Физико-химические закономерности получения твердых растворов в системе CdS-PbS путем ионообменной трансформации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат наук Форостяная Наталья Александровна

• Форостяная Наталья Александровна
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Форостяная Наталья Александровна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СИНТЕЗ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В СИСТЕМЕ СёБ-РЬБ. ИОННЫЙ ОБМЕН КАК МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОГЕННЫХ СТРУКТУР (литературный обзор)

1.1. Свойства, применение и получение твердых растворов в системе СёБ-РЬБ

1.1.1. Характеристика структуры и некоторых физических свойств полупроводниковых соединений СёБ-РЬБ

1.1.2. Функциональные свойства и применение твердых растворов СёхРЬ1-хБ

1.1.3. Образование твердых растворов в системе СёБ-РЬБ

1.1.4. Методы получения бинарных соединений СёБ и РЬБ и твердых растворов на их основе

1.2. Ионный обмен на межфазной границе «халькогенид металла - водный раствор»: условия проведения и пути протекания процесса

1.2.1. Особенности ионообменных процессов на межфазной границе «халькогенид металла -водный раствор»

1.2.2. Трехстадийная диффузия в тонких поликристаллических плёнках

1.2.3. Ионный обмен в различных системах с участием халькогенидов металлов

Выводы по главе

Глава 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

ИЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ

2.1. Используемые реактивы и материалы

2.2. Методика гидрохимического осаждения пленок сульфида кадмия

2.3. Методика ионообменной модификации химически осажденных пленок и порошков сульфида кадмия

2.4. Определение толщины пленок

2.5. Исследование структуры, фазового, элементного состава и морфологии пленок на основе СёБ

2.6. Исследование структуры, фазового состава и морфологии порошков СёБ и СёБ-РЬБ

2.7. Оценка термической устойчивости и реакционной способности гидрохимически осажденных порошков СёБ и СёБ-РЬБ

2.8. Определение коэффициента диффузии свинца в пленках СёБ - РЬБ

Глава 3. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ЛИГАНДНОГО ФОНА НА СОСТАВ, СТРУКТУРУ И

МОРФОЛОГИЮ ПЛЕНОК СёБ

3.1 Термодинамический анализ образования твердой фазы СёБ

3.1.1. Анализ ионных равновесий в системе «Сё2+ - Ь - ОН-»,

3.1.2. Расчет граничных условий образования твердой фазы СёБ и примесных соединений Сё(ОН)2 и СёСЫ2

3.2. Исследование кинетических закономерностей образования твердой фазы сульфида кадмия при использовании различных лигандов

3.3 Лигандный фон реакционной системы как фактор, определяющий морфологические особенности пленок СёБ при гидрохимическом синтезе

3.4. Состав, структура и морфология пленок СёБ, сформированных в присутствии различных лигандов

3.5. Исследование оптических свойств тонкопленочных образцов СёБ, осажденных из различных реакционных систем

Выводы по главе

Глава 4. СИНТЕЗ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ В СИСТЕМЕ СёБ - РЬБ ПУТЕМ ИОНООБМЕННОЙ ТРАСФОРМАЦИИ ПЛЕНКИ СёБ В ВОДНОМ РАСТВОРЕ СОЛИ СВИНЦА

4.1. Термодинамический анализ вероятности протекания реакции ионного обмена на межфазной границе «тонкая пленка СёБ - водный раствор ацетата свинца»

4.2. Морфология исходной пленки СёБ как фактор накопления металла-заместителя поверхностью образца

4.3. Структурно-морфологические особенности пленок СёБ, полученных

из цитратно-аммиачной реакционной смеси, после модифицикации в водном растворе ацетата свинца

4.4. Расчет коэффициентов диффузии свинца в пленке сульфида кадмия с использованием рентгенофлуоресцентного метода анализа

4.5 Исследование твердофазной диффузии свинца в пленке СёБ по данным РФЭС-анализа с послойным ионным травлением

4.5.1. Анализ обзорных РФЭ спектров поверхности пленок Сё(РЬ)Б _до и после травления

1.5.2. Профили концентрационного распределения элементов по глубине пленок Сё(РЬ)Б

4.5.3. Расчёт эффективного коэффициента диффузии свинца в поликристаллической пленке СёБ при 368 К

1.5.3. Химические состояния элементов в пленках Сё(РЬ)Б по данным РФЭС-анализа до и после травления аргоновым пучком

Выводы по главе

ГЛАВА 5. СОСТАВ, СТРУКТУРА И МОРФОЛОГИЯ НАНОПОРОШКОВ СёБ, МОДИФИЦИРОВАННЫХ В ВОДНОМ РАСТВОРЕ СОЛИ СВИНЦА

5.1. Влияние лигандного фона на структуру и свойства нанопорошков СёБ

5.2. Модификация нанопорошков СёБ в водно-аммиачной среде, содержащей цитратный комплекс свинца

Выводы по главе

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические закономерности получения твердых растворов в системе CdS-PbS путем ионообменной трансформации»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Стремительно развивающиеся опто- и наноэлектроника требуют поиска принципиально новых полупроводниковых материалов, обеспечивающих вариабельность функциональных свойств в широких пределах. Этим требованиям в полной мере отвечают тонкопленочные твердые растворы замещения в системе CdS-PbS. В этих соединениях путем изменения содержания замещающего компонента возможно изменение ширины запрещенной зоны от широкозонного сульфида кадмия (2.4 эВ) до узкозонного сульфида свинца (0.41 эВ), а также варьирование максимума и диапазона спектральной чувствительности в видимой и всей ближней ИК-области спектра. Кроме того, создание гетерофазного полупроводникового материала, состоящего из широкозонной матрицы СаБ и узкозонных низкоомных включений РЬБ в ее структуру, обеспечивает увеличение радиационной стойкости функциональных элементов на его основе.

Интерес к полупроводниковым твердым растворам замещения в системе CdS-PbS подтверждается большим числом публикаций, посвященных их исследованию и целенаправленному получению как физическими, так и химическими методами. Поскольку физические методы синтеза требуют сложной технологической аппаратуры, дороги в реализации и не всегда обеспечивают получение требуемых свойств, большое внимание в настоящее время уделяется низкотемпературным гидрохимическим методам получения.

Тем не менее, достигнутый к настоящему моменту уровень развития гидрохимического метода синтеза путем соосаждения РЬБ и СаБ не обеспечивает получения твердых растворов с содержанием замещающего компонента со стороны РЬБ более 16 мол. %, а со стороны СаБ - 1 мол. %. В этой связи актуально дальнейшее совершенствование гидрохимического синтеза. Большой интерес представляет использование для получения высокообогащенных твердых растворов замещения в системе CdS-PbS новой перспективной разновидности химического синтеза из водных растворов - ионообменной трансформации исходной пленки сульфида кадмия путем ее выдерживания в комплексном водном растворе соли свинца(П).

Актуальность работы также подтверждается и тем, что она выполнялась в рамках государственного задания Министерства образования и науки Российской Федерации № 4.1270.2014/К "Разработка физико-химических основ и алгоритма коллоидно-химического синтеза пленок халькогенидов металлов для фотоники и сенсорной техники" (2014-2015 гг.); конкурсов на проведение научных исследований аспирантами, молодыми учеными и кандидатами наук Уральского федерального университета в 2012 - 2014 годах в рамках реализации программы развития УрФУ.

Целью диссертационной работы являлось установление физико-химических закономерностей формирования высокообогащенных твердых растворов замещения в системе Сд8-РЬ8 методом ионообменной трансформации пленок сульфида кадмия, исследование их структуры, состава, морфологии и некоторых физических свойств.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие теоретические и экспериментальные задачи:

1. На основе анализа ионных равновесий рассчитать граничные условия образования сульфида кадмия (базового материала для ионообменной трансформации) и сопутствующих фаз в реакционных смесях с различным составом.

2. Определить условия и провести гидрохимический синтез пленок из реакционных ванн с различным лигандным фоном, исследовать их структуру, состав, морфологию с целью выбора исходного материала, обеспечивающего эффективность процесса ионообменной трансформации.

3. Провести оценку термодинамической вероятности осуществления обменной реакции замещения ионов кадмия Сд2+ на ионы свинца РЬ2+ на межфазной границе «пленка - водный раствор соли свинца».

4. Методом ионообменной трансформации исходной пленки в водном растворе соли свинца получить слои твердых растворов замещения Сд8-РЬ8 широкого диапазона составов, исследовать их кристаллическую структуру, элементный и фазовый состав, морфологию.

5. Определить коэффициент твердофазной диффузии ионов свинца в пленках сульфида кадмия при их контакте с водным раствором соли свинца.

6. Исследовать структуру, фазовый состав, температурную устойчивость и способность к ионообменной модификации химически осажденных порошков СаБ в водных растворах соли свинца.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые проведен сравнительный анализ концентрационных областей образования и условий гидрохимического синтеза, состава, структуры, морфологии пленок и порошков сульфида кадмия, полученных из реакционных смесей, содержащих различные по силе лиганды: цитрат-ионы, аммиак, этилендиамин, а также смесь цитрат-ионов с аммиаком.

2. Выявлены основные физико-химические закономерности ионообменной трансформации пленки сульфида кадмия в водном растворе соли свинца(11), характеризующие распределение элементов по ее толщине.

3. Определены элементный состав, кристаллическая структура, морфологические особенности пленок твердых растворов С^РЬ^Б, полученных методом ионообменной трансформации слоев СаБ в водном растворе соли свинца(11).

3. Впервые методом ионообменной трансформации получены пленки пересыщенных твердых растворов С^РЬ^Б с кубической структурой №С1 (51) и максимальным содержанием замещающего компонента до 31.1±0.3 мол.%.

4. Впервые определена величина эффективного коэффициента диффузии свинца в

_1с ^

пленках СаБ, составившая при 368 К (3.6 ± 0.5)-10 см/с по данным РФЭС и (0.8±0.1)-10 см /с по результатам обработки кинетических кривых накопления свинца в базовой матрице.

5. Впервые методом ионообменной трансформации нанопорошков СаБ в водно-аммиачном растворе цитратного комплекса свинца синтезированы твердые растворы замещения Сё^РЬдБ со структурой В3, содержащие до 14.6±0.1 мол. % сульфида свинца.

6. С использованием просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения выявлено смещение атомных слоев в кристаллической решетке сфалерита (В3) при формировании твердых растворов замещения СаБ-РЬБ путем ионообменной трансформации нанопорошков СаБ в водно-аммиачном растворе цитратного комплекса свинца.

Теоретическая значимость работы

Работа вносит существенный вклад в развитие представлений о гетерогенных процессах, протекающих на межфазной границе "твердая фаза - водный раствор". Разработаны физико-химические основы перспективного научно обоснованного метода синтеза полупроводниковых соединений сложного состава, в основе которого лежит ионообменная трансформация пленок сульфида металла в водных растворах солей. В работе предложен расчетный метод прогнозирования обменной реакции в твердой фазе путем оценки ее термодинамической вероятности.

Практическая ценность

1. Методика расчета концентрационных областей образования сульфида кадмия в реакционных системах, содержащих различные по силе и природе комплексующие агенты, может использоваться для варьирования степени пересыщения по сульфиду металла, оказывающей влияние на скорость формирования, форму и размер зародышей твердой фазы. Учет лигандного фона особенно важен для направленного синтеза пленок и нанопорошков сульфида кадмия с целью создания наиболее перспективного полупроводника для использования в качестве базовой матрицы при ионообменной трансформации, а также формирования твердых растворов замещения С^РЬ^^ широкого диапазона составов как со стороны Сд8, так и со стороны РЬ8.

2. Экспериментально определенный эффективный коэффициент диффузии свинца в химически осажденной пленке при ее контакте с водным раствором ацетата свинца, имеет справочный характер.

3. Установленную термическую устойчивость модифицированных в водном растворе соли свинца нанопорошков необходимо учитывать при использовании их в приборах опто- и наноэлектроники, работающих в условиях повышенных температур.

Положения диссертации, выносимые на защиту:

1. Анализ ионных равновесий в водных щелочных растворах солей кадмия с тиокарбамидом и влияние лигандного фона на состав, структуру и морфологию пленок и порошков сульфида кадмия.

2. Оценка термодинамической вероятности ионообменного замещения кадмия на

свинец на межфазной границе Сд8тв/РЬ2+

р-р-

4. Элементный и фазовый состав, структура, морфология, концентрационные профили распределения элементов по глубине пленок твердых растворов в системе

- РЬ8.

6. Значение эффективного коэффициента диффузии свинца в пленках сульфида кадмия при их контакте с водным раствором соли свинца.

5. Термическая стабильность фазового состава и размера частиц нанопорошков сульфида кадмия, полученных из различных реакционных смесей.

Личный вклад автора состоял в постановке задач исследования, проведении термодинамических расчетов, планировании и проведении экспериментов, обработке и систематизации полученного экспериментального материала. Обсуждение и подготовка к публикации полученных результатов проводились совместно с соавторами, причем вклад диссертанта был определяющим. Общая постановка целей и задач диссертационного исследования проведена совместно с научным руководителем работы.

Методология и методы диссертационного исследования. Для достижения цели диссертационного исследования использовались различные теоретические и экспериментальные методы. Анализ ионных равновесий в водных щелочных растворах соли кадмия и тиокарбамида с учетом лигандного фона позволил получить перспективные пленки и порошки сульфида кадмия для ионообменной трансформации, а термодинамическая оценка вероятности протекания ионообменного процесса на межфазной границе Сб8тв/РЬ2+р-р обеспечила получение пленок и нанопорошков твердых растворов замещения С^РЬ^^ широкого диапазона составов. Анализ структурно-морфологических и функциональных свойств исследуемых материалов проводился с использованием комплекса современных физико-химических методов исследования (рентгенофазового анализа, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, КР спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа, рентгенофлуоресцентного анализа, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифференциально-термического и термогравиметрического анализов, оптической спектроскопии), обеспечивающих достоверность полученных результатов.

Апробация работы. Материалы диссертации в форме докладов и сообщений обсуждались на I Всероссийской научно-практической конференции «Наноматериалы, нанотехнологии, наноиндустрия» (Казань, 2010), Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи (Казань, 2010), V Международной научной конференции «Научный потенциал XXI века» (Ставрополь, 2011), VII Miedzynarodowej naukowipraktycznej konferencji "Perspektywiczne opracowania sa nauka I technikamu -2011" (Poland, Przemysl, 2011), Всероссийской научной конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы» (Екатеринбург, 2012), XXII Всероссийской научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2012), Всероссийской научной конференции «Современные проблемы химической науки и образования» (Чебоксары, 2012), VII Всероссийской школы-конференции «Теоретическая и экспериментальная химия жидкофазных систем» (Иваново, 2012), Всероссийской молодежной конференции «Физика и химия наноразмерных систем» (Екатеринбург, 2012), I Международной интернет-конференции «На стыке двух наук. Физико-химическая серия» (Казань, 2013), I Всероссийской научной интернет-конференции с международным участием «Спектрометрические методы анализа» (Казань, 2013), VIII Всероссийской школы-конференции «Теоретическая и экспериментальная химия жидкофазных систем» (Иваново, 2013), 19th International Conference on composite materials (Montreal, Canada, 2013), Международной научно-практической конференции «Актуальные вопросы развития науки» (Уфа, 2014), XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и прибором ночного видения «ОРИОН» (Москва, 2014), XXIV Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2014), Международной конференции «Surface Engineering for Research and Industrial Application» (Новосибирск, 2014), XXV Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2015), IX Международной конференции молодых ученых по химии «Менделеев-2015» (Санкт-Петербург, 2015), Международном научном форуме "Бутлеровское наследие-2015" (Казань, 2015).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 33 печатных работы, в том числе 7 статей в журналах, рекомендуемых ВАК, тезисы 26 докладов на конференциях регионального, Всероссийского и Международного уровней.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, общих выводов по работе и библиографического списка, включающего 260 наименование цитируемой литературы. Работа изложена на 196 страницах, содержит 59 рисунков и 17 таблиц.

ГЛАВА 1. СИНТЕЗ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В СИСТЕМЕ СаЯ-РЬЯ.

ИОННЫЙ ОБМЕН КАК МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОГЕННЫХ СТРУКТУР

(литературный обзор)

Объектами исследования в настоящей работе являлись твердые растворы в системе Сб8-РЬ8, которые находят широкое применение в различных областях оптоэлектроники и используются в качестве фотодетекторов, фотоэлектрических устройств, солнцезащитных покрытий. Твердые растворы СбхРЬ1-х8 представляют потенциальный интерес в качестве преобразователей солнечного излучения за счет возможности варьирования их полупроводниковых свойств при изменении состава от узкозонного РЬ8 до широкозонного сульфида кадмия. Однако получение твердых растворов в системе Сб8-РЬ8 сопряжено с определенными трудностями за счет неблагоприятных условий изоморфной смесимости. Согласно данным равновесной фазовой диаграммы системы Сб8-РЬ8 [1] сульфиды свинца и кадмия характеризуются ограниченной растворимостью и могут формировать твердые растворы лишь с малой долей замещающего компонента при повышенных температурах.

Высокотемпературные методы, весьма распространенные для получения тройных соединений системы Сб8-РЬ8, требуют использования дорогостоящего оборудования для создания дополнительных условий (повышенной температуры, вакуума) и, следовательно, являются затратными. Использование для получения твердых растворов СбхРЬ1-х8 низкотемпературного метода гидрохимического осаждения снижает затраты и упрощает процесс получения тонкопленочных покрытий. Однако, содержание замещающего компонента в твердых растворах, полученных этим методом, не превышает 16 мол.% [2 - 4].

Подобные проблемы в полупроводниковом материаловедении дали толчок для разработки нового перспективного метода синтеза на основе гидрохимического осаждения. Ряд экспериментов, проведенных на кафедре физической и коллоидной химии Уральского федерального университета имени Б.Н.Ельцина, показал, что можно значительно повысить долю замещающего компонента путем выдерживания пленки халькогенида металла в растворе соли металла-заместителя. Этот метод получил название метода ионообменной трансформации, или ионообменного замещения [5], и

был успешно апробирован при получении твердых растворов в системах РЪ8етв/8п р.р [5], РЪ8етв/Ив2+р.р[6], РЪ8тв/Лв+р.р[7], РЪ8тв/8п2+р-р[8].

Исходя из вышесказанного, целью настоящей работы являлось установление физико-химических закономерностей формирования пересыщенных твердых растворов замещения в системе Сд8-РЪ8 методом ионообменной трансформации на межфазной границе Сд8тв.ф./РЪ р-р.

Суть ионообменного синтеза определяется его топохимической природой. Следовательно, одну из решающих ролей в протекании ионообменной трансформации, а также в формировании функциональных свойств конечного продукта играют структура и свойства составляющих его сульфидов. Исходя из этого, в начале литературного обзора приводятся данные по свойствам бинарных сульфидов свинца и кадмия, а также сведения об их влиянии на структуру твердых растворов замещения в системе Сд8-РЪ8.

Далее, поскольку использование ионного обмена для целенаправленного синтеза твердых растворов предполагает знание присущих ему закономерностей, приводится анализ существующих на данный момент работ, посвященных ионообменным и сопутствующим им процессам, таким как ионообменные реакции, сорбция и диффузия, протекающие на поверхности твердых тел. С этой же целью рассмотрены работы, в которых проводились попытки получения гетерогенных материалов с применением метода ионообменной трансформации.

1.1. Свойства, применение и получение твердых растворов в системе CdS-PbS

1.1.1. Характеристика структуры и некоторых физических свойств полупроводниковых соединений CdS-PbS

Одними из наиболее широко известных, перспективных и, как следствие, тщательно изученных полупроводниковых материалов являются широкозонный сульфид кадмия и узкозонный сульфид свинца РЪ8.

В твердом состоянии сульфид кадмия представляет собой кристаллы от лимонно-желтого до оранжево-красного цвета и характеризуется проводимостью я-типа [9, 10]. Отмечается [11], что получение ^-типа связано с определенными трудностями,

обусловленными эффектом самокомпенсации в сульфиде кадмия, возникающем благодаря нестехиометричности состава, а именно - недостатку по сере. Среди кристаллических структур, характерных для CdS, различают кубические модификаци -наиболее известная - метастабильная типа сфалерита (а = 0.5832 нм, z = 4) (рис. 1.1 а) типа NaCl (а = 0.527 нм при 9 ГПа, z = 4), существующая при комнатной температуре и давлении выше 1.6 ГПа, а также типа a-AgI, устойчивая при 427 °С и 1.7-2.0 ГПа. Кроме того, существует гексагональная модификация типа вюрцита (а = 0.41368 нм, с = 0.67163 нм, z = 2, пространственная группа P63mc) (рис.1.1 б), присущая стабильному состоянию сульфида кадмия.

В природе сульфид кадмия встречается в виде минералов гринокита гексагональной структуры вюрцита и кубического хоулиита со структурой цинковой обманки, которые можно увидеть в виде жёлтых налетов на сфалерите (ZnS) и смитсоните [12]. Так как эти минералы не так широко распространены, для промышленного использования и научно-технических работ сульфид кадмия получают путем различных методов синтеза.

V -СА, С - Б С -Сс1; V, - Б

а о

Рис. 1.1. Кристаллическая структура сфалерита (а) и вюрцита (Ь)

Фазовая диаграмма сульфида кадмия представлена на рис. 1.2. Система Cd-S характеризуется конгруэнтно плавящейся промежуточной фазой (a-CdS) при содержании серы 50 ат.%. Температура плавления CdS при давлении 10.5 атм составляет 1475±15 оС. При атмосферном давлении сублимация CdS начинается при 980 оС. Поскольку для материала CdS а-фаза является метастабильной, а Р-фаза -стабильной, первая структура имеет относительные энергетические минимумы для

позиций атомов при более высоких энергиях, чем во второй. Это значит, что при переходе одного атома с минимума первого типа к минимуму второго должен преодолеваться энергетический барьер. Таким образом, фазовый переход является термически-активационным процессом. По мере роста температуры большее количество атомов преодолевает энергетический барьер и постепенно количество фазы вюрцита растет относительно кубической фазы в решетке CdS. Критическая точка структурного перехода равна 300 оС, выше нее гексагональная фаза преобладает по сравнению с кубической.

"Weight Percent Sulfur

О 10 20 30 40 50 60 ТО ВО 90100 1600 I............................................................К........I.......! 11 ■ I I 11 I .............,. I

. .................................................. .................................................-

О 10 го 30 40 50 60 70 80 90 100

Cd Atomic Percent Sulfur s

Рис. 1.2. Диаграмма состояния системы Сд-8

Кристаллы сульфида свинца обладают характерным металлическим блеском. Они отличаются большой хрупкостью и легко раскалываются по плоскостям (100). РЪ8 кристаллизуется в кубической решетке типа В1 (№С1) с пространственной группой ^тЗт. Постоянная решетки равна, по разным данным, 0.594 нм [13], 0.5936 нм [14] или 0.5929 нм [15]. Основой структуры является кубическая плотнейшая упаковка анионов в

Ви и и /— и

этой элементарной ячейке любой атом свинца находится в ближайшем октаэдрическом окружении шести атомов серы, а любой атом серы - в таком же окружении шести атомов РЬ (рис. 1.3). Коэффициент упаковки в структуре

№С1 п = 52.3%, то есть около половины объема ячейки приходится на пустоты между атомами.

Исследование фазовых диаграмм системы РЬ^ (рис. 1.4) показало, что сульфид свинца, имеющий максимальную температуру плавления, по составу не совпадает со стехиометрическим PbS, а соответствует содержанию 49.97 ат.% серы, т. е. имеет место некоторый дефицит по сере (или обогащение по свинцу) [13]. Из-за избытка атомов РЬ нелегированный сульфид свинца имеет я-тип проводимости. Донорное действие на сульфид свинца оказывают галогены, а также элементы V группы (В^ Sb), которые создают концентрацию носителей до (1-2)10 см . Основными акцепторными примесями, способными создавать концентрацию дырок до 1.510 см , являются Li, Т1, Ag [13]. Избыток атомов серы, селена, кислорода приводит к устойчивой проводимости р-типа при значительно меньшей концентрации носителей.

В отличие от кристаллической решетки сульфида кадмия структура PbS является стабильной, не испытывает полиморфных превращений, и, согласно фазовой диаграмме (рис. 1.4), имеет одно соединение. Исходя из этого, образование твердых растворов на основе сульфида свинца термодинамически более выгодно, чем на основе сульфида кадмия. Однако, с другой стороны, метастабильный характер кристаллической решетки является одним из благоприятных факторов для образования дефектов, способствующих вхождению в их структуру металла-заместителя.

®-РЬ; 0_5

Рис. 1.3. Кубическая структура сульфида свинца

Рис. 1.4. Диаграмма состояния системы РЪ-8

Таким образом, использование в качестве исходной матрицы пленки сульфида кадмия может увеличить долю замещения в твердых растворах системы Са8-РЪ8. Некоторые физические свойства сульфидов Са8 и РЪ8 сведены в табл. 1.1.

Табл. 1.1

Физические свойства бинарных соединений Са8 и РЪ8 [13, 16]

Свойство Саз РЪ8

Формульная масса, г/моль 144.46 239.28

Плотность, г/см 4.82 7.6

Температура плавления, оС 1475 1119

Тип проводимости п п, р

Ширина запрещенной зоны АБё, эВ 2.42 0.41

Диапазон спектра фотопроводимости, нм 500 - 700 400 - 3100

1.1.2. Функциональные свойства и применение твердых растворов CdxPbi_xS

Одним из наиболее перспективных направлений полупроводникового материаловедения является расширение круга функциональных материалов за счет формирования сложных структур, в частности твердых растворов замещения.

Вариации составов твердых растворов замещения позволяют регулировать их свойства в достаточно широких пределах, диапазон которых зависит от различия характеристик базовых соединений. Так, свойства твердого раствора CdxPb1-xS можно изменять от широкозонного сульфида кадмия (Eg = 2.42 эВ) до узкозонного сульфида свинца (Eg = 0.41 эВ) [17 - 20]. Кроме того, сульфидам этих металлов соответствуют различные области фотопроводимости: CdS характеризуется фотопроводимостью в видимой области спектра в диапазоне 500-700 нм, сульфид свинца же отличается фоточувствительностью в видимой и инфракрасной областях спектра 400-3100 нм. Различие свойств формирующих твердый раствор сульфидов позволяет получать на его основе приборы для решения различных задач оптоэлектроники.

Оба индивидуальных сульфида являются перспективными материалами для гелиоэнергетики: сульфид кадмия успел зарекомендовать себя как подходящий кандидат для применения его в качестве «оконного слоя» в солнечных элементах, например, CdTe/CdS [21 - 23] и CIGS/CdS [24]. Сульфид свинца же весьма удобно использовать как поглощающий материал [25]. Исходя из этого, в последнее время много внимания уделяется получению и исследованию тонкопленочных гетероструктур с p - n переходом в системе CdS-PbS для создания солнечных элементов [25, 26] Так в работе [26] был получен солнечный элемент состава ITO/CdS/PbS, покрытый прозрачным слоем ITO (indium tin oxide). Эффективность данного образца достигала 1.35 %, что превосходит значения для многих аналогичных структур на основе других соединений.

Известно [27], что для ширины запрещенной зоны полупроводникового слоя в солнечных элементах оптимальным значением является 1.5 эВ, которое может быть достигнуто путем получения тройных соединений Cdi-xPbxS. Измененяя состав последних, можно оптимизировать их оптические и полупроводниковые свойства.

Важнейшей эксплуатационной характеристикой ИК-детекторов является временная стабильность их фотоэлектрических свойств. В работе [28] установлена стабильность состава, структуры и фотоэлектрических свойств тонкопленочных твердых раствров С4хРЬ1-Л£, по меньшей мере, в течение 10 лет, что снимает временные ограничения в практическом использовании исследуемых материалов в качестве чувствительных элементов ИК-детекторов.

Было показано [29], что тонкие пленки чистого сульфида кадмия не являются стабильными относительно величины их фотопроводимости (наблюдение проводилось в течение двух лет), в отличие от твердых растворов РЬ^С^-^ [28] на их основе. Благодаря ограниченной растворимости CdS и PbS [1], при определенных условиях ионы свинца вытесняются на поверхность пленки, образуется материал, условно обозначаемый CdS-PbS, который состоит из широкозонной матрицы, представляющей собой твердый раствор PbS в CdS, и узкозонных низкоомных включений - твердого раствора CdS в PbS [30]. Согласно [31], содержание Pb в широкозонной матрице не превышает 2%. Процессы генерации проходят преимущественно в широкозонной матрице, а рекомбинация определяется в значительной степени узкозонными включениями, что подтверждается данными по люминесценции в инфракрасной области [32]. Кроме того, отмечается, что у поликристаллических слоев на основе гетерофазного материала CdS-PbS возникает другое полезное свойство - повышенная фоточувствительность [30].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Форостяная Наталья Александровна, 2015 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Bethke, P.M. Sub solids relations in the system PbS-CdS / P.M. Bethke, P.B. Barton // Amer. Miner. - 1971. -V. 56.- № 11-12. P. 2034-2039.

2. Китаев, Г.А. О возможности изготовления фоторезисторов химическим способом / Г.А. Китаев, Р.Д. Мухамедьяров, А.А. Урицкая // Физико- химия процессов на межфазных границах. Свердловск. - 1976. - С. 66-69.

3. Китаев, Г.А. Оптические свойства и фотопроводимость пленок Cd1_x PbxS / Г.А. Китаев, Р.Д. Мухамедьяров, Л.Е. Васюнина, М.Л. Демчук // Физико- химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж. - 1981. - С. 110-114.

4. Китаев, Г.А. О возможности получения смешанных соединений халькогенидов металлов химическим способом / Г.А. Китаев, В.И. Двойнин, Урицкая А.А. // Химия и физика халькогенидов. - 1977. - С. 107—110.

5. Смирнова, З.И. Физико-химические закономерности получения пленок твердых растворов Pb1-xSnxSe методом ионообменного синтеза: дис. канд. хим. наук: 02.00.04 / Смирнова Зинаида Игоревна. - Екатеринбург, 2013. - 157 с.

6. Маскаева, Л.Н. Синтез твердых растворов HgxPb1-xSe ионообменным замещением / Л.Н. Маскаева, Е.А. Дубинина, Х.Н. Мухамедзянов, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т. 27. - № 15. - С. 65- 70.

7. Маскаева, Л.Н. Получение тонких пленок твердых растворов PbS-Ag2S методом ионообменного синтеза / Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, А.А. Москалева // Бутлеровские сообщения. - 2011.- Т.26. - №10. - С. 36-42.

8. Сарыева, Р.Х. Гидрохимический синтез пленок халькогенидов металлов. Часть 21. Получение твердых растворов замещения в системе свинец - олово - сера методом ионообменного синтеза / Р.Х. Сарыева, З.И. Смирнова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, М.Ю. Порхачев // Бутлеровские сообщения. - 2013. - Т. 33. - № 2. - С. 99-106.

9. Kawar, S.S. Synthesis and characterization of CdS n-type of semiconductor thin films having nanometer grain size / S.S. Kawar, B.H. Pawar // Chalkogenide letters. - 2009. - V. 6. - № 5. - P. 219 - 225.

10. Barote, M.A. Synthesis, characterization and photoelectrochemical properties of n -CdS thin films / M.A. Barote, A.A. Yadaw, E.U. Masumdar // Physica B. - 2011. - T.406. -P. 1865 - 1871.

11. Lakshmi Narayahan K. Ion implantation effects in CdS thin films: thesis for the award of the degree of doctor of philosophy / K. Lakshmi Narayahan. - Cochin. India, 1997. - 200 P.

12. Яконтова, Л.К. Основы минералогии гипергенеза / Л.К. Яконтова, В.П. Зверева. -Владивосток: Дальнаука, 2000. - 331 с.

13. Равич, Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов. -М.: Наука, 1968. - 384 с.

14. Самсонов, Г.В., Дроздова, С.В. Сульфиды свинца и кадмия. - В кн. Сульфиды. М.: Металлургия. 1972. С. 346-349.

15. Lach-hab, M. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // J. of Phys. and Chem. of Solids. -2002. - V. 63. - P. 833-841.

16. Китаев, Г.А. Окисление химически осажденного сульфида свинца / Г.А. Китаев, Л.Г. Протасова, В.Г. Косенко, В.Ф. Марков, Л.В. Дядюк, Г.В. Степанова // Изв. РАН Неорган. материалы. - 1993. - Т. 29. - № 7. - С. 1017 - 1018.

17. Kumar, S. Variation of band gap in CdPbS with composition prepared by a precipitation technique / S. Kumar, B. Bhattacharya // Indian journal of pure & applied physics. - 2005. -V. 43. - P. 609 - 611.

18. Barote, M.A. Effect of deposition parameters on growth and characterization of chemically deposited Cd1-J(PbxS thin films / M.A. Barote, A.A. Yadav, E.U. Masumdar // Chalcogenide letters. - 2011. - V. 8. - № 2.- P. 129 - 138.

19. Kamruzzman, M. Synthesis and characterization of the as deposited Cd1-xPbxS thin films prepared by spray pyrolysis technique / M. Kamruzzman, R. Dutta, J. Podder // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46. - В. 7. - С. 979 - 983.

20. Al-Jumaili, H.S. Structural and optical properties of nanocrystalline Pb1-xCdxS thin films prepared by chemical bath deposition / H.S. Al-Jumaili // Applied physics research. -2012. - V. 4. - № 3. - P. 75-82.

21. Chu, T.L. High efficiency thin film CdS/CdTe heterojunction solar cells / T. L. Chu, S. S. Chu, C. Ferekides, C. Q. Wu, J. Britt, C. Wang // J. Cryst. Growth. - 1992. - V. 117. - I. (1-4). - P. 1073 - 1076.

22. Ferekides, C. CdTe solar cells with efficiencies over 15% / C. Ferekides, J. Britt // Sol. Energy Mat. Sol. Cells. - 1994. - V. 35. - P. 255 - 262.

23. Uda, H. Effect of substrate temperature on the photovoltaic properties of a CdS/CdTe colar cell / H. Uda, S. Ikegami, H. Sonomura //Jpn. J. Appl. Phys. - 1990. - V. 29 - P. 20032007.

24. Байрамов, Б.Х. Влияние электронного облучения на фотоплеохроизм солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 / Б.Х. Байрамов, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, М.В. Якушев // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т.31. - В. 16. - С. 49-58.

25. Hernadez - Borja, J. Thin films solar cells of CdS/PbS chemically deposited by an ammonia - free process / J. Hernadez - Borja, Y.V. Vorobiev, Ramirez - Bon // Solar energy materials & solar cells. - 2011. - V. 95. - P. 188 -1888.

26. Obaid, A.S. Preparation of chemically deposited thin films of CdS/PbS solar cell / A.S. Obaid, M.A. Mahdi, Z. Hassan // Superlatties and Microstructures. - 2012. - V. 52. - P. 816 - 823.

27. Nayak, B.B. Characterization of chemically deposited Pb1-xCdxS films by scaning electron microscopy / B.B. Nayak, H.N. Acharya // J. of Mat. Sci. let. - 1985. - V. 4. - P. 651 - 652.

28. Маскаева, Л.Н. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пресыщенных твердых растворов замещения МеxPbl-xS(Me - Zn, Cd, Cu, Ag): дис. ... докт. хим. наук: 02.00.04 / Маскаева Лариса Николаевна. - Екатеринбург, 2004. - 387 с.

29. Роках, А. Г. Стабилизация свойств широкозонного фотопроводника при введении узкозонной компоненты / А.Г. Роках, С.В. Стецюра, Н.Б. Трофимова, Н.В. Елагина // Неорганические материалы. - 1999. - Т. 35. - №4. - С. 552- 555.

30. Роках, А. Г. Гетерофазные полупроводники под действием излучений / А. Г. Роках, С. В. Стецюра, А. А. Сердобинцев // Известия Саратовского университета. Сер. Физика. - 2005. - Т. 5. - В. 1. - С. 93 - 102.

31. Бухаров, В.Э. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы / В.Э. Бухаров, А.Г. Роках, С.В. Стецюра // ЖТФ. - 2003. - Т. 73. - В.2. - С. 93 - 98.

32. Роках, А. Г. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS / А.Г. Роках, Н.Б. Трофимова // ЖТФ. - 2001. - Т. 71. - В. 7. -С. 122-125.

33. Бухаров, В.Э. Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в пленочных фотоприемниках на основе A2B6 A4B6 / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, С. В. Стецюра // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25. -№ 3. - С. 66-72.

34. Бухаров, В.Э. Влияние диффузии дефектов на радиационную стойкость гетерогенного фотопроводника CdS- PbS / В.Э. Бухаров, А. Г. Роках // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25. - В. 24. - С. 55-60.

35. Маляр, И.В. Влияние морфологии и состава на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS - PbS / И.В. Маляр, С.В. Стецюра // ФТП. - 2011. -Т. 45. - В. 7. - С. 916 - 921.

36. Osuva, J.C. Impurity effects of cadmium salt on the absorption edge and structure of chemically prepared PbS films / J. C. Osuva, C.I. Oriaku, F.I. Ezema // Chalcogenide letters. -2009. - V. 6. - №8. - P. 385 - 391.

37. Марков, В.Ф. Химическая технология тонкопленочного синтеза фоточувствительных материалов. Фоторезисторы видимого и ИК-диапазона / В.Ф. Марков, Г.А. Китаев, С.Н. Уймин, Л.Н. Маскаева // Ж. Инновация. - 1998. - № 1. -С.55 56.

38. Calawa, A.R. Preparation and properties of PbxCd1_xS / A.R. Calawa, J.A. Mrcoczkowski, T.C. Harman // J. Electron. Mat. - 1972. - V. 1. - P. 191-201.

39. Олейник, Г.С. Фазовая диаграмма системы PbS-CdS / Г.С. Олейник, Г.А. Мизецкий, А.И. Низкова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1983. - Т.19. -№ 11. - С. 1799-1801.

40. . Stetiu, P. About some transport phenomena in Pb1_xCdxS sоlid solutions // J. Phys. Chem. Solids. - 1976. - V. 37. - P. 457-460.

41. Урусов, В.С. Теория изоморфной смесимости / В.С. Урусов. - М.: Наука, 1977. -253 с.

42. Угай, Я.А. Введение в химию полупроводников / Я.А. Угай. - М.: Высшая школа, 1975. - 302 с.

43. Макаров, Е.С. Изоморфизм атомов в кристаллах / Е.С. Макаров. - М.: Атомиздат, 1973. - 288 с.

44. Бацанов, С.С. Электроотрицательность элементов и химическая связь / С.С. Бацанов. - Новосибирск: СО АН СССР, 1962. - 386 с.

45. Чаус, И. С. Реакционная способность сульфидов / И.С. Чаус, И.А. Шека // Успехи химии. - 1969. - Т. 38. - В. 5. - С. 797-821.

46. Майорова, Т.Л. Рекомбинационные процессы в пиролитических пленках сульфида кадмия / Т.Л. Майорова, В.Г. Клюев // Физика и техника полупроводников. -2009. - Т. 43. - В. 3. - С. 311 - 315.

47. Yadav, A.A. Studies on nanocrystalline cadmium sulphide (CdS) thin films deposited by spray pyrolysis / A.A. Yadav, M.A. Barote, E.U. Masumdar // Solid state science. - 2010. - V. 12. - P. 1173 - 1177.

48. Майорова, Т.Л. Фотопроводимость пиролитических пленок сульфида кадмия, легированных Cs / Т.Л. Майорова, В.Г. Клюев, Т.В. Самофалова // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45. - В. 5. - С. 577 - 581.

49. Hasnat, A. Optical and electrical characteristics of pure CdS thin films for different thickness / A. Hasnat, J. Podder // J. of Bangladesh Academy of sciences. - 2013. - V. 37. -№ 1. - P. 33 - 41.

50. Dingyu, Y. Structural and optical properties of polycrystalline CdS thin films deposited by electron beam evaporation / Y. Dingyu, Z. Xinghua, W. Zhaorong, Y. Weiqing, L. Lezhong, Y. Jun, G. Xiuying // Journal of semiconductors. - 2011. - V. 32. - №2. -P. 245 - 252.

51. Стецюра, С.В. Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фоточувствительных пленок CdS / С.В. Стецюра, Е.Г. Глуховской, А.В. Козловский, И.В. Маляр // Журнал технической физики. - 2015. -Т.85. - В. 5. - C. 116-122.

52. Роках, А.Г. Гетерогенный фотопроводник на основе CdS-PbS / А.Г. Роках, А.В. Кумаков, Н.В. Елагина // ФТП. - 1979. - Т. 13. - В. 4. - С. 787-790.

53. Ильчук, Г.А. Электрохимический синтез тонких пленок CdS / Г.А. Ильчук, О.В. Украинец, Ю.В. Рудь, О.И. Кунтый, Н.А. Украинец, Б.А. Лукиянец, Р.Ю. Петрусь // Письма в ЖТФ. - 2004. - Т. 30. - В. 15. - С. 19 - 24.

54. Munirah Spectroscopic studies of sol - gel grown CdS nanocrtustalline thin films for optoelectronic devices / Munirah, Mohd. Shahid Khan, Anver. Aziz, Saadah Abdul Ruhman // Materials science in semiconductor processing. - 2013. - V. 16. - P. 1894-1898.

55. Growrish, K. Influence of deposition parameters on structural and optical properties of CdS thin films obtained by micro - controlled SILAR / K. Growrish, V.K. Ashith // J. of physics and chemistry of solids. - 2015. - V. 77. - P. 14 - 22.

56. Mukherjee, A. Synthesis of nanocrystalline CdS thin film by SILAR and their characterization / A. Mukherjee, B. Satpati, S.R. Bhattacharyya, R. Ghosh, P. Mitra // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. - 2015. - V. 65. - P. 51 - 55.

57. Зарубанов, А.А. Кинетика фотолюминисценции нанокластеров CdS, сформированных методом Ленгмюра - Блоджетт / А.А. Зарубанов, К.С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49. - В. 3. - С. 392 - 398.

58. Мокрушин, С.Г. Экспериментальные исследования ламинарных систем. Образование ультратонких пленок сульфида кадмия на границе раздела фаз твердое тело - раствор / С. Г. Мокрушин , Ю. Д. Ткачев // Коллоидный журнал. - 1961. - Т. 23. -№ 4. - С. 438-441.

59. Китаев, Г.А. Условия химического осаждения тонких пленок сульфида кадмия на твердой поверхности / Г. А. Китаев, А. А. Урицкая, С. Г. Мокрушин // Журнал физической химии. - 1965. - Т. 39. - № 8. - С. 2065 - 2066.

60. Щербакова, В.Я. Особенности образования слоя CdS при химическом осаждении из растворов / В. Я. Щербакова, В. И. Двойнин, Г. А. Китаев, А. А. Урицкая // Неорганические материалы. - 1977. - Т. 13. - № 9. - С. 1719 - 1720.

61. Rajpal, S. Structural and optical properties of CdS thin film grown by chemical bath deposition / S. Rajpal, V. Bandyopadhyay // J. of nano and electronic physics. - 2013. - V. 5. - № 3. - P. 175-182.

62. Maticiuc, N The role of Cl in the chemical bath on the properties of CdS thin films / N. Maticiuc, J. Hiie, T. Raadik, A. Graf, A. Gavrilov // Thin solid films. - 2013. - V. 535. - P. 184 - 187.

63. Lisco, F. The structural properties of CdS deposited by chemical bath deposition and pulsed direct current magnetron sputtering / F. Lisco, P.M. Kaminski, A. Abbas, K. Bass, S.W. Bowers, G. Claudio, M. Losurdo, J.M. Walls // Thin solid films. - 2015. - V. 582. - P. 323327.

64. Pin, C. Y. Effect of protic solvents on CdS thib films prepared by chemical bath deposition / Chuan Yao Pin, Chun - Yu Chen // Thin solid films. - 2015. - V. 579. - P. 103 -109.

65. Ghosh, B. Growth of CdS thin films on indium coated glass substrates via chemical bath deposition and subsequent air annealing / B. Ghosh, K. Kumar, B. Kr Singh, P. Banerjee, S. Das // Applied Surface Science. - 2014. - V. 320. - P. 309-314.

66. Zhan, H. Preparation and properties of CdS thin films deposited by chemical bath deposition / H. Zhan, J. kang Li, Y. fei Cheng. // Optik. - 2015. - V. 126 - P. 1411-1414.

67. Gosavi, S.R. Chemical synthesis of porous web-structured CdS thin films for photosensor applications / S.R. Gosavi, C.P. Nikam, A.R. Shelke, A.M. Patil, S.-W. Ryu, J.S. Bhat, N.G. Deshpande // Materials Chemistry and Physics. - 2015. - V. 160. - P. 244-250.

68. Abd-Elkader, O.H. Characterization and antibacterial capabilities of nanocrystalline CdS thin films prepared by chemical bath deposition / O.H. Abd-Elkader, A. A. Shaltout // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2015. - V. 35. - P. 132-138.

69. Garcia, L.V. CdS thin films prepared by laser assisted chemical bath deposition / L.V. Garcia, M.I. Mendivil, G. Garcia Guillen, J.A. Aguilar Martinez, B. Krishnan, D. Avellaneda, G.A. Castillo, T.K. Das Roy, S. Shaji. // Applied Surface Science. - 2015. - V. 336. - P. 329334.

70. Husham, M. Microwave-assisted chemical bath deposition of nanocrystalline CdS thin films with superior photodetection characteristics / M. Husham, Z. Hassan, Abbas M. Selman, Nageh K. Allam. // Sensors and Actuators A. - 2015. - V. 230. - P. 9-16.

71. Altosaar, M. Comparison of CdS films deposited from chemical baths containing different doping impurities / M. Altosaar, K. Ernits, J. Krustok, T. Varema, J. Raudoja, E. Mellikov // Thin solid films. - 2005. - V. 480 - 481.- P. 147 - 150.

72. Knallaf, H. Characterization of CdS thin films grown by chemical bath deposition using four different cadmium sources / H. Knallaf, I.O. Oladeji, G. Chai, L. Chow // Thin solid films. - 2008. - V. 516. - P. 7306 - 7312.

73. Moualkia, H. Growth and physical properties of CdS thin films prepared by chemical bath deposition / H. Moualkia, S. Hariech, M.S. Aida, N. Attaf, E. Laifa // J. of physics D: applied physics. - 2009. - V. 42. - P. 135404 - 135410.

74. Tec-Yam, S. Chemical bath deposition of CdS films on different substrate orientations / S. Tec-Yam, R. Patino, A.I. Oliva // Current applied physics. - 2011. - V. 11. - P. 914-920.

75. Волкова, Е.К. Люминесценция наночастиц сульфида кадмия / Е.К. Волкова, В.И. Кочубей // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. -2010. - Т. 12. - № 4. - С.113-116.

76. Feitosa, A.V. A new route for preparing CdS thin films by chemical bath deposition using EDTA as ligand / A.V. Feitosa, M.A.R. Miranda, J.M. Sasaki, M.A. Araujo-Silva // Brazilian journal of physics. - 2004. - V. 34. - № 2B. - P. 656 - 658.

77. Khallaf, H. Optimization of chemical bath deposited CdS thin films using nitrilotriacetic acid as a complexing agent / H. Khallaf, I.O. Oladeji, L. Chow // Thin solid films. - 2008. - V. 516. - P. 5967 - 5973.

78. Kumar, Ch. K. Highly photoconductive CdS thin films synthesized by using chemical bath deposition / Ch. K. Kumar, N.T.Q. Hoa, S.G. Yoon, E.T. Kim // J. of the Korean physical society. - 2009. - V. 55. - № 1. - P. 284 - 287.

79. Apolinaz-Iribe, A. Acetilacetone as complexing agent for CdS thin films grow chemical bath deposition / A. Apolinaz-Iribe, M.C. Acosta-Enriquez, M.A. Quevedo-Lopez, R. Ramirez, A. De Leon, S.J. Castillo // Chalcogenide letters. - 2011. - V. 8. - № 2. -P. 77 - 82.

80. Carrillo-Castillo, A. Characterization of CdS thin films deposited by chemical bath deposition using novel complexing agents / A. Carrillo-Castillo, R.C. Ambrosio Lazaro, E.M. Lara Ojeda, C.A. Martinez Perez, M.A. Quevedo-Lopez, F.S. Aguirre-Tostado // Chalcogenide Letters. - 2013. - V. 10. - № 10. - P. 421-425.

81. Nair, P. K. Semiconductor thin films by chemical bath deposition for solar energy related applications / P.K. Nair, M. T. S. Nair, V.M. Garsia // J. Solar Energy and Solar Cells. - 1998. - V. 52. - P.313-344.

82. Мосс, Т.С. Современные приемники инфракрасного излучения / Т.С. Мосс // Успехи физ. наук. - 1962. - Т. 78. - В. 1. - С.93-121.

83. Лундин, А. Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: дисс. ... канд. хим. наук: 02.00.04. / Лундин Александр Борисович. - Свердловск, 1967. - 133 с.

84. Фофанов, Г. М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца на поверхности стекла: дисс. . канд. хим. наук: 02.00.04 / Фофанов Григорий Михайлович. - Свердловск, 1968. - 121 с.

85. Кондратьева, Н.М. Исследование процесса химического осаждения фоточувствительных слоев PbS: дисс. ... канд.хим. наук: 02.00.04. / Кондратьева Нина Михайловна. Свердловск, 1971. - 223 с.

86. Криницина, И.А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов CdxPbx-1S химическим осаждением: дисс. ... канд. хим. наук: 02.00.04. / Криницина Ирина Александровна. Свердловск, 1980. - 174 с.

87. Марков, В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: дисс. ... докт. хим. наук: 02.00.04. / Марков Вячеслав Филиппович. -Екатеринбург, 1998. - 366 с.

88. Pop, I. Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition / I. Pop, K. Nascu, V. Ionescu, E. Indrea, I. Bratu // Thin Solid Films. - 1997. -V. 307. - P. 240-244.

89. Tottiant, I. C. The influence of H2O2 on crystаlline orientation of chemically deposited PbS thin films / I.C. Tottiant [and е1 al.] // Thin Solid Films. - 1981. - V. 77. - № 4. -P. 347 - 356.

90. Pintilie, L. Field-effect-assisted photoconductivity in PbS films deposited on silicon dioxide / L. Pintilie, E. Pentia, I. Matei, I. Pintilie, E. Ozbay // J. of Appl. Phys. - 2002. -V. 91. - № 9. - Р. 5782-5786.

91. Puiso, J. Growth of PbS thin films on silicon substrate by SILAR technique / J. Puiso, S. Tamulevicius, G. Laukaitis // Thin Solid Films. - 2002. - V. 403-404. - P. 457-461.

92. Rogacheva, E. I. Effect of thickness on the thermoelectric properties of PbS thin films / Rogacheva E. I., O.N. Nashchekina, Y.O. Vekhov // Thin Solid Films. - 2003. - V. 423. - № 1. - P. 115-118.

93. Puigo, J. Growth of ultrathin PbS films by SILAR technique / J. Puigo, S. Lindroos, S. Tamulevigius // Thin Solid Films. - 2003. - V. 428. - P. 223-226.

94. Сермакашева, Н.Л. СВЧ фотопроводимость и фотодиэллектрический эффект в тонких пленках PbS, полученных из тиомочевинных координационных соединений / Н.Л. Сермакашева, Г.Ф. Новиков, Ю.М. Шульга, В.Н. Семенов. // ФТП. - 2004. - Т. 38.

- В. 4. - С. 395 - 400.

95. Алексеева Т.А. Влияние катионных составляющих реакционной смеси на кинетику, структуру и свойства тонких пленок сульфида свинца /Т.А. Алексеева, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Н.А. Третьякова, В.И. Воронин. Бутлеровские сообщения. -2009. - Т. 17. - №6. - С. 13 - 21.

96. Петухова, Т.А. Температурная «память» водного раствора соли свинца: кинетика осаждения, структура и свойства пленок PbS / Т.А. Петухова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2007. - №2. - С. 101-107.

97. Щенников, В.В. Термо- и гальваномагнитные свойства халькогенидов свинца при высоком давлении до 20 ГПа / В.В. Щенников, С.В. Овсянников // Письма в ЖТФ. -2003. -Т. 77. - В. 2. - С.93-98.

98. Поликарпова, Ю.С. Термодинамика фазовых переходов при образовании тиомочевинных и сульфидных комплексов свинца (II) на поверхности пористого стекла и в водных растворах / Ю. С. Поликарпова, Н. Т. Боков, В. Ф. Марков // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. Барнаул. - 2005. - Том 2.

- № 2. - С. 13—15.

99. Поликарпова, Ю.С. Исследование сенсорных свойств пленок PbS и CdxPb1-xS, осажденных на пористое стекло / Ю.С. Поликарпова, В.Ф. Марков // Сборник докладов научно-практической конференции «Перспективные химические технологии и материалы для различных отраслей народного хозяйства». Екатеринбург. - 2005. - С. 7273.

100. Роках, А.Г. Сублимированные фотопроводящие пленки типа CdS: история и современность / А.Г. Роках // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. - 2015. - Т.15. -В.2. - С.53 - 58.

101. Маляр, И.В. Формирование люминисцирующих кристаллов в результате распада пересыщенного твердого раствора PbS-CdS / И.В. Маляр, М.Д. Матасов, С.В. Стецюра // Письма в ЖТФ. - 2012. - Т.38. - В. 16. - С. 42 - 50.

102. Kamruzzman, M. Synthesis and characterization of the as deposited Cd1-xPbxS thin films prepared by spray pyrolisis technique / M. Kamruzzman, R. Dutta, J. Podder // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46. - В. 7. - С. 979-983.

103. Вест, А. Химия твердого тела: в 2 т. Ч.1. / Пер. с анг. - М.: Мир. - 1988. - 558 с.

104. Веснин, Ю.И. О пороговой температуре образования твердых растворов замещения / Ю.И. Веснин // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. - 1987. - Т. 17. - В. 5. -С. 145 149.

105. Веснин, Ю.И. О механизме образованипя твердых растворов замещения / Ю.И. Веснин // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. - 1985. - Т. 15. - В. 5. - С. 7-10.

106. Китаев, Г.А. Оптические свойства и фотопроводимость пленок Cd1_xPbxS / Г.А. Китаев, Р.Д. Мухамедьяров, Л.Е. Васюнина, М.Л. Демчук // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж. - 1981. - С. 110-114.

107. Rabinovich, E. Chemical bath deposition of single - phase (Pb, Cd) S Solid solutions / E. Rabinovich, E. Wachtel, G. Hodes // Thin solid films. - 2008. - 517. - P. 737 - 744.

108. Марков, В.Ф. Пленки пересыщенных твердых растворов Cd^Pb^S, химически осажденные на пористом стекле, их структура и свойства / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Ю.С. Поликарпова // Бутлеровские сообщения. - 2006. - Т.8. - №1. - С. 54 - 61.

109. Марков, В.Ф. Прогнозирование состава твердых растворов замещения CdxPb1-xS при химическом осаждении из водных растворов / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Г.А. Китаев // Неорганические материалы. - 2000. - Т.36. №12. - С.1421- 1423.

110. Марков, В.Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов. -Екатеринбург: УрО РАН, 2006. - 218 с.

111. Gopal, V. Deposition and characterization of metal sulfide dielectric coatings for hollow glass waveguides / V. Gopal, J. A. Harrington // Optical Express. - 2003. - V. 11. - I.24. -P. 3182 - 3187.

112. Suryavanghi, K.E. Optical properties of PbxCd1-xS thin films prepared by chemical bath deposition method / K.E. Suryavanghi, P.B. Dhake, A.M. Patil // International journal of advanced scientific and technical research. - 2014. - V. 2. - I. 4.- P. 858 - 861.

113. Ионообменные методы очистки веществ: пособие для ВУЗов / под ред. Г. А. Чикина, О. Н. Мягкого. - Воронеж: ВГУ, 1984. - 372 с.

114. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок.

IV. Концентрирование тяжелых металлов из геотермальных вод тонкослойными сульфидными сорбентами / Н. Д. Бетенеков, А. Н. Губанова, Ю. Т. Чубурков // Радиохимия. - 1981. - Т. 23. - № 1. - С. 21-29.

115. Сулейманова, Н. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок.

V. Исследование сорбции палладия пленками сульфида меди / Н. А. Сулейманова, Н. Д. Бетенеков, Г. А. Китаев // Радиохимия. - 1981. - Т. 23. - № 1. - С. 30-32.

116. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок.

VI. Синтез и физико-химические свойства тонкослойных сорбентов на основе сульфида свинца / Н.Д. Бетенеков, Е.Г. Ипатова, Ю.В. Егоров // Радиохимия. - 1982. - Т. 24. -№ 3. - С. 363-368.

117. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. X. О сорбции кобальта тонкослойным сульфидом цинка из карбонатсодержащих растворов / Н. Д. Бетенеков, В. В. Кафтайлов, Е. И. Денисов, Ю. В. Егоров, А. Н. Губанова, В. Д. Пузако // Радиохимия. - 1986. - Т. 28. - № 5. - С. 599-603.

118. Поляков, Е. В. Химия сорбции 110Ag сульфидом никеля в системе NaNO3-NaCl-Na2S-HCl—H2O / Е. В. Поляков // Радиохимия. - 1993. - Т. 35. - № 1. - С. 90-97.

119. Смирнова, З.И. Синтез тонких пленок твердых растворов Pb1-xSnxSe ионообменным замещением / З.И. Смирнова, Л.Н. Маскаева, В.И. Воронин, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. - 2010. - Т.21. - №7. - С. 29 - 33.

120. Зильберман, М. В. Механизмы массопереноса в сорбционных процессах, сопровождающихся образованием новых кристаллических фаз / М. В. Зильберман,

B. В. Вольхин, Н. Ф. Калинин // Коллоидный журнал. - 1978. - Т. 40. - № 5. -

C. 982-985.

121. Ольшанова, К. М. Руководство по ионообменной, распределительной и осадочной хроматографии / К. М. Ольшанова, М. А. Потапова, В. Д. Копылова, Н. М. Морозова. - М.: Химия, 1965. - 200 с.

122. Алесковский, В. Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений / В. Б. Алесковский. - М.: Наука, 1976. - 142 с.

123. Глистенко, Н. И. Исследование реакций обмена при синтезе сульфидов в гетерогенной среде / Н. И. Глистенко // Тр. хим. факультета Воронеж. ун-та. - 1953. -Т.32. - С. 79-85.

124. Вольхин, В. В. Кинетика и равновесие гетерогенных ионообменных реакций / В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Кинетика и катализ. - 1970. - Т. 11. - С. 1337-1340.

125. Вольхин, В. В. О гетерогенных ионообменных реакциях / В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Журнал физической химии. - 1975. - Т. 49 - № 6. - С. 1512-1515.

126. Стромберг, А. Г. Физическая химия: учебник для хим. спец. ВУЗов / А. Г. Стромберг, Д. П. Семченко; под ред. А. Г. Стромберга. - 4-е изд., испр. -М.: Высшая школа, 2001. - 527 с.

127. Юсупов, Р. А. Глубокий ионный обмен в металлосульфидных имплантантах / Р. А. Юсупов, О. В. Михайлов. - Казань: Фэн, 2004. - 220 с.

128. Бокштейн, Б. С. Диффузия атомов и ионов в твердых телах / Б. С. Бокштейн, А.Б. Ярославцев. - М.: МИСИС, 2005. - 362 с.

129. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир. - 1982. - 576 с.

130. Юсупов, Р. А. Расчет параметров трехстадийной диффузии ионов металлов в тонких поликристаллических пленках / Р. А. Юсупов, В. С. Цивунин, Н. Н. Умарова, Р. Ф. Абзалов // Журнал физической химии. - 1997. - Т. 71. - № 3. - С. 539-541.

131. Абзалов, Р. Ф. Диффузия ионов металлов в поликристаллических пленках сульфидов металлов и процессы их формирования из щелочных растворов тиоамидов : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Абзалов Равиль Фаритович. - Казань, 1999. - 18 с.

132. Гафаров, М. Р. Сорбция ионов металлов агар-иммобилизованными металлосульфидами / М. Р. Гафаров, О. В. Михайлов, Р. А. Юсупов // Химическая технология. - 2002. - Т. 4. - № 4. - С. 37-40.

133. Юсупов, Р. А. Ионный обмен при контакте фаз водный раствор электролита -наноструктурированная агар-иммобилизованная металлосульфидная матрица / Р. А. Юсупов, М. Р. Гафаров, О. В. Михайлов // Журнал физической химии. - 2003. -Т. 77. - № 11. - С. 2030-2035.

134. Умарова, Н. Н. Влияние комплексообразующих агентов на ионный обмен Ag(I)/Pb(II) в тонких поликристаллических пленках PbS / Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан, Р. А. Юсупов, В. Ф. Сопин // Журнал физической химии. - 2002. - Т. 76. - № 8. -С. 1485-1488.

135. Юсупов, Р. А. Расчет констант диффузии серебра([) в тонких пленках сульфида свинца в процессе ионного обмена / Р. А. Юсупов, В. С. Цивунин, Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан // Журнал физической химии. - 1990. - Т. 64. - № 12. - С. 3312-3315.

136. Pfisterer, F. The wet-topotaxial process of junction formation and surface treatments of Cu2S-CdS thin-film solar cells / F. Pfisterer // Thin Solid Films. - 2003. - V. 431-432. -P. 470-476.

137. Sam, M. Growth of Cu2S/CdS nano-layered photovoltaic junctions for solar cell applications / M. Sam, M. R. Bayati, M. Mojtahedi, K. Janghorban // Applied Surface Science. - 2010. - V. 257. - P. 1449-1453.

138. Taur, V. S. Effect of annealing on photovoltaic characteristics of nanostructured p-Cu2S/n-CdS thin film / V. S. Taur, R. A. Joshi, A. V. Ghule, R. Sharma // Renewable Energy. - 2012. - V. 38. - P. 219-223.

139. Ristova, M. Silver doping of thin CdS films by an ion exchange process / M. Ristova, M. Ristov, P. Tosev, M. Mitreski // Thin Solid Films. - 1998. - V. 315. - P. 301-304.

140. Karanjai, M. K. Photoconductive properties of dip-deposited CdS:Cu,Cl thin films sensitised in situ / M. K. Karanjai, D. Dasgupta // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1988. - V. 21. -P. 1769-1772.

141. Nair, M. T. S. Conversion of chemically deposited photosensitive CdS thin films to n-type by air annealing and ion exchange reaction / M. T. S. Nair, P. K. Nair, R. A. Zingaro, E. A. Meyers // J. Appl. Phys. - 1994. - V. 75. - № 3. - P. 1557-1564.

142. Estrada, C. A. Modification of chemically deposited ZnSe thin films by ion exchange with copper ions in solution / C. A. Estrada, R. A. Zingaro, E. A. Meyers // Thin Solid Films. -1994. - V. 247. - P. 208-212.

143. Shi, W. Ion-exchange synthesis and enhanced visible-light photocatalytic activities of CuSe-ZnSe flower-like nanocomposites / W. Shi, J. Shi, S. Yu, P. Liu // Applied Catalysis B: Environmental. - 2013. - V. 138-139. - P. 184-190.

144. Lokhande, C. D. Conversion of tin disulphide into silver sulphide by a simple chemical method / C. D. Lokhande, V. V. Bhad, S. S. Dhumure // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1992. -V. 25. - P. 315-318.

145. Golub, A. S. From single-layer dispersions of molybdenum disulfide towards ternary metal sulfides: incorporating copper and silver into a MoS2 matrix / A. S. Golub, I. V. Shulimova, Y. V. Zubavichus, Yu. L. Slovokhotov, Yu. N. Novikov, A. M. Marie, M. Danot // Solid State Ionics. - 1999. - V. 122. - P. 137-144.

146. Jiang, J. Synthesis of uniform ZnO/ZnS/CdS nanorod films with ion-exchange approach and photoelectrochemical performances / J. Jiang, M. Wang, L. Ma, Q. Chen, L. Guo // International Journal of Hydrogen Energy. - 2013. - V. 30. - P. 1-7.

147. Zhang, H. Cation exchange synthesis of ZnS-Ag2S microspheric composites with enhanced photocatalytic activity / H. Zhang, B. Wei, L. Zhu, J. Yu, W. Sun, L. Xu // Applied Surface Science. - 2013. - V. 270. - P. 133-138.

148. Саниева, Д. В. Механизм обменных механохимических реакций / Д. В. Саниева, В. К. Половняк, Р. Я. Дебердеев, С. В. Половняк // Вестник Удмуртского ун-та. - 2006. -№ 8. - С. 59-62.

149. Ганьшин, В. А. Формирование слоев HgMCd1-MTe методом ионного обмена в растворах солей / В. А. Ганьшин, Ю. Н. Коркишко, В. А. Федоров // Неорганические материалы. - 1992. - Т. 28. - № 1. - С. 57-60.

150. Алексанян, А. О. Ионный обмен в кристаллах селенида цинка / А. О. Алексанян,

B. А. Ганьшин, Ю. Н. Коркишко // Журнал технической физики. - 1989. - Т. 59. - № 2. -

C. 174-175.

151. Алексанян, А. О. Ионный обмен в монокристаллах ZnSe / А. О. Алексанян, В. А. Ганьшин, Ю. Н. Коркишко, В. А. Федоров // Неорганические материалы. - 1991. -Т. 27. - № 9. - С. 1798-1803.

152. Умарова, Н. Н. Расчет коэффициента диффузии при ионном обмене Pb(II)/Ag(I) на тонкопленочном сорбенте PbS / Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан, Р. А. Юсупов, В. Ф. Сопин // Журнал физической химии. - 2000. - Т. 74. - № 9. - С. 1707-1709.

153. Умарова, Н. Н. Кинетика и механизм ионного обмена А§(1)/РЪ(П) в поликристаллических пленках сульфида свинца и влияние на него комплексообразующих агентов : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Умарова Наиля Нуриевна. - Казань, 2000. - 18 с.

154. Слинкина, М. В. Исследование механизма диффузии серебра в сульфидах свинца и кадмия : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Слинкина Маргарита Витальевна. - Свердловск, 1982. - 17 с.

155. Каганович, Э. Б. Диффузия и растворимость меди в фотопроводящих пленках Сд8, осажденных из водного раствора / Э. Б. Каганович // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. - 1988. - Т. 24. - № 9. - С. 1446-1448.

156. Петухов В.Ю., Гумаров Г.Г. Исследование поверхностных слоев твердых тел методом скользящего рентгеновского пучка // Учебно-методическое пособие для студентов физического факультета. Казань: КГУ, 2009. 16 с.

157. Чичагов А. В., Сипавина Л. В. Параметры ячеек твердых растворов. М: Наука. 1982. 171 с.

158. Оптико-физические методы исследований: Методические указания к лабораторным работам по дисциплинам «Оптико-физические методы исследований», «Оптико-физические методы исследования материалов и тонкопленочных структур» / Сост.: А. М. Василевский, Г. А. Коноплев, М. Ф. Панов. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 56 с.

159. Сухарев, Ю.И. Новые принципы исследования несовершенных кристаллографических форм коллоиднохимических кластеров / Ю.И. Сухарев, Б.А. Марков, О.М. Шанина // Бутлеровские сообщения. - 2013. - Т. 36. - № 11. - С. 30 - 43.

160. Дж. Маннинг Кинетика диффузии атомов в кристаллах / Дж. Маннинг. Изд-во Мир. Москва. 1971. 277с.

161. Смирнова, З.И. Способ оценки условий образования твердых растворов РЬ^Зп^е методом ионообменного замещения в водных растворах / З.И. Смирнова, Л.Н. Маскаева,

B.И. Воронин, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. - 2013. - Т.33. - № 2. -

C.99-107.

162. Terukov, E.I. Two-electron germanium centers with a negative correlation energy in lead chalcogenides / E.I. Terukov, V.A. Marchenko, A.V. Zaitseva, P.P. Seregin // Semiconductors. - 2007. - V. 41. - No. 12. - P. 1413-1418.

163. Golubchenko, N.V. Investigation into the microstructure and phase composition of polycrystalline lead selenide films in the course of thermal oxidation / N.V. Golubchenko, V.A. Moshnikov, D.B. Chesnokova // Glass Phys. Chem. - 2006. - V. 32. - No. 3. - P. 337-345.

164. Миронов, М.П. Гидрохимический синтез пленок халькогенидов металлов. Часть 3. Кинетико - термодинамические исследования осаждения селенида олова (II) в трилонатной системе селеномочевиной / М.П. Миронов, Л.Д. Лошкарева, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. - 2010. - Т. 19. - № 1. - С.25-31.

165. Ягодин, С.И. Кинетико-термодинамический анализ условий химического осаждения твердых растворов замещения в системе PbSe-CdSe / С.И. Ягодин, Л.Н. Маскаева, М.П. Миронов, В.Ф. Марков // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т. 12. - № 2. - С. 177-183.

166. Марков, В.Ф. Термодинамический анализ условий образования и химическое осаждение твердых растворов замещения в системе Cu2Se-In2Se3 / В.Ф. Марков, С.С. Туленин, Л.Н. Маскаева, М.В. Кузнецов // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т.26. -№12. - С.29-36.

167. Катышева, А.С. Гидрохимическое осаждение пленок твердых растворов PbS_ySei-y: состав, структура, морфология / А.С. Катышева, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, А.В. Чукин // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 2012. - Т.55. - № 4. - С. 87-91.

168. Марков, В.Ф. Термодинамический анализ условий образования и химическое осаждение твердых растворов замещения в системе Cu2S-In2S3 / В.Ф. Марков, С.С. Туленин, Л.Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. - 2012. - Т.29. - №2. - C. 69-74.

169. Markov, V.F. Hydrochemical synthesis, structure, semiconductor properties of films of substitutional Pbi-xSnxSe solid solutions / V.F. Markov, N.A. Tretyakova, L.N. Maskaeva, V.M. Bak anov, H.N. Muhamedzyanov // Thin Solid Films.- 2012. - Vol. 520. - Iss. 16. - P. 5227-5231.

170. Федорова, Е.А Пленки Cu2-xSe: термодинамический анализ условий образования, синтез, состав, морфология / Е.А. Федорова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. - 2014. - Т.38. - № 6. - С.81-87.

171. Федорова, Е.А Кинетико-термодинамический анализ условий коллоидно-химического осаждения и АСМ-исследование пленок SnS / Е.А. Федорова, А.И. Шемякина, Л.Н. Маскаева, Е.И. Степановских, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения.

- 2014. - Т.37. - № . 2. - С.1-9.

172. Федорова, Е.А. Термодинамическая оценка условий образования Ga2Se3 гидрохимическим осаждением / Е.А. Федорова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, О.А. Мокроусова // Бутлеровские сообщения. - 2015. - Т. 42. - № 46. - С.33-40.

173. Щербакова, В.Я. Изучение процессов формирования, фазового состава и структуры пленок CdS и CdS-CuS, полученных химическим путем: дис. ... канд. хим. наук:02.00.04 / Щербакова Валентина Яковлевна. - Свердловск., 1977. - 175 с.

174. Китаев, Г.А. Синтез и исследование пленок твердых растворов CdxPbi-xS / Г.А. Китаев, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Л.Е. Васюнина // Изв. АН СССР. Неорган. мат-лы.

- 1990. - Т.26. - №2. - С. 248-250.

175. Марков, В.Ф. Синтез пленок твердых растворов Cd1-xPbxS осаждением из водных сред в динамических условиях / В.Ф. Марков, Г.А. Китаев, Л.Н. Маскаева // Журн. прикладной химии. - 2000. - №5. - С.709-711.

176. Маскаева, Л.Н. Влияние солей кадмия на состав и свойства осажденных пленок твердых растворов Cd^Pb^S / Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, А.И. Гусев // Журн. неорган. химии. - 2004. - Т.49. - № 7. - С. 1065-1071.

177. Иванов, П.Н. О роли размерного эффекта при осаждении пленок твердых растворов в системе PbS-CdS гидрохимическим методом / П.Н. Иванов, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Неорган. материалы. - 2005. -Т.41. - № 11. - С. 1292-1296.

178. Маскаева, Л.Н. Гидрохимический синтез пленок CdxPb1-xS из этилендиамин-цитратной системы, их структура, свойства / Л.Н. Маскаева, Т.М. Гайгер, В.Ф. Марков // Химия и химическая технология. Сб. трудов. - 2006. - С. 81-88.

179. Поликарпова, Ю.С. Гидрохимическое осаждение и исследование сенсорных свойств пленок твердых растворов CdxPb1-xS на пористом стекле / Ю.С. Поликарпова,

B.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, А.Н. Ермаков // Химия и химическая технология. Сб. трудов. - 2006. - С.77-80.

180. Маскаева Л.Н. Влияние температурной предыстории раствора ацетата свинца на состав и морфологию химически осажденных пленок CdxPbi-xS / Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, И.М. Морозова, Н.С. Полюдова // Ж. Перспективные материалы. - 2008. - № 2. - С.81-86.

181. Лурье, Ю. Ю. Справочник по аналитической химии / Ю. Ю. Лурье. - 6-е изд., перераб. и доп. - М.: Химия, 1989. - 448 с.

182. Форостяная, Н.А. Влияние лигандного фона на морфологию химически осажденных пленок CdS и их трансформацию при контакте с раствором соли свинца / Н.А. Форостяная, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, Е.И. Степановских // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2014. - Т. 11. - № 4. - С. 453-460.

183. Китаев, Г.А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 1974. - Т. 17. - № 9. -

C. 1427-1428.

184. Китаев, Г.А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 1976. - Т. 19. - № 6. - С. 941-943.

185. Китаев, Г.А. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов / Г.А. Китаев, Т.П. Больщикова, Г.М. Фофанов, Л.Е. Ятлова, Н.М, Горюхина // В кн: «Кинетика и механизм образования твердой фазы». Труды УПИ. Свердловск: УПИ. - 1968. - № 170. - С. 113-126.

186. Таусон, В.Л. Физико-химические превращения реальных кристаллов в минеральных системах / В.Л. Таусон, М.Г. Абрамович. - Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1988. - 272 с.

187. Кумок, В.Н. Произведения растворимости /В.Н. Кумок, О.М. Кулешова, Л.А. Карабин. - Новосибирск: Наука, 1983. - 266 с.

188. Дельмон Б. Кинетика гетерогенных реакций / Б. Дельмон. - М.: Мир. - 555 с.

189. Иванов, П.Н. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов: фрактально - кластерный механизм роста, роль анионов,

размерный эффект: дис. ... канд. хим. наук.: 02.00.04 / Иванов Петр Николаевич. -Екатеринбург., 2006. - 171 с.

190. Воробьев-Десятовский, Н.В. Соединения тиомочевины и ее комплексов с солями металлов / Н.В. Воробьев-Десятовский, Ю.Н. Кукушкин, В.В. Сибирская // Химия. -1985. - Т. 11. - В. 10. - С. 1299-1328.

191. Марков, В.Ф. Механизм зародышеобразования пленок сульфидов металлов / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т. 24. - №1. - С. 33-41.

192. Марков, В.Ф. Особенности зародышеобразования и механизм роста пленок сульфидов металлов при осаждении тиокарбамидом / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Изв. АН. Серия химическая. - 2014. - № 7. - С.1523-1532.

193. Pick, H. Preparation of reflecting deposits by chemical reactions / H. Pick // Z. Physic. - 1949. - V. 126. - P. 12-16.

194. Liu F. Characterization of chemical bath deposited CdS thin films at different deposition temperature / F. Liu, Y. Lai, J. Liu, B. Wang, S. Kuang, Z. Zhang, J. Li, Y. Liu // J. of Alloys and Compounds. - 2010. - № 493. - P. 305-308.

195. Dongre, J.K. Synthesis of flower-like CdS nanostructured films and their application in photoelectrochemical solar cells. / J.K. Dongre, M. Ramrakhiani // J. of Alloys and Compounds. - 2009. - №487. - P. 653 - 658.

196. Zhang, H., Effects of complexing agent on CdS thin films prepared by chemical bath deposition / H. Zhang, M. Xiangyang, D.Yang // Materials Letters. - 2003. - № 58. - P. 5-9.

197. Марков, В.Ф. Особенности формирования пленок сульфидов металлов из водных растворов / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т.24. -№2. - С.42-50.

198. Смирнов, Б.М. Физика фрактальных кластеров / Б.М. Смирнов. - М.: Наука, 1991. -136 с.

199. Moualkia, H. Structural and optical properties of CdS thin films grown by chemical bath deposition / H. Moualkia, S. Hariech, M.S. Aida // Thin solid films. - 2009. - V. 518. -P. 1259-1262.

200. Al-Hussam, A. M. A. Synthesis, structure and optical properties of CdS thin films nanoparticles prepared by chemical bath technique / A.M.A. Al-Hussam, S. Abdul - Jabbar

Jassim // J. of the Association of Arab Un. for Basic and appl. Sciences. - 2012. - V. 11. -P. 27-31.

201. Накамото, К. ИК-спекгры и спектры КР неорганических и координационных соединений / К. Накамото. - М.: Мир, 1991. - 536 с.

202. Гусев, А. И. Рентгеновское исследование наноструктуры распадающихся твердых растворов (ZrC)1_x(NbC)x / А.И. Гусев, С.В. Ремпель // Неорган. материалы. - 2003. - Т. 39. - № 1. - С. 49-53.

203. Ковба, Л.М. Рентгенофазовый анализ / Л.М. Ковба, В.К. Трунов. - М.: Изд - во Московского ун - та, 1976. - 184 с.

204. Фролов, Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы / Ю.Г. Фролов. - М.: ООО "изд. Дом Альянс", 2009. - 464 с.

205. Kostoglou, M. Incipient CdS thin film formation / M. Kostoglou, N. Andritsos, A.J. Karabelas // J. of colloid and interface science. - 2003. - V. 263. - Iss.1. - P. 177-189.

206. Чопра К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас. Пер. с анг. -М.: Мир, 1986. - 435 с.

207. Петухов, И.А. Тонкие пленки сульфида кадмия для фотовольтаики / И.А. Петухов, Д.А. Зуев, А.В. Шорохова // Computational nanotechnology. - 2014. - №1. - С. 68-73.

208. Cortes, A. Grain size dependence of the bandgap in chemical bath deposited CdS thin films / A. Cortes, H. Gomez, R.E. Marotti, G. Riveros, E.A. Dalchiele // Solar energy and solar cells. - 2004. - V. 82. - P. 21-34.

209. Скорняков, Л.Г. Экспериментальное исследование оптических свойств и проводимости химически осажденных пленок сульфида кадмия: дис. ... канд. хим. наук: 02.00.04 / Скорняков Лев Геннадьевич. - Свердловск, 1980. - 168 с.

210. Смирнова, З.И. Модификация пленки селенида свинца путем выдержки в растворе соли олова (II) / З.И. Смирнова, Л.Н. Маскаева, В.И. Воронин // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14. - № 2. - С. 250 - 255.

211. Uma, N. Solution based cation-exchange process to control optoelectronic properties of cadmium sulphide thin films / N. Uma, M.K. Rabinal // American chemical science journal. -2014. -V. 4. Iss. 2. - P. 151 - 165.

212. Булатов, М.И. Расчет равновесий в аналитической химии / М.И. Булатов. - М.: Химия, 1984. - 184 с.

213. Balandin, A. Raman spectroscopy of electrochemically self-assembled CdS quantum dots / A. Balandin, K.L. Wang, N. Kouklin, S. Bandyopadhyay // Applied physics letters. -2000. - V. 76. - № 2. - P.137 - 139.

214. Sherwing, R., Effect of isotope substitution and doping on the Raman spectrum of galena (PbS) / R. Sherwing, R.J.H. Clark, R. Lauck, M. Cardona // Solid State Comm. - 2005. - V. 134. - P. 565 - 570.

215. Электрохимические, оптические и кинетические методы в химии : сб. научн. трудов, посвященный юбилею проф. В.Ф. Тороповой. - Казань: КГУ, 2000. - С. 290 -296.

216. Stenina, I.A. Cation mobility in acid tin phosphate and ion-exchange products / I.A. Stenina, A.D. Aliev, I.V. Glukhov, F.M. Spiridonov, A.B.Yaroslavtsev // Solid State Ionics. -2003. - V.162-163. - P. 191-196.

217. Стенина, И.А. Подвижность ионов лития в продуктах ионного обмена на кислом фосфате циркония LixH.JCZr(P04)2»nH20 / И.А. Стенина, Н.А. Журавлев, А.И. Ребров, А.В. Ярославцев // Ж. неорг. химии. - 2003. - Т. 48. - № 1. - С. 37 - 41.

218. Умарова Н.Н. Кинетика и механизм ионного обмена Ag(I)/Pb(II) в поликристаллических пленках сульфида свинца и влияние на него комплексообразующих агентов: дис. ... канд. хим. наук: 02.00.04 / Умарова Наиля Нуриевна. - Казань, 2000. - 128 с.

219. Юсупов, Р.А. Обмен металлов при контакте тонких поликристаллических пленок и нанокристаллов сульфидов металлов с водными растворами ионов металлов и лигандов / Р.А. Юсупов, Н.Н. Умарова, Р.Ф. Абзалов, М.Р. Гафаров // Бутлеровские сообщения. - 2007. - Т. 12. - № 4. - С. 40-52.

220. Бокштейн, Б. С. Диффузия в металлах / Б. С. Бокштейн. - М.: Металлургия, 1978. - 248 с.

221. Герцрикен, С. Д. Диффузия в металлах и сплавах в твердой фазе / С. Д. Герцрикен, И. Я. Дехтяр. - М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1960. - 566 с.

222. Agostinelli, E. An XPS Study of the Electronic-Structure of the ZnxCd1-xCr2(x = S, Se) Spinel System / E. Agostinelli, C. Battistoni, D. Fiorani, G. Mattogno, M. Nogues // J. Phys. Chem. Solids. - 1989. - V. 50. - Iss. 3. - P. 269-272.

223. Thangavel, S. Band gap engineering in PbS nanostructured thin films from near-infrared down to visible range by in situ Cd-doping / S. Thangavel, S. Ganesan, S. Chandramohan, P. Sudhagar, Yong Soo Kang, Chang-Hee Hong // Journal of Alloys and Compounds. - 2010. -V. 495. - P. 234-237.

224. Nefedov, V.I. X-ray photoelectron study of surface compounds formed during flotation of minerals / V.I. Nefedov, Ya. V. Salyn, P.M. Solozhenkin, G.Yu. Pulatov // Surf. Interface Anal. - 1980. - V.2. - P. 170-172.

225. Taylor, J.A. An X-ray photoelectron and electron energy loss study of the oxidation of lead / J.A. Taylor, D.L. Perry // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1984. - V. 2 - Iss. 2. - P. 771 - 774.

226. Pederson, L.R. Two-dimentional chemical-state plot for lead using XPS / L.R. Pederson / J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. -1982. - V. 28. - Iss. 1 - P. 203 - 209.

227. Нефедов, В.И. Рентгеноэлектронные исследования соединений свинца и ртути / В. И. Нефедов, Я. В. Салынь, Х. Келлер // Журнал неорганической химии. - 1979. - Т. 24. - № 9. - С. 2564-2566.

228. Wagner, C.D. Use of the oxygen KLL Auger lines in indentification of surface chemical states by electron spectroscopy for chemical analysis / C.D. Wagner, D.A. Zatko, R.H. Raymond // Anal. Chem. - 1980. - V. 52. - P.1445 - 1451.

229. Ley, L. Total valence-band densities of states of III-V and II-VI compounds from x-ray photoemission spectroscopy / L. Ley, R.A. Pollak, F.R. McFeely, S.P. Kowalczyk, D.A. Shirley // Phys. Rev. B. - 1974. - V.9. - №.2. - P.600-621.

230. Wagner, C.D. Generation of XPS Auger lines by bremsstrahlung / C.D. Wagner, J.A. Tailor // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. - 1980. - V.20. - I.1. - P. 83 - 93.

231. Barr, TL Detailed X-ray photoelectron-spectroscopy valence band and core level studies of select metals oxidations / T.L. Barr, M. Ying, S.J.Varma // Vac Sci Technol A. - 1992 -V.10. - P. 2383-2390.

232. Kim, K.S. X-Ray photoelectron spectra of lead oxides / K.S. Kim, T.J. O'Leary, N. Winograd // Anal. Chem. - 1973. - V. 45 - P. 2214-2218.

233. Taylor, J.A. Chemical reactions of N2+ ion beams with group IV elements and their oxides / J.A. Tailor, G.M. Lancaster, J.W. Rabalais // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. -1978 - V.13. - P. 435 - 444.

234. Setty, M.S. Characterization of highly conducting PbO - doped Cd2SnO4 thick films / M.S. Setty, A.P.B. Sinha // Thin Solid Films. - 1986. - V. 144. - P. 7-19.

235. Golestani-Fard, F. Formation of cadmium stannates studied by electron spectroscopy / F. Golestani-Fard, T. Hashemi, K. J. D. Mackenzie, C. A. Hogarth // J. Mater. Sci. - 1983. - V. 18. - P. 3679—3685.

236. Lundholm, M. Core electron spectroscopy of water solutions / M. Lundholm, H. Siegbahn, S. Holmberg, M. Arbman // J. Electron Spectrosc. Relat. Phemon. - 1986 - V. 40. -P.163-180.

237. Yu, X.-R. Auger parameters for sulfur-containing compounds using a mixed aluminum-silver excitation source / X.-R. Yu, F. Liu, Z.-Y. Wang, Y.J. Chen // Electron Spectrosc. Relat. Phenom. - 1990. - V.50. - P. 159 - 166.

238. Laajalehto, K. XPS study of clean metal sulfide surfaces / K. Laajalehto, I. Kartio, P. Nowak // Appl. Surf. Sci. - 1994. - V. 81. - P. 11-15.

239. Danaher, W.J. Chemical Etching of Crystal and Thin Film Cadmium Telluride / W.J. Danaher, L.E. Lyons, M. Marychurch, G.C. Morris // Appl. Surf. Sci.- 1986. - V. -27. - №. 3. P. 338-354.

240. White, R. TG-MS characterization of the reaction products of cadmium yellow and malachite artists pigments/ R. White, P.S. Thomas, M.R. Philips, R. Wuhrer, J.P. Guerbois // J. of Thermal Analysis and Colorimetry. - 2007. - V. 88. - № 1. - P. 181 - 184.

241. Лякишев, Н.П. Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В 3 т.: Т. 1 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. - М.: Машиностроение, 1996. -992 с.

242. Гаврилов, С.А. Оптоэлектронные свойства пленок CdS для солнечных элементов с тонким адсорбирующим слоем / С.А. Гаврилов, А.А. Шерченков, А.Б. Апальков, Д.А. Кравченко // Российские нанотехнологии. - 2006. - Т. 1. - № 1-2. - С. 228 - 232.

243. Гринь, Г.И. Использование дифракционного метода анализа для оценки размера и структуры наночастиц на примере CdS / Г.И. Гринь, А.М. Панчева, П.А. Козуб,

К.П. Вернигора, С.Н. Козуб // Вопросы химии и химической технологии. 2009. № 4.

C.149 - 152.

244. Акопян, И.Х. Проявление метастабильной кубической модификации в мелкодисперсных соединениях A2B6 / И.Х. Акопян, Т.И. Иванова, М.Э. Лабзовская, Б.В. Новиков, А. Эрдни-Горяев // Письма в ЖТФ. - 2010. - Т. 36. - В. 5. - С. 94 - 102.

245. Ян, Ю. Электрохимический синтез свободных частиц CdS в этиленгликоле / Ю. Ян, Л.Ю. Хе, Х. Цзян // Электрохимия. - 2006. - Т. 42. - № 9. - С. 1060 - 1064.

246. Кочубей, В.И. Структура наночастиц CdS / В.И. Кочубей, Д.И. Кочубей, Ю.Г. Конюхова, И.В. Забенков // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2010. - № 8. - С.40 - 43.

247. Conde, O. HRTEM and GIXRD studies of CdS nanocrystals embedded in AbOs films produssed by magnetron RF - sputtering / O. Conde, A.G. Rolo, M.J.M. Gomes, C. Ricolleau,

D.J. Barber // J. of Crystal Growth. - 2003. - V. 247. - № 3-4. - P. 371 - 380.

248. Badawi, M.H. Physical properties of chemically deposited CdS films for solar cells / M.H. Badawi, S. Aboul-Enein, M. Ghali, G. Hassan // Renewable Energy. - 1998. - V. 14. -№ 1. - P. 107 - 112.

249. Pinna N. Triangular CdS nanocrystals: structural and optical studies / N. Pinna, K.Weiss, J.Urban, M.P. Pileni // Adv. Matter. - 2001. - V. 13. - Iss. 4. - P. 261 - 264.

250. Ворох, А.С. Неупорядоченная атомная структура наночастиц сульфида кадмия: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 02.00.04/ Ворох Андрей Станиславович. -Екатеринбург, 2009. - 23 с.

251. Чуфаров, А.Ю. Фазообразование и структурные характеристики нанопорошковых композиций Cd - Pb - S, полученных модифицированием порошка CdS в цитратно -аммиачном растворе свинца / А.Ю. Чуфаров, Н.А. Форостяная, Р.Ф. Самигулина, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, Ю.Г. Зайнулин // Журнал неорганической химии. - 2013. - Т. 58. - № 10. - С. 1362 - 1369.

252. Пивен, Н.Г. Термостимулированные эффекты синтеза нанокристаллов сульфида кадмия / Н.Г. Пивен, Л.П. Щербак, П.И. Фейчук // Конденсированные среды и межфазные границы. 2006. Т.8. № 4. С. 315 - 319 .

253. Sucharev, Yu. I.. Wave Oscillations in Colloid Oxyhydrates / Yu. I. Sucharev. -Swizerland, U.K. USA: Trans Tech Publications LTD, 2010. - 497 p.

254. Kizilyalli, M. Synthesis of a new orthorhombic metastable form of CdS through solidstate reactions / M. Kizilyalli, M. Bilgin, A. Usanmaz // Journal of Solid State Chemistry. -1989. -V. 80. - Iss.1. - P. 75-79.

255. Dimitrov, R.I. Oxidation of metal sulphides and determination of characteristic temperatures by DTA and TG / R.I. Dmitrov, B.S. Boyanov // J. of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2000. - V. 61. - № 1. - P. 181 - 189.

256. Егунов В. П. Введение в термический анализ. Самара: ПО СамВен, 1996. 270 с.

257. Lozada-Morales, R. Photoluminescence in cubic and hexagonal CdS films / R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, G. TorresDelgado // Appl. Surface Sci. - 2001. - V. 175-176. - P. 562 - 566.

258. Таусон, В.Л. О механизме вхождения золота в сульфид кадмия (по данным распределения Au между CdS и Ag2S) / В.Л. Таусон, Н.В. Смагунов, В.А. Датков, Т.М. Пастушкова // Геохимия. - 2007. - № 11. - С.1239 - 1244.

259. El Malikia, H. Study of the influence of annealing on the properties of CBD-CdS thin films / H. El Malikia, J.C. Bernedea, , S. Marsillaca, J. Pinelb, X. Castelb // Applied Surface Science. 2003. V. 205. № 1-4. P. 65 - 79.

260. Марков, В.Ф. Расчет граничных условий образования твердой фазы сульфидов и селенидов осаждением тио- и селеномочевиной / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Журнал физической химии. 2010. Т. 86. № 8. C. 1421-1426.