Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Добровольский, Александр Александрович

• Добровольский, Александр Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Добровольский, Александр Александрович

Введение.

Глава I. Полупроводники на основе РЬТе (обзор литературы).

1.1 Свойства нелегированного РЬТе.

1.2 Влияние легирующих примесей на свойства РЬТе.

1.2.1 Особенности легирования теллурида свинца.

1.2.2 Примесь индия в материалах на основе РЬТе.

1.2.3 Теоретические модели.

1.3 Особенности фотоэлектрических и транспортных свойств поликристаллических полупроводников и наноструктур.

Глава II Методика эксперимента.

2.1 Исследованные образцы.

2:2 Измерительные установки.

2.2.1 Измерительные камеры.

2.2.2 Экспериментальные установки.

Глава III Особенности транспорта и фотопроводимость в нанокристаллических пленках РЬТе(1п).

3.1 Измерения в статических электрических полях.

3.2 Измерения в переменных электрических полях.

3.3 Обсуждение результатов.

Глава IV Влияние окисления на транспортные свойства и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In).

4.1 Измерения в статических электрических полях.

4.2 Измерения в переменных электрических полях.

4.3 Обсуждение результатов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)»

Теллурид свинца и твердые растворы на его основе являются одними из базовых материалов микро и оптоэлектроники ИК диапазона. Свойства этих материалов достаточно подробно описаны в ряде книг и обзоров [1-6]. К преимуществам данного класса полупроводников можно отнести наличие прямой щели в спектре и возможность плавно варьировать ее величину, изменяя состав. Фактором, ограничивающим возможности их применения, является высокая концентрация электрически активных собственных дефектов, обусловленных отклонением состава от стехиометрии [5]. В определенной степени преодолеть эту трудность оказалось возможным с помощью легирования. При этом легирование узкощелевых полупроводников на основе теллурида свинца некоторыми элементами III группы приводит к качественному изменению свойств исходного материала. При легировании указанных материалов индием наблюдается эффект стабилизации положения уровня Ферми, а также долговременные процессы релаксации электронных распределений при выведении системы из состояния равновесия с помощью внешних воздействий [1,7-11]. К таким процессам относится явление задержанной фотопроводимости при низких температурах [9].

Особенности примесных состояний индия во многом обусловлены свойствами кристаллической матрицы теллурида свинца, в частности, высокой поляризуемостью решетки и, как следствие, чрезвычайно высоким значением статической диэлектрической проницаемости с ~ 103. Взаимодействия в системе примесный центр - ближайшее кристаллическое окружение приводят к формированию центров с отрицательной корреляционной энергией. Основное состояние примесного центра, ответственное за стабилизацию уровня Ферми, является двухэлектронным. Однако индуцированное внешними воздействиями возбуждение электронов происходит через промежуточное одноэлектронное состояние примеси, расположенное по энергии выше дна зоны проводимости. Если квазиуровень Ферми расположен ниже, чем уровень одноэлектронного состояния, возникает рекомбинационный барьер, препятствующий быстрой релаксации неравновесных носителей при низких температурах [12].

В последние годы интерес к материалам на основе теллурида свинца возрос в связи с проблемой создания более эффективных термоэлектрических преобразователей [13-17], устройств с оптической памятью [18], детекторов [19] и лазеров [20] ИК диапазона. В немалой степени этому способствовали новые возможности роста эпитаксиальных пленок, наноструктур и сверхрешеток, включая сверхрешетки квантовых точек [16,17,21]. Легирование и окисление структур позволяют эффективно управлять их свойствами, что может быть важно для целого ряда практических применений [22-27]. В оптоэлектронике легирование обеспечивает расширение спектрального диапазона чувствительности в дальней ИК-области [28,29]. Для нанокристаллических пленок на основе теллурида свинца введение примесей индия, стабилизирующих положение уровня Ферми, позволяет обеспечивать однородность электрофизических параметров отдельных зерен, получать высоковоспроизводимые результаты при синтезе [30].

Однако в нанокристаллических структурах свойства зерна далеко не всегда являются определяющими. Существенный вклад в проводимость могут вносить поверхностные эффекты и барьеры, формирующиеся на границах нанокристаллитов. В переменных электрических полях соотношение вкладов в проводимость от различных I элементов микроструктуры может зависеть от частоты. Одним из эффективных методов, позволяющих охарактеризовать механизмы электронного транспорта и разделить вклады в проводимость от различных структурных элементов, является исследование полного импеданса. Использование приближения эквивалентных схем для интерпретации импеданс-спектров позволяет поставить в соответствие каждому из механизмов переноса определенные параметры: сопротивления и емкости. Внешние воздействия, такие как инфракрасное излучение, могут изменять указанные параметры, при этом изменяются частотные зависимости компонент полного импеданса. Фотоотклик компонент полного импеданса также становится частотно зависимым. В данной работе изучались образцы нанокристаллических пленок РЬТе(1п). Свойства данных материалов и, в частности, их фоточувствительность к внешнему ИК-излучению могут определяться как особенностями легирования теллурида свинца индием, так и микроструктурой конкретных образцов. Определение оптимальных с точки зрения фоточувствительности условий измерения и режимов синтеза образцов и является основной задачей данной работы.

В настоящей работе были исследованы транспортные свойства и фотопроводимость в нанокристаллических пленках РЬТе(1п), синтезированных в различных условиях. Измерения проводились в статических и переменных электрических полях при температурах от 4.2 до 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 1 МГц в условиях экранирования от внешнего излучения и при подсветке. Было изучено влияние микроструктуры пленок на их электрофизические и фотоэлектрические свойства. Для этого были выращены образцы с варьируемым размером кристаллитов. Для изучения влияния состава на транспортные свойства и фотопроводимость некоторые пленки дополнительно отжигались в атмосфере кислорода.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Добровольский, Александр Александрович

Основные результаты и выводы

1. Проведены исследования транспортных свойств и фотопроводимости в нанокристаллических пленках PbTe(In) в статических и переменных электрических полях при температурах от 4.2 до 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 1 МГц.

2. Показано, что микроструктура пленок является фактором, определяющим соотношение вкладов в проводимость от различных структурных элементов: объема зерен, их поверхности и межзеренных границ. В текстурированных пленках со средним размером кристаллита 300 нм проводимость n-типа определяется объемом кристаллита. Задержанная фотопроводимость наблюдается при температурах Т < 25 К и связана с особенностями поведения примеси индия в теллуриде свинца. В пленках со средним размером кристаллитов от 60 до 170 нм проводимость определяется транспортом дырок по инверсионным каналам на поверхности зерен и межзеренными барьерами. В данных структурах задержанная фотопроводимость обусловлена крупномасштабным потенциальным рельефом зон в наноструктуре и наблюдается при существенно более высоких температрурах Т< 150 К.

3. Анализ импеданс-спектров пленок PbTe(In) р-типа, проведенный в рамках представления эквивалентных схем, позволил разделить вклады в проводимость от инверсионных каналов и межзеренных барьеров, оценить параметры (сопротивления и емкости), характеризующие эти вклады и определить изменение этих параметров в зависимости от температуры и в условиях подсветки.

4. Показано, что в области высоких температур (Т = 300 К) для всех исследованных образцов PbTe(In) р-типа доминирующим механизмом транспорта является проводимость по инверсионным каналам на поверхности зерен. При уменьшении температуры вклад в проводимость, связанный с переносом носителей через барьер, возрастает.

5. Обнаружено, что суперпозиция двух различных механизмов проводимости в нанокристаллических пленках РЬТе(1п) может приводить к немонотонной частотной зависимости амплитуды относительного фотоотклика. Варьируя температуру и частотный диапазон измерений, удается получить фотоотклик, амплитуда которого в несколько раз превышает соответствующее значение на постоянном токе. Для исследованных образцов максимальная амплитуда пика фотоотклика наблюдается для пленки со средним размером кристаллита 130 нм.

6. Показано, что отжиг в атмосфере кислорода пленки РЬТе(1п) с п-типом проводимости (размер кристаллита 300 нм) приводит к формированию межкристаллитных барьеров, смене типа проводимости и появлению модуляции зонного рельефа.

7. Изучено влияние отжига в атмосфере кислорода на транспортные свойства исследованных пленок РЬТе(1п) р-типа проводимости. Показано, что окисление пленок приводит к доминированию механизма транспорта носителей заряда, связанному с активацией носителей на межкристаллитных барьерах, и увеличению фотоотклика. Дальнейшее окисление приводит к повышению туннельной прозрачности барьеров. Проводимость пленок в этом случае определяется инверсионными каналами на поверхности зерен. При этом в области низких температур наблюдается прыжковый механизм транспорта носителей заряда.

В заключение, пользуясь возможностью, выражаю искреннюю благодарность:

Моим научным руководителям, доктору физико-математических наук Людмиле Ивановне Рябовой и доктору физико-математических наук, профессору Дмитрию Ремовичу Хохлову за предоставление интересной темы, постоянное внимание и помощь в работе;

Профессору Зиновию Моисеевичу Дашевскому за предоставленные для исследования образцы и плодотворные обсуждения; а также коллективу кафедры за интерес к работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Добровольский, Александр Александрович, 2010 год

1. Lead Chalcogenides: Physics and Application. 11 Edited by D. Khokhlov, New York: Taylor&Francis, 2003.

2. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. // Москва: Наука, 1968.

3. Абрикосов Н.Х., ШелимоваЛ.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^В^. // Москва: Наука, 1975.

4. Darnhaus R., Nimtz G., Schlicht В. Narrow Gap Semiconductors. // Springer Tracts in Modern Physics, v.98, Ed. G. Hohler, Berlin: Springer-Verlag, 1983.

5. Волков Б.А., Панкратов O.A. Электронная структура точечных дефектов а полупроводниках А4В6. // ЖЭТФ, 1985, т.88, в.1, с.280-293.

6. Dalven R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO. // Infrared Physics, 1969, v.9, pp. 141-189.

7. Кайданов В.И., Равич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI. // УФН, 1985, т. 145, в. 1, с.51 -86.

8. Akimov В.А., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L,I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials. // Phys. Status Solidi A, 1993, v.137, N9, pp.9-55.

9. Волков Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р, Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца. // УФН, 2002, т.172, в.8, с.875-905.

10. Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBVI. // ФТП, 1994, т.28, в.З, с. 369-393.

11. Немов С.А., Равич Ю.И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности. // УФН, 1998, т. 168, в.8, с.817-842.

12. Волков Б.А, Ручайский О.М. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках А4Вб. // Письма в ЖЭТФ, 1995, т.62, в.З, с.205-209.

13. Gelbstein Y., Dashevsky Z., Dariel M.P. High performance n-type PbTe-based materials for thermoelectric applications. // Physica B, 2005, v.363, pp. 196-205.

14. Dashevsky Z., Shuzterman S., Dariel M.P., Drabkin I. Thermoelectric efficiency in graded indium-doped PbTe crystals. // Journal of Applied Physics, 2002, v.92, N3, pp.1425-1430.

15. Koh Y. K., Vineis C. J., Calawa S. D.s Walsh M. P., Cahill D. G. Lattice thermal conductivity of nanostructured thermoelectric materials based on PbTe. // Appl. Phys. Lett., 2009, v.94, pp.l53101-1 153101-3.

16. Harman Т. C., Reeder R. E., Walsh M. P., LaForge В. E., Hoyt C. D„ Turner G. W. High electrical power density from PbTe-based quantum-dot superlattice unicouple thermoelectric devices. // Appl. Phys. Lett., 2006, v.88, pp.243504-1 243504-3.

17. Lee H. S., Cheong B.-ki, Lee T. S., Lee K. S., Kim W. M., Lee J. W., Cho S. H., Huh J. Y. Thermoelectric PbTe thin film for superresolution optical data storage. // Appl. Phys. Lett., 2004, v.85, N14, pp.2782-2784.

18. Felder F., Arnold M., Rahim M., Ebneter C., Zogg H. Tunable lead-chalcogenide on Si resonant cavity enhanced midinfrared detector. // Appl. Phys. Lett., 2007, v.91, pp.101102-1-101102-3.

19. Rahim M, Arnold M, Felder F, Behfar К and Zogg H. Midinfrared lead-chalcogenide vertical external cavity surface emitting laser with 5 цт wavelength. // Appl. Phys. Lett., 2007, v.91, pp. 151102-1 151102-3.

20. Rogacheva E.I., Krivulkin I.M., Naschekina O.N., Sipatov F.Yu., Volobuev V.V., Dresselhaus M.S. Effect of oxidation on the thermoelectric properties of PbTe and PbS epitaxial films. //Appl. Phys. Lett., 2001, v.78, N12, pp.1661-1663.

21. Wang J., Hu J., Sun X., Agarval A.M., Kimerling L.C., Lim D.R., Synowicki R.A. Structural, electrical, and optical properties of thermally evaporated nanocrystalline PbTe films. //J. Appl. Phys., 2008, v. 104, pp.053707-1 053707-5.

22. Zhao F., Mukherjee S., Ma J., Li D., Elizondo S.L., Shi Z. Influence of oxygen passivation on optical properties of PbSe thin films. // Appl. Phys. Lett., 2008, v.92, pp.211110-1 -211110-3.

23. Kreizman R., Dashevsky Z., Shandalov M., Kasiyan V., Dariel M.P. High photosensitive nanocrystalline PbTe films. // Proc. SPIE, 2007, v.6596, p.659608-1 659608-8.

24. Khokhlov D., Ryabova L., Nicorici A., Shklover V., Ganichev S., Danilov S., Bel'kov V. Terahertz photoconductivity of Pbi-xSnxTe(In). // Appl. Phys. Lett., 2008, v.93, pp.2641031 -264103-3.

25. Хохлов Д.Р., Галеева A.B., Долженко Д.Е., Рябова Л.И. Новый класс высокочувствительных приемников терагерцового излучения. // Оптика и спектроскопия, 2009, т. 107, N4, с.546-552.

26. Dashevsky Z., Kreizman R., Dariel M.P. Physical properties and inversion of conductivity type in nanocrystalline PbTe films. // J. Appl. Phys., 2005, v.98, pp.094309-1 094309-5.

27. WegnerJ.W., Willerdson R.K. Growth and Characterization of Single crystals of PbTe-SnTe. // Trns.M.S. AIME, 1968, v.242, N3, p.366-371.

28. KawamuraH.H. Phase transition in IV-VI compounds. // Lect. Notes. Phys., 1980, v.133, p.470-494.

29. Schlüter M., Martinez G., Cohen M.L. Pressure and temperature dependence of electronic energy levels in PbSe and PbTe. // Phys. Rev. B, 1975, v.12, N2, pp.650-658.

30. Baleva M., Matveeva E. Temperature dependence of the energy gaps of the high-pressure phases of PbTe. // Phys.Rev.B, 1993, v.48, N4, pp.2659-2665.

31. Baleva M., Georgiev Т., Lashkarev G. On the temperature dependence of the energy gap in PbSe and PbTe. // J. Phys.: Condens. Matter, 1990, v.l, pp.2935-2940.

32. Melngailis J., Kafalas J.A., Harman T.C. Shubnikov-de Haas Measurements in Pbi.xSnxTe under hydrostatic pressure. // The Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors, Carter D.L., Bate R.T., Eds. (New York, Pergamon Press, 1971), p.407-419.

33. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Popova S.V., Derevskov A.Yu. Semiconductor-metal transitions in lead chalcogenides at high pressure. // Phys. Stat. Sol. (b), 2003, v.235, N2, p.521-525.

34. Bauer G., Burkhard H., Heinrich H., Lopez-Otero A. Impurity and vacancy states in PbTe. //J. Appl. Phys., 1976, v.47, N4, p.l 721-1723.

35. Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворов на его основе (обзор). И ФТП, 2002, т.36, в.1, с.3-23.

36. Драбкин И.А., Квантов М.А., Компанией В.В., Костиков Ю.П. Зарядовые состояния In в РЬТе. // ФТП, 1982, т. 16, в.7, с. 1276.

37. Baleva M. I. Temperature dependence of the Hall coefficient in Cr-doped PbTe. // J. Phys. C: St. Phys., 1985, v. 18, p.1599.

38. Каширская Л.М., Рябова Л.И., Тананаева О.И., Широкова Н.А. Гальваномагнитные характеристики твердых растворов РЬТе(Сг) при изменении температуры и под давлением. // ФТП, 1990, т.24, в.8, с.1349-1353.

39. Аверкин А.А., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. // ФТП, 1971, т.5, в.1, с.91-95.

40. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Черник И.А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. // ФТП, 1973, т.7, в.4, с.759-762.

41. Лыков С.Н., Черник И.А. Осцилляционные эффекты Шубникова-де Газа в теллуриде свинца с примесью индия. // ФТП, 1980, т.14, в.1, с.47-54.

42. Вул Б.М., Воронова И.Д., Калюжная Г.А., Мамедов Т.О., Рагимова Т.Ш. Особенности явлений переноса в Pbo 7sSno.22Te с большим содержанием индия. // Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, в.1, с.21-25.

43. Akimov В.А., Brandt N.B., Klimonskiy S.O., Ryabova L.I., Khokhlov D.R. Dynamics of the semiconductor-metal transition induced by the infrared illumination in the Pbi.xSnxTe(In) alloys. // Phys. Rev. Lett. A, 1982, v.88A, N9, pp.483-486.

44. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Перспективные материалы ИК-оптэлектроники на основе соединений А4В6. // Высокочистые вещества, 1991, в.б, с.22-35.

45. Волков Б.А., Воронова И.Д., Шотов А.П. Логарифмическая релаксакция долговременной фотопроводимости в Pbi.xSnxTe(In). // ДАН СССР, сер. "Физика", 1987, т.293, в.З, с.602-606.

46. Вул Б.М., Воронова И.Д., Гришечкина С.П., Рагимова Т.Ш. Накопление и время релаксации электронов при фотоэффекте в Pbo^sSno^Te. // Письма в ЖЭТФ, 1981, т.ЗЗ, в.6, с.346-350.

47. Martinez A., Abbundi R.J., Houston В., Davis J.L., AllgaierR.S. Effect of illumination and magnetic fields on the electron transport properties of Pbo.75Sno.25Te doped with indium. //J. Appl. Phys., 1985, v.57, N.4, pp. 1165-117076.

48. Martinez A., Santiago F., Davis J.L., Houston B. Decay kinetics of photoconductivity of PbSnTe doped with indium. // J. Appl. Phys., 1985, v.58, N.12, pp.4618-4620.

49. Акимов Б.А., Богоявленский B.A., Рябова Л.И., Васильков В.H. Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga). // ФТП, 2001, т.35. в.5, с.524-527.

50. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Курбанов К.Р., Рябова Л.И., Хасанов А.Т., Хохлов Д.Р., Фотоэлектрические явления в РЬТе, легированном индием. // ФТП, 1983, т. 17, в.9, с.1604-1608.

51. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., НикоричА.В., Рябова Л.И., Соковишин В.В. Деформационная корреляция автолокализованных состояний в Pbi.xSnxTe(In). // Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.5, с.222-224.

52. Акимов Б. А., АлбулА. В., НикоричА. В., Рябова JI. И., Хохлов Д. Р. Фотоэлектрические явления в сплавах Pbo.75Sno.2sTe с различным содержанием индия. // ФТП, 1984, т. 18, в. 10, с. 1778-1783.

53. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примеси на положительно и отрицательно заряженные состояния. // ФТП, 1981, т.15, в.4, с.625-648.

54. Лыков С.Н., Черник И.А. О зарядовом состоянии примеси индия в теллуриде свинца. //ФТП, 1980,т. 14, в.9, с. 1861-1863.

55. Каган Ю., Кикоин К.А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений Pbi.xSnxTe с примесью In. // Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в.6, с.367-371.

56. Parada N.J. Localized defects in PbTe. // Phys. Rev. В, 1971, v.3, N6, pp.2042-2055.

57. Литвинов В.И., Товстюк К.Д. Об аномалиях электрических и магнитных свойств Pbi-ySnyTe(In). Туннельная автолокализация на отрицательных центрах. // ФТТ, 1982, т.24, в.З, с.896-898.

58. Волков Б.А., Панкратов О.А. Электронная структура точечных дефектов а полупроводниках А4В6. //ЖЭТФ, 1985, т.88, в.1, с.280-293.

59. Pankratov О.A., Povarov Р.Р. Charge states of vacancies in IV-VI semiconductors. // Solid State Commun., 1988, v.66, N8, pp.847-853.

60. Белогорохов А.И., Волков Б.А., Иванчик И.И., Хохлов Д.Р. Модель "DX-подобных" примесных центров в PbTe(Ga). // Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, в.З, с.178-182.

61. Khokhlov D.R., Volkov В.А. Mixed-valence, electrical activity and metastable states in doped IV-VI compounds: experiment and theory. // Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of

62. Semiconductors, Berlin, Germany, 1996 (Ed. M. Scheffer, Singapore: World Scientific, 1996), vol.4, p.2941.

63. Mooney P.M. Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors. // J. Appl. Phys., 1990, v.67, pp.Rl-R26.

64. Chadi D.J., Chang K.J. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AlxGa,.xAs alloys. // Phys. Rev. Lett., 1988, v.61, N7, pp.873-876.

65. Волков Б.А., Осипов B.B., Панкратов O.A. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. // ФТП, 1980, т. 14, в.7, с.1387-1389.

66. Засавицкий И.И, Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pbi-xSnxTe:In. // ФТП, 1986, т.20, в.2, с.214-220.

67. Засавицкий И.И, Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Бесфоновый спектр поглощения PbixSnxTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины. // ФТП, 1987, т.21, в. 10, с. 1789-1795.

68. Засавицкий И.И, Мацонашвили Б.Н., Панкратов О.А., Трофимов В.Т. Двухэлектронный захват и параметры Ян-Теллеровского центра в Pbt.xSnxTe:In. // Письма в ЖЭТФ, 1985, т.42, в.1, с.3-6.

69. Винчаков В.Н., Кайданов В.И., Лыков С.Н., Рыков С.А. Туннельная спектроскопия квазилокальных примесных состояний индия в теллуриде свинца. // Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, в.8, с.384-386.

70. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // ФТП, 1976, т.Ю, в.2, с.209-232.

71. Неустроев JI.H., Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристашшческих пленок типа PbS. // ФТП, 1986, т.20, в.1, с.59-72.

72. Эфрос A.JI. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. // УФН, 1973, т.111, в.З, с.451-482.

73. Ryvkin S.M., Shlimak I.S. A doped highly compensated crystal semiconductor as a model of amorphous semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (a), 1973, v.16, N2, pp.515-526.

74. Шкловский Б.И., Эфрос A.JL Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. // ЖЭТФ, 1972, т.62, в.З, с.1156-1165.

75. Ткач Ю.Я. Фотопроводимость аморфного полупроводника в модели "искривленных зов". // ФТП, 1975, т.9, в.6, с.1071-1075.

76. Шик А.Я. Фотопроводимость случайно-неоднородных полупроводников. // ЖЭТФ, 1975, т.68, в.5, с.1859-1867.

77. Сандомирский В.Б., Ждан А.Г., Мессерер М.А., Гуляев И.Б. Модель замороженной (остаточной) проводимости. // Письма ЖЭТФ, 1972, т.15, в.7, с.408-410.

78. Ждан А.Г., Мессерер М.А., Даревский А.С. Некоторые следствия борьерной модели замороженной (остаточной) проводимости. // ФТП, 1972, т.6, в.7, с.1389-1391.

79. Шик А.Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках. //Письма ЖЭТФ, 1974, т.20, в.1, с. 14-16.

80. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников. // ЖЭТФ, 1971, т.60, в.2, с.867-878.

81. Потапов В.Т., Трифонов В.И., Чусов И.И., Яременко Н.Г. Эффект Фарадея в сильно компенсированном n-InSb. // ФТП, 1972, т.6, в.7, с.1227-1233.

82. Kreizman R., Traistman N., Shaked M., Dashevsky Z., Dariel M.P. The influence of oxygen on the electrical properties of bulk and thin films of PbTe semiconductors. // Key Eng. Mater., 2006, v.336-338, pp.875-878.

83. Гаськов A.M., Гольденвейзер A.A., Соколов И.А., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца. // ДАН СССР, 1983, т.269, в.З, с.607-609.

84. Palatnik L.S., Sorokin V.K., Pravdina O.V. Thermo-EMF of lead chalcogenide films. // Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater., 1981, v.17, N6, pp.958-961.

85. Boikov Yu.A., Kutasov V.A. Change in electrophysical properties of PbTe thin films under the action of oxygen. // Sov. Phys. Solid State, 1982, v.24, N10, pp.1813-1814.

86. Boikov Yu.A., Danilov V.A., Kutasov V.A. Changes in electrophysical properties of lead telluride films due to the formation of a space charge region near the free surface. // Sov. Phys. Solid State, 1985, v.27, N11, pp.2095-2096.

87. Boikov Yu.A., Danilov V.A., Kutasov V.A. Dependence of the thermoelectric power of lead telluride films on electronic processes on the free surface. // Sov. Phys. Solid State, 1987, v.29, N12, pp.2110-2111.

88. Veis A.N. Energy spectrum of oxygen-implanted lead telluride according to optical absorption data. // Fiz. Tekh. Poluprovodn., 1997, v.31, N12, pp.1419-1421.

89. Gorbachev V.V., Dashevskii Z.M., Erusalimskaya T.M., Kotel'nikov V.A., Rulenko M.P. Influence of oxygen on barrier effects in block single-crystal p-type PbTe films. // Fiz. Tekh. Poluprovodn., 1984, v.18, N6, pp.1118-1120.

90. Komissarova Т., Khokhlov D., Ryabova L., Dashevsky Z., Kasiyan V. Impedance of photosensitive nanocrystalline PbTe(In) films. // Phys. Rev. B, 2007, v.75, pp. 195326-1 -195326-5.

91. Khairnar U.P., Pavar P.H., Bhavsar G.P. Study of transport properties co-evaporated lead tellùride (PbTe) thin films. // Cryst. Res. Technol., 2002, v.37, N12, pp.1293-1302.

92. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников. // Москва: Наука,

93. Шкловский Б.И., Эфрос АЛ. Электронные свойства легированных полупроводников. // Москва: Наука, 1979.

94. Чесноков С.Н. Фотоэлектрические явления в твердых растворах PbixSnxTe(In). // Канд. дисс., Москва, МГУ, физический факультет, 1988.

95. Акимов Б.А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни и метастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. // Докт. дисс., Москва, МГУ, физический факультет, 1984.

96. Okada К., Sekino Т. Agilent technologies impedance measurement handbook. // Agilent Technologies Co. Ltd, 2003.

97. Иванов-Шиц A.K., Мурин И.В. Ионика твердого тела. // Изд-во СПбГУ, т.1, 2000.

98. Barsukov Е., Macdonald J.R. Impedance Spectroscopy. Theory, Experiment and Applications. // John Wiley & Sons, Inc., 2005.

99. Поклонский H.A., Горбачук Н.И. Основы импедансной спектроскопии композитов. // Минск, БГУ, 2005.

100. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б.-М. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. // Москва: Наука, 1981.

101. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. // Москва: Мир, т.1,1982.1977.