Формирование мелкозалегающих легированных слоев в кремнии диффузией из поверхностного источника в условиях быстрой термической обработки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Варзарев, Юрий Николаевич

• Варзарев, Юрий Николаевич
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Варзарев, Юрий Николаевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ МЕТОДОВ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ

1.1. Методы формирования мелкозалегающих слоев в кремниевых структурах

1.2. Анализ известных экспериментальных данных по диффузии примесей в кремний в условиях БТО

Выводы

2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ ЗАМЕЩЕНИЯ В КРЕМНИИ ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ

2.1. Современные представления о диффузии примесей замещения в кремнии

2.2. Моделирование диффузии примеси замещения в кремний при ЪТО.47 Выводы

3. ДИФФУЗИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ ИЗ ПОВЕРХНОСТНЫХ ИСТОЧНИКОВ В УСЛОВИЯХ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

3.1. Диффузия фосфора из легированной силикатной пленки

3.2. Диффузия фосфора из легированной анодной оксидной пленки

Выводы

4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ ДИФФУЗИЕЙ ИЗ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСТОЧНИКА ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ

3

4.1. Влияние БТО на электрические параметры полупроводниковых

структур

4.2. Геттерирование металлических примесей в процессе диффузии фосфора из легированной силикатной пленки в условиях БТО

Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЯ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование мелкозалегающих легированных слоев в кремнии диффузией из поверхностного источника в условиях быстрой термической обработки»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

При переходе к субмикронным размерам происходит вытеснение активных областей элементов интегральных схем в приповерхностный слой. В связи с этим обостряется проблема стабилизации геометрических параметров этих областей при термических обработках. Последнее требует совершенствования технологии микроэлектроники, которое ведется по пути снижения температуры (с использованием нетермически активируемых процессов) или сокращения длительности высоко- температурной обработки.

Среди новых методов, интенсивно внедряемых в процесс изготовления интегральных схем, важное место занимает быстрая термическая обработка (БТО), которая является перспективным методом для формирования мелкозалегающих слоев диффузией из различных источников, что обусловлено, прежде всего, низкой дефектностью диффузионных слоев по сравнению с ионно-легированными.

Высокое качество и малая глубина залегания переходов являются одними из главных условий, которые ставятся при получении быстродействующих интегральных схем, солнечных элементов и датчиков ионизирующих излучений. Для этого необходим тщательный контроль всех технологических операций, который может быть достигнут при интеграции технологического оборудования в единый замкнутый модуль. Наметившийся в последнее время переход от групповой к поштучной обработке подложек, предъявляет повышенные требования к технологическому оборудованию. В этом отношении, экономичность, высокая точность контроля режимов обработки делают БТО незаменимым процессом субмикронной технологии.

Однако присутствие некоторых особенностей применения БТО в технологических процессах по сравнению с традиционными длительными термическими операциями, а также невозможность объяснения их в рамках известных моделей сдерживает интенсивное внедрение БТО в серийное производство. Так, до сих пор не выяснен механизм ускоренной диффузии примеси при БТО, который во многом определяется взаимодействием примеси с точечными дефектами.

Цель и задачи работы.

Целью настоящей работы является разработка модели диффузии примеси в кремний при быстрой термической обработке и исследование температурно-временных режимов формирования мелкозалегающих легированных слоев в кремнии диффузией из поверхностных источников в условиях быстрой термической обработки некогерентным излучением.

Для достижения указанной цели необходимо решение следующих

задач:

- разработать модель поведения дефектно-примесной системы в кремнии при быстрой термической обработке;

- проанализировать влияние режимов нагрева на распределение примеси в легированном слое;

- оценить влияние дефектов, генерируемых при БТО, на характеристики полупроводниковых приборов и исследовать температурно-временные циклы нагрева с целью геттерирования остаточных дефектов.

Научная новизна

- предложена модель диффузии примеси из поверхностного источника, учитывающая кинетику взаимодействия точечных дефектов с атомами примеси; показано, что на начальной стадии процесса преобладающим является межузельный механизм диффузии;

- установлено, что ускорение диффузии фосфора в кремний при БТО определяется комплексами примесный атом - собственный межузельный атом кремния и проявляется при скоростях нагрева свыше 50 °С/с;

- установлена корреляция между распределением примеси в легированной анодной оксидной пленке (АОП) и кремниевой подложке, проявляющаяся при БТО в секундном диапазоне;

- на основе термодинамического анализа реакций окисления кремния в 10%-ом растворе ортофосфорной кислоты в этиленгликоле объясняется неравномерное распределение примеси в АОП; установлено, что фосфор в АОП может находиться как в виде оксида - Р2О5, так и в элементарном виде - Р.

Практическая ценность работы

- выработаны рекомендации по выбору температурно-временных режимов формирования мелкозалегающих р-п-переходов диффузией из легированных силикатных и анодных оксидных пленок в условиях БТО;

- разработан пакет программ в системе МАТЬАВ, позволяющий рассчитывать пространственно-временные распределения примеси и точечных дефектов.

Основные положения, выносимые на защиту

- модель диффузии примеси замещения в кремнии в условиях БТО;

- ускорение диффузии определяется комплексами примесный атом -собственный межузелъный атом кремния;

- ускорение диффузии фосфора в кремний проявляется при скоростях нагрева свыше 50 °С/с;

- при формировании легированного слоя диффузией фосфора из легированной силикатной пленки в условиях БТО происходит геттерирование неконтролируемых металлических примесей в подложке.

Краткое содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы, определены цель и задачи исследований, изложены научная новизна и практическая ценность работы.

В первой главе проведен обзор известных методов формирования мелкозалегающих слоев, которые можно выделить в три группы: 1) ионная имплантация, 2) диффузия из твердофазных источников, 3) диффузия из газовой фазы. Кратко рассмотрены их достоинства и недостатки. Проведен анализ известных экспериментальных данных по диффузии примесей в условиях быстрой термической обработки.

Во второй главе рассмотрены современные представления о диффузии примесей в кремнии. Проанализированы известные модели диффузии. Рассмотрена модель диффузии примеси в кремнии при БТО. Приведены расчетные данные распределения примеси, точечных дефектов и дефектно-примесных комплексов в процессе диффузии. Установлена зависимость между скоростью нагрева и временем распада комплексов.

В третьей главе приведены экспериментальные результаты по легированию кремния фосфором при быстрой термической обработке из легированных силикатных и анодных оксидных пленок. Проведено исследование влияния скорости нагрева на диффузию. Исследована взаимосвязь между распределением примеси в легированной АОП и в кремниевой подложке при БТО. Рассмотрены причины неравномерности распределения примеси в анодной пленке.

В четвертой главе проведено исследование влияния режимов обработки на электрические характеристики полупроводниковых структур. Продемонстрирована возможность геттерирования остаточных примесей из подложки при формировании легированного слоя диффузией фосфора из силикатной пленки при БТО.

В заключении изложены выводы и основные результаты работы.

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ МЕТОДОВ

ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ

1.1. Методы формирования мелкозалегающих слоев в кремниевых структурах

Диффузия является одной из важнейших технологических операций в процессе изготовления полупроводниковых приборов и монолитных БИС и СБИС. Она используется для формирования базовых, эмиттерных и разделительных областей биполярных транзисторов, "карманов" в КМОП-структурах, проводящих слоев диффузионных резисторов, боковых поверхностей щелевидных конденсаторов и др. /1-3/.

При переходе к субмикронным размерам элементов СБИС важной задачей является формирование мелких (-0.1 мкм) переходов. Традиционный метод диффузии для этих целей малопригоден. Этот процесс требует длительного времени и с его помощью нельзя получить мелкие высоколегированные слои.

Применяемая для формирования мелких переходов ионная имплантация обладает рядом недостатков. Это, прежде всего эффект каналирования, который наиболее сильно проявляется при легировании легкими атомами (В). Отжиг постимплантационных кристаллографических дефектов - высокотемпературный процесс, но ограничен во времени для предотвращения перераспределения имплантированной примеси. Это температурно-временное ограничение делает трудным отжиг дефектов, которые приводят к увеличению токов утечки изготавливаемых приборов.

Кроме того, в качестве недостатка следует отметить сложность и высокую стоимость оборудования ионной имплантации.

Одним из наиболее перспективных методов формирования мелких переходов является диффузия в условиях быстрой термической обработки или так называемая быстрая термическая диффузия (БТД). В последнее время ведется интенсивное изучение этого процесса с целью широкого применения в производстве СБИС. В процессах быстрой термической обработки для нагрева используется некогерентное излучение галогенных ламп. По сравнению с традиционной диффузией БТД отличается высокой скоростью нагрева, выдержкой при высокой температуре короткое время (от нескольких секунд до десятков секунд) и быстрым охлаждением. Кроме того, оборудование для быстрой термической обработки потребляет значительно меньше электроэнергии, чем традиционные диффузионные печи, что дает немалый экономический эффект.

Главное преимущество БТД перед ионной имплантацией - это то, что она позволяет избежать структурных повреждений кристаллической решетки, то есть БТД является практически бездефектной технологией.

В качестве источника примеси при БТД обычно используется поверхностный источник, например, легированная пленка эмульсионной композиции, легированный окисел, полученный химическим осаждением из газовой фазы. В качестве источника может быть использован легированный поликремний. Возможна также БТД из газовой фазы.

Рассмотрим подробнее методы формирования мелкозалегающих переходов.

Твердофазные методы легирования.

1. Планарный твердофазный источник. Диффузия из планарного твердофазного источника успешно используется в традиционном процессе, и ожидалось, что это будет простой дешевый и эффективный источник для БТД, несмотря на то, что для его приготовления требуется длительное время. Однако, как показали эксперименты, в случае диффузии Р и Ав при малой длительность процесса не успевает проходить термическое разложение материала источника с образованием оксидов (Р2О5 и АзгОз) и последующим их переносом к поверхности кремния (границе раздела) и диффузией /4/.

В случае диффузии В оксид В20з образуется на поверхности В>1-источника в процессе окисления перед диффузией, но его реализация в процессе БТД неэффективна вследствие малого времени процесса. Инжекция водорода в камеру, которая приводит к образованию борной кислоты вследствие гидрогенной реакции с В2О3, ускоряет процесс, но дает слишком большую толщину боросиликатного стекла /5/.

2. Легированный поликремний. Другой источник примеси, используемый в процессе БТД - легированный слой поликремния, осажденный на кремниевую подложку /6,7/. Эта технология решает проблему постимплантационных повреждений в кремнии, так как имплантация выполняется в нелегированный поликремний или в аморфный кремниевый слой. Энергия имплантации выбирается так, чтобы примесь вводилась только в осажденный слой и не проникала в подложку. Высокая скорость диффузии в поликремнии вследствие диффузии по границам зерен и доменная структура поликремниевого слоя делает этот источник более эффективным по сравнению с легированным аморфным слоем.

В традиционной технологии диффузии поликремниевый слой может рассматриваться как источник с постоянной концентрацией вследствие высокой скорости диффузии примеси в поликремнии. Однако при БТД вследствие малой длительности процесса многие эффекты, такие как объемная диффузия, диффузия по границам зерен, эпитаксиальная рекристаллизация, образование оксида и сегрегация примеси на границе раздела негативно сказываются на эффективности диффузии /8/. Все эти эффекты должны быть учтены и хорошо изучены для определения оптимальных режимов процесса.

Никакого влияния зернистой структуры поликремния на однородность перехода вследствие диффузии по границам зерен не наблюдалось для переходов толще 0.1 мкм. Однако это влияние может проявляться для ультрамелких переходов (тоньше 0.1 мкм), требуемых для УСБИС. Зернистая структура источника может быть также причиной шероховатости границы раздела кремний-поликремний, что может привести к деградации вольт-амперных характеристик формируемых приборов.

3. Силицид как диффузионный источник. Данный метод является логическим продолжением традиционной силицидной технологии и технологии ионно-лучевого перемешивания. Различные варианты этого метода исследованы в 191, Примесный источник создается ионной имплантацией через пленку металла или силицида; последующая диффузия в кремний приводит к образованию мелких переходов. Для этих целей используются различные силициды, такие как ^¡2, \VSi2, СоБ12, Та81г, №812, Мой и 1481.

Имплантация в кремний через слой силицида не решает всех проблем традиционной имплантации, таких как повреждения кристаллической

решетки и эффект каналирования. В действительности же добавляются новые проблемы - очень высокая чувствительность профиля распределения примеси к толщине силицида, термическая деградация силицида, токи утечки вследствие обратной диффузии примеси из кремния в силицид.

Более перспективным методом легирования является метод, использующий силицид как диффузионный источник 191. В этом случае примесь имплантируется в силицидный слой. Однако этот метод также имеет ограничения. Так, например, формирование мелких высоколегированных слоев затруднено вследствие сегрегации примеси на границе раздела и образования комплексов металл-примесь. Даже несмотря на то, что имплантационные повреждения ограничены слоем силицида, шероховатость границы раздела силицид-кремний может привести к увеличению токов утечки свыше 1-10 нА/см . Шероховатость границы раздела силицид-кремний может быть снижена и, следовательно, уменьшены токи утечки, если для формирования силицида применяется технология ионно-лучевого перемешивания. Малые токи утечки в переходах, полученных данным методом показывают также, что отжиг при температурах порядка 1000 °С не приводит к образованию глубоких рекомбинационных центров, содержащих атомы металла.

Газофазные методы легирования.

1. Сверхтонкие высоколегированные переходы можно получить методом газоиммерсионного лазерного легирования (GILD). Суть метода заключается в следующем. Поверхность кремния обрабатывается лазерным лучом в атмосфере, содержащей газофазную примесь: диборан, трифторид бора, арсин. Лазерное излучение вызывает локальное расплавление кремния,

примесь адсорбируется на поверхности и очень быстро диффундирует в расплавленный кремний. Последующая кристаллизация дает резкий профиль распределения примеси. Получается очень тонкий переход с малым сопротивлением вследствие высокой активации примеси. Толщина расплавленного слоя определяется мощностью лазерного излучения. Данный процесс не приводит к кристаллическим повреждениям, на что указывают малые токи утечки переходов эмиттер-база и коллектор-база /10/. Преимущество данного метода заключается в возможности локальной обработки подложки. Недостатки - невозможность точно контролировать границы расплавляемой области и высокая стоимость оборудования. Сейчас эта технология находится в стадии исследования и ожидается ее применение в производстве планарных структур.

2. Методы легирования из молекулярного слоя /11/ и быстрого парофазного прямого легирования /12/ также используют газофазный источник, но при этом нагревается вся подложка до относительно низких температур (800-900 °С) либо в печи, либо в установке БТО. Отжиг может проводиться в атмосфере водорода, содержащей ВгНб, что способствует адсорбции диборана на поверхность кремния с последующей его диссоциацией и диффузией бора в кремний. Оба метода позволяют получать очень тонкие переходы (менее 30 нм) и хорошо контролируются потоком газа и временем обработки.

Слои п-типа получают газофазным легированием при атмосферном или пониженном давлении с использованием арсина или тетрабутиларсина /13/. В этом случае для получения достаточной поверхностной концентрации мышьяка требуется более высокая температура (900-1000 °С).

Отметим, что эти методы применяются для легирования обратной стороны подложки.

3. Плазменное иммерсионное легирование - еще один метод, основанный на применении газофазного источника. Он также может быть использован для формирования мелких переходов /14/. Этот процесс сходен с парофазным прямым легированием, однако для активации молекул примеси используется плазменный источник - короткие импульсы отрицательного смещения прикладываются к кремниевой подложке для увеличения внедрения примеси в подложку. Следовательно, имеет место имплантация примеси в приповерхностный слой, но с меньшей энергией по сравнению с традиционной ионной имплантацией, что не приводит к образованию дефектов, о чем свидетельствуют низкие токи утечки формируемых приборов.

В противоположность GILD, плазменное иммерсионное легирование и прямое парофазное легирование могут быть использованы для формирования 3-мерных структур. Следует также отметить, что эти газофазные методы находятся в стадии исследования.

1.2. Анализ известных экспериментальных данных по диффузии примесей в кремний условиях БТО

Как предполагалось ранее одним из главных достоинств быстрой термической обработки (БТО) является возможность электрической активации ионно-импл актированной примеси без существенного ее перераспределения. Однако проведенные исследования показали значительное размытие ионно-имплантированных профилей после быстрого

термического отжига /15,16/, то есть в этих случаях имела место ускоренная диффузия примесных атомов. Это объясняется отжигом радиационнных дефектов, образующихся в кремнии при ионной имплантации.

Однако, эксперименты по диффузии из поверхностного источника в условиях быстрой термической обработки также выявили эффект ускорения диффузии.

В работе /17/ исследована БТД бора в кремний п-типа из легированного оксида, полученного химическим парофазным осаждением. Концентрация

лл

примесных атомов в пленке составляла 10 см"". Отжиг образцов проводился в диапазоне температур 900-1250 °С в течение 20-120 с. Концентрационные профили распределения носителей заряда в диффузионных слоях, полученные методом дифференциальной проводимости, приведены на рис. 1.1. Оцененные по ним коэффициенты диффузии показывают ускорение процесса на 1-2 порядка. Отличительной особенностью является также то, что вблизи поверхности концентрация бора превышает предел растворимости. Зависимость поверхностного сопротивления от времени диффузии имеет линейный характер. Это указывает на то, что лимитирующей стадией процесса является химическая реакция на поверхности кремния. Оценена энергия активации процесса - 1.8±0.2 эВ, однако не сделано никаких предположений о механизме диффузии.

В работе /18/ описана двустадийная БТД фосфора и бора из твердофазного диффузионного источника (фосфоро- и боросиликатного стекла). На первом этапе диффузант транспортировался из источника на подложку при температуре 800 °С. Таким образом, на поверхности создавался тонкий слой легированного стекла. На втором этапе пластина-источник убиралась, и обрабатываемая пластина нагревалась до температуры

Профили распределения концентрации носителей заряда в легированных бором слоях, полученных диффузией из поверхностного источника в течении

120 с при различных температурах /17/

глубина, мкм

1 - 900 °С, 2 - 1050°С, 3 - 1200°С, 4 - 1250 °С .

Рис. 1.1

900-1100 °С в течение нескольких секунд в атмосфере азота. Скорость нагрева и охлаждения составляла 250 °С/с. Методом масс-спектроскопии вторичных ионов (МСВИ) были получены профили распределения примеси (рис. 1.2, 1.3), на которых четко можно выделить два участка: 1) приповерхностный, с постоянной концентрацией примеси и 2) с экспоненциально убывающей концентрацией. Сделано предположение, что ускорение диффузии происходит на этапе охлаждения, когда скорость изменения концентрации точечных дефектов отстает от скорости изменения температуры и, таким образом некоторое время концентрация точечных дефектов в кристалле превышает равновесную. Анализ полученных данных по методу Больцмана-Матано позволил оценить эффективное время диффузии, которое определяется выражением

где - время отжига;

^гапв - время диффузии на этапах нагрева и охлаждения;

1с}ег - дополнительный член, учитывающий время жизни точечных дефектов.

В случае диффузии фосфора с. Это дополнительное время можно не учитывать в традиционной диффузии, но при БТД оно должно быть учтено.

В случае диффузии бора дополнительное время сильно зависит от температуры. Это может быть объяснено влиянием обогащенного бором приповерхностного слоя.

Однако, на наш взгляд величина , характеризующая время жизни точечных дефектов является слишком большой, поскольку за это время температура падает до таких величин, при которых вакансии становятся

Профили распределения фосфора после быстрой термической диффузии из фосфоросиликатного стекла (Т -1100 °С) /18/

1 - 2 с, 2-5 с, 3-10 с

Рис. 1.2

Профили распределения бора после быстрой термической диффузии из боросиликатного стекла (Т - 1000 °С) /18/

ю

23

10

22

со

0 1021

К

=Г ГО

е-ю20

1

<и

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Варзарев, Юрий Николаевич

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Предложена модель диффузии примеси из поверхностного источника, учитывающая кинетику взаимодействия точечных дефектов с атомами примеси и позволяющая рассчитывать профили распределения примеси с учетом скорости нагрева. На основе предложенной модели установлено, что ускорение диффузии примеси определяется комплексами примесный атом -собственный межузелъный атом кремния.

2. Теоретически обосновано и экспериментально подтверждено, что ускорение диффузии фосфора в кремний при БТО проявляется при скоростях нагрева свыше 50 °С/с. Показано, что при формировании мелкозалегающих р-п-переходов диффузией из поверхностного источника в условиях БТО необходимо учитывать скорость нагрева.

3. Экспериментально установлена корреляция между распределением примеси в легированной анодной оксидной пленке и в кремниевой подложке при быстрой термической обработке в секундном диапазоне. Показано, что для исключения влияния неравномерности распределения примеси в пленке на распределение ее в кремнии анодные оксидные пленки следует использовать для формирования слоев с глубиной залегания более 0.25 мкм.

4. На основе термодинамического анализа реакций окисления кремния в 10%-м растворе ортофосфорной кислоты в этиленгликоле предложено объяснение неравномерности распределения примеси в анодной: оксидной пленке; установлено, что фосфор в анодной оксидной пленке может находиться как в виде оксида Р2О5, так и в элементарном виде Р.

5. Установлена возможность генерирования неконтролируемых металлических примесей легированной силикатной пленкой в процессе диффузии фосфора в кремний в условиях БТО.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Варзарев, Юрий Николаевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Технология СБИС. Кн. 1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. -М.:Мир,1986.- 404с.

2. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. Пер. с англ./ Под. ред. П.Антонетти, Д.Антониадиса, Р.Даттона, У.Оуадхома. - М.: Радио и Связь, 1988. - 496 с.

3. Петросянц К.О., Мазинг О.В. Моделирование диффузии примесей в кремнии.// Зарубежная электронная техника, 1991, №5-6, с.3-86.

4. Naoto Matsuo, Seidji Okuda, Yuichi Hirofuji . Doping of trench side-walls using an arsenic planar-type solid-diffusion source (S-D Source) and analisis of doping uniformity by secondary ion mass spectroscopy (SIMS). // Jap. J. Appl. Phys., vol. 28. no. 10, p. LI866, 1989.

5. K.T. Kim and С. K. Kim Formation of shallow p+-n junctions using boron nitrid solid diffusion source // IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-8, p.569, Dec. 1987.

6. H.J. Bohm, H. Wendt, H. Oppolzer, K. Masseli. Diffusion of В and As from policristalline silicon during rapid optical annealing // J. Appl. Phys. vol. 62, no. 7, p.2784, 1987.

7. C.M. Osburn, S. Chevarcharoenkul, G.E. McGuire. Junction formation and poly-Si doping for scaled submicron CMOS technology // J. Electrochem. Soc., vol. 139, no. 8, p. 2287,1991.

8. T.D. Kamins. Preparation and properties of polycrystalline silicon films. In Handbook of semiconductor silicon technology, W.C.O. O'Mara, R.B. Herring, L.P. Hunt., Eds. Park Ridge, NJ: Novel Publications, 1990.

9. C.M. Osburn. Formation of silicide, ultra-shallow junctions using low thermal budget processing // J. Elecronic Materials, vol. 19, no. 1, p. 67, 1990.

10.K.H. Weiner, T.W. Sigmon. Thin-base bipolar transistor fabrication using gas immersion laser doping 11 IEEE Electron Device Lett., vol. 10, p. 260, June 1989.

11. J.I. Nishizawa, K. Aoki, T. Akamine. Simple-structured PMOS-FET fabricated using molecular layer doping// IEEE Electron Device Lett., vol. 11, p. 105, Mar. 1990.

12. Yukihiro Kiyota, Takahiro Onai, Tohoru Nakamura et. all. Ultra-thin-base Si bipolar transistor using rapid vapor-phase direct doping (RVD) // IEEE Trans. Electron Device, vol. 39, p. 2077, Sept. 1992.

13.C.M. Ransom, T.N. Jacson et. all. Shallow n+-junctions in silicon by arsenic gas-phase diffusion // J. Electrochem. Soc., vol. 141, no. 5, 1994.

14. S. Qin, N.E. McGrruer, C. Chan, K. Warner. Plasma immersion ion implantation doping using a microwave multipolar bucket plasma // IEEE Trans. Electron Device, vol. 39, p. 2354, Oct. 1992.

15.Masayasu Miyake, Shinj Aoyama. Transient enhanced diffusion of ion-implanteed boron in Si During Rapid Thermal annealing// J.Appl.Phis. 63(5), 1 March 1988.

16. Pennycook S.J., Narayan J., Holland O.W. Transient enhanced diffusion during furnace and rapid thermal annealing of ion implanted silicon.// J. Electrochem. Soc., 1985, vol. 132, no. 8, pp. 1962-1968.

17. J.P. de Sousa, C.M. Hasenck, J.E. Swart. The doping of silicon with boron by rapid thermal processing// Semicond. Sci. Technol. 3 (1988), pp.277-280.

18.Byung-Jin Cho, Sung-Kye Park, Choong-Ki Kim. Estimation of Effectiv Diffusion Time in Rapid Thermal Diffusion Using a Solid Diffusion Sourse // IEEE Trans. Electron Devices, vol.39, no.1, pp.111-117, 1992.

19.A.Usami, M.Ando, M.Tsunekane, T.Wada. Shallow-Junction Formation on Silicon by Rapid Thermal Diffusion of Impurities from a Spin-on Sourse // IEEE Trans. Electron Devices, vol.39, no.1, pp.105-110, 1992.

20. W.Zagozdon-Wosik, P.B.Grabiee, G.Lux. Fabrication of Submicron Junctions -Proximity Rapid Thermal Diffusion of Phoshoms, Boron and Arsenic // IEEE Trans. Electron Devices, vol.41, no. 12, pp. 2281-2290, Dec. 1994.

21.Борисенко B.E., Юдин С.Г. Легирование кремния фосфором из поверхностного источника в процессе секундной термообработки светом // Электронная техника. Сер. Материалы. 1987, № 5, с.32-35.

22. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве/ Под. ред. В.А. Лабунова. - Мн.: Навука i тэхнпса, 1992. -248 с.

23.Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: 1981.

24. R.B. Fair. Diffusion and defect data. 1984, v. 37, p. 1.

25. P.M.Fahey, P.B. Griffin and J.D.Plummer. "Point defects and dopant diffusion in silicon" // Rev. Mod. Phys., vol. 61, no.2, pp.289-384, 1989.

26.R.A. Swalin. J. Appl. Phys., 1958, v. 29, no 2, p. 670.

27. Simmons R.O., Baluffi R.W. Phys. Rev., 1960, 117,52.

28. Hu S.M. Phys. Status Solidi, 1973, B60, 595.

29. Люка Ш. и др. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы: пер. с англ. М., 1980, с.174-183.

30. Ни. S.M. J. Appl. Phys., 1974, v. 45, no. 4, p. 1567.

31. D.A. Antoniadis, I. Moskowitz. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, no. 12, p. 9214.

32. A.M. Lin, D.A. Antoniadis, R.W. Dutton J. Appl. Phys., 1983, v. 54, no. 9, p. 5049.

33. R.B. Fair. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, no. 1, p. 267.

34. S.M. Hu, P.M. Fahey, R.W. Dutton. On models of phosphorus diffusion in silicon. // J. Appl. Phys., 1983, v. 54, no. 12, p. 6912-6922.

35. W.B.Richardson, B.J.Mulvaney Plateau and kink in P profiles diffused into Si: a result of strong bimolecular recombination? // Appl. Phys. Lett, vol.53, no.20, 1988, pp.1917-1919.

36. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения. Под. ред. Д.Миллера, пер. с англ. М.: "Радио и связь", 1989, с.203.

37. D.Mathiot, J.C.Phister. J. Phys. Lett., 1982, v. 43, no. 3, p. L453.

38. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Соловьев С.И., Варзарев Ю.Н. Моделирование процесса быстрой термической диффузии с учетом кинетики взаимодействия атомов примеси с точечными дефектами. // Труды IV Всероссийской НТК с междунар. участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, сентябрь 1997). - Таганрог. - 1997. - с. 15.

39. C.S. Nichlos, C.G. Van de Walle, S.T. Pantelides Mechanisms of dopant impurity diffusion in silicon.// Phys. Rev. B, vol.40, no.8, pp. 5484-5496.

40. D.Mathiot and J.C.Phister Dopant diffusion in silicon: A consistent view involving non-equilibrium defects.// J. Appl. Phys., vol.55, no. 10, pp.3518-3530, May 15, 1984.

41.B.Baccus, T.Wada, N.Shigyo, M.Norishima, H.Nakajima A study of nonequilibrium diffusion modeling - application to rapid thermal annealing and

advanced bipolar technologies. // IEEE Trans. Electron Devices, 1992, vol.39, no.3, pp.648-661.

42.Morin F.J., Maita J.P. Electrical propeties of silicon containing arsenic and boron. //Phys. Rev. 1954. vol. 96, no. 1, pp.28-35.

43. Самарский А.А. Теория разностных схем. M.: Наука. - 1977. - 656 с.

44. A. Arbel, М. Natan. Effective diffusion time during rapid thermal processing. // J. Appl. Phys. 1987, v. 61, no. 3, p. 1209.

45. W.B.Richardson, B.J.Mulvaney Nonequilibrium beheavor of charged point defects during phosphorus diffusion in silicon. // Appl. Phys. Lett, vol.65, no.6, 1989, pp.2243-2247.

46. Сеченов Д. А., Светличный A. M., Бурштейн В. M., Воронцов П. В., Поляков В. В., Соловьев С. И., Агеев О. А. Вакуумная установка импульсной термической обработки ИТО-18МВ // Электронная промышленность. 1991.№5, с.6-7.

47. Грибов В.Г., Зайцевская З.А., Звездочкин А.Р., Зиновьев К.В. Применение силикатных пленок, полученных из растворов, в планарной технологии. // Электронная промышленность. 1978, №1, с. 44-48.

48. Заддэ В.В., Зиновьев К.В., Стребков Д.С., Сурьянинова Т.Н. Использование растворных композиций при низкотемпературной диффузии фосфора и бора в кремний. // Электронная промышленность. 1980, №1, с. 53-55.

49. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Соловьев С.И, Варзарев Ю.Н. Легирование кремния фосфором в процессе быстрой термической обработки. // Известия ТРТУ, 1997,№1, - с. 165-167

50. Новиков В.В., Прихотько Н.Е., Борисенко В.Е. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. 1971.

51. Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Милешко Л.П. Анодные окисные пленки как твердый диффузант в планарной технологии. Зарубежная электронная техника. 1976, №13 (134), с.3-38.

52.Варзарев Ю.Н., Милешко Л.П., Соловьев С.И. Быстрая термическая диффузия фосфора из анодного окисла. // Труды III Всероссийской НТК с междунар. участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, сентябрь 1996). - Таганрог. - 1996. - с. 44.

53.Бобрицкий И.А.., Милешко Л.П., Срывкин Ю.М. Состав и строение легированных анодных оксидных пленок кремния Физика окисных пленок: Тезисы докладов II Всесоюзной научной конференции. 4 1,- Петрозаводск, 1987, с. 18.

54. Сеченов Д.А., Варзарев Ю.Н., Милешко Л.П. Особенности диффузии фосфора из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки. // Известия вузов. Электроника. -1997, №5, - с. 48-50.

55. Капустин Ю.А., Колокольников Б.М., Свешников A.A. Электрические свойства дефектов, образующихся при импульсном фотонном отжиге кремния.// Физика и техника полупроводников, 1988, т.22, №9, с. 1708-1710.

56. Borentsin J.T. // Appl. Phys. Lett., 1986, 49, no. 4, pp. 199-200.

57. Светличный A.M., Соловьев С.И, Варзарев Ю.Н. Влияние режимов быстрой термической обработки на параметры диодов Шоттки. // Труды II Всероссийской НТК с междунар. участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники, микроэлектроники" (Дивноморское, 1995). -Таганрог. -1995 - с. 57

58. Quat V.T. et al. Electron diffusion length in rapid thermal processed p-type silicon. //Appl. Phys. Lett. - 1988, v. 53, no. 20, pp. 1928-1930.

59.Adekoya W-O, Muller J-C, Siffert P. Electrical effects of surface and deep states induced in n-type silicon by rapid thermal processing // Appl. Phys. Lett., 1987, 50, no. 18, pp. 1240-1242.

60. Lu, F. Lu, H. Sun. Electrically active defects in n-type silicon induced by rapid thermal annealing// Semicond. Sci. Techol. 1992, no. 7, pp. 918-922.

61. C.J.Varker, K.V.Ravi // Appl. Phys. Lett., 1974, 45, pp. 272.

62. К.Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии./ Пер. С англ. -М.: Мир, 1984.-475 с.

63. Hartiti, J.C. Muller, P. Siffert. Defect generation and gettering during rapid thermal processing. //IEEE Trans. Electron Devices. 1992, v.39, no.l, p.96-104.

64. J.S. Kang, D.K. Schrder. Gettering in silicon. // J. Appl. Phys., 1989, v.51, no.8, pp.2974-2985.

65. A. Goettzberger, W Shockley. Metal precipitates in Si p-n junctions. // J. Appl. Phys., 1960, v.31, no. 10, pp.1821-1824.

66. J.E.Lawrence. Trans. AIME, 242, 484 (1968).

67. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Соловьев С.И., Агеев О.А. Влияние скорости нагрева на возникновение термонапряжений в кремниевой пластине при быстром термическом отжиге. // Физика и химия обработки материалов, 1992, №5, с.46-52.

68. Vandamme L.K. Noise as a diagnostic tool for qualitu and Reliability of electronic devices.// IEEE Trans. Electron. Dev. 1994, v.41, no.l 1, pp.2176-21-87.

69. Светличный A.M., Коледов JI.А., Уваров Е.Ф. Спектр шума кремния с дислокациями.// ФТП, 1980, т. 14, с.581.