Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Власов, Юрий Николаевич

• Власов, Юрий Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Власов, Юрий Николаевич

Содержание

Введение

ГЛАВА 1. ДЕФЕКТЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ГЛУБОКИЕ УРОВНИ В GaAs.

1.1. Дефекты в объёме GaAs

1.2. Модели электронных состояний поверхности GaAs

1.3. Управление спектром ПЭС на границе раздела Me/GaAs и высотой барьера Шоттки

1.4. Методики контроля параметров электронных состояний в GaAs:

1.4.1 Вольт-амперная характеристика

1.4.2 Вольт-фарадная характеристика

1.4.3 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней

1.5. Выводы по главе 1. Цель работы и задачи исследования

ГЛАВА 2. ПОДГОТОВКА ОБРАЗЦОВ И ВЫБОР МЕТОДИК ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAs

2.1. Формирование гетероструктур Me/GaAs и Me/Ga2Se3/GaAs

2.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гетероструктур Me/GaAs и Me/Ga2Se3/GaAs

2.3. Методика анализа изотермических релаксаций ёмкости в рамках НСГУ метода

2.4. Выводы по главе 2

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ В ПАРАХ СЕЛЕНА НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В GaAs

3.1. Поверхностные электронные состояния в GaAs после химико-динамического полирования подложки

3.2. Влияние обработок в парах Se2 на поверхностные электронные состояния, проявляющиеся в спектрах НСГУ вблизи максимума EL3

3.3. Поверхностные электронные состояния, связанные с неоднородностью поверхности GaAs и ювенилизация поверхности в процессе обработки в парах Se2

3.4. Выводы по главе 3

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ В ПАРАХ СЕЛЕНА НА ДЕФЕКТЫ В ОБЛАСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА ОаАз

4.1. Вольт-амперные и высокочастотные вольт-фарадные характеристики гетероструктур Аи(А1)/ОаАз и Аи(А1)/ОаА8/Оа28е3

4.2. Исследование методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней влияния обработки в парах селена на дефекты в приповерхностной области арсенида галлия

4.3. Выводы по главе 4

Основные результаты и выводы

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs»

Введение

Актуальность темы: Проблема формирования совершенных границ раздела в гетеростуктурах на основе полупроводника ОаАБ сохраняет свою актуальность в настоящее время [1]. Создание современных оптоэлектронных элементов, приборов «спинтроники» немыслимо без качественной поверхности полупроводника с низкой плотностью поверхностных электронных состояний (ПЭС), малым количеством дефектов вблизи межфазных границ и, соответственно, центров рассеяния и безызлучательной рекомбинации, по энергии расположенных около середины запрещённой зоны полупроводника. При исследовании ваАз установлено [2,3], что структурные нарушения и высокую плотность дефектов вблизи поверхности и границ раздела ОаАБ вызывает элементный мышьяк, который выделяется при химическом взаимодействии полупроводника с пленкой собственного оксида и при межфазных реакциях на границах металл-ваАз и диэлектрик-ваАз. Для достижения высокого качества гетерограниц был предложен ряд технологических решений, основанных на формировании пассивирующих слоев различной природы, которые предотвращают ее окисление и сопутствующее дефектообразование. Наиболее простым и эффективным способом пассивации поверхности ОаАБ оказывается обработка её в халькогенсодержащей среде [4,5], которая позволяет снизить плотность ПЭС, открепить уровень Ферми на поверхности, что проявляется в восстановлении зависимости высоты барьеров Шоттки, полученных на обработанной поверхности, от работы выхода нанесённого металла. Авторы [6] показывают, что при нанесении Бе на поверхность ваАБ, нагретую до температуры выше 300°С, происходит замещение поверхностного мышьяка селеном, причём на поверхности имеют место исключительно связи Оа-8е, а связи Аэ-Бе отсутствуют. Мышьяк покидает поверхность, и изгиб зон в приповерхностной области снижается, что говорит об откреплении уровня Ферми.

Однако механизма снижения плотности ПЭС до сих пор не установлено. Основная сложность в этом направлении заключена в том, что для каждой границы раздела необходимо детально на атомном уровне разобраться в физико-химической природе поверхностных состояний. В работе [5] снижение плотности ПЭС связывается с реконструкцией поверхности ОаАБ. Известно [2,3,7], что реконструированное состояние полупроводников АШВУ без ПЭС наблюдается на сколотых в сверхвысоком вакууме поверхностях. При адсорбции же атомов металлов, полупроводников, металлоидов и особенно кислорода возникают ПЭС, закрепляющие уровень Ферми на поверхности. Помимо элементарного мышьяка вклад в ПЭС могут давать: так называемые металл-индуцированные ПЭС; дефекты, подобные дефектам в объёме полупроводника, но образующиеся на поверхности в большей концентрации; дефекты, связанные с неоднородностью поверхности и вызванные её окислением. Поэтому вопрос о детальной природе ПЭС и способах их устранения открыт до сих пор.

В результате кратковременной обработки в парах селена в камере квазизамкнутого объёма (КЗО) на поверхности ОаАБ образуется плёнка селенида галлия Оа28е3 толщиной в несколько нанометров [5,8], которая снижает плотность ПЭС, защищает поверхность от атмосферного кислорода. В данной работе исследовались электронные состояния ОаАБ до и после таких обработок.

Работа выполнялась в рамках федеральной целевой программы (ФЦП) «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы» по теме: «Разработка технологии изготовления новых наноразмерных полупроводниковых покрытий для повышения эффективности элементов солнечной энергетики», государственный контракт № 16.516.11.6084 от 08.07.2011г. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 20075

2013 годы» по теме: «Разработка научно-технических основ повышения надежности и долговечности светодиодных световых приборов повышенной мощности в результате реализации новых технических решений по охлаждению светодиодов», государственный контракт № 16.516.11.6098 от 08.07.2011г. Работа включена в тематический план ГБ НИР «Физико-химические основы формирования наноразмерных гетерофазных систем в процессе гетеровалентного замещения» (№ гос. per. 1.1.09) и ГБ НИР «Физико-химические процессы в объёме и на границе раздела в неоднородных твёрдотельных системах» (№ гос. per. 01960012699) кафедры физики Воронежской государственной технологической академии.

Цель работы: Установление закономерностей образования электронных состояний на поверхности и в области пространственного заряда GaAs до и после обработки в парах Se2.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются:

1. Формирование гетероструктур типа диодов Шоттки с контактами из А1 и Аи на основе GaAs до и после обработки в парах Se2.

2. Выбор и оптимизация методик исследования диодов Шоттки с целью корректного определения параметров глубоких уровней.

3. Исследование ПЭС на реальной поверхности GaAs, полученной в результате химико-динамического полирования (ХДП).

4. Исследование параметров глубоких уровней в обработанном в парах Se2 GaAs на поверхности и в приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ).

Объекты и методы исследования.

Исследовались монокристаллические подложки арсенида галлия электронного типа проводимости марки АГЧ-25а <100> толщиной (390 ± 5)

мкм, АГЧ-25а <111> А толщиной (390 ± 5) мкм, АГЧ-25а <111> В толщиной (390 ± 5) мкм, а также подложки «под эпитаксию» исходные и обработанные в парах селена. Концентрация носителей заряда для различных подложек

1 /г -j 1 О -7

варьировалась в пределах от 10 см" до 10 см" . Структурно-фазовое состояние гетерограницы контролировалось просвечивающим электронным микроскопом Hitachi Н-800. Электрофизические параметры диодов Шоттки изучались методами вольт-амперных характеристик (ВАХ), высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ). Электронные состояния приповерхностной области GaAs изучались методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ёмкостной вариант НСГУ) и фотолюминесценции.

Научная новизна.

Выбраны оптимальные режимы измерения изотермических релаксаций ёмкости и значения времён стробирования при последующем построении спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ), что позволило повысить разрешающую способность НСГУ метода и контролировать параметры уровней с близкими значениями постоянной времени эмиссии.

Определено энергетическое положение ПЭС, связанных с избыточным мышьяком и планарной неоднородностью поверхности GaAs. Выявлен механизм образования обоих типов ПЭС в процессе окисления поверхности GaAs кислородом воздуха. Доказана возможность залечивания дефектов, вызывающих эти ПЭС, в процессе отжига в парах селена.

Обнаружены особенности поведения сверхстехиометричного для растущей фазы Ga2Se3 галлия - проникновение его в область пространственного заряда GaAs и модификация системы дефектов, сопровождающаяся эффектом компенсации по мере увеличения концентрации глубоких акцепторов, связанных с дефектами перестановки

GaAs.

Практическая значимость.

В работе определены причины возникновения ПЭС на реальной окисленной поверхности СаАэ и изучен механизм их устранения при отжиге поверхности полупроводника в парах селена. Полученные результаты могут быть использованы для получения границ раздела с участием ваАБ с малым количеством дефектов. Обработкой в парах селена может быть достигнута консервация поверхности арсенида галлия в технологии подготовки пластин под эпитаксию за счёт ограничения доступа кислорода к поверхности ОаАБ, приводящего к нарушению планарной однородности при хранении на воздухе. Исследование поведения системы дефектов ОаАз при окислении воздухом, под воздействием химических обработок и в процессе отжига в парах селена приблизило понимание атомной структуры дефектов, обнаруживаемых нестационарной спектроскопией глубоких уровней.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Запись зависимости ёмкости от времени при различных температурах в память компьютера позволяет уже в результате одного температурного прохода получить достаточно информации для построения множества спектров НСГУ с различными временами выборки. Это не только экономит время исследований, но и увеличивает разрешающую способность НСГУ-методики, поскольку позволяет разделить максимумы в спектрах НСГУ, отвечающие центрам с близкими значениями скоростей эмиссии.

2. Окисление поверхности подложек ваАз в атмосфере воздуха вызывает формирование ПЭС. При непосредственном взаимодействии адсорбированного кислорода с катионной подрешёткой кристалла, а также в ходе твердофазной реакции естественного оксида с подложкой выделяется элементарный мышьяк, служащий источником ПЭС. В то время как планарная неоднородность и напряжения поверхности вызывают образование дефектов в виде точечных вакансий и вакансионных комплексов в приповерхностной области.

3. Обработка GaAs в парах селена залечивает как мышьячные, так и вакансионные ПЭС, а также снимает неоднородность поверхности.

4. В ходе обработки GaAs в парах селена сверхтехиометричный для Ga2Se3 галлий, выделяясь на гетерогранице, проникает в приповерхностную область кристалла GaAs и перестраивает систему дефектов таким образом, что увеличивается концентрация дефектов перестановки типа GaAs- Это проявляется в компенсации приповерхностной области после нескольких последовательных циклов обработок в парах селена и стравливания образующегося слоя селенида.

Личный вклад автора.

Постановка задачи и определение направлений исследования осуществлялись д. ф.-м. н., профессором H.H. Безрядиным. Лично автором проведены эксперименты по получению гетероструктур типа диодов Шоттки с контактами из AI и Au на поверхности арсенида галлия и на обработанной в парах селена поверхности арсенида галлия с наноразмерной плёнкой Ga2Se3; исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики, изотермические релаксации ёмкости полученных структур; закономерности изменения спектров ПЭС и электронных состояний в области пространственного заряда GaAs в зависимости от изменения состояния поверхности; разработаны модели ПЭС и состояний, обусловленных варьированием ансамбля точечных дефектов в приповерхностной области подложки в процессе обработок в парах селена. В работе принимали участие на этапе изготовления образцов к.ф.-м.н., доцент Г.И. Котов, к.ф.-м.н. A.A. Стародубцев. Часть изотермических релаксаций ёмкости получены совместно с ассистентом Л.В. Васильевой. Обсуждения результатов на протяжении всей работы проведены вместе с д.ф.-м.н., профессором H.H. Безрядиным, к.ф.-м.н., доцентом Г.И. Котовым.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Седьмой, Девятой и Десятой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2005, 2007, 2008г.), XXI Российской конференции по электронной микроскопии «ЭМ'2006» (Черноголовка, 2006г.), IX международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2006 г.), VIII Российской конференции по физике полупроводников (Екатеринбург, 2007г.), а также на отчетных XLV, XLVI, XLVII, XLVIII научных конференциях ВГТА (Воронеж, 2006, 2007, 2008, 2009 г.).

Публикации.

Материалы диссертации опубликованы в 9-ти печатных работах, из которых 2 статьи в журналах, рекомендованных перечнем ВАК РФ. Кроме того, в трудах всероссийских и международных конференций представлено 11 тезисов докладов.

Объем и структура диссертации

Диссертация содержит 151 страницу машинописного текста, 52 рисунка, 4 таблицы и по структуре состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 140 наименований работ отечественных и зарубежных авторов.

В первой главе на основе литературных данных обсуждается атомная структура дефектов кристалла GaAs и анализируются параметры соответствующих центров локализации заряда. Показано, что дефекты, содержащие вакансии в мышьячной и галлиевой подрешётке, по энергии в запрещенной зоне расположены соответственно вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, в то время как дефекты перестановки дают глубокие уровни вблизи середины запрещённой зоны.

Дано обоснование возможности использования халькогенной обработки для пассивации поверхности подложек из полупроводников АШВУ, представлены различные методики обработки в халькогенах и происходящие при этом структурно-фазовые изменения и реконструкции поверхности полупроводника. Обсуждаются причины закрепления уровня Ферми, а также способы управления спектром электронных состояний у поверхности ОаАз. Глава завершается постановкой цели и задач исследования.

Во второй главе представлены результаты электрофизических исследований диодов Шоттки с контактами из А1 и Аи на подложках до и после обработки в парах селена различной продолжительности и температуры подложки. Показана связь обработки поверхности ОаАз в халькогене с откреплением уровня Ферми и изменением электрофизических характеристик полученных на таких подложках диодов Шоттки. Обсуждаются механизмы деградации пассивирующего эффекта при взаимодействии тонких слоев селенида с замурованным под слоем металла кислородом. Представлены технологические условия получения диодов Шоттки с устойчивыми во времени хранения электрофизическими характеристиками, в которых плёнки Оа28е3 на поверхности ОаАз сохраняют пассивирующий эффект. Для более глубокого понимания физико-химических процессов происходящих с поверхностью ОаАз при обработке в селене привлекался метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ). С целью корректного контроля концентрации и энергии активации глубоких уровней приповерхностной области ОаАз был произведён поиск наиболее оптимальных режимов измерения изотермических релаксаций ёмкости (ИРЕ) и выбор времён выборки для построения спектров, по которым определены параметры основных глубоких уровней, наблюдаемых на эксперименте.

В главе три исследуется природа ПЭС, возникающих в результате хранения, химического травления и образования собственных оксидов на подложках ОаАз. Рассмотрены механизмы формирования ПЭС в результате

увеличения планарной неоднородности поверхности арсенида галлия при твердофазном взаимодействии подложки со слоем собственного оксида, а также причины появления ПЭС, обусловленных элементарным мышьяком на поверхности. Методом НСГУ показано, что обработка дефектной поверхности ваАя в парах селена позволяет снизить плотность ПЭС и достичь планарной однородности поверхности.

В четвёртой главе изучалось влияние обработки в парах селена на спектр электронных состояний приповерхностной области ОаАБ. Показано, что сверхстехиометричный для растущей фазы Оа28е3 галлий проникает в приповерхностную область и служит источником дефектов перестановки галлий на месте мышьяка. Измерения фольт-фарадных характеристик показывают снижение концентрации электронов на границе области обеднения и квазинейтральной области за счёт преобразования системы дефектов у поверхности ОаАэ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Власов, Юрий Николаевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Регистрация релаксаций ёмкости гетероструктур как массива данных C(T,t), сохраняемого в памяти компьютера, позволяет в результате одного температурного прохода получить достаточно информации для построения множества спектров НСГУ при варьировании интервала стробности и его положения на релаксационной кривой. Это позволяет увеличить разрешающую способность НСГУ метода в части определения энергий глубоких уровней.

2. Хранение подложек GaAs при нормальных условиях вызывает формирование ПЭС за счёт окисления поверхности, увеличения неоднородности и выделения элементарного мышьяка.

3. Обработка в парах селена снижает концентрацию ПЭС до уровня, не регистрируемого используемым вариантом НСГУ метода.

4. При обработке GaAs в парах селена выделяется сверхстехиометричный для растущей фазы селенида галлий, участвующий в рекомбинации точечных дефектов группы EL6 (парной вакансии VGa+ VAs) в приповерхностной области за счёт рекомбинации типа VGa + G^ = GaGa, а также VAs + Gaj = GaAs с образованием акцепторных уровней, что приводит к эффекту компенсации в приповерхностной области.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Власов, Юрий Николаевич, 2012 год

Список литературы

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур/Ж.И. Алферов// ФТП. -1998. -Т. 32, №1. -С. 3-18.

2. Белый В.И. Граница раздела M-AniBv / В.И. Белый, В.Р. Белослудов // Препринт АН СССР Сиб.Отд. - Ин-т неорганической химии №878, Новосибирск, 1987.

3. Белый В.И. Электронные состояния на GaAs / В.И. Белый // Препринт АН СССР Сиб.Отд. - Ин-т неорганической химии №8922, Новосибирск, 1989.

4. Бессолов В.Н. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ. Обзор/В.Н. Бессолов, М. В. Лебедев// ФТП. -1998. -Т. 32, №11. -С.1281-1299.

5. Сысоев Б.И. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия АП12ВУз(110) / Б.И. Сысоев, H.H. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин // ФТП.- 1995. -Т. 29, №1. -С. 24-32.

6. Scimeca Т. Surface chemical bonding of selenium-treated GaAs(lll)A, (100), and (111)B / T. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan, M. Oshima // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 46. - P. 10201.

7. Бехштедт Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн // М.: Мир, 1990. - 448 с.

8. Безрядин H.H. Формирование наноструктур в системе Ga2Se3/GaAs / H.H. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Арсентьев, A.A. Стародубцев // ФТП. - 2005. - Т.39; №9. - С. 1025.

9. Гусев А.И. Нестехиометрия, беспорядок, ближний и дальний порядок в твёрдом теле / А.И. Гусев // «Физматлит», Москва 2007.

10. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников. / Под ред. К.А. Джексона и В. Шрётера. // АНО «Издательство «Водолей», Воронеж 2003, Т. 1.

11. Overhof Н. Defect identification in the Asoa family in GaAs / H. Overhof and J.-M. Spaeth // Phys Rev В 72, 115205 (2005).

12. Shultz P.A. Simple intrinsic defects in gallium arsenide / P.A. Shultz and O.A. von Lilienfeld // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 17, 084007 (2009).

13. Fukuyama A. Investigation of deep levels in semi-insulating GaAs by means of the temperature change piezoelectric photo-thermal measurements / A. Fukuyama, A. Memon and K. Sakai, Y. Akashi, T. Ikari // J. of Appl. Physics, Vol. 89, N. 3, Pp. 1751-1754 (2001).

14. Fukuyama A. Interdefect correlation during thermal recovery of EL2 in semi-insulating GaAs: Proposal of a three-center-complex model / A. Fukuyama, T. Ikari, Y. Akashi, and M. Suemitsu // Phys. Rev. B, Vol. 67, 113202 (2003).

15. Chadi D. J. Arsenic-antisite defect in GaAs: Multiplicity of charge and spin states / D. J. Chadi // Phys. Rev. B, Vol. 68, 193204 (2003).

16. Favero P.P. New EL2 structural model based on the observation of two sequential photoquenching processes / P.P. Favero and J.M.R. Crus // Eur. Phys. J. В 47, 363-368 (2005).

17. Kabiraj D. Observation of Metastable and Stable Energy Levels of EL2 in Semi-insulating GaAs / D. Kabiraj and Subhasis Ghost // Appl. Physics Letters, Vol. 87, 252118 (2005).

18. Oyama Y. Excitation photocapacitance study of EL2 in n-GaAs prepared by annealing under different arsenic vapor pressures / Yutaka Oyama, Jun-ichi Nishizawa // J. of Appl. Physics, Vol. 97, 033705 (2005).

19. Feenstra R.M. Observation of Bulk Defects by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy: Arsenic Antisite Defects in GaAs / R.M. Feenstra, J. M. Woodall, and G.D. Pettit // Phys. Rev. Letters, Vol. 71, N. 8, Pp. 1176-1179 (1993).

20. Iguchi Y. Electronic structure around an As antisite near the (110) surface of GaAs / Yusuke Iguchi, Takeo Fujiwara, Akira Hida, and Koji Maeda // Phys. Rev. B, Vol. 71, 125328 (2005).

21. Xu Y. Identify of the micro-defects in semi-insulating GaAs / Y. Xu, C. Zhang, L. Tang and C. Liu, J. Hao // International Journal of Modern Physics B, Vol. 16, 4484 (2002).

22. Markov A.V. Comparison of deep levels spectra and electrical properties of GaAs crystals grown by vertical Bridgeman and by liquid encapsulated Czochralski methods / A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, Y.N. Bolsheva, A.V. Govorkov, B.N. Sharonov // Solid-State Electronics Vol. 46, 269 (2002).

23. Kaufmann U. Negative-U, off-center 0As in GaAs and its relation to the EL3 level / U. Kaufmann, E. Klausmann, and J. Schneider // Phys. Rev. B, Vol. 43, No. 14, 12106 (1991).

24. Bohl B. Comparative study of the SbGa heteroantisite and off-center 0As in GaAs / B. Bohl, M. Kunzer, F. Fuchs, G. Hendorfer, and U. Kaufmann // Phys. Rev. B, Vol. 46, No. 16, 10450 (1992).

25. Kaminski P. High-resolution photoinduced transient spectroscopy as a new tool for quality assessment of semi-insulating GaAs / P. Kaminski

and R. Kozlowski // Materials Science and Engineering B, Vol. 91-92, 398 (2002).

26. Look D.C. Identification of electron-irradiation defects in semi-insulating GaAs by normalized thermally stimulated current measurements / D.C. Look, Z.-Q. Fang, J.W. Hemsky, and P. Kengkan // Phys. Rev. B, Vol. 55, No. 4, 2214 (1997).

27. Emission rate dependence on the electric field for two trap levels in proton-irradiated n-type GaAs / A.V.P. Coelho and H. Boudinov // Phys. Rev. B, Vol. 77, 235210 (2008).

28. Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs / H. Boudinov and A.V.P. Coelho, H.H. Tan and C. Jagadish // J. of Appl. Physics, Vol. 93, N. 6, Pp. 3234-3238 (2003).

29. Native defects in gallium arsenide / J.C. Bourgoin and H.J. Bardeleben, D. Stevenard // J. of Appl. Physics, Vol. 64, N. 9, R65 (1988).

30. Schottky barriers on GaAs: Screened pinning at defect levels / T. J. Drummond // Phys. Rev. B, Vol. 59, No. 12, 8182 (1999).

31. Cavallini A. Irradiation effects on the compensation of semi-insulating GaAs for particle detector applications / A. Cavallini and L. Polenta // J. of Appl. Physics, Vol. 98, 023708 (2005).

32. Reddy C.V. Nature of the bulk defects in GaAs through high-temperature quenching studies / C.V. Reddy, S.Fung, C.D. Beling // Phys. Rev. B, Vol. 54, No. 16, 11290 (1996).

33. Jorio A. Effect of intrinsic defects on the electron mobility of gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy and metal organic chemical vapor deposition / A. Jorio, L. Sellami, M. Aubin and C. Carlone // J. of Appl. Physics, Vol. 91, N. 12, 9887 (2002).

34. Брунков П.Н. Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия / П.Н. Брунков, А.А. Гуткин,

A.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев и др. // ФТП, том 38, вып. 4, 401 (2004).

35. Брудный В.Н. Влияние электронного (зарядового) состояния Е-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении /

B.Н. Брудный, В.В. Пешев // ФТП, том 37, вып. 1, 22 (2003).

36. Брудный В.Н. U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ) / В.Н. Брудный, В.В. Пешев // ФТП, том 37, вып. 2, 151 (2004).

37. Yokota К. EL2, EL3, and EL6 defects in GaAs highly implanted with sulfur / K. Yokota, H. Kuchii, K. Nakamura, M. Sakaguchi, H. Takano, Y. Ando // J. of Appl. Physics, Vol. 88, N. 9, 5017 (2000).

38. Deenapanray P.N.K. Electronic and isochronal annealing properties of electron traps in rapid thermally annealed SiC^-capped n-type GaAs epitaxial layers / P.N.K. Deenapanray, H.H. Tan, and C. Jagadish, F.D. Auret // J. of Appl. Physics, Vol. 88, N. 9, 5017 (2000).

39. Deenapanray P.N.K. Electrical characterization of impurity-free disordering-induced defects in n-GaAs using native oxide layers / P.N.K. Deenapanray, H.H. Tan, C. Jagadish // Applied Physics A, 76, 961 (2003).

40. Zamponi C. Point defects as result of surface deformation on a GaAs wafer / C. Zamponi, U. Mannig, T.E.M. Staab, K. Maier, S. Eichler, R. Hammer // J. of Appl. Physics, Vol. 83, N. 20, 4128 (2003).

41. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ./ Э.Х. Родерик. - М..: Радио и связь, 1982.-208 с.

42. Mönch W. Semiconductor surfaces and interfaces / Winfried Mönch -Springer-Verlag, 2001.

43. Зенгуил Э. Физика поверхности: пер. с англ./ Э. Зенгуил - М.: Мир, 1990.-536с.

44. Baca A. G. Fabrication of GaAs Devices / A. G. Baca, Carol Iris Hill Ashby - The Institution of Electrical Engineers, 2005.

45. Van Laar J. Influence of Volume dope on Fermi level position at gallium arsenide surface/ J. Van Laar, LI. Scheer // Surf. Sei. -1967. -V. 8, №3. -P. 342-356.

46. Duke C.B. Atomic geometries of the (110) surfaces of III-V compound semiconductors: Determination by the total-energy minimization and elastic low-energy electron diffraction/ C.B. Duke [et al.] // J. Vac. Sci.Technol. B. -1985. -Y.3, № 4. -P. 1087-1088.

47. Торхов H.A. Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе / H.A. Торхов // ФТП. -2003. -Т. 37, №10. -С. 1205-1212.

48. Spicer, W.E. The advanced unified defect model for Schottky barrier formation / W.E. Spicer, Z. Liliental-Weber, E. Weber, N. Newman, T. Kendelewicz, R. Cao, C. McCants, P. Mahowald, K. Miyano, I. Lindau // «J. Vac. Sei. Technol. B». - Vol.6, No. 4. - 1988.-P.1245-1251.

49. Heine V. Theory of surface states /V. Heine // Phys. Rev.A. -1965. -V.138, № 6. -P. 1689-1696.

50. Mead C.A. Surface scales on semiconductor crystals/ C.A. Mead// Appl. Phys. Lett. -1965. -V. 6. -P. 103-104.

51. Louie S.G. Iconicity and the theory of Shottky barriers/ S.G. Louie, J.R. Chelikowsky, Cohen M.L//Phys. Rev. B.-1977. -V. 15. -P. 2154-2462.

52. Tersoff J. Schottky barrier heights and the continuum of gap states/ J. Tersoff//Phys. Rev. Lett. -1984. -V. 52, №6. -P. 465-468.

53. Tersoff J. Calculation of Schottky barriers heights from semiconductor band structures/ J. Tersoff// Surf. Sci. 1986. -V.168, № 1-3. P. 275-284.

54. Tersoff J. Theory of semiconductors heterojunctions: The role of quantum dipoles/ J. Tersoff// Phys. Rev. B. -1984. -V. 30,№8. -P. 48744877.

55. Hasegawa H. On the electrical properties of compound semiconductor interfaces in metal/insulator/semiconductors structures and the possible origin of interface states/ .H. Hasegawa, T. Sawada// Thin Solid Films. -1983.-V. 103, № l.-P. 119-140.

56. Hasegawa H. Hybrid orbital energy for heterojunction band lineup/ H. Hasegawa, H. Ohno, T. Sawada// Japan J. Appl. Phys. - 1986. - V. 25. -P. L265-L268.

57. Hasegawa H. Unified disorder induced gap state model for insulator-semiconductor and metal-semiconductor interfaces/ H. Hasegawa, H. Ohno// J. Vac. Sci. Technol. B. -1986. -V. 4, № 4. -P. 1130-1136.

58. Walukiewicz W. Fermi level dependent native defects formation: Consequences for metal - semiconductor and semiconductor -semiconductor interfaces/ W. Walukiewicz // J. Vac. Sci. Technol. B. -1988. -V. 6, № 4. -P. 1257-1262.

59. Walukiewicz W. Amphoteric native defects in semiconductors/ W. Walukiewicz// Appl. Phys. Lett. -1989. -V. 54, № 21. -P. 2094-2096.

60. Wagener, M.C. Characteristics and thermal stability of ruthenium/p-GaAs Schottky contacts / M.C. Wagener, J.R. Botha, A.W.R. Leitch // «Semicond. Sci. Technol.». - Vol.14. - 1999. - P. 1080-1083.

61. Myburg, G. Annealing characteristics and thermal stability of electron beam evaporated ruthenium Schottky contacts to n-GaAs / G. Myburg, F. D. Auret // «Appl. Phys. Lett.». - Vol.60.- 1992.- P.604-606.

62. Hohenecker St. Chalcogen modification of GaAs(lOO) surfaces and metal/GaAs(100) contacts / Stefan Hohenecker - Chemnitz University of Technology, 2001. Dissertation zur Erlangung des akademischen Grades Doctor rerum naturalium.

63. Weber E.R. AsGa antisite defects in GaAs / E.R. Weber, J. Schneider // Physica B. - 1983. - Vol.116. - P. 398-403.

64. Forment, S. Influence of hydrogen treatment and annealing processes upon the Schottky barrier heihgt of Au/n-GaAs and Ti/n-GaAs diodes / S. Forment, M. Biber, R.L. Van Meirhaeghe, W.P. Leroy, A. Turut // «Semicond. Sci. Technol.».-Vol.l9.-2004.-P. 1391-1396.

65. Van Meirhaeghe, R.L. Influence of defect passivation by hydrogen on the Schottky barrier height of GaAs and InP contacts / R.L. Van Meirhaeghe, W.H. Laflere, F. Cardon // «J. Appl. Phys.». - Vol.76-1994.-P.403-406.

66. Turut, A. Thermal stability of Cr-Ni-Co alloy Schottky contacts on MBE n-GaAs / A. Turut, A. Gumus, M. Saglam, S. Tusemen, H. Efeoglu, N. Yalcin, M. Missous // «Semicond. Sci. Technol.». - Vol.13. - 1998. - P. 776-780.

67. Vitturo, R.E. Interface states and Schottky barrier formation at metal/GaAs junctions / R.E. Vitturo, C. Mailhiot, J.L. Shaw, L.J. Brillson, D. LaGraffe, G. Margaritondo, G.D. Pettit, J.M. Woodall // «J. Vac. Sci. Technol. A». - Vol.7, No.3.- 1989.-P.855-860.

68. Sandroff, C.J. Dramatic enhancement in the gain of a GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation / C.J.

Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat // «Appl. Phys. Lett.». -Vol.51.- 1987.-P.33-35.

69. Yablonovich, E. Nearly ideal electronic properties of sulfide coated GaAs surfaces / E. Yablonovich, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter // «Appl. Phys. Lett.». - Vol.51.- 1987.-P.439-441.

70. Carpenter, M.S. Schottky barrier formation on (NH4)2S-treated n- and p-type (100)GaAs / M.S. Carpenter, M.R. Melloch, Т.Е. Dungan // «Appl. Phys. Lett.». - Vol.53. - 1988.-P.66-68.

71. Sandroff, C.J. Electronic passivation of GaAs surfaces through the formation of arsenic-sulfur bonds / C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C. Chang, J.P. Harbison // «Appl. Phys. Lett.». - Vol.54-

1989.-P.362-364.

72. Fan, J. The effect of (NH4)2S-treatment on the interface characteristics of GaAs MIS-structures / J. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi // «Jap. J. Appl. Phys.» - Vol.27, No.7. - 1988. -P.L1331-L1333.

73. Meskinis, S. Effects of selenium acid treatment on GaAs Schottky contacts / S. Meskinis, S. Smetona, G Balcaitis, J. Matukas // «Semicond. Sci. Technol.». - Vol.14. - 1999. - P. 168-172.

74. Ohno, T. First-principles study of sulfur passivation of GaAs(OOl) surfaces / T. Ohno, K. Shiraishi // «Phys. Rev. В». - Vol.42, No 17.-

1990.-P.l 1194-11197.

75. Feng, P.X. Surface, interface and bulk properties of GaAs(l 11)B treated by Se layers / P.X. Feng, J.D. Riley, R.C.G. Leckey, P.J. Pigram, T. Seyller, L. Ley // «J. Phys. D: Appl. Phys.». - Vol.34.- 2001.- P.678-682.

76. Scimeca, Т. Surface chemical bonding of selenium-treated GaAs(lll)A, (100), and (111)B. / T. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan, M. Oshima // «Phys. Rev. В». - Vol.46, No 16.- 1992.-P. 10201-10206.

77. Eftechari, G. Electrical characteristics of selenium-treated GaAs MIS Schottky diodes / G. Eftechari // «Semicond. Sci. Technol.». - Vol.8. -1993.-P. 409-411.

78. Biegelsen, D.K Selenium- and tellurium-terminated GaAs(100) surfaces observed by scanning tunneling microscopy / D.K. Biegelsen, R.D. Bringans, J.E. Northrup, L.-E. Swartz // «Phys. Rev. В». - Vol.49, No 8.-1994.-P.5424-5428.

79. Gundel, S. First-principles simulation of Se and Те adsorbed on GaAs(OOl) / S. Gundel, W. Faschinger // «Phys. Rev. В». - Vol.59, No 8 - 1999-P.5602-5611.

80. Takatani, S. Reflection high-energy electron-difraction and photoemission spectroscopy study of GaAs(OOl) surface modified by Se adsorbtion / S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa // «Phys. Rev. В». -Vol.45, No 15. - 1992 - P.8498-85025.

81. Сысоев, В.И. Изолирующее покрытие для арсенида галлия / В.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов // «ЖТФ». -Т.56, No.5. - 1986.- С.913-915.

82. Chambers, S.A. Structure, chemistry and band bending at Se-passivated GaAs (001) surfaces / S.A. Chambers , V.S. Sundaram // «Appl. Phys. Lett.». - Vol.57. - 1990 - P.2342-2344.

83. Безрядин, H.H. Положение уровня ферми на поверхности арсенида индия, обработанной в парах серы / Н.Н. Безрядин, Е.А. Татохин, И.Н. Арсентьев, А.В. Буданов, А.В. Линник // «ФТП». - Т.ЗЗ, No.12 - 1999. - С.1447-1449.

84. Безрядин, Н.Н. Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком / Н.Н. Безрядин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Г.И. Котов, Р.В. Кузьменко, М.П. Сумец // «ФТП». - Т.ЗЗ, No.6 - 1999.- С.719-722.

85. Krishna G. Nath Passivation-mediated growth of Co on Se, S and О rich GaAs surfaces: A potential approach to control interface crystallinity and magnetic continuity / Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe // J. of Appl. Physics, Vol. 91, P. 3943 (2002).

86. Chen P. T. Hf02 gate dielectric on (NH4)2S passivated (100) GaAs grown by atomic layer deposition / P. T. Chen, Y. Sun, E. Kim, P. C. Mclntyre, W. Tsai, M. Garner, P. Pianetta, Y. Nishi, and С. O. Chui // J. of Appl. Physics, Vol. 103, P. 034106 (2008).

87. Schottky barrier height and interfacial state density on oxide-GaAs interface / J.S. Hvang, C.C. Chang, M.F. Chen, C.C. Chen, K.I. Lin, F.C. Tang, M. Hong, J.Kwo // J. of Appl. Physics, Vol. 94, P. 348-353 (2003).

88. Татохин E.A. Автоматизированный программно-измерительный комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней / Е.А. Татохин, А.В. Каданцев, А.Е. Бормонтов, В.Г. Задорожний // Вестн. Воронеж, гос. гех. ун-та. 2009. Т. 5, № 10. С. 40-50.

89. Каданцев А.В. Автоматизированная установка для ёмкостной спектроскопии полупроводников / А.В. Каданцев [и др.] // ПТЭ. 2004. №6. С. 138-139.

90. Сысоев Б.И. Автоматизированный измеритель вольт-фарадных характеристик на базе ЭВМ «Электроника-60» / Б.И. Сысоев, В.Д. Линник, С.А. Титов, М.М. Стрилец // ПТЭ. 1988. №1. С. 67-71.

91. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D.V. Lang // Journal of Applied Physics, Vol. 45, No. 7, Pp. 3023-3032, July 1974.

92. Берман JI.C. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л.С. Берман, А.А. Лебедев // Ленинград: «Наука», 1981.

93. Луфт Б.Д. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников/ Под ред. Б.Д. Луфт.- М.: Радио и связь, 1982. -136с.

94. Piotrowska A. Methods of surface preparation for some A3B5 semiconductor compounds// A. Piotrowska, E. Kaminska, A. M. Kaminska//Electron Technol. -1984. -V. 14, № 1-2. -P. 3-24.

95. Антюшин В.Ф. Химическое травление полярных плоскостей арсенида галлия в сернокислом травителе// В.Ф. Антюшин, Т.А. Кузьменко, В. Д. Стрыгин// Полупроводниковая электроника: Межвузовский сборник научных трудов. - Воронеж: ВГПИ. -1985. С. 11-15.

96. Baruchka I. Chemical etching of (100) GaAs in a sulphuric acid-hydrogen peroxide-water system/1. Baruchka, I. Zubel// J. of Mater. Sci. -1987. -V. 22, №4. -P. 1299-1304.

97. Saletes A. Morphology of GaAs and InP(OOl) substrates after different preparation procedures prior to epitaxial growth/ A. Saletes, P. Turco, J. Massies//J. Electrochem. Soc.-1988. -V. 135, № 2. -P. 504-509.

98. Sugawara S. Chemical etching of {111} surfaces of GaAs crystals in H2SO4-H2O2-H2O system// S. Sugawara, K. Saito, J. Yamauchi// Jpn. J. Appl. Phys. -2001. -V. 40. P.l, № 12. -P. 6792-6796.

99. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovich, T. J. Gmitter. Appl. Phys. Lett, 51,2022(1987).

100. Сысоев Б. И. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах M -GaAs / Б. И. Сысоев [и др] // ФТП. -1993. -Т. 27, №. 1. -С.131 - 135.

101. Асессоров В.В. Электронно-микроскопическое исследование поверхности GaAs, обработанной в парах селена / В.В. Асессоров, Б.Л. Агапов, H.H. Безрядин, Г.И. Котов, A.A. Стародубцев, C.B. Кузубов, Ю.Н. Власов // Тезисы докладов XXI Российской конференции по электронной микроскопии «ЭМ'2006» Черноголовка, 5-10 июня 2006, - С. 31.

102. Безрядин H.H. Халькогенная обработка в технологии наноразмерных структур на подложках из арсенида галлия / H.H. Безрядин, Г.И. Котов, C.B. Кузубов, A.A. Стародубцев, Т.А. Кузьменко, Ю.Н. Власов // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников - Екатеринбург, 30 сентября-5 октября 2007, - С. 121.

103. Котов Г.И. Реконструкция поверхности АШВУ (111) в наногетероструктурах, сформированных обработкой в парах селена / Г.И. Котов, C.B. Кузубов, Б.Л. Агапов, H.H. Безрядин, Ю.Н. Власов // Материалы конференции «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах». - Воронеж, 38 октября 2010 г.- С.378-379.

104. Безрядин H.H. Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs (100) и In2Se3/InAs (100) / H. H. Безрядин, Г. И. Котов, С. В. Кузубов, Я. А. Болдырева, Б. Л. Агапов // «Кристаллография» - Т.56, No.3.- 2011- С. 565 - 569.

105. Безрядин H.H. Наноразмерный слой фазы АШ2ВУ13 (111) с упорядоченными вакансиями катиона на GaAs(l 11) и InAs (111) / H.

H. Безрядин, Г. И. Котов, С. В. Кузубов, Б. Л. Агапов // «Кристаллография» - Т.55, No.5 - 2010.- С. 896 - 899.

106. Безрядин Н.Н. Токопрохождение и емкостные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs с туннельно прозрачным слоем Ga2Se3 / Н.Н. Безрядин, А.А. Стародубцев, Ю.Н. Власов // Седьмая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике Санкт-Петербург, 5-9 декабря 2005.- С.96.

107. Безрядин Н.Н. Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3 / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, А.А. Стародубцев, Ю.Н. Власов // Тезисы докладов девятой конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» - Томск, 3-5 октября 2006, - С. 171-174.

108. Котов Г.И. Влияние обработки в парах селена на электрофизические характеристики диодов Шоттки на основе GaAs / Г.И. Котов, А.А. Стародубцев, Ю.Н. Власов // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвузовский сборник научных трудов) ВГТУ, Воронеж, 2006, - С. 63 - 69.

109. Crowell, C.R. The physical significance of the T0 anomalies in Schottky barriers / C.R. Crowell // «Solid-State Electronics». - Vol.20. -1977.-P. 171-175.

110. Freeouf, J.L. Are iterface states consistent with Schottky barrier measurements? / J.L. Freeouf // «Appl. Phys. Lett.». - Vol.41 - 1982-P.285-287.

111. Безрядин Н.Н. Методика регистрации и анализа изотермической релаксации емкости полупроводниковых гетероструктур / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, А.В. Каданцев, Л.В. Васильева, Ю.Н. Власов // Приборы и техника эксперимента. - 2010г. -№3 - С. 119-122.

112. Мокроусов Г.М. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа АШВУ / Г.М. Мокроусов, О.Н. Зарубина // Известия томского политехнического университета. - 2008 - Т.313, №3 - С. 25-30.

113. Saletes A. Morphology of GaAs and InP (001) substrates after different preporation procedures prior to epitaxial growth / A. Saletes, F. Turco, J. Massies, J.P. Contour // J. Electrochem. Soc., 1988, V.135, № 2, P. 504-509.

114. Allwood D.A. Monitoring epiready semiconductor wafers / D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker // Thin Solid Filmes 2002, Vol. 412, P.p. 76-83.

115. Божков В.Г. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии / В.Г. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков // ФТП, 2008, Т.42, № 5, С. 546-554.

116. Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, and M. Gendry // Phys. Rev. В 1994, Vol.49, No. 16, P.p. 11159-11167.

117. Ю.В. Капитонов. Тез. докл. молодежной научной конференции «Физика и Прогресс» к 110-летию со дня рождения В.А. Фока (СПб., Россия, 2008 г), с.169.

http://www.phys.spbu.ru/content/File/PhvsicsAndProgress/Book 2008.pdf

118. Котов Г.И. Исследование дефектов в приповерхностной области GaAs методом DLTS / Г.И. Котов, А.В. Каданцев, JI.B. Васильева, Ю.Н. Власов // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвузовский сборник научных трудов) ВГТУ, Воронеж, 2008, -С. 108-112.

119. Котов Г.И. Снижение плотности поверхностных электронных состояний при обработке разупорядоченной поверхности GaAs в парах селена / Г.И. Котов, Ю.Н. Власов, Г.А. Панин // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвузовский сборник научных трудов) ВГТУ, Воронеж, 2010, -С. 112-118.

120. Агаев Я.А. Влияние примеси Ga на спектр фотопроводимости монокристаллов GaAs / Я.А. Агаев, Г. Гарягдыев, В.В. Гордиенко и др. // Изв. АН ТССР. Сер."Ф". - 1986. -№5. - С.!96-97.

121. Безрядин H.H. Устойчивость халькогенидной пассивации арсенида галлия в зависимости от времени хранения диодов Шоттки Al/GaAs / H.H. Безрядин, A.A. Стародубцев, Г.И. Котов, Ю.Н. Власов // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвузовский сборник научных трудов) ВГТУ, Воронеж, 2005, -С. 28-31.

122. Котов Г.И. Преобразование системы дефектов GaAs при обработке в парах селена. / Г.И. Котов, Ю.Н. Власов // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвузовский сборник научных трудов) ВГТУ, Воронеж, 2007, -С. 25 - 28.

123. Безрядин H.H. Влияние обработки арсенида галлия в парах селена на дефекты в приповерхностной области / H.H. Безрядин, Ю.Н. Власов // Тезисы докладов. Девятая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике Санкт-Петербург, 3 -7 Декабря 2007.- С.99.

124. Безрядин H.H. Исследование дефектов в приповерхностной области GaAs методом DLTS / H.H. Безрядин, Ю.Н. Власов // Тезисы докладов. Десятая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой

опто- и наноэлектронике Санкт-Петербург, 1 -5 Декабря 2008.-С.101.

125. Yamasaki К. Determination of the interface states in GaAs MOS diodes by deep-level transient spectroscopy / Kimiyoshi Yamasaki and Takuo Sugano // Appl. Phys. Lett., 1979, -V. 35, - P. 932.

126. Безрядин H.H. Центры локализации заряда в приповерхностной области арсенида галлия / H.H. Безрядин, JI.B. Васильева, Ю.Н. Власов // Материалы XLV отчётной научной конференции за 2006 год ВГТА,-4.2,-С. 136.

127. Безрядин H.H. Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галлия. / H.H. Безрядин, Г.И. Котов, Ю.Н. Власов, A.A. Стародубцев, P.K. Bhatnagar, P.C. Mathur // Известия высших учебных заведений. - Сер. Физика,- 2009г. - №4, - С.72-76.

128. Безрядин H.H. Анализ изотермических релаксаций ёмкости полупроводниковых гетероструктур по DLTS методике / H.H. Безрядин, JT.B. Васильева, Ю.Н. Власов // Материалы XLVII отчётной научной конференции за 2008 год ВГТА, -4.2, -С. 151.

129. Безрядин H.H. Экспериментальное выделение моноэнергетического уровня на фоне ПЭС в рамках DLTS методики / H.H. Безрядин, JI.B. Васильева, Ю.Н. Власов // Материалы XLVIII отчётной научной конференции за 2009 год ВГТА, -4.2, -С. 165.

130. Брудный В.Н. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами / В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.А. Новиков // ФТП, том 31, вып. 7, 811-815, (1998).

131. Брудный В.Н. Электронные свойства облучённых полупроводников, модель закрепления уровня Ферми /В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин // ФТП, том 37, вып. 5, 557-564, (2003).

132. Брудный В.Н. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках / В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов // ФТП, том 41, вып. 9, 1031-1040, (2007).

133. Литвинова, М.Б. Влияние примесей на излучательную рекомбинацию через центры EL2 в монокристаллах арсенида галлия / М.Б. Литвинова // «ФТП». - Т.38, No Л.- 2004.- С.44-48.

134. Hurle D.T.J. A thermodynamic analysis of native point defect and dopant solubilities in zinc-blende III-V semiconductors / D.T.J. Hurle // J. of Appl. Physics, Vol. 107, 121301 (2010).

135. Shan Y. Y. EL2 deep-level transient study in semi-insulating GaAs using positron-lifetime spectroscopy / Y. Y. Shan, С. C. Ling, A. H. Deng, В. K. Panda, C. D. Beling, and S. Fung // Phys. Rev. B. - 1997. -V.55, № 12.-P. 7624-7628.

136. Kaminski P High-resolution photoinduced transient spectroscopy as a new tool for quality assessment of semi-insulating GaAs / P Kaminski, R Kozlowski // Material Science and Engineering B. - 2002. - V.91-92. -P. 398-402.

137. Influence of acceptor impurities on semi-insulating GaAs particle detectors / R. Ferrini, G.Guizzetti, M.Patrini, F.Nava, P. Vanni, and C. Lanzieri // Eur. Phys. J. B. -2000. -V. 16. - P. 213-216

138. Arulkumaran S. Investigations on Au, Ag, and A1 Schottky Diodes on Liquid Encapsulated Czochralski Grown n-GaAs(100) / S. Arulkumaran,

J. Arokiaraj, M. Udhayasankar at all // Journal of Electronic Materials. -1995.-V. 24, No. 7.-P.813-817.

139. Ланно M. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн // М: «Мир», 1984 - 264с.

140. Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно // М: «Мир», 1985-304с.