Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Номоконов, Дмитрий Владиленович

  • Номоконов, Дмитрий Владиленович
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2007, Новосибирск
  • Специальность ВАК РФ01.04.10
  • Количество страниц 133
Номоконов, Дмитрий Владиленович. Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.10 - Физика полупроводников. Новосибирск. 2007. 133 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Номоконов, Дмитрий Владиленович

Сиисок сокращений и обозначений.

Введение.

Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи.

§1.1. Эффект Ааронова-Бома в твердотельных мезоскопических структурах.

§1.2. Резонансное обратное рассеяние и отрицательное магнетосопротивление в физике низкоразмерных структур.

§1.3. Транспортные особенности субмикронных кольцевых интерферометров

Постановка задачи.

Глава 2. Исследуемые образцы и методика эксперимента.

§2.1. Технология изготовления образцов.

§2.2. Методика магнетотранспортных измерений.

Глава 3. Теоретический анализ эффекта Ааронова-Бома в одномерном кольцевом интерферометре

§3.1. Резонансное туннелирование. Проводимость одномодовой квантовой проволоки с двумя барьерами.

§3.2. Резонансное обратное рассеяние. Проводимость одномодовой квантовой проволоки с ответвлением.

§3.3. Теоретический анализ эффекта Ааронова-Бома в одномерном кольце.

Амплитуда и форма квантовых осцилляций.

§3.4. 1D кольцо с неодинаковыми коэффициентами связи на входе и выходе.

§3.5. 1D кольцо с несимметричны делением амплитуд в разветвлении.

§3.6. Рамки рассматриваемой модели. Влияние температуры и других факторов на амплитуду ОАБ.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур»

Актуальность темы. Физика структур низкой размерности в настоящее время переживает период бурного развития. Среди множества различных наноструктур полупроводниковые квантовые кольца занимают особое место, поскольку обладают большим многообразием интересных физических проявлений [1, 2]. Это и эффект Ааронова-Бома, и незатухающие равновесные токи, и эффекты, связанные с кулоновской блокадой, спиновые эффекты и многое другое. Многие из этих эффектов проявляются в электрическом сопротивлении кольцевых интерферометров. В связи этим полупроводниковые квантовые кольца в настоящее время рассматриваются как один из перспективных вариантов структур для создания на их основе устройств наноэлектроники, сгшнтроники и элементов для квантовых вычислений [3, 4]. Все это говорит о том, что в настоящее время исследование электронного транспорта в полупроводниковых кольцевых интерферометрах является актуальным как для получения новых фундаментальных знаний в физике низкоразмерных систем, так и для их возможного практического использования в зарождающейся наноэлектронике.

Для того, чтобы квантовые интерференционные эффекты, такие в частности, как эффект Ааронова-Бома, имели заметную величину, необходимо чтобы длина фазовой когерентности значительно превосходила эффективный радиус кольца. Это означает, что для того, чтобы осцилляции Ааронова-Бома (ОАБ) в кольцевом интерферометре имели большую относительную амплитуду, необходимо изготавливать кольцевые интерферометры достаточно малого радиуса и на основе высококачественных гетероструктур. Необходимо отметить также, что квантовые эффекты в сопротивлении твёрдотельных кольцевых интерферометров проявляются, как правило, при температуре жидкого гелия и ниже. Поэтому для увеличения «рабочей» температуры таких интерферометров также необходимо уменьшать их размеры.

Существенным отличием кольцевых интерферометров, изготовленных на основе полупроводниковых гетероструктур, от металлических является то, что в полупроводниковом интерферометре размеры проводящего кольца задаются не только литографией, но в значительной мере определяются ещё и размерами латеральных областей обеднения, имеющихся вдоль границ электронных каналов. В этом случае минимальный достижимый эффективный радиус проводящего кольца не может быть меньше ширины латеральных областей обеднения, которая в общем случае зависит от концентрации двумерного электронного газа в исходной гетероструктуре, её послойного строения и технологии изготовления кольца.

Для уменьшения эффективного радиуса полупроводниковых колец было предложено использовать для их изготовления гетероструктуры с концентрацией двумерного электронного газа более высокой чем в стандартных GaAs/AlGaAs гетеропереходах. Это GaAs/AlGaAs гетеропереходы с тонким спейсером [5, 6], InGaAs/AlGaAs гетеропереходы [7] и GaAs квантовые ямы с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами [8]. В последние годы значительные успехи на пути уменьшения размеров полупроводниковых кольцевых интерферометров были достигнуты благодаря использованию технологии окисления поверхности гетероструктуры иглой атомно-силового микроскопа [9].

Уменьшение размеров полупроводниковых кольцевых интерферометров до субмикронных размеров, тем не менее, пока не привело к существенному увеличению относительной амплитуды осцилляций Ааронова-Бома, как это ожидалось ранее и как это предсказывает простая теория [10, 11]. В частности, оказалось, что по мере уменьшения размеров кольцевых интерферометров в их проводимости, наряду с некоторым увеличением амплитуды осцилляций Ааронова-Бома, стали проявляться некоторые новые особенности, связанные с реальным физическим устройством областей разветвления субмикронных кольцевых структур [12, 13]. Последовательное численное моделирование полупроводникового кольцевого интерферометра на основе полного расчета трехмерной электростатики показало наличие треугольных потенциальных «колодцев», расположенных на входе и выходе в областях разветвлений электронных каналов [12]. Из общих соображений ясно, что по мере уменьшения размеров полупроводникового кольцевого интерферометра влияние таких треугольных квантовых точек на электронный транспорт в кольце должно возрастать. Когда эффективный радиус кольца становится сравним с размерами этих квантовых точек, их роль может стать весьма существенной [14]. Несмотря на впечатляющие успехи, численное моделирование квантового транспорта через интерферометр при наличии треугольных квантовых точек остается пока достаточно непростым и далеко не рутинным делом. В то же время простые аналитические модели описывают наиболее важные черты проводимости кольцевых интерферометров в более прямом и доступном виде, отбрасывая второстепенные детали. Это означает, что потребность в дальнейшем развитии простых аналитических моделей по-прежнему велика.

Таким образом, несмотря на значительное число работ, посвященных исследованию когерентного транспорта в субмикронных кольцевых интерферометрах, ряд существенных вопросов, в том числе об относительной амплитуде ОАБ и ее температурной зависимости в широком диапазоне магнитных полей, оставался без ответов.

Цель данной диссертационной работы состоит:

1. В теоретическом анализе электронного транспорта в кольцевом интерферометре в рамках одномерной модели с учетом геометрической асимметрии его структуры, в выявлении влияния этой асимметрии интерферометра на величину относительной амплитуды ОАБ;

2. В экспериментальном изучении транспорта в субмикронных кольцевых интерферометрах, изготовленных на основе двумерного электронного газа (ДЭГ) в GaAs/AlGaAs гетеропереходах с тонким спейсером и GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами, в выявлении и объяснении таких транспортных особенностей данных структур, как пики резонансного обратного рассеяния и ОМС в областях этих пиков.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложений. По результатам диссертации опубликовано 10 работ [15-24].

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Номоконов, Дмитрий Владиленович

Основные результаты и выводы диссертационной работы состоят в следующем :

1. Изучено поведение амплитуды осцилляций Ааронова-Бома в зависимости от величины средней проводимости в широком динамическом диапазоне. Обнаружено, что отношение амплитуды ОАБ к величине средней проводимости меняется слабо, что хорошо согласуется с моделью одномодового кольца с асимметричным соотношением амплитуд в плечах интерферометра.

2. Теоретически исследована модель одномодового кольцевого интерферометра с асимметрией величин коэффициентов связи межу входом и выходом, а также модель кольцевой структуры с асимметрией деления электронных волн в разветвлениях. В результате получены простые аналитические выражения для проводимости асимметричных одномодовых кольцевых квантовых интерферометров. На основе полученных выражений для проводимости проанализировано поведение амплитуды ОАБ, включая характер подавления ОАБ с ростом степени асимметрии.

3. Исследована температурная зависимость амплитуды осцилляций Ааронова-Бома в широком диапазоне магнитных полей в кольцевом интерферометре с узкими каналами. Это позволило проследить переход от режима слабого магнитного поля к режиму туннельно-связанных краевых состояний. Обнаружено усиление температурной зависимости амплитуды ОАБ при переходе к сильным магнитным полям. Данное усиление обусловлено изменением условий интерференции электронных волн, связанным с формированием краевых состояний в сильном магнитном поле.

4. Обнаружены квазипериодические по затворному напряжению пики резонансного обратного рассеяния в сопротивлении субмикронных кольцевых интерферометров. Обнаружено подавление этих пиков слабым магнитным полем. В магнетосопротивлении это проявляется в виде ОМС в областях пиков сопротивления. Подавление пиков POP магнитным полем происходит без изменения их положения по энергии.

5. Предложена модель резонансного шлейфа из отрезка квантового волновода для объяснения происхождения пиков POP. Модель качественно описывает поведение высоты и ширины пиков сопротивления в зависимости от величины связи шлейфа с основным волноводом, от интенсивности процессов сбоя фазы и позволяет объяснить неподвижность пиков сопротивления в процессе их подавления магнитным полем.

Заключение

В данной работе исследован электронный транспорт в полупроводниковых квантовых интерферометрах субмикронных размеров. Изучено поведение амплитуды осцилляций Ааронова-Бома в зависимости от температуры, величины средней проводимости, асимметрии подключения кольцевой структуры. Обнаружены и исследованы такие транспортные особенности данных интерферометров, как резонансное обратное рассеяние и отрицательное магнетосопротивление в областях пиков сопротивления.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Номоконов, Дмитрий Владиленович, 2007 год

1. S.Washburn and R.A.Webb. Quantum transport in small disordered samples from the diffusive to the ballistic regime. Rep. Prog. Pliys., 1992, v.55, pp. 131 1-1383.

2. S.Viefers, P.Koskinen, P.Singha. Deo and M.Manninen. Quantum rings for beginners. Physica E, 2004, v.21, pp. 1-35.

3. D.Ramamurthy and C.H.Wu. Four-terminal quantum resistor network for electron-wave computing. Phys.Rev.B, 2002, v.66, p. 115307 (8 pages).

4. P.Foldi, B.Molnar, M.G.Benedict and F.M.Peetrs. Spintronic single-qubit gate based on a quantum ring with spin-orbit interaction. Phys.Rev.B, 2005, v.71, p.033309 (4 pages).

5. А.А.Быков, З.Д.Квон, Е.Б.Ольшанецкий, Л.В.Литвин, Ю.В.Настаушев, В.Г.Мансуров, В.П.Мигаль, С.П.Мощенко, В.Г.Плюхин. Квазибаллистический электронный интерферометр. Письма в ЖЭТФ, 1993, том 57, с.596-599.

6. A.A.Bykov, Z.D.Kvon, E.B.Olshanetsky, L.V.Litvin, A.G.Pogosov. GaAs/AlGaAs quantumring interferometer with a high-density two-dimensional electron gas Physica E, 1998, v.2, pp.519-522.

7. A.A.Bykov, L.V.Litvin, S.P.Moshenko. Coherent properties of in-plane gated InGaAs/AlGaAs submicron rings. Surface Science, 1996, v.361/362, pp.747-750

8. K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, R. Klann and K. Ploog. New Concept for the Reduction of Impurity Scattering in Remotely Doped GaAs Quantum Wells. -Physical Review Letters 1996,77, pp.4616-4619.

9. R.Held,T.Vancura,T.Heinzel,K.Ensslin,M.Holland,W.Wegscheider. In-plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor heterostructures with an atomic force microscope Appl.Phys.Lett., 1998, v.73, p.262-264.

10. M.Buttiker, Y.Itnry, M.Ya.Azbel. Quantum oscillations in one-dimensional normal-metal rings Phys.Rev.A, 1984, v.30, pp. 1982-1989.

11. M.Buttiker. SQUID'85 Superconducting Quantum Interference Devices and their Applications, ed. H.D.IIahlbohm and II.Lubbig (Walter de Gruyter, Berlin 1985), pp.529-560.

12. О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко, Д.Г.Бакшеев, З.Д.Квон, Ж.К.Портал. Электростатический потенциал, энергетический спектр и резонансы Фано в кольцевом баллистическом интерферометре на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs Письма в ЖЭТФ, 2000, т.71, с.366-371.

13. А.А.Быков, Д.Г.Бакшеев, Л.В.Литвин, В.П.Мигаль, Е.Б.Олыпанецкий, М.Кассе, Д.К.Мод, Ж.К.Портал. Транспортные свойства кольцевого GaAs/AlGaAs интерферометра в туннельном режиме. Письма в ЖЭТФ, 2000, том 71, с.631-636.

14. В.А.Ткаченко, А.А.Быков, Д.Г.Бакшеев, О.А.Ткаченко, Л.В.Литвин, А.В.Латышев, Т.А.Гаврилова, А.Л.Асеев. Одноэлектронная зарядка треугольных квантовых точек кольцевого интерферометра. ЖЭТФ, 2003, том 124, с.351-366.

15. Быков А. А., Номоконов Д.В., Бакаров А. К., Эстибаль О., Портал Ж.К. Резонансное обратное рассеяние в субмикронных кольцах. Письма в ЖЭТФ, 2003, том 78, вып.1, с.36-39.

16. Быков А. А., Номоконов Д.В., Бакаров А. К., Эстибаль О., Портал Ж.К. Кулоновские осцилляции кондактанса открытого кольцевого интерферометра в сильном магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 2003, том 78, вып. 10, с.1137-1141.

17. Быков А. А., Номоконов Д.В., Бакаров А. К., Горан А.В., Эстибаль О., Портал Ж.К. Влияние киральности ферми-системы на температурную зависимость эффекта Ааронова-Бома Письма в ЖЭТФ, 2004, том 79, вып.1, с.34-37.

18. Nomokonov D.V., Bykov А.А., Bakarov А.К., Portal J.С. Resonance backscattering in a small ring interferometer. Proceedings of the 12h International Symposium "Nanostructures : Physics and Technology", St Petersburg, Russia, 2004, pp. 188-189.

19. Номоконов Д.В., Быков А. А. Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малом полупроводниковом кольцевом интерферометре в туннельном режиме. Письма в ЖЭТФ, 2005, том 82, вып.2, с.95-98.

20. M.R.Geller, D.Loss. Aharonov-Bohm effect in the chiral Luttingrer liquid. -Phys.Rev.B, 1997, v.56, pp.9692-9706.

21. Y.Aharonov and D.Bohm. Significance of electromagnetic potentials in the quantum theory. Phys.Rev., 1959, v.l 15, pp.485-491.

22. U.Sivan and Y.Imry. de Haas-van Alfven and Aharonov-Bohm-type current oscillations in singly connected quantum dots. Phys.Rev.Lett., 1988, v.61, pp.1001-1004.

23. R.J.Brown,C.G.Smith, M.Pepper et al. Resonant magneto-transport through a lateral quantum box in a semiconductor heterostructure. J.Phys.Cond.Mat., 1989, v.l, pp.6291-6298.

24. P.H.M. van Loosdrecht,C.W.J.Beenakker,H.van Houten et al. Aharonov-Bohm effect in a singly connected point contact. Phys.Rev.B, 1988, v.38, pp. 1016210165.

25. C.J.B.Ford,P.J.Simpson,I.Zailer et al. Charging and double-frequency Aharonov-Bohm effects in an open system. Phys.Rev.B, 1994, v.49, pp. 17456-17459.

26. C.G.Smith,M.Pepper,R.Newbury et al. One-dimensional quantised resistors in parallel configuration. J.Phys.Cond.Mat., 1989, v.l, pp.6763-6770.

27. C.G.Smith,M.Pepper, R.Newbury et al. Transport in a superlattice of ID ballistic channels. J.Phys.Cond.Mat., 1990, v.2, pp.3405-3414.

28. D.Weiss,K.Richter,A.Menshing et al. Quantized periodic orbits in large antidot arrays. Phys.Rev.Lett., 1993, v.70, pp.4118-4121.

29. Д.Ю.Шарвин и Ю.В.Шарвин. Квантование магнитного потока в цилиндрической пленке из нормального металла. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, с.285-288.

30. R.A.Webb,S.Washbum,C.P.Umbach and R.B.Laibowitz. Observation of h e Aharonov-Bohm oscillations in normal-metal rings. Phys.Rev.Lett., 1985, v.54, pp.2696-2699.

31. G.Timp, A.M.Chang,J. E.Cunningham et al. Observation of the Aharonov-Bohm effect for coct> 1. Phys.Rev.Lett., 1987, v.58, pp.2814-2817.

32. M.Buttiker,Y.Imry and R.Landauer. Josephson behavior in small normal one-dimensional ring. Phys.Letters A, 1983, v.96, pp.365-368.

33. Y.Gefen, Y.Imry and M.Ya.Azbel. Quantum oscillations and Aharonov-Bohm effect for parallel resistors Phys.Rev.Letters, 1984, v.52, pp. 129-132.

34. M.Cahay, S.Bandyopadhyay, H.L.Grubin. Two types of conductance minima in electrostatic Aharonov-Bohm conductance oscillations. Phys.Rev.B, 1989, v.39, pp. 12989-12992.

35. Ya-Sha Yi, Tie-Zheng Qian and Zhao-Bin Su. Spin precession and time-reversal symmetiy breaking in quantum transport of electrons through mesoscopic rings. -Phys. Rev. B, 1997, v.55, pp. 10631-10637.

36. Tie-Zheng Qian,Ya-Sha Yi, Zhao-Bin Su. Persistent current from the competition between Zeeman coupling and spin-orbit interaction. Phys. Rev. B, 1997, v.55, pp.4065-4068.

37. W.-C.Tan, J.C.Inkson. Landau quantization and the Aharonov-Bohm effect in a two-dimensional ring. Phys.Rev.B, 1996, v.53, pp.6947-6950.

38. T.Chakraborty and P.Pietilainen. Electron-electron interaction and the persistent current in a quantum ring. Phys.Rev.B, 1994, v.50, pp.8460-8468.

39. J.Liu, W.X.Gao, K.Ismail et al. Correlation between Aharonov-Bohm effects and one-dimensional subband populations in Ga As/AlxGai.xAs rings. Phys.Rev.B, 1993, v.48, pp.15148-15157.

40. T.Heinzel,R.Held,S.Luscher et al. Electronic properties of semiconductor nanostructures patterned by AFM lithography. Physica E, 2001, v.9, pp.84-93

41. A.Fuhrer, S.Luscher, T.Ihn et al. Energy spectra of quantum rings. Nature, 2001, v.413, pp.822-825.

42. A.E.Hansen,A.Kristensen,S.Pedersen et al. Mesoscopic decoherence in Aharonov-Bohm rings. Phys.Rev.B, 2001, v.64, p.45327 (5pages).

43. J.P.Bird,K.Ishibashi,D.K.Ferry et al. Phase breaking in ballistic quantum dot: transition from two- to zero-dimensional behavior. Phys.Rev.B, 1995, v.51, pp. 18037-18040.

44. Е.Б.ОльшанецкийДД.Квон, Д.В.Щеглов и др. Температурная зависимость осцилляций Ааронова-Бома в малых квазибаллистических интерферометрах. Письма в ЖЭТФ, 2005, том.81, вып. 12, с.762-765.

45. B.J. van Wees, L.P.Kouwenhoven, C.J.P.M.Harmans et al. Observation of zero-dimensional states in a one-dimensional electron interferometer. Phys.Rev.Lett., 1989, v.62, pp.2523-2526.

46. P.L.McEuen, E.B.Foxman, U.Meirav et al. Transport spectroscopy of a Coulomb island in the quantum Hall regime. Phys.Rev.Lett., 1991, v.66, pp. 1926-1929.

47. A.Fuhrer, S.Luscher, T.Heinzel et al. Transport properties of quantum dots with steep walls. Phys. Rev.B, 2001, v.63, p. 125309 (8 pages).

48. I.E.ltskevich,T.Ihn,M.Henini et al. Resonant magnetotunneling through individual self-assembled InAs quantum dots. Phys.Rev.B, 1996, v.54, pp. 16401-16404.

49. J.J.Lin and J.P.Bird Recent experimental studies of electron dephasing in metal and semiconductor mesoscopic structures. - J.Phys.Cond.Mat., 2002, v. 14, pp.R501-R596.

50. R.M.Clarke,I.H.Chan,C.M.Marcus et al. Temperature dependence of phase breaking in ballistic quantum dots. Phys.Rev.B, 1995, v.52, pp.2656-2659.

51. J.A.Katine, M.J.Berry, R.M.Westervelt and A.C.Gossard. Determination of the electronic phase coherence time in one-dimensional channels. Phys.Rev.B, 1998, v.57, pp. 1698-1702.

52. Hongqi Xu and Weidong Sheng. Discontinuity in the phase evolution of electron transport in a quantum channel with attached quantum dots. Phys. Rev. B, 1998, v.57, pp. 11903-11906.

53. K.Kobayashi, H.Aikawa, S.Katsumoto, Y.Iye. Fano resonance in a quantum wire with a side-coupled quantum dot. Phys. Rev. B, 2004, v.70, p.035319 (6 pages).

54. P.F.Bagwell. Evanescent modes and scattering in quasi-one-dimensional wires. -Phys. Rev. B, 1990, v.41, pp.10354-10371.

55. S.E.Ulloa,E.Castano and G.Kirzcenov. Ballistic transport in a novel one-dimensional superlattice. Phys. Rev. B, 1990, v.41, pp. 12350-12353.

56. J.K.Jain and S.A.Kivelson. Quantum Hall effect in quasi one-dimensional systems: resistance fluctuations and breakdown. Phys.Rev.Letters, 1988, v.60, pp.1542-1545.

57. C.W.J.Beenakker and H. Van Houten. Quantum transport in semiconductor nanostructures. Solid State Physics, 1991, v.44, pp. 1-111 (p.26-34)

58. T.J.Thornton, M.L.Roukes, A.Scherer and B.P.Van de Gaag. Boundary scattering in quantum wires. Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, pp.2128-2131.

59. H.van Houten, C.W.J.Beenakker, P.H.M.Loosdrecht et al. Four-terminal magnetoresistance of a two-dimensional electron gas constriction in the ballistic regime. Phys. Rev. 1988, v.37, pp.8534-8536.

60. S.Datta. Electronic transport in mesoscopic systems. Cambridge, 1995, pp. 1-377.

61. K-F. Berggren and D.J. Newson. Magnetic depopulation of electronic subbands in low-dimensional of semiconductor systems and their influence on the electrical resistivity and Hall effect. Sem. Sci.Techn., 1986, v.l, pp.327-337.

62. K-F. Berggren, T.J.Thornton, D.J. Newson and M.Pepper. Magnetic depopulation of ID subbands in a narrow 2D electron gas in a GaAs:AlGaAs heterojunction. -Phys. Rev.Lett., 1986, v.57, pp. 1769-1772.

63. S.DasSarma and X.C.Xie Calculated transport properties of ultrasubmicrometer quasi-one-dimensional inversion lines. - Phys.Rev. B, 1987, v.35, pp.9875-9878.

64. B.J van Wees, L.P.Kouvvenhoven, H. Van Houten al. Quantized conductance magnetoelectric subbands in ballistic point contacts. Phys. Rev. В., 1988, v.38, pp.3625-3627.

65. H.U.Baranger, R.A.Jalabert, A.D.Stone. Weak localization and integrability in ballistic cavities. Phys. Rev.Lett., 1993, v.70, pp.3876-3879.

66. A.M.Chang, H.U.Baranger, L.N.Pfeiffer, K.W.West. Weak localization in chaotic versus nonchaotic cavities: a striking difference in the line shape. Phys. Rev.Lett. 1994, v.73, pp.2111-2114.

67. M.J.Berry, J.H.Beskey, R.M.Westerwelt. Coherent electronic backscattering in ballistic microstructures. Phys. Rev. B, 1994, v.50, pp.8857-8860.

68. C.W.J.Beenakker, Il.Schomerus, P.G.Silvestrov. Effect of inelastic scattering on the average Coulomb-blockade peak height in quantum dots. Phys. Rev. B, 2001, v.64, p.033307 (3 pages).

69. R.Hey,K.-J.Friedland,R.Klann,H.Kostial and K.Ploog. New route to reduce ionized impurity scattering in modulation-doped GaAs quantum wells. J. of Crystal Growth, 1997, v. 175-176, pp.1126-1130.

70. T.Ohtsuki, K.Slevin, B.Kramer. Conductance distributions at 2D Anderson transition. Physica E, 2004, v.22, pp.248-251.

71. D.Kowal, U.Sivan, O.Entin-Wohlman, Y.Iinry. Transmission through multiply-connected wire systems. Phys.Rev.B, 1990, v.42, pp.9009-9018.

72. M.Buttiker. Coherent and sequential tunneling in series barriers. IBM Res. Devel., 1988, v.32, pp.63-75.

73. Ferry D.K. and Goodnick S.M. Transport in Nanostructures (Cambridge 1997), pp.108-111.

74. R.H.Yan, RJ.Simes, L.A.Coldren. Electroabsorbtive Fabry-Perot reflection modulators with asymmetric mirrors. IEEE Photonics Technology Letters, 1989, v.l, pp.273-275.

75. D.G.Polyakov, I.V.Gornyi. Transport of interacting electrons through a double barrier in quantum wires. Phys.Rev.B, 2003, v.68, pp.035421 (17 pages).

76. C.L.Kane, M.P.A.Fisher. Resonant tunneling in an interacting one-dimensional electron gas. Phys.Rev.B, 1992, v.46, pp.7268-7271.

77. C.L.Kane, M.P.A.Fisher. Transmission through barriers and resonant tunneling in an interacting one-dimensional electron gas. Phys.Rev.B, 1992, v.46, pp. 1523315262.

78. P.Debray,O.E.Raichev,M.Rahman,R.Akis and W.C.Mitchel. Ballistic transport of electrons in T-shaped quantum waveguides. Appl.Phys.Letters, 1999, v.74, pp.768-770.

79. M.Buttiker. Four-terminal phase-coherent conductance. Phys.Rev.Letters, 1986, v.57, pp. 1761-1764.

80. M.Buttiker. Symmetry of electrical conductance. IBM Res. Devel., 1988, v.32, p.317-334.

81. S.Pcdersen, A.E.Hansen, A.Kristensen ct al. Observation of quantum asymmetry in an Aharonov-Bohm ring. Phys.Rev.B, 2000, v.61, pp.5457-5460.

82. M.Buttiker, Y.Imry, R.Landauer and S.Pinhas. Generalized many-channel conductance formula with application to small rings. Phys.Rev.B, 1985, v.31, pp.6207-6215.

83. D.Berman, O.Entin-Wohlman, M.Ya.Azbel. Diamagnetic spectrum and oscillations in an elliptic shell- Phys.Rev.B, 1990, v.42, pp.9299-9306.

84. A.M.Jayannavar and C.Benjamin. Wave attenuation model for dephasing and measurement of conditional times. Pramana J.Phys., 2002, v.59, pp.385-395.

85. M.Casse, Z.D.Kvon, G.M.Gusev, E.B.Olshanetskii et al. Temperature dependence of the Aharonov-Bohm oscillations and the energy spectrum in a single-mode ballistic ring. Phys.Rev. B, 2000, v.62, pp.2624-2629.

86. J.K.Jain. Prediction of Aharonov-Bohm oscillations on Quantum Hall plateaus of small and narrow rings. Phys.Rev.Letters, 1988, v.60, pp.2074-2076.

87. G.Timp,P.M.Mankiewich,P.deVegvar R.Behringer, J.E.Cunningham,R.E.Howard, H.U.Baranger,J.K.Jain. Suppression of the Aharonov-Bohm effect in the quantized Hall regime. Phys.Rev.B, 1989, v.39, pp.6227-6230

88. В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, Д.В.Щеглов и др. Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малых баллистических интерферометрах Письма в ЖЭТФ, 2004, том.79, вып.З, с. 168-172.

89. B.I.Halperin. Quantized Hall conductance, current-carrying edge states, and the existance of extended states in a two-dimensional disordered potential. -Phys.Rev.B, 1982, v.25, pp.2185-2190.

90. R.J.Haug. Edge-state transport and its experimental consequences in high magnetic fields. Semicond.Sci.Technol., 1993, v.8, pp. 131-153.

91. D.B.Chklovskii,B.I.Shklovskii and L.I.Glazman. Electrostatics of edge channels. -Phys.Rev.B, 1992, v.46, pp.4026-4034.

92. K.v.Klitzing,G.Dorda and M. Pepper. New method for high-accuracy determination of the fine-structure constant based on quantized Hall resistance. -Phys. Rev. Lett., 1980, v.45, pp.494-497.

93. M.Buttiker. Absence of backscattering in the quantum Hall effect in multiprobe conductors. Phys.Rev.B, 1988, v.38, pp.9375-9389.

94. M.R.Geller, D.Loss, and G.Kirczenow. Mesoscopic effects in the fractional quantum Hall regime: chiral Luttinger liquid versus Fermi liquid Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, pp.5110-5113.

95. А.А.Быков, А.К.Бакаров, JT.В.Литвин, А.И.Тороиов Магнетотранспортные свойства кольцевого баллистического интерферометра на основе GsAs квантового колодца с высокой концентрацией двумерного электронного газа. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, с.300-305.

96. А.А.Быков, З.Д.Квон, Е.Б.Ольшанецкий и др. Интерференция и обратное рассеяние на краевых токовых состояниях в квантовом интерферометре. -Письма в ЖЭТФ, 1993, т.58, с.897-900.

97. J.H.Davies. Electronic states in narrow semiconducting wires near threshold. -Semiconductor science and technology, 1988, v.3, pp.995-1009.

98. L.I.Glazman and I.A.Larkin. Lateral position control of an electron channel in a split-gate device. Semiconductor science and technology, 1991, v.6, pp.32-35.

99. P.S.Deo and M.V.Moskalets. Features of level broadening in a ring-stub system. -Phys.Rev.B, 2000, v.61, pp. 10559-10562.

100. J.Liu, K.Ismail, K.Y.Lee et al. Cyclotron trapping, mode spectroscopy, and mass enhancement in small GaAs/AlxGai.xAs rings. Phys.Rev.B, 1993, v.47, pp. 13039-13042.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.