Физико-химические процессы модификации тонких пленок на основе полиметилметакрилата тепловым, ультразвуковым и электронно-лучевым воздействием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Плотнов, Алексей Владимирович

• Плотнов, Алексей Владимирович
• кандидат химических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат химических наук Плотнов, Алексей Владимирович

Введение

Глава 1. Литературный обзор.

1Л. Литографические методы в микроэлектронном производстве.

1Л Л. Метод электронно-лучевой литографии

1Л.2. Литографические характеристики электронорезистов.

1.2. Характеристика электронорезистов на основе полиметилметакрилата.

1.3. Процессы формирования тонких пленок из растворов полимеров.

1.3.1. Пленкообразование слоя резиста при центрифугировании.

1.3.2. Пленкообразование слоя резиста при термообработке

1.3.3. Структурные особенности тонких пленок на основе полиметилметакрилата.

1.4. Анализ литературных данных, теоретическое обоснование работы и выбор направления исследования.

Глава 2. Исследование процесса формирования тонких пленок на основе полиметилметакрилата

2.1. Методика атомно-силовой микроскопии при исследовании тонких полимерных пленок.

2.2. Методика формирования тонких пленок полимерных резистов.

2.3. Микрозондовые исследования структуры тонкой пленки полиметилметакрилата.

2.4. Исследование процесса пленкообразования резиста на основе полиметилметакрилата при центрифугировании.

2.5. Исследование процесса формирования тонких пленок на основе полиметилметакрилата при тепловом воздействии.

2.6. Модель процесса формирования тонких пленок на основе полиметилметакрилата при тепловом воздействии.

Глава 3. Исследование модификации тонких пленок на основе полиметилметакрилата после ультразвукового воздействия.

3.1. Методика проведения эксперимента

3.2. Экспериментальные результаты изменения молекулярной структуры тонких пленок на основе полиметилметакрилата.

3.3. Анализ ультразвукового воздействия на резисты на основе полиметилметакрилата

Глава 4. Исследование модификации тонких пленок на основе полиметилметакрилата после электронно-лучевого воздействия.

4.1. Особенности процесса электронно-лучевого воздействия на пленки резиста на основе полиметилметакрилата.

4.2. Методика проведения эксперимента

4.3. Исследование модификации тонких пленок сополимера метилметакрилат-метакриловая кислота при электронно-лучевом воздействии.

4.4. Метод локального повышения чувствительности электронорезиста на основе сополимера метилметакрилат-метакриловая кислота.

Выводы

Список используемой литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические процессы модификации тонких пленок на основе полиметилметакрилата тепловым, ультразвуковым и электронно-лучевым воздействием»

Развитие полупроводникового производства сопровождается планомерным увеличением степени интеграции элементов микросхем за счет снижения топологических размеров формируемых приборов. Определяющая роль в достижении каждого нового рубежа миниатюризации связана с развитием методов литографии, которое идет по пути совершенствования свойств материалов и технологий процесса.

Широкое распространение в качестве чувствительного слоя при формировании экспонированием и проявлением топологии защитной маски интегральной схемы получили тонкие пленки резистов на основе полимеров полиметилметакрилата (ПММА). Преимущества использования ПММА-резистов обусловлены их высокой разрешающей способностью (~0Д мкм), хорошими пленкообразующими и маскирующими свойствами, универсальной чувствительностью при экспонировании ультрафиолетовым и ионизирующими излучениями. Существенным недостатком ПММА-резистов является низкая чувствительность к коротковолновому ультрафиолету (~0,6ч-0,9 Дж/см ) и ионизирующим излучениям (для электронов ~50 мкКл/см ), обусловленная низким фото- и радиационно-химическим выходом деструкции. Это значительно снижает производительность высокопрецизионных сканирующих методов литографии. Поэтому актуальным является разработка физико-химических методов модификации резистов на основе ПММА с целью повышения их чувствительности и сохранении высокой разрешающей способности.

Определяющим фактором стабильного высокого выхода годных приборов является процесс формирования пленки резиста на подложке для получения бездефектной резистной маски. Поскольку толщина пленки резиста в субмикронном производстве снижается до уровня 0,2-^1 мкм, поэтому приобретают актуальность вопросы установления физикохимической структуры тонкой пленки ПММА и исследования физико-химических особенностей пленкообразования тонких слоев ПММА-резиста методом центрифугирования и конвекционной термообработки.

Цель настоящей работы состояла в установлении физико-химических закономерностей модификации тонких пленок на основе ПММА, сформированных методом центрифугирования, при тепловом, ультразвуковом и электронно-лучевом воздействии.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые:

1. Методом атомно-силовой микроскопии установлена структура тонкой пленки ПММА, сформированной на подложке методом центрифугирования и конвекционной термообработки. Определено, что для пленки ПММА-резиста характерна неоднородная структура: на поверхности пленки, формируется тонкий приповерхностный слой, плотность упаковки макромолекул которого выше плотности объемной фазы полимерной пленки.

2. Выявлен периодический характер изменения толщины пленки ПММА-резиста при удалении растворителя методом конвекционной термообработки; дано теоретическое описание процесса периодического изменения толщины.

3. Установлено повышение светочувствительности пленок резистов на основе ПММА после ультразвукового воздействия на растворы полимеров в атмосфере воздуха и после воздействия на пленки электронным пучком дозой ниже чувствительности резиста.

Практическая значимость работы заключается в том, что разработан метод локального повышения чувствительности резистов на основе ПММА, позволяющий увеличить производительность сканирующей электроннолучевой литографии за счет уменьшения в 2 раза дозы электронно-лучевого экспонирования.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. При формировании тонкой пленки ПММА из раствора в диглиме методом центрифугирования и конвекционной термообработки на поверхности пленки, образуется тонкий приповерхностный слой, характеризуемый более высокой плотностью упаковки макромолекул по сравнению с плотностью объемной фазы полимерной пленки. Для пленки ПММА толщиной порядка 1 мкм толщина приповерхностного слоя составляет 14-^70 нм.

2. Неоднородность структуры пленки ПММА-резиста приводит к эффекту периодического изменения толщины пленки ПММА-резиста при конвекционной термообработке, что связано с недиффузионным механизмом удаления растворителя.

3. Воздействие на растворы ПММА-резистов в диглиме ультразвуком с частотой 21 кГц и интенсивностью 300 Вт/м в атмосфере воздуха приводит к повышению светочувствительности в диапазоне 200^-250 нм, что обусловлено механохимической модификацией с образованием дополнительных карбонильных групп С=0 в цепи полимера.

4. При облучении тонких пленок сополимера метилметакрилат-метакриловая кислота (ММА-МАК) электронным пучком с дозой в 2 раза ниже чувствительности полимера происходит увеличение светочувствительности в диапазоне 200^-250 нм за счет возрастания числа оптически активных связей в пленке полимера. При этом для растворов ММА-МАК в диглиме модифицированных ультразвуком достигается более высокая светочувствительность после облучения электронным пучком с дозой в 2 раза ниже чувствительности полимера.

Автор выражает благодарность к.т.н., доц. Тригубу В.И., за постоянные научные консультации при выполнении работы.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Плотнов, Алексей Владимирович

ВЫВОДЫ

1. Впервые с помощью метода АСМ показано, что в процессе формирования тонкой пленки ПММА-резиста из раствора в диглиме методом центрифугирования и конвекционной термообработки на поверхности пленки, контактирующей с воздухом, образуется приповерхностный слой, для которого характерна более высокая плотность упаковки макромолекул по сравнению с плотностью объема полимерной пленки. Установлено, что для пленки ПММА толщиной порядка 1 мкм толщина приповерхностного слоя составляет 14+70 нм.

2. Исследована экспериментальная зависимость изменения толщины пленки ПММА-резиста от времени в процессе центрифугирования и получено хорошее согласие экспериментальных и расчетных значений толщины пленки в основе которых заложено представление о том, что стабилизация толщины пленки резиста обусловлена барьерным эффектом удаления растворителя и образованием уплотненного приповерхностного слоя.

3. Исследована зависимость толщины пленки резиста от времени при конвекционной термообработке и экспериментально установлено, что в процессе удаления остаточного количества растворителя при конвекционной термообработке пленок ПММА-резиста наблюдается эффект периодического изменения толщины пленок, что обусловлено недиффузионными процессами удаления растворителя.

4. Исследовано воздействие ультразвука с частотой 21 кГц и интенсивностью 300 Вт/м в атмосфере воздуха на растворы ПММА и ММА-МАК в диглиме. Методами ИК- и УФ- спектроскопии установлено, что при ультразвуковом воздействии происходит механохимическая модификация резиста с образованием дополнительных карбонильных

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Плотнов, Алексей Владимирович, 2002 год

1. Валиев К.А., Раков A.B. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М: Радио и связь, 1984. - 352 с.

2. Okazaki S. Lithographie technology for future ULSIs// Solid State Technology.- 1991. V.34. -№11.- P.77-82.

3. Гревцев H.B. Тенденции и перспективы развития способов и оборудования литографии малых размеров// Электронная техника. Сер.З.- 1987. Вып.4. - С.162-170.

4. Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. М.: Наука, 1990. - 528 с.

5. Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. В 2-х ч. Ч. 1.- М. : Мир, 1990.-605 с.

6. Деркач В.П., Кухарчук М.С. Электронная литография как эффективное средство для освоения субмикронных размеров элементов БИС// Микроэлектроника. 1980. - Т.9. - Вып.6. - С.498-515.

7. Гуляев Ю.Ф. Яфаров Р.К. Возможности и проблемы электронной литографии// Электронная техника. Сер.З. 1984. - Вып.5. - С.3-9.

8. Мартынов В.В. Выбор литографического метода в производстве БИС// Электронная промышленность. 1988. - Вып.4. - С.3-8.

9. Berner T.D. Practical consideration in the implementation of same-level mixed lithography// J. Electrochem. Soc. 1983. - Vol.130. - №2. - P.474-478.

10. Сатаров Г.Х., Блинов И.Г., Гаряева Г.О. Современное состояние электронно-лучевого оборудования// Микроэлектроника. 1980. - Т.9. -Вып.4.-С.310-318.

11. И.Попов В.К., Виноградова М.С. Электронная литография// Обзоры по электронной технике. Сер. 1.-1981.- Вып. 11. 56 с.

12. Попов В.К., Ячменев С.Н. Электронная литография// Обзоры по электронной технике. Сер.7. 1985. - Вып. 19. - 52 с.

13. Панкратов И.В., Сатаров Г.Х, Деулин Е.А. и др. Анализ производительности электронно-лучевого литографического оборудования// Обзоры по электронной технике. Сер.7. 1986. - Вып. 14. -44 с.

14. Задоенко А.В., Стемпковский A.JI. Исследование возможности повышения производительности электронно-лучевого экспонирования гауссовским пучком// Микроэлектроника. 1986. - Т. 15. - Вып.4. -С.370-375.

15. Боков Ю.С. Фото-, электроно- и рентгенорезисты. М.: Радио и связь, 1982.- 136 с.

16. Haller I., Hatzakis М., Srinivassan R. High-resolution positive resists for electron-beam exposure// IBM J. Res. Dev. 1968. - №5. - P.251-256.

17. Бовей Ф. Действие ионизирующих излучений на природные и синтетические полимеры. М.: Иностр. лит., 1959. - 295 с.

18. Чарлзби А. Ядерные излучения и полимеры. М.: Иностр. лит., 1962. -522 с.

19. Ku Н., Scala L. Polymeric electron beam resists// J. Electrochem. Soc. 1969. - №7. - P.980-985.

20. Боков Ю.С., Сбежнев Г.Т. Сенситометрия электронорезистов// Электронная техника. Сер.З. 1980. - Вып.6. - С.74-78.

21. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов/ Под ред. Дж. Р. Брюэра. М.: Радио и связь, 1984. - 336 с.

22. Светочувствительные полимерные материалы/ Под ред. А.В. Ельцова. -Л.: Химия, 1985.-296 с.

23. Селиванов Г.К., Мозжухин Д.Д., Грибов Б.Г. Электроно- и рентгеночувствительные резисты в современной микроэлектронике// Микроэлектроника. 1980. - Т.9. - Вып.6. - С.517-539.

24. Greeneich J.S. Developer characteristics of poly-(metil-metacrilate) electron resist// J. Electrochem. Soc. 1975. - V.122. - №7. - P.970-976.

25. Генкин B.H., Мыльников М.Ю. Модель жидкостного проявления позитивных полимерных резистов// Микроэлектроника. 1989. - Т. 18. -Вып.1. - С. 15-21.

26. Atoda N., Komuro М., Kawakatsu Н. Molecular-weight dependence of developed contours in poly-(methyl methacrylate) electron resists// J. Appl. Phys. 1979. - V.50. - №5. - P.3707-3712.

27. Haller J., Feder R., Hatzakis M., Spiller E. Copolymers of methylmethacrilate and metacrylic acid and their metal salts as radiation sensitive resist// J. Electrochem. Soc. 1979. - V. 126. - № 1. - P. 154-161.

28. Moreau W., Merritt D., Moyer W., Hatzakis M., Johnson D., Pederson L. Speed enhancement of PMMA resist// J. Vac. Sci. and Technol. 1979. -V.16. -№6. — P.l989-1991.

29. Helbert J.N., Cook C.F., Pittman C.V. Positive electron-beam resist behavior for methacrylonitrile and methyl a-chloroacrylate polymers and copolymers// J. Vac. Sci. and Technol. 1979. - V.16. - №6. - P. 1992-1995.

30. Hatzakis M. PMMA copolymers as high sensitive electron resist// J. Vac. Sci. and Technol. 1979.-V.16.-№6.-P. 1992-1995.

31. Балашова Н.Г., Селиванов Г.К., Мозжухин Д.Д., и др. Электронорезисты на основе сополимеров метилметакрилата и метакриловой кислоты// Электронная техника. Сер. Материалы. 1979. - Вып. 10. - С.61-66.

32. Богданов А.Л., Валиев К.А., Беликов Л.В. и др. Наведенная облучением пористость и микролитографические свойства ПММА// Микроэлектроника. 1988. -Т.17. -Вып.З. -С.261-265.

33. Новожилов А.В., Бочканова Е.В., Максимов С.И. и др. Повышение чувствительности резистов к синхротронному излучению// Электронная промышленность. 1992. - №3. - С.38-39.

34. Александров Ю.М., Валиев К.А., Беликов JI.B. и др. Рентгеночувствительные резисты для субмикронной литографии// Микроэлектроника. 1983. - Т. 12. - Вып. 1. -С.3-10.

35. Булгакова С.А., Лопатин А .Я., Лучин В.И. и др. Рентгенорезисты на основе полиметилметакрилата для спектрального диапазона 13 нм// Поверхность. 1999. -№1. - С. 133-139.

36. Булгакова С.А., Семчиков Ю.Д., Семенов В.В. и др. Передача цепи как метод модификации резиста на основе полиметилметакрилата// Высокомолекулярные соединения. Сер. Б. 1995. - Т.37. - №4. - С.706-708.

37. Булгакова С.А., Лопатин А.Я., Лучин В.И. и др. Модификация ПММА-резиста органогидриддисиланами для повышения его чувствительности к рентгеновскому излучению// Поверхность. -2000. -№1. С. 140-143.

38. Александров А.П., Алехин А.П., Виноградова Т.Д. и др. Методы повышения чувствительности и плазмостойкости позитивных рентгенорезистов// Электронная промышленность. 1992. - №3. - С.36-38.

39. Choi J.O., Moore J.A., Corelli J.C. and oth. Dégradation of poly(methylmethacrilate) by deep ultraviolet, x-ray, electron beam and proton beam radiation// J. Vac. Sci. and Technol. 1988. - №6. - P.2286-2289.

40. Симионеску К., Опреа К. Механохимия высокомолекулярных соединений. М.: Мир, 1970. — 356 с.

41. Барамбойм Н.К. Механохимия высокомолекулярных соединений. М.: Химия, 1978.-384 с.

42. Генкин В.H. Оптические методы в субмикронной литографии// Известия АН СССР. Сер. Физич,- 1987. Т.51. - №2. - С.372-377.

43. Aleksandrov A., Genkin V., Deniskin V. and oth. Photochemical process increasing the solibility of some polyacrylates exposed to radiation// 13th Int. Conf. photochem.: Abstr. vol. 2. Budapest, 1987. - P.494.

44. Виноградов A.A, Генкин B.H., Китай M.C. и др. Кинетика фоторадикальных реакций в полиметилметакрилате при комнатной температуре// Химия высоких энергий. 1988. - Т.22. - №4. - С.347-351.

45. Виноградов А.А., Генкин В.Н., Мыльников М.Ю. и др. Кинетика фотодеструкции полиметилметакрилата, предварительно облученного рентгеновским излучением// Химия высоких энергий. 1987. - Т.21. -№1. - С.61-64.

46. Александров А.П., Битюрин Н.М., Генкин В.Н. и др. Кинетика фототравления и модификации полиметилметакрилата в диапазоне 200-300 нм// Микроэлектроника. 1989. -Т .18. - Вып.1. - С.22-26.

47. Александров А.П., Битюрин Н.М., Генкин В.Н. и др. Особенности фототравления полиметилметакрилата под действием излучения дальнего УФ-диапазона// Поверхность. 1986. -№10. - С.106-114.

48. Айзенберг И.А., Буравлев А.В. Травление пленок полиметилметакрилата в озон-кислородных смесях при использовании ультрафиолетового излучения// Поверхность. 1990. -№2. - С.128-135.

49. Глазштейн Л.Я., Кораблин А.С. Полимерные резисты для электроно литографии// Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы. 1972. - Вып. 12. - 156 с.

50. Иванов B.C. Радиационная химия полимеров. JL: Химия, 1988. - 320 с.

51. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.-496 с.

52. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. М.: Микрон-принт, 1999. - 226 с.

53. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991.-528 с.

54. Парфенов О.Д. Технология микросхем. М.: Высш. шк., 1986. - 320 с.

55. Emslie A., Bonner F., Peck L. Flow of a viscous liquid on a rotating disk// J. Appl. Phys. 1958. - V.29. - №5. - P.858-862.

56. Acrivos A., Shah M., Petersen E. On the flow of a non-newtonian liquid on a rotating disk// J. Appl. Phys. 1960. - V.31. - №6. - P.963-968.

57. Парамонов А.И., Прохоцкий Ю.М. Формирование пленок фоторезиста методом центрифугирования// Электронная промышленность. 1975. -№6. - С.60-65.

58. Meyerhofer D. Characteristics of resist films produced by spinning// J. Appl. Phys. 1978. - V.49. - №7. - P.3993-3997.

59. Flack W., Soong D., Bell A., Hess D. A mathematical model for spin coating of polymer resists// J. Appl. Phys. 1984. - V.56. - №4. P. 1199-1206.

60. Чесунов B.M., Васенин P.M Кинетика испарения растворителя при пленкообразовании из растворов полимеров// Высокомолекулярные соединения. Сер.А. 1967. - Т.9. -№10. - С.2067-2071.

61. Тригуб В.И., Болдыревский П.Б. Диффузия растворителя через поверхность пленки резиста в процессе центрифугирования// Письма в ЖТФ. 1999. - Т.25. - Вып.23. - С.91-94.

62. Лубашевская А.В., Лаврищев В.П., Дроздова Т.А. Исследование поверхностного натяжения позитивных фоторезистов// Электронная техника. Сер.6. 1969. - Вып.З. - С. 101-108.

63. Лубашевская А.В., Лаврищев В.П., Ивченко А.Е. Исследование свойств растворителей позитивных фоторезистов// Электронная техника. Сер.6. -1968.-Вып.З.-С.64-73.

64. Введение в фотолитографию/ Под ред. В.П. Лаврищева. М.: Энергия, 1977.- 151 с.

65. Сушкевич Т.В. Влияние температуры сушки фоторезиста ФП-РН-27В на качество фотолитографии// Электронная промышленность. 1989. -№10. -С.10.

66. Боков Ю.С., Фролов В.М. Фоторезистивные маски с отрицательным клином проявления для метода обратной фотолитографии// Электронная техника. Сер.З. 1984. - Вып.З. - С.78-83.

67. Музыкант A.B., Сотников B.C., Федоров H.H. Совершенствование фотолитографического процесса с помощью термообработки подложки с фоторезистом контактным способом на плите// Электронная промышленность. 1986. - №10. - С.58-59.

68. Рубцов И.Н., Сипаков В.И., Хаймович С.М. Установка для нанесения и термообработки фоторезиста// Электронная промышленность. 1975. -№6. - С.67-68.

69. Безверхова Т.А., Вадов A.A., Жеглова Е.А. и др. Применение СВЧ энергии для термообработки фоторезиста// Электронная промышленность. 1975. - №6. - С.67-68.

70. Красников В.В. Кондуктивная сушка. М.: Энергия, 1973. - 288 с.

71. Лаврищев В.П., Перемыщев В. А. Изучение механизма удаления растворителя из пленки фоторезиста// Электронная техника. Сер.З. -1975. Вып.5. - С.58-65.

72. Лаврищев В.П., Прохоров Ю.И., Хорина З.И. Исследование кинетики сушки и термолиза пленок фоторезистов методом ИК спектроскопии// Электронная техника. Сер. 3. — 1975. Вып.1. - С.86-92.

73. Зубов В.А., Рзаев В.М. Эффект выброса растворителя при формировании тонких полимерных покрытий// Высокомолекулярные соединения. Сер.Б. 1988. -Т.30. -№11. - С.803-804.

74. Лубашевская A.B., Лаврищев В.П., Жигунова И.Е. Исследование процесс формирования пленок фоторезиста// Электронная техника. Сер.6. 1968. - Вып.4. - С. 106-112.

75. Николаев Н.И. Диффузия в мембранах. М.: Химия, 1980. - 232 с.

76. Берлин A.A., Басин В.Е. Основы адгезии полимеров. М.: Химия, 1969. -319 с.

77. Валиев К.А, Беликов Л.В., Калинушкин В.П. и др. Неоднородности микронного размера в пленках ПММА// Поверхность. 1988. - №6. -С.53-56.

78. Лыков A.B. Тепломассообмен. М.: Энергия, 1978. - 480 с.

79. Архипов Е.И., Манафов K.M., Муратов С.Л. и др. Метод определения оптимальных режимов термообработки электронорезистов// Электронная техника. Сер.2. 1984. - Вып.4. - С.77-80.

80. Физико-химия многокомпонентных полимерных систем/ Под общ. ред. Ю.С. Липатова. Киев: Наук, думка, 1986. - 186 с.

81. Липатов Ю.С. Межфазные явления в полимерах. Киев: Наук, думка, 1980.-256 с.

82. Липатов Ю.С., Сергеева Л.М. Адсорбция полимеров. Киев: Наук, думка, 1972. - 196 с.

83. Липатов Ю.С. Физическая химия наполненных полимеров. М.: Химия, 1977.-304 с.

84. Мойся Е.Г., Егоров Ю.П. К вопросу о применении метода "электронного" зонда для определения плотности полимеров// Журнал теоретической и экспериментальной химии. 1967. -Т.З. -№1. - С. 131-134.

85. Липатов Ю.С, Мойся Е.Г., Семенович Г.М. Исследование плотности упаковки макромолекул в граничных слоях полимеров// Высокомолекулярные соединения. Сер. А. 1977. - Т. 19. - №1. - С. 125128.

86. Lipatov Yu., Moysya E., Semenovich G. Study of molecular packing in boundary layers of some polymers// Polymer. 1975. - V.16. - №8. - P.582-584.

87. Семенович Г.М., Липатов Ю.С., Гусев С.С. и др. Исследование структуры граничных слоев полиметилметакрилата методом нарушенного полного отражения// Высокомолекулярные соединения. Сер. А. 1978. - Т.20. -№9. - С.2000-2005.

88. Компанеец А.С. Теоретическая физика. М.: ГИТТЛ, 1957. - 563 с.

89. Магонов С.Н. Сканирующая силовая микроскопия полимеров и родственных материалов// Высокомолекулярные соединения. Сер.Б. -1996. Т.38. - №1. - С.3-27.

90. Володин А.П. Новое в сканирующей микроскопии (обзор)/ Приборы и техника эксперимента. 1998. - №6. - С.3-42.

91. Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники// Микроэлектроника. 1999. - №6. - С.405-414.

92. Физика твердого тела: Лабораторный практикум. В 2 т./ Под ред. А.Ф. Хохлова. Т. 1. Методы получения твердых тел и исследования их структуры. М.: Высш. шк., 2001. - 364 с.

93. Введение в интегральную оптику/ Под ред. Барноски М. М.: Мир, 1977.-430 с.

94. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.-564 с.

95. Композиция для получения позитивного электроно- и рентгенорезиста: Патент №2044340, Россия/ Ю.Д. Семчиков, В.В. Семенов, С.А. Булгакова и др.// Бюллетень изобретений. 1995. - №26. - С. 251.

96. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии микросхем. М.: Сов. радио, 1978.- 127 с.

97. Родионова A.A., Нестерова Л.А., Хохлов A.A. Удаление фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин// Электронная промышленность. 1989. - №10. - С. 12-13.

98. Технология тонких пленок. В 2 т. Т.2/ Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. -М.: Сов. радио, 1977. 768 с.

99. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий: Справочник/ Под ред. В.В. Клюева. М.: Машиностроение, 1976. - 391 с.

100. Батавин В.В., Концевой Ю.А. Оптические методы исследования и контроля в электронной технике// Электронная промышленность. 1979. -№1-2. - С.63-73.

101. Каширский И.М., Булышев Ю.С., Синицкий В.В. Оптический способ измерения толщины прозрачных и полупрозрачных пленок// Приборы и техника эксперимента. 1982. - №2. - С. 195.

102. Комраков Б.М., Шапочкин Б.А. Измерение параметров оптических покрытий. -М.: Машиностроение, 1986. 136 с

103. Золотарев В.М., Морозов В.Н., Смирнова Е.В. Оптические постоянные природных и технических сред. Л.: Химия, 1984. - 216 с.

104. Тригуб В.И., Плотнов A.B., Киселев А.Н. Приповерхностный тонкий слой в полимерной пленке// Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27. - Вып.24. -С.35-39.

105. Справочник химика. В 6 т. Т. 6/ Под ред. Б.П. Никольского. Л.: Химия, 1967.- 1012 с.

106. Энциклопедия полимеров. В 3 т. Т. 3/ Под ред. В.А. Каргина. М.: Сов. энциклопедия, 1977. - 1152 с.

107. Левин В.Г. Физико-химическая гидродинамика. М.: Физматгиз, 1959. -450 с.

108. Лойцяинский Л.Г. Ламинарный пограничный слой. М.: Физматгиз, 1962.-479 с.

109. Jeh. G. Electron microscopy study of polymers// J. Macromol. Sei. 1972. -V0I.B6. - P.465-470.

110. Кулезнев B.H., Шершнев В.А. Химия и физика полимеров. М.: Высш. шк, 1988.-311 с.

111. Тригуб В.И., Плотнов A.B. Периодическое изменение толщины пленок резистов в процессе их термообработки// Коллоидный журнал. 2002. -№2. - С.284-286.

112. Тригуб В.И., Плотнов A.B., Быкова И.Н. и др. Пленкообразование сополимеров на основе ММА-МАК при термообработке// Материаловедение и высокотемпературные технологии: Межвуз. сб. науч. тр. Н.Новгород.: НГТУ. 2000. - С.201-202.

113. Шур A.M. Высокомолекулярные соединения. М.: Высш. шк., 1966. -504 с.

114. Кикоин А.К., Кикоин И.К. Молекулярная физика. М.: Наука, 1976. -480 с.

115. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. М.: Наука, 1976. -567 с.

116. Тригуб В.И., Гольденберг Г.Л. Барьерный эффект при диффузии растворителя через движущуюся поверхность резиста// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 1998. - №4. - С.41-43.

117. Любов Б. Я., Фастов Н. С. Влияние концентрационных напряжений на процессы диффузии в твердых растворах// Докл. АН СССР. 1952. - Т.84. - №5. - С.939-941.

118. Вайнер А .Я., Якименко А.Н., Лиманова В.Ф. и др. Исследование чувствительности сополимеров метилметакрилата с метакриловой кислотой к коротковолновому УФ-излучению// Микроэлектроника. -1984. Т. 13. - Вып.4. - С.311-314.

119. Дункан А., Горди В., Норман Дж. и др. Применение спектроскопии в химии. М.: Иностр. лит., 1959. - 660 с.

120. Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия, 1971. - 200 с.

121. Гольденберг В.И, Вайнштейн Э.Ф., Шляпинтох В.Я. Влияние стабилизаторов на разрушение эфирных групп при облучении пленок ПММА УФ-светом// Высокомолекулярные соединения. 1972. - Т. 14. -№8. - С.1718-1724.

122. Тарутина Л.И., Позднякова Ф.О. Спектральный анализ полимеров. -Л.: Химия, 1986.-248 с.

123. Тригуб В.И., Плотнов A.B. Изменение молекулярной структуры резиста на основе метилметакрилата и метакриловой кислоты при модификации ультразвуком// Письма в ЖТФ. 2002. - Т.28. - Вып.11. -С.8-10.

124. Турро Н. Дж. Молекулярная фотохимия. М.: Мир, 1967. - 328 с.

125. Гиллет Дж. Фотофизика и фотохимия полимеров. Введение в изучение фотопроцессов в макромолекулах! М.: Мир, 1988. - 435 с.

126. Pao Ч.Н. Электронные спектры в химии. М.: Мир, 1964. - 264 с.

127. Эмануэль Н.М., Кнорре Д.Г. Курс химической кинетики. М.: Высш. шк., 1984.-463 с.

128. Маргулис M.А. Звукохимические реакции и сонолюминесценция. М.: Химия, 1986.-288 с.

129. Мыльников М.Ю. Поверхностное и объемное растворение позитивных резистов на основе ПММА и возможности повышения контраста// Микроэлектроника. 1990. - Т.19. - Вып.4. - С.367-373.

130. Lalanne F., Weill A. Amblard G. E-beam patterning by a double exposure process// Microelectron. Eng. 1991. - V.13. - №1-4. - P.173-176.

131. Тригуб В.И., Плотнов A.B. Локальное повышение чувствительности электронорезистов в литографии. М., 2000. - Деп. в ВИНИТИ 13.09.2000, №2392-В00. - 20 с.

132. Милинчук В.К. Проблемы фоторадиационного воздействия// Химия высоких энергий. 1985. - Т. 19. - №4. - С. 326-337.

133. Hiraoke H. Radiation chemistry of poly(methacrylates)// IBM J. Res. Develop. 1977. - V.21. - №3. - P. 121 -130.

134. Калверт Дж., Питтс Дж. Фотохимия. M.: Мир, 1968. - 671 с.

135. Михеев Ю.А., Поправко Т.С., Топтыгин Д.Я. Образование ненасыщенных углерод-углеродных связей при фотолизе полиметилметакрилата// Доклады АН СССР. Сер. Физич. химия. 1973. -Т.210. - №1. - С. 148-150.

136. Тригуб В.И., Плотнов А.В. Исследование возможности повышения чувствительности электронорезиста на основе сополимера метилметакрилата и метакриловой кислоты// Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. 2000. - №2. - С.47-49.

137. Ренби Б., Рабек Я. Фото деструкция, фотоокисление, фотостабилизация полимеров. М.: Мир, 1978. - 676 с.

138. Ляликов Ю.С. Физико-химические методы анализа. М.: Химия, 1973. -536 с.

139. Окабе X. Фотохимия малых молекул. М.: Мир, 1981. - 500 с.