективные полупроводниковые излучающие диоды и их применение в светотехнике): Текст лекций. ФТИ им. А. Ф. Иоффе, ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника». 2005.

38. Expert in advanced ceramics Text. : catalogue / CCTC Co., Ltd. -Chaozhou, China, 2010. P. 17.

39. Zimmerman R. The Value of Injection Moldable Materials in HB & UHB LED Device Packaging Applications. Electronic resource. Conference LED Packaging. Electronic data. - 2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

40. Широв Ю. Оптика для твердотельных источников света // Современная электроника. 2005. - №6. - С. 6-8.

41. Перспективные источники света. Electronic resource. ЗАО Электролуч. Electronic data. - 2007. - Mode access: http://www.electroluch.ru/articles/prom-light

42. Nakamura S. Superbright green InGaN single-quantum-well structure light-emitting diodes // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. - №34. - P. 1832.

43. Nakamura S. High-power single-quantum-well structure blue and violet light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1995. - №67. - P. 1868.

44. Высокомощные синие флип-чип светодиоды на основе AlGaN / Д. А. Закгейм, И. П. Смирнова, И. В. Рожанский и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. - №39. - С. 885-889.

45. Wierer J. J., Steigewald D. A. High power AlGalnN flip - chip light emitting diodes // Appl. Phys. Lett. - 2001. - №78. - P. 3379.

46. Zukauskas A., Shur M., Gaska R. Introduction to Solid State Lighting.- NY.: John Wiley and Sons Inc, 2002. 207 p.

47. Дорожная карта. Использование нанотехнологий в производстве светодиодов / ГК Роснанотех. Москва, 2010. - 205 с.

48. Cheetham A.K. Novel phosphors for solid state lighting. Electronic resource. Phosphor Global Summit. San-Diego. USA. Electronic data. - 2006.- 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

49. Steffner K.J. High performance polyamides for LED components. Electronic resource. EMS-Grivory, Inc. Electronic data. - 2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

50. Roth A. Direct copper bonded ceramic substrates for use with power LEDs. Electronic resource. Conference LED Packaging. Electronic data. -2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

51. Norris A., Bahadur M., Yoshitake M. Silicone materials development for LED packaging. Electronic resource., Dow Corning Corporation. Electronic data. - 2008. - Mode access: http://www.dowcorning.com/content/etronics/LED.asp

52. Hoffmann В. Dispensing and Coating in LED Assembly. Electronic resource. Business Development Manager, Asia Pacific, Asymtek. Conference LED Packaging. Electronic data. - 2006. - 1 electron, opt. disk (CD-ROM).

53. High Brightness AlGalnP Light Emitting Diodes / D. Vanderwater, I. Tan, G. E. Hofler et al // Proceeding of the IEEE, - 1997. - №85. P. 1752-1763.

54. Graford M. G. Visible Light Emitting Diodes: Past, Present, and Very Bright Future // MRS Bulletin, - 2000. - P. 27-31.

55. Коган JI. M. Светодиоды нового поколения для светосигнальных и осветительных приборов // Новости светотехники. Дом света. 2001. - №78. С.34-35.

56. DOE publishes updated R&D plan for solid-state lighting // LEDs Magazine. 2010. -1.34. - P.20.

57. Полищук А. Вопросы выбора мощных светодиодных ламп для светотехнических применений // Современная электроника. 2006. - №1. -С. 20-23.

58. CREE. Electronic resource., Cree, Inc. Specification for production. Cree XLamp XP-E LED. Electronic data. - 2010. - Mode access: http://www.cree.com/products/xlampdocs.asp

59. PHILIPS Lumileds. Electronic resource. Philips Lumileds Lighting Company. Specification for production. LUXEON Rebel White LXML-PW31. Electronic data. - 2010. - Mode access: http://www.philipslumileds.com/uploads/17/DS61-pdf

60. OSRAM. Electronic resource., OSRAM Opto Semiconductors. Specification for production. LCW CP7P.PC. Electronic data. - 2010. - Mode access: http://catalog.osram-os.com/catalogue/catalogue.do?fav0id=0000000500005e7800610023&act=show Bookmark

61. NICHIA. Electronic resource. Nichia Corporation. Specification for Nichia chip type white LED. NCSW119T-H3. Electronic data. - 2011. - Mode access: http://www.nichia.co.jp/specification/en/product/led/NCSW119-H3-E.pdf

62. Носов Ю. P. Оптоэлектроника. M.: Сов. Радио, 1989. - 232 с.

63. Агостон Ж. Теория цвета и ее применение в искусстве и дизайне. -М.: Мир, 1982.- 181 с.

64. Козлов М. Г., Томский К. А. Светотехнические измерения. СПб.: Петербургский институт печати, 2004. - 307 с.

65. ГОСТ 23198-94. Лампы электрические. Методы измерения спектральных и цветовых характеристик. Введ. 1996.01.01. - М.: Изд-во стандартов, 1994. - 86 с.

66. Гуревич М. М. Фотометрия (теория, методы и приборы), Л.: Энергоатомиздат, 1983. - 272 с.

67. High-Power Phosphor-Converted Light-Emitting Diodes Based on Ill-Nitrides / R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, M. R. Krames et al // J. IEEE on selected topics in quantum electronics. 2002. - №8. P. 339-345.

68. MacAdam D.L. Color measurement: Theme and Variations New York: Springer, 1985.

69. Vos J. J. Colorimetric and photometric properties of a 2-degree fundamental observer // Color Res. Appl. 1978. - V.3 - P. 125.

70. Guo X., Graff J.W., Schubert E.F. Photon-recycling semiconductor light-emitting diode // IEDM Technical Digest. 1999. - IEDM-99 - P. 600.

71. Топорец A.C. Методы и аппаратура для измерения диффузного отражения. В кн.: Спектроскопия светорассеивающих сред / Под. ред. Б.И.Степанова. Минск: Изд-во АН БССР, 1968. С. 159-178.

72. Ковалгин А.Ю., Черновец Б.В. Спектральные измерения в технологии функциональных материалов. С-Пб.: Изд-во СПбГТУ, 1997. С. 13-15.

73. Эпштейн М.И. Спектральные измерения в электровакуумной технике. -М.: Энергия, 1970. 144 с.

74. Богданов A.A., Васильева Е.Д., Зайцев А.К. Мощные светодиоды и светотехнические изделия на их основе // Светотехника. 2007. - №3. -С. 12-19.

75. ГОСТ ИСО 8995-2002. Принципы зрительной эргономики. Освещение рабочих систем внутри помещений. Введ. 2004.01.01. - Минск: ИПК Изд-во стандартов, 2003. - 26 с.