Физические процессы на поверхности эмиссионно-активных систем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, доктор физико-математических наук Гнучев, Николай Михайлович

• Гнучев, Николай Михайлович
• доктор физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Гнучев, Николай Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ЭМИССИОННЫЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДВОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СПЛАВОВ

1.1. Эмиссионные свойства сплавов

1.2. Фазовый состав двойных сплавов. Взаимосвязь эмиссионных свойств с количественным и фазовым составом сплавов

1.3. О природе эмитирующей поверхности сплавов.

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1. Ионная бомбардировка сплавных эмиттеров

2.1.1. Экспериментальный прибор и установка.

2.1.2. Методика измерений.

2.2. Электронная оже-спектроскопия.

2.2.1. Основы метода.

2.2.2. Экспериментальная установка для регистрации оже-спектров в анализаторе с задерживающим полем и для определения работы выхода методом Андерсона.

2.2.3. Экспериментальные приборы и контрольные измерения

2.2.3.1. Экспериментальные приборы.

2.2.3.2. Контрольные измерения

2.2.4. Электронный оже-спектрометр 09-ИОС-10-004. 42 2.2.4.1. Определение коэффициентов элементной чувствительности.

2.2.5. Оже-спектрометр с угловым разрешением.

2.3. Методический комплекс для количественного анализа поверхности.

2.3.1. Физический принцип растрового метода измерения распределения работы выхода по поверхности образца.

2.3.2.Экспериментальная установка для анализа относительного распределения работы выхода и элементного состава поверхностей проводящих материалов.

2.3.3. Контрольные измерения.

2.3.4. Снятие кривых dS/d<p в отсутствие растра по поверхности мишени.

2.3.5. Разрешающая способность метода и влияние на нее различных факторов.

2.3.6. Выбор скорости записи кривых dS/dcp.

2.3.7. Методика определения величины изменения рабош выхода мишени. Факторы, влияющие на положение кривой dS/dcp.

2.3.8. О создании шкалы абсолютных значений работы выхода в методе регистрации зависимостей dS/d(p . ^

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ IIA ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ.

3.1. Общие положения.

3.2. Влияние ионной бомбардировки на эмиссионные свойства сплава рения с торием.

3.3. Влияние ионного облучения на эмиссионные свойства сплава платины с барием.

3.4. Влияние ионной бомбардировки на эмиссионные свойства сплава палладия с барием.

3.5. Обсуждение результатов по ионному облучению сплавов.

Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ АДСОРБЦИОННЫХ СИСТЕМ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОН1ЮЙ 0ЖЕ-СПЕКТР0СК011ИИ. j 0 j 4.1. Оже-спектроскопия пленочных аналогов двойных сплавов. Ю1 4.1.1. Общие положения. Ю]

4.1.2. Исследование пленочных систем барий-металл \ Q

4.1.2.1. Система барий-вольфрам. \

4.1.2.2. Пленочная система барий-платина. \ 0У

4.1.2.3. Особенности оже-спектра при адсорбции Ва и

ВаО на Mo (110).

4.1.2.4. Июги исследования пленочных систем барий-металл методом оже-спектроскопии. 1 j g

4.1.3. Система церий-иридий. 12] 4.2. Анализ адсорбционной системы Ni (110)-c(2*2)-S методом электронной оже-спекгроскопии с угловым разрешением.

4.2.1. Общие положения. j

4.2.2. Экспериментальные угловые зависимости оже-эмиссии.

4.2.3. Основные элементы теоретической модели и сравнение экспериментальных и теоретических данных. j

4.2.4. Анизотропия эмиссии оже-электронов никеля.

4.2.5. Анизотропия эмиссии оже-электронов серы в структуре Ni (110)-c(2x2)-S.

Глава 5. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ ЭОС ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ, ПРОИСХОДЯЩИХ НА ПОВЕРХНОСТИ ДВОЙНЫХ И ТРОЙНЫХ СПЛАВОВ И МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМ

5.1. Общие положения, относящиеся к исследованиям двойных и тройных сплавов.

5.2. Сплав платина-барий.

5.2.1. Исследование изменений состояния поверхности сплавов при термическом активировании.

5.2.2. Изменения в оже-спектрах сплавов при осаждении избыточного бария на поверхность.

5.2.3. Обсуждение результатов исследования сплавов платины с барием.

5.2.3.1. Зависимость эмиссионных свойств и характера поверхности сплавов or их состава.

5.2.3.2. Химическое состояние поверхности сплавов.

5.2.4. Исследование поверхности сплава платина - барий с использованием комплекса методов ЭОС и растровой методики записи относительного распределения работы выхода.

5.3. Сплав иридий-церий

5.3.1. Общие замечания к проведению исследований и обработке результатов.

5.3.2. Исследование изменений состояния поверхности сплавов при термическом активировании. ]

5.3.3. Структура и химическое состояние поверхности исследованных сплавов иридий - церий и их связь с фазовым составом.

5.3.4. Химическое состояние поверхности сплавов и ею отражение в оже-спектрах.

5.4. Оже-спектроскопия тройных сплавов 1г - Се - Мо и 1г-Ce-Re

5.5. Количественная оже-спектроскопия многокомпонентных систем.

5.5.1. Анализ методики расчета относительных концентраций элементов на поверхности многокомпоненшых систем по данным ЭОС.

5.5.2. Количественная оже-спектроскопия участков поверхности сложных металлооксидных систем.

5.5.2.1. Металлоокидная композиция BaO-SrO-CaO+Ni+Zr.

5.5.2.2. Металлооксидная композиция Pd — ВаО — MgO.

5.5.2.3. Поверхностные структуры на металлопористых термоэмиттерах, моделирующие сплав платины с барием

Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ УГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ.

6.1. Идентификация алмазонодобных пленок углерода с использованием комплекса методов ЭОС и растрового эле-тронно-лучевого метода регистрации относительного распределения работы выхода.

6.1.1. Краткий анализ литературных данных.

6.1.2. Исследование углеродных пленок на кремнии, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы.

6.2. Эмиссионные характеристики покрытий на основе нанопористого углерода.

6.2.1. Краткое описание технологии получения нанопористого углерода и его основные характеристики.

6.2.2. Условия эксперимента и активирование эмиттера

6.2.3. Исследование характеристик полевой эмиссии нанопористого углерода

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физические процессы на поверхности эмиссионно-активных систем»

Развитие электронной техники, особенно в области мощных и малогабаритных электронных приборов, работающих в диапазоне сверхвысоких частот, а также в области новых устройств отображения информации, вызвало к жизни потребность в поиске, разработке и исследовании новых эффективных эмиссионно-активных материалов, которые удовлетворяли бы целому ряду требований, в том числе весьма противоречивых. В приборах новейшею поколения высокие требования к уровню и стабильности электронной эмиссии в условиях интенсивной ионной и электронной бомбардировки должны сочетаться с жесткими технологическими требованиями, такими как высокая электро- и теплопроводность, формоустойчивость, простота механической обработки материалов.

Эмиссионно-активные системы - это широкий класс веществ, поверхность которых после соответствующих внешних воздействий преобразуется таким образом, что создаются стабильные условия для выхода в вакуум как можно большего числа электронов в единицу времени. Такими условиями, как известно, являются: понижение высоты потенциального барьера на границе твердое тело-вакуум (малая работа выхода, нулевое или отрицательное электронное сродство) или обеспечение условий для туннельного перехода электронов твердого тела в вакуум сквозь узкий потенциальный барьер.

В результате интенсивных научно-технологических исследований были созданы и апробированы новые эмиссионно-активные системы. В приборах вакуумной СВЧ-элекгроники в качестве термо- и вторичноэлектронпых эми перов нашли широкое применение сплавы благородных металлов со щелочноземельными и редкоземельными металлами. В современных вакуумных устройствах отображения информации перспективными источниками однородной эмиссии электронов с большой площади оказались пленки материалов на основе углерода на основе нанотрубок, нанокласгеров, алмазопо-добных и пористых покрытий. Внедрение новых классов эмиссионноактивных материалов происходило и происходит столь стремительно, что возникла необходимость широких комплексных исследований их поведения в условиях ионного облучения, термического и полевого активирования; изучения взаимосвязи эмиссионных свойств с составом и с состоянием их поверхности и в конечном счете - выяснения сути физических процессов, лежащих в основе их работы.

Основные физические процессы, происходящие при активировании, т.е. при переходе поверхности в эмиссионно-активное состояние - это диффузия, миграция, испарение и структурные преобразования. Выявление степени влияния каждого из этих процессов на конечное состояние поверхности и основанная на этом выработка рекомендаций, направленных на совершенствование технологии изготовления эмиттеров, является одной из главных задач физических исследований в области эмиссионной электроники.

В связи с этим появилась настоятельная необходимость внедрения в практику исследований эмиссионно-активных систем новых методов анализа поверхности. Возникла задача создания методического комплекса для исследования их поверхности и, как следствие, расширения круга исследуемых термо- и вторично-электронных эмиттеров, как перспективных так и имеющих широкое применение, но по-прежнему не выясненный до конца физический механизм эмиссии электронов.

Таким образом, проведение широкого круга исследований физических процессов на поверхности металлосплавных и других эмиссионно-активных систем с привлечением современных методов анализа поверхности и поиск путей их совершенствования является актуальной научной проблемой.

Целью работы являлся комплексный анализ процессов, происходящих на поверхностях эмиссионно-активных систем при различных внешних воздействиях, установление на этой основе закономерностей их формирования и создание соответствующих физических моделей поверхностей исследованных объектов.

Научная новизна работы определяется следующими впервые полученными результатами:

1. Выявлены закономерности влияния ионного облучения и термической обработки на работу выхода двойных металлических сплавов рений-торий, платина-барий и палладий-барий. Обнаружен эффект активирования ионным пучком для сплава на основе палладия.

2. Адаптированы методики электронно-зондовых исследований к анализу поверхности эмиссионно-активных систем. Предложен способ исследования сложных систем путем сопоставления с предварительно изученными пленочными аналогами, апробированный в настоящей работе и примененный к изучению систем платина-барий и иридий-церий.

3. Модифицирован метод коэффициентов элементной чувствительности для расчета относительных поверхностных концентраций компонентов сложных многоатомных систем. В результате, введение уже на первом шаге итерации поправки на различие числовых атомных плотностей данного элемента и эталона значительно повышает точность результатов.

4. С использованием разработанных и апробированных методик выявлены закономерности физических процессов на поверхноаи меюнлосгшав-ных систем различного состава и их пленочных аналогов. Установлены зависимости работы выхода и характера поверхности этих объектов от их состава и химическое состояние этих поверхностей.

5. Получены данные об особенностях адсорбции серы - наиболее aipec-сивного поверхностного загрязнения сплавов. На основе анализа угловых зависимостей выхода оже - электронов показано, что адсорбированные в структуре с(2х2) на поверхности Ni(110) атомы серы как источники оже-эмиссии обладают свойством анизотропии: оже-электроны испускаются преимущественно в направлении нормали к поверхности. Адсорбция атомов серы происходит во впадинах плоскости Ni(110).

6. Установлены факторы, влияющие на степень однородности поверхности по элементному составу и эмиссионной способности; выявлен характер эмиссионных центров на поверхности многокомпонентных эмиссионно-активных веществ, таких как металооксидные композиции, металлопорисше системы с поверхностью, модифицированной мощным импульсным потоком электронов.

7. Выявлены условия формирования алмазной фазы в пленках углерода на кремнии, полученных методом плазмохимического осаждения. С помощью анализа относительного распределения работы выхода но поверхности установлено, что доля алмазной фазы на поверхности возрастает с толщиной углеродной пленки.

8. Для перспективного материала эмиссионной электроники - нанопо-рисюго углерода установлены закономерности формирования устойчивых характеристик холодной эмиссии и выявлены основные параметры этой эмиссии для углеродных матриц, сформированных из различных карбидов.

Практическая значимость работы определяется тем, что в ней заложены основы современного подхода к решению широкого круга научных и практических задач эмиссионной электроники. Эти задачи связаны, прежде всего, с выявлением взаимосвязи эмиссионных свойств с морфологией поверхности: ее элементным составом, химическим состоянием поверхностных атомов, характером распределения эмиссионно-акгивных веществ и поверхностных примесей, снижающих эмиссионную способность.

Весь этот комплекс сведений получен в настоящей работе для эмисси-онно-активных материалов, имеющих большое практическое значение: металлических сплавов, многокомпонентных металлооксидных композиций, углеродных пленок и нового класса холодных эмиттеров на основе нанопо-ристого углерода. На основе результатов работы выявлены важнейшие параметры, такие, как оптимальное содержание эмиссионно-активных вещееiв, степень однородности поверхностей по элементному составу и работе выхода, тип «углеродной матрицы» для получения приемлемого уровня стабильной холодной эмиссии нанопористого углерода.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Закономерности преобразования эмитирующей поверхности двойных металлических сплавов рений-торий, платина-барий и палладий-барий при облучении ионами инертных газов и последующей термической обработке в условиях, близких к реально существующим в современных вакуумных приборах и устройствах.

2. Методический комплекс для количественного анализа поверхности сложных, в том числе многокомпонентных, эмиссионно-активных систем. Методики, включенные в состав комплекса, основанные на известных физических принципах, модифицированы, и при комплексном применении позволяют получить в одинаковых условиях эксперимента широкий спекгр сведений об исследуемой поверхности: количественный элементный состав, характер распределения элементов и эмиссионных параметров (в том числе абсолютных значений работы выхода) на выбранном участке.

3. Метод анализа физико-химического состояния поверхности сплавных эмиттеров со сложным фазовым составом, основанный на сопоставлении с полученными в одинаковых условиях данными электронной оже-спектроскопии их пленочных аналогов (Ba-W; Ba-Pt; Ва, ВаО-Мо; Се-1г).

4. Физические механизмы формирования пленок эмиссионно-активных компонентов (Ва, Се) на благородных металлах (Pt, Ir) при различных температурах и скоростях осаждения.

5. Физическая картина формирования эмитирующих поверхностей, адекватно отражающая закономерности процессов, происходящих на поверхностях сплавов Pt-Ba, Ir-Ce, Ir-Ce-Mo, Ir-Ce-Re различного сос шва при термическом активировании электронной эмиссии и осаждении дополнительного количества активного вещества на поверхность.

6. Физические модели поверхностей многокомпонентных металлооксид-ных систем, сформированные на основе комплексного анализа взаимосвязи эмиссионной способности с количественным элементным cocia-вом поверхности и ее химическим состоянием.

7. Способ идентификации алмазоподобных пленок углерода посредством оже-спектроскопии и анализа относительного распределения работы выхода по поверхности.

8. Закономерности формирования устойчивых характеристик и параметров холодной эмиссии для нового класса эмиссионно-активных Maie-риалов - нанопористого углерода.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Гнучев, Николай Михайлович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Основные научные результаты, полученные в диссертации, сосюят в следующем:

1. Исследовано воздействие ионной бомбардировки (плотность тока 10"7 - 10~5 А/см2, энергия ионов неона и аргона 2 кэВ) на термоэмиссионные свойства сплавов рения с торием, платины и палладия с барием. Установлено, что, несмотря на одинаковую природу объектов исследования, наблюдается различный характер зависимостей работы выхода сплавов or времени бомбардировки, температуры образцов и плотности ионного тока.

2. Облучение ионами сплава Re - 6 % Th при Т = 1150-1600 К показало, что для каждого значения плотности ионного тока имеется интервал температур, в котором работа выхода возрастает со временем бомбардировки до некоторого установившегося значения. Начиная с некоторой температуры, возрастающей при увеличении плотности ионного тока, термоэмиссионные свойства сплава остаются неизменными. Результаты опытов удовлетворительно объясняются с точки зрения «пленочной гипотезы».

3. Обнаружен сложный характер изменений эмиссионных свойств сплава Pt-3% Ва в процессе облучения ионами. Наблюдались как возрастание, так и уменьшение работы выхода, т.е. в ряде случаев ошечалось активирование ионным пучком. Установившиеся в процессе бомбардировки значения работы выхода всегда были выше исходных. В то же время ионная бомбардировка сплава Pd - 1,5 % Ва в интервале температур 950-1200 К не ухудшала его термоэмиссионную способность. Наблюдаемые явления можно связать с созданием дополнительного количества свободного бария при ионном облучении за счет разложения интерметалл идов и (или) образования дополнительных дефектов на поверхности, стимулирующих диффузию. Существует также возможность обогащения поверхности барием вследствие неодинаковых скоростей катодного распыления компонентов.

4. Разработана методика исследования методом оже-спекгроскопии сложных объектов - двойных и тройных металлических сплавов - путем сопоставления с предварительно изученными пленочными аналогами. Проведены оценка чувствительности, калибровка метода и циклы исследований пленочных систем и сплавов Pt-Ba и Ir-Ce.

5. Создан методический комплекс для анализа в единых условиях относительного распределения работы выхода и количественною элементною состава поверхностей. Разработана техника измерений; выявлены возможные артефакты, установлены парамефы системы регистрации сигнала, при которых абсолютное разрешение на кривых относительного распределения работы выхода не превышает 0,015 эВ.

6. Установлено, что при температурах 300 К и 800-1000 К пленка бария на платине формируется существенно различными способами. Если в первом случае покрытие является практически равномерным, то во втором пленка имеет ярко выраженный островковый характер.

7. Показано, что на чистой поверхности иридия рост пленки церия при 300 К до двух монослоев осуществляется по механизму Франка-Ван дер Мерве (слой за слоем). Присутствие небольшого количества углерода на поверхности (0,2.0,3 монослоя) приводит к качественному изменению характера осаждения, что можно объяснить наличием двух шпов адсорбционных мест.

8. Получены новые данные об особенностях адсорбции серы - наиболее агрессивного поверхностного загрязнения сплавных эмиттеров. Исследования проведены в системе Ni(110) - c(2x2)S. Из сравнения большого объема теоретических и экспериментальных данных по угловым зависимостям эмиссии оже-электронов серы в структуре Ni (110) - c(2x2)S следует:

Адсорбированные атомы серы как источники оже-эмиссии обладают свойством анизотропии, выражающейся в том, что оже-электроны испускаю гея преимущественно в направлении нормали к поверхности крис!алла. Теоретическое описание анизотропии с использованием набора квантовых чисел (С,т) = (1,0) дает хорошее согласие с экспериментом.

Адсорбция атомов серы происходит во впадинах поверхности Ni (110) (hollow sites); адатомы «возвышаются» над поверхностью ~ на 0,9 ангстрем.

9. Исследованы изменения состава и химического сосюяния приповерхностной области сплавов платины с барием (0,3-5 %) в процессе термической обработки. Показано, что приповерхностная область активированных сплавов обогащена активным компонентом, концентрация которого возрастает с увеличением объемного содержания. При этом распределение атомов бария в приповерхностной зоне изменяется от равномерного (0,3-1,5 % Ва) к распределению в виде агломератов (5 % Ва). Наблюдается аномальная зависимость от состава сплавов: число свободных атомов платины возрастает с увеличением процентного содержания бария. Очевидно, этот эффект объясняется различной структурой приповерхностной области сплавов: оптимальные условия для связывания платины и бария в интерметаллид реализуются при равномерном распределении атомов активного компонента (Pt—0,3 % Ва). При исследовании процесса активирования сплава с 0,3% бария посредством анализа в одинаковых условиях оже-спектров и относительного распределения работы выхода подтверждено существование на поверхности двух фаз с работами выхода 2,3 эВ и 2,7-2,8 эВ, и отсутствие областей чистой платины.

10. Обнаружено существенное различие в структуре поверхности сплавов иридия с высоким (27 %) и низким содержанием (8 % и 1 %) церия. Сопоставление относительных величин оже-пиков основного компонента -иридия для всех исследованных образцов позволило сделать вывод, что с увеличением концентрации легкоплавкого компонента степень дисперсности изменяется в сюрону увеличения кластеров, при этом сплавы Ir - 1 % Се и Ir - 8 % Се можно рассматривать как пленочные эмиттеры, югда как поверхность сплава с 27 % церия имеет ярко выраженный островковый характер.

И. Модифицирован метод коэффициентов элементной чувствительности для расчета относительных поверхностных концентраций компонентов сложных многоатомных систем. Введение уже на первом iimi е итерации поправки на различие числовых атомных плотностей данного элемента и эталона значительно повышает точность результатов.

12. Исследована степень однородности поверхности по элементному составу и эмиссионной способности и выявлен характер эмиссионных центров на поверхности многокомпонентных эмиссионно-активных веществ, таких как металлооксидные композиции, металлопористые системы с поверхностью, модифицированной мощным импульсным потоком электронов.

13. Показана возможность формирования эмиссионно-активной системы, подобной сплаву Pt-Ba, на поверхности металлопористых термоэмиттеров (МПТ) с напыленной пленкой платины после воздействия мощного импульсного потока электронов. Установлено, что поверхность, моделирующая сплав Pt-Ba на осмированном МПТ, более однородна по элементному составу.

14. Анализ оже-спектров и относительного распределения работы выхода по поверхности пленок углерода на кремнии, проведенный в единых условиях эксперимента, позволил выявить параметры (элементы технологии, толщины пленок), при которых появляется алмазная фаза. Показано, что доля алмазной фазы в ближнем порядке на поверхности возрастает с толщиной пленки.

15. Установлены закономерности формирования устойчивых характеристик холодной эмиссии перспективного материала эмиссионной электроники - нанопористого углерода. Выявлены основные параметры этой эмиссии для углеродных матриц, сформированных из различных карбидов. Изучены условия, при выполнении которых могут быть достшнуты приемлемые параметры: уровень и стабильность полевой эмиссии.

Результаты, полученные в диссертации, опубликованы в работах [119166].

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Гнучев, Николай Михайлович, 2006 год

1. Дюбуа Б.Ч., KyjuameB O.K. Физика металлов и металловедение. Т. 21, 1966, стр. 396-399.

2. Гугнин А.А., Хамидов О.Х. Радиотехника и электроника. Т. 12, 1967, стр. 2270-2273.

3. Рожков С.Е., Култашев O.K. Радиотехника и электроника. Т 13, 1968, стр. 570-574.

4. Бадаева Т.А. Дашевская А.И., Култашев O.K., Рожков С.Е. Элекфонная техника, сер. 1 «Электроника СВЧ», № 8, 1967, стр. 135-138.

5. Дюбуа Б.Ч., Култашев O.K., Горшкова Л.В. Физика i вердого тела. Т. 8, 1966, стр. 1105-1109.

6. Дюбуа Б.Ч., Пекарев А.И., Попов БЛI., Тылкина М.А. Радиотехника и электроника. Т. 8, 1962, стр. 1568-1571.

7. Дюбуа Б.Ч., Култашев O.K., Цыганкова И.А. Радиотехника и электроника. Т. 9, 1964, с ф. 2061-2065.

8. Дюбуа Б.Ч., Ермолаев Л.А., Култашев O.K. Радиотехника и электроника. Т.11, 1955, стр. 1149-1152.

9. Дюбуа Б.Ч., Ермолаев Л.А., Есаулов Н.П., Стародубов И.П., Якименко Л.П. Радиотехника и электроника. Т. 12, 1967, стр. 1523-1527.

10. Ильин B.I 1., Есаулов ГШ., Казаков А.П. Электронная техника, сер. 1 «Электроника СВЧ», № 4, 1971, стр. 138-142.

11. Рожков С.Е., Култашев O.K., Дашевская А.И. Радиотехника и элекфоника. Т. 14, 1969, стр.936-939.

12. Дмитриева В.Н., Есаулов Н.П., Журавлев H.I I., Рождественский В.М., Сб. «Благородные металлы и их применение». Вып. 28, 1971. стр. 313-322.

13. Дмитриева В.Н., Резухина Т.Н., Вареха Л.М. и др. «Металлофизика, вып.49, 1973, стр. 38-44.

14. Дюбуа Б.Ч., Ермолаев Л.А. Изв. АН СССР, сер. физ. Т.28, 1968, стр. 15081511.

15. Култашев O.K., Макаров А.П., Новикова Т.М. Рожков С.В., Соловьев В.И. 15-я Всесоюзная конф. по эмиссионной электронике. Краткие содержания докладов. Киев, 1973. Т.1, стр.40-41.

16. Anderson J.J., Danforth W.E. Williams A.J. Journ. Appl. Phys. V. 34, 1963. PP. 8-15.

17. Комар А.П., Сюткин H.H. Физика твердого тела. Т. 7, 1965, cip. 33103314.

18. Зубенко Ю.В., Есаулов Н.П. Физика твердого тела. Т. 12, 1970, стр. 852855.

19. Зубенко Ю.В. Радиотехника и электроника. Т. 18, 1973, стр. 2440-2444.

20. Коваленко В.Ф. Электронная техника, сер.1 «Электроника СВЧ», № 10, 1969, стр.119-130.

21. Bradley R.C., D'Asaro L.A. Journ. Appl. Phys. V.30, 1969.PP 226-232.

22. Комар А.П., Савченко В.П., Шредник B.H. Доклады АН СССР. Т. 129, 1969, с I р. 540-548.

23. Дюбуа Б.Ч., Ермолаев Л.А. Радиотехника и электроника. Т. 12. 1967, стр.884-888.

24. Кузнецов В.А., Царев Б.М. Физика твердого тела. Т.9, 1967, стр. 25242527.

25. Бронштейн И.М., Хинич И.И., Дюбуа Б.Ч., Карасик Б.С., Терентьева И.М., Соловьева Г.С. Физика твердого тела. Т. 16, 1974, стр. 3485-3488.

26. Фоменко B.C., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат,1975.

27. Бронштейн И.М., Ильин В.Н., Краинский И.Л., Пронин В.П., Стожаров В.М. Радиотехника и электроника. Т. 19, 1974, стр. 455-459.

28. Бронштейн И.М., Дюбуа Б.Ч., Карасик Б.С., Хинич И.И. Радиотехника и электроника. Т. 19, 1974, стр.808-811.

29. Мацкевич T.JI. Журнал технической физики. Т.38, 1968, стр. 401-412.

30. Методы анализа поверхностей. Под ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1979.

31. Фридрихов С.А. Анализаторы и монохроматоры для электронной спек-троскомии. JI.: ЛГУ, 1978.

32. Тейлор Н. Приборы для научных исследований. №6, 1969, стр. 28-35.

33. Haas Т.W., Grant J.T., DooleyG.J. Phys. Rev. Bl, 1970. PP. 1449-1455.

34. Атлас оже-спектров чистых материалов. Изд. НИТИ. Рязань, 1984.

35. Алексеев Ю.В., Каничева И.Р. Труды ЛПИ № 345 «Физическая электроника», 1975, стр.112-114.

36. Ионов В.В., Кораблев В.В. Радиотехника и электроника. Т.17,№ 6, 1972, стр. 1341-1334.

37. Ионов В.В., Кораблев В.В. Радиотехника и электроника. Т. 18, № 8, 1973, стр. 1760-1764.

38. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир, 1987.

39. Фоменко B.C., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат, 1975.

40. Птушинский Ю.Г. Радиотехника и электроника. Т. 12, № 12, 1967, стр. 1502-1506.

41. Такейя К., СиракаваТ., Такахаси С. Сб. «Оксидный катод» под ред. Б.М. Царева. М.: Изд. иностр. лит., 1957, стр .137-146.

42. Кучеренко Е.Т., Демьяненко В.П., Тальнова Г.Н. Изв. Вузов. Физика, вып.2, 1960, стр. 160-164.

43. Кучеренко Е.Т., Демьяненко В.П., Тальнова Г.Н. Радиотехника и электроника. Т.5, 1960, стр. 1493-1496.

44. Фугава С., Адати X. Сб. «Оксидный катод» под ред. Б.М. Царева. М.: Изд. иностр. лит. 1957, стр. 333-345.

45. Гугнин А.А. Вопросы электроники, сер.1 «Электроника», вып.9, 1965, стр.126-129.

46. Кучеренко Е.Т., Ахтырская Е.В. Вопросы электроники, сер.1 «Электроника», вып.9, 1965, с ip. 148-152.

47. Мелконян А.Л. Автореферат канд. диссертации. Л. 1974.

48. Аброян И.А. Физика твердого тела. Т 1. № 12, 1959, стр. 1854-1857.

49. Аброян И.А. Научно-техн. информационный бюллетень ЛПИ им. М.И. Калинина. № 3,1960, стр. 33-36.

50. Савицкий Е.М., Полякова В.П., Хорлин Е.М. Известия АН СССР, сер. «Мет аллы», 31, 1971, стр. 157-162.

51. Almen О., Bruce G. Nuclear Instruments and Methods. V. 11. 1961. PP. 257263.

52. Laegreid N., Wehner G.K. Journ. Appl. Phys. V.32, 1969. PP. 265-373.

53. Добрецов Л.П., Гомоюнова М.В. «Эмиссионная электроника». М: Наука, 1966.

54. Шредник В.Н. Радиотехника и электроника. Т.5, 1960, стр. 1203-1206.

55. Медведев В.К., Смерека Т.П. Физика твердого тела. Т. 15, 1973, стр. 724727.

56. Quinto D.T., Sundaram W.S., Robertson W.D. Surface science. V.28, 1971. PP. 504-510.

57. Кораблев В.В. Электронная оже-снектроскопия. Л.: ЛПИ, 1973.

58. Dooley G.J., Haas T.W. Journ. of Vacuum Science and Technology. V. 7. 1970. PP. 90-97.

59. Журавлев И.Н., Есаулов Н.П., Раль И.В. Кристаллография. Т. 15, 1070, стр. 974-981.

60. Тумарева Т.А. Автореферат кандидатской диссертации, ЛПИ, 1972.

61. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А. и др. «Электронная спектроскопия для химического анализа». М.: Мир. 1971.

62. Мойжес Б.Я. «Физические процессы в оксидном катоде». М.: Наука, 1968.

63. Зандберг Э.Я, Тонтегоде А.Я. Физика твердого тела. Т. 12, 1979, стр. 11241129.

64. Зандберг Э.Я, Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Журнал технической физики. Т. 46, 1976, стр. 2610-2613.

65. Schlenk W., Bauer Е. Surface science. V. 94, 1980. PP. 528-534.

66. Biberian J.P., Somorjai G.A. Appl. of Surface science. V. 2, 1979. PP. 352357.

67. Seah M.P. Surface science. V.32, 1972. PP. 703 710.

68. Палатник Л.С., Папиров И.И. «Эпитаксиальные пленки». М.: Наука, 1971.

69. Allie G., Blanc Е., Dufayard D. Surface science. V. 57, 1976. PP. 293-298.

70. Noonan J.R., Zehner D.M., Jenkins L.H. Surface science. V. 69, 1977. PP. 731-736.

71. Pendry J.B. Low energy electron diffraction. N.-Y.: Academic Press. 1984.

72. Aberdam D., Baudoing R., Blanc E., Gaubert C. Surface science. V. 57, 1976. PP. 306-313.

73. Baudoing R., Gaubert C., Blanc E., Aberdam D. Physics of Solid Surfaces. Amsterdam: Elsevier, 1982. PP. 87-111.

74. Aberdam D., Baudoing R., Gauthier Y. Surface science. V. 78, 1978. PP. 339345.

75. Tong S.Y., Van Hove M.A., Mrstik B.J. Proc. of 7-th Intern. Congress and 3rd Intern. Conf. on Solid surfaces. Vienna, 1977. PP. 2407-2409.

76. Walch S.P., Goddard W.A. Surface science. V. 72, 1978. PP. 645-651.

77. Gauthier Y., Baudoing R., Clarke L. Journal of Physics С. V. 15,1982. PP. 3223-3227.

78. Demuth P.M., Marcus P.M., Jepsen D.W. Phys. Rev. B. V.l 1, 1975. PP. 14601568.

79. Van der Veen J.F., Tromp R.M., Smeenk R.G., Saris F.W. Surface science. V.82, 1979. PP. 468-474.

80. Bishop H.E., Riviere J., Coad J.P. Surface science. V.24,1971. PP 1 -9.

81. Haas T.W., Grant J.T., Dooley G.J. Journ. of Applied Physics. V.43, 1972. PP. 1853-1861.

82. Bowman R., Toneman L., Holscher A. Surface science. V.35, 1973. PP 8-14.

83. Иванов В.Ш., Брытов И.А., Кораблев В.В. и др. «Атлас оже-спекгров химических элементов и их соединений». М.: изд-во ВИНИТИ, 1986.

84. Рыбас K.II. Электронные пушки и термоэлектронные катоды, используемые в ускорителях электронов. — Л.: Энергоиздат, 1977.

85. Дмитриева В.Н., Резухина Т.Н., Вареха Л.М. и др. «Металлофизика, вып.49, 1973, стр. 38-44.

86. Миссол В. «11оверхнос1ная энергия раздела фаз в металлах. М.: Металлургия, 1978.

87. Dooley G.J., Haas T.W. Journ. of vacuum science and technology. V. 7. 1970. PP. 990-997.

88. Алексеев Ю.В., Каничева И.Р. Известия АН СССР, сер. физ. Т.40, 1976, стр. 1753-1755.

89. Алексеев Ю.В., Каничева И.Р. Известия АН СССР, сер. физ. Т.40, 1976, стр. 2587-2590.

90. Progress in cathode research. 4-th tri-service cathode workshop. Appl. Surf. Sci. 1985. Vol.24. PP. 3-14.

91. Haas G.A., Shih A., Marrian C.R.K. // Appl. Surf. Sci. 1983. Vol. 16. P. 139144.

92. Рутьков E.B. Двумерная пленка графита на поверхности переходных металлов. Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 1995.

93. HeiyxoB М.Н. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Москва, 1997.

94. PonsonnetL., DonnetC., Varlot К. et al. Thin Solid Films. V.319, 1998, № 1-2. PP. 97-100.

95. Frauenheim Т., Stephan U., Blaudeck P. Phys. Rev. B. V.48, № 3, 1993. PP. 1819-1823.

96. Peng X.L.,Clyne T.W. Thin Solid Films. V.319, 1998, № 1-2. PP. 207-218.

97. Sharda Т., Misra D.S., Seibt E.W., Selvam P. Appl. of Surface Science. V.l 15, 1997, № l.PP. 23-27.

98. Jiang X., Klages C.P. Physica Status Solidi (a). V 154, 1996,№ l.PP 175-183.

99. Lea C., J. Phys. D: Appl. Phys., 1973, 6, 1105-1114.

100. Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli T. et ah, Appl.Phys., 1999, A 69, 245254.

101. Monteiro O.R., Mammana V.P., Salvadori M.C. et al., Appl. Phys., 2000, A 71, 121-124.

102. Talin A.A., Dean K.A., Jaskie J.E., Solid-State Electron., 2001,45, 963-976.

103. Образцов A.H., Павловский И.Ю., Волков А.П., ЖТФ, 2001, 71, выи.11, 89-95.

104. Milne W.I., Тео К.В.К., Chhowalla М. et al., Current Appl. Phys., 2001,1, 317-320.

105. Xu N.S., Chen Y, Deng S.Z. et al., J. Phys. D: Appl. Phys., 2001, 34, 15971601.

106. Bonard J.-M., Croci M., Klinke C. et al., Carbon, 2002,40, 1715-1728.

107. Pirio G., Legagneux P., Pribat D. et al., Nanotechnology, 2002,13, 1 -4.

108. Obraztsov A.N., Volkov A.P., Nagovitsyn K.S. et al., J. Phys. D: Appl. Phys., 2002,35, 357-362.

109. Гуляев Ю.В., Вестник РАН, 2003, 73, №5, 389-391.

110. Laplaze D., Alvarez L., Guillard T. et al., Carbon, 2002,40, 1621- 1634.

111. Maser W.K., Benito A.M., Martinez M.T., Carbon, 2002,40, 1685-1695.

112. Гуляев Ю.В., Синицын Н.И., Жбанов A.M., Торгашов Г.В., и др. Устройства наноэлектроники на основе углеродных нанотрубок и углеродных нанок-ластеров. Инженерная физика, 2004, № 1, стр. 2-17.

113. Гуляев Ю.В., Жбанов А.И., Синицын Н.И., Торгашов Г.В., и др. Авто-электронпая эмиссия с углеродных нанотрубных пленок. Радио гехника и электроника. 2003. Т.48, стр. 1399-1406.

114. Торгашов И.Г. Экспериментальные исследования и моделирование автоэлектронной эмиссии из синтезированных тонких углеродных нанокластсрных пленок. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Саратов, 2005 г.

115. Архипов А.В., Мишин М.В., Соминский Г.Г., Парыгин И.В. Гистерезис импульсных характеристик авюэлектронной эмиссии с наноуглеродных пленок. ЖТФ. Т. 75, № 10, стр. 104 110.

116. Лобанов В.М. Особенности энергораспределения автоэлектронов из углеродных наноэмиттеров. ЖТФ. Т.75, №11, стр. 92 96.

117. Диаграммы состояний двойных металлических систем. Справочник под общ. ред. Н.П. Лякишева, М., Машиностроение, 1996 г., т.1, 991 стр.

118. Диаграммы состояний двойных металлических систем. Справочник под общ. ред. И.П. Лякишева, М., Машиностроение, 1997 г., г.2, 1023 cip.

119. Гнучев Н.М, Каничева И.Р., Кирсанова Т.С. Влияние ионной бомбардировки на термоэлектронную эмиссию сплава рения с торием. Электронная техника, сер.1. «Электроника СВЧ». № 11, 1970, стр. 133-137.

120. Гнучев Н.М, Каничева И.Р., Кирсанова Т.С. Влияние ионной бомбардировки на термоэлектронную эмиссию сплава палладия с барием. Электронная техника, сер.1. «Электроника СВЧ». № 12, 1970, стр. 131-135.

121. Гнучев Н.М. Ионная бомбардировка катодов на основе двойных сплавов. Труды ЛИИ № 328 «Физическая электроника», 1973, стр. 89-93.

122. Гнучев Н.М., Кирсанова Т.С., Сень А.П. Регистрация компонентов на поверхности бинарного сплава. 15-я Всесоюзная конференция но эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Киев, 1973, стр. 113-114.

123. Алексеев Ю.В., Борисов В.Л., Гнучев Н.М., Каничева И.Р. и др. Регистрация компонентов на поверхности сплавов. Известия АН СССР, сер. физ. № 12, 1973.

124. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С. Оже-спектроскопия пленочных сие i ем барий-металл. Физика твердого тела. Т. 16, №5, 1974, стр. 1342-1348.

125. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С., Литвинов O.K. Оже-спектроскопия пленочной системы барий платина. Физика твердого тела. Т.17, № 3, 1975, стр.937-939.

126. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С. Влияние структуры на оже-спектры пленок бария на платине. Труды ЛПИ № 345 «Физическая электроника» 1975, стр. 27-29.

127. Гнучев Н.М., Литвинов O.K. Разрешающая способное гь прибора с четы-рехсеточным квазисферическим анализатором. Труды ЛПИ № 345 «Физическая электроника» 1975, стр. 103-105.

128. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С. Оже-спектроскопия металлосплавных катодов. Электронная техника, сер.1. «Электроника СВЧ». № 12, 1975, стр. 68-74.

129. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С. Влияние ионного облучения на гермоэмис-сию сплавов платины с барием и оже-спектроскопия их новерхносчи. Сб. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» ч.П. Харьков, 1976, cip. 62-65.

130. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С. Элементный состав и химическое состояние поверхности сплавов платины с барием. Известия АН СССР, сер. физ. № 8, 1976, стр. 1731-1736.

131. Гнучев Н.М., Кирсанова Т.С. Оже-спектроскопия сплавов иридия с церием. 17-я Всесоюзная конференция но эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Ленинград, 1976.

132. Гнучев Н.М. Кирсанова Т.С., Скворцов Н.Н. Эмиссионные свойства и состав поверхности сплавов иридия с церием. Электронная техника, сер.1. «Элекфоника СВЧ». № 3, 1980, стр. 49-54.

133. Гнучев Н.М., Скворцов Н.Н. Оже-спектроскопия сплава Ir 27% Се. Труды ЛПИ № 371 «Физика поверхности». 1980, стр. 45-49.

134. Гнучев Н.М., Карташов В.Н. Особенности оже-спектра бария при адсорбции Ва и ВаО на Мо(110). Труды ЛПИ № 371 «Физика поверхности». 1980, стр. 34-36.

135. Гнучев Н.М., Гелль А.П. Взаимосвязь эмиссионных свойс1в с составом и структурой сплавов. 18-я Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Москва, 1981, стр. 94.

136. Гнучев Н.М., Гелль А.П. Взаимосвязь эмиссионных свойств с составом поверхности тройных сплавов. Известия АН СССР, сер. физ. № 12, 1982, стр. 2312-2315.

137. Гнучсв Н.М. Контроль состава и структуры поверхности катодов. «Обзоры по электронной технике». ЦНИИ «Электроника» № 6 (946), 1983. 60 стр.

138. R.Baudoing, E.Blanc, C.Gaubert, Y. Gauthier, N.Gnuchev. Angular resolved Auger emission from clean and sulfur covered Ni(l 10) surface. Surface Science. V. 128, № 1, 1983, PP. 22-36.

139. Гнучев H.M., Степанов M.B. Применение оже-спектроскопии для анализа роста пленок Се на Ir. 5-й Всесоюзный симпозиум по вторичной эмиссии. Тезисы докладов. Рязань, 1983, стр.76-77.

140. Гнучев Н.М. Диагностика поверхности эффективных эмиттеров. 19-я Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Ташкент, 1984, стр. 89-90.

141. Гнучев II.М., Галахова И.А. Анализ поверхности пленочных аналогов сплавных эмиттеров. 19-я Всесоюзная конференция но эмиссионной, электронике. Тезисы докладов. Ташкент, 1984, стр. 68.

142. Гнучев Н.М., Гелль А.П., Степанов М.В. Изучение процесса осаждения церия на иридий. Труды ЛПИ № 397. «Диагностика приповерхностного слоя». 1984, стр. 22-24.

143. Гнучев Н.М., Гелль А.П. Оже-спектроскопия тройных сплавов. Труды ЛПИ № 412.«Физика процессов у границ раздела». 1985, стр. 20-23.

144. Алексеев Ю.В., Гнучев Н.М., Каничева И.Р.Анализ поверхности прессованною оксидно-никелевого катода. 6-й Всесоюзный симпозиум по вторичной эмиссии. Тезисы докладов. Рязань, 1986., стр. 76-77.

145. Гнучев Н.М. Современное состояние физики поверхнос ги термоэлектронных эмиггеров. 20-я Всесоюзн. конф. по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Киев, 1987.

146. Гнучев Н.М., Каничева И.Р., Эвентов Б.И. Количественная оже-спектроскопия участков поверхности оксидно-никелевого катода. Труды ЛПИ № 429. «Физические аспекты методов контроля ». 1989, стр. 13-16.

147. Гнучев Н.М. Современное состояние физики и диагностики поверхности термоэлектронных эмиттеров. Известия АН СССР, сер. Физ. № 8, 1988. стр. 836-839.

148. Гнучев I I.M., Каничева И.Р. Оже-анализ прессованного оксидно-никелевого термокаюда при рабочих температурах. XXI Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Т.1. Ленинград, 1990, стр. 232.

149. Гнучев Н.М., Каничева И.Р. К вопросу о коэффициентах элементной чувствительности в методе ЭОС. 7-й Всесоюзный симпозиум по вторичной эмиссии. Тезисы докладов. Ташкент, 1986.

150. Гнучев Н.М., Каничева И.Р. Электронная оже-спектроскопия системы Pd ВаО - MgO. Труды ЛГТУ № 436, 1992, стр. 15-18.

151. Гнучев Н.М., Ли И.П. Рухляда Н.А. Создание и анализ поверхноаных струкгур на эффективных гермокатодах. XXII Международная конференция по эмиссионной элекфонике. Тезисы докладов. Москва, 1994. Т.1, стр. 159-160.

152. Гнучев Н.М., Кораблев В.В., Левина О.С. Об особенностях расчета относительных поверхностных концентраций методом ЭОС. XXII Международная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Москва, 1994. Т.З, стр.171.

153. Алексеев Ю.В., Гнучев Н.М., Кораблев В.В. Совмещение методов измерения распределения работы выхода и оже-спектроскопии для диагностики поверхности. Магериалы Всероссийского симпозиума по эмиссионной электронике. Рязань, 1996, стр. 58.

154. Гнучев Н.М., Рухляда Н.А. Оже-анализ термокатодов с модифицированной поверхностью. Материалы Всероссийского симпозиума по эмиссионной электронике. Рязань, 1996, стр. 159.

155. Алексеев Ю.В., Гнучев Н.М., Кораблев В.В. Установка для анализа относительного распределения работы выхода и элементного состава поверхностей проводящих материалов. Приборы и техника эксперимента №1, 1999, стр. 112-114.

156. Gnuchev N.M., Korablev V.V. A setup for analysis of the relative distribution of the work function. Instrum. and Experim. Techniques.V.42. №1, 1999. pp. 100102.

157. Гнучев H.M. Кораблев В.В.Анализ локальных эмиссионных и физико-химических характеристик проводящих поверхностей. 2-я республ. конф. по физической электронике. Сб. тезисов докл. Ташкент, 1999, стр. 122.

158. Gnuchev N.M. In situ determination of work function distribution, composition and chemical features of solid surfaces. Proceedings of SPIE, V.4064, 2000, pp. 140-143.

159. Гнучев Н.М., Филатов Л.А. Анализ поверхности алмазоподобных угле-родосодержащих пленок. Материалы 5-й Всеросс. конференции "Фундаментальные исследования в технических университетах". СПбГТУ, 2001 г., стр. 144-145.

160. Бондаренко В.Б., Габдуллин П.Г., Гнучев Н.М., Давыдов С.Н., Кораблев В.В., Кравчнк А.Е., Соколов В.В. Эмиссионные характеристики порошков из нанопористого углерода. ЖТФ, Т.74, вып. 10, 2004, стр. 113-117.

161. Бондаренко В.Б., Габдуллин П.Г., Гнучев Н.М., Давыдов С.Н., Кравчик А.Е. Кораблев В.В. Эмиссионные свойства порошков нанопористого углерода. Тезисы докладов на 4-й конференции по физической электронике. Ташкент, 2005, стр. 66.

162. Гнучев Н.М. Анализ фазового состава и эмиссионных параметров углеродных материалов электронно-лучевыми методами. Вакуумная техника и технология, Т. 16 , № 1, 2006, стр. 73-76.