Формирование наногетероструктур с квантовыми точками на основе германия в кремнии методом МЛЭ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Никифоров, Александр Иванович

• Никифоров, Александр Иванович
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Никифоров, Александр Иванович

Оглавление

Введение

Глава 1. Формирование тонких пленок германия на поверхности 81(100) методом МЛЭ

1.1. Особенности морфологического состояния тонких пленок Ое

1.2. Анализ структуры поверхности наногетероструктур с квантовыми точками германия методом ДБЭ

1.3. Моделирование начальной стадии роста пленки германия на кремнии

1.4. Структурная фазовая диаграмма морфологического состояния пленки германия на поверхности 81(100)

1.6. Осцилляции параметра решетки в процессе роста смачивающего слоя Ge на поверхности 81(100)

1.6. Анализ параметров массива квантовых точек

1.7. Свойства массива квантовых точек германия на поверхности 81(100)

Заключение к главе 1

Глава 2. Толщина перехода от двумерного механизма роста к трехмерному в процессе гетероэпитаксиального роста слоев на основе Ое

2.1. Толщина смачивающего слоя

2.2. Элементарные атомные процессы на поверхности роста в процессе МЛЭ Ое на 81(100)

2.3. Механизмы роста эпитаксиальных плёнок

2.4. Эффекты самоорганизации

2.5. Размеры и плотность островков

2.6. Влияние температуры осаждения Ge на толщину смачивающего слоя

2.7. Толщина смачивающего слоя пленки GeSi на поверхности Si(100)

2.7.1. Критическая толщина псевдоморфного роста пленки ОеБ1

2.7.2. Начальные стадии роста пленок Ое^ь* на

2.7.3. Особенности роста пленки Ge на поверхности напряженного слоя Ое^ь*

2.8. Толщина смачивающего слоя пленок ОеБйп на поверхности 81(100)

2.9. Фотоприемник на основе квантовых точек Ое на поверхности напряженного слоя ОеБ1

Заключение к главе 2

Глава 3. Вертикальное упорядочение островков Ge в матрице кремния

3.1. Формирование вертикально упорядоченных островков Ge в матрице кремния и возможные пути использования

3.2. Изменение параметра поверхностной элементарной ячейки в процессе роста кремния на слое германия

3.3. Влияние вертикального упорядочения на свойства массива островков Ое

3.4. Зависимость толщины смачивающего слоя от количества повторений в периодической структуре (Ge/Si)n

3.5. Ситез гетероструктуры Ge/Si с двойными квантовыми точками Ge

Заключение к главе 3

Глава 4. Получение наностровков Ge ультра-малых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si

4.1. Рост пленки Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si как способ уменьшения размеров островков и увеличения их плотности

4.2. Формирование тонкого слоя окисла на поверхности 81(100) в установке МЛЭ

4.3. Механизм роста пленки Ое на окисленной поверхности 81(100)

4.4. Свойства массива островков Ое, растущих на окисленной поверхности кремния

4.5. Синтез гетероструктур с квантовыми точками германия на окисленной поверхности кремния для Ge/ Si-фотодиода

Заключение к главе 4

Основные результаты и выводы

БЛАГОДАРНОСТИ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

215 220

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование наногетероструктур с квантовыми точками на основе германия в кремнии методом МЛЭ»

Введение

Развитие полупроводниковой науки, техники и технологии всегда двигалось по пути уменьшения размеров и расширения спектра применяемых материалов. Основа этого поступательного движения была заложена в Физико-техническом институте под руководством академика Ж.И. Алферова для гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 [1]. В дальнейшем это направление развивалось с уменьшением геометрических размеров в область использования так называемых «квантовых точек» в качестве активных областей излучающих приборов [2]. В качестве квантовых точек выступали кристаллические кластеры, формирующиеся на поверхности в соответствии с механизмом роста Странского - Крастанова в результате самоорганизации.

Гетеросистема германий на кремнии представляет собой идеальный объект для изучения процесса роста тонких пленок по механизму Странского - Крастанова. Отличительной особенностью реализации этого механизма для данной системы является образование при некоторых условиях осаждения массива трехмерных островков германия на поверхности двумерного атомарно-гладкого напряженного смачивающего слоя. Эти трехмерные островки не содержат дислокаций несоответствия даже после существенного превышения ими критических толщин для пластической релаксации. Прикладной интерес к нанокластерам Ое связан с успехами в разработке технологии по-

лучения массива островков с высокой плотностью и достаточно однородного по размеру.

Наноструктуры на основе германия на кремнии привлекают внимание технологов ввиду больших успехов в создании новых перспективных приборов с использованием квантовых эффектов. Появляются светоизлучающие и фотоприемные кремний - германиевые устройства, позволяющие широко используемой технологии, основанной на кремнии, успешно конкурировать с традиционно оптоэлектронными материалами, такими как соединения на основе Аш-Ву [3, 4, 5, 6, 7]. В итоге были созданы предпосылки развития полупроводниковых материалов на основе германия и кремния, содержащих кристаллические Ge кластеры нанометровых размеров (квантовые точки), «встроенные» в матрицу Si. Интерес к нанокластерам Ge в Si связан с успехами синтеза однородного по размеру массива нанокластеров Ge. При этом размеры нанокластеров германия удалось уменьшить до значений, достаточных для реализации эффектов размерного квантования вплоть до комнатной температуры. Разработанная технология синтеза совместима с существующей кремниевой технологией изготовления дискретных приборов и схем, что также так же способствует ее развитию.

Примерно с 1992 года технология получения структур с квантовыми точками германия получила толчок в своем развитии. В гетеросистеме Ge-Si для выявления одноэлектронных эффектов впервые были использованы массивы саморганизованных островков, получаемых в результате протекания

механизма роста по Странскому-Крастанову [8]. Для создания квантовых точек ранее использовалась фотолитография, но этот метод ограничен для получения предельно малых требуемых размеров. Возможность синтеза масси-

10 12 2

вов самоорганизованных островков с высокой плотностью 10 - 10 см- на-нометровых размеров (10 - 100 нм) в бездефектных слоях на основе Ge-Si и IпAs-ОaAs стало основой для создания квантовых точек. В них наиболее ярко проявляются атомоподобных сфойства, которые проявляются в электронных и оптических спектрах. Но большая часть работ по исследованию электронных свойств квантовых точек выполнялась на основе соединений Ш-У. Технологии гетероэпитаксии соединений Ш-У позволяет создавать гетерострук-туры I типа, что важно для оптических свойств систем, а малая величина эффективной массы носителей обеспечивает проявление эффектов размерного квантования при больших размерах островков. Первые исследования по квантовым точкам на основе соединений Ш-У были проведены авторами работ [9, 10] на структурах InAs-GaAs.

Для гетеросистемы германий на кремнии первой публикацией, в которой сообщается о наблюдении образования псевдоморфных полосок германия (теперь называемых квантовыми нитями), повторяющих очертания ступеней, и островков нанометровых размеров (ныне квантовых точек), является работа [11], выполненная в ИФП СО РАН в 1974 году. Островки не содержат дислокаций несоответствия даже при эффективных толщинах нанесенного германия при низких температурах больше, чем значения критических тол-

щин пластической релаксации в гетеросистеме. Это было показано позже в работах Eaglesham and Cerullo на Ge-Si [12] и Guha et al. на InGaAs-GaAs [13]. Именно после этих публикаций начался бурный рост исследований механизмов образования напряженных наноостровков, атомных процессов при росте и их самоорганизации. Понимание всех этих явлений привело к расширению, практического применения квантоворазмерных объектов в наноэлектронике. Успехи в разработке синтеза получения массива нанокластеров Ge с высокой плотностью и малого размера обеспечили не только проявление эффектов размерного квантования, но и позволили наблюдать эти явления при температурах вплоть до комнатной [14].

Анализу развития и современного состояния представлений о механизмах самоорганизации ансамблей квантовых точек при гетероэпитаксии посвящен ряд обзорных и теоретических работ [15, 16, 17, 18].

Манипуляции и наблюдения над материей на атомном уровне привели к качественной революции в области нанотехнологий. Эти технологии позволяют изготавливать миниатюрные электронные и оптические приборы для хранения памяти, эффективные лазеры или электролюминесцентные диоды с необычным спектром, фотоэлектрических структур с высокой эффективностью. Постоянное уменьшение масштаба открывает путь к производству квантовых наноструктур с ранее неизвестными свойствами. Одним из путей развития нанотехнологии является использование квантовых точек германия в кремнии, которые привлекают внимание как в качестве модельной систе-

мы, так и благодаря их применению в электронной промышленности на основе кремниевых систем [19, 20, 21, 22, 23, 24, 25]. Примером развития технологии может служить металл-оксид-полупроводник полевой транзистор, который стал движущей силой для развития микроэлектронной промышленности. Благодаря тому, что режим работы транзистора оставался почти идентичным, уменьшение его физических размеров повлекло за собой стремительное развитие микроэлектронной промышленности с огромным увеличением интеграции, когда плотность транзисторов удваивается каждые полтора года.

Квантовые точки могут создаваться литографическими методами, такими как травление фокусированными ионными пучками, фотолитография или селективное химическое травление. Альтернативный им и менее подверженный воздействию со стороны метод - это самоорганизация квантовых точек. Самоорганизация может проявляться в металлических, полупроводниковых и молекулярных материалах [26], но для нас важна самоорганизация в процессе гетероэпитаксии при молекулярно-лучевовой эпитаксии (МЛЭ). Возможность выращивания нанокластеров германия в кремнии, которые остаются когерентными [1012] и имеют различные кинетически контролируемые формы [27], открыло возможность для исследования, контроля и использования таких самоорганизованных островков. В гетероэпитаксиальной технологии на основе БЮе, квантовые точки возникают в результате релаксации упругой деформации после роста смачивающего слоя, образующегося по механизму

Странского-Крастанова (СК), см., например, [28, 29, 30]. Разница постоянных решеток между Si и Ge в 4% позволяет реализовать гетероэпитаксиальный рост пленки Ge или 811-хОех на Si подложке, которая остается когерентной [12]. Различие в параметрах решетки обеспечивает значительную двухосную деформацию несоответствия параллельно границе пленка/подложка, которая может быть частично снижена вследствие морфологической эволюции в перпендикулярном направлении. Мы будем рассматривать ситуацию только с бездислокационной пленкой, которая имеет больше перспектив использования в оптике или электронике. Это означает, что толщина пленки ограничена критической толщиной Мэтьюза [31] для сохранения когерентности пленки и подложки.

Для создания новых приборов необходимо изучить типичные характеристики квантовых точек с целью разработки соответствующих процессов их самоорганизации. Квантовые наноструктуры, в которых носители заряда локализованы, характеризуются тем, что их размер меньше электронной длины волны де Бройля [21]. Характерный масштаб квантовых точек находится обычно в диапазоне 5-50 нм. В нанометровом масштабе свойства квантовых точек обусловлены их геометрическими размерами и квантовыми явлениями.

Можно сформулировать следующие требования для того, чтобы сделать КТ полезными для устройств, работающих при комнатной температура: КТ должны иметь достаточно малый размер, чтобы получить достаточно глубокие локализованные состояния; массивы КТ должны иметь хорошую равно-

мерность и большую плотность; система должна остаться когерентной и бездислокационной. Такие условия обычно трудно достичь экспериментально, и большое внимание в литературе посвящено созданию массива КТ с нужными параметрами. Синтез самоорганизованных квантовых точек является одним из быстро развивающихся областей для прикладной физики и электронной инженерии. Множество способов были использованы для создания регулярных ансамблей квантовых точек с помощью спонтанной или вынужденной самоорганизации как на обычных подложках [16, 32, 33, 34], так и искусственно структурированных [35, 36, 37]. Спонтанные процессы самоорганизации ограничены распределением по размерам КТ [38]. Основные ростовые процессы направлены на оптимизацию условий роста, использование различной ориентации подложки, последовательности слоев и других параметров для достижения латеральной упорядоченности и уменьшения дисперсии по размерам. Предварительно структурированные подложки используются для создания искусственных центров зарождения. Такой подход позволяет достичь абсолютное позиционирование квантовых точек по отношению к структуре, которая необходима для изготовления приборов.

Задача, которая стоит перед учеными и технологами - это изготовление плотных и однородных массивов сверхмалых квантовых точек на больших масштабах (как правило, на всей подложке). Ключевой вопрос будущих технологий на основе квантовых явлений - сможет ли самоорганизация SiGe кластеров создать достаточно плотный массив квантовых точек с улучшен-

ным управлением и контролем их свойства. Кроме того, гетероэпитаксия подразумевает использование различных материалов и легирующих примесей, которые также оказывают влияние на распределение упругих напряжений. В результате усиливается неравномерность распределения напряжений в островках, которое в свою очередь изменяет механизм роста и влияет на свойства квантовых точек. Поэтому крайне важно установить баланс основных движущих сил зарождения и роста квантовых точек для того, чтобы предсказать и понять явление их самоорганизации, тем самым определив пути улучшения их физических свойств в нанометровом масштабе.

Цель данной работы заключалась в решении фундаментальной проблемы физики конденсированного состояния - разработке физических основ молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе кремния и германия, открывающей новые перспективы использования кремния как материала фотоники.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

1) исследовать процессы морфологических трансформаций поверхности тонких пленок на основе германия непосредственно в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии;

2) установить основные закономерности образования и роста островков на основе германия на поверхности кремния, твердого раствора кремний-германий и окиси кремния;

3) изучить основные физические процессы при росте смачивающего слоя и изменении механизма роста от двумерного к трехмерному;

4) определить закономерности релаксации упругих напряжений при за-ращивании кремнием слоев германия и установить условия вертикального упорядочения нанокластеров германия в матрице кремния.

Для решения указанных задач были решены следующие технические и технологические проблемы:

1) разработана воспроизводимая технология создания плотного массива островков малого размера на основе германия как на поверхности, так и в объеме кремния;

2) разработана технология изготовления эпитаксиальных структур на основе кремния с произвольным профилем легирования, заданной толщиной и чередованием слоев с резкими технологическими границами для изготовления макетов различных приборных устройств;

3) модернизирована установка молекулярно-лучевой эпитаксии GeSi и разработана технологию воспроизводимого роста эпитаксиальных структур с квантовыми точками высокой плотности и малого размера на основе германия в кремнии.

Объекты и методы решения. В качестве объектов исследования использовались пластины монокристаллического кремния разного типа и уровня легирования. Эпитаксия проводилась в ИФП СО РАН на установке моле-кулярно-лучевой эпитаксии «Катунь», разработанной ИФП СО РАН и изго-

товленной Опытном заводе СО РАН. В процессе роста наногетероструктур с квантовыми точками на основе германия в кремнии анализ кристаллической структуры, морфологии поверхности, напряженного состояния и атомной структуры осуществлялся методом дифракции быстрых электронов с записью изменения картины ДБЭ и ее последующей обработкой. Дифракционный контроль процесса роста дополнен анализом морфологии поверхности и структуры получаемых слоев методами сканирующей туннельной микроскопии на установке ex situ и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопией поперечного среза. Данные СТМ позволили проследить эволюцию размеров и плотности островков германия, а методикой ПЭМ исследовалась эволюция изменения формы нанообъектов германия и их кристаллическую структуру.

Научная новизна работы заключается в разработке физических основ молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе кремния и германия. В диссертационной работе впервые решены следующие задачи:

1. Всесторонне изучен процесс роста пленки германия на поверхности Si(100) путем регистрации изменения интенсивности картины ДБЭ in situ. Построена структурная фазовая диаграмма, показывающая области существования напряженных и пластически релаксированных сплошных и остров-ковых пленок германия на поверхности Si(100) в зависимости от толщины и температуры осаждения.

2. На основе экспериментальных данных и расчета предложена качественная модель релаксации двумерной поверхностной решетки, объясняющая изменение ее параметра до значений, превышающих величину рассогласования параметров решеток германия и кремния в момент максимальной шероховатости поверхности за счет деформации краев островков.

3. Обнаружены осцилляции изменения параметра поверхностной атомной ячейки пленки Ge в плоскости роста при двумерном механизме роста. Изменение параметра двумерной решетки на стадии 2D роста обусловлено упругой деформацией краев двумерных островков.

4. Получены гетероструктуры с массивом квантовых точек германия малого размера с высокой плотностью в матрице кремния. Предельная плот-

11 3

ность островков составляет 6-10 см- при температуре осаждения 300 °С с минимальным размером в основании 10-15 нм. Наименьший разброс (15 %) наблюдается у структур с наибольшей плотностью, т.е. выращенных при низких температурах и с высокой скоростью напыления.

5. Впервые получены температурные зависимости толщины 2D-3D перехода для разной скорости осаждения Ge на поверхности Si(100). Критическая толщина имеет немонотонный характер, что связано со сменой механизмов роста смачивающего слоя от двумерно-островкового к двумерно-слоевому путем перемещения ступеней.

6. Впервые установлена зависимость критической толщины перехода от двумерного механизма роста к трехмерному при росте пленок твердых рас-

творов на основе GexSi1-x на поверхности Si(100) от состава и температуры подложки. Температурная зависимость определяется увеличением шероховатости поверхности смачивающего слоя при низкотемпературном росте.

7. Показано, что с увеличением толщины двумерного слоя GexSi1-x критическая толщина морфологических переходов 2D - 3D и hut - dome пленки Ge, растущего на твердом растворе, уменьшается. Уменьшение критических толщин связано с накоплением упругой энергии в слое GeSi, которая суммируется с упругой энергией растущей пленки германия.

8. Впервые установлено, что при росте тройного соединения GeSiSn наблюдается немонотонная зависимость критической толщины перехода 2D-3D подобная зависимости, полученной при росте чистого Ge. Максимум зависимости смещен в низкотемпературную область, что вызвано наличием олова на поверхности роста, который выступает в качестве сурфактанта, ускоряющего поверхностную диффузию.

9. Впервые установлена зависимость толщины пленки кремния, на которой происходит полная релаксация упругих деформаций от толщины ниже залегающего слоя германия. Данная зависимость разграничивает область с вертикальным упорядочением германиевых кластеров и область без упорядочения.

10. Обнаружено, что вертикальное упорядочение островков германия в многослойной структуре приводит к уменьшению их плотности с увеличением их размера. Уменьшение плотности происходит из-за сепарации мест за-

рождения островков при их вертикальном упорядочении вследствие того, что над островками малого размера распределение упругих напряжений недостаточно для образования мест предпочтительного зарождения островков.

11. Показано, что толщина смачивающего слоя зависит от количества повторений слоев кремния и германия. Это связано с эффектом накопления энергии упругих деформаций с увеличением количества повторений.

12. Получен массив островков германия на предварительно окисленной

поверхности кремния ультра-малых размеров в основании менее 10 нм и вы-

12 -2

сокой плотностью до 10 см- . Показано, что в отличие от чистой поверхности, рост пленки германия на окисле кремния происходит без образования смачивающего слоя.

13. Обнаружено, что во время окисления поверхности Si(100) при температуре подложки 400 °С и напуске кислорода в камеру до давления 2 10-5 Па наблюдается минимум интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭ, который соответствует максимальной шероховатости поверхности. Это указывает на покрытие поверхности окислом в 0.5 монослоя при послойном окислении.

Практическая значимость работы.

Проведенные исследования послужили основой для создания воспроизводимой технологии роста эпитаксиальных структур с квантовыми точками на основе германия в кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Предложены и реализованы технологические режимы роста для создания ультра плотного массива квантовых точек с минимальными размерами.

Разработана методика создания многослойных бездефектных эпитакси-альных гетероструктур с многократным чередование слоев квантовых точек, используемая для создания макетов фотоприемников ИК диапазона. Высокое совершенство получаемых наногетероструктур обеспечило рекордно низкие темновые токи в этих приборах.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения с общими выводами и содержит 252 страницы текста, включая 89 иллюстраций, 205 наименований списка цитируемой литературы.

Краткое содержание работы. Во введении изложены основы формирования наногетероструктур с квантовыми точками на основе германия в кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии, основные достижения и проблемы к началу выполнения исследований, представленных в диссертационной работе, обоснована актуальность темы, сформулирована цель работы, научная новизна и практическая значимость полученных результатов.

В главе 1 представлены исследования процесса роста пленки германия на поверхности Si(100) методом регистрации изменения интенсивности картины ДБЭ in situ. Построена структурная фазовая диаграмма пленки германия на поверхности Si(100) в зависимости от толщины и температуры осаждения, включающая в себя области существования двумерного смачивающего слоя, hut-кластеров, dome-кластеров и область роста релаксированных

пленок с дислокациями несоответствия в границе раздела. Показана роль периодического изменения шероховатости поверхности тонкой пленки германия на характер релаксации упругих деформаций в процессе формирования смачивающего слоя.

В главе 2 изучен переход от двумерного механизма роста к трехмерному для различных соединений на основе германия. Интерпретация полученных зависимостей критической толщины 2D-3D перехода проведен на основе анализа реализуемых механизмов роста. Показано, что смена механизма роста смачивающего слоя от двумерно-островкового на двумерно-слоевой путем перемещения ступеней приводит к изменению характера температурной зависимости толщины 2D-3D перехода. В случае роста тройного раствора GeSiSn зависимость критической толщины перехода 2D-3D смещена в низкотемпературную область, что вызвано наличием на поверхности роста атомов олова, которые выступают в качестве сурфактанта, ускоряющего поверхностную диффузию.

В главе 3 на основе измерения параметра элементарной поверхностной двумерной ячейки определена толщина пленки кремния, на которой происходит полная релаксация упругих деформаций, вызванных ростом на напряженном слое германия. Доказано, что при толщинах кремния менее необходимой для релаксации происходит вертикальное упорядочение германиевых кластеров в многослойной структуре. Приведены результаты влияния коли-

чества повторений в многослойной структуре на толщину смачивающего слоя и свойства массива германиевых нанокластеров.

Глава 4 посвящена изучению механизма роста тонкой пленки германия на окисленной поверхности кремния. Приведены особенности окисления поверхности 81(100) при напуске кислорода в установку МЛЭ. Установлен механизм роста. Он протекает по механизму Фольмера-Вебера без образования смачивающего слоя. Показаны морфологические и структурные особенности островков германия на окисленной поверхности кремния.

В заключении приведены основные результаты, на основе которых сформулирована научная проблема, личный вклад автора и благодарности.

Личный вклад автора заключается в выборе направления исследований, постановке задачи, концепции проведения экспериментов. Автор лично проводил эксперименты по росту эпитаксиальных структур, участвовал в разработке методики регистрации и анализа картины ДБЭ. При личном непосредственном участии автора проводился анализ экспериментальных результатов, проведение оценок и расчетов, подготовка докладов и публикаций. В опубликованных трудах автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Области существования двумерного смачивающего слоя, Ьи1-кластеров, ёоше-кластеров и ёоше-кластеров с дислокациями несоответствия в границе раздела образуют структурную фазовую диаграмму морфологиче-

ского состояния пленки Ge в процессе роста на поверхности Si(100). Критические толщины пленки, разделяющие эти области, определяются изменением свободной энергии системы и зависят от температуры осаждения и толщины нанесенного слоя германия. Изменение морфологического состояния поверхности германия сопровождается существенным изменением поверхностной атомной ячейки германия в плоскости роста. Ее величина может достигать значений, превышающих величину рассогласования параметров решеток германия и кремния в момент максимальной шероховатости поверхности за счет деформации краев островков.

2. Изменение механизма роста определяет характер температурной зависимости критической толщины смачивающего слоя тонкой пленки германия на поверхности Si(100). Зависимость имеет немонотонный характер с максимумом, положение которого обусловлено сменой механизма роста смачивающего слоя от двумерно-островкового к двумерно-слоевому путем перемещения ступеней. Такого рода зависимость наблюдается при росте пленок Ge и тройного соединения GeSiSn. Критическая толщина перехода от двумерного механизма роста к трехмерному при росте пленок GexSi1-x на поверхности Si(100) определяется составом твердого раствора и зависит от температуры подложки. Увеличение шероховатости с понижением температуры обеспечивает большее количество мест упругих деформаций, таких как ступени и изломы, что приводит к большей степени релаксации упругих деформаций.

3. В процессе роста двумерного смачивающего слоя Ge на поверхности кремния происходит периодическое изменение параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости роста, обусловленное упругой деформацией краев двумерных островков. Периодическое изменение параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости роста имеет тот же характер, что и осцилляции интенсивности зеркального рефлекса, но сдвинуты на полпериода в связи с тем, что максимальная деформация наблюдается в момент минимума интенсивности зеркального рефлекса, когда шероховатость поверхности максимальна.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Никифоров, Александр Иванович, 2016 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Алферов Ж.И. "О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p - i - n (p - n - n), (n - p - р)-структуры с гетеропереходами" / Алферов Ж.И. // ФТП - 1967 - Т. 1 - Стр.436-438.

2. Н.Н. Леденцов. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. / Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. // ФТП - 1998 - Т.32, - №4, - Стр.385-410.

3. R.A. Metzger. Is Silicon-Germanium the New "Materials of the Future" / R.A. Metzger // Compound Semicond. - 1995 - Vol.1 - No3, P. 21.

4. U. Konig. "Future applications of heterostructures" / U. Konig // Physica Scripta - 1996 - V.68 - P.90-101.

5. R.A. Soref. Prospects for novel Si-based optoelectronic devices: unipolar and p-i-p-i lasers. / R.A. Soref // Thin Solid Films - 1997 - V.294 - P.325-329.

6. T. Tashiro. A selective epitaxial SiGe/Si planar photodetector for Si-based OEIC's. / T. Tashiro, T. Tatsumi, M. Sugiyama, T. Hashimoto, T. Morikawa // IEEE Trans. on Electron Devices -1997 - V.44 - P. 545-550.

7. D.J. Paul. Silicon germanium heterostructures in electronics: the present and the future. / D.J. Paul //Thin Solid Films 1998 - V.321 - P.172-181.

8. A.I. Yakimov. Coulomb staircase in Si/Ge structure. / A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov // Phil. Mag. - 1992 - V.B 65 -P.701705.

9. D. Leonard. Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces. / D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars and P. M. Petroff // Appl. Phys. Lett. - 1993 - V.63 -P.32033205.

10. J.-M. Marzin. Photoluminescence of Single InAs Quantum Dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAs. / J.-M. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, and G. Bastard // Phys. Rev. Lett. - 1994 - V.73 - P.716-719.

11. L.N. Aleksandrov. Heteroepitaxy of germanium thin films on silicon by ion sputtering. / L.N. Aleksandrov, R.N. Lovyagin, O.P. Pchelyakov and S.I. Stenin // J. Cryst. Growth, - 1974 - V.24/25 - P.298-301.

12. D.J. Eaglesham. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100). / D.J. Eaglesham and M. Cerullo. // Phys.Rev.Lett., - 1990 - V.64 -P.1943-1948.

13. S. Guha. Onset of incoherency and defect introduction in the initial stages of molecular beam epitaxical growth of highly strained InxGa1-xAs on GaAs(100). / S. Guha, A. Madhukar, and K.C. Rajkumar // Appl.Phys.Lett. - 1990 - 57, -P.2110-2112.

14. A.I. Yakimov. Formation of zero-dimensional hole states in Ge/Si heterostructures probed with capacitance spectroscopy. / A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I..Nikiforov, O.P. Pchelyakov. // Thin Solid Films - 1998 - V.336 - P.332-335.

15. R. Notzel. Self-organized growth of quantum-dot structures. / R. Notzel // Semicond. Sci. Technol. - 1996 - V.11 - P.1365-1380.

16. F. Liu. Self-organized nanoscale structures in SiGe films. / F. Liu and M.G. Lagally // Surf. Sci. - 1997 - V.386- P. 169-181.

17. V.G. Dubrovskii. Kinetics of the initial stage of coherent island formation in heteroepitaxial systems. / V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, and V.M. Ustinov // Phys. Rew. B - 2003 - V.68 - P.075409.

18. S.N. Filimonov. Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth / S.N. Filimonov, Yu.Yu Hervieu // Surf. Sci. - 2002. - V.507-510 - P.270-275.

19. B. Voigtlaender, Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth, / B. Voigtlaender // Surf. Sci. Rep. 2001 - V.43 - P.1-127.

20. I. Berbezier. SiGe nanostructures: new insights into growth processes, / I. Berbezier, A. Ronda, A. Portavoce // J. Phys.: Condens. Matter - 2002 - V.14 -P.8283-8331.

21. K. Brunner, Si/Ge nanostructures. / K. Brunner // Reports on Progress in Physics.- 2002. - V. 65 - P. 27 - 72.

22. J. Stangl. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures, / J. Stangl, V. Hole, G. Bauer // Rev. Modern Phys - 2004 - V.76 - P.725-784.

23. J.-M. Baribeau. Ge dots and nanostructures grown epitaxially on Si, / J.-M. Baribeau, X. Wu, N.L. Rowell, D.J. Lockwood // J. Phys.: Condens. Matter -2006 - V.18 P. R139-R174.

24. D.D. Vvedensky, Ch. Quantum Dots: Self-organized and self-limiting structures. / D.D. Vvedensky // in:, Oxford Handb Nanosci Technol, Eds. A.V. Narlikar, Y.Y. Fu, , Oxford University Press, Oxford, England, - -2010 - Vol. 3 -P.205.

25. I. Berbezier. SiGe nanostructures / I. Berbezier, A. Ronda // Surf. Sci. Rep. - 2009 - V.64 - P.47-98.

26. J.V. Barth, Engineering atomic and molecular nanostructures at surfaces, / J.V. Barth, G. Costantini, K. Kern // Nature - 2005 - V.437 - P.671-679.

27. Y.W. Mo, Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001) / Y.W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally // Phys. Rev. Lett. - 1990 - V.65 - P. 1020-1023.

28. H. Gao, Surface roughening of heteroepitaxial thin film / H. Gao, W. Nix // Annu. Rev. Mater. Sci - 1999 - V.29 - P. 173-209.

29. P. Politi. J. Villain, Instabilities in crystal growth by atomic or molecular beams / P. Politi, G. Grenet, A. Marty, A. Ponchet, J. Villain // Phys. Rep. - 2000 -V.324 - P.271-404.

30. P. Muller. Elastic effects on surface physics / P. Muller, A. Saul // Surf. Sci. Rep. - 2004 - 54 - P.157-258.

31. J.W. Matthews. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations. / J.W. Matthews, A.E. Blakeslee // J. Cryst. Growth - 1974 - 27 - P.118-125.

32. O. Pierre-Louis. Step bunching with general step kinetics: stability analysis and macroscopic models / O. Pierre-Louis // Surf. Sci. - 2003 - V.529 - P.114-134.

33. N. Motta. Controlling the quantum dot nucleation site / N. Motta, A. Sgarlata, F. Rosei, P.-D. Szkutnik, S. Nufris, M. Scarselli, A. Balzarotti // Mat. Sci. Eng. B - 2003 - V.101 - P.77-88.

34. O. Leifeld. In situ scanning tunneling microscopy study of C-induced Ge quantum dot formation on Si(100) / O. Leifeld, E. Muller, D. Grutzmacher, B. Muller, K. Kern // Appl. Phys. Lett. - 1999 - V.74 - P.994-996.

35. E.S. Kim. Control of Ge dots in dimension and position by selective epitaxial growth and their optical properties / E.S. Kim, N. Usami, Y. Shiraki // Appl. Phys. Lett. - 1998 - V.72 - P.1617-1619.

36. Y. Homma. Secondary electron imaging of nucleation and growth of semiconductors for nanostructure fabrication / Y. Homma // Thin Solid Films - 1998 -V.332 - P.262-266.

37. H. Omi. Positioning of self-assembling Ge islands on Si(111) mesas by using atomic steps / H. Omi, T. Ogino // Thin Solid Films - 2000- V.369 - P.88-91.

38. O.G. Schmidt eds. Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots, / O.G. Schmidt // Springer - 2007 - ISBN: 978-3-540-46935-3.

39. Y.-W. Mo Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001). / Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber // Phys.Rev.Lett., - 1990 -V.65, - P.1020-1023.

40. F.K. LeGoues Cyclic Growth of Strain-Relaxed Islands / F.K. LeGoues, M.C. Reuter, J. Tersoff, M. Hammar, and Tromp R.M. // Phys.Rev.Lett. - 1994 -V.73 - P.300-303.

41. H.T. Johnson. Mechanics of coherent and dislocated island morphologies in strained epitaxial material systems. / H.T. Johnson and L.B. Freund // J.Appl. Phys. - 1997 - V.81 - P.6081-6090.

42. V.A. Markov. In situ RHEED control of direct MBE growth of Ge quantum dots on Si (001). / V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov // J.Cryst. Growth - 1997 - V.175/176 - P.736-740.

43. G Abstreiter. Growth and characterization of self-assembled Ge-rich islands on Si. / G Abstreiter, P Schittenhelm, C Engel, E Silveira, A Zrenner, D Meertens and W Jäger. // Semicond. Sci. Technol. - 1996 - V.11 - P.1521-1528.

44. О.П. Пчеляков. Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния и германия / О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, Б. Фойхтлендер // Известия АН, сер. физ. - 2000 - Т. 64 - №2 - Стр.205-214.

45. C. S. Peng. Improvement of Ge self-organized quantum dots by use of Sb surfactant / C. S. Peng, Q. Huang, W. Q. Cheng, J. M. Zhou, Y. H. Zhang, T. T. Sheng and C. H. Tung // Appl. Phys. Lett. - 1998 - V.72 - P.2541-2544.

46. A. Portavoce. Sb-surfactant-mediated growth of Si and Ge nanostructures / A. Portavoce, I. Berbezier, A. Ronda // Phys. Rev. B - 2004 - V.69 - P.155416(1-8).

47. R. Stanley Williams. J. Physical Chemistry. B. Equilibrium Shape Diagram for Strained Ge Nanocrystals on Si(001) / R. Stanley Williams, Gilberto Medeiros-Ribeiro, Theodore I. Kamins, and Douglas A. A. Ohlberg // J. Phys. Chem. B - 1998 - V.102 - P.9605-9609.

48. S.M. Pintus. Morphological transformations of thin heteroepitaxial films / S.M. Pintus, S.I. Stenin, A.I. Toropov, E.M. Trukhanov, V.Yu. Karasyov // Thin Solid Films. - 1987 - V.151 - P.275-288.

49. Bert Voigtlander. Simultaneous molecular beam epitaxy growth and scanning tunneling microscopy imaging during Ge/Si epitaxy. / Bert Voigtlander and André Zinner // Appl. Phys. Lett. - 1993 V.63 - P.3055-3057.

50. Л.Н. Александров. Начальные стадии эпитаксии германия на кремнии при ионном распылении / Л.Н. Александров, Р.Н. Ловягин, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин // В сб.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, ч. II , "Наука", Новосибирск - 1977 - Стр.139-143.

51. I. Berbezier. Dependence of SiGe growth instability on Si substrate orientation. / I. Berbezier, B. Gallas, A. Ronda, J. Derrien. // Surf. Sci. - 1998 -V.412/413 - P.415-418.

52. Eaglesham D.J., White A.E., Feldman L.C. et al. Phys. Rev. Lett. 1993. V.70. P.1643.

53. J. Walz. Stress and relief of misfit strain of Ge/Si(111). / . Walz, A. Greuer, G. Wedler, T. Hesjedal, E. Chilla and R. Koch. // Appl. Phys. Lett. - 1998 -V.73 - P.2579-2581.

54. C. Teichert. Self organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. / C. Teichert // Phys. Rep. - 2002 - V.365 - P.335-339.

55. I. Goldfarb. Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces. / Goldfarb, G.A.D. Briggs. // Surf. Sci. - 1999 - V.433-435 - P.449-456.

56. L. Kubler. Si adatom surface migration biasing by elastic strain gradients during capping of Ge or Si1-xGex hut islands / L. Kubler, D. Dentel, J. L. Bischoff, C. Ghica, C. Ulhaq-Bouillet and J. Werckmann. // Appl.Phys.Lett. - 1998 - V.73 -No.8 - P.1053-1055.

57. Akihiro Ohtake. Strain Relaxation in InAs/GaAs(111)A Heteroepitaxy. / Akihiro Ohtake, Masashi Ozeki, and Jun Nakamura. // Phys.Rev.Lett. - 2000 -V.84 - No.20 - P.4665-4668.

58. I.N. Stranski. Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander / I.N. Stranski, L. Krastanov // Ber. Akad. Wiss. Wien, Mater., Math.-Nat. Kl. IIb - 1938 - V.146 - P.797-810.

59. O.P. Pchelyakov. Molecular beam epitaxy of silicon-germanium nanostructures / O.P. Pchelyakov, Y.B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlaender // Thin Solid Films - 2000 - 367 - P.75-84.

60. O.L. Alerland. Spontaneous formation of stress domains on crystal surfaces / O.L. Alerland, D. Vanderbilt, R.D. Meade, J.D. Joannopoulos // Phys. Rev. Lett. - 1988 - V.61 - P. 1973-1976.

61. L. Zhong. J. Yoshikawa, Evidence of spontaneous formation of steps on silicon (100) / L. Zhong, A. Hojo, Y. Matsushita, Y. Aiba, K. Hayashi, R. Takeda, H. Shirai, H. Saito, J. Matsushita, J. Yoshikawa // Phys. Rev. B - 1996 - V.54 -P.R2304-R2307.

62. A. Ourmazd. Observation of order-disorder transitions in strained-semiconductor systems / A. Ourmazd, J.C. Bean // Phys. Rev. Lett. - 1985 - V.55 - P.765-768.

63. P. Schwander. Mapping projected potential interfacial roughness and composition in general crystalline solids by quantitative transmission electron microscopy / P. Schwander, C. Kisielowski, M. Seibt, F.H. Baumann, Y. Kim, A. Ourmazd // Phys. Rev. Lett. - 1993 - V.71 - P.4150-4153.

64. F. Wu. Reversal of Step Roughness on Ge-Covered Vicinal Si(001) / F. Wu, X. Chen, Z.Y. Zhang, M.G. Lagally // Phys. Rev. Lett. - 1995 - V.74 -P.574-577.

65. M. Cazayous. Strain and composition in self-assembled SiGe islands by Raman spectroscopy / M. Cazayous, J. Groenen, F. Demangeot, R. Sirvin, M. Caumont, T. Remmele, M. Albrecht, S. Christiansen, M. Becker, H.P. Strunk, H. Wawra // J. Appl. Phys. - 2002 - V.91 - P.6772-6774.

66. F.F. Liu. Effect of Strain on Structure and Morphology of Ultrathin Ge Films on Si(001) / F.F. Liu, F. Wu, M.G. Lagally // Chem. Rev. - 1997 - V.97 -P.1045-1062.

67. P. Sutter. Nucleationless three-dimensional island formation in low-misfit heteroepitaxy / P. Sutter, M.G. Lagally // Phys. Rev. Lett. - 2000 - V.84 - P.4637-4640.

68. M. Hammar. In situ ultrahigh vacuum transmission electron microscopy studies of hetero-epitaxial growth I. Si(001)/Ge / M. Hammar, F.K. Legoues, J. Tersoff, M.C. Reuter, R.M. Tromp // Surf. Sci. - 1996 - V.349 - P.129-144.

69. X. Chen. Vacancy-Vacancy Interaction on Ge-Covered Si(001) / X. Chen, F. Wu, Z. Zhang, M.G. Lagally // Phys. Rev. Lett. - 1994 - V.73 - P.850-853.

70. B. Voigtlaender. Evolution of the strain relaxation in a Ge layer on Si(001) by reconstruction and intermixing / B. Voigtlaender, M. Kastner // Phys. Rev. B - 1999 - V.60 - P.R5121-R5124.

71. A. Malachias. X-ray study of atomic ordering in self-assembled Ge islands grown on Si(001) / A. Malachias, T.U. Schulli, G. Medeiros-Ribeiro, L.G. Cancado, M. Stoffel, O.G. Schmidt, T.H. Metzger, R. Magalhaes paniago // Phys. Rev. B - 2005 - V.72 - P.165315(1-9).

72. T.U. Schulli. X-ray in situ observation of semiconductor heteroepitaxy: from surface reconstruction to island growth / T.U. Schulli // Semicond. Sci. Technol. - 2011 - V.26 - P.064003.

73. I. Goldfarb. Nucleation of ''Hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy / I. Goldfarb, P.T. Hayden, J.H.G. Owen, G.A.D. Briggs // Phys. Rev. Lett. - 1997 -V.78 - P.3959-3962.

74. K. Li. Tight binding studies of strained Ge/Si(001) growth / K. Li, D.R. Bowler, M.J. Gillan // Surf. Sci. - 2003 - V.526 - P.356-366.

75. G.-H. Lu. Towards quantitative understanding of formation and stability of Ge hut islands on Si(001) / G.-H. Lu, F. Liu // Phys. Rev. Lett. - 2005 - V.94 -P.176103(3).

76. J. Tersoff. Competing relaxation mechanisms in strained layers / J. Tersoff, F.K. Legoues // Phys. Rev. Lett. - 1994 - V.72 - P.3570-3573.

77. D.E. Jesson. Direct observation of subcritical fluctuations during the formation of strained semiconductor islands / D.E. Jesson, M. Kastner, B. Voigtlaender // Phys. Rev. Lett. - 2000 - V.84 - P.330-332.

78. D. Pachinger. Stranski-Krastanow growth of tensile strained Si islands on Ge (001) / D. Pachinger, H. Groiss, H. Lichtenberger, J. Stangl, G. Hesser, F. Schaffler // Appl. Phys. Lett. - 2007 - V.91 - P.233106 (3).

79. C. Priester. Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy / C. Priester, M. Lannoo// Phys. Rev. Lett. - 1995 - V.75 - P.93-95.

80. C. Ratsch. Mechanism for coherent island formation during heteroepitaxy / C. Ratsch, P. Smilauer, D.D. Vvedensky, A. Zangwill // J. Phys. I France - 1996 - V.6 - P.575-581.

81. P. Muller. The physical origin of the two-dimensional towards three-dimensional coherent epitaxial Stranski-Krastanov transition / P. Muller, R. Kern // Appl.Surf. Sci. - 1996 - V.102 - P.6-11.

82. Y. Chen. Structural transition in large-lattice-mismatch heteroepitaxy / Y. Chen, J. Washburn // Phys. Rev. Lett. - 1996 - V.77 - P.4046-4048.

83. A. Vailionis. Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001) / A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene // Phys. Rev. Lett. - 2000 - V.85 -P.3672-3674.

84. A. Rastelli. Island formation and faceting in the SiGe/Si(001) system / A. Rastelli, H. von Kanel // Surf. Sci. - 2003 - V.532 - P.769-773.

85. I. Goldfarb. Effect of strain on the appearance of subcritical nuclei of Ge nanohuts on Si(001) / I. Goldfarb // Phys. Rev. Lett. - 2005 - V.95 - P.025501(3).

86. L.V. Arapkina. Nucleation of Ge quantum dots on the Si(001) surface / L.V. Arapkina, V.A. Yuryev // Phys. Rev. B - 2010 - V.82 - P.045315(5).

87. K.M. Chen. Step Instabilities: a New Kinetic Route to 3D Growth / K.M. Chen, D.E. Jesson, S.J. Pennycook, M. Mostoller, T. Kaplan, T. Thundat, R.J. Warmack // Phys. Rev. Lett. - 1995 - V.75 -P.1582-1584.

88. O.P. Pchelyakov. Surface Processes and Phase Diagrams in MBE Growth of Si/Ge Heterostructures. / O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I.Nikiforov, L.V. Sokolov // Thin Solid Films, - 1997 - V.306 -P. 299-306.

89. О.П.Пчеляков. Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии / О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, В.А.Марков, А.И.Никифоров, А.И.Якимов // Известия АН, сер. Физическая -1999 - Т.63 - №2 - Стр.228-234.

90. V.A. Markov. RHEED studies of nucleation of Ge islands on Si(001) and optical properties of ultra-small Ge quantum dots. / V.A. Markov, H.H. Cheng, Chih-ta Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. McGlynn, M.O. Henry // Thin Solid Films - 2000 - V.369 -P.79-83.

91. O.P.Pchelyakov. Atomistic aspects of silicon-germanium nanostructures formation by molecular beam epitaxy. / O.P.Pchelyakov, Yu.B.Bolkhovityanov, A.I.Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, L.V. Sokolov, S.A. Teys, and B. Voigtlaender // Atomistic aspects of Epitaxial Growth, ed. M.Kortla et al., Kluwer Academic Publishers - 2002 - P.371-381.

92. O.P. Pchelyakov. Molecular beam epitaxy of silicon-germanium nanostructures. / O.P. Pchelyakov, Yu.B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlaender // Thin Solid Films - 2000 - V.367 - P.75-84.

93. О.П. Пчеляков. Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния и германия. / О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуре-ченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов // ФТП - 2000 - Т.34 -№11 - Стр. 1281-1299.

94. A.I. Nikiforov. In situ RHEED control of self-organized Ge quantum dots. / A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov // Thin Solid Films, - 2001 - V.380 - P.158-163.

95. A.I. Nikiforov. RHEED investigation of limiting thickness epitaxy during low-temperature Si-MBE on (100) surface / A.I. Nikiforov, B.Z. Kanter and O.P. Pchelyakov // Thin Solid Films - 1998 - V.336 - P. 179-182.

96. А.И. Никифоров. Изменение структуры, микрорельефа и упругой деформации при МЛЭ смачивающего слоя Ge на Si / А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанецкий, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С. А.Тийс, В.А. Черепанов, Б. Фойхтлендер // Известия АН, Серия физическая - 2002 - Т.66 - № 2 -Стр. 172-175.

97. O.P. Pchelyakov. MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics. / O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev // Journal of Physics and Chemistry of Solids - 2008 - V.69 - P.669-672.

98. S. Plimpton. Fast Parallel Algorithms for Short-Range Molecular Dynamics. / S. Plimpton // J. Comput. Phys. - 1995 - V. 117 -P. 1-19.

99. С.А. Тийс. Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и зарождении трехмеоных островков Ge на ориентациях (111) и (001) Si / С.А. Тийс // Письма в ЖЭТФ - 2012 - Т.96 - №12 - Стр.884893.

100. А.Н. Карпов. Диагностика нанопленок германия на основе методов дифракции быстрых электронов и компьютерного моделирования в рамках молекулярной статики / А.Н. Карпов, А.И. Никифоров, Е.М. Труханов, Н.Л. Шварц // Сборник материалов 8-го международного семинара: «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики», Великий Новгород, июнь 2016г.

101. А.И. Никифоров. Изменение морфологии поверхности и параметра поверхностной решетки пленки Ge на Si в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. / А.И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков // Журнал физической химии - 2003 - Том 77 - № 10 - Стр. 1896-1899.

102. N. Grandjian. Epitaxial growth of highly strained InxGa1-x As on GaAs(001): the role of surface diffusion length / N. Grandjian and J. Massies // J.Crystal Growth - 1993 - V.134 - P.51-62.

103. P. Turban. In-plane lattice spacing oscillatory behaviour during the two-dimensional hetero- and homoepitaxy of metals. / P. Turban, L. Hennet, S. Andrieu // Surf. Sci. - 2000 - V.446 - P.241-253.

104. M. Pasemann. Direct observation of the atomic structure of interfaces in the systems Si-SiO2 and Ge-GeO2. / M. Pasemann and O.P. Pchelyakov // J. Cryst. Growth - 1982 - V.58 - P.288-289.

105. A.I. Nikiforov. Changes in the Morphology of the Surface and in the Surface Lattice Parameter of a Germanium Film on Silicon During Molecular

Beam Epitaxy. / A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov // Russian Journal of Physical Chemistry - 2003 - V. 77 - No.10 - P.1673-1676.

106. А.И. Никифоров. Осцилляции параметра поверхностной атомной ячейки островков Ge в процессе роста на поверхности Si(100). / А.И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков // Известия Академии Наук. Серия физическая. - 2002 - V.66 - P.169-171.

107. A.I. Nikiforov. Variation of in-plane lattice constant of Si/Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. / A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, R.A. Shaiduk, S.A. Teys, F.K. Gutakovsky and O.P. Pchelyakov // International Journal of Nanoscience - 2007 - Vol. 6 - No. 3/4 - P.297-299.

108. A.I. Nikiforov. Oscillation of in-plane lattices constant of Ge islands during molecular beam epitaxy growth on Si. / A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov and O.P. Pchelyakov // Materials Science and Engineering B, - 2002 - V.89 - P.180-183.

109. А. И. Никифоров. Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометрии. / А. И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков // ФТП - 2001 - Т.35 - №9 - Стр.10321035.

110. А.И. Никифоров. Формирование островков Ge на поверхности Si(100) методом МЛЭ. / А.И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков // Поверхность. - 2002 - Т.6 - Стр.74-78.

111. О.П. Пчеляков. Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей. / О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Н.А.Паханов, Л.В. Соколов, С.И. Чикичев, А.И. Якимов // ФТТ - 2005 - Т.47 - №1 - Стр.63-66.

112. G.E. Cirlin. Optical and structural properties of Ge submonolayer nano-inclusions in a Si matrix grown by molecular beam epitaxy. / G.E. Cirlin, V.A. Egorov, B.V. Volovik, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, N.D. Zakharov, P. Werner and U. Gosele // Nanotechnology - 2001 - V.12 - P.417-420.

113. A.V. Novikov. Photoluminescence ofGe(Si)/Si(0 0 1) self-assembled islands in the near infra-red wavelength range. / A.V. Novikov, D.N. Lobanov, A.N. Yablonsky, Yu.N. Drozdov, N.V. Vostokov, Z.F. Krasilnik // Physica E - 2003 -V.16 - P.467-472.

114. N. M. Santos. Optical study of strained double Ge/Si quantum dot layers. / N. M. Santos, B. P. Falcao, J. P. Leitao, N. A. Sobolev, M. C., Carmo, N. S. Stepina, A. Yakimov and A. I. Nikiforov // Materials Science and Engineering -2009 - V.6 - P.012018(4).

115. V. Cimalla. Temperature dependence of the transition from two-dimensional to three-dimensional growth of Ge on Si(001) studied by reflection high-energy electron diffraction / V. Cimalla and K. Zekentes. // Applied Physics Letters. - 2000. - V. 77 - P. 1452 - 1454.

116. V. Le Thanh. Nucleation and growth of self-assembled Ge/Si(001) quantum dots in single and stacked layers / V. Le Thanh, V. Yam, Y. Zheng, D. Bouchier. // Thin Solid Films. - 2000. - V. 380 - P. 2 - 9.

117. L. Simon. Substrate manipulation by insertion of a thin and strained 2D layer: effect on Ge/Si growth / L. Simon, P. Louis, C. Pirri, D. Aubel, J.L. Bischoff, L. Kubler, D. Bolmont // Journal Crystal Growth. - 2003. - V. 256 -P. 1-6.

118. Zui-min Jiang. Self-organized germanium quantum dots grown by molecular beam epitaxy on Si(100). / Zui-min Jiang, Hai-jun Zhu, Fang Lu, Jie Qin, Daming Huang, Xun Wang, Chang-wu Hu, Yifan Chen, Ziqiang Zhu, Takafumi Yao // Thin Solid Films - 1998 - V.321 - P.60-64.

119. J.A. Floro. Dynamic self-organization of strained islands during SiGe epitaxial growth. / J.A. Floro, E. Chason, M.B. Sinclair, L.B. Freund, G.A. Lucadamo // Appl. Phys. Lett. - 1998 - V.73 - P.951-953.

120. J. Drucker, Diffusional narrowing of Ge on Si(100) coherent island quantum dot size distribution / J. Drucker and S. Chaparro. // Applied Physics Letters. - 1997 - V.71 - P.614-616.

121. K. Sakamoto. Alignment of Ge three dimensional islands on faceted Si(100) surface / K. Sakamoto, H. Matsukata. // Thin Solid Films. - 1998 - V.321 - P.55 - 99.

122. V.A. Markov. Molecular beam epitaxy with synchronization of nucleation / V.A. Markov, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov, S.I. Stenin, S. Stoyanov. // Surface Science. - 1991 - V.250 - P.229-234.

123. O.P. Pchelyakov. RHEED control of nanostructures formation during MBE / O.P. Pchelyakov, I.G. Neisvestnyi, Z.Sh. Yanovitskaya. // Physics of Low-Dimensional Structures. - 1995 - V.10/11 - P.389-396.

124. V. Le Thanh. Vertically self-organized Ge/Si(001) quantum dots in multiplayer structure / V. Le Thanh, V. Yam, and P. Boucaud. // Physical Review B. -1999 - V.60 - P.5851-5857.

125. Y.W. Zhang. Vertical self-alignment of quantum dots in superlattice / Y.W. Zhang, S.J. Xu and C.-h. Chiu. // Applied Physics Letters. - 1999 - V. 74 -P.1809-1811.

126. H. Omi. Applied Surface Science «Self-organization of nanoscale Ge islands in Si/Ge/Si(113) multiplayers» / H. Omi , T. Ogino // Applied Surface Science - 1998 - V.130-132 - P.781-785.

127. T. Tezuka. Two types of growth mode for Ge clasters on Si(100) substrate with and without atomic hydrogen exposure prior to the growth / T. Tezuka and N. Sugiyama. // Journal of Applied Physics. - 1998 - V.83 - P.5239-5243.

128. V. Le Thanh. Fabrication of SiGe quantum dots: a new approach based on selective growth on chemically prepared H-passivated Si(100) surfaces / V. Le Thanh. // Thin Solid Films. - 1998 - V.321 - P.98 - 105.

129. O.G. Schmidt. Influence of pre-grown carbon on the formation of germanium dots / O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst. // Applied Surface Science. - 1998 - V.321 - P.70-79.

130. A.I. Yakimov. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. / A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov // Appl. Phys. Lett. - 1999 - V.75 - P.1413-1415.

131. Ю.Н. Дроздов. Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si(001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex. / Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский // ФТП - 2006 - Т.40 - №3 - Стр.343-346.

132. Z. Tao, N. Zhan, H. Yang, Y. Ling, Z. Zhong, F. Lu. The studies of Ge quantum dots on strained Si07Ge0 3 layer by photoluminescence and deep level transient spectroscopy. / Z. Tao, N. Zhan, H. Yang, Y. Ling, Z. Zhong, F. Lu // Appl. Surf. Sci. - 2009 - V.255 - P.3548-3551.

133. A.I. Nikiforov. Initial stages growth of GexSi1-x layers and Ge quantum dots formation on GexSi1-x surface by MBE. / A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov // Nanoscale Research Letters - 2012 -P.7:561.

134. A.I. Nikiforov. Wetting layer formation in superlattices with Ge quantum dots on Si(100). / A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov // Microelectronics Journal - 2009 - V.40 - P.782-784.

135. .B.W. Dodson. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow / B.W. Dodson and J.Y. Tsao. // Applied Physics Letters. - 1987 -V.51 - P.1325 - 1327.

136. J.C. Bean. GexSi1-x/Si strained-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy / J.C. Bean, L.C. Feldman, A.T. Fiory and S. Nakahara. // Journal of Vacuum Science and Technology A. - 1984 - V.2 - P. 436-440.

137. F. Volpi. Nucleation and evolution of Si1-xGex islands on Si(001) / F. Volpi, A. Portavoce, A. Ronda, Y. Shi, J.M. Gay, I. Berbezier. // Thin Solid Films.

- 2000 - V.380 - P.46 - 50.

138. J.A. Floro. SiGe Coherent Islanding and Stress Relaxation in the High Mobility Regime / J.A. Floro, E. Chason, R.D. Twesten, R.Q. Hwang and L. Freund. // Physical Review Letters. - 1997 - V.79 - P.3946.

139. S.W. Lee. Effects of low-temperature Si buffer layer thickness on the growth of SiGe by molecular beam epitaxy / S.W. Lee, H.C. Chen, L.J. Chen, Y.H. Peng, C.H. Kuan, H.H. Cheng. // Physical Review Letters. - 2002 - V.92 - P.6880

- 6885.

140. Y.H. Luo. Compliant effect of low-temperature Si buffer for SiGe growth / Y.H. Luo, J. Wan, R.L. Forrest, J.L. Liu, G. Jin, M.S. Goorsky and K.L. Wang. // Applied Physics Letters. - 2001 - V.78 - P.454 - 456.

141. W.-P. Huang. The characteristic of strain relaxation on SiGe virtual substrate with thermal annealing / W.-P. Huang, H.H. Cheng, G. Sun, R.-F. Lou, J.H. Yeh and T.-M. Shen. // Applied Physics Letters. - 2007 - V.91 - P.142102(3).

142. Yu.B. Bolkhovityanov. Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / Yu.B.

Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko and L.V. Sokolov. // Journal of Applied Physics. - 2004 - V.96 - P.7665 - 7674.

143. M.L. Lee. Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors / M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, M.T. Bulsara, M.T. Currie and A. Lochtefeld. // Journal of Applied Physics. - 2005 -V.97 - P.011101.

144. J.J. Welser. Electron mobility enhancement in strained-Si N-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors / J.J. Welser, J.L. Hoyt and J.F. Gibbons. // IEEE Electron Device Letters. - 1994 - V.15 - P.100-102.

145. D.V. Yurasov. Features of two-dimensional to three-dimensional growth mode transition of Ge in SiGe/Si(001) heterostructures with strained layers / D.V. Yurasov, Yu.N. Drozdov, M.V. Shaleev and A.V. Novikov. // Applied Physics Letters. - 2009 - V.95 - P.151902(3).

146. A.I. Nikiforov. Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers. / A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov // Applied Surface Science - 2015 - V.354 - P.450-452.

147. A.I. Nikiforov. Ge and GexSi1-x islands formation on GexSi1-x solid solution surface / A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov // Thin Solid Films. - 2012 - V.520 - P.3319 - 3321.

148. В.И. Зиненко. Основы физики твердого тела / В.И. Зиненко, Б.П. Сорокин, П.П. Турчин // М.: Издательство Физико-математической литературы. - 2001 - Стр.1 - 331.

149. Vastola, G. Detailed Analysis of the Shape-dependent Deformation Field in 3D Ge Islands / G. Vastola, R. Gatti, A. Marzegalli, F. Montalenti, Leo Miglio. // Volume 1 of the series Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology, Springer New York. - 2008 - V 1 - P.421-438.

150. А.И. Никифоров. Формирование наногетероструктур Ge/Si и Ge/GexSi1 - x/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии. / А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, О.П. Пчеляков // АВТОМЕТРИЯ - 2014 - №3 -Стр.5-12.

151. А.И. Никифоров. Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК фотоприемников. / А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский, О.П. Пчеляков, А.И.Якимов // Изв. вузов. Физика. - 2012 - Т.55 - №8/2 - Стр.249-250.

152. А.И. Никифоров. Наноструктуры с квантовыми точками Ge в Si: Технология и свойства. / А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков // Узбекский физический журнал, - 2010 - Т.12 - №1-2 - Стр.8-12.

153. A.I. Yakimov. Infrared absorption and admittance spectroscopy of Ge quantum dots on a strained SiGe layer / A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.V. Dvurechenskii // Semiconductor Science and Technology. - 2011 - V.26 - P.125002(8).

154. A.I. Yakimov. Midinfrared photoresponse of Ge quantum dots on a strained Si0.65Ge0.35 layer / A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.A.

Bloshkin, V.V. Kirienko, A.V. Dvurechenskii // Semiconductor Science and Technology. - 2011 - V. 26 - P.085018(4).

155. А.И.Якимов. Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe / А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров // Письма в ЖЭТФ. - 2013 - Т.97 - №3 - С.180 - 184.

156. А.И. Никифоров. Синтез гетероэпитаксиальных пленок SixSnyGe1-x-y на Si(100). / А.И. Никифоров, В.И. Машанов, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, О.П. Пчеляков // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2013 - Т.56. №9/2 - С. 116-118.

157. V. Mashanov. Formation of Ge-Sn nanodots on Si(100) surfaces by molecular beam epitaxy. / V. Mashanov, V. Ulyanov, V. Timofeev, A. Nikiforov, O. Pchelyakov, I.-S. Yu, H. Cheng // Nanoscale Research Letters. - 2011 - V.6 - P.1-5.

158. K. Ueda. Study of superstructures on Sn/Si(001) by means of RHEED-LEED-AES / K. Ueda and K. Kinoshita. // Surface Science. - 1984 - V.145 -P.261-267.

159. A. Wakahara. Surfactant effects of Sn on SiGe/Si heteroepitaxy by molecular beam epitaxy / A. Wakahara, K.K. Vong, T. Hasegawa, A. Fujihara, A. Sasaki. // Journal of Crystal Growth . - 1995 - V.151 - P.52-59.

160. A.I. Nikiforov. Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1-x-y on Si(100) molecular beam epitaxial growth. / A.I. Nikiforov, V.I.

Mashanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov and H.-H. Cheng // Thin Solid Films - 2014 - V.557 - P.188-191.

161. А.Р. Туктамышев. Начальные стадии роста тройных соединений Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ. / А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, С.А. Тийс // Физика и техника полупроводников. - 2015 - Т.49 - №12 -Стр. 1630-1634.

162. В.А. Тимофеев. Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn. / В.А. Тимофеев, А.П. Коханенко, А.И. Никифоров, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев // Известия вузов. Физика - 2015 - Т.58 - №7 - Стр.81-85.

163. A. I. Yakimov. Influence of delta-doping on the performance of Ge/Si quantum-dot mid-infrared photodetectors, / A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. A. Bloshkin, A. I. Nikiforov, and A. V. Dvurechenskii // Journal of Applied Physics -2012 - V.112 - P.034511.

164. L. Cuadra. Type II broken band heterostructure quantum dot to obtain a material for the intermediate band solar cell. / L. Cuadra, A. Marti and A. Luque // Physica E - 2002 - V.14 - P.162-165.

165. K. M. Yu. Diluted II-VI Oxide Semiconductors with Multiple Band Gaps. / K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J. W. Beeman, M. A. Scarpulla, O. D. Dubon, and P. Becla // Phys. Rev. Lett. - 2003 - V.91 - P.246403.

166. A.M. Kechiantz. Self-ordered Ge/Si quantum dot intermediate band photovoltaic solar cells. / A.M. Kechiantz, K.W. Sun, H.M. Kechiyants, L.M.

Kocharyan // Int. Sci. Journal. for Alternative Energy and Ecology ISJAEE. - 2005 - V.12 - P.85-87.

167. A. Luque. Experimental analysis of the quasi-Fermi level split in quantum dot intermediate-band solar cells. / A. Luque, A. Martí, N. López, E. Antolín, E. Cánovas, C. Stanley, C. Farmer, L. J. Caballero, L. Cuadra and J. L. Balenzategui // Appl. Phys. Lett. - 2005 - V.87 - P.083505.

168. A. M. Kechiantz. Band alignment and conversion efficiency in Si/Ge type-II quantum dot intermediate band solar cells. / A.M. Kechiantz, L.M. Kocharyan and H.M. Kechiyants // Nanotechnology - 2007 - V.18 - №40 - P. 405401.

169. K. Eberl. Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge quantum dots on Si. / K. Eberl, O. G. Schmidt, O. Kienzle, and F. Ernst // Thin Solid Films - 2000 - V.373 - P.164-169.

170. C.J. Huang. X-ray evidence for Ge/Si(001) island columns in multilayer structure. / C.J. Huang, Y. Tang, D.Z. Li, B.W. Cheng, L.P. Luo, J.Z. Yu, Q.M. Wang // Journal of Crystal Growth - 2001 - V.223 - P.99-103.

171. O. Kermarrec. ABAB organization of Ge/Si(001) islands in multiplanes grown with low pressure chemical vapor deposition. / O. Kermarrec, Y. Campidelli, and D. Bensahel // J. of Appl. Phys. - 2004 - V.96 - P.6175-6182.

172. Vinh Le Thanh. Strain-driven modification of the Ge/Si growth mode in stacked layers: a way to produce Ge islands having equal size in all layers. / Vinh

Le Thanh, V. Yam, P. Boucaud, Y. Zheng, D. Bouchier // Thin Solid Films - 2000

- V.369 - P.43-48.

173. M. De Seta. Ordered growth of Ge island clusters on strain-engineered Si surfaces. / M. De Seta, G. Capellini, and F. Evangelisti // Phys. Rev.B - 2005 -V.71 - P.115308.

174. Zh.V. Smagina. Chains of quantum dot molecules grown on Si surface pre-patterned by ion-assisted nanoimprint lithography", / Zh.V. Smagina, N.P. Stepina, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, P.A. Kuchinskaya, and A.V. Dvurechenskii // Applied Physics Letters, - 2014 - V.105 - P.153106.

175. V. Le Thanh. Mechanisms of self-organization of Ge/Si(001) quantum dots. / V. Le Thanh // Physica E - 2004 - V.23 - P.401-409.

176. O. Kienzle. Germanium ''quantum dots'' embedded in silicon: Quantitative study of self-alignment and coarsening. / O. Kienzle, F. Ernst, M. Ruhle, O. G. Schmidt and K. Eberl // Appl. Phys. Lett. - 1999 - V.74 - P.269-271.

177. V.A. Shchukin. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces. / V.A. Shchukin, D. Bimberg // Rev. Modern Phys. - 1999 - V.71 - P.1125-1171.

178. C. Teichert, L.J. Peticolas, J.C. Bean, J. Tersoff, M.G. Lagally, Stress-induced self-organization of nanoscale structures in SiGe/Si multilayer films. / C. Teichert, L.J. Peticolas, J.C. Bean, J. Tersoff, M.G. Lagally // Phys. Rev. B - 1996

- V.53 - P.16334-16337.

179. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally, Self-organization in growth of quantum dot superlattices. / J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally // Phys. Rev. Lett. - 1996 - V.76 - P. 1675-1678.

180. M. Herbst. Structural and optical properties of vertically correlated Ge island layers grown at low temperatures» / M. Herbst, C. Schramm, K. Brunner, T. Asperger, H. Riedl, G. Abstreiter, A. Vorckel, H. Kurz, E. Muller // Materials Science and Engineering B - 2002 - V.89 - P.54-57.

181. A.I. Nikiforov. Germanium Nanoislands Formation on Silicon Oxide Surface by MBE. / A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys and A.K. Gutakovsky // Mater. Sci. Semicond. Process. - 2005 - V.8 - P.47-50.

182. A.I. Nikiforov. MBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on Si. / A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Leitao, N.A. Sobolev // Phys. Stat. Sol. (c) - 2007 -V.4 - P.262-264.

183. A.I. Nikiforov. The influence of elastic strains on the growth and properties of vertically ordered Ge "hut"- clusters. / A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov // Thin Solid Films - 2008 - V.517 -P.69-70.

184. О.П. Пчеляков. Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике. / О.П. Пчеляков, А.В.Двуреченский, А.И. Никифоров, А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев,

А.П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Серия: Физика. -2010 - Т.9 - Стр. 59-63.

185. K.A. Lozovoy. Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices. / K.A. Lozovoy, A.V. Voytsekhovskiy, A.P. Kokhanenko, V.G. Satdarov, O.P. Pchelyakov and A.I. Nikiforov // Opto-electronics review. - 2014 - V.22 - P.171-177.

186. V.A. Timofeev. Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy. / V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, V.A. Zinovyev, S.A. Teys, O.P. Pchelyakov // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. - 2015 - V.10 - P.99-103.

187. A.I. Yakimov. Hole states in Ge/Si quantum-dot molecules produced by strain-driven self-assembly. / A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov // J. Appl. Phys. - 2007 - V.102 - № 20, p. 103701.

188. A.I. Yakimov. Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector. / A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and Yu.Yu. Proskuryakov. // J. of Appl.Phys - 2001 - V.89 - P.5676-5681.

189. А.И. Якимов. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм) / А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. // ФТП -2003 - Т.37 - Вып. 11, Стр.1383-1388.

190. B. Voigtländer. Modification of growth kinetics in surfactant-mediated epitaxy / B. Voigtländer, A. Zinner, T. Weber, and H. P. Bonzel // Phys. Rev. B -1995 - V.51 - P.7583-7591.

191. J.J.Lander. Low Voltage Electron Diffraction Study of the Oxidation and Reduction of Silicon / J.J.Lander, L.Morrison. // J.Appl.Phys. - 1962 - V.33 -P.2089-2092.

192. C Y.Wei. Controlled growth of Si/SiO2 tunnel barrier and crystalline Si quantum wells for Si resonant tunneling diodes / Y.Wei, M.Wallace, A.C.Seabaugh. // J.Appl.Phys. - 1997 - V.81 - P.6415-6424.

193. A.A. Shklyaev. High- Density Ultrasmall Epitaxial Ge Islands on Si(111) Sur- faces with a SiO2 Coverage / A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichika-wa. // Phys. Rev. B - 2000 - V.62 - P.1540-1543.

194. A. Barski. Epitaxial growth of germanium dots on Si(001) surface covered by a very thin silicon oxide layer / A. Barski, M. Derivaz, J.L. Rouviere, D. Buttard. // Appl.Phys.Lett. - 2000 - V.77 - P.3541-3543.

195. A.A. Shklyaev. Surface morphology of three-dimensional Si islands on Si(001) surfaces. / A.A. Shklyaev, V. Zielasek // Surface Science - 2003 - V.541 -P.234-241.

196. A.A. Shklyaev. Three-dimensional Si islands on Si.001. surfaces. / A.A. Shklyaev, M. Ichikawa // Phys. Rev. B, - 2001 - V.65 - P.045307.

197. A.A. Shklyaev. Visible photoluminescence of Ge dots embedded in Si/SiO2 matrices. / A.A. Shklyaev, M. Ichikawa // Appl. Phys. Lett. - 2002 - V.80

- P.14321434.

198. M. Derivaz. Growth of highly strained germanium dots on Si(001) covered by a silicon nitride layer. / M. Derivaz, P. Noe, R. Dianoux, A. Barski, T. Schulli and T. H. Metzger // Appl. Phys. Lett. - 2002 - V.81 - P.3843-3845.

199. H. Watanabe. Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillation during layer-by-layer oxidation of Si(001) surfaces / H.Watanabe and T.Baba. // Appl.Phys.Lett. - 1999 - V.74 - P.3284-3286.

200. А.И. Никифоров. Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si./ А.И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, С. А. Тийс, А. К. Гутаковский // Физика твердого тела - 2005 - Т.47 - №1 - Стр. 67-69.

201. А.И. Никифоров. Рост и структура наностровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si. / А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский // Физика твердого тела - 2004 - Т.46 №1, Стр. 80-82.

202. A.I. Nikiforov. Formation of Ge nanoislands on pure and oxidized Si surfaces by MBE. / A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, A.G. Milekhin, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, S. Schulze, and D. R. T. Zahn // Phys. stat. sol. (c) - 2004

- V.1 - No.2 - P.360-363.

203. Т.С. Шамирзаев. Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO2 / Т.С. Шамирзаев, М.С. Сексен-баев, К.С. Журавлев, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков // ФТП, -2005 - Т. 47 - Стр.80-82.

204. A. Fonseca. Optical And Structural Analysis Of Ge/Si Quantum Dots Grown On A Si(001) Surface Covered With A SiO2 Sub-Monolayer. / A. Fonseca; E. Alves; J. P. Leitao; N. A. Sobolev; M. C. Carmo; A. Nikiforov // International Journal Of Nanoscience - 2007 - V:6 - No:3/4 - P.245-248.

205. А.И. Якимов. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. / А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров // Физика твердого тела - 2005 - Т.47 - №1 - Стр.37-40.