Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Истомин, Леонид Анатольевич

• Истомин, Леонид Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Истомин, Леонид Анатольевич

Введение.:.

1'. 1. Фотоэлектрические явления в КРС и методики исследования фотоэлектрических спектров.

1.2. Фотоэлектрическая спектроскопия КРС, выращенных газофазной эпитаксией.!.

1.3. Исследование дефектообразования в КРС методами фотоэлектрической спектроскопии.

1.4 Свойства-дефектных комплексов ЕЬ2.

1.5. Методы исследования параметров глубоких уровней в КРС.

1.5.1. Метод вольт-емкостного (С-У) профилирования.

1.5.2. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (БЬТБ).

1.6. Метод эффекта поля.

1.7. Планарный электронный транспорт в гетероструктурах с КЯ.

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Типы исследованных КРС и методика'их получения.

2.2. Методики фотоэлектрической спектроскопии.

2.3. Методики исследования,эффекта поля.

2.3.1. Методика динамического эффекта поля.

2.3.2. Методика спектроскопии малосигнального эффекта поля.

2.4. Другие методики исследования.

3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Ь(<За)Аз/СаА8.

3.1. Особенности диагностики КРС 1п(Са)АзЛлаА8 методами спектроскопии

ФПЭ, ФБШ и ФП.

3.1.1. Спектроскопия ФПЭ и ФП4.

3.2. Исследование методами фотоэлектрической спектроскопии дефектообразования при нанесении кобальта на поверхность квантоворазмерных структур In(Ga)As/GaAs.

3.3. Влияние толщины спейсерного слоя на спектры фоточувствительности

КРС с КТ и КЯ In(Ga)As/GaAs и 5-слоем Мп.

4. ЭФФЕКТ ПОЛЯ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GaAstfn(Ga)As.

4.1. Разработка методики динамического эффекта поля.

4.2. Эффект поля в однородном слое GaAs.

4.3. Эффект поля в гетеронаноструктурах с КТ.

4.4. Температурная зависимость эффекта поля в структурах с КТ.

4.5. О механизме ДЭП в КРС с КТ.

4.6. Эффект поля в структурах с КЯ.

4.7 Динамический эффект поля в КРС, содержащих дельта- слои Мп.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией»

Актуальность темы

В последние годы не ослабевает интерес исследователей к изучению свойств квантово-размерных структура (КРС) на основе прямозонных полупроводников АЗВ5, в частности КРС типа 1пОаАз/СаАз с квантовыми ямами (КЯ) и самоорганизованными квантовыми точками (КТ). Помимо интереса к фундаментальным свойствам этих КРС, ведутся- и прикладные исследования, связанные с применением КРС в приборах опто- и наноэлектроники [1,2], элементов памяти [3, 4], приборов спинтроники [5].

Одной из важнейших характеристик КРС является их энергетический спектр, причем не только спектр размерного квантования, но и спектр примесно-дефектных центров в структуре, которые могут существенно влиять на электронные и оптоэлектронные свойства КРС. Такие центры могут возникать при» встраивании квантово-размерных слоев в- матрицу, селективном легировании КРС, создании контактов из химически активных металлов'И^ при некоторых других технологических операциях. В?связи с этим-развитие методов! диагностики-энергетического* спектра КРС и изучение их энергетического спектра в связи с технологией* выращивания КРС было« и остается актуальной задачей.

Цели и основные задачи работы

Основной целью данной работы является изучение энергетического спектра собственных и примесно-дефектных состояний и некоторых оптоэлектронных характеристик КРС с КЯ и КТ типа 1п(Оа)Аз/ОаАз методами фотоэлектрической спектроскопии и динамического эффекта поля (ДЭП). Последний метод разработан и применен для исследования КРС впервые. Объектом исследования были КРС, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС) при атмосферном давлении водорода — газа-носителя паров МОС (метод ГФЭ МОС АДВ).

В работе решались следующие основные задачи:

1. Выяснение на ряде модельных КРС с КТ и КЯ особенностей применения и диагностических возможностей» разных методик фотоэлектрической спектроскопии: спектроскопии планарной, фотопроводимости (ФП), спектроскопии, фотоэдс (фототока) на барьере КРС/металл - барьере Шоттки (ФБШ), фотоэдс (фототока) на барьере КРС/электролит (ФПЭ), фотоэдс на барьере КРС/диэлектрик (конденсаторной фотоэдс, КФЭ).

2. Исследование методами фотоэлектрической спектроскопии дефектообразования при' выращивании КРС методом ГФЭ М0С АДВ, нанесении, ферромагнитного Со контакта на поверхность »КРС и« встраивании 5-слоя Мп в КРС с КЯ и КТ 1п(Оа)АзЛлаА8. Полупроводниковые структуры с ферромагнитыми слоями представляют интерес для спинтроники.

3. Разработка методики исследования- динамического эффекта поля (ДЭП) в КРС и изучение основных закономерностей ДЭП в КРС с КТ и КЯ, в частности влияния на. характеристики эффекта поля типа и> места-расположения; квантово-размерных слоев," дельта-легирования КРС марганцем.

Научная новизна работы1

1. На ряде модельных. КРС с разным типом и местом расположения квантово-размерных слоев проведено комплексное исследование диагностических возможностей и особенностей применения нескольких методик фотоэлектрической спектроскопии: фотовольтаического эффекта на барьерах КРС с металлом, жидким электролитом и диэлектриком, планарной фотопроводимости.

2. Впервые методами фотоэлектрической спектроскопии исследованио низкотемпературное дефектообразование при нанесении на КРС ферромагнитного металла Со.

3. Впервые исследован эффект поля в КРС с КЯ и КТ 1п(Оа)Аз/ОаА8, Разработана новая методика исследованиям динамического эффекта поля. С применением методик ДЭП и спектроскопии малосигнального эффекта поля установлены закономерности влияния« квантово-размерных слоев < и дельта-слоя- Мп на характеристики эффекта поля. Выяснены ' возможности^ определения из характеристик эффекта поля-ряда параметров КРС.

Практическая ценность работы а

Результаты работы могут быть использованы для экспресс-анализа, качества выращенных КРС и усовершенствования технологии ГФЭ'МОС при создании' приборных структур. Метод ДЭП может быть использован для диагностики процессов медленного захвата носителей на ловушки и определения высоты эмиссионного барьера в КТ,. а также для определения дрейфовой подвижности носителей в. одиночных КЯ. Частично эти методики применяются в ННГУ при выращивании КРС.

На*защиту выносятся следующие основные положения:

1. Комплексное применение методик. фотоэлектрической» спектроскопии квантово-размерных структур (фотовольтаического эффекта на' барьерах КРС с металлом, жидким электролитом, диэлектриком и планарной фотопроводимости)- позволяет определять собственный и примесно-дефектный энергетический спектра сложных структур со слоями квантовых точек и квантовых ям, расположенными практически- в. любом месте структуры от поверхности до внутренней границы КРС/подложка. При анализе спектров планарной фотопроводимости необходимо учитывать барьерный механизм фотопроводимости как на поверхностном, так и на внутреннем барьере КРС/подложка.

2. Динамический эффект поля является эффективным методом изучения процессов захвата неравновесных основных носителей в квантово-размерные слои и дефектные состояния в квантово-размерных структурах.

Метод позволяет определять концентрацию центров захвата и высоту эмиссионного барьера в квантовых точках, дрейфовую подвижность ■ основных носителей в одиночных квантовых ямах и некоторые другие характеристики квантово-размерных структур.

3. При газофазной МОС-гидридной эпитаксии, нанесении ферромагнитного Со контакта, встраивании дельта-слоя' Мп в квантово-размерные структуры In(Ga)As/GaAs генерируются дефекты с глубокими уровнями, существенно влияющие на оптоэлектронные характеристики структур. Определены некоторые электронные параметры этих дефектов.

Личный вклад автора?

Автором внесен определяющий вклад в, получение основных экспериментальных результатов. Планирование экспериментов, обсуждение и анализ результатов проводились совместно с научным руководителем'работы проф. И.А. Карповичем. Часть результатов по ДЭП» получена совместно с доц. C.B. Тиховым. Исследованные в работе структуры выращены! в группе эпитаксиальной технологии НИФТИННРУ Б.Н.- Звонковым.

Апробация работы«

Основные результаты работы докладывались на 9 всероссийской конференции GaAs - 2006 «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (г. Томск, 2006 г.), 7 Российской конференции по физике полупроводников^ «Полупроводники 2007» (г. Екатеринбург, 2007 г.), Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (г. С. Петербург, 2006, 2007 г.), 12 и 14 международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2008, 2010 г.), 6 всероссийской молодежной научной школы (г. Саранск, 2007 г.), нижегородских сессиях молодых ученых (г. Н. Новгород, 2006, 2007, 2008 г.г.), 8 конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение» (г. Нижний Новгород, 2007 г.).

Публикации

По материалам диссертационной работы опубликованы 17 научных работ: 5 статей, входящих в перечень ВАК, и 12 публикаций в материалах конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 137 страниц, включая 53 рисунка. Список цитируемой литературы содержит 106 наименований, список работ автора по теме диссертации 17 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Истомин, Леонид Анатольевич

Заключение

1. На модельных КРС с разным типом и расположением квантово-размерных слоев (КЯ, КТ, КЯ/КТ) установлены особенности спектров ФПЭ и планарной ФП и их связь с энергетическим спектром КРС. Показано, что спектры планарной ФП могут существенно отличаться от спектров ФПЭ. Они более сложны в «интерпретации в связи с необходимостью учета вклада в ФП барьерной ФП на поверхностном и внутреннем барьерах и объемной примесной ФП.

2. Методами спектроскопии ФП и ФПЭ обнаружено образование в ваАБ при МОС-гидридной эпитаксии метастабильных дефектных центров с глубоким, уровнем Ес - 0,65 эВ, которые самопроизвольно1 распадаются при комнатной температуре с временем релаксации порядка 10-20 дней.

3. Показана возможность определения энергетического спектра квантово-размерных слоев, расположенных вблизи внутреннего барьера КРС на границе с полуизолирующей подложкой, с помощью спектроскопии КФЭ в; системе ЭДП или? МДП-структуре с полуизолирующей подложкой в качестве диэлектрика.

4. Показано, что сравнительное изучение спектров ФБШ и ФПЭ" является эффективным методом обнаружения низкотемпературного образования дефектов с глубокими» уровнями при нанесении химически активных металлов на КРС. С применением этой методики установлено, что нанесение ферромагнитного Со выпрямляющего контакта при 100 °С приводит к образованию вблизи него собственного дефектного комплекса ЕЬ2. В комбинированных слоях КЯ/КТ квантовая яма эффективно защищает КТ от проникновения в них дефектов при поверхностном дефектообразовании.

5. Установлено сильное влияние встраивания 8-слоя Мп на фоточувствительность в области поглощения КЯ или КТ, зависящее от толщины спейсерного слоя между ними. При толщине спейсера около 1 нм в

КРС с КЯ и около 10 нм в КРС с КТ фоточувствительность от квантово-размерных слоев практически исчезает. Эффект подавления фоточувствительности связан с проникновением дефектов, генерированных встраиванием дельта-слоя Мп, в квантово-размерные слои, которое приводит к увеличению скорости рекомбинации неравновесных носителей в них и, следовательно, к уменьшению эффективности их эмиссии из КЯ и КТ.

6. Развит новый метод исследования эффекта поля« — динамический эффект поля, основанный^ на измерении нестационарного изменения квазиповерхностной проводимости под действием монополярного пульсирующего напряжения, инжектирующего основные носители в полупроводник. Метод позволяет определять дрейфовую подвижность носителей в одиночных КЯ, концентрацию центров захвата и высоту эмиссионного барьера в слоях КТ и некоторые другие параметры КРС.

7. ДЭП в однородных слоях п- и р-ваАБ характеризуется высоким значением подвижности в эффекте поля, близким к значению холловской подвижности основных носителей, и малой шириной* петли гистерезиса, отсутствует дисперсия подвижности в МЭП в- диапазоне 10 — 106 Гц при комнатной температуре. Дисперсия МЭП при повышенных температурах описывается частотной зависимостью с одним временем релаксации, которое экспоненциально уменьшается при повышении температуры. Относительно слабый захват инжектированных носителей в темноте сильно увеличивается при освещении слоев. Закономерности эффекта поля в однородных слоях ваАБ описываются моделью захвата инжектированных носителей через поверхностный барьер высотой 0,5 — 0,6 эВ на поверхностные состояния с квазинепрерывным распределением по энергии.

8. Встраивание слоя КТ 1пАз в поверхностный барьер ОаАэ приводит к уменьшению наклона кривой ДЭП и значительному уширению петли гистерезиса, смещению в область высоких частот и сильному уширению области дисперсии МЭП, что обусловлено захватом инжектированных носителей в слой КТ. Захват наиболее сильно проявляется, когда слой КТ встроен вблизи границы ОПЗ с квазинейтральной, областью.

9. Определенная из ДЭП поверхностная концентрация захваченных электронов в слой КТ примерно на порядок превышает поверхностную концентрацию КТ, а энергия активации процесса захвата близка к высоте-эмиссионного барьера в КТ (« 0,2 эВ). В однородных слоях п-ОаАэ она близка к высоте поверхностного барьера (« 0,6 эВ). Предложена модель двухступенчатого захвата инжектированных в эффекте поля электронов в слой КТ, согласно которой первичный захват на основной уровень размерного квантования в КТ сопровождается последующим туннельным переходом их на дефектные состояния вблизи КТ.

10. Показана возможность определения методом ДЭП дрейфовой подвижности электронов в одиночных КЯ, встроенных на границе ОПЗ с квазинейтральной областью. В исследованных КРС п-типа она примерно в три раза меньше подвижности электронов в квазинейтральной области.

11. Встраивание дельта-слоя Мл в приповерхностную область однородного слоя ваАБ, в КРС с КЯ и КТ приводит к сильному захвату основных носителей на ловушки, связанные с дельта-слоем Мш Концентрация захваченных на ловушки носителей практически не зависит от наличия и типа-квантово-размерного слоя (КЯ, КТ).

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю Игорю Алексеевичу Карповичу за предложенную тему исследования постоянное внимание к работе, помощь в планировании, подготовке экспериментов и обсуждении результатов. Автор благодарен Б.Н. Звонкову за изготовление гетероструктур, необходимых для исследований, П.Б. Деминой и М.В. Дорохину за измерения спектров фотолюминесценции, С В. Тихову за помощь в разработке метода динамического эффекта поля и создание диодов Шоттки, O.E. Хапугину и A.B. Здоровейщеву за техническое содействие при разработке метода динамического эффекта поля, О.В. Вихровой за измерения эффекта Холла, а так же доценту А.П. Горшкову за помощь в проведении некоторых экспериментов.

Основные публикации по теме диссертации, опубликованные в изданиях перечня ВАК

AI. Влияние модификации* покровного слоя на свойства, водородочувствительных диодных гетероструктур- с квантвой ямой Pd/GaAs/InGaAs / С.В. Тихов, ША. Карпович, Ю.Ю: Гущина, JI.A. Истомин // ПЖТФ - 2007 - Т. 33, вып. 15 - С. 69 - 74.

А2. Влияние квантово-размерных слоев!In(Ga)As на эффект поля в слоях GaAs / И.А. Карпович,, C.B. Тихов, JliA. Истомин; O.E. Хапугин // Вестник Нижегородского университета, серия физическая - 2008 — №1 — С. 25-29:

A3. О< применении-фотоэлектрической спектроскопии для исследования энергетического спектра квантово-размерных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией- // JI.A. Истомин, И.А. Карпович, А.П. Горшков, Б.Н. Звонков, А.П. Павлов // Вестник Нижегородского университета, серия физическая — 2008 —№ 4 — С. 43 — 48.

A4. Горшков, А.П. Влияние встраивания дельта-слоя Мл на фотоэлектрические спектры- гетеронаноструктур с квантовыми ямами- и точками In(Ga)As/GaAs / А.П: Горшков, JLA. Истомин, OiE. Хапугин // Вестник Нижегородского университета, серия физическая/- 2010 — № 5, ч. 2-С. 243-246.

А5. Карпович, И.А. Динамический эффект поля* в»легированных дельта-слоем Мп гетеронаноструктурах с квантовой ямой и квантовыми-точками In(Ga)As/GaAs> // И.А. Карпович, JI'.A. Истомин // Известия РАН: Серия физическая.- 2011 - Т. 75; № 1 - С. 27 - 30:

Публикации в »сборниках тезисов конференций по/геме диссертации

А6. Истомин, Л.А. Влияние модификации1 покровного слоя на фотоэлектронные спектры квантово-размерных диодных структур In(Ga)As/GaAs / Л.А. Истомин, И.А. Карпович, П1Б. Демина // Материалы нано-, микро-, и оптоэлектроники: физические свойства.и применение. Сборник трудов 5-й межрегиональной молодежной научной школы, Саранск, 3-6 октября 2006 г. - Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2006 - С. 114.

А7. Эффект поля в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / И.А. Карпович, С.В1. Тихов, Л.А. Истомин, А.В: Кутузов // Девятая конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) «GaAs-2006»: Материалы конференции. — Томск: Томский госуниверситет, 2006 — С. 345-348.

А8. Исследование процесса захвата, неравновесных носителей Вз слои квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs методом нестационарного эффекта поля / И;А. Карпович, G.B. Тихов, Л;А. Истомин,. G.E. Хапугин, П.Н. Мишин // Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников; Екатеринбург, 30< сентября - 5 октября* 2007 г. — Екатеринбург: Институт физикишеталлов Ур©ФАН, 2007 —G. 263;.

А9. Истомин; Л. А." Эффект поля- в квантово-размерных гетеронаноструктурах GaAs/In(Ga)As / Л:А. Истомин; И!А. Карпович, С.В; Тихов; 0;Е. Хапугин,, П:Н. Мишин // Материалы, нано-, микро-, и оптоэлектроники: физические свойства-и применение. Сборник трудов 6-й всероссийской молодежной научной школы. Саранск, 2-5 октября 2007 г. - Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2007 - С. 37.

А10. Эффект поля в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / Л А. Истомин, И.А. Карпович, С.В. Тихов, // Восьмая; всероссийская молодежная конференция? по физике полупроводников и полупроводниковой опто-. и наноэлектронике. Тезисы докладов. 4-8 декабря^ 2006 г. С. Петербург. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехи, унта, 2006-С. 35.

All. Влияние нанесения ферромагнитных контактов1, (Со) на фотоэлектронные спектры квантово-размерных структур InGaAs/GaAs / И.А. Ккрпович, А;П: Павлов;. Л.А. Истомин // XII Нижегородская5 сессия? молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины-г. Нижний Новгород, 16 — 21 апреляс2007 г. — Н. Новгород: Изд-во «Издательский салон» ИП Гладкова О.В., 2007 - С.' 67. '

А12'. Истомин* Л1А\, Влияние квантово-размерных слоев и создаваемых ими примесно-дефектных центров» на эффект поля- в гетеронаноструктурах In(Ga)A*s/GaAs / Л^А. Истомин, И!А. Карпович; С.В. Тихов, Б.Н. Звонков // Тезисы* докладов? XIII; конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение» Нижний Новгород, 28-31 мая 2007 года - Изд. Ю.А. Николаев;, 2007 - С. '262-263;: ' !■.'.'

А13. Динамический эффект поля в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / Л.А. Истомин, С.В! Тихов, И;А. Карпович// Девятая? всероссийская? молодежная- конференция» по физике полупроводников и наноструктур* полупроводниковой; опто- и наноэлектронике 3-7 декабря 2007 г. С. Петербург - Санкт-Петербург: Изд-во Политехи, ун-та, 2007 -С. 39.

Al 4. Карпович, И.А. Динамический эффект поля в гетеростртурктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / И.А. Карпович, С.В. Тихов, Л.А. Истомин // Нанофизика и наноэлектроника XII Международный Симпозиум 10 - 14 марта 2008 г. - Н. Новгород: ИФМ РАН, 2008 - Т. 2, С. 319 - 320:

Al 5. Павлов* А.П. Применение методов. фотоэлектрической спектроскопии для исследования энергетического спектра гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs / А.П. Павлов, Л.А. Истомин, И.А.

Карпович // XIII Нижегородская сессия молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины г. Нижний Новгород, 20 — 25 апреля 2008 г. - Н. Новгород: Изд-во «Издательский салон» ИП Гладкова О.В., 2008-С. 71.

А16. Влияние встраивания слоя квантовых точек In As в приповерхностную область GaAs на характеристике барьеров Шоттки Au/GaAs / И.А. Карпович, C.B. Тихов, JI.A. Истомин // XXVII научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции 16 — 17 декабря 2008 г. - Н. Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2008. -С. 125-127.

А17. Истомин, Л.А. Динамический эффект поля в гетеронаноструктурах с квантовой ямой и квантовыми точками In(Ga)As/GaAs, легированных 8-слоем Мп / Л.А. Истомин, И.А. Карпович // Нанофизика и наноэлектроника XIV Международный Симпозиум 15 — 19 марта 2010 г. - Н. Новгород: ИФМ РАН, 2010 - Т. 2, С. 553 - 554.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Истомин, Леонид Анатольевич, 2010 год

1.H.' Леденцов и др.. // ФТП. - 1998. Т. 32, вып. 4. - С. 385^10.

2. Bimberg, D. Quantum dot heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. // N.Y. USA : John Wiley & Sons. 1999 - 338 p.

3. Sze, S.M. Evolution of Nonvolatile Semiconductor Memory: From Floating-Gate to Single-Electron-Memory Cell / S.M. Sze //Future Trends in Microelectronics. John Wiley & Sons, Inc. 1999 - P. 291-303.

4. Balocco, C. Room-temperature operations of memory devices based on self-assembled InAs quantum dot structures / C. Balocco, A.M. Song, M. Missous // Appl. Phys. Lett. -2004 Vol. 85, n. 24. - P. 5911 - 5913.

5. Matsukura, F. III-V Ferromagnetic Semiconductors / F. Matsukura, H. Ohno, T. DietlV/ Handb. Magn. Mater. 2002 - Vol-. 14 - P. 1-87.

6. Effect of an electric field' on the luminescence of GaAs quantum wells / E.E. Mendes et al. // Phys. Rev. В 1986 - Vol. 26, n. 12 - P. 7101' - 7104.

7. Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots / К. H. Schmidt et al. // Phys. Rev. В 1996 - Vol. 54; n. 16 - P. 11346 - 11353.

8. Reflectance line shapes from GaAs/Ga^Al.As quantum well structures / X.L. Zheng et al'. // Appl. Phys. Lett. 1988 - Vol. 52, n. 4 - P. 287-289.

9. Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots / B.Q. Sun et al. // Appl. Phys. Lett. 1998 - Vol. 73, n.18 - P. 2657-2659.

10. Electron-filling modulation reflectance in charged self-assembled InxGai.xAs quantum dots / T.M. Hsu et al. // Phys. Rev. В 1999 - Vol. 60, n. 4 - P. R2189 -R2192.

11. Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре / А.А. Герасимович и др. // ФТП 2005 - Т. 39, вып. 6. - С. 729 - 734.

12. Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports 1999 - Vol. 37, n. 1-P. 1-206.

13. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. — М.: Мир, 1984. — 842 с.

14. Lang, D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize in semiconductors / D.V. Lang // J. Appl. Phys. 1974 -Vol. 45, n. 7 - P. 3023 -3032.

15. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенноей на поверхности квантвой гетероямой / И.А. Карпович и др. // ФТП 1992 - Т. 26, вып. 11.-С. 1886-1893.

16. Photovoltage and photocurrent spectroscopy ofp+ i- n GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures / L. Tarricone et al. // J. Appl. Phys. - 1992 - Vol. 72, n. 8 -P. 3578-3583.

17. Determination of transition energies and oscillator strengths in GaAs-AlxGai.xAs multiple quantum wells using photovoltage-induced photocurrent spectroscopy / P.W. Yu et al. // Phys. Rev. В 1987 - Vol. 35, n. 17 - P. 9250 - 9258.

18. Excitonic transitions and optically excited transport in GaAs/AlxGaixAs quantum wells in an electric field / R. T. Collins et al.// Superlattices and microstructures 1987 - Vol. 3, n. 3. - P. 291 - 293.

19. Фотоэлектрические свойства* гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Б.Н.Звонков и др. // ФТП 1997 - Т. 31, вып. 9. - С. 1100 - 1105.

20. Евдокимов, А.В. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А.В. Евдокимов, М.Н: Мушурудли, А.В. Ржанов // Зарубеж. электрон, техника -1988-вып. 2-С. 231.

21. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки «ферромагнитный металл»/ЧЗаА8 / М.В. Дорохин и др.// Письма в ЖТФ 2006 - Т. 32, вып. 24. -С. 46-52.

22. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении-Pd на поверхность. / И.А. Карпович и др.// ФТП 2006 - Т. 40, вып. 3. - С. 319 - 323:

23. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP / И.А. Карпович и др. // ФТП—1989 Т. 23, вып. 12 - С. 2164 - 2170.

24. Зенгуил, Э. Физика поверхности / Э: Зенгуил. М.: Мир, 1990: - 536 с.

25. Steady-state carrier escape from single quantum wells / J.Nelson et al. // IEEE J. Quantum Electron 1993 - Vol. 29, n. 6 - P. 1460 - 1468.

26. Photocurrent studies of the carrier escape process from InAs self-assembled quantum dots / W.H. Chang et al.'// Phys. Rev. B. 2000 - Vol. 62, nt 11 - P. 6959 - 6962.

27. Grundmann, M. InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and- electronic structure / M.Grundmann, O. Stier, D.Bimberg // Phys. Rev. В.-1995-Vol. 52, n. 16-P: 11969- 11981.

28. Marzin, J-Y. Calculation of the energy levels in- InAs/GaAs quantum dots / J-Y.Marzin, G.Bastard // Solid State Commun 1994 - Vol. 92, n. 5 - P. 437 - 442'.

29. Medeiros — Ribeiro, G. Electron and hole energy levels in InAs self-assembled quantum dots / G. Medeiros Ribeiro; D. Leonard; P.M. Petroff // Appl. Phys. Lett. -1995 -Vol. - 66, n. 14 - P: - 1767 - 1769:

30. Electric-field-dependent'carrier capture and'escape in self-assembled InAs/GaAs quantum dots / P.W. Fry.et al.// Appl- Phys. Lett. 2000— Vol:.77, n. 26 - P. 43444346.

31. Photocurrent and capacitance spectroscopy of Schottky barrier structures incorporating InAs/GaAs quantum dots / P.N. Brunkov et al. // Phys. Rev. В -2002 Vol. 65, n: 8 - P. 085326 - 085326.

32. Emission of electrons from the ground and first excited states of self-organized InAs/GaAs quantum dot structures / P.N. Brunkov et al. // Journal of electronic materials 1999 - Vol. 28, n.5 - P. 486 - 490.

33. Quantum-confined Stark shift in electroreflectance of InAs/Ir^Ga^As self-assembled quantum dots / Т. M. Hsu et al. // Appl. Phys. Lett. 2001 - Vol. 78, n. 12 - P. 1760 - 1762.

34. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с широкими туннельно-связанными волноводами; / Н.Б. Звонков и др. // Квантовая электроника 1999. - Т. 26, № 3 - С. 217 - 218.

35. Saito, N. Influence of GaAs capping on the optical properties of InGaAs/GaAs surface quantmn dots with 1.5 //m emission /N. Saito, K. Nishi- S; Sugou7/ Appl. Phys. Lett. 1998 - Vol. 73, n. 19 - P. 2742 - 2744.

36. Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого; двойного) покровного слоя GaAs/InGaAs / И.А.Карпович и др. 7/ ФТП 2004 - Т. 38, вып: 4 - С. 448 -454., • ■■";'■

37. Влияние1 легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию! и фотоэлектронные свойства гетерострукгур GaAs/InAs, полученных газофазнощэпитаксией / БМЗвонков и // ФТП 200В - Т. 35, вып. 1-С. 92 -97.

38. Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразованияша поверхности полупроводников / И.А. Карпович, А.В. Аншон,Н.В. Байдусьи^др. //ФТП— 1994-т. 28, № Г -С. 104-112.

39. Chen, Y.C. Suppression of defect propagation in> semiconductors by pseudomorphic layers / Y.C. Chen, J. Singh' E.K. Bhattacharya // J. Appl. Phys. -1993 Vol.' 74, n. 6 - P. 3800 - 3804.

40. Перестройки дефектов структуры полупроводников, стимулированные химическими реакциями' на поверхности кристалла / А.Ф. Вяткин и др. // Поверхность 1986 - Т. 11 - С. 67 - 72.

41. Optical investigation of highly strained InGaAs-GaAs .-multiple quantum wells / G. Huang et al. //. J. Appl. Phys. 1987 - Vol. 62; n. 8 - P. 3366 - 3373.

42. Влияние водорода на свойства» диодных структур, с квантовыми1 ямами Pd/GaAs/InGaAs / И.А. Карпович, и др. // ФТП 2002. - Т. 36, вып. 5 - С. 582-586.

43. Баграев, Н.Т. ЕЬ2-центр в GaAs: симметрия, и метастабильность / Н.Т. Баграев // ЖЭТФ 1991 - Т. 100, выт 4 - С. 1378 -1391.

44. Martin, G. М: The Mid-gap donor level EL2 in,gallium arsenide / G. M. Martin, • S. Makram-Ebeid // Deep Centers in Semiconductors — Gordon and Breach, New York-1986-P. 457-546.

45. Figielski, T. Symmetry of the EL2 defect in GaAs / T. Figielski, T. Wosinski // Phys. Rev. В 1987 - Vol. 36, n. 2 - P. 1269 - 1272.

46. Wager, J. F. Atomic model for the EL2 defect in GaAs / J. F. Wager, J. A. Van Vechten // Phys. Rev. В 1987 - Vol: ,35, n: 5 - P. 2330 - 2339:

47. Baraff, G. A. Bistability and Metastability of the Gallium Vacancy in GaAs: The Actuator of EL 2? / G. A. Baraff, M. Schluter // Phys. Rev. Lett. 1985 - Vol. 55, n. 21-P. 2340-2343.

48. Bardeleben, H. J. Identification of EL2 in GaAs / H. J. von Bardeleben, D. Stievenard; J. C. Bourgoin // Appl. Phys. Lett. 1985 - VoL 47, n. 9 - P. 970 - 971.

49. Identification of a defect in a semiconductor: EL2 in GaAs / H. J. von Bardeleben et al. // Phys. Rev. В 1986 - Vol. 34, n. 10 - P. 7192 - 7202.

50. Bourgoin, J. C. Native defects in gallium arsenide / J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben // J. Appl. Phys. 1988 - Vol. 64, n. 9 - P: R 65.

51. Arsenic antisite defect AsGa and'EL2 in GaAs / В. K. Meyer et al. // Phys. Rev. В 1987 - Vol. 36, n. 2 - P. 1332 - 1335.

52. Metastable state of EL2 in GaAs / C. Delerue et al. // Phys. Rev. Lett. 1987 -Vol. 59, n. 25 - P. 2875 - 2878.

53. Baraff, G. A. Electronic structure and binding energy of the AsGa As, pair in GaAs: EL2 and the mobility of interstitial arsenic / G. A. Baraff, M. Schluter // Phys. Rev. В - 1987 - Vol. 35, n. 12 - P. 6154 - 6164.

54. Kaminska, M. Identification of the 0.82-eV Electron Trap, EL2 in« GaAs, as an Isolated Antisite Arsenic Defect / M. Kaminska, M: Skowronski, W. Kuszko // Phys. Rev. Lett. 1985 - Vol: 55, n. 20 - P. 2204 - 2207.

55. Losee, D.L. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers / D.L. Losee // J. Appl. Phys. 1975 - Vol. 46, n. 5 - P. 2204 - 22141.

56. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V profiling / H. Kroemer et al. // Appl. Phys. Lett. 1980 - Vol. 36, n. 4 - P. - 295 - 296.

57. Measurement of the conduction-band discontinuity of molecular beam epitaxial grown In0.52Alo .isAs/Ino.53Gao 47As, N-n heterojunction by С- V profiling / R. People et al. // Appl. Phys. Lett. 1983 -Vol. 43, n. 1 -P: 118 — 119.

58. Исследование квантовых ям C-V-методом / В.Я. Алешкин и др. 7/ ФТП -1991 Т. 25, вып. 6 - С. 1047 - 1052.

59. Spatial resolution of the capacitance-voltage profiling technique on semiconductors with quantum confinement / E.F. Schubert et al. // Appl. Phys. Lett. 1990 - Vol. 57, n. 5 - P. 497 - 499.

60. Brunkov, P.N. Simulation of the capacitance-voltage characteristics of a single-quantum-well structure based on the self-consistent solution of the Schrodinger and

61. Poisson equations / P.N. Brunkov, T. Benyattou, G. Guillot // J. Appl. Phys. 1996 -Vol. 80, n. 2 — P. 864-871.

62. Electronic structure of self-assembled InAs quantum dots in GaAs matrix / P.N. Brunkov et al. // Appl. Phys. Lett. 1998 -Vol. 73, n. 8 - P. 1092 - 1094.

63. Kim, J. Comparison of the electronic structure of InAs/GaAs pyramidal quantum dots with different facet orientations / J: Kim, L.-W. Wang, A. Zunger // Phys. Rev В 1998-Vol. 57, n. 16-P. R9408 -R94011.

64. Deep level transient spectroscopy of InP quantum dots / A. Anand et al. // Appl. Phys. Lett. 1995 - Vol. 67, n. 20 - P. 3016 - 3018.

65. Hole and5 electron emission «from InAs quantum dots / C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz et al. // Appl. Phys. Lett. 2000 - Vol. 76, n. 12 - Pf 1573 - 1575.

66. Electron escape from lnAs quantum dots / C.M.A. Kapteyn et al.i// Phys. Rev. В 1999 - Vol. 60, n. 20 - P. 14265 - 14268.

67. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками / М.М. Соболев и др.//ФТП-1997-Т. 31, вып. 10-С. 1249-1254.

68. Room-temperature operation of a memory-effect AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor with self-assembled InAs nanodots / K. Koike et al.' // Appl. Phys. Lett. 2000 - Vol. 76, n. 11 - P. 1464 - 1466.

69. Емкостная спектроскопия глубоких состояний в- InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками / М.М. Соболев и др. // ФТП — 1999 -Т. 33; вып. 2 С. 184 -192.

70. Ржанов, Ф.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / Ф.В. Ржанов. М.: Наука - 1971. - 480 с.

71. Павлов, Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. — М.: Высшая школа; 1985. — 240 с.

72. Пека, Г.П. Физика поверхности полупроводников / Г.П. Пека. — Киев.: Издательство Киевского университета, 1967.— с. 190.

73. Schockley, W. Modulation of Conductance of Thin Films of Semi-Conductors by Surface Charges / W. Schockley, G.L. Pearson // Phys. Rev. 1948 - Vol. 74, n. 2-P. 232-233.

74. Schrieffer, J.R. Effective Carrier Mobility in Surface-Space Charge Layers / J.R. Schrieffer // Phys. Rev. 1955 - Vol. 97, n. 3 - P. 641 - 646.

75. Appl. Phys. Lett. 1991 - Vol. 75, n. X-P. 1075.

76. Parallel conduction in GaAs/AlxGaixAs modulation doped heterojunctions / M. J>. Kane, N. Apsley, D. A. Anderson et al. // J. Phys. С 1985 - Vol. 18, n. 29 - P. 5629-5636.

77. Electrical transport of holes in GaAs/InGaAs/GaAs single strained quantum wells /1 J. Fritz et al. // Appl. Phys. Lett. 1986 - Vol. 48, n. 24 - P. 1678 - 1680.

78. Magnetotransport and luminescence mesurements in an n-type selectively doped InGaAs/GaAs strained quantum well structure /1 J. Fritz et al. // Appl. Phys. Lett. 1987 - Vol. 50, n. 19 - P. 1370 - 1372.

79. Room-temperature determination of two-dimensional electron gas concentration and mobolity in heterostructures / S. E. Schacham et al. // Appl. Phys. Lett. 1993 -Vol. 62, n. 11-P. 1283-1285.

80. Fritz, I J. Electron Mobilities in In0.2Ga0.sAs/GaAs strained-layer superlattices / I J. Fritz L.R. Dawson, Т.Е. Zipperian // Appl* Phys. Lett. 1983 - Vol. 43, n. 9 -P. 846 - 848.

81. Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs / И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь и др. // ФТП 1993 - т. 27, № 10. - С. 1736 - 1742.

82. Surfactant effect of bismuth in MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs/ B.N.Zvonkov et al. // Nanotechnology 2000. - Vol. 11, n. 4 - P. 221 -226.

83. Montgomery, Н.С. Field, Effect in Germanium at High • Frequencies / H.C. Montgomery // Phys. Rev. 1957 - Vol. 106, n. 3 - P. 441-445.

84. Карпович, Hi А. Эффект поля в монокристаллических пленках GdSe / И. А. Карпович, C.B. Тихов, А.И. Калинин // Изв. вузов, Физика — 1971 — № 3 С. 43-47.

85. Овсюк, В.Н. Электронные' процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В.Н. Овсюк. СО. Новосибирск.: Наука, 1984 -255 с.

86. G. Lucovsky // Sol. st. Commun. 1965 - Vol. 3 - Pi 299.

87. Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces-/ N. Newman et al. // Phys. Rev. B. 1986. - V.33, n. 2. - P.l 146-1159.

88. Effect of carrier emission and retrapping on luminescence time decays in InAs/GaAs quantum dots / W. Yang et al. // Phys. Rev. В 1997 - Vol. 56, n. 20 -P. 13314-13320.

89. Near-surface GaAsZGao.7Alo.3As quantum wells: Interaction with the surface states / J.M. Moison et al. // Phys. Rev. B 1990 - Vol. 41, n. 18 - P. 12945 -12948.

90. Warburton, RJ. Charged excitons in self-assembled quantum dots / R.J. Warburton et. al. // Phys. Rev. Lett. 1997 - Vol. 79, n. 26 - P. 5282 - 5285.

91. Miller, B.T. Few-electron ground states of charge-tunable self-assembled quantum dots / B.T. Miller et. al. // Phys. Rev. B 1997 - Vol. 59, n. 11 - P. 6764 -6769.

92. Photocurrent studies of the carrier escape process from InAs self-assembled quantum dots / W.-H. Chang et al. // Phys. Rev. B 2001 - Vol. 62, n. 11 - P. 6959-6962.