Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Сергеев, Владимир Олегович

• Сергеев, Владимир Олегович
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Сергеев, Владимир Олегович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛАХ

1.1 Наночастицы

1.2 Электрофизические свойства материалов, состоящих из полупроводников и полупроводниковых наночастиц

1.3 Термоэлектрические свойства материалов

1.4 Поляризационные явления в материалах

1.5 Постановка задачи

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1 Экспериментальная установка для изучения электрофизических и термоэлектрических свойств структуры «металл - наночастицы — металл»

2.2 Образцы

2.3 Схема электрических измерений и методика эксперимента

2.4 Методика эксперимента по изучению спонтанной поляризации мелкодисперсных полупроводников при хемосорбции водорода

2.5 Погрешности и обработка результатов измерений

ГЛАВА 3 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛАХ, НАСЫЩЕННЫХ ВОДОРОДОМ

3.1 Влияние газовой среды на свойства наночастиц из полупроводниковых материалов

3.2 Электропроводность и термоэдс материала, состоящего из шарообразных наночастиц полупроводника, насыщенных атомами водорода

3.3 Возникновение электрического поля в мелкодисперсных

полупроводниках при хемосорбции водорода

2

ГЛАВА 4. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОЦЕНКИ ПРИ ВЫБОРЕ ИНТЕРПРЕТАЦИЙ

ОБНАРУЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЯВЛЕНИЙ

4.1 Природа проводимости наноструктурированных материалов с равным нулю дифференциальным сопротивлением

4.2. Теоретическое обоснование спонтанной поляризации мелкодисперсного полупроводника, инициированной хемосорбцией водорода

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список использованной литературы

Приложение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования. Полупроводниковые наноструктуры, квантовые ямы, нити и точки являются предметом исследований в области физики полупроводников. Для дальнейшей миниатюризации полупроводниковых приборов требуется глубокое понимание физических процессов, протекающих в наногетероструктурах.

Одной из главных причин изменения физических и химических свойств малых частиц по мере уменьшения их размеров является рост относительной доли «поверхностных» атомов, находящихся в иных условиях, нежели атомы внутри объема. С энергетической точки зрения уменьшение размеров частицы приводит к возрастанию роли поверхностной энергии. В настоящее время уникальные физические свойства наночастиц, являются объектом интенсивных исследований.

Известны теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению механизмов электропроводности наногетерогенных структур. В то же время электрические свойства наноструктурированных материалов, содержащих наночастицы, остаются мало исследованными. Физические и химические процессы, протекающие на поверхности наночастиц, изменяют поверхностные электронные состояния и положение уровня Ферми на поверхности. Поэтому, с помощью таких процессов можно изменять электрические и другие свойства материалов.

Электрофизические и термоэлектрические свойства материалов, состоящих из большого числа наночастиц, зависят от состояния их поверхности. Например, хемосорбированные на поверхности твердых тел молекулы могут находиться в заряженном состоянии, а электрические заряды на поверхности частиц мелкодисперсного полупроводника, возникшие после хемосорбции молекул газа, могут стать причиной поляризации приповерхностной области каждой частицы порошка. Это может повлиять на свойства порошкообразных материалов подобно тому, как электрические

заряды границ доменов влияют на свойства сегнетоэлектриков. Но экспериментально данное влияние не изучено.

Предмет и объект исследования. Предмет исследования - материал, состоящий из большого числа наночастиц. Объектами исследования служили электрические и термоэлектрические свойства наноструктурированного материала (НМ) в виде структуры «металл - слой наночастиц - металл».

Цель работы - исследование влияния изменения состояния поверхности нано- и микрочастиц на электрические и термоэлектрические свойства материала, состоящего из большого числа этих частиц.

Задачи исследования:

1. Изучить влияние воздействия активной газовой средой (атомарным и молекулярным водородом, атомарным и молекулярным кислородом) на электропроводность проницаемого для молекул газа НМ.

2. Исследовать влияние температуры НМ на его электропроводность.

3. Изучить влияние газовой среды и температуры на электронные явления в однородных неупорядоченных центросимметричных полупроводниках, насыщенных водородом.

Научная новизна работы:

1. Установлено, что электропроводность наночастиц СиО или МО, объемом около 1(Г19 см3, осуществляется с участием электронов зоны проводимости этих полупроводников. Туннелирование электронов сквозь наночастицы не наблюдается.

2. Адсорбция атомов водорода на поверхности наночастиц СиО или МО сопровождается увеличением их электропроводности, а десорбция атомов водорода - ее уменьшением. Выдержка в среде молекулярного или атомарного кислорода структуры, содержащей наночастицы СиО или N¡0, сопровождается резким уменьшением ее проводимости и появлением на вольтамперной характеристике участка отрицательного дифференциального сопротивления.

3. Обнаружено: при увеличении температуры (Г = 150 - 250°С) происходит самопроизвольное появление в слое мелкодисперсного материала CsN03, КМп04 или Pb(N03)2, помещенного в атмосферу водорода (Л,~3 104 Па), электрического поля с напряженностью до 1 В/мм. Установлено, что появление электрического поля не зависит от материала одинаковых металлических электродов (Pt, Au, Hf, Mo, Pb, Al), находящихся в контакте с порошком, и является следствием распада на ионы Н+ и электроны молекул Н2 при их хемосорбции на поверхности частиц порошка.

Теоретическая и практическая значимость. Получены экспериментальные результаты, свидетельствующие о возможности управления электрическими и термоэлектрическими свойствами проницаемых для молекул газов наноструктурированных материалов посредством изменения состояния поверхности наночастиц. Эти результаты способствуют развитию теории электропроводности наногетерогенных структур и могут найти применение при изучении физических и химических процессов, протекающих на поверхности наночастиц, а также в технологических процессах получения наноматериалов и электронных приборов нового поколения.

Научные результаты, выносимые на защиту:

1. Электропроводность наночастиц СиО или NiO, объемом около 10~19 см3, осуществляется с участием электронов зоны проводимости этих полупроводников. Туннелирование электронов сквозь наночастицы не наблюдается.

2. Адсорбция атомов водорода на поверхности наночастиц СиО или NiO сопровождается увеличением их электропроводности, а десорбция атомов водорода - ее уменьшением. Выдержка в среде молекулярного или атомарного кислорода структуры, содержащей наночастицы СиО или NiO, сопровождается резким уменьшением ее проводимости и появлением на

вольтамперной характеристике участка отрицательного дифференциального сопротивления.

3. При увеличении температуры {Т = 150 - 250°С) происходит самопроизвольное появление в слое мелкодисперсного материала СэКОз, КМп04 или РЬ(Ы03)2, помещенного в атмосферу водорода (Рь~ 3-Ю4 Па), электрического поля с напряженностью до 1 В/мм.

Достоверность результатов определяется теоретической обоснованностью используемых методов и воспроизводимостью экспериментальных данных. Кроме того, результаты, полученные экспериментально, допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Личный вклад автора. Автором работы получены основные результаты экспериментальных исследований. Кроме того, автором совместно с научным руководителем проведен анализ полученных экспериментальных результатов исследований и сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности.

Диссертационное исследование соответствует следующим пунктам паспорта специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников»: п.2 «Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе», т.к. изучено влияние воздействия химически активной газовой средой на электропроводность структуры, содержащей полупроводниковые наночастицы; п.6 «Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах», поскольку проведено экспериментальное изучение механизма электропроводности наногетерогенной структуры со слоем шарообразных частиц, содержащей полупроводниковые наночастицы.

Апробация работы: основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно-практических конференциях ФГБОУ ВПО «Государственный университет — учебно-научно-производственный комплекс» (2014 г.), XXIII, XXIV и XXV симпозиуме

7

«Современная химическая физика», Третьей Всероссийской молодежной конференции «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества», X Российской конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов», XVII международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы».

Публикации. По теме диссертации опубликовано 3 статьи в рецензируемых научных журналах из перечня ВАК.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения, списка используемой литературы, содержащего 128 наименований, и приложения. Работа изложена на 113 страницах, иллюстрируется 49 рисунками и 1 таблицей.

Глава 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛАХ

1.1 Наночастицы

На протяжении последних двадцати лет в научной лексике всё чаще можно услышать множество новых слов с префиксом «нано»: наноструктура, наноматериал, нанотехнология, наноколлоиды, нанокластер, наноразмерный материал, нанохимия, нанореактор и т.п. 1994 г. знаменуется началом внедрения нанотехнологических методов в промышленности, однако принято считать, что развитие нанотехнологии началось, когда в 1928г. Георгий Антонович Гамов впервые получил уравнение Шредингера, описывающего возможность частицы преодолеть энергетический барьер. Таким образом, с ЗОх гг., а особенно с середины 90х гг. прошлого столетия наночастицы и их уникальные свойства стали объектом интенсивных исследований.

Наноматериалами называют материалы, основные физические характеристики которых задаются содержащимися в них нанообъектами [1]. Данные материалы разделяют на компактные материалы и нанодисперсии; к первым относятся так называемые наноструктурированные материалы [2], т.е. изотропные по макросоставу материалы с повторяющимися элементами, структуры которых являются области, имеющие нанометровые размеры [3].

Наночастица представляет собой квази-нульмерный ((Ю) нанообъект, характерные размеры которого имеют один порядок величины. Как правило, наночастицам присуща сфероидальная форма. Если в наночастицах есть ярко выраженное упорядоченное расположение атомов (или ионов), то данные наночастицы называют нанокристаллитами [4]. «Квантовыми точками» или «искусственными атомами» принято называть наночастицы, обладающие выраженной дискретностью системы энергетических уровней. Обычно

квантовым точкам характерен состав типичных полупроводниковых материалов [5,6].

Интерес к полупроводниковым нанокристаллам начинает развиваться с 1980х гг., когда была сформулирована концепция размерного квантования [710], развитая позднее в работах [8, 9].

В настоящее время активно ведутся интенсивные разработки в области создания оптоэлектронных полупроводниковых приборов, содержащих масс-сивы самоорганизованных квантовых точек [11,12]. Свойства этих приборов определяются энергиями электронных состояний в квантовых точках, которые сильно зависят от размеров последних. Для получения статистических данных о размерах квантовых точек используется анализ топографических изображений, полученных методом атомно-силовой микроскопии. Так в [13] произведён анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных 1пАз-квантовых точек, выращенных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке из эпитаксиального ОаА1Аз. Согласно [13], такие характеристики, как концентрация, средний размер и полуширина распределения по высоте, существенно зависят от параметров роста, изменяющихся в незначительных пределах.

Известно, что электронные структуры объемного образца и отдельно взятой полупроводниковой наночастицы существенно различаются. Это проявляется в образовании внутри запрещенной зоны области разрешенных значений энергии, определяемыми малыми размерами частицы, в изменении энергии экситонных состояний, а также в образовании в зоне проводимости квантово-размерных состояний носителей заряда, зависящих от формы и размеров наночастицы. В работе [14] представлена теоретическая модель спектра пропускания наночастицами видимого и ближних диапазонов инфракрасного и ультрафиолетового света. Для сравнения теоретических и экспериментальных результатов в данной работе использовались наночасти-

цы широкозонного диэлектрика оксида алюминия Л12Оз, помещенные в прозрачную диэлектрическую жидкую матрицу.

Создание и изучение нанопроволок (НП) и наночастиц (НЧ) из ферромагнитных металлов привлекает всё большее внимание [15], поскольку на основе данных нанообъектов возможно создание устройств хранения и записи информации, спиновых клапанов и магниторезистивных сенсоров. В [16] за счёт применения методики на основе использования литографической полимерной маски на поверхности 8Ю2 получены нанопроволоки N1 с минимальной шириной 60 нм, толщиной от 6 нм до 20 нм и длиной до 20 мкм, а также сформированы наночастицы № с заданным распределением их по поверхности твердого тела. В [17] методом гальваностатического электроосаждения на поверхности многостенных углеродных нанотрубок получены наночастицы N1.

Также активно развивается синтез наночастиц. Например, в [18-22] при окислительно-восстановительных реакциях синтезированы наночастицы никеля и кобальта. В [23] произведён синтез наночастиц сложных оксидов титана, кобальта и марганца со структурой ильменита и шпинели в порах опаловой матрицы. В [24] синтезированы полые наночастицы у-А12Оз. А в работе [25] экспериментально исследован синтез стабильных коллоидных растворов наночастиц при лазерной абляции медной мишени в воде и фрагментации нанопорошка Си+СиО излучением импульсного волоконного лазера с длиной волны 1064 нм при длительности импульса 100 наносекунд. При этом установлено наличие зависимости размера наночастиц и стабильности коллоидного раствора от технологических параметров. Также показано формирование сферических наночастиц оксида меди при лазерной абляции. В [26] впервые произведён синтез наночастицы «ядро В12Тез» — «оболочка 8Ю2». Целыо синтеза данных наночастиц является создание объемных композитов с высокой термоэлектрической добротностью. Так же было установлено, что удельное электрическое сопротивление данного

11

композита возрастает с уменьшением температуры. В [27] на модели ядро-оболочка изучена зависимость намагниченности антиферромагнитной наночастицы от ее формы. Тем самым, показано, что намагниченности нанодиска, нанопроволоки и сферической частицы могут отличаться в несколько раз.

В [28] приведены исследования легированных наночастиц УзАЬО^ с термическим обжигом при различных температурах. В [29] на примере наночастиц СсГГе, легированных Р205-Ыа20-7п0 - 1л20 исследовано влияние концентрации, времени отжига и температуры на ширину запрещенной зоне и размеры полупроводниковых наночастиц СсГГе.

Широкий спектр уникальных свойств наночастиц сопровождается увеличением направлений изучения их свойств. Так в [30] изучены свойства магнитных наночастиц. В [31] проведено исследование физических свойств нанокристаллического никеля: изменение диэлектрической константы от частоты при различных температурах, изменение проводимости от частоты. Свойства и применения квантовых точек гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии показаны в [32]. Низкотемпературное гидрирование наночастиц железа на графене изучено в работе [33]. В [34] изучены каталитические свойства наноразмерных алюминатов цинка.

Также известны работы об исследовании влияния среды на свойства наночастиц: в [35] рассмотрено хемосорбция кислорода на наночастицах золота, в [36] на никеле. В исследовано влияние гамма-облучения на процессы адсорбции и десорбции водорода в углеродных микроволокнах в [37].

Исследование уникальных свойств наночастиц увеличивает область их применения. Так, например, известно об использовании в медицине наночастиц серебра для получения разнообразных материалов с бактерицидными свойствами [38-43], а наночастицы золота могут быть использованы для

повышения эффективности и уменьшения побочных эффектов в радиотермальной терапии опухолей [38, 43-46].

Таким образом, изучены свойства и особенности различных наночастиц. В данной диссертационной работе мною проведены исследования свойств нового, неизученного ранее наноструктурированного материала, состоящего из большого числа шарообразных наночастиц. В этой работе исследуется влияние изменения состояния поверхности наночастиц на электрические и термоэлектрические свойства наноструктурированного материала.

1.2 Электрофизические свойства материалов, состоящих из полупроводников и полупроводниковых наночастиц

Одним из свойств многих полупроводниковых материалов является эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС). Данное явление было открыто в 1922 г. инженером Нижегородской лаборатории Олегов Владимировичем Лосевым. ОДС - свойство отдельных элементов или узлов электрических цепей, проявляющееся в возникновении на вольтамперной характеристике (ВАХ) участка, на котором напряжение и уменьшается при увеличении протекающего тока I (с1Я.=с1и/с11 < 0).

Понятие ОДС используют при рассмотрении устойчивости различных электрических и радиотехнических цепей. Если абсолютная величина ОДС элемента меньше суммы положительных сопротивлений остальных элементов цепи, то его роль сводится к частичной компенсации потерь в этой цепи. Если же она превышает эту сумму, то состояние данной цепи становится неустойчивым и может произойти переход в другое состояние устойчивого равновесия или возникновение колебаний [47]. В однородном образце полупроводника в области существования ОДС неустойчивость может приводить к разбиению образца на участки сильного и слабого поля

(доменная неустойчивость) для характеристики Л/-типа или шнурованию тока по сечению образца для характеристики ¿»'-типа. При ОДС //-типа одному значению силы тока I в области значений от // до 12 соответствует несколько значений напряжения и, при З'-типе наоборот - одному значению и из области значений от (У/ до \]2 соответствует несколько значений /

В общем случае ОДС представляет собой функцию напряжения (тока) и частоты со, т. е. понятие ОДС сохраняет смысл для соответствующих компонент Фурье: R(w)=dU(,w)/dI(w) [47], где R, Uni- сопротивление, напряжение и сила тока соответственно, зависящие от частоты ю. Также необходимо отметить, что ОДС имеет место лишь в некоторой ограниченной области значений токов и напряжений, а за пределами данной области dU/dI>0. В [50] исследована частотная зависимость ОДС. Также исследованы эффекты ОДС в нанопроволоках [51] и между лентами в бислое графена [52].

Электрофизические свойства материалов, состоящих из наночастиц, представляют собой обширный предмет современных исследований. Так в [53] исследованы электрические свойства структуры «металл - диэлектрик —

(рис.1.1) [48].

И

Рисунок 1.1- Вольтамперная характеристика с ОДС: a) N- типа; б) S - типа [49].

металл» (МДМ). В качестве диэлектрика для структуры МДМ в [53] применялись монослои шарообразных наночастиц А12Оз или 2Ю2. В данной работе был обнаружен механизм электропроводности, при котором дифференциальное сопротивление (Ш/с13 является отрицательным и обратимо приближается к нулю при увеличении силы тока 3. В основе работы [53] лежит гипотеза, что при наличии тонкой пленки полупроводника на поверхности наночастиц или электродов такие «точечные» контакты (размером порядка 1 нм) частицы с электродом могут моделировать электрические свойства квантовых точек. В [53] показан один из примеров ОДС: при увеличении приложенного к структуре МДМ электрического напряжения и сила тока 3 через эту структуру сначала монотонно возрастает, затем при достижении порогового значения напряжения С/ = IIх, где £/* = 5-40 V, сопротивление структуры Я = ¿//У скачком уменьшается (рис.1.2). При последующем увеличении силы тока 3 происходит уменьшение сопротивления Я более чем на в 104 раз по сравнению с его начальным значением в состоянии «слабой» электропроводности, а напряжение и уменьшается, асимптотически приближаясь к значению £/„>, где иж — 3—8 V [53]. Также в данной работе показано, что механизм электропроводности структуры зависит от диаметра частиц диэлектрика с1. Так, например, напряжение £/«,, соответствующее пределу 3 —> оо, уменьшается при уменьшении с1.

В работах [53,54] на примере слоев шарообразных наночастиц 2Ю2 и А120з представлено влияние атомарного газа на свойства структуры МДМ. Так показано увеличение электропроводности и её зависимость от полярности приложенного электрического напряжения в структуре МДМ после выдержки данной структуры в среде атомарного кислорода или атомарного водорода (рис. 1.3 и рис. 1.4).

и, V

Рисунок 1.2 - Зависимость плотности электрического тока через контакты «алюминий — слой частиц АЦОз- алюминий» от электрического напряжения между алюминиевыми электродами. Квадратики - увеличение электрического тока, кружочки - уменьшение электрического тока; а= 100 гш1, 0 — 0.5, Т = 295 К [53].

В работе [55] показано, что при значениях напряжения 0 В < и < 4 В электропроводность структуры «металлическая подложка - слой частиц АЬОз - металлическая подложка» составляет ~ 10 16 А (В-см)При последующем увеличении приложенного напряжения электропроводность этой структуры заметно увеличивается и при 5В<[/<18В вольтамперная зависимость в этой структуре подчиняется уравнению Фаулера - Нордгейма, с образованием излома при и ~ 5 В. Это связано с тем, что электропроводность зазора между подложками, примерно равного 100 нм, обусловлена автоэлектронной эмиссией. При £/>14 В происходит электрический пробой, сопровождающийся резким уменьшением сопротивления и возрастанием силы тока. После обработки металлической подложки с нанесённым слоем частиц АЬ03 в среде атомарного кислорода электрическая прочность

структуры «металлическая подложка - слой наночастиц диэлектрика —

16

металлическая подложка» заметно возрастает. При этом уменьшается ток автоэлектронной эмиссии с поверхности, обработанной атомарным кислородом [55].

СЛ V

Рисунок 1.3 - Зависимость плотности электрического тока через контакты «алюминий - слой частиц А1203 - алюминий» от величины и полярности электрического напряжения между алюминиевыми электродами после обработки алюминиевого электрода с нанесенными частицами АЬОз атомарным кислородом. Условие и> 0 соответствует присоединению «плюса» источника электрического тока к необработанному атомами кислорода электроду. с1= 60 пш, в = 0.7, Т= 295 К [53].

Уникальные свойства структуры МДМ с монослоем шарообразных наночастиц оксидов металлов в качестве диэлектрика показаны в работе [54]. Эти свойства обусловлены шарообразной формой частиц и прохождением электронов через пространство (зазоры) между частицами и плоскими электродами вследствие туннельного эффекта или автоэлектронной эмиссии.

17

В работе [54] в качестве диэлектрика использовались шарообразные частицы 2Ю2, А1203, СиО и №0.

6

5

4

1

о

Рисунок 1.4 - Зависимость плотности электрического тока через контакты «алюминий - слой частиц Тх02 ~ алюминий» от электрического напряжения между алюминиевыми электродами: 1 — до; 2, 3 — после обработки алюминиевого электрода с нанесенными частицами Тг02 атомарным кислородом. К необработанному атомами кислорода электроду присоединен плюс (2) или минус (3) источника электрического тока. 1 — с1 = 130 пш, 0 = 0.8; 2, 3 — с1 = =70 пш, 0 = 0.7. Кружочки — увеличение электрического тока, точки — его

уменьшение. Т = 295 К [54].

Воздействие атомарным кислородом или атомарным водородом на

частицы диэлектрика структуры МДМ приводит к тому, что контакты частиц

с одним из электродов становятся омическими. Увеличение уровня инжекции

электронов или дырок (тока через частицы) сопровождается увеличением

прозрачности потенциальных барьеров на межфазных границах, сквозь

которые проходят электроны и дырки. Вследствие наличия двойной

инжекции возникает электронно-дырочная плазма в объеме частиц

18

Т-I-—-)-5-1 ' ■•■■.........--—т———1-—-Г

О

- а я, ■

.....,.„,—¡,„,,,......„.д,,,,—„„..л,............—|,„.....1.„,..:„д8,-_„,„,г........

О 5 10 15 20 25 3« 35 40

V. V

диэлектрика. При этом происходит уменьшение сопротивления структуры МДМ. Вследствие чего с увеличением силы тока J ОДС структуры МДМ стремится к нулю, а падение напряжения на электродах приближается к асимптотическому значению U,приблизительно равному сумме падений напряжений на контактах частицы с электродами [54].

Г, К

Рисунок 1.5 — Температурная зависимость электропроводности монокристаллов У6Оц в координатах ^(о)—Т[56].

Особенности электропроводности кристаллов У6Оц показаны в работе [56]. Ванадий - элемент побочной подгруппы пятой группы, т.е. относится к переходным металлам, а, как известно, особенностью переходных металлов является их способность образовывать соединения с переменной валентностью. На рис. 1.5 представлена температурная зависимость электропроводности оксида ванадия УбОц в интервале температур 55-330 К. На данном рисунке можно выделить три участка, которые соответствуют металлической фазе, области фазового перехода и диэлектрической фазе [56]. При температурах выше 170 К оксид ванадия является металлом. Величина электропроводности У6Оц при комнатной температуре составляет

19

3 — 1 _ 1 ы 10 Ом см , что совпадает с моттовским пределом минимальной

металлической проводимости [57].

В работе [58] исследованы коэффициенты диффузии электронов и удельной электропроводности двуслойного графена во внешнем электрическом поле, вектор напряженности которого направлен вдоль графенового листа и получены зависимости данных коэффициентов величины внешнего электрического поля для различных значений напряжения между слоями графена (рис. 1.6).

Рисунок 1.6 - Зависимости электропроводности <з(Е) (а) и коэффициента диффузии О(Е) (Ь) бислоя графена от величины напряженности Е электрического поля при различных значениях электростатического потенциала между слоями графена: 1 — 11= 0.1, 2 — 0.5 V, 3 — 2 V,

4 —5 V [58].

Из рисунка 1.6а видно, что зависимость а(Е) имеет характерный вид для полупроводников: монотонно уменьшается с увеличением напряженности и асимптотически стремиться к насыщению. Это связано с увеличением заполнения электронами всех возможных состояний зоны проводимости [58]. Данные зависимости качественно согласуются с литературными данными [59-61], характер изменения электропроводности под действием внешнего

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Сергеев, Владимир Олегович, 2014 год

Список использованной литературы

1. Юрков, Г. Ю. Научные основы получения новых композиционных функциональных материалов на основе металлсодержащих наночастиц D-элементов и полимерных матриц (полиэтилена и политетрафторэтилена) и исследование их физических и химических свойств [Текст]: дис. ... доктора технических наук: 05.17.06, защищена 01.07.2009 / Юрков Глеб Юрьевич. -Саратов, 2009.-612с.

2. Moriarty, Ph. Nanostructured materials [Текст] / Ph. Moriarty // Rep. Prog. Phys. - 2001. - v.64. - pp.297-381.

3. Гусев, А.И. Нанокристаллические материалы [Текст] / А.И. Гусев, А.А. Ремпель // М: Физматлит. - 2000. - 222с.

4. Губин, С.П. Магнитные наночастицы: методы получения, строение и свойства [Текст] / С.П. Губин, Ю.А. Кокшаров, Г.Б. Хомутов, Г.Ю. Юрков // Успехи химии. — 2005. — Т. 74. - вып.6. - С. 539-574

5. R.Turton The Quantum Dot [Text] / R.Turton // Oxford. - Spectrum.-

2000.

6. Wang, K.L. Quantum Dots: Physics and Applications in Optics of Nanostructured Materials [Text] / K.L.Wang, A.A.Balandin // Ed. V.A.Markel and T.F.George, J.Wiley. - New York. - 2001. - p.515

7. Efros, A. L. Interband Absorption of Light in a Semiconductor Sphere [Text] / A. L. Efros, Al. L. Efros // Soviet Physics - Semiconductors. - 1982. -Vol. 16. - No. 7. - pp. 772-775.

8. Екимов, А.И. Размерное квантование энергетического спектра электронов в микрокристаллах полупроводников [Текст] / А.И. Екимов, А.А.Онущенко // Письма В ЖЭТФ. - 1984. - т.40. - вып.8. - с.337-340.

9. Ekimov, A.I. Quantum size effect in semiconductor microcrystals [Text] / A. I. Ekimov, Al.L.Efros, A.A.Onushchenko // Solid State Commun. -1985.-vol.56.-pp. 921-924.

10. Екимов, А.И. «Комплексный источник» в вещественном пространстве [Текст] / А.И.Екимов, А.А.Онущенко // ФТП. - 1982. - том. 16. -вып. 7.-с. 1215-1223.

11. Леденцов, H.H. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры Обзор [Текст] / H.H. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьёв, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг // ФТП. - 1998. - том 32. - вып. 4. - с.385-410.

12. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures [Text] / D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov // Wiley. -1998. -p338.

13. Севрюк, В.А., Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек [Текст] / В.А. Севрюк, П.Н. Брунков, И.В. Шальнев, A.A. Гуткин, Г.В. Климко, C.B. Гронин, C.B. Сорокин, С.Г. Конников // ФТП. - 2013. - том 47. - вып. 7. - с.921-926.

14. Кульчин, Ю.Н. Спектр пропускания света диэлектрическими наночастицами в объемных гетерокомпозитах [Текст] / Ю.Н. Кульчин, В.П. Дзюба, A.B. Щербаков // ФТП. - 2009. - том 43. - вып. 3. - с.349-356

15. Martn, J. I. Ordered magnetic nanostructures: Fabrication and properties [Text] / J. I. Martn, J. Nogues, K. Liu, J. L. Vicent, I. K. Schuller // Journal of magnetism and magnetic materials. - 2003. - V.256. - P.449-501.

16. Бизяев, Д.А. Наночастицы и нанопроволоки никеля, полученные с помощью сканирующей зондовой литографии методом точечного индентирования [Текст] / Д.А. Бизяев, A.A. Бухараев, Д.В. Лебедев, Н.И. Нургазизов, Т.Ф. Ханипов // Письма в ЖТФ. - 2012. - том 38. - вып. 14. — с.8-15.

17. Головин Ю.И. Морфология и кинетика роста наночастиц Ni на поверхности многостенных углеродных нанотрубок при гальваностатическом электроосаждении [Текст] / Ю.И. Головин, P.A. Столяров, A.B. Шуклинов // ЖТФ. - 2013. - том 83. - вып. 8. - с. 105-109.

18. Помогайло, А.Д. Наночастицы металлов в полимерах [Текст] / А.Д. Помогайло, А.Т. Розенберг, И.Е Уфлянд // М.: Химия, 2000. — 670 с.

19. Guangjun, Cheng Synthesis and self-assembled ring structures of Ni nanocrystals [Text] / Cheng Guangjun, Victor F. Punies, Ting Guo // Journal of Colloid and Interface Science. —2006. — v.293. —pp.430-436.

20. Wu, Hui Electrospinning of Fe, Co, and Ni Nanofibers: Synthesis, Assembly, and Magnetic Properties [Text] / Hui Wu, Rui Zhang, Xinxin Liu, Dandan Lin, Wei Pan // Chem. Mater. — 2007. — v. 19. — pp.3506-3511.

21. Логинов, А.В. Методы получения металлических коллоидов [Текст] / А.В. Логинов, В.В. Горбунова, Т.Б. Бойцова // Журнал общей химии. — 1997.- Т. 67. - вып. 2. - С. 189-200.

22. Губин, С.П. Получение, строение и свойства магнитных материалов на основе кобальтсодержащих наночастиц [Текст] / С.П. Губин, Ю.Л. Кокшаров // Неорг. материалы. — 2002. — Т. 38. — № 11. — С. 12871304.

23. Lee М.К. Магнитные свойства ряда нанокомпозитов на основе опаловых матриц [Текст] / М.К. Lee, Е.В. Чарная, С. Tien, М.И. Самойлович, L.J. Chang, В.М. Микушев // ФТТ. - 2013. - том 55. - вып. 3. - с.572-576.

24. Smovzh , Dmitry V. Synthesis of Hollow Nanoparticles y-A1203 [Text] / Dmitry V. Smovzh, Nikolay A. Kalyuzhnyi, Alexey V. Zaikovsky, Sergey A. Novopashin // Advances in Nanoparticles. -2013. - v.2. - pp. 120-124.

25. Тюрнина A.E. Синтез и исследование стабильных коллоидных растворов наночастиц меди [Текст] / А.Е. Тюрнина, В.Я. Шур, Р.В. Козин, Д.К. Кузнецов, В.И. Пряхина, Г.В. Бурбан // ФТТ. - 2014. - том 56. - вып. 7. -с.1379-1385.

26. Иванов О.Н. Электропроводность объемного композита на основе наночастиц Bi2Te3@Si02 [Текст] / О.Н. Иванов, О.Н. Марадудина, Р.А. Любушкин // Письма в ЖТФ. - 2014. - том 40. - вып. 2. - с.37-44.

27. Маньков Ю.И. Влияние формы антиферромагнитной наночастицы на ее намагниченность [Текст] / Ю.И. Маньков, Р.Г. Хлебопрос //ЖТФ.-2012.-том 82.-вып. 5.-с. 157-158

28. Kaithwas, N. Investigations on Single Phase Formation of Dy Doped Y3AI5O12 Nanoparticles [Text] / N. Kaithwas, M. Dave, S. Kar, К. S. Bartwal // OPEN JOURNAL OF MODERN PHYSICS.-2014.- V.l.-N. l.-pp.29-33.

29. Wageh, S. Optical Properties and Activation Energy of a Novel System of CdTe Nanoparticles Embedded in Phosphate Glass Matrix [Text] / S. Wageh, Anwer A. Higazy, Mohammed A. Algradee // Journal of Modern Physics. - 2011. - v.2. - pp.913-921.

30. Trohidou, K. Monte Carlo Studies of Magnetic Nanoparticles [Text] / К. Trohidou, M. Vasilakaki // Applications of Monte Carlo Method in Science and Engineering. - 2011. - v.20. - pp.513-538.

31. Satish Study of physical properties of nanocrstalline nickel [Text] / Satish, G.S. Okram and Nitish Gupta // International Journal of Engineering Research and Development. -2012. - v.3. - i.5. - pp.41-46

32. Henini, M. Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Text] / M. Henini // Nanoscale Res Lett. - 2006. - v.l. - pp.32-45

33. Takahashi, Keisuke Low temperature hydrogénation of iron nanoparticles on grapheme [Text] / Keisuke Takahashi, Yongming Wang, Shotaro Chiba, Yuki Nakagawa, Shigehito Isobe, Somei Ohnuki // Japan, Graduate School of Engineering, Hokkaido University. - 2014. -N-13, W-8. - pp. 1-4.

34. Ragupathi, C. Catalytic properties of nanosized zinc luminates prepared by green process using Opuntia dilenii haw plant extract [Text] / C. Ragupathi, J.Judith Vijaya, S. Narayanan, L.John Kennedy, Seeram Ramakrishna // Chinese, Journal of Catalysis. - 2013. - v. 34. - pp.1951-1958.

35. Franceschetti, A. Oxygen chemisorption on Au nanoparticles [Text] / A.Franeesehetti, S.J. Pennycook, S.T. Pantelides // Chemical Physics Letters. — 2003. - n.374. - pp. 471-475.

36. Chenna, Santhosh In situ environmental transmission electron microscopy to determine transformation pathways in supported Ni nanoparticles [Text] / Santhosh Chenna, Peter A. Crozier // Micron. - 2014. - v.43. - n.l 1. - pp.1188— 1194.

37. Mota, Cesar Effects of Gamma Irradiation on the Kinetics of the Adsorption and Desorption of Hydrogen in Carbon Microfibres [Text] / Cesar Mota, Mario Culebras, Andrés Cantarero, Antonio Madroñero, Clara Maria Gómez, Jose María Amo, Jose Ignacio Robla // Advances in Materials Physics and Chemistry. - 2013. - v.3. - pp. 153-160.

38. Сергеев, Г.Б. Нанохимия [Текст] / Г.Б. Сергеев // М.: Изд-во МГУ. 2003.-288 с.

39. Евстигнеева, Р.П. Лиганды БАВ в нанохимии серебра и золота [Текст] / Р.П. Евстигнеева, В.П. Пчелкин // Химико-фармацевтический журн.

- 2006. - Т.40. - С.34.

40. Егорова, Е.М. Бактерицидные и каталитические свойства стабильных металлических наночастиц в обратных мицеллах [Текст] / Егорова Е.М., Ревина А.А., Ростовщикова Т.Н. и др. // Вестник МГУ. — 2001.

- Сер.2. - Химия. - Т.42. - №5. - С.332.

41. Егорова, Е.М. Наночастицы металлов в растворах: биохимический синтез и применение [Текст] / Егорова, Е.М. // Нанотехника. - 2004. — №1. - С. 15-26.

42. Egorova, Е.М. Biological effects of silver nanoparticles. In: "Silver nanoparticles: properties, characterization and applications" [Text]. (Ed. by Audrey E. Welles) / Egorova, E.M. // New York: Nova Science Publishers. - 2010. -P.221-258.

43. Huang, X. Gold nanoparticles: interesting optical properties and recent applications in cancer diagnostics and therapy [Text] / X. Huang, P.K. Jain, I.H. El-Sayed et al. // Nanomedicine. - 2007. - V.2. - n.5. - P.681.

44. Арчаков, А.И., Аналитические нанотехнологии в диагностической протеомике [Текст] / А.И. Арчаков, Ю.Д. Иванов // Научные основы и перспективы развития онкологии. Нанотехнологии и наноматериалы в медицине: сб. матер. XIX (82) сессии Общего собрания РАМН, 20-21 дек. 2007. - М.: Медицина. - 2008. - С. 144-158.

45. Васильева, С.В. Оксид азота (NO) - регулятор генетической нестабильности клеток при анаэробном культивировании [Текст] / С.В. Васильева, Д.А. Стрельцова // Материалы V Московского международного конгресса. Биотехнология: состояние и перспективы развития. - 2009. - 4.1. - с. 207.

46. Norman S. Photothermal Destruction of the Bacterium Pseudomonas Ariginosa by Gold Nanorods [Text] / S. Norman, J.W. Stone, A. Gole et al. // Nano Letters. - 2008.- V.8(l) . - P.302.

47. Бонч - Бруевич, В. Jl. Физика полупроводинков [Текст] / В. Л. Бонч - Бруевич, С. Г. Калашников // М., 1977. - 678с.

48. Hvvu, R. J. Negative Differential Resistance (NDR) Frequency Conversion with Gain [Text] / R. J. IIwu, R. W. Aim, and S. C. Lee // Third International Symposium on Space Terahertz Technology. — 1992. - pp.457-476.

49. Sugaya, T. Negative differential resistance of a ridge-type InGaAs quantum wire field-effect transistor [Text] / T. Sugaya, K.-Y. Jang, C.-K. Hahn et al. // Journal of Applied Physics. - 2005. - v.97. - n.3. - pp.l 681-1683.

50. Ayayyay Masum Habib, К. M. Negative differential resistance in bilayer graphene nanoribbons nanoribbons [Text] / К. M. Masum Habib, Ferdows Zahid Roger K. Lakeb // Applied physics letters. - 2011. - v.98. - i. 192112, pp.l -3.

51. Коростелев, Д. А. Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки [Текст]: дис. ... канд. физико-математических наук: 01.04.10: защищена 29.03.2012: утв. 01.04.2013 / Коростелев Дмитрий Александрович. - Курск, 2012. - 139 с.

52. Серьезное, А.Н. Негатроника [Текст] / А.Н. Серьезное, JT.H. Степанова, H.A. Филинюк и др. - Новосибирск: Наука. - Сибирская издательская фирма РАН. - 1995. - 315 с.

53. Харламов, В.Ф. Электропроводность структуры металл -диэлектрик - металл со слоем наночастиц оксидов металлов в качестве диэлектрика [Текст] / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Письма в ЖТФ. - 2011. - Т. 37. - Вып. 11. - С. 4350.

54. Харламов, В.Ф. Электрические свойства структуры металл -наночастицы диэлектрика - металл [Текст] / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, O.A. Миловидова // ФТТ. - 2012. - том 54. - вып.6. - с. 12041210.

55. Коростелев, Д.А. Метод увеличения электрической прочности наноструктуры в сильных электрических полях [Текст] / Д.А. Коростелев, В.Ф. Харламов, И.Г. Богораз // Тезисы докладов Московской конференции-конкурса молодых учёных, аспирантов и студентов «Физикохимия - 2009». Секция «Физикохимия нано- и супрамолекулярных систем» / Москва, Россия, 2009. - М.: Изд-во ИФХЭ РАН. - 2009. - С. 34.

56. Андреев, В.Н. Особенности электропроводности УбОц [Текст] / В.Н. Андреев, В.А. Климов// ФТТ. -2013. - том 55. - вып. 9. - с.1717-1722

57. Гантмахер, В.Ф. Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью [Текст] / В.Ф. Гантмахер // Физика низких температур. - 2013. - т. 39. - № 1.-е. 5—10.

58. Белоненко, М.Б. Электропроводность и коэффициент диффузии электронов в бислое графена [Текст] / М.Б. Белоненко, Н.Г. Лебедев, С.А. Судоргин // ЖТФ. - 2012. - том 82. - вып. 7. - с. 129-133.

59. Лозовик, Ю.Е. Коллективные электронные явления в графене [Текст] / Ю.Е. Лозовик, С.П. Меркулова, A.A. Соколик // УФН. - 2008. - Т. 178.-№7. С.757-776.

60. Морозов, C.B. «Электронный транспорт в графене [Текст] / C.B. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм // УФН. - 2008. - Т. 178. - № 7. - С. 776780.

61. Елецкий, A.B. Графен: методы получения и теплофизические свойства [Текст] / A.B. Елецкий, И.М. Искандарова, A.A. Книжник, Д.Н. Красиков // УФН. - 2011. - Т. 181. - № 3. - С. 233-268.

62. Дыкман, И.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках [Текст] / И.М. Дыкман, П.М. Томчук // Киев: Наукова думка. -1981.-320с.

63. Омельченко, О.Д. Влияние степени окисления графена на электрическую проводимость нанокомпозитов на основе комплекса полианилина [Текст] / О.Д. Омельченко, О.Л. Грибкова, А.Р. Тамеев, A.B. Ванников // Письма в ЖТФ. - 2014. - том 40. - вып. 18. - с.66-71.

64. Исаев, А.И. Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5, содержащего примеси редкоземельных атомов E11F3, в сильных электрических полях [Текст] / А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, В.З. Зейналов // ФТП. - 2012. - том 46. - вып. 9. -с.1138-1142.

65. Борзяк, П.Г. Электронные процессы в островковых металлических плёнках [Текст] / П.Г. Борзяк, Ю.А. Кулюпин. — Киев: Наукова думка. - 1980. - 240 с.

66. Москалюк, O.A. Электропроводность полипропиленовых волокон с дисперсными углеродными наполнителями [Текст] / O.A.

Москалюк, А.Н. Алешин, Е.С. Цобкалло, A.B. Крестинин, В.Е. Юдин // ФТТ. -2012.-том 54.-вып. 10.- 1993-1998.

67. Летенко, Д.Г. Механизм переноса заряда в водных дисперсиях фуллероидных наночастиц (эффект «дополнительной проводимости») [Текст] / Д.Г. Летенко, A.C. Иванов, В.А. Никитин и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. — 2013. — № 1 (1) . — с. 112-117.

68. Shinde, A.B. Structural and Electrical Properties of Cobalt Ferrite Nanoparticles [Text] / A.B. Shinde // International Journal of Innovative Technology and Exploring Engineering. - 2013. - V.3. - pp.64-67.

69. Ksenevich, V. K. Electric properties of ni-nanoparticles arrays [Text] / V. K. Ksenevich, T. A. Dauzhenka, I. A. Bashmakov, A. D. Wieck // 4-ая Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», Минск, Беларусь. - 2010.- с.215-218.

70. Тюриков, Е.В. О роли наноразмерных частиц оксида алюминия в саморегулируещемся электролите хромирования [Текст] / Е.В. Тюриков, В.В. Семенычев, В.А. Ильин // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. - 2012. - том 14. - №4(3). - с.802-807.

71. Снарский, A.A. О предельных значениях добротности термоэлектрических композитов [Текст] / © A.A. Снарский, М.И. Женировский, И.В. Безсуднов // ФТП. - 2008. - том 42. - вып. 1. - с.82-86.

72. Шостаковский, П. Современные решения термоэлектрического охлаждения [Текст] / П. Шостаковский // Компоненты и технологии. -2009. — №12. -с. 120.

73. Харламов, В.Ф. Термоэлектрическая добротность материалов, состоящих из частиц полупроводника или металла [Текст] / Харламов В.Ф // ЖЭТФ, 2013.-том 144.-вып. 1.-С.97-103.

74. Марков О.И. Влияние примесей редкоземельных элементов и распределения компонентов на кинетические свойства и термоэлектри-

ческую эффективность сплавов висмут-сурьма: автореф. дис. ... д.ф-м.н. — Курск. - КГТУ. - 2011. - 37с.

75. Патрушева, Т.Н. Термоэлектрическая добротность в низкоразмерной полупроводниковой среде [Текст] / Т.Н. Патрушева, С.А. Подорожняк, Г.Н. Шелованова // Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies. - 2013. - том.6. - вып. 6. - с.657-664.

76. Кульбачинский, В.А. Термоэлектрические свойства BiTel с Bib, Cul и сверхстехиометрическим висмутом [Текст] / В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, З.В. Лаврухина, А.Н. Кузнецов, А.В. Маркелов, А.В. Шевельков // Физика и техника полупроводников. - 2011. - т.45. - вып.7. - с.874-878.

77. Снарский, А.А. О предельных значениях добротности термоэлектрических композитов [Текст] / © А.А. Снарский, М.И. Женировский, И.В. Безсуднов // ФТП. - 2008. - том 42. - вып. 1. - с.82-86.

78. Harman, Т.С. Quantum Dot Superlattice Thermoelectric Materials and Devices [Text] / T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge // Science. -2002.- 297. - pp.2229-2232.

79. Абрютин, В. Применение нанотехнологий для создания высокоэффективных термоэлектрических материалов [Текст] / В. Абрютин, С. Нестеров, В. Романько, А. Холопкин // Наноиндустрия. - 2010. - Вып. 1. — С. 24-26.

80. Venkatasubramanian, R. Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit [Text] / R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T.Colpitts, B. O'Quinn // Nature. - 2001. - v.413. - pp.597-602.

81. Шевельков А.В. Аномально низкая теплопроводность и термоэлектрические свойства новых катионных клатратов в системе Sn-In-As-I [Текст] / А.В. Шевельков, Е.А. Кельм, А.В. Оленев, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин//ФТП.-2011.-том 45.-вып. 11.-е. 1454-1458.

82. Golev, I.M. Thermoelectric Properties of Compacted Micro- and Nanodisperse Graphite Materials [Text] / I.M. Golev, V.N. Sanin // journal of nano- and electronic physics. - 2014. - v.6. - n.3, i.03063. - pp. 1-2.

83. Kim, Il-Ho Thermoelectric properties of Cu-dispersed Bio.5Sb1.5Te3 [Text] / Il-Ho Kim, Soon-Mok Choi, Won-Seon Seo and Dong-Ik Cheong // Nanoscale Research Letters. - 2012.- v.7. - n.2. - pp. 1-6

84. Белоусов, В. А. Термоэлектрические свойства гранулированных нанокомпозитов металл-диэлектрик: дис. ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07, защищена 16.10.2007 / Белоусов, Владислав Александрович. - Воронеж, 2007. - 154с.

85. Huseynov, J. I. The Influence of y-Irradiation on Thermoemf and Heat Conduction of Ln0.01Sn0.99Se (Ln-Pr,Tb,Er) - Monocrystals / Jahangir Islam Huseynov, Tapdiq Asian Jafarov // World Journal of Condensed Matter Physics. -2014.- y.4. - pp. 1-5.

86. Алиева, А. П. Межслоевые нанофрагменты в соединениях A2vB3vi [Текст] / А. П. Алиева, С. Ш. Кахраманов, Ф. К. Алескеров, Э. М. Магерамов // МНПК «Современные информационные и электронные технологии». -2013. - том 2. - с. 193.

87. Щенников, В.В. Термоэдс и электросопротивление монокристаллов СиО при высоких давлениях [Текст] / В.В. Щенников, Б.А. Гижевский, А.А. Самохвалов, С.В. Наумов. // Журнал технической физики. - 1995. - том 65. - вып.12. - с.132-135.

88. Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах: Учебное пособие для физических специальностей вузов [Текст] / Струков Б. А., Леванюк А. П // 2-е изд., перераб.и доп. - М.: Наука. - 1995. — 304 с.

89. Шалыгина Е.Е. Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства пленок Ni [Текст] / Е.Е. Шалыгина, Л.В. Козловский, Н.М. Абросимова, М.А. Мукашева // ФТП. - 2005. - том 47. - вып. 4. - с.660-665.

90. Волнянский, Д.М. Поляризационные свойства кристаллов Li2-xNaxGe409 (0.2 < х < 0.3) в сегнетофазе [Текст] / Д.М. Волнянский, А.Ю. Кудзин, М.Д. Волнянский // ФТТ. - 2007. - том 49. - вып. 2. - с.320-326.

91. Ландау, Л.Д. Теоретическая физика. Т.8. Электродинамика сплошных сред [Текст] / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц // "Физматлит» 4-е изд., стереот, М. (2005). - 656 с.

92. Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах [Текст] / Б.А. Струков, А.П. Леванюк // Наука, М., 1995. - 302 с.

93. Берман, Л.С. Моделирование гистерезиса структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник [Текст] / Л.С. Берман // ФТП. - 2001. — том 35.-вып. 2.-с.200-202.

94. Виноградов, B.C. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов PbuxSnxTe (х=0.25), легированных индием [Текст] / B.C. Виноградов, И.В. Кучеренко // ФТТ. - 1991. - том 33. - вып.9. - с.2572-2578.

95. Lahmar, Abdelilah Correlation between structure, dielectric, and ferroelectric properties in BiFe03-LaMn03 solid solution thin films [Text] / Abdelilah Lahmar, Salah Habouti, Claus-Henning Solterbeck, Mohammed Es-Souni, Brahim Elouadi //journal of applied physics. -2009. - v. 105. - i.014111.-pp.1-8.

96. Ioselevich A.S. Percolation with excluded small clusters and Coulomb blockade in a granular system [Текст] / A.S. Ioselevich, D.S. Lyubshin // Письма ЖЭТФ. - 2009. - том 90. - вып. 10. - с. 746-752.

97. Гриднев C.A. Перенос заряда и диэлектрические свойства гранулированных нанокомпозитов Cox(LiNb03)ioo-x [Текст] / С.А. Гриднев, А.Г. Горшков, А.В. Ситников, Ю.Е. Калинин // 2006. - ФТТ. - том 48. -вып.6.-с.1115-1117.

98. Рожанский, И.В. Моделирование электрических свойств поликристаллических керамических полупроводников с субмикрометровыми

размерами зерен [Текст] / И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм // 2005. - ФТП. -том 39. - вып. 5. - с.608-615.

99. Луцев, Л. В. Электронный транспорт в гранулированных пленках аморфного углерода с наночастицами кобальта [Текст] / Л. В. Луцев, Т. К. Звонарева, В. М. Лебедев // Письма ЖТВ. - 2001. - том 27. - вып. 15.-е. 8489.

100. Strukov, В.A. Ferroelectric phenomena in crystals / В.A. Strukov, A.P. Levanyuk // Berlin, 1998, Springer. -340 p.

101. Балашова, E.B. Слабо- и сильносигнальный диэлектрический отклик в монокристаллической пленке частично дейтерированного бетаинсфита [Текст] / Е.В. Балашова, Б.Б. Кричевцов, В.В. Леманов // ФТТ. -2011. - том 53. - вып.6. - с.1150-1156.

102. Харламов, В.Ф. Термоэлектрическая добротность материалов, состоящих из частиц полупроводника или металла [Текст] / Харламов В.Ф // ЖЭТФ. -2013.-том 144.-вып. 1.-с.97-103.

103. Бонч-Бруевич, В.Л. Физика полупроводников [Текст] / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников // Москва, Наука, 1990. - с.553.

104. Харламов, В.Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами [Текст]: дис. ... канд. физ.-мат. наук: / Харламов Владимир Федорович. - Томск, 1976. — 177с.

105. Харламов, В.Ф. Электрические свойства полупроводниковых квантовых точек [Текст] / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.А. Миловидова, В.О. Сергеев // ФТП. - 2013. - том 47. - вып. 4. - с.473-479.

106. Черепнин, Н.В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике [Текст] / Н.В. Черепнин. - М.: Атомиздат, 1967. - 408 с.

107. Харламов, В.Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты [Текст] / В.Ф. Харламов. - Томск: Изд-во Том. унта, 1994.-207 с.

108. Роберте, М. Химия поверхности раздела металл — газ [Текст] / М. Роберте, Ч. Макки // Мир, Москва, 1981. - 539с.

109. Измайлов, Ш.Л. Взаимодействие атомов и молекул водорода с ZnS и СаО [Текст] / Ш.Л. Измайлов, В.Ф. Харламов // Кинетика и катализ. -1982. -т.23. - вып.5. - с. 1179-1182.

110. Харламов, В.Ф. Хемосорбированные атомы и молекулы реагирующих веществ как активные центры гетерогенного катализа [Текст] / В.Ф. Харламов // Кинетика и катализ. - 2005. - т.46. - вып.4, с.497-505.

111. Харламов, В.Ф. Эмиссия электронов с поверхности твердых тел, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией [Текст] / В.Ф. Харламов, A.B. Седов, С.Н. Ромашин // Письма ЖТФ. - 2004. -т.ЗО. - вып. 18. - с. 1-9.

112. Харламов, В.Ф. Рекомбинация атомов на поверхности твердых тел и сопутствующие эффекты [Текст] / В.Ф. Харламов // Томск, Изд- во ТГУ, 1994.-е. 80, 174.

113. Харламов, В.Ф. Стимулирование электронной эмиссии атомарным водородом [Текст] / В.Ф. Харламов // Поверхность. - 1990. — т.11. - с.151-153.

114. Camino, F.E. е/3 Laughlin Quasiparticle Primary-Filling v= 1/3 Interferometer [Text] / F.E. Camino, Wei Zhou, V.J. Goldman // Phys. Rev. Lett. . -2007.-v.98.-076805.

115. Бланк, T.B. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник [Текст] / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // ФТП. - 2007. -Т.41. - вып. 11. - с.1281-1308.

116. Мельников, Д.В. Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре [Текст] / Д.В. Мельников, А.И. Подливаев // ФТП. - 1998. - том 32. - вып.2. - с.227-234.

117. Сергеев, В.О. Электропроводность наноструктурированных материалов, насыщенных атомами водорода [Текст] / В.О. Сергеев, Ф.В. Харламов, В.Ф. Харламов // Тезисы докладов XVII международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск: Изд-во УГУ. - 2014. - С. 77-78.

118. Sergeev, V. О. Conductivity of nanostructured materials, saturated hydrogen atoms [Text] / V. O. Sergeev, F.V. Kharlamov,V. F. Kharlamov // Eastern European Scientific Journal (Gesellschaftswissenschaften): Dusseldorf (Germany): Auris Verlag. - 2014. - № 5. - pp. 215-217.

119. Миловидова, O.A. Теплопроводность и термоэдс материала, состоящего из шарообразных наночастиц. [Текст] / O.A. Миловидова В.О. Сергеев, A.A. Соколов. // Известия ОрелГТУ. Серия: Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. -2013. — №4. - С. 10 — 19.

120. Сергеева, О.Н. Пироэлектрические и пьезоэлектрические свойства тонких пленок PZT на морфотропной фазовой границе [Текст] / О.Н. Сергеева, A.A. Богомолов, Д.А. Киселев и др., // ФТТ. - 2014. - том 56. -вып.4. - с.687-691.

121. Пятаков, А.П. Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики [Текст] / А.П. Пятаков, А.К. Звездин // УФН. - 2012. - т. 182. - номер 6. - с. 593-620.

122. Кабыченков А.Ф. Неоднородные эластомагнитоэлектрические эффекты в неупорядоченной среде [Текст] / А.Ф. Кабыченков, Ф.В. Лисовский // Письма в ЖЭТФ. - 2013. -том 98. - вып. 12. - с. 898 - 902.

123. Сергеев, В.О. Поляризация мелкодисперсных диэлектриков при хемосорбции водорода [Текст] / В.О. Сергеев, A.A. Соколов, В.Ф. Харламов

// Тезисы доклада XXVI Симпозиума «Современная химическая физика» -М.: Изд-во ООО «Парк - медиа». - 2014. - С.75

124. Карапетьянц, М.Х. Общая и неорганическая химия [Текст] / М.Х. Карапетьянц, С.И. Дракин // Москва, Химия. - 1992. - 588с.

125. Сергеев, В.О. Электропроводность наноструктурированных материалов, насыщенных атомами водорода [Текст] / В.О. Сергеев, Ф.В. Харламов, В.Ф. Харламов // Труды XVII международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск: Изд-во УГУ. - 2014. - С. 77-78.

126. Лифщиц, Е.М. Теоретическая физика. Физическая кинетика [Текст] / Е.М. Лифщиц, Л.П. Питаевский // Наука, Москва. - 1979. - Т. X. -Гл. IX. - 403с.

127. Бонч-Бруевич, В.Л. Физика полупроводников [Текст] / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников // Наука, Москва. - 1990. - 2-е изд. - Гл. III, с.116; Гл. XIV, с.473; Гл. XVI, с.546.

128. Ландау, Л.Д. Статистическая физика [Текст] / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц // Наука, Москва. - 1976. - 3-е изд. - Ч. 1.