Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Пономарев, Дмитрий Сергеевич

• Пономарев, Дмитрий Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пономарев, Дмитрий Сергеевич

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

Актуальность темы.

Цель и задачи работы.

Научная новизна работы.

Научная и практическая значимость работы.

Основные положения, выносимые на защиту.

Достоверность научных положений, результатов и выводов.

Личный вклад соискателя.

Объем и структура работы.

Апробация работы.

Публикации по теме диссертации.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Современное состояние проблемы.

1.2. Выводы из обзора литературы.

2. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МЕТОДЫ.

2.1. Молекулярно - лучевая эпитаксия.

2.1.1 Физика поверхностных процессов.

2.1.2 Модели эпитаксиального роста.

2.1.3 Критическая толщина эпитаксиального слоя.

2.1.4. Высокополевой транспорт в гетеросистемах.

2.1.5. Схема установки МЛЭ ЦНА -24.

2.2. Методы исследования и анализа полученных структур.

2.2.1. Гальваномагнитные эффекты.

2.2.2. Продольное магнетосопротивление в квантующем магнитном поле.

2.2.3. Просвечивающая электронная микроскопия.

2.2.4. Рентгеновская дифрактометрия и рефлектометрия.

3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

3.1. Расчет зонной структуры образцов с одиночной квантовой ямой 1пхСа1.хА5 различной глубины.

3.1.1. Образцы с односторонним и двухсторонним 8-легированием кремнием.

3.2. Расчет зонной структуры образцов с составной квантовой ямой.

3.2.1. Инженерия потенциального профиля и волновых функций электронов.

3.2.2. Образцы с одной вставкой 1пАз различной толщины в активной области.

3.2.3. Образцы с двумя вставками 1пАз и/или СаАБ в активной области.

3.3. Расчет эффективной массы электронов в составной квантовой яме.

4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

4.1. Определение доминирующего механизма рассеяния в гетероструктурах 1по 52А10 48А8ЯпхОа,.хА8/1п0 52А1о48А8 различной глубины.

4.1.1. Образцы. Структура и рост.

4.1.2. Подвижность и концентрация двумерного электронного газа.

4.1.3. Определение квантового и транспортного времен рассеяния электронов.

4.1.4. Эффективная масса электронов в однородной квантовой яме.

4.2. Исследование электрофизических и структурных особенностей в составных КЯ 1По5А1о5А8/1по5зСао47Аз/1По5А1о5А5 с одной вставкой 1пА5.

4.2.1. Образцы. Структура и рост.

4.2.2. Определение дефектов и содержания индия в слоях гетероструктуры по измерениям электронной микроскопии.

4.2.3. Определение содержания индия в слоях гетероструктуры по кривым дифракционного отражения.

4.2.4. Подвижность и концентрация двумерного электронного газа при введении одиночной вставки InAs.

4.2.5. Эффективная масса электронов в КЯ с одной вставк.

4.3. Исследование электрофизических параметров составных КЯ Irio.52Alo.48As/

InxGaixAs/Iiio.52Alo.48As с двумя нановставками InAs и/или GaAs.

4.3.1. Образцы. Структура и рост.

4.3.2. Измерения просвечивающей растровой электронной микроскопии.

4.3.3. Подвижность и концентрация двумерного электронного газа в составной квантовой яме, содержащей вставки GaAs и/или InAs.

4.3.4. Определение эффективной массы с помощью эффекта Шубникова-де Гааза.

5. ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs»

Актуальность темы

Развитие полупроводниковой электроники привело, с одной стороны, к созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС), основанных на кремниевой технологии, с другой стороны - к созданию твердотельной электроники сверхвысоких частот (СВЧ), вплоть до 10й Гц. Системы с использованием СВЧ сейчас наиболее важны в приложениях радиолокации, спутниковом телевидении, многоканальных системах беспроводной связи, в том числе — космической и специальной. Увеличение частотного диапазона вплоть до ТГц области спектра на сегодняшний день необходимо вследствие перегруженности существующих диапазонов, а также нарастания плотности информации. Кроме того, благодаря специфике взаимодействия ТГц излучения с веществом созданы уникальные методы спектроскопии и терави-дения для систем диагностики и безопасности. СВЧ твердотельная электроника имеет заметно меньший уровень интеграции схем и использует в качестве базовых функциональных материалов не кремний, а другие полупроводники или многослойные гетероструктуры на основе различных полупроводников, в основном - соединений ТТТ и V групп периодической системы элементов таблицы Д.И. Менделеева (АЗВ5). Этот выбор продиктован уникальными свойствами таких структур - обеспечением в несколько раз более высоких дрейфовых скоростей насыщения электронов, чем в кремнии, а также возможностью инженерии зонной структуры. Главное преимущество гетероструктур заключается в использовании двумерного электронного газа, который локализуется в потенциале квантовой ямы (КЯ) в поперечном направлении. Низкоразмерные системы проявляют уникальные новые свойства, связанные с размерным квантованием энергии и квазиимпульса электронов, а также с пространственным распределением зарядов (например, квантовый эффект Холла, сверхвысокие подвижности электронов).

В последние два десятилетия наблюдается интенсивное развитие промышленного освоения гетероструктурных СВЧ приборов, в том числе НЕМТ (high electron mobility transistor) на основе гетеросистем InGaAs/InAlAs/InAlAs на подложках фосфида индия (InP). Возрастает также число научных работ, посвященных исследованиям таких гетероструктур. Такая тенденция объясняется заметными преимуществами, которые дает использование InP НЕМТ структур в приложениях, требующих достаточно высоких частотных и низких шумовых параметров. В то время как псевдоморфные НЕМТ приборы на GaAs ограничены величиной мольной доли InAs в 20-К30%, в канале НЕМТ приборов на InP возможно повышение этой величины до 70% и более. Помимо этого, за счет введения дополнительного слоя InAs в активную область гетероструктуры возможно увеличить электронную подвижность за счет уменьшения эффективной массы электронов, однако при этом возникает механическое напряжение слоя и ограничение, связанное с релаксацией решетки. Поэтому, уменьшение накопления механической деформации в растущих слоях является и по сей день актуальной проблемой. Оптимизация конструкции и дизайна гетероструктуры становится ключевой задачей для достижения рекордных значений подвижности и, одновременно, концентрации двумерных электронов, что обеспечит большую проводимость канала транзистора и высокий к.п.д. Исследование влияния конструктивных особенностей наногетероструктуры, выбор состава и толщины активного слоя - КЯ, применение напряженных слоев, способа легирования (одностороннее или двухстороннее) и изучение структурных особенностей гетероструктур является комплексной и сложной задачей. При помощи эпитаксиальной технологии возможно создать сложную двумерную систему с КЯ, составленной из нескольких гетерослоев, для формирования зонного профиля с одновременным учетом ограничений, накладываемых механическими свойствами гетероматериалов. При этом для получения максимальной информации о такой системе необходимо привлекать не только традиционные измерения холлов-ских параметров при комнатной температуре, но и подробно проанализировать взаимосвязь структурных и электрофизических параметров, с использованием ряда методик, таких как температурные зависимости сопротивления, квантовые осцилляционные эффекты.

Необходимо решение вопросов и развитие существующих подходов, учитывающих изменение электрофизических свойств конкретной гетероструктуры за счет изменения состава квантовой ямы (например, увеличения мольной доли InAs в слое InGaAs). Кроме того, необходимо учитывать ухудшение кристаллического совершенства эпитаксиальных слоев за счет частичной релаксации напряжений в квантовой области гетероструктуры, образование протяженных дефектов, включение новой кристаллической фазы с параметром решетки, отличным от параметра решетки подложки InP. Таким образом, стоящая задача вовлекает исследование фундаментальных электронных свойств новых КЯ совместно с контролем их структурных параметров.

Цель и задачи работы

Целью работы явилось установление влияния введения одной и нескольких наноразмер-ных вставок нелегированного InAs в квантовую яму Ino^Gao^As на электрофизические и структурные свойства наногетероструктур Ino^AlojAs/Ino^Gao^As/InojAlo^As.

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи.

• Исследован электронный транспорт в выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) образцах с одиночной (ОКЯ) и составной (СКЯ) ямой InGaAs, содержащих одну или две наноразмерные вставки InAs.

• Изучено влияние состава, ширины однородной и составной КЯ, а также способа 8-легирования кремнием (одностороннего и двухстороннего) на электрофизические свойства гетероструктур: электронную подвижность \ie и концентрацию электронов пе в КЯ при различных температурах (Т= 4,2; 77 и 300 К).

• Проведен расчет зонной структуры образцов с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона и результаты сопоставлены с экспериментальными данными.

• Исследован и проанализирован низкотемпературный магнетотранспорт (эффект Шуб-никова-де Гааза) в образцах с КЯ обоих типов; определено заполнение подзон размерного квантования электронами. В образцах с ОКЯ оценено соотношение подвижностей электронов в двух заполненных подзонах.

• В образцах с ОКЯ различной глубины определены квантовое хч и транспортное т, времена рассеяния электронов в каждой подзоне размерного квантования методами Дингла и Фурье - спектров осцилляций Шубникова-де Гааза (ШдГ); из анализа т,/тд установлен доминирующий механизм рассеяния электронов.

• Проведено комплексное исследование влияния введения одной наноразмерной вставки ТпАя различной толщины в центр КЯ 1п(),5зОа0,47Ак на электрофизические свойства и структурные особенности наногетероструктур Тпо^АЬ^АзЛпо^зОао^уАзЛпо^АЬ^Аз с двухсторонним дельта-легированием кремнием.

• Теоретически рассчитаны и экспериментально измерены эффективные массы электронов в структурах с одиночной КЯ и СКЯ.

Научная новизна работы

При выполнении работы получены следующие результаты.

1. Впервые показано влияние введения двух нановставок 1пАб и/или ваАв на электрофизические свойства в наногетероструктурах с СКЯ 1п,,А 11 .^АзЛпгОа 1 АэЛи^А! | -3А5 ЛпР.

2. Предложена технология формирования методом МЛЭ наногетероструктур 1по,5А1о,5А8/1по,5зОао,47А5/1по,5А1о,5А8 с наноразмерными вставками 1пАб с резкими границами раздела, что подтверждено совместно методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии.

3. Впервые показано, что изменение эффективной массы электронов в составной КЯ связано не только с изменением среднего состава, но также с инженерией зонного профиля и волновых функций (ВФ) электронов.

4. Впервые предложена конструкция наногетероструктуры с двумя нановставками 1пАб, в которой достигнуто заметное уменьшение эффективной массы электронов по сравнению со структурой с одиночной решеточно-согласованной КЯ 1по,5зОао,47А5.

Научная и практическая значимость работы

Полученные результаты диссертационной работы расширяют известные ранее представления об электронном транспорте и структурных особенностях наногетер о структур, а также описывают свойства новой предложенной конструкции гетероструктур на основе гетероси-стемы 1по,5А1о,5А5/1п1Оа1.л:А5/1по,5А1о,5А5. Результаты могут быть полезны в работах, ставящих своей целью оптимизацию активных слоев гетероструктур, уменьшение плотности дислокаций в растущих эпитаксиальных слоях, исследование механизмов рассеяния электронов в составных квантовых ямах. Практическая ценность работы связана с тем, что подобные гете-роструктуры являются материалом для построения элементной базы современных СВЧ устройств миллиметрового диапазона. Впервые предложенная композиция гетероструктуры с несколькими вставками 1пА5 может привести к созданию СВЧ приборов с высокими значениями частоты и крутизны, а также стимулирует новые исследования в направлении развития и изучения перспективных конструкций гетероструктур с функциональными слоями за счет инженерии зонной структуры и уменьшения эффективной массы носителей в КЯ. Таким образом, предложенная технология создания гетероструктур с составными КЯ позволяет создавать базовые наноматериалы для устройств современной твердотельной СВЧ электроники миллиметрового диапазона длин волн.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Разработанная методика роста гетероструктур методом МЛЭ при пониженной температуре и уменьшенном давлении мышьяка с одной и двумя нановставками 1пАб с резкими гете-роинтерфейсами [по^АЬ^АзЛпо^зОао^Аз и 1по,5зОао,47А5/1пА8, позволяющая достичь высоких значений подвижности ~ 13 ООО см2/В с при Т = 300 К.

2. Установленное уменьшение эффективной ширины составной КЯ 1по,5зОао,47А8/1пА5/1по,5зСао,47А5 с увеличением толщины центральной вставки 1пАз.

3. Установленная зависимость изменения отношения квантового к транспортному времен релаксации импульса в гетероструктурах с повышенным содержанием 1пАз в КЯ Ь^Оа^Аз.

4. Разработанный подход к уменьшению эффективной массы электронов за счет введения в КЯ симметрично расположенных нановставок 1пАя.

5. Экспериментально полученное подтверждение справедливости приближения локальной эффективной массы электронов в составной КЯ с наноразмерными гетеровставками 1пАв и/или ваАв, рассчитанной с учетом непараболичности энергетического спектра электронов.

Достоверность научных положений, результатов и выводов

Достоверность научных результатов обусловлена применением современных и общепризнанных экспериментальных методов: МЛЭ, рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии, а также измерениями эффектов Холла и Шубникова-де Гааза и т.д. Полученные в работе результаты и выводы не противоречат ранее известным данным, неоднократно апробированы на Международных и российских конференциях и научных семинарах.

Личный вклад соискателя

Соискатель принимал активное участие на всех стадиях работы. Им был выполнен анализ имеющихся литературных (отечественных и зарубежных) данных по теме, а также основная часть экспериментальных и расчетных работ по исследованию электронного транспорта, измерения электрофизических параметров при помощи эффектов Холла в наногетеро-структурах InAlAs/InGaAs/InAlAs. Расчет зонной структуры, рост образцов методом МЛЭ, обработка данных измерений эффекта ШдГ проводились также с непосредственным участием соискателя.

Объем и структура работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав основного содержания и выводов, содержит 145 страниц, включая 71 рисунок, 15 таблиц и список цитируемой литературы из 172 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Пономарев, Дмитрий Сергеевич

выводы

1. Установлено, что пониженная температура роста Т = 430°С и давление мышьяка Pas = (0,79-Ю,84)-10"5 Topp при эпитаксиальном росте составных КЯ Ino,53Gao,47As/InAs/Ino,53Gao,47As, содержащих наноразмерные вставки InAs, позволяют формировать резкие гетероинтерфейсы Tno,5Alo,5As/Ino,53Gao,47As и In0,53Gao,47As/InAs и достичь высоких значений электронной подвижности ~ 13 ООО см2/В с при Т = 300 К.

2. Показано, что гетероструктура с одной центральной вставкой InAs толщиной 1,8 нм в КЯ Ino^Gao^As позволяет увеличить при комнатной температуре в двухсторонне 8-легированных структурах более чем на 25% по сравнению с ОКЯ Ino,53Gao,47As.

3. Установлено, что увеличение толщины центральной вставки InAs позволяет уменьшить эффективную массу носителей в КЯ на 17% по сравнению с ОКЯ Ino,53Gao,47As, однако приводит к значительному уменьшению эффективной ширины СКЯ Ino,53Gao,47As/InAs/Ino,53Gao,47As вследствие более сильной локализации электронов в области расположения слоя InAs.

4. Предложен и апробирован подход к уменьшению эффективной массы электронов за счет инженерии волновых функций электронов в гетероструктуре со сложной КЯ Ino,53Gao)47As/InAs/Ino>53Gao,47As/InAs/Ino,53Gao,47As при помощи двух симметрично расположенных нановставок InAs толщиной 1,2 нм с сохранением эффективной ширины составной КЯ. Показано, что эффективная ширина такой составной квантовой системы сильно зависит от расстояния между вставками.

5. Впервые разработана и реализована конструкция гетероструктуры с комбинацией двух на-норазмерных вставок InAs в КЯ Ino^Gao^As, которая позволяет уменьшить эффективную массу электронов на 26% по сравнению с однородной КЯ Ino^Gao^As. Анализ экспериментальных зависимостей амплитуд осцилляций ШдГ подтверждает справедливость приближения локальной эффективной массы в составной КЯ с наноразмерными гетеровставками при учете непараболичноети энергетического спектра электронов, при этом расхождение с теорией составляет не более 1,3%.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пономарев, Дмитрий Сергеевич, 2012 год

1. В.Г. Дубровский. "Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур" // С.-П, 347 с. (2006).

2. J. R. Arthur. "Molecular beam epitaxy" // Surface Science, 500, p. 189-217 (2002).

3. Ж. И. Алфёров. "История и будущее полупроводниковых гетероструктур" // ФТП, 32 (1), 3-18 (1998).

4. Л. Ченг, К. Плог. "Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры" // М.: Мир, 584 с. (1989).

5. А. С. Gossard. "Epitaxial microstructures" //Academic Press, Inc., 427 p. (1994).

6. Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura. "Pseudomorphic Ino 52AI0 48As/Ino yGao 3AS HEMTs with an ultrahigh fx of 562 GHz" // IEEE Electron. Dev. Lett., 23 (10), 573-575 (2002).

7. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. "High-mobility InGaAs/InAlAs pseudomorphic heterostructures on InP (001)" // J. Appl. Phys., 97, 053706-1-053706-6 (2005).

8. S. Gozu, T. Kita, Y. Sato, S. Yamada, M. Tomizaw. "Characterization of high indium content metamorphic InGaAs/InAlAs modulation-doped heterostructures" // J. Crys. Growth, 227-228, 155-160 (2001).

9. H.W. Dong, Y.W. Zhao, Y.P. Zeng, J.H. Jiao, J.M. Li, L.Y. Lin. "Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy" // J. Crys. Growth, 250, 364369 (2003).

10. H. Li, J. Wu, Z. Wang, J. Liang. B. Xu, C. Jiang, Q. Gong, F. Liu, W. Zhou. "Growth and characterization of InGaAs/InALAs/InP high-electron-mobility transistor structures towards high channel conductivity" // J. Crys. Growth, 186, 309-314 (1998).

11. T. Enoki, K. Arm, Y. Ishii. "Delay time analysis for 0.4- to 0.5 (im-gate InAlAs/InGaAs HEMT's" // IEEE Electron. Dev. Lett., 11 (11), 502-504 (1990).

12. K. Shinohara, Y. Yamashita, A. Endoh, I.Watanabe, K. Hikosaka, T. Matsui, T. Mimura, S. Hiyamizu. "547-GHz fx Ino ?Gao 3As/Ino 52AI0 4sAs HEMTs with deduced source and drain resistance" // IEEE Electron. Dev. Lett, 25 (5), 241-243 (2004).

13. G. Ng, D. Pavlidis, M. Jaffe, J .Singh, H. Chau. "Design and experimental characteristics of strained In0 52AI0 48As/InxGaixAs (x>0.53) HEMT's" // IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (10), 2249-2259(1989).

14. Y. Ando, T. Itoh. "DC, Small-Signal, and Noise Modeling for Two- Dimensional Electron Gas Field-Effect Transistors Based on Accurate Charge-Control Characteristics" // IEEE Trans. Electron. Dev., 31 (1), 67-78 (1990).

15. W. Masselink. "Real-space-transfer of electrons in InGaAs/InAlAs heterostructures" // Appl. Phys. Lett, 67 (6), 801-803 (1995).

16. S. Bandy, C. Nishimoto, S. Hyder, C. Hooper. "Saturation velocity determination for In0 53Ga0 47As field-effect transistors" // Appl. Phys. Lett, 38 (10), 817-819 (1981).

17. C. Leifso, J. W. Haslett. "An Analytic Model for Estimating the Length of the Velocity Saturated Region in GaAs MESFET's" // IEEE Trans. Electron. Dev., 47 (5), 905-909 (2000).

18. K. Yokoyama. "Drift velocity comparison between high electron mobility transistors and doped - channel field-effect transistors at very small dimensions" // J. Appl. Phys. 63 (3), 938-943 (1987).

19. D. Hoyniaka, E. Nowak, R. L. Anderson. "Channel electron mobility dependence on lateral electric field in field-effect transistors" // J. Appl. Phys., 87 (2), 876-881 (2000).

20. J. M. Barkera, D. K. Ferry, D. D. Koleske, R. J. Shul. "Bulk GaN and AlGaN/GaN heterostructure drift velocity measurements and comparison to theoretical models" // J. Appl. Phys., 97, 063705-1-063705-5 (2005).

21. B. E. Foutz, S. K. O'Leary, M. S. Shur, L. F. Eastman. "Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and A1N" // J. Appl. Phys., 85 (11), 7727-7734 (1999).

22. Y. Wu, J. M. Hinckley, J. Singh. "Extraction of Transport Dynamics in AlGaN/GaN HFETs Through Free Carrier Absorption" // J. Electron. Mater., 37 (5), 578-584 (2008).

23. R. Lai, H. Wang, Y. C. Chen, T. Block, P. H. Liu, D. C. Streit, D. Tran, P. Siegel, M. Barsky, W. Jones, T. Gaier. "D-Band MMIC LNAs with 12 dB Gain at 155 GHz Fabricated on a High

24. Yield InP HEMT MMIC Production Process" 11 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (ICIPRM) (Cape Cod, Massachusetts), 241-244 (1997).

25. K. Higuchi, M. Kudo, M. Mori, T. Mishima. "First High Performance InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs Exceeding That on InP" // International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest, 891-894 (1994).

26. D. C. Streit, K. L. Tan, R. M. Dia, A. C. Han, P. H. Liu, H. C. Yen, P. D. Chow. "High Performance W-Band InAlAs/InGaAs/InP HEMTs" // Electron. Letters, 279, 1149-1150 (1991).

27. K. Joshin, S. Asai, Y. Hirachi, M. Abe. "Experimental and Theoretical Noise Analysis of Microwave HEMTs" // IEEE Trans. Elect. Dev., 36 (10), 2274-2280 (1989).

28. Y. Chen, W. Hsu, R. Hsu, Y. Wu, Y. Chen. "Characteristics of In0.s2Al0.48As/InxGai.xAs HEMT's with various InxGa,xAs channels" // Solid State Elect., 48, 119-124 (2004).

29. J. Hu, K. Saraswa, H. Philip Wong. "Experimental demonstration of Ino.53Gao.47As field effect transistors with scalable nonalloyed source/drain contacts" // Appl. Phys. Lett., 98, 062107-1062107-3 (2011).

30. L. D. Nguyen, A. S. Brown, M. A. Thompson, L. M. Jelloian. "50-nm self-aligned-gate pseudomorphic AlInAs/GalnAs high electron mobility transistors" IEEE Trans. Elect. Dev., 39, 2007-2014(1992).

31. T. Suemitsu, T. Ishii, H. Yokoyama, T. Enoki, Y. Ishii, T. Tamamura. "30-nm-gate InP-based lattice-matched high electron mobility transistors with 350 GHz cutoff frequency" // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 38, 154-156 (1999).

32. A. Endoh, Y. Yamashita, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Matsui. "High fT 50-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMT's" // Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, 87-90 (2000).

33. A. S. Wakita, C. -Y. Su, H. Rohdin, H. -Y.Liu, A. Lee, J. Seeger, V. M. Robbins. "Novel high-yield trilayer resist process for 0.1 p.m T-gate fabrication" // J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2725-2728 (1995).

34. S. R. Bahl, J. A. del Alamo, "Elimination of mesa-sidewall gate recessing," // IEEE Electron. Dev. Letters, 13, 195-197 (1992).

35. N. Hayafuji, Y. Yamamoto, T. Ishida, K. Sato. "Degradation mechanism of the AlInAs/GalnAs high electron mobility transistor due to fluorine incorporation" // Appl. Phys. Lett., 69,4075-4077 (1996).

36. A. Wakejima, K. Onda, Y. Ando, A. Fijihara, E. Mizuki, T. Nakayama, H. Miyamoto, M. Kuzuhara. "Electrical properties of InAlAs/InGaAs modulation doped structure after SiN passivated annealing"//J. Appl. Phys., 81, 1311-1314 (1997).

37. T.W. Kim, D.Y. Kim, J. A. del Alamo. "Logic Characteristics of 40 nm thin-channel InAs HEMT's" // International conference of Indium Phosphide and Related materials conference proceedings 22nd EPRM, (2010).

38. T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki, Y. Ishii. "Improved InAlAs/InGaAs HEMT characteristics by inserting an InAs layer into the InGaAs channel" // IEEE Electron. Dev. Lett., 92, 325 327 (1992).

39. T.M. Burke, M.L. Leadbeater, E.H. Linfeld, N.K. Patel. "Ultrashort FETs formed by GaAs/AlGaAs MBE regrowth on a patterned d doped GaAs layer" // J. Cryst. Growth, 201/202, 761-764 (1999).

40. S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, V. Hoel, S. Lepilliet, D. Theron, A. Cappy. "The indium content in metamorphic InxAluxAs/InxGaixAs HEMTs on GaAs substrate: a new structure parameter" // Sol. St. Electron. 44, 1021-1027 (2000).

41. C. L. Wu, W. C. Hsu, H. M. Shieh, W. C. Liu. "Mobility enhancement in double delta-doped GaAs/InxGaixAs/GaAs pseudomorphic structures by grading the heterointerfaces" // Appl. Phys. Lett., 64, 3027 (1994).

42. M.S. Goorsky, J.W. Eldredge, S.M. Lord, J.S. Harris. "Structural properties of highly mismatched InGaAs-based devices grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates" // J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 1034-1037 (1994).

43. F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, L. Sorba. "Scattering mechanisms in undoped Ino 75Gao 25As/Ino 75AI0 25AS two-dimensional electron gases" // J. Crys. Growth, 278, 538-543 (2005).

44. W.M. Chen, I.A. Buyanova, C.W. Tu. "Applications of defect engineering in InP-based structures" // Mat. Sci. Engin. B, 75, 103-109 (2000).

45. V. Guzenko, T. Schapers, H. Hardtdege. "Weak antilocalization in high mobility GaxInixAs/InP two-dimensional electron gases with strong spin-orbit coupling" // Phys. Rev. B., 76, 165301-1-165301-5 (2007).

46. D. J. Dunstan, S. Young, H. Dixon. "Geometrical theory of critical thickness and relaxation instrained-layer growth" // J. Appl. Phys., 70 (6), 3038-3045 (1991).

47. J. Schneider, J.-T. Pietralla, H. Heinecke. "Control of chemical composition and band gap energy in GaxIni.x.yAlyAs on InP during molecular beam epitaxy"// J. Cryst. Growth, 175/176, 184-190(1997).

48. P. Lorenzinia, Z. Bougrioua, A. Tiberj, R. Tauk, M. Azize, M. Sakowicz, K. Karpierz, W. Knap. "Quantum and transport lifetimes of two-dimensional electrons gas in AlGaN/GaN heterostructures" // Appl. Phys. Lett., 87, 232107-1-232107-3 (2005).

49. F. B. Mancoff, L. J. Zielinski, С. M. Marcus, K. Campman, A. C. Gossard. "Shubnikov-de Haas oscillations in a two-dimensional electron gas in a spatially random magnetic field" // Phys. Rev. В., 53 (12), 7599-7602 (1996).

50. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. "Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямах" // ФТП, 34 (9), 1053-1057 (2000).

51. J. Pozela, V. Juciene, A. Namajunas, К. Pozela. "Electron-phonon scattering engineering" // ФТП, 31 (1), 85-88 (1997).

52. V.A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, Yu. V. Fedorov, Yu. Khabarov, A. de Visser. "Optical and transport properties of short-period InAs/GaAs superlattices near quantum dot formation". Semicond. Sci. Technol., 17, 947 (2002).

53. T.W. Kim, M. Jung. "Magnetotransport, excitonic transition and electronic structure studies of modulation-doped InxGai.xAs/InyAliyAs asymmetric coupled double quantum wells" // Sol. St. Commun, 109, 483-488 (1999).

54. T.W. Kim, M. Jung, H. L. Park, S. D. Lee. "Transition behavior from coupled to uncoupled CdTe/ZnTe assymetric double quantum wells" // Phys. Rev. В., 52 (3), 1467-1469 (1995).

55. J. Tsai. "High-performance AlInAs/GalnAs 5-doped HEMT with negative differential resistance switch for logic application" // Sol. St. Electron, 48, 81-85 (2004).

56. K.-W. Liu, A.F.M. Anwar. "A self-consistent model for small-signal parameters and noise performance of InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP HEMTs" // Sol. St. Electron, 47, 763-768 (2003).

57. J. B. Uhrer, A. Krost, and D. B. Bimberg. "Composition dependence of band gap and type of lineup in In,.x.yGaxAIyAs/lnP heterostructures" // Appl. Phys. Lett, 63 (14), 1918-1920 (1993).

58. N. Kotera, H. Arimoto, N. Miura, K. Shibata, Y. Ueki, К. Tanaka, H. Nakamura, T. Mishima, K. Aiki, M. Washima. "Electron effective mass and nonparabolicity in InGaAs/InAlAs quantum wells lattice-matched to InP" // Phys. E, 11, 219-223 (2001).

59. T.W. Kim, D.C. Choo, K.H. Yoo, C.J. Meining, B.D. McCombe. "Electronic parameters and electronic structures in modulation doped highly strained InxGaixAs/InyAli.yAs coupled double quantum wells" // Sol. St. Commun, 129, 533-537 (2004).

60. T. Nakayama, H. Miyamoto. "Modulation doped structure with thick strained InAs channel beyond the critical thickness" // J. Crys. Growth, 201/202, 782-785 (1999).

61. K. Radhakrishnan, T.H.K. Patrick, H.Q. Zheng, P.H. Zhang, S.F. Yoon. "InP/InxGai.xAs (0.53<x<0.81) high electron mobility transistor structures grown by solid source molecular beam epitaxy" // J. Crys. Growth, 207, 8-14 (1999).

62. Т. Akazaki, J. Nitta, Н. Takayanagi. "Improving the mobility of an In0 52AI0 4gAs/lno 53Gao 47AS inverted modulation-doped structure by inserting a strained InAs quantum well" // Appl. Phys. Lett., 65 (10), 1263-1265 (1994).

63. J. Nitta, Y. Lin, T. Koga, T. Akazaki. "Electron g-factor in a gated InAs-inserted -channel In0 53Ga047As/In0 52Al0 48As heterostructure" // Phys. E, 20, 429-432 (2004).

64. Y. Lin, J. Nitta, T. Koga, T. Akazaki. "Electron g factor in a gatedlnGaAs channel with double InAs-inserted wells" // Phys. E, 21, 656-660 (2004).

65. C. Hu, J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi. "Evidence of the Coulomb gap observed in an InAs inserted Ino 53Ga() 47 As/Infl 52Alo4gAs heterostructure" // Phys. E, 7, 795-798 (2000).

66. H. Sexl, G. Böhm, D. Xu, H. Heiß, S. Kraus, G. Trankle, G. Weimann. "MBE growth of double-sided doped InAlAs/InGaAs HEMTs with an InAs layer inserted in the channel"// J. Crys. Growth., 175/176, 915-918 (1997).

67. W. Hong. P. Bhattacharya. "High-field transport in InGaAs/InAlAs modulation-doped heterostructures" // IEEE Trans. Electron. Dev., 34, 1491-1495 (1987).

68. M. JI. Орлов, JI. К. Орлов. "Механизмы отрицательного сопротивления и генерации те-рагерцового излучения в короткоканальном транзисторе Ino53Gao47As/Ino52Alo4sAs" // ФТП, 43 (5), 679-688 (2009).

69. D -H Kim, J A del Alamo "Scalability of Sub-100 nm InAs HEMTs on InP Substrate for Future Logic Applications" // IEEE Trans Electr Dev , 57 (7), 1504-1511 (2010)

70. D -H Kim, J A del Alamo "Lateral and Vertical Scaling of In0 7Ga0 3As HEMTs for Post-Si-CMOS Logic Applications" // IEEE Trans Electron Dev , 55 (10), 2546-2553 (2008)

71. Y Kwon, T L Brock "Experimental and Theoretical Characteristics of High Performance Pseudomorphic Double Heterojunction InAlAs/InO 7GaO 3As/InAlAs HEMT's" // IEEE Trans Electron Dev , 42 (6), 1017-1025 (1995)

72. T W Kim, D-H Kim, J A del Alamo "30 nm Ino7Gao3As Inverted-Type HEMTs with Reduced Gate Leakage Current for Logic Applications " // IEEE International Electron Devices Meeting, Baltimore, MD, 483-485 (2009)

73. J Nitta, T Akazaki, H Takayanagi, K Aral "Transport properties in InAs-inserted channel Ino 52AI0 48As/In0 53Gao47As heterostructure coupled superconducting junction" // Phys Rev B , 46 (21), 14286-14290(1992)

74. C Prasad, D K Ferry, D Vasileska, H H Wieder "Electron-phonon interaction studies in an In0 52AI0 48As/Ino 53Gao 47As/Ino 52AI0 48As quantum well structure" // Phys E, 19, 215 220 (2003)

75. A Richter, M Koch, T Matsuyama, Ch Heyn, U Merkt "Transport properties of modulation-doped InAs-inserted-channel In0 75AI0 25As/In0 7sGao 25AS structures grown on GaAs substrates" // Appl Phys Lett, 77 (20), 3227-3279 (2000)

76. M Zervos, A Bryant, M Elliott, M Beck, M Ilegems "Magnetotransport of delta-doped In0 53Ga0 47As on InP (001) grown between 390 and 575° C by molecular beam epitaxy" // Appl Phys Lett, 72 (20), 2601-2603 (1998)

77. J W Matthews, A E Blakeslee "Defects in epitaxial multilayers I Misfit dislocations"//J Cryst Growth , 27, 118-125 (1974)

78. J W Matthews, A E Blakeslee "Defects in epitaxial multilayers II Dislocation pile-ups, threading dislocations, slip lines and cracks" // J Cryst Growth , 29 (3), 273-280 (1975)

79. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee. "Defects in epitaxial multilayers: III. Preparation of almost perfect multilayers" // J. Cryst. Growth., 32 (2), 265-273 (1976).

80. P. Voisin, M. Voos, J. Y. Marzin, M. C. Tamargo, R. E. Nahory, A. Y. Cho. "Luminescence investigations of highly strained-layer InAs-GaAs superlattices" // Appl. Phys. Lett., 48 (21), 14761478 (1986).

81. J. M. Selen, L. J. van Zendoorn, F. J. J. Janssen, M. J. A. de Voigt, P. J. M. Smulders. "Lattice deformation in InAs/GaAs superlattices characterized by MeV ion channeling" // Phys. Rev. В., 64, 245319-1-245319-6 (2001).

82. R. Driad, R. Aidam, Q. Yang, M. Maier, H. Gullich, M. Schlechtweg, O. Ambacher. "InP-based heterojunction bipolar transistors with InGaAs/GaAs strained-layer-superlattice" // Appl. Phys. Lett., 98, 043503-1-043503-3 (2011).

83. J. Pozela, A. Namajunas, K. Pozela, V. Juciene. "Electron mobility and subband population tuning by a phonon wall inserted in a semiconductor quantum well" // J. Appl. Phys., 81 (4), 1775-1780(1997).

84. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. "Рассеяния электронов на захваченных поверхностных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре " // ФТП, 41 (9), 1093-1098 (2007).

85. S. Yamada, A. Taguchi, A. Sugimura. "Nonparabolic subband structure of Gao.47Ino.53As/InP quantum wells" // Appl. Phys. Lett., 46 (7), 675-678 (1985).

86. G. Bastard. "Superlattice band structure in the envelope-function approximation" // Phys. Rev. В., 24 (10), 5693-5697 (1981).

87. W. Nakwaski. "Effective masses of electrons and heavy holes in GaAs, InAs, AlAs and their ternary compounds" // Phys. B, 210, 1-25 (1995).

88. J. J. Mares, X. Feng, F. Koch, A. Kohl, J. Kristofic. "Magnetotransport in InP-based dilute single 5 layers"//Phys. Rev. B, 50 (8), 5213-5220 (1994).

89. C. Wetzel, R. Winkler, M. Drechsler, B. K. Meyer, U. Rossler, J. Scriba, J. P. Kotthaus. V. Harle, F. Scholz. "Electron effective mass and nonparabolicity in Gao 47I110 53As/InP quantum wells" //Phys. Rev. B, 53 (3), 1038-1041 (1996).

90. L. Smrcka, P. Vasek, J. Kolacek, T. Jungwirth, M. Cukr. "Cyclotron effective mass of a two-dimensional electron layer at the GaAs/AlxGaixAs heterojunction subject to in-plane magnetic fields" // Phys. Rev. B, 51 (24), 18001-18014 (1995).

91. R. Fletcher, M. Tsaousidou, T. Smith, P. T. Coleridge, Z. R. Wasilewski, Y. Feng. "Two-band electron transport in a double quantum well" // Phys. Rev. B, 71, 155310-1-155310-9 (2005).

92. J. Feldmann, G. Peter, E. O. Gobel, P. Dawson, K. Moore, and C. Foxon, R. J. Elliot. "Linewidth Dependence of Radiative Exciton Lifetimes in Quantum Well" // Phys. Rev. Lett., 59, 2337-2340(1987).

93. M. I. Stockman, L. N. Pandey, L. S. Muratov, T. F. George. "Intersubband optical bistability induced by resonant tunneling in an asymmetric double quantum well" // Phys. Rev. B, 48 (15), 10966-10971 (1993).

94. P. Yuh, K. L. Wang. "Intersubband optical absorption in coupled quantum wells under an applied electric field" // Phys. Rev. B, 38, 8377-8382 (1988).

95. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, R. M. Tromp. "Surfactants in Epitaxial Growth" // Phys. Rev. B, 63, 632-635 (1989).

96. J. M. Kuo, B. Lalevic, T. Y. Chang. "Molecular-beam epitaxial growth and characterization of pseudomorphic GalnAs/AlInAs modulation-doped heterostructures" // J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (3), 782-784 (1987).

97. G. J. Whaley and P. I. Cohen. "Relaxation of strained InGaAs during molecular beam epitaxy" // Appl. Phys. Lett., 57 (2), 144-146 (1

98. Т. W. Kim, D. U. Lee, D. C. Choo, and M. Jung, К. H. Yoo, G. Comanescu, B. D. McCombe. "Electronic property variations due to an embedded potential barrier layer in modulation-doped step quantum wells" // J. Appl. Phys., 91 (8), 5089-5092 (2002).

99. U. Ekenberg. "Enhancement of nonparabolicity effects in a quantum well" // Phys. Rev. B, 36 (11), 6152-6155 (1987).

100. U. Ekenberg, M. Altarelli. "Subbands and Landau levels in the two-dimensional hole gas at the GaAs/AlxAb.xAs interface" // Phys. Rev. B, 32 (6), 3712-3722 (1985).

101. D. Schneider, F. Hitzel, A. Schlachetzki, P. Boensch. "Dependence of electron effective mass on the subband occupation in Ino.53Gao.47As/InP quantum wells" // Phys. E, 12, 562-565 (2002).

102. U. Ekenberg. "Nonparabolicity effects in a quantum well: Sublevel shift, parallel mass, and Landau level" // Phys. Rev. B, 40 (11), 7714-7726 (1989).

103. J. L. Smith, P. J. Stiles. "Electron-Electron Interactions Continuously Variable in the Range 2.1>rs>0.9" // Phys. Rev. Lett., 29, 102-104 (1972).

104. А. А. Чернов, E. И. Гиваргизов, X. С. Багдасаров, Л. Н Лобачев. "Современная кристаллография. т. III: Образование кристаллов" //М.: Наука (1980).

105. Ed. С. W. Tu, J. S. Harris. "Molecular beam epitaxy" // Amsterdam: North Holland (1991).

106. H. Лойко. "Введение в МЛЭ" // M. (1999).

107. К. Хир. "Статистическая механика, кинетическая теория и стохастические процессы"//М.: Мир, (1976).

108. J.P.Colinge, C.A.Colinge. "Physics of semiconductor devices" // Springer Science Media, Inc. (2002).

109. J. Singh. Electronic and optoelectronic properties of semiconductors structures, Cambridge University Press, 556 (2003).

110. S. C. Jain, M. Willander, H. Maes. "Stresses and strains in epilayers, stripes and quantum structures of III-V compound semiconductors" // Semicond. Sci. Technol., 11, 641-671 (1996).

111. Yu. A. Goldberg and N.M. Schmidt Handbook Series on Semiconductor Parameters,2, M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, ed., World Scientific, London, 62-88 (1999).

112. S. Adachi. "Optical dispersion relations for GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlxGai-xAs, and In,-xGaxAsyP,-y" // J. Appl. Phys. 66, 12 6030-6040 (1989).

113. D.E. Aspnes, and A. A. Studna. "Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV" // Phys. Rev. B, 27, 2, 985-1009 (1983).

114. Levinshtein M.E., S.L. Rumyantsev Handbook Series on Semiconductor Parameters, 1, M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, ed., World Scientific, London, 1996, pp. 77-103.

115. J.S. Blakemore. "Semiconducting and other major properties of gallium arsenide" // J. Appl. Phys. 53, 10 (1982) R123-R181.

116. S.Adachi, Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds, John Wiley and Sons, (1992).

117. G. Paulavicius, V.V. Mitin, N.A. Bannov. "Coupled electron and nonequilibrium optical pho-non transport in a GaAs quantum well" // J.Appl.Phys., 82 (11), 5580-5588 (1997).

118. В. А. Лиопо, В. В. Война. "Рентгеновская дифрактометрия" // Гродно: ГрГУ, 171 с. (2003).

119. L. Ioriatti. "Thomas-Fermi theory of 8-doped semiconductor structures: Exact analitical results in the high-density limit" // Phys. Rev. B, 41 (12), 8340-8344 (1990).

120. А. Я. Шик. "Полупроводниковые структуры с 8-слоями" // ФТП, 26 (7), 1161-1181 (1992).

121. L.C.D. Goncalves, А. В. Henriques. "Electronic properties of gated 5-doped semiconductors" // Semicond. Sci. Technol., 12 (2), 203-209 (1997).

122. J. Krupski, M. Pietka. "On the accuracy of the Thomas-Fermi-Dirac method applied to subband structure calculations in a 8-doped semiconductor" // Sol. St. Commun., 107 (3), 141-144 (1998).

123. T. Ando. "Self-consistent results for a GaAs/AlxGai-xAs heterojunction. I. Subband structure and light-scattering spectra" // J. Phys. Soc. Jpn, 51 (12), 3893-3899 (1982).

124. F. Stern, S. das Sarma. "Electron energy levels in GaAs/Ga]-xAlxAs heterojunctions" // Phys. Rev B, 30 (2), 840-848 (1982).

125. Т. Андо T, А. Фаулер, Ф. Стерн. "Электронные свойства двумерных систем" II М.: Мир. 416 с. (1985).

126. С. R. Proetto. "Electronic structure of delta-doped semiconductors. In: Delta-doping of semiconductors" // Cambridge University Press (edited by Shubert E.F.). Chapter 2, 23-68 (1996).

127. R. O. Jones, O. Gunnarsson. "The density functional formalism, its applications and prospects" // Rev. Mod. Phys., 61 (3), 689 (1989).

128. J. P. Perdew, A. Zunger. "Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems" // Phys. Rev. B, 23 (10), 5048-5079 (1981).

129. H. Марч, В. Кон, П. Вашишта, С. Лундквист, А. Уильяме, У. Барт, Н. Лэнг. "Теория неоднородного электронного газа" // М. Мир., 400 с. (1987).

130. О. Gunnarsson, В. I. Lundqvist. "Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism" // Phys. Rev. B, 13 (10), 4274-4298 (1976).

131. H. С. Аверкиев, В. А. Березовец, M. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, В. И. Нижанковский,

132. Р. В. Парфеньев, К. С. Романов. "Особенности энергетического спектра и квантового магнетотранспорта в гетеропереходах II типа" ФТП, 46 (11), 2083-2091 (2004).141

133. R. F. Korf, H. P. Wei, A. P. Perley. G. Livescu. "Electron effective mass and band-gap dependence on alloy composition of AlyGaxIni-y-xAs, lattice matched to InP"// Appl. Phys. Lett, 60 (19), 2386-2389 (1992).

134. W. Chen, M. Fritze, W. Walecki, D. Ackley, A.V. Nurmikko, M. Hong, L.L. Chang. "Excitonic enhancement of the Fermi-edge singularity in a dense two-dimensional electron gas" // Phys. Rev. B, 45, 8464-8477 (1992).

135. L. Hsu, W. Walukiewicz. "Transport-to-quantum lifetime ratios in AlGaN/GaN heterostructures" //Appl. Phys. Lett, 80 (14), 2508-2510 (2002).

136. T. Ando. "Self-Consistent Results for a GaAs/AlxGai-xAs Heterojunciton. II. Low Temperature Mobility" // J.Phys. Soc. Japan, 51, 3900-3907 (1982).

137. C. Tse-Ming, C. Liang, M. Y. Simmons, G. Kim, D. Ritchie. "Transport and quantum lifetime dependence on electron density in gated GaAs/AlGaAs heterostructures" // Phys. E, 22 (1-3), 312-315 (2004).

138. P. T. Coleridge, R. Stoner, R. Fletcher. "Low-field transport coefficients in GaAs/GaixAlxAs heterostructures"// Phys. Rev. B, 39 (2), 1120-1124 (1989).

139. S. Adachi. "Optical dispersion relations for GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlxGai-xAs, and Ini-xGaxAsyPi-y" // J. Appl. Phys, 66 (12), 6030-6041 (1989).

140. Y. Т. Dai, J. L. Shen, Y. F. Chen, S. Chang, S. C. Lee. "Nonparabolicity and Effective Masses of Conduction Electron in InxGaUxAs Alloys" // Chin. J. Phys., 36 (1), 20-26 (1998).

141. И. А. Субботин, M. А. Чуев, Э. M. Пашаев, P. M. Имамов, Г. Б. Галиев, С. А. Тихомиров, П. Кацеровский. "Рентгеновская диагностика псевдоморфной AlGaAs/InGaAs/GaAs-композиции" // Кристаллография, 52 (4). 638-644 (2007).

142. Афанасьев A.M., Чуев М.А., Имамов P.M. Э. М. Пашаев, С. Н. Якунин, Дж. Хорват. "Двухкристалльная рентгеновская дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн"// Письма в ЖЭТФ, 74 (10), 560-564 (2001).

143. Д. Шенберг. "Магнитные осцилляции в металлах" //М.: Мир (1986). Пер. с англ.: D. Shoenberg. Magnetic oscillations in metals. Cambridge university press, 1984].

144. I. Lo, W. C. Mitchel, R. E. Perrin, R. L. Messham, M. Y. Yen. "Two-dimensional electron gas in GaAs/AltxGaxAs heterostructures: Effective mass" // Phys. Rev. В 43, 11787-11790 (1991).

145. Т. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. "Electronic properties of two-dimensional systems" // Rev. Mod. Phys., 54, 437-672 (1982).

146. D. R. Leadley, R. Fletcher, R. J. Nicholas, F. Tao, С. T. Foxon, and J. J. Harris. "Intersubband resonant scattering in GaAs/Gai.xAlxAs heterojunctions" // Phys. Rev. B, 46, 12439 12447 (1992).

147. P. D. Dresselhaus, С. M. A. Papavassiliou, R. G. Wheeler, and R. N. Sacks. "Observation of spin precession in GaAs inversion layers using antilocalization" // Phys. Rev. Lett., 68, 106 109 (1992).

148. B. El Jani, P. Gibart, J.C. Portal, R.L. Aulombard. "Effective masses in Sn-doped GaixAlxAs (x<0.33) determined by the Shubnikov-de Haas effect " // J.Appl.Phys.Lett., 58, 9, 3481-3484 (1985).

149. R. J. Nicholas, M. A. Brummell, J. C. Portal, G. Gregoris, S. Herse, and J. P. Duchemin. "Bulk and transfer doping effects in AlxGai-xAs layers grown on semi-insulating GaAs substrates" //AppI.Phys.Lett., 44, 6, 629-633 (1984).

150. Ning Tang, Bo Shen, Kui Han, Fang-Chao Lu, Fu-Jun Xu, Zhi-Xin Qin, and Guo-Yi Zhang. "Zero-field spin splitting in AlxGai-xN/GaN heterostructures with various A1 compositions" // Appl. Phys. Lett., 93, 17, 172113 (2008).

151. T. Gokmen, Medini Padmanabhan, K. Vakili, E. Tutuc, and M. Shayegan. "Effective mass suppression upon complete spin-polarization in an isotropic two-dimensional electron system" // Phys. Rev. B, 79, 19, 195311 (2009).

152. Nobuo Kotera, Koichi Tanaka, Hitoshi Nakamura, and Mineo Washima. "Evidence of nonparabolicity and size of wave function confined in Ino53Gao47As/Ino 52AI048AS multi quantum wells"//J. Appl. Phys., 103, 10, 104310 (2008).

153. Выражаю свою благодарность директору ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессору Мальцеву Петру Павловичу за ценные советы по написанию рукописи.