Фотоинжекция водорода в твердых телах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Гаврилюк, Александр Иванович

• Гаврилюк, Александр Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Гаврилюк, Александр Иванович

Список используемых сокращений.

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОСНОВНЫЕ ИДЕИ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ.

1.1. Прямая фотоинжекция водорода в твердых телах.

1.2. Фотоинжекция водорода в твердых телах с помощью инжектора.

1.3. Выводы по главе 1.

2. МОЛЕКУЛЫ-ДОНОРЫ ВОДОРОДА И ИХ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ПРОЦЕССЕ ФОТОИНЖЕКЦИИ ВОДОРОДА В ТРИОКСИДЕ ВОЛЬФРАМА.

2.1. Молекулы, используемые в качестве доноров водорода.

2.2. Методы адсорбции органических молекул на поверхности оксидов переходных металлов.

2.3. ИК- спектры молекул диметилформамида.

2.4. ИК- спектры аморфных плёнок с адсорбированным на их поверхности диметилформамидом.

2.5. Изменение ИК-спекгров адсорбированных молекул диметилформамида при облучении образцов в вакууме.

2.6. Изменение ИК-спектров адсорбированных молекул диметилформамида при облучении образцов на воздухе.

2.7. Выводы по главе 2.

3. ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ФАКТОРОВ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОТОИНЖЕКЦИИ ВОДОРОДА В ОКСИДАХ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ.

3.1. Виды пленок \У03, используемых при фотоинжекция водорода, и методы их препарирования.

3.2. Усиление фотохромизма в пленках WO3 при фотоинжекции водорода.

3.3. Описание методики резонансной ядерной реакции 2D (3Не, р)а.

3.4. Влияние удельной поверхности пленок на фотохромную светочувствительность.

3.5. Влияние кислородных вакансий на фотохромую светочувствительность пленок.

3.6. Влияние термического отжига на фотохромную светочувствительность ГТГГ WÖ3.

3.7. Зависимость ФХСЧ пленок от положения уровня Ферми.

3.8. Коэффициент диффузии протона.

3.9. Влияние температуры подложки на фотохромную светочувствительность аморфных пленок триоксида вольфрама.

3.10. Влияние давления паров метанола на фотохромную светочувствительность пленок W03.

3.11. Влияние интенсивности облучения на эффективность ФИВ в плёнках WO3.

3.12. Особенности фотохромизма в АП W03 с адсорбированным .диметилформамидом.

3.13. Выводы по главе 3.

4. ПРИРОДА ФОТОИНДУЦИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК W03.

4.1. Структурные особенности пленок WO3.

4.2. Природа полосы фотоиндуцированного поглощения.

4.2.1. Метод определения оптических констант плёнок.

4.2.2. Изменения оптических и электрических характеристик при фотоинжекции водорода.

4.2.3. Модель центров поглощения при фотоинжекции водорода в WO3.

4.2.4. Фотоинжекция водорода при низких температурах.

4.3. О механизме прямой фотоинжекции водорода в пленках WO3.

4.4. Модели центров поглощения в плёнках WO3.

4.5. Изменения оптических параметров аморфных пленок WO3, наблюдаемые в ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра при фотоинжекции водорода.

4.6. Выводы по главе 4.

5. ФОТОИНЖЕКЦИЯ ВОДОРОДА В ПЛЁНКАХ ТРИОКСИДА МОЛИБДЕНА.

5.1. Усиление фотохромного эффекта в АП МоОз.

5.2. Фотоинжекция водорода в АП МоОз, полученных испарением в парах ДМФА.

5.3. Изменения в ИК- спектрах пленок ОПМ, вызванные ФИВ.

5.4. Особенности аморфных пленок МоОз, препарированных в парах ДМФА.

5.5. Особенности низкотемпературной ФИВ в АП МоОз, полученных испарением в парах ДМФА.

5.6. Спектральная эффективность ФИВ в АП МоОз, препарированных в парах

ДМФА.

5.7. Выводы по главе 5.

6. ФОТОИНЖЕКЦИЯ ВОДОРОДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ V2Os.

6.1. Фотоинжекция водорода в аморфных пленках V2Os, полученных с помощью термического испарения в вакууме.

6.2. Фотоинжекция водорода в пленках V2OS, полученных с помощью „золь-гель" технологии.

6.3. Выводы по главе 6.

7. ФОТОИНЖЕКЦИЯ ВОДОРОДА В ОКСИДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ.

7.1. Фотоинжекция водорода в гетероструктуре VO2 - WO3.

7.2. Фотинжекция водорода в гетероструктуре, состоящей из поликристаллического и аморфного слоев W03.

7.3. Фотоинжекция водорода в гетеро структур ах триоксида вольфрама с использованием ДМФА.

7.4. Выводы по главе 7.

8. РЕШЕНИЕ РЯДА НАУЧНЫХ И ПРИКЛАДНЫХ ЗАДАЧ С ПОМОЩЬЮ ФОТОИНЖЕКЦИИ ВОДОРОДА.

8.1. Структурные изменения при фотоинжекции водорода в поликристаллических пленках W03.

8.2. Образование центров окраски в аморфных пленках МоОз под действием рентгеновского и у- излучений.

8.3. Визуализация и регистрация ß - излучении трития с помощью аморфных плёнок триоксида молибдена.

8.4. Использование пленок оксидов переходных металлов для визуализации ионных пучков.

8.5. Слабая локализация и электрон-электронное взаимодействие в аморфных

HxW03 бронзах.

8.6. Выводы по главе 8.

9. ФОТОИНЖЕКЦИЯ ВОДОРОДА В ГАЛОГЕНИДАХ СЕРЕБРА И МЕДИ.

9.1. Эффект прямого почернения в тонких плёнках AgCl.

9.2. Усиление эффекта прямого почернения в плёнках AgCl.

9.3. Эффект прямого почернения в плёнках CuCl.

9.4. Фотоинжекция водорода в плёнках CuCl с помощью инжектора водорода на основе аморфной плёнки WO3.

9.5. Эффект прямого почернения в плёнках Agi, вызываемый ФИВ.

9.6. Эффект прямого почернения в плёнках Agi, осуществленный с помощью прямой ФИВ.

9.7. Фотоинжекция водорода в плёнках RbAgJj.

9.8. Усиление фотохромного эффекта в плёнках RbAg-Js с помощью инжектора водорода на основе аморфной плёнки WO3.

9.9. Усиление фотохромного эффекта в плёнках RbAgJs с помощью прямой фотоинжекции водорода.

9.10. О механизме усиления эффекта прямого почернения с помощью фотоинжекции водорода.

9.11. Вывода по главе 9.

ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоинжекция водорода в твердых телах»

Водородные атомы, вследствие их малых размеров, часто могут бьггь размещены внутри различных твердых тел. Сквозные каналы и полости кристаллической структуры, межслой-ные промежутки, междоузлия, дислокации, вакансии - вот неполный перечень позиций, в которых могут размещаться „ гости" (водородные атомы ). К этому следует добавить также и позиции на поверхности твердых тел: поры, оборванные связи, межкристаллитные прослойки в поликристаллических материалах, и т.п. Поэтому ситуации, когда большое количество водорода вводится внутрь твердого тела или адсорбируется на его поверхности, не относятся к разряду редких.

Введение водорода в твердые тела приводит, естественно, к изменению свойств последних. Часто эти изменения значительны, а иногда - просто радикальны. В ряде материалов таким образом можно реализовать переход диэлектрик-металл. Современная наука уже длительное время ищет возможности изменять те или иные характеристики твердого тела с помощью введения водорода. Уместно вспомнить, например, гидриды металлов или проблему гидрогенизированного кремния. Часто водород вводится в твердые тела при высоких температурах во время синтеза соединений.

Весьма привлекательной является возможность введения водорода в твёрдые тела при комнатной температуре в результате какого-либо внешнего управляющего воздействия, например, электрического поля, света, тепла, электронных или ионных пучков, рентгеновского и гамма излучений, и т.п. С конца 70-х годов развиваются научный и прикладной аспекты такого широкого явления как электрохромизм, при котором обратимое изменение оптических параметров целого ряда материалов достигается в результате инжекции—экстракции посторонних атомов под действием электрического поля, причем именно атомы водорода часто используются для решения этой задачи.

Основной же целью данной работы является исследование процессов и явлений, связанных с введением в твердотельные полупроводники водородных атомов при управляющем воздействии света. Этот процесс получил название фотоинициированой инжекции или просто фотоинжекции водо-рода в твердых телах. Данное научное направление является оригинальным и возникло в результате направленной деятельности автора диссертации.

В данной работе представлены результаты исследований по двум группам твердых тел, на первый взгляд, совершенно различных.

К первой группе относятся оксиды переходных металлов в которых фотоинжекция водорода является, фактически, инжекцией электронов, в то время как протоны играют, в основном, роль компенсаторов заряда.

Ко второй группе материалов относятся галогениды серебра и меди. В этих материалах фотоинжекция водорода стимулирует образование как точечных, так и протяженных дефектов, сильно облегчая фотолиз галогенидов, что представляет особый интерес, если вспомнить, что галогениды серебра и меди являются важнейшими материалами для исследования фотографического процесса.

В настоящее время автору известны и другие твердые тела, в которые может осуществляться фотоинжекция водорода. Нет сомнений в том, что список соединений, в которых возможен этот процесс, будет расти. Автор попытается доказать, что фотоинжекция водорода - широкое и многогранное явление, связанное с целым рядом важных и актуальных направлений современной физики.

Автор считает, что термин „фотоинжекция" является более точным для характеристики данного процесса по сравнению с термином „интеркаляция", который также уместно употреблять в данном случае. Термин „инжекция" подчеркивает тот факт, что водород является квантовой частицей и предполагает его участие в ряде квантовых процессов. Фотоинжекция водорода — новое направление в физике твердого тела, которое создано автором и им развивается. Многие полученные результаты являются новыми, оригинальными, и могут быть использованы для решения широких задач в различных направлениях физики твердого тела.

Исследования явления как бы распадаются на два аспекта. Первый аспект посвящен непосредственно процессу фотоинжекции водорода. Здесь исследования выявляют влияние различных факторов (внешних и внутренних) на эффективность процесса. Второй аспект - исследование тех изменений, которые инжекция водорода вызывает в твердых телах.

Диссертация состоит из девяти глав. В первой главе излагается суть предложенных автором методов фотоинжекции водорода в твердых телах.

Вторая глава посвящена молекулам, используемым в качестве источника водородных атомов при фотоинжекции. Определены критерии, которым должны удовлетворять молекулы, пригодные для использования в качестве доноров водорода при фотоинжекции. Описаны методы адсорбции молекул на поверхности твердых тел. Методами ИК- абсорбционной спектроскопии исследованы механизмы адсорбции и фотопревращений молекул в различных условиях.

Третья глава посвящена исследованию влиянию различных факторов на эффективность фотоинжекции водорода в оксидах переходных металлов или, иными словами, влияния различных факторов на фотохромную чувствительность пленок оксидов. В качестве модельного материала для этой цели использовался триоксид вольфрама.

Четвертая глава посвящена исследованию фотоиндуцированного состояния пленок триоксида вольфрама. Особое внимание уделено модели трех центров, описывающей возникающее при фотоинжекции водорода в оксиде оптическое поглощение в широком диапазоне температур и для образцов с различным соотношением объем-поверхность.

Пятая глава посвящена фотоинжекции водорода в триоксиде молибдена. Обсуждены особенности процесса фотоинжекции в этом материале.

Шестая глава рассматривает фотоинжекцию водорода в пятиоксиде ванадия.

Седьмая глава посвящена исследованию фотоинжекции водорода с помощью специального инжектора, роль которого успешно выполняют аморфные пленки триоксида вольфрама. Рассмотрена фотоинжекция водорода в диоксиде ванадия и её влияние на параметры фазового перехода полупроводник-металл, наблюдающегося в этом материале. Также была рассмотрена фотоинжекция водорода в гетероструктуре, состоящей из поликристаллического и аморфного слоев триоксида вольфрама.

Восьмая глава посвящена ряду научных задач, решение которых было осуществлено с помощью фотоинжекции водорода: структурным изменениям, наблюдающимся при фотоинн-жекции водорода в триоксиде вольфрама, регистрации и визуализации жестких ионизирующих излучений и созданию необычных неупорядоченных металлов, проводимость и магне-тосопротивление которых могут быть описаны с помощью квантовых поправок к проводимости.

Девятая глава посвящена исследованию фотоинжекции водорода в галогенидах серебра и меди. Исследования проведены для четырех галогенидов: хлористого серебра, хлористой меди, йодистого серебра, и суперионного проводника К-ЬА^^Л.

На основании проведенных исследований могут быть сформулированы положения, которые выносятся автором на защиту:

1. Прямая фотоинжекция водорода осуществляется в высших оксидах переходных металлов (МоОз, У2О5 ), обладающих большой удельной поверхностью, с помощью молекул органических соединений ( источников водорода ), содержащих в своем составе атом кислорода и адсорбированных на поверхности оксида с помощью донорно-акцепторной связи. Адсорбция органических молекул на оксидных поверхностях, обладающих большой шероховатостью, способствует также возникновению водородной связи между одним из водородных атомов молекулы-сорбата и концевым атомом кислорода поверхности. Склонность к образованию водородной связи усиливается образованием донорно-акцепторной связи, обеспечивающей отток электронной плотности от молекулы к поверхности, что ведет к про тонизации водородных атомов. Связывание молекулы с поверхностью приводит к ослаблению внутримолекулярных связей. При возбуждении поверхности квантами света, с энергией превышающей ширину запрещенной зоны, происходит рождение электронно-дырочных пар. Появление вблизи адсорбционного комплекса фоторожденной дырки ведет к увеличению эффективного заряда катиона адсорбционного комплекса, дополнительному оттоку электронной плотности от молекулы к поверхности, дальнейшему ослаблению молекулярных связей. В конечном счете, молекула испытывает каталитические превращения, отщепляя протон, который инжектируется в структуру оксида, обмениваясь на дырку, захваченную молекулой-сорбатом. Обмен дырки на протон делает невозможной рекомбинацию фоторож-денного электрона, так как уровни атомарного водорода лежат в зоне проводимости высших оксидов переходных металлов.

2. Непрямая фотоинжекция водорода осуществляется в тех твердых телах, прямая фотоин-жекция водорода в которых невозможна, с помощью пленочной гетероструктуры, нижним слоем которой является материал, в котором необходимо осуществить фотоинжекцию, а верхним слоем — пленка высшего оксида переходных металлов, где эффективна прямая фотоинжекция водорода. Фотоинжекция осуществляется первоначально в слое оксида переходного металла, а затем водород мигрирует в слой другого материала, изменяя свойства последнего. Для осуществления миграции водорода необходимо, чтобы работа выхода электронов из слоя оксида переходных металлов была меньше, чем из слоя другого материала. Кроме того, коэффициент диффузии протонов в слое оксида должен быть достаточно большим.

3. Фотинжекция водорода в оксидах переходных металлов приводит к радикальному изменению их электрических, оптических, структурных и других параметров. При высоких уровнях инжекции возможно осуществление перехода полупроводник-металл.

-134. На эффективность фотоинжекции оказывают влияние такие факторы, как: выбор адсорба-та (источника водорода), величина удельной поверхности адсорбента, размер и форма пор или межкристаллитных прослоек, степень шероховатости поверхности, положение уровня Ферми, коэффициент поверхностной диффузии протонов.

5. Изменение оптических характеристик оксидов переходных металлов при фотоинжекции водорода связано с образованием трех типов центров: одного объемного и двух поверхностных. При проведении фотоинжекции при низких температурах доминируют поверхностные центры, а при комнатной температуре важную роль играют и объемные центры.

6. Причиной гигантского сдвига края собственного поглощения в аморфных пленках пяти-окснда ванадия является разрушение пика плотности состояний вблизи потолка валентной зоны. Этот пик связан с оптическими переходами электронов неподеленных электронных пар концевых атомов кислорода, связанных с поверхностным катионом двойной связью, на ё-орбитали катионов ванадия. Разрушение пика вызвано смещением концевых кислородных атомов из-за их взаимодействия с инжектированными водородными атомами, а также образованием кислородных вакансий в результате реакций между кислородными и водородными атомами.

7. Фотоинжекция водорода может успешно применяться для решения целого ряда научных и прикладных задач, связанных с радикальным изменением параметров материалов под действием света или других ионизирующих излучений.

8. Фотоинжекция водорода в галогениды меди и серебра одновременно с облучением их поверхности приводит к ускорению фотолиза галогенидов и образованию агрегаций серебра как кластерного, так и коллоидного уровня.

Апробация работы

Материалы работы представлялись на Всесоюзных ( бывшего СССР) и международных конференциях:

I- ом Всесоюзном семинаре „Ионика твердого тела", Рига, 1981

П- ом Всесоюзном семинаре „Ионика твердого тела", Рига, 1982

Ш- ем Всесоюзном семинаре „Ионика твердого тела", Вильнюс 1983

I- ой Всесоюзной конференции „Физика тонких пленок", Петрозаводск 1982.

Всесоюзной конференции „Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники".

Минск, 1985.

Всесоюзной научно-технической конференции „Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников", Черновцы, 1986.

VI- ой Всесоюзной конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1986.

П- ой Всесоюзной конференции „Физика окисных пленок", Петрозаводск: 1987.

V- ой Всесоюзной конференции „Бессеребряные и необычные фотографические процессы",

Суздаль, 1988.

10-ой Международной конференции „Solid State Ionics", Сингапур, 1995. 12-ой Международной конференции по физике низких температур, Прага, 1996. Международной конференции »Advanced optical materials and devices " Рига, Латвия, 1996. Международной конференции ,3altic Meeting Point", Уппсала, Швеция, 1998. Международной конференции „Third International Meeting on Electrochromics", Лондон, Соединенной королевство, 1998.

5-ой Европейской конференции „Solid State Ionics". Бенальмадена Коста дель Соль, Андалузия, Испания, 1998.

6- ой Международной конференции ,3iennial Conference on Electronics and Microsystem Technology", Таллинн, Эстония, 1998.

Международной конференции: NATO advanced research workshop „Defects and surface induced effects in advanced perovskites" Юрмала, Латвия, 1999.

По теме диссертационной работы опубликованы следующие работы:

AI] Гаврилюк А.И., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фотохромизм в пленках WO3.

Письма в ЖТФ, 1980, т.6, в.19, сЛ 196-1199. А2] Гаврилюк А.И., Ланская Т.Г., Мансуров A.A., Чудновский Ф.А. Фотоинжекция водорода в гетероструктуре VO2-WO3. - ФТТ, 1984, т.26, в.1, с.200-206. [A3] Гаврилюк А.И., Ланская Т.Г., Мансуров A.A., Чудновский Ф.А. Перетекание водорода в оксидах переходных металлов. - Материалы докладов Ш-го научного семинара „Ионика твердого тела", 24-26 мая 1983 г. Издательство министерства высшего и среднего специального образования Лит. ССР, Вильнюс, 1984.

A4] Гаврилюк А.И., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Способ фотохромной записи оптической информации. Авторское свидетельство № 970989 от 30.03.1981 г. Официальный бюллетень „Открытия, изобретения 1983, № 48, с. 240.

А5] Гаврилюк А.И., Гуменюк А.П., Ланская Т.Г., Мансуров A.A., Чудновский Ф.А. Способ изготовления пленочных структур. Авторское свидетельство №1162362 от 13.01.1984 г.

Официальный бюллетень „Открытия, изобретения ", 1986, № 1, с. 276.

А6] Гаврилюк А.Й. Фотохромизм в тонких плёнках триоксида молибдена и триоксида вольфрама. - В кн.: Гаврилюк А.И. и Секушин H.A. „ Электрохромизм и фотохромизм в оксидах вольфрама и молибдена". Ленинград, „Наука", 1990, с. 40-100.

А7] Гаврилюк А.И., Гуменюк А.П., Мансуров A.A., Чудновский Ф.А. Способ изготовления фоточувствительного материала. Авторское свидетельство №1151118 от 23.08.1983 г.

Официальный бюллетень „Открытия, изобретения ", 1987, № 45, с. 254.

А8] Гаврилюк А.И. Фотоинжекция водорода в триоксиде вольфрама. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ленинград, 1983.

А9] Гаврилюк А.И., Про хватило в В.Г., Чудновский Ф.А. Структурные изменения при электрохромном и фотохромном процессе в трехокиси вольфрама - ФТТ, 1982, т.24, в.4, с.982-992.

А10] Гаврилюк А.И., Гусинский Г.М., Мансуров А.А,. Рассадин JI.A., Чудновский Ф.А. Исследование фотоинжекции водорода в оксидах переходных металлов с помощью ядерной реакции 2D (3Не, р) а. - ФТТ, 1987,.т.28, в.7, с.2053-2056

Al 1] Gavrilyuk.A.I. Photochromism in W03 thin films. - Electro chimica Acta, 1999, vol.44, No. 18, p. 3027-3037.

A12] Гаврилюк А.И, Мансуров А.А., Чудновский.Ф.А. Способ фотохромной записи оптической информации на аморфных пленках высших оксидах переходных металлов. Авторское свидетельство 1259848 от 5.10.1984 г. Официальный бюллетень „Открытия, изобретения 1989, № 39, с. 279.

А13] Gavrilyuk A.I., Nature of the defects induced by photoinjection of hydrogen in transition metal oxides, in: „Defects and surface-induced effects in advanced perovskytes", NATO science series Kluwer Academic Publishers, Dordrecht/Boston/London, edited by Gunnar BorsteL, Andris

Krumins and Donats Millers 3. High Technology, 2000, voL 77, p. 427-438.

A14] Tritthart U., Gey W., Gavrilyuk A. Nature of the optical absorption band in amorphous

HxW03 films. - Electrochimica Acta, 1999, voL44, No.18, p.3039-3049.

A15] Tritthart U., Gey W., Gavrilyuk. A.I. Low temperature coloration of W03 and Mo03 thin films. - Ionics, 1998, voL 4, No.3-4, p.299-308.

A16] Гаврилюк А.И., Мансуров А.А., Чудновский Ф.А. Фотоинжекция водорода в аморфных пленках МоОз и V205. - Письма в ЖТФ, 1984,.т. 10, в. 11, с.693-697. [А17] Chudnovskii F.A., Shaefer M.D., Gavrilyuk A.I., Reifenberger R. A Study of the Morphology of Photochromic and Thermochromic Mo03 Amorphous Films Using an Atomic Force Microscope. - Appl. Surface Science, 1992, vol. 62, No.2, p.145-149.

A18] Tritthart U., Gavrilyuk A, Gey W, Low temperature photochromism in quasi-amorphous Mo03-films. - Solid State Communications, 1998, vol.105, No.10, p.653-657,.

А19] Гаврилюк А.И., Чудновский Ф.А. Электрохромизм в пленках V2O5. - Письма в ЖТФ, 1977, т.З , в.4, с.174-177.

А20] Гаврилюк А.И., Рейнов Н.М., Чудновский Ф.А. Фото- и термохромизм в пленках V2Os. - Письма в ЖТФ, 1979, т.5, в.20, с.1227-1230.

А21] Gavrilyuk. Alexander Rature of photochromism in amorphous V2O5 thin films", in Optical Organic and Semiconductor Inorganic Materials, Edgar A. Silinsh, Arthur Medvid, Angrejs R. Lusis, Andris O. Ozols, Editors, Proc. SPIE, 1997, 2968, p. 195-200. [A22] Гаврилюк А.И.,. Ланская Т.Г. Фотохромизм в тонких слоях V2O5, полученных с помощью "золь-гель" технологии. - Письма в ЖТФ, 1994,.т.20, в.6, с. 12-17. [А23] Гаврилюк А.И.,. Ланская Т.Г, Чудновский Ф.А. Фотоспилловер водорода в пленочной гетероструктуре, состоящей из поликристаллического и аморфного слоев триоксида вольфрама. - ЖТФ, 1987, т.57, в.8, с.1617-1622.

А24] Гаврилюк А.И., Гусинский Г.М., .Ланская Т.Г. Определение силы осциллятора оптического перехода для центров окраски в тонких пленках WO3. - Письма в ЖТФ, 1994, т.20, в.7, с.77-82.

А25] Гаврилюк А.И. Определение соотношения между величинами силы осциллятора для центров окраски в тонких пленках WO3 и М0О3.- Письма в ЖТФ, 1993, т.19, в.22, с.48-53. [А26] Гаврилюк А.И., Мансуров A.A., Разиков А.Ф., Чудновский Ф.А.,. Шавер И.Х. Устройство для регистрации рентгеновского и гамма-излучений и способ его изготовления. Авторское свидетельство № 1279383 от 5.10.1985 г Официальный бюллетень „Открытия, изобретения ", 1989, № 39, с. 279.

А27] Гаврилюк А.И., Мансуров A.A., Разиков А.Х., Чудновский Ф.А., Шавер И.Х. Образование центров окраски в аморфных пленках Мо03 под действием рентгеновского и у- излучений. -ЖТФ, 1986, т.56, в.5, с.958-960.

А28] Гаврилюк А.И., Моторный A.B., Разиков А.Х., Тесленко С.П., Чудновский Ф.А,

Шавер И.Х. Визуализация ß- излучения трития с помощью аморфных пленок триоксида молибдена. - Письма в ЖТФ, 1985, т.11, в.18, с.1089-1093.

А29] Антропов А.Е., Афонин О.Ф., Гаврилюк А.И., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А, ТНа-вер И.Х. Применение пленок оксидов переходных металлов для исследования профилей ионных пучков.- Письма в ЖТФ, 1978, т.4, в. 10, с.561-564.

А30] Gavrilyuk A.I., Lanskaya T.G. Photoinjection of hydrogen in solids. - Proceedings of the 6th Biennial Conference on Electronics and Microsystem Technology, 7-9 October 1998, Tallinn, Estonia, p.35-39.

A31] Tritthart U., Gavrilyuk A., Gey W. Weak localization and electron-electron interaction in amorphous HxW03. - Czechoslovak Journal of Physics, 1996, vol. 46 p.2495-2496. Reports of the

12th International Conference on low temperature physics, Prague, 1996.

A32] Tritthart U., Gavrilyuk A.I., Gey W. Schwache Lokalisierung und Elektron-Elektron

Wechselwirkungen. - Wiss. Ber. HMFA Braunschweig, 1993/94, F. 13, s.33-38.

A33] Gavrilyuk A.I. Photoinjection of hydrogen in solids. - Ionics, 1998, vol.4, No.5-6, p.372-382.

A34] Gavrilyuk Alexander. Photoinjection of hydrogen in Ag- and Cu-halides.- Optical Organic and

Semiconductor Inorganic Materials, Edgar A. Silinsh, Arthur Medvid, Angrejs R. Lusis, Andris O.

Ozols, Editors, Proc. SPIE, 1997, 2968, 213-218.

A35] Гаврилюк А.И. Фотохромизм в тонких пленках RbAg^s.- Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, в.22, с. 1-5.

А36] Гаврилюк А.И. Фотоинжекция водорода в тонких пленках RbAgJs-- Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, в.22, с.44-49.

По материалам диссертационной работы получено пять авторских свидетельств на изобретения. Автор награжден бронзовой медалью Выставки достижений в народном хозяйстве СССР.

Структура диссертации

Диссертация состоит из девяти глав. Она содержит 208 страниц основного текста, 128 рисунков, введение - 11 страниц, оглавление - 5 страниц, список использованных сокращений - 1 страница, список цитируемой литературы - 17 страниц, итого - 370 страниц. Список цитируемой литературы содержит 190 ссылок. Во введении содержится 36 ссылок на авторские работы по теме диссертации.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гаврилюк, Александр Иванович

ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

1. Впервые предложены методы радикального изменения параметров твердых тел с помощью управляемой светом инжекции ( фотоинжекции ) водородных атомов.

2. Разработаны методы фотоинжекции ( прямая фотоинжекция и фотоинжекция с использованием специального инжектора водорода ), определен круг молекул, способных играть роль доноров водородных атомов при фотоинжекции, разработана технология пленок и пленочных гетероструктур, в которых эффективно осуществляется фотоинжекция водорода, разработаны методы адсорбции молекул-доноров водорода на поверхности твердого тела.

3. Впервые обнаружены: электрохромный и фотохромный эффекты в аморфных пленках пятно ксида ванадия, фотохромный эффект в поликристаллических пленках диоксида ванадия и поликристаллических пленках триоксида вольфрама.

4. Впервые показаны возможности резкого усиления фотохромного эффекта в аморфных пленках триоксида вольфрама, аморфных пленках триоксида молибдена.

5. Впервые осуществлены фотохромные эффекты в аморфных пленках триоксида вольфрама, триоксида молибдена, пятиоксида ванадия при низких (вплоть до температуры кипения жидкого гелия) температурах.

6. Разработана модель фотоинжеции водорода в твердых телах. Исследовано влияние различных факторов, таких как удельная поверхность, положение уровня Ферми, размер и структура пор, коэффициента диффузии водорода, и других, на эффективность фотоинжекции в оксидах переходных металлов.

7. Разработана модель трех центров поглощения, возникающих в оксидах переходных металлов при инжекции водородных атомов. Один из центров возникает в объеме оксида, в то время как два других ( простой и спаренный) на поверхности твердого тела. Предложенная модель позволяет описать всю совокупность экспериментов по природе оптического погло щения, возникающего при фотоинжекции в оксидах переходных металлов с различным соотношением объем-поверхность и в широком диапазоне температур.

8. Была объяснена природа гигантского сдвига края собственного поглощения в аморфных пленках пятиоксида ванадия. Причиной сдвига является разрушение пика плотности состояний вблизи потолка валентной зоны. Этот пик связан с оптическими переходами электронов неподеленных электронных пар концевых атомов кислорода, связанных с поверхностным катионом двойной связью, на ё- орбитали катионов ванадия. Разрушение пика вызвано смещением концевых кислородных атомов из-за их взаимодействия с инжектированными водородными атомами, а также образованием кислородных вакансии в результате реакций между кислородными и водородными атомами.

9. Впервые показано, что инжекция водорода, осуществляемая одновременно с облучением щ галогенидов меди и серебра светом с энергией квантов, большей ширины запрещенной зоны этих материалов, приводит к резкому ускорению фотолиза галогенидов. Разработана модель этого процесса.

10. Показано, что фотоинжекция водорода может успешно применяться для решения целого ряда научных и прикладных задач, связанных с радикальным изменением параметров материалов под действием света или других ионизирующих излучений.

11. В результате проведенных исследований создано новое научное направление в физике конденсированного состояния „Фотоинжекция водорода в твердых телах". т

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Гаврилюк, Александр Иванович, 2002 год

1. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. Москва, „Наука", 1970, 400с.

2. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. Москва, „ Наука", 1979, 234 с.

3. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. Москва, „Мир", 1980, 488 с.

4. Faughnan B.W., Crandall R.S., Heyman P.M. Electrochromism in WO3 Amorphous Films.- RCA Review, 1975., vol.36, No. 1, p. 177-197

5. Bechinger C., Herminghaus S, Leiderer P. Photoinduced doping of thin amorphous WO3 films. Thin Solid Films, 1994, vol. 239, No.l, p. 156-160.

6. Герман Э.Д., Догонадзе P. P. Квантовомеханическая теория кинетики реакций переноса протона. В кн.: Р.Белл. Протон в химии. Москва, „Мир", 1977, с.350-376.

7. Dickens P.G., Moore J.H., Nield D.J. Thermochemistry of hydrogen tungsten bronze phases. -Joum. Solid State Chemistry, 1973, vol. 7, No. 2, p. 241-242.

8. Краткий справочник химика. Составил Перельман В.И. Москва, „Химия", 1964, 620 с.

9. Шрайнер Р., Фьюзон Р., Кёртин Д., Моррилл Т. Идентификация органических соединений. Москва, „Мир", 1983, 704 с.

10. Драго Р. Физические методы в химии , том 1. Москва, „Мир", 1981, 422 с.

11. Брандт Дж., Эглинтон Г. Применение спектроскопии в органической химии. Москва. „Мир", 1967, 280 с

12. Юхневич Г.В. Инфракрасная спектроскопия воды. Москва, „Наука", 1973, 208 с.

13. Секушин H.A. Структура пор, механические напряжения, электропроводность, электрохромизм W03 и влияние адсорбции воды на эти характеристики.

14. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Ленинград, ЛГУ, 1986.

15. Секушин Н.А., Цыганенко А.А. Исследование свойств поверхности аморфных плёнок WO3 и М0О3 методом инфракрасной спектроскопии.- Журнал физической химии, 1987,т. LXI, № 1, с.159-164.

16. Секушин Н.А., Цыганенко А.А. ИК- спектроскопия воды, сорбированной аморфными пористыми пленками WO3.- Коллоидный журнал, 1987, № 2, с.370-372.

17. Литтл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. Москва, „Мир", 1969, 514 с.

18. Давыдов А. А. ИК- спектроскопия в химии поверхности окислов. Новосибирск, „Наука", 1984,246 с.

19. Радиационно-химические процессы в гетерогенных системах на основе дисперсных окислов. Под редакцией Стрелко В.В. и Кабакчи A.M. Москва, „Энергоиздат", 1981, 120 с.

20. Пшежецкий С.Я., Котов А.Г., Милинчук В.К., Рогинский В.А., Тупиков В.И. ЭПР свободных радикалов в радиационной химии. Москва, „Химия", 1972, 480 с.

21. Yao J.N., Loo В.Н., Fujishima A. A study of the photochromic and electrochromic properties of M0O3 thin films.- Berichte Bunsenges, Phys. Chem., 1990, vol. 94, No.l, p. 13-17.

22. Мосс Т., Баррел Г„ Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. Москва, „Мир", 1976,432 с.

23. S.K. Deb. Optical and Photoelectric Properties and Colour Centres in Thin Films of Tungsten Trioxide.- Philosophical Mag., 1973, vol. 27, No. 4, p. 801-822.

24. Sawada S., Danielson C.G. Domain structure of WO3 single crystals. Phys. Revue , 1959, voLl 13, No.7, p. 1006-1008.

25. Granqvist C.G. Handbook of inorganic electrochromic materials. Elsevier, Amsterdam, Lausanne, New York, Oxford, Shannon, Tokyo. 1995, 634 p.

26. Фаунен Б.В., Крэнделл P.C. Электрохромные дисплеи на основе WO3, В кн.:,Дисплеи".

27. Под редакцией Ж. Панкова. Москва, „Мир", 1982, с. 228-266.

28. Crandall R.S., Faughnan B.W. Measurements of the diffusion coefficient of electrons in WO3 films. Applied Physics Letters, 1975, vol.26, No.3, p. 120-121 .

29. Разиков A.X. Взаимодействие ионизирующих излучений с аморфными пленками триоксида молибдена. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Ленинград, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1986.

30. Т. Г .Ланская. Фотоспилловер водорода в оксидах переходных металлов. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1991.

31. Schlotter P., Pickelmann L. The xerogel structure of thermally evaporated tungsten oxide layers.- Journal of Electronic Materials, 1982, vol. 11, No.2, p. 207- 236.

32. Секупшн H.A. Электрохромизм в тонких пленках триоксида вольфрама. В книге: Гаврилюк А.И. и Секупшн Н.А. „Электрохромизм и фотохромизм в оксидах вольфрама и молибдена". Ленинград, „Наука", 1990, с. 6-39.

33. Клеперис Я.Я. Природа центров окраски и механизм их образования в триоксиде вольфрама. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Рига, 1983.

34. Гесь И.М. Разработка и исследование методов и средств улучшения основных параметров электрохром ных пленок триоксида вольфрама и структур на их основе для устройства отображения информации. Минск, 1989.

35. Грег С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. Москва, „Мир," 1970, 408 с.

36. Палатник JI.C., Черемной П.Г., Фукс М.Я. Поры в плёнках. Москва, „Энергоиздат", 1982,216 с.

37. Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводника. Москва, „Наука", 1960,188с.

38. Крылов О.В, Киселев В.Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. Москва, „Химия", 1981,288 с.

39. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов. Москва, „Мир", 1969, 294 с.

40. Барачевский В.А., Пашков Г.И., Цехомский В.А. Фотохромизм и его применение. Москва, „Химия", 280 с.

41. Bernal J.D., Fowler R.H. A theory of water and ionic solutions with particular reference to hydrogen and hydroxyl ions.- Journal of Chemical Physics, 1933, Vol.1, No.8, p. 515-526,.

42. Antonchenko V.Ya, Davydov A.S., Zolatoriuk A.V. Solitons and proton motion in ice-like structures.- Physica Status Solidi (B), 1983, vol. 115, No.2, p.631-640.

43. A.C. Давыдов. Солитоны в биоэнергетике. Киев, „Наукова думка", 1986, 160 с.

44. Мовчан Б.А., Демчишин А.В. Исследование структуры и свойств толстых вакуумных конденсатов никеля, титана, вольфрама, окиси алюминия и двуокиси циркония.- Физика металлов и металловедение, 1969, том 28, вып.4, с. 653-660.

45. M.S. Whittingham, R.A. Huggins, in Fast Ion Transport in Solids ( Edited, by W. Van Gool) p.645. Proceedings of the NATO Sponsored Adv. Study Inst, on Fast Ion Transport in Solids, Belgrate, Italy, September 5-15, 1972, Elsevier, 1973.

46. Faughnan B.W, Crandall R.S., Lampert M.H. Model for the bleaching of W03 electrochromicfilmby an electric field.- Appl. Phys. Letters, 1975, vol. 27, No. 5, p. 275-277.

47. Robertson C.W., Williams D. Lambert absorption coefficient of water in the infrared. -Journal of the optical society of America, 1971, vol. 61, No. 10, p. 1316-1320.

48. Золотарев B.M., Михайлов Б.А., Альперович А.И., Попова С.И. Дисперсия и поглощение жидкой воды в инфракрасной и радиоволновой области спектра. Оптика и спектроскопия, 1969, т.27, вып. 5. с. 790-794.

49. Shiojiri М., Miyano Т., Кайо S. Densities of amorphous thin films.- Japan. Journal of Applied Physics, 1979, vol.18, No.10,1931-1936.

50. Nanba Т., Yasui I. Amorphous tungsten trioxide films. Journal of Solid State Chemistry, 1989, vol. 83, No. 2, p. 304-315.

51. Hashimoto S., Matsuoka H. Mechanism of electrochromism for amorphous WO3 thin films. -Journal of Applied Physics, 1991, VoL 69, No. 2, p. 933-937.

52. Гольдберг Ю.А., Константинов O.B., Панкин B.M., Львова Т.В., Романов Ю.Ф„ Царенков Б.В. Полупроводниковый дозиметр ультрафиолетового излучения.- ГГГЭ, 1977, вып.З, с. 269.

53. Bechinger С., Wirth Е., Leiderer P. Photochromic coloration of WO3 with visible light. -Applied Physics Letters, 1996, vol. 68, No.20, p. 2834-2836.

54. Касуэлл X.Л. Оборудование для испарения материалов в сверхвысоком вакууме и анализ остаточных газов. В книге „Физика тонких пленок", том 1, Москва, „Мир", 1967, с. 13-90.

55. Технология тонких пленок. Справочник под редакцией Майселла Л., и Глэнга Р. Москва, „Мир". Том 1,1977, 662 с.

56. Клеперис Я.Я., Габрусенок Е.В., Лусис А.Р., Раманс Г.М. О строении аморфных пленок триоксида вольфрама,- Известия АН Латв. ССР, серия физ. и техн. наук, 1982, № 5, с. 61-63.

57. Круглов В.И., Денисов Б.П., Краевский С.Л. Электронная структура электрохромныхаморфных пленок триоксида вольфрама и триоксида молибдена. В кн.: „Оксидные элекгро-хромные индикаторы", ЛГУ, Рига, 1980, с.66-85.

58. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. Москва, „Наука", 1977, 368 с.

59. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. Москва, „Наука", 1979, 344 с.

60. Цикмач П.Д. Электрохромизм и локализация носителей заряда в триоксиде вольфрама. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Рига, 1985.

61. Wagner H.J, Driessen P., Schwerdfeger C.F. EPR of Mo5+ in amorphous M0O3 films. Journ. Non-Cryst. Solids, 1979, vol. 34, No.3, p.335-339.

62. Dexter D.L Refractive index and Faraday effect in solid solutions.- Phys. Review, 1958, vol. Ill,No. l,p.l 19-124.

63. Nakamura A., Yamada S. Fundamental absorption edge of evaporated amorphous WO3 films. -Applied Physics, 1981, Vol.24, No.l, p. 55-59.

64. Schirmer O.F., Salje E. Conduction bipolarons in low-temperature crystalline WO3-X. J. Phys. C: Solid St. Phys., 1980, vol.13, No. 36, p. L1067-1072

65. Гольданский В.И., Трахтенберг Л.И., Флёров B.H. Туннельные явления в химической физике. Москва, „Наука", 1986, 296 с.

66. Грей Г. Электроны и химическая связь. Москва, „Мир", 1967, 236 с.

67. Heinrich V.E., Dresselhaus G., Zeiger H.I. Studies of syrface defect states on ТЮ2. Two-dimentional surface phases. In: Physics of Semiconductors. Proceedings of 13th International conferences, Rome, 1976, p.726-729.

68. Rubloff G.W., Luth H., Grobman F. Orbital shifts associated with chemical bonding of organic molecules on ZnO nonpolar surfaces. Journal of Vacuum science and Technology, 1976, vol. 13, No.l, p.333.

69. Р.Белл. Протон в химии. Москва, Мир. 1977, 386 с.

70. Пиментел Д., Мак-Келлан О. Водородная связь. Москва, „Мир", 1964,464 с.

71. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. „Химия", Ленинград, 1986,288 с.

72. Клеперис Я.Я., Лусис А.Р. Спектры термомодулированного поглощения тонких слоев трехокиси вольфрама и вольфрамофосфатных стеклах. Физика и химия стеклообра-зующих систем, вып.4, Рига, 1976, с. 124-131.

73. Schirmer O.F., Wittwer V., Baur G., Brandt G. Dependence of W03 electrochromic absorption on crystallinity.- Journal of Electrochemical Society: Solid State Science and Technology, 1977, vol. 124, No.5, p. 749-753.

74. Hush N.S. Intervalence-Transfer Absorption. Part 2. Theoretical Considerations and Spectroscopie Data. Progress in Inorganic Chemistry. 1966, vol.8, p.392-444.

75. Schirmer O.F. Small polaron aspects of defects in oxide materials.- Journal de physique, 1980, colloque C6, C479-484.

76. Schirmer O.F., Saije. E. The W5+ polaron in crystalline low temperature WO3. ESR and optical absorption.- Solid State Communications, 1980, vol. 33, No. 3, p. 333-336.

77. Saije E. Polarons and bipolarons in tungsten oxide, W03-x- European Journal of Solid State Inorganic Chemistry, 1994, t. 31, p.805-821.

78. Wadsley A.D. Crystal chemistry of stoichiometric compounds. Revue of pure and applied chemistry, 1955, vol. 5, No.l, p.165-193.

79. Hjelm A., Granqvist C.G., Wills J.M. Electronic structure and optical properties of WO3, LiWCb, NaW03, and HW03.- Phys. Rev. B, 1996, vol.54, No.4, p.2436-2445.

80. Gazineffi G., Schirmer O.F. Light induced W5+ ESR in W03. J. Phys. C, 1977,. vol. 10, No.l, p. LI45-149.

81. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. Москва, „Наука", 1979,415 с.

82. Salchow R., Liebmann R., Appel J. Electron-phonon interaction in polar solids with application• to the tungsten bronzes.- J. Phys. Chem. Solids. 1983, vol.44, No.3, p.245-259.

83. Crandall R.S, Wojtowicz P.J, Faughnan B.W. Theory and measurement of the change in chemical potential of hydrogen in amorphous HXWC>3 as a function of the stoichiometric parameter x. Solid State Communications, 1976, vol. 19, p. 1409-1411.

84. U. Tritthart. WasserstofFdotierte W03-Filme. Dissertation , TU Braunschweig, 1999.

85. Davazoglou D, Donnadieu A. Electrochromism in polycrystaffine WO3 thin films prepared by chemical vapour deposition. Thin Solid Films, 1988, vol. 164, p. 369-374.

86. Брыксин B.B. Оптическое внутризонное поглощение в неупорядоченных системах с ф сильной элекгрон-фононной связью. ФТТ, 1982, том 24, №4, с. 1110-1117.

87. Wittwer V., Schirmer O.F., Schlotter. P. Disorder Dependence and Optical Detection of the Anderson Transition in Amorphous HxW03 Bronzes. Solid State Communications, 1978, vol. 25, No. 12, p. 977-980.

88. Miyake K., Kaneko H., Sano M., Suedorni N. Physical and electrochromic properties of the amorphous and crystalline tungsten oxide thick films prepared under reducing atmosphere. -J. Appl. Physics, 1984, vol. 55, No.7, p.2747-2753.

89. J.B. Goodenough. Metallic oxides.- Progress in Solid State Chemistry, 1971, vol. 5, p.145-399.

90. Green M., Travlos A. Sodium-tungsten bronze thin films. 1. Optical properties of diluted bronzes. Philosophical magazine, 1985, vol 51, No. 5, p. 501-520.

91. Burstein E. Anomalous orbital absorption limit in InSb. Phys. Rev, 1954, vol. 93, No. 3, p.ф 632-633.

92. Moss T.S. Interpretation of the properties of indium antimonide. Proceedings Phys. Soc. London B, 1954, vol. 67, pt. 10, p. 775-782.

93. Abram R.A., Rees G.J., Wilson B.L.H. Heavily doped semiconductors and devices. Adv. Phys., 1978, vol. 27, No. 6, p.799-892.

94. Berggren K-F., Sernelius B.E Band-gap narrowing in heavily doped many-valley semiconductors. Phys. Rev. B, 1981, vol. 24, No.4, p. 1971- 1986.

95. Hamberg I, Granqvist C.G. Berggren K-F., Sernelius B.E., Engstrom L. Band-gap widening in heavily Sn-doped I203.- Phys. Rev. B, 1984, vol 30, No. 6, p. 3240-3249.

96. Deb S.K, Chopoorian J.A. Optical Properties and Color-Center Formation in Thin Films of Molybdenum Trioxide.- J. AppL Phys., 1966., vol.37, No. 13, p. 4818- 4825

97. S.K. Deb. Physical properties of a transition metal oxide: optical and photoelectric properties of single crystals and thin film molybdenum trioxide. Proc. Royal Soc., A, 1968, vol.304, No. 1477, p. 211-231.

98. Трифиро Ф., Чентола П., Паскуон И., Иру П. В кн. „Основы предвидения каталитического действия". Труды IV Международного конгресса по катализу, Москва, 1968, том 1, Наука, 1970, с. 218.

99. Крылов О.В. В кн.: „Проблемы кинетики и катализа", том 16, Поверхностные соединения в гетерогенном катализе, Москва, „Наука", 1975, с. 129.

100. Sotani I., Shimada I., Suzuki Т., Eda К., Kunitomo M. Proton insertion compound with tunnel structure. Solid State Ionics, 1998, vol. 113-115, p. 377-385.

101. Hanafi Z.M., Khilla M.A., Abu-El Saud A. Infrared measurements in molybdenum trioxide and its suboxides.- Revue de Chemie Minerale, 1975, .t.12, No.6, p. 546-552.

102. Ohtsuka Т., Goto N., Sato N. IR and Raman spectroscopies of W03 thin films prepared by sol-gel method. Journal of Electroanalytical Chemistry, 1990, vol. 287, No.2, p.249-264.

103. Ohtsuka Т., Goto N., Kunimatsu K. IR reflectance and Raman spectroscopies of the anode oxide films on tungsten. Berichte Bunzenges, Phys. Chem., 1987, vol. 91, No. 4, p. 313-316.

104. Anpo M., Tanahashi J., Kubokawa Y. Photoreducibility of supported metal oxides and lifetimes of their excited triplet states. Journal Phys. Chem, 1982, vol. 86, No.l, p. 1-3.

105. Бродский М. X. Комбинационное рассеяние света в аморфных полупроводниках. В кн.: „Рассеяние света в твердых телах". Москва, „Наука", 1979, с. 230-289.

106. Arnoldussen Т.С. A Model for Electrochromic Tungsten Oxide Microstructure and Degradation. Journ. Electrochemical Society: Electrochemical Science and Technology, 1981, vol.128, No.l, p.l 17-123.

107. Харгиттаи M., Харгиттаи И. Геометрия молекул координационных соединений в парообразной фазе. Москва, „Мир", 1976, 248 с.

108. Раманс Г.М., Патмалниекс А.А. Структура и морфология аморфных пленок триоксида вольфрама и молибдена. В книге: „Электрохромизм", Издание Латвийского университета,1987, с. 67- 82.

109. Порай-Кошиц M.A., Атовмян JI.O. Кристаллохимия и координационная химия координационных соединений молибдена. Москва, „Наука", 1974, 230 с.

110. Kuzmin A., Purans J. X-ray absorption study of local structural changes in a-W03 under coloration. Journal of Physics: Condensed Matter, 1993, vol.5, p. 2333-2340.

111. Kiss A.B. Infrared vibrational frequencies of reduced tungsten oxide W03.x (l>x>0). Acta Chim. Acad. Sci. Hung. 1975, voL54, No.4. p.393-407.

112. M.R. Tubbs. M0O3 Layers Optical Properties, Colour Centres, and Holographic Recording.- Physica Status Solidi (a), 1974, vol. 21, No. 21, p. 253- 260.

113. Bechinger C., Wirth E., Leiderer P. Photochromic coloration of WO3 with visible light. Appl. Phys. Letters, 1996, vol. 68, No.20, p. 2834-2836.

114. Livage J., Colongues R. Semiconducting properties of amorphous V2O5 thin films deposited by splat cooling. Material science engineering, 1976., vol. 23, No. 2-3, p. 297-299.

115. Rivoalen L., Revcolevschi A., Livage J, Colongues R. Amorphous vanadium pentoxide. -Journal of non-crystalline solids, 1976, vol. 21, No.2, p. 171-179.

116. Sakurai Y, Yamaki Y. V2O5-P2O5 glasses of cathode for lithium secondary batteries.- Journal of electrochemical society, 1985, vol. 132, No.2, p. 512-513,

117. Sanches C., Livage J, Audiere J,P., Madi A. Influence of the quenching rate on the properties of amorphous V2O5 thin films. Journal of non-crystalline solids, 1984, vol. 65, No. 2-3, p. 285300.

118. Clauws P., Vennik J. Lattice vibrations of V2O5. Determination of TO and LO frequencies from infrared reflection and transmission. Physica status solidi ( b), 1976. vol. 76, No.2, p.707-713,

119. Clauws P., Broekx J., Vennik J. Lattice vibrations of V2O5. Physica status solidi (b ) 1985, vol. 131, No.2, p. 459-473.

120. Ман у хин A.B., Плаксин O.A., Степанов В.А. Известия Академии наук СССР. Колебательные спектры и химическая связь в V2O5. Неорганические материалы, 1988, Том 24, № 2, с. 251-254,

121. Решина И.И. Спектр длинноволновых оптических колебаний решетки пятиокиси ванадия. ФТТ, 1972, том 17, вып.2. с.345-356.

122. Lewis К.В., Oyama S.T., Somorjai G.A. TPD studies of vanadium oxide films deposited on gold. Applied surface science , 1991, vol. 52, No.3, p. 241-248.

123. Bullet D.W. The energy band structure of V205.-Journal of physics C, 1980, vol. 13, No. 23, p. L595-599.9 131. Bachmann H.G., Ahmed F.R., Barnes W.H. Die Struktur von V205 Oxid. Zeitschrift fflr Kristalografia, 1961, B. 115, H.2, S. 115-130.

124. Lambrecht W., Djafari-Rouhani В., Lannoo M., Vennik J. The energy band structure of V2O5: I. Theoretical approach and band calculations.- Journal of physics C, 1980, vol. 13, No. 13, p.2485-2501.

125. Fiermans L., Clauws P., Lambrecht W., Vandebroucke L., Vennik J. Single crystal V2Os and low oxides. Physica status solidi ( a ), 1980. vol. 59, No. 1, p. 485-504.

126. Michailovits S., Hevesi I., Liem Phan, Varfa Zs. Determination of the optical constants and thickness of amorphous V205 thin films. Thin solid films. Electronics and optics, 1983, Vol 102, No.l, p.71-76.

127. Bullot J., Gallais O., Gauthier M., Livage Threshold switching in V205 layers prepared from gels. J. Phys. status soL (a), 1982, voL 71, No.l, p.K.l-K4.

128. Bullot J., Gallais O., Gauthier M., Livage J. Semiconducting properties of amorphous V2Os1. Щуlayers deposited from gels. AppL Phys. Letters 1980, vol. 36, No. 12, p. 986-988.

129. Kahn A., Livage J., Collongues R. ESR of V4* in amorphous and crystalline V2O5. Phys. status sol. (a), 1974, vol. 26, No. 1, p. 175-179.

130. Brückner W., Opperman H., Reichelt W., Terukow E.I., Tcshudnovski F.A., Wolf E. Vanadiumoxide: Darstellung, Eigenschaften, Anwendung. Berlin, Akademie-Verlag, 1983, 252 s.

131. Rowall R.J., Berglund C.N. Photoemission from V02. Phys. Rev., 1969, vol.178, No.3, p. 1410-1414.

132. Бугаев A.A, Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход полупроводник-металл и его применение. Ленинград, Наука, 1979,184 с.

133. Griffith С.Н., Eastwood Н.К. Influence of stoichiometry on the metal-semiconductor transition in vanadium dioxide. Journ. Appl. Phys., 1974, vol. 45, No.5, p.2201-2204.

134. Reyes J.M., Sayer R., Chen R. Transport properties of tungsten doped VO2. Canadian Journ. of Physics, 1978, vol. 54, No.4, p. 406-410.

135. Бугаев А.А, Гаврилюк А.И., Гурьянов A.A., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Метаста-бильная металлическая фаза в пленках двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1978, том 4, вып.2, с. 65-69.

136. Kennedy Т.Н., Machansie J.D. Suppression of the semiconductor-metal transition in V02. -Journ. Non-Cryst. Solids, 1969, vol.1, No.4, p.326-329.

137. Chenevas-Paule A. Induction de la transition isolant-metal de VO2 substitution diespeces chemisorbces pour T<Te. Journal de Physique, 1976, vol.37, c.4, p.75-77.

138. Шадрин E Б., Ильинский A.B. О природе фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия. ФТТ, 200, т. 42, № 6, с. 1092-1099.

139. Roth S, Waring А. Х- ray studies of triclinic phase of W03. Journal of Research of National Bureau of Standards, 1966, vol. 70A, p. 281-284.

140. Schwartzmann E., Glemser О. Zur Bindung des Wassers in dem Hydraten des Wolframtrioxides. Z. Anorganische und Algemeine Chemie, 1961, Bd. 312, No. V2, S. 93-98.

141. Dickens P.G., Hurditch RJ. X-ray and neutron diffraction studies of a tetragonal hydrogen bronze HxW03. Nature, 1967, vol. 215, No. 5107, p. 1266-1267.

142. Справочник „Физико-химические свойства окислов ". Под редакцией Самсонова Г.В. Москва, „ Металлургия ", 1978,472 с.

143. Краткая химическая энциклопедия. Москва „Советская энциклопедия", 1967, том V, с. 209.

144. Steep Е., Gey W., Lemer С., Beiß М. Precession analysis of quantum corrections to the conductivity in disordered conductors. Z. Phys. B, Condens. Matter, 1993, B. 92, s. 461-468.

145. Lee P.A, Ramakrishnan T.V. Disordered electronic systems. Rev. Mod. Phys. 1985, vol. 57, No.2, p. 287-337.

146. Al'tshuler B.L., Aronov A.G., Electron-Electron Interaction in Disordered Systems", Eds. щ Efros A.L. Pollak M., North-Holland, Amsterdam, 1985, p. 1 -153.

147. Sahnoune A, Ström-Olsen J.O. Weak localization and enhanced electron-electron interaction in amorphous Ca70( Mg, Al)30. Phys. Rev. B, 1989, vol. 39, No. 11, p.7561.

148. Sahnoune A, Ström-Olsen J.O., Zaduska A. Quantum corrections to the conductivity in icosahedral Al-Cu-Fe alloys. Phys. Rev. B, 1992, vol. 46, No. 17, p. 10629-10535.

149. Haberkern R., Fritsch G., Schilling J. Quantum corrections in AlCuFe quasicrystals. Z. Phys. B, 1993, vol. 92, No.3, p.383-387.

150. Lindqvist P., Lanco, P. Berger C., Jansen С., Cyrot-Leckmann A.G. Magnetoconductance of quasicrystals and their approximants: A study of quantum interference effects. Phys. Rev. B, 1995, voL 51, No. 8, p. 4796-4806.

151. Schmid A. On the dynamics of electron in impure metal. Z. Physik, 1974, B.271, H.3, s.251-256.

152. Mott N.F., Gumey R.W. Electronic processes in ionic crystals. Oxford, 1948, 276 p.

153. Костышин M.T., Красноженов Е.П. Температурная зависимость фотолиза AgCl. Укр.физ. журнал, 1972, том 17, № 2, с. 325 -327.

154. Кей Д., Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных. Москва, „Физматгиз", 1962,248 с.

155. Ю.И.Петров. Физика малых частиц. Москва, Наука, 1982, 360 с.

156. Ю.И.Петров. Кластеры и малые частицы. Москва, Наука, 1986, 368 с.

157. Ogura Н., Ogura Т. Cause of the red coloration obtained by photolysis of silver halide suspensions: A Study of print-out effect, Journ. raaging Science and Technology, 1994, voL 38, No.3, p.222-228.

158. Краткая химическая энциклопедия. Москва, „Советская энциклопедия", 1965, том IV, с. 368.

159. Nikl М., Polak К., Rosa J. CuCl quantum dots in CuCl- doped NaCl crystals. Solid State Communications, 1993, voL 85, No.6, p.467-470.

160. Cardona M. Optical properties of the silver and cupruos halides. Phys. Rev., 1963,.vol 129, No.l, p. 69-78.

161. Landolt-BSrnstein Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology. New Series. VoL 17. Semiconductors. Subvohime b, 1982, p.496. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New-York.170. Ibid.p.301

162. Картужанский A.JI., Кудряшова Л.К., Бармасов А.В., Резников В.А. Фото-инициируемые спектральные изменения и фотолиз в эпитаксе иодомеркурата серебра на иодиде серебра. Оптика и спектроскопия, 1989, том. 66, вып. 2, с. 332-335.

163. Картужанский А.Л., Кудряшова Л.К., Бармасов А.В., Резников В. А. О восстановлении серебра из тиосульфитных комплексов. Журнал научн. и прикладной фотографии и кинематографии, 1990, том 35, № 1, с. 63- 67.

164. Резников В. А., Кехва Т.Э., Картужанский А.Л. Фото индуцированные структурныеизменения и формирование металлической фазы в иодиде серебра. Журнал физической химии, 1991, том 65, № 6, с. 1485- 1491.

165. Uvarov N.F., Hairetdinov E.F. Unusual electric and structural properties of polycrystalline Agl. Reports of the 10th International Conference "Solid State Ionics", Singapore 1995, p. 108.

166. S. Chandra, R.C. Agrawal, N. Singh. Photolysis ofMAgJs superionic films.- Solid State Ionics, 1981, vol. 2, No. 4, p. 315-320.

167. Гигантское комбинационное рассеяние. Под редакцией Р. Ченга и Т. Фуртака, Москва. Мир, 1984,408 с.

168. Физика суперионных проводников. Под редакцией М.В. Саламона. Рига, Зинагне, 1982,316 с.

169. Topol L.E., Owens В.В. Thermodynamic studies in the high-conductivity solid systems Rbl-Agl, KI-AgI, and NHJ-Agl.- Joum. Phys. Chem., 1968, vol.72, No.6, p.206-2111.

170. Radhakrishna S., Hariharan K., Jagadeesh M.S. Electrical conductivity and optical absorption studies in superionic RbAgJs thin films. Journ. Appl. Phys., 1979, vol.50, No.7, p. 4883-4887.

171. Гоффман В.Г. Монокристаллы суперионного проводника RbAgJs: получение, транспортные и оптические свойства. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Москва-Ленинград, 1985, 210 с.

172. Bauer R.S., Ruberman В.А. Electronic status of superionic conductors. Phys. Rev. B, 1976, vol 13, No.6, p. 3344-3349.

173. Крейтон. Дж. Алан. Металлические коллоиды. В кн.: Гигантское комбинационное рассеяние. Под редакцией Р. Ченга и Т. Фуртака, Москва. Мир, 1984, с.311-332.

174. Shahi К. Transport studies on superionic conductors. Phys. status sol. ( a ), 1977, vol.41, No.l 1, p. 11-46.

175. Seitz F. Speculations on the properties of the silver halide crystals. Review of modern physics, 1951, vol. 23, No.4, p. 328-352.

176. Гаврик В.В., Баранцева Г.И. Влияние фотолитичес ко го галогена на спектры прямого потемнения галогенидов серебра. Оптика и спектроскопия, 1997, том 83, № 5, с.761- 766.

177. Винецкий B.JI., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, Наукова думка, 1969. 188 с.

178. Пикалев А.К. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты. Москва, Наука. 1987,448 с.

179. Лущик Ч.Б, Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.- УФН, 1977, том 122, вып.2, с. 223-300.

180. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В., Холодарь Г.А, Шейнкман М.К., Эланго М. А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений. УФН, 1985, том 147, вып.З, с.523-558.

181. Клингер М.И. Мягкие атомные конфигурации и механизмы фото стимулированных и радиационных процессов в стеклообразных системах. Известия Академии наук Латвийской ССР, 1987, № 4, с.58-68.