Фотоэлектрические и фотомагнитные явления в нелигированных теллуре и антимониде кадмия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Поляков, Юрий Анатольевич

• Поляков, Юрий Анатольевич
• 1984

Оглавление диссертации Поляков, Юрий Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

§ I. Кристаллическая структура теллура и антимонида кадмия и их энергетический зонный спектр.

§ 2. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект в теллуре и антимониде кадмия.

§ 3. Экспериментальные исследования зоны проводимости теллура.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКШЕРЙМЕНТА.

§ I. Система создания низких температур.

§ 2. Магнитная система.

§ 3. Тракт ИК - освещения образца.

§ 4. Тракт субмиллиметрового излучения.

§ 5. Устройство питания образца.

§ 6. Система выделения, обработки и регистрации сигнала.

§ 7. Приготовление и монтаж образцов.

ГЛАВА 3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА

ТЕЛЛУРА.

§ I. Фотомагнитный эффект в теллуре при низких температурах.

§ 2. Особенности релаксационных зависимостей ФП и

ШЭ при низких температурах.

§ 3. Циклотронный резонанс в теллуре при низких температурах в условиях импульсного возбуждения носителей.

глава 4. кинетика. релаксации и спектральные зависимости сютопгогодимости в нелегированном антимониде

КАДМИЯ.

§ I. Постановка задачи.

§ 2. Спектральные зависимости фотопроводимости.

§ 3. Особенности кинетики релаксации фотопроводимости в нелегированном антимониде кадмия.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектрические и фотомагнитные явления в нелигированных теллуре и антимониде кадмия»

В последнее время был достигнут значительный прогресс в технологии производства ряда полупроводников, в том числе теллура и антимонида кадмия, что существенно расширило область их практического использования. Край фундаментального поглощения этих полупроводников лежит в инфракрасной области спектра, что дает возможность создавать на основе Те CiSB фотоприемники

ИК - излучения с высокой обнаружительной способностью. Известно, что в диапазоне (2,5 - 4) мкм фотоприемники с использованием теллура имеют более высокую обнару-жительную способность по сравнению с фотоприемниками других типов, а высокая чувствительность фоторезисторов из антимонида кадмия, легированного теллуром, позволяет создавать фотоприемники с обнаружительной способностью ^ 6-Ю11 см-Г^Вт-1 при 2 мкм. Наличие мелких примесных уровней обуславливает возможность использования

Те и CcLU в качестве фотоприемников субмиллиметрового диапазона длин волн. Чувствительность такого приемника на основе р-сШ составляет ~ Ю~12 Вт • Гц"1/2 при ./L- 200 мкм.

Как известно, основные характеристики фотоприемников, такие как быстродействие, чувствительность, спектральные свойства, в значительной мере определяются микроскопическими параметрами носителей тока и энергетической структурой используемых полупроводников. Однако, детальное исследование этих свойств у теллура и антимонида кадмия стало возможным лишь тогда, когда были получены совершенные монокристаллы с минимальным количеством структурных дефектов и инородных примесей. До настоящего времени у вышеуказанных полупроводников активно исследовались фотопроводимость, фотомагнитный эффект, гальваномагнитные свойства, которые позволили получить основные представления о свойствах носителей в этих материалах.

Однако, низкая фоточувствительность чистых образцов CdSb значительно затрудняет исследования фотоэлектрических свойств этого полупроводника, поэтому данные о фотопроводимости и механизмах рекомбинации в настоящее время остаются крайне скудными. В литературе высказываются предположения fl,2jf , что рекомбинация неравновесных носителей осуществляется через два уровня, находящихся в запрещенной зоне С ol t один из которых является ловушкой захвата для электронов, а другой - центром рекомбинации. Тем не менее, данные об энергетическом положении этих уровней отсутствуют.

Для теллура по имеющимся данным [ 3 - б] также характерен ловушечный механизм рекомбинации носителей, преобладающий при низких температурах. Следует отметить, что исследования зоны проводимости теллура и свойств электронов сильно затруднены из-за того, что до сих пор не удалось синтезировать теллур ft- типа. Этот факт позволяет проводить исследования зоны проводимости или в неравновесных условиях, или при высоких температурах, когда происходит термическая генерация носителей. Интерпретация результатов исследования фотоэлектрических и фотомагнитных свойств теллура также в значительной мере осложнена нелинейной зависимостью фотопроводимости от интенсивности света.

Вышеперечисленные трудности приводят к тому, что в настоящее время отсутствуют достоверные данные о Подвижности и времени жизни электронов в теллуре при низких температурах.

В настоящей работе проведено комплексное исследование фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в монокристаллических образцах теллура с концентрацией р?7 к = (2 - 20)*10^см~^ при температурах (2 - 290) К в магнитных полях до 60 кЭ, а также субмиллиметрового пропускания образцов теллура при импульсном возбуждении носителей в сильных магнитных полях. В антимониде кадмия исследована кинетика рекомбинации носителей при импульсном возбуждении и спектральные характеристики фотопроводимости вблизи края собственного поглощения.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и библиографии.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Поляков, Юрий Анатольевич

Основные результаты настоящей работы можно сформулировать следующим образом:

1. Создана экспериментальная установка, позволяющая производить комплексные исследования фотоэлектрических и фотомагнитных эффектов в полупроводниках в инфракрасной и субмиллиметровой областях спектра в интервале температур 2 К^Т^ 300 К в магнитном поле до 60 кЭ с временным разрешением не хуже 10 с. С помощью разработанной методики изучены нелегированные образцы теллура и антимо-нида кадмия с остаточной концентрацией дырок не более

1,7-Ю15 см"3.

2. В температурном диапазоне 20 К ^Т ^300 К в теллуре с помощью фотомагнитного эффекта определены температурные зависимости времени жизни и подвижности электронов. Показано, что преобладающим механизмом рассеяния электронов является рассеяние на акустических фононах. Характернее время электронной релаксации t гъ значительно (более чем в сто раз) убывает при понижении температуры от 8-Ю"7 с при Т = 300 К до 3'Ю"9с для Т £ 20 К.

3. Обнаружено, что релаксация фотопроводимости в теллуре происходит в два этапа: вначале электроны быстро ( за время Тп.) захватываются на ловушечный S ~ уровень под дном зоны проводимости, а затем происходит рекомбинация дырок в валентной зоне с захваченными электронами и фотопроводимость оказывается монополярной. Установлено, что вероятным механизмом рекомбинации при низких температурах, обуславливающим нелинейный характер фотопроводимости, являются взаимодействующие примесные Оже - процессы.

4. Впервые показано, что тонкие особенности зависимости пропускания субмиллиметрового излучения в магнитном поле, возникающие в условиях импульсного возбуждения у чистых об

14 -Я разцов теллура с po~2-I0 ^ см , объясняются влиянием только возбужденных дырок, а не совместным вкладом неравновесных электронов и дырок, как это считалось ранее.

5. Впервые установлено, что в нелегированном антимониде кадмия имеет место подпороговая фотопроводимость, проявляющаяся в виде ряда максимумов фотопроводимости, с энергиями близкими к величине запрещенной зоны и, вероятно связанных с существованием сильнолокализованных состояний вблизи дна зоны проводимости (Д1 - уровень). Показано, что

Г - уровень в CcLS6 , также как и Р - уровень в теллуре, оказывает существенное влияние на процессы рекомбинации неравновесных носителей, являясь, скорее всего, ловушкой для электронов.

В заключение я пользуюсь случаем выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю кандидату физико-математических наук старшему научному сотруднику Ю.В. Косичкину за предоставление интересной темы и постоянное внимание и поддержку.

Я приношу глубокую благодарность доктору физико-математических наук, профессору В.Г. Веселаго и доктору физико-математических наук Н.А. Ирисовой, создавших наилучшие условия для выполнения настоящей работы, и проявлявших постоянный интерес к ее результатам.

Я признателен кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику А.И. Надеждинскому, кандидату физико-математических наук Ю.И. Мазуру и кандидату физико-математических наук С.В. Демишеву за многочисленные плодотворные дискуссии и помощь в постановке ряда экспериментов.

Я благодарен кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Е.А. Виноградову за постоянную помощь и полезные дискуссии и А.Б. Латышеву за многочисленные обсуждения результатов, связанных с субмиллиме тро вым излучением.

Мне хотелось бы поблагодарить Д.А. Лукьянова и С.Г. Ляпина, помогавших при обработке результатов на ЭВМ, а также всех сотрудников лаборатории сильных магнитных полей и сектора физики субмиллиметрового диапазона Института общей физики АН СССР, способствовавших выполнению настоящей работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования Поляков, Юрий Анатольевич, 1984 год

1. Гертович Т.О., Жадько И.П., Раренко И.М., Романов В.А., Юров 10.Г. Рекомбинационные процессы в p-CdSb . - УФЖ, 1973, т. 18, № 9, с. 1.23-1527.

2. Косичкин 10.В., Мазур Ю.И., Надеждинский А.И., Пругло В.И. Фотоэлектрические свойства нелегированного p-CdSfl . -ШТП, 1981, т. 15, в. б, с. II33-II40.

3. Blakemore I.S., Long D., Nomura K.G., Hussbaum A. Tellurium.-in books Progress in Semiconductors, Heywood and Cie. London, 19b2, V 6, p 37 84.

4. Vis V.A.Photoconductivity of Single-Gristal Tellurium.-J. Appl. Phys., 1964, V 35, N2, p 3bO 3b4.

5. Sakurai X., Ishigame M. Photoelectromagnetic Effect in Tellurium.- Phys. Rev.(A), 1964, V 135, Ufa, p A1619 A1623.

6. Мазур Ю.И. Особенности механизмов рекомбинации неравновесных носителей тока в теллуре. Дис. . канд.физ.-мат. наук. - Москва, 1982. -178 с.

7. Keller R., Holzapfel W.B., Schulz H. Effect of pressure on the Atom Position in Se and Те,- Phys.Rev.(В), V 16 ,U 10, p 4404 4412.

8. Toman K. On the Structure of OdSb. J. Phys. and Ohem. Sol., 1960, V 1b, N 1, p 1b0 - 1b1.

9. Фирсов Ю.А. К вопросу о структуре электронного спектрав решетках типа теллура. ЖЭТФ, 1957, т.32, Ш б, с. 13501367.

10. Xamada Y. The Band Structure of CdSb.- J. Phys. Soc. Jap., 1973, V 35, N6, p 1600 1607.

11. Харциев B.E. Исследование симметрии энергетических зон соединений CdSb и ZnSb . ШТТ, 1962, т. 4, Р 4,с. 983.

12. Шека В.И. Симметрия энергетических зон электрона со спином. ШТТ, I960, т. 2, в.6, с. I2II-I232.

13. Бреслер М.С., Веселаго В.Г., Косичкин Ю.В., Пикус Г.Е., Фарбштейн И.Н., Шалыт С.С. Структура энергетического спектра валентной зоны теллура. ШЭТШ, 1969, т.57, № II,с. 1479-1494.

14. Hardi D., Rigaux 0. Transition Interband dee Тгоив Dane le Tellure.- Sol. St. Comm., 1957, V 5, N 11, p 889 892.

15. Doi T., Nakao K., Kamimura H. The Valence Band Structure of Tellurium. 1. The k-p Perturbation Method.- J. Phys. Soc. Jap., 1970, V 28, H 1, p 3b 43.

16. Товстюк К.Д., Гемус Д.М. Структура спектра кристалла типа CdSb . ШТ, т.5, № I, с. 142-147.

17. Gardona M.t Greenavay D.L. Optical Properties and Band Structure of Groop 4 b and Groop 5 Materials.- Phys Rev., 19&4, V 133, U ЬА, p A1685 - A1697. ,

18. Hulin M. Electron Band Structure of Tellurium.- J. Phys. Chem. Sollids, 19Ь6, V 27, 12, p 441 449.

19. Коровин Л.Й., Ширсов 10.А. К вопросу о строении дырочной зоны теллура. ЖЭТШ, 1958, т.28, № II, с. 2417-2427.

20. Пикус Г.Е. Энергетический спектр в кристаллах с решеткой теллура при учете спинорбитального взаимодействия. ФТТ, 1961, т.З, № 9, с. 2809-2812.

21. Tovstyuk К., Bercha D., Punkevich Rarenko J. Pjezoresie-tance of CdSb Phys. St. Sol., V 13, HI, p 207 211.

22. Grosse P., Winzer K. Magnetoabsorptionsmessungen an Tellur.— Phys. St. Sol., 1968, V 2b, N 1, p 139 150.

23. Benoit a la Guillaume C., Debever J. M., Emission Spontanee et Stimulee du Tellure par Bombardement Electroniqui.-Sol. State, Comm., 1965, V 3, N 1, p 19 20.

24. Grosse P. Die Festkorpereigenschaften von Tellur, in : Springer Tracts in Modern Phyeics, Vol. 48, ed. by G.Hohlee, Springer, Berlin Heidelberg - New York 1969, - 373 p.

25. Loferski T.T. Infrared Optical Properties of Single Cris-tals of Tellurium.- Phys. Rev., 1954, V 93, И 4, p 707 716

26. Blakemore T.S., Nomura K.C. Intrinsic Optical Absorbsionin tellurium*- Phys. Rev., 1962, V 127, nN 4, p 1024 1029.

27. Tutihasi S., Roberts G.G., Keezer R.S., Drews R.E. Optical Properties of Tellurium in the Fundamental Absorbsion Region.-Phys. Rev., 1969, V 177, p 1143 1150.

28. Miura H., Shino H., kanaka S. Exiton and Magnetoabsorbsion in Tellurium.- Sol. St. Com., 1971, V 9, N 13, p 971 975.

29. Caldwell R.S., Pan H.Y. Optical Properties Of Tellurium and Selenium.- Phys. Rev., 1959, V 114, N 3, p 664 675.

30. Hardy D., Rigaux C. Optical and Magnetooptical Studies of the Interband Transisions of Holes in Tellurium.- Phys.Etat. Sol., 1970, V 38, N 2, p 799 808.

31. Zavetova M. Absorption Edge of CdSb .-Gzech. J. Phys.,1964, В 14, N 8, p 615 621.

32. Берча Д.М., Борец A.H., Гертович Т.О., Раренко Й.М., Товстюк К.Д. Край поглощения в области непрямых переходов и зонная структура сурмянистого кадмия. ФГТ, 1970, т. 12, в.8, с. 2397-2406.

33. Андронник И.К., Кот М.В. Зависимость подвижности носителей тока в кристаллах антимонида кадмия от температуры. -Изв. АН СССР, серия физика, т.28, № 6, с. 1028-1034.

34. Matuas M., Muller A. The Magnetoresistance Effect in Cadmium Antimonide.- Czech. J. Phys., 1966, В 1b, I 2, p 106 111.

35. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы а2В^ • М.: Наука, 1978, - 256 с.

36. Андроник И.К., Кот М.В., Щербак Д.А. Электрические свойства кристаллов CdSb , легированного примесями. Труды по физике полупроводников Кишиневского университета,в. I, с. 37-44.

37. Grosse P. tfber den Beitrag der Freien Landungstrager zur Ultrarotabsorption von Tellur. Z.Phys., 1966, V193,p318-338.

38. Rigaux C., Serrero M. Magneto- Absorption du Tellure Sol. St. Comm., 1965, т 3, N1, p 21 23.

39. Couder Y. Submillimeter Cyclotron Resonance in Tellurium.-Phys. Rev. Lett., 1969, V 22, H 17, p 820 892.

40. Ortenberg M., Button J.,Landwehr S., Fisher T. Submilli-metre Magneto-Spectroscopy of Те.-Phys.Rev(B),1972,V6,p2100.

41. Косичкин Ю.В., Мазур Ю.Й., Надеждинский А.Й. Обнаружение сильнолокализованных состояний вблизи дна зоны проводимости теллура. $ТТ, 1982, т.24, № 5, с. I346-I35I.

42. Figielski Т. Lattice Defects in Cristals.- Proc. 6 Int. Summer Sch.(Krymia, May 28 June 10), 1980.- Wroclaw, 1981, p 191 - 214.

43. Hardy D., RIgaux 0., Vieren J.P., Hau N.H. Impurities and Intervalence Band Magneto-Optical Transitions in Tellurium.-Phys. Stat. Sol,, 1971» V 47, N2, p 643 653.

44. Klitzing K.V., Becker C.R. Longwave Photocondactivity in Undeformed and Deformed Monocristals of Tellurium.-Sol. St. Comm., 1976, V 20, N 2, p 147 151.

45. Von Alpen V., Doukhan J.G., Escaig В., Grosse P. Defect-Induced Optical Absorbsion Near the Electronic Band of Tellurium.- Phys. Stat. Sol.,(B), 1973, V 55, N 2,p 667-676.

46. Von Alpen V., Doukhan J.G., Grosse P. Dislocations as a Model for One-Dimensional Systems: Magnetoabsorbsion in Strained Те .-Phys.Rev.Let., 1974, V 32, N 4, p 157 160.

47. Par vac que J.I., Doukhan J.C., von Alpen V.,Gmelin E. Screw-Dislocation-Induced Scattering Processes and Acceptor

48. States in Те .-Phys. Stat. Sol.(B), 1977, V 79, H 2, p763-773

49. Афиногенов В.Г1., Гончаренко Г.И., Трифонов В.Й., Шевченко В.Я. Фотопроводимость в P-U56 в миллиметровом диапазоне волн. Письма в ЖЭТФ, 1970, т.10, с. 370-374.

50. Гусев С.М., Гречко В.А. Структура спектров примесных состояний в антимониде кадмия. ФТП, 1978, т.12, № 4, с.830.

51. Равич 10.й. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение. М.: Советское радио, 1967. - 95 с.56. fritter R.N. Role of Traps in the Photodlectromagnetic and Photoconductive Effects.- Phys.Rev., 1958, V 112, И 3 p852~855

52. Redfield D. Recombination Processes in Tellurium. « Phys.Rev., 1955, V 100, N 15 » p Ю94 1100.

53. Guthmann 0., Hermann С., Thuillier J.M., Recmbination Phenomena in Tellurium .- Phys. Stat. Sol. (A), 1970, V 3, H 1, p 365 375.

54. Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. Труды ФИАН СССР им. П.Н. Лебедева, 1981, т.28, с. 3-64.

55. Жадько И.П., Романов В.А., Юров Ю.Г. О совместном исследовании поперечного демберовского и фотомагнитного эффектов в монокристаллах CdSb . ФТП, 1976, т.10, в.1, с. 95-98.

56. Doi Т.,Kamimura Ы.,Shinno H.,Yoshizaki R,Tanaka S. Conduction Band Structure of 'Iellurium.-Prosp.11 Int.Conf.Phys. Semicond.,Polish Scientific Publishers,1972,V 1,p 762-768.

57. Takita K., 0-hata K., Masuda K. Magnetophonon Oscilation of the Thermoelectric Power in the Conduction Band of Tellurium.- Sol.St.Comm.,1982, V 44, И8, p 1289 1292.

58. Button K,J.,Landwehr G.f Bradley C.C.,Grosse P., Bengiamin L. Quantum Effects in Cyclotron Resonance in p-type Tellurium,- Phys.Rev.bett.,1969, V 23, Ж 1 p 14 17.

59. Ortenberg M., Silberman R. Cyclotron Resonance of Electrons and Holes in Electric Subbands of Tellurium •- Sol.St.Comm., 1975, V 17, U 5, p 617 20.

60. Raddof P.L., Dexter R.H. Cyclotron Resonance in Tellurium.-Phys.Stat.Sol., 1969, V 35, И 1, p 261 267.

61. Hisida Y., Ortenberg Mi', Weber W. Paavinfrared Magneto-Specrtoscopy of Photo-Exited Carriers in Tellurium.-Sol. St. Comm., 1980, V 33, H 2, p 199 201.

62. Lutz M.p Stolze H., Grosse P. The Masses ofFree Holes and Electrons in Tellurium .- Phys.Stat.Sol(B), 1974, V 62,1. Ж 2, p 665 675.

63. Ирисова H.A. Субмиллиметровая монохроматическая JIOB -спектроскопия твердых тел. Создание метрики, проведениеисследований. Дис. . докт.физ.-мат.наук. - Москва, 1981. - 56 с.

64. Виноградов Е.А. Спектрометрия высокого разрешения субмиллиметрового диапазона волн. Дис. . кенд.физ.-мат.наук.-Москва, 1972.

65. Кикоин И.К., Лазарев С.Д. Об анизотропии нечетного фотомагнитного эффекта. ШЭТФ, 1961, т.41, в.4 10 , с. 13321333.

66. Левин Б.Р. Теоретические основы статистической радиотехники. М.: Советское радио, 1969. - 750 с.

67. Гарет П. Аналоговые устройства для микропроцессоров и микро ЭВМ. - М.: Мир, 1981. - 248 с.

68. Model 162 Dual Channel Boxcar Averager / Princeton Applied Research.- Princeton, 197b. -68 p.

69. Blakemore J.S., Shultz J.W., Nomura K.C. Some Effects Occu-ring in Dislocated Tellurium. J. Appl. Phys., 1960,1. V 31, N 3, p 2226 2228.

70. Hruby A., Kaspar J. Etchants for CdSb and ZnSb . -Czech. J. Phys., 1962, В 12, p 799.

71. Киреев П.С. Шизика полупроводников. M.s Высшая школа, 1975. - 583 с.

72. Глушков М.В., Ицкевич E.G., Косичкин 10.В., Надеждинский А.И., Толмачев А.Н., Широков A.M. Определение ширины запрещенной зоны теллура под давлением. Гальваномагнитные методы.

73. ШТТ, 1977, т.19, № 6, с. 1737-1742.

74. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.-М.: Наука, 1977. 672 с.

75. Калиткин Н.Н. Численные методы. М.: Наука, 1978.- 512 с.

76. Анзин В.Б., Косичкин Ю.В., Мазур Ю.И., Надеждинский А.К. Исследование фотопроводимости теллура при импульсном возбуждении. ШТТ, 1979, т.21, Р 2, с. 377-382.

77. Засавицкий Й.И., Косичкин Ю.В., Мазур Ю.И., Надеждинский А.Й., Поляков Ю.А., Широков A.m. Влияние гидростатического давления на спектры примесной фотопроводимости в теллуре.

78. ТТ, 1983, т.17, № I, с. 69-72.

79. Косичкин Ю.В., Мазур Ю.И., Надеждинский А.И., Поляков Ю.А. Особенности механизмов рекомбинации неравновесных носителей тока в теллуре. Москва, 1983. - 55 с. Препринт / ФИАН СССР им. П.Н. Лебедева: № 102 .

80. Косичкин 10.В., Мазур Ю.И., Поляков Ю.А.О временах жизни неравновесных носителей тока в теллуре при низких температурах. КСФ, 1984, Р II, с.

81. Otgulca Е., Ohyama Т., Fujii К, Far-Infrared Cyclotron Resonance of Photoesited Hot Carriers in Indium Antimonide.-J. de Phys., 1981, V 42, Ж 10, p G7-393 C7-398.

82. Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир, . 1982. - 270 с.

83. Ortehberg М,,Button J.Inactive-Mode Cyclotron Resonance Absorption in lellurium.-Sol.St.Comm.,1972,V11,N10,p13l5-1318.

84. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука , 1978. - 615 с.

85. Бреховских Л.М . Волны в слоистых средах. М.: Наука, 1973. - 343 с.

86. Аззам Р., Башара Н.Эялипсометрия и поляризованный свет. -М.: Мир, 1981 . 583 с.

87. Малютенко В.К., Романов В.О., Раренко Й.М. Новый приемник ИК излучения на основе CdSb . - УФЖ, 1969, т. 14,11°- 9, с. 1570-1572.

88. Андронник И.К., Кот М.В., Емельяненко О.В. Электрические свойства монокристаллов антимонида кадмия при низких температурах. ШТ, 1961, т.З, в.9, с. 2548-2552.

89. Брандт Н.Б.,Демишев С.В., Дмитриев А.А., Мощалков В.В., Парчевская Л.Н., Чудинов С.М. Исследование примесных донорных состояний в GaSb Se . ЖЭТФ, 1984, т.86, в.4, с. 1446-1460.

90. Мотт Н.Ф. Переходы металл изолятор. - М.: Наука, 1979.342 с.

91. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1974. - 752 с.