Физико-химические основы химико-механического полирования CVD-ZnSe с использованием смол на основе канифоли тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат наук Вилкова, Елена Юрьевна

• Вилкова, Елена Юрьевна
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Вилкова, Елена Юрьевна

Введение

Глава 1. Свойства селенида цинка и методы обработки его поверхности (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1. Свойства поликристаллического селенида цинка

1.1.1. Физико-механические и оптические свойства селенида цинка

1.1.2. Химические свойства селенида цинка

1.2. Способы обработки поверхности оптических кристаллических материалов

1.2.1. Механическая обработка поверхности кристаллических материалов

1.2.1.1. Абразивные материалы для обработки кристаллов

1.2.1.2. Материалы рабочей поверхности полировальника

1.2.2. Химико-механическое полирование

1.3. Задачи исследования

Глава 2. Исследование процесса механической обработки поверхности селенида цинка

2.1. Методика эксперимента

2.1.1. Механическое и химико-механическое полирование

2.1.2. Контроль чистоты полированных оптических поверхностей

2.1.3. Определение концентрации и размеров дефектов на полированных поверхностях селенида цинка при помощи методики компьютерного зрения

2.2. Исследование влияния основных параметров на качество поверхности в процессе механической обработки селенида цинка

2.2.1. Влияние температуры в зоне обработки на процесс полирования селенида цинка

2.2.2. Давление на обрабатываемую поверхность как основной параметр механического полирования селенида цинка

2.2.3. Влияние скоростей вращения и качания полировального инструмента на скорость съёма и качество поверхности в процессе механической обработки селенида цинка

2.3. Исследование влияния характеристик полировальных смол на скорость съёма и качество обрабатываемой поверхности в процессе механического и химико-механического полирования

2.3.1. Основные характеристики полировальных смол и способы их подготовки

2.3.2. Влияние теплофизических характеристик полировальных смол на процесс обработки селенида цинка

2.3.3. Исследование влияния состава и способа подготовки полировальных смол на чистоту полированной поверхности селенида цинка

Глава 3. Химическое травление и химико-механическое полирование поликристаллического селенида цинка

3.1. Исследование влияния состава активного компонента на процесс травления селенида цинка

3.2. Кинетические закономерности взаимодействия поверхности селенида цинка с химически активным компонентом

3.2.1. Травление в растворах Н1ЧОз

3.2.2. Травление в растворе КМпОд/ НгЗО^ НгО

3.3. Влияние состава и концентрации химически активного компонента на скорость съёма и качество оптических поверхностей в процессе химико-механического полирования

3.4. Влияние состава и свойств полировальных суспензий на структуру поверхности, её оптические свойства и скорость удаления материала в процессе химико-механического полирования селенида цинка

Глава 4. Разработка методики химико-механического полирования

поликристаллического селенида цинка. Обсуждение результатов

4.1. Особенности механического полирования поликристаллического селенида цинка

4.2. Оптимизация условий полирования для получения высококачественных поверхностей оптических элементов на основе селенида цинка

4.3. Механизмы взаимодействия поверхности селенида цинка с химически активным компонентом в процессе его травления и химико-механического полирования

Выводы

Список цитируемой литературы

Перечень применяемых сокращений и терминов:

ХМП - химико-механическое полирование; ХАК- химически активный компонент; СОЖ - смазывающе-охлаждающая жидкость;

CVD-ZnSe - поликристаллический селенид цинка, полученный методом химического осаждения из газовой фазы;

АСМ - алмазный синтетический микропорошок, используемый для полирования;

ПВЖ - полировальная водорастворимая жидкость, используемая для полирования;

ПС - полировальная смола;

Полирование - снятие тонких слоев обрабатываемого материала механическим, химическим или электролитическим методом и придание поверхности малой шероховатости и зеркального блеска; Полировальник - это инструмент для полирования, который представляет собой металлический корпус в виде гриба, чашки или планшайбы, с которым соединен материал, образующий рабочую поверхность;

Шлифование - операция обработки материала, разновидность абразивной обработки, используется для обработки и сглаживания поверхности твёрдых и хрупких материалов;

Травление - способы удаления поверхностного слоя материала с заготовки под действием специально подбираемых химических реактивов; Шероховатость поверхности - совокупность неровностей поверхности с относительно малыми шагами на базовой длине, измеряется в мкм.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические основы химико-механического полирования CVD-ZnSe с использованием смол на основе канифоли»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Материалы для современных оптических систем, работающих в видимом и инфракрасном диапазоне длин волн, должны иметь высокие значения прочности, твердости, коэффициента пропускания, широкую область прозрачности от 0,5 до 22 мкм, оптическую однородность, эрозионную и термическую стойкость [1].

Перспективным материалом, нашедшим широкое применение для изготовления оптических элементов, работающих в видимом и ИК-диапазоне длин волн и удовлетворяющим большинству из выше перечисленных требований, является поликристаллический СУБ - селенид цинка. Его лучевая прочность в импульсном режиме достигает 480 МВт/см на длине волны 10,6 мкм. При этом к качеству поверхности оптического элемента предъявляются достаточно жесткие требования: чистота поверхности не должна быть хуже 3 класса, отклонение по геометрии не должно превышать 1 интерференционного кольца. Необходимым условием получения таких поверхностей является минимизация размеров и количества оптических дефектов [2]. Получение бездефектных высококачественных поверхностей оптических элементов из СУО^пБе, способных пропускать мощное лазерное излучение является актуальной научной и прикладной задачей. Согласно литературным данным получение бездефектных поверхностей оптических элементов возможно при использовании комбинации методов химического и механического полирования [3].

Работы по получению и обработке халькогенидов цинка были начаты в 70 - 80 х. годах прошлого века. Основные публикации о химической и химико-механической обработке поверхности селенида цинка относятся к этому промежутку времени [4 - 14]. В имеющихся работах [4 - 6, 9, 10] акцентировалось внимание на составах химически активных компонентов (ХАК) использующихся для химического травления соединений типа АПВУ1. В большинстве данных работ использовались монокристаллические материалы, а для селенида цинка в качестве ХАК применяли селективные

травители. В этих работах сообщено о получении полированных поверхностей халькогенидов цинка на уровне 4-5 класса чистоты [7,8]. Разработка методики получения поверхностей селенида цинка более высокого класса чистоты химико-механическим полированием невозможна без знания механизма явлений, протекающих в процессе обработки поверхности. В опубликованных работах нет сведений о механизмах полирования селенида цинка, используя которые можно было бы совершенствовать технологию обработки. В литературе описаны механизмы полирования стеклообразных материалов, и они не могут полностью соответствовать процессу обработки поликристаллического селенида цинка.

В настоящее время интерес к данным материалам не ослабел, есть отдельные публикации, в которых рассматриваются вопросы полирующего травления [15 - 17], а также вопросы автоматизации процесса полирования [18 - 20]. Это связано с тем, что селенид цинка имеет статус стратегического оптического материала. За рубежом существуют технологии и производство поликристаллического СУО селенида цинка. Сведения о технологиях изготовления оптических элементов из него с высоким качеством поверхности являются закрытой информацией.

По этой причине изучение химических, механических и химико-механических процессов происходящих при полировании селенида цинка, представляет научный и практический интерес. Полученные экспериментальные данные в совокупности с имеющимися теоретическими представлениями о механизмах процесса полирования позволят разработать методику высококачественной обработки оптических элементов на основе поликристаллического селенида цинка.

Целью данного исследования было изучение механизма химико-механического полирования поликристаллического СУБ селенида цинка и разработка методики обработки поверхности оптических элементов из гпБе до уровня 3 класса чистоты.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи;

• установить механизмы взаимодействия химических реагентов и абразивных материалов с поверхностью селенида цинка;

• исследовать влияние природы и концентрации химически активного компонента на скорость травления и морфологию поверхности;

• изучить влияние физико-химических свойств обрабатывающих материалов (микропорошки, полировальные смолы) на параметры процесса и качество полирования с учетом особенностей обрабатываемых поверхностей CVD-селенида цинка;

• выбрать оптимальные параметры процесса (время обработки, давление, температура, скорости вращения и качания инструмента) при химико-механическом полировании поверхности оптических элементов;

• исследовать влияние химически-активного компонента на скорость съёма и качество поверхности CVD-селенида цинка в процессе его химико-механической обработки.

Научная новизна. В диссертации впервые проведено комплексное исследование процессов механического и химико-механического полирования поликристаллического CVD-селенида цинка.

Определена скорость растворения полированной поверхности поликристаллического CVD-ZnSe в растворах HNO3, HCl, H2S04 и смеси KM11O4-H2O-H2SO4 и ее зависимость от температуры и концентрации реагентов. Предложен состав активного компонента для проведения процесса химико-механического полирования. Определена оптимальная концентрация химически-активного компонента. Уточнены механизмы взаимодействия обрабатывающих материалов с поверхностью селенида цинка.

Изучено влияние физико-химических свойств обрабатывающих материалов (микропорошки, смолы полировальные) на качество полирования с учетом особенностей обрабатываемых поверхностей селенида цинка. Исследовано влияние температуры, давления и скоростей обработки на

качество поверхности и скорость съёма в процессе механического полирования. На основании проведенных исследований выбраны материалы и оптимизированы условия высококачественной обработки оптических элементов на основе селенида цинка.

Впервые разработана компьютерная методика контроля качества полированных поверхностей, включающая в себя получение увеличенной картины поверхности методом оптической микроскопии и компьютерное распознавание типа, размеров дефектов и количественное определение их содержания.

Практическая ценность. Совокупность результатов исследований обеспечила необходимую научно-техническую базу, на основании которой разработана методика механического и химико-механического полирования поликристаллического CVD селенида цинка, позволяющая получать поверхности высокого оптического качества - до 3 класса чистоты включительно.

Разработаны составы и способ приготовления полировальных смол на основе канифоли для проведения процессов механического и химико-механического полирования селенида цинка.

Создана методика контроля качества полированных поверхностей, обеспечивающая количественную оценку типа и содержания поверхностных дефектов, как на этапах процесса полирования, так и на стадии выходного контроля оптических элементов.

На защиту выносятся:

* результаты исследования взаимодействия поверхности CVD-селенида цинка с химически активными компонентами (HN03, HCl, H2SO4 и смесь KMn04-H20-H2S04) и влияние их концентраций и состава на процесс травления и химико-механического полирования;

■ результаты экспериментального исследования влияния условий и свойств обрабатывающих материалов в процессе механической обработки

CVD-ZnSe на скорость съема материала и качество оптических поверхностей;

■ методика химико-механического полирования CVD-ZnSe, позволяющая получать поверхности оптических элементов до 3 класса чистоты.

Апробация работы. Основные результаты работы опубликованы в 11 статьях в научных журналах из перечня ВАК и 20 тезисов на региональных, всероссийских и международных конференциях: V, VI, VII и VIII Всероссийских межвузовских конференциях молодых ученых (г. Санкт-Петербург, 2008г., 2009г., 2010г., 2011г.); I Всероссийском конгрессе молодых ученых (г. Санкт-Петербург 2012 г.); 13 и 14 конференциях «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение» (г. Нижний Новгород, 2007 г. и 2011 г.); 19 и 20-Международных научно-технических конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения (г. Москва, 2008 г.); XIII Нижегородской сессии молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины (г. Нижний Новгород, 2008 г.); 11 и 12 конференциях молодых ученых-химиков Нижнего Новгорода, (г. Нижний Новгород, 2008 г., 2009 г.); городском семинаре по химии высокочистых веществ (г. Нижний Новгород, 2007 г., 2009 г., 2010г., 2012г.).

Личный вклад заключается в постановке задач исследований, определении способов их решения, в проведении основного объема описанных в работе экспериментальных и теоретических исследований, в обсуждении и обобщении полученных результатов.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 11 статей в научных журналах и 20 тезисов докладов на научных конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа изложена на 127 страницах машинописного текста, состоит из введения, четырех глав, выводов, списка цитируемой литературы (108 наименований) и содержит 47 рисунков и 13 таблиц.

ГЛАВА 1. СВОЙСТВА СЕЛЕНИДА ЦИНКА И МЕТОДЫ ОБРАБОТКИ

ЕГО ПОВЕРХНОСТИ

1.1. Свойства поликристаллического селенида цинка 1.1.1. Физико-механические и оптические свойства селенида цинка

Селенид цинка представляет собой твердое кристаллическое вещество с плотностью 5,26 г/см3. Он образует кристаллы преимущественно двух типов. При температурах ниже 1425 °С термодинамически устойчивой является структура типа сфалерита (кубическая сингония), выше нее - структура типа вюртцита (гексагональная сингония). Плавление селенида цинка происходит при температуре (1520 ± 15) °С. Селенид цинка стехиометрического состава имеет лимонно-желтый цвет, преобладание цинка в пределах области гомогенности приводит к зеленому оттенку, а избыток селена - к красному [21 - 23].

Оптические, механические и химические свойства поликристаллического селенида цинка делают возможным его применение в современной инфракрасной оптике [24, 25]. Селенид цинка прозрачен в интервале длин волн 0,5 - 22 мкм. Собственное поглощение на длине волны С02 - лазера (10.6 мкм) составляет не более 2 " 10"4 см"1, что обеспечивает его применение в силовой ИК-оптике.

В работе [26] проведены исследования влияния механической обработки на коэффициент поверхностного поглощения селенида цинка после механического полирования алмазным микропорошком и финишного полирования с использованием порошка Linde В и изопропанола. Были разделены вклады объёмного и поверхностного поглощения, которые на длине волны 10,6 мкм составили: 7,12* 10"4 см"1 и 3,8* 103 см"1, соответственно. Своими экспериментами авторы показали, что поверхностное поглощение в 5 раз превышает собственное поглощение

селенида цинка вследствие наличия дефектов механической обработки (выколов и царапин) и вносит значительный вклад в общее поглощение.

Собственное поглощение излучения обусловлено процессами в беспримесном материале при тепловом равновесии. Экспериментально и теоретически установлено, что поглощение в длинноволновой области спектра связано с многофононными процессами, когда поглощается фотон и генерируются два или более фононов [27]. Область многофононного поглощения селенида цинка находится в интервале 22-100 мкм. В диапазоне длин волн более 100 мкм наблюдается заметное пропускание электромагнитного излучения.

Таблица 1. Оптические характеристики селенида цинка, применяемого в лазерной (ЬАЗЕКТЯАК) и инфракрасной (ЮТЫАТКАК) оптике.

Характеристика ЬДБЕЯТКАМ ШРЯАТКАИ

Коэффициент поглощения на ?1=10,6 мкм, см"1 <5*10"4 <7*103

Оптическое пропускание на >,=10,6 мкм для образцов толщиной 6 мм, % >99,97 >99,9

Границы 10 % -ного оптического пропускания, мкм 0,50-22 0,50 - 22

Лучевая прочность для импульсного режима работы СОг-лазера, Дж/см2 >20 Не нормируется

Однородность показателя преломления на >.=0,6328 мкм Наличие включений <5*10"6 Отсутствие видимых включений Не нормируется Допускаются включения размером <100 мкм

В основном ZnSe применяют во всем мире в качестве оптических элементов в СОг-лазерах (таблица 1). Для этих целей используется селенид цинка, имеющий марку LASERTRAN. Практически для всех остальных применений возможно использование селенида цинка марки INFRATRAN. Он допускает более высокие потери электромагнитного излучения, обусловленные поглощением и рассеянием, так как мощность проходящего через элемент излучения в этом случае небольшая.

При обработке оптических элементов марки LASERTRAN и марки INFRATRAN к качеству поверхности предъявляются различные требования. Материал LASERTRAN применяется в основном в силовой оптике, поэтому качество его поверхности не должно быть ниже 2-3 классов чистоты. Для материала марки INFRATRAN достаточно изготовление оптических элементов с качеством поверхности 4-5 классов чистоты [27].

1.1.2. Химические свойства селенида цинка

По химическим свойствам селенид цинка при нормальных условиях является устойчивым к растворению в воде и разбавленных неорганических кислотах, окислению на воздухе. В литературе [28] имеются сведения о его взаимодействии с дымящейся соляной кислотой.

ZnSe + 2 HCl -> H2Set + ZnCl2 (1)

В результате реакции (1) выделяется токсичный H2Se, ПДК которого в воздухе, в рабочей зоне, ограничивается 0,1 мг/м .

Взаимодействие селенида цинка с концентрированной серной кислотой протекает по реакции (2). Видно, что при этом выделяются аморфный селен и диоксид серы S02.

ZnSe + 2 H2SO4 -> Se| + ZnS04 + S02T + 2 H20 (2)

Селенид цинка также взаимодействует с пероксидом водорода (3) и окисляется кислородом (при нагревании) по реакции (4).

ZnSe + 4 Н202 ZnSe04 + 4 Н20 (3)

2 ZnSe + 3 02-» 2 Se02 + 2 ZnO (4)

Взаимодействие селенида цинка с концентрированной азотной кислотой может быть описано уравнением:

ZnSe + 8 HN03 (конц.) -> Zn(N03)2 + H2Se03 + 3 Н20 + 6 N02T (5) Реакция селенида цинка с азотной кислотой с концентрацией меньше 2 моль/л описывается следующим уравнением:

3ZnSe + 8 HNO3 (разб.) 3 Zn(N03)2 + 3 Se| + 4 Н20 + 2 NOf (6) И в первом, и во втором случае в продуктах реакции присутствуют газообразные вещества N02 и N0, которые выделяются из растворов.

Взаимодействие селенида цинка с гипохлоритом кальция протекает по следующей схеме.

ZnSe + 3 Са(0С12) -> 3 СаС12 + Zn(OH)2| + H2Se03 (7)

Необходимо отметить, что гипохлориты кальция неэффективно применять при обработке селенида цинка с использованием смоляных полировальников, т.к. они могут вступать в химическое взаимодействие с полировальной смолой растительного происхождения.

Взаимодействие селенида цинка со смесью КМп04 + H2S04 + Н20 [29J протекает по реакции: 5 ZnSe + 2 КМп04 + 8 H2S04 -> 5 ZnS04 + 2 MnS04 + K2S04 + 8 H20 + 5 Se|

(8)

В данном случае отсутствуют газообразные вещества, и все продукты реакции будут находиться в растворе.

Таким образом, селенид цинка способен взаимодействовать с большинством неорганических кислот, что делает возможным их применение в составе активного компонента для ХМП.

1.2. Способы обработки поверхности оптических материалов и оптических кристаллических материалов

Операция резки массивных образцов оптического материала не обеспечивает требуемой точности и качества поверхности заготовок оптических элементов. Полученные элементы имеют различные погрешности формы (неплоскостность, непараллельность плоскостей), значительный нарушенный слой и довольно большие отклонения по толщине. Поэтому необходима дальнейшая обработка для улучшения точности и качества поверхностей. Эту обработку, выполняемую с использованием абразивных материалов, подразделяют на шлифование и полирование. Под шлифованием подразумевают обработку пластин на твердых доводочных дисках - шлифовальниках абразивными микропорошками зернистостью от 20 до 3 мкм.

При изготовлении оптических поверхностей операция их полирования является заключительным этапом механической обработки деталей. Процесс полирования применяют с целью уменьшения шероховатости обрабатываемой поверхности, для уменьшения рассеяния света и достижения точности формы. Из всей последовательности операций механической обработки полирование - наиболее длительный, трудоемкий и, вместе с тем, самый ответственный процесс. Технология полирования определяется многими взаимозависимыми факторами и очень чувствительна к их малым изменениям.

Для разных областей применения полированных поверхностей используют различные виды воздействия при полировании на обрабатываемую поверхность: физические, химические, механические. К физическим воздействиям относятся огневой, лазерный, ионный; к механическим - ультразвуковой и способ притира, к химическим — травление, химико-механическое и магнитореологическое полирование.

Каждый из способов существует как самостоятельный технологический процесс, а также в комбинации с другими [30-36].

Большой интерес представляет создание технологии

магнитореологического полирования, основанного на использовании магнитореологической суспензии, которая под действием магнитного поля в зоне контакта с деталью представляет собой управляемый неизнашиваемый эластичный инструмент для получения полированной поверхности. Технология обеспечивает малые погрешности формы детали и шероховатость поверхности менее 3 нм [37].

В настоящее время в процессе массового изготовления оптических элементов традиционно применяют три основных метода финишного полирования - механическое, химическое и химико-механическое. Каждый из этих методов имеет свои достоинства и недостатки.

Механическое или абразивное полирование один из наиболее старых, простых и высокопроизводительных методов [30, 38-40].

Рис. 1. Схема процесса механического полирования: 1 - поверхность полировальника, 2 - обрабатываемая поверхность, 3 - зерна абразива.

Данный способ полирования (рис. 1) обладает одним важным свойством - саморегулируемостью, которое в оптической технологии трактуется как самоисправление или сглаживание макроформы и микрогеометрии поверхностей детали и инструмента. Таким образом, получение оптической поверхности является следствием этого свойства, что

ставит процесс притира на исключительное место среди других способов полирования. Однако основным его недостатком является наличие нарушенного слоя, а также значительная шероховатость поверхности.

Применение метода химического полирования (рис. 2) позволяет снизить величину нарушенного слоя и увеличить класс чистоты поверхности [31, 41, 42]. Основным достоинством данного метода является высокая производительность. Однако процесс химического травления полупроводников может сопровождаться негативными последствиями для обрабатываемого материала, например, загрязнением реакционной поверхности адсорбировавшимися из травящего раствора примесями и образованием пленок продуктов химических реакций. Этим методом трудно получать оптические элементы с хорошей геометрией, необходимой для их применения в высокомощных лазерах и высокоточных оптических системах.

Рис. 2. Схема процесса химического травления: 1 - травящий компонент, 2 -обрабатываемая поверхность.

Химико-механическое полирование (ХМП) представляет собой комбинацию методов механического и химического полирования (рис. 3). Данный метод при правильном выборе травителя и оптимизации параметров процесса, может обеспечить высокое качество поверхности в сочетании с хорошей геометрией поверхности оптического элемента.

Рис. 3. Схема процесса химико-механического полирования: 1 - поверхность полировальника, 2 - обрабатываемая поверхность, 3 - зерна абразива, 4 -травящий агент.

Из анализа способов обработки следует, что для обработки кристаллических материалов перспективным методом будет химико-механическое полирование. Поэтому более подробно остановимся на рассмотрении процессов механической и химической обработки.

1.2.1. Механическая обработка поверхности кристаллических

материалов

Изучению явлений, которые лежат в основе процессов абразивного диспергирования хрупких материалов, посвящено много исследований, в результате чего в настоящее время имеются базовые представления об их сущности и о строении шлифованных и полированных поверхностей. Эти знания дают возможность технического использования факторов, участвующих в процессах, с целью повышения производительности и качества обработки. Исследования процессов абразивного диспергирования в основном производились на стекле, как материале, обработка которого для различных целей и в широких масштабах происходит в течение уже многих столетий. За длительный период своего применения эта обработка основывалась, главным образом, на эмпирических данных. Первые попытки

научно обосновать процессы шлифования и полирования стекла были предприняты в начале прошлого столетия [43-45].

В настоящее время существуют три направления в объяснении природы процесса полирования, основывающиеся на гипотезах: микроабразивного действия на обрабатываемую поверхность, выдвинутой в XVI столетии Гуком; образования пластически деформированного слоя, разработанной Бейльби в начале XX века, и физико-химической, предложенной академиком Гребенщиковым (1937год) [46].

Согласно гипотезе Гука полирование происходит за счет механического воздействия зёрен абразива 3 на поверхность стекла 2, в результате чего происходит скалывание мельчайших частиц 4 с обрабатываемой поверхности (рис. 4). И процесс полирования по существу ничем не отличается от шлифования, за исключением того, что неровности на поверхности стекла, получающиеся при полировании, значительно меньше, чем при шлифовании.

Рис. 4. Схема микроабразивного действия частиц на обрабатываемую поверхность: 1 - поверхность шлифовальника, 2 - обрабатываемая поверхность, 3 - частица абразива, 4 - частица скалываемого материала.

Бейльби в свою очередь на основании микроскопических исследований полированной поверхности утверждал, что в процессе полирования происходит полный разрыв кристаллической решётки, и образующиеся слои являются аморфными. На рисунке 5 представлена схема образования пластически деформированных участков. Согласно теории Бейльби, под

4

1

воздействием зёрен абразива 2 происходит расплавление поверхностных слоев 3, которые приобретают текучесть (рис.5), вследствие чего микроуглубления заполняются материалом, перенесённым с выступающих участков поверхности.

Рис. 5. Схема пластической деформации в процессе полирования: 1 -поверхность полировальника, 2- частица абразива, 3 - обрабатываемая поверхность.

Процесс полирования, по Гребенщикову, заключается в следующем: «Вода действует на шлифованную поверхность и покрывает её защитной поверхностной плёнкой. Полировальный порошок, а в частности крокус адсорбируется её поверхностью, изменяя при этом прочность прилипания плёнки к стеклу. Крокус, обладая также способностью адсорбироваться на поверхности полировальника, является связующим веществом между полировальником и стеклом. Полировальник при своём движении срывает с выступов, оставшихся после шлифовки стекла плёнку, и обнажившаяся свежая поверхность стекла быстро реагируя с водой, вновь покрывается коллоидной плёнкой. Во всех углублениях, которых полировальник при своём движении не касается, плёнка закрывает поверхность стекла и тем самым защищает её от воздействия воды». Эти процессы повторяются, и из сказанного следует, что первыми отполированными будут все наиболее выступающие точки на поверхности обрабатываемого материала.

Высказывания других исследователей являются или детализацией одной из трёх главных гипотез или сочетанием некоторых их элементов. Так академик Шубников [47, 48] рассматривает полирование как некое сочетание

явлений, описываемых схемой Гука и схемой Бейльби. С его точки зрения, каждое твёрдое тело может проявлять себя при механической обработке в зависимости от условий воздействия или как хрупкое, или как пластическое. Если скорость воздействия на твёрдое тело больше той максимальной скорости, с которой твёрдое тело может пластически деформироваться, то в этом случае будет иметь место хрупкое разрушение. Если скорость воздействия невелика, происходит пластическая деформация. По мнению Шубникова при шлифовании и полировании имеют место следующие процессы: выкалывание и отрывание частиц, отделение стружки и «наклёп», обозначающий пластическую деформацию обрабатываемой поверхности.

Однако Ребиндер [49] показал, что механизм пластической деформации в кристаллах, связанных с наличием кристаллографически определенных плоскостей скольжения, коренным образом отличается от механизма вязкого течения в жидкостях, а также пластического течения и ползучести в твердых коагуляционных структурах.

Полного совпадения механизмов полирования оптического стекла и кристаллов может не наблюдаться из-за различия их структуры, физико-механических и химических свойств. По аналогии со стеклом полирование кристаллов рассматривают как процесс, в основе которого лежит режущее воздействие зерен абразива. Полирование кристаллов отличается разнообразием применяемых абразивов, материалов, образующих рабочую поверхность инструмента, и жидкой фазы суспензии.

При шлифовании основным элементарным процессом является выкалывание и выкрашивание материала в результате ударного действия свободных зёрен абразива перекатывающихся между шлифовальником и обрабатываемой поверхностью. Вследствие этого поверхность будет состоять из выступов и впадин, и она будет совершенно не прозрачной (её характерный вид в оптический микроскоп представлен на рисунке 6 а) [94]. Необходимо отметить, что чем меньше величина зерна абразива, тем меньше размеры выколов и тем прозрачнее поверхность.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вилкова, Елена Юрьевна, 2013 год

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ:

1. Воронкова Е. М., Гречушников Б.Н., Дистнер Г. И. и др. Оптические материалы для ИК-техники. М: Наука, 1965, с. 336.

2. Перспективные материалы для окон С02 - лазеров// Обзорная информация НИИТЭХИМ. Сер. Монокристаллы, 1978, с. 52.

3. Гоев А.И., Потелов В.В., Савельев А.В., Сеник Б.Н., Формообразование высокоточных оптических поверхностей на стадии полирования, Труды международной академии «Контенант». Формообразование оптических

I

поверхностей. - М.: Издательство «Контенант», 2005. Т.1. - 284с.

4. В. tt Томашик, 3. Ф. Томашик, Механическая и химико-механическая

! I ' '

обработка полупроводниковых соединений типа AnBVI, Неорганические материалы, 1994, т. 30, № 12, с. 1498 - 1503.

5. Gez<bi, S., Woods J. Dislocation etch pits in zinc selenide // J. of Mater. Sci. -

1972. - Vol. 7. - P. 603-608.

i

6. W. Й. Strehlow, Chemical polishing of II - VI compounds, Journal of applied physics, i969, V. 40, № 7, p. 2928 - 2932.

7. 3. А). Куклева, В. Т. Кожухова, Г. П. Тихомиров, Влияние обработки на

I

качество' поверхности кристаллов селенида цинка., ОМП, 1982, № 5, с. 35 -38. I

8. Патент США №3869323, Method of polishing zinc selenide/ Ягтар Сингх Беси, 1975.

9. В. Т. Сотников, В. А. Жук, Профили распределения примесных элементов в нарушенном слое полированного селенида цинка., ОМП, 1985,

№ 11,с. ¡32-35.

1

10. Tamura, Н. Chemical Etching of ZnSe Crystals/ H. Tamura/ Journal of

Electronic Materials. - 1994. - Vol. 23, № 8. - P. 835-838.

i j

11. Г. M. Орлова, Т. П. Ермолаева, Кинетические закономерности травления

i

соединений типа AnBVI., Журн. прикл. химии, 1981, № 9, с. 1960-1963.

12. Iwariaga Н., Shibata N., Mochizuki К. Etch Pits and Polarity Identification in

!

ZnSe and ZnTe Crystals. // J. of Crystal Growth. - 1984. - Vol. 67. - P. 97-105.

i

i i

i ]

i

13. Fujita S., Mimoto H., Takebe H., Noguchi T. Growth of cubic ZnS, ZnSe and ZnSxSei.| single crystals by iodine transport/ // J. of Crystal Growth. - 1979. -Vol. 47. + P. 326-334.

14. P. А. Говорова, В. И. Лукашенко, А. А. Чернышов, Исследование нарушений, возникающих при механической обработке монокристалла ZnSe, Сб. ст. «Физика и химия кристаллов», Харьков, ВНИИ монокристаллов, 1977, с. 55-58.1

15. В. j Н. Томашик, 3. Ф. Томашик, Полирующее травление полупроводниковых соединений типа АПВУ1., Неорганические материалы, 1997, Т. 33, № 12, с. 1451 - 1455.

16. К. Hong, В. J. Kim, М. D. Kim, G. S. Park, J. Н. Lee, Н. S. Park, S. Y. Yoon,

Т. I Kinji, Determination of defect types of ZnSe-based epilayers by etch-pit

i

configurations., Journal of crystal growth, 1997,181, p. 343 - 350.

!

17. L. M. Liu, G. Lindauer, W. Brock Alexander, P. H. Holloway, Surface

preparation of ZnSe by chemical method, Journal Vac. Sci. Technol., 1995, V. 13,

i

№ 6, p. 2238 - 2244.

18. А. И. Тананин, Теория механической обработки материалов и управление качеством продукции, Интеллектуальные системы в производстве, 2008 г, № 1, с. 174 - 181.

19. А. Д. Маляренко, Влияние температуры технологической среды на точность формообразования и производительность полирования оптических

I

поверхностей, Оптический журнал, 2000, Т. 67, № 1, с. 87 - 90.

20. А. Д. Маляренко, Автоматизированный выбор режимов обработки при полировании оптических поверхностей, Оптический журнал, 2000, Т. 67, № 1, с. 83 - 87.

21. В.Д. Оболончик, Селениды, Москва, Изд-во «Металлургия», 1972, с. 296.

22. Селенид цинка. Получение и оптические свойства. / Н.К. Морозова и др., М., Наука, 1992, с. 96.

t

23. Структура и оптические свойства поликристаллического селенида цинка/ А .Я. Аксеновских и др., Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1991, Т. 27, № 6, с. 1176 - 1179.

24. Исследование структуры и механических свойств высокочистого поликристаллического селенида цинка/ М. н. Владыко и др., Высокочистые вещества, 1988, № 2, с. 217 - 221.

25. А.Е. Белянко, Оптические свойства высокочистого селенида цинка / А.Е. Белянко, Е.М. Гаврищук, А.Ю. Даданов// Высокочистые вещества, 1989, №5, с. 43-48.

26. J. A. Harrington, D. A. Gregory, W. F. Otto, Infrared absorption in chemical laser window material, Applied Optics, 1976, V. 15, № 8, p. 1953 - 1959.

27. Е.М. Гаврищук, Поликристаллический селенид цинка для инфракрасной оптики, Неорганические материалы. 2003, т. 39, № 9, с. 10311049. ;

28. Тихонова E.JI. Выделение селена, оксидов селена и цинка из отходов, образующихся при получении и переработке CVD - ZnSe: Дис...канд. хим. наук: 02.00.01/ Тихонова Е.Л..- Н.Новгород, 2005. - 115 с.

29. Гаврищук Е.М. Травление CVD - селенида цинка растворами неорганических кислот. / Гаврищук Е.М., Вилкова ЕЛО., Тимофеев О.В., Боровских У.П., Тихонова Е.Л. // Неорганические материалы. - 2007.- Т.43.-№6.-С.659-664.

30. Ходаков Г.С. Кудрявцева Н.Л. Физико-химические процессы полирования оптического стекла. - М.,1985., с. 224.

31. Перевощиков, В. А. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников/ В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов Монография. - Н. Н.: Издательство ННГУ, 1992. - 198 с.

32. Гоев А.И., Потелов В.В., Савельев A.B., Сеник Б.Н., Формообразование высокоточных оптических поверхностей на стадии полирования/ Труды международной академии «Контенант». Формообразование оптических поверхностей. - М.: Издательство «Контенант», 2005. Т.1. - с. 126 - 150.

33. Технология оптических деталей/ Под ред. M. Н. Семибратова. - М.: Машиностроение, 1978.- 415с.

34. Бондарев К.Т. Листовое полированное стекло. М.: Стройиздат, 1978, с. 167.

35. Первеев А.Ф., Ильин В.В., Михайлов A.B., Ионная полировка стекла. -ОМП, 1972, № 10, с. 40-43.

36. Муранова Г.А., Терпугов B.C., Егоров П.П., Тихомиров Г.П., Первеев А.Ф., Ионная полировка оптических покрытий, - ОМП, 1979, № 5, с. 33 - 35.

37. Magnetorheological suspension - based finishing technology ~ MRF/ Kordonski W., Golini D., Dumas P., Hogan S., Jacobs S., Sater J.M., ed.// Fisth Annual International Symposium on Smart Structures and Materials. Proceeding SPIE.V. 3326.1998, p. 527 - 535.

38. Епифанов В.И., Лесина А.Я., Зыков Л.В., Технология обработки алмазов в бриллианты. М.: Высшая школа, 1971, 264 с.

39. Формообразование оптических поверхностей. - М. -Л.: Оборонгиз, 1962, 431 с.

40. Карбань, В. И. Обработка полупроводниковых материалов/ В. И. Карбань, П. Кой, В. В. Рогов и др.: Под ред. Новикова Н. В., Бертольди В. -Киев: Наукова думка, 1982. - 196с.

41. Гетц И. Шлифовка и полировка стекла. Л.: Стройиздат, 1967, с. 280.

42. Фигуровский И. А., Федоров М.И., Комплекс химической полировки изделий. - Стекло и керамика, 1980, № 9, с.23.

43. Ардамацкий А.Л. Изготовление оптических деталей., М., Оборонгиз, 1955 г, 492 с.

44. Цеснек Л.С. Механика и микрофизика формообразования оптических поверхностей. - ОМП, 1970, № 8, с. 60 - 69.

45. Куклева З.А. О некоторых особенностях процесса шлифования кристаллов. Л., Труды ГОИ, 1960, т. 28, вып. 157, с. 98 - 104.

46. Винокуров, В. М. Исследование процессов полировки стекла/ В. М. Винокуров. -М.: Машиностроение, 1967. - 196с.

47. Рабинович Э. Механизм полирования. Сб. Контактное взаимодействие твердых тел и расчет сил трения и износа, М.: Наука, 1971, 240 с.

48. Шубников A.B. К вопросу о сущности процесса шлифовки и полировки твердых тел и их значение для техники. Труды Ломоносовского института АН СССР, М., 1936, № 8, с. 71 - 93.

49. Ребиндер П.А. Физико-химическая механика, М., Изд-во «Знание», 1958, 64 с.

50. А. Kaller, Properties of polishing media for precision optics, Glass Science and Technology, 1998, V. 71, № 6, p. 174 - 183.

51. C. 3. Арушанов, А. С. Бебчук, Д. А. Громов, В. С. Нечитайло, Исследование механизмов образования дефектного приповерхностного слоя при абразивной обработке хрупких прозрачных материалов, Физика и химия обработки материалов, 1978, № 1, 117 - 122.

52. Е. А. Созонтов, Б. Г. Захаров, В. М. Устинов, Определение нарушений структуры при финишных обработках полупроводниковых пластин, Электронная техника, Серия Материалы.

53. 3. А. Куклева, В. Т. Кожухова, Механическая обработка кристаллов титаната стронция, ОМП, 1979, № 6, с. 33 - 35.

54. Ю. М. Литвинов, Ф. Р. Хашимов, Исследование глубины нарушенных слоев в пластинах полупроводниковых соединений АШВУ, Электронная техника, Серия Материалы, 1984, № 4, с. 51 - 54.

55. Л. А. Губачева, Г. Н. Кожемякин, Л. И. Иванова, Т. Е. Свечникова, Поверхностный нарушенный слой в монокристаллах твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы, формирующийся после алмазной резки, Физика и химия обработки материалов, 1997, № 5, с. 98 - 100.

56. А. С. Артемов, Наноалмазы для полирования, Физика твердого тела, 2004 г., т. 46, № 4, с. 670 - 678.

57. Армадацкий, А. Л. Алмазная обработка оптических деталей/ А. Л. Армадацкий. - Л.: Машиностроение, 1978. - 232с.

58. Ашкеров, Ю. В. Исследования вязкоупругих свойств полированных смол на основе пеко-канифоли/ Ю. В. Ашкеров, Ю. Н. Лохов, Т. Ф. Мартынова// Оптический журнал. - 1996. - № 3.-С.51-55.

59. Справочник технолога-оптика/ М. А. Окатов, А. Байгожин, Э. А. Антонов и др.; Под ред. М. А. Окатова. - 2-е изд., перераб. и доп. - СПб.: Политехника,2004. - 679с.

60. В.М. Винокуров, З.А. Куклева, О влиянии физико-механических свойств смоляных полировальников на процесс полировки стекла, ОМП, 1959, №7 с. 46-55.

61. Ю. В. Ашкеров, Ю. Н. Лохов, Т. Ф. Мартынова, Исследование вязко-упругих свойств полировальных смол на основе пеко-канифоли, Оптический журнал, 1996, № 3, с. 51 -55.

62. Куманин К.Г. Несколько замечаний о строении поверхности полировальников / К.Г. Куманин // ОМП. - 1957. -№3. - С.38.

63. Дубровский В.А., «Оптико-механическая промышленность», 1956, № 2, с. 52.

64. Березина Е.Е., Винокуров В.М., Кисин В.И., «Оптико-механическая промышленность», 1958, № 7, с. 34.

65. Горобинская В.Д., Гороховский В.А., Новые полирующие материалы/ Стекло и керамика, 1972, № 5, с. 16 - 18.

66. Винокуров В.М., «Оптико-механическая промышленность», 1958, № 9, с. 52.

67. Винокуров В.М., Москвин Б.Н., «Оптико-механическая промышленность», 1937, № 7, с. 1.

68. R. R. Divecha, В. Е. Stine, D. О. Ouma, Е. С. Chang, D. S. Boning, J. Е. Chung, О. S. Nakagawa, H. Aoki, D. Bradbury, S. Y. Oh, A novel statistical metrology framework for identifying sources of variation in oxide chemical-mechanical polishing, Journal of the Electrochemical Society, 1998, V. 145, № 3, p.1052 -1059.

69. D. Bullen, A. Scarfo, A. Koch, D. P. Y. Bramono, J. Coppeta, L. Racz, In situ technique for dynamic fluid film pressure measurement during chemical-mechanical polishing, Journal of the Electrochemical Society, 2000, V. 147, № 7, p. 2741-2743.

70. Q. Luo, S. V. Babu, Dishing effects during chemical-mechanical polishing of copper in acidic media, Journal of the Electrochemical Society, 2000, V. 147, № 12, p. 4639 - 4644.

71. C. Oji, B. Lee, D. Ouma, T. Smith, J. Yoon, J. Chung, D. Boning, Wafer scale variation of planarization in chemical-mechanical polishing, Journal of the Electrochemical Society, 2000, V. 147, № 11, p. 4307 - 4312.

72. G. B. Basim, J. J. Adler, U. Mahajan, R. K. Singh, В. M. Moudgil, Effect of particle of chemical-mechanical polishing slurries for enhanced polishing with minimal defects, Journal of the Electrochemical Society, 2000, V. 147, № 9, p. 3523 3528.

73. J. Zabasajja, T. Merchant, B. Ng, S. Banerjee, D. Green, S. Lawing, H. Kura, Modeling and characterization of tungsten chemical mechanical polishing processes, Journal of the Electrochemical Society, 2001, V. 148, № 2, p. G73 -Gil.

74. M. Bhushan, R. Rouse, J. E. Lukens, Chemical-mechanical polishing in semidirect contact mode, Journal of the Electrochemical Society, 1995, V. 142, № 11, p. 3845-3851.

75. C. Rogers, J. Coppeta, L. Racz, A. Philipossian, F. B. Kaufman, D. Bramono, Analysis of flow between a wafer and pad during CMP processes, Journal of the Electronic Material, 1998, V. 27, № 10, p. 1082 - 1087.

76. Пат. 6447563 США, МПК {7} С 09 К 3/14, В 24 В 1/00. Химико-механическая полирующая жидкая система, имеющая раствор активатора. Chemical mechanical polishing slurry system having an activator solution/ Mahulikar Deepak. -№ 09/425358; Заявл. 22.10.1999; Опубл. 10.09.2002.

77. Девятых, Г. Г. Зависимость числа и размера оптических неоднородностей на поверхности высокочистого поликристаллического

селенида цинка от условий его полировки/ Г. Г. Девятых, А. И. Сучков, И.А. Коршунов, Г. JI. Мурский// Высокочистые вещества. - 1994. - № 4.-С.74-79.

78. Пат. 2181132 Россия, МПК {7} С 09 G 1/02. Состав для полирования оптических поверхностей/ Лаконто Роналд В.; Ср. Склейр Рэми. - Сент-Гобэн, Керамике энд Пластике. - № 2181132; Заявл. 16.02.1999; Опубл. 27.09.2002.

79. Пат. 5891205 США, МПК {6} В 24 D 3/34. Состав для химико-механической полировки. Chemical mechanical polishing composition/ EKC Technology, Inc. - № 911076; Заявл. 14.8.97; Опубл. 6.4.99.

80. Коршунов, И. А. Влияние условий обработки высокочистого поликристаллического селенида цинка на образование оптических дефектов на его поверхности/ И. А. Коршунов, Сучков А. И.// 10 Конференция по химии высокочистых веществ: Тезисы докладов, Нижний Новгород, 30 мая -1 июня 1995. - H. Н. - 1995. - С. 249-250.

81. Оптический производственный контроль/ Под ред. Д. Малакары, М.: Машиностроение, 1985, 400 с.

82. Г.В. Креопалова, Н.Л. Лазарева, Д.Т. Пуряев, Оптические измерения/ Под ред.1 Д.Т. Пуряева, М.: Машиностроение, 1987, 264 с.

83. ГОСТ 11141-84. Детали оптические. Классы чистоты поверхностей. Методы контроля. - Введ.01.01.85 до 01.01.90. - М.: Изд-во стандартов, 1984.

84. ГОСТ 25142-82. Шероховатость поверхности. Термины и определения. - Введ. 01.01.83. -М.: Изд-во стандартов, 1982.

85. Стандарт США MIL - 0 - 13830А.

86. Стандарт ФРГ DIN 3140.

87. Бочкин, О. И. Механическая обработка полупроводниковых материалов/ О. И. Бочкин, В. А. Брук, С. Н. Никифорова-Денисова. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983. - 112с.

88. Р. Л. Мюллер, А. В. Данилов, Т. П. Маркова, В. Н. Мельников, А. Б. Никольский, С. М. Репинский, Кинетика растворения германия в кислотных

и основных растворах перекиси водорода., Вестник Ленингр. Университета, 1960, №4, с. 81-87.

89. Р. Л. Мюллер, Т. П. Маркова, С. М. Репинский, Кинетика растворения германия в азотной кислоте., Вестник Ленингр. Университета, 1959, № 16, с. 107-118.

90. Перевощиков В.А., Гусев В.К. О способах химического полирования пластин кремния// Журнал прикладной химии. - 1975., Т. 48, № 10, с. 2128.

91. A.B. Волков, Формирование микрорельефа с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников, A.B. Волков, Н. Л. Казанский, О. Ю. Моисеев, Самарский государственный аэрокосмический университет, с. 74 - 77.

92. Е. Д. Зайцев, Исследование свойств смол «Оптика», Оптический журнал, 1993, № 1, с. 60 - 63.

93. Тимофеев О.В. Разработка полировочных и наклеечных смол для изготовления оптических элементов из CVD - ZnSe. / Тимофеев О.В., Кушнир С.Р., Гаврищук Е.М., Радбиль Б.А.// Тезисы докладов 12 конференции «Высокочистые вещества и материалы (получение, анализ, применение)», г. Нижний Новгород, 31 мая-3 июня 2004, - С. 299.

94. Гаврищук Е.М Влияние условий полирования на оптические свойства поверхности селенида цинка. / Гаврищук Е.М., Тимофеев О.В., Погорелко A.A., Сучков А.И. // Неорганические материалы. - 2004.- Т. 40.-№3 - С. 267271.

95. Гольцев М.В., Кухаренко Л.В., Гольцев В.П., Баран Л.В., Применение атомно-силовой микроскопии в исследовании морфологии поверхности композиционных ионно-плазменных покрытий и ионно-легированных материалов. Сборник докладов, IX Международной конференция «Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии», 12-15 октября 2010г.

96. Федотов Н.Г. Теория признаков и распознавания образов на основе стохастической геометрии и функционального анализа, М.:ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 304с.

97. Ролдугин В.И. Физикохимия поверхности, Долгопрудный, Издат.дом Интеллект, 2008, 565 с.

98. Девятых Г.Г. , Коршунов И.А., Гаврищук Е.М., и др. Исследование объемных неоднородностей в поликристаллическом селениде цинка, полученном методом химического осаждения из газовой фазы// Высокочистые вещества. 1993. №3. С. 16.

99. Воробьева Л.Б., Окатов М.А., Исследование зависимости скорости сполировывания стекла простого состава от основных технологических параметров процесса. - ОМП, 1975, № 3, с. 46 - 49.

100. Silvernail W.L., Goelzinger N.J. The mechanism of Glass polishing. - The Glass Industry, 1971, v. 52, № 4, p. 130 - 135.

101. PMO 284-55. Смолы Наклеечные и полировочные. Методы определения основных свойств, 1955, 9 с.

102. Кушнир С.Р., Шашкова Т.В., Паршуков А.С. Свойства кедровой живичной канифоли. - В кн.: Совершенствование производства канифольно-скипидарных продуктов: Сб. трудов ЦНИИЛХИ. Горький: Волго-Вятское кн. Изд-во, 1986, с. 14-18.

103. Радбиль Б.А., Кушнир С.Р. Реологические свойства канифоли. - В кн.: Совершенствование производства канифольно-скипидарных продуктов: Сб. трудов ЦНИИЛХИ. Горький: Волго-Вятское кн. Изд-во, 1986, с. 19 - 25.

104. ГОСТ 23863-79. Продукты лесохимические. Методы определения температуры размягчения. - Введ. 01.01.1981.

105. К. Hong, В. J. Kim, М. D. Kim, G. S. Park, J. Н. Lee, Н. S. Park, S. Y. Yoon, Т. I Kim, Determination of defect types of ZnSe-based epilayers by etch-pit configurations., Journal of crystal growth, 1997,181, p. 343 - 350.

106. L. M. Liu, G. Lindauer, W. Brock Alexander, P. H. Holloway, Surface preparation of ZnSe by chemical method, Journal Vac. Sci. Technol., 1995, V. 13, № 6, p. 2238 - 2244.

107. Тихонова E.JI., Гайворонский П.Е., Еллиев Ю.Е., Гаврищук Е.М., Мазавин С.М., Яшина Э.В. Влияние условий процесса окисления селенида цинка кислородом воздуха на состав летучих продуктов. // Журнал прикладной химии, 2003.-Т.76, вып.11. - С.1175-1178.

108. Хлопочкина Е.Л., Гайворонский П.Е., Еллиев Ю.Е., Гаврищук Е.М., Яшина Э.В. Окисление поликристаллического селенида цинка кислородом воздуха. // Журнал прикладной химии, 2001.-Т.74, вып.7. - С.1051-1053.

/