Физико-химические закономерности формирования наноструктурированных металлических и оксидных слоев в процессах химического осаждения из паров соединений металлов с органическими лигандами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Гельфонд, Николай Васильевич

• Гельфонд, Николай Васильевич
• доктор химических наук
• 2010

Оглавление диссертации доктор химических наук Гельфонд, Николай Васильевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. МОСУБ - МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАНЫЫХ ПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ: АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ.

1.1. Способы реализации МОС\Т) процессов.

1.2. Исходные соединения для осаждения металлических и оксидных слоев.

1.3. Аппаратурное оформление МОСУТ) процессов.

1.4. Основные стадии и параметры МОСУГ) процессов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические закономерности формирования наноструктурированных металлических и оксидных слоев в процессах химического осаждения из паров соединений металлов с органическими лигандами»

Актуальность темы. Наноструктурированные материалы на основе металлических, оксидных и композиционных металл-оксидных слоев играют важную роль в современной технике. Однослойные и многослойные пленочные наносистемы с заданными функциональными свойствами нашли широкое применение - от замены массивного материала до защиты изделий, работающих в экстремальных условиях. Покрытия из металлов платиновой группы, золота, рения, никеля и композитов на их основе используются в космическом приборостроении, машиностроении, электронике, оптике, катализе, электрохимии, водородной энергетике, реставрационной практике, ювелирной промышленности и т.д. Тонкие пленки оксидов железа применяются в качестве ферромагнитных материалов (Fe304, у-Ре20з) в магнето- и спинэлектронных устройствах (спиновые инжекторы, датчики магнитного поля и магнитные запоминающие устройства), оптических покрытий (a-Fe203, Fe304). Диоксид гафния рассматривается в качестве материала затворного диэлектрика с высоким значением константы диэлектрической проницаемости в полевых транзисторах следующего поколения. Слои оксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия (YSZ), используются как пленочные электролиты в структуре твердооксидных топливных элементов (ТОТЭ).

Одним из наиболее универсальных методов нанесения слоев различного состава и функционального назначения является метод MOCVD - Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (химическое осаждение из паров предшественников (прекурсоров) - летучих исходных соединений металлов с органическими лигандами). Метод MOCVD позволяет получать покрытия с различной морфологией поверхности и структурой слоев; регулировать толщину покрытий и изменять ее в широком интервале; менять скорость осаждения; получать равномерные, однородные слои на изделиях сложной конфигурации (включая внутреннюю поверхность пор, каналов, тренчей); осаждать покрытия на материалы различной природы (металлы, полупроводники, непроводящие материалы); получать новые пленочные материалы, варьируя состав покрытия в процессе его роста. Метод MOCVD дает возможность формировать слои из тугоплавких материалов при температурах значительно ниже температуры их плавления.

Отличительной чертой метода является относительная простота аппаратурного оформления процессов.

Эксплуатационные свойства пленочных материалов определяются их структурой, фазовым и химическим составом, которые, в свою очередь, находятся в прямой зависимости от параметров процессов осаждения. Анализ литературных данных показал, что исследования подобного рода носят узкофункциональный, несистемный характер. Недостаточно полно освещены вопросы, касающиеся механизмов формирования слоев на разных стадиях роста, влияния условий синтеза на физико-химические характеристики и целевые свойства покрытий.

Цель работы заключалась в установлении физико-химических закономерностей формирования наноструктурированных металлических и оксидных слоев в процессах МОСУБ, включая разработку способов нанесения пленочных материалов и выявление взаимосвязи между условиями осаждения и характеристиками получаемых покрытий.

В работе решались следующие задачи:

- установление зависимостей: условия осаждения — структура, состав — свойства синтезированных металлических (Рі:, Іг, Рсі, Яи, Юі, Аи, Яе, №), оксидных (РехО>, НЮ2) и композиционных (РЫг, 1г-А1203, слоев;

- изучение физико-химических свойств прекурсоров, включая исследование термического поведения конденсированной фазы и паров комплексов, исследование процессов массопереноса при сублимации/испарении соединений;

- разработка способов осаждения металлических и оксидных слоев путем термического разложения паров исходных соединений в контролируемой атмосфере;

- изучение структуры, химического и фазового состава покрытий на различных стадиях роста;

- целенаправленное нанесение наноструктурированных пленочных материалов с необходимыми эксплуатационными характеристиками.

Научная новизна. Проведено комплексное изучение физико-химических процессов получения методом МОСУБ металлических, оксидных и композиционных слоев. Определено влияние условий массопереноса прекурсоров, природы материала подложки, реакционной атмосферы и температурных режимов на строение и состав пленочных материалов. Показана роль углеродсодержащих микропримесей в процессах кристаллизации покрытий на различных стадиях их формирования. Установлено, что полученные слои представляют собой наноструктурированные системы с толщиной от нескольких нанометров до сотен микрометров и размерами кристаллитов от единиц до десятков нанометров.

Впервые показано, что при высоких температурах осаждения на поверхности нанокристаллитов 1г формируется тонкий слой углеродсодержащих продуктов разложения прекурсора, определено влияние этих продуктов на формирование наноразмерных пленок. Исследована микроструктура тонких 1г слоев, установлены зависимости величин структурных характеристик пленок от температуры их осаждения.

Предложено использование кислорода для получения металлических 1г покрытий. Показано, что при реализации этого процесса увеличивается скорость осаждения, понижается содержание соосажденного углерода, изменяется структура и свойства слоев.

Впервые обнаружено образование переходных слоев в системах 1г - (ЗЮ2, А1203), состоящих из смеси металлического 1г и соединений типа ЬтБ^Оу и ТгА^Оу. Выявлена зависимость состава переходных слоев и их относительных толщин от температуры осаждения и окислительно-восстановительной среды. Показано, что с увеличением температуры и при изменении атмосферы с восстановительной на окислительную относительные толщины переходных слоев возрастают.

Определены условия образования столбчатых, компактных, зернистых и градиентных по структуре пленочных наносистем. Предложены механизмы формирования покрытий с неоднородным послойным строением. Впервые обнаружены тонкие слои с высокой концентрацией углерода на поверхности растущего слоя Р1:. Показана роль этих слоев в изменении в процессе роста структуры покрытий с компактной на столбчатую.

Получены пленочные композиты на основе нанокристаллической матрицы 1г и аморфного АЬ03. Определено влияние окислительно-восстановительной атмосферы и температурных параметров синтеза на размеры кристаллитов и структуру покрытий. В атмосфере кислорода впервые получены наноструктурированные композиты 1г-А1203 с однородной по составу компактной структурой.

Разработана оригинальная методика изучения процессов массопереноса летучих соединений металлов, основанная на непрерывном весовом контроле переносимого вещества, на примере бета-дикетонатных комплексов Сг(Ш), 1г(Ш), Си(П) установлены основные факторы, определяющие скорость массопереноса: температура, скорость газового потока, величина внешней поверхности раздела газ - твердый образец.

Изучено термическое поведение 11е(СО)зСр в конденсированной фазе, измерена температурная зависимость давления его насыщенного пара и рассчитаны термодинамические параметры процесса сублимации, предложены пути протекания реакций термического разложения паров карбонильных комплексов Яе; показано влияние реакционной атмосферы и соотношения компонентов на термическую устойчивость смеси паров 1г(асас)3 и А1(асас)3.

Практическая значимость. Создан комплекс установок для получения методом МОС\Т) металлических, оксидных и композиционных слоев на изделиях различной конфигурации, определены условия процессов осаждения покрытий. Разработанные способы управления структурой и составом могут быть использованы для целенаправленного синтеза пленочных материалов с требуемыми функциональными свойствами.

Полученные газоплотные покрытия на пористых несущих анодах

-У82) протестированы в электрохимических ячейках твердооксидных топливных элементов в качестве электролитического слоя. Полученные значения электрохимических параметров ячеек свидетельствуют о возможности использования разработанных методик для формирования электролитического слоя YSZ в структурах планарных ТОТЭ.

Предложен импульсный метод нанесения сверхтонких (толщиной несколько нм) пленочных материалов с т-Бки масс-спектрометрическим контролем процесса осаждения. Разработанные методики осаждения и контроля показали возможность создания технологии получения ультратонких однородных слоев 1г и Яи, которые могут найти применение в качестве проводящих барьерных слоев в микроэлектронных приборах.

Защитные покрытия из 1г, Ил, и композита на основе РМг на Т\ анодах по своим коррозионным характеристикам могут быть использованы в электродиализных установках (ЭДУ), при производстве гипохлорита натрия и в других электрохимических процессах. Испытания анодов с 1г покрытием в опытном образце ЭДУ доочистки воды показали их жизнеспособность в течение длительного времени.

Разработан способ нанесения низкоомных 1г ' контактов к высокотемпературным сверхпроводникам состава УВа2Сиз07.л, сопротивление контактов достигает величин, приемлемых для технического использования. Достоинством способа является также его совместимость с технологиями на основе кремния.

Разработана методика получения пленок у-Ре20з, основанная на прямом выращивании методом МОСУБ в инертной атмосфере тонких пленок Ре304 и их последующем отжиге в кислородной атмосфере. Высокие значения магнитных характеристик позволяют использовать полученные тонкопленочные слои Ре304 и у-Ре203 в качестве материала для высокоплотной магнитной записи информации.

На защиту выносятся: ■/ совокупность установленных физико-химических закономерностей формирования наноструктурированных металлических и оксидных пленочных материалов в процессах МОСУБ; выявленные взаимосвязи между параметрами процессов осаждения и характером формирования тонких наноразмерных пленок, данные о составе переходных слоев в системах пленка-подложка; результаты изучения процессов формирования неоднородных по строению покрытий с различной структурой слоев (сплошной, зернистой, столбчатой); данные о строении нанокомпозитных покрытий на основе иридия и оксида алюминия; результаты исследования коррозионной стойкости покрытий на основе металлов платиновой группы на Тл электродах при электролитическом воздействии;

S результаты изучения состава и структуры YSZ слоев при изменении условий их синтеза, результаты исследований электрохимических характеристик ячеек ТОТЭ с YSZ пленочным электролитом;

S оригинальная методика изучения процессов массопереноса летучих соединений металлов, основанная на непрерывном весовом контроле увеличения массы перенесенного соединения, зависимости скорости массопереноса Сг(асас)з, Ir(acac)3, Cu(ki)2 от основных параметров процесса;

S результаты исследования термических свойств карбонильных соединений Re и процессов термического разложения смеси паров трис-ацетилацетонатов А1(Ш) и Ir(III).

Личный вклад автора. Автору принадлежит формулировка целей и разработка методологии проведенных исследований, обобщение данных и установление взаимосвязи между условиями синтеза и физико-химическими характеристиками покрытий. Автором поставлены и проведены практически все эксперименты по синтезу металлических и оксидных слоев. Автор принял непосредственное участие в разработке конструкций установок для исследования кинетики массопереноса соединений и осаждения покрытий; в изучении состава, структуры и свойств слоев; а также в анализе и интерпретации полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на XV Международном Черняевском совещании по химии, анализу и технологии платиновых металлов (Москва, 1993); International Conference on Electronic Materials (Taiwan, 1994); Tenth European Conference on Chemical Vapour Deposition (Italy, 1995); XVI Международном Черняевском совещании по химии, анализу и технологии платиновых металлов (Екатеринбург, 1996); IUP AC Chemrawn IX -World Conference on the Role of Advanced Materials in Sustainable Development (Korea, 1996); Fourteenth International Conference and EUROCVD-11 (France, 1997); Twelfth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Spain, 1999); 197th Meeting of the Electrochemical Society (Canada, 2000); Thirteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Greece, 2001); XVII Международном Черняевском совещании по химии, анализу и технологии платиновых металлов (Москва, 2001); Chemical Vapor Deposition XVI and EUROCVD-14 (France, 2003); XIII Российской конференции по физической химии и электрохимии расплавленных и твердых электролитов (Екатеринбург, 2004); 20th International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry (Slovakia, 2005); Fifteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Germany, 2005); 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry and the 12th Asia-Pacific Academy of Materials Topical Seminar (АРАМ) (Taiwan, 2005); 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices (China, 2006); Sixteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Netherlands, 2007); 2nd International Meeting on Developments in Materials, Processes & Applications of Nanotechnology (UK, 2008); Fourteenth АРАМ Conference on State of Materials Research and New Trends in Materials Science (India, 2008); 3rd Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices (China, 2008); 20th International Conference on Chemical Thermodynamics (Poland, 2008); Fourth Joint Russia - China Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices (Novosibirsk, 2009); 1-ой Всероссийской научной конференции «Методы исследования состава и структуры функциональных материалов» МИССФМ-2009 (Новосибирск, 2009); Seventeenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Austria, 2009); The Fourth International Conference "Platinum Metals in the Modern Industry, Hydrogen Energy and Life Maintenance in the Future" "BERLIN - PM'2010" (Germany, 2010); XIX Международной Черняевской конференции по химии, анализу и технологии платиновых металлов (Новосибирск, 2010).

Публикации. По теме диссертации соискатель имеет 58 опубликованных работ, в том числе: статей в отечественных и международных журналах - 31 (из них в журналах, включенных в список ВАК — 29), патентов — 1, авторских свидетельств — 2, рецензируемых статей в трудах международных конференций - 24. Список основных публикаций (39) приведен в конце автореферата.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, основных результатов и выводов, списка цитированной литературы (376 наименований) и приложения. Работа изложена на 322 страницах и включает 127 рисунков и 36 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Гельфонд, Николай Васильевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработан комплексный подход к направленному синтезу методом MOCVD пленочных материалов с заданными характеристиками, включающий анализ физико-химических свойств прекурсоров, определение интервалов изменения параметров процессов осаждения, разработку аппаратурного оформления и методик получения покрытий, установление зависимостей: условия синтеза — структура, состав - свойства и определение путей управления характеристиками получаемых материалов. Данный подход был применен для нанесения металлических (Pt, Ir, Pd, Ru, Rh, Au, Re, Ni), оксидных (Fer07, Hf02) и композиционных (Pt-Ir, Ir-АЬОз, YSZ) наноструктурированных слоев на подложках различной природы и формы с толщинами от нескольких нанометров до сотен микрометров, с контролируемыми составом, структурой, свойствами.

2. Проведено исследование физико-химических свойств исходных соединений для осаждения пленочных материалов:

- разработана оригинальная методика изучения процессов массопереноса при сублимации/испарении летучих соединений, основанная на непрерывном весовом контроле переносимого вещества Определены зависимости скорости массопереноса Cr(acac)3, 1г(асас)3 и Cu(ki)2 от температуры и скорости газового потока. Показано, что фактором, определяющим интегральную скорость массопереноса, является величина внешней поверхности раздела газ - твердый образец (порошки, монокристаллы). Установлена зависимость удельной скорости массопереноса от осевого и радиального положения исходного образца в цилиндрическом испарителе Показано, что эти эффекты связаны с параболическим профилем скоростей газового потока в сечении испарителя и процессом его формирования при движении газового потока в осевом направлении;

- изучено термическое поведение в конденсированной фазе карбонильных производных Re, измерены температурные зависимости давления насыщенных паров и рассчитаны термодинамические параметры процесса сублимации комплексов;

- методом т-БИи высокотемпературной масс-спектрометрии исследованы процессы термораспада и предложены пути протекания реакций разложения паров Пе2(СО)]0 и Яе(СО)з(Ср) на нагретых поверхностях; показано влияние реакционной атмосферы и соотношения компонентов на термическую устойчивость смеси паров 1г(асас)3 и А1(асас)3.

3. Определены зависимости химического состава и структуры наноразмерных металлических и оксидных слоев от условий нанесения, установлены основные закономерности формирования тонкопленочных систем:

- методом ПЭМ впервые обнаружено, что на поверхности нанокристаллитов 1г формируется тонкий слой углеродсодержащих продуктов разложения 1г(асас)3, показано, что углеродсодержащие микропримеси являются стабилизирующим фактором, препятствующим агрегированию 1г в крупные кристаллиты;

- предложена методика определения дисперсного состава металлических пленок с использованием метода МУРР, определены зависимости величин параметров структуры 1г пленок, соотношения размеров и форм частиц от температуры осаждения;

- обнаружено наличие переходных слоев на границе раздела НЮ2 - 8Ю2/81 и 1г-подложка (8Ю2, А1203, Би Си), впервые установлено, что для систем 1г-оксид характерно образование смешанных соединений типа М^Оу и 1гА1гОу, выявлены зависимости состава переходных слоев и их относительных толщин от температуры осаждения, окислительно-восстановительной среды и материала подложки;

- показано, что природа материала подложки определяет механизм роста № пленок: на медных образцах формируются сплошные поликристаллические пленки, на кремниевых подложках рост N1 слоя идет по пути образования кластеров на начальной стадии с последующей их коалесценцией;

- установлены взаимосвязи между условиями синтеза, составом, магнитными и электрическими свойствами пленок оксидов железа и тонкопленочных 1г и Рс1 контактов к ВТСП материалам.

4. Методом импульсного МОСУЭ с т-зИи масс-спектрометрическим контролем процесса осаждения получены сверхтонкие слои 1г и Яи с толщиной несколько нанометров. Выявлена роль реакционной среды, природы прекурсора и температуры осаждения в формировании нанокристаллической структуры пленок. Осаждение 1г из 1г(асас)3 в кислородной атмосфере приводит к получению плотных однородных структур, в то время как в вакууме или в водороде осаждаются наноразмерные зернистые 1г слои; при использовании 1г(СО)2(асас) вне зависимости от реакционной среды получены 1г пленки с зернистой структурой. Ки пленки с компактной сплошной структурой формируются из 11и(асас)з при температуре осаждения 340°С и ниже, повышение температуры приводит к росту нанозернистых Яи слоев.

5. Установлены зависимости параметров структуры покрытий из металлов платиновой группы, Яе и Аи от температурных режимов нанесения, природы прекурсора, материала подложки и реакционной атмосферы. Предложены механизмы образования столбчатых, зернистых, компактных и градиентных по строению пленочных материалов. На примере осаждения показано, что на поверхности растущего металла образуется тонкий слой с высокой концентрацией углерода, что приводит к структурным изменениям по мере протекания процесса и к формированию покрытий с неоднородным послойным строением.

6. Впервые методом МОСУО получены композиционные пленочные материалы на основе нанокристаллической матрицы 1г и аморфного АЬОз. Установлена роль оксидного компонента и окислительно-восстановительной атмосферы в процессах формирования покрытий:

- в присутствии кислорода для однокомпонентных 1г покрытий в зависимости от условий синтеза характерно образование зернистых, компактных, столбчатых или слоистых структур, в то время как при росте слоя 1г-А1203 формируются покрытия с однородной, сплошной структурой, с равномерным распределением компонентов по толщине;

- в водородной атмосфере введение А1203 в состав 1г приводит к формированию неоднородных по составу слоистых покрытий с компактной, сплошной структурой; показано, что покрытия образованы из слоев металлического 1г, разделенных более тонкими слоями, состоящими из металлического 1г И А120з.

7. Получены защитные покрытия из 1г, Яи, Рс и композита на основе Р1—Тг на Т1 анодах. Выявлены зависимости: условия синтеза - состав - коррозионная стойкость покрытий при электролитическом воздействии. Установлено, что слои обладают повышенной стойкостью по сравнению с покрытиями на основе 1г и Ли. Показано, что предварительная термообработка Тл подложки или отжиг образцов с 11и покрытиями увеличивает срок службы электродов в 1.5-2 раза. Предложены механизмы деградации защитных слоев на Т1 электродах при анодной поляризации. Испытания Т1 анодов с 1г покрытием в опытном образце электродиализной установки доочистки водопроводной воды показали их жизнеспособность в течение длительного времени.

8. Разработана методика осаждения покрытий на основе оксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия, на пористых несущих анодах (№-У8г). При скорости роста 0,8-1 мкм/ч получены YSZ слои толщиной 4-15 мкм с газоплотной, сплошной структурой и с необходимым химическим и фазовым составом для использования в качестве электролитов в структурах твердооксидных топливных элементов. Установлены зависимости структуры, состава и электрических характеристик У82 пленочных электролитов от условий осаждения. Показано, что повышение скорости роста путем увеличения температуры осаждения и скорости массопереноса прекурсоров приводит к получению покрытий с рыхлой, столбчатой структурой с низкой газоплотностью. С использованием YSZ электролитов с компактной структурой изготовлены электрохимические ячейки ТОТЭ. Напряжение разомкнутой цепи составило 0,98-1,08 В. что свидетельствует о высокой степени газоплотности электролитов.

275

1.5. Заключение

На основании анализа литературных данных можно сделать следующие выводы:

1. Принципиальное значение для реализации процессов МОСУО имеет выбор исходного соединения (прекурсора), обладающего набором необходимых свойств, при этом знание особенностей его термического поведения позволяет оптимизировать выбор условий осаждения покрытий. В нашей работе в основе выбора прекурсоров лежал принцип максимальной изученности термических свойств соединений и их соответствия требованиям, налагаемым методом МОС\Т). Однако изучение свойств ряда используемых в работе соединений проведено не в полной мере, а имеющиеся в литературе данные зачастую значительно разнятся.

2. Физико-химические свойства выбранного прекурсора (агрегатное состояние, летучесть, термическая устойчивость и т.д.) определяют конструктивное оформление процессов МОСУВ. В литературе в недостаточной степени описаны конструкции установок для осаждения покрытий с использованием в качестве прекурсоров - твердых кристаллических веществ.

3. Реализовано значительное число процессов химического осаждения изучаемых металлических и оксидных покрытий из паровой фазы, однако, как правило, исследования носят узкофункциональный характер и почти не содержат обобщающих данных, указываются только конкретные («оптимальные») условия проведения процессов. Практически отсутствует системное изучение влияния изменения выбранного параметра (температуры подложки или испарителя, окислительно-восстановительной атмосферы, и т.д.) на характеристики получаемых слоев.

В связи с этим, для проведения комплексного изучения структуры и состава металлических и оксидных покрытий и установления физико-химических закономерностей формирования металлических и оксидных слоев в МОСУТ) процессах необходимо решать следующие задачи:

1. Изучить физико-химические свойства ряда соединений:

- исследовать термическое поведение соединений в твердой фазе;

- исследовать процессы разложения паров соединений на нагретой поверхности в вакууме и контролируемой атмосфере;

- определить температурные зависимости давления насыщенных паров соединений;

- изучить процессы массопереноса при сублимации/испарении соединений.

2. Провести анализ свойств соединений и произвести выбор прекурсоров для получения покрытий.

3. Разработать способы нанесения металлических и оксидных слоев (определить диапазоны изменения параметров процессов осаждения, разработать конструкции установок и методики синтеза покрытий).

4. Изучить структуру, химический и фазовый состав полученных покрытий. Установить взаимосвязи между условиями осаждения, структурой, составом и свойствами металлических и оксидных слоев. Целенаправленно получить покрытия с необходимыми эксплуатационными характеристиками.

I !

43

2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКИ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

В данной главе представлены методики изучения физико-химических свойств соединений, описаны конструкции МОСУБ устройств, а также приведены методы исследования структуры, состава и функциональных свойств полученных слоев.

2.1. Прекурсоры

Для осаждения металлических и оксидных слоев в качестве летучих исходных соединений использовали комплексы Яе, Рё, Р(:, Ш1,1г, Яи, Аи, Си, А1, 7л, У, Н£ Ре с органическими лигандами, перечисленными в табл. 6.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Гельфонд, Николай Васильевич, 2010 год

1. Елисеев А.А., Лукашин А.В. Функциональные наноматериалы / Под ред. Ю.Д. Третьякова. М.: ФИЗМАТЛИТ. - 2010. - 456 с.

2. Кристаллизация тугоплавких металлов из газовой фазы. / В.Е. Иванов, Е.П. Нечипоренко, В.М. Криворучко, В.В. Сагалович. М.: Атомиздат, 1974. - 264 с.

3. The chemistry of metal CVD / Ed. by T. Kodas, M. Hampden-Smith. Weinhem; New York; Basel; Cambridge; Tokyo: VCH, 1994. - 534 p.

4. Осаждение из газовой фазы / под ред. К. Пауэлла, Дж. Оксли, Дж. Блочера мл.- М.: Атомиздат, 1970. 472 с.

5. Металлоорганические соединения в электронике. / Г.А. Разуваев, В.Г. Грибов, Г.А. Домрачеев и др. М.: Наука. 1972. - 479 с.

6. Осаждение пленок и покрытий разложением металло-органических соединений. // Б.Г. Грибов. Г.А. Домрачев, Б.В. Жук, и др. / Под ред. Г.А. Разуваева. М.: Наука. 1981.- 322 с.

7. Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов / Отв. ред. Г.А. Разуваев. М.: Наука, 1986. - 256 с.

8. Rubezhov A.Z. Platinum group organometallics // Platinum Metals Rev. 1992.- V. 36, N l.-P. 26-33.

9. Сыркин В.Г. CVD-метод: химическое парофазное осаждение. М.: Наука, 2000.- 496 с.

10. Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications / Edited by A.C. Jones and M.L. Hitchman. London: Royal Society of Chemistry, 2009. 582 p.

11. Киреев В.Ю., Столяров A.A. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера. 2006. - 192 с.

12. Garcia J.R.V., Goto Т. Chemical vapor deposition of iridium, platinum, rhodium and palladium. // Materials Transactions. 2003, - V. 44, N 9. - P. 1717-1728.

13. Ohriner E. K. Processing of iridium and iridium alloys, Methods from purification to fabrication // Platinum Metals Review. 2008. - V. 52, N 3. - P. 186-197.

14. Lin Y.S., Meijerink J., Brinkman H.W., de Vries K.J., Burggraaf A.J. Microporous and Dense Ceramic Membranes Prepared by CVD and EVD // Key Engineering Materials. 1992, - N 61-62. - P. 465-469.

15. Pal U., Singhal S.C. Electrochemical Vapor Deposition of Yttria Stabilized Zirconia // J. Electrochem. Soc. 1990. - V. 137. - P. 2937-2941.

16. Репинский C.M. Химическая кинетика роста слоев диэлектриков // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука. Сиб. отд. 1989. - С. 90-152.

17. Garrido С., Van den Bergh H. Formation of Pt interconnection lines and periodic structures // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. - Part 1. - V. 32, N ЗА. - P. 1312-1316.

18. Cole H.S., Liu Y.S., Rose J.W., Guida R. Laser-induced selective copper deposition on polyimide // Appl. Phys. Lett. 1988. - V. 53, N 21. - P. 2111-2113.

19. Flint E.B., Messelhauser J., Suhr H. Laser-induced chemical vapor deposition of rhodium // Appl. Surf. Sci. 1992. - V. 54, N 1. - P. 56-59.

20. Cohan J.S., Yuan H.s Williams R.S., Zink J.I. Laser-assisted organometallic chemical vapor deposition of films of rhodium and iridium // Appl. Phis. Lett. 1992. -V. 60, N 11. - P. 1402-1403.

21. Reznikova E.F., Chesnokov V.V., Zharkova G.I., Igumenov I.K., Makarov O.A., Naz'mov V.P. The investigation of the contrast of X-ray masks repaired by laser-induced CVD // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1995. - V.A 359, N 1, 2. - P.400-403.

22. Reznikova E.F., Chesnokov V.V., Zharkova G.I., Igumenov I.K. Direct deposition of metal film patterns using nitrogen laser// J.de Physique IV. 1995. - P. 687-694.

23. Kuchumov B.M., Koretskaya T.P., Shevtsov Yu.V.,Trabin S.V., Zharkova G.I., Danilovich V.S., et al. Low-temperature VUV-stimulated MO CVD process of palladium layer deposition // ECS Transactions. 2009. - V. 25, N 8. - P. 909-916.

24. Kim A., Park H., Lee K., Jeong K., Kim C., Lee E., Lee J. Enhanced chemical vapor deposition of Pt films on UV-exposed Ti02 surfaces // Electronic Materials Letters. -2009. -V. 5,N 1. P. 35-38.

25. Kim S.-W., Kwon S.-H., Kang S.-W. Two step annealing of iridium thin films prepared by plasma-enhanced Atomic Layer Deposition // ECS Transactions. 2008. -V. 16, N4.-P. 309-314.

26. Baum T.H., Marinero E.E., Jones C.R. Projection printing of gold micropatterns by photochemical decomposition // Appl. Phys. Lett. 1986. - V. 49. - P. 1213-1215.

27. Alexandrov S.E., Hitchman M.L Chemical vapor deposition enhanced by atmospheric pressure non-thermal non-equilibrium plasmas // Chem. Vap. Deposition. 2005.-V. 11, N11-12.-P. 457-468.

28. Feurer E., Suhr H. Thin palladium films prepared by metal-organic plasma-enhanced chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1988. - V. 157, NT. - P. 8186.

29. Feurer E., Kraus S., Suhr H. Plasma chemical vapor deposition of thin platinum films // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. - V. 7, N 4. - P. 2799-2802.

30. Etspuler A., Suhr H. Deposition of thin rhodium films by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Appl. Phys. A. 1989. - V. 48, N 4. - P. 373-375.

31. Knoops H.C.M., Mackus A.J.M., Donders M.E., van de Sanden M.C.M., Notten P.H.L., Kessels W.M.M. Remote plasma and thermal ALD of platinum and platinum oxide films // ECS Transactions. 2008, - V. 16, N 4. - P. 209-218.

32. Knoops H.C.M., Mackus A.J.M., Donders M.E., van de Sanden M.C.M., Notten P.H.L., Kessels W.M.M. Remote plasma and thermal ALD of platinum and platinum oxide films // ECS Transactions. 2008, - V. 16, N 4. - P. 209-218.

33. Feurer E., Suhr H. Preparation of gold films by plasma-CVD // Appl. Phys. A. 1987. -V. 44.-P. 171-175.

34. Alexandrov S.E., McSporran N., Hitchman M.L. Remote AP-PECVD of silicon dioxide films from hexamethyldisiloxane (HMDSO) // Chem. Vap. Deposition. 2005. -V. 11,N 11-12.-P. 481-490.

35. Alexandrov S.E., Kretusheva I.V., Mishin M.V. Atmospheric pressure plasma enhanced CVD of Fe nanoparticles. // ECS Transactions. 2009. - V. 25, N 8. -P. 943-951.

36. Пат. 5104684 США, МКИ5 В 05 D 3/06. Ion beam induced deposition of metals / T.Tao, J.Melngailis (США): Massachusetts Institute of Technology (США). N 528861; Заяв. 25.05.90; Опубл. 14.04.92.

37. Puretz J., Swanson L.W. Focused ion beam deposition of Pt containing films // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. - V. 10, N 6. - P. 2695-2698.

38. Ritterhaus Y., Hur'yeva T., Lisker M., Burte E.P. Iridium electrodes for ferroelectric capacitors deposited by liquid-delivery MOCVD and PVD // ECS Transactions. 2007.- V. 2, N 7. P. 67-78.

39. Varanasi V.G., Besmann T.M., Hyde R.L., Payzant E.A., Anderson T.J. MOCVD of YSZ coatings using (3-diketonate precursors // Journal of Alloys and Compounds. 2009. V. 470, N 1-2. - P. 354-359.

40. Leskela M., Ritala M. Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures // Thin Solid Films. 2002. - V. 409. - P. 138-146.

41. Kim H. Atomic Layer Deposition of Metal and Nitride Thin films: Current Research Efforts and Applications for Semiconductor Device Processing // IBM Research Report. 2003.

42. Vogler D., Doe P. Atomic layer deposition special report: Where's the metal? // Solid State Technology. 2003. - N 1. - P. 35-40.

43. Aaltonen T, Alen P., Ritala M., Leskela M. Ruthenium Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition // Chem. Vap. Deposition. 2003. - V. 9, N 1. - P.45-49.

44. Aaltonen T, Ritala M, Tung YL, Chi Y, Arstila K, Meinander K, Leskela M. Atomic layer deposition of noble metals: Exploration of the low limit of the deposition temperature // J. Materials Research. 2004. - V. 19, N 11. - P. 3353-3358.

45. Aaltonen T, Ritala M, Sammelselg V, Leskela M. Atomic layer deposition of iridium thin films // J. Electrochem. Soc. 2004. - V. 151, N 8. - P. G489-G492.

46. Zhu Y., Dunn K. A., Kaloyeros A. E. Properties of ultrathin platinum deposited by atomic layer deposition for nanoscale copper-metallization schemes. // Journal of Materials Research. 2007, - V. 22, N 5. - P. 1292-1298.

47. Hoover R. R., Tolmachev Yu. V. Electrochemical properties of Pt coatings on Ni prepared by atomic layer deposition. Journal of the Electrochemical Society. 2009.- V. 156, N 1. P. A37-A43.

48. Vasilyev V. Yu., Mogilnikov K. P., Song Yo. W. Nucleation and growth of pulsed CVD Ru films from tricarbonylh4-cyclohexa-l,3-diene.ruthenium. // Journal of the Electrochemical Society. 2008. - V. 155, N 12. - P. D763-D770.

49. Maury F. Recent trends in the selection of metal-organic precursors for MOCVD process // Journal de Physique IV. 1995. - V.5. - P. C5-449-C5-463.

50. Larson C.E., Baum Т.Н., Jackson R.L. Chemical Vapor Deposition of Gold // J Electrochem. Soc. 1987. - V. 134, N 1. - P. 266a.

51. Hiroto U., Noriyasu S., Masamitsu S. et al. Dimethylgold beta-iminoketone for CVD. JP 06-100570, Mitsubishi Materials Corp. 1994. Appl. N 04-274965.

52. Семянников П.П., Мороз Б.Л., Трубин C.B. и др. Применение метода газовой инфильтрации для получения наноразмерных частиц золота, диспергированнных на пористом алюмооксидном носителе // Журн. структури, химии. 2006. - Т. 47.- С. 473-479.

53. Kadaa Т., Ishikawaa М., Machidaa Н., Ogurac A., Ohshitad Y., Soai К. Volatile CVD precursor for Ni film: cyclopentadienylallylnickel // J. Cryst. Growth. 2005.- V. 275.-P. 1115-1119.

54. Brissonneau L., Sahnoun R., Mijoule C., Vahlas C. Investigation of Nickelocene Decomposition during Chemical Vapor Deposition of Nickel // J. Electrochem. Soc.- 2000. V. 147, Is. 4. - P. 1443-1448.

55. De Caro D., Brissonneau L., Boursier D., Vahlas C. Composition and magnetic properties of MOCVD processed thin films fron nickelocen // J. Phys. IV France. 1999.- V. 9. P. Pr8-1099-Pr8-1106.

56. Brissonneau L., Reynes A., Vahlas C. MOCVD Processed Ni Films from Nickelocene. Part III: Gas Phase Study and Deposition Mechanisms // Chem. Vap. Deposition. 1999. - V. 5, Is. 6. - P. 281-284.

57. Michael В., Fachri A., Baiker A., Klaus-Hermann D. Morphology analysis of nickel thin films grown by MOCVD // Surface Science. 1997. - V. 371. - P. 399-408.

58. Баковец B.B., Грайфер M.3., Левашова T.M., Долговесова И.П. Кинетика осаждения никеля из паров диметилглиоксимата никеля // Неорганические материалы. 1995. - Т. 31, № 2. - С. 222-225.

59. Hyungsoo С., Sungho P., Тае Hyung Kim. Novel Nickel Precursors for Chemical Vapor Deposition // Chemistry of Materials. 2003. - V. 15. - P. 3737-3744.

60. Brissonneau L., Kacheva A., Secocq F., Kang J.-K., Rhee S.-W., Gleiizes A., Vahlas C. MOCVD of Ni and Ni3C films from Ni(dmen)2(tfa)2 // J. Phys. IV France. 1999. - V. 9. - P. Pr8-597-Pr8-604.

61. Lindahl E., Ottosson M., Carlson J.-O. Chemical Vapour Deposition of Metastable Ni3N // // ECS Transactions. 2009. - V. 25, N 8. - P. 365-372.

62. Борисов O.B., Баковец B.B., Бахтурова Л.Ф., Долговесова И.П. О кинетике осаждения пленок никеля из паров комплексного соединения Ni(HL*)2. // Неорганические материалы. 1995. - Т. 31, № 8. - С. 1117-1118.

63. Гинзбург А.А. Некоторые физико-химические свойства карбонила рения // Журн. приклад. Химии. 1961. - Т. 34, № 11. - С. 2569-2569.

64. Гинзбург A.A. Карбонил рения и способ нанесения рениевого покрытия путем разложения паров карбонила рения на нагретой вольфрамовой проволоке // Труды института Гипроникель. Д.: Гипроникель. 1962. - Т. 24, вып. 12. - С. 35-55.

65. Hermann W.A., Wächter W.M., Kuhn F.E., et al. / Mehrfachbindungen zwischen Hauptgruppenelementen und Übergangsmetallen: CLXVI. Molekulare Organorhenium-Vorstufen fur CVD-prozesse // J. Organomet. Chem. 1998. - V. 553. - P. 443-452.

66. Juarez F.L., Lafont M.-C., Senocq F., et al. Chemical vapor deposition in spouted bed reactors // Chemical Vapor Deposition XVI and EUROCVD-14. V 2003-08 / Eds Allendorf M.D., Maury F., Teyssandier F. NJ: Electrochem. Society, 2003. P. 538-548.

67. Powell C.F. Chemically Deposited Nonmetals // Vapor Deposition / Ed. C.F. Powell, J.H. Oxley, J.M. Blocher. New York, The Electrochem. Society, Inc. 1966. - P. 343-420.

68. Kim I., Koo J., Lee J., Jeon H. A Comparison of Al203/Hf02 and Al203/Zr02 Bilayers Deposited by the Atomic Layer Deposition Method for Potential Gate Dielectric Applications // Jap. J. Appl. Phys. 2006. - V. 45, N 2A. - P. 919-925.

69. Bai W., Lu N., Ritenour A.P. et al. The electrical properties of the Hf02 dielectric on Germanium and Substrate doping effect // IEEE Transactions on electron devices. 2006. -V. 53, N10.-P. 2551-2558.

70. Bradley D.C. Metal Alkoxides as Precursors for Electronic and Ceramic Materials // Chem. Rev. 1989. - V. 89. - P. 1317-1322.

71. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel mononuclear zirconium and hafnium alkoxides; improved precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 // J. Mater. Chem. -2002. -V.12. P.165-167.

72. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C., et al. Novel mononuclear alkoxide precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 thin films // Chem. Vap. Deposition. -2002,-V. 8,-P. 163-170.

73. Fujii S., Miyata N., Migita S. et al. Nanometer-scale crystallization of thin HfO? films studied by HF-chemical etching // Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 86. - P. 212907-1 -212907-3.

74. Ohshita Y., Ogura A., Hoshino A. et al. Using tetrakis-diethylamido-hafnium for Hf02 thin-film growth in low-pressure chemical vapor deposition // Thin Solid Films. -2002.-V. 406.-P. 215-218.

75. Machida H., Hoshino A., Suzuki T. et al. MOCVD precursors for Ta- and Hf-compound films // J. Cryst. Growth. 2002. - V. 237-239. -P. 586-590.

76. Williams P.A., Jones A.C., Tobin N.L. et al. Growth of hafnium dioxide thin films by liquid-injection MOCVD using alkylamide and hydroxylamide precursors // Chem. Vap. Deposition. 2003. - V. 9, N 6. - P. 309-314.

77. Pasko S.V., Hubert-Pfalzgraf L.G., Abrutis A. et al. New stencally hindered Hf, Zr and Y p-diketonates as MOCVD precursors for oxide films // J. Mater. Chem. 2004.- V. 14.-P. 1245-1251.

78. Balog M., Schibe M., Patai S., Michman M. Thin films of metal oxides on silicon by chemical vapor deposition with organometallic compounds // J. Cryst. Growth. 1972.- V. 17. P. 298-301.

79. Mathur S., Sivakov V., Shen H., Barth S., Cavelius C., Nilsson A., Kuhn P. Nanostructured films of iron, tin and titanium oxides by chemical vapor deposition. // Thin Solid Films. 2006. - V. 502, N 1-2. - P. 88-93

80. Park S., Lim S., Choi H. Chemical vapor deposition of iron and iron oxide thin films from Fe(II) dihydride complexes. // Chemistry of Materials. 2006. - V. 18, N 22. -P. 5150-5152.

81. Zhou Ya, Zhang Z-j., Yue Ya. Study on the formation of circular patterns of a-Fe203 nanoparticles via chemical vapor deposition with water and ferrocene. // Dianzi Xianwei Xuebao. 2006. - V. 25, N 2. - P. 108-112.

82. Shel D.W., Lewis J., Robinson A., Yates H.M. Doped Iron Oxide Thin Films for Photoelectrochemical Generation of Hydrogen from Water // ECS Transactions. 2009.- V. 25, N8.-P. 1081-1086.

83. Mathur S., Barth S., Werner Ulf, Hernandez-Ramirez F., Romano-Rodriguez A. Chemical vapor growth of one-dimensional magnetite nanostructures. // Advanced Materials. 2008. - V. 20, N 8. - P. 1550-1554.

84. Singh M. K., Yang Yi, Takoudis C. G. Low-Pressure Metalloorganic Chemical Vapor Deposition of Fe203 Thin Films on Si(100) Using n-Butylferrocene and Oxygen. // Journal of the Electrochemical Society. 2008. - V. 155, N 9 - P. D618-D623.

85. Chao L. Т., Wei M., MacManus-Driscoll J. L. Synthesis and characterisation of nanocrystalline iron oxides via ultrasonic spray assisted chemical vapour deposition. // Journal of Physics: Conference Series. 2005. - V. 26. - P. 304-307.

86. Kartavtseva M. S., Gorbenko O. Yu., Kaul A. R., Murzina Т. V., Savinov S. A., Barthelemy A. BiFe03 thin films prepared using metalorganic chemical vapor deposition. // Thin Solid Films. 2007. - V. 515, N 16. - P. 6416-6421.

87. Putkonen M., Sajavaara Т., Niinisto J., Jonanson L.-S., Niinisto L. Deposition of yttria-stabilized zirconia thin films by atomic layer epitaxy from (3-diketonate and organometallic precursors // J. Mater. Chem. 2002. - V. 12. - P. 442-448.

88. Chour K.-W., Chen J., Xu R. Metal-organic vapor deposition of YSZ electrolyte layers for solid oxide fuel cell application // Thin solid films. 1997. - V. 304. - P. 106-112.

89. Meng G.Y., Song H.Z., Wang H.B., Xia C.R., Peng D.K. Progress in ion-transport inorganic membranes by novel chemical vapor deposition (CVD) techniques // Thin Solid Films. 2002. - V. 409. - P. 105-111.

90. Wang H.B., Xia C.R., Meng G.Y., Peng D.K. Deposition and characterization of YSZ thin films by aerosol-assisted CVD // Materials Letters. 2000. - V. 44. - P. 23-28.

91. Akiyama Ya., Imaishi N., Shin Y.-S., Jung S.-C. Macro- and micro-scale simulation of growth rate and composition in MOCVD of yttria-stabilized zirconia // J. Crystal Growth. 2002. -V. 241. - P. 352-362.

92. Garcia G., Figueras A., Merino R.I., Orera V.M., Llibre J. Structural and optical properties of yttria-stabilized-zirconia films grown by MOCVD // Thin Solid Films. -2000. -V. 370,-P. 173-178.

93. Dubourdieu C., Kang S.B., Li Y.Q., Kulesha G., Gallois B. Solid single-source metal organic chemical vapor deposition of yttria-stabilized zirconia // Thin Solid Films. 1999.-V. 339.-P. 165-173.

94. Selbmann D., Krellmann M., Leonhardt A., Eickemeyer J. Structural properties of epitaxial YSZ and doped Ce02 films on different substrates prepared by liquid sources MOCVD (LSMOCVD). // J. de Physique IV. 2000. - V. 10. - P. Pr2-27-Pr2-33.

95. Игуменов И.К., Шипачев В.А., Горнева Г.А., Морозова Н.Б. Способ получения Р-дикетонатов родия(Ш) и иридия(Ш). Заявитель: ИНХ. Заявка N96116609/02 от 14.08.96 г. Положительное решение от 30.0.7.96 г. Патент N2105008 от 20.02.98 г.

96. Игуменов И.К., Исакова В.Г., Морозова Н.Б., Шипачев В.А. Способ получения трис-р-дикетонатов редких металлов. Заявитель: ИНХ. Заявка ЕА N199700172 от 14.08.96 г. Положительное решение от 05.04.99 г. Патент ЕА N000402 от 09.04.99 г.

97. Исакова В.Г., Игуменов И.К., Земсков С.В. Давление насыщенного пара р-дикетонатов иридия(Ш) и родия(Ш) // Корд. Химия. 1985. - Т. 11, вып. 10. -С. 1377-1380.

98. Исакова В.Г., Семянников П.П., Гранкин В.М:, Игуменов И.К. Термическая устойчивость р-дикетонатов родия (III) и иридия (III) // Коорд. химия. 1988. - Т. 14, В. 1.-С. 57-62.

99. Семянников П.П. Масс-спектрометрическое исследование термостабильности Р-дикетонатов благородных металлов в газовой фазе // Автореф. дис. . канд. хим. наук. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР. 1988. - 18 с.

100. Igumenov I.K., Turgambaeva А.Е., Semyannikov P.P. General aspects of surface chemistry of metal p-diketonates//J. Phys. IV France. -2001. -V. 11. -P. Pr3-505-Pr3-515.

101. Vargas R., Goto Т., Zhang W., Hirai T. Epitaxial growth of iridium and platinum films on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1994. -V. 65, N9.-P. 1094-1096.

102. Логвиненко B.A. Термический анализ координационных соединений и клатратов / Новосибирск: Наука. Сиб. Отделение. 1982. - 128 с.

103. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V., Asanov I.P. In situ mass spectrometry during thermal CVD of the tris-acetylacetinates of 3-d transition metal // J. de Physique IV. 2001. - V. 11. - P. Pr3-995-Pr3-1003.

104. Суворов A.B. Термодинамическая химия парообразного состояния. Jl.: Химия.- 1970. 206 с.

105. Новиков Т.Н., Суворов А.В. Мембранный нуль-манометр для измерения давления паров в широком интервале температур // Заводская лаборатория. 1959.- № 6. С. 750-751.

106. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V., Chusova T.P., Semenova Z.I. Thermodynamics of chromium acetylacetonate sublimation. // Thennochimica Acta. -2005.-V. 432.-P. 91-98.

107. Гранкин B.M., Семянников П.П. Источник ионов и высокотемпературный источник молекулярного пучка к масс-спектрометру МИ-1201 // Приборы и техника эксперимента. 1991. - № 4. - С. 129-132.

108. Сидоров А.Н., Коробов М.В., Журавлева Л.В. Масс-спектральные термодинамические исследования^ М.: МГУ. 1985. - 92 с.

109. Титов В.А., Коковин Г.А. Математические проблемы химии / Под ред. В.Д. Кудрина. Новосибирск: Изд. СО АН СССР. 1975. - С. 25-34.

110. Fedotova N.E., Mikheev A.N., Gelfond N.V., Igumenov I.K., Morozova N.B., Tuffias R.H. Modeling of mass-transportation of tris-(acetylacetonato)chromium(III) at atmospheric pressure // J.Phys. IV France. 1999. - V. 9. - P. Pr8-251-Pr8-258.

111. А.с. 1316305 СССР, МКИЗ С 23 С 16/00. Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы / А.Ф. Быков, Н.В. Гельфонд, С.В. Земсков, И.К. Игуменов. И.Г. Ларионов, С.М. Царев (СССР). № 3967495/22-02; Заяв. 25.07.85; Опубл. - 1991.-Бюл. N27.-С. 246.

112. PowderCell 2.4, Program for the Representation and Manipulation of Crystal

113. Structures and Calculation of the Resulting X-ray Powder Patterns / W. Kraus andi

114. G. Nolze, Federal Institute for Materials Research and Testing, Berlin (Germany), 2000.

115. Krumm S. An interactive windows program for profile fitting and size/strain analysis // Materials Science Forum. 1996. - Vol. 228-231. - P. 183-188.

116. Kraus W., Nolze G. / POWDER CELL a program for representation and manipulation of crystal structures and calculation of the resulting X-ray powder patterns // J. Appl. Cryst. - 1996. - V. 29. - P. 301-303.

117. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Perkin-Elmer, Eden Prairie. MN. - 1992. - 261 p.

118. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха. М.: Мир. - 1987. - 600 с.

119. Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. М.: Химия. - 1984. - 256 с.

120. Сих М.П. Количественная Оже-электронная и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия // Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д.Бриггса, М.П.Сиха. М.: Мир. - 1987.- С. 203-243.

121. Liu Y.P., Warner К., Chan С., Chen К., Markiewich R., Moore R.L. Evaluation methods and evaporation conditions for low resistivity contacts on high Tc superconductors // J. Appl. Phys. 1989. - V. 66, N 11. - P. 5514-5517.

122. Бобренок О.Ф., Предтеченский М.Р. Формирование пленок твердых электролитов на пористых несущих анодах // Электрохимия. -2009. -Т. 45, № 5. -С. 616-621.

123. Ржанов А.В., Свиташов К.К., Семененко А.И. и др. Принципы эллипсометрии / Под. ред. А.В. Ржанова. Новосибирск: Наука. - 1970.

124. Ayupov В.М. Determination of optical properties variation of silicon and glass surfaces after mechanical and plasma treatment by monochromatic ellipsometry // Optik.- 1998. Vol. 109, N 4. - P. 145-149.

125. Ayupov B.M, Zherikova K.V., Gelfond N.V., Morozova N.B. Optical properties of MOCVD Hf02 films // Physica Status Solidi. 2009. - V. A 206, N 2. - P. 281-286.

126. Morozova N.B., Zharkova G.I., Semyannikov P.P., Sysoev S.V., Igumenov I.K., Fedotova N.E., Gelfond N.V. Vapor pressure of precursois for CVD on the base of platinum group metals // J. Phys. IV France. 2001. - V. 11. - P. Pr3-609-Pr3-616.

127. Gelfond N.V., Semyannikov P.P., Trubin S.V., Morozova N.B., Igumenov I.K. Deposition of Ir Nanostructured Thin Films by Pulse CVD // ECS Transactions. 2009. - V. 25, N8.-P. 871-874.

128. Trubin S.V., Morozova N.B., Semyannikov P.P., Bessonov A.A., Gelfond N.V., Igumenov I.K. Pulse CVD Deposition of Ru Films from Ru(II) ;/5-А11уПс Complex // ECS Transactions. 2009. - V. 25, N 8. - P. 881-885.

129. Бессонов A.A. Байдина И.А., Морозова Н.Б., Семянников П.П., Трубин С.В., Гельфонд Н.В., Игуменов И.К. Синтез, кристаллическая структура и термические свойства ацетата диметилзолота(Ш) // Журн. структур, химии. 2007. - Т. 48, № 2.- С. 289-295.

130. Бессонов А.А., Морозова Н.Б., Куратьева H.B., Байдина И.А., Гельфонд Н.В., Игуменов И.К. Синтез и кристаллическая структура карбоксилатов диметилзолота(Ш) // Коорд. Химия. 2008. - Т. 34, № 1. - С. 73-80.

131. Бессонов А.А., Морозова Н.Б., Семянников П.П., Трубин С.В., Гельфонд Н.В., Игуменов И.К. Термические свойства 8-оксихинолината и 8-меркаптохинолината диметилзолота(Ш) // Коорд. Химия. 2008. - Т. 34, № 3. - С. 191-194.

132. Бессонов А.А., Байдина И.А., Морозова Н.Б., Куратьева Н.В., Гельфонд Н.В., Игуменов И.К. Синтез и кристаллическая структура 8-оксихинолината и 8-меркаптохинолината диметилзолота(Ш)! // Журн. структур, химии. 2008. -Т. 49, №1,-С. 70-74.

133. Bessonov А.А., Morozova N.B., Semyannikov P.P., Trubin S.V., Gelfond N.V., Igumenov I.K. Thermal Behaviour of Dimethylgold(III) Carboxylates // J. Therm. Anal. Cal. 2008. - V. 92, N 3. - P. 751-755.

134. Bakovets. V.V., Mitkin V.N., Gelfond N.V. Mechanism of Ni film CVD with a Ni(ktfaa)2 precursor on a copper substrate // Chem. Vap. Deposition. 2005. - V. 11, N 2. - P. 112-117.

135. Bakovets V.V., Mitkin V.N., Gelfond N.V. Mechanism of Ni film chemical vapor deposition with Ni(ktfaa)2 precursor on silicon substrate // Chem. Vap. Deposition. 2005. - V. 11, N 8-9. - P. 368-374.

136. Zherikova K.V., Morozova N.B., Kil'metiev A.V., Zelenina L.N. , Semyannikov P.P., Gelfond N.V., Chusova T.P., Igumenov I.K. Novel N-containing Precursors of Nickel(II) for Film Deposition by MOCVD // ECS Transactions. 2009. - V. 25, N 8. -P. 575-580.

137. Lemoine P., Gross M., Bousquet J., Letoffe J.M., Diot M. Thermodynamic results on a solid-phase transition in dimanganese and dirhemum decacarbonyls// J. Chem. Thermodyn 1975. - V. 7. - P. 913-917.

138. Колхаун X. M., Холтон Д., Томпсон Д., Твнгг М. Новые пути органического синтеза. Практическое использование переходных металлов. М.: Химия. 1989. - 400 с. - С. 367.

139. Баев А.К., Дсмьянчук В.В., Мирзоев Г., Новиков Г.И., Колобова Н.Е. Термодинамическое изучение карбонилов рения и рений-марганца // Журн. физ. химии, 1971.-Т. 45, №6.-С. 1368-1371.

140. Демьянчук В.В., Баев А.К., Колобова Н.Е., Анпсимов К.Н. Термодинамическое исследование карбонилов подгруппы марганца // Тезисы докладов

141. V Международного конгресса по металлоорганической химии, 16-21 августа, Москва, 1971. Т.2. - С.275-276.

142. Bykov A.F., Turgambaeva А.Е., Igumenov I.K., Semyannikov P.P. Mass spectrometric study of thermolysis mechanism of metal acetylacetonates vapour // Journal de Physique IV. 1995. - V. 5. - P. C5-191-C5-197.

143. Жаркова Г.И., Игуменов И.К., Земсков C.B. "Измерение давления насыщенного пара Р-дикетонатов платины(П) и платины(1У)" // Корд. Химия. -1983.-Т. 9, № 6. С.845-850.

144. Жаркова Г.И., Стабников П.А. Гранкин В.М., Семянников П.П., Игуменов И.К. '"р-дикетонаты палладия(П): летучесть и энергия кристаллической решетки" // Корд. Химия. 2000. - Т. 26, № 8. - С. 614-620.

145. Morozova N.B., Semyannikov P.P., Sysoev S.V., Grankin V.M., Igumenov I.K. Saturated vapor pressure of iridium(III) acetylacetonate // J. of Therm. Anal, and Cal. -2000. V. 60. - P. 489-495.

146. Morozova N.B., Zherikova K.V., Semyannikov P.P., Trubin S.V., Igumenov I.K. Study of temperature dependencies of saturated vapor pressure of ruthenium(III) beta-diketonate derivatives // J Therm. Anal, and Cal. 2009. - V. 98, N 2. - P. 395-399.

147. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.В., Земсков C.B. Тензиметрическое изучение летучих р-дикетонатов металлов / В кн. "Проблемы химии и применения р-дикетонатов металлов" М.: Наука, 1982. С. 100-120.

148. Игуменов ПК., Чумаченко Ю.В., Земсков С.В. Давление пара бис-(1,1,1-трифтор-4-имин-2-пентапон) Pd, Ni, > Pt и бис-(2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептан-дионата) Cu(II). Изв. СО ATI СССР. 1979. - сер. хим. - Т.14, вып.6. - С.10-13.

149. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.М., Земеков С.В. Давление насыщенного пара дипивалоилметаната меди(ІІ) / В кн. "Химическая термодинамика и термохимия" М.: Наука. 1979. - С. 65-66.

150. Стабников П.А., Байдина И.А., Сысоев С.В., Ванина Н.С., Морозова Н.Б., Игуменов И.К. Давление пара и кристаллическая структура бис-(2-имино-4-пентаноната) меди(ІІ) // Журн. структ. химии. 2003. - Т. 44, N 6. - С.1138-1145.

151. Zherikova K.V., Morozova N.B., Zelenina L.N., Sysoev S.Y., Chusova T.P., Igumenov I.K. Thermal properties of hafnium(IV) and zirconium(IV) p-diketonates // J. of Therm. Anal, and Cal. 2008. - V. 92, N 3. - P. 729-734.

152. Morozova N.B., Sysoev S.V., Igumenov I.K., Golubenko A.N. Study of temperature dependence of saturated vapour pressure of zirconium(IV) P-diketonates // J. of Therm. Anal. 1996. - V.46. - P. 1367-1373.

153. Константинов С.Г., Дудчик Г.П., Корсун В.П., Поляченок О.Г., Костромина Н.А. Летучесть и термическая устойчивость дипивалоилметанатов редкоземельных элементов / Проблемы химии и применения р-дикетонатов металлов. М.: Наука. 1982.-С. 143-145.

154. Brunner Н. R., Curtis В. J. The vapour pressures of several metal-2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione complexes measured by a Knudsen effusion method. // Journal of Thermal Analysis. 1973. - V. 5. - P. 111-115.

155. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.И., Земеков C.B. Изучение летучести р-дикетонатов алюминия (III). Коор. химия. 1979. - Т. 5, вып.1. - С. 34-38.

156. Siddiqi M.A., Siddiqui R.A., Atakan B. Thermal stability, sublimation pressure and diffusion coefficients of some metal acetylacetonates // Surface & Coatings Technology.- 2007. V. 201, N 22-23. - P. 9055-9059.

157. Igumenov I.K., Gelfond N.V., Morozova N.B., Nizard H. Overview of coating growth mechanisms in MOCVD processes as observed in Pt group metals // Chem. Vap. Deposition. 2007. - V. 13, N 11. - P. 633-637.

158. Гельфонд H.B., Морозова Н.Б., Громилов C.A., Данилович B.C. Филатов Е.С., Игуменов И.К. Структура рениевых покрытий, полученных методом CVD // Журнал структурной химии. 2009. - Т. 50, № 6. - С. 1179-1186.

159. Hua Y.F., Zhang L.T., Cheng L.F., Yang W.B. Structural and morphological characterization of iridium coatings grown by MOCVD // Materials Science and Engineering B. 2005. - V. 121, Is. 1-2. - P. 156-159.

160. Yang W.B., Zhang L.T., Cheng L.F., Hua Y.F., Zhang J. Structural and morphological characterization of iridium coatings grown by MOCVD // Rare metal materials and engineering. 2006. - V. 35, Is. 3. - P. 488-491.

161. Yang W., Zhang L., Hua Yu., Cheng L. Thermal stability of iridium coating prepared by MOCVD // Journal of Refractory Metals & Hard Materials. 2009. - V. 27.- P. 33-36.

162. Arndt J., Klippe L., Stolle R., Wahl G. Deposition of platinum from bis(acetylacetonato)platinum(II) // Journal de Physique IV. 1995. - V. 5. -P. C5-119-C5-126.

163. Kan-Sen Chou, Min- Jem Hwang and Ming-Yu-Shu. Experiment and Modeling on the Evaporation of (3-diketonates of Copper, Yttrium and Barium // Thermochimica Acta.- 1994.-V. 233, N 1. P. 141-152.

164. Kan-Sen Chou and Guan-Jr Tsai. Dynamic Evaporation Behavior of Diketonate of Yttrium, Copper and Barium // Thermochimica Acta.- 1994. V. 240, N 1. - P. 129-139.

165. Kan-Sen Chou, Wen-Min Wang. Modeling of Evaporation Rates of Cerium p- diketonates // Thermochimica Acta. 1996. - V. 285, N 1. - P. 75-82.

166. Мартинсон И.Г., Черепкова И.Ф. Зависимость скорости сублимаиии бензойной кислоты от температуры // Журнал прикладной химии. 1996. - Т. 69, вып. 3. -С. 386-388.

167. Шиллер JI. Движение жидкостей в трубах // M-JL: Объединенное научно-техническое издательство. НКТП СССР. - 1936. - 230 с.

168. Земсков С.В., Игуменов И.К., Жаркова Г.И., Исакова В.Г., Гельфонд Н.В. Синтез, свойства и применение (3-дикетонатов благородных металлов // Тез. докл.

169. VI Всесоюз. конф. «Химия дикарбонильных соединений». Рига. 1986. - С. 105.

170. Земсков С.В., Игуменов И.К., Жаркова Г.И., Исакова В.Г., Быков А.Ф., Гельфонд Н.В., Кангиев Р.Д. Получение металлических покрытий методом " газофазного термолиза летучих (3-дикетонатов благородных металлов // Тез. докл.

171. VII Всесоюз. конф. по процессам роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск,. -1986. Т. 3. - С. 20.

172. Гельфонд H.B., Игуменов И.К. Покрытия из платиновых металлов, полученные методом CVD // Тез. докл. XV Черняевского совещ. по химии, анализу и технологии платиновых металлов. Москва. 1993. - С. 89.

173. Gelfond N.V., Galkin P.S., Igumenov I.K., Morozova N.B., Fedotova N.E., Zharkova G.I., Shubin Yu.V. MO CVD obtaining composite coating from metal of platinum group on titanium electrodes // J. Phys. IV France. 2001. - V. 11. - P. Pr3-593-Pr3-599.

174. Гельфонд Н.В., Зайковский В.И., Игуменов И.К. Электронно-микроскопическое исследование структуры тонких иридиевых пленок, полученных методом химического осаждения из газовой фазы // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. - № 5. - С. 50-57.

175. Gelfond N.V., Igumenov I.K., Boronin A.I., Bukhtiyarov V.I., Smirnov M.Yu., Prosvirin I.P., Kwon R.I. An XPS study of the composition of iridium films obtained by MO CVD // Surface Science. 1992. V. 275. - P. 323-331.

176. Тонтегоде А.Я. Особенности диффузии углерода между поверхностью и объемом металла, содержащего в адслое фазу графита. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - № 8. - С. 13-17.

177. Буянов Р.А. Закоксование катализаторов. Новосибирск: Наука. - 1983. - 66 с.

178. Hernandez-Perez М. A., Vargas-Garcia J. R., Romero-Serrano J. A. CVD phase diagrams for the preparation of iridium films. // Revista de Metalurgia. 2002 - V. 38, N 1.-P. 30-37.

179. Goto Т., Vargas R., Hirai T. Preparation of iridium and platinum films by MOCVD and their properties // Journal de Physique IV. 1993. - V. 3. - P. 297-304.

180. Goto Т., Vargas R., Hirai T. Preparation of iridium clusters by MOCVD and their electrochemical properties. // Mater. Sci. Eng. 1996. - V. A217/218. - P. 223-226.

181. Goto Т., Ono Т., Hirai T. Preparation of iridium films by MOCVD and their application for oxygen gas sensor // The third M.V.Mokhosoev memorial international seminar on new materials. Abstracts. Irkutsk, Russia, 1996. - P. 76.

182. Гото T, Оно Т., Хираи Т. Получение иридиевых пленок методом MOCVD и их использование в кислородных датчиках // Неорганические материалы. -1997. -Т. 33, № 10. С. 1201-1206.

183. Goto Т., Опо Т., Hirai Т. Microstructure and electrical properties of Ir-C composite films prepared by MOCVD. // Funtai oyobi Funmatsu Yakin. 1998. - V. 45, N 1. - P. 20-24.

184. Sweeney C.E., Sun Ya.-M., Ekerdt J., White J. M. CVD Ir film growth and vapor piessure analysis with indium tris-acetylacetonate. National Organization for Black Chemists and Chemical Engineers. Proc. NOBCChE. - 1998. - N 25. - P. 131-136.

185. Sun Y. M., Endle J. P., Smith K., Whaly S., Mahaffy R., Ekerdt J. G., White J. M. and Hance R. L. Iridium film growth with iridium tris-acetylacetonate: oxygen and substrate effects. // Thin Solid Films. 1999. - V. 346, N 1-2. - P. 100-107.

186. Goto T., Vargas R. and Hirai T. Effect of oxygen gas addition on preparation of iridium and platinum films by metal-organic chemical vapor deposition.Mater. // Trans., JIM. 1999. - V. 40, N 3. - P. 209-213.

187. Goto T., Hirai T., Ono T. Ir cluster films prepared by MOCVD as an electrode for a gas sensor. // Trans. Mater. Res. Soc.Jpn. 2000. - V. 25, N 1. - P. 225-228.

188. Goto T., Ono T., Hirai T. Electrochemical properties of amorphous carbon/nano-granular iridium films prepared by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). // Funtai oyobi Funmatsu Yakin. 2000. - V. 47, N 4. - P. 386-390.

189. Goto T.; Ono T.; Hirai T. Electrochemical properties of iridium-carbon nano composite films prepared by MOCVD. // Scr. Mater. 2001. - V. 44, N 8-9. -P. 1187-1190.

190. Kimura T., Suzuki G., Goto T. Preparation of noble metal (Ru, Ir)-carbon nano-composites by MOCVD as catalytic electrode for oxygen sensors. // Journal of Metastable and Nanocrystalline Materials. 2005. - V. 24, N. 25. - P. 589-592.

191. Hu C., Wan J., Dai J. Iridium/Carbon films prepared by MOCVD. Platinum Metals Rev. 2005. - V. 49, N 2. - P. 70-76.

192. Sakata M., Kimura T., Goto T. Ru-C nano-composite films prepared by PECVD as an electrode for an oxygen sensor. // Key Engineering Materials. 2007. - V. 352. -P. 319-322.

193. Sakata M., Kimura T., Goto T. Microstructures and electrical properties of Ru-C nano-composite films by PECVD. // Materials Transactions. 2007. - V. 48, N 1. - P. 58-63.

194. Sakata M., Kimura T., Goto T. Preparation of C-Ru-Ru02 nano-composite films by plasma-enhanced CVD and their electrode property. // Key Engineering Materials. -2007.-V. 350.-P. 155-158.

195. Hoke J.B., Stern E.W., Murray H.H. Low-temperature vapour deposition of high-purity coatings from cyclooctadiene complexes of iridium // J. Mater. Chem. 1991.-V. 1, N 4. P. 551-554.

196. Marchi F., Tonneau D., Dallaporta H., Pierrisnard R., Bouchiat V., Safarov V., Doppelt P., Even R. Nanometer scale patterning by scanning tunneling microscope assisted chemical vapor deposition. // Microelectron. Eng. 2000. - V. 50, N 1-4. -P. 59-65.

197. Carta G., Rosetto G., Borella L., Favretto D., Traldi P. Rapid Commun. Mass spectrometry as an ancillary tool in metallo-organic chemical vapor deposition studies. // Mass Spectrom. 1997.-V. 11, N12-P. 1315-1320.

198. Hiratani M., Nabatame T., Matsui Y., Kimura S. Crystallographic and electrical properties of platinum films grown by chemical vapor deposition using (methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum. // Thin Solid Films. 2002. - V. 410, N 1-2. - P. 200-204.

199. Hu C., Dai J., Fang Y., Oyang Y., Yan G., Liu W., Cheng Y. Structure and properties of Pt/C films prepared by metalorganic chemical vapor deposition. // Xiyou Jinshu Cailiao Yu Gongcheng. 2006. - V. 35, N 4. - P. 546-549.

200. Xomeritakis G., Lin Y. S. Fabrication of thin metallic membranes by MOCVD and sputtering. // J. Membr. Sci. 1997. - V. 133, N 2. - P. 217-230.

201. Garcia G., Vargas J. R., Valenzuela M. A., Rebollar M., Acosta D. Palladium supported on alumina catalysts prepared by MOCVD and impregnation methods. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1999. - P. 237-242.

202. Smith K. C., Sun Y.-M., Mettlach N. R., Hance R. L., White J. M. Evaluation of precursors for chemical vapor deposition of ruthenium. // Thin Solid Films. 2000. -V. 376, N 1-2.-P. 73-81.

203. Гинье А. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. М.: Физматгиз. -1961.-604 с.

204. Свергун Д.И., Фейгин JI.A. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние. М.: Наука. - 1986. - 280 с.

205. Лонцова Г.А., Петров Ю.И. Высокодисперсные пленки селенида кадмия // ДАН СССР. 1988. - Т. 303, N 6. - С. 1407-1410.

206. Williamson D.L., Mahan А.Н., Nelson В.Р., Crandall R.S. The observation of microvoids in device quality hydrogenated amorphous silicon // J. Non-Crystal. Solids. -1989. -V. 114.-P. 226-228.

207. Miyazki S., Mishima Y., Hirose M., Osaka Y. Morphological fluctuations in discharge-produced p,c-Si:H studied by small angle X-ray scattering // J. Non-Crystal. Solids. 1983. - V. 59-60. - P. 787-790.

208. Messier R. Toward quantification of thin film morphology // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. - V. 4, N 3. - P. 490-495.

209. Плавник Г.М. Нахождение распределения по размерам малоанизометрических частиц неодинаковой формы методом малоугловой рентгенографгат // Кристаллография. 1984. - Т. 29, В. 2. - С. 210-219.

210. Ruland W. Small-angle scattering of two-phase systems: determination and significance of systematic deviations from Porod's low // J. Appl. Cryst. 1971. - V. 4, N 1.- P. 70-73.

211. Gill P.E., Murray W., Wright M.H. Practical optimization. London: Academic Press. - 1981.-510 p.

212. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K.N. Electronic structure of iridium silicides // Phys.Rev.B. 1986. - V. 33, N 8. - P. 5391-5400.

213. Escard J., Potvianne В., Contour J.P. XPS study of the support-metal interaction in the iridium catalysts supported on the oxides // J. Electr. spectr. and Relat. Phenom.- 1975.-V. 6.-P. 17-26.

214. Wertheim G.K. Core-electron binding energies in free and supported metal clusters // Z. Phys. B. Condensed Matter. - 1987. - V. 66. - P. 53-63.

215. Mason M.G. Electronic structure of supported small clusters // Phys. Rev. B. 1983.- V. 27, N 2. P. 748-762.

216. Cheung T.T.P. X-ray photoemission of Pb and Sn particles supported on carbon // Chem. Phys. Lett. 1984. - V. 110. - P. 219-222.

217. Kim K.S., Winograd N. X-ray photoelectron spectroscopic energy shifts due to matrix in alloys and small supported metal particles // Chem. Phys. Lett. 1975. - V. 30, N 1. - P. 91-95.

218. Parmigiani F., Kay E., Bagus P.S. Core binding energies for clusters deposited on different insulating substrates: ESCA spectra and theoretical electronic structure studies // J. Electron Spectr. and Relat. Phenom. 1985. - V. 36, N 3. - P. 257-267.

219. McVicker G.B., Garten R.L., Baker R.T.K. Surface area stabilization of Ir/Al203 catalysts by CaO, SrO and BaO* under oxygen atmospheres: implications on the mechanism of catalyst sintering and redispersion // J. Catal. 1978. - V. 54, N 2. -P. 129-142.

220. Burkhardt J., Schmidt L.D. Comparison of microstructures in oxidation and reduction: Rh and Ir particles on Si02 and A1203 // J. Catal. 1989. - V. 116, N 1. -P. 240-251.

221. Katrib A., Stanislaus A., Yousef R.M. XPS investigations of metal-support interactions in Pt/Si02, Ir/Si02 and Ir/Al203 systems // J. Mol. Struct. 1985. - V. 129, N 1-2.-P. 151-163.

222. Petersson S., Baglin J., Hammer W., D'Heurle F., Kuan T.S., Ohdomari I., de Sousa Pires J., Tove P. Formation of iridium silicides from Ir thin films on Si substrates // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, N 5. - P. 3357-3365.

223. Hamilton J.C., Yang N.Y.C., Clift W.iVI., Boehme D.R., McCarty K.F., Franklin J.E. Diffusion mechanism in chemical vapor-deposited iridium coated on chemical vapor-deposited rhenium // Met. Trans. 1992. - V. 23A, N 3. - P. 851-855.

224. Crane E. L., You Yu., Nuzzo R. G., Girolami G. S. Mechanistic Studies of CVD Metallization Processes: Reactions of Rhodium and Platinum b-Diketonate Complexes on Copper Surfaces. // J. Am. Chem. Soc. 2000. - V. 122, N 14. - P. 3422-3435.

225. Загародников В.П., Варгафтик М.Н., Кочубей Д.И., Чувилин А.Л., Сахаров С.Г., Майфат М.А. Гиганский кластер палладия с гранепентрированной кубической решеткой металлоостова // Известия Академии наук, сер. хим. 1986. - № 1.-С.253.

226. Powder Diffraction File. Alphabetical Index. Inorganic Phases. Sets 1-46./ ICDD. 1996. USA. 927 p.

227. Wiltner A., Lmsmeier Ch. Formation of endothermic carbides on iron and nickel // Phys. stat. sol. (a). 2004. - V. 201, N 5. - P. 881-887.

228. Миначев X.M., Антошин Г.В., Шпиро E.C. Фотоэлектронная спектроскопия и ее применение в катализе. М.: Наука, 1981. - 216 с.

229. Краткая химическая энциклопедия. Ред. Кол. ИЛ. Кнунянц (отв. ред.) и др. Т. 2. М.: Советская энциклопедия. 1963. - С. 470.

230. Кисилев В.Ф. Реакционная способность адсорбированных молекул и электронные процессы на поверхности твердого тела // Кинетика и катализ. 1970. -Т. XI, №2.-С. 403-421.

231. Litle L. Н., Infrared Spectra of Adsorbed Species, Academic Press, London-New York. 1966. - 428 p.

232. Фомин Э.С., Баковец B.B., Икорский B.H. Квантово-химическое исследование изменений магнитного состояния молекул Ni(AA)2 и Ni(ktf)2, адсорбированных на поверхности естественного оксида кремния // Журнал структурной химии. 1998. -Т. 39, №2.-С. 231-238.

233. Крылов О.В., Кисилев В.Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. М.: Химия. 1981. - 288 с.

234. Радциг В.A. «Reactive Silica» новые представления о структуре поверхностных дефектов //Химическая физика. - 1991. - Т. 10, № 9. - С. 1262-1279.

235. Morrison S. R. The Chemical Physics of Surfaces. Plenum Press, New York. 1977. -438 p.

236. Leuz D. H., Conner W.C. Hydrogen Spillover on Silicon // J. Catalysis. 1988.- V. 112, N 1. P. 116-125.

237. Dhara S., Awasthy B.R., Rastogi A.C., Das B.K., Gelfond N.V., Fedotova N.E., Bykov A.F., Igumenov I.K. Parametric investigation for direct chemical vapour deposition of magnetite films // J. Magnetism and Magnetic Materials. 1994. - V. 134.- P.29-33.

238. Bessergenev V. G., Pereira R. J. F., Botelho do Rego A. M. Thin film sulphides and oxides of 3d metals prepared from complex precursors by CVD. // Surface and Coatings Technology. 2007. - V. 201, N 22-23. - P. 9141-9145.

239. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. 3 часть. М.: Мир. 1969. - 592 с.

240. Suzuki Y., Kusaka Т., Aoki A., Aoyama Т., Yotsuya Т., Ogawa S. The contact resistance of the YBa2Cu307x metal film system // Japan. J. Appl. Phys. - 1989. - V. 28, N 12. - P. 2463-2467.

241. Jing T.W., Wang Z.Z., Ong N.P. Gold contacts on superconducting crystals of YBa2Cu307x with very low contact resistivity // Appl. Phys. Lett. 1989. - V. 55, N 18. -P. 1912-1914.

242. Бешенков В.Г., Головчанский M.E., Марченко B.A. Взаимодействие на границах раздела монокристалла YBa2Cu307x с Si, SiC, Si02 // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1989. - Т. 2, N 11. - С. 136-140.

243. Selim R., Caton R., Buoncristiani A.M., Byvik C.E., Edahl R.A., Wise S. Low-resistance noble metal contacts to high temperature superconductors // J. Appl. Phys. -1990.-V. 67, N1.-P. 376-378.

244. Bykov A.F., Morozova N.B., Igumenov I.K., Sysoev S.V. Investigation of thermal properties of ruthenium(III) (3-diketonate precursors for preparation of Ru02 films by CVD // J. Therm. Anal. 1996. - V. 46. - P. 1551-1565.

245. O'Neil A., Watkins J.J. Reactive Deposition of Conformal Ruthenium Films from Supercritical Carbon Dioxide Solution // Chemistry of materials. 2006. - V. 18, N 24. -P. 5652-5658.

246. Lo N. R., Malandrino G., Fiorenza P., Fragala I.L. Template-free and seedless growth of Pt nanocolumns: Imaging and probing their nanoelectrical properties // ACS NANO. 2007. - V. 1, Is. 3.- P. 183-190.

247. Aoyama Т., Eguchi K. Ruthenium films prepared by liquid source chemical vapor deposition using bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2.- 1999. -V. 38, N 10A. P. L1134-L1136.

248. Gelfond N.V., Morozova N.B., Igumenov I.K., Nizard H., Fietzek H., Gimeno

249. Fabra L., Redjaimia A. Structural features of Ir and Pt films obtained by MOCVD //

250. Abstracts of the 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry th

251. PN) and the 12 Asia-Pacific Academy of Materials (АРАМ) Topical Seminar. Kaohsiung, Taiwan. October 4 6, 2005. - P. ЗЗ.Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. - М.: Металлургиздат, 1962. - 1488 с.

252. The Pauling File Inorganic Materials Database and Design System—Binaries Edition, ASM International: Ohio, 2002.

253. Tuffias R.H., Duffy A.J., Arrieta V.M., Abrams W.M., Benander R.E. Materials and fabrication processes for operation in hot hydrogen // Conf. Proc. 1997. - V. 387 (Pt. 3, Space Technology & Applications International Forum). - P. 1613-1618.

254. Reed В., Biaglow J., Schneider S. Iridium-coated rhenium radiation-cooled rockets // Rhenium Alloys, Proc. Int. Symp. / Edited by: B. D. Bryskin. Minerals, Metals & Materials Society: Warrendale, Pa. 1997. - P.443-457.

255. Tuffias R. H. Fabrication processes for iridium/rhenium combustion chambers // Mater. Manuf. Processes. 1998. - V. 13, N 5. - P. 773-782.

256. Tuffias R. H. State-of-the-art fabrication processes for iridium/rhenium thrust chambers // Rhenium Alloys, Proc. Int. Symp. / Edited by: B.D. Bryskin. Minerals, Metals & Materials Society: Warrendale, Pa. 1997. P. 251-260.

257. Ни C., Chen L. Recent progress in Ir/Re rocket nozzle. Guijinshu. 2007. - V. 28, N 4. - P. 57-62 .

258. Isobe Y., Yazawa Y., Son P., Miyake M. Chemically vapour-deposited Mo/Re double-layer coating on graphite at elevated temperatures // Journal of the Less Common Metals. 1989. - V. 152, Is. 2, - P. 239-250.

259. Isobe Y., Tanaka M., Yamanaka S., Miyake M. Chemical vapour deposition of rhenium on graphite // Journal of the Less Common Metals. 1989. - V. 152, Is. 1. -P. 177-184.

260. Савицкий E.M., Тылкина M.A., Поварова К.Б. // Сплавы рения. М.: - Наука.- 1965.- 335 с.

261. Coupland D.R. Advanced coating technology A.C.T. More effective use of the platinum metals will benefit the glass manufacturing industry // Platinum Metals Review.- 1993. V.37, N2.-P. 62-70.

262. Coupland D.R., McGrath R.B., Evens J.M., Hartley J.P. Progress in platinum group metal coating technology, ACT. Coated components improve the glass industry. // Platinum Metals Review. 1995. - V. 39, N 3. - P. 98-107.

263. McGrath R.B., Badcock G.C. New dispersion strengthened platinum alloy // Platinum Metals Review, 1987, - V. 31, N 1. - P. 8-11.

264. Whalen M.V. Space station resistojets. The compatibility of dispersion-strengthened platinum with candidate propellants // Platinum Metals Review. 1988! -V. 32, N l.-P. 2-10.

265. Баринов C.M., Шевченко-В.Я. "Прочность технической керамики", М: Наука. 1 1996.- 158 с.

266. Battiston G. A., Gerbasi R., Porchia М., Gasparotto A. MOCVD of nanostructured composite Ti02-Pt thin films. A kinetic approach. // Chem. Vap. Deposition. 1999. -V. 5,N l.P. 13-20.

267. Daniele S., Bragato C., Battiston G. A., Gerbasi R. Voltammetric characterisation of Pt-Ti02 composite nanomaterials prepared by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). // Electrochim. Acta. 2001. - V. 46, N. 19. - P. 2961-2966.

268. Martin T. P., Tripp C. P., DeSisto W. J. Composite platinum/silicon dioxide films deposited using CVD. // Chem. Vap. Deposition. 2005. - V. 11, N 3. - P. 170-174.

269. Kang Sang Ye., Lim H. J., Hwang Ch. S., Kim H. J. Thermal-stability and deposition behaviors of Ru thin films prepared by using metalorganic chemical vapor deposition. // Journal of the Korean Physical Society. 2004. - V. 44, N 1. - P. 25-29.

270. Hayfield P.C.S. Development of the Noble Metal/Oxide Coated Titanium Electrode. Platinum Metals Rev. 1998. - V. 42, N 27-33. - P. 46-55.

271. Raub E. Metals and alloys of the platinum group. J. Less-Common Metals. 1959. -V. l.-P. 3-8.

272. Stambouli A.B., Traversa E. Solid oxide fuel cells (SOFCs): a review of an environmentally clean and efficient source of energy // Renewable and Sustainable Energy Reviews. 2002. - V. 6. - P. 433-455.

273. Ormerod R.M. Solid oxide fuel cell // Chem. Soc. Rev. 2003. - V. 32. - P. 17-28.

274. De Bruijn F. The current status of fuel cell technology for mobile and stationary application // Green Chemistry. 2005. -УЛ.- P. 132-150.

275. Will J., Mitterdorfer A., Kleinlogel C., Perednis D., Gauckler L.J. Fabrication of thin electrolytes for second-generation solid oxide fuel cells // Solid State Ionics. 2000. -V. 131.-P. 79-96.

276. Домрачеев Г.А., Шитова Э.В., Водзинский В.Ю., Суворова О.Н. Механизм образования пленок двуокиси циркония из ацетилацетоната циркония и некоторые их электрофизические свойства. // ДАН СССР. 1976. - Т. 226, № 5. - С. 1080-1083.

277. Морозова Н.Б., Игуменов И.К., Митькин В.Н., Краденов К.В., Потапова О.Г., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х. Комплексы ZrIV с Р-дикетонами. // Журнал неорганической химии. 1989. - Т. 34, В. 5. - С. 1193-1198.

278. Cao С.В., Wang J.T., Yu W.J., Peng D.K., Meng G.Y. Research on YSZ thin films prepared by plasma-CVD process // Thin Solid Films. 1994. - V. 249. - P. 163-167.

279. Luten H.A., Rees Jr W.S., Goedken V.L. Preparation and structural characterization of, and chemical vapor deposition studies with, certain yttrium tris(p-diketonate) compounds // Chem. Vap. Deposition. 1996. - V. 2, N 4. - P. 149-161.

280. Bykov A.F., Semyannikov P.P., Igumenov I.K. Mass-spectrometric study of gasphase thermal stability of yttrium(III) tris(dipivaloylmethanate) vapour // J. Thermal Analysis. 1992. - V. 38. - P. 1477-1486.

281. Varanasi V.G., Besmann T.M., Hyde R.L., Payzant E.A., Anderson T.J. MOCVD of YSZ coatings using P-diketonate precursors // Journal of Alloys and Compounds. 2009. -V. 470, N 1-2.-P. 354-359.

282. Ritterhaus Y., Hur'yeva T., Lisker M., Burte E.P. Iridium thin films deposited by liquid delivery MOCVD using Ir(EtCp)(l,5-COD) with toluene solvent. Chem. Vap. Deposition. 2007. - V.13, N 12. - P. 698-704.