Физико-химические аспекты и компьютерное моделирование формирования нанослоевых структур выпрямляющих контактов Ga(As/P)-Ga(S/Se)-Ni тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Лебеденко, Сергей Евгеньевич

• Лебеденко, Сергей Евгеньевич
• кандидат химических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат химических наук Лебеденко, Сергей Евгеньевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.

1.1 Характеристики соединений a'"bv.

1.1.1 Общие сведения.

1.1.2 Кристаллическая структура.

1.1.3 Следствия отсутствия инверсионной симметрии: плоскости (111) и (1 1 1).

1.1.4 Характер связи в соединениях ainBv.

1.1.5 Сила связи aIM-BV.

1.2 Физико-химические свойства фосфида галлия и арсенида галлия.

1.2.1 Основные характеристики фосфида галлия.

1.2.2 Основные характеристики арсенида галлия.

1.2.3 Строение реальной поверхности арсенида галлия и фосфида галлия.

1.3 Граница раздела металл - полупроводник.

1.3.1. Методы формирования контактов металл - полупроводник.

1.3.2. Модели строения границы раздела металл - полупроводник.

1.3.3. Теории переноса заряда через границу раздела металл - полупроводник.

1.3.4 Состояние поверхности полупроводника и электрофизические свойства диодных структур металл - полупроводник.

1.3.5. Способы подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики контакта металл - полупроводник.

1.3.6. Процессы, протекающие на поверхности полупроводников типа A'"Bv, контактирующей с окружающей средой.

1.3.7. Влияние оксидного слоя на электрофизические свойства выпрямляющих контактов металл - полупроводник.

1.3.8 Халькогенидная пассивация поверхности полупроводника.

ГЛАВА 2.

ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСЛОЕВЫХ ДИОДНЫХ КОНТАКТОВ GaP-(S/Se)-Ni.

2.1 Техника и методика эксперимента.

2.1.1 Растворы и реактивы.

2.1.2 Установки.

2.1.3 Методика изготовления рабочих электродов.

2.1.4 Методика измерения катодных поляризационных кривых.

2.1.5 Методика формирования выпрямляющего контакта на поверхности полупроводника.

2.2 Термодинамический расчёт для реакций, протекающих на границе полупроводник -раствор.

2.3 Нахождение оптимальной плотности тока для наилучшего осаждения никеля.

2.4 Травление фосфида галлия концентрированными кислотами.

2.5 Регистрация вольтамперных характеристик контактов металл - полупроводник.

2.5.1. Влияние предварительной подготовки на электрофизические характеристики контакта никель-фосфид галлия п-типа.

2.5.3. Термическая стабильность.

2.6 Исследование поверхностей GaAs, GaP и контактов GaAs-Ni инструментальными методами.

ГЛАВА 3.

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА Ga(As, P)-(S, Se)-Ni.

3.1 Построение геометрической модели гетероперехода Ga(As,P) - (S, Se)-Me.

3.2. Расчет сил связи методом нелокального функционала плотности.

3.3. Расчет энергий и длин связей биядерных локальных кластеров состава АШВУ, а¥, aiv bvi, av bvi методом функционала плотности с помощью пакета компьютерных программ WINBOND.

3.4. Расчет энергий и длин связей биядерных локальных кластеров состава АИ1ВУ, A.„Bv. A,vBvr AvBvi методом функционала плотности в прог раммном пакете Hyper Chem 6 Professional.

3.5. Компьютерное моделирование релаксации контактов GaP-(S, Se)-Ni.

3.5.1 Механизмы релаксации наноструктуры контакта AHIBV - AinBvl - Me.

3.5.2 Анализ результатов компьютерного моделирования релаксации контакта GaP-S-Ni.

3.5.3 Анализ результатов компьютерного моделирования релаксации контакта GaP-Se-Ni.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические аспекты и компьютерное моделирование формирования нанослоевых структур выпрямляющих контактов Ga(As/P)-Ga(S/Se)-Ni»

Известно, что свойства контакта металл - полупроводник во многом определяются свойствами интерфейса поверхностей металла и полупроводника [1]. При этом интерфейс представляет собой определенную область материала между металлом и полупроводником со своими специфическими физико-химическими и электрофизическими свойствами. Согласно современным представлениям, интерфейс - это квантово-размерный нанослой, толщина которого не превышает нескольких нанометров. Формирование такого интерфейса - проблема для существующих технологий.

В обычных условиях на поверхности полупроводника существует довольно толстый слой оксидов [2]. Выпрямляющие контакты, сформированные таким оксидным интерфейсом, имеют невысокие электрофизические харарктеристики. Для устранения негативного влияния оксидного слоя существуют два основных технологических подхода [3]. На первой общей стадии полностью удаляется имеющийся оксидный слой вплоть до получения атомарно чистой поверхности полупроводника. На второй стадии создается интерфейсный слой двумя различными способами: а) оксидный нанослой на поверхности полупроводника и б) реконструированный нанослой в приповерхностной области полупроводника. Важно, что и создаваемый слой оксидов и реконструированная поверхность являются квантоворазмерными объектами, обеспечивающими при нанесении металла, во-первых, разделение объемных областей металла и полупроводника, а во-вторых, облегчение трансмиссии электронов между объемами металла и полупроводника.

Оба этих метода имеют существенные недостатки: дефектность и неоднородность оксидного слоя в первом случае, необходимость высокотемпературной обработки полупроводников в вакууме и нанесение металла в инертной атмосфере во втором случае. Все это ведет либо к снижению качества получаемых контактов либо к технологическому усложнению процесса их создания.

С конца 80-х годов прошлого века [4] разрабатывается комбинированный подход к созданию пассивирующего трансмиссионного слоя на поверхности полупроводника, объединяющий достоинства классических способов подготовки поверхности полупроводника к нанесению металла на второй стадии. В этом комбинированном подходе в ходе реконструкции приповерхностной области полупроводника образуется не оксидный, а халькогенидный квантово-размерный нанослоевой интерфейс с толщиной, не превышающей 1,5 нм [4]. Это было реализовано физическими методами высокотемпературного удаления оксидного слоя и парофазного нанесения слоя халькогена. Но технологически более приемлемым является жидкофазный способ слитного удаления оксидного слоя и замены его пассивирующим нанослоем халькогенидов в мягких условиях. Эти методы получили название «халькогенидная пассивация».

В данной работе поставлены и решены некоторые задачи создания интерфейса выпрямляющего контакта на основе полупроводников типа А|ИВУ и переходного металла методом жидкофазной халькогенидной пассивации поверхности полупроводника в мягких условиях.

Актуальность работы. В последние десятилетия в России и за рубежом проводятся исследования [5, 6], которые показали важную роль в создании барьерных гетероструктур металл - полупроводник атомного строения и свойств интерфейса контактирующих материалов. Интерфейс задается упорядоченной последовательностью различных технологических стадий, формирующих приграничную область. Обычно изготовление барьерных структур проводится в несколько стадий. Как было показано Батенковым В.А. и его сотрудниками [1], одной из важнейших является заключительная стадия обработки поверхности полупроводника, которая играет определяющую роль в формировании слоя поверхностных соединений.

В последние годы широко и успешно разрабатывается халькогенидная предварительная подготовка поверхности полупроводников [4, 5]. Она применяется при создании гетероструктур на основе полупроводников А|ПВУ и простых металлов. Выпрямляющие контакты, сформированные по такой технологии, обладают повышенными электрофизическими характеристиками. Количество методик применения халькогенидной пассивации постоянно растет, однако дается чрезвычайно мало объяснений положительного влияния пассивации на характеристики выпрямляющих контактов, формируемых с ее применением. Так как эффекты влияния халькогенидной пассивации проявляются в области квантово-размерного интерфейса металл - полупроводник, то особый интерес представляет изучение их методами квантово - механических расчетов, которые позволяют исследовать объекты, по тем или иным причинам недоступные для исследования инструментальными методами.

В связи с бурным развитием микроэлектроники и повышением требований к свойствам электронных устройств, все больше внимания уделяется фосфиду галлия, т.к. последний имеет уникальные характеристики в ряду полупроводников AmBv - прозрачность в оптическом диапазоне, высокую устойчивость к температурным и химическим воздействиям , большую ширину запрещенной зоны, что позволяет использовать его для изготовления приборов, функционирующих в жестких условиях. Задача разработки методов формирования выпрямляющих контактов на основе фосфида галлия является весьма актуальной.

Целью работы является выявление физико-химических механизмов и закономерностей формирования выпрямляющих контактов АП|Ву-Ме с близкими к идеальным электрофизическими параметрами на основе жидкофазных процессов образования нанопленки слоевых соединений AmBvl на поверхности полупроводника в мягких условиях.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо решить следующие задачи:

• систематизировать результаты экспериментальных работ в области физической химии полупроводников AHIBV, их поверхностей и границ раздела фаз металла и полупроводников АШВУ, пассивирования поверхности фосфида галлия и элетрохимического осаждения никеля на подложку;

• экспериментально и теоретически исследовать особенности физико-химических процессов создания халькогенидных нанослоевых контактов Ni-GaP п-типа при химической пассивации поверхности полупроводника в результате жидкофазной селенитной и комбинированной сульфидно-селенитной подготовки поверхности фосфида галлия перед электрохимическим нанесением никеля.

• построить компьютерные модели и провести компьютерную имитацию физико-химических механизмов формирования квантово-размерных слоевых интерфейсов выпрямляющих контактов фосфид галлия - никель на основе халькогенидных наноплёночных соединений состава Ga2S2, Ga2Se2;

• теоретически обосновать механизмы формирования диодных контактов Ni-GaP п-типа с близкими к идеальным электрофизическими параметрами на основе анализа результатов выполненных компьютерных экспериментов по имитации самоорганизации нанослоевого гетероперехода GaP-Ga(S/Se)-Ni.

Научная новизна. Впервые проведено комплексное теоретическое и экспериментальное исследование физико-химических закономерностей и механизмов создания выпрямляющих контактов Ni-GaP я-типа с близкими к идеальным электрофизическими свойствами в результате жидкофазного селенитного и комбинированного сульфидно-селенитного пассивирования поверхности фосфида галлия перед электрохимическим нанесением никеля.

В работе методами химической термодинамики и квантовой химии впервые дано обоснование физико-химических механизмов халькогенидного пассивирования поверхности фосфида галлия за счёт формирования в мягких условиях жидкофазных реакции наноплёночных соединений состава Ga2S2, Ga2Se2.

В работе впервые были разработаны общий подход и математическая модель проведения компьютерных экспериментов по имитации физико-химических процессов самоорганизации квантово-размерных гетероструктур слоевых интерфейсов выпрямляющих контактов фосфид галлия - никель на основе халькогенидных наноплёночных соединений состава Ga2S2, Ga2Se2.

Впервые результаты компьютерного эксперимента использованы для физико-химической интерпретации релаксационных механизмов получения нанослоевых выпрямляющих контактов GaP-Ga(S/Se)-Ni, с параметрами, близкими к идеальным, а также результатов экспериментов по изучению их устойчивости к воздействию окислительной атмосферы и повышенных температур.

Практическая значимость работы заключается в разработке способа химической предварительной подготовки поверхности фосфида галлия для создания выпрямляющих контактов Ni - GaP и-типа с электрофизическими параметрами близкими к идеальным. Предложен метод комбинированной сульфидно-селенитной обработки поверхности, позволяющий получать контакты Ni - GaP «-типа с коэффициентом идеальности близким к 1.

Разработанный общий подход, математическая модель и программный пакет «Molecule Editor» может быть использован для изучения процессов физико-химической релаксации, протекающих в аналогичных квантово-размерных гетероструктурах интерфейсов выпрямляющих контактов AmBv-Ме на основе наноплёночных соединений состава (А1П)2 (BVI)2.

Положения, выносимые на защиту.

1. Физико-химические аспекты селенитной и комбинированной сульфидно-селенитной подготовки поверхности фосфида галлия перед электрохимическим нанесением никеля.

2. Физико-химическая интерпретация механизмов достижения близких к идеальным электрофизических характеристик выпрямляющих контактов AmBv-Me на основе образования нанопленки слоевых соединений А В на поверхности полупроводника.

3. Механизмы и закономерности физико-химических процессов перестройки нанослоевых гетероструктур выпрямляющего контакта GaP-Ga(S/Se)-Ni.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были доложены на: Международной конференции «Современные проблемы физики и высокие технологии», Томск, 2003 г.; Международной конференции «Е-MRS Spring Meeting, 2005 Symp. A: Current trends in nanoscience from materials to application», Страсбург, Франция, 2005 г.; Международной школе-конференции молодых ученых «Физика и химия наноматериалов», Томск, 2005 г.; Международной конференции «Е-MRS IUMRS ICEM 2006 Spring Meeting, Symposium: A: Current Trends in Nanoscience - from Materials to Applications», Ницца, Франция, 2006 г.; 4 Международной конференции «Материалы и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии производства и утилизации изделий», Большая Ялта, Крым, Украина, 2006 г.; 4 Международной научно-технической конференции «Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы. Получение, свойства, применение», Красноярск, 2006 г.; Девятой международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» «GaAs-2006», Томск, 2006 г.; Второй Всероссийской конференции по наноматериалам НАНО-2007, Новосибирск, 2007 г.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Лебеденко, Сергей Евгеньевич

ВЫВОДЫ

1. Показано, что халькогенная обработка поверхности полупроводника позволяет формировать выпрямляющие контакты никеля с фосфидом галлия, имеющие большую стабильность параметров при термическом воздействии и выдержке в воздушной атмосфере. Достигнуто воспроизводимое формирование диодных структур на основе никеля и фосфида галлия «-типа

1 п ^

2 9*10 см") с параметрами, близкими к идеальным.

2. Показано, что комбинированная сульфидно-селенитная пассивация поверхности полупроводника в 0.1 М растворах Na2S и Na2Se03 позволяет формировать выпрямляющие контакты Ni-GaP «-типа (GaP 111, 100, «=2 -f

17 7

9*10 см") с коэффициентом идеальности 1.22±0.03, высотой барьера

0.97±0.01 эВ, стабильность параметров которых при выдержке в атмосфере выше, чем для контактов Ni-GaP «-типа, сформированных на поверхностях GaP, подвергавшихся одинарной халькогенной обработке.

3. В рамках предложенной модели физико-химического строения квантово-размерного нанослоевого интерфейса GaP-Ga(S/Se)-Ni показано, что наилучшему сопряжению пассивирующего халькогенидного слоя с поверхностными структурами GaP и Ni соответствует наноплёнка селенида галлия GaSe.

4. Из анализа результатов квантово-химических расчетов найдено, что в интерфейсе GaP-Ni формируются обменные контактные связи Ni-X (X=S, Se) с энергиями E(NiS)=0,151 эВ, E(NiSe)=0.029 эВ. Показано, что через интерфейс происходит супрамолекулярный переход a(Ni-Ni)-P(NiX)-a(GaX).

5. Показано, что наноструктуры интерфейсных гетеропереходов GaP-Ga(S/Se)-Ni релаксируют с понижением общей энергии в зависимости от структуры связевого подграфа с изменением периодичности наложения слоев Ga(S/Se) и Ni от 3:2 до 4:3 с сохранением когерентности их сопряжения.

6. Различные наноструктурные механизмы релаксации гетеропереходов GaP-Ga(S/Se)-Ni приводят к различным метастабильным упаковкам атомных кластеров GaP-Ga(S/Se)-Ni. Показано, что наиболее устойчивой конфигурацией кластера GaP-Ga(S/Se)-Ni является случай октаэдрического окружения поверхностных атомов Ga. Релаксация данной структуры приводит к понижению энергии в системе на 0,097 эВ/атом для кластера состава GaP-GaS-Ni и на 0,247 эВ/атом для кластера GaP-GaSe-Ni.

Автор выражает благодарность НОЦ ТГУ (г. Томск) и Югорскому центру нанотехнологий (г. Ханты-Мансийск) за предоставленные возможности проведения исследований образцов с помощью комплксов лабораторно-измерительного оборудования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Обработки поверхностей GaP растворами халькогенсодержащих соединений позволяют сформировать устойчивые к выдержке в атмосфере и к температурным воздействиям выпрямляющие контакты Ni-GaP п-типа с близкими к идеальным характеристиками. Лучшие результаты достигаются при формировании контактов на поверхностях GaP, подвергнутых комбинированной сульфидно-селенитной обработке.

Проведенные исследования поверхностей полупроводников до и после пассивации методом рентгеновской дифракционной спектроскопии, а также исследования поверхности GaAs и никелевой поверхности контакта Ni-GaAs методом атомно-силовой спектроскопии показали, что в настоящее время нет возможности изучения интерфейсов металл - пассивированная поверхность полупроводника инструментальными методами. Отсюда вытекает необходимость определения микромеханизмов и закономерностей для полученных интерфейсов металл-полупроводник методами компьютерного моделирования.

Кристаллохимические модели нанослоевых интерфейсов Ga(As/P)-Ga(S/Se)-Ni, построенные в предположении образования промежуточного слоя халькогенидов в виде слоевого соединения состава GaX (X = S, Se), объясняют улучшение характеристик формируемых контактов металл-полупроводник. Так как соединения GaX имеют гексагональную структуру, то при нанесении металла, например, никеля, на пассивированную поверхность полупроводника будет обеспечиваться когерентное сочетание структур полупроводника и металла При этом на переходе GaX-Ni слои металла и халькогенида налагаются в сочетании 3:2. Кроме того, слоевое строение данных соединений обеспечивает ограничение толщины промежуточного халькогенидного слоя, а значит, на границе раздела металл-полупроводник для электронов существует только энергетический барьер.

С помощью проведенных квантово-химических расчетов показано, что в рамках предложенной модели структуры нанослоевых интерфейсов Ga(As/P)-Ga(S/Se)-Ni будут релаксировать. Исследование релаксации проводилось методом наискорейшего спуска по поверхности потенциальной энергии связи (ППЭС) атомов кластера, в качестве модельного был выбран кластер GaP-X-Ni, где X = S, Se.

Изучение процессов релаксации тетраэдрической и октаэдрической конфигураций модельного кластера показало, что релаксация приводит к понижению энергии системы, причем выигрыш в энергии выше в случае октаэдрической конфигурации, чем в случае тетраэдрической и для гетероперехода GaP-Se-Ni выше, чем для гетероперехода GaP-S-Ni. Кроме того, периодичность наложения слоев металла и халькогенида изменяется на 4:3 и в том, и в другом случае.

Из представленных данных следует, что протекающие релаксации по энергии соответствуют структурным фазовым переходам на (3-связях. Наиболее выгодным с точки зрения понижения общей энергии системы является процесс перехода гетероструктуры GaP-Se-Ni от кристаллохимического сочетания структур к октаэдрической конфигурации поверхностных атомов галлия.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Лебеденко, Сергей Евгеньевич, 2007 год

1. Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Барнаул. Изд-во АлтГУ, 1998.-163 с.

2. Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. -Томск: Изд-во ТГУ, 1990. 230 с.

3. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств // Справочник. -М.: Радио и связь, 1991. 528 с.

4. Бессолов В.Н. и др. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников А3В5 // Физика и техника полупроводников. 1998. -Т. 32.-№ И.-С. 1280-1298.

5. Зюзин Ю.Б. Обзор изобретений «Полупроводниковые приборы и интегральные схемы». Ч. 1-3 / Аналитические обзоры /Scitechlibrary.com/, 2003.

6. Химическая энциклопедия: В 5 т.: т. 1. / Кнунянц И.Л. (гл. ред.) и др.-М: Сов. энцикл., 1988.-623 с

7. Thiel A., Koelsch Н., Zs. anorg. Chem. 1930 - Vol. 65-66 - P. 288 ()

8. Huggins M. L., Phys. Rev. 1926 - Vol. 27 - P. 286.

9. Goldschmidt V. M., Trans. Farad. Soc. 1923 - Vol. 25 - P. 253.

10. Блюм А. Н.,Мокровский H. П., Регель A. P., Изв. АН СССР, серия физич. 1952 - т. 16-С. 139.

11. Welker Н., Zs. Naturforsch. 1952 - Vol. 11 - P. 744.

12. Стрельченко C.C., Лебедев B.B. Соединения А3В5 // Справочник. -Изд-во Металлургия, 1984. 144 с.

13. Бокий Г.Б. Кристаллохимия М.: Изд-во «Наука», 1971 - 400 с.

14. Хилсум К., Роуз-Инс Р. Полупроводники типа AIII BV = Semiconducting III - V Compounds/ Под ред. Н. П. Сажана, Г. В. Захваткина — М.: Изд-во иностр. лит. 1963 - 323 с.

15. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. -Т. 1,453 с.

16. Warekois Е. P., Shore S. G., Parry P. Н., Journ. Appl. Phys. 1959 - Vol. 30-P. 960.

17. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников.— М.: Высш. школа, 1982. 528 с.

18. Маделунг О. Физика полупроводниковых приборов на основе соединений элементов 3 и 5 групп. / Пер. с англ. Б. И. Болгакса.— М.: Мир, 1976.-475 с.

19. Pfister Н., Zs. Naturforsch. 1955 - Vol. 10а - P. 79.

20. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. - 488 с.

21. Угай Я. А. общая и неорганическая химия М.: Высш. школа, 1997. -527 с.

22. Химическая связь в полупроводниках и твердых телах. / АН БССР, Ин-т физики тв. тела и полупроводников (Отв. Ред. Н. Н. Сирота).— Минск: Наука и техника, 1965. 367 с.

23. Phillips J.С. Bonds and Bands in Semiconductors Academic Press, New York, 1973 -351 p.

24. Allen J. W., Phil. Mag. 1957 - Vol. 2 - P. 1475.

25. Wolff G. A., Tolman L., Field N. J., Proceedings of International Collodium on Semiconductors and Phosphors Garmisch, 1956 - 463 p.

26. Geller S., Journ. Phys. Chem. Solids 1959 - Vol. 10 - P. 340.

27. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников М.: Высш. шк., 1975.-302 с.

28. Пихтин А. Н., Тарасов С. A., Kloth В. Новое значение высоты потенциального барьера Ag-n-GaP. Письма в ЖТФ.- 2002.- Т. 28.-вып. 20.-С. 74-79

29. Слободчиков С. В., Руссу Е. В., Салихов X. В., Мередов М. М., Язлыева А. И. Электрические свойства диодных структур металл-полупроводник на основе разупорядоченных слоев GaP// Физика и техника полупроводников. 1996. - Т. 30. - № 2. - С. 220-226.

30. Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия), М.: Мир, 1974,238 с.

31. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. - 456 с.

32. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991.-632 с.

33. Родерик Э. X. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ.; под ред. Г.В. Степанова. М.: Радио и связь, 1982. - 208 с.

34. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.-672 с.

35. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. - 283 с.

36. Николлиан Э., Синха А. Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контакта металл-полупроводник // В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции; под ред. Дж. Поута. М.: Мир, 1983. - С. 484-538.

37. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки М.: Сов. радио, 1974. - 248 с.

38. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов М.: 2000. - 324 с.

39. Schotky W., Spenke Е., Veroff. Siemens-Werke 1939 - В. 18, S. 225.

40. Mott N. F., Proc. Cambridge Phil. Soc. 1938 - v.34, p. 568.

41. Давыдов Б.И. ЖТФ 1938 - т. 5, с. 87

42. Сысоева JI.H., Батенков В.А., Катаев Г.А. Выбор условий обработки сотовых структур при создании барьера Шоттки электрохимическим способом. Вопросы химии. Изд-во ТГУ. 1973. -Т. 6 - № 6 - С. 180182.

43. Батенков В.А., Сысоева J1.H. Влияние некоторых факторов на ВАХ контактов металл-полупроводник Томск: Изд-во ТГУ, - 1974. - № -С. 162-165.

44. Ковалева JI.C., Калюжный В.М., Цендровский В.А., Сажина Е.М. Импульсная электрохимия в технологии приборов и схем на арсениде галлия / Сб. тр. «Шестого всесоюз. совещ. по исследованию арсенида галлия» Томск. - 1987. - Т. 2. - С. 16-18.

45. В.А. Батенков, Б.П. Шипунов Приборы с барьером Шоттки на основе арсенида галлия / Сб. метод, разработок в области материаловедения полупроводников и твердотельных структур. Новосибирск. - 1986. -С. 20.

46. Пичугин И.Г., Тонеров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1984. -248 с.

47. Schottky W. Naturwissenschaften, 1938, В. 26, S. 843; Z. Phys., 1939, В. 113, S. 367; 1942, В. 118, S.539.

48. Tamm Т.Е. Physik., Z. Sowjetunion, - 1933, - Vol. 1. - Р.357-359.

49. Shockly W. Pearson G. Modulation of conductance of thin films of semiconductors by Surface charges, Phys. Rev., - 1948, - Vol. 74. - P. 232-233.

50. Лысов B.B. Практикум по физике полупроводниковых приборов. -M.: Советское радио, 1969. 124 с.

51. Божков В.Г., Куркан К.И. О механизме токопереноса в диодах с барьером Шоттки В книге: Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки: Сб. науч. тр. - Киев: Наук, думка, 1979. - С. 44-47.

52. Джейкок М., Парфит Дж. Химия поверхностей раздела фаз. Пер.с англ. М.: Мир, 1984. - 269 с.

53. Обработка поверхности и надежность материалов. Пер.с англ.; под ред. Дж. Бурке, Ф. Вайса. М.: Мир, 1985.- 192 с.

54. Адамсон А. Физическая химия поверхностей. / Пер. с англ. М.: Мир, 1979.-568 с.

55. Кнорре Д.Г., Крылова Л.Ф., Музыкантов B.C. Физическая химия. -М.: Высш. шк., 1990.-416 с.

56. Батенков В.А. Исследование электрохимических свойств арсенида галлия и германия и состояния их поверхности / Дисс. на соиск. уч. ст. к.х.н. Томск, ТГУ, 1969. - 369 с.

57. Bardeen J. Surface barriers and surface conductivity. Phys. Rev. 1947. -Vol. 71.-P. 717-721.

58. Kontesky J. On the theory of surface states. J. Phys. Chim. Sollids. 1960. -Vol. 14.-P. 233-235.

59. Pugh D. Surface states on the (111) surface of daemond. Phys. Rev. Letters. 1964. - Vol. 12. - P. 390-392.

60. Allen F., Gobeli G. Work function, photoelectric threshold and surface states on atomically clean silicon. Phys. Rev. 1962. - Vol. 127. - P. 150154.

61. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников/под ред. Луфт В.Д. -М.: Радио и связь, 1982. 136 с.

62. Стукалова И.Н. Влияние химических воздействий на состояние поверхности полупроводников AinBv /Дисс. канд. хим. наук. Барнаул, АГУ, 1990-207 с.

63. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г., Семашко Е.М., Гасанов Л.Г. Влияние физико-химических воздействий на поверхность арсенида галлия // Поверхность. 1983. -№ 2. - С.88-94.

64. Massies I., Contour I.P. Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: an X-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs (001) surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H2O solution //J. Appl. Phys. 1985. -Vol. В 58.-P. 806-810.

65. Alnot P., Wyczisk F., Friederick A. An X-ray photoelectron spectroscopy study of chemically etched GaAs // Surface Science. 1985. - Vol. 162. - P. 708-716.

66. Sakai I., Hirosu M., Osaka Y., Evaluation of ultrathin native oxide on GaAs surface. J. Electrochem. Soc. Solid State Science and technology. -1980.-Vol. 127.-№3.-P. 713-716.

67. Немошкаленко B.B., Алешин В.Г., Семашко E.M., Сенкевич А.И. Исследование процессов окисления поверхности арсенида галлия. // Поверхность. 1985. -№ 2. - С. 111-114.

68. Белый В.И. Смирнова Т.П. Экспериментальные исследования и пути стабилизации фазового состава оксидных пленок на полупроводниках типа AinBv // Материалы электронной техники, ч. 2. Новосибирск, 1983.-С. 15-28

69. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности / Перевод с англ. М.: Мир, 1989. - 100 с.

70. Митова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. Относительные парциальные и интегральные величины как метод выявления вклада примесных соединений в хемостимулированное термическое окисление арсенида галлия / Поверхность. 1998. - № 4. - С. 61-68.

71. Adams А.С., Pruniaux B.R. Gallium Arsenide Surface film Evaluation by Ellipsometry and its effect on Shottky Barriers. Surface film Evaluation. -1973.-Vol. 120.-P. 408-414.

72. Бузанева Е.В., Костиков Ю.П., Коротченков Г.С., Шумило А.А. Физико-химические свойства окисленной поверхности фосфида индия (100). Поверхность, Ф.Х.М. - 1983. - № 6. - С 85-91.

73. Абдурагимов Г.А. Поверхность кристалла и эпитаксия. / Отв. Ред. Эфендиев А.З. Сев.-Кавк. Научный центр высшей школы. Ростов-на-Дону. Изд-во Рост, ун-та, 1987. - С. 5-8.

74. Бондарчук А.Б., Гойса С.Н., Находкин Н.Г. Механизм отдельных стадий окисления полупроводников типа AniBv // Физика оксидных пленок, Ч. 2. Петрозаводск, 1991.-С. 51-55.

75. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Наукова думка, 1974. - 149 с.

76. Свердлова A.M. Поверхностные явления в полупроводниках // Саратовский университет. 1985. - С. 54

77. Венгер Е. Ф. и др. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. -1995. -№2. С. 59-65.

78. Кириллова С.И., Примаченко В.Е. Электронные свойства сульфидированной поверхности арсенида галлия // Поверхность. -1994.-№12.-С. 80-82.

79. Берковиц B.JL, Иванцов Л.Ф. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе сульфида натрия // Физика и техника полупроводников. 1990. - Т. 25. - № 3. - С. 379-384.

80. Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В. Сульфидная пассивация силовых GaAs диодов // Физика и техника полупроводников. - 1999.-Т. 33.-№ 6-С.716-718.

81. Бедный Б. И., Байдусь Н.В. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: отккрепление уровня Ферми. // Физика и техника полупроводников. 1995. - Т. 29. -№ 8. - С. 1488-1490.

82. Батенков В.А., Катаев Г.А., Плотникова А.Н. Пассивация GaAs в сероводороде и парах серы // Вопросы химии: Изд-во Томского университета. 1971. -№ -С. 187-190.

83. Сумец М.П. Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированные обработкой GaAs в парах селена. / Автореф. . канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1999. - 25 с.

84. A.M. Green, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A 1993 - Vol 11 - P. 1061.

85. J.R. Waldrop. J. Vac. Sci. Technol. В 1985 - Vol 3 - P. 1197.

86. N. Yoshida, S. Chichibu, T. Akane, M. Totsuka, H. Uji, S. Matsumoto, H. Higuchi. Appl. Phys. Lett. 1993 - Vol 63 - P. 3035.

87. Сысоева JI.H., Батенков В.А. Электроосаждение металлов на полупроводники n-GaAs // Вопросы химии: сб. науч. тр. Томск, 1973. -С. 99-102.

88. Фомина Л.В. Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs п-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла / Дисс. канд. хим. наук. -Барнаул, АлтГУ, 2003 180 с.

89. Шипунов Б.П Технология полупроводниковых приборов. / Методические указания к лабораторным работам. Барнаул, АлтГУ 1997-18 с.

90. Фомина Л.В., Безносюк С.А., Лебеденко С.Е., Привалов А.В. Термодинамика процесса халькогенной пассивации поверхностиполупроводников типа AmBv // Ползуновский вестник. 2005. - №4-1. -С. 139-142.

91. Кэй Д.Ж., Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных. -М. Гос. изд-во физ-мат. литературы. 1962 171 с.

92. Краткий справочник физико-химических величин. / Под ред. А.А. Равделя и А.К. Пономаревой. -Л. Химия. 1983. 232 с.

93. Верятин У.Д., Маширев В.П. Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник. М.: Атомиздат, 1965. с.

94. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических веществ. М.: Химия, 1968. с.

95. Рябин В.А. Термодинамические свойства веществ. Л.: Химия, 1977 - 302 с.

96. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

97. HyperChem" Release 5.0 for Windows. Reference manual / Copyright © 1996 Hypercube, Inc. Canada, 1996 - 656p.

98. Справочник химика. В 6 т. Т. 1. Общие сведения. Строение вещества. Свойства важнейших веществ. Лабораторная техника/ под ред. Б. Н. Никольского. -М.: Госхимиздат, 1963. 1071 с.

99. Медведева 3. С. Халькогениды элементов ШБ подгруппы периодической системы. М.: Изд-во «Наука», 1968. - 216с.

100. Некрасов Б. В. Основы общей химии: в 2 т. М.: Химия, 1973. - Т. 1, 690 с.

101. Ю5.Безносюк С.А., Потекаев А.И., Жуковский М.С., Жуковская Т.М., Фомина JI.B. Многоуровневое строение, физико-химические и информационные свойства вещества. Томск: Изд-во HTJ1, 2005. — 264 с.

102. HyperChem® Computational Chemistry. Practical Guide / Copyright © 1996 Hypercube, Inc. Canada, 1996 - 366 p.

103. Краснов К. С., Филиппенко Н. В., Бобкова В. А и др. Молекулярные постоянные неорганических соединений: Справочник/ Под ред. К. С. Краснова. J1.: Химия, 1979. - 448 с.

104. Ю8.Хьюбер К.-П., Герцберг Г. Константы двухатомных молекул. В 2 ч. 4.1: Пер с англ. -М.: Мир, 1984. 408 с.

105. Основное содержание работы изложено в следующих публикациях

106. Фомина Л.В. Халькогенная обработка при формировании выпрямляющих контактов металл VIII группы полупроводник типа AInBv / Фомина Л.В., Безносюк С.А., Лебеденко С.Е., Бочкарев А.Г., Сподарев В.М.// Известия АлтГУ, серия Химия. - 2004. - №3(33).-С.42-48

107. Фомина Л.В. Термодинамика процесса халькогенной пассивации поверхности полупроводников типа АШВУ / Фомина Л.В., Безносюк С.А.,

108. Лебеденко С.Е., Привалов А.В.// Ползуновский Вестник 2005. - №4 - С. 139-142

109. Beznosyuk S.A. Theory of double chalcogenide passivation of metal-GaAs diode contact nanosized interfaces / Beznosyuk S.A., Fomina L.V., Lebedenko

110. E.// Book of Abstracts of E-MRS Spring Meeting, 2005 Symp. A: Current trends in nanoscience- from materials to application, Strasburg (France), 2005, A/PI.06

111. Лебеденко C.E. Компьютерное моделирование сложных структур в физической химии (методический аспект) // Интеллектуальный потенциал ученых России. Труды Сибирского института знаниеведения. Вып.5 Барнаул, Москва: Изд-во Алт. Ун-та, 2005. С. 97-99

112. Лебеденко С.Е. Компьютерное моделирование выпрямляющих наноконтактов AmBv AH,BVI/BVBVI - Me / Лебеденко С.Е., Фомина Л.В.// Физика и химия наноматериалов: Сборник материалов Межд. школы-конференции молодых ученых. - Томск: ТГУ, 2005. - С. 655-658.

113. Сподарев C.M. Формирование выпрямляющих контактов металл-полупроводник типа АШВУ с промежуточным слоем халькогенидов / Сподарев С.М., Привалов А.В., Фомина Л.В., Безносюк С.А., Лебеденко С.Е.// Ползуновский Вестник 2006. - 2-1 - С. 112-115

114. Фомина Л.В. Компьютерное моделирование наноструктурных слоевых соединений АШВУ AmBVI - М / Фомина Л.В., Безносюк С.А., Фомин А.С.,

115. Митюнина Н.С., Лебеденко С.Е.// Труды 4 Межд. конф. «Материалы и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии производства и утилизации изделий», 18-22 сентября 2006, Крым, Украина. С. 98

116. Peak Data List peak 2Theta no. (deg)1 5B.40002 58.68045i/113 1001. FWHMdeg) 0.14120 0.091401.tensity Integrated Int (Counts) (Counts) 6981 74944229072 1324102