Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Коростелев, Дмитрий Александрович

• Коростелев, Дмитрий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Коростелев, Дмитрий Александрович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ

1.1 Нелинейные электрические эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах

1.2 Электрические свойства наноконтактов металл - полупроводник

1.3 Эффект переключения электропроводности в тонкоплёночных структурах

1.4 Особенности механизмов электропроводности в

гетероструктурах

1.5 Постановка задачи

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1 Экспериментальная установка для изучения электрических

свойств структуры "металл - наночастицы - металл"

2.2 Автоматизированная система электрических измерений с использованием цифровых мультиметров Арра 305

2.3 Образцы

2.4 Схема электрических измерений и методика эксперимента

ГЛАВА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ

ПОДЛОЖЕК И ТОНКИХ ПЛЁНОК

3.1 Результаты исследований поверхности металлических

электродов - подложек

3.2 Результаты исследований поверхности подложек с нанесённым монослоем наночастиц

ГЛАВА 4 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ

4.1 Электрические свойства структуры "металл - наночастицы -металл" с шарообразными частицами А12Оз и

4.2 Электрические свойства структуры "металл - наночастицы -металл" с шарообразными частицами никеля и меди, содержащими

тонкие оксидные пленки на своей поверхности

4.3 Обсуждение экспериментальных результатов

4.4 Метод создания полупроводниковых квантовых точек и их электрические свойства

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования. Фундаментальные исследования явлений, происходящих в структурах с размерами менее 100 нм, дали начало развитию новой области знаний, которая вносит революционные изменения в технологии XXI века. Подобным структурам соответствует такое состояние вещества, когда в их поведении проявляются и доминируют принципиально новые явления, в числе которых квантовые эффекты, статистические временные вариации свойств и их масштабирование в зависимости от размеров структур, преобладающее влияние поверхности, отсутствие дефектов в объеме монокристаллов, значительная активность в химических реакциях, процессах сорбции, спекания, горения и т. п. Эти явления наделяют наноразмерные частицы и структуры уникальными механическими, электрическими, магнитными, оптическими, химическими и другими свойствами, которые открывают дверь в принципиально новую область манипулирования материей с применениями, трудно представимыми в обычной ситуации.

Использование в технологии полупроводниковых приборов лучевых методов, ионно-лучевых, рентгеновских и других позволяет получать приборы размером до 10-25 нм. Переход от микро- к наноразмерным элементам электронной техники приводит к увеличению потребности в объективной информации об электронных процессах, протекающих в наногетерогенных структурах.

Известны теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению механизмов электропроводности наногетерогенных структур. Однако не исследованы электрические свойства монослоя наночастиц. Перенос электронов через межфазную границу "шарообразная частица-плоский электрод" происходит в результате туннелирования с заполненных состояний по одну строну межфазной границы на свободные состояния по другую строну этой границы. Поэтому, изменяя электрическое напряжение на межфазной границе и его полярность, можно пытаться осуществить сканирующую туннельную спектроскопию поверхностных электронных состояний (ПЭС). Физические и химиче-

ские процессы, протекающие на поверхности наночастиц в активной газовой среде, изменяют ПЭС и положение уровня Ферми на поверхности. Следовательно, наблюдая изменение электрических свойств наночастиц, можно контролировать физические и химические процессы, протекающие на их поверхности.

Известны оптические свойства полупроводниковых квантовых точек (КТ). Электрические свойства КТ исследованы на моделях двумерного электронного газа, полученных методом литографии с использованием затворов из металлических электродов, ограничивающих двумерное движение электронов при наложении электрического поля. Методы получения электрических контактов к полупроводниковым КТ не разработаны.

Предмет и объект исследования. Предметом исследования является гетерогенная структура, содержащая наночастицы полупроводника. Объектами исследования служили электронные явления в структуре «металл - наночастицы - металл» (МНМ) с монослоем шарообразных наночастиц А1203, 2г02 или никеля и меди с тонкими оксидными пленками на их поверхности.

Цель работы состоит в изучении механизмов электронных явлений в структуре МНМ с монослоем шарообразных наночастиц металлов, содержащих тонкую оксидную пленку на своей поверхности, или с монослоем оксидов металлов.

Задачи исследования:

1. Разработать метод получения тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц, диаметр которых не превышает 270 нм.

2. Изучить структуру поверхности подложек и структуру тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц (распределение частиц по поверхности, определение размеров частиц и элементного состава пленок).

3. Разработать технические средства для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) структуры МНМ.

4. Исследовать влияние диаметра наночастиц оксидов металлов структуры МНМ на ее электрические свойства.

5. Исследовать влияние температуры на электропроводность структуры МНМ.

6. Исследовать влияние воздействия активной газовой средой (атомарным водородом или атомарным кислородом) на электрические свойства структуры МНМ.

7. Разработать метод получения полупроводниковых КТ.

8. Изучить электронные явления в КТ.

Научная новизна работы обусловлена изучением электрических свойств наночастиц, в том числе квантовых точек, обладающих полупроводниковыми свойствами, и определяется следующими результатами:

1. На примере структуры МНМ с шарообразными наночастицами А1203 или гг02 обнаружено явление, заключающееся в том, что дифференциальное сопротивление гетерогенной структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока. Установлено, что этот эффект обусловлен двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и тунне-лированием электронов через межфазные границы. При этом толщина потенциального барьера на межфазной границе уменьшается при увеличении уровня инжекции. Положительная обратная связь обеспечивает приближение к нулю отрицательного дифференциального сопротивления структуры МНМ при увеличении силы тока.

2. Обнаружено, что после выдержки структуры МНМ с монослоем шарообразных наночастиц А1203 или 2г02 в среде атомарного кислорода или атомарного водорода электропроводность структуры возрастает до 104 раз и зависит от полярности приложенного электрического напряжения. Эффект обусловлен изменением состояния поверхности наночастиц под действием атомов Н или О. При этом контакт наночастиц с одним из электродов может становиться запорным.

3. Установлено, что дифференциальное сопротивление структуры в виде монослоя шарообразных наночастиц никеля или меди с оксидными пленками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. Форма ВАХ структуры МНМ меняется после выдержки структуры МИМ в среде атомарного водорода: наблюдается обратимый переход из проводящего состояния в непроводящее (переключения) структуры МНМ при увеличении электрического напряжения.

4. Разработан метод, позволяющий получать полупроводниковые КТ с

1 1 _л

концентрацией до 10 см и электрические контакты к каждой из них. Установленные в опытах электрические свойства КТ объяснены с использованием представлений об эффекте кулоновской блокады и эффекте увеличения прозрачности туннельных барьеров при двойной инжекции электронов и дырок в КТ.

Теоретическая и практическая значимость.

Разработан метод получения тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц, содержащих КТ. Полученные экспериментальные результаты способствуют развитию теории электропроводности наногетерогенных структур и могут найти применение при изучении физических и химических процессов, протекающих на поверхности наночастиц и КТ.

Научные результаты, выносимые на защиту:

1. Структура «металл - наночастицы - металл» (МНМ) с монослоем шарообразных частиц А12Оз или Ъх02 (у которых наибольший диаметр с! = 100±30 нм) в зависимости от величины приложенного электрического напряжения находится в слабо проводящем или в высоко проводящем электрический ток состояниях. В высоко проводящем состоянии дифференциальное сопротивление сШ / (И структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока J.

2. После выдержки структуры МНМ с частицами А12Оз или Zr02 в среде атомарного кислорода или атомарного водорода электропроводность структуры возрастает до 104 раз и зависит от полярности приложенного электрического напряжения.

3. В высоко проводящем состоянии электропроводность структуры МНМ с частицами А1203 или Zr02 обусловлена двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и туннелированием электронов через межфазные границы.

4. Дифференциальное сопротивление структуры МНМ в виде монослоя шарообразных наночастиц (диаметром d ~ 100 нм) меди или никеля с оксидными пленками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. После действия атомарного водорода на структуру МНМ форма В АХ изменяется: ее электропроводность резко увеличивается, а при увеличении напряжения сила тока линейно зависит от напряжения, затем после увеличения напряжения выше некоторого критического значения происходит обратимый переход (переключение) в непроводящее состояние.

Достоверность результатов, полученных в диссертации, обеспечена теоретической обоснованностью используемых методов и воспроизводимостью большого числа экспериментальных данных, а так же использованием современных экспериментальных методов исследования (СТМ, АСМ, СЭМ). Кроме того, полученные экспериментальные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Личный вклад автора. Автором работы получены основные результаты, разработаны технические средства и выполнен весь объем экспериментальных исследований. Им также проведен анализ полученных экспериментальных результатов и сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности.

Диссертационное исследование соответствует п. 1 «Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе», поскольку разработана и апробирована технология получения тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц; п.2 «Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе», т.к. проведено экспериментальное изучение влияния толщины оксидной пленки на поверхности частиц меди и никеля структуры МНМ на ее электрические свойства и изучено влияние воздействия активной газовой средой (атомарным водородом или атомарным кислородом) на электропроводность структуры МНМ; п.4 «Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетерострукту-ры, контактные явления», т.к. проведено экспериментальное изучение структуры поверхности подложек и структуры тонких пленок, состоящих из слоя наночастиц; п.6 «Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах», т.к. проведено экспериментальное изучение механизма электропроводности структуры МНМ с монослоем шарообразных наночастиц; п. 19 «Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур» (в соответствии которому разработаны методы измерения вольтамперных характеристик структуры МНМ) паспорта специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников».

Апробация работы: основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях ОрелГТУ (2010 г., 2011 г.), X Юбилейной международной научной конференции "Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии" (г. Ставрополь, 2010 г.), XXII Всероссийском Симпозиуме «Современная химическая физика» (г. Туапсе, 2010 г., 2011 г.), Московской конференции - конкурс молодых ученых, аспирантов и студентов "ФИЗИКОХИМИЯ - 2009" «Физикохимия нано- и суп-

рамолекулярных систем» (г. Москва, 2009 г.), VII и VIII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов (г. Москва, 2010 г., 2011 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 работ, в том числе 3 статьи в рецензируемых научных журналах, 8 публикаций в научных изданиях, сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 139 страницах, иллюстрируется 62 рисунками и 9 таблицами, состоит из введения, четырех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 145 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Коростелев, Дмитрий Александрович

Выводы

Таким образом обнаружены уникальные электронные явления в структуре МНМ с монослоем шарообразных наночастиц металлов, содержащих тонкую оксидную пленку на своей поверхности, а так же с монослоем оксидов металлов.

Под воздействием активной газовой среды (атомарного водорода или атомарного кислорода) электропроводность структуры МНМ резко изменяется.

Предложен метод, позволяющий получать полупроводниковые КТ с кон

-* 1 /ч 11 —2 ^ центрациеи до 10 см и электрические контакты к каждой из них.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На примере структуры "металл - наночастицы оксида металла - металл" обнаружено явление, заключающееся в том, что дифференциальное сопротивление £¿1/ / (Ы гетерогенной структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока / через эту структуру.

2. В зависимости от величины приложенного электрического напряжения наблюдаются слабо проводящее и высоко проводящее состояния структуры ме-талл-наночастицы-металл с частицами оксида металла А1203 или Zr02.

3. После выдержки структуры МНМ с частицами оксида металла А1203 или 2гОг в среде атомарного кислорода или атомарного водорода ее электропроводность резко возрастает и зависит от полярности приложенного электрического напряжения.

4. В высоко проводящем состоянии электропроводность структуры МНМ с частицами А1203 или обусловлена двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и туннелированием электронов через межфазные границы.

5. Дифференциальное сопротивление структуры в виде монослоя шарообразных частиц никеля или меди (диаметром с1 ~ 100 нм) с оксидными пленками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. В результате воздействия атомарным водородом форма ВАХ изменяется. Наблюдается обратимый эффект перехода из проводящего состояния в непроводящее (переключения) структуры МНМ при увеличении напряжения выше некоторого критического значения.

6. Разработан метод, позволяющий получать полупроводниковые КТ с

11 —2 концентрацией до 10 см и электрические контакты к каждой из них. Установленные в опытах электрические свойства КТ объяснены с использованием представлений об эффекте кулоновской блокады и эффекте увеличения прозрачности туннельных барьеров при двойной инжекции электронов и дырок в КТ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Коростелев, Дмитрий Александрович, 2012 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Абрамов, И.И. Модель колебаний тока в структуре металл - тонкий диэлектрик - полупроводник [Текст] / И.И. Абрамов, A.JI. Данилюк // ЖТФ. -1998. - Т. 68. - Вып. 12. - С. 93-94.

2. Агеев, O.A. Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-w-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / O.A. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Куд-рик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, A.B. Саченко // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 7.-С. 897-903.

3. Адлер, Д. Приборы на аморфных полупроводниках [Текст] / Д. Адлер // УФН. - 1978. - Т. 125. - Вып. 8. - С. 707-730.

4. Алешин, А.Н. Эффекты переключения и памяти, обусловленные прыжковым механизмом переноса носителей заряда в композитных пленках на основе проводящих полимеров и неорганических наночастиц [Текст] / А.Н. Алешин, Е.Л. Александрова // ФТТ. - 2008. - Т. 50. -Вып. 10. - С. 1895-1900.

5. Алиев, K.M. Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов [Текст] / K.M. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43. - Вып. 4. - С. 517-521.

6. Андреева, Н.В. К теории теплового пробоя полупроводниковых плёнок [Текст] / Н.В. Андреева, Ю.П. Вирченко // Труды XV Международной конференции по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению / Алушта, Украина, 2004. - Харьков: ХФТИ, 2004. - 349 с.

7. Балыпин, М.Ю. Научные основы порошковой металлургии и металлургии волокна [Текст] / М.Ю. Балыпин. - М.: Металлургия, 1972. - С. 9397.

8. Беляев, А.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si-CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст]/ А.П. Беляев, В.П. Рубец // ФТП. - 2002. - Т. 36. - Вып. 7. - С. 843-846.

9. Бенинг, Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах [Текст] / Ф. Бенинг. - М.: Сов. радио, 1975. - 288 с.

10. Берашевич, Ю.А. Зарядовые эффекты, контролирующие токовый гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 [Текст] / Ю.А. Берашевич, A.JI. Дани-люк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко // ФТП. - 2002. - Т. 36. - Вып. 1. - С. 91-96.

11. Берашевич, Ю.А. Перенос носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек [Текст] / Ю.А. Берашевич,

A.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко // ФТП. - 2001. - Т. 35. - Вып. 1. -С. 110-119.

12. Берашевич, Ю.А. Резонансный перенос носителей заряда через ло-вушечные состояния в диэлектрике в периодических наноструктурах Si/CaF2 [Текст] / Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, В.Е. Борисенко // ФТП. - 2002. - Т. 36.-Вып. 6.-С. 718-723.

13. Берашевич, Ю.А. Элемент памяти на периодических наноразмерных Si/CaF2 структурах [Текст] / Ю.А. Берашевич, A.B. Королев, А.Л. Данилюк,

B.Е. Борисенко // ЖТФ. - 2003. - Т. 73. - Вып. 1. - С. 67-72.

14. Биберман, Л.И. Широкодиапазонные генераторы на негатронах [Текст] / Л.И. Биберман. - М.: Радио и связь, 1982. - 89 с.

15. Бланк, Т.В. Механизм протекания тока в омическом контакте к п-4Н-SiC [Текст] / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Ф.Ю. Солдатенков // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 4. - С. 482-485.

16. Бланк, Т.В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник [Текст] / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // ФТП. - 2007. - Т. 41.-Вып. 11.-С. 1281-1309.

17. Бланк, Т.В. Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN [Текст] / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 10. - С. 1024 -1028.

18. Бланк, T.B. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам АШВУ [Текст] / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 9. - С. 1204 -1209.

19. Бойков, Ю.А. Реактивное сопротивление пленочного контакта п-Аи/р-Ьао.буСао.ззМЮз [Текст] / Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, Т. Клаесон // ЖТФ.

- 2006. - Т. 76. - Вып. 8. - С. 136-139.

20. Бонч-Бруевич, B.JI. Физика полупроводников [Текст] / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. - М.: 1977. - 672 с.

21. Борзяк, П.Г. Электронные процессы в островковых металлических плёнках [Текст] / П.Г. Борзяк, Ю.А. Кулюпин. - Киев: Наукова думка, 1980. -240 с.

22. Бунаков, A.M. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида [Текст] / A.M. Бунаков, А.Н. Лачинов, Р.Б. Са-лихов // ЖТФ. 2003. - Т. 73. - Вып. 5. - С. 104-109.

23. Бурдов, В.А. Двухэлектронные состояния в двойной квантовой точке в постоянном электрическом поле [Текст] / В.А. Бурдов // ФТТ. - 2001. - Т. 43. -Вып. 6.-С. 1110-1116.

24. Быков, Ю.А. О некоторых особенностях структуры и свойств металлических «тонких» плёнок [Текст] / Ю.А. Быков, С.Д. Карпухин, Е.И. Газукина.

- МиТОМ, 2000. - № 6. - С. 45-47.

25. Веденеев, A.C. Точечные квантовые контакты в разупорядоченных Si-МОП структурах с инверсионным р-каналом: нелинейное поведение системы в продольном и поперечном электрическом поле [Текст] / A.C. Веденеев, М.А. Феклисов // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 9. - С. 1069-1073.

26. Векслер, М.И. Вольт-амперные характеристики туннельных МОП дио-дов Al/Si02/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика [Текст] / М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов // ФТП. -2006. - Т. 40. - Вып. 9. - С. 1137-1143.

27. Востоков, H.B. Электрические свойства наноконтактов металл-полупроводник [Текст] / Н.В. Востоков, В.И. Шашкин // ФТП. - 2004. — Т. 38. -Вып. 9.-С. 1084-1089.

28. Высоцкий, В.В. Электропроводящие свойства металлонаполненных пленочных полимерных композиций [Текст] /В.В. Высоцкий, A.B. Земцов // Материаловедение. - 2003. - № 9. - С. 29-36.

29. Гасанли, Ш.М. Особенности механизмов проводимости в гетерост-руктурах Si/олиго-б-нафтол/металл [Текст] / Ш.М. Гасанли, H.H. Мурсакулов, У.Ф. Самедова, H.H. Абдул-заде, Б.А. Мамедов, Р.К. Гусейнов // ФТП. — 2010. — Т. 44. - Вып. 7. - С. 905-909.

30. Горяинов, С.А. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением [Текст] / С.А. Горяинов, И.Д. Абергауз. - М.: Энергия, 1970. -320 с.

31. Грехов, И.В. Лавинный пробой р-п-перехода в полупроводниках [Текст] / И.В. Грехов, Ю.Н. Серёжкин. - Л.: Энергия; Ленингр. отделение, 1980. - 152 с.

32. Гриднев, С.А. Перенос заряда и диэлектрические свойства гранулированных нанокомпозитов Сох(1л№>Оз)юо-х [Текст] / С.А. Гриднев, А.Г. Горшков, A.B. Ситников, Ю.Е. Калинин // ФТТ. - 2006. - Т. 48. - Вып.6. - С. 11151117.

33. Гук, Е.Е. Электрические свойства проводящего полидиацетилена -THD [Текст] / Е.Г. Гук, М.Е. Левинштейн, В.А. Марихин, Л.П. Мясникова, С.Л. Румянцев // ФТТ. - 1997. - Т. 39. - Вып. 4. - С. 778-785.

34. Гурин, Н.Т. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка [Текст] / Н.Т. Гурин, A.B. Шляпин, О.Ю. Сабитов // Журнал технической физики.-2001.-Т. 71.-Вып. 3.-С. 72-75.

35. Давыдов, А.Б. О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в

области перколяциониого перехода диэлектрик-металл [Текст] / А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, A.C. Веденеев // ФТП. - 2002. - Т. 36. - Вып. 10. -С. 1241-1248.

36. Дирнлей, Дж. Электрические явления в аморфных плёнках окислов [Текст] / Дж. Дирнлей, А. Стоунхем, Д. Морган // Успехи физических наук. -1974. - Т. 112.-Вып. 1.- 128 с.

37. Довженко, А.Ю. Влияние формы и размера частиц электропроводящей фазы на образование перколяциониого кластера в керамической композиции [Текст] / А.Ю. Довженко, В.А. Бунин // ЖТФ. - 2003. - Т. 73. - Вып. 8. - С. 123-125.

38. Дощанов, K.M. Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами [Текст] / K.M. Дощанов // ФТП. - 1998. - Т. 32. - Вып. 6. - С. 690-697.

39. Дульнев, Г.Н. Теплопроводность смесей и композиционных материалов [Текст] / Г.Н. Дульнев, Ю.П. Заричняк. - Д.: Энергия, 1974. - С. 76-89.

40. Дьяконов, В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах [Текст] / В.П. Дьяконов. - М.: Сов. радио, 1973. - 208 с.

41. Емельянов, А.Н. Электросопротивление и теплопроводность порошковых смесей на основе титана для самораспространяющегося высокотемпературного синтеза материалов [Текст] / А.Н. Емельянов, В.М. Шкиро, A.C. Рога-чев, В.И. Рубцов, В.М. Шкиро, A.C. Рогачев // Изв. вузов. Цветная металлургия. - 2002. - № 2. - С. 67-70.

42. Иванов, П.А. Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC [Текст] / П.А. Иванов, A.C. Потапов, Т.П. Самсонова // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 2. - С. 197-200.

43. Имри, И. Введение в мезоскопическую физику [Текст] / И. Имри. -М.: Физматлит, 2002. - 301 с.

44. Каллир, А. Возбужденные частицы в химической кинетике [Текст] / А. Каллир, Дж. Ламберт. -М.: Мир, 1973. - С. 214.

45. Касимов, Ф.Д. Физико-технические особенности проектирования кремниевых микроэлектронных преобразователей на основе негатронов [Текст] / Ф.Д. Касимов, Ф.Г. Агаев, Н.А. Филинюк; под ред. Ф.Д. Касимова. — Баку, 1999.-234 с.

46. Кожевин, В.М. Влияние окисления на электрические свойства гранулированных наноструктур меди [Текст] / В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, И.П. Смирнова, М.М. Кулагина, С.А. Гуревич // ФТТ. - 2003. - Т. 45. - Вып. 10. - С. 1895-1902.

47. Козлов, В.А. Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В.А. Козлов, В.А. Вербус // ФТП. -2010.-Т. 44.-Вып. 11.-С. 1547-1552.

48. Коломиец, Б.Т. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / Б.Т. Коломиец, Э.В. Лебедев, И.А. Таксими // ФТП. - 1965. - № 5. - С. 731-735.

49. Король, А.Н. Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки [Текст] / А.Н. Король, И.В. Носенко // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 4. - С. 497501.

50. Коростелёв, Д.А. Метод увеличения электрической прочности наноструктуры в сильных электрических полях [Текст] / Д.А. Коростелёв, В.Ф. Харламов, И.Г. Богораз // Тезисы докладов Московской конференции-конкурса молодых учёных, аспирантов и студентов «Физикохимия - 2009». Секция «Физи-кохимия нано- и супрамолекулярных систем» / Москва, Россия, 2009. - М.: Изд-во ИФХЭ РАН, 2009. - С. 34.

51. Коростелёв, Д.А. Уникальные электрофизические свойства наноча-стиц диэлектриков [Текст] / Д.А. Коростелёв // Сборник статей VII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физикохимия и технология неорганических материалов»; под ред. академика РАН Ю.В. Цветкова и др. / Москва, Россия, 2010. - М: Интерконтакт Наука, 2010. -

С. 459.

52. Коростелёв, Д.А. Электрические свойства квантовых антиточек [Текст] / Д.А. Коростелёв, И.Г. Богораз, O.A. Миловидова, В.Ф. Харламов // Тезисы докладов XXIII Всероссийского Симпозиума «Современная химическая физика» / Туапсе, Россия, 2011 г. - М.: Изд-во ООО «Парк-медиа», 2011. - С. 47.

53. Коростелёв, Д.А. Электрические свойства структуры «металл - на-ночастицы диэлектрика - металл» [Текст] / Д.А. Коростелёв // Сборник статей VIII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов»; под ред. академика РАН Ю.В. Цветкова и др. / Москва, Россия, 2011. - М: Интерконтакт Наука, 2011.-С. 289.

54. Коростелев, Д.А. Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые антиточки [Текст] / Д.А. Коростелев, В.Ф. Харламов // Известия Орел-ГТУ. Серия: Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. - 2012. - №1. - С. 17-22.

55. Коростелёв, Д.А. Электропроводность структуры "метал - наноча-стицы диэлектрика - метал" [Текст] / Д.А. Коростелёв, В.Ф. Харламов, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Тезисы доклада XXII Всероссийского Симпозиума «Современная химическая физика» / Туапсе, Россия, 2010. - М.: Изд-во ООО «Парк-медиа», 2010. - С. 57.

56. Коростелёв, Д.А. Электрофизические свойства наногетероструктур в сильных электрических полях [Текст] / Д.А. Коростелёв, В.Ф. Харламов, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Тезисы докладов X Юбилейной международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, на-нотехнологии» / Ставрополь, Россия, 2010. - Ставрополь: Изд-во СевКавГТУ, 2010.-С. 190.

57. Кочетов, H.A. Микроструктура гетерогенных смесей для безгазового горения [Текст] / H.A. Кочетов, A.C. Рогачев, А.Н. Емельянов, Е.В. Илларионо-

ва, В.М. Шкиро, A.C. Рогачев, А.Н. Емельянов // ФГВ. - 2004. - Т. 40. - Вып. 5. -С. 74-80.

58. Кравченко, А.Ф. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности [Текст] / А.Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. - Изд-во Сибирского отделения Российской академии наук. - Ихтик, 2000. - 447 с.

59. Лосев, О.В. Детектор генератор и детектор усилитель [Текст] / О.В. Лосев // Телеграфия и телефония без проводов. - 1922. - Т. 14. - С. 374-386.

60. Луке, Г. Экспериментальные методы в неорганической химии [Текст] / Г. Луке; пер. с немец. Н.С. Афонского, Л. М. Михеевой; под ред. В.И. Спицина, Л.Н. Комиссаровой. — М.: Мир, 1965. - 656 с.

61. Луцев, Л.В. Свойства наногранулированных композитов металл-диэлектрик в сильных электрических полях и кластерные электронные состояния [Текст] / Л.В. Луцев, М.Н. Копытин, A.B. Ситников, О.В. Стогней // ФТТ. -2005. - Т. 47. - Вып. 11. - С. 2080-2090.

62. Луцев, Л.В. Электронный транспорт в гранулированных пленках аморфного углерода с наночастицами кобальта [Текст] / Л.В. Луцев, Т.К. Зво-нарева, В.М. Лебедев // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т. 27. - Вып. 15. - С. 84-89.

63. Луцев, Л.В. Электронный транспорт в наноразмерной кластерной структуре углерод-медь [Текст] / Л.В. Луцев, C.B. Яковлев, В.И. Сиклицкий // ФТТ. - 2000. - Т. 42. - Вып. 6. - С. 1105-1112.

64. Мамедов, Р. Контакты металл-полупроводник с электрическим полем пятен [Текст] / Р. Мамедов. - Баку, БГУ, 2003. - 231 с.

65. Марков, О.И. Исследование влияния плазмы водорода на поверхность монокристаллов висмута [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов, Д.А. Коростелев, E.H. Грибанов // Тезисы докладов XLVII Всероссийской конференции по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, оптоэлектроники / Москва, Россия, 2011. - М.: РУДН, 2011. - С. 29-31.

66. Махний, В.П. Механизмы прохождения тока в контактах Au-CdTe с модифицированной поверхностью [Текст] / В.П. Махний, Н.В. Скрипник // ФТП. - 2011. - Т. 45. - Вып. 3. - С. 322-325.

67. Мельников, Д.В. Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре [Текст] / Д.В. Мельников, А.И. Подливаев // ФТП. - 1998. - Т. 32. - Вып. 2. - С. 227-234.

68. Миронов, В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии [Текст] / В.Л. Миронов. - Н. Новгород: РАН. Институт физики микроструктур, 2004 г. -115 с.

69. Мокрушин, В.В. Модель обобщенной проводимости гетерогенных систем [Текст]: препринт. - Саров: ИПК РФЯЦ- ВНИИЭФ, 1996. - С. 2-5.

70. Мокрушин, В.В. Обобщенная проводимость порошковых гетерогенных систем и теория перколяции [Текст] / В.В. Мокрушин, П.Г. Бережко // ДАН. - 1999. - Т. 368. - Вып. 4. - С. 470-473.

71. Мокрушин, В.В. Теория обобщенной проводимости гетерогенных систем и резистометрическое исследование окисления порошковых металлов в пористом состоянии [Текст] / В.В. Мокрушин // Труды всероссийской конференции «Процессы горения и взрыва в физикохимии и технологии неорганических материалов» / Москва, Россия, 2002. М.-Черноголовка: Изд-во ИСМАН, 2002. - С. 268-274.

72. Находкин, Н.Г. Электропроводность тонких плёнок золота разной толщины [Текст] / Н.Г. Находкин, Г.А. Зыков, А.И. Шалдерван // Физика металлических плёнок: сб. статей. - Киев: Наукова думка, 1968. - С. 161-167.

73. Негоденко, О.Н. Каскодные аналоги негатронов [Текст] / О.Н. Него-денко, С.И. Липко, С.П. Мирошниченко // Полупроводниковая электроника в технике связи. - М.: Радио и связь, 1986. - Вып. 26. - С. 29-33.

74. Новиков, Ю.Н. Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах [Текст] / Ю.Н. Новиков // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 8. -С. 1078-1083.

75. Оделевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем [Текст] / В.И. Оделевский // ЖТФ. - 1951. - Т. 21. - Вып. 6. - С. 667-685.

76. Пергамент, A.JI. Фазовый переход металл-полупроводник и эффект переключения в оксидах переходных металлов [Текст] / A.JI. Пергамент, Г.Б. Стефанович, Ф.А. Чудновский // ФТТ. - 1994. - Т. 36. - С. 2988-3002.

77. Пористые проницаемые материалы [Текст]: справочник; под ред. С.В. Белова. - М.: Металлургия, 1987. - С. 77, 173.

78. Путролайнен, В.В. Эффект электрического переключения с памятью в гидратированном аморфном диоксиде ванадия [Текст] /В.В. Путролайнен, П.П. Борисков, A.A. Величко, A.JI. Пергамент, H.A. Кулдин // ЖТФ. - 2010. Т. 80.-Вып. 2.-С. 88-91.

79. Рожанский, И.В. Моделирование электрических свойств поликристаллических керамических полупроводников с субмикрометровыми размерами зерен [Текст] / И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм // ФТП. - 2005. - Т. 39. - Вып. 5.-С. 608-615.

80. Семёнов, A.A. Вольт-амперные характеристики структур металл-окисел-окисел-металл с несколькими участками отрицательного дифференциального сопротивления [Текст] / A.A. Семёнов, Д.А. Усанов // Письма в ЖТФ, 2008. - Т. 34. - Вып. 18. - С. 9-13.

81. Серьезное, А.Н. Негатроника [Текст] / А.Н. Серьезнов, JI.H. Степанова, H.A. Филинюк и др. - Новосибирск: Наука. - Сибирская издательская фирма РАН, 1995.-315 с.

82. Соцков, В.А. О влиянии контактного сопротивления частиц на интервал перколяции в макронеупорядоченных системах проводник-диэлектрик [Текст]/ В.А. Соцков // ЖТФ. - 2004. - Т. 74. - Вып. 11. - С. 107-110.

83. Стафеев, В.И. Структура и свойства контактов CdxHgl-xTe-металл [Текст] / В.И. Стафеев // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 5. - С. 636-639.

84. Стриха, В.И. Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник [Текст] / В.И. Стриха. - К., 1974. - 482 с.

85. Сэмми, К. Измерительные термопары и терморезисторы [Текст] / К. Сэмми; пер. из журнала Отомэсён, 1988. - Т.ЗЗ. - №5. - С. 72-79.

86. Торхов, H.A. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / H.A. Торхов // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 5. - С. 615-627.

87. Торхов, H.A. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики [Текст] / H.A. Торхов, В.А. Новиков // ФТП. - 2011. - Т. 45. - Вып. 1. - С. 70-86.

88. Торхов, H.A. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / H.A. Торхов // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 6. - С. 767-774.

89. Торхов, H.A. Природа электрического взаимодействия контактов Шоттки [Текст] / H.A. Торхов // ФТП. - 2011. - Т. 45. - Вып. 8. - С. 1041-1055.

90. Троян, П.Е. Электрическая формовка тонкоплёночных структур металл-диэлектрик-металл в сильных электрических полях [Текст] / П.Е. Троян. -Изд-во ТГУ, Томск, 2003. - 178 с.

91. Фадин, В.В. Изменение электросопротивления контакта металлический композит-сталь под действием трения и электрического тока [Текст] / В.В. Фадин, М.И. Алеутдинова // ЖТФ. - 2010. - Т. 80. - Вып. 12. - С. 95-100.

92. Филинюк, H.A. Негатроника - достижения и перспективы [Текст] / H.A. Филинюк // Материалы Всесоюзной научно-технической конференции «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе» / Баку, Азербайджан, 1991. - Баку. - С. 11-17.

93. Ханикаев, А.Б. Влияние распределения гранул по размерам и притяжения между гранулами на порог перколяции в гранулированных сплавах [Текст] / А.Б. Ханикаев, А.Б. Грановский, Ж.-П. Клерк // ФТТ. - 2002. - Т. 44. -Вып. 9.-С. 1537-1539.

94. Харламов, В.Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты [Текст] / В.Ф. Харламов. - Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. -207 с.

95. Харламов, В.Ф. Электропроводность структуры металл-диэлектрик-металл со слоем наночастиц оксидов металлов в качестве диэлектрика [Текст] / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Письма в ЖТФ, 2011. - Т. 37. - Вып. 11. - С. 43-50.

96. Харламов, В.Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами [Текст]: дис. ... канд. физ.-мат. наук: / Харламов Владимир Федорович. - Томск, 1976. - 177 с.

97. Харламов, В.Ф. Эмиссия электронов с поверхности твёрдых тел [Текст] / В.Ф. Харламов // Поверхность. - 1990. - Вып. 11. - С. 151-159.

98. Харламов, В.Ф. Эмиссия электронов с поверхности твердых тел, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией [Текст] / В.Ф. Харламов, A.B. Седов, С.Н. Ромашин // Письма в ЖТФ. - 2004. -Т. 30.- Вып. 18.-С. 1-8.

99. Хрипунов, Ю.В. Исследование поверхности монокристалла висмута после обработки молекулярным и атомарным водородом [Текст] /Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков, Д.А. Коростелев // Учёные записки Орловского государственного университета. - 2010. - №2 (36). - С. 64-70.

100. Хрипунов, Ю.В. Формирование наноструктур висмута под действием плазмы водорода [Текст] / Ю.В. Хрипунов, Д.А. Коростелев // Материалы Международного молодежного научного форума «JTOMOHOCOB-2011» / Москва, Россия, 2011. - М.: МАКС Пресс, 2011. - С. 124. [Электронный ресурс]. -Режим доступа http://lomonosov-msu.ru/archive/Lomonosov_2011/243/243 .pdf

101. Царев, M.B. Влияние гранулометрических свойств порошка металлического скандия на его электропроводность [Текст] / М.В. Царев, В.В. Мок-рушин // ЖТФ. - 2007. - Т. 77. - Вып. 3. - С. 80-87.

102. Чабан, И.А. Эффект переключения в халькогенидных стеклах [Текст] / И.А. Чабан // ФТТ. - 2007. - Т. 49. - Вып. 3. - С. 405-410.

103. Черепнин, Н.В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике [Текст] / Н.В. Черепнин. - М.: Атомиздат, 1967. - 408 с.

104. Чеснис, А. Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктуре аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / А. Чеснис, С.-А. Карпинскас, А. Урбя-лис // ЖТФ. - 2002. - Т. 72. - Вып. 10. - С. 58-62.

105. Шалимова, М.Б. Параметры границы раздела и механизмы протекания тока в структурах металл-туннельно-тонкий фторид церия (неодима, дис-прозия)-кремний [Текст] / М.Б. Шалимова, Н.В. Щербакова // Письма ЖТФ. -2005. - Т. 31. - Вып. 2. - С. 27-34.

106. Шкловский, В.И. Электронные свойства легированных полупроводников [Текст] / В.И. Шкловский, A.JI. ЭФрос. - М.: Наука, 1979. - 416 с.

107. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия [Текст] / М.Шур.-М.: Мир, 1991.-632 с.

108. Эфрос, A.JI. Физика и геометрия беспорядка [Текст] / A.JI. Эфрос. -М.: Наука, 1982. - С. 145-148.

109. Ярмаркин, В.К. Резистивное переключение в тонкопленочных структурах Au/Ti02/Pt на кремнии [Текст] / В.К. Ярмаркин, С.Г. Шульман, В.В. Jle-манов // Физика твердого тела, 2008. - Т. 50, Вып. 10. - С. 1767-1775.

110. Aberg, I. Nanoscale tungsten aerosol particles embedded in GaAs [Text] / I. Aberg, K. Deppert, M. Magnusson, I. Pietzonka, W. Seifert, L. E. Wernersson, L. Samuelson // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol. 80. - No. 16. - P. 2976-2978.

111. Adams, D.K. Filtering, frequency multiplexing and other microwave application with in-verted-common-collector transistor circuits [Text] / D.K. Adams, R.Y.C. Ho. - Internal microwave simp., Dallas, 1969. - P. 14-20.

112. Bardeen, J. Surface states and rectification at a metall semi-cjnductor contact [Text] / J. Bardeen // Physical Review. - 1947. - Vol. 71. - No. 10 - P. 717-727.

113. Chen, J.H. Nonvolatile flash memory device using Ge nanocrystals embedded in HfAlO high-k tunneling and control oxides: Device fabrication and electrical performance [Text] / J.H. Chen, Y.Q. Wang, W.J. Yoo, G. Samudra, D.S.H. Chan, A.Y. Du, D.-L. Kwong // IEEE Trans. Electron. Dev. - 2004. - Vol. 51. - No. 11.-P. 1840.

114. Defives, D. Barrier inhomogeneities and electrical characteristics of Ti/4H-SiC Schottky rectifiers [Text] / D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, C. Brylinski, M. Barthula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1999. - Vol. 46. - P. 449-455.

115. Dill, H. Inductive semiconductor elements and their application in bandpass amplifiers [Text] / H. Dill // RE Transactions on military electronics, 1961. -Vol. 5.-No. 3.-P. 239-250.

116. Duddel, W. On rapid variations in the current through the directcurrent arc [Text] / W. Duddel // Electrician. - 1900. - Vol, 46. - Pp. 219, 310.

117. Esaki, L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions [Text] / L. Esaki // Phys. Rev. B. - 1958. - Vol. 109. - P. 603-604.

118. Fleig, J. Microcontact Impedance Measurements of Individual Highly Resistive Grain Boundaries: General Aspects and Application to Acceptor-doped SrTi03 [Text] / J. Fleig, S. Rodewald, J. Maier // Journal of Applied Physics. - 2000. -Vol. 87.-No. 5.-P. 2372-2381.

119. Gan, K.G. Ultrahigh power-bandwidth-product performance of low-temperature-grown-GaAs based metal-semiconductor-metal traveling-wave photode-tectors [Text] / K.-G. Gan, J.-W. Shi, Y.-H. Chen, C.-K. Sun, Y.-J. Chiu, J. E. Bowers // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol. 80. - No. 21. - P. 4054-4056.

120. Goldman, V.J. Resonant Tunneling in Quantum Hall Effect: Measurement of Fractional Charge [Text] / V.J. Goldman, B. Su // Science. - 1995. - Vol. 267. - P. 1010-1012.

121. Hagenbeck, R. Numerical simulation of the defect chemistry and electrostatics at grain boundaries in titanate ceramics [Text] / R. Hagenbeck, L. Schneider-

Stormann, M. Vollmann, R. Waser // Mater. Sei. Eng. B. - 1996. - Vol. 39. - No. 3. -P. 179-187.

122. Halik, M. Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric [Text] / M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehrn, M. Schutz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauer, F. Stellacci // Nature. - 2004. - Vol. 431. - No. 7011. - P. 963-966.

123. Ioannou-Sougleridis, V. European proects. Silicon Modules for Integrated Light Engineering [Text] / V. Ioannou-Sougleridis, A.G. Nassiopoulou, Arnaud dAvi taya. - Marseille, 2000. - 133 p.

124. Ioselevich, A.S. Percolation with excluded small clusters and Coulomb blockade in a granular system [Text] /A.S. Ioselevich, D.S. Lyubshin // Письма в ЖЭТФ. - 2009. - Т. 90. - С. 746-752.

125. Jamaguchi, J. On the inductive reactance and negative resistance the transistor [Text] / J. Jamaguchi // Journal Physical Society of Japan - 1956. - Vol.11. - P. 717-718.

126. Jensen, K.L. Numerical simulation of intrinsic bistability and high-frequency current oscillations in resonant-tunneling structures [Text] / K.L. Jensen, F.A. Buot//Phys. Rev. Lett. - 1991. - Vol. 66.-P. 1078-1081.

127. Kharlamov, V.F. Electric Conductivity of Metal-Dielectric-Metal Structures with Di-electric Layer Formed by spherical Metal Oxide Nanoparticles [Text] / V.F. Kharlamov, D.A. Korostelev, I.G. Bogoraz, O.I. Markov, Yu.V. Khripunov // Techn. Phys. Lett - 2011. - Vol. 37. - No 6. - P . 481-484.

128. Kotecki, D.E. (Ba,Sr)Ti03 dielectrics for future stacked- capacitor DRAM [Text] / D.E. Kotecki, J.D. Baniecki, H. Shen, R.B. Laibowitz, K.L. Saenger, J.J. Lian, T.M. Shaw, S.D. Athavale, C. Cabral, P.R. Duncombe, M. Gutsche, G. Kunkel, Y.-J. Park, Y.-Y. Wang, R. Wise // Ultrathin dielectric films. - 1999. - Vol. 43. - No. 3. - P. 267-275.

129. Lee, J.J. Theoretical and experimental investigation of Si nanocrystal memory device with НЮ2 high-k tunneling dielectric [Text] / J.J. Lee, X. Wang, W.

Bai, N. Lu, D.-L. Kwong // IEEE Trans. Electron Devices. - 2003. - Vol. 50. - No. 10.-P. 2067-2072.

130. Lee, P.F. Memory effect and retention property of Ge nanocrystal embedded Hfaluminate high-k gate dielectric [Text] / P.F. Lee, X.B. Lu, J.Y. Dai, H.L.W. Chan, E. Jelenkovic, K.Y. Tong // Nanotechnology. - 2006. - Vol. 17. - P. 12021206.

131. Lee, T. Electronic Property of Metallic Nanoclusters on Semiconductor Surfaces: Implications for Nanoelectronic Device Applications [Text] / Takhee Lee, Jia Liu, Nien-Po Chen, R.P. Andres, D.B. Janes, R. Reifenberger // Nanoparticle. -2000/-Vol. 2.-P. 345-362.

132. Mantegna, R.N. Stochastic resonance in a tunnel diode [Text] / R.N. Mantegna, B. Spagnola // Physical Review. - 1994. - Vol. 49. - P. 1792

133. Nagaya, T. Dielectric breakdown in polycrystalline system [Text] / T. Nagaya, Y. Ishibashi // Jap. J. Appl. Phys. - 1997. - Pt. 1. - Vol. 36. - No. 9 B. - P. 6136-6140.

134. Paul, D.J. Si/SiGe electron resonant tunneling diodes [Text] / D.J. Paul, P. See, I.V. Zozoulenko // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 77. - No. 11. - P. 16531655.

135. Perez, R. Barrier inhomogeneities and electrical characteristics of Ni/Ti bilayer Schottky contacts on 4H-SiC after high temperature treatments [Text] / R. Perez, N. Mestres, J. Montserrat, D. Tournier, P. Godignon // Phys. Status Solidi. -2005. - Vol. 202. - P. 692-697.

136. Saharov, Y.V. Change of properties of a MIM-structure formation of a positivecharge in insulator [Text] / Y.V.Saharov, A.A. Zhigalsky, P.E. Troyan // J. IE Vide: Science Technique at Applications. - July 2001. - P. 313-317

137. Salleo, A. Intrinsic hole mobility and trapping in regio-regular poly(thiophene) [Text] / A. Salleo, T.W. Chen, A. Volkel, Y. Wu, P. Liu, B.S. Ong, and R.A. Street // Physical Review B. - 2004. - Vol. 70. - No. 7. - P. 115-126.

138. Sheard, F.W. Space-charge buildup and bistability in resonant-tunneling diode-barrier structures [Text] / F.W. Sheard, G.A. Toombs // Appl. Phys. Lett. -1988. - Vol. 52. - P. 1228-1230.

139. Shimizu, T. The properties of Schottky junctions on Nb-doped SrTi03(001) [Text] / T. Shimizu, N. Gotoh, N. Shinozaki, H. Okushi // Appl. Surf. Sei. - 1997. - Vol. 117. - P. 400-405.

140. Skromme, B.J. Electrical Characteristics of Schottky Barriers on 4H-SiC: The Effects of Barrier Height Nonuniformity [Text] / B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore, M. Bhatnagar, C.E. Weitzel, T. Gehoski, D. Ganser // Journal of Electronic Materials. - 2000. - Vol. 29. - No. 3. - P. 376-383.

141. Smith, C.G. Heavy-ion break-up processes in the Fermi energy range [Text] / C.G. Smith // J. Rep. Prog. Phys. - 1994. - Vol. 59. - P. 235-241.

142. Smit, G.D.J. Scaling of micro-fabricated nanometer-sized Schottky diodes [Text] / G.D.J. Smit, M.G. Flokstra, S. Rogge, T.M. Klapwijk // Microelectron. Eng. - 2002. - Vol. 63. - No. 1. - P. 329-333.

143. Waser, R. Grain boundaries in dielectric and mixedconducting ceramics [Text] / R. Waser, R. Hagenbeck // Acta Mater. - 2000. - V. 48. - P. 797—825.

144. Watanabe, M. Double-Barrier Resonant Tunneling Diode with High Room-Temperature Peak-to-Valley Ratio [Text] / M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 39. - No. 10b. - P. L716-L719.

145. Zang, J. Theory of intrinsic bistability in double-barrier resonant-tunneling structure [Text] / J. Zang, J.L. Birman // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 46. -P. 5020-5023.