Физико-технологические основы формирования контактов к карбиду кремния методами импульсной термообработки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Агеев, Олег Алексеевич

• Агеев, Олег Алексеевич
• доктор технических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор технических наук Агеев, Олег Алексеевич

Введение.

1. Анализ проблем технологии формирования контактов металл/карбид кремния.

§ 1.1. Требования к контактам металл/полупроводник.

1.2. Контакты к n-SiC на основе тугоплавких металлов.

1.2.1. Никель - карбид кремния.

1.2.2. Титан - карбид кремния.

1.2.3. Хром - карбид кремния.

1.2.4. Кобальт - карбид кремния.

1.2.5. Молибден - карбид кремния.

1.2.6. Тантал - карбид кремния.

1.2.7. Вольфрам - карбид кремния. 1.2.8. Платина - карбид кремния.

1.2.9. Использование соединений для контактов к n-SiC.

1.2.10 Применение многослойных структур для контактов к n-SiC.

1.3. Контакты к p-SiC.

1.3.1. Контакты на основе тугоплавких металлов.

1.3.2. Палладий - карбид кремния.

1.3.3. Контакты на основе титана.

1.3.4. Контакты на основе алюминия.

1.3.5. Сравнение параметров контактов к p-SiC. 1.4. Влияние обработки поверхности подложки карбида кремния на электрофизические параметры контактов.

1.5. Методы получения силицидов и карбидов тугоплавких металлов.

1.6. Выводы.

2. Разработка методики выбора материала для формирования контактов к

2.1. Свойства материалов контактов.

2.1.1. Структурные особенности кристаллической решетки карбида кремния.

2.1.2. Некоторые электрофизические свойства SiC.

2.1.3. Некоторые свойства тугоплавких металлов.

2.1.4. Соединения тугоплавких металлов с карбидом кремния.

2.1.5. Удельное сопротивление карбидов и силицидов тугоплавких металлов.

2.1.6. Температура плавления карбидов и силицидов тугоплавких металлов.

2.1.7. Стабильность силицидов и карбидов в окислительных средах.

2.2. Термодинамические закономерности высокотемпературной стабильности структур металл/карбид кремния.

2.2.1. Методы анализа твердофазных реакций и определения термодинамиче

0 ских свойств соединений.

2.2.2. Термодинамический анализ стабильности в тройной системе Ni-Si-C.

2.3. Механические напряжения в контактах к карбиду кремния.

2.3.1. Влияние напряжений на параметры микроэлектронных структур.

2.3.2. Источники напряжений в пленках.

2.3.3. Напряжения из-за различия молярных объемов материалов пленки и подложки.

2.3.4. Термоупругие напряжения.

2.3.5. Напряжения из-за несоответствия параметров кристаллической решетки пленки и подложки. ft 2.3.6. Напряжения в структурах контактов к SiC.

2.3.7. Напряжения в контактах к SiC на основе никеля и его силицидов.

2.4. Выводы.

3. Влияние параметров границы раздела на токопрохождение в контактах к карбиду кремния.

3.1. Формирование потенциального барьера в контакте металл-полупроводник.

3.2. Токопрохождение в контакте металл-полупроводник.

3.3. Влияние концентрации легирующей примеси и плотности состояний на границе раздела на параметры контактов к карбиду кремния.

3.4. Выводы.

4. Моделирование процессов импульсной термообработки SiC.

4.1. Особенности методов импульсной термообработки.

4.2. Быстрая термообработка некогерентным ИК-излучением SiC и структур на его основе.

4.2.1. Отражение и поглощение некогерентного ИК-излучения в SiC и структурах на его основе.

4.2.2. Общие закономерности нагрева SiC и структур на его основе при БТО некогерентным ИК-излучением.

4.2.3. Оптимизация реакционной камеры установки БТО для пластин SiC.

4.2.4. Оптимизация режимов БТО пластин SiC.:.

4.2.5. Математическая модель расчета температурных полей в структурах на основе SiC при БТО некогерентным излучением.

4.2.6. Закономерности формирования температурных полей в структурах металл/карбид кремния при БТО некогерентным излучением.

4.3. Температурные поля и термоупругие напряжения в SiC при электроискровой обработке.

4.3.1. Моделирование температурных полей при ЭИО в карбиде кремния.

4.3.2. Напряжения в области воздействия ЭИО.

4.4. Выводы.

5. Экспериментальное исследование влияния импульсной термообработки на параметры контактов к SiC.

5.1. Влияние режимов БТО на электрические и структурные параметры контактов к SiC.

5.1.1. Влияние БТО на электрические параметры контактов Ni/n-21R-SiC.

5.1.2. Влияние БТО на электрические параметры контактов Ni/n-6H-SiC.

5.2. Влияния электроискровой обработки на параметры контактов Ni/n-6H-SiC

5.3. Применение электронно-лучевой обработки в технологии изготовления контактов для SiC.

5.3.1. Влияние электронно-лучевой обработки на морфологию поверхности подложки карбида кремния.

5.3.2. Влияние электронно-лучевой обработки на параметры контактов Ti/n-6H-SiC.

5.4. Влияние импульсной термообработки на параметры контактов к p-6H-SiC

5.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-технологические основы формирования контактов к карбиду кремния методами импульсной термообработки»

Прогресс в области технологии радиоэлектронной аппаратуры для экстремальных условий эксплуатации, а так же возможности реализации разработок по приоритетным направлениям развития науки и техники, обеспечиваются развитием экстремальной электроники - направления микроэлектроники и микросистемной техники, которое основано на использовании широкозонных полупроводниковых материалов, наиболее перспективным и освоенным из которых является карбид кремния (SiC).

Успехи в технологии выращивания объемных монокристаллов и эпитак-сиальных слоев, а так же микротехнологии обработки карбида кремния, обеспечены приоритетными фундаментальными и прикладными исследованиями российских научных центров, которые являются признанными мировыми лидерами (кафедра микроэлектроники и Центр микротехнологии и диагностики Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (ЛЭТИ), Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе (ФТИ), РНЦ "Курчатовский институт). Это позволило начать исследования и разработки широкого класса приборов и устройств экстремальной электроники, прежде всего силовой, СВЧ-электроники и датчиковой тематики.

Одной из наиболее важных задач при проектировании и изготовлении приборов этого класса является создание контактов с заданными параметрами, стабильными при эксплуатации в условиях высоких температур и уровней радиации.

При разработке технологии формирования контактов к карбиду кремния необходимо обеспечить решение ряда взаимосвязанных проблем, которые определяются современным состоянием и тенденциями развития технологии производства приборов на SiC.

Первая проблема заключается в необходимости выбора материалов, применение которых обеспечит воспроизводимое формирование невыпрям-ляющих или выпрямляющих контактов к SiC с контролируемыми параметрами, стабильными в широком температурном диапазоне. Решение этой проблемы является актуальной задачей и достигается при разработке методики, основанной на анализе особенностей структуры, электрофизических, физико-химических и физико-механических свойств материалов контактов, а так же проблем их совместимости со свойствами карбида кремния.

Вторая проблема заключается в необходимости контроля процессов твердофазного взаимодействия контактирующих материалов и структуры границы раздела при термообработке нанесенных на подложку SiC пленок металлов.

В настоящее время при изготовлении контактов к SiC широко используются типовые технологические процессы, разработанные для нужд серийного производства кремниевых ИС (очистка поверхности подложек, нанесение пленочных структур, фотолитография) [1]. Однако, ключевой операций при формировании контактов к SiC является термообработка пленочных структур, поскольку она сопровождается диффузионным перераспределением и твердофазным взаимодействием атомов металлов с кремнием и углеродом, что приводит к формированию новых соединений, а так же к изменению структуры границы раздела контакта.

Использование методов термообработки с прецизионным контролем режимов отжига позволяет управлять этими процессами и оказывать влияние на параметры контактов.

Третья проблема связана с необходимостью учета современных тенденций развития технологии приборов экстремальной электроники при разработке технологических процессов формирования контактов к SiC. В частности, особенностью современного этапа развития технологии выращивания объемных монокристаллов SiC является организация перехода на коммерческое производство пластин диаметром 100 мм. Этим устраняется одно из основных препятствий на пути организации полномасштабного массового производства приборов экстремальной электроники, и на большинстве технологических операций могут быть использованы стандартные для микроэлектронной технологии оборудование и оснастка. При этом, закономерным является проявление в технологии приборов экстремальной электроники тенденций, действующих в микроэлектронной технологии: повышение сложности, а так же необходимость снижения стоимости и повышения выхода годных изделий приводят к повышению степени интеграции и сокращению цикла изготовления приборов, а так же увеличению диаметра пластин и переходу к методам индивидуальной обработки.

Решение этого комплекса взаимосвязанных проблем, обеспечивается за счет применения методов импульсной термообработки, основанных на кратковременном нагреве структур с высокой скоростью в широком диапазоне температур и различных технологических средах.

В диссертационной работе решается задача создания методики разработки технологических процессов формирования выпрямляющих и невы-прямляющих контактов к карбиду кремния на основе отжига методами импульсной термообработки.

Решение этой задачи основано на применении комплексного, физико-технологического подхода, который заключается в необходимости разработки методики выбора материалов контактов с учетом их электрофизической, физико-химической, физико-механической и структурной совместимости с карбидом кремния, а так же оптимизации режимов технологических процессов и конструкционных параметров оборудования импульсной термообработки, с учетом геометрических размеров и свойств подложек, топологии структур контактов, а так же нелинейных зависимостей оптических, тепло-физических, физико-механических и физико-химических свойств материалов.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка использованной литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Агеев, Олег Алексеевич

5.5 Выводы

Результатами проведенных экспериментальных исследований являются:

1) технологические процессы на основе БТО некогерентным ИК-излучением в вакууме, позволяющие контролировать фазовый состав и электрофизические параметры контактных структур, и в частности, формировать омические контакты Ni/n-6H-SiC(l,4-1017CM"3) и Ni/n-21R-SiC(3,0-1018CM"3) с удельным переходным сопротивлением 5-Ю"3 Ом-см2 и 1-Ю*4 Ом-см2 соответственно;

2) технологические процессы формирования контактов металл/SiC на основе электроискровой обработки позволяющие формировать омические контакты с низким удельным переходным сопротивлением без дополнительной термообработки, и в частности, контакты Ni/n-6H-SiC(l,4-1017CM"3) и Ti/Al/p-6H-SiC(M018 см"3) с удельным переходным сопротивлением 3-10"3 Ом-см2 и 6-10"1 Ом-см2 соответственно;

3) технологические процессы финишной электронно-лучевой обработки подложек SiC, применение которого позволяет изменять параметры контактов металл/SiC без дополнительного высокотемпературного отжига, и в частности формировать омические контакты Ti/n-6H-SiC(l,0-10 см") с удельным

3 2 переходным сопротивлением 3,8-10" Ом-см .

4) применение разработанного технологического процесса финишной электронно-лучевой обработки позволяет проводить глубокую очистку и структурирование поверхности подложек SiC за счет удаления приповерхностного слоя с остаточными дефектами кристаллической структуры, при этом происходит улучшение электрофизических и оптических параметров подложки, а так же снижается шероховатость ее поверхности;

Анализ представленных экспериментальных данных показывает, что БТО некогерентным ИК-излучением в вакууме является эффективным инструментом, позволяющим управлять фазовым составом контактов и их границы раздела с подложкой, а так же размером зерна и морфологией поверхности контактов к SiC на основе тугоплавких металлов, что позволяет в широких пределах варьировать электрические параметры контактов.

Проведенные эксперименты показали, что использование электроискровой обработки при формировании контактов к SiC на основе тугоплавких металлов позволяет формировать контакты с хорошими омическими характеристиками без использования высокотемпературных отжигов, что позволяет значительно упростить технологический процесс изготовления приборов и ИМС экстремальной электроники.

Финишная электронно-лучевая обработка позволяет проводить глубокую очистку и модификацию приповерхностного слоя подложки карбида кремния и изменять условия и механизмы токопрохождения в контактах, на основе тугоплавких металлов.

Таким образом, полученные результаты показывают, что импульсная термообработка является эффективным инструментом, позволяющим управлять параметрами приповерхностного слоя подложки и границы раздела в контактах металл/карбид кремния, и электрофизическими параметрами контактов к SiC на основе тугоплавких металлов.

Заключение

Совокупность изложенных в диссертации положений посвящено научным исследованиям в области создания физико-технологических основ разработки технологических процессов формирования контактов к карбиду кремния на основе отжига импульсными методами термообработки.

В диссертации получены следующие основные научные теоретические и практические результаты.

1. Проведены обобщение и систематизация имеющегося практического опыта, а также комплексный анализ требований и основных физико-технологических проблем формирования контактов к SiC на основе тугоплавких металлов с учетом процессов твердофазного взаимодействия в структурах контактов и их влияния на электрофизические параметры контактов. Выявлена взаимосвязь между структурно-морфологическими и электрофизическими параметрами контактов. Доказано, что термообработка контактов должна проводиться импульсными методами, позволяющими прецизионно управлять фазовым составом, кристаллической структурой и свойствами границы раздела для обеспечения электрических параметров контактов металл/SiC и их стабильности.

2. Разработана методика анализа термической стабильности структур металл/карбид кремния, основанная на определении термодинамических характеристик реакций твердофазного взаимодействия, их анализа и построения изотермических сечений тройных фазовых диаграмм систем металл-Si-C. На примере системы Ni-Si-C показана перспективность использования силицидов тугоплавких металлов для формирования термически стабильных контактов к SiC.

3. Проведен анализ основных механизмов формирования напряжений в пленочных структурах контактов к SiC. Разработана математическая модель для анализа закономерностей влияния на напряжения в пленочных структурах контактов к SiC режимов их формирования и термообработки, а также размерных факторов. Доказана необходимость снижения температур формирования и оптимизации топологии контактов для снижения величины механических напряжений в них.

4. Предложены математические модели для определения параметров контактов металл/карбид кремния, которые могут быть использованы при анализе экспериментальных данных. На основе разработанных математических моделей получены расчетные зависимости, отражающие основные закономерности влияния параметров границы раздела на высоту потенциального барьера и удельное сопротивление контактов Ni/n-6H-SiC.

5. Разработана методика выбора материалов для контактов к SiC, основанная на комплексном подходе к решению физико-технологических проблем, результатах математического моделирования и учете особенностей структур и свойств материалов. На примере контактов Ni/SiC показано, что представленная методика позволяет прогнозировать электрофизические параметры контактов.

6. Разработана математическая модель для расчета оптических свойств карбида кремния, с помощью которой установлены закономерности поглощения некогерентного ИК-излучения в пластинах SiC при нагреве с учетом спектральной зависимости источника излучения и температурных зависимостей электрофизических свойств карбида кремния.

7. Разработана методика оптимизации конструкции реакционной камеры и режимов БТО пластин SiC диаметром 100 мм с учетом нелинейных температурных зависимостей оптических, электрофизических и физико-механических свойств карбида кремния.

8. Разработана модель для оптимизации режимов БТО структур контактов к SiC, основанная на моделировании температурных полей и минимизации их градиентов, с учетом нелинейных температурных зависимостей оптических и электрофизических свойств карбида кремния. Установлены закономерности формирования температурных полей и градиентов температуры в структурах контактов к SiC при БТО в зависимости от соотношения оптических и теплофизических свойств материалов подложки и слоев, а также режимов БТО.

9. Разработан технологический процесс формирования контактов к SiC на основе быстрой термической обработки некогерентным ИК-излучением в вакууме, позволяющий контролировать их фазовый состав и параметры, в частности, формировать омические контакты к n-6H-SiC(l,4-1017CM"3) и п

18 3

21R-SiC(3,0-10 см") с удельными переходными сопротивлениями соответственно 5-10"3 Ом-см2 и 1-Ю"4 Ом-см2 на основе силицидов никеля.

10. Разработан технологический процесс формирования контактов к SiC на основе электроискровой обработки, позволяющий формировать низкоомные контакты без дополнительной термообработки, и в частности, контакты Ni/n-6H-SiC(l,4-1017cM"3) с удельным переходным сопротивлением 3-10'3 Ом-см2.

И. Разработан технологический процесс финишной электроннолучевой обработки подложек SiC, применение которого позволяет удалять разупорядоченный приповерхностный слой подложки, снижать среднеквадратичную шероховатость ее поверхности с 3,43 нм до 1,35 нм, а так же изменять параметры контактов к SiC без дополнительного высокотемпературного отжига, в частности формировать омические контакты Ti/n-6H-SiC(l,0-1017CM"3) с удельным переходным сопротивлением 3,8-10'3 Ом-см2.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Агеев, Олег Алексеевич, 2005 год

1. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники. // Известия ВУЗов. Электроника, 1997, №1, с. 10-37.

2. Лучинин В.В., Мальцев П.П., Маляков Е.П. Широкозонные материалы -основа экстремальной электроники будущего // Микроэлектроника, 1999, том. 28, №1, с. 21-29.

3. Лебедев А.А., Челноков В.Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 9, с. 1096-1099.

4. Лучинин В.В., Мальцев П.П., Маляков Е.П. Карбид кремния -стратегический материал электроники будущего. // Электроника. Наука, технология, бизнес. 1997. №3-4, с.61.

5. Лучинин В.В., Корляков А.В. Композиция "карбид кремния нитрид алюминия": основа микросистемной техники для экстремальных условий эксплуатации // Петербургский журнал электроники, 1999, № 3, с. 20-42.

6. Корляков А.В., Лучинин В.В., Мальцев П.П. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции "карбид кремния нитрид алюминия" // Микроэлектроника, 1999, том. 28, №3, с. 201-212.

7. Иванов В.А., Челноков В.Е. Полупроводниковый карбид кремния -технология и приборы. // ФТП, 1995, т. 29., вып. 11, с. 1921-1943.

8. Афанасьев А.В., Ильин В.А., Петров А.А. Высокотемпературные диоды Шоттки на основе SiC // Петербургский журнал электроники, 2000, № 3-4, с. 12-20.

9. Афанасьев А.В.,. Ильин В.А., Казарин И.Г. Петров А.А. Исследование термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния // Журнал технической физики, 2001, т. 71, вып. 5, с. 78-81.

10. Ю.Балландович B.C., Лучинин В.В., Петров А.А. Торгашев Ю.Н. Контакт металл-полупроводник в экстремальной электронике // Петербургский журнал электроники, 1994, т. 2, с. 47 -51.1 l.Ballandovich V.S., Bogachev S.V., Il'in V.A., Korlyakov A.V., Kostromin

11. V., Luchinin V.V., Petrov A.A. Realization of silicon carbide sensors for measurements on gaseous working fluids // Mat. Science and Eng. B46 (1997), pp. 383-386.

12. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник O.B., Таиров Ю.М. Контакт металл-карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC // Физика и техника полупроводников, 2001, т. 35, вып. 12, с. 1437 — 1439.

13. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Роль вакансий кремния в формировании барьеров Шоттки на контактах Ag и Аи с ЗС- и 6H-SiC // Физика и техника полупроводников, 2002, т. 36, вып.6, с. 690-692.

14. Лебедев А. А., Давыдов Д.В., Зеленин В.В., Корогодский М.Л.-Исследование влияния обработки поверхности полупроводника на характеристики 6H-SiC диодов Шоттки // Физика и техника-полупроводников, 1999, т. 33, вып. 8, с. 959 961.

15. Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. -Мн.: Высш. школа, 1989. 238 с.

16. Благородные металлы (справочник). Под ред. Савицкого Е.М. М.: Металлургия, 1984. - 592 с.

17. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. -М.: Мир, 1986. 176 с.

18. Harris G.L. (Ed.) Properties of Silicon Carbide. INSPEC, London. 1995.

19. Bardeen J. Surface states and rectification at metal semi-conductor contact // Physical Review. V. 71, N 10, p. 717 (1947).

20. Crowell C.R. Richardson constant and tunneling effective mass for thermionic and thermionic-field emission in Schottky barrier diodes // Solid state electronics. V. 12, p. 55 (1969)/

21. Yu A.Y.C. Electron tunneling and contact resistance of metal-silicon contact barriers // Solid-State Electronics. 13 (1970), p. 239.

22. Padovani F.A., Stratton R. Field and thermionic-field emission in Schottky barrier // Solid-State Electronics., 9 (1966), p. 695.

23. Зи C.H. Физика полупроводниковых приборов. -M: Энергия, 1973. 656с.

24. Родерик Э.Х. Контакты металл полупроводник. - М.: Радио и связь, 1982.-208 с.

25. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1087.-256 с.

26. Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Коротченков Г.С., Миленин В.В., Руссу Э.В., Прокопенко И.В. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и металл-GaAs. -Киев. 1999. 230 с.

27. Андреев А.А. Гетероструктурные солнечные элементы // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 9, с. 1035 1038.

28. Goldberg Yu. A. Semiconductor near-ultraviolet photoelectronics // Semicond. Sci. Technol. V. 14 (1999), p. R41.

29. Burk A.A. Jr., O'Loughlin M.J., Siergiej R.R. et all. SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices // Solid-State Electronics. V. 43 (1999), p. 1459.

30. Chow T.P., Khemka V., Fedison J. et all. SiC and GaN bipolar power devices // Solid-State Electronics. V. 44 (2000), p. 277.

31. Goesmann F., Molle M., Studnitzky Т., Schmid-Fetzer R. Interface reactions and electrical properties of metal contacts (Ti, In, Au, W) on p-ZnSe // Semicond. Sci. Technol. V. 13 (1998), p. 236.

32. Holloway P.H., Kim T.-J., Trexler J.T. et all. Interfacial reactions in the formation of ohmic contacts to wide bandgap semiconductors // Applied Surface Science. V. 117/118 (1997), p. 362.

33. Baca A.G., Ren F., Zolper J.C. et all. A survey of ohmic contacts to III-V compound semiconductors // Thin Solid Films. V. 308-309 (1997), p. 599.

34. Koide Yasuo, Ishikawa H., Kobayashi S. Dependence of electrical properties on work functions of metals contacting to p-type GaN // Applied Surface Science. V. 117/118 (1997), p. 373.

35. Aubry-Fortuna V., Perrossier J.-L., Mamor M. et all. What is the role of the metal on the Fermi-level position at the interface with IV-IV compounds? // Microelectronic Engineering. V. 37/38 (1997), p. 573.

36. Hasegawa H., Koyama Y., Hashizume T. Properties of metal-semiconductor interfaces formed on n-type GaN // Jpn. J. Appl. Phys. V. 38 (1999), p. 2634.

37. Kampen T. U., Monch W. Barrier heights of GaN Schottky contacts // Applied Surface Science. V. 117/118 (1997), p. 388.

38. Bermudez V.M. Simple interpretation of metal/wurtzite GaN barrier heights // J. Appl. Phys. V. 86, N2, p. 1170.

39. Kim J. K., Jang H. W., Jeon C., Lee J.-L. Reduction of ohmic contact resistivity on p-type GaN by surface treatment // Current Applied Physics. V. 1 (2001), p. 385.

40. Ahaitouf A., Bath A., Losson E., Abarkan E. Stability of sulfur-treated n-InP Schottky structures, studied by current-voltage measurements // Materials Science and Engineering B52 (1998), p. 208.

41. Saiz-Pardo R., Perez R., Garcia-Vidal F.J., Whittle R., Flores F. Systematic theoretical studies of the Schottky barrier control by passivating atomic intralayers // Surface Science. V. 426 (1999), p. 26.

42. Syrkin A.L., Andreev A.N., Lebedev A.A., Rastegaeva M.G., Chelnokov V.E. Surface barrier height in metal n-6H-SiC structures // Materials Sci. and Eng., B29 (1995), pp. 198-201.

43. Syrkin A.L., Bluet J.M., Bastide G. et all. Surface barrier height in metal SiC structures of 6H, 4H and 3C polytypes // Materials Sci. and Eng., B46 (1997), pp. 236-239.

44. Syrkin A. L., Andreev A. N., Lebedev A. A. et all. MetaI-n-6H-SiC surface barrier height Experimental data and description in the traditional terms //

45. J. Appl. Phys. 78 (1995), p. 5511.

46. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния // Физика и техника полупроводников, том 31, №5 (1997), с. 597-599.

47. Андреев А.Н., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Снегов Ф.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е., Шестопалова Л.Н. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H // Физика и техника полупроводников, том 29, № 10 (1995), с.1833-1843.

48. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И. Влияние термического отжига на свойства барьеров Шоттки Cr-SiC п- и р-типа электропроводности // Физика и техника полупроводников, 1988, т. 22, вып. 9, с. 1692 1695.

49. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И., Радованова Е.И. Влияние вакансий на формирование поверхностных барьеров политипов SiC // Физика и техника полупроводников, 1983, т. 17, вып. 10, с. 1757- 1760.

50. Ivanov P.A., Chelnokov V.E. Recent developments in SiC single-crystal electronics // Semicond. Sci. Technol. V. 7 (1992), p. 863.

51. Литвинов В.Л., Демаков К.Д., Агеев O.A., Светличний A.M., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В. Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4, с. 473 478

52. Bozack M. J. Surface studies on SiC as related to contacts // Phys. stat. sol. (b) 202(1997), p. 549.

53. Crofton, L. Porter M., Williams J. R. The physics of ohmic contacts to SiC. // Phys. Stat. Sol. (b) 202 (1997), p.581.

54. Porter L.M., Davis R.F. A critical review of ohmic and rectifying contacts for silicon carbide//Materials Science and Engineering, B34 (1995), pp. 83-105.

55. Itoh A., Matsunami H. Analysis of Schottky barrier heights of Metal/SiC contacts and its possible application to high-voltage rectifying devices // Phys. stat. sol. (a), 162 (1997), p. 589.

56. Goesmann F., Schmid-Fetzer R. Metals on 6H-SiC: contact formation from thematerials science point of view // Materials Science and Engineering, B46 (1997), pp. 357-362.

57. Roccaforte F., La Via F., Raineri V., Calcagno L., Musumeci P. Improvement of high temperature stability of nickel contacts on n-type 6H-SiC // Applied Surface Science 184 (2001). pp. 295-298.

58. La Via F., Roccaforte F., Makhtari A., Raineri V., Musumeci P., Calcagno L. Structural and electrical characterisation of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide // Microelectronic Engineering 60, (2002) pp. 269-282.

59. Kakanakova-Georgieva A., Marinova Ts., Noblanc O., et al. Characterization of ohmic and Schottky contacts on SiC // Thin Solid Films, 343-344 (1999), pp. 637-641.

60. Saxena V., Su J. N., Steckl A. J. High-Voltage Ni- and Pt-SiC Schottky Diodes Utilizing Metal Field Plate Termination // IEEE Trans, on Electron Dev., v. 46, N.3 (1999), p. 456.

61. К 66.Uemoto T. Reduction of ohmic contact resistance on n-type 6H-SiC by heavydoping // Jpn. J. Appl. Phys. V. 34 (1995), p. L7.

62. Crofton J., McMuIlin P. G., Williams J. R., Bozack M. J. High-temperature ohmic contact to n-type 6H-SiC using nickel // J. Appl. Phys. V. 77 (1995), p. 1317.

63. SiC: Thermally induced reactions // Materials Science and Engineering, B56 (1998), pp. 11-23.

64. Slijkerman W.F.J., Fischer A.E.M.J., van der Veen J.F. et al Formation of the• Ni-SiC(OOl) interface studied by high-resolution ion backscattering // J. Appl.

65. Phys., v.66 (1989), p. 666.

66. Nathan M., Aheam J.S. On the nanometer-scale solid-state reaction at thin-film Ni/ amorphous SiC and Co/amorphous SiC interfaces // J. Appl. Phys., v.70 (1991), p. 811.

67. Pai C.S., Hanson C.M., Lau S.S. X-ray diffraction and ion backscattering study of thermal annealed Pd/SiC and Ni/SiC // J. Appl. Phys., v. 57 (1985), p. 618.ф 75.Defives D., Durand O., Wyczisk F., Noblanc O., Biylinski C., Meyer F.

68. Electrical behaviour and microstructural analysis of metal Schottky contacts on 4H-SiC //Microelectronic Engineering, 55 (2001), pp. 369-374.

69. Wang S.-G., Zhang Y.-M., Zhang Y.-M. Parameter extraction for a Ti/4H-SiC Schottky diode // Chinese Physics, v. 12 (2003), p. 94.

70. Touati F., Takemasa K., Saji M Electrical properties and interface chemistry in the Ti/3C-SiC // IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 46, N 3 (1999), pp. 444-448.

71. Teraji Т., Нага S.j Okushi H., Kajimura K. Ideal Ohmic contact to n-type 6H-SiC by reduction of Schottky barrier height // Appl. Phys. Lett., 71 (1997), pp. 689-691.

72. Getto R., Freytag J., Kopnarski M., Oechsner H. Characterization of sputtered titanium silicide ohmic contacts on n-type 6H-silicon carbide // Materials Science and Engineering B61-62 (1999), pp. 270-274.

73. Lee S.-K., Zetterling C.-M., Ostling M., et all. Low resistivity ohmic contacts on 4H-silicon carbide for high power and high temperature device applications // Microelectronic Engineering 60, (2002) pp. 261-268.

74. Lee S.-K., Zetterling C.-M., Ostling M. et all. Low resistivity ohmic titanium carbide contacts to n- and p-type 4H-silicon carbide // Solid-State Electronics, v. 44 (2000), p. 1179.

75. Chaddha A.K., Parsons J.D., Kruaval G.B. Thermally stable, low specific resistance (l,30xl0"5 Qcm2) TiC Ohmic contacts to n-type 6H a-SiC // Appl. Phys. Lett. V. 66 (1995), p. 760.

76. Parsons J.D., Kruaval G.B., Chaddha A.K. Low specific resistance (<6xl0"6 Qcm2) TiC ohmic contacts to n-type (3-SiC // Appl. Phys. Lett. V. 65 (1994), p. 2075.

77. Goesmann F., Schmid-Fetzer R. Temperature-dependent interface reactions and electrical contact properties of titanium on 6H-SiC // Semicond. Sci. Technol. 10 (1995) pp. 1653-1658.

78. Makhtari A., La Via F., Raineri V. et all. Structural characterisation of titanium silicon carbide reaction // Microelectronic Engineering, v. 55 (2001), p. 375.

79. Li L., Tsong I.S.T. Surface structure and morphology induced by ultrathin Ti films on 6H-SiC(0001) and (0001) // Surface Science 364 (1996) 54-60.

80. Labis J., Ohi A., Hirai M. Interfacial reaction study of thermally annealed Ti• film on 4H-SiC by soft X-ray emission spectroscopy // Surface Science, v. 493 (2001), p. 447.

81. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Полупроводниковые соединения AIVB1V. В кн.: Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. Т. 3. - J1: Энергоатомиздат. 1988.-с. 446-472

82. Хениш Г., Рой Р. Карбид кремния. М.: Мир, 1972. - 387 с.

83. Lundberg N., Ostling М. Cobalt silicide ohmic contacts to 6H-SiC // Mat. Res. ^ Soc. Symp. Proc., V. 339, (1994) p. 229.

84. Lundberg N., Ostling M. CoSi2 ohmic contacts to n-type 6H-SiC // Solid State Electronics, v. 38 (1995) p. 2023.

85. Waldrop J.R., Grant R.W. Formation and Schottky barrier height of metal contacts to p-SiC // Appl. Phys. Lett., v. 56 (1990) p. 557.

86. Hara S., Suzuki K., Furuya A. et all. Solid state reaction of Mo on cubic and hexagonal SiC // Jap. J. Appl. Phys., v. 29 (1990), p. L394.

87. Geib K.M., Wilson C., Long R.G., Wilmsen C.W. Reaction between SiC and

88. W, Mo, and Та at elevated temperatures // J. Appl. Phys., v. 68 (1990), p. 2796.

89. Chen J.S., Bachli A., Nicolet M.-A. et all. Contact resistivity of Re, Pt and Та films on n-type P-SiC: preliminary results // Materials Science and Engineering B, v. 29 (1995), p. 185.

90. Jang Т., Porter L.M., Rutsch G., Odekirk B. Tantalum carbide ohmic contacts to n-type silicon carbide // Appl. Phys. Lett., v. 75 (1999), p. 3956.

91. Jang Т., Rutsch G;, Odekirk В., Porter L.M. A comparison of single- and multi-♦ layer ohmic contacts based on tantalum carbide on n-type and Osmium on ptype silicon carbide at elevated temperatures // Material Science Forum, v. 338324 (2000) p. 1001.

92. Chen J. S., Kolawa E., Nicolet M.-A. et all. Reaction of Та thin film with single crystalline (001) p-SiC //J. Appl. Phys., v. 76 (1994), p. 2169.

93. Goesmann F., Schmid-Fetzer R. Stability of W as electrical contact on 6H-SiC: ' phase relation and interface reaction in the ternary system W-Si-C // Materials

94. Science and Engineering, B34 (1995), pp. 224-231.

95. Kakanakova-Georgieva A., Marinova Ts., Noblanc O., et al. XPS characterization of tungsten-based contact layers on 4H-SiC // Thin Solid Films, 337 (1999), pp. 180 183.

96. Baud L., Jaussaud C., Madar R., et al. Interfacial reactions on W thin film on single-crystal (001) p-SiC // Materials Science and Engineering, B29 (1995), pp. 126-130.

97. Jacob C., Pirouz P., Kuo H.-I., Mehregany M. High temperature ohmiccontacts to 3C-silicon carbide films // Solid-State Electronics, vol. 42 (1998), pp. 2329-2334

98. Schottky contacts to 4H-SiC // J. Appl. Phys., v. 88 (2004), p. 5724.

99. Papanicolaou N.A., Christou A., Gipe M.L. Pt and PtSix Schottky contacts on n-type P-SiC // J. Appl. Phys., v. 65 (1989), p. 3526.

100. Rijnders M.R., Kodentsov A.A., van Beek J.A. et al Pattern formation in Pt-SiC diffusion couples // Solid State Ionics, vol. 95 (1997), pp. 51-59

101. Luckowski E.D., Delucca J.M., Williams J.R. et al. Improved ohmic contact to n-type 4H and 6H-SiC using nichrome // J. of Electronic Materials, 27 (1998), pp. 330-334.

102. Kakanakova-Georgieva A., Kassamakova L., Marinova Ts. et al. Interface chemistry of WN/4H-SiC structures // Appl. Surf. Sci., v. 151 (1999) p. 225.

103. Glass R.C., Spellman, Davis R.F. Low energy ion-assisted deposition of titanium nitride ohmic contacts on alpha (6H)-silicon carbide // Appl. Phys. Lett., v. 59 (1991) p. 2868.

104. Болтовец H.C., Зоренко A.B., Иванов B.H. и др. Особенности формирования и термостабильность барьерных контактов к высокочувствительным карбидокремниевым детекторным диодам // Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 1, с. 47-55

105. Levit М., Grimberg I., Weiss B.-Z. Interaction of Ni90Tii0 alloy thin film with 6H-SiC single crystal // J. Appl. Phys., v. 80 (1996), p. 167.

106. Levit M., Grimberg I., Weiss B.-Z., Eizenberg M. Interaction between Ni90Tii0 alloy thin film and Si single crystal // J. Appl. Phys., v. 79 (1996), p. 1179.

107. Dmitriev V.A., Irvine K., Spencer M., Kelner G. Low resistivity (~10"5 Q-cm2) ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated using cubic silicon carbide contact layer // Appl. Phys. Lett., v. 64 (1994) p. 318.

108. Kassamakova L., Kakanakova-Georgieva A., Kakanokov R. et al Thermostable Ti/Au/Pt/Ti Schottky contacts to n-type 4H-SiC // Semicond. Sci. Technol. V. 13 (1998), p. 1025.

109. Kakanakova-Georgieva A., Marinova Ts., Noblanc O. et al Interface chemistry of a Ti/Au/Pt/Ti/SiC structure // Applied Surface Science, Vol. 121/122(1997) p. 208.

110. Okojie R. S., Spry D., Krotine J. et al Stable Ti/TaSi2/Pt ohmic contacts on n-type 6H-SiC epilayer at 600 °C in air // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 622 (2000), p. 1

111. Okojie R. S., Lukco D., Chen Y.L. et al Reaction kinetics of thermally stable contact metallization on 6H-SiC // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 640 (2001), p. 1

112. Gao Y., Tang Y., Hoshi M., Chow T.P. Improved ohmic contact on n-type 4H-SiC // Solid-State Electronics, 44 (2000), p. 1875

113. Nakashima K., Eryu O., Ukai S., et al Improved ohmic contacts to 6H-SiC by pulsed laser processing // Materials Science Forum, Vols. 338-342 (2000), p. 1005.

114. Cole M. W., Joshi P. C., Hubbard C. W. et al Improved Ni based composite Ohmic contact to n-SiC for high temperature and high power device applications // J. Appl. Phys., v. 88 (2000), p. 2652.

115. Cole M. W., Joshi P. C., Hubbard C. W. et al Thermal stability and performance reliability of Pt/Ti/WSi/Ni ohmic contacts to n-SiC for high temperature and pulsed power device applications // J. Appl. Phys., v. 91 (2002), p. 3864.

116. Constantinidis G., Kornilios N., Zekentes K. et al. High temperature ohmic contacts to 3C-SiC grown on Si substrates by chemical vapor deposition // Materials Science and Engineering, B46 (1997), pp. 176 179.

117. Waldrop J.R. Schottky barrier height of metal contacts to p-type alpha 6H-SiC // J. Phys. Phys., v. 75 (1994) p. 4548.

118. Waldrop J.R., Grant R.W. et al Metal Schottky barrier contacts to alpha 6H-SiC // J. Appl. Phys., v. 72 (1992) p. 4757.

119. Lundberg N., Ostling M. Thermally stable low ohmic contacts to p-type 6H-SiC using cobalt silicides // Solid State Electronics, v. 39 (1996) p. 1559.

120. Glass R.C., Palmour J.W., Davis R.F., Porter L.M. Method of forming ohmic contacts to p-type wide bandgap semiconductors and resulting ohmic contact structure, US patent No. 5323022 (1994)

121. Papanicolaou N.A., Edwards A., Rao M.V., Anderson W.T. Si/Pt Ohmic contacts to p-type 4H-SiC // Appl. Phys. Let., v. 73 (1998), p. 2009.

122. Luo Y., Yan F., Tone K. et al Searching for device processing compatible ohmic contacts to implanted p-type 4H-SiC // Materials Science Forum, vols. 338-342 (2000), p. 1013

123. Kassamakova L., Kakanakov R. D., Kassamakov I. V. et al Temperature Stable Pd Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC Formed at Low Temperatures // IEEE Transactions on electron devices, 46 (1999), pp. 605.

124. Kassamakova L., Kakanakov R. D., Nordell N. et al Study of the electrical, thermal and chemical properties of Pd ohmic contacts to p-type 4H-SiC: dependence on annealing conditions // Materials Science and Engineering B61-62(1999), p. 291

125. Crofton J., Beyer L., Williams J. R. et al Titanium and aluminum-titanium ohmic contacts to p-type SiC // Solid-State Electronics, V. 41 (1997), p. 1725.

126. Lee S.-K., Zetterling C.-M., Danielsson E., Ostling M. Electrical characterization of TiC ohmic contacts to aluminium ion implanted 4H-silicon carbide //Appl. Phys. Let., v. 77 (2000), p. 1478.

127. Lee S.-K., Danielsson E., Zetterling C.-M. et al The formation and characterization of epitaxial titanium carbide contacts to 4H-SiC // Mat. Res. Soc. Symp., v. 622 (2000), p. T6.9.1.

128. Lee S.-K., Zetterling C.-M., Ostling M. Schottky diode formation and characterization of titanium tungsten to n- and p-type 4H silicon carbide // J. Appl. Phys., v. 87 (2000), p. 8039.

129. Bermudez V.M. Growth and structure of aluminum films on (001) silicon carbide //J. Appl. Phys., v. 63 (1989) p. 4951.

130. Kamimura К., Okada S., Ito H. et al Characterization of Schottky contact on p-type 6H-SiC //Materials Science Forum, Vols. 338-342 (2000), p. 1227

131. Crofiton J., Barnes P.A., Williams J.R. Contact resistance measurements on ? p-type 6H-SiC // Appl. Phys. Lett., v. 62 (1993), p. 384.

132. Nennewitz O., Spiess L., Breternitz V. Ohmic contacts to p-type 6H-SiC-silicon carbide //Appl. Surf. Sci., v. 91 (1995), p. 347.

133. Crofton J., Mohney S.E., Williams J.R., Isaacs-Smith T. Finding the optimum Al-Ti alloy composition for use as an ohmic contact to p-type SiC // Solid-State Electronics, v. 46 (2002), p. 109.

134. Mohney S.E., Hull B.A., Lin J.Y., Crofton J. Morphological study of the Al-^ Ti ohmic contact to p-type SiC // Solid-State Electronics, v. 46 (2002), p. 689.

135. Василевский K.B., Zekentes К., Реидакова C.B. и др. Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью // ФТП, 1999, т. 33, вып. 11, с. 1334

136. Vassilevski К., Zekentes К., Tsagaraki К. et al Phase formation at rapid thermal annealing of Al/Ti/Ni ohmic contacts on 4H-SiC // Materials Scienceand Engineering B, v. 80 (2001), p. 370

137. Vassilevski K., Zekentes K., Constantinidis G. et al Structural and morphological characterization of Al/Yi-based ohmic contacts on p-type 4H

138. SiC annealed under various conditions // Materials Science Forum, v. 338-342 (2000), p. 1017

139. Kassamakova L., Kakanakov R., Kassamakov I. et al Al/Si ohmic contacts to p-type 4H-SiC for power devices // Materials Science Forum, v. 338-342 (2000), p. 1009

140. Kakanakov R., Kassamakova L., Kassamakov I. et al Improved Al/Si ohmic contacts to p-type 4H-SiC // Materials Science and Engineering, В80 (2001), p. 374

141. Nakatsuka O., Koide Y., Murakami M. CoAl ohmic contact materials with improved surface morphology for p-type 4H-SiC // Technical Digest of "International Conference on SiC and Related Materials, ICSCRM2001", Oct 28 Nov 2, 2001, Tsukuba, Japan, p. 637.

142. Konishi R., Yasukochi R., Nakatsuka O. et al Development of Ni/Al and Ni/Ti/Al ohmic contact materials for p-type 4H-SiC // Materials Science and Engineering B, v. 98 (2003), p. 286

143. Cooper J.A., Jr. Advances in SiC MOS Technology // Phys. Stat. Sol. (a), 162(1997), p. 305 -320.

144. Давыдов С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников // Физика и техника полупроводников, 1997, т. 31, вып. 10, с. 1236- 1241.

145. Давыдов С.Ю. Лебедев А.А., Тихонов С.К. К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта <карбид кремния>-<субмонослойная пленка металла> // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, вып. 1, с. 68 — 71.

146. Давыдов С.Ю. Павлык А.В. К расчету изменения работы выхода при адсорбции металлических атомов на полупроводниках // Физика и техника полупроводников, 2001, т. 35, вып. 7, с. 831 834.

147. Morrison D. J., Pidduck A. J., Moore V. et al Surface preparation for Schottky metal 4H-SiC contacts formed on plasma-etched SiC // Semicond. Sci. Technol., vol. 15 (2000), p. 1107.

148. Skromme B.J., Luckowski E., Moore K. et al Fermi Level pinning and Schottky Barrier Characteristics on Reactively Ion Etched 4H-SiC // Materials Science Forum, 338-342 (2000), pp. 1029-1032.

149. Hara S. The Schottky limit and a charge neutrality level found on metal.6H-SiC interfaces // Surface Science 494 (2001), pp. L805-L810.

150. Hara S. Characterization of the 6H-SiC (0001) surface and the interface with Ti layer with the Schottky limit // Applied Surface Science 162-163 (2000), pp. 19-24.

151. Hara S., Teraji Т., Okushi H., Kajimura K. Control of Schottky and ohmic interfaces by unpinning Fermi level // Applied Surface Science, 117/118 (1997), pp. 394-399.

152. Teraji Т., Hara S. Control of interface states at metal/6H-SiC(0001) interfaces // Physical Review B, 70 (2004), p 03512.

153. Sugawara Y., Shibata N., Hara S., Ikuhara Y. Interface structure of face-centered-cubic-Ti thin film grown on 6H-SiC substrate // J. Mater. Res., Vol. 15 (2000), p. 2121

154. Hasegawa H. Fermi level pinning and Schottky barrier height control at metal-semiconductor interfaces of InP and related materials // Jpn. J. Appl. Phys. V. 38 (1999), p. 1098.

155. Hasegawa H. Interface-controlled Schottky barriers on InP and related materials//Solid State Electronics, V. 41 (1997), p. 1441.

156. Бондаренко В.Б., Кудинов Ю.А., Ершов С.Г., Кораблев В.В. Естественные неоднородности высоты барьера Шоттки // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, вып. 5, с. 554 556.

157. Бондаренко В.Б., Кузьмин М.В., Кораблев В.В. Анализ естественных неоднородностей потенциала у поверхности примесного полупроводника // Физика и техника полупроводников, 2001, т. 35, вып. 8, с. 964 968.

158. Лабунов В.А., Борисенко В.Е., Заровский Д.И. и др. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур // Зарубежная электронная техника, №8, 1985, с. 27-53

159. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир, 1982. - 576 с.

160. Сеченов Д.А., Касимов Ф.Д., Агаев Ф.Г., Светличный A.M., Агеев О.А. Активируемые процессы микроэлектронной технологии. -Баку: ЭЛМ, 2000, -258 стр.

161. Анищик В.М., Горушко В.А., Пилипенко В.А., и др. Физические основы быстрой термообработки: Температурные поля и конструктивные особенности оборудования. Минск.: БГУ, 2000. -136 с.

162. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Минск.: Навука i тэхшка, 1992. -258 с.

163. Анищик В.М., Горушко В.А., Пилипенко В.А., и др. Физические основы быстрой термообработки: Создание многоуровневой металлизации. Минск.: БГУ, 2000. -146 с.

164. Naem A.A. Platinum silicide formation using rapid thermal processing // J. Appl. Phys., v. 64 (1988), p. 4161.

165. Dimitriadis C.A. Effect of conventional and rapid thermal annealing on platinum silicide Schottky barrier diodes // Appl. Phys. Lett., v. 56 (1990), p. 143.

166. Wessels P.J.J., Jongste J.F., Janssen G.C.A. et all. Stress in sputtered Ti-Si multilayers and polycrystalline silicide films // J. Appl. Phys., v.63 (1988), p. 4979

167. Pascual R., Sayer M., Lo A. et al Simulation of crystallization of thin films by rapid thermal processing // J. Appl. Phys., v.79 (1996), p. 493

168. Reader A.H., van Ommen A.H., Weijs P.J.W. et al Transition metal silicides in silicon technology // Rep. Prog. Phys., v. 56 (1992), p. 1397.

169. Шаскольская М.П. Кристаллография. -M.: Высшая школа, 1976. -391с.

170. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. -М.: Металлургия, 1973. 496 с.

171. О. Kordina, PhD thesis, Linkoping University, The Sweden. 1994.

172. Ланно M., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. -М.: Мир, 1984.-264 с.

173. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. -Кишинев: Штиинца, 1978. -228 с.

174. Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния (Обзор) // Физика и техника полупроводников. -1999. -Т. 33, №2. -С. 129155

175. Lindefelt U. A model for doping induced band gap narrowing in 3C-, 4H-, and 6H- SiC // Materials Science and Engineering B61 - 62 (1999), p. 225.

176. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.

177. Самарский А.А., Гулин А.В. Численные методы. М.: Наука, 1989. -432 с.

178. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Термодинамический анализ растворимости и коэффициента превращения бора в карбиде кремния. В сб.: Свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1977. С. 53-58.

179. Persson С., Lindefelt U. Calculated density of states and carrier concentration in 4H- and 6H-SiC // Materials Science Forum 264-268 (1998), p. 275-278.

180. Мнацаканов T.T., Поморцева Л.И., Юрков C.H. Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 4. С. 406-408.

181. CREE Research, Inc., 2810 Meridian Parkway, Durham, NC 27713.

182. Bandgap Technologies, Inc., 1428 Taylor St., Columbia, SC 29201.

183. Свойства элементов (справочник). Под ред. Самсонова Г.В. М.: Металлургия, 1976, в 2-х частях

184. Гольдшмидт X. Дж. Сплавы внедрения. -М.: Мир, 1971.1» 196. Атомное строение металлов и сплавов. Под ред. Канна Р. -М.: Мир, 1967- 1968. в 3-х томах.

185. Барабаш О.М., Коваль Ю.Н. Кристаллическая структура металлов и сплавов. -Киев.: Наукова думка, 1986. 600 с.

186. Физические величины (справочник). Под. ред Григорьева С.И., Мейлихова Е.З. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1240 с.

187. Савицкий Е.М., Полякова В.П., Горина Н.Б., Рошан Н.Р. Металловедение платиновых металлов. М.: Металлургия, 1975. - 424 с.

188. Химия (справочник). Шретер В., Лаутеншлегер К.-Х., Бибрак и др. М.:1. Химия, 2000. 648 с.

189. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение). М.: Сов. радио, 1974.-248 с.

190. Парфенова И.И., Таиров Ю.М. Межатомные расстояния в легированном карбиде кремния // Тезисы докладов III международного семинара "Карбид кремния и родственные материалы". Великий Новгород: Изд-воf НовГУ, 1995.-С. 12-13.

191. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1961. -462 с.

192. ГегузинЯ.Е. Диффузионная зона. -М.: Наука, 1979. -343 с.

193. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния // Труды II Всесоюзного совещания по широкозонным полупроводникам "Проблемы

194. Ф физики и технологии широкозонных полупроводников". -Л. Изд-во1. ЛИЯФ, 1979. -С. 136-149.

195. Самсонов Г.В., Винницкий И.М. Тугоплавкие соединения. М.: Металлургия, 1976. - 560 с.

196. Самсонов Г.В., Эпик А.П. Тугоплавкие покрытия. М.: Металлургия, 1973.-222 с.

197. Самсонов Г.В., Упадхая Г.Ш., Нешпор B.C. Физическое щ материаловедение карбидов. Киев.: Наукова думка, 1974. - 250 с.

198. Качурина Е.Е., Мякиненков В.И., Щеглова В.В. Силициды тугоплавких металлов в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем // Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы. -1982. Ч. I, II, вып. 6(892).

199. Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды. М.: Металлургия, 1979.-272 с.

200. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого ^ периода. М.: Металлургия, 1971. - 584 с.

201. Тугоплавкие бориды и силициды (сборник статей). Под ред. Самсонова Г.В., Дворина Л.А. и др. Киев.: Наукова думка, 1977. - 164 с.

202. Naem А.А., Deep J., Chee L.Y. Temperature effects on the resistivity of polyciystalline silicon titanium salicide // // J. Appl. Phys., v. 76 (1994), p. 1071.

203. Nava F., Tien Т., Tu K.N. Temperature dependence of semiconducting and structural properties of Cr-Si thin films // J. Appl. Phys., v. 57 (1985), p. 2018.4J 215. Aprilesi G., Mazzega E., Michelini M. et al Electrical transport properties in

204. Co-silicides formed by thin-film reactions // J. Appl. Phys., v. 60 (1986), p. 310.

205. Meyer В., Gottlieb U., Laborde O. et al Intrinsic properties of NiSi // J. Alloys and Compounds, v. 262-263 (1997), p. 235.

206. Nava F., Weiss B.Z., Ahn K.Y. et al Thermal stability and electrical conduction behavior of coevaporated WSi2±x thin films // J. Appl. Phys., v. 641988), p. 354.

207. Nava F., Tu K.N., Mazzega E. Electrical transport properties of transition-metal disilicide films // J. Appl. Phys., v. 61 (1987), p. 1085.

208. Nava F., Mazzega E., Michelini M. Analysis of the electrical resistivity of Ti, Mo, Та, and W monocrystalline disilicides // J. Appl. Phys., v. 65 (1989), p. 1584.

209. Стормс Э. Тугоплавкие карбиды. M.: Атомиздат, 1970. - 305 с.

210. Beyers R., Kim К. В., Sinclair R. Phase equilibria in metal-galium-arsenic systems: Thermodynamics considerations for metallization materials // J. Appl. Phys., v.61 (1987), p. 2195

211. Гнесин Г.Г. Карбидокремниевые материалы. -M.: Металлургия 1977. -216с.

212. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. -М.: Химия, 1978. 360 с.

213. Киреев В. А. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций. -М.: Химия, 1975. 536 с.

214. Chase M.W., Jr., Davies С.A., Downey J.R. et all JANAF Thermochemical Tables. Third edition // J. Phys. Chem. Ref. Data, vol. 14 (1985), Suppl. 1.

215. Морачевский А.Г., Сладков И.Б. Термодинамические расчеты в металлургии, М.: Металлургия, 1993.

216. Moiseev G.K., Sestak J. Some calculations methods for estimation of thermodynamical and thermochemical properties of inorganic compounds // Prog. Crystal Grown and Charact., vol. 30 (1995), pp. 23.

217. Кубашевский О., Олкокк К.Б. Металлургическая термохимия. М.: Металлургия, 1982.-392 с.

218. Seng W.F., Barnes Р.А. Calculation of tungsten silicide and carbide formation on SiC using the Gibbs free energy // Mat. Science and Eng. B72 (2000), p. 13.

219. Seng W.F., Barnes P.A. Calculation of cobalt silicide and carbide formation on SiC using the Gibbs free energy // Mat. Science and Eng. B76 (2000), p. 225.

220. DeLucca J.M., Mohney S.E. Approaches to high temperature contacts to silicon carbide//Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 423 (1996), p. 137

221. Nakamura Т., Shimada H., Satoh M. Ohmic contact formation on n-type 6H-SiC using NiSi2 //Materials Science Forum, vols. 338-342 (2000), p. 985

222. Nakamura Т., Satoh M. NiSi2 ohmic contact to n-type 4H-SiC // Technical Digest of "International Conference on SiC and Related Materials ICSCRM2001", Oct 28 Nov 2, 2001, Tsukuba, Japan, p. 631.

223. Агеев O.A. Быстрая термообработка некогерентным ИК-излучением контактов к карбиду кремния Таганрог: ТРТУ, 2003. - 128с.

224. Zeman J., Engelbrecht F., Wellenhofer G., et al Pressure dependence of the band gap of 4H-SiC // Phys. Stat. Sol. (b), vol. 211 (1999), p. 69

225. Karch K., Bechstedt F., Pavone P., Strauch D. Pressure-dependent properties of SiC polytypes // Physical Review B, vol. 53 (1996), p. 13400.

226. Полякова A.JI. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1979. 168с.

227. Захаров Н.П. Багдасарян А.В. Механические явления в интегральных структурах. -М.: Радио и связь, 1992. 144с.

228. Yen Jui-Yuan, Huang С.-Н., Hwu J.-G. Effect of Mechanical Stress on Characteristics of Silicon Thermal Oxides // Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41 (2002), p. 81.

229. Kimura M, Ohmi T. Conduction mechanism and origin of stress-induced leakage current in thin silicon dioxide films // J. Appl. Phys., v.80 (1996), p. 6360.

230. Yu H.H., Suo Z. Stress-dependent surface reactions and implications for a stress measurement technique // J. Appl. Phys., v.87 (2000), p. 1211.

231. Hu S.M. Stress-related problem in silicon technology // J. Appl. Phys., v.70 (1991), p. R53.

232. Vanhellemont J., Amelinckx S. Film-edge-induced dislocation generstion in silicon substrates. I. Theoretical model. //J. Appl. Phys., v. 61 (1987), p. 2170.

233. Vanhellemont J., Amelinckx S. Film-edge-induced dislocation generstion in V1 silicon substrates. II. Application of the theoretical model for local oxidationprocesses on (001) silicon substrates // J. Appl. Phys., v. 61 (1987), p. 2176.

234. Jain S.C., Maes H.E, Pinardi K., De Wolf I. Stresses and strains in lattice-mismatches stripes, quantum wires, quantum dots, and substrates in Si technology // J. Appl. Phys., v. 79 (1996), p. 8145.

235. Agueev O.A., Svetlichny A.M. Thermoelastic streses and defect production in semiconductor-insulator structures at isothermic heating // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 3 (2000), p. 338.

236. Горбацевич A.A., Парменов Ю.А., Резник A.A., Чайка С.Н.

237. Моделирование и расчет механических напряжений в структурах интегральных схем // Микроэлектроника, 1989, № 5, с. 399-405.

238. Шевяков В.И. Особенности образования барьера в реальных контактах металл-полупроводник // Известия Вузов. Электроника, 1998, № 1, с. 49 -55.

239. Романов А.С., Щеглова В.В. Механические напряжения в тонких ф пленках // Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковыеприборы, вып. 6, 1981.

240. Mamor M., Dufour-Gergam E., Finkman L., et al. W/Si Schottky diodes: affect of sputtering deposirion conditions on the barrier height // Applied Surface Science. V. 91 (1995), p. 342.

241. Vink T. J., Somers M.A.J., Daams. J. L. C., Dirks A.G. Stress, strain, and microstructure of sputter-deposited Mo thin films // J. Appl. Phys., v. 70 (1991),1. Г p. 4301.

242. Tamulevichus S. Stress and strain in vacuum deposited thin films // Vacuum, v. 51 (1998), p. 127

243. White G.E., Chen H. In situ study of film stresses in metal silicides using absorption-edge-contour mapping // J. Appl. Phys., v. 68 (1990), p. 3317.

244. Tsai C.J., Yu K.H. Stress evolution during isochronal annealing of Ni/Si system //Thin Solid Films, v. 350 (1999), p. 91

245. Jongste J.F., Loopstra O.B., Janssen G.C.A.M. Radelaar S. Elastic constants f* and thermal expansion coefficient of metastable C49 TiSi2 // J. Appl. Phys.,v.73 (1993), p. 2816

246. Loopstra O.B., Sloof W.G., de Keijser Th. H. et al Composition, microstructure, and properties of crystalline molybdenum silicide thin films produced by annealing of amorphous Mo/Si multilayers // J. Appl. Phys., v.63 (1988), p. 4960

247. Washidzu G., Нага Т., Miyamoto Т., Inoue T. In situ stress measurement of ф chemical vapor deposited tungsten silicides // Appl. Phys. Lett., v.58 (1991), p.1425

248. Murray P., Carey G.F. Determination of interfacial stress during thermal oxidation of silicon //J. Appl. Phys., 65 (1989), pp. 3667.

249. Liu H.C., Murarka S.P. Elastic and viscoelastic analysis of stress in thin films I I J. Appl. Phys., 72 (1992), pp. 3458.

250. Cockeram B.V. The diffusion bonding of silicon carbide and boron carbide using refractory metals // USDOE Contract No. DE-AC 11-98PN38206

251. Koch R. The intrinsic stress of polycrystalline and epitaxial thin metal films // J. Phys.: Candens. Matter, vol. 6 (1994), p. 9519

252. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. -М.: Радио и связь, 1982.-240с.

253. Julies В.А., Knoesen D., Pretorius R., Adams D. A study of the NiSi to NiSi2 transition in the Ni-Si binary system // Thin Solid Films, 347 (1999), pp. 201 -207.

254. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник. -М.: Металлургия, 1974. 528с.

255. Kikuchi A. Atomic-configuration-depended energy at epitaxial silicide-silicon interfaces // Jpn. J. Appl. Phys., vol. 37 (1998), p. 653.

256. Isomae S. Stress distributions in silicon crystal substrates with thin films // J. Appl. Phys. 54 (1981), p. 2782.

257. Yamada-Kaneta H., Ogawa Т., Wada K. Elastic calculation of the thermal strains and stresses of the multilayered plate // J. Appl. Phys., 62 (1987), p. 62.

258. Feng Z., Liu H. Generalized formula for curvature radius and layer stresses caused by thermal strain in semiconductor multiplayer structures // J. Appl. Phys., 54(1983), p. 83.

259. Tsui Y.C., Clyne T.W. An analytical model for predicting residual stresses in progressively deposited coatings // Thin Solid Films, 306 (1997), pp. 23-61.

260. Isomae S. Stress in silicon at Si3N4/Si02 film edges and viscoelastic behaviour of Si02 films // J. Appl. Phys. 57 (1985), pp. 216.

261. Боли Б., Уэйнер Дж. Теория температурных напряжений. М.: Мир, 1964.-515 с.

262. Samant A. V., Zhou W. L., Pirouz P. Effect of test temperature and strain rate on the yield stress of monociystalline 6H-SiC // phys. stat. sol. (a) 166, (1998) pp. 155.

263. Bentini G., Correra L., Donolato C. Defects introduced in silicon wafers during rapid isothermal annealing: thermoelastic and thermoplastic effects // J. Appl. Phys. 56, (1984) pp. 2922 .

264. Dement J.L., Tillay V., Barbot J.F. Electrical study of dislocated Si- and effaces of n-type 6H-SiC //Phys. stat. sol (a) 171 (1999), pp. 319 324.

265. Barbot J.F., Blanchard C., Dement J.L. Influence of dislocation on I-V characteristics of Schottky diodes prepared on n-type 6H-SiC // Phys. stat. sol (b) 222 (2000), pp. 159- 167.

266. Трегубова A.C., Мохов E.H., Шульпина И.Л. Генерация и движение дислокаций при механических повреждениях поверхности карбида кремния // Физика твердого тела, 1994, т. 36, вып. 1, с. 132-136.

267. Forbeaux I., Themlin J.-M., Charrier A., Thibaudau F., Debever J.-M. Solid-state graphitization mechanisms of silicon carbide 6H-SiC polar faces // Applied Surface Science 162-163 (2000), pp. 406-412.

268. Crowell C.R., Roberts G.I. Surface state and interface effects on the capacitance-voltage relationship in Schottky barriers // J. Appl. Phys. 40 (9) 3726-3730,(1969).

269. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973. - 655 с.

270. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.-302 с.

271. Varahramyan К., Verret E.J. A model for specific contact resistance applicable for titanium silicide-silicon contacts // Solid-State Electronics, 39, № 11 (1996), pp. 1601 1607.

272. Agueev O.A., Sechenov D.A., Svetlichnyi A.M., Izotovs D.A. Simulation of doping-induced influence on specific contact resistance of SiC // Abstracts of

273. International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, ISSCRM'02", May 30-31, 2002, Novgorod the Great, Russia, p.73-74

274. Carter C.H., Jr., Tsvetkov V.F., Glass R.C., Henshall D., Brady M., Muller <P* St.G., Kordina 0., Irvine K., Edmond J.A., Kong H.-S., Singh R., Allen S.T.,

275. Palmour J.W. Progress in SiC: from material growth to commercial device development // Materials Science and Engineering B61-62 (1999) p. 1.

276. Onda S., Kumar R., Нага K. SiC integrated MOSFETs // Phys. Stat. Sol. (a), 162 (1997), p. 369.

277. Brown D.M., Downey E., Ghezzo M., et al Silicon carbide MOSFET integrated circuit technology // Phys. Stat. Sol. (a), 162 (1997), p. 459.

278. Райнова Ю.П. Быстрые термические процессы: специфика, перспективы, проблемы // Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С. 2531.

279. Райнова Ю.П., Бархоткин А.В. Диагностика и контроль быстрых термических процессов // Известия вузов. Электроника. 1999. №4. С. 59 -70.

280. Афанасьев В.А., Гордиенко Е.В., Гудков В.А. и др. Импульсный отжиг ионно-имплантированных структур кремния и карбида кремния

281. JB1 излучением лазеров на парах меди, азота и углекислого газа //

282. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. - № 8. -С. 35-41.

283. Eiyu О., Kume Т., Nakashima К. Formation of an ohmic electrode in SiC using a pulsed laser irradiation method // Nuclear instruments and methods in physics research B, v. 121 (1997), p. 419

284. Fedorenko L.L., Kiseleov V.S., Svechnikov S.V. et al Refractory contact to aSiC produced by laser technology methods // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, v. 4, N 3, pp. 192-195

285. Светличный A.M., Сеченов Д.А., Агеев O.A., Чередниченко Д.И., Соловьев С.И. Локальный лазерный нагрев кремниевых структур. — Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1999. 63 с.

286. Eryu О., Okuyama Y., Nakashima К. et all Formation of a p-n junction in silicon carbide by aluminum doping at room temperature using a pulsed laser doping method //Appl. Phys. Lett., vol. 67 (1995), pp. 2052-2053

287. Лучинин B.B., Таиров Ю.М., Васильев А.А. Особенности материаловедческого и технологического базиса микросистем // Микросистемная техника. №1. 1999. С. 7 - 11

288. Калябина И.А., Крысов Г.А. Применение импульсных режимов отжига в технологии полупроводниковых структур // Обзоры по электронной технике. Сер. Технология, организация производства и оборудование. -1981. Вып. 12(812).-С. 3-35.

289. Козловский В.В., Иванов П.А., Румянцев Д.С. и др. Стимулирование металлургических реакций на интерфейсе Ni-SiC протонным облучением // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 7. С. 778 783.

290. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. -Мн.: Высшая школа, 1984. 320 с.

291. Wada Т., Yasuda К. Mechanism of electron-beam doping in semiconductors // Physical Review B, vol. 53 (1996), pp. 4770 4781

292. Auslender V.L., Bochkarev I.G., Boldyrev V.V. et all Electron beam induced diffusion controlled reaction in solids // Solid State Ionics, vol. 101-103 (1997), pp. 489-493

293. Huran J., Hotovy I., Hascik S. et all Investigation of radiation damage in N doped a-SiC:H films annealed by pulsed electron beam // Vacuum, vol. 58 (2000), pp. 428-433

294. Roozeboom F. (Ed.). Advances in rapid thermal and integrated processing. NATO ASI Series E: Applied Sciences Vol. 318, Kluwer Academic Publishers, 1996.

295. Анищик B.M., Горушко B.A., Пилипенко B.A., и др. Физические основы быстрой термообработки: Геттерирование, отжиг ионнолегированных слоев, БТО в технологии СБИС. Минск.: БГУ, 2001. -149 с.

296. Анищик В.М., Горушко В.А., Пилипенко В.А., и др. Физические основы быстрой термообработки: Отжиг поликристаллического кремния, диэлектрических пленок, очистка поверхности и эпитаксия. Минск.: БГУ, 2002.-131 с.

297. Zagozdzon-Wosik W., Grabiec Р.В., Lux G. Fabrication of submicron junction proximity rapid thermal diffusion of phosphorus, boron, and arsenic // IEEE Trans, on Electron Devices 41, N12, (1994) pp 2281-2290.

298. Агеев О.А., Светличный A.M., Шляховой Д.А. Особенности получения тонких пленок Si02 методом быстрой термической обработки // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №4-5 (2001), с. 38-43

299. Sechenov D.A., Svetlichny A.M., Agueev О.A. Gettering of semiconductor structures by pulsed uncoherence irradiation // Abstracts of "International conference on advanced and laser technologies ALT"92", Moscow, 8-11 Sept. 1992, P. 4, p. 133.

300. Телен А. Конструирование многослойных интерференционных светофильтров. В кн.: Хасс Г., Тун Р.Э. (Ред.) Физика тонких пленок. В 6 т. М.: Мир, 1972. Т. 5. С. 46-83.

301. Агеев О. А. Отражение некогерентного ИК излучения в полупроводниковых структурах при быстрой термической обработке // Известия ТРТУ. 2002. №1. С. 119-122.

302. Белле M.JL, Прокофьева Н.К., Рейфман М.В. Получение и оптические свойства кубического карбида кремния (p-SiC) // Физика и техника полупроводников. 1967. Т. 1. Вып. 1: С. 383-388.

303. Byung-Jin Cho, Choong-Ki Kim. Elimination of slips on silicon wafer edge in rapid thermal process by using a ring oxide // J. Appl .Phys. 67 (1990), pp. 75837586.

304. Коссель Д., Дейчер К., Гришберг К. Интерференционные фотокатоды. В кн.: Хасс Г., Тун Р.Э. (Ред.) Физика тонких пленок. В 6 т. М.: Мир, 1972. Т. 5. С. 7-45.

305. Logothetidis S., Petalas J. Dielectric function and reflectivity of 3C-silicon carbide and the component perpendicular to the с axis of 6H-silicon carbide in the energy region 1.5 9.5 eV // J. Appl. Phys. 80 (1996), pp. 1768-1772.

306. Petalas J., Logothetidis S., Gioti M., Janowitz C. Optical properties and temperature dependence of the inter band transitions of 3C- and 6H-SiC in the energy region 5 to 10 eV // Phys. Stat. Sol. (b) 209(1998), pp. 499-521.

307. Lambrecht W.R., Segall В., Yoganathan M. et. all. Calculated and measured uv reflectivity of SiC polytypes // Physical Review В 50, N 15 (1994), pp. 10722-10726.

308. Смит P. Полупроводники. M.: Мир, 1982. 559 с.

309. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. 592с.

310. Лабунов В.А. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом // Зарубежная электронная техника. 1983. №1. С.3-56.

311. Persson С., Lindefelt U. Detailed band structure for 3C-, 2H-, 4H-, <5H-SiC, and Si around the fundamental band gap // Physical Review В 54, N 15 (1996), pp. 10257-10260.

312. Bakowski M., Gustafsson U., Lindefelt U. Simulation of SiC high power devices // Phys. Stat. Sol.(a) 162 (1997), pp. 421-439.

313. Agueev O.A., Svetlichny A.M., Soloviev S.I. Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H-, and 4H-SiC at rapid thermal processing // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v. 3, N 3 (2000), p. 379-382.

314. Agueev O.A., Svetlichny A.M., Soloviev S.I. Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H-, and 4H-SiC at rapid thermal processing // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v. 3, N 3 (2000), p. 379-382.

315. Andersson S.K., Thomas M. E. Infrared properties of CVD P-SiC // Infrared Physics & Technology 39 (1998), pp. 223-234.

316. Agueev O.A., Svetlichnyi A.M. Modeling of 6H-SiC wafer heating during RTP by incoherent radiation // Journal of Materials Processing & Manufacturing Science, Vol. 9, № 3 (2001), pp. 223-229.

317. Светличный A.M., Сеченов Д.А., Бурштейн B.M., Воронцов JI.B., Поляков В.В., Соловьев С.И., Агеев О.А. Вакуумная установка импульсной термической обработки ИТО-18МВ // Электронная промышленность № 3, 1991, с. 6-7

318. Balakrishnan, К. S., Edgar Т. F. Model based control in rapid thermal processing //Thin solid films 365 (2000), pp. 322-333.

319. Синьков Ю.П. Моделирование и оптимизация на ЭВМ устройства импульсной термообработки полупроводниковых пластин излучением линейных галогенных ламп // Электроника СВЧ. 1984. Вып. 3(363). С.36-41.

320. Агеев О.А., Светличный A.M., Кочеров А.Н. Влияние конструкции реакционной камеры на облученность полупроводниковых пластин при быстрой термической обработке // Известия вузов. Электроника. 2001. №1. С. 23-28.

321. Агеев О.А., Светличный А.М, Кочеров А.Н. Моделирование температурных полей и термоупругих напряжений при быстром нагреве кремниевых пластин большого диаметра // Проектирование и технология электронных средств. 2002. №3. С. 17-23.

322. Fu M., Sarvepalli V., Singh R.K., Abernathy C.R., Cao X., Pearton S.J., Sekhar J. A. A novel technique for RTP annealing of compound semiconductors // Solid-State Electronics 42, No. 12 (1998), pp. 2335-2340.

323. Yoo W. S., Yamazaki Т., Enjoji K. Thermal processing in a single wafer rapid thermal furnace // Solid State Technology, July, (2000), p.57

324. Lord H. A. Thermal and stress analysis of semiconductor wafer in a rapid thermal processing oven. //IEEE transactions on semiconductor manufacturing, v. 1 (1988), pp. 105-114.

325. Зворыкин Д. Б., Прохоров Ю. И. Применение лучистого инфракрасного нагрева в электронной промышленности. М.: Энергия, 1980. 154 с.

326. Сперроу Э.М., Сесс Р.Д. Теплообмен излучением. JL: Энергия, 1971. 294 с.

327. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Соловьев С.И., Агеев О.А. Влияние скорости нагрева на возникновение термонапряжений в кремниевой пластине при быстром отжиге // Физика и химия обработки материалов. 1992. №5. С. 46-52.

328. Kersch A., Schafbauer Т. Thermal modeling of RTP and RTCVD processes // Thin solid films 365 (2000), pp. 307 321.

329. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Соловьев С.И., Агеев O.A., Клово А.Г. Моделирование температурных полей в полупроводниковых структурах при быстром термическом отжиге // Физика и химия обработки материалов. 1994. №2. С. 33-38.

330. Криксунов JI.3. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. радио, 1978. 400 с.

331. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Захаров А.Г. Локальное введение дислокаций в кремний с помощью электроискрового разряда // Известия вузов. Приборостроение, т. XV, № 4, (1972), с. 118 122.

332. Карачинов В.А. Рост отрицательных нитевидных кристаллов в процессе электроэрозии карбида кремния // ЖТФ, т. 68, №7, (1998), с. 133 135.

333. Артамонов Б.А. и др. Размерная электрическая обработка металлов. М., "Высшая школа", 1978, 336с., с ил.

334. Toulemonde М., Siffert P. Calculation of the temperature during electron pulse annealing of silicon//J. Appl. Phys, 25 (1981), p. 139.

335. Агеев O.A., Сеченов Д.А., Светличный A.M. Распределение температуры и механических напряжений в области воздействия зонда сканирующего туннельного микроскопа в кремнии// Известия Вузов. Электроника, 1998, № 3, с. 52-59

336. Кущев С.Б. Исследование фазового состава и субструктуры силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением пленок металлов на кремнии: Автореф. дис. на соискание ученой степени д-ра техн. наук. ВГТУ. 2000.

337. Defives D., Noblanc О., Dua С. Barrier Inhomogeneities and Electrical Characteristics of Ti/4H-SiC Schottky Rectifiers // IEEE Transactions on electron devices, 46 (1999), pp. 449 455.

338. Агеев O.A., Светличный A.M., Ковалев H.A., Разгонов P.H. Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2001. №2. С. 37-41.

339. Агеев O.A., Ковалёв H.A., Василенко A.M., Гусейнов Э.К., Исмайлова С.А. Влияние электроэрозионной обработки на параметры контактов Ni/6H-SiC // Fizika, Cild VI, №4 (2000), pp. 16-18.

340. Чистяков Ю. Д., Баранов В.В., Достанко А.П. Анализ методов определения величины переходного сопротивления невыпрямляющих контактов// Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы. 1973. Вып. 7(143). С. 3 64.

341. Авдеев С.П., Агеев О.А., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Сеченов Д.А., Светличный A.M. Модификация параметров контактов металл-карбид кремния импульсной термообработкой // Физика и химия обработки материалов, 2004, №6, с. 84-88

342. Артемов А.С. Наноалмазы для полирования // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 4. С. 670-678

343. Drachev R.V., Cherednichenko D.I., Sudarshan T.S. Analysis of in situ off-axis seeding surface preparation conditions for SiC PVT growth // Journal of Crystal Growth 265 (2004)179 -183

344. Harada M., Nagano Т., Shibata N. Surface Etching of 6H-SiC(0001) by Annealing in Vacuum for Obtaining an Atomically Flat Surface // Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002) pp. L 1218-L 1220

345. Dudko G.V., Kravchenko A.A., Cherednichenko D.I. / Electron-Beam Modification of Silicate Glass Surfaces // J. Non-Crystalline Solids, 1995, N.188, p.87-92.

346. Hofmann Dieter H., Muller Matthias H. Prospects of the use of liquid phase techniques for the growth of bulk silicon carbide crystals // Materials Science and Engineering B61-62 (1999), pp. 29-39.

347. Агеев O.A., Кравченко A.A., Чередниченко Д.И. Изменение содержания щелочных ионов в приповерхностных слоях силикатных стекол при электронно-лучевой обработке // Физика и химия стекла, 1989, т. 15, № 5, с. 780-783