Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Авдиенко, Александр Андреевич

• Авдиенко, Александр Андреевич
• доктор технических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор технических наук Авдиенко, Александр Андреевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБОРУДОВАНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.1. Тенденции, перспективы развития и применения оборудования ИИ

1.1.1. Ионно лучевая модификация материалов.

1.1.2. Ионно-лучевая литография.

1.1.3. Ионная имплантация в проблеме КНИ.

1.2. Установки ионно-лучевой обработки

1.2.1. Основные характеристики.

1.2.2. Ускоритель ионов.

1.2.3. Приёмная камера.

1.2.4. Выход годных — критерий качества оборудования.

ГЛАВА 2. ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ИЗОЛЯЦИЯ УСКОРИТЕЛЯ.

2.1. Электрическая прочность вакуумного межэлектродного зазора

2.1.1. Элементарные процессы разрушения электродов.

2.1.2. Распределение плотности эмиссионного тока на аноде.

2.1.3. Условие локального взрыва анода.

2.2. Электрическая прочность изоляторов в вакууме

2.2.1. Предпробойные явления.

2.2.2. Пробивное напряжение.

2.2.3. Пробивное напряжение изоляторов сложной формы.

2.2.4. Влияние внешних воздействий на пробой по поверхности.

2.2.5. Количественные модели пробоя по поверхности.

2.3. Внешняя высоковольтная изоляция.

ГЛАВА 3. ГЕНЕРАЦИЯ, ФОРМИРОВАНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИОННОГО ПУЧКА В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИОННО

ЛУЧЕВЫХ УСТАНОВКАХ

3.1. Ионные источники

3.1.1. Физические процессы в газоразрядных источниках ионов.

3.1.2. Выбор катода ионного источника.

3.1.3. Ионный источник типа «Пигатрон».

3.1.4. Сильноточный источник протонов.

3.2. Экстракция и сепарирование ионного пучка

3.2.1. Особенности экстракции ионов из газоразрядных источников.

3.2.2. Разделение ионов по массам.

3.3. Ускоряющая структура высоковольтного имплантера

3.3.1. Основные принципы построения.

3.3.2. Оптика ускорительных трубок.

3.3.3. Конструкции высокоградиентных ускорительных трубок.

3.4. Система высоковольтного питания

3.4.1. Высоковольтный выпрямитель.

3.4.2. Передача мощности в высоковольтный терминал.

ГЛАВА 4. РЕАЛИЗАЦИЯ И ПОДДЕРЖКА ПРОЦЕССА ИМПЛАНТАЦИИ

4.1. Приемная камера

4.1.1. Однородность легирования по пластине.

4.1.2. Температурный режим обработки.

4.1.3. Производительность.

4.2. Управление имплантером и контроль технологического процесса.

ГЛАВА 5. УСТАНОВКИ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ СЕРИЙ «ПРИЗ»И«ВИТУС»

5.1. Имплантеры серии «ПРИЗ»

5.1.1. Экспериментальная установка «ПРИЗ-З50».

5.1.2. Ионно-лучевая установка «ПРИЗ-200».

5.1.3. Ионно-лучевая установка имплантации ионов водорода «ПРИЗ-500»

5.1.3.1. Структура и компоновка.

5.1.3.2. Стойка питания и управления.

5.1.3.3. Система управления и контроля.

5.2. Высокоэнергетическая технологическая установка «ВИТУС-07»

5.2.1. Описание конструкции установки.

5.2.2. Система управления.

5.2.3. Программное обеспечение.

5.2.4. Исследование предельных характеристик установки.

5.3. Перспективные модульные установки.

5.3.1. Основные технические данные и характеристики установки ионного легирования «ВИТУС-1,5».

5.3.2. Малогабаритный аналитический комплекс (ионный микроанализатор)

5.3.3. Сильноточный имплантер «ВИТУС-0,25».

5.4. Физический проект установки ионно-лучевой литографии «Ореол»

5.4.1. Постановка задачи.

5.4.2. Энерго-масс-сепаратор.

5.4.3. Выбор варианта ионно-оптической колонны.

5.4.4. Система высоковольтного питания.

5.4.5. Экстрактор-коллиматор.

5.4.6. Проекционная система.

ГЛАВА 6. НАПРАВЛЕННОЕ ИЗМЕНЕНИЕ СЛУЖЕБНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ 6.1. Обработка полупроводниковых материалов на у имплантерах «ПРИЗ» И «ВИТУС»

6.1.1. Формирование оптических волноводов в арсениде галлия

6.1.2. Протонно-стимулированная диффузия.

6.1.3. Селективное травление, облученных протонами полупроводниковых материалов.

6.1.4. Внедрение технологии протонной изоляции в техпроцесс изготовления серийно выпускаемых приборов.

6.1.5. Высокоэнергетичная имплантация в кремний.

6.2. Формирование микроизображений методом ионно-лучевой проекционной литографии ф 6.2.1. Выбор сорта ионов для ионно-лучевой литографии.

6.2.2. Термомеханическая стабильность масок.

6.2.3. Получение субмикронных элементов изображения методом ионно-лучевой литографии.

6.3. Упрочнение поверхности конструкционных металлов и сплавов

6.3.1. Методика ионно-лучевой обработки.

6.3.2. Ионно-лучевое борирование.

6.3.3. Влияние элементного состава пучка на упрочнение.

6.3.4. Ионно-лучевое смешивание и трибологические характеристики.

6.3.5. Кристаллохимический анализ.

6.3.6. Качественная модель износа при сухом трении.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров»

Как известно, рождение технологии ионной имплантации в производстве приборов микроэлектроники (МЭ) связано с изобретением Шоттки в 1956 году способа формирования р-п перехода путем легирования полупроводникового кристалла ускоренными ионами.

Перспективность метода заключалась в высокой точности дозировки и предельной локальности внесения примесей без процессов изменения рельефа исходного полупроводникового кристалла. Благодаря этим основным качествам, имплантация органически вошла в процесс производства приборов МЭ, и, наряду и совместно с процессами диффузионной разгонки, напыления различными методами эпитаксиального наращивания обеспечила успехи современной микроэлектроники.

Поскольку процессы взаимодействия ионов с твердыми телами приводят не только к изменению электрических свойств, как в полупроводниках, но и к изменению трибологических, прочностных и коррозионных свойств твердого тела, постольку технология ионной имплантации, будучи основой производства приборов МЭ, широко используется и в области опто- и акусто-электроники и в области машиностроения и металлообработки. В настоящее время технология имплантации стала универсальным и прецизионным инструментом для приспособления природных материалов для нужд человека и создания совершенно новых не существующих в природе материалов с уникальными свойствами, изготовления микро- и нано-механических устройств.

Для решения технологических проблем на протяжении более чем "50 лет различными фирмами и предприятиями как за рубежом, так и в нашей стране было создано значительное количество установок для имплантации ионов. В нашей стране основное количество моделей имплантеров с широким спектром энергий и токов было разработано в НИИВТ им. С.А. Векшинского [1-4]. В основном - это ряд установок «ВЕЗУВИЙ». Начиная с середины 80-х годов в г.Саратове на заводе «ЭЛМАШ» началось массовое производство установок ЛАДА-20 и ЛАДА-30, разработанных ОКБ завода на базе зарубежных моделей «Челенджер» и «Линтотт». Впоследствии эти установки были оснащены новыми приёмными камерами и поставлялись на предприятия как ИЛУ малых и средних доз ДНЕПР и ДОЗА, и ИЛУ больших доз ДЕКРЕТ. Однако, в средине 80-х, в связи с интенсивным развитием интегральной оптоэлектроники квантовых приборов на гетероструктурах и СВЧ приборов на материалах А3В возникла необходимость разработки ионных имплантеров с энергетическим диапазоном, превышающим освоенные в промышленности 200 кэВ и пригодных для ускорения протонов. За рубежом, к этому времени существовали высоковольтные ускорители и имплантеры на их основе с энергией до 400 кэВ и даже до 1,5 МэВ. В основном это имплантеры фирмы Highe Voltage Engeniring, Europa B.V. (Нидерланды), электростатические ускорители серии "TANDETRON" фирмы NEC (США). В нашей стране в НИИВТ им. С.А.Векшинского была разработана и изготовлена опытная ИЛУ ВЕЗУВИЙ-9 с проектной энергией 600 кэВ. Эта установка практически не нашла применения в промышленном производстве приборов МЭ, ввиду необходимости размещения в специальном, радиационно защищенном помещении, низкой надёжности и малой производительности.

Проблема оснащения производства приборов МЭ высокоэнергетичными имплантерами ещё более обострилась в связи с повышением степени интеграции ИС и СБИС, созданием радиационно-стойких приборов и стремлением к сокращению технологического цикла и стоимости производства Наличие высокопроизводительного оборудования высокоэнергетической имплантации позволит гибко управлять параметрами активных и паразитных компонентов в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ). Создание компактных высокоэнергетичных ускорителей позволяет значительно улучшить ситуацию в области аналитического приборостроения с использованием неразрушающих и абсолютных методов элементного анализа, производства высокоинтенсивных нейтронных генераторов [5]. Применение технологии высокоэнергетической сильноточной имплантации и разрабатываемое оборудование найдут широкое применение не только для решения задач МЭ, но и в машиностроении.

Темпы развития технологии имплантации и оборудования для ее обеспечения характеризуются экспоненциальным ростом. И, как всегда бывает в случае взрывного развития новой отрасли техники, оборудование для осуществления этих технологий, в данном случае имплантеры, представлены широким спектром конструкций и типов с различными эксплуатационными и физическими параметрами. Хронология развития имплантеров для полупроводниковой промышленности и динамика роста доли ионно-лучевых операций в производстве приборов микроэлектроники (МЭ) представлены на диаграмме (рис. 1). Видно, что тенденция развития МЭ ведет к увеличению имплантаций в процессе легирования от 2-3-х имплантаций в 1970-75 г. до 11 15 в 2000 г„ что связано с уменьшением проектной нормы приборов от 3 до 0,18 мкм [6,7]. В связи с этим ионные имплантеры становятся важнейшим оборудованием технологического процесса. Пропорционально росту количества имплантаций и объема производства приборов МЭ растет количественный и качественный состав парка имплантеров. Мировой объем производства ионных имплантеров в 2000-2001 г.г. достиг 2-х млд. долл. в год При стоимости единицы оборудования в среднем ~ 2 млн. долл. количество установок достигает - 1000 штук в год.

К настоящему времени парк имплантеров России (за исключением ~ 6-7 иномарок) представлен установками «Везувий-5», «Днепр», «Лада-30» Середина 90-х годов ознаменовалась выпуском на заводе «Элмаш» (г. Саратов) модификаций установок «Днепр»-«Доза» и «Лада-30»-«Декрет». Имплантеры имеют однотипную инжекторную часть и отличаются только приемными камерами с шлюзовой загрузкой пластин из стандартных кассет. Установка «Доза» предназначена для поштучной обработки 150 мм пластин, а установка «Декрет» - для групповой обработки по 12 пластин на диске. В процессе эксплуатации установки показали хорошую устойчивость в работе и соответствие реально достигаемых параметров с проектными по

Vj Чэ <8 <8

J »ч , w ^ ^ * £

4 $ $ 3 й ч <) щ Ч

НИИ ВТ серия «Везувий»

4* ^ ^ 'I

ЭЛМАШ

ИЯФ СО РАН

ТОО «РВВК»

ГУП «Компания МЭТИС»

О«-"

EATON/NOVA/KASPER

-а—» о о о а—» а v-Vf^' о а а

-в—0-0—9-W<W-e

ULVAC

HISSIH

VEECO/Ai

A IT/LINTОТТ t в*9

200 "f"

Я-ДО-6-fe-в®-®-а-ф©-2-9- J У

AIM-210 2ioowe/HC.i2ea»o

-4-М—f

WITH OR EW( J? - s

SEHIESJESIESIISERISS III SERIES Ш-Х PI9000f>l9200i>ra200!( JPl330a# Oj.» »

0—0 ooo—о oooo

VAR1AN £XTRION/IIS) K

4 4 4 4444 4

4 4 * ^l520KESr»El

GENERAL lONEX/CENUS.

-I-1—(-yAC4UI rtd by Vvisn

Год

70

75

•80

85 4

•90

95 +

2000

2-3 <-6 6-0 tt-11 3-13 11.15

Число имплантаций -4 ь. ь- ► ►

PMOS NMOS CMOS CMOS/SIC М05 soi?

5 3 2 1.6 1.2 .0 . 5 . 35 .25 .18 Проектная норма, мкм ' ' ' 1 1 ' '

50 75 100 125 150 • 200 3 00

Диаметр подложки, мм и-в-в-0-в-в"-— о—

Рис. 1. Хронология развития имплантеров для полупроводниковой промышленности и динамика роста доли ионно-лучевых операций в производстве приборов микроэлектроники привнесенной дефектности, бою пластин и однородности легирования.

Повышение производительности установок «Доза» и «Декрет» реально до предельных возможностей инжекторов (по мощности питания ионных источников и высоковольтного выпрямителя). Предельно возможные токи составляют 2 мА для «Днепр»-«Доза» и 4 мА - «Лада»-«Декрет».

Дальнейшее повышение производительности установок и расширение технологических возможностей имплантеров возможно за счет усовершенствования приемной камеры и ускорительно-пучкового тракта увеличения эффективности ионного источника и увеличения тока луча. Для реализации этих возможностей разрабатываются имплантеры серии ТИУС.

Известно, что прогресс микроэлектроники реально достигается за счет уменьшения числа элементов и увеличения плотности их упаковки Существенным же моментом является то, что увеличение числа элементов на кристалле при практически неизменной стоимости его сопровождается быстрым падением стоимости отдельного элемента.

До 80-х годов наблюдалось ежегодное увеличение в два раза числа элементов на кристалле [8]. В последующем происходило увеличение числа элементов на чипе в два раза каждые два года , так что к 2000 г. достигло ~ 109

Начиная с 80-х годов происходит переход технологии микроэлектроники на принципиально новый уровень: изготовление СБИС с трехмерной компоновкой элементной базы и увеличением степени интеграции до десятков мегабит на кристалл. При этом возникает ряд технологических проблем, для решения которых необходимо расширить энергетический диапазон ионных имплантеров в сторону больших энергий. Использование высокоэнергетической (0,1-1 МэВ) имплантации позволит решить такие проблемы, как создание «ретроградных» карманов, глубокая подгонка порогов создание скрытых проводящих, изолирующих, геттерных слоев и т.д Высокоэнергетическая имплантация малых доз расширяет технологические возможности и позволяет разрабатывать и выпускать заказные микропроцессоры, в которых имплантация примеси в область канала может осуществляться уже после формирования МОП-структур, что должно существенно увеличить выход годных благодаря снижению разброса по пороговому напряжению, снижению уровня микродефектности, а также за счет возможности подгонки до требуемого уровня порогового напряжения по результатам измерения порогового напряжения контрольных транзисторов на разделительных дорожках подложки.

Наличие прецизионного оборудования высокоэнергетической имплантации позволит гибко управлять параметрами активных и паразитных компонентов в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ).

Кроме того, применение технологии высокоэнергетической имплантации и разрабатываемое оборудование найдут широкое применение при изготовлении логических схем повышенной информационной емкости с биполярной элементной базой для формирования скрытых слоев, изоляции элементов, а также в схемах, выполненных на соединениях типа А3В5, А2В6 и др., для изоляции элементов схем радиационными дефектами (протонная изоляция), создания заданного распределения легирующей примеси по глубине и площади, без использования длительных температурных воздействий.

Увеличение степени интеграции и быстродействия интегральных схем освоение производства БИС, СБИС, ССИС, а также приборов функциональной электроники (магнито-, опто-, акустоэлектроники и т.п.) требуют применения как новых материалов, так и разработки технологического оборудования методов и приемов, позволяющих существенно уменьшить размеры элементов интегральных схем с одновременным увеличением точности их воспроизводства [9].

Новые технологические процессы должны не только улучшать параметры и характеристики приборов, но и обладать высокой экономичностью, обеспечивать повышение производительности труда снижение трудоемкости и себестоимости изделий.

В машиностроении используются установки, обычно применяемые для полупроводникового производства, снабженные специальными рабочими камерами. Энергия ионов до 200 кэВ, токи пучков 1-3 мА. У нас в стране широкое распространение получили установки имплантации импульсными пучками не сепарированных ионов. Однако низкая стоимость такого типа установок не перекрывает явных недостатков, определяемых высокой загрязненностью ионного пучка посторонними ионами, низким средним током при сильном импульсном перегреве деталей, что недопустимо на закаленных деталях.

Цель работы заключалась в: создании ряда малогабаритных высоковольтных ускорителей с энергией однозарядных ионов выше 200 кэВ и технологических установок на их основе

- экспериментальном исследовании процессов ионно-лучевой модификации поверхностных слоев широкого класса материалов;

- технологическом применении разработанного оборудования для формирования субмикронной топологии и физической структуры приборов МЭ, упрочнении инструмента, оснастки и деталей машин и механизмов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать физические принципы построения малогабаритных высокоэнергетичных и сильноточных ионных имплантеров;

2. Экспериментально исследовать, выявить закономерности и разработать модели перекрытия вакуумной поверхности высоковольтных изоляторов и электрического пробоя вакуумного межэлектродного зазора.

3. Разработать методику расчёта, принципы конструирования и технологию производства высоковольтных вакуумных изоляторов и ускоряющих структур.

4. Определить ограничения и найти оптимальные решения ионно оптических трактов и элементов ионных имплантеров.

5. Разработать компактные мощные генераторы высокого напряжения и системы передачи мощности.

6. Разработать компоновочные решения малогабаритных высоковольтных имплантеров .

7. Разработать принципы построения АСУ имплантеров на базе ЭВМ скомпоновать комплект аппаратного и создать пакет программног обеспечения.

8. Исследовать оптические свойства проекционной системы установк ионно-лучевой литографии (ИЛЛ) и провести экспериментальную проверк возможностей формирования субмикронных изображений методом ИЛЛ.

9. Исследовать процесс протонно-лучевой модификации оптических электрических свойств полупроводников А3В5, стекол и электроактивны кристаллов.

10. Исследовать изменения свойств поверхностных слоев металло и сплавов в процессах ионной имплантации и ионно-лучевого перемешивания.

11. Разработать модель абразивного износа металлических деталей упрочненных методами ионной имплантации и ионно-лучевого перемешивания

Выявленные при решении этих задач элементы научной новизны практической ценности выдвигаются автором в качестве научных положени для защиты:

1. Тепловой и десорбционный механизмы пробоя ускорительных трубок по вакуумной поверхности и механизм пробоя вакуумного межэлектродного зазора, что позволило сконструировать ускорительные трубки для ионных имплантеров с предельным темпом ускорения.

2. Методики расчета и принципы конструирования критических элементов высокоэнергетичных имплантеров, включая:

- высоковольтные вакуумные изоляторы, оригинальную технологию их производства;

- вводы и ускорительные трубки, используемые во многих типах приборов установок и оборудования; компактные мощные генераторы высокого напряжения и высоковольтные разделительные трансформаторы для высоковольтных ускорителей;

- ионные источники и элементы ионного тракта;

- выбор оптической системы ускорительной структуры высоковольтного ускорителя ионов;

- приёмные камеры с системами управления и контроля процесса легирования.

3. Численное моделирование и оптимизация оптических свойств ионного тракта, установки протонно-лучевой проекционной литографии субмикронного диапазона.

4. Результаты экспериментов по отработке технологии формирования лазерных светодиодов на гетероструктурах ОахА11хАз, и формирования изолирующих областей для СВЧ полевых транзисторов с применением установок ПРИЗ-350, ПРИЗ-500 и ПРИЗ-200, а также возможности формирования ретроградного кармана в кремнии на глубине 1,5 мкм с использованием установки ВИТУС-0,7. ю

5. Энергетическая модель трения-износа в условиях абразивного сухого истирания инструмента и деталей из конструкционных металлов и сплавов, упрочнённых методом ионной имплантации и ионно-лучевого смешивания.

Практическая ценность работы.

На основании реализации установленных в работе научных положений созданных ионно-лучевых технологических установок и проведенны экспериментов по изменению свойств широкого класса материалов достигнуты следующие практические результаты.

1. Выработана концепция построения и принципы конструировани унифицированных малогабаритных высоковольтных ускорителей ионов оптимальных для использования в составе ионных имплантеров, нейтронны генераторов, установок микрозондового анализа и другого электрофизическог оборудования.

2. Создан ряд ионных имплантеров с энергией от 200 до 1500кэВ предельно малых габаритов: ПРИЗ-350, ПРИЗ-200, ПРИЗ-500, ВИТУС-0,7 ВИТУС-0,25, ВИТУС-0,7М, ВИТУС-1,5, отвечающий современному уровню технологии производства приборов микроэлектроники.

3. Разработаны и внедрены в производство оригинальные системы рабочих элементов приёмных камер.

4. Разработан физический проект установки ионно-лучево проекционной литографии субмикронного диапазона.

5. Разработана методика расчета и конструирования ускорительны трубок, опорных и проходных вакуумных изоляторов, высоковольтны вакуумных вводов широкого диапазона назначения и величин напряжения.

6. Разработана модель трения-износа, на основании которой отработан практическая технология упрочнения деталей машин и механизмов, а такж методика расчета технологических режимов обработки с целью увеличени рабочего ресурса.

Практическая значимость и реализация результатов работы

Диссертация выполнена в рамках программы НТК «Ускоритель», проекта ФЦП «Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки» Б-0101 «Разработка информационных систем проектирования металлических материалов и технологий их получения» конкурса грантов Министерства образования в 1996-1998 г.г. по фундаментальным исследованиям, НИОКР по договорам с ОКБ при НЭВЗ НПО им. П.С. Плешакова, ФТЦ ИЯФ СО АН СССР и представляет собой научное обобщение результатов, полученных автором в 1977-2003 г.г.

Результаты работы использованы при создании промышленны ускорителей серии ЭЛВ в Институте ядерной физики СО АН СССР (г Новосибирск), ряда высоковольтных электрофизических приборов в НИИ «Титан» (г. Москва). Отдельные разработки и методики, полученные в работе использованы в АОЗТ «Корона-Семикондактор, ЛТД», АООТ «НИИ МЭ завод «Микрон», в ГУП «Компания МЭТИС».

Созданные в порядке выполнения работы установки серии ПРИЗ БИТУ С были поставлены на предприятия НИИФП им. Ф.В. Лукина, «Элас» (г Зеленоград), НПО «Исток» (г. Фрязино), ОКБМ при НЭВЗ, НПО «Адрон» (г Новосибирск), Филиал НЗГТП (г. Томск), НПО «Север» (г. Новосибирск).

На созданном оборудовании проведен целый ряд оригинальны постановочных технологических работ, НИР и ОКР, осуществляете промышленное производство приборов микроэлектроники.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы доложены и обсуждены на: IX Всесоюзном совещании по ускорителям заряженных частиц (Дубна-84), XI Международном симпозиуме по разрядам и электрической изоляции в вакууме (ГДР, Берлин-84), 3-ей Международной конференции по импульсной и пучковой модификации материалов (ГДР, Дрезден-89), II Всесоюзном семинаре «Микролитография-90» (Черноголовка-90) Международной конференции по ионной имплантации и ионно-пучковому оборудованию (Болгария, Элените-90), П-й Всесоюзной конференции по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц (Свердловск-91), 4-й Всесоюзной конференции по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц (Томск-94) Международной НТК по лазерным и физико-техническим методам обработки материалов (Киев-95), 3-ем Российско-китайском симпозиуме по материалам и процессам в микроэлектронике (Калуга-95), 4-ом Российско-китайском симпозиуме по актуальным проблемам современного материаловедения (Китай-97), (Звенигород-95), IV Всероссийском семинаре по физическим и физико-химическим основам ионной имплантации (Н.-Новгород-98) Международной НПК по инженерно-техническому обеспечению АПК и машинно-технологических станций в условиях реформирования (0рел-2000), 7 9-ой НТК с участием зарубежных специалистов по вакуумной науке и технике (Судак-2000-2003), Межотраслевой НТ конференциях «НИИМЭ и Микрон» (Зеленоград-2001-2003), Научно-практическом семинаре по проблемам специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур (Н.-Новгород-2002, 2003), XVIII Всероссийском Совещании по ускорителям заряженных частиц (0бнинск-2002), Харьковской научной Ассамблее (Харьков-2003), XV Международной конференции по электростатическим ускорителям и пучковым технологиям (0бнинск-2003).

Работа в целом обсуждена на расширенном заседании НТС ФГУП «Красная Звезда». ^

По теме диссертации опубликовано 63 научный работу из которых 41 включена в список основных по теме диссертации, в том числё'МГпубликаци^и в периодических научных изданиях, рекомендуемых ВАК Министерства образования РФ для публикации основных результатов диссертации на соискание ученой степени доктора наук, получено 1 авторское свидетельство, 2 патента, а также некоторые результаты использованы в учебном процессе (изданы методические указания и учебное пособие).

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Авдиенко, Александр Андреевич

выводу:

- • имплантащюнные параметры процессов высокоэнергетической имплантации полностью согласуются с заданными значениями и теоретическими расчетами:

- точность, однородность и воспроизводимость дозы и энергии для импплантации ионами бора и фосфора не превышают 20%;

2.Работы по определению реального коэффициента готовности установки ВМТУС-0.7 и привнесенной дефектности требуют большого набора статистических данных и будут завершены в 1Э93г.

CAMECA D64F nie :

3 i 1

19

JUiîîlj

DEPTH PROFILE 12-N0V-92 j-.rT. H

31 H i 10 «S m u i

16

H 3 ■1

15 S

M 4 U

TTM 1 J rr i]lTITj-T 1 i 15 ! 1.5 lierons я

СИШ IMS4F file : P3PL6a sample : PinSi 13; lE 12-H0V-92 "i й I h ' J

IIP) rn

О -J—> ro т-рт'гггргтттгггт r''^ Ii i 1.5 2 microns rri г. itfïLbn Irknl nie. ^

3 •i

19

13 ffl PROFILE 12«

3PL5a sa®le : PinSI #2; Q-i0ica/cai2

31 H

13 J il . i ■ 1/

•, i 18 19

5 : « 1

H i u ; V v A a M 19 -j-rn ryrrn nui p itti I 9.5 i 1.5 2 j!

ITTJI i ^ ! 2.5 n lierons г*. f

Я, 4

Комитет РФ по оборонным отраслям промышленности

Государственное научно-пронаводственное предприятие „Исток"

Научно-производственное предприятие

ИСТ0К-220"

Филиал ГНПП „Исток"

141120, г. Фрязино Московской обл., ул. Вокзальная, 2а, НПП «Исток-220» Телефон: [phone] Телекс: 911507 КОТГС Телетайп: 346306, 346383 ЛЕН (

Р/с 263636 Филиал ММКБ, г. Щелково Моск. обл, МФО 211792 РКЦ," 141070, г. Калининград Моск. обл., МФО 212274. кор. сч. 154161100

03.06.93 г.

17/220

- ¡■■ч*» .г« -V на №

УТВЕРВДАЮ"

ИСТ0К-220" : 1 /РОЖКОВ с.е./ июня 1993 г. К

-от

СПРАВКА

В соответствии с планом технического перевооружения ГНПП "Исток" введен в эксплуатацию малогабаритный ускоритель "Приз-500" - (разработка ШФ СО АН).

С использованием ускорителя закончена выполняемая по плану МЭП ОКР, создана и внедрена в опытное производство промышленная технология глубокой (до 5 мкм) межэяементной изоляции дискретных и монолитных арсенид-галлиевых приборов.

Выход годных структур (СВЧ смесители, ДЦЦ и другие I приборы) на операции составляет более 90$.

В процессе эксплуатации ускорителя также показана ; эффективность использования его для проведения радиационно--стимулированной диффузии. у.

ЩШ

Главный конструктор ОКР Замдиректора по производ

КРЫС0В Г.А./ /ЖЕЛЕЗНЯКОВ В.И./ • А

РОССИЙСКАЯ ФЕД ЕРАЦИ Я комитет российской федерации.по;патентам • и товарным;зна1^м.;;С, . роспатент) .ххххх х х':' .

ПАТЕНЩ ' 2052517 о'хххх.

1 '-Г^Г Л-'Л

-х-х-хчс с^, с на ИЗОБРЕТЕНИЕ хЦх'х •

Конвекторное кольцо для отжига" металла в колпаковой печи" " . . .• . " .

Патентообладатель (ли): .Акционерное общество " Нэво липецк ий металлургический комб инат"

Х;ХХХ .

V '

Автор (авторы): зранценюк Иван Васильевич,. Рябов Вячеслав Васильевич, Франценюк йэдмила Ивановна, -:ххх-Коныпин Александр Петрович, Капнин Владимир . Викторович, Кляпицын Владимир Александрович, • , Авдиенко Александр Андреевич и Шкатов Валерий :

Викторович . ' ;; .

-. ".".-,хх :-:;схлххСхх.х•■"- •'-■ ххх.х-х Приоритет изобретения ' : ^чо??^^3^®1

Дата поступления заявки в Роспатент ;27. ; апреЛЯ .1993г

Заявка № 93025220 .х'хх- х'-^ёШ^у', x:\-xsrtx~x:-. ■■ х; х: .

Зарегистрирован реестре изобретений х::. V ;. X х-хх ххх;х:<-х;хх у. у у хххх^Зо0<;0

• ••*:'•'• V X : Vх.хх^Т^'-х^х.х X ххх х ' . хо.: •"•• х.схх"' л председатель: ^ос^тентащ^

• 'у^С-ху-х :X' ХХХОХХЧХХХ . ' : .хХ х ХА^Х^^'Х X ' х.х.'.Сх. х . х-хххххх

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ комитет росс!//ской федерации по патентам* и "оварным знакам

Роспатент)- :'

ПАТЕНТ

2075525 ы ИЗОБРЕТЕНИЕ „'

Способ получения цин*; из цинкового дроса.х чххх:- х

V V V V

Патентообладателям): Акционерное оётестЕо "Ново липецкий металлургический комби-ат"

Фр=нценюк Людмила Ивановна,Белянский Андрей Дмитриевич,Асдиенко Александр Андрее-д / \ =*ч,Шкато8 Валерий Викторович,Рябов Вя

Автор (авторы):че :пав Васильевич,Коцарь Сергей Пеонидо-вич.Кляпицын Владимир 1лек сан орооич,Коньшин Александр Петрович,Колпаков Сергей Се:аФимович ,Шаршаков Иван. Михайлович , Аста-шова Раиса Васильевна,т|ещерякос Алексей Анато л ье в и ч , Бирюк о в Александр Сергеевич , КъIако в Валерий Викторович,Ефименк о Сергей Петрович.Стебенев Андпей Сергеевич,Капнин Владимир Викторович и Хзатова Нина Федорсг-з

Приоритет изобре-ения

6 января 1994г

Дата поступления заявки в Роспатент 6 января 1994г

Заявка № Ю00537 „V Зарегистрирован з Государственном " г::реестре изобретен^

20 марта 1997г

ПРЕДСЕДАТЕЛЬ РОСПАТЕНТА