Фазовые переходы в наноструктурированных композитах сегнетоэлектрик - диэлектрик тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Висковатых, Алексей Васильевич

  • Висковатых, Алексей Васильевич
  • кандидат науккандидат наук
  • 2013, Воронеж
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 133
Висковатых, Алексей Васильевич. Фазовые переходы в наноструктурированных композитах сегнетоэлектрик - диэлектрик: дис. кандидат наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Воронеж. 2013. 133 с.

Оглавление диссертации кандидат наук Висковатых, Алексей Васильевич

КРИСТАЛЛАХ.............................................................. 48

2.1. Структурный фазовый переход, не сопровождающийся даль-нодействующими полями................................................... 48

2.2. Сегнетоэлектрический фазовый переход в частице эллиптической формы.................................................................. 55

2.3. Сегнетоэластический фазовый переход в тонкой пластине

со свободной границей................................................. 60

2.4. Сегнетоэластический фазовый переход в тонкой пластине без изменения формы образца................................................... 66

ГЛАВА 3. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В НАНОКОМПОЗИТНЫХ

МАТЕРИАЛАХ............................................................... 71

3.1. Фазовый переход сегнетоэлектрической частицы, находящейся в диэлектрической матрице........................... 71

3.2. Электрическое взаимодействие сегнетоэлектрических

частиц в диэлектрической матрице................................. 76

3.3. Влияние электрострикционного и пьезоэлектрического эффектов на фазовые переходы в композиционных материалах сегнетоэлектрик - диэлектрик........................... 80

3.4. Влияние термоупругих напряжений на фазовые

переходы в сегнетоактивных композитах........................... 95

3.5. Фазовый переход сегнетоэлектрического стержня бесконечной длины с учетом пьезоэффекта.............................. 97

ГЛАВА 4. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТРИЧНЫХ КОМПОЗИТОВ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК - ДИЭЛЕКТРИК.............................. 101

4Л. Статическая диэлектрическая восприимчивость

композитов сегнетоэлектрик - диэлектрик.......................... 101

4.2. Обобщенная диэлектрическая восприимчивость

композитов сегнетоэлектрик - диэлектрик......................... 106

4.3. Методы расчета эффективных характеристик материалов.... 110

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.......................................... 120

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.............................................................. 122

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые переходы в наноструктурированных композитах сегнетоэлектрик - диэлектрик»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. На протяжении последних десятилетий интерес ученых и инженеров к нанокомпозитам постоянно возрастает. Это обусловлено необходимостью создания материалов для современной электроники, оптики, ракетно-космической, медицинской, бытовой и т.д. техники, где требуются материалы с настолько разнообразными свойствами, что набор лишь чистых кристаллов становится уже явно недостаточным. Нанокомпозиты являются наиболее перспективными в плане возможности управления их физическими свойствами. Другой аспект этой проблемы, также привлекающий внимание исследователей, имеет фундаментальный характер. Дело в том, что большинство материалов при достижении размера <100 нм кардинально меняют физические свойства: изменяется параметр решетки, температура плавления, температура Дебая, температуры фазовых переходов (ФП), коэффициенты термического расширения и диффузии, происходит дискретизация энергетических уровней носителей заряда и т.д. Иными словами для описания частиц малых размеров нужны новые физические представления, такие как, например, термодинамика малых частиц, предложенная Хиллом, где в качестве термодинамических параметров используют наряду с температурой и давлением размер частицы.

При переходе к композитам помимо отмеченных выше особенностей поведения малых частиц необходимо учитывать, что композиты представляют собой гетерогенные многофазные материалы, в которых усреднение физических характеристик приводит к возникновению новых свойств, отличных от свойств исходных компонентов композита. В экспериментальных исследованиях композитных материалов с наноразмерными включениями не всегда удается получить непрерывный размерный ряд наночастиц. Поэтому математическое моделирование является наиболее простым и эффективным методом исследования таких систем. Развитие и применение методов моделирования позволяет естественным образом дополнять экспериментальные исследования. В силу невозможности учесть все детали структуры при моделировании композита необходимо развивать новые методы, учитывающие сложность структуры материала.

Цель работы - установление влияния микроструктуры на формирование эффективных физических свойств композиционных материалов, один из компонентов которых испытывает фазовый переход второго рода.

Для достижения сформулированной цели поставлены и решены следующие задачи.

1. Для образцов наноскопических размеров построить и исследовать математические модели структурного фазового перехода, не сопровождающегося возникновением дальнодействующих полей, а также сегнетоэлектрического и сегнетоэластического фазовых переходов.

2. Построить и исследовать математическую модель фазового перехода в композиционном материале сегнетоэлектрик - диэлектрик.

3. Разработать метод расчета и найти статическую и динамическую диэлектрическую восприимчивость нанокомпозита сегнетоэлектрик - диэлектрик.

4. Разработать методы расчета эффективных характеристик композиционных материалов с нерегулярной (стохастической), близкой к регулярной и регулярной структурами.

Решение поставленных задач основывалось на использовании теории среднего поля Гинзбурга-Ландау с применением численно-аналитических методов для решения систем нелинейных дифференциальных уравнений в частных производных. При проведении численных расчетов использовался пакет прикладных программ Согпбо] МиШрИуБюз.

Область исследования соответствует пункту 2 «Теоретическое и экспериментальное исследование физических свойств неупорядоченных неорганических и органических систем, включая классические и квантовые жидкости, стекла различной природы и дисперсные системы» паспорта специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния».

Тематика данной работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденному президиумом РАН (раздел 1.2 - «Физика конденсированных состояний вещества», подраздел 1.2.10 - «Нанокристаллические материалы, фуллерены, атомные кластеры»). Работа выполнена в рамках ГБ НИР 2007.13 «Математическое моделирование физических процессов в конденсированных средах и операторные уравнения» на кафедре высшей математики и физико-математического моделирования ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет».

Научная новизна результатов исследований.

Путем численного анализа краевых задач для нелинейной системы дифференциальных уравнений в частных производных получены следующие отличающиеся принципиальной новизной результаты.

1. В рамках феноменологической модели решена задача о фазовом переходе в малых частицах антисегнетоэлектрика, сегнетоэлектрика, сегнетоэласти-ка:

а) сделан точный учет градиентных слагаемых в плотности термодинамического потенциала;

б) сделан точный учет электростатических полей для сегнетоэлектриче-ского фазового перехода;

в) точно учтены упругие поля, сопровождающие фазовый переход в сег-нетоэластике, и учтено, что сегнетоэластический фазовый переход сопровождается изменением формы частицы;

г) в широком диапазоне изменения параметров исследовано влияние формы частиц и их размеров на температуру фазового перехода.

2. В рамках феноменологической модели решена задача о фазовом переходе в композиционном материале сегнетоэлектрик - диэлектрик:

а) сделан точный учет градиентных слагаемых в плотности термодинамического потенциала;

б) сделан точный учет электростатических полей для фазового перехода в композиционном материале;

в) учтено влияние термоупругих напряжений, возникающих из-за различия тепловых свойств компонентов композита, на фазовый переход;

г) точно учтено влияние электрострикционных и пьезоэлектрических напряжений на фазовый переход в композите;

д) предложен метод учета взаимодействия сегнетоэлектрических включений в стохастическом композите через граничные условия на поверхности представительской ячейки композита;

е) путем малого возмущения нелинейной системы для поляризации и электрического потенциала внешним электрическим полем определена диэлектрическая проницаемость композита как функция температуры, дисперсности системы, формы сегнетоэлектрических включений и характера взаимодействия друг с другом контактирующих фаз;

ж) асимптотический метод многих масштабов расчета эффективных свойств обобщен на случай неоднородной структуры фаз, составляющих композиционный материал.

Научная и практическая значимость. Установленные в работе механизмы взаимодействия матрицы с нанорамерными ферроактивными частицами, входящими в состав композита, а также закономерности влияния их размеров и формы на эффективные свойства композиционного материала, углубляют представления о природе протекающих в нем физических процессов, что дает возможность целенаправленно управлять его эксплуатационными характеристиками. Результаты представленных в диссертации исследований могут быть использованы для интерпретации имеющихся экспериментальных данных и планирования новых экспериментов. Их совокупность можно рассматривать как вклад в развитие научных основ прогнозирования свойств наноразмерных композиционных материалов.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Зависимости температуры фазового перехода в антисегнетоэлектриче-ской и сегнетоэлектрической наночастице от её размеров, формы и от параметров, характеризующих свойства её поверхности.

2. Зависимости температуры фазового перехода в сегнетоэластической тонкой пластине от её толщины. Метод решения задачи о фазовом переходе в образце с неизвестным заранее положением его границы (свободная граница).

3. Зависимости температуры фазового перехода в композите сегнетоэлек-трик - диэлектрик от размеров, формы сегнетоэлектрических включений, от параметров, характеризующих свойства межфазной поверхности, от диэлектрических, упругих, электрострикционных, пьезоэлектрических свойств компонентов.

4. Зависимости диэлектрической проницаемости композита сегнетоэлек-трик - диэлектрик от размеров, формы сегнетоэлектрических включений, от параметров, характеризующих свойства межфазной поверхности, от диэлектрических свойств компонентов.

5. Асимптотический метод расчета эффективных свойств композита со структурой близкой к регулярной, учитывающий неоднородность свойств составляющих его компонентов.

Достоверность полученных результатов обеспечивается выбором адекватных физико-математических моделей, использованием хорошо апробированных методов теоретической физики и численного анализа, непротиворечивостью выводов исследования основным физическим принципам, согласованностью ряда выводов с экспериментальными результатами.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы были представлены на следующих научных конференциях и семинарах: VI Международной конференции по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 2009), VI - X Международном семинаре «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, 2009 - 2013), XXII Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 2010), XIX Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Москва, 2011), VI Международном семинаре «Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах» (Воронеж, 2012), VII Международной конференции по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 2012), Международной конференции «Актуальные проблемы прикладной математики, информатики и механики» (Воронеж, 2012), VI Международной конференции «Современные методы прикладной математики, теории управления и компьютерных технологий (Воронеж, 2013).

По теме диссертации опубликовано 17 научных работ, в том числе 8 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Личный вклад автора. Во всех публикациях, выполненных в соавторстве, автор принимал активное участие в получении результатов и обсуждении полученных результатов, написании статей. В работах [2, 3, 9, 10, 12] автору принадлежат построение и реализация алгоритма вычисления физических свойств наномасштабных сегнетоэлектриков, в [5, 8, 13, 14] им предложен алгоритм нахождения температуры фазового перехода в ограниченных сегнето-эластиках со свободной границей, в [1, 4, 11, 16, 17] непосредственно проведены численные расчеты, в [6] сделаны численные оценки экспериментально полученных результатов, в [7, 15] принадлежит построение математической модели влияния гидростатического давления на температуру фазового перехода сегнетоактивных наночастиц.

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, выводов и списка литературы из 118 наименований. Основная часть работы изложена на 133 страницах и содержит 54 рисунка.

ГЛАВА 1. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ

В связи с наметившимися перспективами использования наноразмерных материалов в различных областях электроники [1 - 7], техники [8, 9], биотехнологии [10], медицины [11] и т.д. в последние годы значительно возросло количество публикаций по физике наноразмерных систем [1 - 21]. Большинство работ связано с исследованием физических свойств тонких пленок (ТП) и их практическим применением. Значительно меньшее количество публикаций посвящено изучению физических свойств матричных и смесевых нанокомпозитов и фазовых переходов (ФП) в них. Это связано, в первую очередь, со сложностью получения таких композиционных материалов (КМ) и трудностями контроля размеров и геометрии на-ночастиц в матрицах, что приводит, в конечном счете, к проблеме интерпретации экспериментальных результатов. Однако, влияние размерных эффектов намного сильнее проявляется для материалов, имеющих ограничения в двух и трёх измерениях [22].

В теоретическом плане нелинейность задачи о ФП, корреляционные эффекты, деполяризующие поля и необходимость учета дальнодействующего взаимодействия частиц упорядоченной фазы друг с другом делают эту задачу очень сложной с математической точки зрения.

Для ограниченных сегнетоэлектрических (СЭ) частиц, испытывающих ФП, при его описании в духе теории Ландау, в выражении для плотности термодинамического потенциала Ф необходимо учитывать дополнительные слагаемые, описывающие неоднородное распределение параметра порядка и вклад деполяризующего поля, создаваемого свободными зарядами на поверхности частиц [23]:

где а, Р, у - коэффициенты разложения термодинамического потенциала по по-

для ФП первого рода или /3 > 0 для ФП второго рода, Ё - напряженность элек-

1.1. Фазовый переход в сегнетоэлектрических наночастицах

ф = 1 -1 аР2 + 1-/ЗР4 + -уР6 - ЁР у I 2 2 4 6

(1.1)

ляризации Р, а - а0(Т -Т0), ай и Т0 - константа и температура Кюри, у > 0, (5 < 0

трического поля создаваемого связанными зарядами на поверхности частицы, к -корреляционная постоянная, характеризующая распределение поляризации вблизи пространственных неоднородностей, например межфазных границ или дефектов.

В рамках этой теории Морозовская с соавторами [24-30] рассматривали монодоменный СЭ наноконус высотой к и половинным углом в, в котором поляризация, направленная вдоль оси конуса К:(р,г), и внешнее поле Е0 параллельны координатной оси Ог. Вариация суммы объемной и поверхностной частей термодинамического потенциала в цилиндрических координатах для наноконуса приводит к следующей краевой задаче:

аР (Аг) + (ЗР!(р,г) + уР?(р,г)- -1±р±Рж(р,г)1 = Е0 + Ел(р,г),

^ дг ророр )

г с1Р Л Р +л -

V

ск

= 0,

г арЛ р +л -

2=/?

V

ск

= 0.

(1.2)

где Е± - напряженность поля деполяризации в направлении оси Ох, ЛЛ и - длины экстраполяции. Коэффициент а5 зависит от температуры и перенормирован с учетом поверхностного натяжения, принимая во внимание осевую симметрию конуса.

а5*а0{Т-Т0)+ 2а2-£~, (1.3)

ztgв

где 0,п - коэффициент электрострикции, ц - коэффициент эффективного поверхностного натяжения.

Выражение для поля деполяризации Еа =-У <р{р,г) получено путем решения уравнения Пуассона с граничными условиями:

А(р(р,г)=47Г-сИуР(р,г), (1.4)

(р(р = 21ёв,2) = 0 , <р(р,г = 0)=0 , <р(р,г = 0) = -и, (1.5) где Д - оператор Лапласа в цилиндрических координатах, (р\р,г) - потенциал электрического поля,

Из (1.4) и (1.5) получено выражение для поля деполяризации:

1 + 4к; /tg2в

(1.6)

где кх - первый корень функции Бесселя нулевого порядка. При Я- к- ^в » к выражение (1.6) совпадает с решением для поля деполяризации в СЭ тонкой пленке. Для Я «к решение (1.6) асимптотически совпадает с решением для поля деполяризации в СЭ наноцилиндрах.

Из решения уравнение (1.2) относительно Рг получена зависимость температуры ФП в низкосимметричную фазу:

тАкв)«т{ 1- 4а(1.7)

^ а0Т0к tgв 4aoтoh?]tg в а0Т0 к -

Л

у

У

4л" л оч

где 77 = —=====. (1.8)

Первый член в (1.7) соответствует температуре ФП объемного материала, второй связан с влиянием поверхностного натяжения на поляризацию через элек-трострикцию. Третий и четвертый члены описывают вклад неоднородного распределения поляризации вблизи границы частицы и поля деполяризации. Второй член в (1.7) может способствовать, как увеличению, так и уменьшению температуры ФП, т.е. может быть, как положительным, так и отрицательным в зависимости от знака <2п. Для большинства соединений АВОз со структурой перовскита коэффициент электрострикции отрицательный, £)12 <0 [29].

На основании выражения (1.7) рассчитаны температуры ФП для различных значений коэффициента электрострикции Qn, половинного угла в и нормированной высоты наноконуса Н = к = 1СГ'9 м"2 (рисунок 1.1 - 1.6).

л/ К

При <2п <0 для малых высот конуса СЭ фаза появляется при в = п 14 (рисунок 1.1). С увеличением высоты конуса температура ФП достигает своего максимума Тс/Т0 = 2.5 при Н « 40 и 0«2я715. Для 012 >0 температуры ФП ниже соответствующих температур для объемных материалов (рисунок 1.2). При уменьшении угла 9 наблюдается монотонное уменьшение температуры ФП. Аналогичная картина наблюдается и на графиках, приведенных на рисунках 1.3 и 1.4.

Нормированный объем конуса:

Г (1.9)

сопе V /

Половинный угол О Рисунок 1.1. Зависимость температуры ФП от половинного угла конуса в для £>2 < 0 • Высота конуса Н=11 (линия 1), 13(2), 17(3), 30(4), 50(5), 150(6), 300(7) и 2750(8)

тс/2

Половинный угол О Рисунок 1.2. Зависимость температуры ФП от половинного угла конуса в для £>12 > 0. Высота конуса Н=40 (линия 1), 100(2), 600(3), 1000(4), 7000(5)

я/2

О

С 2

е

се

а

и с

и

О 200 400 600 800 1000

Высота конуса И/ Рисунок 1.3. Зависимость температуры ФП от высоты Н = И к для <2п<0. Половинный угол конуса в = к 1225 (линия 1), я73 (2), л/4 (3), л/7.5 (4), л/15 (5), я-/40 (6), л"/70 (7) и л/90 (8)

Рисунок 1.4. Зависимость температуры ФП от высоты Н = 1г к для Qn > 0. Половинный угол конуса в = л/2.1 (линия 1), л/10 (2), л/30 (3), л"/70 (4), л-/90 (5)

Объем конуса, »105 Рисунок 1.5. Зависимость температуры ФП от объёма наноконуса Усот для Qn< 0. Половинный угол конуса 0 = 7Г/2.25 (линия 1), 7Г/3 (2), тг/4 (3), л-/7.5 (4), л-/15 (5), л-/40 (6), ж ПО (7) и ж/90 (8)

Объем конуса, * 10 Рисунок 1.6. Зависимость температуры ФП от объёма наноконуса Усопе для

<2п > 0. Половинный угол конуса в = л72.1 (линия 1), Л-/10 (2), я730 (3), л/70 (4), л-/90 (5). На вставке -а-л!2.\ (линия 1), л¡2.15(2), л-/10(3), л-/30(4), л-/70(5)

Для <0 (рисунок 1.5) зависимость температуры ФП от объема конуса опять немонотонна и наблюдается её увеличение для промежуточных значений половинных углов. Для Qu >0 видим значительное уменьшение Тс (рисунок 1.6) для относительно небольших объемов.

Выражение (1.7) для температуры ФП сегнетоактивных наноконусов получено в предположении отсутствия деполяризующего поля вне частицы. Авторы полагают, что поляризационные заряды на поверхности частицы полностью могут быть скомпенсированы свободными зарядами и деполяризующее поле существует только внутри. Вопрос о возможной компенсации поляризационных зарядов на поверхности частиц и пренебрежении деполяризующими полями занимает центральное место при рассмотрении композитов с полярными включениями [31].

В работе [32] сообщается об изучении диэлектрических свойств КМ, полученного путем внедрения из насыщенного водного раствора сополимера Р(УОР60/Тг40) в матрицу пористого стекла, имеющего сквозную дендритную структуру пор, средний диаметр которых около 320 нм.

Ход диэлектрической проницаемости £'(т), наблюдаемый в процессе нагрева объемного образца Р(УВР60/Тг4о) (рисунок 1.7а), в окрестности температуры 375 К проходит через максимум, соответствующий переходу полимерного материала из СЭ фазы в параэлектрическую. А при температуре 412 К происходит скачкообразное уменьшение диэлектрической проницаемости, которое обусловлено переходом материала в расплавленное состояние. В ходе охлаждения образца аномалии £'(т) более существенны и оказываются смещенными в область более низких температур соответственно на 40 и 15 К.

Рисунок 1.7. Температурные зависимости действительной части диэлектрической проницаемости, полученные на частоте 1 кГц в ходе нагрева (1) и охлаждения (2) объемного Р(\Т)Р6о/Тг4о) (а) и КМ Р(\Т)Р60/Тг4о) - пористое стекло (б)

В случае КМ температура ФП из СЭ в параэлектрическую фазу при нагреве равна 343 К, что приблизительно на 32 К ниже, чем в объемном Р(УОР6о/Тг40). Наряду с этим температура перехода в ходе охлаждения равна 334 К и практически совпадает с температурой, регистрируемой для объемного Р(УВР60/Тг40).

По мнению авторов [32], снижение температуры, при которой СЭ фаза в полимерных включениях теряет свою устойчивость, обусловлено увеличением свободной энергии вследствие действия деполяризующего поля. По нашему мнению присутствуют дополнительные механизмы, обуславливающие уменьшение температурного гистерезиса в КМ в процессе нагрева и охлаждения. Они связаны с дополнительной поляризацией Максвелла - Вагнера.

Исследования [33] поляризации композита на основе пористого стекла с включениями NaN02 показали уменьшение значений поляризации до нуля при температуре 157°С, то есть ниже точки Кюри объемного NaN02. Отмеченное уменьшение температуры ФП связывается с опрокидывающим действием деполяризующего поля связанных зарядов на границе между стеклом и СЭ нитритом натрия, эффект которого в композитах оказывается особенно сильным по сравнению с однородными СЭ пластинами из-за большой доли общей поверхности, ограничивающей полярную фазу.

Авторами предложено выражение для смещения температуры Тс сегнето-электрического ФП в нанодисперсных частицах по сравнению с объемными материалами Т0 вследствие опрокидывающего действия деполяризующего поля связанных зарядов:

т я

^ = 1--, (1.10)

Т0 R

где R - радиус наночастицы, 8 - характерная длина, в качестве которой в зависимости от ситуации могут выступать корреляционная длина кос а2(а -

постоянная решетки), размер домена а? или длина экранирования Я = л/кТ/47ге2п0 .

В момент создания материала роль 8 обычно играет размер домена. Однако, перераспределение свободных носителей в результате стремления системы к равновесию приведет к уменьшению величины деполяризующего поля в результате замены с? на длину экранирования и, следовательно, к росту Тс со временем.

В работе [34] сообщается о диэлектрических измерениях КМ, представляющих собой пористые стекла со средним диаметром пор 7, 46 и 320 нм, в которые внедряли соли сегнетоэлектриков КН2РОА, СзН2Р04. Образцы получали из водного раствора соответствующих солей при температуре 100°С с последующим термическим отжигом с течение 6 ч. Эксперимент, в частности, показал заметное повышение температуры ФП во внедренных частицах КН2Р04 и, наоборот, понижение в частицах СяН2Р04 с уменьшением диаметра пор матрицы.

В работах [35,36] исследовались диэлектрические свойства частиц ИаЫ02 внедренные в пористые стекла дендридной структуры. Образцы были приготовле-

ны методом внедрения нитрита натрия в поры диаметром 7 и 20 нм из расплава с последующим отжигом. Нитрит натрия - СЭ типа «порядок-беспорядок» первого рода с температурой ФП 437 К [37]. Для УаМ32, внедренного в поры диаметром 7 нм, наблюдается понижение температуры ФП (Тс = 422 К). Однако, при повышении частоты пик диэлектрической проницаемости сдвигается в сторону высоких температур (рисунок 1.8). Пироэлектрические измерения [38] в квазистатическом режиме компенсационным методом указывают на СЭ переход при температуре 430 К, т.е. также наблюдается понижение соответствующей температуры ФП. В работе [39] сообщается, что при исследовании диэлектрических свойств СЭ частиц твердых растворов Ма^хКхМ02 (х = 0, 0.05, 0.1), введенных в пористые стекла со средним диаметром пор 7 нм, существенного понижения температуры ФП не наблюдалось. Увеличение концентрации калия приводит к изменению зависимости параметра порядка и к значительному уменьшению диэлектрических потерь в области аномально высокой диэлектрической проницаемости.

350 400 450

Температура Т, К

437 К

300 350 400 450 500

Температура Т, К

а) б)

Рисунок 1.8.Температурная зависимость действительной части диэлектрической проницаемости для КМ - 5/02 с диаметром пор 7 нм (а) и 20 нм (б)

При диаметре пор 20 нм температура ФП наночастиц Уо/УО., не отличалась от температуры перехода для объемного образца. При этом наблюдается дополнительная аномалия на температурной зависимости действительной части диэлектрической проницаемости при Т = 417 К. При увеличении частоты оба пика исче-

зают, что связано, как предполагается, с существованием несоразмерной фазы [36].

Изменения температуры ФП в пористых стеклах с внедренными частицами Na.NO., [35,36] указывают на роль корреляционной энергии в термодинамическом потенциале, возрастающей с уменьшением диаметра наночастиц.

В тоже время в работе [40] диэлектрические исследования частиц нитрита натрия N€[N02 в пористых силикатных матрицах МСМ-41 с размером пор 2.6 и 3.7 нм показывают увеличение температуры сегнетоэлектрического ФП. При исследовании действительной части диэлектрической проницаемости образцов с частицами N€(N02 размером 3.7 нм наблюдается низкочастотная дисперсия, смещение пика диэлектрической проницаемости на 4 градуса в область более высоких температур и значительное повышение отклика на внешнее поле, связываемое авторами с наличием Максвелл-Вагнеровской поляризации. Другой возможной причиной смещения, по мнению авторов, является механическое зажатие частиц в порах. При размере частицы 2.6 нм наблюдается значительная низкочастотная дисперсия и сильное размытие диэлектрической проницаемости на всех частотах. Сильное размытие диэлектрической проницаемости очевидно связано с размерным эффектом. При определенном размере вклад поверхностных атомов становится соизмерим с вкладом атомов в объеме, и это ведет к тому, что при таких размерах частиц СЭ состояние не может быть полностью реализовано во всем объеме, и размытие ФП возможно связано с одновременным сосуществованием сегнето- и парофазы.

Авторами [41] исследовался ФП сегнетоэлектрических частиц нитрита натрия и сегнетовой соли, помещенных в микропоры стекла диаметром 7 нм. Композит с частицами нитрита натрия был приготовлен внедрением частиц в поры из расплава, а композит с сегнетовой солью - из водного раствора. Объемная доля СЭ в обоих случаях около 30%.

На температурной зависимости диэлектрической проницаемости отклонение температуры ФП исследуемых композитов составило не более 1К от соответствующих температур для объемных материалов (рисунок 1.9). Для композита на основе сегнетовой соли явные аномалии в диэлектрической проницаемости наблюдаются только в температурной зависимости производной о^Д/Г.

"to 7000 »a

о 6000 О

s

g 5000 Я

s

S 4000 О

a.

a 3000

о 2000 <u

3"

p. 1000

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Висковатых, Алексей Васильевич, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Попков, А. Ф. Магнитная наноэлектроника / А.Ф. Попков // Электронная промышленность. - 2004. - № 3. - С. 38-42.

2. Воротилов, К. А. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства / К. А. Воротилов, А. С. Сигов // Физика сегнетоэлектриков: тез. докл. XIX всероссийской конф. - Москва, 2011. - С. 9.

3. Воротилов, К. А. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы / К. А. Воротилов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 10. - С. 30-42.

4. Present and future applications of nanocrystalline magnetic materials / G. Herzer, M. Vazquez, M. Knobel, A. Zhukov, T. Reininger, H. A. Davies, R. Grossinger, and LI. J. L. Sanchez // Journal of magnetism and magnetic materials. - 2005. - V. 294. - P. 252-266.

5. Particle size influence to the microwave properties of iron based magnetic particulate composites / L. Z. Wu, J. Ding, H. B. Jiang, L. F. Chen, and С. K. Ong // Journal of magnetism and magnetic materials. - 2005. - V. 285. - P. 233-239.

6. Regular arrays of highly ordered ferroelectric polymer nanostructures for nonvolatile low-voltage memories / Z. Ни, M. Tian, B. Nysten, A. M. Jonas // Nature Mater. - 2009.-№8.- P. 62-67.

7. High Performance Solution-processed Polymer Ferroelectric FETs / R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh and D. M. de Leeuw // Nature Mater. - 2005. - № 4. - P. 243-248.

8. Структура и электрические свойства новых гетерогенных систем Cu-Pd-In-Y-O / К. С. Габриельс, И. В. Бабкина, О. В. Жилова, А. В. Ситников // Ferroelas-tic Physics: Abstract of The Seventh International Seminar. Voronezh, 2012. - P. 138.

9. Вендик, О. Г. Критические размеры сегнетоэлектриков типа смещения / О. Г. Вендик, С. П. Зубко, Н. Ю. Медведева // Физика сегнетоэлектриков: тез. докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011. - С. 40.

10. Леманов, В. В. Фазовые переходы в кристаллах белковых аминокислот / В. В. Леманов // Физика сегнетоэлектриков: тез. докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011. - С. 6.

11. Биосегнетоэлетричество и биопьезоэлектричество / А. В. Кудрявцев, К.

B. Швырков, Е. Д. Мишина, А. С. Сигов, A. Handelman, Amdursky, G. Rosenman // ФТТ. - 2012. - Т. 54, № 6. - С. 1187-1192.

12. Vortex structure transformation of ВаТЮЗ nanoparticles through the gradient function / L. Hong, A. K. Soh, S. Y. Liu and L. Lu // J. Appl. Phys. - 2009. - V. 106. - P. 024 111-024 114.

13. Диэлектрические свойства композиционного материала на основе дигид-рофосфата калия и нанокристаллов диоксида титана в терагерцовом диапазоне / В. А. Аникеева, И. А. Ожередов, А. П. Шкуринов, В. Я. Гайворонский, И. М. Приту-ла // Вестник НГУ: Физика. - 2010. - Т. 5, № 4. - С. 134-139.

14. Rudiger, A. Size effects in nanoscale ferroelectrics / A. Rudiger, R. Waser // Journal of Alloys and Compounds. - 2008. - V. 449. - P. 2-6.

15. Effective properties of spherically anisotropic piezoelectric composites / G. Q. Gu, En-Bo Wei, Y. M. Poon, F. G. Shin // Phys. Rev. B. - 2007. - V. 76, № 6. - P. 064203/1-064203/6.

16. Poyato, R. Local piezoelectric and ferroelectric responses in nanotube-patterned thin films of ВаТЮЗ synthesized hydro thermally at 200°C / R. Poyato, B. D. Huey and N. P. Padture // J. Mater. Res. - 2006. - V. 21, № 3. - P. 547-551.

17. Junquera, J. Critical thickness for ferroelectricity in perovskite ultrathin films / J. Junquera, Ph. Ghosez // Letters to nature. - 2003. - V. 422. - P. 506-508.

18. Чарная, E. В. Акустические исследования фазовых переходов в кристаллах и нанокопмозитах / Е. В. Чарная // Акустический журнал. - 2008. - Т. 54, № 6. -

C. 926-938.

19. The dependence of dielectric properties on the thickness of (Ba,Sr)Ti03 thin films / Jeongmin Oh, Taeho Moon, Tae-Gon Kim, Chunjoong Kim, Jae Hun Lee, Sang Young Lee, Byungwoo Park // Current Appl. Phys. - 2007. - № 7. - P. 168-171.

20. Пьезоэлектрические материалы на основе гибрида матричных нано- и микропьезоэлектрических композитов / М. К. Керимов, М. А. Курбанов, А. А. Мехтили, Г. Г. Алиев, И. С. Султанахмедова, Ф. Н. Татардар, У. В. Юсифова, Г. X. Кулиева, Ф. Ф. Яхъяев //ЖТФ. - 2011. - Т. 81, № 8. - С. 127-134.

21. Голицина, О. М. Диэлектрические свойства пленочных материалов на основе полиэтилентерефталата и поликарбоната с сегнетоэлектрическими вклю-

чениями / О. М. Голицина, С. Н. Дрождин // ФТТ. - 2012. - Т. 54, № 8. - С. 15031506.

22. Золотухин, И. В. Нанокомпозитные структуры на пути в наноэлектрони-ку / И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников // Природа. - 2006. - № 1. - С. 11-19.

23. Nechaev, V. N. Modeling of Ferroelectric - Dielectric Nanocomposites / V. N. Nechaev; A. V. Shuba // Ferroelectrics. - 2010. - V. 397. - P. 32-42.

24. Morozovska, A. N. Ferroelectricity enhancement in confined nanorods: Direct variational method / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, and M. D. Glinchuk // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 73. - P. 214106/1-214106/13.

25. Morozovska, A. N. Phase diagrams and polar properties of ferroelectric nano-tubes and nanowires / A. N. Morozovska, M. D. Glinchuk, and E. A. Eliseev // J. physica. - 2006. - P. 1-31.

26. Morozovska, A. N. Phase transitions induced by confinement of ferroic nanoparticles / A. N. Morozovska, M. D. Glinchuk, and E. A. Eliseev // Phys. Rev. B. -2007. - V. 76. - P. 014102/1-014102/13.

27. Pyroelectric response of ferroelectric nanowires: Size effect and electric energy harvesting / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, G. S. Svechnikov, S. V. Kalinin // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 108. - P. 042009/1-042009/6.

28. Быков, П. И. Размерные эффекты в сегнетоэлектрических наноконусах /' П. И. Быков, G. Suchaneck // ФТТ. - 2008. - Т. 50, № 7. - С. 1295-1299.

29 Морозовская, А. Н. Наноразмерность материалов в современных микросистемных технологиях / А. Н. Морозовская, Г. С. Свечников // Sensor Electronics and Microsystem Technologies. - 2010. - Т. 1, № 7. - С. 14-26.

30. Glinchuk, M. D. Effect of surface tension and depolarization field on ferroelectric nanomaterials properties / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovskaya // Physica Status solidi (b). - 2003. -V. 238, № l.. p. 81-91.

31. Glinchuk, M. D. The depolarization field effect on the thin ferroelectric films properties. / M. D. Glinchuk, E. A. Eliseev, V. A. Stephanovich // Physica B. - 2002. -V. 322. - P. 356-370.

32. Диэлектрические свойства сополимера P(VDF60/Tr40) в матрице пористого стекла / О. А. Караева, JI. Н. Коротков, А. А. Набережное, Е. Rysiakiewicz-Pasek // ФТТ. - 2009. Т. 51, № 7. - С. 1304-1306.

33. Поправко, Н. Г. Электрические свойства матричных и смесевых нано-композитов с сегнетоэлектрическими включениями : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Г. Поправко. - Воронеж, 2011. - 19 с.

34. Фазовые переходы в некоторых кристаллах семейства дигидрофосфата калия в условиях ограниченной геометрии / JI. Н. Коротков, В. А. Тарнавич, Т. Н. Короткова, Р. Р. Левицкий, С. И. Сороков, А. С. Вдович // Физика сегнетоэлектри-ков: тез. докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011. - С. 111.

35. Kinka, М. Dielectric Properties of Sodium Nitrate Confined in Porous Glass / M. Kinka, Ju. Banys and A. Naberezhnov // Ferroelectrics. - 2007. - V. 348. - P. 67-74.

36. Kinka, M. Dielectric Properties of NaN02 and NaN03 Confined in Porous Glass / M. Kinka, Ju. Banys, A. Naberezhnov // Ferroelectrics. - 2009. - V. 390. - P. 160-167.

37. Беломестных, В. H. Полиморфные превращения типа ориентационный порядок - беспорядок. Часть II. Азотсодержащие ионно-молекулярные кристаллы натрия / В. Н. Беломестных, Е. П. Теслева // Изв. Томского политехи, ун-та. - 2004. -Т. 307, №6.-С. 11-17.

38. Переполяризационные свойства нанокомпозита на основе пористого стекла с включениями нитрита натрия / О. В. Рогазинская, С. Д. Миловидова, Н. Г. Поправко, А. С. Сидоркин, А. А. Набережнов // Физика сегнетоэлектриков: тез. докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011. - С. 260.

39. Структура и диэлектрический отклик нанокомпозитных твердых растворов Na{_^KxN02 / С. Б. Вахрушев, И. В. Голосовский, Е. Ю. Королева, А. А. Набережнов, FI. М. Окунева, О. П. Смирнов, А. В. Фокин, М. Tovar, М. Glazman // ФТТ. - 2008. - Т. 50, № 8. - С. 1489-1495.

40. Трюхан, Т. А. Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриче-ских микро- и нанокомпозитов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Т. А. Трюхан. - Хабаровск, 2012. - 17 с.

41. Ferroelectric Phase Transitions In Materials Embedded In Porous Media. / E. V. Colla, E. Yu. Koroleva, W. A. Kumzerov, B. N. Savenko, S. B. Vakhrushev // Ferroelectric Letters. - 1996. - V. 20. - P. 143-147.

42. Диэлектрические исследования нанопористых пленок оксида алюминия, заполненных сегнетовой солью / С. В. Барышников, Е. В. Чарная, Е. В. Стукова, А. Ю. Милинский, С. Tien // ФТТ. - 2010. - Т. 52, № 7. _ С. 1347-1350.

43. Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк; под ред. Б. А. Струкова. - М. : Наука, 1983.-240 с.

44. Влияние ограниченной геометрии на линейные и нелинейные диэлектрические свойства триглицинсульфата вблизи фазового перехода / С. В. Барышников, Е. В. Чарная, Ю. А. Шацкая, А. 10. Милинский, М. И. Самойлович, D. Michel, С. Tien // ФТТ. - 2011. - Т. 53, № 6. - С. 1146-1149.

45. Голицина, О. М. Влияние влажности на диэлектрические характеристики пористого оксида алюминия с включениями триглицинсульфата / О. М. Голицина, С. Н. Дрождин, А. Е. Гриднев // ФТТ. - 2012. - Т. 54, № 10. - С. 1839-1842.

46. Диэлектрические свойства нанопористой матрицы МСМ-41, заполненной сегнетоэлектриком (NH4)2S04 / С. В. Барышников, Е. В. Чарная, А. Ю. Милинский, А. Ю. Гойхман, С. Tien, М. К. Lee, L. J. Chang // ФТТ. - 2013. - Т. 55, № 5. - С. 987-990.

47. Структура и фазовые переходы в нанокомпозитах KNO, + пористое стекло / М.С. Серегин, Ю.А. Кумзеров, А.А. Набережное, Е. Rysiakiewicz-Pasek, М. Tovar, 1. Glavatskyy // Физика сегнетоэлектриков: тез. докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011. - С. 261.

48. Трюхан, Т. А. Диэлектрические свойства триглицинсульфата в пористых матрицах / Т. А. Трюхан, Е. В. Стукова, С. В. Барышников // Изв. Самарского научного центра РАН. - 2010. - Т. 12, № 4. - С. 97-99.

49. Маслов, В. В.Уширение фазового перехода для триглицинсульфата в пористых матрицах. / В. В. Маслов, Т. А. Трюхан, С. В. Барышников // Изв. Российского гос. педагогич. ун-та им. А.И. Герцена. - 2010. - Т. 122. - С. 84-90.

50. Jiang, В. Phenomenological theory of size effects in ultrafine ferroelectric particles of lead titanate / B. Jiang, L. A. Bursill. // Phys. Rev. B. - 1999. - V. 60, № 14 - C. 9978-9982.

51. Study of dielectric property on BaTi03/BADCy composite / Fen Chao, Guoz-heng Liang, Weifeng Kong, Xuan Zhang // Materials Chemistry and Physics. - 2008. -V. 108. -P. 306-311.

52. Глинчук, M. Д. Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектри-ческих плёнок с учётом влияния электродов / М. Д. Глинчук, В. Я. Зауличный, В. А. Стефанович // ФТТ. - 2005. - Т. 47, № 7. - С. 1285-1292.

53. Ferroelastic phase transition in LiCsS04 embedded into molecular sieves / B. F. Borisov, E. V. Charnaya, S. V. Baryshnikov, A. L. Pirozerskii, A. S. Bugaev, Cheng Tien, M. K. Lee, D. Michel // Phys. Lett. A. - 2010. - V. 375. - P. 183-186.

54. Stolbova, A. Ferroelastic phase transition in LiCsS04/MCM-41 nanocompo-site / A. Stolbova // Science and Progress: Abstracts of International Student Conference. St. Petersburg, 201 1.

55. Khare, P. Landau theory of ferroelectric transition in long cylindrical nanopar-ticles / P. Khare and D. Sa // Eur. Phys. J. B. - 2008. - V. 63. - P. 205-209.

56. On phase transition and the critical size in spatially restricted systems / A. Vargunin, T. Ord, R. Tammelo, N. Voropajeva // J. Phys.: Condens. Matter. - 2008. - V. 20. - P. 362202/1-362202/6.

57. Size-dependent ferroelectric behaviors of BaTi03 nanowires / J. Hong, D. Fang // Appl. Phys. Lett. - 2008. - T. 92, № 1. - P. 012906/1-012906/3.

58. Нечаев, В. H. Структурные фазовые переходы в образцах малых размеров / В. IT. Нечаев, А. В. Шуба, И. А. Котова // Физико-математическое моделирование систем: материалы V Междунар. семинара. - Воронеж: ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет», 2008. - Ч. 1. - С.79-88.

59. Нечаев, В. Н. Моделирование нанокомпозитных систем сегнетоэлектрик-диэлектрик / В. Н. Нечаев, А. В. Шуба // Системы управления и информационные технологии. Москва - Воронеж: «Научная книга». - 2009. - Т. 37, № 3.2. - С. 271276.

60. Фридкин, В. М. Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах / В. М. Фридкин // УФН. - 2006. - Т. 176, № 2. - С. 203-212.

61. Фридкин, В. М. Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение / В. М. Фридкин, Р. В. Гайнутдинов, С. Дюшарм // УФЫ. - 2010. - Т. 180, № 2. -С. 209-217.

62. Vendik, О. G. «Dead layer» characteristics based on a correlation of the ferroelectric polarization under relevant boundary conditions in parallel plane capacitor / O. G. Vendik, S. P. Zubko, N. Yu. Medvedeva // JAP. - 2009. - V. 105, № 6. - P. 053515/1053515/4.

63. Zhong, W. L. Size Driven Ferroelectric Paraelectric Phase Transition from the Surface Energy Viewpoint / W. L. Zhong, Yu. - X. Wang, P. - L. Hang // Chin. Phys. Lett. - 2003. - V. 20, № 7. - P. 1134-1136.

64. Khare, P. Soft mode analysis and ferroelectric transition in spherical nanopar-ticles / P. Khare, D. Sa // Solid State Communications. - 2010. - V. 150. - P. 172-175.

65. Струкова, E. В. Диэлектрическая проницаемость пористых матриц, заполненных триглицинсульфатом / Е. В. Струкова, С. В. Барышников // Современные наукоёмкие технологии. - 2006 - № 1. - С. 63-64.

66. Пирозерский, A. JI. Влияние геометрии сетки пор на фазовый переход в сегнетоэлектрике, заполняющем пористую матрицу / A. JI. Пирозерский, Е. В. Чарная, С. Tien. // ФТТ. - 2007. - Т. 49, № 2. - С. 327-330.

67. Jiang, В. Phenomenological theory of size effects in ultrafme ferroelectric particles of lead titanate / B. Jiang, L. A. Bursill // Phys. Rev. B. - 1999. - V. 60. - P. 99789982.

68. ЯМР - исследования нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия, при вращении под магическим углом / А. Г. Горчаков, П. С. Седых, Е. В. Чарная, С. В. Барышников,С. Tien, D. Michel // ФТТ. - 2009. - Т. 51, № 10. - С. 2028-2032.

69. Диэлектрические и ЯМР - исследования нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия / С. В. Барышников, Е. В. Стукова, Е. В. Чарная, С. Tien, М. К. Lee, W. Bohlmann, D. Michel. // ФТТ. - 2006. - Т. 48, № 3. - С. 551-557.

70 Акустические исследования плавления и кристаллизации нанокристаллов нитрита натрия в порах мезопористых силикатных матриц / С. В.Барышников, Б. Ф. Борисов, А. В. Гартвик, А. Г. Горчаков, Е. В. Чарная, В. Бельман, Д. Михель // Акуст. журн. - 2009. - Т. 55. - С. 32-38.

71. Свойства нанопористого оксида алюминия с включениями триглицин-сульфата и сегнетовой соли / О. В. Рогазинская, С. Д. Миловидова, А. С. Сидор-кин, В. В. Чернышев, Н. Г. Бабичева// ФТТ. - 2009. - Т. 51, № 7. - С. 1430-1432.

72. Поправко, Н. Г. Структура и электрические свойства нанокомпозитов с включениями ТГС / Н. Г. Поправко, Ю. С. Тучина // Вестник ТГТУ. - 2012. - Т. 18, №3,-С. 731-736.

73. Dielectric Properties of Ferroelectric Composites with TGS Inclusions / О. V. Rogazinskaya, S. D. Milovidova, A. S. Sidorkin, N. G. Popravko, M. A. Bosykh, V. S. Ensina. // Ferroelectrics. - 2010. - V. 398. - P. 191-197.

74. Смоленский, Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайник, Р. Е. Пасынков, М. С. Шур. - Л. : Наука, 1971.-476 с.

75. Bai, G. Phenomenological analysis of phase transitions in epitaxial perovskite ferroelectric thin films / G. Bai, W. Ma // Physica B. - 2010. - V. 405. - P. 1901-1907.

76. Zheng, Yu. Simulation of characteristics of phase transitions in ferroelectric thin films / Yu. Zheng, B. Wang, С. H. Woo // Phys. Lett. A. - 2007. - V. 368. - P. 117124.

77. Диэлектрические свойства наноструктурированного нитрата калия / Е. Ю. Королева, Е. И. Берман, А. А. Набережнов, А. А. Сысоева // Физика сегнето-электриков: тез. докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011. - С. 44.

78. Warusawithana, М. P. A Ferroelectric Oxide Made Directly on Silicon / M. P. Warusawithana et al. // Science. - 2009. - V. 324, № 5925. - P. 367-370.

79. Струков, Б. А. Эпитаксиальные деформации как способ управления сег-нетоэлектрическими свойствами тонких пленок / Б. А. Струков, И. В. Шнайд-штейн // Физика сегнетоэлектриков: докл. XIX всероссийской конф. Москва, 2011.

80. Progress Of (Sr,Ba)Tio3 Ferroelectric Thin Film And Tunability / X. Fu, L. Shan, B. Ding, W. Hou, Z. Fang, Z. Fu // Bull. Mater. Sci. - 2004. - V. 27, № 5. - P. 433-439.

81. Polar properties and local piezoelectric response of ferroelectric nanotubes. / A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov, E. I. Shishkin, V. Y. Shur // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - V. 11, № 4. - P. 370-380.

82. Ma, W. Surface tension and Curie temperature in ferroelectric nanowires and nanodots / W. Ma // Appl. Phys. A. - 2009. - V. 96. - P. 915-920.

83., Zhang, J.. Size-driven phase transition in stress-induced ferroelectric thin films / J. Zhang, Z. Yin, M.-S. Zhang, J. F. Scott // Solid State Communications. - 2001.

- V. 118. - P. 241-246.

84. Intrinsic electrocaloric effects in ferroelectric poly (vinylidene fluoridetrifluo-roethylene) copolymers: Roles of order of phase transition and stresses / B. Li, W. J. Ren, X. W. Wang, H. Meng, X. G. Liu, Z. J. Wang, and Z. D. Zhang // Appl. Phys. Lett.

- 2010. - V. 96.-P. 102903/1-102903/3.

85. Size effect on the dielectric properties of ВаТЮЗ nanoceramics in a modified Ginsburg-Landau-Devonshire thermodynamic theory / L. Shan, T. Lii, C. Jin, and X. Wang // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 74. - P. 134115/1-134115/5.

86. Lang, X. Y. Size and interface effects on Curie temperature of perovskite ferroelectric Nanosolids / X. Y. Lang, Q. Jiang // Journal of Nanoparticle Research. -2007.-№ 9.-P. 595-603.

87. Ferroelecrticity in Pb(Zr0 5Ti0 s)03 thin films: Critical thickness and 180° stripe domains / Z. Wu, N. Huang, Z. Liu, J. Wu, W. Duan, and B. - L. Gu // Phys. Rev. B. -2004. - V. 70. - P. 104108/1-104108/4.

88. Strain-driven phase transitions and associated dielectric/piezoelectric anomalies in BiFe03 thin films / C.W. Huang, Y.H. Chu, Z.H. Chen, Junling Wang, T. Sritha-ran, Q. He, R. Ramesh, Lang Chen // Appl. Phys. Lett. - 2010. - V. 97. - P. 152901/1152901/3.

89. Impact of effective shear strain on the equilibrium phases and polarization states of PbTi03 thin film / W. S. Yan, R. Zhang, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, Y. D. Zheng, Z. G. Liu, S. Xu // Appl. Phys. Lett. - 2009. - V. 95. - P. 222901/1-222901/3.

90. Ландау, Л. Д. Теоретическая физика. Т. 5: Статистическая физика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. - М. : Наука, 1976. - 584 с.

91. Phenomenological study of the size effect on phase transition in ferroelectric particles/ W. L. Zhong, Y. G. Wang, P. L. Zhang, B. D. Qu // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 50. - P. 698-703.

92. Кутьин, Е. И. Методы теории особенностей в феноменологии фазовых переходов / Е. И. Кутьин, В. Л. Лорман, С. В. Павлов // УФН. - 1991. - Т. 161, № 9. -С. 109-147.

93. Ландау, Л. Д. Теоретическая физика. Т. 8: Электродинамика сплошных сред / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. - М. : Наука, 1982.- 621 с.

94. Прохоров, А. М. Физический энциклопедический словарь / А. М. Прохоров, Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик-Романов и др.; гл. ред. А. М. Прохоров. -М. : Сов. энциклопедия, 1984. - 944 с.

95. Мейрманов, А. М. Задача Стефана / А. М. Мейрманов. - Новосибирск : Наука, 1986. - 240 с.

96. Фридман, А. Уравнения с частными производными параболического типа / А. Фридман. - М. : Мир, 1968. - 427 с.

97. Лавит, А. И. Математическое моделирование диффузии в твердом теле с учетом возможности появления и исчезновения фаз / А.И. Лавит // Актуальные проблемы прикладной математики, информатики и механики: сб. тр. Междунар. конф. Воронеж, 2012. - Ч. 1. - С. 232-236.

98. Ванько, В. И. Вариационное исчисление и оптимальное управление / В. И. Ванько, О. В. Ермошина, Г. Н. Кувыркин; под ред. В.И. Ванько. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006. - 487 с.

99. Хан, X. Теория упругости: Основы линейной теории и её применения: пер. с нем. / X. Хан. - М. : Мир, 1988. - 344 с.

100. Гриднев, С. А. Петли механического гистерезиса в кристаллах KH3(Se03)2 / С. А. Гриднев, В. И. Кудряш, Л. А. Шувалов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. - 1979. - Т. 43, № 8. - С. 1718-1722.

101. Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. - М. : Мир, 1965. - 556 с.

102. Вакс, В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектричества / В. Г. Вакс.-М. : Наука, 1973.- 328 с.

103. Желудев, И. С. Электрические кристаллы / И. С. Желудев. - 2-е изд. - М. : Наука, 1979. - 200 с.

104. Лайнс, M. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс; пер. с англ. под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. - М. : Мир, 1981. - 723 с.

105. Желудев И. С. Симметрия и ее приложения / И. С. Желудев. - М. : Атомиздат, 1976. - 288 с.

106. Лохин, В. В. Нелинейные тензорные функции от нескольких тензорных аргументов / В. В. Лохин, Л. И. Седов // ПММ. - 1963. - Т. 27, № 3. - С. 393-417.

107. Александров, А. В. Основы теории упругости и пластичности / А. В. Александров. - М. : Высш. шк., 1990. - 400 с.

108. Pelster, R. Dielectric spectroscopy of confinement effects in polar materials / R. Pelster//Phys. Rev. B. - 1999. - V. 59. - P. 9214-9228.

109. Higher order response of nonlinear composite in external AC electric field / En-Bo Wei, Jin-Bao Song, Ji-Wei Tian, Guo-Qing Gu // Physics Letters A. - 2003. - V. 309, № 1.2. - P. 160-164.

110. Jylha, L. A. Equation for the effective permittivity of particle-filled composites for material design applications / L. Jylha and A. Sihvola // J. Phys. D: Appl. Phys. -2007. - V. 40. - P. 4966-4973.

111. Демьянов, В. В. Диэлектрическая дисперсия в титанате бария / В. В. Демьянов, С. П. Соловьев // Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1970. - Т. 34, № 12. - С. 2580-2585.

112. Глинчук, М. Д. Динамическая диэлектрическая восприимчивость сегне-тоэлектрических тонких пленок и их многослойных структур / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А. Стефанович // ФТТ. - 2002. - Т. 44, № 5. - С. 912-922.

113. Челидзе, Т. Л. Электрическая спектроскопия гетерогенных систем / Т. Л. Челидзе, А.И. Деревянко, О.Д. Курипенко; под ред. Т. Л. Челидзе. - Киев. : Наука Думка, 1977. - 231 с.

114. Дульнев, Г. Н. Теплопроводность смесей и композиционных материалов / Г. Н. Дульнев, Ю. П. Заричняк; под ред. Г. Н. Дульнева. - Л. .'Энергия, 1974. -264 с.

115. Скороход, В. В. Об электропроводности дисперсных смесей проводников с непроводниками. / В. В. Скороход // Инженерно-физический журнал. - 1959. -№8.-С. 51-58.

116. Виноградов, А. П. Электродинамика композитных материалов. / А. П. Виноградов. - М. : Эдиториал УРСС, 2001. - 208 с.

117. Батыгин, В. В. Сборник задач но электродинамике / В. В. Батыгин, И. Н. Топтыгин. - 3-е изд., испр. - М. : НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2002. - 640 с.

118. Bruggeman, D. А. G. Berechnung Vershiederner Physikalisher Konstanten von Hetarogenen Substanzen. / D. A. G. Bruggeman // Ann. Phys. Lpz. - 1935. - V. 24. -P. 636-679.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.