ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ФОТОННОЕ ЭХО НА ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЯХ В ТОНКИХ ТЕКСТУРИРОВАННЫХ ПЛЕНКАХ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат наук Вашурин Никита Сергеевич

• Вашурин Никита Сергеевич
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Вашурин Никита Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Фотонное эхо и характеристика резонансных сред

1.1. Первичное и стимулированное фотонное эхо

1.2. Нефарадеевский поворот вектора линейной поляризации фотонного эха

1.3. Характеристика исследуемых полупроводниковых сред и условия их возбуждения

1.3.1 Характеристика оксида цинка

1.3.2 Двухфотонный режим возбуждения материала 7пО

1.3.3 Характеристика кремния, легированный бором или фосфором

1.4. Наноразмерные кластеры дефектов

1.5. Гетероструктура

1.6. Выводы по первой главе

Глава 2. Экспериментальное оборудование и методика возбуждения фемтосекундных сигналов фотонного эха

2.1. Характеристика тонких текстурированных пленок

2.2. Особенности возбуждения сигналов фотонного эха на суперпозиционных экситонных состояниях в квантово-размерных дефектах тонких текстурированных пленок

2.3. Экспериментальная установка и условия возбуждения фемтосе-кундного первичного фотонного эха в тонких текстурированных пленках

2.4. Экспериментальная установка и условия возбуждения фемтосе-кундного стимулированного фотонного эха в тонких текстурирован-

ных пленках

2.5. Выводы по второй главе

Глава 3. Двухфотонное возбуждение сигналов фотонного эха на локализованных экситонных состояниях в тонких текстурированных плен-

ках и их применение

3.1. Обнаружение фемтосекундного первичного фотонного эха на локализованных экситонных состояниях в тонких текстурированных пленках

3.2. Методика измерения времени необратимой поперечной релаксации Т2 в тонких текстурированных пленках

3.3. Обнаружение фемтосекундного стимулированного фотонного

эха в режиме двухфотонного возбуждения на локализованных экси- 82 тонных состояниях в тонкой пленке оксида цинка

3.4. Методика измерения времени необратимой продольной релаксации Т1 в тонких текстурированных пленках

3.5. Выводы по третьей главе

Глава 4. Нанооптические эффекты фотонного эха в тонких текстурированных пленках

4.1. Обнаружение эффекта увеличения времени релаксации в тонкой текстурированной пленке при уменьшении ее толщины

4.2. Обнаружение фемтосекундного стимулированного фотонного эха в текстурированных тонких пленках кремния, легированного бором или легированного фосфором

4.3. Эффект увеличения времени релаксации Т1 в трехслойной пленке (п-р-п)-типа по сравнению с однослойными пленками

4.4. Выводы по четвертой главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ПРИМЕЧАНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ФОТОННОЕ ЭХО НА ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЯХ В ТОНКИХ ТЕКСТУРИРОВАННЫХ ПЛЕНКАХ»

Актуальность темы

В связи с бурным развитием микро- и наноэлектроники, внедрением новых полупроводниковых материалов и технологических процессов резко возросла актуальность исследования оптических свойств полупроводниковых тонких пленок. Особое внимание уделяется изучению процессов зарождения дефектов кристаллической структуры и их влияния на наблюдаемые оптические свойства кристаллов. Хорошие перспективы для наноэлектронного приборостроения открывают новые оптические свойства квантовых точек. Традиционно квантовые точки получают посредством варьирования размеров полупроводника, не содержащего в своем составе внутренних дефектов, кроме поверхностных. В настоящее время оптические исследования свойств объектов такого рода вызывают повышенный интерес ученых в различных странах мира из-за возможности возбуждения долгоживущих экситонных состояний и создания квантовых устройств обработки информации [1].

Большой научный интерес в данный момент представляют работы, которые позволяют с помощью методов оптической эхо-спектроскопии регистрировать характеристики динамических процессов, протекающих на этих экси-тонных состояниях [2]. Данный метод позволяет определять количественные значения однородной и неоднородной ширины спектральной линии экситон-ных состояний, и также влияния температуры и плотности экситонов на ширину данных линий. Также по величинам однородной и неоднородной ширины можно дать оценку величины экситон-экситонного [3] и экситон-фононного взаимодействия [4]. А изучение оптических и внутренних процессов дефази-ровки и спада населенности возбужденных носителей в полупроводниковых квантовых точках, но и в частности, в тонких пленках, позволит повысить эффективность изготовляемых на основе этих материалов квантовых процессоров [5], фотодиодов [6], солнечных батарей [7].

В настоящее время изучение экситонных состояний в тонких полупроводниковых пленках с помощью эхо-спектроскопии позволяет оценивать каче-

ство чистоты кристаллической решетки [8, 9], оценивать влияние фононного окружения на релаксационные характеристики локализованных экситонных состояний не только в полупроводниках [10], но и в других средах, например, в двумерных дихалькогенидах металлов [11]. Во всех этих работах используются случаи квантового ограничения для искусственного сближения электронно -дырочной пары и увеличения их силы связи, что позволяет регистрировать их и при комнатной температуре. Вместе с тем существуют полупроводниковые наноразмерные кластерные системы, в которых, напротив, для реализации квантовых эффектов используют дефекты кристаллической решетки полупроводника [12]. Такой наноразмерный кластер представляет собой атомное образование, влияющее на энергетическое состояние, составляющих его компонентов, и на свойства полупроводниковой матрицы. Наноразмерный кластер может быть образован как атомами примесей, атомами собственных компонентов, а также точечными дефектами кристаллической решетки.

Тонкие пленки, изготавливаемые методом магнетронного распыления, представляют собой текстурированную систему, образованную из отдельных кристаллических зерен, отделенных друг от друга аморфной фазой. На границе соприкосновения кристаллической и аморфной фазы местами возникают дефектные состояния кристаллической решетки, приводящие к образованию наноразмерных кластеров [13] на этих дефектах. Образование наноразмерных кластеров, состоящих из атомов примеси или точечных дефектов, связано со стремлением системы к состоянию с минимальной свободной энергией. При этом наноразмерный кластер обладает признаками, характерными для квантовых точек.

Применение первичного фотонного эха (ПФЭ) и стимулированного фотонного эха (СФЭ) для исследования таких квантово-размерных объектов позволит получить спектроскопическую информацию, характеризующую динамические процессы, протекающие на экситонных состояниях в наноразмерных кластерах при комнатной температуре как в однослойных пленках, так и на тонкопленочном полупроводниковом переходе. При этом будет возможно оце-

нивать параметры этих кластеров и характер текстурирования тонких пленок. Измерение характерных времен релаксации экситонных состояний даст представление о временном диапазоне, в течение которого возможно функционирование нового класса полупроводниковых приборов, создаваемых на новых физических эффектах [А1]. Возможность обнаружения в таких пленках фотонного эха и его свойства в настоящее время не изучены.

Данная работа посвящена исследованию дефектных структур тонких тек-стурированных пленок, изготовленных методом магнетронного распыления. Проведение исследования с целью обнаружения возможности и условий наблюдения в таких тонких полупроводниковых пленках различных сигналов фотонного эха (ФЭ), исследование роли рекомбинации возбужденных носителей с помощью метода оптической спектроскопии сверхвысокого разрешения на основе фемтосекундного фотонного эха открывают новые возможности для исследования сред такого рода. Ввиду наличия большего числа дефектов имеется возможность наблюдения локализованных экситонов даже при комнатной температуре. Таким образом, тема диссертационного исследования, посвященная обнаружению фемтосекундных сигналов фотонного эха и изучению оптических свойств сигналов фотонного эха и оптических процессов, протекающих в дефектных структурах тонких текстурированных пленок, является актуальной и ее результаты будут широко востребованы современной наукой и техникой.

Степень научной разработанности проблемы

Теоретической базой диссертационного исследования послужили труды отечественных и зарубежных ученых в области ФЭ - Копвиллема У.Х, Хан. Г., Самарцева В.В., Евсеева И.В., Зуйкова В.А., Попова И.И., Рубцовой Н.Н., Наумова А.В.

Для интерпретации полученных результатов использовались труды ученых по наблюдению ФЭ при возбуждении экситонов и трионов в квантово-размерных объектах - O. Roslyak, G. Gumbs, Anne E. Colonna, Xiujuan Yang, T. Kuroda, F. Minami, K Takemoto, B.-R Hyun, L. Langer, I. A. Akimov, M. Bayer.

Вместе с тем, несмотря на значительное число публикаций по вопросам формирования сигналов ФЭ в различных средах, изучения дефектных структур различными методами, аспекты применения метода ФЭ для изучения дефектных структур исследованы недостаточно полно. Остается неизученным вопрос влияния условий локализации входящих в наноразмерный кластер возбуждаемых частиц, представленных дефектами кристаллической структуры полупроводников, на формирование сигналов фотонного эха.

Объект исследования - локализованные суперпозиционные экситонные состояния в тонких текстурированных пленках.

Предмет исследования - поиск оптимальных условий возбуждения и регистрации фемтосекундного фотонного эха на локализованных суперпозиционных экситонных состояниях в тонких текстурированных пленках.

Целью работы является экспериментальное обнаружение фотонного эха на локализованных экситонных состояниях при комнатной температуре в тек-стурированных тонких пленках, полученных методом магнетронного распыления, и исследование его свойств.

Цель работы достигается решением следующих задач:

1. Определение условий возбуждения в однофотонном и двухфотонном режиме и регистрации фемтосекундных сигналов фотонного эха на экситонных состояниях, локализованных на дефектах кристаллической решетки в составе образованных из них наноразмерных кластеров;

2. Разработка методик определения релаксационных характеристик резонансной среды по спаду интенсивности сигналов первичного фотонного эха и стимулированного фотонного эха при увеличении соответствующего временного интервала между возбуждающими импульсами на фоне сигналов самодифракции и четырехволнового смешения;

3. Установление связи времен необратимой поперечной релаксации Т2 локализованных экситонных состояний с характеристиками текстурированной тонкой пленки;

4. Установление связи времени необратимой продольной релаксации Т1 с

характеристиками процессов, протекающих на тонкопленочном полупроводниковом p-n переходе.

Методология и методы исследования: экспериментальные методы исследования тонких текстурированных пленок методом фемтосекундного фотонного эха, методы математической обработки результатов экспериментальных исследований, методы зондовой микроскопии поверхности пленок.

Научная новизна работы состоит в следующем:

Впервые обнаружены сигналы ПФЭ и СФЭ на экситонных состояниях, локализованных на дефектах кристаллической решетки текстурированных тонких пленок. Путем регистрации фемтосекундных эхо-сигналов при комнатной температуре установлено отсутствие полного спектрального размытия квантовых уровней экситона, что показало наличие свойств квантово-размерных объектов у наноразмерных кластеров, образованных дефектами кристаллической решетки, на которых происходила локализация возбуждаемых экситонных состояний;

Предложены методики регистрации релаксационных характеристик эк-ситонных состояний по спаду интенсивности сигналов ПФЭ и СФЭ при увеличении временного интервала между соответствующими возбуждающими импульсами, исключающие влияние сигналов самодифракции и четырехволново-го смешения, распространяющихся в одном и том же направлении с соответствующим эхо-сигналом, на результаты регистрации. С помощью ПФЭ измерено время необратимой поперечной релаксации Т2, составившее для пленок 7пО толщиной 800 нм - 130±30 фс, для трехслойной пленки 2пО^(Р)^(В) -1900±320 фс. С помощью СФЭ измерено временя необратимой продольной релаксации Т1, составившее в пленах толщиной 100 нм: 4300±690 фс - в 7пО, 280±50 фс - в Si(B), 670±120 фс - в Si(P);

Впервые показана связь времен необратимой поперечной релаксации Т2 локализованных экситонных состояний с характеристиками текстурированной тонкой пленки. При этом наблюдалось увеличение времени необратимой поперечной релаксации Т2 из-за уменьшения плотности экситонных состояний, ло-

кализованных на каждом дефекте кристаллической структуры. Уменьшение плотности этих состояний происходило из-за увеличения количества этих дефектов у более тонких пленок, так как количество экситонов, возбуждаемых лазерным излучением с фиксированными параметрами лазерного излучения, не изменялось;

Впервые показана связь времени необратимой продольной релаксации Т1 с характеристиками процессов, протекающих на тонкопленочном полупроводниковом р-п переходе. Установлено, что время необратимой продольной релаксации Т1 тонкой текстурированной пленки меньше значения времени Т1 этой пленки такой же толщины в составе тонкопленочного р-п перехода. Это связано с диффузией зарядов на этом р-п переходе и последующим разрывом связей кулоновского притяжения дырки и электрона в некоторых экситонах, что приводит к уменьшению концентрации экситонных состояний и, соответственно, к увеличению времени релаксации Т1.

Теоретическая и практическая значимость работы

Показаны новые перспективы применения ФЭ, связанные с определением величины времен необратимой поперечной релаксации Т2 и необратимой продольной релаксации Т1 суперпозиционных экситонных состояний, локализованных на дефектах кристаллической решетки, при комнатной температуре в тонких текстурированных пленках, получаемых методом магнетронного распыления. К ним относятся создание новых методов контроля параметров нано-размерных кластеров, сформированных на дефектах тонких текстурированных пленок и обладающих свойствами квантовых точек. Открывается возможность создания нового класса полупроводниковых экситонных приборов для оптической регистрации и обработки информации на основе ФЭ. Также результаты этих спектроскопических исследований могут быть положены в основу оценки технологических режимов получения тонких пленок, включающих нанораз-мерные кластеры, обладающие свойством квантовых точек, и для разработки методик контроля подвижности зарядов на полупроводниковых переходах тек-стурированной трехслойной структуры. Полученные результаты внедрены в

учебный процесс ФГБОУ ВПО «Поволжский государственный технологический университет» по специальности «Электроника и наноэлектроника» в учебном курсе «Физические основы нанофотоники».

Реализация результатов работы

Результаты диссертационной работы использованы при выполнении грантов РФФИ № 06-02-16416-а, № 12-02-00736-а, при разработке заявок на грант РНФ и проектов на Международной научной школе «Наука и инновации», внедрены в учебный процесс кафедры конструирования и производства радиоаппаратуры при подготовке специалистов по специальности «электроника и наноэлектроника» для контроля качества полупроводниковых пленок наноразмерной толщины, использующихся при разработке новых наноэлек-тронных приборов.

Достоверность полученных результатов

Достоверность полученных результатов и обоснованность выводов подтверждаются многократными исследованиями с проведением повторных оптических измерений по основным положениям работы, выполненных в Фемтосе-кундном центре коллективного пользования СПбНИУ ИТМО и в Лаборатории фемтосекундной лазерной спектроскопии КФУ, а также сходимостью результатов, полученных различными методами оптической спектроскопии; их соответствием результатам, полученным другими авторами; непротиворечивостью экспериментальных результатов известным теоретическим положениям.

Положения, выносимые на защиту

1. На локализованных суперпозиционных экситонных состояниях тек-стурированных тонких пленок возможно двухфотонное возбуждение и регистрация ПФЭ при комнатной температуре и измерение времени необратимой поперечной релаксации Т2.

2. На локализованных суперпозиционных экситонных состояниях тек-стурированных тонких пленок возможно однофотонное и двухфотонное возбуждение и регистрация СФЭ при комнатной температуре и измерение времени необратимой продольной релаксации Т1.

3. При уменьшении толщины текстурированной пленки ZnO с 800 до 600 нм время необратимой поперечной релаксации Т2 локализованного экситонно-го состояния увеличивается с 130±30 фс до 320±60 фс.

4. При включении текстурированной пленки ZnO толщиной 100 нм в состав трехслойной полупроводниковой структуры ZnO/Si(P)/Si(B) время необратимой продольной релаксации Т1 локализованного в ней экситонного состояния увеличивается с 4300±690 фс до 13000±1900 фс.

Личный вклад автора

Автором лично получены результаты, представленные в диссертации и публикациях, также разработана и изготовлена экспериментальная установка, на которой им были произведены все исследования. Соискатель принимал непосредственное участие в анализе и обсуждении полученных результатов, написании статей и представлении докладов на конференциях.

Апробация работы

Результаты диссертации докладывались на Международной молодежной научной школе «Когерентная оптика и оптическая спектроскопия - 2011, 2012, 2013, 2014, 2015» (Казань, КФУ), Всероссийской школе-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» 2012, 2013, 2014, 2015 (Москва, МГУ), Международной научной школе «Наука и инновации - 2011, 2012, 2013, 2014, 2015» (Йошкар-Ола, ПГТУ), X международном симпозиуме по фотонному эхо и когерентной спектроскопии (2013, Йошкар-Ола, ПГТУ), Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики» (2012, 2014, Санкт-Петербург, НИУ ИТМО), «Инженерные кадры-будущее инновационной экономики России» (2015, Йошкар-Ола, ПГТУ).

Публикации

Основное содержание диссертации опубликовано в 42 научных публикациях, среди которых имеются 12 статей в реферируемых журналах, рекомендуемых ВАК МОН РФ для публикации материалов кандидатских диссертаций, в том числе 5 статей - в зарубежных журналах, входящих в международную базу научного цитирования «Scopus» и «Web of Science».

Соответствие диссертации научной специальности

Диссертация соответствует специальности 01.04.05 «Оптика». Обнаружение сигналов фотонного эха и регистрация времени необратимой поперечной релаксации в тонких текстурированных пленках соответствует п. 5 «Люминесценция. Излучение и поглощение света изолированными и взаимодействующими атомами и молекулами. Источники света. Физические основы методов и техники спектроскопии. Лазерная спектроскопия, оптические прецизионные измерения и стандарты, спектроскопия одиночных атомов» паспорта специальности.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации - 143 страниц, включая 60 рисунков, 1 таблицу. Библиографический список содержит 165 наименований.

Глава 1.

ФОТОННОЕ ЭХО И ХАРАКТЕРИСТИКА РЕЗОНАНСНЫХ СРЕД

Данная глава является обзорной, посвящена основам описания и условиям формирования сигналов ФЭ. Приводятся основные спектроскопические понятия и математические соотношения, используемые в диссертационном исследовании. Сообщается о нефарадеевском повороте вектора линейной поляризации ФЭ [А1, А2, А3, А4], используемом в диссертации для характеристики фазового состояния резонансной среды. Показаны результаты исследования другими методами используемых в диссертационной работе полупроводниковых материалов.

1.1. Первичное и стимулированное фотонное эхо

На протяжении последних десятилетий методы оптической спектроскопии сверхвысоко разрешения на основе ФЭ эффективно используется для исследования газовых сред [14,15], твердых тел [16,17], биохимических сред [18,19], квантово-размерных объектов [20,21]. Данный метод позволяет получить спектроскопические константы, скрытые неоднородным уширением, как для квантовых переходов, так и для квантовых уровней, соответствующих резонансной спектральной линии. ФЭ относится к классу явлений, базирующихся на оптических переходных эффектах, протекающих при воздействии на резонансную среду ультракороткой временной последовательности двух или трех лазерных импульсов. Это оптический отклик резонансной среды, возбужденной лазерными импульсами, формирующийся в течение времени, значительно меньшем по сравнению с длительностью протекания диссипативных процессов распада неравновесных состояний наведенной поляризации и населенности квантовых уровней. В полупроводниковых средах, такие неравновесные состояния могут возникать на экситонных состояниях. В газе ФЭ позволяет оценить вклады механизмов радиационного уширения резонансной спектральной линии и уширения, обязанного упругим и неупругим столкновениям

возбужденных частиц. В полупроводниках ФЭ может быть применено для оценки вклада упругих и неупругих экситонных взаимодействий в уширение линии экситонного состояния.

Рисунок 1.1 - Порядок появления оптических импульсов при возбуждении сигналов ПФЭ и СФЭ: тх, т2 и - длительность, соответственно, первого, второго и третьего возбуждающих импульсов; т12 - временной интервал между первым и вторым возбуждающими лазерными импульсами; т23 - временной интервал между вторым и третьим возбуждающими лазерными импульсами

Впервые теоретическое предсказание явления ФЭ было сделано в 196263гг. советскими учеными У.Х.Копвиллемом и В.Р. Нагибаровым, названного ими как световое эхо [22]. Первое экспериментальное обнаружение ФЭ в рубине выполнено в 1964 году американскими исследователями Н.Кенитом, И.Абелла и С.Хартманом [23], которые назвали его "фотонным эхо". В газовых средах ФЭ впервые было обнаружено в газе ББб [24]. Советскими учеными первые эксперименты по ФЭ получены в 1972 году [25].

Для наблюдения ФЭ необходимо выполнять ряд специфичных условий. К ним относятся:

- наличие резонанса, т.е. воздействующие на резонансную среду лазерные импульсы должны иметь несущую частоту с , близкую к частоте со возбуждаемого энергетического перехода между двумя уровнями этой среды, называемыми "резонансными"

- длительность возбуждающих импульсов Лтщ и интервалы времени

между ними Гдо должны быть меньше характеристических времен диссипатив-ных процессов;

- импульсная «площадь» возбуждающих импульсов должна иметь значение 6i =л/2 и в2 =л/2 - для ПФЭ и значение близкое к ti/2 - для СФЭ;

- условие пространственного синхронизма, для ПФЭ имеющее вид

кПФЭ = 2к2 - кх, для СФЭ - кСФЭ = - кх + к2 + к3 (здесь к - волновые вектора

эхо-сигналов и возбуждающих лазерных импульсов).

В результате протекающих в резонансной среде диссипативных процессов, обязанных всевозможным некогерентным взаимодействиям, происходит разрушение фазовой "памяти" резонансной среды. Впервые математическую модель формирования когерентного ансамбля атомов и последующего излучения эхо-сигнала ввел Блох, используя наглядную векторную модель, и применил ее в теории ядерного магнитного резонанса [26]. В дальнейшем данную модель путем небольших модификаций применили для описания когерентных явлений в оптическом диапазоне [27]. При этом описание процесса формирования фазовой "памяти" обычно выполняется в формализме энергетического спина R [28-31]. В этом случае, продольная компонента (RZ) этого спина описывает состояние неравновесной разности населенностей резонансных уровней, а поперечные (RX и RY) компоненты описывают неравновесную поляризацию среды. По этой причине процесс диссипации, связанный с развалом неравновесной разности населенностей квантовых уровней из-за неупругих столкновений частиц газа, получил название продольной релаксации. Количественно этот процесс оценивается характеристическим временем продольной необратимой релаксации T1.

В то же время, диссипация поперечных компонентов, вызываемая упругими столкновениями частиц газовой среды, оценивается характеристическим временем поперечной необратимой релаксации Т2.

Фазовая "память" содержит информацию о фазах когерентных волн, которые на короткое время нарушили баланс сил в атомах резонансной газовой среды. Из-за этого происходит деформация электронной оболочки этих атомов. Волновая функция, описывающая энергетические состояния уровней квантового резонансного перехода принимает вид суперпозиции (1.1) двух волновых функций щ и щ, описывающих стационарные (блоховские) энергетические состояния:

щ:=а()щ+ а2(г)щ2, (1.1.)

здесь, а^) и а2(?) - коэффициенты, квадрат модуля, определяющие вероятность нахождения электрона соответственно в состоянии щ или щ.. При кратковременном воздействии поля лазерного импульса электрон оказывается в реальном (но нестационарном) суперпозиционном физическом состоянии при "мгновенном" нарушении баланса сил в атоме. Поскольку состояние щс строится исключительно из резонансных состояний (щ и щ), то время "жизни" суперпозиционного состояния определяется временем "жизни" наиболее корот-коживущего состояния, т.е. возбужденного состояния щ.. Таким образом, после прекращения воздействия лазерного импульса деформация электронной оболочки каждого атома (в отсутствии межатомных воздействий), описываемая суперпозиционным состоянием, сохраняется в течении времени продольной необратимой релаксации Т1 (т.е. времени жизни состояния щ).

Воздействие поля короткого и мощного лазерного импульса на каждый атом происходит с фазой (а& - кг + р0) волны этого импульса, соответствующей местоположению г{ /-того атома (где к- волновой вектор волны, ((\) -начальная фаза на входе в резонансную среду; ^ - радиус- вектор местоположения /-го атома).

Для импульса прямоугольной формы "площадь импульса" определяется следующей формулой:

в = П~1риЕ0М , (1.2)

где Р12 - модуль электрического дипольного момента резонансного перехода; Е0- амплитуда напряженности электрического поля лазерного импульса дли-

Лт

тельности ^. Для импульса произвольной формы выражение (1.2) записывается в интегральном по времени виде.

При возбуждении ПФЭ импульсная "площадь" первого возбуждающего импульса имеет значение в =л/2 (т.е. 90 градусного импульса). При его воздействии электронная оболочка атома вытягивается, образуя диполь. Импульсная "площадь" второго возбуждающего импульса имеет значение в =л (т.е. 180 градусного импульса). При его воздействии происходит инверсия населенностей с соответствующей "зеркальной" деформацией электронной оболочки, (т.е. состояния щ и щ2 как бы меняются местами). Однако, направление этой деформации зависит от фазы волны, пришедшей к данному конкретному атому. После воздействия второго возбуждающего импульса происходи сопряжение фаз псевдоэлектрических диполей, возникших после воздействия первого возбуждающего импульса, которое приводит к их перефазиров-ке. В момент сфазирования диполей атомы излучают свет, получивший название ФЭ.

При наличии межатомных взаимодействий время фазовой "памяти" укорачивается до значения Т2.

При воздействии на резонансную среду трех, разделенных во времени лазерных импульсов, через временной интервал, отделяющий второй возбуждающий импульс от третьего, после третьего импульса формируется сигнал СФЭ, отличающийся от ПФЭ условием пространственного синхронизма. Сигнал СФЭ является по существу результатом дифракции третьего (считывающего) импульса на "решетке" неравновесной разности населенностей, созданной

первыми двумя возбуждающими импульсами. Физика процесса формирования и расчета эхо-откликов резонансной среды хорошо описана в монографии [15]. Значение Т2 по данной литературе определяется из формулы:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вашурин Никита Сергеевич, 2016 год

ЛИТЕРАТУРА

1. D'Amico, I. The excitonic quantum computer / I. D'Amico, S. De Rinaldis, E. Biolatti [et all.] // Physica Status Solidi (B). - 2002 - Vol. 234., Iss. 1. - P 5869.

2. Schneck, J. R. Temperature dependent photon echoes of a GaN thin film / J. R. Schneck, E. Dimakis, J. Woodward [et all.] // Appl. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 101. - P. 142102.

3. Wagner, H.P. Dephasing of excitons in ZnSe and ZnSe/ZnSxSe1-x quantum wells / H.P. Wagner, J. Lehmann, B. Hahn // Journal of Luminescence. -1995. - Vol.66-67. - P.84-88.

4. Fischer, A.J. Femtosecond Coherent Spectroscopy of Bulk ZnSe and ZnCdSe/ZnSe Quantum Wells / A.J. Fischer, D.S. Kim, J. Hays [et all.] //Phys. Rev. Lett. - 1994. - Vol.73. - P. 2368.

5. Petta, J.R. Coherent Manipulation of Coupled Electron Spins in Semiconductor Quantum Dots / Petta, J. R.; Johnson, A. C.; Taylor, J. M. [et all.]// Science. - 2005. - Vol. 309. - P. 2180-2184.

6. Coe, S. Electroluminescence from Single Monolayers of Nanocrystals in Molecular Organic Devices / S. Coe, W. Woo, M. Bawendi [et all.] // Nature. -2002. - Vol.420. - P. 800-803.

7. Schaller, R. D. High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe Nanocrystals: Implications for Solar Energy Conversion / R. D. Schaller, V.I. Klimov // Phys. Rev. Lett. - 2004. - Vol. 92. - P. 186601.

8. Hazu, K. Optical nonlinearities and phase relaxation of excitons in GaN / K. Hazu, A. Shikanai, T. Sota [et all.] // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 195202.

9. Pau, S. Femtosecond degenerate four-wave mixing of GaN on sapphire: Measurement of intrinsic exciton dephasing time / S. Pau, J. Kuhl, F. Scholz [et all.]// Phys. Rev. B. - 1997. - Vol.56. - P. R12718(R).

10. Webb, M.D. Stimulated-picosecond-photon-echo studies of localized exciton relaxation and dephasing in GaAs/AlxGa1-xAs multiple quantum wells / M. D. Webb, S. T. Cundiff, D. G. Steel // Phys. Rev. B. - Vol.43. - P.12658.

11. Moody, G. Intrinsic homogeneous linewidth and broadening mechanisms of excitons in monolayer transition metal dichalcogenides / G. Moody, C. Kavir Dass, K. Hao// Nature Communications. - 2015. - Vol. 6. - P. 8315.

12. Ho, C.-H. Thermoreflectance characterization of P-Ga2O3 thin-film nanostrips / C.-H. Ho, C.-Y. Tseng, L.-C. Tien // Optics Express. - 2010. - Vol. 18, №.16. - P. 16360-16369.

13. Мирзаде, Ф.Х. Кинетика нуклеации кластеров и формирование наноструктур в конденсированных системах Современные лазерно-информационные и лазерные технологии / Под ред. В.Я. Панченко, В.С. Голубева. - М.: Интерконтакт Наука, 2005. - С.62-78.

14. Бикбов, И.С. Измерение однородных ширин спектральных линий молекулярного йода методом светового эха / И.С. Бикбов, И.В. Евсеев, И.И. Попов [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 1989. - Т.67., вып.1. - С. 224226.

15. Алимпиев, C.C. Фотонное эхо в газах SF6 и ВС1з / С.С. Алимпиев, Н.В. Карлов // ЖЭТФ. - 1972. - Т.63., №2. - С. 482-490.

16. Набойкин, Ю.В. Когерентная спектроскопия молекулярных кристаллов / Ю.В. Набойкин, В.В. Самарцев, П.В. Зиновьев, Н. Б. Силаева. - Киев.: Наукова Думка.,1986. - 203 с.

17. Зуйков, В.А. Аккумулированное долгоживущее световое эхо и оптическая память в кристалле LaF(3):Pr(3+)/ В.А. Зуйков, Д.Ф. Гайнуллин, В.В. Самарцев [и др.] // ЖПС. - 1991. - Т.55. - С. 134.

18. Zilker, S.J. Temperature-dependent line broadening of chromophores in amorphous solids: differences between single-molecule spectroscopy and photon echo results / S.J. Zilker, D. Haarer, Yu.G. Vainer [et al.] // J. Lumin. -1998. - Vol.76-77. -P. 157-160.

19. Vainer, Yu.G. Photon echoes in doped organic amorthous systems over a wide (0.35-50K) temperature range / Yu.G. Vainer, M.A. Kol'chenko, A.V. Naumov [et al.] // J. Lumin. - 2000. - Vol. 86., № 3-4. - P. 265-272.

20. Suemori, R. Anomalous decay of photon echo in a quantum dot ensemble in the strong excitation regime. / R. Suemori, K. Akahane, N. Yamamoto [et al.] // AIP Conference Proceedings. - 2013. - Vol. 1566. - P. 536-537.

21. Langer, L. Access to long-term optical memories using photon echoes retrieved from semiconductor spins / L. Langer, S. V. Poltavtsev, I. A. Yugova [et al.] // Nature Photonics. - 2014. -Vol. 8. - P. 851-857.

22. Копвиллем, У.Х. Световое эхо на парамагнитных кристаллах / У.Х. Копвиллем, В.Р. Нагибаров. // Физика мет. и металловедение. -1963. -Т.5. - С.313-315.

23. Kurnit, N.A. Observation of photon echoes / N.A. Kurnit, I.D. Abella, S.R. Hartmann // Phys. Rev. Lett. - 1964.- V.6., №19.- P. 567-570.

24. Patel, C.K.N. Photon echoes in gases / C.K.N. Patel, R.E. Slusher // Phys. Rev. Lett. - 1968.- V.20., №20.- P. 1087-1089.

25. Копвиллем У.Х. Световое эхо в рубине / У.Х. Копвиллем, В.Р. Нагибаров, В.А. Пирожков // ФТТ.- 1972.- Т.14., №6.- С. 1794-1795.

26. F. Bloch Nuclear induction // Phys. Rev. - 1946. -Vol. 70. - P. 460-474.

27. Feynman, R.P. Geometrical representation of the Schrodinger equation for solving maser problems / R.P. Feynman, F.L. Vernon, R.W. Hellwarth // J. Appl. Phys. - 1957. - Vol. 28. - P. 49-52.

28. Маныкин, Э.А. Оптическая эхо-спектроскопия / Э.А. Маныкин, В.В. Са-марцев - М.: Наука., 1984. - 270 с.

29. Набойкин, Ю.В. Когерентная спектроскопия молекулярных кристаллов / Ю.В. Набойкин, В.В. Самарцев, П.В. Зиновьев, Н. Б. Силаева. - Киев.: Наукова Думка.,1986. - 203 с.

30. Голенищев-Кутузов, В.А. Импульсная оптическая и акустическая когерентная спектроскопия / В.А. Голенищев-Кутузов, В.В. Самарцев, Б.М. Хабибулин- М.: Наука., 1988. - 222 с.

31. Евсеев, И.В. Деполяризующие столкновения в нелинейной электродинамике / И.В. Евсеев, В.М. Ермаченко, В.В. Самарцев. - М.: Наука., 1992. -246 с.

32. Jarasiunas, K. Investigation of non-equilibrium processes in semiconductors by the method of transient holograms / K. Jarasiunas, J. Vaitkus // Phys. Stat. Sol. (a). - 1977. -V. 44., № 2. - P. 793-800.

33. Rajesh, R.J. Theoretical and experimental studies on laserinduced transient gratings in laser dyes / R.J. Rajesh, P.B. Bisht // J. Lumin. - 2002. - V. 99., № 3. - P. 301-309.

34. Juska, G. Light-induced transient gratings in semiconductors: a nondestructive optical technique for the characterization of materials for electronics / G. Juska, J. Petrulis //Physics of Advanced Materials Winter School. - 2008. - P. 1-10.

35. Eichler, H.J. Laser-induced free-carrier and temperature gratings in silicon / H.J. Eichler, F. Massmann, E. Biselli [et al.] // Phys. Rev. B. - 1987. - V. 36., № 6. - P. 3247-3253.

36. Eichler, H.J. Laser-induced free-carrier and temperature gratings in silicon / H.J. Eichler, F. Massmann, E. Biselli [et al.] // Phys. Rev. B. - 1987. - V. 36., № 6. - P. 3247-3253.

37. Woerdman, J.P. Diffraction of light by a laser induced grating in Si / J.P. Woerdman, B. Bolger // Phys. Lett. A. - 1969. - V. 30. - № 3. - P. 164-165.

38. Калачев, А.А. Когерентные явления в оптике / А.А. Калачев, В.В. Самарцев - Казань: Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова. - 2003. - 281 с.

39. Попов, И.И. Фотонное эхо в молекулярном газе и методы оптической обработки информации: автореф. дис. докт. физ.-мат. наук:01.04.05 / Попов Иван Иванович. - Казань - 2004. - 39 с.

40. Штырков, Е.И. Резонансная динамическая голография и оптическое сверхизлучение / Е.И. Штырков, В.В. Самарцев // Электромагнитное сверхизлучение.-Казань: КФ АН СССР., 1975.-С. 398-426.

41. Нефедьев Л.А. Цветная эхо-голография/ Л.А. Нефедьев, В.В. Самарцев // Оптика и спектроскопия.- 1987.- Т.62.- С. 701.

42. Нефедьев Л.А. Динамическая эхо-голография в вырожденных и многоуровневых системах // Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1986.- Т.50., №8.- С. 1551-1558.

43. Moiseev, S. A. Stationary and quasistationary light pulses in three-level cold atomic systems / S. A. Moiseev, A. I. Sidorova, B. S. Ham // PHYSICAL REVIEW A. - 2014. - V. 89. - P. 043802.

44. Moiseev, S.A. Complete reconstruction of the quantum state of a singlephoton wave packet absorbed by a doppler-broadened transition / S.A. Moiseev, S. Kroll // Phys. Rev. Lett.- 2001.- V.87.- P. 173601.

45. Моисеев С.А. Квантовая память для интенсивных световых полей в технике фотонного эха // Изв. РАН. Сер. физ.- 2004.- Т.68., №9.- С. 12601263.

46. Евсеев, И. В Фотонное эхо и фазовая память в газах / И. В. Евсеев, Н. Н. Рубцова, В. В. Самарцев. - Казань: Изд-во Казанск. гос. ун-та, 2009. - 490 с.

47. Rubtsova, N.N. Collision induced photon echo in ytterbium vapour / N.N. Rubtsova, E.V. Khvorostov, S.A. Kochubei [et al.] // Laser Physics Letters. -2006. - V.3. , No. 7. - P. 353-356.

48. Попов, И.И. Особенности светового эха в парах молекулярного йода / И.И. Попов, И.С. Бикбов, В.В. Самарцев //Изв.РАН СССР. Сер.физ.-1989. - Т.53., №12. - С. 2334-2339.

49. Попов И.И. Фотонное эхо в парах молекулярного йода: техника эксперимента, свойства и возможные приложения // Изв.РАН. Сер.физ. -2002.Т. 66., № 3.- С. 321-324.

50. Каримуллин, К.Р. Сверхбыстрая оптическая дефазировка в примесном полиметилметакрилате: исследования методом некогерентного фотонного эха с фемтосекундным временным разрешением / К.Р. Каримуллин,

Ю.Г. Вайнер, И.Ю. Ерёмчев [и др.] // Ученые записки Казан. ун-та. Сер. физ.-мат. науки. - 2008. - Т. 150, кн. 2. - С. 148-159.

51. Каримуллин, К.Р. Оптическая дефазировка в примесном полиизобути-лене: исследования методом некогерентного фотонного эха в условиях высокого давления / К.Р. Каримуллин, Ю.Г. Вайнер, И.Ю. Ерёмчев [и др.] // Ученые записки Казан. ун-та. Сер. физ.-мат. науки. - 2010. - Т. 152, кн. 2. - С. 98-110.

52. Poltavtsev, S. V. Photon echo transients from an inhomogeneous ensemble of semiconductor quantum dots /S. V. Poltavtsev, M. Salewski, Yu. V. Kapitonov [et al.] // Phys. Rev. B. - 2016. - Vol.93. - P. 121304.

53. Steel, D. G. Photon Echoes in Disordered Semiconductor Quantum Wells / D. G. Steel, S. T. Cundiff // Laser Physics. - 2002. - Vol. 12., No. 8. - P. 11351147.

54. Алексеев А.И. Особенности фотон-эха в газе при наличии магнитного поля // Письма в ЖЭТФ. - 1969. - Т.9., №8.- С. 472-475.

55. Евсеев, И.В. Стимулированное фотонное эхо в газе при наличии магнитного поля / И.В. Евсеев, В.М. Ермаченко, В.А. Решетов // Оптика и спектроскопия.- 1982.- Т.52., №3.- С. 444-449.

56. Ваег, Т. Polarization rotation of photon echoes in cesium vapor in a magnetic field / Т. Ваег, I.D. Abella // Phys. Rev. A. - 1977. - №16. - P.2093-2100.

57. Попов, И.И. Наблюдение поворота вектора поляризации светового (фотонного) эха в молекулярном газе / И.И. Попов, И.С. Бикбов, И.В. Евсеев, В.В. Самарцев // Журнал прикладной спектроскопии. - 1990. - Т.52., №5. - С. 794-798.

58. Petritz, R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films // Phys.Rev. -1956. -V.104. -P. 1508-1516.

59. Young, D.L. Structural characterization of zinc stannate thin films / D.L. Young, D. L. Williamson, T.J. Coutts // J Appl. Phys. -2002. -V.3., №1 - P. 1464-1471.

60. Asomoza, R. Characteristis of aluminium -doped zinc oxide films prepared by chemical spray pyrolysis / R. Asomoza, H. Malodonado, M. D. Olvera [et al.] // J. Mater. Sci. Mater. Electron. -2000. -V.11., № 5. -P. 383.

61. Goerge, C.D. Studies of electrical and optical properties of ZnO:Al films / C.D. Goerge, M. Kapur, A. Mitra// Thin Solids Films. -1986. -V.135, №2. -P. 35-39.

62. Poortmans, J. Thin film solar cells: Fabrication, characterization and application / J. Poortmans, V. Arkhipov. -Leuven, Belgium: John Wiley & Sons, Ltd. IMEC, 2006. -471 p.

63. Panchekha, P.A. Structure and technology problems of A2B6 semiconductor films // Functional materials. -2000. -V.7., №2. - P. 1-5.

64. Orton J.W. On the analysis of space-charge-limited-current-voltage characteristics and the density of states in amorphous silicon // Phil. Mag. -1984. - V. B49., №1. - P. L1-L7.

65. Стоунхэм, А. М. Теория дефектов в твердых телах. Том 1. / А. М. Стоун-хэм. - М.: Мир, 1978. - 566 с.

66. Robbins, J.J. Transport phenomena in high performance nanocrystalline ZnO:Ga films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition / J.J. Robbins, J. Harvey, J. Leaf [et al.] // Thin solid films. -2005. -V.473. -P. 3540.

67. Belyanen, A.F. Impact-resistant protective film coatings based on AlN in electronic engineering /A.F. Belyanen, M.I. Samoelovich , V. D. Zhitkovsky // Technol. Design Electron. Equip. -2005. -V.5, №1. -P. 35-41.

68. Anderson, J. Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor / J. Anderson, G. Chris // Rep. Prog. Phys. - 2009. - Vol.72. - P. 126501.

69. Lambrecht, W.R.L. Valence-band ordering and magneto-optic exciton fine structure in ZnO / W.R.L. Lambrecht, A.V. Rodina, S. Limpijumnong [et al.] // Physical Review B: Condensed Matter. - 2002. -Vol. 65. - P 075207.

70. Bian, J. M. Deposition and electrical properties of N-In co doped p-type ZnO films by ultrasonic spray pyrolysis / J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao [et al.] // Appl. Phys. Lett. -2004. -V.84., №4. -P. 541-543.

71. Bi, Z.X. Dielectric properties of AlN film on Si substrate / Z.X. Bi, Y.D. Zheng, R. Zhang // J Mater. Sci: Mater. Electron. -2004, -V.15., №3. -P. 317320.

72. Mohammad S.N. Emerging gallium nitride based devices. / S.N. Mohammad, A.A. Solvador, H.M. Morkoc // Proceedings of the IEEE 83. - 1995. - V.5, № 7. -P. 1346-1355.

73. Горелик, C.C. Рентгенографический и электроннооптический анализ / С. С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. - Учеб. пособие для вузов.

- 3-е изд. доп. и перераб. - М.: МИСИС, 1994. -328 с.

74. Hu, J. Effect of Intrinsic Point Defect on the Magnetic Properties of ZnO Nan-owire / J. Hu, B. C. Pan // J. Chem. Phys. - 2008. - Vol. 129., № 15. - P. 154706.

75. Kruger, F.A. The Chemistry of Imperfect Crystals. 2nd Edition // F.A. Kruger.

- Amsterdam: North Holland., 1974 -1039 p.

76. Kim, H. Fabrication of Zr-N codoped p-type ZnO thin films by pulsed laser deposition / H. Kim, A. Cepler, M. S. Osofsky // Appl. Phys. Lett. - 2007. -Vol. 90 - P. 203508.

77. Горбатенко, Л.С. Фотолюминесценция тонких пленок ZnO, легированных азотом / Л.С. Горбатенко, Е.А. Черебыло, О.А. Новодворский // Труды IX межвузовской научной школы молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике электронике, экологии и медицине" - М.: КДУ, 2008. - С.118-122.

78. Steiner. Т. Semiconductor nanostructures for optoelectric applications, Chapter 6 / Т. Steiner, Y. Lu, J. Zhong // Boston: Artech House - 2004. - P. 187228.

79. Сизов, Д.С. Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs / Д. С. Си-

зов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36., вып. 9. - С. 1097-1104.

80. Штейнман, Э.А. «Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа» / Э.А. Штейнман, В.И. Вдовин, А.Н. Изотов [и др.] // ФТТ. - 2004. - Т.46., вып.1. - С.26.

81. Cross, R.B.M. A low temperature combination method for the production of ZnO nanowires / R.B.M. Cross, M.M. De Souza, E.S. Narayanan // Nanotech-nology. - 2005. - Vol.16., № 10. - P. 2188-2192.

82. Акопян, И.Х. Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии / И.Х. Акопян, В.Ю. Давыдов, M3. Лабзов-ская [и др.] // Физика твердого тела.. - 2015. - Т.57, вып. 9. - С. 18171821.

83. Савихин, С.В. Пикосекундная кинетика свечения поверхностных эксито-нов в ZnO / Савихин С.В., Фрейберг А.М., Травников В.В. // Письма в ЖЭТФ. - 1989. - Т.50, вып. 3. - С. 113-116.

84. Allenic, A. Amphoteric Phosphorus Doping for Stable p-Type ZnO / AAllenic , W. Guo , Y. Chen [et al.]// Adv. Mater. - 2007. - №19. - P. 33333337.

85. Подкопаев, О.И. Влияние микроструктуры на электрические свойства особо чистого германия / О.И. Подкопаев, А.Ф. Шиманский, Н.О. Мо-лотковская [и др.] // ФТТ. - 2013. - Т.55, вып.5. - С. 872-875.

86. Tiong, K.K. Effects of As+ ion implantation on the Raman spectra of GaAs: Spatial correlation interpretation/ K.K. Tiong, P.M. Amirtharaj, F.H. Pollak, D.E. Aspnes // Applied Physics Letters. - 1984. - Vol. 44. - P. 122-144.

87. Мухаммед, А.А. Структурные и оптические свойства солнечных элементов на основе пленок ZnO и AlN: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук:01.04.01. - Сумы - 2012. - 22 с.

88. De Merchant, J. Preparation and doping of zinc oxide using spray pyrolysis / J. De Merchant, M. Cocivera // Chem. Mater. -1995. -V.7, №9. - P.1742--1749;

89. Subramanyam, T. Optimisation of ZnO:Al films by change of sputter gas pressure for solar cell application / T. Subramanyam, B. Srinivasulunaido, S. Uthanna // Cryst. Res. Technol. - 1999. - V.34, №1. - P.981-988.

90. Robbins, J.J. Development of tin oxide synthesis by plasma-enhanced chemical vapor deposition / J.J. Robbins, R.T. Alexander, M. Bai [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. - 2001. - V4., №1. - P. 2762-2766.

91. Saito, M. Antibacterial, Deod on Zing, and UV absorbing materials obtained with zinc oxid (ZnO) coated fabrics // J. Indust. Text. - 1993. - Vol.473, №23. - P. 150-155.

92. Matare, H.F. Carrier transport at grain boundaries in semiconductors // J. Appl. Phys. - 1984. - V. 56., № 10. - Р. 2605-2631.

93. Polop, C. Twin coarsening in CdTe (111) films grown on GaAs (100) / C. Polop, I. Mora-Sero, C. Munuera [et al.] // Acta Mat. - 2006. - Vol.54. - P. 4285-4291.

94. Белявский, В.И. Экситоны в низкоразмерных системах // Соросовский Образовательный Журнал. - 1997. - № 5. - С. 93-99.

95. Lim, J.H. ZnO Light Emitting Diodes Using ZnO Quantum Dots Embedded in an Amorphous Silicon-Oxide Matrix / J.H. Lim, K.H. Lee, D.C. Lim // Journal of the Korean Physical Society. - 2011. - Vol.58., №6. - P. 1664-1667.

96. Ratchford, D. Photoluminescence dynamics of ensemble and individual CdSe/ZnS quantum dots with an alloyed core/shell interface / D. Ratchford, K. Dziatkowski, T. Hartsfield [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2011. -Vol.109. - P.103509.

97. Lee, C.T. Fabrication Methods and Luminescent Properties of ZnO Materials for Light-Emitting Diodes // Materials. - 2010. - Vol.3. - P.2218-2259.

98. Fonoberov, V.A. Photoluminescence investigation of the carrier recombination processes in ZnO quantum dots and nanocrystals / V.A. Fonoberov, K.A. Al-im, A.A. Balandin // Physical Review B. - 2006. - Vol.73. - P.165317.

99. Dao, L.V. Femtosecond three-pulse photon echo and population grating studies of the optical properties of CdTe/ZnSe quantum dots / L.V. Dao, M. Lowe,

P. Hannaford // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol.81, №10. - P.1806-1808.

100. Абдуев, А.Х. УФ люминесценция эпитаксиальных слоев окиси цинка при однофотонном и двухфотонном возбуждениях / А.Х. Абдуев, А.Д. Аду-ков, Б.М. Атаев // Квант. электрон. - 1978 - Т.5., №1. - С. 206-208.

101. Бредихин, В.И. Двухфотонное поглощение и спектроскопия / В.И. Бредихин, М.Д. Галанин, В.И. Генкин // Успехи физических наук. - 1973. -Т.110., вып. 1. - С.3-39.

102. Shim, H.S. Nonlinear Optical Properties of ZnO / H. S. Shim, N. S. Han, J. H. Seo [et al.] // Bull. Korean Chem. Soc. - 2010. - Vol.31., № 9. - P. 26752678.

103. Dai, D.C. Observation of both second-Harmonic and multiphoton-absorption-induced luminescence in ZnO / D.C. Dai, S.J. Xu, S. L. Shi // IEEE Photonics tehnology letters. - 2006. - Vol.18, №14. - P.1533-1535.

104. Flynn, H. Polysilicon: Supply, Demand et Implications for the PV industry / H. Flynn, T. Bradford // Bradford: Prometheus Institute. - 2008. -44 p.

105. Yin, Y Colloidal nanocrystal synthesis and the organic-inorganic interface / Y. Yin, A. P. Alivisatos // Nature. - 2005. - Vol. 437, № 7059. - P. 664-670.

106. Veinot, J.G.C. Synthesis, surface functionalization, and properties of freestanding silicon nanocrystals / J.G.C. Veinot // Chemical Communications. -2006. - №40. - P.4160-4168.

107. Beaulac, R. Mn2+-doped CdSe quantum dots: new inorganic materials for spin-electronics and spin-photonics / R. Beaulac, P.I. Archer, S.T. Ochsenbein [et al.] // Advanced Functional Materials. - 2008. - Vol.18, №24. - P. 3873-3891.

108. Talapin, D.V. Prospects of colloidal nanocrystals for electronic and optoelectronic applications / D. V. Talapin, J. S. Lee, M. V. Kovalenko [et al.] // Chemical Reviews. - 2010. - Vol.110, №1. - P. 389-458.

109. O'Farrell, N Silicon nanoparticles: applications in cell biology and medicine / N. O'Farrell, A. Houlton, B.R. Horrocks // International Journal of Nanomedi-cine. - 2006. - Vol.1, №4. - P. 451-472.

110. Norris, D.J. Doped nanocrystals / D.J. Norris, A.L. Efros, S.C. Erwin // Science. - 2008. - Vol.319, №5871. - P.1776-1779.

111. Erwin, S.C. Doping semiconductor nanocrystals / S.C. Erwin, L. Zu, M.I. Haftel // Nature. - 2005. - Vol.436, №7047. - P.91-94.

112. Mocatta, D. Heavily doped semiconductor nanocrystal quantum dots / D. Mocatta, G. Cohen, J. Schattner [et al.] // Science. - Vol.332, №6025. - P.77-81.

113. Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices / S.M. Sze, K. K. Ng // New York: John Wiley & Sons. - 2006. - P.832.

114. Sugimoto, H. Acceptor-related low-energy photoluminescence from boron-doped Si nanocrystals / H. Sugimoto, M. Fujii, M. Fukuda [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2011. - Vol.110, №6. - P.6.

115. Fujii, M. Hyperfine structure of the electron spin resonance of phosphorus-doped Si nanocrystals / M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi [et al.] // Physical Review Letters. - 2002. - Vol.89, №20. - P.4.

116. Mauckner, G. Quantum confinement effects in absorption and emission of freestanding porous silicon / G. Mauckner, W. Rebitzer, K. Thonke [et al.] // Solid State Communications. - Vol.91, №9. - P.717-720.

117. Simons, A.J. The electrical properties of porous silicon produced from n+ silicon substrates / A. J. Simons, T. I. Cox, M. J. Uren [et al.] // Thin Solid Films. - 2005. - Vol.255, №1-2. - P.12-15.

118. Polisski, G. Boron in mesoporous Si-where have all the carriers gone? / G. Polisski, D. Kovalev, G. Dollinger [et al.] // Physica B. - 1999. - Vol. 273274. - P. 951-954.

119. Sze, S. M Physics of Semiconductor Devices / S. M. Sze, K. K. Ng. - New York: John Wiley & Sons, 2006. - 832 p.

120. Pi, X.D. First-principles study of 2.2 nm silicon nanocrystals doped with boron / X.D. Pi, X.B. Chen, D. Yang // Journal of Physical Chemistry C. - 2011. -Vol. 115., №.20. -P. 9838-9843.

121. Chen, X. Critical role of dopant location for P-doped Si nanocrystals / X. Chen, X. Pi, D. Yang // Journal of Physical Chemistry C. - 2011. -Vol. 115., №.3. -P. 661-666.

122. Green, M.A. Efficient silicon light-emitting diodes / M.A. Green, J. Zhao, A. Wang [et al.] // Nature. - 2001. - V. 412. - P. 805-808.

123. Lek Ng, Wai An efficient room-temperature silicon-based light-emitting diode / Wai Lek Ng, M. A. Lourenço, R. M. Gwilliam [et al.] // Nature. - 2001. - V. 410. - P. 192-194.

124. Thewalt, M.L.W. Isoelectronic bound excitons in silicon: the role of deep acceptors / M.L.W. Thewalt, U.O. Ziemelis, P.R. Parsons // Phys. Rev. B. -1981. - V.2. - P. 3655-3658.

125. Albu-Yaron, A. Nanostructural and nanochemical investigation of luminescent photoelectrochemically etched porous n-type silicon / A. Albu-Yaron, S. Basttide, D. Bouchet [et al.] // Journal de Physique I. - 1994. - V.4. - P. 11811197.

126. Wagner, J. Photoluminescence and excitation spectroscopy in heavily doped n- and p-type silicon // Phys. Rev.B. - 1984. - V.29(4). - P. 2002-09.

127. Каминский, А. С. Рекомбинационное излучение конденсированной фазы неравновесных носителей заряда в кремнии / А. С. Каминский, Я. Е. Покровский // Письма ЖЭТФ. - 1970. - Т. 11. - С. 381.

128. Thewalt, M.L.W. Details of the structure of bound excitons and bound mul-tiexciton complexes in Si // Can. J. Phys. - 1977. -Vol. 55. - P. 1463-1480.

129. Баграев, Н.Т. Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых p+ - n- гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн / Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, Р.В. Кузьмин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Том 47, вып. 11. -С. 1530-1535.

130. Матаре, Г. Электроника дефектов в полупроводниках / Пер. с англ. М.:Мир, 1974. - 464 с.

131. Рейви, К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии /Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 472 с.

132. Зайцев, Н.А. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2 / Н. А. Зайцев, И. О. Шурчков. - М.:Радио и связь, 1993 . -192 с.

133. Оболенский, С.В. Структура кластера радиационных дефектов при нейтронном облучении полупроводников // Труды 2-го совещания по проекту НАТО SfP-973799 Semiconductors. - 2002. - Нижний Новгород. -С. 155-164.

134. Моливер, С. С. Метод открытой оболочки для электронной структуры дивакансии кремния / Полупроводники. Диэлектрики // Физика твердого тела. - 1999. - Т. 41, N 3. - 404-410.

135. Кирсанов, В.В. Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах / В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов // Успехи физических наук. -1984. - Том. 142, вып. 2. - С. 219-261.

136. Hensen, T.M. Luminescence quantum efficiency and local optical density of states in thin film ruby made by ion implantation / T.M. Hensen, M.J.A. de Dood, A. Polman // J. Appl. Phys. - 2000. - V. 88., № 9. - P. 5142-5147.

137. Norman, M.J. Investigation of the environment of Cr ions implanted into sapphire / Norman M.J., Morpeth L.D., McCallum J.C. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. - 2002. - V. B190. - P. 533-537.

138. Kozakiewicz, A.G. VUV optical absorption in sapphire crystals following implantation with 100 keV O+, Al+ and Cr+ ions / Kozakiewicz A.G., Davidson A.T., Derry T.E. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. - 2002. - V. B191. - P. 582-585.

139. Naramoto, H. Ion implantation and thermal annealing of D-Al2O3 single crystals / H. Naramoto, C.W. White, J.M. Williams [et al.] // J. Appl. Phys. -1983. - V. 54., № 2. - P. 683-698.

140. Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами хрома и отжига / А.В. Кабышев, Ф.В. Конусов // Известия Томского политехнического университета. - 2005. -Т. 308., № 7. - С. 48-53.

141. Милнс, А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / А. Милнс, Д. Фойхт. - М.: Мир, 1975. - 57 с.

142. Quemener, V. The work function of n-ZnO deduced from heterojunctions with Si prepared by ALD / V. Quemener, M. Alnes, L. Vines [et al.] // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2012. - Vol. 45., №31. - P. 315101.

143. Zhao, Q.X. Optical recombination of ZnO nanowires grown on sapphire and Si substrates / Q. X. Zhao, M. Willander, R. E. Morjan // Appl. Phys. Lett. -2003. -Vol. 83. - P. 165.

144. Трегулов, В.В. исследование механизмов проводимости гетеро-структур CdS/Si(P), изготовленных методом гидрохимического осаждения сульфида кадмия / В.В. Трегулов, В.А. Степанов // Вестник Рязанского государственного университета им. С.А. Есенина Выпуск. - 2012. -№ 36. - C. 144-150.

145. Трегулов, В.В. Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(P) / В.В. Трегулов, В.А. Степанов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2011. - № 3. - С. 140-149.

146. Ben Masaud, Taha Development of low temperature fabrication processes of n-ZnO/p-Si optical switch and poly-silicon waveguides for CMOS-compatible multi-layered silicon photonics: doctoral thesis. - University of Southampton, Physical Sciences and Engineering. - 2014. -168 p.

147. Белянин, А. Ф. Наноматериалы. IV. Тонкие пленки как наноструктуриро-ванные системы / А.Ф. Белянин, М.И. Самойлович // - М.: ЦНИТИ «Тех-номаш». - 2008. - 256 с.

148. Жуковский М.С., Шмаков И.А., Затонская Л.В. Компьютерное моделирование фемтосекундного «процессинга» перфорированного листа нано-графена / М.С. Жуковский, И.А. Шмаков, Л.В. Затонская // Известия Алтайского государственного университета. - 2011. - № 3-1 - С. 113-117.

149. Miller P. Zinc Oxide: A Spectroscopic Investigation of Bulk Crystals and Thin Films: Thesis Submitted in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy in Physics at the University of Canterbury University of Canterbury. - 2008. - 159 p.

150. Акопян, И.Х. Философов Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии / И.Х. Акопян, В.Ю. Давыдов, M3. Лабзовская, A.A. Лисаченко [и др.] // Физика твердого тела. - 2015. -Т. 57, вып. 9. - С. 1817-1821.

151. А.И. Беляева , А.А. Галуза, С.Н. Коломиец Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре / А.И. Беляева , А.А. Галуза, С.Н. Коломиец // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38, вып. 9. - С.1050-1055.

152. Liu, K. Luminescence of ZnO Thin Films Grown on Glass by Radio-frequency Magnetron Sputtering / K. Liu, M. S. Shur, G. Tamulaitis, S. Cho // CONFERENCE PAPER. - 2008.

153. LIU, H. Elimination of the Coherent Artifact in a Pump-Probe Experiment by Directly Detecting the Background-Free Diffraction Signal / H. LIU, H. ZHANG, J. SI [et all.]// CHIN. PHYS. LETT. 2011. - Vol. 28., No. 8. - P. 086602.

154. Горохов, Е.Б. Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO2 / Е.Б. Горохов, В.А. Володин , Д.В. Марин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2005. -Т. 39, вып. 10. - С. 1210-1217.

155. Грузинцев А.Н. Оптические свойства монодисперсных наночастиц Y2O3-ZnO сферической формы / А.Н. Грузинцев, Н.А. Дулина, Г.А.

Емельченко [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 11. -С.2125-2130.

156. Костров А.Н. Фемтосекундная спектроскопия фотовозбужденных нано-частиц золота в коллоидных растворах и мезопористых пленках TiO2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук:01.04.17. - Москва. - 2011. - 25 с.

157. Гладких, Н.Т Поверхностные явления и фазовые превращения в конденсированных пленках / Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь [и др.]. - Харьков: ХНУ имени В. Н. Каразина, 2004. - 276 с.

158. Чернов А.А. Теория устойчивости гранных форм роста кристаллов // Кристаллография. - 1971. - Т. 16., вып. 4. - С. 842 - 863.

159. Белоногов Е.К. Структурные и субструктурные изменения с ростом толщины конденсированных пленок неорганических материалов: автореферат доктора физико-математических наук:01.04.07. - 2011. - Воронеж. -40 с.

160. Кулаковский, В.Д. Многоэкситонные комплесы в полупроводниках / В. Д. Кулаковский, Т. Е. Пикус, В. Б. Тимофеев // УФН. - 1981. - Т. 135. вып. 2. - С. 237-284.

161. Capozzi, V. Spontaneous and optically amplified luminescence from exciton-exciton collisions in GaSe at liquid-He temperature / V. Capozzi, J. Staehli // Phys. Rev. B. - 1983. - Vol. 28. - P. 4461-4467.

162. Meyer, B.K. Bound exciton and donor-acceptor pair recombination's in ZnO /

B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann [et all.] // Phys. Stat. Sol. (B). - 2004. -Vol. 241. - Р. 231 - 260.

163. Martin, R.M. Cascade theory of inelastic scattering of light / R.M. Martin,

C.M. Varma // Phys. Rev. Lett. - 1971. - V. 26., is. 20. - P. 1241 - 1244.

164. Заламай В.О. Свойства тонких слоев и наноструктур на основе GaN и ZnO: автореф. дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.10. - 2006. - Mосква.

165. Гольман, Е.К. Получение толстых пленок YBa2Cu3O7-5 на сапфире с подслоем оксида церия / Е.К. Гольман, Д.А. Плоткин, С.В. Разумов [и

др.] // Журнал технической физики. - 1999. - Том 69., вып. 9. - С. 132136.

Список публикаций автора

A1. Вашурин, Н.С. Поляризационные свойства стимулированного фотонного эха в полупроводниковой тонкой пленке при воздействии продольного однородного магнитного поля / Н. С. Вашурин, И. И. Попов, С. Э. Пути-лин [и др.] // Материалы Девятой международной научной школы «Наука и инновации-2014» ISS «SI-2014» / под ред. И. И. Попова, В. А. Козлова,

B. В. Самарцева. - Йошкар-Ола: Поволжский государственный технологический университет, 2014. - С. 90-93.

A2. Вашурин, Н.С. Обнаружение эффекта нефарадеевского поворота вектора поляризации стимулированного фотоннного эха возбуждаемого на три-онных состояниях / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.Э. Путилин [и др.] // Материалы Десятой международной научной школы «Наука и иннова-ции-2015» ISS «SI-2015» / под ред. И. И. Попова, В. А. Козлова, В. В. Самарцева. - Йошкар-Ола: Поволжский государственный технологический университет, 2015. - С. 58-61.

A3. Вашурин, Н.С. Нефарадеевский поворот вектора поляризации стимулированного фотонного эха в тонкой поликристаллической пленке ZnO/Si(P)/Si(B) / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.Э. Путилин // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. - 2015. - № 4. - С. 154338.

A4. Вашурин, Н.С. Поляризационные свойства и спектроскопические возможности фотонного эха в тонкой пленке ZnO/Si+/Si- при воздействии продольного однородного магнитного поля / И.И. Попов, Н.С. Вашурин,

C.Э. Путилин // 12 Международные чтения по квантовой оптике (IWQO-2015). - М.: МПГУ, 2015. - С. 171.

A5. Vashurin, N.S. Fabrication and study of thin functional films for optoelectronics and lighting / I.I. Popov, N.S. Vashurin, S.E. Putilin [et al.] // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. - 2014. - Vol. 78, № 12. - P. 1295-1298 (из перечня ВАК РФ).

A6. Vashurin, N.S. Photon echoes in molecular iodine vapors and nanofilms as a method of optical data processing / I. I. Popov, N. S. Vashurin, K. Sh. Gazizov [et al.] // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. - 2012. - Vol. 76, No. 3. - P. 279-282. (из перечня ВАК РФ).

A7. Вашурин, Н.С. Двухфотонное возбуждение и особенности регистрации фемтосекундного фотонного эха в пленках оксида цинка наноразмерной толщины / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, В.Т. Сидорова [и др.] // Учен. зап. Казан. ун-та. Сер: Физ.-матем. науки. - 2013. - Т. 155, кн. 1. - С. 29-35 (из перечня ВАК РФ).

A8. Вашурин, Н.С. Фемтосекундное фотонное эхо на неоднородных по размеру квантовых точках оксида цинка при комнатной температуре / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин [и др.] // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. - 2013. - №1 (83). - С. 65-69 (из перечня ВАК РФ).

A9. Вашурин, Н.С. Фотонное эхо как метод исследования взаимодействия мощных фемтосекундных импульсов с полупроводниковыми пленками наноразмерной толщины / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.А. Степанов [и др.] // Известия РАН, Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 3. - С. 309312 (из перечня ВАК РФ).

A10. Vashurin, N.S. Photon echoes in single and trilayer semiconductor films of different nanosized thicknesses and their properties / I.I. Popov, N.S. Vashurin, S.E. Putilin [et al.] // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. -2014. - Vol. 78, №. 2. - P. 152-155 (из перечня ВАК РФ).

A11. Вашурин, Н.С. Техника фемтосекундного эксперимента по фотонному эхо и перспективы ее применения / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.А. Козлов [и др.] // Материалы Пятой международной научной школы «Наука и инновации - 2010» / Под ред. И.И. Попова и др. - Йошкар-Ола: МарГУ, 2010. - С. 50-55.

A12. Вашурин, Н.С. Новые подходы получения материалов наноэлектроники магнетронным распылением с использованием методов контроля их

структуры и оптических свойств / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, А.В. Мороз [и др.] // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Серия: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. - 2014. - № 3 (22). - С. 74-96 (из перечня ВАК РФ).

A13. Вашурин, Н.С. Обнаружение и исследование сигналов первичного и обращенного стимулированного фотонного эха в неорганических нанопленках / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин [и др.] // Материалы Шестой международной научной школы «Наука и инновации -2011» / под ред. И.И. Попова и др. - Йошкар-Ола: МарГУ, - 2011. - С. 58-62.

A14. Вашурин, Н.С. Метод контроля неоднородности структуры и толщины неорганической нанопленки ZnO в технике фотонного эха / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин [и др.] // Материалы Шестой международной научной школы «Наука и инновации - 2011» / под ред. И.И. Попова и др. - Йошкар-Ола: МарГУ, 2011. - С. 66-67.

A15. Вашурин, Н.С. Обнаружение и исследование сигналов первичного и стимулированного фотонного эха в неорганических нанопленках / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин [и др.] // Когерентная оптика и оптическая спектроскопия: XV Всероссийская молодежная научная школа: сборник статей / под ред. М.Х. Салахова. - Казань: Казан. ун-т, 2011. -Вып. XV. - С. 40-46.

A16. Вашурин, Н.С. Особенности возбуждения и регистрации сигналов первичного и стимулированного фотонного эха в нанопленках фоточувствительных солнечных батарей / Н.С. Вашурин, И.И. Попов // Студенческая наука и XXI век: материалы научно-практической конференции студентов по итогам научно-исследовательской работы за 2011 год. - Йошкар-Ола: Мар. гос. ун-т, 2012. - Вып. 9. - С. 121-127.

A17. Вашурин, Н.С. Двухфотонное возбуждение и особенности регистрации фемтосекундного фотонного эха в пленках оксида цинка наноразмерной толщины / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, В.Т. Сидорова [и др.] // Когерент-

ная и оптическая спектроскопия: XVI Всероссийская молодежная научная школа: сборник статей / под ред. М.Х. Салахова. - Казань: Казан. унт, 2012. - С. 189-191.

A18. Вашурин, Н.С. Особенности регистрации фотонного эха в нанопленках ZnO в условиях рассеянной части энергии эхо-сигнала на оптических фононах / В.Т. Сидорова, Н.С. Вашурин, И.И. Попов [и др.] // Когерентная и оптическая спектроскопия: XVI Всероссийская молодежная научная школа: сборник статей / под ред. М.Х. Салахова. - Казань: Казан. унт, 2012. - С. 104-107.

A19. Вашурин, Н.С. Двухфотонное возбуждение на свободных экситонах и особенности регистрации фемтосекундного фотонного эха в пленках оксида цинка наноразмерной толщины / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, В.Т. Сидорова [и др.] // Материалы Седьмой международной научной школы «Наука и инновации - 2012» / под ред. И.И. Попова и др. - Йошкар-Ола: МарГУ, 2012. - С. 31-36.

A20. Вашурин, Н.С. Особенности регистрации фотонного эха при его частичном рассеянии на оптических фононах в нанопленках ZnO / В.Т. Сидорова, Н.С. Вашурин, И.И. Попов [и др.] // Материалы Седьмой международной научной школы «Наука и инновации - 2012» / под ред. И.И. Попова и др. - Йошкар-Ола: МарГУ, 2012. - С. 87-90.

A21. Вашурин, Н.С. Фотонное эхо как метод исследования взаимодействия мощных фемтосекундных импульсов с полупроводниковыми пленками наноразмерной толщины / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, М.А. Исаев [и др.] // Материалы X международного симпозиума по фотонному эхо и когерентной спектроскопии (ФЭКС'2013). - Йошкар-Ола: ФГБОУ ВПО «Поволжский государственный технологический университет», 2013. - С. 107-110.

A22. Вашурин, Н.С. Фемтосекундное фотонное эхо как метод исследования влияния дефектов кристаллической структуры полупроводников на релаксационные процессы / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.А. Степанов [и

др.] // Материалы Девятой международной научной школы «Наука и ин-новации-2014» ISS «SI-2014» / под ред. И. И. Попова, В. А. Козлова, В. В. Самарцева. - Йошкар-Ола: Поволжский государственный технологический университет, 2014. - С. 63-65.

A23. Вашурин, Н.С. Спектроскопические исследования тонких поликристаллических пленок методом фемтосекундного фотонного эха / Н.С. Вашурин, И.И. Попов // Когерентная оптика и оптическая спектроскопия: XIX Международная молодежная научная школа 5-7 октября 2015 г.: сборник статей / под ред. М.Х. Салахова. - Казань: Изд-во Казан. ун-та, 2015. - С. 236-237.

A24. Вашурин, Н.С. Влияние релаксационных процессов трионов на свойства фемтосекундного фотонного эха / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, А.У. Бахадуров // Материалы Десятой международной научной школы «Наука и инновации-2015» ISS «SI-2015» / под ред. И. И. Попова, В. А. Козлова, В. В. Самарцева. - Йошкар-Ола: Поволжский государственный технологический университет, 2015. - С. 55-57.

A25. Вашурин, Н.С. Особенности регистрации фемтосекундного фотонного эха в режиме спонтанного параметрического рассеяния [Электронный ресурс] / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин [и др.] // Труды школы-семинара «Волны-2012». Секция 3. - 2012. - Режим доступа: http://waveconf.ru/files/docs/2012/thesis/Section3.pdf.

A26. Вашурин, Н.С. Сигналы фемтосекундного фотонного эха в неорганических пленках и особенности их регистрации [Электронный ресурс] / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин [и др.] // Труды школы-семинара «Волны-2012». Секция 3. - 2012. - Режим доступа: http://waveconf.ru/files/docs/2012/thesis/Section3.pdf.

A27. Вашурин, Н.С. Эффект сдвига спектра сигналов первичного и стимулированного фотонного эха в полупроводниковых пленках наноразмерной толщины [Электронный ресурс] / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.И. Никитин [и др.] // Труды школы-семинара «Волны-2013». Секция 7. - 2013. -

Режим доступа: http://waveconf.ru/files/docs/2013/thesis/Section7.pdf.

A28. Вашурин, Н.С. Методика эксперимента по наблюдению сигналов оптических переходных процессов в тонких полупроводниковых пленках / В.Т. Сидорова, Н.С. Вашурин, С.И. Никитин [и др.] // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. -2013. - № 5. - С. 135047.

A29. Вашурин, Н.С. Фотонное эхо в однослойных и трехслойной полупроводниковых пленках различной наноразмерной толщины и исследование их свойств / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.И. Никитин [и др.] // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. -2013. - № 5. - С. 135024.

A30. Вашурин, Н.С. Фотонное эхо и оптическая эхо-спектроскопия экситонных квантовых переходов в тонких поликристаллических пленках / Н.С. Ва-шурин, И.И. Попов // 12 Международные чтения по квантовой оптике (IWQ0-2015). - М.: МПГУ, 2015. - С. 159.

A31. Vashurin, N.S. Signals of the femtosecond photon echo in inorganic films and their recording / I.I. Popov, N.S. Vashurin, S.E. Putilin [et al.] // Physics of Wave Phenomena. - 2013. - Vol. 21, № 1. - P. 38-40 (из перечня ВАК РФ).

A32. Вашурин, Н.С. Фотонное эхо и зондовая микроскопия как методы исследования тонких пленок для микроэлектронных датчиков / А.В. Мороз, Н.С. Вашурин, И.И. Попов [и др.] // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Серия: Радиотехнические и инфо-коммуникационные системы. - 2012. - № 2 (16). - С. 64-72 (из перечня ВАК РФ).

A33. Вашурин, Н.С. Технологические методы формирования тонких пленок / Н.И. Сушенцов, Н.С. Вашурин, С.А. Степанов [и др.] // Известия РАН, Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 3. - С. 313-315 (из перечня ВАК РФ).

A34. Vashurin, N.S. Investigation of relaxation in quantum dot ensembles in thin semiconductor films by photon-echo technique / I.I. Popov, N.S. Vashurin, S.E. Putilin [et al.] // Physics of Wave Phenomena. - 2015. - Vol. 23, №. 2. -

P. 101-104 (из перечня ВАК РФ).

A35. Вашурин, Н.С. Физические основы экситонного приборостроения на основе фотонного эха / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, А.У. Баходуров // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Серия: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. - 2016. - № 1 (29). - С. 64-75 (из перечня ВАК РФ).

A36. Вашурин, Н.С. Поликристаллические структуры тонких пленок ZnO и фотонное эхо как метод контроля их толщины / С.А. Степанов, В.Т. Сидорова, Н.С. Вашурин [и др.] // Когерентная и оптическая спектроскопия: XVI Всероссийская молодежная научная школа: сборник статей / под ред. М.Х. Салахова. - Казань: Казан. ун-т, 2012. - С. 108-111.

A37. Вашурин, Н.С. Фотонное эхо как метод исследования поликристаллических структур тонких пленок ZnO / С.А. Степанов, В.Т. Сидорова, Н.С. Вашурин [и др.] // Материалы Седьмой международной научной школы «Наука и инновации - 2012» / под ред. И.И. Попова и др. - Йошкар-Ола: МарГУ, 2012. - С. 90-93.

A38. Вашурин, Н.С. Технология получения и контроль методом фотонного эха тонких плёнок оксида цинка / С.А. Степанов, И.И. Попов, Н.С. Вашурин [и др.] // Материалы X международного симпозиума по фотонному эхо и когерентной спектроскопии (ФЭКС'2013) - Йошкар-Ола: ФГБОУ ВПО «Поволжский государственный технологический университет», 2013. -С. 176-180.

A39. Вашурин, Н.С. Исследование релаксационных процессов в ансамбле квантовых точек в наноразмерных полупроводниковых пленках на основе фотонного эха [Электронный ресурс] / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.Э. Путилин [и др.] // Труды школы-семинара «Волны-2014». Секция 3. - 2014. - Режим доступа:

http://waveconf.ru/files/docs/2014/thesis/Section3.pdf.

A40. Вашурин, Н.С. Оптические свойства фотонного эха в наноразмерных функциональных пленках для элементной базы оптоэлектроники [Элек-

тронный ресурс] / Н.С. Вашурин, И.И. Попов, С.Э. Путилин // Труды школы-семинара «Волны-2014». Секция 3. - 2014. - Режим доступа: http://waveconf.ru/fîles/docs/2014/thesis/Section3.pdf. A41. Вашурин, Н.С. Технологические особенности получения тонких функциональных пленок для оптоэлектроники и светотехники и результаты их исследования [Электронный ресурс] / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.Э. Путилин [и др.] // Труды школы-семинара «Волны-2014». Секция 5. -2014. - Режим доступа:

http://waveconf.ru/files/docs/2014/thesis/Section5.pdf. A42. Вашурин, Н.С. Исследование оптических свойств фотонного эха в нано-размерных полупроводниковых пленках / И.И. Попов, Н.С. Вашурин, С.Э. Путилин [и др.] // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. - 2014. - № 4. -С. 144328.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Таблица 1

Результаты измерения времен релаксации в тонких текстурированных пленках

Сигнал ФЭ (режим возбуждения) Наименование пленки Толщина пленки, нм Время релаксации Т1, фс Время релаксации Т2, фс

ПФЭ (двухфотонный) Трехслойная гпО/81(Р)/81(В) Каждый слой по 100 нм 1900±320

Оксид цинка 7пО 600 - 320±60

800 - 130±30

СФЭ (двухфотонный) Трехслойная гпО/81(Р)/81(В) Каждый слой по 100 нм 13000±1900

Оксид цинка 7пО 100 4300±690

СФЭ (однофотонный) Кремний, легированный бором Б1(В) 100 280±50

Кремний, легированный фосфором Б1(Р) 100 670±120