Физико-технологические основы получения наноразмерных пленок жескоцепных полиимидов и их органо-неорганических композиций на основе метода Ленгмюра-Блоджетт тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Голоудина Светлана Игоревна

• Голоудина Светлана Игоревна
• доктор наук
• 2024

Оглавление диссертации доктор наук Голоудина Светлана Игоревна

ВВЕДЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ГЛАВА 1. ПОЛУЧЕНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК ПОЛИИМИДА (ПИ), ГРАФИТОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА, ГРАФЕНА, SiC (ОБЗОР)

1.1. Краткая характеристика ПИ, получение, свойства и применение пленок ПИ

1.2. Получение наноразмерных пленок ПИ с помощью метода Ленгмюра-Блоджeтт (ЛБ)

1.2.1. Формирование мономолекулярных пленок преполимеров ПИ на поверхности воды и перенос их на твердую подложку методом

ЛБ

1.2.2. Получение и структура пленок ЛБ ПИ

1.2.3. Применение пленок ЛБ ПИ

1.3. Получение пленок графитоподобного углерода карбонизацией полимеров

1.4. Сравнительный анализ методов получения пленок графена на твердых подложках

1.4.1. Получение пленок графена на поверхности

монокристаллического SiC

1.4.2. Получение пленок графена на поверхности меди и никеля с последующим переносом на другие типы подложек

1.4.3. Использование чешуек графена и оксида графена для получения пленок графена

1.4.4. Получение пленок графена карбонизацией органических веществ

1.4.5. Заключение

1.5. Получение пленок SiC на Si подложке

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО ГЛАВЕ

ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Установки для исследования монослоев на поверхности воды и получения пленок ЛБ

2.2. Материалы, условия получения монослоев на поверхности воды, характеристика подложек для нанесения пленок ЛБ

2.3. Методы исследования пленок на твердых подложках

Глава 3. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК ЛБ ПРЕПОЛИМЕРА ПИ - АЛКИЛАММОНИЙНОЙ СОЛИ ПОЛИАМИДОКИСЛОТЫ (ПАК) ДФ-оТД И ПИ

3.1. Формирование и характеристика монослоев соли ПАК ДФ-оТД на поверхности воды

3.2. Формирование пленок ЛБ соли ПАК ДФ-оТД на Si подложке

3.3. Исследование структуры пленок ЛБ соли ПАК ДФ-оТД методами рентгеновской и электронной дифракции

3.4. Надмолекулярная структура пленок ЛБ соли ПАК и механизм ее образования

3.5. Формирование и исследование пленок ПИ ДФ-оТД

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО ГЛАВЕ

Глава 4. ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК SiC НА Si ПОДЛОЖКЕ

4.1. Характеристика пленок графитоподобного углерода (GLC), полученных карбонизацией пленок ЛБ ПИ ДФ-оТД на Si подложке

при температуре 1000 °C

4.2. Характеристика пленок, образующихся на подложке Si(111) в результате отжига пленок GLC при температурах 1100 °C и 1200 °C

4.3. Влияние ориентации Si подложки на структуру пленок SiC, полученных при температуре 1200 °C

4.4. Исследование морфологии поверхности пленок GLC и SiC

методом АСМ

4.5. Характеристика «пустот», формирующихся в Si подложке при

росте пленок SiC

4.6. Типы гетероструктур, образующиеся на Si подложке в результате карбонизации пленок ЛБ ПИ и отжига пленок GLC при температурах 1100 °C и 1200 °C

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО ГЛАВЕ

Глава 5. ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК УГЛЕРОДА КАРБОНИЗАЦИЕЙ

ПЛЕНОК ЛБ ПИ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА

5.1. Характеристика пленок углерода, полученных карбонизацией пленок ПИ ДФ-оТД

5.2. Получение пленок углерода со структурой мультиграфена карбонизацией пленок ЛБ ПИ ПМ-пФ

5.2.1. Исследование монослоев соли ПАК ПМ-пФ на поверхности

воды и получение пленок ЛБ соли ПАК и ПИ

5.2.2. Исследование пленок углерода со структурой мультиграфена методами ПЭМ, КРС и АСМ

5.3. Особенности формирования структуры и морфологии пленок углерода, полученных карбонизацией пленок ЛБ ПИ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО ГЛАВЕ

ГЛАВА 6. ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ГЕТЕРОГЕННЫХ

ОРГАНО - НЕОРГАНИЧЕКИХ КОМПОЗИЦИЙ НА РАЗЛИЧНЫХ

СУБСТРАТАХ

6.1. Применение пленок ЛБ ПИ ДФ-оТД для герметизации пор в low-k диэлектрике SiCOH

6.1.1. Проблема герметизации пор в low-k и ULK-диэлектриках

6.1.2. Требования к пленкам, предназначенным для герметизации

пор в low-k и ULK диэлектриках

6.1.3. Характеристика пористой пленки SiCOH на кремниевой подложке и требования к пленке ЛБ ПИ, формируемой на поверхности SiCOH

6.1.4. Определение оптимальных условий осаждения монослоев

соли ПАК ДФ-оТД на поверхность SiCOH

6.1.5. Влияние условий формирования пленки ЛБ ПИ на толщину и показатель преломления пленок SiOCH

6.1.6. Исследование структуры ПИ/SiOCH/Si методами РЭМ и эллипсометрической порометрии

6.2. Применение пленок ЛБ ПИ ДФ-оТД для стабилизации электретного заряда на поверхности диоксида кремния

6.2.1. Проблема повышения стабильности заряда в электретах

6.2.2. Стабилизация электретных свойств в структуре «диоксид кремния - пленка ЛБ ПИ»

6.3. Применение пленок ЛБ ПИ ДФ-оТД для увеличения селективности полимерных газоразделительных мембран

6.3.1. Особенности газоразделительных ПИ мембран

Глава 6.3.2. Формирование и свойства композиционной полимерной

мембраны «ПФО-пленка ЛБ ПИ ДФ-оТД»

6.4. Применение пленок ЛБ ПИ ДФ-оТД для снижения внутреннего напряжения в мембранах микромеханических устройств

6.4.1. Формирование и исследование мембранной структуры

«нитрид кремния - пленка ЛБ ПИ ДФ-оТД»

6.5. Получение свободновисящих наноразмерных мембран ПИ ДФ-

оТД

6.5.1. Формирование наноразмерных мембран ПИ ДФ-оТД на металлической сетке-матрице с размером ячеек 40x40 мкм

6.6. Получение высокопроводящих и оптически прозрачных углеродных пленок на изолирующих подложках карбонизацией

пленок ЛБ ПИ

6.6.1. Электрофизические и оптические свойства пленок углерода, полученных карбонизацией пленок ЛБ ПИ ДФ-оТД на подложках

из кварцевого стекла и сапфира

6.6.2. Электрофизические и оптические свойства пленок углерода, полученных карбонизацией пленок ЛБ ПИ ПМ-пФ на подложках из кварцевого стекла

6.6.3. Сравнение характеристик пленок углерода, полученных на изолирующих подложках разными методами и перспективные направления их применения

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО ГЛАВЕ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

БЛАГОДАРНОСТИ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-технологические основы получения наноразмерных пленок жескоцепных полиимидов и их органо-неорганических композиций на основе метода Ленгмюра-Блоджетт»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Современные тенденции развития микро- и наноэлектроники в первую очередь ориентированы на синтез новых материалов, обладающих прогнозируемыми и востребованными свойствами, а также разработку технологий, обеспечивающих их применение в виде функциональных слоев при создании новых типов приборов, в том числе с гетерогенной органо-неорганической интеграцией. В связи с этим, наряду с использованием неорганических наноматериалов и развитием технологий атомно-молекулярной инженерии, основанных на вакуумных и газотранспортных методах, в последние годы активно ведутся работы по изучению процессов синтеза нанообъектов органической природы. Проводимые в этом направлении исследования связаны с развитием наноархитектоники, в рамках которой делается акцент на получение нанообъектов с необычными свойствами, возникающими при структурообразовании на поверхности раздела фаз [1, 2]. В наноархитектонике и процессах атомно-молекулярного синтеза особое место занимает метод Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ), поскольку этот метод, в отличие от методов полиионной сборки мультислоев (ЬЬЬ) и самосборки мономолекулярных слоев (БАМб), позволяет в максимальной степени контролировать условия образования пленок и управлять процессами структурообразования на границе раздела фаз. Так, например, нерастворимые поверхностно-активные вещества (ПАВ) способны образовывать на поверхности воды мономолекулярные пленки (монослои) с различной кристаллической структурой [3, 4]. При переносе подобных монослоев на подложку структура пленок ЛБ в значительной степени определяется структурой монослоя на поверхности воды [5, 6]. С другой стороны, в процессе осаждения на подложку ограниченно-растворимых ПАВ, не образующих на поверхности воды структурно упорядоченных монослоев, ведущую роль в формировании структуры пленки приобретает поверхность подложки [7]. Следует отметить, что поверхность воды может

использоваться не только для получения мономолекулярных пленок амфифильных веществ (низкомолекулярных и полимерных), но и для структурирования нанообъектов различной природы, в том числе наностержней, нанопроволок, углеродных нанотрубок, супра- и биомолекулярные комплексов, вплоть до живых органелл. При этом поверхность воды идеально подходит для структурирования «плоских» наночастиц: графена и оксида графена, максенов (МХепеБ), металлоорганических рамок (МОБб), полимерных сеток. Накопленный опыт применения метода ЛБ показывает, что он является одним из наиболее универсальных инструментов для структурной организации молекул и нанообъектов на границах раздела фаз и обладает неограниченными возможностями для синтеза наноструктур из различных материалов.

В настоящее время полиимиды (ПИ) [8] активно используются в микро- и нанотехнике. Пленки ПИ характеризуются высокой термостабильностью, механической, химической и радиационной стойкостью. Они применяются в интегрированных микро- и наносистемах в качестве межслойной изоляции, пассивирующих и защитных покрытий, с их участием на гибких субстратах создаются гибридные интегрированные микросхемы; ультратонкие пленки ПИ перспективны для использования в качестве подзатворных и туннельных диэлектриков. Однако существующие технологии нанесения пленок ПИ не позволяют получать однородные пленки ПИ толщиной менее 100 нм, что ограничивает области их применения. В то же время пленки ПИ толщиной от 0.5 нм до нескольких десятков нанометров с прецизионным контролем их толщины могут быть получены с помощью метода ЛБ [9]. Хотя в промышленном производстве в основном применяется гибкоцепный ПИ ПМ-ДАДФЭ (торговая марка «Кар1:оп»), исследования, проведенные в Институте высокомолекулярных соединений РАН (ИВС РАН), показали, что в отличие от гибкоцепных, жесткоцепные ПИ, в полимерной цепи которых отсутствуют «шарнирные» атомы кислорода, по многим параметрам превосходят гибкоцепные ПИ. Уникальные свойства

жесткоцепных ПИ обусловлены их способностью к образованию структурно упорядоченных пленок, что, помимо традиционных областей применения, делает жесткоцепные ПИ перспективными также для получения графитоподобных материалов [10].

В диссертационной работе предложена базовая технология для получения и применения ультратонких пленок жесткоцепных ПИ, включающая следующие процессы:

- формирование на поверхности воды монослоя преполимера ПИ -алкиламмонийной соли полиамидокислоты (ПАК), имеющей дифильное строение;

- перенос полученного монослоя на твердую подложку методом ЛБ;

- термическая обработка пленок ЛБ соли ПАК для проведения реакции циклизации (имидизации) и получения пленок ПИ.

Цель работы: разработка физико-технологических основ процессов структурообразования наноразмерных пленок жесткоцепных ПИ и формирование на их основе органо-неорганических композиций для микро - и нанотехники.

Для достижения указанной цели автором были поставлены и решены следующие основные задачи:

- исследование процессов структурообразования в монослоях соли ПАК на поверхности воды и оптимизация условий переноса монослоев соли ПАК на твердую подложку;

- исследование процессов структурообразования при формировании нанослоевых композиций на основе пленок ПИ, полученных с использованием технологии ЛБ на поверхности различных субстратов,

- формирование и исследование свойств гетерогенных нанослоевых композиций: «пленка ПИ - диэлектрик БЮОИ»; «пленка ПИ - электрет 8Ю2»; «пленка ПИ - бислойная неорганическая мембрана (кремний-нитрид кремния)»; «пленка ПИ - полимерная мембрана полифениленоксида».

- получение пленок мультиграфена на изолирующих подложках карбонизацией пленок ПИ и исследование их электрофизических и оптических свойств;

- получение пленок карбида кремния (БЮ) на кремниевых (Б1) подложках в процессе термодиффузии с использованием карбонизованных пленок ЛБ ПИ.

Объектами исследования являлись: технология ЛБ жесткоцепных ПИ и процессы структурообразования полимерных цепей на поверхности воды, в пленках ЛБ соли ПАК и в пленках ПИ; органо-неорганические нанокомпозиции на основе пленок ЛБ ПИ; карбонизованные пленки ЛБ ПИ; пленки БЮ, полученные на их основе.

Методы исследования. Для исследования процессов структурообразования полимерных цепей соли ПАК на поверхности воды были получены зависимости поверхностного давления в монослое от площади повторяющегося звена полимерной цепи (изотермы сжатия) и зависимости площади монослоя от времени при постоянном поверхностном давлении, характеризующие стабильность монослоя. Монослои соли ПАК переносились на подложки методом ЛБ с определением коэффициента переноса. Для исследования пленок ЛБ соли ПАК и ПИ использовались методы эллипсометрии, электронной и рентгеновской дифракции, рентгеновской рефлектометрии, атомно-силовой микроскопии (АСМ). Пленки углерода и БЮ исследовались методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС), ИК-Фурье спектроскопии, АСМ. Для характеристики слоев мультиграфена использовались методы ПЭМ, КРС, электрофизические методы, а также методы спектроскопии в ИК-, УФ-и видимой областях.

Научная новизна:

1. Исследованы процессы получения нанослоев жесткоцепных ПИ, формируемых с использованием метода ЛБ, и экспериментально установлен характер изменения структурной организации полимерных цепей соли ПАК в монослое на поверхности воды, в пленках ЛБ соли ПАК и в термически имидизованных пленках ПИ с достижением в наноразмерных пленках ПИ плотной укладки полимерных цепей.

2. Экспериментально установлено, что доменная структура пленок ЛБ соли ПАК, формируемая в процессе переноса монослоя методом ЛБ с поверхности воды на твердую подложку, наследуется пленками ПИ и сохраняется после их карбонизации и в пленках БЮ.

3. Разработана методика формирования органо-неорганических композиций на различных субстратах, реализуемая с использованием жесткоцепных ПИ, обеспечивающая достижение в них требуемых электрических, механических и химических свойств

4. Методом карбонизации пленок ЛБ ПИ получены пленки со структурой мультиграфена на изолирующих подложках, характеризующиеся высокой проводимостью и оптической прозрачностью.

5. Предложен метод получения пленок SiC и кремний - углеродных гетероструктур на Si подложках, основанный на росте кристаллической фазы SiC (эндотаксии) в пленке-матрице графитоподобного углерода, полученной карбонизацией наноразмерных пленок жесткоцепного ПИ.

Практическая значимость результатов работы заключается в разработке технологии получения структурно упорядоченных наноразмерных пленок жесткоцепных ПИ и органо-неорганических композиций на основе пленок ЛБ ПИ, углерода, БЮ и других полупроводниковых и диэлектрических материалов.

К наиболее оригинальным и существенным результатам, имеющим наибольшую практическую значимость, следует отнести:

- разработку метода герметизации пор в пористых диэлектриках с использованием пленок ПИ толщиной 4 нм (Патенты: иБ9492841 В2 15.11.2016, ЕР2662151 (В1) 29.08.2018),

- разработку метода стабилизации электретного заряда диоксида кремния с помощью пленок ПИ толщиной 1 -4 нм (Патент России №2002101249/28),

- способ получения свободновисящих мембран ПИ толщиной 30 -75 нм, закрывающие ячейки в сетке-матрице размером 40x40 мкм2.

- способ снижения внутреннего напряжения в мембране нитрида кремния микромеханического устройства посредством формирования на ее поверхности пленок ЛБ ПИ толщиной 50 нм и 100 нм.

- разработку метода повышения коэффициента разделения смесей газов Не/О2 и О2/Ы2, основанного на использовании мембраны полифениленоксида (ПФО) с нанесенной на ее поверхность пленки ПИ толщиной 20 нм.

- получение на кварцевом стекле высокопроводящих пленок углерода толщиной < 5 нм, оптически прозрачных в широком спектральном диапазоне,

- использование метода эндотаксии БЮ в матрице графитоподобного углерода (ОЬС), позволяющего формировать на подложках гетероструктурные композиции: аЬС/Б1, Б1С/аЬС/81, 81С/ОЬС/81С/81, Б1С/Б1.

Научные положения, выносимые на защиту: 1. В структурной организации полимерных цепей алкиламмонийной соли ПАК ДФ-оТД ведущую роль при низких значениях поверхностного давления в монослое (до 27-29 мН/м) играют основные полимерные цепи, а при более высоких давлениях - боковые алифатические цепи. Увеличение взаимодействия алифатических цепей при высоких значениях поверхностного давления в монослое приводит к формированию в пленках ЛБ соли ПАК структуры, в которой основные цепи образуют плотную укладку, а боковые алифатические цепи формируют гексагональную структуру.

2. Экспериментально установлено, что процесс образования пленок ПИ путем термической имидизации пленок ЛБ соли ПАК ДФ-оТД включает в себя два этапа: удаление из пленки третичного амина (150-250 °С) и увеличение плотности пленки ПИ (250-400 °С) с достижением максимально возможной плотной укладки полимерных цепей при толщине « 3 нм (7 слоев).

3. Надмолекулярная структура пленок ЛБ соли ПАК характеризуется наличием объемных доменов, образование которых обусловлено наслаиванием двумерных доменов (областей монослоя) при осаждении монослоя на подложку и экспериментально установлено, что пленки ПИ наследуют доменную структуру пленок ЛБ соли ПАК.

4. Экспериментально установлено, что при карбонизации пленок жесткоцепного ПИ ДФ-оТД при 1000 °С на подложке образуется электропроводящая пленка ОЬС.

5. Эндотаксический синтез БЮ в матрице ОЬС позволяет получать кристаллические пленки БЮ толщиной 30-35 нм при температуре 1200°С; при этом формирование кристаллических зародышей БЮ на границе ОЬС/81(111) происходит при согласовании кристаллических решеток БЮ и

6. Экспериментально установлено, что при отжиге пленок ОЬС на подложках при температурах 1100 °С и 1200 °С в присутствии Бь

содержащей газообразной фазы формируются гетероструктуры Н-SiC/GLC/Si и Н-Б1С/ОЬС/3С^С^ с наноразмерной толщиной слоев БЮ и ОЬС; при этом за счет инактивации поверхности субстрата пленкой ОЬС наблюдается рост гексагональных политипов Б1С.

7. Экспериментально установлено, что при карбонизации пленок жесткоцепного ПИ ПМ-пФ, полученных с использованием метода ЛБ на неструктурированных подложках (кварцевое стекло), формируются пленки со структурой мультиграфена.

Внедрение результатов работы.

Результаты диссертационной работы были внедрены в следующие проекты и организации:

- технология нанесения пленок ЛБ жесткоцепных ПИ в проект с фирмой «IMEC» (Бельгия) «Molecular self-assemling for sealing of ultra-low-k dielectrics developed for advanced nanoelectronic devices», в рамках которого были получены совместные патенты: Патент США: US9492841 B2 15.11.2016, Патент EC: EP2662151 (B1) 29.08.2018;

- лекция «Молекулярная сборка на поверхности жидкой фазы (метод LB) в АНО «Электронное образование для наноиндустрии» в рамках электронного курса «Аддитивные технологии: процессы атомно-молекулярной сборки».

Результаты работы были использованы в следующих организациях:

- технология и методика контроля модифицирующей наноразмерной пленки графитоподобного углерода были использованы при сравнительном исследовании поверхности подложек кремния и карбида кремния в OOO «НПК «АЛМАЗ» (ОГРН 1207800069190) при выполнении договора №137 от 20.12.2021;

- технология получения наноразмерных пленок SiC на Si подложке в пленке-матрице графитоподобного углерода была использована при выполнении работы «Аналитические исследования материалов алмазных теплопроводов и оценки их параметров (договор №10-21/У1 от 01.10.2021г.) в ЦТМ (СПбГЭТУ);

Результаты работы диссертационной работы внедрены в учебный процесс на кафедре микро- и наноэлектроники по дисциплинам: «Процессы микро- и нанотехнологии», «Конструкторско-технологические основы гибкой органической электроники», «Химия наносистем», «Технология гибкой печатной электроники».

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, семинарах и школах:

На международных конференциях: 16th European Conference on Organized films (ECOF16), Paris, France, 2019; 15th European Conference on Organized Films (ECOF 15), Dresden, Germany, 2017; 16th International Conference on Organized Molecular Films, Helsinki, Finland 25-29 July, 2016; 13th International Conference "Advanced Carbon NanoStructures" (ACNS'2017), Saint-Petersburg, Russia, 2017; 4th, 5th, 6th, 7th, 8th, 9th International Symposium "Molecular Order and Mobility in Polymer Systems", (St. Petersburg, 2002, 2005, 2008, 2011, 2014, 2017); The 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016), Kyoto, Japan, 2016; MAM 2016 Materials for advanced metallization, Brussels, Belgium, 2016; VI European Chemistry at Interfaces Conference, Vladimir, 2003; IV Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика - 2002», Зеленоград, 2002.

На всероссийских конференциях:

«Материалы и технологии гибкой электроники», Санкт-Петербург, 2013; XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012, Черноголовка, 2012; XI, XV, XVI, XVII Всероссийская конференция «Структура и динамика молекулярных систем», (Йошкар-Ола, МарГТУ, 2004, 2008, 2009, 2011); Вторая и Третья Всероссийская конференция (с международным участием) "Химия поверхности и нанотехнология" Хилово, Псковская обл., (2002, 2006); V Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования наноматериалов и наносистем, РСНЭ НАН0-2005, Москва, 2005; ХХ Российская конференция по электронной микроскопии РЭМ-2004, Черноголовка, 2004; IV Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 2004; IX международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы

твердотельной электроники», Дивноморское, 12-17 сентября, 2004; IV Международная конференция "Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии", С.-Петербург, 2004; IV национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2003), Москва, 2003; X Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2002), Москва, 2002; Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 2002.

Основные теоретические и практические результаты диссертации опубликованы в 23 печатных работах, среди которых 10 научных статей в изданиях, индексируемом в базах WoS и Scopus, 5 научных статей, входящих в перечень, рекомендованных ВАК РФ, 6 статей опубликованы в других изданиях и материалах конференций, 1 коллективная монография, 1 учебное пособие, 3 патента (US, EP, РФ).

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы, включающего 333 наименований. Основная часть работы изложена на 335 страницах машинописного текста. Работа содержит 137 рисунков и 46 таблиц.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

АСО - атомно-слоевое осаждение

АСМ - атомно-силовая микроскопия

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ГМДС - гексаметилдисалазан

ДММА - диметилацетамид

ДМФ - диметилформамид

ДМДХС - диметилдихлорсилан

ЖК - жидкие кристаллы

ИК - инфракрасный

ИС - интегральная схема

КТР - коэффициент термического расширения

КРС - спектроскопия комбинационного рассеяния

КДБ - кремний дырочного типа проводимости

КЭФ - кремний электронного типа проводимости

ЛБ - Ленгмюр-Блоджетт

МДМ - металл-диэлектрик-металл

МДП - металл-диэлектрик - полупроводник

МТДП - металл-туннельный диэлектрик - полупроводник

МОП - металл - окисел - полупроводник

ПИ - полиимид

Пленки ЛБ ПИ - пленки ПИ, полученные с использованием метода ЛБ ПАВ - поверхностно-активные вещества

ПАК ДФ-оТД - полиамидокислота на основе диангидрида 3, 3', 4, 4',-дифенилтетракарбоновой кислоты и о-толидина

ПАК ПМ-пФ - полиамидлкислота на основе 3, 3',4, 4'-пиромелитового диангидрида и пара-фенилендиамина ПФВ - полифениленвинил

ПФВ - полиоксиазол ПФО - полифениленоксид ПММА - полиметилметакрилат

ПАУ - полициклические ароматические углеводороды

ПЭТ - полиэтилентерефталат

ПФТЭ - политетрафторэтилен

ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия

РЭМ - растровая электронная микроскопия

РФЭС - рентгеновская фотоэлектронная микроскопия

СЗМ - сканирующая зондовая микроскопия

СТМ - сканирующая туннельная микроскопия

СВЧ - сверхвысокие частоты

ТА - третичный амин

ТА-С16 - диметил-н-гксадециламин

ТА-3С18 - о,о',о" - тригексадеканоилтриэтаноламин

УФ - ультрафиолетовый

УБИС - ультра большая интегральная схема

СУО - химическое осаждение из газовой фазы

Е - электрическая прочность

Е'НМ - полная ширина на уровне половины высоты ОЬС - графитоподобньй углерод ГГО - 1п20з:8п02=0.9:0.1

ЬЬЬ - полиионная сборка мультислоев «слой-за-слоем» Ьо^^к - диэлектрик с 8=3.0 ЯС - резистивная емкость

Яа - среднее арифметичекое отклонение профиля Я™ - средняя квадратичная шероховатость ЗЛМ8 - самоорганизующиеся монослои Т - температура

Т - коэффициент пропускания излучения (прозрачность) пленкой

ULK - диэлектрик с 8=2.0 иэ - поверхностный потенциал d - толщина

d1 - расчетная толщина одного слоя в пленке ЛБ d - межплоскостное расстояние n - показатель преломления t - время

Ts - характеристика термостойкости полимера (температура, при которой полимер теряет 5% своей массы) 8 - диэлектрическая проницаемость р - плотность

ps - поверхностное сопротивление, р - удельное объемное сопротивление tgS - тангенс угла диэлектрических потерь av - удельная проводимость ц - подвижность носителей заряда X - длина волны 0 - брэгговский угол 0 - краевой угол смачивания Бмс - площадь монослоя

A0 - площадь, приходящаяся на одну молекулу/повторяющееся звено в

монослое на поверхности воды, полученная экстраполяцией линейного

участка изотермы сжатия до оси п

п - поверхностное давление в монослое

пс - поверхностное давление при разрушении монослоя

Ac - площадь, приходящаяся на одну молекулу/повторяющееся звено, при

разрушении монослоя

п1;2 - поверхностное давление в монослое в области перегиба на изотерме сжатия

Л1,2—площадь, приходящаяся на одну молекулу/повторяющееся звено, а

области разрушения монослоя

к - сжимаемость монослоя

Х- модуль сжатия монослоя

тмс - масса монослоя

М - молекулярная масса вещества

N - число Авогадро

Ср - концентрация раствора

Ур - объем раствора

Бп - площадь подложки

Уб - скорость движения барьера

Уп - скорость движения подложки

К - коэффициент переноса монослоя с поверхности воды на твердую подложку

п - количество проходов подложки через монослой N - количество слоев в пленке ЛБ Ык - суммарный коэффициент переноса

ГЛАВА 1. ПОЛУЧЕНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК ПОЛИИМИДА (ПИ), ГРАФИТОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА, ГРАФЕНА, 81С (ОБЗОР)

1.1. Краткая характеристика ПИ, получение, свойства и применение пленок ПИ

ПИ - синтетические полимеры, содержащие в основной цепи

макромолекулы циклическую имидную группу:

О II

II

О

В зависимости от химического строения радикалов, примыкающих к имидной группе, ПИ могут быть алифатическими, алициклическими и ароматическими, а в зависимости от структуры цепи - линейными или трехмерными [8]. Наибольшее распространение получили ароматические линейные ПИ, обладающие высокой прочностью, термической стабильностью, химической стойкостью. Ароматические ПИ -гетероциклоцепные полимеры, отвечающие общей формуле элементарного звена:

О о II II

где X и Y гетероароматические радикалы.

Варьируя химическое строение «диангидридного» (X) и «диаминного» (У) фрагментов полимерной цепи, можно получать ПИ, обладающие различной структурой и свойствами. Циклические группировки основной

цепи ПИ могут быть соединены друг с другом непосредственно или через «шарнирные» группы. В зависимости от наличия или отсутствия «шарнирных» групп в полимерной цепи ПИ делят на гибкоцепные и жесткоцепные, которые могут существенно отличаться по своим свойствам. Особенностью химического строения полимерной цепи ПИ является наличие в ней комплекса с переносом заряда (рисунок 1.1).

nitrogen atoms have а higher electron density than the carbonyl groups

acceptor andlendittothe

acceptor

carbonyl groups suck electron density iiwav from the acceptor unit

Рисунок 1.1 - Комплекс с переносом заряда в полимерной цепи ПИ [18].

Комплекс с переносом заряда реализуется не только между соседними звеньями полимерной цепи, но и между цепями. При наложении плоско ориентированных полимерных цепей доноры (группы азота) и акцепторы (карбонильные группы) соединяются попарно (рисунок 1.2).

polyimides may stack like this allowing the carbonyls of the acceptor on one chain to interact with the nitrogens of the donor on adjacent chains.

Рисунок 1.2 - Формирование комплекса с переносом заряда между полимерными цепями

ПИ [18].

Образование комплексов с переносом заряда ограничивает подвижность полимерных цепей в ПИ, усиливает взаимодействие между ними, что обуславливает такие свойства ПИ, как механическая прочность, высокая термическая стабильность и химическая стойкость. Для получения ПИ сначала синтезируют преполимер - полиамидокислоту (ПАК) путем взаимодействия диангидрида и диамина. Пленки ПИ формируют нанесенем на поверхность подложки раствора ПАК в органическом растворителе методом полива или центрифугирования с последующей имидизацией полученной пленки. В процессе имидизации (или в ходе реакции циклогидротации) образуются имидные гетероциклы и формируется структура ПИ (рисунок 1.3).

ООНС СООН А ОС СО

^Х ^ "-2НО* —К ^ ^ X ^ К—У—

—окне еокн—У— ОС СО

Рисунок 1.3 - Схема реакции циклодегидратации, в результате которой образуется ПИ.

Проведение реакции циклогидротации возможно двумя способами: путем обработки ПАК химическими реагентами (химическая имидизация) и в результате нагрева ПАК до температур 250-400 °С (термическая имидизация). Было показано, что для ПИ, полученных в результате термической обработки, характерна более высокая стабильность свойств в течение времени и в процессе эксплуатации [19]. Пленки ПИ, помимо механической прочности, высокой термической и химической стабильности, радиационной стойкости, являются хорошими диэлектриками (в«3.0-3.5; 1§5«2-10-3; р «1015 Ом-м) и обладают высокой электрической прочностью (Б>2-106 В/см), что обусловливают активное применение пленок ПИ в микроэлектронике и микросистемной технике в качестве межслойной изоляции, защитных и пассивирующих покрытий, подзатворных диэлектриков фоторезистов, мембран и т.д. [20], [21].

В настоящее время широко применяется гибкоцепный ПИ ПМ-ДАДФЭ (торговая марка Кар1:оп) (рисунок 1.4).

о о

г т

II С

о о

Рисунок 1.4 - Химическая структура ПИ ПМ-ДАДФЭ.

Однако, как показали исследования, проведенные в Институте высокомолекулярных соединений РАН, жесткоцепные ПИ имеют ряд преимуществ по сравнению с гибкоцепными ПИ. Например, жесткоцепный ПИ ДФ-оТД (рисунок 1.5) обладает по сравнению с ПМ-ДАДФЭ более высокой термической стабильностью и, что важно, - низким КТР, близким к КТР большинства материалов, используемых в микроэлектронике (таблица 1.1, рисунок 1.6).

0 0 НзС СНз

^ -

С С

о о

Рисунок 1.5 - Химическая структура ПИ ДФ-оТД. Таблица 1.1 - Сравнительная характеристика пленок ПИ ПМ-ДАДФЭ и ДФ-оТД

ПИ 8 КТР, К-1 р, Омсм Термостойкость 15, °С

ПМ-ДАДФЭ 3,0-4,5 3 10-5 51016-11018 525

ДФ-оТД 3,2-3,3 0,5 10-5 51014-11015 560-570

Органические материалы

Кремний-

органические

материалы

4 6 8 10"6

2

4 6 8 10"5

2

4 б 8 10"4

2

КТР, К 1

5Юг БЦГЧд ЭТ, БЮ А1203 Ре Аи

Си А§ А1

Неорганические материалы

Рисунок 1.6 - Коэффициенты термического расширения разных типов ПИ и

Проведенные в работах [22], [23], [24], [25], [26] исследования показали преимущество жесткоцепного ПИ ДФ-пФ по сравнению с гибкоцепным ПИ ПМ-ДАДФЭ при формировании пассивирующих слоев широкозонных полупроводников, таких как БЮ, ОаЫ и алмаз, в электронных устройствах для высокотемпературной и силовой электроники. Устройства на основе этих полупроводников стабильно работают при температуре 200оС. Исследования электрической прочности пленок ПИ ДФ-пФ толщиной 1.4, 3.6, 6.7 мкм в широком диапазоне температур показало, что они сохраняют свои диэлектрические свойства вплоть до температуры 400 ос [23]. Пленки ПИ, полученные при температуре 400 оС, обладали электрической прочностью 5.3-10 6 В/см [26]. Тем не менее, отмечается, что при толщине пленок менее 0.1 мкм их электрическая прочность резко снижается. Например, пленки толщиной 0.12-0.4 мкм характеризовались Е=2-4-106 В/см, а пленки толщиной 0.017-0.021 мкм - Е=1-104 В/см, то есть электрическая прочность уменьшалась на два порядка.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Голоудина Светлана Игоревна, 2024 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Ariga, K. Nanoarchitectonics Revolution and Evolution: From Small Science to Big Technology / K. Ariga. - https://doi.org/l0.l002/smsc.202000032. -Text: unmediated // Small Science. - 2020. - P. 2000032-1 - 2000032-23.

2. Acharya, S. Soft Langmuir-Blodgett Technique for Hard Nanomaterials / S. Acharya, J. P. Hill, K. Ariga.-https://doi.org/l0.l002/adma.200802648. - Text:unmediated // Advanced Materials. -2009. -V.21. - P. 2959 - 2981.

3. Абрамзон, А.А. Об агрегатном состоянии монослоев ПАВ на поверхности жидкости / А.А. Абрамзон, С.И. Голоудина. - Текст : непосредственный // В кн. Успехи коллоидной химии -Л.: Химия, - 1991. -С. 239-261 - ISBN 5-7245-0765-Х.

4. Kaganer, V. N. Structure and phase transitions in Langmuir monolayers / V. N. Kaganer, H. Mowald, P. Dutta. -DOI: https://doi.org/10.1103/RevModPhys.71.779. - Text : unmediated // Reviews of Modern Physics. - 1999. -Vol. 71, No.3. - P. 779-819.

5. Близнюк, В.Н. Особенности одномерной упорядоченности в мультислойных структурах на основе стеарата свинца/ В.Н. Близнюк, В.В. Цукрук, С.И. Голоудина, В.В. Шилов . - Текст : непосредственный //Украинский физический журнал. - 1989. Т.34,№9. - С.1359-1364.

6. Kajiyama, T. Molecular Aggregation Structure of Barium Stearate Monolayer Based on Electron Microscopy / T. Kajiyama, K. Umemura, M. Uchida [et al.]. - Text: unmediated // Bulletin of the Chemical Society of Japan. -1989. -Vol. 62. - P. 3004-3006.

7. Карагеоргиев, П. П. Переходные слои в пленках Ленгмюра-Блоджетт / Карагеоргиев П.П., Карагеоргиева В.В., Лучинин В.В., А.З. Казак-Казакевич. - Текст : непосредственный // Кристаллография.- 1998. - Т.43, №6. - С. 1027-1036.

8. Bessonov, M. I. Polyimides-thermally stable polymers: M. I. Bessonov, M. M. Koton, V. V. Kudryavtsev, L. A. Laius. -https://doi.org/l0.l002/pol.l988.l40260307. - Text: unmediated // New York: Springer US, 1987. - 313 p. - ISBN [не указан].

9. Kakimoto, M. Preparation of mono- and multilayer films of aromatic polyimides using Langmuir-Blodgett technique / M. Kakimoto, M. Suzuki, T. Konishi [et al.]. - https://doi.org/l0.l246/cl.l986.823. - Text: unmediated // Chemistry Letter. - l986. - Vol. l5, No.5. - P. 823-826.

10. Smirnova, V. E. The effect of different orientations in rigid rod polyimide films on the graphitized products / V. E. Smirnova, I. V. Gofman, T. A. Maricheva [et al.] - https://doi.org/l0.l0l6/j.carbon.2006.ll.0l2. - Text: unmediated // Carbon. -2007. - Vol. 45. - P. 839-846.

11. Hofmann, J. Pseudomophic growth of ultrathin cubic 3C-SiC films on Si(l00) by temperature programmed organometallic chemical vapor deposition / J. Hofmann, S. Veprek, J. Heindl.- https://doi.org/l0.l063/l.369582 . - Text: unmediated // Journal of Applied Phisics. - l999. - Vol. 85, No. 5. - P. 2652- 2657.

12. Haibo, O. Synthesis of a silicon carbide coating on carbon fibers by deposition of a layer of pyrolytic carbon and reacting it with silicon monoxide / O. Haibo, L. Hejun, Q. Lehua, L. Zhengjia, W. Jian, W. Jianfeng. -https://doi.org/l0.l0l6/j.carbon.2008.05.0l7. - Text: unmediated // Carbon. - 2008. -Vol. 46. - P. l339-l344.

13. Jin, B. The growth mechanism of 3C -SiC film polyimide LB film / B. Jin, P. He, Y. Sheng, B. Yang. - https://doi.org/l0.l0l6/S0022-3697(02)00337-2. - Text: unmediated // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -2003. - Vol. 64. -P.339-342.

14. Murakami, M. Highly conductive pyropolymer and high-quality graphite from polyoxadiazole / M. Murakami, S. Yoshimura. - https://doi .org/l0.l0l6/0379-6779(87)9093l-3. - Text: unmediated // Synthetic Metals. - l987. - Vol. l8. - P. 509-5l4.

15. Takeichi, T. Role of the in-plane orientation of polyimide films in graphitization / T. Takeichi, M. Zuo, M. Hasegawa. -https://doi.org/10.1002/polb.10050. - Text: unmediated // J. of Polymer Science: Part B: Polymer Physics. - 2001. - Vol. 39. - P. 3011-3019.

16. Wang, X. Transparent Carbon Films as Electrodes in Organic Solar Cell / X. Wang, L. Zhi, N. Tsao, Z. Tomovic, J. Li, K. Müllen. -https://doi.org/10.1002/anie.200704909. - Text : unmediated // Angewandte Chemie International Edition. - 2008. - Vol. 47. - P. 2990-2992.

17. Jo, H. L. Conversion of Langmuir-Blodgett monolayers and bilaers of poly(amic acid) thtough polyimide to graphene / H. J. Jo, J. H. Lyu , R. S. Ruoff [et al.] - DOI: 10.1088/2053-1583/4/1/014005. -Text: unmediated // 2D Materials. -2017. - Vol. 4 - P. 014005-1 - 014005-7.

18. Polyimides. Текст электронный // Polymer Science Learning Center: [сайт] - URL: https://pslc.ws/macrog/imide.htm (дата обращения 13.06.21).

19. Гофман, И. В. Долговременная стабильность физико-механических свойств пленок термостойких полиимидов/ И. В. Гофман, Мелешко Т. К., Богорад Н. Н., Склизкова В. П., Кудрявцев В. В. - Текст: непосредственный // Высокомолекулярные Соединения. Серия А. - 2004. - Т. 46, №7. - С. 1176-1184.

20. Diaham, S. Polyimide for Electronic and Electrical Engineering Applications / S. Diaham. - DOI: 10.5772/intechopen77597. - Text: unmediated // IntechOpen. - 2021. - 334 c. ISBN978-1-83880-098-7.

21. Wu, Z. Progress in Aromatic Polyimide Films for Electronic Applications: Preparation, Structure and Properties /Z. Wu, J. He, H. Yang, S. Yang. [et al.]. - https://doi.org/10.3390/polym14061269. - Text: unmediated // Polymer. - 2022. - Vol. 14, No. 6. - P. 1269-1 - 1269-34.

22. Zelmat, S. Investigation on high temperature polyimide potentialities for silicon carbide power device passivation / S. Zelmat, M.-L. Locatelli, T. Lebey,

S. Diaham. - https://doi.Org/l0.l0l6/i.mee.2005.l0.050. - Text: unmediated // Microelectronic Engineering. - 2006. -Vol. 83. - P. 51-54.

23. Diaham, S. Dielectric breakdown of polyimide films: Area, thickness and temperature dependence / S. Diaham, S. Zelmat, M.-L. Locatelli, S. [et al.]. -DOI: 10.1109/TDEI.2010.5411997. - Text: unmediated // IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation. - 2010. - Vol. 17, No.1. - P.18-27.

24. Benfridja, I. A universal study on the effect thermal imidization has on the physic-chemical, mechanical, thermal and elrctrical properties of polyimide for integrated electronics applications / I. Benfridja, S. Diaham, M., F. Laffir, G. Brennan, N. Liu, T. Kennedy. - https://doi.org/10.3390/polym14091713. - Text: unmediated // Polymer. - 2012. - Vol. 14, No.9. - P. 171-1 - 171-17.

25. Diaham, S. Polyimide passivation effect on high voltage 4H-SiC PiN diode breakdown voltage / S. Diaham, M.-L. Locatelli, T. Lebey [et al.]. -https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.695. -Text: unmediated // Materials Science Forum. - 2009. - Vol. 615. - P. 695-698.

26. Diaham, S. Thermal imidization optimization of polyimide thin films using Fourier transform infrared spectroscopy and electrical measurement / S. Diaham, M.-L. Locatelli, T. Lebey, D. Malec. - https://doi.org/10.1016/i.tsf.2010.10.031. -Text: unmediated // Thin Solid Films. - 2011. - Vol. 519. - P. 1851-1856.

27. Suzuki, M. Preparation of monolayer films of aromatic polyamic acid alkylamine salts at air-water interface / M. Suzuki, M. Kakimoto, T. Konishi [et al.]. - https://doi.org/10.1246/cl.1986.395. -Text: unmediated // Chemistry Letters. -1986. - P. 395-398.

28. Kim, T. W. n-A isoterms and electrical properties of polyamic acid alkylamine salts (PAAS) langmuir-Blodgett films / T. W. Kim, J. Park, J.-S. Choi, D.-Y. Kang. - https://doi.org/10.1016/S0040-6090(95)08376-6. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - 1996. - Vol. 284-285. - P. 500-504.

29. Baker, S. The preparation of high quality Y-type polyimide Langmuir-Blodgett films / S. Baker, A. Seki, J. Seto. - https://doi.org/l0.l0l6/0040-6090(89)90082-5. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - 1989. - V.180. - P.263-270.

30. Tae, G. Stability and transferability of monolayers of polyamic acid salts / G. Tae, S.-M. Kim, Y.-M. Koo, J.-D. Kim, K.-J. Lee. -https://doi.org/l0.l0l6/0379-6779(94)03l84-8. - Text: unmediated // Synthetic Metals. -l995. - Vol. 7l. - P. 2097-2098.

31. Hirano, K. Well-ordered Langmuir-Blodgett films of polyamic acid tert-amine salts bearing multichains / K. Hirano, M. Sato, H. Fukuda. -https://doi.org/l0.l02l/la00048a032. - Text: unmediated // Langmuir. - l992. - No. 8.

- P. 3040-3042.

32. Yokoyama, S. Surface observation of Langmuir-Blodgett films of polyamic acid alkylamine salts and polyimide by atomic force microscopy and friction force microscopy / S. Yokoyama, M. Kakimoto, Y. Imai. -https://doi.org/l0.l0l6/S0379-6779(96)03756-3. - Text: unmediated // Synthetic Metals.

- l996. - Vol. 8l, Issues 2-3. - P. 265-270.

33. Kakimoto, M. Measurement of long alkyl chain tilting angle of Langmuir-Blodgett films of polyamic acid alkylamine salts / M. Kakimoto, A. Morikawa, M. Suzuki. - https://doi.org/l0.l0l6/002l-9797(88)90463-8. - Text: unmediated // Journal of Colloid and Interface Science. - l988. - Vol. l2l, Issue 2.

- P. 599-60l.

34. Nishikata, Y. Preparation and monolayer thickness of Langmuir-Blodgett films of polyimides having various chemical structures / Y. Nishikata, T. Konishi, A. Morikawa, M. Kakimoto, Y. Imai. - https://doi.org/l0.l295/polymj.20.269.

- Text: unmediated // Polymer Journal. - l988. - Vol. 2. - P. 269-272.

35. Uekita, M. Heat-stable aromatic polimer precursor as Langmuir-Blodgett materials / M. Uekita, H. Awaji, M. Murata. - https://doi.org/l0.l0l6/0040-6090(88)90043-0. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - l988. - Vol. l60. -P. 2l-32.

36. Jeong, S.W. A study on the preparation of aromatic polyimide Langmuir-Blodgett films / S.W. Jeong. - https://doi.org/l0.l0l6/S0379-6779(01)00292-2.

- Text: unmediated // Synthetic Metals. - 2001. - Vol.123. - P.183-187.

37. Hayashi, T. Observation of polyimide monolayers by scanning tunneling microscopy / T. Hayashi, H. Yamamura, T. Nishi, M. Kakimoto. -https://doi.org/10.1016/0032-3861(92)90668-M. - Text: unmediated // Polymer. - 1992.

- V.33, No. 17. - P. 3751-3752.

38. Sotobayashi, H. Scanning tunneling microscopy of polyimide monolayers prepared by the Langmuir-Blodgett technigue / H. Sotobayashi, T. Schilling, B. Tesche. - https://doi.org/10.1021/la00097a009. -Text: unmediated // Langmuir. - 1990. - No. 6. - P.1246-1250.

39. Fujiwara, I. Scanning tunneling microscopy study of a polyimide Langmuir-Blodgett film / I. Fujiwara, C. Ishimoto, J. Seto. -https://doi.org/10.1116/1.585235. - Text: unmediated // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1991. - Vol. 9, No. 2. - P. 1148 - 1153.

40. Емельянов, Ю.Л. Исследование структурных превращений в полиимидных пленках Ленгмюра-Блоджетт методом рентгеновской рефлектометрии / Ю.Л. Емельянов [и др.] - Текст: непосредственный // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1993. - №6. - С.95-99.

41. Lee, H. S. Thermally simulated currents of Langmuir-Blodgett films / H. S.Lee, T. W. Kim, M. Iwamoto, D. Y. Kanga - https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00672-5. - Text: unmediated // Thin solid films. - 1998. - V. 327-329. - P. 403-407.

42. Кудрявцев, В. В. Особенности процессов имидизации амфифильных солей жесткоцепных полиамидокислот и структура пленок Ленгмюра-Бложе на их основе / В. В. Кудрявцев, В. П. Склизкова, Ю. Г. Баклагина, Ю. Н. Сазанов, Т. А. Костерева, А. Я. Волков, Н. Д. Степина, В. В. Клечковская, В. В. Беляев, А. З. Казак-Казакевич, Л. А. Фейгин. - Text :

unmediated // Высокомолекулярные Соединения, Серия A. - 2001. - Т. 43, №7. - С. 1211-1220.

43. Баклагина Ю.Г. Исследование пленок поли(4, 4'-оксидифенилен)пиромеллитамида методами рентгеновской и электронной дифракции/ Ю. Г. Баклагина, В. П. Склизкова, В. В. Кудрявцев, Н. Д. Кожурникова, В. В. Клечковская, Л.Г. Янусова, Н. Д. Степина, Л. А. Фейгин.

- Текст непосредственный // Высокомолекулярные соединения Сер. А. -1995. - Т.37,№8. - С. 1361-1367.

44. Степина, Н.Д. Исследование структуры полиимидных пленок Ленгмюра-Блоджетт / Н.Д. Степина [и др.]. - Текст непосредственный // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2001. -№8. - С .79-83.

45. Iwamoto, M. Electrical properties of polyimide Langmuir-Blodgett films sandwiched between superconducting electrodes: detection of microwaves / M. Iwamoto, T. Kubota, M. Sekine - https://doi.org/10.1016/0040-6090(89)90071 -0. -Text: unmediated // Thin Solid Films. - 1989. - V. 180, - P. 185-192.

46. Iwamoto, M. Electrical Transport Properties of Josephson Junctions Using Polyimide Langmuir-Blodgett Films / M. Iwamoto, T. Kubota, M. Nakagawa, M. Sekine. - https://doi.org/10.1143/JJAP.29.116. - Text: unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 29. - P. 116-119.

47. Gemma N., The transport mechanism of stearic acid LB films on metal and semiconductor substrates / N. Gemma, K. Mizushima, A. Miura, M. Azuma. - https://doi.org/10.1016/0379-6779(87)90983-0. -Text: unmediated // Synthetic metals. -1987. - Vol .18. - P. 809-814.

48. Баранов, А.М. Петли гистерезиса на зависимостях тока от напряжения в магнитных туннельных переходах / А.М. Баранов [и др.] -Текст: непосредственный // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т .46, №1.

- С. 102-108.

49. Iwamoto, M. Electrical properties of polyimide Langmuir-Blodgett films deposited on noble metal electrodes / M. Iwamoto, T. Kubota, M. Sekine. -https://doi.org/10.1088/0022-3727/23/5/017. - Text: unmediated // Journal of Physics. D: Applied Physics. - 1990. - No. 23. - P. 575-580.

50. Kubota, T. Measuriment of Surface energy states in polyimide Langmuir-Blodgett tunneling barrier / T. Kubota, S. Kuragasaki, M. Iwamoto. -https://doi.org/10.1143/JJAP.37.4428. -Text: unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1998. - Vol. 37. - P. 4428-4432.

51. Iwamoto, M. Electrical properties of Au/Polyimide/Squarylium-arachidic acid junctions fabricated by Langmuir-Blodgett technique / M. Iwamoto, S. Shidon. - https://doi.org/10.1143/JJAP.29.2031. -Text: unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. -1990. -Vol.v29, No. 10. - P.2031-2037.

52. Uekita, M. Heat-stable aromatic polimer precursor as Langmuir-Blodgett materials / M. Uekita, H. Awaji, M. Murata. - https://doi.org/10.1016/0040-6090(88)90043-0. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - 1988. - Vol. 160. - P. 21-32.

53. Iwamoto, M. Electrical transport and electrostatical properties of polyimide Langmuir-Blodgett films / M. Iwamoto, T. Kubota. -https://doi.org/10.1016/0379-6779(94)03133-Q. - Text: unmediated // Synthetic Metals. - 1995. - Vol .71. - P.1981-1984.

54. Fukuzava, M. Electrical breakdown of ultra-thin polyimide Langmuir-Blodgett films under a needle-plane electrode system / M. Fukuzava, H. Ikedou, M. Iwamoto. - https://doi.org/10.1016/S0040-6090(03)00789-2. -Text: unmediated // Thin Solid Films. - 2003. - Vol. 438-439, - P. 243-247.

55. Itoh, E. Electronic density of state in metal/polyimide Langmuir-Blodgett film interface and its temperature dependence / E. Itoh, M. Iwamoto. -https://doi.org/10.1063/1.364035. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. -1997. - Vol. 81, No.4. - P. 1790-1797.

56. Iwamoto, M. Surface potential of polyimide Langmuir-Blodgett films Deposited on metal electrodes / M. Iwamoto, A. Fukuda. -https://doi.org/l0.ll43/JJAP.29.L638. -Text: unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 29, No. 4 - P. 638-640.

57. Iwamoto, M. Nano-electrostatic phenomena in Langmuir-Blodgett films / M. Iwamoto, E. Itoh. - https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00940-7. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - 1998. - Vol. 331. - P. 15-24.

58. Takimoto, K. Switching and memory phenomena in Langmuir-Blodgett films with scanning tunneling microscope/ K.Takimoto, H. Kawade, E. Kishi, [et al.]. - https://doi.org/10.1063/1.108000. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. - 1992. - Vol. 61, No.25. - P. 3032-3034.

59. Yano, K. Nanometer scale conductance change in a Langmuir-Blodgett film with the atomic force microscope / K. Yano, M. Kyoaku, R. Kuroda [et al.]. - https://doi.org/10.1063/1.116455. - Text : unmediated // Applied Physics Letter - 1996. - Vol. 68, No. 2. - P. 188-190.

60. Takimoto, K. Writing and reading bit arrays for information storage using conductance change of a Langmuir- Blodgett film induced by scanning tunneling microscopy/ K. Takimoto, R. Kuroda, S. Shido [et al.]. -https://doi.org/10.1116/L589466. - Text: unmediated // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1997. - V0l. 15, No. 4. - P. 1429-1431.

61. Xu, Z. K. Electrophotographic properties of copolyimide Langmuir-Blodgett films having different chemical structures / Z. K. Xu, Z. M. Liu, B. K. Zhu, Y. Y. Xu [et al.]. - https://doi.org/10.1016/S1010-6030(00)00414-7. - Text : unmediated // Journal of photochemistry and photobiology A: Chemistry. - 2001. - Vol. 140. - P. 81-86.

62. Baba, A. Orientation of liquid crystal molecules on polyimide Langmuir-Blodgett films evaluated by the attenuated total reflection measurement / A. Baba, F. Kaneko, K. Shindo [et al.]. - https://doi.org/10.1080/10587259808044498. -

Text: unmediated // MolecularCrystals and Liquid Crystals Science and Technology Section A. - 1998. - Vol. 316. - P. 231-234.

63. Baba, A. Avaluation of tilt angles of nematic liquid crystal molecules on polyimide Langmuir-Blodgett films using the attenuated total reflection measurement method / A. Baba, F. Kaneko, K. Shindo [et al.]. -https://doi.org/l0.ll43/JJAP.37.258l. - Text: unmediated // Japanese Journal of Applied Physics. - 1998. - Vol. 37(5A). - P. 2581-2586.

64. Meleshko, T. K. Conducting film-forming composites based on polyaniline-polyimide blends/ T. K. Meleshko, I. G. Sushchenko, N. N. Bogorad, I. V. Gofman, V. M. Svetlichnyi, E. Yu. Rozova, G. K. El'yashevich, V. V. Kudryavtsev, A. V. Yakimanskii. - DOI: 10.1134/S0965545X09030109. - - Text: unmediated // Polymer Science Series A. - 2009. -Vol.51, No.3. - P.311-316.

65. Zhang, B. Aromatic polyimide/MWCNT hybrid nanocomposites: structure, dynamics, and properties/ B. Zhang, V. Bershtein, T. Sukhanova [et al.]. https://doi.org/10.1080/00222348.2012.659640. - Text: unmediated //Journal of Macromolecular Science. Part B: Physics. - 2012. - Vol. 51, Issue 9. - P. 17941814.

66. Maboudian, R. Critical review: adhesion in surface micromechanical structures/ R. Maboudian, R. T. Howe. - https://doi.org/10.1116/1.589247. - Text: unmediated / Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1997. - Vol. 15, No. 1. - P. 1-20.

67. Oh, S. Y. Pattering of photosensitive polyimide LB film and its application in the fabrication of biomolecular microphotodiode array / S. - Y. Oh, J.-K. Park, C.-B. Ko, J.-W. Choi. - DOI: 10.1016/s0956-5663(03)00177-5 . -Text : unmediated // Biosensor and bioelectronics. - 2003. - Vol. 9. - P. 103-108.

68. Oh, S. Y. Fabrication of micro array of polyimide Langmuir- Blodgett film and its application in bioelectronics device / S. - Y. Oh, J.-K. Park, J.-W. Choi, C.-M. Chung. - DOI: 10.1016/s0956-5663(03)00177-5 . - Text : unmediated //

Molecular Crystals and Liquid Crystals. Science and Technology. Sec. A. - 2002.

- Vol. 377. - P. 241-244.

69. Uekita, M. Application of polyimide Langmuir-Blodgett films to deep UV resists / M. Uekita, H. Awaji, M. Murata. S. Mizunuma. -https://doi.org/10.1016/0040-6090(89)90083-7. - Text: unmediated // Thin Solid Films. -1989. - Vol. 180. - P. 271-276.

70. Akatsuka, T. Highly conductive Langmuir-Blodgett films of pyrolytic polyimide / T. Akatsuka, H. Tanaka, J. Toyama, T. Nakamuro. -https://doi.org/10.1246/cl.1990.975. - Text: unmediated // Chemistry Letters. - 1990. -P. 975-978.

71. Akatsuka, T. Highly conductive Langmuir-Blodgett films prepared by the pyrolysis of polyimide / T. Akatsuka, H. Tanaka, J. Toyama. -https://doi.org/10.1016/0379-6779f9D91888-H. - Text: unmediated // Synthetic Metals.

- 1991. - Vol. 41-43. - P. 1515-1518.

72. Akatsuka, T. Alignment of Liquid Crystal on the conductive pyrolyzed polyimide Langmuir-Blodgett fillms / T. Akatsuka, H. Tanaka, J. Toyama, T. Nakamuro. - https://doi.org/10.1246/cl.1991.1351. - Text: unmediated // Chemistry Letters. - 1991. - P. 1351-1354.

73. Akatsuka, T. Relationship between the alignment of Liquid Crystal and macroscopic properties of pyrolyzed polyimide Langmuir-Blodgett films / T. Akatsuka, H. Tanaka, J. Toyama, T. Nakamuro. - https://doi.org/10.1246/cl.1991.1587.

- Text: unmediated // Chemistry Letters. - 1991. - P. 1587-1590.

74. Синдо, А.Карбонизация полимеров и получение карбоновых волокон / А. Синдо. - Текст : непосредственный // Успехи химии. - 1973. - Т. XLII, Вып. 2. - С. 301-322.

75. Inagaki, M. Aromatic polyimides as carbon precursors / M. Inagaki, N. Ohta, Y.Hishiyama. - DOI: 10.1016/j.carbon.2013.05.035. -Text: unmediated // Carbon. -2013. - Vol. 61. - P. 1-21.

76. И. П. Добровольская. Пиролиз ориентированных полимеров. Структура и свойства углеродных волокон: специальность 02.00.06 «Физика конденсированного состояния»: диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Добровольская Ирина Петровна; Институт Высокомолекулярных Соединений РАН. - Санкт-Петербург, 2006. - 306 с. - Текст: непосредственный.

77. Murakami, M. Fabrication of high quality and large area graphite thin films by pyrolysis and graphitization of polyimides / M. Murakami, A. Tatami, M. Tachibana. - https://doi.org/l0.l0l6/i.carbon.20l8.l2.057. - Text: unmediated // Carbon. - 20l9. - Vol. l45. - P. 23-30.

78. Ohnishi, T. Preparation of graphite film by pirolysis of polymers / T. Ohnishi , I. Murase, T. Noguchi, M. Hirooka. - https://doi.org/l0.l0l6/0379-6779(87)90929-5. - Text: unmediated // Synthetic Metals. - l987. - Vol. l8. - P. 497-502.

79. Takeichi, T. Carbonization and graphitization of kapton-type polyimide films prepared from polyamide alkyl ester / T. Takeichi, Y. Eguchi, Y. Kaburagi, Y. Hishiyama. - https://doi.org/l0.l0l6/S0008-6223(97)00l55-3. - Text: unmediated // Carbon. - l998. - Vol. 36, No. l-2. - P. l l7-l22.

80. Inagaki, M. Carbonization and graphiization of polyimide film «NOVAX» / M. Inagaki, L.-J. Meng, T. Ibuki, M. Sakai. -https://doi.org/l0.l0l6/0008-6223(9l)90042-H. - Text: unmediated // Carbon. - l99l. -Vol. 29, No. 8, P. l239-l243.

81. Inagaki, M. Carbonization behavior of polyimide films with various chemical structures / M. Inagaki, T. Ibuki, T. Takeichi. -https://doi.org/l0.l002/app.l992.0704403l6. -

- Text: unmediated // Journal of Applied Polymer Science - l992. - Vol. 44, No. 3. - P. 52l-525.

82. Ma, L.-ru. Preparing of high-quality carbon film from polymide films by gradient heat treatment process / L.-ru Ma, Y.-xiang Wang, F.-xu Niu [et al.]. -

https://doi.org/10.1134/S1560090417030113. - Text: unmediated // Polymer Science, Series B. - 2017. - Vol. 59. - P. 337-347.

83. Грибанов, А. В. Роль структурных особенностей ароматичеких полиимидов при карбонизации / А.В. Грибанов, Ю.Н. Сазанов, М.В.Мокеев.

- Текст: непосредственный // Журнал прикладной химии. - 2002. - Т. 75, Вып. 4. - С. 620-624.

84. Сазанов Ю. Н. Роль атомов азота в формировании углеродных структур/ Ю.Н. Сазанов. - Текст непосредственный. - СПб. :Издательство Политехничекого университета, 2018. - 136 с. ISBN

85. Gofman, I. V. Peculiarities of the initial stage of carbonization processes in polyimide-based nanocomposite films containing carbon nanoparticles / I. V. Gofman, K. Balic, M. Cerny [et al.]. -http://dx.org/10.1080/23312009.2015.1076712. - Text: unmediated // Cogent Chemistry.

- 2015. - Vol. 1, No. 1. - P. 1076712-1 - 1076712-14.

86. Смирнова, В .Е. Влияние плоскостной молекулярной ориентации на механические свойства пленок жесткоцепных полиимидов / В.Е. Смирнова, И.В. Гофман, В.К. Лаврентьев, В.П. Склизкова. - Текст непосредственный // Высокомолекулярные соединения Серия A. - 2007. -Т.49, №10. - С. 1810-1816.

87. Novoselov, K. S. A roadmap for graphene / K. S. Novoselov, V. I. Fal'ko, L. Colombo [et al.]. - https://doi.org/10.1038/nature 11458. - Text: unmediated // Nature. -2012. - Vol. 490. - P. 192-200.

88. Ferrari, A.C. Science and technology road for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems / A. C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. I. Fal'ko, K. S. Novoselov. - DOI:10.1039/C4NR01600A. -Text: unmediated // Nanoscale. - 2015. - Vol. 7. - P. 4598-4810.

89. Bonaccorso, F. Graphene photonics and optoelectronics / F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, A.C. Ferrari. - https://doi.org/10.1038/nphoton.2010.186.

- Text: unmediated // Nature Photonics. - 2010. - Vol. 4. - P. 611-622.

90. Fiori, G. Electronics based on two-dimensional materials / G. Fiori, F. Bonaccorso, G. Iannaccone. - https://doi.org/10.1038/nnano.2014.207. - Text : unmediated // Nature Nanotechnology. - Vol. 9. - P. 768-779.

91. Weiss, N. O. Graphene: an emerging elerging electronic material / N. O. Weiss, H. Zhou, L. Liao. - https://doi.org/10.1002/adma.201201482. - Text: unmediated // Advanced Materials. - 2012. - P. 1-44.

92. Bonaccorso, F. Production and processing of graphene and 2d crystals / F. Bonaccorso, A. Lombardo, T. Hasan. - https://doi.org/10.1016/S1369-7021(13)70014-2. - Text: unmediated // Materials today. - 2012. - V. 15, No. 12. -P. 564-589.

93. Bae, S. Towards industrial applications of graphene electrodes / S. Bae, S. J. Kim, D. Shin [et al.] - https://doi.org/10.1088/0031-8949/2012/T146/014024. -Text: unmediated // Physica Scripta. - 2012. - Vol. T146. - P. 014024-1 - 014032.

94. Chen, Y.-B. Recent trend in graphene for optoelectronics / Y.-B. Chen, J. S. Liu, P. Lin. - https://doi.org/10.1007/s11051-013-1454-3. - Text: unmediated // Jornal of Nanoparticle Reseach. - 2013.- Vol. 15.- P.1454-1 - 11454-14.

95. Yang, Z. The prospective two-dimensional graphene nanosheets: preparation, functionalization, and application / Z. Yang, R. Gao, N. Hu [et al.] -https://doi.org/10.1007/BF03353684. - Text: unmediated // Nano-Micro Letter. 2012. -Vol. 4, No. 1. - P. 1-9.

96. Schwierz, F. Graphene transistors / F. Schwierz -https://doi.org/10.1038/nnano.2010.89. - Text: unmediated // Nature Nanotechnology. -2010. - Vol. 5. - P. 487-496.

97. Hui, F.Graphene and related materials for resistive random access memories / F. Hui, E. Grustan-Gutierrez, S. Long [et al.]. - DOI: 10.1002/aelm.201600195. - Text: unmediated // Advanced Electronic Materials. -2017. - Vol. 3. - P. 1600195-1 - 1600195-32.

98. Shao, Y. Graphene based electrochemical sensors and biosensors: a review / Y. Shao, J. Wang, H. Wu [et al.]. - https://doi.org/10.1002/elan.200900571. -Text: unmediated // Electroanalysis. - 2010. - Vol. 22, No. 10. - P. 1027-1036.

99. Arco, L. G. De. Continuous, highly flexible, and transparent graphene films by chemical vapor deposition for organic photovoltaics / L. G. De Arco, Y. Zhang, C. W. Schlenker. - DOI: 10.1021/nn901587x. - Text: unmediated //ACS Nano. - 2010. - Vol. 4, No.5. - P. 2865-2873.

100. Wu, J. Organic light-emitting diodes on solution-processed graphene transparent electrodes / J. Wu, M. Agrawal, Hector A. Becerril, [et al.]. -https://doi.org/10.1021/nn900728d. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2010. - Vol. 4, No. 1. - P. 43-48.

101. Wassei, J. K. Graphene, a promising transparent conductor / J. K. Wassei, R. B. Kaner. - https://doi.org/10.1016/S1369-7021(10)70034-1.- Text: unmediated // Materials today. - 2010. Vol. - 13, No. 3. - P. 52-59.

102. Pang, S. Graphene as Transparent Electrode Material for Organic Electronics / S. Pang, Y. Hernandez, X. Feng [et al.]. -https://doi.org/10.1002/adma.201100304. - Text: unmediated // Advanced Materials. -2011. - Vol. 23. - P. 2779-2795.

103. Dale, A. C. The electrochemistry of CVD graphene: progress and prospects / A. C. Dale, Brownson, C. E. Banks. - https://doi.org/10.1039/C2CP40225D. -Text: unmediated // Physical Chemistry Chemal Physics - 2012. - Vol. 14. - P. 8264-8281.

104. Zhang, Y. Review of chemical vapor deposition of graphene and related applications / Y. Zhang, L. Zhang, C. Zhou. -https://doi.org/10.1021/ar300203n. - Text: unmediated // Accounts of chemical research. - 2013. - V. 46, No. 1. - P. 2329-2339.

105. Антонова, И. В. Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках / И. В. Антонова. - DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201310i.1115. -

Текст: непосредственный // Успехи физических наук. - 2013. - Т. 183, №10. -С. 1115-1122.

106. Mattevi, C. A review of chemical vapour deposition of graphene on copper / C. Mattevi, H. Kim, M. Chhowalla. - https://doi.org/10.1039/C0JM02126A. -Text: unmediated // Journal of Materials Chemistry. - 2011. - Vol. 21. - P. 33243334.

107. Chen, X. Direct preparation of high quality graphene on dielectric substrates/ X. Chen, B. Wu, Y. Liu - https://doi.org/10.1039/C5CS00542F. - Text: unmediated // Chemical Society Reviews. - 2016. - Vol. 45, Issue 8. - P. 20572074.

108. Narita, A. New advances in nanographene chemistry / A. Narita, X.Y. Wang, X. Feng [et al.] - https://doi.org/10.1039/C5CS00183H. - Text: unmediated // Chemical Society Reviews. - 2015. - Vol. 44. - P. 6616-6643.

109. Norimarsu, W. Epitaxial grapheme on SiC{0001}: advances and perspectives / W. Norimarsu, M. Kusunoki. - https://doi.org/10.1039/C3CP54523G. -Text: unmediated // Physical Chemistry Chemical Physics. - 2014. - Vol. 16. - P. 3502-3511.

110. W. Norimarsu, Structural features of epitaxial graphene on SiC{0001} surface / W. Norimarsu, M. Kusunoki. - https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/9/094017. - Text: unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2014. - Vol. 16. -P. 3502-3511.

111. Yazdi, G. R. Epitaxial Graphene on SiC: A Review of Growth and Characterization / G. R. Yazdi, T. Iakimov, R. Yakimova. -https://doi.org/10.3390/cryst6050053. - Text: unmediated // Crystals. - 2016. - Vol. 6, Issue 5. - P. 53-1 - 53-45.

112. Strupinski, W. Graphene Epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC / W. Strupinski, K. Grodecki, A.Wysmolek [et al.] -https://doi.org/10.1021/nl200390e. - Text: unmediated // Nano Letter. - 2011. - Vol. 11, Issue 4. - P. 1786-1791.

113. Moreau, E. Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon-face of SiC / E. Moreau, S.Godey, F.J.Ferrer [et al.]. -https://doi.org/l0.l063/l.3526720. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. -2010. - Vol. 97. - P. 241907-1 - 241907-3.

114. Aristov, V.Y. Graphene synthesis on cubic SiC/Si wafers. Perspectives for mass production of graphene-based electronic devices / V.Y. Aristov, G.Urbanik, K.Kummer [et al.]. - https://doi.org/10.1021/nl904115h. - Text: unmediated // Nano Letter. - 2010. - Vol. 10, No. 3. - P. 992-995.

115. Suemitsu, M. Epitaxial graphene on silicon substrates / M. Suemitsu, H. Fukidome. - https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/37/374012. - Text: unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2010. - Vol. 43. - P. 374012-1 - 37401211.

116. Fukidome, H. Control of epitaxy of grapheme by crystallographic orientation of a Si substrate toward device applications / H. Fukidome, R. Takahashi, S. Abe [et al.]. - https://doi.org/10.1039/C1JM12921J. - Text: unmediated // Journal of Materials Chemistry. - 2011. - Vol. 21. - P. 17242-17248.

117. Fukidome, H. Controls over structural and electronic of epitaxial graphene on silicon using surface termination of 3C-SiC(111)/Si / H. Fukidome, S.Abe, R. Takahashi [et al.]. - https://doi.org/10.1143/APEX.4.115104. - Text: unmediated // Applied Physics Express. - 2011. - Vol. 4. - P.115104-1 - P.115104-3.

118. Suemitsu, M. Epitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si thin films / M. Suemitsu, S. Jiao, H. Fukidome [et al.]. - https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/9/094016. -Text: unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. -2014. - Vol. 47, Issue 9. - P. 094016-1 - 094016-11.

119. Kim, K. S. Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes / K. S. Kim, Yue Zhao, Houk Jang, [et al.]. -https://doi.org/10.1038/nature07719. - Text: unmediated // Nature. - 2009. - Vol. 457. - P.706-710.

120. Yu, Q. Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators / Q. Yu, J. Lian, S. Siriponglert [et al.] - https://doi.org/10.1063/1.2982585. -Text : unmediated // Applied Physics Letters. - 2008. Vol. 93. - P. 113103-1 -113103-3.

121. Cao, H. Large-scale graphitic thin films synthesized on Ni and transferred to insulators: Structural and electronic properties / H. Cao, Q. Yu, R. Colby [et al.] - https://doi.org/10.1063/1.3309018. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 2010. - Vol. 107. - P. 044310-1 - 044310-7.

122. Reina, A. Growth of large-area single- and bi-layer grapheme by controlled carbon precipitation on polycrystalline Ni surfaces / A. Reina, S. Thiele, X. Jia [et al.]. - https://doi.org/10.1007/s12274-009-9059-y. - Text: unmediated // Nano Research. - 2009. - No. 2. - P. 509-516.

123. Reina, A. Large area, few-layer grapheme films on arbitrary substrates by chemical vapor deposition / A. Reina, Xiaoting Jia, John Ho [et al.]. -https://doi.org/10.1021/nl801827v. - Text: unmediated // Nano Letter. -2009. - Vol. 9, Issue 1. - P.30-35.

124. Cai, W. Large area few-layer graphene/graphite films as transparent thin cinducting electrodes / W. Cai, Yanwu Zhu, Xuesong Li, [et al.]. -https://doi.org/10.1063/1.3220807. - Text: unmediated // Applied Physics Letters. -2009. - Vol. 95. - P. 123115-123118.

125. Li, X. Evolution of grapheme growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling / X. Li, W. Cai, L. Colombo. - https://doi.org/10.1021/nl902515k. -Text: unmediated // Nano Letter. - 2009. - Vol.9, No.12. - P. 4246-4272.

126. Lee, Y. Wafer-scale Synthesis and transfer of graphene films / Y. Lee, S. Bae, H. Jang [et al.]. - https://doi.org/10.1021/nl903272n. - Text: unmediated // Nano Letter. - 2010. - Vol. 10. - P. 490-493.

127. Li, X. Large-area synthesis of high-quality and uniform grapheme films on copper foils / X. Li, W. Cai, J. An, [et al.]. - DOI: 10.1126/science.1171245. -Text: unmediated // Science. - 2009. - Vol. 324. - P.1312-1314.

128. Cao, H. Electronic transport in chemical vapor deposited grapheme synthesized on Cu: Quantum Hall effect and weak location / H. Cao, Q. Yu, L. A. Jauregui [et al.].— https://doi.org/l0.l063/l.337l684 - Text: unmediated // Applied. Physical Letters. — 2010. - Vol. 96. — P. 122106-1 - 122106-3.

129. Li, X. Transfer of large-area grapheme films for high-performance transparent conductive electrodes / X. Li, Y. Zhu, W. Cai, [et al.]. -https://doi.org/10.1021/nl902623y. — Text: unmediated // Nano Letter. 2009. — Vol. 9, No. 12. — P.4359-4363.

130. Lee, D. Significant enhancement of the electrical transport properties of graphene films by controlling the surface roughness of Cu foils before and during chemical vapor deposition / D. Lee, G. D. Kwon, J. H. Kim [et al.]. — https://doi.org/10.1039/C4NR03633F — Text: unmediated // Nanoscale. — 2014. — Vol.6.

— P. 12053-12051.

131. Антонова, И.В. Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выраженных методом газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO2/Si. / И.В. Антонова, С.В. Голод, Р.А. Соотс [et al.]. - Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2014.

— Т. 48, Вып. 6. - С. 827-832.

132. Su, Ching-Yuan. Direct formation of wafer scale grapheme thin layers on insulating substrates by chemical vapor deposition / Ching-Yuan Su, Ang-Yu Lu, Chin-Yu Wu, [et al.]. - DOI: 10.1021/nl201362n — Text: unmediated // Nano Letter. — 2011. — Vol. 11. — P. 3612-3616.

133. Zhang, J. CVD growth of large area and uniform graphene on tilted copper foil for high performance flexible transparent conductive film / J. Zhang, P. Hu, X. Wang [et al.]. — https://doi.org/10.1039/C2JM33881E. — Text: unmediated // Journal of Materials Chemistry. — 2012. - Vol. 22. - P. 18283-18290.

134. Pu, J. Chemical vapor deposition growth of few-layer grapheme for transparent conductibe films. / J. Pu, L. Tang, C. Li. [et al.]. —

https://doi.org/l0.l039/C5RA039l9C. - Text: unmediated // RSC Advances. - 2015. -Vol. 5. - P. 44142-44148.

135. Kim, K. K. Enhancing the conductivity of transparent grapheme films via doping / K. K. Kim, A. Reina, Y. Shi [et al.]. - https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/28/285205. - Text: unmediated // Nanotechnology. - 2010. - Vol. 21. - P. 285205-285211.

136. Yan, C. Mechanical and environmental stability of polymer thin-film-coated graphene / C. Yan, K.-S. Kim, S.-K. Lee [et al.]. -https://doi.org/10.1021/nn203923n. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2012. - Vol. 6, No. 3. - P. 2096-2103.

137. Kholmanov, I. N. Improved Electrical Coductivity of Graphene Films Integrated with Metal Nanowires / I. N. Kholmanov, C. W. Magnuson, A. E. Aliev [et al.]. - https://doi.org/10.1021/nl302870x. - Text: unmediated // Nano Letter. - 2012. - Vol. 12. - P. 5659-5683.

138. Huang, P. Grains and grain boundaries in single-layer graphene atomic patchwork quilts / P. Huang, C. S. Ruiz-Vargas, A. M. van der Zande [et al.]. - https://doi.org/10.1038/nature09718. - Text: unmediated // Nature. - 2011. -Vol. 469. - P. 389-393.

139. Pan, M. Topographic and spectroscopic characterization of electronic edge states in CVD grown graphene nanoribbons / M. Pan, E. C. Girao, X. Jia [et al.]. - https://doi.org/10.1021/nl204392s. - Text: unmediated // Nano Letter. - 2012. -Vol. 12, No. 4. - P. 1928- 1933.

140. Liu, W. Synthesis of high-quality monolayer and bilayer graphene on copper using chemical vapor deposition / W. Liu, H. Li, C. Xu [et al.]. -https://doi.org/10.1016/j.carbon.2011.05.047. - Text: unmediated // Carbon. - 2011. -Vol. 49, Issur 13. - P. 4122-4130.

141. Vlassiok I. Role of hydrogen in chemical vapor deposition growth of large single-crystal graphene / I. Vlassiok, M. Regmi, P. Fulvio [et. al.]. -

https://doi.org/l0.l02l/nn20l978y. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2011. - Vol. 5, No. 7. - P. 6069-6076.

142. Mueller, N. S. Growing graphene on polycrystalline copper foils by ultra-high vacuum chemical vapor deposision / N. S. Mueller, A. J. Moffa, D. Abou-Ras, [et.al.]. - https://doi.org/l0.l0l6/j.carbon.20l4.07.0ll. - Text: unmediated // Carbon. - 20l4. - Vol.78. - P. 347-355.

143. Tsen, A. W. Polycrystallinity and stacking in CVD graphene / A. W. Tsen, L. Brown, R. W. Havener, J. Park. - https://doi.org/l0.l02l/ar300l90z. - Text: unmediated // Accounts of chemical research. - V. 46. - No. l0. - P. 2286-2296.

144. Ta, H. Q. Stranski-Krastanov and Volmer-Weber CVD growth regims to control the stacking order in bilayer graphene / H. Q. Ta, D. J. Perello, D. Loc Duong [et al.] - https://doi.org/l0.l02l/acs.nanolett.6b02826. - Text: unmediated // Nano Letters. - 20l6. - Vol. l6. - P. 6403-64l0.

145. Nguyen, V. Towards wafer-scale monocrystalline graphene growth and characterization / V. Nguyen, Y. Lee. - https://doi.org/l0.l002/smll.20l500l47. -Text: unmediated // Small. - 20l5. - Vol. ll, Issue 9. - P. 35l2-3528.

146. Mattevi, H. A review of chemical vapour deposition of graphene on copper / H. Mattevi, M. Kim, M. Chhowalla. - https://doi.org/l0.l039/C0JM02l26A. -Text: unmediated // Journal of Materials Chemistry. - 20ll. - Vol. 2l. - P. 33243334.

147. Prochazka, P. Ultrasmooth metallic foils for growth of high quality graphene by chemical vapor deposition / P. Prochazka, J. Mach, D. Bischoff. -https://doi.org/l0.l088/0957-4484/25/l8/l8560l. - Text: unmediated // Nanotechnology. - 20l4. - Vol. 25, No. l8. - P. l8560l-l -l8560l-8.

148. Sarajlic, O. I. Mesoscale scanning electron and tunneling microscopy study of the surface morphology of thermally annealed copper foils for graphene growth / O. I. Sarajlic, R. G. Mani. - DOI: l0.l02l/cm400032h. - Text: unmediated // Chemistry of materials. - 20l3. - Vol. 25, No. 9. - P. l643-l648.

149. Vlassiouk, I. Large scale atmospheric pressure chemical vapor deposition of graphene / I. Vlassiouk, P. Fulvio, H. Meyer [et al.]. -https://doi.org/l0.l0l6/i.carbon.20l2.ll.003 - Text: unmediated // Carbon. - 2013. - Vol. 54. - P. 58-67.

150. Hofmann, S. CVD-enabled graphene manufacture and technology / S. Hofmann, P. Braeuninger-Weimer, R. S. Weatherup. -https://doi.org/l0.l02l/acs.ipclett.5b0l052. - Text: unmediated // The Journal of Physical Chemistry Letters. - 20l5. - Vol. 6, No. l4. - P. 27l4-272l.

151. Yu, Q. Control and characterization of individual grains and grain boundaries in graphene grown by chemical vapour deposition / Q. Yu, L. A. Jauregui, W. Wu, [et al.] - https://doi.org/l0.l038/nmat30l0. - Text: unmediated // Nature Materials. - 20ll. - Vol. l0. - P. 443-449.

152. Li, X. Graphene films with large domain size by a two-step chemical vapor deposition process / X. Li, C. W. Magnuson, A. Venugopa, [et al.]. -https://doi.org/l0.l02l/nll0l629g. - Text: unmediated // Nano Letter. - 20l0. - Vol. l0, No. ll. - P. 4328-4334.

153. Li, X. Large-area graphene single crystals grown by low-pressure chemical vapor deposition of methane on copper / X. Li, C. W. Magnuson, A. Venugopal [et al.]. - https://doi.org/l0.l02l/ial09793s. - Text: unmediated // Journal of the American Chemical Society. - 20ll. - Vol. l33, No. 9. - P. 28l6-28l9.

154. Yan, Z. Toward the synthesis of wafer-scale single-crystal graphene on copper foils / Z. Yan, J. Lin, Z. Peng [et al.] - https://doi.org/l0.l02l/nn303352k. -Text: unmediated // ACS Nano. - 20l2. - Vol. 6, No. l0. - P.9ll0-9ll7.

155. Zhou, H. Chemical vapor deposition growth of large single crystals of monolayer and bilayer graphene / H. Zhou, W. J. Yu, L. Liu [et al.]. -https://doi.org/l0.l038/ncomms3096. - Text: unmediated // Nature communications. -20l3. - Vol. 4. P. 2096l-l - 2096l-8.

156. Hao, Y. The role of surface oxygen in the growth of large single graphene on copper / Y. Hao, M.S. Bharathi, L. Wang [et al.]. - DOI:

10.1126/science.1243879. - Text: unmediated // Science. - 2013. - Vol. 342. - P. 720-723.

157. Wu, T. R. Fast growth of inch-sized single-crystalline graphene from a controlled single nucleus on Cu-Ni alloys / T. R. Wu, X. F. Zhang, Q. H. Yuan [et al.]. - https://doi.org/10.1038/nmat4477. - Text: unmediated // Nature Materials. -

2016. - Vol. 15. - P. 43-47.

158. Xu, X. Ultrafast epitaxial growth of metre-sized single-crystal graphene on industrial Cu foil / X. Xu, Z. Zhang, J. Dong [et al.]. -https://doi.org/10.1016/j.scib.2017.07.005. - Text: unmediated // Science Bulletin. -

2017. - Vol. 62. - P. 1074-1080.

159. Hao, Y. Oxygen-activated growth and bandgap tenability of large single-crystal bilayer graphene. / Y. Hao, L. Wang, Y. Liu [et al.]. -https://doi.org/10.1038/nnano.2015.322. - Text: unmediated // Nature nanotechnology. -2016. Vol. 11, No. 5. - P.426-431.

160. Zaretski, A. V. Processes for non-destructive transfer of graphene: widening the bottleneck for industrial scale production / A. V. Zaretski, D. J. Lipomi. - https://doi.org/10.1039/C5NR01777G. - Text : unmediated // Nanoscale.-2015. - V. 7. - P. 9963-9969.

161. Caldwell, J. D. Technique for the dry transfer of epitaxial graphene onto arbitrary substrates / J. D. Caldwell, T. J. Anderson, J. C. Culbertson [et al.]. -https://doi.org/10.1021/nn901585p. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2010. - Vol. 4, No. 2, -P.1108-1114.

162. Kim, J. Layer-resolved graphene transfer via engineered strain layers / J. Kim, H. Park, J. B. Hannon [et al.] - DOI: 10.1126/science.1242988. - Text: unmediated // Science. - 2013. - Vol. 342, Issue 6160. - P. 833-836.

163. Lee, J. H. Wafer-scale growth of single-crystal monolayer graphene on reusable hydrogen-terminated germanium / J. H. Lee, E. K. Lee, W-J. Joo [et al.]. DOI: 10.1126/science.1252268. - Text : unmediated // Science. - 2014. - Vol. 344, Issue 6168. - P. 286-289.

164. Son, M. Low-temperature synhesis of graphene by chemical vapor deposition and its applications / M. Son, M.-H. Ham. -https://doi.org/10.1016/iilatc.2017.07.002. - Text: unmediated // FlatChem. - 2017. -Vol. 5. - P. 40-49.

165. Wei, D. Crystal growth of graphene on dielectric substrates at low temperature for electronic devices / D. Wei, Y. Lu, C. Han [et al.]. -https://doi.org/10.1002/anie.201306086. - Text: unmediated // Angewander Chemie. -2013. - V. 52, Issur 52. - P. 4121-14126.

166. Wei, D. Low temperature critical growth of high quality nitrogen doped graphene on dielectrics by plasma-enhanced chemical vapor deposition / D. Wei, L. Peng, M. Li [et al.]. - https://doi.org/10.1021/nn505214f. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2014. - Vol. 9, No. 1. - P. 164-171.

167. Rümmeli, M. H. Direct low-temperature nanographene CVD synthesis over a dielectric insulator / M. H. Rümmeli, A. Bachmatiuk, A. Scott [et al.] -https://doi.org/10.1021/nn100971s. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2010. - Vol. 4, No. 7. - P. 4206-4210.

168. Sun, J. Direct low-temperature synthesis of graphene on various glasses by plasma-enhanced chemical vapor deposition for versatile, cost-effective electrodes / J. Sun, Y. Chen, X. Cai [et al.]. - https://doi.org/10.1007/s12274-015-0849-0. - Text: unmediated // Nano Research. - 2015. - Vol. 8, Issue 11. - P. 34963504.

169. Bae, S. Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes / S. Bae, H. Kim, Y. Lee [et al.]. -https://doi.org/10.1038/nnano.2010.132. - Text: unmediated // Nature Nanotechnology. - 2010. - Vol. 5. - P. 574-578.

170. Kobayashi, T. Production of a 100-m-long high-quality graphene transparent conductive film by roll-to-roll chemical vapor deposition a transfer process / T. Kobayashi, M. Bando, N. Kimura [et al.]. -

https://doi.Org/l0.l063/l.4776707. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. -2013. - V. 102, Issue 2. - P. 023112-1 - 023112-4.

171. Zhong, G. Growth of continuous graphene by open roll-to-roll chemical vapor deposition / G. Zhong, X. Wu, L. D'Arsie [et al.] -http://aip.scitation.org/toc/apl/109/19. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. -2016. - Vol. 109. - P. 193103-1 - 193103-5.

172. Ryu, J. Fast synthesis of high-performance graphene films by hydrogen-free rapid thermal chemical vapor deposition / J. Ryu, Y. Kim, D. Won [et al.] - https://doi.org/10.1021/nn405754d. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2014. - Vol. 8, Issue 1. - P. 950-956.

173. Zheng, Q. Graphene oxide-based transparent conductive films / Q. Zheng, Z. Li, J. Yang, J.-K. Kim. - https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2014.03.004. -Text: unmediated // Progress in Materials Science. - 2014. - Vol. 64. - P. 200-247.

174. Blake, P. Graphene-Based Liguid Crystal Device / P. Blake, P. D. Brimicombe, R. R. Nair [et al.]. - https://doi.org/10.1021/nl080649i. - Text: unmediated // Nano Letters. - 2008. - Vol. 8, No. 6. - P. 1704-1717.

175. Li, X. Highly conducting graphene sheets and Langmuir-Blodgett films, X. Li, G. Zhang, X. Bai [et al.]. - https://doi.org/10.1038/nnano.2008.210. - Text: unmediated // Nature Nanotechnology. - 2008. - Vol. 3. - P. 538-542.

176. Wang, X. Transparent, Conductive graphene Electrodes for Dye-Sensitized Solar cells / X. Wang, L. Zhi, K. Müllen. -https://doi.org/10.1021/nl072838r. - Text : unmediated // Nano Letter. - 2008. - Vol. 1 N.1. - P. 323-327.

177. Becerril, H. A. Evaluation of solution-processed reduced graphene oxide films as transparent conductors / H. A. Becerril, J. Mao, Z. Liu [et al.]. -https://doi.org/10.1021/nn700375n. - Text: unmediated // ACS Nano. - 2008. - Vol. 2, No. 3. - P. 463-470.

178. Wang, S. J. Fabrication of highly conductive and transparent graphene films / S. J. Wang, Y. Geng, Q. Zheng, J.-K. Kim. -

http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2010.01.027. - Text: unmediated // Carbon. - 2010. -Vol. 48. - P. 1815-1823.

179. Zheng, Q. Improved electrical and optical characteristics of transparent graphene thin films produced by acid and doping treatments / Q. Zheng, M. M. Gudarzi, S. J. Wang, Y. Geng. -https://doi.org/10.1016/j.carbon.2011.02.064. - Text: unmediated // Carbon. - 2011.-Vol. 49, Issue 9. - P. 2905-2916.

180. Zheng, Q. Transparent Conductive Films Consisting of Ultralarge Graphene Sheets Produced by Langmuir-Blodgett Assembly / Q. Zheng, W. H. Ip, X. Lin [et.al.]. - https://doi.org/10.1021/nn2018683. - Text: unmediated // ACS Nano.

- 2011. - Vol.5, No. 7. - P. 6039-6051.

181. Zheng, Q. Langmuir-Blodgett assembly of ultra-large graphene oxide films for transparent electrodes / Q. Zheng, L. Shi, J. Yang. -https://doi.org/10.1016/S1003-6326(11)61492-1. - Text: unmediated // Transactions of Nonferrous Metals Society of China. - 2012. - Vol. 22. Issue. 10. - P. 2504-2511.

182. Zheng, Q. Highly transparent and conducting ultralarge graphene oxide/single-walled carbon nanotube hybrid films produced by Langmuir-Blodgett assembly / Q. Zheng, B. Zhang, X. Lin [et al.] - https://doi.org/10.1039/C2JM34870E.

- Text: unmediated // Journal of Materials Chemistry. - 2012. - V. 22, Issue 8. -P. 25072-25082.

183. Yang, T. Highly flexible transparent conductive graphene/single-walled carbon nanotube nanocomposite films produced by Langmuir-Blodgett assembly / T. Yang, J. Yang, L. Shi [et al.]. - https://doi.org/10.1039/C5RA00708A. -Text: unmediated // RSC Advances. - 2015. - Vol. 5, Issue 30. - P. 23650-23657.

184. Turchanin, A. One Nanometer Thin Carbon Nanosheets with Tunable Conductivity and Stiffness / A. Turchanin, André Beyer, C. T. Nottbohm, [et al.] -https://doi.org/10.1002/adma.200803078. - Text: unmediated // Advanced Materials. -2009. - Vol. 21, Issue 12. - P. 1233-1237.

185. Matei, D. G. Functional Single-Layer Graphene Sheets from Aromatic Monolayers / D. G. Matei, N.-E. Weber, S. Kurasch [et al.] -https://doi.org/l0.l002/adma.20l30065l. - Text: unmediated // Advanced Materials. -2013. - Vol. 25, Issue 30. - P. 4146-4154.

186. Shin, H.-J. Transfer-free growth of few-layer graphene by self-assembled monolayers / H.-J. Shin, W.M. Choi, S.-M. Yoon [et al.]. -https://doi.org/10.1002/adma.201102526. - Text: unmediated // Advanced Materials. -2011. - Vol. 23, Issue 38. - P. 4392-4397.

187. Yan, Z. Growth of bilayer graphene on insulating substrates / Z. Yan, Z. Peng, Z. Sun [et al.] - https://doi.org/10.1021/nn202829y - Text: unmediated // ACS Nano. - 2011. - Vol.5, No. 10. - P. 8187-8192.

188. Byun, S.-J. Graphenes Converted from Polymers. / S.-J. Byun, H. Lim, G.-Y. Shin [et al.]. - https://doi.org/10.1021/jz200001g. - Text: unmediated // The Journal of Physical Chemistry Letters. - 2011. Vol. 2, - P. 493-497.

189. Sun, Z. Growth of graphene from solid carbon sources. Nature / Z. Sun, Z. Yan, J. Yao [et al.]. - https://doi.org/10.1038/nature09579. - Text: unmediated // 2010. - Vol. 468. -P. 549-552.

190. Kwak, J. In situ observation of gas phase dynamic during graphene growth using solid-state carbon sources / J. Kwak, T.-Y. Kwon, J. H. Chu [et al.]. - https://doi.org/10.1039/C3CP50959A. - Text: unmediated // Physical Chemistry Chemical Physics - 2013. - Vol. 15, Issue 25. - P. 10446-010452.

191. Silicon Carbide: Recent Major Advances / ed. W. J. Choyke [et.al.] -Text: unmediated. - Berlin: Springer, 2004. - 737 p. - ISBN 3-540-40458-9.

192. Агеев, О. А. Карбид кремния: технология, свойства, применение/ О.А. Агеев, Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Кисилев В.С., Конакова Р.В., Лебедев А.А., Миленин В.В., Охрименко О.Б., Поляков В.В., Светличный А.М., Чередниченко Р.И. - Текст непосредственный// Харьков: «ИСМА». -2010. - 532 с. - ISBN 966-02-2555-5 (серия), ISBN 978-966-02-5445-9

193. Лучинин, В. В. Карбид кремния - алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами / В. В. Лучинин, Ю.М. Таиров. - Текст непосредственный // Наноиндустрия.- 2010.- №1. - С. 36-40.

194. Kimoto, T. Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications / T. Kimoto, J.A. Cooper. - Text: unmediated. - Wiley-IEEE press, 2014. - 400 p. ISBN: 978-1-118-31352-7.

195. Matsunami, H. Fundamental research on semiconductor SiC and its applications to power electronics / H. Matsunami. - DOI: 10.2183/pjab.96.018. -Text: unmediated // Proceeding of the Japan Academy Ser. B. - 2020. - Vol. 96, No. 7 - P. 235-254.

196. Oliveros, A. Silicon carbide: a versatile material for biosensor applications / A. Oliveros, A. Guiseppi-Elie, S. Saddow. - DOI: 10.1007/s10544-013-9742-3. - Text : unmediated // Biomed Microdevices. - 2013. - Vol. 15, No. 2. - P. 353-368.

197. Locke, C. V. SiC films and Coating: Amorphous, Polycrystalline, and Single Crystal Forms / C.V. Locke, A. Severino, F.La Via, M. Register, S.E. Saddow. - DOI: 10.1016/B978-0-12-385906-8.00002-7. - Text: unmediated // Silicon Carbide Biotechnology. -2012. - P. 17-61.

198. Ильин, В. А. Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD / В. А. Ильин, А. З Казак-Казакевич, А. В. Матузов, А. С. Петров - Текст непосредственый // Материалы электронной техники. - 2007. - №3. - С.22-26.

199. Орлов, Л. К. Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии / Л. К. Орлов, Э.А. Штейман, Т.Н. Смыслова, Н.Л. Ивина, А.Н. Терещенко - Текст: непосредственый // Физика твердого тела. - 2012. - Т.54, Вып.4. - С. 666-672.

200. Кукушкин, С.А. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния (Обзор) /

С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов - Текст непосредственый // Физика твердого тела. - 2014. - Т.56, Вып. 8. - С. 1457-1485.

201. Severino, A. 3C-SiC film growth on Si substrates / A. Severino, C. W. Locke, R. Anzalone [et al.]. - https://doi.org/10.1149/1.3570851. - Text: unmediated // ECS Transactions. - 2011. - Vol.35, No. 6. - P. 99-116.

202. Via, F. La. 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and new 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices (CHALLENGE) / F. La Via, F. Roccaforte, A. La. Magna [et al.]. -DOI: 10.3030/720827. - Text: unmediated // Materials Science Forum. - 2018. -Vol. 924. - P. 913-918.

203. Yin, P.H. SiC/Si Heterojunction Diodes Fabricated by Self-Selective and by Blanket Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition / P.H. Yin, A.J. Steckl. - DOI: 10.1109/16.275210. - Text: unmediated // IEEE Transaction on electron devices - 1994. - Vol. 41, No. 3. - P. 281-287.

204. Rahimi, R. Elecrical Properties of strained nano-thin 3C-SiC/Si heterostructures / R. Rahimi, C.M. Miller, S. Raghavan [et al.]. -https://doi.org/10.1088/0022-3727/42/5/055108. - Text: unmediated // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2009 .- Vol.42, No.5. - P. 055108-1 - 55108-8.

205. Семенов, А.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузико. - Текст неросредственный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2012, №5. - С. 27-30.

206. Pradeepkumar, A. Electrical Challenges of Heteroepitaxial 3C-SiC on Si / A. Pradeepkumar, D. K. Gaskill, F. Iacopi. -https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.297. - Text: unmediated // Materials Science Forum. - 2017. - Vol. 294. - P. 297-301.

207. Tanner, P. Excellent Rectifying Properties of the n-3C-SiC/p-Si heterojunction Subjected to high temperature annealing for electronics, MEMs, and LED applications / P. Tanner, A. Iacopi, H.-P. Plan, S. Dimitrijev [et al.]. -

https://doi.org/l0.l038/s4l598-0l7-l7985-9. - Text : unmediated // Scientific Reports. -20l7. - Vol. 7. - P. l7734-l -l7734-ll.

208. Foisal, A. R. M. 3C-SiC/Si Heterostructure: An excellent platform for position-sensitive detectors based on photovoltaic effect / A. R. M. Foisal, T. Nguyen, T. Dinh [et al.]. - https://doi.org/l0.l02l/acsami.9bl5855. - Text: unmediated // ACS Applied Materials & Interfaces. - 20l9. - Vol. ll. - P. 40980-40987.

209. Fu, X.-A. Surface Roughness Control of 3C-SiC Films during the Epitaxial Growth Process / Xiao-an Fu, Christian A. Zorman, M. Mehregany. -https://doi.org/l0.ll49/Ll8l9833. - Text: unmediated // Journal of Electrochemical Society - 2004. - Vol.l52, No. l2. - P. G9l0-G9l4.

210. Fu, X.-A. Very thin poly-SiC films for micro/nano devices / X.-A. Fu, S. Noh, L. Chen, M. Mehregany. - https://doi.org/l0.ll49/l.l8l9833. - Text: unmediated //Journal of Nanoscience and Nanotechnology. - 2008. - Vol.8. -P. 3063-3067.

211. Reyes, M. Growth of 3C-SiC on Si molds for MEMS application / M. Reyes, M. Waits, S. Harvey [et al.]. -https://doi.org/l0.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.307. - Text: unmediated // Materials Science Forum. - 2006. - Vol. 527-529. - P. 307-309.

212. Plan, H.-P. Robust free-standing nano-thin SiC membranes enable direct photolithography for MEMs sensing applications / H.-P. Plan, T.-K. Nguyen, T. Dinh [et al.]. - https://doi.org/l0.l002/adem.20l700858. - Text: unmediated // Advanced Engineering Materials. - 20l8. - No. 20. - P. l700858-l - l700858-5.

213. Wang, L. Misorientation dependent epilayer tilting and stress distribution in heteroepitaxially grown silicon carbide on silicon (lll) substrate / L. Wang, A. Iacopi, S. Dmitrijev, G. Walker. [et al.]. -https://doi.org/l0.l0l6/usf.20l4.05.052. - Text: unmediated // Thin Solid Films. -20l4. - Vol. 564. - P. 39-44.

214. Massoubre, D. Single-crystalline 3C-SiC thin-film on large Si substrate for photonic application / D. Massoubre, L. Wang, J. Chai [et al.]. -

http://hdl.handle.net/l0072/65943. - Text: unmediated // NSTI-Nanotech. - 2014 - Vol. 2. - P. 416-419.

215. Wang, L. Kinetic surface roughening and wafer bow control in heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) substrates / L. Wang, G. Walker, J. Chai [et al.]. - https://doi.org/10.1038/srep15423. - Text: unmediated // Scientific Reports. - 2015. - V. 5. - P. 15423-1 - 15423-8.

216. AIR WATER INC. SiC Busness: официальный сайд. - URL: http : //www. awi .co.jp./english/busne s s/new/sic/ (дата обращения 05.02.2020). -Текст: электронный.

217. Кукушкин, С.А. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Г. Жуков [ и др.] - Текст непосредственный // Письма в ЖТФ :— 2012. — Т. 38, Вып. 6. — С. 90-95.

218. Fanton, M. 3C-SiC films grown on Si(111) substrates as a template for graphene epitaxy / M. Fanton, J. Roinson, B. Weiland. -https://doi.org/10.1149/1.3119537. - Text: unmediated // ESS Transaction.- 2009. -Vol.19, No. 5. - P. 131-135.

219. Moon, J.S. Top-Gated Field-Effect Transistors Using Graphene on Si(111) Wafers / J.S. Moon, D. Curtis, S. Bui [et al.]. -DOI: 10.1109/LED.2010.2065792. - Text: unmediated // Electron Device Letter, IEEE. - 2010. - Vol. 31. - № 11. - P. 1193-1195.

220. Hens, P. Sublimation growth of thick freestanding 3C-SiC using CVD-templates on silicon as seeds / P. Hens, V. Jokubavicius, R. Liljedahl [et al.]. - https://doi.org/10.1016/j.matlet.2011.09.109. - Text: unmediated // Materials Letters. -2012. - Vol.67, Issue 1. - P. 300-302.

221. Addamiano, A. «Buffer-layer» technique for the growth of single crystal SiC on Si / A.Addamiano, J.Sprague. - https://doi.org/10.1063/1.94820. - Text: unmediated // Applied Physics Letters - 1984. - Vol. 44, No. 5. - P. 525-527.

222. Li, J.P. Nucleation and Void Formation Mechanism in SiC Thin Film Growth on Si by Carbonization/ J. P. Li, A. J. Steckl. -https://doi.org/10.1149/L2044113. - Text: unmediated // Journal of Electrochemical Society. - 1995. - Vol. 142, No. 2. - P. 634-641.

223. Scholz, R. Carbonization-induced SiC micropipe formation in crystalline Si / R. Scholz, U. Gosele. - https://doi.org/10.1063/1.114492. - Text: unmediated // Applied Physics Letters. - 1995. - Vol.67, No. 10. - P. 1453-1455.

224. Scholz, R. Vicropipes and voids at ß-SiC/Si (100) interfaces: an electron microscopy study / R. Scholz, U. Gosele, E. Niemann, F. Wischmeyer. -https://doi.org/10.1007/s003390050452. - Text: unmediated // Applied Physics A 64. -1997. - P. 115-125.

225. Kim, K.C. Mechanistic Study and Characterization of 3C-SiC (100) Grown on Si (100) / K.C. Kim, C. Park, J. Roh [et al.]. -https://doi.org/10.1149/L1365147 - Text: unmediated // Journal of Electrochemical Society. - 2001. - Vol. 148, No. 5. - P. 383-389.

226. Steckl, A.J. Growth of crystalline 3C-SiC on Si at reduced temperatures by chemical vapor deposition from silacyclobutane / A.J. Steckl, C. Yuan, J.P. Li, M.J. Loboda. - https://doi.org/10.1063/L110140. -Text: unmediated // Applied Physics Letter. - 1993. - Vol.63, No. 24. - P.3347-3349.

227. Da, CHEN. Effect of carbonized conditions on residual strain and crystallinity quality of heteroepitaxial growth 3C-SiC film/ CHEN Da, ZHANG Yu-Ming, ZHANG Yi-Men [et al.]. - https://doi.org/10.1088/0256-307X/26/8/086106. -Text: unmediated // Chinese Physics Letter. - 2009. - Vol. 26, No. 8. - P.086106-1 - 086106-3.

228. Severino, A. Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC / A. Severino, R. Anzalone, M. Camarda, N. Piluso, F.La Via. -https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.711.27. - Text: unmediated // Materias Science Forum. - 2012. - Vol. 711. - P. 27-30.

229. Locke, C. High Quality Single Cristal 3C-SiC (111) Films Grown on Si (111) / C. Locke, R. Anzalone, A. Severino [et al.]. -https://doi.org/l0.4028/www.scientific.net/MSF.6l5-6l7.l45. - Text: unmediated // Silicon Carbide and Related Materials. - 2009. - Vol. 615-617. - P. 145-148.

230. Nishino, S. Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices / S. Nishino, J. A. Powell, H. A. Will. -https://doi.org/10.1063/1.93970. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. - 1983.

- Vol. 42, No. 3. - P. 460-462.

231. Madapura, S. Heteroepitaxial Growth of Si (100) and (111) by Chemical Vapor Deposition Using Trimethylsilane / A. J. Steckl, M. Loboda. -https://doi.org/10.1149/L1391745. - Text: unmediated // Journal of Electrochemical Society. - 1999. - Vol. 146, No. 3. - P. 1197-1202.

232. Kim, H. J. Physical and chemical nature of films formed on Si (100) surfaces subjected to C2H4 at elevated temperatures / H. J. Kim, R. F. Davis, X. B. Cox, R. W. Linton - https://doi.org/10.1149/L2100869. - Text: unmediated // Journal of Electrochemical Society. - 1987. - Vol. 134, No. 9. - P.2269-2275.

233. Li, J. P. Structural Characterization of nanometer SiC films grown on Si / J. P. Li, A. J. Steckl, I. Golecki [et al.] - https://doi.org/10.1063/L109106. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. - 1993. - Vol. 62., No. 24. - P.3135-3137.

234. Nishiguchi, T. Hetero-epitaxial growth of (111) 3C-SiC on well -lattice-matched (110) Si substrates by chemical vapor deposition / T. Nishiguchi, M. Nakamura, , K. Nishio, T. Isshiki, S. Nishino. - https://doi.org/10.1063/L1719270.

- Text: unmediated // Applied Physics Letter. 2004. - Vol. 84. - P. 3082-3084.

235. Ikoma, K. Heteroepitaxial Growth of ß-SiC on Si(100) by CVD Using a CH3Cl-SiH4-H2 Gas System / K. Ikoma, M. Yamanaka, H. Yamaguchi, Y.Shichi.- https://doi.org/10.1149/L2085360 - Text: unmediated // Journal of Electrochemical Society. - 1991. - Vol. 138, No. 10. - P. 3028-3031.

236. Via, F. La. From thin film to bulk 3C-SiC growth: Understanding the mechanism of defects reduction / F. La Via, A. Severino, R. Anzalon [et al.]. -

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.12.012. - Text: unmediated // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2018. - Vol. 78. - P. 57-68.

237. Chung, G.-S. Heteroepitaxial Growth of Single 3C-SiC Thin Films on Si (100) Substrates Using a Single-Source Precursor of Hexamethyldisilane by APCVD / G.-S. Chung, K.-S. Kim. - DOI: 10.5012/bkcs.2007.28.4.533. - Text: unmediated // Bulletin of the Korean Chemical Society. - 2007. - Vol. 28, No. 4. -P. 533-537.

238. Лебедев, А. А. Полуизолирующие 6H-SiC подложки для применения в современной электронике / А. А. Лебедев, С. В. Белов, С. П. Лебедев [и др.]. - Текст непосредственный // Журнал Радиоэлектроники .2014. - №2. - С. 56-67.

239. Balooch, M. Connor. Deposition of SiC films by pulsed excimer laser ablation / M. Balooch, R. J. Tench, W. J. Siekhaus, M. J. Allen, A .L. Connor. -https://doi.org/10.1063/L103346. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. -1990.

- Vol. 57, No. 15. - P. 1540-1542.

240. Rimai, L. Deposition of epitaxially oriented films of cubic silicon carbide on silicon by laser ablation: Microstructure of the silicon-silicon-carbide interface / L. Rimai, R. Ager, W. H. Weber, J. Hagas, A. Samman, W. Zhu. -https://doi.org/10.1063/L359070. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. - 1995.

- Vol. 77. - No. 12. - P. 6601-6608.

241. Huanga, J. Growth of SiC thin films on (100) and (111) Silicon by pulsed laser deposition combined with a vacuum annealing process / J. Huanga, L. Wanga, J. Wena [et al.]. - DOI: http://dx.doi.org/10.1557/PROC-572-207 - Text : unmediated // MPS Spring Meeting. - 1999. - V. 572. - P. 207-212.

242. Monaco, G. Synthesis of heteroepytaxial 3C-SiC by means of PLD / G. Monaco, D. Caroli, M. Nataly, M. G. Pelizzo, P. Nicolosi.-https://doi.org/10.1007/s00339-011-6494-x. - Text: unmediated // Applied Physics A. -2011. - Vol. 105. - P. 225-231.

243. Гусев, А. С. Исследование морфологии и структуры тонких пленок 3C-SiC на кремнии методами электронноймикроскопии и рентгеновской дифрактометрии / А. С. Гусев, С. М. Рындя [и др.]. - Текст непосредственный // Материалы электронной техники. - 2013. - №2. - С. 4448.

244. S. Motoyama, N. Carbonization process for low-temperature growth of 3C-SiC by the gas-source molecular-beam epitaxial method / S. Motoyama, N. Morikawa, M. Nasu, S. Kaneda. - https://doi.org/l0.l063/l.347099. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 1990. - V .68, No.l. - P. 101-106.

245. Yoshinobu, T. Heteroepitaxial growth of single crystalline 3C-SiC on Si substrates by gas source molecular beam epitaxy / T. Yoshinobu, H. Mitsui, Y. Tarui [et al.]. - https://doi.org/10.1063/1.351628. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 72, No. 5. - P. 2006-2013.

246. Zekents, K. Early stages of growth of p-SiC on Si by MBE / K. Zekents, V. Papaioannou, B. Pecz, J. Stoemenos. - https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00330-4. - Text: unmediated // Journal of Crystal Growth. - 1995. - Vol. 157. - P. 392-399.

247. Кукушкин, С. А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. - Text: unmediated // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, Вып.7. - С. 11881195.

248. Кукушкин, С. А. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. (Обзор) / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов. - Текст непосредственный // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, Вып. 8. - С.1457-1485.

249. Сорокин, Л. М. Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si (111), полученной методом твердофазной эпитаксии / Л. М. Сорокин, Н. В. Веселов, М. П. Щеглов [и др.] - Текст непосредственный // Письма в ЖТФ. 2008. - Т. 34, Вып. 22. - С. 88-94.

250. Кукушкин, С. А. Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния / С. А. Кукушкин, А. В. Лукьянов, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов. - Текст непосредственный // Письма в ЖТФ. - 2014. - Т. 40, Вып. 1. - С.71-79.

251. Кукушкин С. А. Светодиод на основе 111-нитратов на кремниевой подложке с эпитаксмальным слоем карбида кремния / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков [и др.] - Текст непосредственный // Письма в ЖТФ. - 2012. - Т.38, Вып.6. - С. 90-95.

252. Кукушкин С. А. Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Д. Б. Вчерашний [и др.] - Текст непосредственный // Письма в ЖТФ. - 2013. - Т. 39, Вып. 10. - С. 81-88.

253. Yang, B. Thin SiC films prepared by pyrolysis of polyimide Langmuir-Blodgett films on silicon / B. Yang, Y. Zhou, W. Cai, P. [et al.]. -https://doi.org/10.1063/1.111911. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. 1994. -Vol.64, No. 11. - P. 1445-1447.

254. Yang, B. Growth of 3C-SiC film by pyrolysis of polyimide Langmuir-Blodgett films on silicon / B. Yang, W. Cai, P. He, Y. Sheng, B. Jin. -https://doi.org/10.1063/L359092. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. 1995. - Vol.77, No.12. - P.6733-6735.

255. Ji, M. SiC formation at the interface of polyimide Langmuir-Blodgett film and silicon / M. Ji, J.Zhu, M. Ma [et al.]. - https://doi.org/10.1063/L363047. -Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 1996. - Vol. 80, No. 4. - P. 2471-2474.

256. Pan, H. Photoemission study of P-SiC growth by a polyimide Langmuir-Blodgett film on silicon / H. Pan, H. Guo, E. Lu [et al.]. -https://doi.org/10.1063/L363047. - Text: unmediated // Journal of electron spectroscopy. - 1999. - No. 101-103. - P. 685-688.

257. Jin, B. The growth mechanism of 3C -SiC film polyimide LB film / B. Jin, P. He, Y. Sheng, B. Yang. - https://doi.org/10.1016/S0022-3697(02)00337-2. - Text: unmediated // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2003. - V. 64. - P. 339-342.

258. Fu, Z. SiC films on silicon by pyrolysis of polyimide Langmuir-Blodgett films containing dispersed silicon nanoparticles / Z. Fu, B. Yang, R. Liu [et al.]. - https://doi.org/l0.l0l6/S0l67-577X(98)00109-8. - Text: unmediated // Materials Letter. - 1998. - Vol. 37. - P. 294-297.

259. Liu, R. a-SiC Layer grown on silicon via nano-sized silicon nitride precursor route / R. Liu, B. Yang, Z. Fu [et al.]. - https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00047-4. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - 1999. - Vol. 345. -P.188-191.

260. Liu, R. Stable blue-green and ultraviolet photoluminescence from silicon carbide on porous silicon / R. Liu, B. Yang, Z. Fu [et al.]. -https://doi.org/10.1016/S0038-1098(98)00005-2. - Text: unmediated // Solid State Communication. - 1998. - Vol. 106, No.4. - P. 211-214.

261. Химические методы получения керамических и полимерных материалов из жидкой фазы. Учебное пособие /Под ред. В.В. Лучинина, О.А. Шиловой. - Текст непосредственный. - СПб.: Изд-во ЛЕМА, - 2010. - 217 с. -ISBN: 978-5-906343-03-1 (Глава 5.1 Получение органических нанослойных композиций методом Ленгмюра-Блоджетт. Голоудина С.И., Пасюта В.М., с.181-189)

262. Stenhagen, E. in Determinaion of organic structures by physical method / ed. E. A. Brade, F. C. Nachod. - Text: unmediated. - New York: Academic. - 1995. - P. 325-368.

263. Lundqist, M. Condensed phases in insoluble monomolecular films on water / M. Lundqist. - Text: unmediated // Suomen Kemists. - 1963. - Vol. 72, No.1. - P. 114-127.

264. Gaines, G.L. Insoluble Monolayers at Liguid-Gas Interfaces / G.L. Gaines. - Text: unmediated. - New York, London, Sydney: Interscience. - 1966. -386 p. - ISBN 0470289201.

265. Абрамзон, А. А. Полиморфизм двумерных кристаллов алифатических углеводородов и их замещенных / А. А. Абрамзон, С. И. Голоудина. - Текст непосредственный // Известия Вузов. Химия и химическая технология. - 1985. - Т.28, №10. - С. 28-31.

266. Китайгородский, А.И. Молекулярные кристаллы / А.И. Китайгородский. - Текст непосредственный. - Москва: Наука, 1971. - 424 c. -ISBN [не указан].

267. Smith, R. D. The collapse of surfactant monolayers at the air-water interface / R. D. Smith, J. C. Berg. - https://doi.org/10.1016/0021 -9797(80)90190-3. -Text: unmediated // Journal of Colloid and Interface Science. 1980. - Vol. 74, No.1. - P. 273-286.

268. Абрамзон, А. А. Поверхностно-активные вещества. Свойства и применение / А. А. Абрамзон. - Текст непосредственный // Л.: Химия. -1975. - 248 c. - ISBN [не указан].

269. Kajiama, A.T. Direct observation of defect-diminished fatty acid monolayers and their optical applications / A.T. Kajiama, Y. Oishi, T. Kuri -https://doi.org/10.1016/0040-6090(95)06771 -X. - Text : unmediated // Thin Solid Films. - 1996. - Vol. 273. - P. 84-89.

270. Степина Н. Д. Особенности формирования пленок Ленгмюра-Блоджетт из растворов гребнеобразных полимеров/ Н. Д. Степина, В. В. Клечковская, Л.Г. Янусова, Л. А. Фейгин, А. Л. Толстихина, В. П. Склизкова, А. К. Хрипунов, Ю. Г. Баклагина, В. В. Кудрявцев. - Текст непосредственный // Кристаллография. - 2005. - Т.50,№4. - С. 651-661.

271. Платэ, Н.А. Гребнеобразные полимеры и жидкие кристаллы / Н.А. Платэ, В.П. Шибаев. - Текст непосредственный. - Москва: Химия, - 1980. -304с. - ISBN [не указан].

272. Hamaya, J. Formation mechanism of multilayer polyamic acid alkylamine salt Langmuir-Blodgett films / J. Hamaya, N. Wakayama, M. Jikey, M. Kakimoto. - https://doi.org/l0.ll43/JJAP.39.2784. - Text: unmediated // Japanese Journal of Applied Physics Pt.l. - 2000. - Vol. 39, No. 5a. - P. 2784-2790.

273. Калинина, Н.К. Структура растворов гребнеобразных преполимеров полиимидов / Н. К. Калинина, В. П. Склизкова, И. Г. Силинская [и др.]. - Текст непосредственный // Высокомолекулярные соединения Серия А. - 2001. - Т. 43, №4. - С. 707- 712.

274. Силинская, И. Г. Структура солей полиамидокислот в смешанных растворителях / И.Г. Силинская, В.П. Склизкова., Н. К. Калинина [и др.] -Текст непосредственный // Высокомолекулярные соединения Серия А. -2003. - Т. 45, №10. - С. 1725 - 1732.

275. Luchinin, V. V. Formation of crystalline heteroepitaxial SiC films on Si by carbonization of polyimide Langmuir-Blodgett films / V.V. Luchinin, S.I. Goloudina, V.M. Pasyuta, M.F. Panov, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko, T.F. Semenova, V.P. Sklizkova, I.V. Gofman, V.M. Svetlichnyi, V.V. Kudryavtsev. -DOI: 10.7567/JJAP.56.06GH08. - Text: unmediated//. Japanese Journal of Applied Physics. - 2017. - V.56 - 06GH08.

276. Hofmann, J. Pseudomorphic growth of ultrathin cubic 3C-SiC films on Si(100) by temperature programmed organometallic chemical vapor deposition / J. Hofmann, S. Veprek. - https://doi.org/10.1063/1.369582. - Text: unmediated // Applied Physics - 1999. - Vol. 85, No. 5. - P. 2652 - 2657.

277. Shi, B. The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si(100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition / B. Shi, M.-X. Zhu. - DOI: https://doi.org/10.1557/jmr.2012.259. - Text: unmediated // Journal of Materials Research. - 2013. - Vol.28, No. 1 - P. 113 -119.

278. Nakashima, S. Raman characterization of damaged layers of 4H-SiC induced by scratching / S. Nakashima, T. Mitani, M. Tomobe, T. Kato, H.

Okumura. - https://doi.org/l0.l063/l.4939985. - Text: unmediated // AIP Advances. -2016. - Vol.6. - P. 015207-1 - 015207-8.

279. Nakashima, S. Raman Investigation of SiC Polytypes / S. Nakashima, H. Harima. - https://doi.org/10.1002/1521-396X(199707)162:1<39::AID-PSSA39>3.0.TO;2-L. - Text: unmediated // Physica Status Solidi (a). - 1997. - Vol. 162. - P. 39-64.

280. Nakashima, S. Detection of stacking faults in 6H-SiC by Raman scattering / S. Nakashima, Y. Nakatake, H. Harima, M. Katsuo, N. Ohtani. -https://doi.org/10.1063/1.1329629. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. -2000. - Vol. 77. - P. 612-3614.

281. Голоудина, С. И. Пленки Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепного полиимида: получение и структура / С. И. Голоудина, В. П. Склизкова, В. М. Пасюта [и др.] - Текст непосредственный // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2003. - №10. - С. 93-99.

282. Голоудина, С. И. Исследование закономерностей формирования надмолекулярной структуры пленок Ленгмюра-Блоджетт гребнеобразного преполимера полиимида / С. И. Голоудина, В. В. Лучинин, В. М. Пасюта, В. В. Клечковская, Ю. Г. Баклагина, В. В. Розанов, М. Ф. Панов, В. П. Склизкова, В. В. Кудрявцев.- Текст непосредственный // Кристаллография. -2009. - Т. 54, №3. - С. 501-509.

283. Голоудина, С. И. Особенности строения ультратонких пленок жесткоцепного полиимида, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт / С. И.Голоудина, В. В.Лучинин, В .М.Пасюта, В. В.Розанов, В. П.Склизкова, В. В.Кудрявцев, А. А.Левин, Д. К.Майер, П. Пауфлер. - Текст непосредственный // Журнал прикладной химии. - 2005. - Т. 78, Вып.9. - С. 1499-1503.

284. Голоудина, С. И. Исследование поверхностной структуры пленок Ленгмюра-Блоджетт гребнеобразного жесткоцепного преполимера полиимида методом атомно-силовой микроскопии / С. И. Голоудина, В. В. Лучинин, В. В. Розанов, В. М. Пасюта, В. П. Склизкова, В. В. Кудрявцев. -

Текст непосредственный // Письма в ЖТФ. - 2006. - Том 32. - Вып.23. - С. 54-59.

285. Голоудина, С. И. Генезис надмолекулярной структуры пленок Ленгмюра-Блоджетт гребнеобразного преполимера и полиимида / С. И. Голоудина, В. В.Лучинин, В. В. Розанов, В. М. Пасюта, И. В.Гофман, В. П. Склизкова, В. В. Кудрявцев.- Текст непосредственный // Кристаллография. -2013. - Том 58, №2. - С. 276-282.

286. Anzalone, R. Carbonization and transition layer effrcts on 3C-SiC film residual stress / R. Anzalone, G. Litrico, N. Piluso [et al.]. -https://doi.org/10.1016/j.jcrvsgro.2017.05.015. - Text: unmediated // Journal of Crystal Growth. - 2017. - Vol. 473. - P. 11-19.

287. Lee, Y.J. Formation of silicon carbide on carbon fibers by carbothermal reduction of silica / - https://doi.org/10.1016/j.diamond.2003.11.062. -Text: unmediated // Diamond and Related Materials. - 2004. - Vol. 13. - P. 383388.

288. Haibo, O. Synthesis of a silicon carbide coating on carbon fibers by deposition of a layer of pyrolytic carbon and reacting it with silicon monoxide / O. Haibo, L. Hejun, Q. Lehua, L. Zhengjia, W. Jian, W. Jianfeng. -https://doi.org/10.1016/j.carbon.2008.05.017.- Text: unmediated // Carbon. - 2008. -Vol. 46. - P. 1339-1344.

289. Голоудина, С. И. Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра-Блоджетт/ С.И. Голоудина, В.В. Лучинин, В.М. Пасюта, А.Н. Смирнов, Д.А. Кириленко, Е.Н. Севостьянов, Г.А. Коноплев, В.В. Андрюшкин, В.П. Склизкова, И.В. Гофман, В.М. Светличный, В.В. Кудрявцев. - D0I:10.21883/PJTF.2019.09.47716.17735. -Текст непосредственный // Письма в ЖТФ. - 2019. - Т.45, Вып.9. - С. 50 - 54.

290. Виноградов, А. Я. Структура и свойства полученных методом магнетронного распыления тонких графитоподоных пленок / А. Я. Виноградов, С. А. Грудинкин, Н. А.Беседина, С. В.Коняхин, М. К. Рабчинский, Е. Д. Эйдельман, В. Г. Голубев. - Текст непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, Вып. 7. - С. 775-781.

291. Cancado, L. G. General equation for the determination of the crystallite size La of hanographite by Raman spectroscopy / L. G. Cancado, K. Takai, T. Enoki [et al.]. - https://doi.org/10.1063/1.2196057. - Text: unmediated // Applied Physics Letter. - 2006. - Vol. 88. - P. 163106-1 - 163106-3.

292. Baklanov, M. Advanced interconnects for ULSI technology/ M. Baklanov, P. S. Ho, E. Zschech. - DOI:10.1002/9781119963677. - Text: unmediated. - New York: Wiley, 2012. - 608 c. - ISBN: 978-0-470-66254-0.

293. Grill, A. PECVD low and ultralow dielectric constant materials: From invention and research to products / A. Grill. - https://doi.org/10.1116/1.4943049. -Text: unmediated // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2016. - Vol. B34. - P. 020801-1 - 020801-9.

294. Baklanov, M. Dielectric Films for Advanced Microelectronics / M. Baklanov, M. Green, K. Maex. - Text: unmediated. - New York: Wiley, 2007.512 с. - ISBN: 978-0-470-01360-1.

295. Maex, K. Low dielectric constant materials for microelectronics / K. Maex, M.R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, Z. S. Yanovitskaya. - https://doi.org/10.1063/1.1567460. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 93, No. 11. - P. 8793-8841.

296. Gan, G. L. Experimental characterization and modeling of reliability of three terminal dual damascene Cu-interconnect trees / G. L. Gan, C. V. Thompson, K .L. Pey, W. K. Choi. - DOI: 10.1063/1.1585119. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 94, No. 2. - P. 1222-1228.

297. Jin, C. Nanoporous silica as an ultralow - k - dielectric nanoporous silica / C. Lin, J. D. Luttmer, D. M. Smith, T. A. Ramos. -

https://doi.org/10.1557/S0883769400034187. - Text: unmediated // MRA Bulletin. -1997. - Vol. 22. - P. 39-42.

298. Baklanov M. P. Plasma processing of low-k dielectrics / M. Baklanov, J.F. de Marneffe, D. Shamiryan [et al.]. - https://doi.org/10.1063/L4765297. - Text: unmediated // Journal of Applied Physics. - 2013. - Vol. 113. - P. 041101-1 -041101-40.

299. Armini, S. Pore Sealing of Porous Ultralow-k Dielectrics by Self-Assembled Monolayers Combined with Atomic Layer Deposition / S. Armini, J. Loyo Prado, J. Swerts [et al.]. - https://doi.org/10.1149/2.012202ssl. - Text: unmediated // ECS Solid State Letters - 2012. - Vol. 1. - № 2. - P. 42-44.

300. Armini, S. Pore sealing of k 2.0 dielectrics assisted by self-assembled monolayers deposited from vapor phase/ S. Armini, J. Loyo Prado, M. Krishtab [et al.]. - https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.08.007. - Text : unmediated // Microelectronic Engineering - 2013. - Vol. 120. - P. 240-245.

301. Резванов, А.А. Изобары адсорбции фторуглеродных соединений, выбранных для криогенного плазменного травления low-k диэлектриков / А.А. Резванов, О.П. Гущин, Е.С. Горнев [и др.]. - Текст непосредственный // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. - 2015. - Т. 1, № 157. - С. 49-57.

302. Резванов, А.А. Клеточно-автоматная модель воздействия O2 плазмы на интегральные свойства SiOCH low-К диэлектрика / А.А. Резванов, И.В. Матюшкин, О.П. Гущин, Е.С. Горневю - Текст непосредственный // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. - 2016. - T. 163, № 3. - С. 63-78.

303. Резванов, А.А. Исследование уменьшения деградации low-k диэлектрика путем селективного осаждения защитного полимера на стенки пор / А.А. Резванов, Л. Чанг, Ж.-Ф. де Марнефф, М.Б. Криштаб, Н. Хакер, М.Р. Бакланов. - Текст непосредственный // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника - 2017. - T. 164, № 4. - С. 10 -16.

304. Yoon, S. J. Surface-Localized Sealing of Porous Ultralow-k Dielectric Films with Ultrathin (<2 nm) Polymer Coating / S. J. Yoon, K. Pak, T. Nam [et al.]. -https://doi.org/10.1021/acsnano.7b01998. - Text: unmediated // ACS Nano. -2017. - Vol. 11, № 8. - P. 7841-7847.

305. Голоудина, С. И. Полиимидные нанослоевые композиции как стабилизирующие покрытия микроэлектронных структур / С. И. Голоудина,

B. М. Пасюта, Д .А. Козодаев, В. В. Кудрявцев, В. В. Лучинин, В. П. Склизкова, В .И. Закржевский, Д. Э. Темнов. - Текст непосредственый // Петербургский журнал электроники. - 2001, №4. - C. 79-86.

306. Лучинин, В.В. Формирование полиимидных мембран на металлической сетке - матрице методом Ленгмюра-Блоджетт / В. В.Лучинин,

C. И. Голоудина, В. М. Пасюта, М. Ф. Панов, И. В. Гофман, В. П. Склизкова, В. В. Кудрявцев - Текст непосредственый // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31, Вып.8. - С. 57-61.

307. Goloudina, S.I. Pore sealing of SiOCH ultra low-k dielectrics with polyimide Langmuir-Blodgett films / S.I. Goloudina, A. S. Ivanov, M. B. Krishtab, V.V. Luchinin, V.M. Pasyuta, I. V. Gofman, V. P. Sklizkova, V. V. Kudryavtsev and M. R. Baklanov. - DQI:https://doi.org/10.1557/opl.2012.1355. - Text: unmediated // MRS Online Proceedings Library. - 2012. - Vol. 1428. - P.32-37.

308. Baklanov, M. R. Determination of pore size distribution in thin films by ellipsometric porosimetry / M. R. Baklanov, K. P. Mogilnicov, V. G.Polovinkin, F. N. Dultsev. - https://doi.org/10.1116/1.591390. - Text : unmediated // Journal of Vacuum & Technology B. - 2000. - Vol.18, No.3. - P. 1385-1391.

309. Сеслер, Г. Электреты / Г. Сесслер. - Текст непосредственный. -Москва: Мир, 1983. - 487 с. - ISBN [не указан].

310. Boisseau, Stable DRIE-patterned SiO2/Si3N4 electrets / S. Boisseau, J. J. Chaillout, J. S. Danel, J. B. Legras, G. Despesse. - DOI: 10.1109/Transducers.2013.6627174. - Text: unmediated // 17th International

Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems. - 2013. - P. 1942-1945.

311. Minami, T. Stability of Post annealrd Silicon Dioxide Electret thin Films Prepared by Magnetron Sputtering / T. Minami, H. Toda, T. Utsubo, T. Miyata, Y. Ohbayashi. - https://doi.org/10.2320/matertrans.43.946. - Text: unmediated // Materials Transactions. - 2002 - Vol. 43, No. 5. - P. 946-950.

312. Fei, Y. Charge storage stability of SiO2 film electret / Y. Fei, Z. Xu, C. Chen. - DOI: 10.1109/SECON.2001.923077. -Text: unmediated // Proceedings of IEEE SouthEastCon. New York. - 2007. - P. 1-7.

313. Wang, F. Inorganic. Electret with Enhanced Charge Stability for Energy Harvesting / F. Wang, O. Hansen. DOI: 10.1109/NEMS.2013.6559716. -Text: unmediated // Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS) 8th International Conference. - 2013. - P. 7-10.

314. Пшелко, Н.С. Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий для получения электретов на основе диоксида кремния / Н.С. Пшелко. - Текст непосредственный // Записки Горного института. - 2018. - Т. 230.- С. 146-152.

315. Günther, P. SiO2 electrets for electric-field generation in sensors and actuators / P. Günther. - https://doi.org/10.1016/0924-4247(92)80012-R. - Text: unmediated // Sensors and Actuators A. - 1990. - Vol. 32, Issue 1-3. - P. 357-360.

316. Gould, C. Review on micro-energy harvesting technology / C. Gould, R. Edwards. - DOI: 10.1109/UPEC.2016.8114023. - Text: unmediated // 51st International Universities Power Engineering Conference. - 2016. - P. 1-5.

317. Naito, Y. Electrostatic MEMS Vibration Energy Harvesters inside of tire trends/ Y.Naito, K. Uenishi. - https://doi.org/10.3390/s19040890 - Text: unmediated // Sensors. - 2019. - Vol. 19. - P. 890-1 - 890-9.

318. Saad, A. Hihg efficient low cost electret charging set-up for MEMS based energy harvesting systems / A. Saad, U. Mescheder, B. Müller, A.Nimo. -Text: unmediated // Processing Power MEMS. - 2010. - P. 61-64.

319. Olthnis, W. On the large storage and decay mechanism in silicon dioxide electrets/ W. Olthnis, P. Bergveld. - DOI: 10.1109/14.155784. - Text: unmediated // IEEE Transaction on Electrical Insulation. - 1992. - V. 27, No. 4. -P. 691-697.

320. Xu Dong, Zou. Study on PECVD SiO2/Si3N double-layer electrets with different thicknesses / Zou Xu Dong, Zhang Jin Wen. -https://doi.org/10.1007/s11431-011 -4423-z. - Text: unmediated // Science China Technological Sciences. - Vol. 54, № 8. - P. 2123-4423.

321. Козодаев, Д.А. Электретный эффект в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4: специальность 01.04.07 « Физика конденсированного состояния»: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Козодаев Дмитрий Александрович; Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ». - Санкт-Петербург, 2002. - 193 с. - Текст непосредственный.

322. Amjadi, H. Silicon-based Inorganic Electrets for Application in Micromachined Devices/ H. Amjadi, C. Thielemann. - DOI: 10.1109/94.536727. -Text: unmediated // IEEE Transaction Dielect Electrical Insulation. - 1996. - Vol. 3, №4 - P.494-498.

323. Yuan, N. SiO2 film electret with high surface potential stability / N. Yuan, J. Li. -https://doi.org/10.1016/Upsusc.2005.01.025. - Text: unmediated // Applied Surface Science. - 2005. - Vol. 252. - P. 455-460.

324. Liang, F. Charge distribution and stability of SiO2 nanoaray electret/ F. Liang, H. Y. Li, Y. Wang [et.al.]. - https://doi.org/10.1002/cnma.201900632. - Text: unmediated // ChemNanoMat. - 2020. - Vol. 6, Issue 2. - P. 212-217.

325. Tieke, B. Ultrathin self-assembled polyelectrolyte multilayer membranes / B. Tieke, F. van Ackern, L. Kraseman, A. Toutianoush. -https://doi.org/10.1007/s101890170084. - Text: unmediated // The European Physical Journal E. - 2001, No.5. - P.29-39.

326. Tieke, B. Langmuir-Blodgett membranes for separation and sensing / B. Tieke. - https://doi.org/10.1002/adma.19910031103. - Text:unmediated // Advanced Materials. 1991. -Vol. 3, No. 11. - P. 532-541.

327. Marek, M. Ultra-thin polyimide film as a gas-separation layer for composite membranes / M. Marek, E. Brynda, M. Houska, J. Schaer. https://doi.org/10.1016/0032-3861(96)85375-4. - Text: unmediated // Polymer. - 1996. - Vol. 37, No. 12. - P. 2577-2579.

328. Marek, M. Crosslinced ultra-thin polyimide film as a gas separation layer for composite membranes / M. Marek, E. Brynda, Z. Pientka, J. Schauer. -DOI: 10.1016/s0014-3057(97)00050-5. - Text: unmediated // European Polymer Journal. - 1997. - Vol. 33, No. 10-15. - P. 1717-1721.

329. Ried, T. Gas permeability of Langmuir-Blodgett (LB) films: characterization and application / T. Ried, W. Nitsch, T. Michel. -https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)01566-2. - Text: unmediated // Thin Solid Films. - 2000. - Vol. 379, Issue 1-2. - P. 240-252.

330. Кононова, С.В. Полимерные композиционные мембраны для газоразделения и первопорации с наноструктурированным граничным слоем: специальность 02.00.06 «Высокомолекулярные соединения», 05.17.18 «Мембранны и мембранные технологии»: диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук / Кононова Светлана Викторовна; -Институт высокомолекулярных соединений РАН. - Санкт-Петербург, 2020. -296 с. - Текст непосредственный.

331. Rombach, P. The first low voltage, low noise differential silicon microphone, technology development and measurement results / P. Rombach, M. Mullenborn, U, Klein, K. Rasmussen. - DOI: 10.1109/MEMSYS.2001.906474. - Text: unmediated // Sensors and Actuators A: Phisycal. - 2002. -Vol .95, No. 2-3. -P.196-201.

332. Huang, C. A silicon micromachined microphone for fluid mechanics research / C. Huang, A. Noguib, E. Soupos, K. Najafi. - https://doi.org/10.1088/0960-

1317/12/6/307. - Text: unmediated // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2002. - Vol.12, No. 6. - P. 767-774.

333. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова - Текст непосредственный. - М.: ФИЗМАТЛИТ. -2006 - 552 с. - ISBN: 5-9221- 0719-4 (Глава 2.3 Технология получения органических нанослойных композиций методом Ленгмюра-Блоджетт. Голоудина С.И., Пасюта В.М., с.166-204).