Формирование пленок методом Ленгмюра-Блоджетт из коллоидной системы BaTiO3/H2O и их сегнетоэлектрические свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Чухаева, Инна Владимировна

• Чухаева, Инна Владимировна
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Чухаева, Инна Владимировна

ВВЕДЕНИЕ........................................................4

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ТИТАНАТА БАРИЯ......................10

1.1. Физическая природа сегнетоэлектричества.................10

1.2. Сегнетоэлектрические свойства BaTiO3....................15

1.3. Явления переноса заряда в тонких диэлектрических пленках....32

ГЛАВА 2. СОЗДАНИЕ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ ИЗ СТАБИЛИЗИРОВАННЫХ НАНОЧАСТИЦ ТИТАНАТА БАРИЯ....................46

2.1. Осаждение пленочных структур методом Ленгмюра-Блоджетт..46

2.2. Малоугловое рентгеновское и динамическое световое рассеяние

коллоидной системы BаTiO3/Н2О................................56

2.3. Зондовая микроскопия сегнетоэлектрических нанопленок....58

2.4. Электронная микроскопия тонких пленок...................64

2.5. Рамановская, ИК-Фурье, эллипсометрическая и фотометрическая

спектроскопии тонких пленок..................................68

2.6. Рентгеновский фазовый и фотоэлектроный анализ тонких пленок.73

ГЛАВА 3. СОЗДАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР ИЗ КОЛЛОИДНОЙ СИСТЕМЫ BаTiOз/Н2О..................................77

3.1. Характеризация коллоидной системы BаTiO3/Н20................77

3.2. Коагуляционный механизм структурирования коллоидной системы

ВаТЮз/Н2О........................................................80

3.3. Особенности формирования пленок из коллоидной системы ВаТЮ3/Н2О

на водной субфазе................................................86

3

3.4. Параметры осаждения нанопленок методом Ленгмюра-Блоджетт из

коллоидной системы BаTiO3/Н2О...............................92

ГЛАВА 4. СТРУКТУРА И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОПЛЕНОК ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ ИЗ ТИТАНАТА БАРИЯ...............100

4.1. Особенности кристаллической и химической структуры....100

4.2. Особенности поляризации при электрическом воздействии.110

4.3 Сегнетоэлектрические свойства, механизмы переноса заряда и зонная структура ЛБ нанопленок....................................121

Заключение...................................................134

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ..............................135

Список литературы............................................143

4

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование пленок методом Ленгмюра-Блоджетт из коллоидной системы BaTiO3/H2O и их сегнетоэлектрические свойства»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования и степень ее разработанности. Титанат бария является первым перовскитным сегнетоэлектриком, нашедшим широкое применение на практике, обнаруженный в 1944 В. М. Вулом в СССР [1] и, независимо от него Е. Вейнером и А. Соломоном в США, Т. Огавой в Японии. Ускоренному развитию области сегнетоэлектриков послужили открытие сегнетоэлектрического переключения в этом оксидном материале в 1945 и 1946 годах Фон Хиппелем в США и В. М. Вулом, А. Г. Гольдманом в России [2,3] и разработанная феноменологическая теория сегнетоэлектричества основанная на идеях Л. Д. Ландау, В. Л. Гинзбурга [4 -7], А. Ф. Девоншира [8 - 10] в 1951 году.

Сегнетоэлектрические (СЭ) свойства объемных материалов, включая, как наиболее исследованный титанат бария, стали классическими и нашли отражение в целом ряде работ [11 - 15]. В то время как теоретическое и экспериментальное изучение их пленочной реализации находится на начальном этапе [16], хотя в них существенную роль начинают играть состояния осаждаемой структуры, сплошность, сте-хиометричность, рельефность и т. д, что особенно важно в разрабатываемых на их основе устройствах. Большой интерес представляют устройства, реализующие потенциальные возможности интеграции на базе сегнетоэлектрических и магнитных пленочных структур для высокоскоростной отработки информации, сочетающие в себе высокие удельную емкость, плотность компоновки и низкое энергопотребление [17], мемристоры, построенные на металло- и сегнетопленочных структурах [18], а также объединяющие в едином микрополосковом континууме все востребованные элементы, работающие в СВЧ-диапазоне (вплоть до 60 ГГц) используемые, в частности, в фазированных антенных решетках (сегнетоэлектрические запоминающие устройства). Все это предъявляет повышенные требования к методам синтеза и осаждения микро- и нанопленочных структур титаната бария, к примеру, из газообразной фазы [19], золь-гель методом [20], импульсным лазерным осаждением [21], пи

5

ролизом аэрозоля [22], химического осаждения из раствора [23]. В этой связи, существующий уровень разработанности темы исследования, свидетельствует о перспективности применения для микро- и наноэлектроники пленок Ленгмюра-Блоджетт [24], отличающихся упорядоченной и бездефектной структурой, что подчеркивает актуальность, научную и практическую важность работ по созданию и исследованию таких структур.

Цель диссертационной работы - осаждение и исследование сегнетоэлектрических свойств нанопленок Ленгмюра-Блоджетт из коллоидной системы стабилизированных наночастиц титаната бария.

Объект исследования: пленки титаната бария.

Предмет исследования: свойства нанопленок стабилизированного титаната бария, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- исследовать коллоидную систему стабилизированных наночастиц титаната бария;

- определить параметры осаждения нанопленок из стабилизированных наночастиц титаната бария методом Ленгмюра-Блоджетт;

- получить сегнетоэлектрические нанопленки из титаната бария методом Ленгмюра-Блоджетт;

- установить кристаллические и химические структурные особенности полученных сегнетоэлектрических нанопленок из титаната бария;

- изучить оптические, сегнетоэлектрические и транспортные свойства получаемых нанопленок;

- выявить зонную структуру нанопленок титаната бария.

Для достижения поставленной цели и решения указанных задач была применена методология, согласно которой на установке KSV Nima 2002 последовательно осуществлялось определение эффективных объема КС, скорости движения барьеров,

6

температуры и давления переноса, обусловливающих формирование стабильного монослоя на поверхности субфазы, его перенос на подложку методом Ленгмюра-Блоджетт, а также его изучение следующими методами исследования: брюстеров-ская микроскопия, потенциометрия, малоугловое рентгеновское и динамическое рассеяние света, сканирующая туннельная, атомно-силовая, растровая и просвечивающая электронная, оптическая микроскопия, спектроскопия комбинационного рассеяния света, ИК-Фурье, рентгеновская фотоэлектронная, спектрофотометрия, спектральная эллипсометрия, рентгенофазовый анализ, вискозиметрия, рН-метрия, термостатирование, определение размеров и концентрации коллоидных частиц.

Научная новизна работы

1. Установлен коагуляционный механизм образования агрегатов из стабилизированных наночастиц титаната бария в коллоидной системе и их распад на отдельные частицы на водной поверхности под действием сил поверхностного натяжения.

2. Впервые получены нанопленки титаната бария методом Ленгмюра-Блоджетт.

3. Построение зонной структуры нанопленки титаната бария на основании механизмов переноса зарядов токов, ограниченных пространственных зарядов и Пула-Френкеля.

Положения, выносимые на защиту

1. Структурирование стабилизированных наночастиц титаната бария в коллоидной системе по схеме «наночастица-агрегат-агломерат» и их распад на водной субфазе.

2. Параметры осаждения нанопленок, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт из наночастиц стабилизированного титаната бария.

3. Характеризация ядра, стабилизирующей олеатной оболочки, нанопленочных структур титаната бария.

7

4. Переключение поляризации, механизмы переноса заряда и зонная структура нанопленок из стабилизированного титаната бария, получаемых методом Ленгмюра-Блоджетт.

Теоретическая значимость работы.

Построена зонная структура нанопленки Легмюра-Блоджетт титаната бария, учитывающая действующие механизмы переноса зарядов и влияние олеатной стабилизирующей оболочки.

Практическая значимость работы.

Результаты исследований сегнетоэлектрических параметров, созданных методом Легмюра-Блоджетт нанопленок из стабилизированного титаната бария могут быть востребованы в микро- и наноэлектронике при создании устройств и элементов новых поколений.

Достоверность результатов исследования, представленных в диссертационной работе, основана на фактах одновременного использования комплекса взаимодополняющих экспериментальных методов и воспроизводимостью многочисленных измерений, теоретических расчетов зонной структуры, постоянной Кюри-Вейсса, диэлектрической низкочастотной и высокочастотной проницаемостей, пьезомодуля, точки Кюри, выполненных по измеренным характеристикам, полученным различными методами.

Апробация полученных результатов.

Основные результаты работы были представлены на следующих конференциях: «Физика и технология наноматериалов и структур» (Курск, 2013 г.), «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (Курск, 2014 г.), «Физика и технология наноматериалов и структур» (Курск, 2015 г.), «Математика и ее приложения в современной науке и практике» (Курск, 2015 г.), «Молодежь и XXI век» (Орел, 2015 г.), «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматери

8

алов» (Курск, 2016 г.), «Физика и технология наноматериалов и структур» (Курск, 2017 г.), «Научный потенциал XXI века» (Саратов, 2017 г.), «Актуальные проблемы в физике поверхности и наноструктур» (Ярославль, 2017 г.), «Научный диалог: Вопросы точных и технических наук», (Санкт-Петербург, 2017 г.).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 18 печатных работ, в том числе 6 статей в рецензируемых научных журналах (3 - Scopus, 3 - Перечень ВАК), 12 материалов и тезисов конференций.

Личное участие соискателя в получении результатов, изложенных в диссертации, заключается в формулировке целей и задач, научной гипотезы, выборе методов и моделей исследования, поиске, систематизации информационноаналитического материала и его научной обработке. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат: осаждение нанопленок, подготовка и проведение экспериментов, получение и анализ экспериментальных данных. Обсуждение полученных результатов и подготовка работ к печати проводились при участии научного руководителя. Основные результаты диссертации получены лично автором.

Соответствие паспорту научной специальности. Содержание, направленность диссертационной работы и ее основные научные результаты соответствует паспорту специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» по п. 1. Теоретическое и экспериментальное изучение физической природы свойств металлов и их сплавов, неорганических и органических соединений, диэлектриков и в том числе материалов световодов как в твердом, так и в аморфном состоянии в зависимости от их химического, изотопного состава, температуры и давления; п. 2. Теоретическое и экспериментальное исследование физических свойств неупорядоченных неорганических и органических систем, включая классические и квантовые жидкости, стекла различной природы и дисперсные системы; п. 3. Изучение экспериментального состояния конденсированных веществ (сильное сжатие, ударные воздей

9

ствия, изменение гравитационных полей, низкие температуры), фазовых переходов в них и их фазовые диаграммы состояния.

(Структура и объем работы:

Диссертационная работа изложена на 162 страницах и состоит из введения, четырёх глав собственных исследований, заключения и списка литературы, включающего 178 наименований, в том числе 112 иностранных источников. Работа содержит 99 рисунков и 7 таблиц.

10

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ТИТАНАТА БАРИЯ

1.1. Физическая природа сегнетоэлектричества

Синтез титаната бария - BaTiO3 (ВТО), и начало его систематического исследования [1, 10, 12, 26], сразу получило взаимосвязанные фундаментальное научное значение и широкое практическое применение, начиная уже с работ И. В. Курчатова [25], феноменологической теории Л. Д. Ландау и В. Л. Гинзбурга, основанной на теории фазовых переходов [5 - 7].

Важным следствием, вытекающим из термодинамической теории Ландау-Гинзбурга, применительно к ВТО, с учетом его кристаллографической симметрии в неполяризованном состоянии (относительно атома Ti в центре элементарной ячейки), когда включены только четные слагаемые, является его разложение в ряд термодинамического потенциала с учетом спонтанной поляризации (Ғсп) [5]: Ғ(Ғ, Г, Ғ) = - FF +g0 + 1/2g2^2 + 1/4g4^4 + 1/6g6F6+... . Здесь gi при /' = 0, 2, 4 ..., зависящие от температуры коэффициенты. Равновесная поляризация СЭ ВТО достигается при минимуме: ЗҒ/дҒ =0= - F + g2F + g4F3 +g6F5 +. и только для положительного значения д2Ғ/ЗҒ2 = g2 + 3g4F2 +5g6F4 +.... В отсутствии поля (F = 0) из условия термодинамической устойчивости (ЗҒ7дҒ =0) определяется величина спонтанной поляризации (возникает состояние, так называемой, поляризационной «катастрофы») - Ғсп, а при д2Ғ/ЗҒ2 = 0 может быть получено СЭ упорядочение. При Ғсп = 0 СЭ переходит в параэлектрик.

Для определения типа фазового перехода СЭ [5 - 7] в исходном выражении Ғ(Ғ, Г, Ғ) принимают во внимание знаки - sgn(gi) с учетом зависимости gi(7). Главную роль играет зависимость g2(F): g2 = у Г -10), где у положительная константа. Фактически, если в Ғ(Ғ, Г, Ғ) g4 < 0 и g6 > 0, то имеет место фазовый переход I рода. Без учета вклада g6 и в отсутствии поля (F = 0) из Ғ(Ғ, Г) при g4 > 0 в СЭ возникает фазовый переход II рода. При температуре Г = 70 коэффициент g2 = у Г -70) = 0 ве

11

личина 70 (называемое температурой Кюри-Вейса), соответствует температуре фазового перехода. 70 равна или меньше температуры в точке Кюри (7з) для данного СЭ: 70 < 7С. Зависимость g2 = у (7 -70), являясь линейной, аналогична закону Кюри-Вейса. В СЭ с фазовым переходом II рода при нагревании величина 7сп уменьшается, обращаясь в нуль при 7 = 70, тогда как в СЭ с фазовым переходом I рода (характерного для ВТО) 7*сп скачком падает до нуля при 7 = 7з, как это показано на рисунке 1.1, а.

Результаты анализа фазовых переходов, как правило, записываются в виде температурной зависимости диэлектрической проницаемости - с учетом того, что g2(7) и у - У(1/в). В таком случае на зависимости в(7) при температурах фазовых переходов возникает скачок (рисунок 1.1, б), одинаковый для СЭ с переходами обоих типов. Для СЭ с фазовым переходом II рода это происходит при 7 = 70= 7С, а для СЭ с фазовым переходом I рода при 7 = 7С. Линейная зависимость g2(7) для ВТО начинается с 7 = 70. Зависимость термодинамического потенциала 7(7) для СЭ с фазовым переходом I рода при фиксированных температурах (7 = 70 < 7С, 7 = 7С и 7 > 7С) всегда имеет минимумы с двумя значениями: ± 7сп (рисунок 1.1, в). Это означает, что могут возникать, по крайней мере, два 180°-ных домена. При этом, наличие для всех отмеченных температур энергетического барьера - 7б между минимумами на зависимости 7(7), говорит о том, что для переориентации 7сп необходимо электрическое поле 7 > 7б.

12

а б в

Рисунок 1.1. - Схематичное изображение зависимостей /7и(7) для сегнетоэлектриков с фазовыми переходами I (—) и II (—) рода - а; для СЭ с фазовым переходом I рода: 8(7) - (1) и g2(7) - (2) - б; F(F) - в

Помимо этого, для описания изменений вблизи температуры 7( колебательного спектра упругих связей Ва-ТЮз в ВТО используется динамическая теория структурной неустойчивости В.Л. Гинзбурга [5]. Типовое решение уравнения движения гармонических осцилляторов (то есть атомов) в постоянном электрическом поле описывается дисперсионной зависимостью е(ю) = 8ю + (2л/цпр)/( g2/gnp -оу^ + (/vco/ц,,]))). Здесь оу = ^/Цпр)^-резонансная частота колебаний вдоль связи Ва-ТЮз, Цпр = ?й/(27Уеэф2), у, иу JVn еэф - коэффициент сопротивления, приведенная масса колеблющихся атомов в связи Ва - ТЮз, число атомов и их эффективный заряд, а у = ^(-1). Анализ, полученного дисперсионного соотношения с учетом, используемой выше зависимости g2 = ү 77'-7'о), и граничных частот о (в диапазоне от О и до оо) позволил рассчитать частоту оптических колебаний (фононов). Для ВТО [5] при резонансе оу достигает 3x10" Гц, что отвечает длине волны Г = 6x1м. Их значения при Г = 77 оказались близкими: оу = 6x10^ Гц и А. = Зх10^м, тогда как

13

Г < 7c: Юр = 1.2х1012 Гц и А = 1.5х10-3 м. Это означает, что в оптическом спектре колебаний связей Ba - TiO3 при Г 7c возбуждаются низкочастотные нормальные колебания: Юр = const (Г - 7c)1/2.

Представленное описание упорядочения в СЭ на основе Е(Е, Ц Е) не может учитывать роль и влияние дефектов, которые оказывают существенное влияние на процессы доменообразования в СЭ (доменные структуры - ДС и доменные границы - ДГ между ними) вплоть до возникновения мелкодоменных структур. Сама по себе ДГ с энергией Едг может рассматриваться как своеобразный собственный дефект. Более того, она возникает в условиях, когда существуют и несобственные дефектные образования с энергией Ед, которые приводят к измельчению ДС особенно в области температуры точки Кюри - 7c. При этом размеры СЭ доменов могут быть даже существенно меньше расстояния между дефектами [15].

Процесс СЭ доменообразования строится на вкладах как от формирующейся ДС в результате минимизации Е(Е, 7, Е), что ведет к росту деполяризующего поля за счет - Едс, с одной стороны, так и ее компенсации за счет энергии - Едг между ними, с другой стороны. Именно конкуренция между энергиями ДС и ДГ (в идеале: Едс = Едг) при неизменной толщине - <7 СЭ образца снижает деполяризацию за счет уменьшения размера ДС - 7цС: Едг = уДГ7/7цС. Здесь удг - поверхностная плотность энергии ДГ. Размер равновесной ДС с учетом удг = 1.33Есп2 (лх/8с)1/2 определяется как 7дс = (л2удг <7^8c8a/(16.8(Eсп)2))1/2 [15]. В выражении для удг величина х - корреляционный параметр: х - са2, где а2 = 10-15 см2, с = 1010 эрг/см3 по аналогии с [6 - 7]. С понижением температуры на АГ от 7c энергия Едг возрастает как ~ (АТ)3/2. Тогда как для этой же АГ ее рост на объемном дефекте составляет ЕдЕсп и оказывается значительно меньше ~ (АГ)1/2. В случае равенства энергий: Ед = Едг мелкодоменная ДС теряет стабильность. В то же время она сохраняет стабильность при отклонении температуры от 7c даже на несколько градусов.

14

Таким образом, в некоторых диэлектриках, в частности в ВТО, учет параметров ^сп, 7 и 7 в 7 7) показал, что при их ранжировании по роли влияния на весь комплекс возможных проявлений: СЭ, пироэлектрических и пьезоэлектрических свойств, главная роль принадлежит именно спонтанной поляризации - ,Рсп. В таком случае понятно, что СЭ, возникающее при ^сп 0 является основополагающей характеристикой. ^сп обусловливает возникновение и пироэлектричества, и пьезоэлектричества. Однако обратное проявление СЭ свойств из пироэлектричества и пьезоэлектричества не всегда возможно.

Воспользовавшись тензорным исчислением можно записать комплекс уравнений, связывающих прямые и обратные эффекты [5 - 7]. Многообразие возможных при этом эффектов применительно к пьезоэффекту демонстрируют уравнения, представленные на рисунке 1.2, а [10]. Так связи прямого и обратного пьезоэффектов выражаются переменными ^сп, 7, а также и л - представляющими механическое напряжение и деформацию, показанные соответствующим обозначением в виде верхнего индекса, через следующие параметры:

- механические (на рисунке 1.2, б показаны слева): Лц - упругая податливость (тензор четвертого ранга), Сц - упругий модуль (тензор четвертого ранга), Xj - электрическая восприимчивость (тензор второго ранга), %j - обратная диэлектрическая восприимчивость (тензор второго ранга);

- электрические тензоры третьего ранга (на рисунке 1.2, б показаны справа): <7ij - пьезомодуль, eij - пьезоэлектрический коэффициент, gij — пьезоэлектрический коэффициент механического напряжения, 7j - пьезоэлектрический коэффициент деформации.

15

Прямой пьезоэффект Обратный пьезоэффект

.\'i y/'Aj - ;/,jAj

Ai= «„у - AA

^i—gij^j+ (%jX/ So)/) A" *Aj^+gijAj

А] —Z^j.Xj+(%j / So)Aj 2ц— —

a

б

Рисунок 1.2. - Связи между электрическими и механическими воздействиями в сегнетоэлектриках в виде уравнений [10] - а; «пьезоэлектрический квадрат»

[27] - б

Представленные уравнения существенным образом зависят от симметрии СЭ. Так для ВТО с его центрально-осевой симметрией и механическими граничными условиями они упрощаются, что будет использоваться далее и в обзорной и в оригинальной частях.

1.2. Сегнетоэлектрические свойства ВаТЮз

Открытие пьезоэлектрических явлений в сегнетоэлектрическом титанате бария (ВТО) в 1947-1949 годах А.В. Ржановым в СССР [28] и Р. Адлером, В. Мэзоном в США положило начало обширному исследованию его диэлектрических, электрооптических и других свойств [29], нашедших широкое применение в различных областях техники [30-33].

Титанат бария, являясь сегнетоэлектриком со структурой перовскита, имеет несколько полиморфных модификаций [34 - 37]. С понижением температуры ВТО испытывает фазовые переходы первого рода со следующей последовательностью структурных фазовых преобразований: кубическая фаза —> тетрагональная фаза —> орторомбическая фаза —> ромбоэдрическая фаза (рисунок 1.3, таблица 1.1), которые все связаны с искажениями первичной кубической ячейки. При температуре выше

16

393 К кристалл ВТО находится в кубической неполярной фазе с параметрами по осям а = ^ = с = 4.009 А (таблица 1.1, рисунок 1.3, а). В центре куба - атом титана Ti, в вершинах - атомы бария Ва, а в центрах каждой грани располагаются атомы кислорода О (рисунок 1.3, а). Ввиду совпадения центров тяжести отрицательных и положительных зарядов дипольный момент такой ячейки равен нулю, сегнетоэлектрические свойства отсутствуют.

[100] Поляризация [110] Поляризация [111] Поляризация

а

б

г

в

Рисунок 1.3 . - Элементарная кристаллическая ячейка титаната бария

Первый фазовый переход ВТО испытывает при температуре 393 К. В интервале температур 393 - 278 К титанат бария, находится в тетрагональной фазе - два ребра сокращаются, оставаясь равными друг другу по размерам <т = /? = 3.992 А, одно ребро удлиняется с = 4.035 А, становясь тетрагональной осью (таблица 1.1, рисунок

1.3, б). Смещение при этом иона титана из центра октаэдра ТЮб приводит к появлению электрических диполей Ti-O и возникновению спонтанной поляризации. В тетрагональной фазе возможно шесть направлений спонтанной поляризации - по два взаимно противоположных направлений вдоль полярной оси [100] (таблица 1.1).

При температуре 278 К ВТО испытывает второй фазовый переход. В интервале температур от 278 до 183 К элементарная ячейка обладает орторомбической сим

17

метрией (рисунок 1.3, в) с параметрами решетки а = 5.667 А, ^ = 5.681 А и с = 3.989 А. Орторомбическая структура получается путем сжатия вдоль диагонали одной из граней кубической ячейки или растяжения другой диагонали той же грани куба. В орторомбической фазе существует двенадцать направлений спонтанной поляризации кристалла вдоль оси [110] (таблица 1.1).

Третий фазовый переход в ВТО наблюдается при температурах ниже 183 К. Деформация кубической ячейки, вдоль ее пространственной диагонали, приводит к переходу кристалла в ромбоэдрическую структуру с осями <т = /? = с = 4.004 А и а = 89.855" (рисунок 1.3, г). Число ориентаций вектора спонтанной поляризации вдоль оси [111] в такой фазе - восемь (таблица 1.1).

Таблица 1.1. Структурные параметры и фазовые переходы ВТО

Симметрия и пространственная группа Соотношения параметров эле-ментарной ячейки Параметры элементарной ячейки [31, 32] Температурный интервал фазовых переходов, К [31] Направления полярных осей в спонтанно поляризованных модификациях [36]

а, А ь, А с, А

Кубическая Р/иЗ/и а = Ь = с, а = р = ү = 90° 4 009 <393 п /М тһ [0!0] д

Тетрагональная Р4/И/И а = ЬУс, а = р = ү = 90° 3 992 4.035 393 -278 с /-М- 4- / 1

Орторомбическая Ати/и2 а У b У с а = р = ү у 90° 5 667 5 681 3 989 278-183 4 --у ^(7 f

Ромбоэдрическая R3/M а = b = с а = р = ү у 90° 4.004 >183 [...] Л

18

Вектор спонтанной поляризации:

J^=(E-l)EoF, (1.1)

где Е - низкочастотная диэлектрическая проницаемость (в » 1), So - диэлектрическая постоянная; Е - среднее макроскопическое электрическое поле в сегнетоэлектрике, для кристаллов титаната бария испытывает скачок в окрестностях температур фазовых переходов [38] (рисунок 1.4).

The temperature (К)

Рисунок 1.4. - Температурная зависимость вектора поляризации для кри-

сталлов ВТО [38]

Спонтанный и индуцированный дипольные моменты единицы объема сегнетоэлектрика нелинейно зависят от напряженности поля, что обусловливает возникновение гистерезисных явлений. Типичная петля диэлектрического гистерезиса порошка (100 и 250 нм) титаната бария, полученного механохимическим синтезом, показана на рисунке 1.5 [39]. Линейность зависимости (1.1) имеет место только на весьма ограниченном начальном участке, где сегнетоэлектрическая доменная структура не упорядочена. При дальнейшем росте А' возникает нелинейная зависимость Р(Р), характеризующая спонтанную поляризацию Реп и достигается насыщение: Р^Рнас, при котором СЭ структура упорядочивается (II) за счет смещения иона Ti в элементарной ячейке. Из-за низкого уровня тепловой энергии при обратном включении Р сохраняется влияние Рнас которое определяет ее индуцированную величину -

19

Гин- Величина остаточной поляризации - Гос = ь<Г' для порошка титаната бария составляет 2*1()4 мкКл/м^ [39] (рисунок 1.5). Таким образом, с учетом (1.1) полная поляризация Г = Гсп + Гин Гос, как это видно из рисунка 1.5. При Г = 0, когда действует Гос, СЭ доменная структура практически возвращается к начальному неупорядоченному состоянию (III). Для деполяризации образца прикладывается электрическое коэрцитивное поле 1060 кВ см-Гк. При Г< 0 вновь возникнет СЭ упорядочение, но с прямо противоположным направлением (IV). Дальнейшее циклирование зависимости Г(Г) дает симметричные петли гистерезиса. Наряду с указанной на рисунке 1.5 перестройкой ДС в каждой характерной точке гистерезисной кривой здесь же приведены, в соответствии с представленным выше (раздел 1.1) термодинамическим описанием, минимумы Г(Г) и отвечающие им энергетические барьеры - Гб [40]

Рисунок 1.5. - Типовая петля гистерезиса [39] поляризации сегнетоэлектрика, дополненная схематичными изображениями соответствующих доменных структур минимумами термодинамического потенциала и отвечающих ему энергетических барьеров [40]

Вид гистерезисной кривой зависит от частоты прикладываемого поля [41, 42], температуры [43, 44], дефектов, метода синтеза частиц ВТО и их размеров [45, 46,

20

47]. Так, для эпитаксиальных пленок ВТО с толщинами 40 нм, 16 нм, 8 нм и 1.6 нм

наблюдается отчетливая гистерезисная зависимость усредненных значений пьезооткликов от напряжения при разных толщинах пленок [48] (рисунок 1.6). Для пленки ВТО толщиной 40 нм наблюдается типичная форма петли гистерезиса с высоким значением остаточной поляризации (рисунок 1.6, а). Для более тонких пленок с толщинами 16 и 8 нм петли становятся более асимметричными и концентричными, их остаточная поляризация значительно снижается (рисунок 1.6, б, в). В ультратонких пленочных структурах (1.6 нм) петля гистерезиса становится сопоставимой с шу

мом, что указывает на рост роли дефектности пленки и влияния подложки (рисунок

1.6, г).

Kas(V)

&as(V)

а

б

в

г

Рисунок 1.6. - Гистерезисные кривые по измерениям пьезоотклика для пленок ВТО различной толщины [48]

Традиционно для наблюдения диэлектрического гистерезиса в СЭ используется схема Сойера-Тауэра (рисунок 1.7) [49]. К исследуемому образцу (в виде сегнето-

21

электрического конденсатора - Сд с площадью S), последовательно соединенному с эталонным заземленным конденсатором емкостью (С^ » Сд) прикладывают синусоидальное напряжение Ц-„. Возникающие падения напряжений на Сд и подаются на вертикальные и горизонтальные пластины осциллографа соответственно. Так как Е7вн»Цз, то падение напряжения на пленочном конденсаторе ЕЕ практически равно внешнему напряжению. Отклонение луча осциллографа по вертикали оказывается пропорциональным поляризации СЭ конденсатора - Сд, а по горизонтали - напряжению на нем Е4 - Е. Таким образом, на экране осциллографа отображается гистерезисная зависимость Е(Е). При этом <2 на Сд соответствует спонтанной поляризации на СЭ образце: Г = (Ж = (Пэ Сэ)/Е.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Чухаева, Инна Владимировна, 2018 год

Список литературы

1. Вул, Б.М. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Б.М. Вул // Успехи физических наук. - 1973. - №109. - C. 215 - 216.

2. Breckenbridge, R.G. High dielectric constant ceramics / R.G. Breckenbridge , F.G. Chesley, L.Tisza, von Hippel // Industrial and Engineering Chemistry. - 1946. - Vol. 38, N 11. - P. 1097-1109.

3. Wul, B.M. Dielectric constans of titanates of metals of the second group /B.M. Wul,

J.M. Goldman // C.R. Acad. Sci. URSS. - Vol. 51, N 21. - 1946. P. 154 - 161.

4. Гинзбург, В.Л. Несколько замечаний о фазовых переходах второго рода в микроскопической теории сегнетоэлектриков / Гинзбург В.Л. // Физика твердого тела. - 1960. - №2. - C. 2031 - 2043.

5. Гинзбург, В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений / В.Л. Гинзбург // Успехи физических наук. - 1949. - №38, вып. 4. - C. 490 - 525.

6. Ландау, Л.Д. К теории фазовых переходов I / Л.Д. Ландау // Собрание трудов. -Т. 1. - М.: Наука, 1969. - 252 c.

7. Ландау, Л.Д. К теории фазовых переходов II / Л.Д. Ландау // Собрание трудов. -Т. 1. - М.: Наука, 1969. - 252 c.

8. Devonshire, F. Theory of barium titanate: Part I / F. Devonshire // Philosophical Magazine. - 1949. - N 40. - P. 1040 - 1063.

9. Devonshire, F.Theory of barium titanate: Part II / F. Devonshire // Philosophical Magazine. - 1951.- N 42. - P. 1065 -1079.

10. Devonshire, A.F. Theory of ferroelectrics / A.F. Devonshire // Advances in Physics.

- 1954. - Vol. 3.- N 1. - P. 85 - 130.

11. Фридкин, В.М Сегнетоэлектрики-полупроводники / В.М. Фридкин. - М.: Наука. - 1976. - 408 c.

12. Гласс, А., Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / А. Гласс, М. Лайнс. - М.: Мир, 1981. - 736 c.

144

13. Вендик, О.Г. Сегнетоэлектрики находят свою «нишу» среди управляющих устройств СВЧ / О.Г. Вендик // Физика твердого тела. - №51, вып. 7. - 2009. - C. 1441 - 1445.

14. Ширане, Д. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы: монография / Д. Ширане, Ф. Иона. - М.: Мир, 1965. - 554 c.

15. Сидоркин, А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / А.С. Сидоркин. - М: ФИЗМАТ ЛИТ, 2000. - 240 c.

16. Dawber, М. Triscone Modern Physics of Ferroelectrics: Essential Background / M. Dawber, C. Lichtensteiger, C. H. Ahn, J.-M. Karin, M. Rabe. - Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2007. - 30 p.

17. Tiercelin, N. Magnetoelectric write and read operations in a stress-mediated multiferroic memory cel l/ N. Tiercelin, Y. Dusch, S. Giordano, T. Mathurin, P. Pernod, V. Preobrazhensky, A. Churbanov, S. Nikitov, A. Klimov // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2017. - P. 222401-1 - 222401-4.

18. Kojic, T., Performance analysis of resistive switching devices based on BaTiO3 thin films / T. Kojic, J. Vukmirovic, D. Tripkovic, B. Bajac, V. Srdic, G. Stojanovic, N. Samardzic // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. - N 108. - 2016. -P. 012046 -1 - 012046-4.

19. Masumoto, H. Microstructure and Dielectric Properties of Barium Titanate Film Prepared by MOCVD / H. Masumoto, T. Goto, T. Tohma // Materials Transactions. - N 43. - 2002. - P. 2880 - 2884.

20. Ghosh, S. A. Ramkrishna Chinchamalatpure Chaudhari Synthesis and Electrical Characterization of BaTiO3 Thin Films on Si (100) / S. A. Ghosh, G. N. Vijay // Materials Sciences and Applications. - 2010. - N 1.- P. 187 - 190.

21. Bygrave, F. Barium Titanate Thin Films for Novel Memory Applications / F. Bygrave, A. J. Bell, L. Stoica // U.P.B. Sci. Bull. - 2013. - N 75. - Series A. - P. 147 -158.

145

22. Mahadik, S. S. Structural and electrical properties of barium titanate (BaTiO3) thin films obtained by spray pyrolysis method / S. S. Mahadik, M. A. Chougule, A. P. Kumbhar // Materials Science Poland. - 2015. - N 33. - P. 852 - 861.

23. Beeckman, J. Preferentially oriented BaTiO3 thin films deposited on silicon with thin intermediate buffer layers / J. Beeckman, W. Woestenborghs, J. P. George // Nanoscale Research Letters. - 2013. - N 62.- P. 1 - 7.

24. Блинов Л. М. Лэнгмюровские пленки / Л. М. Блинов // Успехи физических наук. - 1988. - № 155, вып. 3. - C. 443 - 480.

25. Курчатов, И.В. Сегнетоэлектрики / И.В. Курчатов. - М.: Гос. техн.-теорет. изд-во, 1933. - 104 с.

26. Дюшарм, С. Сегнетоэлектричество в наноразмернолй области/ С. Дюшарм, В.М. Фридкин // Успехи Физических Наук. - № 184, вып. 6. - 2014. - С. 645 - 651.

27. Переверзева, Л.П., Физика активных диэлектриков: учебное пособие под ред. Сахненко В.П. / Л.П. Переверзева, Раевский И.П. Поплавко Ю.М. - Ростов н/Д: ЮФУ, 2009. - 480 c.

28. Ржанов, А. В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик / А. В. Ржанов // Успехи физических наук. - 1949. - № 38, вып. 4.- C. 461- 489.

29. Ertug, B. The Overview of The Electrical Properties of Barium Titanate / B. Ertug // American Journal of Engineering Research. - 2013. - Vol. 2. - N 8.- P. 1 - 7.

30. Kratzer, M. Sputtered Modified Barium Titanate for Thin-Film Capacitor Applications / M. Kratzer, M. Dubs, H.Felzer, R. Mamazza, Glyn J. Reynolds // Materials. - 2012. - P. 575 - 589.

31. Tanaka, K. Optical second-order nonlinearity of transparent glass-ceramics containing BaTiO3 precipitated via surface crystallization / K. Tanaka, K. Hirao, A.Narazaki // Journal of Material Research. - 1999.- Vol. 14. - N 9. - P. 3640 - 3646.

32. Sherman, V.O. Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications / V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter, A.K. Tagantsev // Journal of Electroceramics. - 2003. - Vol. 11. - N 1-2. - P. 5 - 66.

146

33. Ertug, B. The effect of porosity and working temperatures on the humidity sensitivity properties of barium titanate sensors with graphite additive/ B. Ertug // Romanian Journal of Materials. - Vol. 43. - N 3. - 2013. - P. 293 - 299.

34. Yun, W.S. Synthesis of Single-Crystalline Perov-skite Nanorods Composed of Barium Titanate and Strontium Titanate / W.S.Yun, Q.Gu, J.J. Urban // Journal of the American Chemical Society. - 2002. - P. 1186 - 1187.

35. Page, K. Crystal Structure and the Paraelectric-to-Ferroelectric Phase Transition of Nanoscale BaTiOs/ K. Page, T. S. Millicent, B. Smith // Journal of the American Chemical Society. - 2008. - P. 6955 - 6963.

36. Джабров, С. Г. Кристаллическая структура титаната бария при воздействии давления и температуры / С. Г. Джабров // Успехи физики металлов. - 2015. - № 16.- C. 329 - 352.

37. Roy, G. S. Study the Crystal Structure and Phase Transition of BaTiO3 - A Pervoskite / G. S. Roy, S. Pradhan // Researcher. - Vol. 5. - N 3. - 2013. - P. 63 - 67.

38. Zhang, H. A theory for structural phase transitions in BaTiO3 single crystal and PbZrO- -xPbTiO- solid solution / H. Zhang // AIP ADVANCES. - 2013. - P. 0421181 - 042118-11.

39. Romcevich, N. Characterization of Barium Titanate Ceramic Powders by Raman Spectroscopy / N.Romcevich, M.Vijatovich et al. Z.Lazarevich // Acta Physica Polonica A. - N 115. - 2009. - P. 808 - 810.

40. Littlewood, P.B. Physics of Ferroelectrics: A Modern Perspective/ P.B. Littlewood,

K. Eds, C. H. Rabe, J.-M Ahn, P. Chandra. - Berlin, Heidelberg: Springer, 2007. - P. 69 - 116.

41. Jantaratana, P. Frequency-dependent magnetoelectricity of CoFe2O4-BaTiO3 particulate composites / P. Jantaratana , C. Sirisathitkul, T. Yamwong, S. Maensiri, A. Khamkongkaeo // Transactions of Nonferrous Metals Society of China. - 2011. - P. 2438 - 2442.

42. Бичурин, М.И. Моделирование гистерезисных кривых кристаллических сегнетоэлектриков с помощью параметров управляющего электрического поля /

147

М.И. Бичурин, А.Ю. Захаров // Журнал технической физики. - 2015. - № 85, вып.

12. - C. 69 - 73.

43. BobR, J. D. History and Challenges of Barium Titanate: Part II / J. D. BobR, M. Vijatovic, M. Stojanovic // Science of Sintering. - 2008. - P. 235 - 244.

44. Кириков, В.А. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика в области размытого фазового перехода / В.А. Кириков , Е.С. Иванова, Т.Р. Волк, В.В. Гладкий // Физика твердого тела. - 2007. - № 49, вып. 5.- C. 881 - 885.

45. Bobic, J. D. Barium titanate thick films prepared by screen printing technique / J. D. Bobic, B. D. Stojanovic, B. M. Mirjana, M. Vijatovic // Processing and Application of Ceramics. - 2010. - N 2.- P. 53 - 58.

46. Dragan, D. Ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric thin films and ceramics / D. Dragan // Reports on Progress in Physics. - 1998. - Vol. 61, N 9. - P. 1267 - 1324.

47. Bertotti, G. The Science of Hysteresis / G. Bertotti, I. D. Mayergoyz D. Dragan. -Eds: Elsevier Science, 2006. - 2160 p.

48. Bruley, J. Dubourdieu Switching of ferroelectric polarization in epitaxial BaTiO3 films on silicon without a conducting bottom electrode / J. Bruley, T. M. Arruda, A. Posadas, J. Jordan-Sweet, M. M. Frank, E. Cartier, D. J. Frank, S. V. Kalinin, A. A. Demkov, V. N. Catherine // Nature Nanotechnology. - 2013. - Vol. 8.- P. 748 - 881.

49. Husein, L. O. The Electrical Hysteresis Loop and Polarization Value of BaZrxTi1-xO3 Multilayer Films Material at Different Annealing Temperature (x = 0.1 and 0.08) based on Sawyer Tower Circuit / L. O. Husein, Z. Toresano, M. Hikam, R. Andika // 7th International Conference on Physics and Its Applications. - 2014. - P. 41 - 48.

50. Закревский, В.А. Образование проводящего канала в полимерной диэлектрической пленке под влиянием электрического поля / В.А. Закревский, А.Н. Смирнов, Н.Т. Сударь, В.И. Веттегрень // Физика твердого тела. - 2010. - №5 2, вып. 8. - C. 1650-1655.

148

51. Cross, L. E. Domains in ferroic crystals and thin films / L. E. Cross, J. Fousek, A. K. Tagantsev. - Springer-Verlag New York, 2010. - 270 p.

52. Nagaraj, B. Ultrafast polarization switching in thin-film ferroelectrics / B. Nagaraj, H. Liang, W. Cao, Chi. H. Lee, R. Ramesha J. Li // APPLIED PHYSICS LETTERS. -2004. - Vol. 84. - N 7.- P. 1174 - 1176.

53. Takagi, Y. Note on Ferroelectric Domain Switching / Y. Takagi, Y. Ishibashi // Journal of the Physical of Japan. - 1971. - Vol. 31. - N 2.- P. 506 - 510.

54. Ducharme, S. Kinetics of Intrinsic Ferroelectric Switching in Ultrathin Films / S. Ducharme, V.M. Fridkin, S.G. Yudin, G. Vizdrik // Physical Review B. - 2003. - Vol.

68. - P. 094113-1 - 094113-6.

55. Minnekaev, M. Scaling of the Coercive Field in Ferroelectrics at the Nanoscale / M. Minnekaev, S. Mitko, A. L. Tolstikhina, A. Zenkevich, S. Ducharme, V.M. Fridkin, R. V. Gaynutdinov // JETP Letters. - 2013. - Vol. 6. - N 98.- P. 339 - 341.

56. Wu, D. Tunneling Electroresistance Effect in Ferroelectric Tunnel Junctions at the Nanoscale / D. Wu, H. Lu, Y. Wang, H.W. Jang, C.M. Folkman, M.Y. Zhuravlev, D. Felker, M. Rzchowski, C.B. Eom, E.Y. Tsymbal, A. Gruverman // Nano Letters. -2009. - Vol. 9. - N 10. - P. 3539 - 3543.

57. Minnekaev, M. Pulsed laser deposition of ultrathin BaTiOs/Fe bi-layers: Structural characterization and piezoelectric response/ M. Minnekaev, Yu. Lebedinskii, K. Bulakh, A. Chouprik, A. Baturin, R. Mantovan, M. Fanciulli, O. Uvarov, A. Zenkevich // Thin Solid Films. - 2012. Vol. 520, Iss. 14. - P. 4586 - 4589.

58. Minnekaev, M. Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions / M. Minnekaev, Yu. Matveyev, Yu. Lebedinskii, K. Bulakh, A. Chouprik, A. Baturin, K. Maksimova, S. Thiess, and W. Drube Zenkevich // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2013. - Vol. 102. - P. 062907-1 - 062907-5.

59. Kakemoto, H. Enhanced Piezoelectric Properties of Piezoelectric Single Crystals by Domain Engineering / H. Kakemoto, T. Tsurumi, S. Wada // Materials Transactions. -2004. - Vol. 45. - N 2.- P. 178 - 187.

149

60. Hoshina, T. Size effect of barium titanate: fine particles and ceramics / T. Hoshina// Journal of the Ceramic Society of Japan - 2013. - Vol. 2., N 121. - P. 156-161.

61. Lu, C. J. Size-related ferroelectric-domain-structure transition in a polycrystalline PbTiOs thin film/ C. J. Lu, J. S. Liu, H. M. Shen, Y. N. Wang S. B. Ren // PHYSICAL REVIEW B. - 1996 . - Vol. 54., N 20. - P. 14337- 14340.

62. Ghosh, D. Colossal Permittivity in Microwave-Sintered Barium Titanate and Effect of Annealing on Dielectric Properties / D. Ghosh, J. L. Jones, J. C. Nino, H. Han // Journal of the American Ceramic Society. - 2012. - P. 1 - 6.

63. Кузьменко, А.П. Диэлектрические свойства композитных материалов на основе стабилизированных наночастиц BaTiO3 / А.П. Кузьменко, Н.А. Емельянов, П.В. Абакумов, И.В. Чухаева А.С. Сизов // Известия ЮЗГУ Серия Техника и технология. - 2014. - № 3. - C. 80 - 85.

64. Othman, K.I. Synthesis of Barium Titanate Compounds with Enhanced Dielectric Properties at Room Temperature / K.I. Othman, E. S. Elshazly Omar A. A. Abdelal // International Journal of Advances in Engineering Science and Technology. - 2011. -Vol. 3, N 3.- P. 132 - 143.

65. Tello, M.J. Characteristic behaviour of spontaneous polarization and dielectric constant of barium titanate containing cobalt ions / M.J. Tello, E.H. Bocanegra, J. Maras-Diaz, J. Peraza // Solid State Communications. - 1978. - Vol. 26, N 3.- P. 127131.

66. Banys, J. Dielectric investigations of La-doped barium titanate / J. Banys, R. Sobiestianskas, M. V.Petrovic,J. Bobic, B. Stojanovic, T. Ramoska // Processing and Application of Ceramics. - 2010. - Vol. 4, N 3.- P. 193-198.

67. Ponon, N. K. Ferroelectric properties in thin film barium titanate grown using pulsed laser Deposition / N. K. Ponon, K. S. K. Kwa, S. Ganti, U. Hannemann, P. K. Petrov, N.M. Alford, A. O. Daniel, J. R. Appleby // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2014. - Vol. 116. - P. 124105-1 - 124105-6.

68. Hoshina, T. Origin of Ultrahigh Dielectric Constants for Barium Titanate Nanoparticle / T. Hoshina, K. Takizawa, M. Ohishi, H. Yasuno, H. Kakemoto, T.

150

Tsurumi S. Wada // Journal of the Korean Physical Society. - Vol. 51, N 2. - 2007. - P. 878-881.

69. Picasso, G. Influence of synthesis experimental parameters on the formation of magnetite nanoparticles prepared by polyol method / G. Picasso, L. Aviles-Felix, M. Jafelicci Jr J. Vega-Chacon // Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology. - 2016. - Vol. 7. - P. 015014-1 - 015014-7.

70. Kakemoto, H. Analysis of Composite Structures on Barium Titanate Fine Particles using Synchrotron Radiation/ H. Kakemoto, T. Tsurumi, S. Wada, M. Yashima, K. Kato, M. Takata, T. Hoshina // Key Engineering Materials. - Vol. 301. - 2006. - P. 239

- 242.

71. Yang, H. Thickness and dielectric constant of dead layer in Pt/(Bac.7Sr0.3)TiO3/YBa2Cu3O7-x capacitor / H. Yang, L. Zhao, J. Miao, B. Xu, X.G. Qiu, B.R. Zhao, X.Y. Qi, X.F. Duan B. Chen // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84, N 4.

- P. 583 - 585.

72. Медведева, Н.Ю. Размерный эффект в наноструктурированных сегнетоэлектрических пленках / Н.Ю. Медведева, С.П. Зубко О.Г. Вендик // Письма в ЖТФ. - 2007. - № 33, вып. 6. - C. 8 - 14.

73. Mudryk, Ya. Structure evolution and dielectric behavior of polystyrene-capped barium titanate nanoparticles/ Ya. Mudryk, M. I. Ahmad, X. C. Pang, L. Zhao, M. Akinc, V. K. Pecharsky, N. Bowler, Z. Q. Linac, X. Tan, H. Z. Guo // Journal of Materials Chemistry. - 2012. Vol. 22. - P. 23944 - 23951.

74. Stone, D. S. Enhanced dielectric and piezoelectric properties of xBaZrO3-(12x)BaTiO3 Ceramics / D. S. Stone, R. S. Lakes, L. Dong // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. -2012. - Vol. 111.- P. 084107-1 - 084107-10.

75. Котенок, Е.В. Структура, оптические и диэлектрические свойства наночастиц титаната бария, полученных механохимическим методом / Е.В. Котенок, С.Н. Махно, В.В. Сидорчук, С.В. Халамейда В.А. Зажигалов Б.М. Горелов // Журнал технической физики. - 2011. - № 81, вып. 1. - C. 87 - 94.

151

76. Kumar, D. Barium titanate as a ferroelectric and piezoelectric ceramics /, Manokamna, Gagandeep, S. Paul // Journal of Biosphere. - 2013. - Vol. 2, N 1. - P. 55

- 58.

77. Зубко, С.П. Размерные эффекты диэлектрического отклика в тонкопленочных кислородсодержащих сегнетоэлектрических структурах / С.П. Зубко // Современные проблемы науки и образования. - 2013. - № 8, вып. 2.- C. 1 - 9.

78. Зубко, С.П. Модель размерного эффекта в тонкой сегнетоэлектрической пленке в условиях фазового перехода / С.П. Зубко // Физика твердого тела. - 2010.

- № 52, вып. 12. - C. 2401 - 2404.

79. Simmons, J. G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS.

- 1963. - Vol. 34. - P. 1793 - 1803.

80. Chopra, K. L. Thin Film Phenomena / K. L. Chopra. - NY: McGrowHill, 1969. -844 p.

81. Simmons, J. G. Poole-Frenkel Effect and Schottky Effect in Metal-Insulator-Metal Systems / J. G. Simmons // PHIVSICAL REVIEW. - 1967. - Vol. 155, Iss 3 - P. 657 -660.

82. Гриценко, В.А. Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических пленках / В.А. Гриценко, К.А. Насыров // Успехи физических наук. - 2013. - № 183, вып. 10.- C. 1099 - 1114.

83. Zubko, P. High-field conduction in barium titanate / P. Zubko, D. J. Jung, J. F. Scott, F. D. Morrison // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2005. - Vol. 86. - P. 152903-1 - 152903-3.

84. Gonon, P. Space charge limited transient currents and oxygen vacancy mobility in amorphous BaTiO3 thin films / P. Gonon, L. Ortega, F. Jomni, and B. Yangui F. El Kamel // Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 99. - P. 094107-1 - 094107-5.

85. Эсаки, Л. Путешествие в страну туннелирования / Л. Эсаки // Успехи физических наук. - 1975. - № 116, вып. 4.- C. 569 - 583.

152

86. Bhuiyan, A. H. Direct Current Electrical Conduction Mechanism in Plasma Polymerized Pyrrole Thin Films / A. H. Bhuiyan, M. M. Kamal // Journal of Modern Science and Technology. - 2014. - Vol. 2, N 2. - P. 1 - 9.

87. Lenzlinger, M. Fowler-Nordheim Tunneling into Thermally Grown SiO2 / M. Lenzlinger, E. H. Snow // Journal of applied physics. - 1968. - Vol. 40. - P. 278 - 283.

88. Evtukh, A.A. Electric conductivity of nitrogen-doped diamond-like carbon films: Pool-Frenkel and Fowler-Nordheim mechanisms / A.A. Evtukh // Ukrainian Journal of Physics. - 2008. - Vol. 53, N 10. - P. 985 - 993.

89. Muir, S. W. Barrier height estimation of asymmetric metal-insulator-metal tunneling diodes / S. W. Muir, D. A. Keszler, J. F. Wager, Cowell E. William III // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2013. - Vol. 114. - P. 213703-1 - 213703-7.

90. Hickmott, T. W. Formation of Ohmic contacts: A breakdown mechanism in metalinsulator-metal Structures / T. W. Hickmott // Journal of applied physics. - 2006. - Vol. 100. - P. 083712-1 - 083712-7.

91. Мотт, Н.Ф. Переходы металл - изолятор / Н.Ф. Мотт. - М: Наука, 1979 - 342 с.

92. Тума, Ф.А. Механизмы токопереноса в структуре Al/ZnO/Si / Ф.А. Тума, В.И. Кукуев Е.А. Тутов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2006. - № 8, вып. 4. - C. 334 - 340.

93. Ram'irez, M.A. Leakage current behavior of Bi3.25Lac.75Ti3O12 ferroelectric thin films deposited on different bottom electrodes / M.A. Ram'irez, E. Longob, J.A. Varela A.Z. Sim'oes // Materials Chemistry and Physics. - 2008. - Vol. 107. - P. 72 - 76.

94. Мехтиева, С.И. Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se95As5, содержащей примеси ЕиҒз / С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова А.И. Исаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - №45, вып. 12. - C. 1599-1603.

95. Zhou, Y. Theory of Time-dependent Space-charge-limited Conduction / Y. Zhou, Ch. Lam, F. G. Shin H.K. Chan // International Conference on Solid Dielectrics, Winchester, UK. - 2007. - P. 35 - 38.

153

96. Peng, C.-J. Studies on structural and electrical properties of barium strontium titanate thin films developed by metallo-organic decomposition / C.-J. Peng, S.B. Krupanidhi // Thin Solid Films. - 1997. - Vol. 305. - P. 144 - 156.

97. Тагиев, Б.Г. Эффект Пула-Френкеля в халькогенидных полупроводниках с различными кристаллическими структурами / Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев А.М. Пашаев // Физика твердого тела. - 2013. - № 55, вып. 5. - C. 861 - 865.

98. Ranjan, P. Conduction studies on amorphous InSbX3 (X = Te or Se) thin films / P. Ranjan, D. Kumar, M. Chandra, S. K. Mishra // Journal of Chemical Sciences. - 2012. -Vol. 10, N 4. - P. 2273 - 2286.

99. Pillonnet, A. Poole-Frenkel (PF) effect high field saturation / A. Pillonnet, R. Ongaro // Revied Physical Applied. - 1989. - Vol. 24. - P. 1085 - 1095.

100. Hazra, S. Anomalous Poole-Frenkel effect observed in some polyenes in sandwich cell configuration / S. Hazra, P. Pal, T. N. Misra, D. Ghosh // Journal of materials science. - Vol. 27. - 1992. - P. 4184 - 4188.

101. Solnyshkin, A. V. Conductivity and Current-Voltage Characteristics of PZT Thin Film Heterostructures / A. V. Solnyshkin, A. A. Bogomolov, and I. P. Pronin M. V. Kamenshchikov // Physics of the Solid State. - 2011. - Vol. 53, N 10. - P. 2080 - 2084.

102. Rout, P. K. Thickness dependent charge transport in ferroelectric BaTiO3 heterojunctions / P. K. Rout, M. Singh, R. K. Rakshit, A. Dogra, P. Singh // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2015. - Vol. 118.- P. 114103-1 - 114103-6.

103. Friddle, P. A. Effects of thickness on the electrical properties of metalorganic chemical vapor deposited Pb(Zr, Ti)O3 (25-100 nm) thin films on LaNiO3 buffered Si / P. A. Friddle, C. H. Ma, A. Daga, H. Chen C. H. Lin // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2001. - Vol. 90, N 3. - P. 1509 - 1515.

104. Armitage, N. P. Quasi-Langmuir-Blodgett thin film deposition of carbon nanotubes / N. P. Armitage, J.-C. P. Gabriel, G. Gruner // Journal of applied physics. -2004. - Vol. 95, N 6.- P. 3228 - 3230.

154

105. Paulo, J. G. Characterization of TiO2 Nanoparticles in Langmuir-Blodgett Films / J. G. Paulo, M. Coutinho, C. Teresa, M. Barbosa // J Fluoresc. - 2006. - Vol. 16. - P. 387 - 392.

106. Tripathi, C. C. Thin Film Deposition by Langmuir Blodgett Technique for Gas Sensing Applications / C. C. Tripathi, S. Malik // Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology. - 2013. - Vol. 3. - P. 235 - 241.

107. Лазарев, В.В. Электрическое поле и поверхностный заряд в переключаемой тонкопленочной структуре сегнетоэлектрик -диэлектрик, определенные с помощью спектрального зонда / В.В. Лазарев, С.П. Палто, С.Г. Юдин Л.М. Блинов // ЖТЭФ. - 2014. - № 145, вып. 6.- C. 1121 - 1126.

108. Чухаева, И.В. Синтез наночастиц оксида цинка золь-гель методом для получения регулярных упорядоченных структур в виде пленок Ленгмюра-Блоджетт / И.В. Чухаева, П.В. Абакумов, А.П. Кузьменко, Н.А. Борщ, Л.С. Агеева // Физика и технология наноматериалов и структур: сборник научных статей 2-й Международной научно-практической конференции. - 2015. - Т. 1. - C. 34 - 36.

109. Mannanov, A. A. Luminescent Organic Semiconducting Langmuir Monolayers/ A. A. Mannanov, A. S. Sizov, E. V. Agina // ACS Applied Materials Interfaces. - 2017. -Vol. 9. -P.18078 - 18086.

110. Chuhaeva, I.V. Features in Formation and Properties of Langmuir-Blodgett Monolayers / I.V. Chuhaeva, M.B. Dobromyslov A.P. Kuzmenko // JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS. - 2013. - Vol. 5, N 4. - P. 04035-1 04035-2.

111. Чухаева, И.В. Особенности формирования и свойства монослоев Ленгмюра-Блоджетт / Чухаева И.В., Кузьменко А.П. // Материалы Международной конференции «Физика и технология наноматериалов и структур». - 2013. - C. 141 - 143.

112. Иванов, Н. С. Новые материалы, полученные методом Ленгмюра-Блоджетт, и их применение в нанотехнологии и приборостроении / Н. С. Иванов, Е. П. Подольская Н. Г. Суходолов // Научное приборостроение. - 2013. - № 23, вып. 1.-C.86 - 105.

155

113. Gentle, I.R. Interfacial science: an introduction / I.R. Gentle, G.T. Barnes. -Oxford University Press, 2011. - 326 p.

114. Marletta, G. Developing Langmuir-Blodgett strategies towards practical devices / G. Marletta, G. Zhavnerkoa // Materials Science and Engineering. - 2010. - Vol. 169. -P. 43 - 48.

115. Горин, Д.А. Коэффициент переноса пленок Ленгмюра-Блоджетт как индикатор поверхности монокристаллического кремния, модифицированной полиионными слоями / Д.А. Горин, К.Е. Панкин, М.В. Ломова, С.Н. Штыков, Б.Н. Климов, Г.И. Курочкина, М.К. Грачев, А.М. Ященок // Физика и техника полупроводников. - 2007. - № 41, вып. 6.- C. 706 - 710.

116. Савранский, В. В. Микроскопия лэнгмюровских монослоев под углом Брюстера / В. В. Савранский, Л. В. Беловолова, Н. К. Матвеева А. А. Никитенко. -М.: Препринт ИОФ РАН, 1992. - 34 c.

117. Svergun, D. I. Structure Analysis by Small-Angle X-Ray and Neutron Scattering / D. I. Svergun, L.A. Feigin. - New York: Division of Plenum Publishing Corporation, 1987. - 335 p.

118. Миргород, Ю.А. Температурное и концентрационное влияние на мицеллообразование октаноата натрия в воде / Ю.А. Миргород, А.С. Чекаданов, И.В. Чухаева, Т.А. Доленко, С.А. Буриков, А.П. Кузьменко // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: тр. XI Международной конференции 2014. - C. 194 - 200.

119. Смирнов, А.В. Расчет функции распределения сферических частиц по размерам по данным рентгеновского малоуглового рассеяния / А.В. Смирнов, Б.А. Федоров Е.А. Уханова // Научно-технический вестник Санкт-Петербургского государственного университета информационных технологий, механики и оптики. - 2009. - №2, вып. 60. - C. 66 - 75.

120. Смирнов, А. В. Расчёт функции распределения объёмов наночастиц и удельной поверхности методом статистической регуляризации из индикатрисы рентгеновского малоуглового рассеяния / А. В. Смирнов, А. В. Кучко //

156

НАНОСИСТЕМЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, МАТЕМАТИКА. - 2012. - №3, вып. 3.-C. 76 - 91.

121. Senesi, A. J. Small Angle X-ray Scattering for Nanoparticle Research Small Angle X-ray Scattering for Nanoparticle Research / A. J. Senesi, B. Lee, T. Li // Chemical Reviews. - 2016. - Vol. 116. - P. 11128 - 11180.

122. Кошлан, Т.В. Определение размеров коллоидных частиц при помощи метода динамического рассеяния света / Т.В. Кошлан, К.Г. Куликов // Журнал технической физики. - 2015. - Vol. 85, N 12. - P. 26-32.

123. Frisken, B. J. Revisiting the method of cumulants for the analysis of dynamic lightscattering data / B. J. Frisken // APPLIED OPTICS. - 2001. - Vol. 40, N 24. - P. 4087 - 4091.

124. Миронов, В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В. Л. Миронов. - Нижний Новгород: Российская академия наук, Институт физики микроструктур, 2004. - 114 c.

125. Oncins, G.Atomic Force Microscopy: probing the Nanoworld / G. Oncins, J. DiazMarcos. - Universitat Barcelona, 2012. - 11 p.

126. Чижик, С. А. Сканирующие зондовые микроскопы / С. А. Чижик, А. А. Суслов // МАТЕРИАЛЫ, ТЕХНОЛОГИИ, ИНСТРУМЕНТЫ. - 1997. - C. 78 -89.

127. Титков, А.Н. Атомно-силовая микроскопия поляризационных доменов в сегнетоэлектрических пленках / А.Н. Титков, А.В. Анкудинов // Физика твердого тела. - 2005. - № 47, вып. 6. - C. 1110 - 1117.

128. Эгертон, Р.Ф. Физические принципы электронной микроскопии. Введение в просвечивающую, растровую и аналитическую электронную микроскопию / Р.Ф. Эгертон. - М.: Техносфера, 2010. - 304 c.

129. Оикава, Т. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия / Т. Оикава, Д. Синдо. - М.: Техносфера, 2006. - 256 c.

130. Olsen, B.R. Support films prepared from butvar B-98 resin are mechanically stable, electron transparent, and possess minimum intrinsic structure. A simple

157

procedure for routine preparation of support films using this resin is provided / B.R. Olsen, D.A. Handley // Ultramicroscopy. - 1979. - Vol. 4, N 4.- P. 479 - 480.

131. Karpovich, N.F. Electron Energy Loss Spectroscopy Analysis of the Photocatalytic Activity of TiO2 Nanoparticles in Polymer Film / N.F. Karpovich, M. A. Pugachevskii // Journal of Applied Spectroscopy. - 2015. - Vol. 82, N 4.- P. 673 - 676.

133. Brus, L. Synthesis of Monodisperse Nanoparticles of Barium Titanate: Toward a Generalized Strategy of Oxide Nanoparticle Synthesis / L. Brus, C. B. Murray, S. O'Brien // Journal of the American Chemical Society. - 2001. - Vol. 123. - P. 12085 -12086.

134. Акципетров, О. А. Гиганское нелинейно-оптическте явления на поверхности металлов / О. А. Акципетров // Соросовский образовательный журнал. - 2001. -№7, вып. 7.- C. 109 - 116.

135. Тонков, М. В. Фурье-спектроскопия - максимум информации за минимум времени / М. В. Тонков // Соросовский образовательный журнал. - 2001. - №7, выпуск 1.- C. 83 - 88.

136. Бальцежак, М. Методы спектрофотометрии в УФ и видимой областях в неорганическом анализе / М. Бальцежак, З. Марченко. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2007. - 711 c.

137. Казанский, А.Г. Определение края оптического поглощения в органических полупроводниковых композитах с объемным гетеропереходом методом постоянного фототока / А.Г. Казанский, М.В. Хенкин, А.Р. Тамеев, В.В. Малов // Письма в ЖТФ. - 2014. - № 40. - вып. 17.- C. 22 - 29.

138. Спесивцев, Е.В. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, Н.Н. Михайлов, В.А. Швец // Российские нанотехнологии. -2009. - № 4, вып. 3 - 4. - C. 72 - 84.

139. Кузнецов, М.В. Современные методы исследования поверхности твердых тел: Фотоэлектронная спектроскопия и дифракция, СТМ-микроскопия / М.В. Кузнецов. - Екатеринбург: Ин-т химии твердого тела УрО РАН, 2010. - 43 c.

158

140. Чухаева, И.В. Характеризация структуры ленгмюровских пленок титаната бария методом просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / И.В. Чухаева, П.В. Абакумов, М.А. Пугачевский, А.Ю.Устинов, Е.А. Коблова, А.П. Кузьменко // Физика и технология наноматериалов и структур: сборник научных статей 3-й Международной научно-практической конференции. - 2017. - Т. 2. - C. 160 - 113.

141. Howe, J. Transmission Electron Microscopy and Diffractometry of Materials / J. Howe, B. Fultz. - Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2013. - 764 p.

142. Feltz, A. On the Preparation and Sinterring Behaviour of Barium Titanate/ A.Feltz, G. Pfaff // Crystal Research & Technologies. - 1990. - Vol. 25, N 9.- P. 1039 - 1047.

143. Liao, W.-S. An efficient approach to derive hydroxyl groups on the surface of barium titanate nanoparticles to improve its chemical modification ability / W.-S. Liao, C.-J.Ciou, J.-T. Lee, C.-C. Li, S.-J. Chang // Journal of Colloid and Interface Science. -2009. - Vol. 329. - P. 300 - 305.

144. Sizov, A.S. Formation of Spherical Nanoparticles BaTiO3 by Peroxide Method / A.S. Sizov, O. Yacovlev, N.A. Emelyanov, A.P. Kuzmenko // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5. - P. 04024-1 - 04024-2.

145. Emelianov, N.A. Structure and dielectric properties of composite material based on surface-modified BaTiO3 nanoparticles in polysterene / N.A. Emelianov // European Physical Journal Applied Physics. - 2015. - Vol. 69, N 1.- P. 10401-1 - 10401-5.

146. Kang, Sh. Effect of Zeta Potential and Particle Size on the Stability of SiO2 Nanospheres as Carrier for Ultrasound Imaging Contrast Agents / Sh. Kang, Ch. Liu, Q. Lu, D. Sun // International Journal of Electrochemical Science. - Vol. 11. -2016. - P. 8520 - 8529.

147. Kalyanasundaram, K. Photochemistry in Microheterogeneous Systems / K. Kal-yanasundaram. - ACADEMIC PRESS, INC, 1987. - 400 p.

148. Аюпова, А.К. Влияние диффузии на разделение компонентов биологической жидкости при клиновидной дегидратации / А.К. Аюпова, Ю.Ю. Тарасевич // Журнал технической физики. - 2003. - № 73. - вып. 5. - C. 13 - 18.

159

149. Чухаева, И.В. Явления самоорганизации в наносистемах - физические фракталы / И.В. Чухаева, Н. Динт, Т. П. Наинг // Математика и ее приложения в современной науке и практике: сборник научных статей Международной научнопрактической конференции. - 2015. - C. 167 - 181.

150. Gu, B. Effect of Surfactants on the Formation, Morphology, and Surface Property of Synthesized SiO2 Nanoparticles / B. Gu, L. Liang, W.Wang // J. Dispersion Science and Technology. - 2004. - Vol. 25. - P. 593 - 601.

151. Kim, M. G. Synthesis of Monodispersed Barium Titanate Nanopowders by Alkoxide-Hydroxide Sol-Precipitation Method / Min Gyu Kim, Namsoo Shin, Songhak Yoon // Journal of the Korean Ceramic Society. - 2006. - Vol. 43. - P. 710 - 714.

152. P. Glansdorff, I. Prigogine Thermodynamic Theory of Structure, Stability and Fluctuations / P. Glansdorff, I. Prigogine. - New York: Wiley-Interscience, 1971. - 305 p.

153. Чухаева, И.В. Определения оптимальных параметров осаждения BaTiO3 методом Ленгмюра-Блоджетт / И.В. Чухаева, П.В. Абакумов А.П. Кузьменко // Молодежь и XXI век. - 2015. - Т. 3. - C. 255 - 258.

154. Kuzmenko, A. P. An Analysis of the Deposition Process and the Structure of Ferroelectric Langmuir Films of Barium Titanate / A. P. Kuzmenko, I.V. Chuhaeva, P.V. Abakumov, M. B. Dobromyslov // JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS. - 2015. - Vol. 7, N 4. - P. 04025-1 - 04025-4.

155. Чухаева, И.В. Ленгмюровские пленки стабилизированного титаната бария на подложках структурой / И.В. Чухаева, П.В. Абакумов, А.П. Кузьменко // Ученые записки Орловского государственного университета. - № 67, вып. 4. - 2015. - C. 37 - 41.

156. Deak, A. Langmuir and Langmuir-Blodgett Films of Bidisperse Silica Nanoparticles / A. Deak, E. Hild, A. Detrich // Langmuir. - 2010. - Vol. 26. - P. 2694 -2699.

160

157. Nakamura, T. In-situ Raman spectroscopy of BaTiO3 particles for tetragonal-cubic transformat / T. Nakamura, T. Ebina, H. Hayashi // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2013. - Vol. 74. - P. 957 - 962.

158. Xue, R-Y. Multilayered Barium Titanate Thin Films by Sol-Gel Method for

Nonvolatile Memory Application / R.-Y. Xue, Y.-H. Wang Yu-Chi //

TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - 2014. - Vol. 61, N 12. - P. 4090 -4097.

159. Wei, C.-Yu High-Mobility Pentacene-Based Thin-Film Transistors With a Solution-Processed Barium Titanate Insulator / C.-Y. Wei, S.-H. Kuo, Y.-M. Hung, W.C. Huang, F. Adriyanto, Y.-H. Wang// IEEE Electron Device Letters. - 2011. - Vol. 32. - P. 90 - 92.

160. Li, C.-C. Efficient hydroxylation of BaTiO3 nanoparticles by using hydrogen peroxide / C.-C. Li, S.-J. Chang, J.-T. Lee, W.-S. Liao // Colloids and Surfaces A: Physicochem. - 2010. - Vol. 361.- P. 143 - 149.

161. Liao, W.-S. An efficient approach to derive hydroxyl groups on the surface of barium titanate nanoparticles to improve its chemical modification ability / W.-S. Liao, C.-J. Ciou, S.-J.Chang // Journal of Colloid and Interface Science. - 2009. - Vol. 329. -P. 300 - 305.

162. Gusakov, A. G. Oxidation of Silver by Atomic Oxygen / A. G. Gusakov, A. G. Voropaev, A. A. Vecher, E. N. Kozyrski, S. A. Raspopov, M. L. Zheludkevich // Oxidation of Metals. - 2004. - Vol. 61, N 1/2. - P. 39 - 48.

163. Minnekaev, M. Structural, ferroelectric, electronic and transport properties of BaTiO3/Pt heterostructures grown on MgO (001) / M. Minnekaev, K. Bulakh, A. Chouprik, W. Drube, P. Ershov, Yu. Lebedinskii, K. Maksimova, A. Zenkevich // Microelectronic Engineering. - 2013. - Vol. 109. - P. 227 - 231.

164. Wang, H. Rh:BaTiO3 thin films with large nonlinear optical properties / H. Wang, G. Tan, A. Jiang, Y. Zhou, Zh. Ch. G. Yang // APPLIED OPTICS. - 2002. - Vol. 41, Iss. 9. - P. 1729 - 1732.

161

165. Чухаева, И.В. Структура и диэлектрические свойства монослоев BaTiO3 / И.В. Чухаева, П.В. Абакумов, А.П. Кузьменко // Известия ЮЗГУ. - 2014. - № 56, вып. 5. - C. 46- 49.

166. Кузьменко, А.П. Анализ процесса осаждения и структура сегнетоэлектрических ленгмюровских пленок титаната бария / А.П. Кузьменко, И.В. Чухаева, П.В. Абакумов // Физика и технология наноматериалов и структур: сборник научных статей 2-й Международной научно-практической конференции. - 2015. - Т. 1. - C. 79 - 87.

167. Kuzmenko, A.P. Piezoelectric Properties of Barium Titanate Langmuir Films /

A. P. Kuzmenko, Chuhaeva I.V., Abakumov P.V., M. B. Dobromyslov// Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2016. - Vol. 8. - P. 04043-1 - 04043-2.

168. Golovko, Yu.I. Effect of growth mechanisms on the deformation of a unit cell and polarization reversal in barium-strontium titanate heterostructures on magnesium oxide / Yu.I. Golovko, S.V. Biryukov, A. Anokhin, Yu.I. Yuzyuk V.M. Mukhortov // TECHNICAL PHYSICS. - 2016. - Vol. 61, N 1.- P. 91 - 96.

169. Леонтьев, И.Н. Нелинейные свойства титаната бария в диапазоне электрических полей 0 < E < 5.5 107 V/m / И.Н. Леонтьев, А. Лейдерман, В.Ю. Тополов, О.Е. Фесенко // Физика твердого тела. - 2003. - №45, вып. 6. - C. 1076 -1078.

170. Струков, Б.А. Фазовый переход в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках по данным тепловых измерений / Б.А. Струков, Д.В. Высоцкий,

B. В. Леманов, С.Г. Шульман, Y. Uesu, S. Asanuma, С.Т. Давитадзе // Физика твердого тела. - 2008. - № 50, вып. 12. - C. 2206 - 2209.

171. Eng, L. M. Dielectric polarization and refractive indices of ultrathin barium titanate films on strontium titanate single crystals / L. M. Eng, T. Otto, H. Chaib // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2005. - Vol. 17. - P. 161 - 179.

172. Yuzyuk, Yu. I. Raman Scattering Spectra of Ceramics, Films, and Superlatticesof Ferroelectric Perovskites: A Review / Yu. I. Yuzyuk // Physics of the Solid State. -2012. - Vol. 54, IN 5. - P. 1026 - 1059.

162

173. Banerjee, S. Conduction mechanisms in sputtered Ta2OS on Si with an interfacial SiO2 layer / S. Banerjee // Journal of Applied Physics. - 1989. - Vol. 65. - P. 1140 -1146.

174. Воротилов, К.А. Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках / К.А. Воротилов, А.С. Сигов Ю.В. Подгорный // Физика твердого тела. - 2012. - № 54, вып. 5. - C. 859 - 862.

175. Сидоркин, А.С. Внутреннее поле в сегнетоэлектрических пленках с разными электродами/ А.С. Сидоркин, Л.П. Нестеренко, А.А. Сидоркин Б.М. Даринский // Физика твердого тела. - 2015. - №57, вып. 3. - C. 536 - 539.

176. Bratkov, A. A. INTERACTION OF SODIUM OLEATE WITH ALUMINUM SURFACE / A. A Bratkov, A. A Ilinsky, A.I. Loskutov // Russian Chemical Bulletin. -1985. - Vol. 34, Iss. 6. - P. 1247 - 1252.

177. Nowotny, J. Defect Structure, Electrical Properties and Transport in Barium Titanate.V. Work Function/ J. Nowotny // Ceramics International. - 1994. - Vol. 20. Iss. 4 - P. 251 - 255.

178. Ali, Z. R. Electrical and Optical Properties of Dielectric BaTiO3 Single Crystals Prepared by Flux Technique / Z. R. Ali, A. F. Qusai, A. M. Mijbas // Journal of Babylon University/Engineering Sciences. - 2012. - Vol. 20, Iss. 1. - P. 149 - 161.