Формирование наноразмерных покрытий на основе оксидов олова и сурьмы из пероксидсодержащих прекурсоров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Михайлов, Алексей Александрович

• Михайлов, Алексей Александрович
• кандидат химических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат химических наук Михайлов, Алексей Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. ВВЕДЕНИЕ

2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Материалы на основе диоксида олова. Прозрачные проводящие оксиды

2.1. Оксид индия-олова (Дотированный оловом оксид индия, ITO)

2.2. Диоксид олова, допированный фтором (FTO)

2.3. Композитные материалы на основе диоксида олова и производных графена

2.4. Диоксид олова, допированный сурьмой (ATO). Основные свойства и области применения

2.5. Основные методы формирования покрытий ATO на поверхности различных субстратов

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

3.1. Синтез исходных веществ

3.2. Элементный анализ

3.3. Термический анализ 33 3.4 Сканирующая и просвечивающая электронная микроскопия

3.5. Атомно-силовая микроскопия

3.6. Спектральные методы исследования

3.7. Рентгенофазовый анализ

3.8. Рентгеноструктурный анализ 3

4. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

4.1. Получение наноразмерного покрытия на основе диоксида олова из пероксидсодержащих прекурсоров на оксиде графена

4.2. Химия водных растворов гидроксоантимонатов

4.2.1. Кристаллическая структура гидроксоантимонатов щелочных металлов

4.2.2. Рентгенография порошков и ИК-спектроскопия гидроксоантимонатов щелочных металлов

4.2.3. Исследование водных растворов гидроксоантимоната натрия методом электроспрей масс-спектрометрии высокого разрешения

4.3. Получение наноразмерного покрытия на основе оксидов сурьмы из пероксидсодержащих прекурсоров на оксиде графена

4.4. Формирование прозрачных проводящих покрытий на основе допированного сурьмой диоксида олова (ATO)

5. ВЫВОДЫ

6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование наноразмерных покрытий на основе оксидов олова и сурьмы из пероксидсодержащих прекурсоров»

1. ВВЕДЕНИЕ.

Покрытия на основе оксидов олова и сурьмы представляют большой научный и практический интерес. Такие характеристики, как прозрачность, полупроводниковые свойства и относительно низкая стоимость обуславливают использование данных соединений в качестве компонентов широкого спектра устройств и материалов. Так, диоксид олова находит широкое применение в качестве электродного материала в солнечных батареях, компонента в светоиспускающих диодах, жидкокристаллических дисплеях, в транзисторах и так называемых «умных окнах», а также является активным материалом в газовых сенсорах. Оксиды сурьмы используются в качестве ультрафиолетовых фильтров, ингибиторов пламени в составе пластиков и тканей, флокулянтов при производстве титана. Наиболее широко оксиды сурьмы применяются как допирующие агенты в составе допированного сурьмой диоксида олова (ATO), обеспечивая хорошую проводимость данного материала. Объемы производства материалов на основе ATO ежегодно возрастают в связи с его более низкой стоимостью по сравнению с допированным индием диоксидом олова и другими аналогами.

В литературе описаны различные способы получения покрытий на основе наноразмерных оксидов олова и сурьмы. Известные «мокрые» методы формирования пленок оксидов олова и сурьмы как правило основаны на использовании хлорсодержащих- или алкоксипрекурсоров, осуществляются из кислых растворов с последующей термической обработкой и могут применяться только для кислотоустойчивых субстратов. Большинство «сухих» методов заключается в осаждении готовых стабилизированных нанокристаллических дисперсий оксида на поверхность подложки и неприменимы в тех случаях, когда субстратом являются нано или микроразмерные частицы. В связи с этим, разработка новых методов формирования наноразмерных покрытий на основе оксидов олова и сурьмы представляется актуальной.

В данной работе представлен новый метод формирования покрытий на основе оксидов олова и сурьмы, а также допированного сурьмой диоксида олова на различных субстратах, а также ATO, который заключается в осаждении пероксостанната и/или пероксоантимоната тетраметиламмония, соответственно, на поверхности субстрата из водно-пероксидных основных растворов с последующей температурной обработкой.

2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

Материалы на основе диоксида олова. Прозрачные проводящие оксиды.

8п02 - бесцветные кристаллы с тетрагональной кристаллической решеткой типа рутила (рис. 1) (а=0,4738 нм, с=0,3188 нм, ъ=А, пространственная группа Р42/пшш). Температура плавления 1630°С; плотность 7,0096 г/см3; Ср=52,2 Дж/(моль»К); АгН=-577,63 кДж/моль;8°298=49,01 кДж/(моль»К). В природе 8п02 - минерал касситерит. Испаряется преимущественно в виде 8пО, в парах присутствуют также 02 и оксиды 8ппОп п=2,3 или 4; уравнения зависимости давления пара: 1§Р(02, Па)=13,22-20000/Т. Не растворим в воде; устойчив в водных растворах кислот, солей, щелочей различных восстановителей. При сплавлении со щелочами карбонатами образует станнаты М2[8п(ОН)6]; при нагревании в присутствии восстановителей превращается в металл. Диоксид олова -полупроводник п-типа, ширина запрещенной зоны 3,54 эВ (300 К);подвижность электронов 7 см2/(В*с); концентрация носителей заряда З,5*1014см"3; р=3,4«103 Ом*см. При легировании элементами V группы (например 8Ь) электрическая проводимость 8п02 увеличивается более чем в 100 раз. Диоксид олова прозрачен для видимого света и не прозрачен для ИК-излучения с длинной волны больше 2 мкм [1,2].

Рис. 1. Кристаллическая структура диоксида олова [2].

Благодаря таким характеристикам диоксида олова, как прозрачность, полупроводниковые свойства, невысокая стоимость материалы на его основе представляют значительный интерес. Можно выделить три основные области применения Sn02: 1) прозрачный проводящий оксид (ТСО - transparent conducting oxide), 2) катализатор различных процессов, 3) материал для газовых сенсоров.

Диоксид олова относится к группе прозрачных полупроводниковых материалов, которые сочетают низкое удельное сопротивление и оптическую прозрачность в видимой области электромагнитного спектра. Такой набор свойств обеспечивает применение композитов на основе диоксида олова в качестве компонентов широкого спектра устройств и материалов. Так Sn02 используется в качестве электродного материала в солнечных батареях, светоиспускающих диодах, проводящей пленки в жидко-кристаллических дисплеях, в прозрачных полевых транзисторах и в других оптоэлектронных устройствах [3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]. Прозрачность для видимой области спектра и высокая отражающая способность для инфракрасного излучения диоксида олова обуславливает его использование в энергосберегающих материалах. Так стекла, покрытые пленкой Sn02, препятствуют перегреву помещений. Окна такого рода получи название «умных» окон [10, 11, 12].

Многие оксиды используются в качестве добавки к металлическим катализаторам. В частности, диоксид олова является катализатором процесса замещения и гидролиза. Катализаторы на основе Sn02 проявляют хорошую активность в реакциях С0/02 и CO/NO [13, 14, 15, 16, 17]. Это возможно благодаря легкому восстановлению и обратному окислению поверхности диоксида олова. Увеличение активности и селективности возможно благодаря введению гетероэлементов, таких как медь, палладий, хром и сурьма, фтор и др.

Сенсоры на основе диоксида олова находят большой научный и коммерческий интерес благодаря его высокой стабильности и высокой

чувствительности к широкому спектру газов при низких рабочих температурах [18, 19, 20, 21, 22, 23].

Используют 8п02 в виде порошков и керамики в производстве прозрачных, электропроводящих и теплоотражающих материалов, также как белый пигмент в производстве стекла и жаропрочных эмалей и глазури. Пленки 8п02, напыленные на стеклянные и полиэтиленовые подложки, используются в качестве антиобледенителей в самолетах, автомобилях и других видах транспорта; теплоизоляционных окнах в помещениях обогреваемых солнечным светом, прозрачных проводящих покрытий в электронных приборах. Касситерит - сырье в производстве олова [24]. Высокая температура плавления ТПЛ=1630°С обуславливает широкое применения 8п02 в тугоплавкой керамике. Значения электрической проводимости и прозрачности полупроводниковых оксидов могут быть увеличены введением различных допирующих агентов, которые внедряются в кристаллическую решетку базового оксида, увеличивая концентрацию носителей заряда, а следовательно и проводимость.

Морфология покрытия, выбор метода осаждения, режим температурной обработки являются факторами, определяющими основные свойства покрытий на основе диоксида олова. Варьирование и подбор соответствующих параметров позволяет получить покрытие с необходимыми характеристиками.

По мере кристаллизации диоксида олова увеличивается прозрачность и электропроводность покрытия, что находит подтверждение в ряде работ [25]. Электро-оптические свойства 8п02 определяются главным образом

V* О о ч^ 1

структурой пленки, а также чистотои образующейся кристаллическои фазы. Формирование смешанной фазы способствует понижению прозрачности и электропроводности покрытия.

Кроме того, для улучшения характеристик материалов на основе диоксида олова прибегают к введению различных легирующих компонентов. Основными допантами для 8п02 являются индий, фтор, сурьма. Введение

8

этих элементов в кристаллическую решетку диоксида олова увеличивают концентрацию свободных электронов, тем самым уменьшая удельное сопротивление.

2.1. Оксид индия-олова (Допированный оловом оксид индия,

1ТО).

1п20з:8п - допированный оловом оксид индия, полупроводниковый материал п-типа. В ведение допанта способствует уменьшению значения удельного сопротивления до 10"4 Ом-см и увеличению прозрачности (до 95%). Величина ширина запрещенной зоны находится в пределах 3.55 - 3.75 эВ.

Пленки допированного оловом оксида индия сохраняют основную структуру 1п20з, однако наблюдается незначительное увеличение параметра решетки (10,118<а<10,31А), что связано с условиями осаждения Перечисленные значения основных характеристик определяются прежде всего соотношением допанта и основного компонента 8п/1п [26, 27]. Увеличение концентрации 8п4+ в составе 1ТО способствует увеличению электропроводности и уменьшению прозрачности покрытия. Оптимальное соотношение данных параметров достигается при 8п/1п = (0,03 - 0,1) [28].

Эффект зависимости сопротивления, прозрачности и размера кристаллитов от концентрации допирующего агента (8п) в пленке 1ТО был изучен группой авторов во главе с УаБ^ака ТакаЬаБЫ [29]. Покрытие 1ТО получали методом погружения в раствор органических прекурсоров олова и индия. При этом концентрация олова варьировалась от 4 до 10%мол. Образцы подвергали термообработке в атмосфере азота в интервале температур 400700°С. При этом увеличению температуры обработки соответствует рост размеров кристаллитов и уменьшение удельного сопротивления полученного материала. Минимальное значение удельного сопротивления 4-10"4 Ом-см в условиях данного эксперимента было

зафиксировано для образца с концентрацией олова 4% мол., подвергшегося термической обработке в атмосфере азота при 600°С.

Рис.2. Данные сканирующей электронной микроскопии покрытия 1ТО, Полученного зол-гелъ методом, после термообработки при (а) 450°С, (Ь) 500°С, (с) 600°С в атмосфере аргона [30.].

Помимо концентрации олова в системе, важным параметром, определяющим конечные свойства пленки 1ТО, является температура последующей обработки образцов. Кроме того в ряде работ отмечена зависимость изменения прозрачности пленок 1ТО в зависимости от толщины покрытия [31, 32, 33, 34].

В ряде работ были проведены исследования влияния температуры обработки пленок 1ТО, полученных распылением, на электрические и оптические свойства покрытий. Авторы статьи [35] исследовали покрытия 1ТО с разным соотношением олова и индия на предмет зависимости удельного сопротивления и прозрачности от температуры обработки. Образцы выдерживали 1) определенное время при разных температурах (200°С, 300°С, 400°С и 500°С) и 2) разное время (5, 10, 30 и 60 мин) при одной и той же температуре (500°С). Исследование полученных образцов методом РФА показало формирование поликристаллического покрытия с кубической структурой 1п20з. Максимальная прозрачность пленки 85% достигается при концентрации олова 50% и температуре прокаливания, равной 500°С. Измерение электрических свойств полученных образцов дало следующие результаты: увеличение температуры от 200°С до 500°С способствует возрастанию значения удельного сопротивления; увеличение же концентрации олова до 50% способствует увеличению электрической

о

проводимости. Оптимальное соотношение сопротивления (5-10" Ом-см) и прозрачности пленки 80% соответствует соотношению 1п20з/8п02 = 9/1.

Покрытие ITO на поверхности натриево-кальциево-силикатного стекла было описано в работе [36]. В качестве прекурсора использовали хлориды соответствующих металлов с разным значением соотношения In/Sn: 95/5, 90/10, 85/15 и 80/20. Минимальное значение удельного сопротивления -5-Ю"4 Ом •см была зафиксирована для образца с концентрацией олова 10% ат. Дальнейшее увеличение количества допанта (15 и 20% ат.) не дало положительного результата. Авторы объясняют это эффектом сегрегации ионов олова на границах зерен основной фазы [37, 38]. Размер частиц покрытия составил 25-60 нм, при этом по данным РФА не обнаружены фазы моно и диоксидов олова. Формирование кристаллической фазы оксида индия происходит в результате постепенного нагревания образцов в атмосфере N2/H2 (96/4%) до 550°С. Сопротивление материала, полученного методом погружения, уменьшается с ростом толщины сформировавшегося покрытия. При этом минимальное сопротивление зафиксировано для образца после термической обработки, толщина пленки которого составила 490 нм.

Авторы статьи [39] формировали покрытие ITO толщиной 200 нм методом магнетронного распыления при комнатной температуре. Полученный образцы с аморфной пленкой ITO подвергали быстрому термическому отжигу в вакууме при разных температурах (300 - 600°С) в течение 60 с. Прозрачность покрытия в видимой области спектра (400-700 нм) до нагревания составляла 83,9%, тогда как после термообработки при 300°С, 400°С, 500°С и 600°С это значение достигало 84,1%, 90,3%, 92,3% и 92% соответственное. Это объясняется увеличением кристалличности и размеров частиц после прокаливания (рис.2), что уменьшает рассеяние падающего света и увеличивает прозрачность.

Низкие значения удельного сопротивления и хорошая прозрачность (до 95%) определяют использование 1п2Оз:8п в разнообразных

оптоэлектронных устройствах, газовых сенсорах [40] и в процессах фотокатализа [41, 42, 43.].

10

э

«S

¿ч

'т 10*

стг

ж

10"

10*

(a) as-deposited

spuier e-beaml

(sapphire substrates

(4401

\ , (622)

i >

30

40 50

2theta (degree)

eo

ч

Ш

V)

¡z a>

1СГ

10"

10'

101

(b) annealed

sputter! e-beam{

(222) (400)

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Михайлов, Алексей Александрович

выводы

1. Разработан новый метод формирования наноразмерных покрытий на основе оксидов олова и сурьмы на поверхности различных субстратов, который заключается в осаждении соответствующего пероксидсодержащего прекурсора (пероксостанната и/или пероксоантимоната тетраметиламмония) из водно-пероксидных основных растворов на поверхности субстрата с последующей температурной обработкой.

2. Получены и исследованы методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, рентгенофазового анализа образцы оксида графена с покрытием, образованным наночастицами пероксостанната и кристаллического диоксида олова. Найдены условия кристаллизации диоксида олова из пероксостанната на поверхности оксида графена (нагревание, излучение).

3. Получены пленки пероксоантимоната толщиной менее 2 нм на поверхности оксида графена. Показано, что кристаллизация оксида сурьмы 8Ь601з на поверхности частиц оксида графена из пероксидсодержащего прекурсора происходит в условиях просвечивающего электронного микроскопа (высокий вакуум, воздействие электронного пучка), а нагревание данного образца в инертных условиях и на воздухе при температуре выше 300°С приводит к восстановлению сурьмы (V) в составе покрытия и образованию кристаллических частиц оксида сурьмы (III) и элементарной сурьмы.

4. Впервые синтезированы и охарактеризованы методами рентгенофазового анализа, термогравиметрии, дифференциальной сканирующей калориметрии, ИК-спектроскопии и рентгеноструктурного анализа гидроксоантимонаты калия К2[8Ь(0)(0Н)5] и цезия Сб[8Ь(ОН)6] и Сг^ЬгСц-ОНОВД В составе гидроксоантимоната цезия впервые выделен и охарактеризован димерный оксомостиковый анион [8Ь2(|1-0)2(0Н)8] Методом электроспрей масс-спектрометрии исследованы разбавленные (1 мМ) водные растворы гидроксоантимоната натрия при различных значениях рН. Показано, что в водных растворах в широком диапазоне рН (4 - 10) гидроксоантимонаты существуют преимущественно в виде moho- и димерных форм, которые находятся в равновесии с антимонатами большей ядерности.

5. Из растворов пероксостанната и пероксоантимоната выделены и охарактеризованы различными методами микро и наночастицы мусковита, кальцита, ниобата лития, каолина, сепиолита и силикагеля с проводящим покрытием допированного сурьмой диоксида олова на их поверхности. Показано, что использование основных растворов пероксидсодержащих прекурсоров позволяет получить проводящее покрытие с размером частиц ATO 5-10 нм на поверхности различных, в том числе кислотонеустойчивых минералов.

Автор выражает глубокую признательность за неоценимую помощь при проведении данного исследования зав. лабораторией магнитных материалов ИОНХ РАН, академику, профессору В.М. Новоторцеву; зав. сектором окислителей ИОНХ РАН к.х.н. Т.А. Трипольской и всем сотрудникам сектора окислителей; к.х.н. А.В.Чуракову (ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН); к.х.н. И.П. Столярову, к.х.н. Л.И. Деминой (ИОНХ им. Н.С. Курнакова

РАН); professor Ovadia Lev, Dr. Jenny Gun, Dr. Sergey Sladkevich, Ytzhak Wolanov, Dr. Vitaly Gutkin, Dr. Vladimir Uvarov (The Hebrew University of Jerusalem, Jerusalem, Israel).

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Михайлов, Алексей Александрович, 2012 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Н.С. Ахметов, Общая и неорганическая химия. Учебник для вузов. Стр 492. М.: Высш. Шк.; 2002.

2. R. Blachnik, "Taschenbuch fiir Chemiker und Physiker", Springer, 1998.

3. K. L. Chopra, S. Major, D. K. Pandya, Transparent conductors—A status review. // Thin Solid Films. 1983. V. 102. PP. 1-46.

4. X. Li. Xionan, T. Gessert, C. Dettart, T. Barnes, H. Montinho, Y. Yan et. al, Conference Paper, NCPV Programm Review Meeting (2001)

5. J. S. Lee, S. K. Sim, B. Min, K. Cho, S. W. Kim, S. Kim. Structural and optoelectonic properties of Sn02 nanowires synthesized from ball-milled Sn02 powders. // J. Crystal. Growth. 2004. V. 267. PP. 145-149

6. Y. Wang, J. Y. Lee. Molten Salt Synthesis of Tin Oxide Nanorods: Morphological and Electrochemical Features. // J. Phys. Chem. B. 2004. V. 108. PP. 17832-17837.

7 .F. Wagner, Transparent electronics, // Science. 2003. V. 300. P. 1245.

8. .L. Hoffman, B.J. Norris, J.F. Wagner, ZnO-based transparent thin-film transistors. // Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 733

9. R.E. Presley, C.L. Munsee, C.-H. Park, D. Hong, J.F. Wager, D.A. Keszler. Tin oxide transparent thin-film transistors. J. Phys. D. 2004. V. 37. P. 2810.

10. C.G. Granqvist, A. Hulta°ker, Transparent and conductinglTO films: new developments and applications, Thin Solid Films 411 (2002) 1. 140.

11. M. Batzill, U. Diebold / Progress in Surface Science 79 (2005) 47-154

12. B.G. Lewis, D.C. Paine, Applications and processingof transparent conductingoxides, MRS Bull. 25 (2000) 22.

13. H. Sugimoto, H. Tsukube, K. Tanaka. Immobilization of a High-Valent Rhenium Complex on an Indium-Doped Tin-Oxide Electrode: Enhanced Catalytic Activity of a trans-Dioxorhenium(V) Complex in Electrochemical Oxidation of Alcohols. // Eur. J. Inorg. Chem. 2004, PP. 4550-4553.

14. N. Q. Jia, Q. Zhou, L. Liu, M. M. Yan, Z. Y. Jiang. Comparison study of SnO thin- and thick-film gas sensors. // J. Electroanal. Chem. 2005. V. 580.PP. 213— 221.

15. M.J. Fuller, M.E. Warwick, The catalytic oxidation of carbon monoxide on tin(IV) oxide, J. Catal. 29 (1973) 441

16. P.G. Harrison, С. Bailey, W. Azelee, Modified tin(IV) oxide (M/Sn02 M = Cr, LA, Pr, Nd, Sm, Gd) catalysts for oxidation of carbon monoxide and propane, J. Catal. 186(1999) 147.

17. P.W. Park, H.H. Kung, D.-W. Kim, M.C. Kung, Characterization of Sn02/A1203 lean NOx catalysts, J. Catal. 184 (1999) 440.

18. D. A. Popescu, J. M. Hermann, A. Ensuque, F. B-Verduraz. Facile Synthesis of Sn02 Hollow Nanospheres and Applications in Gas Sensors and Electrocatalysts // Phys. Chem. Chem. Ohys. 2001 V. 3. P. 2522.

19. G. Faglia, C. Baratto, G. Sberveglieri. Adsorption effects of N02 at ppm level on visible photoluminescence response of Sn02 nanobelts. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 011923.

20. G. Xu, Y. W. Zhang, X. Sun, C. L. Xu, С. H. Yan. Synthesis, Structure, Texture, and CO Sensing Behavior of Nanocrystalline Tin Oxide Doped with Scandia. //J. Phys. Chem. В 2005. V. 109. PP. 3269-3278.

21. A.K. Mukhopadhyay, P. Mitra, A.P. Chatterjee, H.S. Maiti. Tin dioxide thin film gas sensor. // Ceramics International 2000. V. 26. PP. 123-132.

22. Sang Woo Lee, Ping Ping Tsai, Haydn Chen. Comparison study of SnO thin-and thick-film gas sensors. // Sensors and Actuators B. 2000. V. 67. PP. 122-127.

23.T. Seiyama, K. Fueki, J. Shiokawa, S. Suzuki. Proceedings of the International Meetingon Chemical Sensors. // Amsterdam. 1983.

24. Практикум по неорганической химии, под ред. В.П. Зломанова, изд-во Московского университета, 1994.

25. R. G. Dhere, Н. R. Moutinho, S. Asher, D. Young, X. Li, R. Ribelin, and T. Gessert. Characterization of Sn02 Films Prepared Using Tin Tetrachloride and Tetra Methyl Tin Precursors. // AIP Conf. Proc. 1998. V. 462. PP. 242-247.

26. O.P. Agnihotri, A.K. Sharma, B.K. Gupta, R. Thangaraj. The effect of tin additions on indium oxide selective coatings. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1978. V. 11. PP. 643.

27. H.Y. Yu, X.D. Feng, D. Grozea, Z.H. Lu, R.N.S. Sodhi, A.-M. Ног, H. Aziz. Surface electronic structure of plasma-treated indium tin oxides. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 2595.

28. Mika Yamaguchi, Ari 'de-Ektessabi, Hiroshi Nomura and Nobuto Yasui, Characteristics of indium tin oxide thin films prepared using electron beam evaporation. // Thin Solid Films. 2004. V. 447. P. 115.

90

29. Yasutaka Takahashi *, Shinya Okada, Radhouane Bel Hadj Tahar, Ken Nakano, Takayuki Ban, Yutaka Ohya. Dip-coating of ITO films. //Journal of Non-Crystalline Solids. 1997 V. 218. PP. 129-134

30. Hyun Cho, Young-Hoon Yun. Characterization of indium tin oxide (ITO) thin films prepared by a sol-gel spin coating process. // Ceramics International. 2011. V. 37. PP. 615-619.

31. Y. Djaoued,V.A. Phong, S. Balidescu, P.V. Asrit, E.F. Girouard, V.V; Truong. Sol-gel-prepared ITO films for electrochromic systems. // Thin Solid Films. 1997. V. 293. P. 108.

32. J. Liu, E. R'adlein, G.H. Frischat. Preparation, nanostructure and properties of indium tin oxide (ITO) films on glass substrates. Part 1. Preparation and nanostructure. // Phys. Chem. Glasses. 1999. V. 50. P. 277.

33. W.G. Haines, R.H. Bube, Effects of heat treatment on the optical and electrical properties of indium-tin oxide films. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 304.

34. Q. Zhong, X. Pan, SPIE Proc. 3557 1998. 82.

35. F. M. Amanullah, K. J. Pratap, V. Hari Babu, Characterization of isochronally and isothermally annealed indium tin oxide thin films, Thin Solid Films 254 (1995) 28-32.

36. Sutapa Roy Ramanan, Dip coated ITO thin-films through solgel process using metal salts.// Thin Solid Films. 2001. V. 389. PP. 207-212.

37. M. Ohyama, H. Kozuka, T. Yoko. Sol-Gel Preparation of Transparent and Conductive Aluminum-Doped Zinc Oxide Films with Highly Preferential Crystal Orientation. //J. Am. Ceram. Soc. 1998. V. 81. P. 1622.

38. W. Tang, D. Cameron. Aluminum-doped zinc oxide transparent conductors deposited by the sol-gel process. // Thin Solid Films. 1994. V. 238. PP. 83-87.

39 Shumei Songa, Tianlin Yanga, Jingjing Liua, Yanqing Xina, Yanhui Li, Shenghao Hana. // Rapid thermal annealing of ITO films. Applied Surface Science. 2011. V. 257. PP 7061-7064.

40. Gurlo, A.; Ivanovskaya, M.; Ba'rsa, N.; Schweizer-Berberich, M.;Weimar, U.; Go'pel, W.; Die'guez, A. Grain size control in nanocrystalline In203 semiconductor gas sensors. // Sensors Actuators B. 1997. V. 44. PP. 327-333.

41. Cui, J.; Wang, A.; Wang, N. L.; Ni, J.; Lee, P.; Armstrong, N.;Marks, T. J. Indium Tin Oxide Alternatives—High Work Function Transparent Conducting

Oxides as Anodes for Organic Light-Emitting Diodes. // Adv. Mater. 2001. V. 13. PP. 1476-1480.

42. Li, B. X.; Xie, Y.; Jing,M.; Rong, G. X.; Tang, Y. C.; Zhang, G. Z. In203 Hollow Microspheres: Synthesis from Designed In(OH)3 Precursors and Applications in Gas Sensors and Photocatalysis. // Langmuir. 2006. V. 22. PP. 9380-9385.

43. Epifani, M.; Siciliano, P.; Gurlo, A.; Barsan, N.; Weimar, U. Ambient Pressure Synthesis of Corundum-Type ln203. //J.Am. Chem. Soc. 2004. V. 126. P. 4078.

44. Huafu Z, Hanfa L, Chengxin L, Aiping Z and Changkun Y. Low-temperature deposition of transparent conducting Mn-W co-doped ZnO thin films. // J. Semicond. 2010. V. 31. P. 083004.

45. W. Zurina Samad, M. Mat Salleh, A. Shafiee & M. A. Yarmo. Structural, Optical and Electrical Properties of Fluorine Doped Tin Oxide Thin Films Deposited Using Inkjet Printing Technique.// Sains Malaysiana. 2011. V. 40. PP. 251-257.

46. M. Girtan, A. Bouteville, G. G. Rusu, M. Rusu, Preparation and properties of Sn02:F thin films. // J. Optoelectronics and Adv. Mater. 2006, V. 8. PP. 27 - 30.

47. H.-R. Xu, H. Zhou, G. Zhu, J. Chen, C. Liao. Synthesis of tin-doped indium oxide nanoparticles by an ion-exchange and hydrothermal process. // Mater. Lett. 2006. V. 60. PP. 983-985.

48. S.J. Limmer, K. Takahashi, G. Cao. Electrochromic and transparent conducting oxide nanorods. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2003. V. 5224. P. 25.

49. J. Hu, F. Zhu, J. Zhang, H. Gong. A room temperature indium tin oxide/quartz crystal microbalance gas sensor for nitric oxide. // Sens. Actuators. B. Chem. 2003. V. 93. PP. 175-180.

50. A. Antony, M. Nisha, R. Manoj, M.K. Jayaraj. Influence of target to substrate spacing on the properties of ITO thin films. // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 225. PP. 294-301.

51. D.M. Speckman, C.A. Jackson. Sol-gel Combustion Hybrid Method for Nano-oxide Synthesis. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1995. V. 372. P. 247.

52. N.G. Patel, P.D. Patel, V.S. Vaishnav. Indium tin oxide (ITO) thin film gas sensor for detection of methanol at room temperature. // Sens. Actuators. B. Chem. 2003. V. 96. P. 180.

53. M.J. Alam, D.C. Cameron. Investigation of annealing effects on sol-gel deposited indium tin oxide thin films in different atmospheres. // Thin Solid Films. 2002. V. 420-421. PP. 76-82.

54. A. L. Dawar, J. C. Joshi. Semiconducting transparent thin films: their properties and applications. // J. Mater. Sci. 1984. V. 19. PP. 1-20.

55. Wan zurina samad, muhamad mat salleh, ashkan shaflee & mohd ambar yarmo. Structural, Optical and Electrical Properties of Fluorine Doped Tin Oxide Thin Films Deposited Using Inkjet Printing Technique.// Sains Malaysiana. 2011. V. 40. PP. 251-257

56. P S Shewalel, S I Patil2 and M D Uplane. Preparation of fluorine-doped tin oxide films at low substrate temperature by an advanced spray pyrolysis technique, and their characterization. //Semicond. Sci. Technol. 2010. V. 25. PP. 115008.

57. M. Girtan, Bouteville, G. G. Rusu, M. Rusu. Preparation and properties of Sn02:F thin films. // Journal of optoelectronics and advanced materials. 2006. V. 8. PP. 27-30.

58. .L. Ma, D.H. Zhang, S.Z. Win, S.Y. Li, Y.P. Chen. Electrical and optical properties of F-doped textured SnO 2 films deposited by APCVD. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1996. V. 40. PP. 371-380.

59. Stjenna B. and Granqvist C.G. Electrical conductivity and optical transmittance of sputter-deposited SnOx thin films. // Sol. Energy Mater. 1990. V. 20. PP. 225233.

60. Elangovan E and Ramamurthi K. A study on low cost-high conducting fluorine and antimony-doped tin oxide thin films. // Appl. Surf. Sci. 2005. V. 249. P. 183.

61. Chi-Hwan Han, Sang-Do Han, Jihye Gwak, S.P. Khatkar. Synthesis of indium tin oxide (ITO) and fluorine-doped tin oxide (FTO) nano-powder by sol-gel combustion hybrid method. // Materials Letters. 2007. V. 61 1701-1703.

62. X. Zhua, Y. Zhu, S. Murali, M. D. Stoller, R. S. Ruoff. Reduced graphene oxide/tin oxide composite as an enhanced anode material for lithium ion batteries prepared by homogenous coprecipitation. // Journal of Power Sources. 2011. V. 196. PP. 6473-6477.

63. R. Liang , H. Cao , D. Qian , J. Zhang and M. Qu. Designed synthesis of Sn02-polyaniline-reduced graphene oxide nanocomposites as an anode material for lithium-ion batteries. // J. Mater. Chem. 2011. V. 21. PP. 17654-17657.

64. Fenghua, J. Song, H. Yang, S. Gan, Q. Zhang, D. Han, A. Ivaska and L. Niu. One-step synthesis of graphene/Sn02 nanocomposites and its application in electrochemical supercapacitors. // Nanotechnology. 2009. V. 20. PP. 455602455608.

65. Z.-S. Wua, G. Zhoua, L.-C. Yina, W. Rena, F. Lia, H-M Chenga. Graphene/metal oxide composite electrode materials for energy storage. // Nano Energy. 2011. V. 1. PP. 107-131.

66. M. Zhang , D. Lei , Z. Du , X. Yin , L. Chen , Q. Li , Y. Wang and T. Wang. Fast synthesis of Sn02/graphene composites by reducing graphene oxide with stannous ions. //J. Mater. Chem. 2011. V. 21. PP. 1673-1676.

67. Y. Wei, C. Gao, F.-Li Meng, H.-H. Li, L. Wang, J.-H. Liu and X.-J. Huang. Sn02/Reduced Graphene Oxide Nanocomposite for the Simultaneous Electrochemical Detection of Cadmium(II), Lead(II), Copper(II), and Mercury(II): An Interesting Favorable Mutual Interference. // J. Phys. Chem. C. 2012. V. 116. PP. 1034-1041.

68. Shuangyin Wang, San Ping Jiang, Xin Wang. Microwave-assisted one-pot synthesis of metal/metal oxide nanoparticles on graphene and their electrochemical applications. //Electrochimica Acta. 2011. V. 56. PP. 3338-3344.

69. Stjerna B., Olsson E., Granqvist C.G. Optical and electrical properties of radio frequency sputtered tin oxide films doped with oxygen vacancies, F, Sb, or Mo. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 3797.

70. E. Shanthi, V. Dutta, A. Banerjee and K. L. Chopra. Electrical and optical properties of undoped and antimony-doped tin oxide films. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. P. 6243.

71. A. K. S. Aqili, Nazar Abbas Shah, Abid Ali, and Asghari Maqsood. Effect of antimony doping on the structure, electrical and optical properties of tin oxide

thin films. // Sci.Int.(Lahore). 2006. V. 18. PP. 1-3.

72. C. Terrier, J.P. Chatelon, R. Berjoan, and J.A. Roger. Sb-doped Sn02 transparent conducting oxide from the sol-gel dip-coating technique. // Thin Solid Films. 1995. V. 263. PP. 37-41.

73. W. Lada, A. Deptula, T. 01czak,W. Torbicz, and D. Pijanowska. Preparation of thin Sn02 layers by inorganic sol-gel process. J. Sol-Gel Sci. Tech. 1994.V. 2. PP. 551.

74. G. Jain, R. Kumar. Electrical and optical properties of tin oxide and antimony doped tin oxide films. // Opt. Mater. 2004. V. 26. P. 27.

75. Сергеев Г.Б. Нанохимия. M.: Изд-во МГУ, 2003. 288 с

76. К. L. Chopra, S. Major, D. К. Pandya. Transparent conductors—A status review. // Thin Solid Films 1983. V. 102. P. 1.

77. D.S. Ginley, C. Bright. MRS Bull. 2000. V. 25. P. 15.

78. J.F. Wagner. Transparent electronics. // Science 2003. V. 300. P. 1245.

79. R.E. Presley, C.L. Munsee, C.-H. Park, D. Hong, J.F. Wager, D.A. Keszler. Tin oxide transparent thin-film transistors. // J. Phys. D. 2004. V. 37. P. 2810.

80. B.G. Lewis, D.C. Paine. Applications and processingof transparent conductingoxides. //MRS Bull. 2000. V. 25. P. 22.

81. C.G. Granqvist, A. Hulta°ker, Transparent and conductinglTO films: new developments and applications. // Thin Solid Films. 2002. V. 411. P. 1.

82. B.G. Lewis, D.C. Paine, Applications and processingof transparent conductingoxides. //MRS Bull. 2000. V. 25. P. 22.

83. I. Hamberg, C.G. Granqvist. Evaporated Sn-doped 1п2Оз films: basic optical properties and applications to energy-efficient windows. // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. P. R123.

84. Steim, R.; Kogler, F. R.; Brabec, C. J. Interface materials for organic solar cells. // J. Mater. Chem. 2010. V. 20. PP. 2499-2512.

85. Helgesen, M.; Sondergaard, R.; Krebs, F. C. Advanced materials and processes for polymer solar cell devices. // J. Mater. Chem. 2010. V. 20. PP. 36-60.

86. Granqvist, C. G. Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2007. V. 91. PP. 1529-1598.

87. Chiu, H. C.; Yeh, C. S. Hydrothermal Synthesis of Sn02 Nanoparticles and Their Gas-Sensing of Alcohol. // J. Phys. Chem. C. 2007. V. 111. PP. 7256-7259.

88. Choi, M. C.; Kim, Y.; Ha, C. S. Polymers for flexible displays: From material selection to device applications. //Prog. Polym. Sci. 2008. V. 33. PP. 581-630.

89. Su, Y. Y.; Chen, H.;Wang, Z. M.; Lv, Y. Appl. Spectrosc. Rev. 2007, 42, 139.

90. Bueno, P. R.; Varela, J. A.; Longo, E. Sn02, ZnO and related polycrystalline compound semiconductors: An overview and review on the voltage-dependent resistance (non-ohmic) feature. // J. Eur. Ceram. Soc. 2008. V. 28. PP. 505-529.

91. Batzill, M.; Diebold, U. The surface and materials science of tin oxide. // Prog. Surf. Sci. 2005. V. 79. PP. 47-154.

92. Krebs, F. C.; Tromholt, T.; Jorgensen, M. Upscaling of polymer solar cell fabrication using full roll-to-roll processing. // Nanoscale. 2010. V. 2. P. 873.

93. C Goebbert, G Gasparro, T Schuler, et.al. Wet Chemical Deposition of Crystalline, Redispersable ATO and ITO Nanoparticles. // Journal of Sol-Gel Science and Technology., 2000. V. 19. PP. 435-439.

94. Ravichandran K., Muruganantham G., Sakthivel B., Philominathan P.. Journal of Ovonic Research. 2009. V. 5. PP. 63-69.

95. B. Thangaraju. Structural and electrical studies on highly conducting spray deposited fluorine and antimony doped Sn02 thin films from SnCl2 precursor . //Thin solid films. 2002. V. 402. PP. 71-78.

96. Ning Li, Qinglin Meng 2010 International Conference on Advances in Energy, 227 - 230

97. Sung Uk Lee and Byungyou Hong. Effects of Annealing on the Characteristics of ATO Films Prepared by Using the RF Magnetron Sputtering Method for Transparent Electrodes. // Journal of the Korean Physical Society. 2009. V. 55. PP. 1915-1919.

98 Peiwei Hu, Huaming Yang. Controlled coating of antimony-doped tin oxide nanoparticles on kaolinite particle. // Applied Clay Science 2010. V. 48. PP. 368374.

99 Santilli, C. V.; Rizzato, A. P.; Pulcinelli, S. H.; Craievich, A. F. Dynamical scaling properties of nanoporous undoped and Sb-doped Sn02 supported thin films during tri- and bidimensional structure coarsening. // Phys. Rev. B 2007. Y. 75. P. 205335.

100 Hu, P.W.; Yang, H. M. Appl. Clay Sci. 2010, 48, 368.

101 N€utz, T.; Haase, M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 8430

102. Peiwei Hu, Huaming Yang. Controlled coating of antimony-doped tin oxide nanoparticles on kaolinite particle. // Applied Clay Science. 2010. V. 48. PP. 368374.

103. M.P. Pechini, US Pat. 3,330,697 (1967).

104. S. Sladkevich, N. Kyi, J. Gun, P. Prikhodchenko, S. Ischuk, O. Lev, Antimony doped tin oxide coating of muscovite clays by the Pechini route. Thin Solid Films. 2011. V.520. P. 152.

105 M. I. B. Bernardi, C. M. Barrado, L. E. B. Soledade, E. R. Leite, E. Longo and J. A. Varela, Influence of heat treatment on the optical properties of Sn02 : Sb thin

96

films deposited by dip coating using aqueous solution. J. Materials Science: Materials in electronics. V. 13. PP. 403-408.

106.1. D. Santosa, S. B. Gabriela, J. C. Afonsoc, A. J. Bourdot Dutraa. Preparation

and Characterization of Ti/Sn02-Sb Electrode by Pechini's Method for Phenol

Oxidation. // Materials Research. 2011. V. 14. PP. 408-416.

107. Juttukonda, V. et al. Facile synthesis of tin oxide nanoparticles stabilized by

dendritic polymers. // J. Am. Chem. Soc. 2006. V. 128. P. 420.

108 Urade, V. N. et al. Synthesis of thermally stable highly ordered nanoporous tin

oxide thin films with a 3D face-centered orthorhombic nanostructure. // J. Phys.

Chem. B. 2005. V. 109. P. 10538

109. Lou, X. W. et al. Shape-controlled Synthesis of Porous Sn02 Nanostructures via Morphology Conserved Transformation from SnC204 Precursor Approach. // Adv. Mater. 2006. V. 18. P. 2325.

110. H Bisht, H.-T Eun, A Mehrtens, M.A Aegerter. Comparison of spray pyrolyzed FTO, ATO and ITO coatings for flat and bent glass substrates. // Thin Solid Films 1999. V. 35. PP. 109-114.

111. B. Zhanga, Y. Tianb, J.X. Zhang. The FTIR studies of Sn02:Sb(AT0) films deposited by spray pyrolysis. // Materials Letters.. 2011. V. 65. PP. 1204-1206.

112. S.K. SinghS. Basu. Characterisation of conducting Sn021ayers deposited by modified spray pyrolysis technique. Materials Chemistry and Physics. 1988. V. 20. P. 381-396.

113. X. Zhou, X. Huang, X. Qi, Sh. Wu, C. Xue, Freddy Y. C. Boey, Q. Yan, P. Chen, and H. Zhang. In Situ Synthesis of Metal Nanoparticles on Single-Layer Graphene Oxide and Reduced Graphene Oxide Surfaces. // J. Phys. Chem. C. 2009. V. 113. PP. 10842-10846.

114. T. Asai. В Chem Soc Jpn. 1975. V. 48. PP. 2677-2679.

115. Шарло Г. / Методы аналитической химии. Количественный анализ неорганических соединений. М.: Химия, 1969. 4.II.

116. G. Chariot, Les methods de la Chimie Analytique Analyse Quantitative Minerale, Masson et Cie., Paris, 1961.

117. Перекись водорода и перекисные соединения. Под ред. М.Е. Позина. М. - Л.: Госхимиздат. 1951. С.445.

118. Allen F.H. The Cambridge Structural Database: a quarter of a million crystal structures and rising. // Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Crystallogr. Cryst. Chem. 2002. V. 58. PP. 380-388.

119. Sheldrick G.M. SADABS. Program for scaling and correction of area detector data. University of Gottingen. 1997. Germany.

120. Xianjun Zhu, Yanwu Zhu, Shanthi Murali, Meryl D. Stoller, Rodney S. Ruoff. Reduced graphene oxide/tin oxide composite as an enhanced anode material for lithium ion batteries prepared by homogenous coprecipitation. // Journal of Power Sources. 2011. V. 196. PP. 6473-6477.

121 R. Liang, H. Cao, D.Qian, J. Zhang and M. Qu. Designed synthesis of Sn02-polyaniline-reduced graphene oxide nanocomposites as an anode material for lithium-ion batteries. // J. Mater. Chem. 2011. V. 21. P. 17654.

122. F. Li, J. Song, H. Yang, S. Gan, Q. Zhang, D. Han, A. Ivaska, Li Niu. One-step synthesis of graphene/Sn02 nanocomposites and its application in electrochemical supercapacitors. //Nanotechnology. 2009. V. 20. 455602 (6pp)

123. Zhong-Shuai Wua, G. Zhoua, Li-Chang Yina, W. Rena, F. Lia, Hui-Ming Cheng. Graphene/metal oxide composite electrode materials for energy storage. // Nano Energy. 2011. V. 1. PP. 107-131.

124. Yan Wei, Chao Gao, Fan-Li Meng, Hui-Hua Li, Lun Wang, Jin-Huai Liu and Xing-Jiu. HuangSn02/Reduced Graphene Oxide Nanocomposite for the Simultaneous Electrochemical Detection of Cadmium(II), Lead(II), Copper(II), and Mercury(II): An Interesting Favorable Mutual Interference. // J. Phys. Chem. С 2012. V. 116. 1034-1041.

125. S. Sladkevich, V. Gutkin, O. Lev, E.A. Legurova, D.F. Khabibulin, M.A. Fedotov, V.Uvarov, T.A. Tripol'skaya, P.V. Prikhodchenko. Hydrogen peroxide induced formation of peroxystannate nanoparticles. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2009. V.50. PP.229 - 240.

126. E.A. Легурова, С. Сладкевич, О. Лев, M.A. Федотов, Д.Ф. Хабибулин, Т.А. Трипольская, П.В. Приходченко. Наночастицы пероксостанната калия. // Журн. Неорган. Химии. 2009. Т.54. №6. С.889 - 893.

127. Churakov AV, Sladkevich S, Lev О, T.A. Tripol'skaya, P.V. Prikhodchenko. Cesium Hydroperoxostannate: First Complete Structural Characterization of a Homoleptic Hydroperoxocomplex // Inorg.Chem. 2010. V. 49,PP. 4762 - 4764.

128 M.V. Vener et al. H-Bond Network in Amino Acid Cocrystals with H20 or H202. The DFT Study of Serine-H20 and Serine-H202. J. Phys. Chem. A, 201 I.V. 115., P. 13657.

129. Жубриков A.B., Легурова E.A. (Мельник E.A.), Гуткин В., Уваров В., Хитров Н.В., Lev О., Трипольская Т.А., Приходченко П.В. Исследование перкарбоната натрия, гранулированного силикатом натрия, методом рентгенофотоэлектронной спектроскопии. // Журн. Неорган. Химии. 2009. Т.54. №9. С. 1526 - 1529.

130. A.G. Medvedev, A.A. Mikhaylov, A.V. Churakov, P.V. Prikhodchenko, O. Lev. Ammonium and caesium carbonate peroxosolvates: supramolecular networks formed by hydrogen bonds. // Acta Cryst. 2012. V. 68. i20-i24.

131 R.C. Palenik, K.A. Abboud, G.J. Palenik, Bond valence sums and structural studies of antimony complexes containing Sb bonded only to О ligands. // Inorg Chim Acta, 2005. V. 358. PP. 1034-1040.

132. Чураков А. В., Устинова E. А., Приходченко П. В., Трипольская Т. А., Ховард Дж. А. К. Синтез и кристаллическая структура новых гидротеллуратов щелочных металлов. // Журнал неорганической химии. 2007. Т.. 52. С. 1503-1510.

133. М. Jansen, R. Muller. Z Anorg Allg Chem.. 1996. V. 622. PP. 1901-1906.

134. H. Nakano, Y. Ozawa, A. Yagasaki. Synthesis and Characterization of the First Polyantimonate, (Sb8012(0H) 20)4-. // J Am Chem Soc. 1995. V. 117. PP. 12007-12008.

135. Y. Kusaka, Y. Ozawa, A. Yagasaki. A New Polyantimonate with an Sb4016 Core. // Inorg Chem. 2001. V. 40. PP. 2634-2635.

136. H.R. Hansen, S.A. Pergantis. Identification of Sb(V) Complexes in Biological and Food Matrixes and Their Stibine Formation Efficiency during Hydride Generation with ICPMS Detection. // Anal Chem. 2007. V. 79. PP. 5304-5311.

137. C.D.S. Ferreira, A.M.D.C. Pimenta, C. Demicheli, F. Frezard. Characterization of reactions of antimoniate and meglumine antimoniate with a guanine ribonucleoside at different pH. // Biometals. 2006. V. 19. PP. 573-581.

138. F. Frezard, P.S. Martins, M.C.M. Barbosa, A.M.C. Pimenta, W.A. Ferreira, J.E. de Melo, J.B. Mangrum, C. Demicheli. New insights into the chemical structure and composition of the pentavalent antimonial drugs, meglumine

99

antimonate and sodium stibogluconate. // J Inorg Biochem. 2008. V. 102. PP. 656665.

139. J. Lintschinger, O. Schramel, A. Kettrup. The analysis of antimony species by using ESI-MS and HPLC-ICP-MS. // Fresen J Anal Chem. 1998. V. 361. PP. 96-102.

140. J.J. Burke, P.C. Lauterbur. Snll9 Nuclear Magnetic Resonance Spectra. // J Am Chem Soc. 1961. V. 83. PP. 326-331.

141. M.J. Taylor, J.M. Coddington. Sn NMR and vibrational spectroscopy. // Polyhedron. 1992. V. 11. PP. 1531-1544.

142. Huang, X.; Yin, Z. Y.; Wu, S. X.; Qi, X. Y.; He, Q. Y.; Zhang, Q. C.; Yan, Q. Y.; Boey, F.; Zhang, H. Graphene Oxide, Highly Reduced Graphene Oxide, and Graphene: Versatile Building Blocks for Carbon-Base. Materials. // Small 2011. V. 7. P. 1876.

143. Wang, D. H.; Kou, R.; Choi, D.; Yang, Z. G.; Nie, Z. M.; Li, J.; Saraf, L. V.; Hu, D. H.; Zhang, J. G.; Graff, G. L.; Liu, J.; Pope, M. A.; Aksay, I. A. Ternary Self-Assembly of Ordered Metal Oxide-Graphene Nanocomposites for Electrochemical Energy Storage. //ACS Nano. 2010. V. 4. PP. 1587-1595.

144. Wang, X. Y.; Zhou, X. F.; Yao, K.; Zhang, J. G.; Liu, Z. P. A Sn02/graphene composite as a high stability electrode for lithium ion batteries. // Carbon. 2011. V. 49. PP. 133-139.

145. Zhang, L. S.; Jiang, L. Y.; Yan, H. J.; Wang, W. D.; Wang, W.; Song, W. G.; Guo, Y. G.; Wan, L. J. Mono dispersed Sn02 nanoparticles on both sides of single layer graphene sheets as anode materials in Li-ion batteries. // J Mater. Chem. 2010. V. 20. PP. 5462-5467.

146. Li, Y. M.; Lv, X. J.; Lu, J.; Li, J. H. Preparation of Sn02-Nanocrystal/Graphene-Nanosheets Composites and Their Lithium Storage Ability. //JPhys. Chem. C 2010. V. 114. PP. 21770-21774.

147. Kim, H.; Kim, S. W.; Park, Y. U.; Gwon, H.; Seo, D. H.; Kim, Y.; Kang, K. Sn02/graphene composite with high lithium storage capability for lithium rechargeable batteries. //Nano Res. 2010. V. 3. P. 813.

148. Wang, Z. Y.; Zhang, H.; Li, N.; Shi, Z. J.; Gu, Z. N.; Cao, G. P. Laterally confined graphene nanosheets and graphene/Sn02 composites as high-rate anode materials for lithium-ion batteries. // Nano Res. 2010. V. 3. P. 748.

149. Li, F. H.; Song, J. F.; Yang, H. F.; Gan, S. Y.; Zhang, Q. X.; Han, D. X.; Ivaska, A.; Niu, L. One-step synthesis of graphene/Sn02 nanocomposites and its application in electrochemical supercapacitors. // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 455602.

150. Seng, К. H.; Guo, Z. P.; Chen, Z. X.; Liu, H. K. SnSb/Graphene Composite as Anode Materials for Lithium Ion Batteries. // Adv. Sci. Lett. 201 l.V. 4. PP. 18.

151. Chen, S. Q.; Chen, P.; Wu, M. H.; Pan, D. Y.; Wang, Y. Graphene supported Sn-Sb@carbon core-shell particles as a superior anode for lithium ion batteries. // Electrochem. Commun. 2010. V. 12. P. 1302

152. Stewart, D. J.; Woodhams, F. W.; Knop, O.; Ayasse, C. Can. J. Chem. 1972. V. 50. P. 690.

153. Sahoo, N. К.; Apparao, К. V. S. R. Appl. Phys. A 1996. V. 63. P. 195.

154. Chen, Z. X.; Cao, Y. L.; Qian, J. F.; Ai, X. P.; Yang, H. X. J. Antimony-Coated SiC Nanoparticles as Stable and High-Capacity Anode Materials for Li-Ion Batteries. //Phys. Chem. С 2010. V. 114. V. 15196.

155. Kundu, M.; Mahanty, S.; Basu, R. N. Lithium antimonite: A new class of anode material for lithium-ion battery. // Electrochem. Commun. 2009. V. 11. P. 1389.

156. Li, H.; Huang, X. J.; Chen, L. Q. Anodes based on oxide materials for lithium rechargeable batteries. // Solid State Ionics 1999. V. 123. P. 189.

157. Sladkevich, S.; Gutkin, V.; Lev, O.; Legurova, E. A.; Khabibulin, D. F.; Fedotov, M. A.; Uvarov, V.; Tripol'skaya, T. A.; Prikhodchenko, P. V. J. Sol-Gel Sci. Technol. 2009, 50, 229.

158. Трипольская, Т. А.; Похабова, И. В.; Приходченко, П. В.; Пилипенко, Г. Н.; Легурова, Е. А.; Чумаевский, Н. А. Идентификация пероксогрупп в супрамолекулярных слоистых структурах по данным раман-спектроскопии // Журнал неорганической химии. 2009. Т. 54, N 3. С. 513-515.

159 Zhou, X. Z.; Huang, X.; Qi, X. Y.; Wu, S. X.; Xue, С.; Boey, F. Y. С.; Yan, Q. Y.; Chen, P.; Zhang, H. In Situ Synthesis of Metal Nanoparticles on Single-Layer Graphene Oxide and Reduced Graphene Oxide Surfaces. // J. Phys. Chem. C. 2009. V. 113. P. 10842.

160. Park, S.; Ruoff, R. S. Chemical methods for the production of graphenes. // Nat. Nanotechnol. 2009. V. 4. P. 217.

161. Vener, M. V.; Medvedev, A. G.; Churakov, A. V.; Prikhodchenko, P. V.; Tripol'skaya, T. A.; Lev, O. Bond network in amino acid cocrystals with H20 or H202. //J. Phys. Chem. A. 2011. V. 115. P. 13657.

162. Churakov, A. V.; Prikhodchenko, P. V.; Lev, O.; Medvedev, A. G.; Tripol'skaya, T. A.; Vener, M. V. A model proton-transfer system in the condensed phase:NH4+OOH~, a crystal with short intermolecular H-bonds. // J Chem Phys. 2010. V. 133. PP. 164506-164515.

163. P.V. Prikhodchenko, A.G. Medvedev, T.A. Tripol'skaya, A.V. Churakov, Y. Wolanov, J.A.K. Howard, O. Lev. Crystal structures of natural amino acid perhydrates. // Cryst.Eng.Comm. 2011. V. 13. PP. 2399 - 2407.

164. Zewail, A. H. Four-Dimensional Electron Microscopy. // Science 2010. V. 328. P. 187.

165. Golunski, S. E. Appl. Catal. 1989, 48, 123.

166. Moon, I. K.; Lee, J.; Ruoff, R. S.; Lee, H. Reduced graphene oxide by chemical graphitization. //Nat. Commun. 2010, V. 1. P. 73.

167. Stankovich, S.; Dikin, D. A.; Piner, R. D.; Kohlhaas, K. A.; Kleinhammes, A.; Jia, Y.; Wu, Y.; Nguyen, S. T.; Ruoff, R. S. Synthesis of graphene-based nanosheets via chemical reduction of exfoliated graphite oxide. // Carbon 2007. V. 45. P. 1558.

168. Yang, D.; Velamakanni, A.; Bozoklu, G.; Park, S.; Stoller, M.; Piner, R. D.; Stankovich, S.; Jung, I.; Field, D. A.; Ventrice, C. A.; Ruoff, R. S. Chemical analysis of graphene oxide films after heat and chemical treatments by X-ray photoelectron and Micro-Raman spectroscopy. // Carbon 2009. V. 47. P. 145.

169. Zhao, B.; Liu, P.; Jiang, Y.; Pan, D. Y.; Tao, H. H.; Song, J. S.; Fang, T.; Xu, W. W. Supercapacitor performances of thermally reduced graphene oxide. // J. Power Sources 2012. V. 198. P. 423.

170. Steim, R.; Kogler, F. R.; Brabec, C. J. Interface materials for organic solar cells. // J. Mater. Chem. 2010. V. 20. P. 2499.

171. Helgesen, M.; Sondergaard, R.; Krebs, F. C. Advanced materials and processes for polymer solar cell devices. // J. Mater. Chem. 2010. V. 20. P. 36.

172. Bueno, P. R.; Varela, J. A.; Longo, E. Sn02, ZnO and related polycrystalline compound semiconductors: An overview and review on the voltage-dependent resistance (non-ohmic) feature. // J. Eur. Ceram. Soc. 2008, V. 28. P. 505.

173. Batzill, M.; Diebold, U. The surface and materials science of tin oxide. // Prog. Surf. Sci. 2005. V. 79. P. 47.

174. Krebs, F. C.; Tromholt, T.; Jorgensen, M. Upscaling of polymer solar cell fabrication using full roll-to-roll processing. // Nanoscale. 2010. V. 2. P. 873.

175. Choy, K. L. Chemical vapour deposition of coatings. // Prog. Mater. Sci. 2003. V. 48. P. 57.

176. Xi, G.; Ye. Ultrathin Sn02 Nanorods: Template- and Surfactant-Free Solution Phase Synthesis, Growth Mechanism, Optical, Gas-Sensing, and Surface Adsorption Properties. // J. Inorg. Chem. 2010. V. 49. P. 2302.

177. Wang, Y.-F.; Lei, B.-X.; Hou, Y.-F.; Zhao, W.-X.; Liang, C.-L.; Su, C.-Y.; Kuang, D.-B. Facile Fabrication of Hierarchical Sn02 Microspheres Film on Transparent FTO Glass. // Inorg. Chem. 2010. V. 49. P. 1679.

178. Hu, P.W.; Yang, H. M. Controlled coating of antimony-doped tin oxide nanoparticles on kaolinite particles. // Appl. Clay Sci. 2010. V. 48. P. 368.

179. N€utz, T.; Haase, M. Wet-Chemical Synthesis of Doped Nanoparticles: Optical Properties of Oxygen-Deficient and Antimony-Doped Colloidal Sn02- // J. Phys. Chem. B 2000. V. 104. P. 8430.

180. Muller, V.; Rasp, M.; Rathousky, J.; Schutz, B.; Niederberger, M.;Fattakhova-Rohlfing, D. Transparent Conducting Films of Antimony-Doped Tin Oxide with Uniform Mesostructure Assembled from Preformed Nanocrystals. //Small 2010. V. 6. P. 633.